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JP4885767B2 - 半導体導波路素子及び半導体レーザ及びその作製方法 - Google Patents

半導体導波路素子及び半導体レーザ及びその作製方法 Download PDF

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JP4885767B2 JP2007051175A JP2007051175A JP4885767B2 JP 4885767 B2 JP4885767 B2 JP 4885767B2 JP 2007051175 A JP2007051175 A JP 2007051175A JP 2007051175 A JP2007051175 A JP 2007051175A JP 4885767 B2 JP4885767 B2 JP 4885767B2
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Description

本発明は、光ファイバ通信用光源および光計測用光源として用いられる波長可変半導体レーザに関し、特に光通信における光波長(周波数)多重システム用光源、および広帯域波長帯をカバーする光計測用光源に関するものである。
通信情報量の増大に対して、光波長(周波数)多重通信システムの研究が行われているが、送信用光源および同期検波用可同調光源として広範囲な波長調整機能が要求されており、又、光計測の分野からも広域波長帯をカバーする波長可変光源の実現が望まれている。
これまでに、種々の可変波長光源が研究されてきたが、それらを大別すると、1つの発振モードで連続的に波長が変わるものと、モード跳びを伴って不連続に波長が変わるものとに分けることができる。実際のシステムへの応用を考えた場合、制御性の面から、連続的に波長が変わるものの方が好ましい。また、波長可変光源の波長を制御する手段としては、温度調整による光導波路層の屈折率変化を用いて発振波長を制御するものと、電流注入による光導波路層の屈折率変化を用いて発振波長を制御するものの二つが主に用いられている。波長変化速度の面では、電流注入による屈折率変化を用いる方がより速い波長切り替えが可能であり、好適である。
上述した電流注入による光導波路層の屈折率変化を用いて連続的に発振波長を変化させることができる波長可変光源としては、二重導波路レーザ(TTGレーザ)や分布反射型レーザ(DBRレーザ)などの半導体レーザが研究されており、連続波長可変幅としてTTGレーザでは7nm、DBRレーザでは4.4nmという値が報告されている。近年では、DBRレーザのモード跳びを抑えるために、活性層領域を短くした、いわゆる短共振器DRBレーザも研究されている。
モード跳びをともなった不連続な波長可変幅としては、DBRレーザで10nmという値が得られている。また、不連続ではあるが広い波長可変幅が得られる半導体レーザとして、Y分岐レーザ、超周期構造回折格子レーザなどが試作され、50〜100nmの波長可変幅が得られている。
しかし、上述したような従来のTTGレーザ、DBRレーザにおいては次のような問題があった。
TTGレーザでは、光の増幅作用を行う活性導波路層に電流注入してレーザ発振動作を生じさせ、該活性導波路層のすぐ近くに形成される波長制御用非活性導波路層に独立に電流注入することにより、発振波長を変化させる。ここで、回折格子の周期をΛ、導波路の等価屈折率をnとすれば、ブラッグ波長λbは、以下に示す(1)式で表される。
λb=2nΛ・・・(1)
レーザはこのブラッグ波長近傍の1つの共振縦モードで発振動作する。非活性導波路層に電流注入を行うと、導波路の等価屈折率が変化し、(1)式より、ブラッグ波長もそれに比例して変化する。ここで、ブラッグ波長の変化の割合Δλb/λbは、以下に示す(2)式に示すように、等価屈折率の変化の割合Δn/nと等しくなる。
Δλb/λb=Δn/n・・・(2)
また、電流注入による等価屈折率の変化に伴い、共振縦モード波長も変化する。TTGレーザの場合、共振器全体の等価屈折率が一様に変化するので、共振縦モード波長の変化の割合Δλr/λrは、(3)式に示すように等価屈折率の変化の割合Δn/nに等しくなる。
Δλr/λr=Δn/n・・・(3)
(2)式、(3)式より、TTGレーザでは、ブラッグ波長の変化と共振縦モードの変化が等しくなるので、最初に発振したモードが保たれたまま連続的に発振波長が変化するという大きな特徴を有する。
しかしながら、単一横モード発振動作をさせるためには二重導波路の幅は1〜2μmにする必要があり、さらに活性層と波長制御層との間に形成されるn型スペーサ層の厚さを1μm以下まで薄くする必要があるため、通常の半導体レーザで用いられている埋め込み構造にすることができず、それぞれの導波路層に効率良く電流を注入するための構造にすることが、製作上非常に困難であるという問題があった。
それに対してDBRレーザでは、光の増幅作用を行う活性導波路層と非活性導波路層とが直列に結合されている構造なので、通常の半導体レーザと同様に電流狭窄を行うための埋め込みストライプ構造を用いることができ、更に各々の導波路層に独立に電流注入を行うことは、各々の導波路層の上方に形成される電極を分離することにより容易に実現される。
非活性導波路層への電流注入により、等価屈折率を変えてブラッグ波長を変化させる機構はTTGレーザと同様であるが、等価屈折率の変化する領域が共振器の一部に限られているために、ブラッグ波長の変化量と共振縦モード波長の変化量とは一致しない。共振縦モード波長の変化の割合Δλr/λrは、(4)式に示すように、全共振器長さLに対する分布反射器の実効長Leの割合分だけ等価屈折率の変化の割合Δn/nよりも少なくなる。
Δλr/λr=(Le/L)・(Δn/n)・・・(4)
したがって、(2)式、(4)式より、DBRレーザでは波長制御電流を注入するにつれてブラッグ波長と共振縦モード波長とが相対的に離れていくため、モード跳びを生じてしまうという欠点を持っていた。モード跳びを生じさせないためには、回折格子が形成されていない位相調整領域を設けて、そこへの電流注入により共振縦モードの変化量とブラッグ波長の変化量とを一致させる必要がある。
しかし、この方法では2つの電極への波長制御電流を制御するための外部回路が必要になり、装置構造、および制御が複雑になるという問題があった。また、モード跳びを生じさせないもう一つの方法として、共振器長を短くして縦モード間隔を広げる短共振器DBRレーザが考えられるが、活性層を短くする必要があるため、大きな出力を得るのが困難であるという問題点があった。
TTGレーザ及びDBRレーザにおける連続波長可変幅は、波長制御層の屈折率変化量に制限され、その値は4〜7nm程度に留まっている。波長可変幅をさらに広くするには、モード跳びを許容し、波長フィルタの波長変化量が屈折率変化量よりも大きくなるような手段を用いる必要がある。Y分岐レーザや、超周期構造回折格子レーザは、いずれも屈折率変化量よりもフィルタ波長変化量が大きくなる手段を用いている。これらのレーザでは、フィルタ波長を大きく変化させ、なおかつ十分な波長選択性を得るために、2つの電極に流す電流を制御する必要があり、さらに共振縦モード波長を制御するための電極も必要となる。その結果、発振波長を調整するのに3つの電極への注入電流を制御しなければならず、制御が非常に複雑になってしまうという問題があった。
これらの問題に対し、特許文献1、非特許文献1等には、分布活性DFBレーザ(TDA−DFB−LD)が開示されている。分布活性DFBレーザは、一つの電極への注入電流制御により連続的に4〜7nm程度発振波長を変化させることができ、なおかつ活性導波路層及び非活性導波路層への電流注入も効率よく行える半導体レーザを得ることと、モード跳びを伴うけれども、二つの電極への注入電流制御により、50〜100nm程度の範囲にわたって発振波長を変化させることができるものである。このような構造によれば、活性層体積を十分確保できるため、高出力化を図ることが可能である。
図11に非特許文献1において開示された分布活性DFBレーザの構造を示す。図11(a)は分布活性DFBレーザの上面図、図11(b)は図11(a)におけるx−x´断面図である。
図11に示すように、分布活性DFBレーザは、下部クラッド501上に、活性導波路層502と非活性導波路層(波長制御領域)503とをそれぞれ一定の長さLa、Ltで、交互に周期的に直列結合した構造となっている。活性導波路層502および非活性導波路層503の上には上部クラッド504が形成され、活性導波路層502および非活性導波路層503と上部クラッド504との間には凹凸、すなわち回折格子505が形成されている。更に、上部クラッド504上には、活性導波路層502、非活性導波路層503に対応して活性層電極507、波長制御電極508がそれぞれ設けられている。また、下部クラッド501の下方には共通の電極510が設けられている。
図11に示す分布活性DFBレーザにおいては、活性導波路層502への電流Iaの注入により発光とともに利得が生じ、活性導波路層502と上部クラッド504との間に形成された回折格子505の周期に応じた波長のみが選択的に反射されてレーザ発振が起こる。
一方、非活性導波路層503への電流Itの注入により、該非活性導波路層503の屈折率はキャリア密度に応じて生じるプラズマ効果により変化するため、これに伴って、非活性導波路層503と上部クラッド504との間に形成された回折格子505の光学的な周期は変化する。そして、非活性導波路層503の等価屈折率が変化し、一周期の長さに対する波長制御領域の長さの割合分だけ共振縦モード波長が短波長側にシフトする。繰り返し構造の一周期の長さをL、波長制御領域長をLtとすれば、共振縦モード波長の変化の割合は、以下に示す(5)式で表される。
Δλr/λr=(Lt/L)・(Δn/n) ・・・(5)
一方、複数の反射ピークの各波長も、電流Itの注入による等価屈折率の変化の結果、短波長側にシフトする。反射ピーク波長は繰り返し構造一周期内の平均等価屈折率変化に比例するので、反射ピーク波長の変化の割合Δλs/λsは、以下に示す(6)式で表される。
Δλs/λs=(Lt/L)・(Δn/n) ・・・(6)
(5)式、(6)式より、反射ピーク波長と共振縦モード波長とは同じ量だけシフトする。従って、このレーザでは、最初に発振したモードを保ったまま連続的に波長が変化する。
特許文献1に開示されている分布活性DFBレーザの構造を図12に示す。
この分布活性DFBレーザも図11に示す分布活性DFBレーザと同様に、下部クラッド601上に、活性導波路層602と非活性導波路層603とをそれぞれ一定の長さLa、Ltで、交互に周期的に直列結合した構造を有し、活性導波路層602および非活性導波路層603の上に上部クラッド604が形成され、活性導波路層602と上部クラッド604との間には凹凸、すなわち回折格子605が形成されている。更に、上部クラッド604上には、それぞれ活性導波路層602、非活性導波路層603に対応して活性層電極607、波長制御電極608が設けられている。また、下部クラッド601の下部には共通の電極610が形成されている。この分布活性DFBレーザでは、回折格子605を一部のみに形成しているが、図11の分布活性DFBレーザと同じように連続的に波長変化する。
また、特許文献1には、図13に示すように、図12に示す分布活性DFBレーザと同様の構造を有し、活性導波路層602と非活性導波路層603の繰り返し周期がそれぞれL1、L2である、異なる二つのレーザを直列結合した構造も開示されている。なお、図12に示した部材と実質的に同一の部材については同一符号を付し、説明を省略する。
特許第3237733号公報 石井 他著、「分布活性DFBレーザ(A Tunable Distributed Amplification DFB Laser Diode(TDA-DFB-LD))」、IEEE Photonics Letters、vol.10、no.1、1998年1月、p.30―32
しかしながら、上述の分布活性DFBレーザの構造では、活性領域と非活性領域を短い領域長で交互に繰り返しているため、活性領域の電極から非活性領域へ流れる漏れ電流、または、その逆の非活性領域の電極から活性領域へ流れる漏れ電流が無視できない。相互に流れる漏れ電流があることにより、波長制御が正確に行えないことや、波長制御範囲が狭くなるという問題点が生じる。
一般的に電極分離抵抗を増大する方法として、図14のように活性領域と非活性領域の電極間隔Weを広げる方法があるが、上述の分布活性DFBレーザでは各領域長が短いため、各領域を有効に使うためには、できるだけ電極間隔を近接させたほうが望ましい。一方で、図15のように分離溝814を設ける方法がある。分離溝814の深さdは深い方が電極分離抵抗を大きくすることができるが、深くしすぎると導波路を伝播する光が半導体と分離溝814の屈折率差により反射波が増大することになる。このため想定外の共振モードが生じるなど、漏れ電流とは別の問題が生じることとなる。
本発明はこのような問題を解決するものであって、電極間隔を維持しつつ、分離溝による反射波の影響を抑え、電極分離抵抗を増大することができる半導体導波路素子および半導体レーザを提供することを目的とする。
上記の課題を解決するための第1の発明に係る半導体導波路素子は、第1の半導体クラッド層と、前記第1の半導体クラッド層より光学的屈折率が大きい光導波路層と、前記光導波路層より屈折率が小さい第2の半導体クラッド層とをそれぞれ1層以上含む光導波路が、二つ以上光導波路方向に直列に結合されてなる半導体導波路素子において、前記光導波路にそれぞれ独立して電流を供給する電極と、隣接する前記電極間に位置する前記第2の半導体クラッド層に設けられる電極分離溝とを備え、前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の法線が、導波路方向に対して傾斜角θだけ傾斜し、前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θと該電極分離溝に隣接する電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θは互いに異なるか、前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θと該電極分離溝に隣接する電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θが等しいときは前記電極分離溝と該電極分離溝に隣接する電極分離溝との間隔xが「x>2d/sin(2θ)」を満たすことを特徴とする。
上記の課題を解決するための第2の発明に係る半導体導波路素子は、第1の発明において、前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の法線が、導波路方向に対して5度以上傾斜していることを特徴とする。
上記の課題を解決するための第3の発明に係る半導体導波路素子は、第1の発明において、前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の法線が、導波路方向に対して10度以上54度以下の角度で傾斜していることを特徴とする。
上記の課題を解決するための第4の発明に係る半導体導波路素子は、第1乃至第3のいずれかの発明において、全ての前記電極分離溝の導波路方向に交差する面が、導波路方向に対して等しい傾斜角を有することを特徴とする。
上記の課題を解決するための第5の発明に係る半導体導波路素子は、第1乃至第3のいずれかの発明において、前記電極分離溝が導波路方向に交差する面に対し一つおきに等しい傾斜角を有し、導波路方向に沿って隣接する前記電極分離溝が導波路方向に直交する面に対して相互に対称であることを特徴とする。
上記の課題を解決するための第の発明に係る半導体導波路素子は、第1乃至第のいずれかの発明において、前記電極分離溝が、前記光導波路層上の前記第2の半導体クラッド層の厚さが1500nm以下となる深さで設けられることを特徴とする。
上記の課題を解決するための第の発明に係る半導体導波路素子は、第1乃至第のいずれかの発明において、前記第2の半導体クラッドの上面に設けた絶縁膜に形成された孔の導波路方向に交差する端部、又は、前記電極の導波路方向に対して交差する端部、またはその両方が、各々が対応する前記電極分離溝に対して平行に形成されたことを特徴とする。
上記の課題を解決するための第の発明に係る半導体導波路素子は、第1乃至第のいずれかの発明において、素子両端に位置する前記電極の引き出し部を、素子中央側へ向かって延伸させることを特徴とする。
上記の課題を解決するための第の発明に係る半導体導波路素子は、第1乃至第のいずれかの発明において、前記導波路層の結合面が、前記分離溝と等しい傾斜を有することを特徴とする。
上記の課題を解決するための第1の発明に係る半導体導波路素子は、第1乃至第のいずれかの発明において、ルテニウムをドーピングした半絶縁性の電流ブロック層を備えることを特徴とする。
上記の課題を解決するための第1の発明に係る半導体レーザは、第1乃至第1のいずれかの発明に係る半導体導波路素子からなることを特徴とする。
上記の課題を解決するための第12の発明に係る半導体導波路素子の作製方法は、第1の半導体クラッド層と、前記第1の半導体クラッド層より光学的屈折率が大きい光導波路層と、前記光導波路層より屈折率が小さい第2の半導体クラッド層とをそれぞれ1層以上含む光導波路が、二つ以上光導波路方向に直列に結合されてなる半導体導波路素子を作製する方法において、前記光導波路にそれぞれ独立して電流を供給する、相互に隣接する前記電極間に位置する前記第2の半導体クラッド層に、導波路方向に交差する方向に延びると共に、導波路方向に直交する方向に対して傾斜を有する電極分離溝を形成する工程を備え、前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の法線が、導波路方向に対して傾斜角θだけ傾斜するようにし、前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θと該電極分離溝に隣接する電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θは互いに異なるか、前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θと該電極分離溝に隣接する電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θが等しいときは前記電極分離溝と該電極分離溝に隣接する電極分離溝との間隔xが「x>2d/sin(2θ)」を満たすことを特徴とする。
本発明に係る半導体レーザによれば、電極間隔を保ちつつ、分離溝による反射波の影響を抑え、電極分離抵抗を増大することができるため、活性領域と非活性領域が交互に繰り返される構造を有する分布活性DFBレーザなどの構造においても相互の領域間で流れ出る漏れ電流を低減し、波長制御範囲を拡大するとともに、波長制御を正確に行うことができる。
本発明の実施の形態を、以下に示す実施例において詳細に説明する。
図1乃至図5に基づいて本発明の第1の実施例を詳細に説明する。
図1(a)は本実施例に係る半導体レーザの上面図、図1(b)は図1(a)に示すx−x´断面図、図1(c)は本実施例に係る半導体レーザの電極を除いた状態の上面図、図1(d)は本実施例に係る半導体レーザの電極及び絶縁膜を除いた状態の上面図、図1(e)は図1(a)のy−y´断面図、図2は本実施例に係る半導体レーザの他の例を示す上面図、図3は状部クラッド層厚と等価屈折率との関係を示すグラフ、図4は屈折率が互いに異なる物質の境界面における光の屈折を示す説明図、図5はバンドギャップ波長と屈折率差との関係を示すグラフ、図6は屈折率境界への入射角に対する反射波の結合率を示すグラフである。
図1に示すように、本実施例に係る半導体レーザは、n型InPよりなる下部クラッド(半導体基板)1上に、下部クラッド1より光学的屈折率が大きい光導波路層15と、この光導波路層15より屈折率が小さい上部クラッド4とをそれぞれ1層以上含むものである。
光導波路層15は、活性導波路層2と非活性導波路層3とを光の伝播方向に沿って交互に周期的に直列結合して構成されている。活性導波路層2は、発振波長帯の光に対して光学的利得を有し、GaInAsPからなる長さLaの活性領域である。また、非活性導波路層3は、光学的利得を持たず、活性導波路層2とは組成が異なるGaInAsPからなる長さLtの非活性領域であって、波長制御領域である。本実施例では、領域長La,Ltをそれぞれ29.5μm、活性導波路層2と非活性導波路層3の繰返し周期L(=La+Lt)を59μmとした。
活性導波路層2および非活性導波路層3の上にはp型InPからなる上部クラッド4が形成され、光導波路層15と上部クラッド4との間には、光の伝播方向(以下、導波路方向という)に対し、全長に亘って同一周期で凹凸を形成して光導波路層15の等価屈折率を周期変調させた回折格子5が形成されている。本実施例では、発振波長1.55μmを得るために回折格子周期は243nmとした。
上部クラッド4上には、活性導波路層2と非活性導波路層3とのオーミックコンタクトのために高ドープのp型InGaAsPまたはInGaAsまたはその両方の多層構造からなるコンタクト層6を設け、更に、その上に活性導波路層2、非活性導波路層3にそれぞれ対応するように活性層電極7、波長制御電極8が設けられている。
活性領域と非活性領域との間にあっては、コンタクト層6、及び上部クラッド4の一部に深さd=2μm、幅We=5μmの電極分離溝(以下、単に「分離溝」という)11が形成されている(図1では7箇所)。分離溝14の深さdは、該分離溝14を形成した後に、光導波路層15上に上部クラッド4が0.5μm残る深さである。
分離溝14の位置は、活性領域と非活性領域との境界を中心として設けることにより、効率よく相互領域間の漏れ電流を防ぐことができるが、必ずしも活性領域と非活性領域との境界を中心に設ける必要はなく、どちらかの領域に片寄った位置に配設したとしても分離溝14の効果は得られる。本実施例の分布活性DFBレーザの場合、活性領域には所望の発振出力を得るための十分な利得を発生させるために、比較的大きな電流を注入し、波長制御領域(非活性領域)においては、比較的小さな電流によって波長を制御する。
従って、活性領域に比較して非活性領域のバイアス電圧が低くなり、多くの場合、漏れ電流は活性領域から非活性領域へ流れることになる。この場合、分離溝14の中心を活性領域と非活性領域の接続部に配置するのではなく、活性領域側にずらすことにより、漏れ電流の抑止効果を高めることが可能である。
なお、全ての活性層電極7同士、波長制御電極8同士は各々一体化され、互いに素子上で短絡された構成となっている。また、基板下部、つまり、下部クラッド1の下部には、共通の電極10が形成されている。
活性導波路層2にバンドギャップ波長1.55μmのGaInAsPを用いた場合、非活性導波路層3にそれより短波のバンドギャップ波長、例えば、1.4μmのバンドギャップ波長のGaInAsPを用いると、レーザ発振の利得に寄与しなくなるために、キャリア密度が一定にならない。これにより、電流注入により大きく屈折率を変化させることができる。
活性導波路層2および非活性導波路層3はバルク材料でなくともよく、例えば、量子井戸構造、もしくは、量子井戸をバリア層を挟んで重ねた多層量子井戸構造や、量子細線や量子ドットなど、更に低次元の量子井戸構造を備えたものであってもよい。また、活性層への光閉じ込めやキャリア閉じ込めを高めるために、活性層とクラッド層の間に中間の屈折率を持つ層を導入する分離閉じ込めヘテロ構造(SCH)などを導入してもよい。
本素子に用いる半導体は、InPとGaInAsPの組み合わせに限定することなく、GaAs、GaInNAs、AlGaInAs、InAs、GaInNAsなどの別の半導体であってもよく、活性導波路層2と非活性導波路層3のバンドギャップ波長の組み合わせも上記に限定するものではない。
図1(a)に示すように、活性層電極7同士、波長制御電極8同士は各々一体化され、櫛形状を構成している。また、図1(b)に示すように、活性層電極7、波長制御電極8の下には絶縁膜9が形成されている。絶縁膜9には導波路の直上であって、活性領域、非活性領域にそれぞれ対応する部分に、図1(c)に示すような電極窓としての孔9aが開けられ、コンタクト層6が露出するようになっている。換言すると、孔9aの下に、導波路方向に沿って形成された光導波路層15が位置している。また、絶縁膜9の下方にあっては、各領域の導波路上のみにコンタクト層6を残すよう、図1(d),(e)に示すように、導波路方向に沿ってコンタクト層6の両側がエッチングされている。エッチングの深さは、分離溝14と同様dとする。
そして、図1(d)に示すように、本実施例においては、コンタクト層6が平行四辺形に形成されている。これにより、各領域間には導波路方向に直交する方向に対して傾斜角θを有する分離溝14が形成されている。電極分離抵抗を大きくするために、コンタクト層の下部のInPの一部もエッチングしている。
更に、図1(e)に示すように、幅Wsの光導波路層15の両側には電流ブロック層13としてそれぞれInPからなるp型半導体11およびn型半導体12が交互に形成され、埋め込みヘテロ構造(BH)となっている。これにより、活性導波路層2または非活性導波路層3に効率よく電流が注入される。本実施例では導波路の幅Wsを1.5μmとした。
本実施例では分離溝14の長さはコンタクト層の幅Waに相当する。そして、該分離溝14の長さWaは、少なくとも導波路幅Ws=1.5μmより長く設定する必要がある。分離溝14の長さWaが導波路幅Wsより長いことによって生じる大きな問題は無いが、本実施例では、導波路層2に電流Ia又はItを注入するためのコンタクト抵抗や電極の引き回し時に問題にならないサイズを考えて、分離溝幅Waを5μmとした。
図1(c)に示すように、コンタクト層6及び上部クラッド4を絶縁膜9で覆った後に、電流Ia又はIt注入部に対応する絶縁膜9の部分にのみ孔9aを形成する(図1では8箇所)。この孔9aの形状は通常長方形に形成される。長方形であっても本発明の効果は得られるが、コンタクト層6の形状と同じ平行四辺形とすることにより作製工程が容易になる。つまり、基板表面上には図1(e)に示すようにコンタクト層6部分が凸状となった段差が生じており、ここにフォトレジストにより絶縁膜9に穴あけを行うパターンを形成することとなる。段差部分のレジスト厚は必ずしも均一ではなく、段差からの距離に応じて滑らかに厚さが変化している場合が多い。コンタクト層6形状と穴あけ形状を一致させることで、穴あけパターンは段差からの距離が一定となるため、パターンを均一に作製できる。
図1(a)に示すように、活性層電極7、波長制御電極9の電極パターンもコンタクト層6や絶縁膜9の形状を反映して、導波路方向に交差する面が、導波路方向に直交する方向に対して傾斜するように配線されている。活性層電極7、波長制御電極8は、孔9a同様に、導波路方向に直交する方向に電極を引き出してもいいが、電極パターンもフォトレジストを用いてリフトオフするかウエットエッチングにより形成するため、できるだけ段差の影響が少なくなるように配線することが望ましい。そのため、図1(a)に示す形状に代えて図2に示す活性層電極17、波長制御電極18のような形状としても構わない。
なお、本実施例のようにコンタクト層6の形状を上面視平行四辺形とする場合には、活性層電極7、波長制御電極8をどちら側に引き出すかにより、素子面積に影響が生じる。例えば、本実施例において、波長制御電極8を図1(a)中のy側で一体化し、活性層電極7を図1(a)中のy´側で一体化する構成とした場合、導波路方向、即ち、光の伝播方向前後に基板面積を大きくする必要があるため、余分な導波路を結合する必要が生じる。従って、電極の引き出し方向を図1(b)に示すように、導波路方向に対して端部に位置する電極を素子の中心側へ傾斜させつつ引き出すことで、基板面積を小さくすることができる。
次に本実施例に係る分布活性DFBレーザの作製方法の一例を説明する。
最初に有機金属気相エピタキシャル成長法によりn型InPからなる下部クラッド1上に、活性導波路層2を作製する。次に、SiO2またはSiNをマスクとして活性導波路層2の一部をエッチングする。エッチングマスクをそのまま用い、選択成長法により非活性導波路層3を作製する。その後、塗布したレジストに電子ビーム露光法を用いて回折格子パターンを作製し、これをマスクとして半導体をエッチングし回折格子5を形成する。
p型InPからなる上部クラッド4の一部を有機金属気相エピタキシャル成長により再成長した後、横モードを抑制するために、SiO2またはSiNをマスクとして幅1.5μmのストライプ状に導波路を加工する。エッチングマスクをそのまま用い、選択成長法によりストライプ状導波路の両側にp型半導体11/n型半導体12よりなるInP電流ブロック層13を成長する。
その後、選択成長マスクを除去し、残りのInP上部クラッド4とGaInAsコンタクト層6を成長する。次に、コンタクト層6と上部クラッド4の一部を上面視平行四辺形に、且つ、導波路方向に沿って間欠的に配置されるようにエッチングして分離溝14を形成する。次に、SiO2絶縁膜9を製膜し、活性導波路層2上と非活性導波路層3上の絶縁膜9の電流Ia又はIt注入部に対応する部分に穴を開ける。そして、活性層電極7同士、非活性層電極8同士を素子上で短絡するように電極パターンをリフトオフにより形成する。
半導体の成長法としては、有機金属気相エピタキシャル成長法に限らず、分子線エピタキシャル成長法やその他の手段を用いてもよい。回折格子の形成方法も電子線露光法に限らず、二束干渉露光法やそのほかの手段を用いてもよい。
また、コンタクト層6と上部クラッド層4の一部をエッチングする方法としては、活性導波路層2と非活性導波路層3の長さが短く、繰返し周期も短いため、プラズマやイオンビームなどによるドライエッチングなどのサイドエッチング量の少ないエッチング方法が望ましいが、ウエットエッチングなどによる方法でも問題はない。
本実施例においては、活性導波路層2と非活性導波路層3が交互に周期的に配置された構造を例として説明したが、領域間の相互に流れる漏れ電流を抑制すると共に、導波する光の反射を抑制するものであるので、活性導波路層2と非活性導波路層3の組み合わせに限らず、活性導波路層を複数の領域に分割したり、非活性導波路層を複数の領域に分割したりして電極を各々設けた場合などであっても本発明を適用できる。
上述したように、領域が複数ある場合に漏れ電流の影響は顕著に現れるが、領域が二つしかない場合であっても、本発明によって相互に流れる漏れ電流を抑制し、且つ、導波する光を抑制するために有用である。
本実施例では、分布活性DFBレーザへの適用例を示したため、活性導波路上の電極と、非活性導波路上の電極とが、それぞれ素子上で短絡された構造について説明したが、本発明は、それぞれの電極が独立していても適用できる。また、分布活性レーザでなくとも、例えば、レーザと変調器を集積したデバイスにおけるレーザ部の電極と変調器の電極部などにも適用可能である。即ち、直列接続された異なる導波路素子間の分離に適用可能である。
続いて、本発明の作用を説明する。
図3は、1.55μmで発光する8層の活性層とSHC層よりなる半導体基板の場合の上部クラッド厚と等価屈折率の関係を示した図である。本実施例のように、各領域間に分離溝を形成することにより、分離溝部の上部クラッド厚が薄くなり、等価屈折率が低下する。導波路中を伝播する光のフィールド分布にもよるが、図3から、本実施例では、分離溝部の上部クラッド厚がおよそ1000nm程度より薄くなると急激に等価屈折率が低下することがわかる。
例えば、分離溝部の上部クラッド厚を2000nmとすると等価屈折率は3.1978であるが、分離溝部の上部クラッド厚を1500nmとすると等価屈折率は3.1977となり、また、分離溝部の上部クラッド厚を1000nmとすると等価屈折率は3.1974となり、分離溝部の上部クラッド厚を2000nmとした場合に比較して等価屈折率が0.0004低下する。更に、分離溝部の上部クラッド厚を500nmとすると、等価屈折率は更に低下して3.1941となり、分離溝部の上部クラッド厚を2000nmとした場合に比較して等価屈折率は0.0037低下する。
屈折率が互いに異なる物質の境界面においては、一方の物質から他方の物質へ光が入射する際に光の反射が生じる。例えば、図5に示すように、屈折率N1の物質20と屈折率N2の物質21との結合界面19に、物質X側から光が入射したとすると、結合界面における光の反射率Rは、以下の(7)式で表される。
R=((N1−N2)/(N1+N2))2 ・・・(7)
(7)式から、反射率Rは屈折率差の関数であるから、分離溝部のクラッド厚が、屈折率が下がり始める1500nm以下、特に、急激に等価屈折率が低下する1000nm以下とした場合に、反射率Rも急激に増大することとなる。従って、導波路に垂直な分離溝形状とする場合、反射率が問題になる場合にはクラッド厚が1500nm以上残るような深さまで、反射率が多少許容できるとしてもクラッド層が1000nm以上残るような深さまでの分離溝でないと、デバイス特性にモード不安定などの影響がでる。ここで、導波路への光の閉じ込めを考慮すれば、クラッド層は最低で50nmの層厚を要し、100nm以上であることが望ましい。
本実施例に係る分布活性DFBレーザにおいては、導波路部と分離溝部との屈折率差が小さいため、(7)式から反射率Rの絶対値は非常に小さくなる。しかしその一方で、図1に示したように、一つの素子(本実施例では分布活性DFBレーザ)に、分離溝14が複数存在する。このため、一つの素子全体では光の反射の影響が無視できない程度に大きくなる虞がある。従って、分離溝14を複数有する素子にあっては、反射率Rをできるだけ低く抑えるか、反射が起きたとしても反射波が導波路に結合しないようにすることが重要である。
屈折率が互いに異なる物質の境界面に対して光が斜めに入射した場合、入射角をθ1、屈折角をθ2とすると、スネルの法則に従い、以下の(8)式で表されるように、その境界面で屈折が生じる。
sinθ1/sinθ2=N2/N1 ・・・(8)
ここで、入射角θ1がブリュースター角θBに一致する場合、入射面に平行な成分の反射をなくすことができる。ブリュースター角θBは、以下の(9)式で表すことができる。
θB=tan-1(N2/N1) ・・・(9)
図5に、図4に示した境界面19に入射する光の入射角θ1と反射率Rとの関係を示す。なお、本実施例において入射角θ1は、境界面19の法線に対する光の伝播方向の傾斜角とする。図5に示すグラフは、入射側の物質20の屈折率をN1=3.20、物質20と屈折率N2の物質21の屈折率差ΔnをそれぞれΔn=N1−N2=0.005、0.01、0.015、0.02とした場合の例を示している。
本実施例においては、導波路部と分離溝部との屈折率差が小さいため、(9)式から、ブリュースター角θBはほぼ45度となる。即ち、分離溝14の導波路方向に交差する面の傾斜角θがほぼ45度の場合に反射率Rが0となり、また、傾斜角θ=45度近傍で反射率Rが非常に小さくなる。
屈折率差Δn=0.01の場合を例にとってみると、図5から、入射角θ1が10度以上54度以下で反射率Rを低減できる。特に反射率Rを、光が境界面に対して垂直に入射したとき、即ち、入射角θ1=0の場合の半分以下に抑えるためには、入射角θ1を28度から52度程度の間の値とすればよい。また、反射率Rを、入射角θ1=0における反射率Rの3分の1以下に抑えるためには、入射角θ1を33度から51度程度の間の値とすればよい。なお、図6からわかるように、入射角θ1がブリュースター角θBより小さい範囲であるほうが、入射角θ1がブリュースター角θBより大きい場合に比較して、入射角θ1に対する反射率Rの変化が緩やかになっている。
なお、必ずしも境界面における反射を全て抑える必要がなく、反射が起きても反射波が導波路に結合しなければよいような場合、以下のように入射角θ1の選択範囲を広げることができる。
図6に、光モードフィールド幅を1.5μmとした場合の境界面への入射角と、導波路への反射波の結合率との関係を示す。なお、反射波結合率は、境界面での屈折率差を考慮しなくてもいいように、入射角θ1=0のとき、すなわち、境界面が導波路方向に対して直交する場合における反射波の導波路への結合率を1として表示した。
図6から、入射角θ1がおよそ5度以上あれば導波路への反射波結合率を半分に低減でき、反射波結合率を30%程度以下にするためには入射角θ1がおよそ7度以上あればよく、反射波結合率を一桁低減するには、入射角θ1をおよそ9度以上とすればよいことがわかる。
以上のことから、図1に示す分布活性DFBレーザにおいて、反射波結合率を、分離溝14の導波路方向に交差する面が導波路方向に対して直交する場合に比較して、例えば半分以下に抑制するためには、分離溝14の傾斜角θを導波路方向に対して5度以上90度未満とする必要がある。また、反射波結合率を、分離溝14の導波路方向に交差する面が導波路方向に対して直交する場合に比較して30%以下に抑制するためには導波路方向に対する分離溝14の傾斜角θを7度以上90度未満とする必要がある。また、分離溝14の導波路方向に交差する面が導波路方向に対して直交する場合に比較して、反射波結合率を一桁低減するためには、導波路方向に対する分離溝14の傾斜角θを9度以上90度未満とする必要がある。
また、導波路と分離溝14との境界面における反射率Rを、例えば、分離溝14が導波路方向に直交する場合に比較して半分以下とするためには分離溝14の傾斜角θを28度乃至52度程度、3分の1以下とするためには分離溝14の傾斜角θを33度乃至51度程度、分離溝14が導波路方向に対して直交する場合に比較して反射率Rをほぼ0とするためには、分離溝14の傾斜角θを45度とする必要がある。
なお、上述したような反射波の影響を抑制する効果は、結合する導波路の数が増えるほど大きくなることは明らかである。
従って、本実施例の場合、導波路方向に対して、屈折率境界面を上記角度で傾斜させるように分離溝14を形成すれば、分離溝14を設けることによって生じる屈折率差により生じた反射率を低減し、反射波の導波路への結合を低減することができる。従って、分離抵抗を大きくするために分離溝14の深さを深くして、等価屈折率の差が大きくなっても反射率を抑えることが可能となる。例えば、上部クラッド厚1500nm以下や1000nm以下となっても、十分反射率を抑えることができる。
また、本実施例は、活性導波路層2と非活性導波路層3の結合時のバットジョイントの形状によらず独立して効果を得ることができる。バットジョイントは、形状によって反射を防止することも可能であるが、結晶の再成長が必要であり、成長条件によって最適な接続面角度があるため、必ずしも反射対策に最適な角度がよいとは限らないが、分離溝14の角度は領域分離と反射対策を考慮して独立に決定すればよい。
しかしながら、作製について考えると、バットジョイントの結合面では結晶成長面が平坦ではないため、結合面と交差するように分離溝14を形成すると、分離溝14の深さや幅が不均一になる可能性がある。従って、バットジョイントの結合面に沿って分離溝14を形成することによって、プロセス上の上記問題を解決できる。
図7に基づいて本発明の第2の実施例を詳細に説明する。
図7(a)は本実施例に係る半導体レーザの上面図、図7(b)は図7(a)に示すx−x´断面図、図7(c)は本実施例に係る半導体レーザの電極を除いた状態の上面図、図7(d)は本実施例に係る半導体レーザの電極及び絶縁膜を除いた状態の上面図、図7(e)は図7(a)のy−y´断面図である。
図7に示すように、本実施例に係る半導体レーザは、n型InPよりなる下部クラッド(半導体基板)101上に、下部クラッド101より光学的屈折率が大きい光導波路層115と、この光導波路層115より屈折率が小さい上部クラッド104とをそれぞれ1層以上含むものである。
光導波路層115は、活性導波路層102と非活性導波路層103とを光の伝播方向に沿って交互に周期的に直列結合して構成されている。活性導波路層102は、発振波長帯の光に対して光学的利得を有し、GaInAsPからなる長さLaの活性領域である。また、非活性導波路層103は、光学的利得を持たず、活性導波路層102とは組成が異なるGaInAsPからなる長さLtの非活性領域であって、波長制御領域である。本実施例では、領域長La,Ltをそれぞれ48.7μm、24.3μm、活性導波路層102と非活性導波路層103の繰返し周期L(=La+Lt)を73μmとした。
活性導波路層102および非活性導波路層103の上にはp型InPからなる上部クラッド104が形成され、光導波路層115と上部クラッド104との間には、光の伝播方向(以下、導波路方向という)に対し、全長に亘って同一周期で凹凸を形成して光導波路層115の等価屈折率を周期変調させた回折格子105が形成されている。本実施例では、発振波長1.55μmを得るために回折格子周期は242nmとした。
上部クラッド104上には、活性導波路層102と非活性導波路層103とのオーミックコンタクトのために高ドープのp型InGaAsPまたはInGaAsまたはその両方の多層構造からなるコンタクト層106を設け、更に、その上に活性導波路層102、非活性導波路層103にそれぞれ対応するように活性層電極107、波長制御電極108が設けられている。また、下部クラッド101の下方には共通の電極110が設けられている。
活性領域と非活性領域との間にあっては、コンタクト層106、及び上部クラッド104の一部に深さd=1.5μm、幅We=10μmの電極分離溝(以下、単に「分離溝」という)114が形成されている(図7では7箇所)。分離溝114の深さdは、該分離溝114を形成した後に、光導波路層115上に上部クラッド104が1.0μm残る深さである。
活性導波路層102にバンドギャップ波長1.55μmのGaInAsPを用いた場合、非活性導波路層103にそれより短波のバンドギャップ波長、例えば、1.4μmのバンドギャップ波長のGaInAsPを用いると、レーザ発振の利得に寄与しなくなるために、キャリア密度が一定にならない。これにより、電流注入により大きく屈折率を変化させることができる。
活性導波路層および非活性導波路層はバルク材料でなくともよく、例えば、量子井戸構造、もしくは、量子井戸をバリア層を挟んで重ねた多層量子井戸構造や、量子細線や量子ドットなど、更に低次元の量子井戸構造を備えたものであってもよい。また、活性層への光閉じ込めやキャリア閉じ込めを高めるために、活性層とクラッド層の間に中間の屈折率を持つ層を導入する分離閉じ込めヘテロ構造(SCH)などを導入してもよい。
本素子に用いる半導体は、InPとGaInAsPの組み合わせに限定することなく、GaAs、GaInNAs、AlGaInAs、InAs、GaInNAsなどの別の半導体であってもよく、活性導波路層と非活性導波路層のバンドギャップ波長の組み合わせも上記に限定するものではない。
図7(a)に示すように、活性層電極107同士、波長制御電極108同士は各々独立に配置されている。例えば、活性層電極107同士、波長制御電極108同士をそれぞれ素子外でワイヤーなどにより短絡すれば、実施例1と同様の動作が得られる。図7(b)に示すように、活性層電極107、波長制御電極108の下には絶縁膜109が形成されている。絶縁膜109には導波路の直上であって、活性領域、非活性領域にそれぞれ対応する部分に、図7(c)に示すような電極窓としての孔109aが開けられ(図7では8箇所)、コンタクト層106が露出するようになっている。換言すると、孔109aの下に、導波路方向に沿って形成された光導波路層115が位置している。また、絶縁膜109の下方にあっては、各領域の導波路上のみにコンタクト層106があって、半絶縁体113で挟まれている。そして、各領域は分離溝114によって分離されている。
そして、図7(d)に示すように、本実施例においては、コンタクト層106が平行四辺形に形成されている。これにより、各領域間には導波路方向に直交する方向に対して傾斜角θを有する分離溝114が形成されている。電極分離抵抗を大きくするために、コンタクト層106の下部クラッド101の一部もエッチングしている。
更に、図7(e)に示すように、本実施例に係る半導体レーザは、幅Wsの光導波路層115の両側に半絶縁体113により電流ブロック層を形成した埋め込みヘテロ構造(BH)となっている。これにより、活性導波路層102または非活性導波路層103に効率よく電流が注入される。本実施例では導波路の幅Wsを1.8μmとした。
本実施例では分離溝114の長さはコンタクト層の幅Waに相当する。そして、該分離溝114の長さWaは、少なくとも導波路幅Ws=1.8μmより長く設定する必要がある。分離溝114の長さWaが導波路幅Wsより長いことによって生じる大きな問題は無いが、本実施例では、導波路層115に電流Ia又はItを注入するためのコンタクト抵抗や電極の引き回し時に問題にならないサイズを考えて、分離溝幅Waを10μmとした。
図7(c)に示すように、コンタクト層106、半絶縁体113及び分離溝114を絶縁膜109で覆った後に、電流Ia又はItの注入部に対応する絶縁膜109の部分にのみ孔9aを形成する。この孔9aの形状は通常長方形に形成される。長方形であっても本発明の効果は得られるが、コンタクト層106の形状と同じ平行四辺形とすることにより作製工程が容易になる。つまり、基板表面上には図7(e)に示すようにコンタクト層106部分が凸状となった段差が生じており、ここにフォトレジストにより絶縁膜109に穴あけを行うパターンを形成することとなる。段差部分のレジスト厚は必ずしも均一ではなく、段差からの距離に応じて滑らかに厚さが変化している場合が多い。コンタクト層106形状と穴あけ形状を一致させることで、穴あけパターンは段差からの距離が一定となるため、パターンを均一に作製できる。
図7(a)に示すように、活性層電極107、波長制御電極108の電極パターンもコンタクト層106や絶縁膜109の形状を反映して、導波路方向に交差する面の一部、具体的には光導波路114の直上に位置する部分が導波路方向に直交する方向に対して傾斜するように配線されている。電極パターンもフォトレジストを用いてリフトオフするかウエットエッチングにより形成するため、できるだけ段差の影響が少なくなるように配線することが望ましい。
次に本実施例に係る分布活性DFBレーザの作製方法の一例を説明する。
最初に有機金属気相エピタキシャル成長法によりn型InPからなる下部クラッド101上に、活性導波路層102を作製する。次に、SiO2またはSiNをマスクとして活性導波路層102の一部をエッチングする。エッチングマスクをそのまま用い、選択成長法により非活性導波路層103を作製する。その後、塗布したレジストに電子ビーム露光法を用いて回折格子パターンを作製し、これをマスクとして半導体をエッチングし回折格子105を形成する。
p型InPからなる上部クラッド104の一部を有機金属気相エピタキシャル成長により再成長した後、横モードを抑制するために、SiO2またはSiNをマスクとして幅1.5μmのストライプ状に導波路を加工する。エッチングマスクをそのまま用い、選択成長法によりストライプ状導波路の両側にRu(またはFe)をドーピングした半導体よりなる半絶縁体電流ブロック層113を成長する。
その後、選択成長マスクを除去し、残りのInP上部クラッド104とGaInAsコンタクト層106を成長する。次に、活性領域と非活性領域とを分離するために、コンタクト層106と上部クラッド104の一部を導波路方向に直交する方向に対して傾斜角を有するようにエッチングして分離溝114を形成する。次に、SiO2絶縁膜109を製膜し、活性導波路層102上と非活性導波路層103上の絶縁膜109の電流Ia又はIt注入部に対応する部分に穴を開ける。そして、電極パターンをリフトオフにより形成する。
半導体の成長法としては、有機金属気相エピタキシャル成長法に限らず、分子線エピタキシャル成長法やその他の手段を用いてもよい。回折格子の形成方法も電子線露光法に限らず、二束干渉露光法やそのほかの手段を用いてもよい。
また、コンタクト層106と上部クラッド層104の一部をエッチングする方法としては、活性導波路層102と非活性導波路層103の長さが短く、繰返し周期も短いため、プラズマやイオンビームなどによるドライエッチングなどのサイドエッチング量の少ないエッチング方法が望ましいが、ウエットエッチングなどによる方法でも問題はない。
なお、半絶縁体113のためにドーピングする材料としては、一般的にFeがよく使われているが、Ruを用いることで、p型InPのドーパントであるZuとの相互拡散を抑制することができる。また、Ruを用いることにより、p型、n型半導体よりなる電流ブロック層よりも容量が減るため、変調特性を向上することができる。これに加えて電流分離溝1146による活性領域と非活性領域間の漏れ電流抑制により、変調特性を10GHz以上に向上できた。
本実施例では、活性導波路層102と非活性導波路層103とが交互に直列に並んだ構造について説明したが、本発明は例えば複数の領域間で相互に流れる漏れ電流を抑制すると共に、導波する光の反射を抑制するものであるので、図7に示した活性導波路層102と非活性導波路層103の組み合わせに限らず、活性導波路層を複数の領域に分割して各々の領域に電極を設けた場合、または、非活性導波路層を複数の領域に分割して各々の領域に電極を設けた場合などであっても本発明を適用することができる。
本実施例において説明したように、一つの素子が複数の領域を有する場合に漏れ電流の影響は顕著に現れるが、領域が二つであっても、相互に流れる漏れ電流を抑制し、且つ、導波する光の反射を抑制することができる本実施例は有用である。
また、本実施例では分布活性DFBレーザを例として説明したが、本発明はこれに限らず、例えばレーザと変調器を集積したデバイスにおけるレーザ部と電極の変調器の電極部などにも適用可能である。即ち、直列接続された異なる導波路素子間の分離を必要とする場合に適用可能である。
なお、本実施例による作用・効果は、上述した実施例1と概ね同様であり、重複する説明は省略する。
図8に基づいて本発明の第3の実施例を詳細に説明する。
図8(a)は本実施例に係る半導体レーザの上面図、図8(b)は図8(a)に示すx−x´断面図、図8(c)は本実施例に係る半導体レーザの電極を除いた状態の上面図、図8(d)は本実施例に係る半導体レーザの電極及び絶縁膜を除いた状態の上面図、図8(e)は図8(a)のy−y´断面図である。
図8に示すように、本実施例に係る半導体レーザは、n型InPよりなる下部クラッド(半導体基板)201上に、下部クラッド201より光学的屈折率が大きい光導波路層215と、この光導波路層215より屈折率が小さい上部クラッド204とをそれぞれ1層以上含むものである。
光導波路層215は、活性導波路層202と非活性導波路層203とを光の伝播方向に沿って交互に周期的に直列結合して構成されている。活性導波路層202は、発振波長帯の光に対して光学的利得を有し、GaInAsPからなる長さLaの活性領域である。また、非活性導波路層203は、光学的利得を持たず、活性導波路層202とは組成が異なるGaInAsPからなる長さLtの非活性領域であって、波長制御領域である。本実施例では、領域長La,Ltをそれぞれ22.3μm、44.7μm、活性導波路層202と非活性導波路層203の繰返し周期L(=La+Lt)を67μmとした。
活性導波路層202および非活性導波路層203の上にはp型InPからなる上部クラッド204が形成され、光導波路層215と上部クラッド204との間には、光の伝播方向(以下、導波路方向という)に対し、全長に亘って同一周期で凹凸を形成して光導波路層215の等価屈折率を周期変調させた回折格子205が形成されている。本実施例では、発振波長1.55μmを得るために回折格子周期は241nmとした。
上部クラッド204上には、活性導波路層202と非活性導波路層203とのオーミックコンタクトのために高ドープのp型InGaAsPまたはInGaAsまたはその両方の多層構造からなるコンタクト層206を設け、更に、その上に活性導波路層202、非活性導波路層203にそれぞれ対応するように活性層電極207、波長制御電極208が設けられている。また、下部クラッド201の下方には共通の電極210が設けられている。
活性領域と非活性領域との間にあっては、コンタクト層206、及び上部クラッド204の一部に深さd=1μm、幅We=15μmの電極分離溝(以下、単に「分離溝」という)214が形成されている(図8では7箇所)。分離溝214の深さdは、該分離溝214を形成した後に、光導波路層215上に上部クラッド204が1.5μm残る深さである。
活性導波路層202にバンドギャップ波長1.55μmのGaInAsPを用いた場合、非活性導波路層203にそれより短波のバンドギャップ波長、例えば、1.4μmのバンドギャップ波長のGaInAsPを用いると、レーザ発振の利得に寄与しなくなるために、キャリア密度が一定にならない。これにより、電流注入により大きく屈折率を変化させることができる。
活性導波路層および非活性導波路層はバルク材料でなくともよく、例えば、量子井戸構造、もしくは、量子井戸をバリア層を挟んで重ねた多層量子井戸構造や、量子細線や量子ドットなど、更に低次元の量子井戸構造を備えたものであってもよい。また、活性層への光閉じ込めやキャリア閉じ込めを高めるために、活性層とクラッド層の間に中間の屈折率を持つ層を導入する分離閉じ込めヘテロ構造(SCH)などを導入してもよい。
本素子に用いる半導体は、InPとGaInAsPの組み合わせに限定することなく、GaAs、GaInNAs、AlGaInAs、InAs、GaInNAsなどの別の半導体であってもよく、活性導波路層と非活性導波路層のバンドギャップ波長の組み合わせも上記に限定するものではない。
図8(a)に示すように、活性層電極207同士、波長制御電極208同士は各々独立に配置されている。例えば、活性層電極207同士、波長制御電極208同士をそれぞれ素子外でワイヤーなどにより短絡すれば、実施例1と同様の動作が得られる。図8(b)に示すように、活性層電極207、波長制御電極208の下には絶縁膜209が形成されている。絶縁膜209には導波路の直上であって、活性領域、非活性領域にそれぞれ対応する部分に、図8(c)に示すような電極窓としての孔209aが開けられ(図8では8箇所)、コンタクト層206が露出するようになっている。換言すると、孔209aの下に、導波路方向に沿って形成された光導波路層215が位置している。また、絶縁膜209の下方にあっては、各領域の導波路上のみにコンタクト層206があって、誘電体213で挟まれている。そして、各領域は分離溝214によって分離されている。
そして、図8(d)に示すように、本実施例においては、コンタクト層206が平行四辺形に形成されている。これにより、各領域間には導波路方向に直交する方向に対して傾斜角θを有する分離溝214が形成されている。電極分離抵抗を大きくするために、コンタクト層206の下部クラッド201の一部もエッチングしている。
更に、図8(e)に示すように、本実施例に係る半導体レーザは、幅Wsの光導波路層215の両側にポリイミドを埋め込んだリッジ構造となっている。本実施例では導波路の幅Wsを2.5μmとした。分離溝214の導波路方向と直交する方向の幅Waは、本実施例では導波路幅と同一であって、2.5μmである。
図8(c)に示すように、コンタクト層206、半絶縁体113及び分離溝214を絶縁膜209で覆った後に、電流Ia又はIt注入部に対応する絶縁膜209の部分にのみ孔9aを形成する。この孔9aの形状は通常長方形に形成される。長方形であっても本発明の効果は得られるが、コンタクト層206の形状と同じ平行四辺形とすることにより作製工程が容易になる。つまり、基板表面上には図8(e)に示すようにコンタクト層206部分が凸状となった段差が生じており、ここにフォトレジストにより絶縁膜209に穴あけを行うパターンを形成することとなる。段差部分のレジスト厚は必ずしも均一ではなく、段差からの距離に応じて滑らかに厚さが変化している場合が多い。コンタクト層206形状と穴あけ形状を一致させることで、穴あけパターンは段差からの距離が一定となるため、パターンを均一に作製できる。
図8(a)に示すように、活性層電極207、波長制御電極208の電極パターンもコンタクト層206や絶縁膜209の形状を反映して、導波路方向に交差する面が導波路方向に直交する方向に対して傾斜するように配線されている。電極パターンもフォトレジストを用いてリフトオフするかウエットエッチングにより形成するため、できるだけ段差の影響が少なくなるように配線することが望ましい。
なお、本実施例においては、活性層電極207、波長制御電極208をどちら側に引き出すかにより、素子面積に影響が生じる。例えば、本実施例において、波長制御電極208を図8(a)中のy側で一体化し、活性層電極207を図8(a)中のy´側で一体化する構成とした場合、導波路方向、即ち、光の伝播方向前後に基板面積を大きくする必要があるため、余分な導波路を結合する必要が生じる。従って、電極の引き出し方向を図8(b)に示すように、導波路方向に対して端部に位置する電極を素子の中心側へ傾斜させつつ引き出すことで、基板面積を小さくすることができる。
次に本実施例に係る分布活性DFBレーザの作製方法の一例を説明する。
最初に有機金属気相エピタキシャル成長法によりn型InPからなる下部クラッド201上に、活性導波路層202を作製する。次に、SiO2またはSiNをマスクとして活性導波路層202の一部をエッチングする。エッチングマスクをそのまま用い、選択成長法により非活性導波路層203を作製する。その後、塗布したレジストに電子ビーム露光法を用いて回折格子パターンを作製し、これをマスクとして半導体をエッチングし回折格子205を形成する。
p型InPからなる上部クラッド204とGaInAsコンタクト層206を有機金属気相エピタキシャル成長により再成長した後、横モードを抑制するために、SiO2またはSiNをマスクとして幅2.5μmのストライプ状に導波路を加工する。本実施例では売レジストをマスクとしてウエットエッチングによりリッジを形成したが、SiO2やSiNをマスクとしてドライエッチングによりリッジを形成してもよい。その後、SiO2またはSiN膜を製膜し、厚いレジストを用いてリッジ上部にのみ分離溝214のパターンを形成する。次に、各領域間の分離のためにコンタクト層206と上部クラッド層204の一部をエッチングして分離溝214を形成する。続いて、ポリイミドをリッジの脇と分離溝214に埋め込み、350度のオーブンで凝固させた後、SiO2絶縁膜を製膜し、活性導波路層202上と非活性導波路層203上の絶縁膜209に穴を開ける。活性層電極102同士、非活性層電極103同士を素子上で短絡するように電極パターンをリフトオフにより形成する。
半導体の成長法としては、有機金属気相エピタキシャル成長法に限らず、分子線エピタキシャル成長法やその他の手段を用いてもよい。回折格子の形成方法も電子線露光法に限らず、二束干渉露光法やそのほかの手段を用いてもよい。
また、コンタクト層206と上部クラッド層104の一部をエッチングする方法としては、活性導波路層202と非活性導波路層203の長さが短く、繰返し周期も短いため、プラズマやイオンビームなどによるドライエッチングなどのサイドエッチング量の少ないエッチング方法が望ましいが、ウエットエッチングなどによる方法でも問題はない。
本実施例では、容量の低減と、リッジ構造の保護のために誘電体213を用いたが、両脇は空気としてもよい。また、誘電体213として有機材料であるポリイミドを用いたが、BCBなど他の材料であってもよい。誘電体213を用いることにより、電流ブロック層よりも容量が減るため、変調特性を向上することができる。これに加えて、分離溝214による活性領域、非活性領域間の漏れ電流抑制により、変調特性を10GHz以上に向上できた。
本実施例では、活性導波路層202と非活性導波路層203とが交互に直列に並んだ構造について説明したが、本発明は例えば複数の領域間で相互に流れる漏れ電流を抑制すると共に、導波する光の反射を抑制するものであるので、図8に示した活性導波路層202と非活性導波路層203の組み合わせに限らず、活性導波路層を複数の領域に分割して各々の領域に電極を設けた場合、または、非活性導波路層を複数の領域に分割して各々の領域に電極を設けた場合などであっても本発明を適用することができる。
本実施例において説明したように、一つの素子が複数の領域を有する場合に漏れ電流の影響は顕著に現れるが、領域が二つであっても、相互に流れる漏れ電流を抑制し、且つ、導波する光の反射を抑制することができる本実施例は有用である。
また、本実施例では分布活性DFBレーザを例として説明したが、本発明はこれに限らず、例えばレーザと変調器を集積したデバイスにおけるレーザ部と電極の変調器の電極部などにも適用可能である。即ち、直列接続された異なる導波路素子間の分離を必要とする場合に適用可能である。
なお、本実施例による作用・効果は、上述した実施例1と概ね同様であり、重複する説明は省略する。
図9に基づいて本発明の第4の実施例を詳細に説明する。
図9(a)は本実施例に係る半導体レーザの上面図、図9(b)は本実施例に係る半導体レーザの電極を除いた状態の上面図、図9(c)は本実施例に係る半導体レーザの電極及び絶縁膜を除いた状態の上面図である。
本実施例は、例えば、実施例1おいて説明した、活性層電極7、波長制御電極8、絶縁膜9に形成される穴9a、および、分離溝14の形状を、それぞれ変化させたものである。その他の構成は概ね同様であり、重複する説明は省略する。図9中、304は上部クラッド、306はコンタクト層、307は活性層電極、308は波長制御電極、309は絶縁膜、309aは絶縁膜309に形成された穴、314は分離溝である。
上述した実施例1乃至実施例3においては、該屈折率境界面における光の反射を抑制するために、屈折率境界面を導波路方向に対して傾斜させる目的で、分離溝を導波路方向に対して傾斜するように設けた。しかし、全ての分離溝を導波路方向に対して同一の角度で傾斜させた場合、共振が生じる可能性がある。
そのため、本実施例では図9(c)に示すように、隣接する分離溝314が異なる傾きを有するように構成した。これにより、分離溝314において反射が生じた場合であっても、共振を抑制することが可能となる。
なお、図9においては分離溝314を、導波路方向に対する傾斜角が導波路方向に直交する面に対して対称になるように形成し、交互に傾斜角が等しくなるようにしたが、共振を抑制するためには分離溝の傾斜角を全て異なる角度とすることが最も好適である。しかしながら、ある程度離れた位置にある分離溝314であれば、相互に同一の傾斜角を有していたとしても問題は無い。
最も単純に考えた場合、同じ傾斜角を有する分離溝314が間欠的に配置されればよいので、分離溝314の導波路方向と直交する方向の幅をd、導波路方向に対する分離溝314の角度をθとすると、同じ傾斜角を有する分離溝314間の距離xが、以下の(10)式の関係を満たすようにすることで、共振を抑制することができる。
x>2d/sin(2θ) ・・・(10)
更に、本実施例のように、分離溝314の傾斜角を交互に正負を逆にすることにより、活性層電極307同士、波長制御電極308同士を一体化するために各々の電極307,308を引き出す際、図9(a)に示すように、引き出し部307a,308aの幅を実施例1乃至実施例3の場合に比較して広く形成することができ、パターン形成を容易にすることができる。
図10に基づいて本発明の第5の実施例を詳細に説明する。
図10(a)は本実施例に係る半導体レーザの上面図、図10(b)は図10(a)に示すx−x´断面図、図10(c)は本実施例に係る半導体レーザの電極を除いた状態の上面図、図10(d)は本実施例に係る半導体レーザの電極及び絶縁膜を除いた状態の上面図、図10(e)は図10(a)のy−y´断面図である。
本実施例は、例えば、実施例1に比較して、活性層電極7、波長制御電極8、絶縁膜9に形成される穴9a、および、分離溝14の形状が異なるものである。その他の構成は概ね同様であり、重複する説明は省略する。図10中、401は下部クラッド、402は活性導波路層、403は非活性導波路層、404は上部クラッド、405は回折格子、406はコンタクト層、407は活性層電極、408は波長制御電極、409は絶縁膜、409aは絶縁膜409に形成された穴、410は共通電極、413は電流ブロック層、414は分離溝である。
上述した実施例1乃至実施例3においては、該屈折率境界面における光の反射を抑制するために、屈折率境界面を導波路方向に対して傾斜させる目的で、分離溝を導波路方向に対して傾斜するように設けた。しかし、全ての分離溝を導波路方向に対して同一の角度で傾斜させた場合、共振が生じる可能性がある。従って、実施例4では隣接する分離溝314の傾斜角が導波路方向に直交する面に対して対称となるように構成した。これにより、分離溝314において反射が生じた場合であっても、共振を抑制することを可能とした。これに対し、本実施例では、図10においては分離溝414の導波路方向に対する傾斜角が全て異なるように構成している。
なお、ある程度離れた位置にある分離溝414同士においては、相互に同一の傾斜角を有していたとしても問題は無い。最も単純に考えた場合、同じ傾斜角を有する分離溝314が間欠的に配置されればよいので、分離溝314の導波路方向と直交する方向の幅をd、導波路方向に直交する方向に対する分離溝314の角度をθとすると、同じ傾斜角を有する分離溝314間の距離xが、上述した(10)式の関係を満たすようにすることで、共振を抑制することができる。
更に、本実施例においては、図10(a)に示すように、活性層電極407、波長制御電極408を、導波路方向に交差する面が導波路方向に対して直交するように形成している。これにより、電極407,408を引き出す際に、該電極407,408が分離溝414上に重なる状態となるため、作製工程はやや複雑になる可能性がある。しかしながら、分離溝414の傾斜角が全て異なるように構成する場合、全ての電極407,408を分離溝414の傾斜角に一致させると、電極幅が異なるために抵抗がばらつき、電流注入が不均一となる虞がある。従って、図10(a)に示すように、電極407,408の導波路方向に交差する面を、導波路方向に対して直交するように形成し、電極407,408の形状を一定に保てば好適である。
本発明は、光ファイバ通信用光源および光計測用光源として用いられる波長可変半導体レーザに関し、例えば、光通信における光波長(周波数)多重システム用光源、および広帯域波長帯をカバーする光計測用光源に適用可能である。
図1(a)は本発明の実施例1に係る半導体レーザの上面図、図1(b)は図1(a)に示すx−x´断面図、図1(c)は図1(a)の電極を除いた状態の上面図、図1(d)は図1(a)の電極及び絶縁膜を除いた状態の上面図、図1(e)は図1(a)のy−y´断面図である。 本発明の実施例1に係る半導体レーザの他の例を示す上面図である。 上部クラッド厚と等価屈折率との関係を示すグラフである。 屈折率が互いに異なる物質の境界面における光の屈折を示す説明図である。 入射角と反射率との関係を示すグラフである。 屈折率境界への入射角に対する反射波の結合率を示すグラフである。 図7(a)は本発明の実施例2に係る半導体レーザの上面図、図7(b)は図7(a)に示すx−x´断面図、図7(c)は図7(a)の電極を除いた状態の上面図、図7(d)は図7(a)の電極及び絶縁膜を除いた状態の上面図、図7(e)は図7(a)のy−y´断面図である。 図8(a)は本発明の実施例3に係る半導体レーザの上面図、図8(b)は図8(a)に示すx−x´断面図、図8(c)は図8(a)の電極を除いた状態の上面図、図8(d)は図8(a)の電極及び絶縁膜を除いた状態の上面図、図8(e)は図8(a)のy−y´断面図である。 図9(a)は本発明の実施例4に係る半導体レーザの上面図、図9(b)は図9(a)の電極を除いた状態の上面図、図9(c)は図9(a)の電極及び絶縁膜を除いた状態の上面図である。 図10(a)は本発明の実施例5に係る半導体レーザの上面図、図10(b)は図10(a)に示すx−x´断面図、図10(c)は図10(a)の電極を除いた状態の上面図、図10(d)は図10(a)の電極及び絶縁膜を除いた状態の上面図、図10(e)は図10(a)のy−y´断面図である。 図11(a)は従来の分布活性DFBレーザの上面図、図11(b)は図11(a)におけるx−x´断面図である。 従来の他の分布活性DFBレーザを示す断面図である。 従来の他の分布活性DFBレーザを示す断面図である。 従来の他の分布活性DFBレーザを示す断面図である。 従来の他の分布活性DFBレーザを示す断面図である。
符号の説明
1,101,201,301,401 下部クラッド
2,102,202,302,402 活性導波路層
3,103,203,303,403 非活性導波路層
4,104,204,304,404 上部クラッド
5,105,205,305,405 回折格子
6,106,206 コンタクト層
7,107,207,307,407 活性層電極
8,108,208,308,408 波長制御電極
9,109,209,309,409 絶縁膜
9a,109a,209a,309a,409a 孔
10,110,210,310,410 共通電極
13,313,413 電流ブロック層
14,114,214,314,414 電極分離溝
15 光導波路層
113 半絶縁体
213 誘電体

Claims (12)

  1. 第1の半導体クラッド層と、前記第1の半導体クラッド層より光学的屈折率が大きい光導波路層と、前記光導波路層より屈折率が小さい第2の半導体クラッド層とをそれぞれ1層以上含む光導波路が、二つ以上光導波路方向に直列に結合されてなる半導体導波路素子において、
    前記光導波路にそれぞれ独立して電流を供給する電極と、隣接する前記電極間に位置する前記第2の半導体クラッド層に設けられる電極分離溝とを備え、
    前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の法線が、導波路方向に対して傾斜角θだけ傾斜し、
    前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θと該電極分離溝に隣接する電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θは互いに異なるか、前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θと該電極分離溝に隣接する電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θが等しいときは前記電極分離溝と該電極分離溝に隣接する電極分離溝との間隔xが「x>2d/sin(2θ)」を満たす
    ことを特徴とする半導体導波路素子。
  2. 前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の法線が、導波路方向に対して5度以上傾斜している
    ことを特徴とする請求項1記載の半導体導波路素子。
  3. 前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の法線が、導波路方向に対して10度以上54度以下の角度で傾斜している
    ことを特徴とする請求項1記載の半導体導波路素子。
  4. 全ての前記電極分離溝の導波路方向に交差する面が、導波路方向に対して等しい傾斜角を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体導波路素子。
  5. 前記電極分離溝が導波路方向に交差する面に対し一つおきに等しい傾斜角を有し、導波路方向に沿って隣接する前記電極分離溝が導波路方向に直交する面に対して相互に対称である
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体導波路素子。
  6. 前記電極分離溝が、前記光導波路層上の前記第2の半導体クラッド層の厚さが1500nm以下となる深さで設けられる
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれかに記載の半導体導波路素子。
  7. 前記第2の半導体クラッドの上面に設けた絶縁膜に形成された孔の導波路方向に交差する端部、又は、前記電極の導波路方向に対して交差する端部、またはその両方が、各々が対応する前記電極分離溝に対して平行に形成された
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれかに記載の半導体導波路素子。
  8. 素子両端に位置する前記電極の引き出し部を、素子中央側へ向かって延伸させる
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれかに記載の半導体導波路素子。
  9. 前記導波路層の結合面が、前記分離溝と等しい傾斜を有する
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれかに記載の半導体導波路素子。
  10. ルテニウムをドーピングした半絶縁性の電流ブロック層を備える
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれかに記載の半導体導波路素子。
  11. 請求項1乃至請求項11のいずれかに記載の半導体導波路素子を用いた
    ことを特徴とする半導体レーザ
  12. 第1の半導体クラッド層と、前記第1の半導体クラッド層より光学的屈折率が大きい光導波路層と、前記光導波路層より屈折率が小さい第2の半導体クラッド層とをそれぞれ1層以上含む光導波路が、二つ以上光導波路方向に直列に結合されてなる半導体導波路素子を作製する方法において、
    前記光導波路にそれぞれ独立して電流を供給する、相互に隣接する前記電極間に位置する前記第2の半導体クラッド層に、導波路方向に交差する方向に延びると共に、導波路方向に直交する方向に対して傾斜を有する電極分離溝を形成する工程を備え、
    前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の法線が、導波路方向に対して傾斜角θだけ傾斜するようにし、
    前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θと該電極分離溝に隣接する電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θは互いに異なるか、前記電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θと該電極分離溝に隣接する電極分離溝の導波路方向に交差する面の傾斜角θが等しいときは前記電極分離溝と該電極分離溝に隣接する電極分離溝との間隔xが「x>2d/sin(2θ)」を満たす
    ことを特徴とする半導体導波路素子の作製方法
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