JP4785905B2 - 基板搬送処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 255
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 214
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 103
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 171
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 87
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 54
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 52
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 46
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 18
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 8
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 94
- 238000011161 development Methods 0.000 description 24
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 19
- 101100221836 Arabidopsis thaliana CPL3 gene Proteins 0.000 description 16
- 101100065702 Arabidopsis thaliana ETC3 gene Proteins 0.000 description 16
- 101100182771 Streptococcus phage Cp-9 CPL9 gene Proteins 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 8
- 101100221838 Arabidopsis thaliana CPL5 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100182770 Streptococcus phage Cp-7 CPL7 gene Proteins 0.000 description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 101100033865 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFA1 gene Proteins 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- YVGGHNCTFXOJCH-UHFFFAOYSA-N DDT Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(C(Cl)(Cl)Cl)C1=CC=C(Cl)C=C1 YVGGHNCTFXOJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101000588012 Homo sapiens SREBP regulating gene protein Proteins 0.000 description 4
- 101710189714 Major cell-binding factor Proteins 0.000 description 4
- 102100031580 SREBP regulating gene protein Human genes 0.000 description 4
- 101100524516 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFA2 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67769—Storage means
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Description
この発明は、例えば半導体ウエハやフラット・パネル・ディスプレー基板（ＦＰＤ基板）等の基板を搬送して処理する基板搬送処理装置に関するものである。
一般に、フォトリソグラフィ技術においては、基板にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連の工程によって行われている。
このような処理は、一般に基板にレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット、レジスト塗布処理終了後の基板や露光処理後の基板を加熱処理する加熱処理ユニット、加熱処理後の基板を所定温度にまで冷却処理する冷却処理ユニット、基板に現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等が個別に複数段に積み重ねられた状態で備えられており、これらの各処理ユニット間における基板の搬送、並びに基板の搬入出は、基板搬送手段によって行われている。
従来のこの種の基板搬送処理装置として、複数の基板を収容可能なキャリアを配置するキャリアブロックと、上記キャリアから取り出された基板にレジスト塗布・現像処理等を施す上記処理ユニットを具備する処理ブロックと、上記キャリアブロック及び処理ブロック内にそれぞれ配設され、基板を鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、上記キャリアブロックと処理ブロックの間に配置され、複数の基板が載置可能であって、かつ基板を所定温度にまで冷却する前に、基板を待機して予備冷却する冷却プレートを有する基板収納部と、を具備する基板搬送処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１記載の基板搬送処理装置によれば、各処理ユニットにおける基板の処理時間の時間差に対応して基板を効率よく搬送し、スループットの向上を図るようにするために、複数の処理ユニットを備えた処理ブロックとインターフェイスブロックとの間又はインターフェイスブロック内に、複数の基板を収容可能な複数段状の基板収納部を設けて、該基板収納部の２方向から基板収納部に対して異なる基板搬送手段によって基板の受渡しを行うことができる。
また、目的とするレジスト膜の種類により、レジスト膜の上下側に反射防止膜を形成する場合や、レジスト膜の上下の一方に反射防止膜を形成する場合、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合等、塗布の形態が異なり、このためロットにより必要となる塗布処理ユニットや、加熱処理ユニット、冷却処理ユニット、プレ冷却処理ユニット等の塗布膜形成のためのユニットにおける処理条件が異なる場合がある。この場合、これらの塗布処理ユニットや、加熱処理ユニット、冷却処理ユニットが同じ処理ブロック内に設けられている構成では、目的とするレジスト膜の種類により使用するユニットが異なるために基板の搬送の流れが異なってくる。このため、基板の搬送スケジュールが更に複雑となるので、上述した基板収納部における基板の収納枚数を多くして次の処理に供される前の複数の基板の待機を可能にしている。
特開２００７−２８８０２９号公報（特許請求の範囲、図１）
しかしながら、特許文献１記載の装置においては、基板収納部に配設される冷却プレートに複数（例えば３本）の支持ピンを昇降可能に立設し、これら支持ピンによって基板を支持するようにして、基板搬送手段との間で基板の受渡しを行っている。そのため、基板の受渡しに時間を要する懸念があった。また、冷却プレートと支持ピンの昇降駆動機構分の高さが必要となるので、装置全体の高さにより冷却プレートの数を多くすることができず、高生産に対応できないという問題があった。更には、支持ピンの昇降駆動機構の保守・点検に注意を払う必要がある。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板収納部における冷却プレートの配設スペースを可能な限り小さくして、装置の小型化、基板の収納数の増大を図れるようにし、かつ、スループットの向上及びメンテナンスの向上を図れるようにした基板搬送処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、この発明の第１の基板搬送処理装置は、複数の基板を収容可能なキャリアを配置するキャリアブロックと、上記キャリアから取り出された基板に加熱処理を含む適宜処理を施す処理ユニットを具備する処理ブロックと、上記処理ブロック内において上記キャリアブロックから搬送された基板を上記処理ユニットに受け渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、上記キャリアブロックと処理ブロックの間に配置され、複数の基板を収納可能な基板収納部と、上記キャリアブロックとの間で基板が受け渡し可能であって、上記基板収納部に基板を受渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板受渡し手段と、を具備し、 上記基板収納部は、上記基板搬送手段又は基板受渡し手段から受け取った基板を載置して冷却する冷却プレートと、基板の受渡しに供される受渡しプレートとを具備し、 上記基板搬送手段及び基板受渡し手段は、２つの湾曲アーム片により略馬蹄形状に形成されると共に、上記湾曲アーム片の先端側下部及び基端側下部に夫々基板を支持する複数の支持爪が設けられ、 上記冷却プレートは、冷媒流体の供給流路及び排出流路を有するベースブロックと、該ベースブロックの上部に積層されると共に供給流路及び排出流路に夫々連通する供給流路と排出流路が設けられた取付基部と、上記供給流路及び排出流路に連通する冷媒流路を有すると共に、上記基板搬送手段及び基板受渡し手段の２つの湾曲アーム片間より小径に形成され、かつ、外周に上記支持爪の昇降移動の干渉を回避するための切欠きが設けられた円板部とを有する１又は複数の冷却プレート本体と、上記ベースブロックの上面に積層される上記取付基部の上面に被着されて上記供給流路及び排出流路を塞ぐと共に、上記冷却プレート本体を上記ベースブロックと協働して挟持する封止プレートと、を具備してなる、ことを特徴とする（請求項１）。
また、この発明の第２の基板搬送処理装置は、上記第１の基板搬送処理装置に加えて、基板に適宜処理を施す第２の処理ブロックを更に具備すると共に、上記基板収納部を上記キャリアブロックと処理ブロックの間、及び上記処理ブロックと上記第２の処理ブロックとの間に配置してなり、上記第１の基板搬送処理装置と同様に、上記基板収納部は、上記基板搬送手段又は基板受渡し手段から受け取った基板を載置して冷却する冷却プレートと、基板の受渡しに供される受渡しプレートとを具備し、 上記基板搬送手段及び基板受渡し手段は、２つの湾曲アーム片により略馬蹄形状に形成されると共に、上記湾曲アーム片の先端側下部及び基端側下部に夫々基板を支持する複数の支持爪が設けられ、 上記冷却プレートは、冷媒流体の供給流路及び排出流路を有するベースブロックと、該ベースブロックの上部に積層されると共に供給流路及び排出流路に夫々連通する供給流路と排出流路が設けられた取付基部と、上記供給流路及び排出流路に連通する冷媒流路を有すると共に、上記基板搬送手段及び基板受渡し手段の２つの湾曲アーム片間より小径に形成され、かつ、外周に上記支持爪の昇降移動の干渉を回避するための切欠きが設けられた円板部とを有する１又は複数の冷却プレート本体と、上記ベースブロックの上面に積層される上記取付基部の上面に被着されて上記供給流路及び排出流路を塞ぐと共に、上記冷却プレート本体を上記ベースブロックと協働して挟持する封止プレートと、を具備してなる、ことを特徴とする（請求項２）。
上記のように構成することにより、基板の受渡し用の昇降する支持ピンが不要となり、基板搬送手段又は基板受渡し手段によって搬送された基板を直接冷却プレートに受渡し、冷却プレートにおいて受け渡された基板を載置して冷却することができる（請求項１，２）。また、基板の受渡しのみに使用される受渡しプレートを具備することで、キャリアブロックと処理ブロックの間、処理ブロックと第２の処理ブロック間における基板の搬送を円滑にすることができる。
この発明において、上記ベースブロック、冷却プレート本体の取付基部及び封止プレートを連結部材によって着脱可能に連結する方が好ましい（請求項３）。この場合、上記ベースブロックと冷却プレート本体の取付基部間における供給流路部及び排出流路部と、上記冷却プレート本体の取付基部と封止プレート間における供給流路部及び排出流路部に、夫々シール部材を介在する方が好ましい（請求項４）。
このように構成することにより、ベースブロックを基準として、該ベースブロック、冷却プレート本体及び封止プレートを容易に組み付けて冷却プレートを構成することができる。また、必要に応じて冷却プレート本体の数を増減することができる。
また、この発明において、上記基板収納部は、上記冷却プレート本体の裏面に着脱可能に装着される基板吸着プレートを更に具備してもよく、この際、上記基板吸着プレートは、上記ベースブロックに設けられた供給流路及び排出流路と上記冷却プレート本体の冷媒流路とを連通する貫通孔を設けると共に、上記冷却プレート本体に設けられた吸着用孔に連通する吸引流路を設ける構造とすることができる（請求項５）。この場合、上記基板吸着プレートの貫通孔に貫装される筒状の接続部材と、上記ベースブロック及び冷却プレート本体の取付基部との間に、夫々シール部材を介在して供給流路部及び排出流路部を気水密に形成する方が好ましい（請求項６）。また、上記基板吸着プレートの吸引流路を、基板吸着プレートの上面に設けられた流路溝と、該流路溝の開口端に形成された拡開段部内に敷設される閉塞蓋とで構成し、上記閉塞蓋に設けられた吸引孔にシール部材を介して冷却プレート本体の吸着用孔に連通する構造とすることができる（請求項７）。
このように構成することにより、冷却プレートすなわち冷却プレート本体上に載置された基板を吸着保持することができ、冷媒流体の冷却熱を効率良く基板に伝熱することができる。
また、この発明において、上記冷却プレートのベースブロックと、該ベースブロックに設けられた供給流路及び排出流路に接続する配管部をベースプレートに固定して一体に形成し、上記冷却プレートを一体化した上記ベースプレートを、基板収納部を構成する枠体に対して引出可能に装着する方が好ましい（請求項８）。
このように構成することにより、冷却プレートを基板収納部に対して引出可能に取り付けることができる。
また、この発明において、上記基板収納部は、複数の基板を収納可能な基板収納棚を更に具備する構造としてもよい（請求項９）。このように構成することにより、複数枚の基板を基板収納部に待機させることができる。
また、請求項１０記載の発明は、請求項１又は３ないし９のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、上記処理ブロックは、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成する塗布膜形成用処理ユニット，基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成用処理ユニット及び基板を加熱処理する加熱処理ユニットを具備する、ことを特徴とする。
また、請求項１１記載の発明は、請求項２ないし９のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、上記処理ブロックは、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成する塗布膜形成用処理ユニット，基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成用処理ユニット及び基板を加熱処理する加熱処理ユニットを具備し、上記第２の処理ブロックは、露光装置を具備する、ことを特徴とする。
加えて、請求項１２記載の発明は、請求項１０又は１１記載の基板搬送処理装置において、 上記処理ブロックは、塗布膜形成用処理ユニットと加熱処理ユニットとを基板搬送手段の水平移動領域によって区画される塗布膜形成用単位ブロックと、塗布膜の下側に反射防止膜を形成する第１の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第１の反射防止膜形成用単位ブロック、及び塗布膜の上側に反射防止膜を形成する第２の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第２の反射防止膜形成用単位ブロックを積層し、 上記基板収納部は、上記塗布膜形成用単位ブロック，第１の反射防止膜形成用単位ブロック及び第２の反射防止膜形成用単位ブロックに対応すべく複数に区画された収納ブロックを具備すると共に、各収納ブロックに複数の載置棚、及び冷却プレートを具備する、ことを特徴とする。
上記のように構成することにより、基板に塗布されるレジスト膜の種類及び各処理ユニットにおける処理時間に対応させて、レジスト膜の上下の一方又は双方に反射防止膜を形成するか、あるいは、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合における次の処理前の基板の待機を確保することができると共に、基板収納部において基板を冷却して所定温度に調整することができる（請求項１０〜１２）。
以上に説明したように、この発明の基板搬送処理装置は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
（１）請求項１，２記載の発明によれば、基板の受渡し用の昇降する支持ピンが不要となり、基板搬送手段又は基板受渡し手段によって搬送された基板を直接冷却プレートに受渡し、冷却プレートにおいて受け渡された基板を載置して冷却することができるので、処理ブロックで加熱処理された基板を搬送過程で効率良く冷却することができると共に、スループットの向上が図れる。また、冷却プレートの高さ方向のスペースを小さくすることができるので、冷却プレートの搭載数を増やすことができ、生産性の向上が図れる。
（２）請求項３，４記載の発明によれば、ベースブロックを基準として、該ベースブロック、冷却プレート本体及び封止プレートを容易に組み付けて冷却プレートを構成することができるので、上記（１）に加えて、更に冷却プレートの取付精度を高めることができる。また、必要に応じて冷却プレート本体の数を簡単に増減することができる。
（３）請求項５，６，７記載の発明によれば、冷却プレートすなわち冷却プレート本体上に載置された基板を吸着保持することができ、冷媒流体の冷却熱を効率良く基板に伝熱することができるので、上記（１），（２）に加えて、更に処理精度の向上が図れる。
（４）請求項８記載の発明によれば、冷却プレートを基板収納部に対して引出可能に取り付けることができるので、上記（１）〜（３）に加えて、更にメンテナンスの向上が図れる。
（５）請求項９記載の発明によれば、複数枚の基板を基板収納部に待機させることができるので、上記（１）〜（４）に加えて、更に生産性の向上が図れる。
（６）請求項１０〜１２記載の発明によれば、基板に塗布されるレジスト膜の種類及び各処理ユニットにおける処理時間に対応させて、レジスト膜の上下の一方又は双方に反射防止膜を形成するか、あるいは、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合における次の処理前の基板の待機を確保することができると共に、加熱処理後の基板を冷却することができる。したがって、上記（１）〜（５）に加えて、更に基板に塗布されるレジスト膜の種類及び各処理ユニットにおける処理時間に対応した複雑な処理を効率よく行うことができる。
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板搬送処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。
図１は、上記レジスト塗布・現像処理装置の一例を示す概略平面図、図２は、同概略斜視図、図３は、同概略図であって、処理部の単位ブロックのみを平面状態で重ねて示す概略構成図である。
上記レジスト塗布・現像処理装置は、基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）が例えば１３枚密閉収容されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、第２の処理ブロックである露光装置Ｓ４と、を備えている。
上記キャリアブロックＳ１には、複数個（例えば４個）のキャリア２０を載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する基板収納部を構成する棚ユニットＵ５に設けられた受渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、並びに鉛直軸回りに回転自在に移動自在に構成されている。
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成用単位ブロックである第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための塗布膜形成用単位ブロックである第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成用単位ブロックである第５の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。ここで上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２が現像処理用の単位ブロック、ＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ５が塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。
次に、第１〜第５の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、前面側に配設され、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、背面側に配設され、上記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱ユニット等の処理ユニットと、前面側に配設される上記液処理ユニットと背面側に配設される加熱ユニット等の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。
これら単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上記液処理ユニットと、加熱ユニット等の処理ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じに形成されている。ここで、配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心つまり液処理ユニットにおけるウエハＷの保持手段であるスピンチャックの中心や、加熱ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。
上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は同様に構成されており、この場合、共通に形成されている。このＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は、図１に示すように、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のほぼ中央には、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ１（メインアームＡ１の水平移動領域）が形成されている。
この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、上記液処理ユニットとして、現像処理を行うための複数個の現像処理部を備えた現像ユニット３１が例えば２段設けられている。各単位ブロックは、手前側から奥側に向かって左側に、順に加熱系のユニットを多段化した例えば４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、この図では現像ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば３段ずつに積層した構成とされている。このようにして上記搬送領域Ｒ１によって現像ユニット３１と棚ユニットＵ１〜Ｕ４が区画されており、搬送領域Ｒ１に洗浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１）や、現像処理後のウエハＷの水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）等が含まれている。これら加熱ユニット（ＰＥＢ１、ＰＯＳＴ１）等の各処理ユニットは、それぞれ処理容器５１内に収容されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、上記処理容器５１が３段ずつ積層されて構成され、各処理容器５１の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口５２が形成されている。
上記搬送領域Ｒ１には上記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、当該ＤＥＶ層Ｂ１内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、現像ユニット３１，棚ユニットＵ５の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
また、上記塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５は、いずれも同様に構成されており、上述の現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２と同様に構成されている。具体的にＣＯＴ層Ｂ４を例にして図３，図７及び図８を参照して説明すると、液処理ユニットとしてウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布ユニット３２が設けられ、ＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）や、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）を備えており、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と同様に構成されている。すなわち、塗布ユニット３２と加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）及び疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）とをメインアームＡ４の搬送領域Ｒ４（メインアームＡ４の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＣＯＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、塗布ユニット３２と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。なお上記疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）は、ＨＭＤＳ雰囲気内でガス処理を行なうものであるが、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかに設けられればよい。
また、ＢＣＴ層Ｂ３は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成ユニット３３が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）を備えており、ＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。すなわち、第１の反射防止膜形成ユニット３３と加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）とをメインアームＡ３の搬送領域Ｒ３（メインアームＡ３の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、この第３の単位ブロックＢ３では、メインアームＡ３により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、第１の反射防止膜形成ユニット３３と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
また、ＴＣＴ層Ｂ５は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成ユニット３４が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＰＨ５）や、周辺露光装置（ＷＥＥ）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。すなわち、第２の反射防止膜形成ユニット３４と加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）及び周辺露光装置（ＷＥＥ）とをメインアームＡ５の搬送領域Ｒ５（メインアームＡ５の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、第２の反射防止膜形成ユニット３４と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
また、処理ブロックＳ２には、棚ユニットＵ５に設けられた受渡しステージＴＲＳ２とインターフェイスブロックＳ３側の棚ユニットＵ６との間でウエハＷの受け渡しを行う基板搬送手段であるシャトルアームＡが水平のＹ方向に移動自在及び鉛直のＺ方向に昇降自在に配設されている。
なお、シャトルアームＡの搬送領域と上記メインアームＡ１，Ａ２〜Ａ５の搬送領域Ｒ１，Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ区画されている。
また、処理ブロックＳ２とキャリアブロックＳ１との間の領域は、ウエハＷの受渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡがアクセスできる位置に基板収納部である棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための基板受渡し手段をなす受渡しアームＤを備えている。この場合、棚ユニットＵ５は、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡの水平移動方向（Ｙ方向）の軸線上に配置されており、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡの進退方向（Ｙ方向）に第１の開口部１１を設けると共に、受渡しアームＤの進退方向（Ｘ方向）に第２の開口部１２を設けている。
また、上記棚ユニットＵ５は、図３，図５及び図６に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びシャトルアームＡとの間でウエハＷの受け渡しを行うように、例えば２個の受渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２を備えており、また、単位ブロックＢ１〜Ｂ５に対応すべく複数に区画された収納ブロック１０ａ〜１０ｄを備えると共に、各収納ブロック１０ａ〜１０ｄに、複数の載置棚１３、及びレジスト塗布前にウエハＷを所定温度に調整するためや、反射防止膜形成処理前にウエハＷを所定温度に調整するためや、露光処理後に加熱処理されたウエハＷを所定温度に調整するための冷却プレート１４（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ６）を備えている。
この場合、第１収納ブロック１０ａは第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２（ＤＥＶ層）に対応し、第２収納ブロック１０ｂは第３の単位ブロックＢ３（ＢＣＴ層）に対応し、第３収納ブロック１０ｃは第４の単位ブロックＢ４（ＣＯＴ層）に対応し、第４収納ブロック１０ｄは第５の単位ブロックＢ５（ＴＣＴ層）に対応している。
第１収納ブロック１０ａに配設される冷却プレート１４Ａ（ＣＰＬ７，ＣＰＬ８）は、枠体１６に架設された保持板１７上に支持柱１７ａを介して横設されており、この冷却プレート１４Ａ（ＣＰＬ７，ＣＰＬ８）には３本の支持ピン１５が立設されている。この冷却プレート１４Ａ（ＣＰＬ７，ＣＰＬ８）はメインアームＡ１又は受渡しアームＤとの間でウエハＷの受渡しの機能を有している。
また、冷却プレート１４（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ６）は、図６，図９，図１０及び図１２に示すように、冷媒流体例えば恒温の冷却水の供給流路６１及び排出流路６２を有するベースブロック６０と、該ベースブロック６０の上部に積層され、供給流路６１及び排出流路６２に連通する冷媒流路６３を有する１又は複数（図では２個の場合を示す）の冷却プレート本体６４と、冷却プレート本体６４をベースブロックと協働して挟持する封止プレート６５と、ベースブロック６０，冷却プレート本体６４及び封止プレート６５を着脱可能に連結する連結部材すなわち連結ボルト６６と、を具備している。なお、冷却プレート１４は、恒温の冷却水を循環させる水冷方式のものを使用することができるが、水冷方式以外の方式であってもよい。また、冷却プレート１４（具体的には冷却プレート本体６４）の裏面には、図示しない固定ねじによって基板吸着プレート６７が着脱可能に装着されている。
この場合、上記ベースブロック６０は、例えばステンレス製部材にて形成されており、一つの角部がカットされた略立方体にて形成されている。このベースブロック６０の一側面には、図示しない冷却水供給源に接続する供給配管７１が接続する供給口６０ａと、排出配管７２が接続する排出口６０ｂと、図示しない吸引手段例えば真空ポンプに接続する吸引配管７３が接続する吸引口６０ｃが設けられている。また、供給口６０ａに連通する供給流路６１と、排出口６０ｂに連通する排出流路６２とが、ベースブロック６０の上面に開口するように垂直方向に平行に設けられている。これら供給流路６１と排出流路６２の開口端部には、シール部材であるＯリング（図示せず）を介して筒状の接続部材６８が着脱可能に貫装される。この接続部材６８の上端開口端にはシール部材であるＯリング６９を保持する環状保持溝６８ａが周設されている。
上記のように構成される接続部材６８は、冷却プレート本体６４の裏面に基板吸着プレート６７を装着した場合に使用される。すなわち、接続部材６８は、後述する基板吸着プレート６７の取付基部６７ａに設けられた垂直方向に平行な２つの貫通孔７４ａ，７４ｂ内に接続部材６８が貫装された状態で接続部材６８の環状保持溝６８ａにＯリング６９を取り付けて、冷却プレート本体６４の取付基部６４ａに設けられた供給流路６１ａと排出流路６２ａをベースブロック６０の供給流路６１と排出流路６２に夫々連通するために使用される。
上記冷却プレート本体６４は、例えばアルミニウム製部材にて形成されており、図１０及び図１２に示すように、ベースブロック６０の上面の形状と同じ形状の略矩形状の取付基部６４ａと、取付基部６４ａの角部から外方に突出する腕部６４ｂの先端に形成される円板部６４ｃとで構成されている。この冷却プレート本体６４の取付基部６４ａには、ベースブロック６０の供給流路６１と排出流路６２に夫々連通する供給流路６１ａと排出流路６２ａが貫通して設けられ、供給流路６１ａと排出流路６２ａに連通する冷媒流路６３が腕部６４ｂを介して円板部６４ｃに設けられている。なお図１０では、説明の都合上、冷媒流路６３を冷却プレート本体６４中に表示しているが、実際には冷却プレート本体６４の裏面に管状の冷媒流路６３を埋設する構造とする。なお、冷却プレート本体６４の円板部６４ｃの上面の複数箇所例えば５箇所には、円板部６４ｃ表面との間に僅かに隙間例えば５０μｍ〜１００μｍをおいてウエハＷを支持するプロキシミティピン６４ｅが突設されている。また、円板部６４ｃにおける冷媒流路６３を回避した位置の４箇所には、吸着用孔６４ｆが穿設されている。また、取付基部６４ａの辺部側の４箇所には連結ボルト６６を貫挿する取付孔７５が設けられている。
また、冷却プレート本体６４の円板部６４ｃの外周の６箇所には、棚ユニットＵ５の第１の開口部１１から進入するメインアームメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５（以下、符号Ａ１で代表する）、及び棚ユニットＵ５の第２の開口部１２から進入する受渡しアームＤが、冷却プレート１４にウエハＷを受け渡す際の昇降移動の干渉を回避するための切欠き６４ｇが設けられている（図１１参照）。この場合、受渡しアームＤのアーム本体９０は、一方の湾曲アーム片９１が他方の湾曲アーム片９２より先端側に延在する変形馬蹄形状に形成されると共に、両アーム片９１，９２の先端側下部及びアーム本体９０の基部側下部の３箇所にウエハＷを支持する支持爪９３を設けている。また、メインアームＡ１のアーム本体８０は、馬蹄形状に突出する一対の湾曲アーム片８１，８２の先端側下部及びアーム本体８０の基部側下部の４箇所にウエハＷを支持する支持爪８３を設けている。なお、冷却プレート本体６４の円板部６４ｃの外周に設けられる６箇所の切欠き６４ｇは、メインアームＡ１の支持爪８３及び受渡しアームＤの支持爪９３に対応して設けられている。
このように冷却プレート本体６４の円板部６４ｃの外周に切欠き６４ｇを設けることにより、支持ピンを要することなく、冷却プレート１４に対するメインアームＡ１及び受渡しアームＤのウエハＷの受渡しを行うことができる。
上記基板吸着プレート６７は、例えばアルミニウム製部材にて形成されており、図１０及び図１２に示すように、ベースブロック６０の上面の形状と同じ形状の略矩形状の取付基部６７ａと、取付基部６７ａの角部から外方に突出する腕部６７ｂの先端に形成される略円形の吸着部６７ｃとで構成されている。取付基部６７ａには、ベースブロック６０の供給流路６１及び排出流路６２と冷却プレート本体６４の冷媒流路とを連通する貫通孔７４ａ，７４ｂが設けられている。この貫通孔７４ａ，７４ｂ内に接続部材６８が貫装され、接続部材６８の環状保持溝６８ａにＯリング６９を取り付けて、冷却プレート本体６４の取付基部６４ａに設けられた供給流路６１ａと排出流路６２ａとベースブロック６０の供給流路６１と排出流路６２が夫々連通される。
なお、基板吸着プレート６７の取付基部６７ａの辺部側の４箇所には連結ボルト６６を貫挿する取付孔７５が設けられている。また、基板吸着プレート６７には、ベースブロック６０に設けられた吸引口６０ｃと連通し、かつ冷却プレート本体６４に設けられた吸着用孔６４ｆに連通する吸引流路６７ｄが設けられている。この場合、吸引流路６７ｄは、基板吸着プレート６７の上面に設けられた流路溝６７ｅと、流路溝６７ｅの開口端に形成された拡開段部６７ｆ内に敷設される閉塞蓋６７ｇとで構成され、閉塞蓋６７ｇに設けられた吸引孔６７ｈにシール部材例えばドーナツ状パッキン６７ｉを介して冷却プレート本体６４の吸着用孔６４ｆに連通されている（図１２参照）。
一方、上記封止プレート６５は、例えばアルミニウム製部材にて形成されており、図１２に示すように、ベースブロック６０の上面の形状と同じ形状の略矩形状に形成されており、辺部側の４箇所には連結ボルト６６を貫挿する取付孔７５が設けられている。
このように形成される封止プレート６５は、ベースブロック６０の上面に基板吸着プレート６７を介して積層される冷却プレート本体６４の取付基部６４ａの上面における供給流路６１ａと排出流路６２ａ部にシール部材であるＯリング６９を介して被着され、冷却プレート本体６４及び基板吸着プレート６７に設けられた取付孔７５に連結ボルト６６を挿入してベースブロック６０の取付孔７５にねじ結合して、ベースブロック６０と協働して冷却プレート本体６４及び基板吸着プレート６７を挟持する。
なお、冷却プレート１４を複数段積層する場合は、図９及び図１２に示すように、下段の冷却プレート本体６４の取付基部６４ａの上面にスペーサ７６を介在して上段の冷却プレート１４すなわち裏面に基板吸着プレート６７を装着した冷却プレート本体６４を積層することができる。この場合、スペーサ７６は、ベースブロック６０と同様に、一つの角部がカットされた略立方体にて形成されており、直下に位置する冷却プレート本体６４の供給流路６１ａ及び排出流路６２ａと連通する供給流路６１ｂ及び排出流路６２ｂが設けられると共に、辺部側の４箇所には連結ボルト６６を貫挿する取付孔７５が設けられている。また、スペーサ７６の供給流路６１ｂ及び排出流路６２ｂにおける下段側の冷却プレート本体６４との間、及び上段側の基板吸着プレート６７との間には夫々シール部材であるＯリング６９が介在されて、供給流路６１及び排出流路６２の気水密が維持されている。なお、スペーサ７６には基板吸着プレート６７の吸引流路６７ｄが連通する吸引口６０ｃが設けられている。
なお、上記説明ではスペーサ７６を介して複数の冷却プレート１４を積層する場合について説明したが、スペーサ７６を冷却プレート本体６４の取付基部６４ａ又は基板吸着プレート６７の取付基部６７ａに一体に形成した構造としてもよい。
なお、上記実施形態では、冷却プレート本体６４の裏面に基板吸着プレート６７を装着した場合について説明したが、冷却プレート本体６４のみで冷却プレート１４を構成してもよい。この場合は、図１３及び図１４に示すように、ベースブロック６０の上面にシール部材であるＯリング６９を介して冷却プレート本体６４の取付基部６４ａを載置し、取付基部６４ａの上にＯリング６９を介して封止プレート６５を被着し、連結ボルト６６によって連結すなわちベースブロック６０と封止プレート６５とで冷却プレート本体６４を挟持する。なお、図１３及び図１４において、その他の部分は上記第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
上記のように構成される冷却プレート１４のベースブロック６０と、ベースブロック６０に設けられた供給流路６１及び排出流路６２に接続する供給配管７１及び排出配管７２と、ベースブロック６０に設けられた吸引口６０ｃに接続する吸引配管７３は、ベースプレートに一体に固定されている。なお、ベースプレート７７の一側端下部にはベースプレート７７を枠体１６に固定するための取付ブラケット７８が設けられており、取付ボルト７９によってベースプレート７７が枠体１６に固定されるようになっている。
このようにして冷却プレート１４を一体化したベースプレート７７は、基板収納部である棚ユニットＵ５を構成する枠体１６に対して引出可能に装着されている。したがって、冷却プレート１４を棚ユニットＵ５に対して引出可能に取り付けることができるので、冷却プレート１４の交換や保守・点検等のメンテナンスの向上が図れる。
なお、載置棚１３は、図６に示すように、棚ユニットＵ５の一側から該棚ユニットＵ５内に突入する複数の板状アーム１３ａにて形成されている。この場合、板状アーム１３ａは、例えば先端に約１２０°の角度で分岐される二又部１３ｂを具備しており、この二又部１３ｂを含む板状アーム１３ａの先端部における同心円状の等分された３箇所に、ウエハＷを板状アーム１３ａの表面より僅かに隙間例えば約０．５ｍｍをおいて支持するプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃを突設すると共に、その一つの第１ピン１８ａを受渡しアームＤが棚ユニットＵ５内に進入する方向に平行に配置している。
なお、上記説明では、載置棚１３の板状アーム１３ａは二又部１３ｂを具備する場合について説明したが、第1の開口部１１から進入するメインアームのアーム本体８０と第２の開口部１２から進入する受渡しアームＤのアーム本体９０が干渉しなければ任意の形状でよく、例えば円形状に形成してもよい。
また、板状アーム１３ａは、棚ユニットＵ５の枠体１６の一部に一端が取り付けられて棚ユニットＵ５の一側から該棚ユニットＵ５内に突入するように設けられており、各板状アーム１３ａの基端部同士はスペーサ１９を介して連結部材例えば連結ボルト（図示せず）によって着脱可能に積層状に連結固定されている。このように、載置棚１３を構成する板状アーム１３ａを連結ボルトによって着脱可能に積層状に連結固定することにより、処理スケジュールや処理時間に対応させて載置棚１３の段数すなわち板状アーム１３ａの数の増減を容易にすることができる。
なお、図５に示すように、棚ユニットＵのキャリアブロックＳ１側から所定流量の清浄気体を棚ユニットＵ５内に供給するように構成されている。
なお、受渡しアームＤは、図１１に示すように、上記湾曲アーム片９１，９２と支持爪９３を有するアーム本体９０が棚ユニットＵ５に対して進退自在に構成されると共に、移動機構（図示せず）により、鉛直のＺ方向に昇降自在に構成されている。このようにしてアーム本体９０は、Ｘ方向に進退自在及び昇降自在に構成され、棚ユニットＵ５の各収納ブロック１０ａ〜１０ｄ、受渡しステージＴＲＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このような受渡しアームＤは、後述する制御部１００からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。
上記メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びシャトルアームＡは基本的には同様に構成されており、シャトルアームＡを代表して説明すると、冷却プレート本体６４の円板部６４ｃ及び載置棚１３の板状アーム１３ａに設けられたプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃと干渉しない一対の湾曲アーム片８１，８２を有する馬蹄形状のアーム本体８０を具備すると共に、各湾曲アーム片８１，８２の先端部及び基端部側下部の４箇所にウエハＷを支持する支持爪８３を設けている。
したがって、受渡しアームＤの場合と同様に、載置棚１３同士間のスペースをシャトルアームＡのアーム本体８０が鉛直方向に移動して載置棚１３のプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃとの間でウエハＷの受け渡しが可能な最低限のスペースとすることができるので、限られたスペース内に多くの載置棚１３を設けることができる。また、シャトルアームＡは、馬蹄形状のアーム本体８０の３箇所に支持爪８３を設けるので、ウエハＷを安定した状態で支持して搬送することができる。
なお、上記複数の載置棚１３の間隔は、受渡しアームＤのアーム本体９０の厚み及びメインアームＡのアーム本体８０の厚みよりも狭く形成されている。これにより、棚ユニットＵ５の収納スペースを可能な限り小さくすることができ、棚ユニットＵ５内へのウエハＷの収納枚数の増大、あるいは、ウエハＷの収納枚数が少ない場合には装置の小型化が図れる。
なお、メインアームＡ１（Ａ３〜Ａ５）は、同様に構成されており、図４に示すように、回転駆動機構８４、水平ガイドレール８６及び垂直ガイドレール８７に沿って移動するための移動機構８５によって、Ｘ方向に進退自在，Ｙ方向に移動自在，昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ６の各ユニットや受渡しステージＴＲＳ１、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡ１は、制御部１００からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。また、メインアームＡ１（Ａ３〜Ａ５）の加熱ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。
また、上記処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３の隣接する領域には、図１及び図３に示すように、メインアームＡ１，シャトルアームＡがアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられている。この棚ユニットＵ６は、図３に示すように、各ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のメインアームＡ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は、２個の受渡しステージＴＲＳ３を備えている。
また、棚ユニットＵ６の上部には上記棚ユニットＵ５と同様に、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びシャトルアームＡとの間でウエハＷの受け渡しを行うように、例えば２個の受渡しステージＴＲＳ４，ＴＲＳ５を備えており、また、単位ブロックＢ１〜Ｂ５に対応すべく複数に区画された収納ブロック１０ｅ〜１０ｈを備えると共に、各収納ブロック１０ｅ〜１０ｈに、複数の載置棚１３、及び反射防止膜形成処理後にウエハＷを所定温度に調整するためや、露光処理後に加熱処理されたウエハＷを所定温度に調整するための冷却プレート１４（ＣＰＬ９〜ＣＰＬ１６）と、バッファ用の載置棚１３を備えている。
この場合、第１収納ブロック１０ｅは第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２（ＤＥＶ層）に対応し、第２収納ブロック１０ｆは第３の単位ブロックＢ３（ＢＣＴ層）に対応し、第３収納ブロック１０ｇは第４の単位ブロックＢ４（ＣＯＴ層）に対応し、第４収納ブロック１０ｈは第５の単位ブロックＢ５（ＴＣＴ層）に対応している。
また、棚ユニットＵ６のＸ方向の背部側には上記基板受渡しアームＤと同様の構造の受渡しアームＥが配設されており、この受渡しアームＥによって各収納ブロック１０ｅ〜１０ｈの冷却プレート１４，１４Ａ（ＣＰＬ９〜ＣＰＬ１６）や載置棚１３に対してウエハＷを受渡しすることができるように構成されている。
なお、図８はこれら処理ユニットのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、処理ユニットは加熱ユニット（ＣＬＨＰ、ＰＥＢ、ＰＯＳＴ），疎水化処理装置（ＡＤＨ），周縁露光装置（ＷＥＥ）に限らず、他の処理ユニットを設けるようにしてもよいし、実際の装置では各処理ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して第２の処理ブロックである露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の棚ユニットＵ６の各部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＦを備えている。このインターフェイスアームＦは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の受渡しステージＴＲＳ３に対してウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置では、５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の受渡しアームＤ，Ｅにより、それぞれ受渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができると共に、上述のインターフェイスアームＦにより、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２を介して処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるように構成されている。
次に、上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置におけるウエハＷの搬送処理態様について、図１〜図４、図７及び図８を参照して説明する。なお、ここでは、棚ユニットＵ５の収納ブロック１０ａ〜１０ｄの最下段の第１収納ブロック１０ａには、２段の冷却プレートＣＰＬ７，ＣＰＬ８が配置され、その上段の第２収納ブロック１０ｂには、２段の冷却プレートＣＰＬ１，ＣＰＬ２と複数の載置棚１３（ＢＵＦ１）が配置され、その上段の第３収納ブロック１０ｃには、２段の冷却プレートＣＰＬ３，ＣＰＬ４と複数の載置棚１３（ＢＵＦ２）が配置され、そして、その上段すなわち最上段の第４収納ブロック１０ｄには、２段の冷却プレートＣＰＬ５，ＣＰＬ６と複数の載置棚１３（ＢＵＦ３）が配置される場合について説明する。また、棚ユニットＵ６の収納ブロック１０ｅ〜１０ｈの最下段の第１収納ブロック１０ｅには、２段の冷却プレートＣＰＬ９，ＣＰＬ１０が配置され、その上段の第２収納ブロック１０ｆには、２段の冷却プレートＣＰＬ１１，ＣＰＬ１２と複数の載置棚１３（ＢＵＦ１）が配置され、その上段の第３収納ブロック１０ｃには、２段の冷却プレートＣＰＬ１３，ＣＰＬ１４と複数の載置棚１３（ＢＵＦ２）が配置され、そして、その上段すなわち最上段の第４収納ブロック１０ｄには、２段の冷却プレートＣＰＬ１５，ＣＰＬ１６と複数の載置棚１３（ＢＵＦ３）が配置される場合について説明する。
＜レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理形態＞
まず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから受渡しアームＤに受け渡された後、受渡しアームＤにより棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの冷却プレート１４（ＣＰＬ１）まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ１上に載置されて所定の冷却温度例えば室温に温度調整される。その後、ＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。
まず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから受渡しアームＤに受け渡された後、受渡しアームＤにより棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの冷却プレート１４（ＣＰＬ１）まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ１上に載置されて所定の冷却温度例えば室温に温度調整される。その後、ＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。
そしてＢＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、第１の反射防止膜形成ユニット３３→加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）→棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの載置棚ＢＵＦ１の順序で搬送されて、第１の反射防止膜が形成される。第２収納ブロック１０ｂ内の載置棚ＢＵＦ１に載置されたウエハＷは、受渡しアームＤによって第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）に搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）上に載置されて所定温度（例えば室温）に温度調整される。
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷはメインアームＡ３により、塗布ユニット３２→加熱ユニットＣＬＨＰ４→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上層にレジスト膜が形成される。第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２に載置されたウエハＷは、受渡しアームＤによって第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）に搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）上に載置されて所定温度（例えば室温）に温度調整される。
その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ５に搬送される。続いて受渡しステージＴＲＳ５のウエハＷは、インターフェイスアームＦにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＦにより、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３→加熱ユニット（ＰＥＢ１）→棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
＜レジスト膜の上側に反射防止膜を形成する搬送処理形態＞
まず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣにより、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１に搬送された後、受渡しアームＤにより、棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３上に載置されて所定の冷却温度例えば室温に温度調整される。その後、ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そして、ウエハＷは、メインアームＡ４により、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ４に搬送され、冷却プレートＣＰＬ４上に載置されて所定温度（室温）に温度調整される。次に、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５から取り出されたウエハＷは、塗布ユニット３２に搬送されて、塗布ユニット３２においてレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、メインアームＡ４によって加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベークが施される。その後、ウエハＷは、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２上に収納されて一時待機する。
まず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣにより、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１に搬送された後、受渡しアームＤにより、棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３上に載置されて所定の冷却温度例えば室温に温度調整される。その後、ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そして、ウエハＷは、メインアームＡ４により、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ４に搬送され、冷却プレートＣＰＬ４上に載置されて所定温度（室温）に温度調整される。次に、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５から取り出されたウエハＷは、塗布ユニット３２に搬送されて、塗布ユニット３２においてレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、メインアームＡ４によって加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベークが施される。その後、ウエハＷは、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２上に収納されて一時待機する。
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷは、受渡しアームＤによって棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの冷却プレートＣＰＬ５（ＣＰＬ６）に搬送され、冷却プレートＣＰＬ５（ＣＰＬ６）上に載置されて所定温度（室温）に温度調整された後、メインアームＡ５によりＴＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５に受け渡される。そして、ＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、第２の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）→棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３の順序で搬送されて、第２の反射防止膜が形成される。なお、この場合、加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）による加熱処理後に周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送して、周辺露光処理を行った後に、棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３に搬送してもよい。
その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの載置棚ＢＵＦ３に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ５に搬送される。続いて受渡しステージＴＲＳ５のウエハＷは、インターフェイスアームＦにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＦにより、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３→加熱ユニット（ＰＥＢ１）→棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
上記説明では、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理形態と、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理形態について説明したが、その他の搬送処理形態例えば、レジスト膜の下側及び上側に反射防止膜を形成する搬送処理形態や反射防止膜無しの搬送処理形態についても上記の搬送処理形態の各工程を組み合わせてウエハＷに処理を施すことができる。
以上において、上述の塗布・現像処理装置は、各処理ユニットのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のスケジュール管理や、各処理ユニットにおける処理や、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５、トランスファーアームＣ、受渡しアームＤ，Ｅ、インターフェイスアームＦの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えており、この制御部１００にて、単位ブロックＢ１〜Ｂ５を使用してウエハＷを搬送させ、処理が行われるようになっている。
上記搬送フローのスケジュールは単位ブロック内のウエハＷの搬送経路（搬送の順番）を指定したものであり、単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に、形成する塗布膜の種類に応じて作成され、これにより単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に複数個の搬送フローのスケジュールが制御部１００に格納されている。
また、形成する塗布膜によって、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５にウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）と第１の反射防止膜を形成するための単位ブロック（ＢＣＴ層Ｂ３）とにウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）と第２の反射防止膜を形成するための単位ブロック（ＴＣＴ層Ｂ５）とにウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）のみにウエハＷを搬送するモードとがあり、制御部１００のモード選択手段により、形成しようとする塗布膜の種類に応じてウエハＷを搬送する単位ブロックを選択すると共に、かつ選択された単位ブロック毎に用意された複数の搬送フローのスケジュールから最適なレシピを選択することにより、形成する塗布膜に応じて使用する単位ブロックが選択されて、当該単位ブロックでは、各処理ユニットやアームの駆動が制御され、一連の処理が行われるようになっている。
このような塗布・現像処理装置では、キャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２との間、及び処理ブロックＳ２と第２の処理ブロックＳ４（露光装置）との間に、夫々メインアームＡ１〜Ａ５又は受渡しアームＤ，Ｅから受け取ったウエハＷを載置して冷却する、支持ピンを不要とする冷却プレート１４を具備する棚ユニットＵ５，Ｕ６（基板収納部）を設けるので、支持ピンの昇降時間を省くことができると共に、冷却プレート１４による冷却時間を延ばすことができる。したがって、スループットの向上及び処理精度の向上が図れる。また、支持ピンの駆動機構の削減ができるため、冷却プレート１４の故障リスクが減り、メンテナンスを容易にすることができ、かつ冷却プレート１４の高さ方向のスペースを小さくすることができ、装置の小型化が図れる。
更にまた、冷却プレート１４は、冷媒流体の供給流路６１及び排出流路６２を有するベースブロック６０の上部に、供給流路６１及び排出流路６２に連通する冷媒流路６３を有する冷却プレート本体６４の必要数を積層固定してなるので、冷却プレート１４の搭載数を増やすことができ、生産性の向上を図ることができる。
また、上記実施形態では、この発明に係る基板搬送処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明したが、この発明に係る基板搬送処理装置は、ＦＰＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムにも適用できることは勿論である。
Ｗ 半導体ウエハ（基板）
Ａ シャトルアーム（基板搬送手段）
Ａ１，Ａ３〜Ａ５ メインアーム（基板搬送手段）
Ｂ１，Ｂ２ 第１，第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）
Ｂ３ 第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）
Ｂ４ 第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）
Ｂ５ 第５の単位ブロック（ＴＣＴ層）
Ｃ トランスファーアーム
Ｄ，Ｅ 受渡しアーム（基板受渡し手段）
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｒ１，Ｒ３〜Ｒ５ 搬送領域
Ｒ２ 受渡し領域
Ｕ１〜Ｕ４ 棚ユニット（処理ユニット）
Ｕ５，Ｕ６ 棚ユニット（基板収納部）
１０ａ〜１０ｄ 収納ブロック
１１，１２ 開口部
１３ 載置棚
１４ 冷却プレート（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ６，ＣＰＬ１１〜ＣＰＬ１６）
１４Ａ 冷却プレート（受渡しプレート）（ＣＰＬ７，ＣＰＬ８，ＣＰＬ９，ＣＰＬ１０）
２０ キャリア
３１ 現像ユニット（処理ユニット）
３２ 塗布ユニット（処理ユニット）
３３ 第１の反射防止膜形成ユニット（処理ユニット）
３４ 第２の反射防止膜形成ユニット（処理ユニット）
６０ ベースブロック
６１，６１ａ 供給流路
６２，６２ａ 排出流路
６３ 冷媒流路
６４ 冷却プレート本体
６４ｆ 吸着用孔
６５ 封止プレート
６６ 連結ボルト（連結部材）
６７ 基板吸着プレート
６７ｄ 吸引流路
６７ｅ 流路溝
６７ｆ 拡開段部
６７ｇ 閉塞蓋
６７ｈ 吸引孔
６７ｉ ドーナツ状パッキン
６８ 筒状接続部材
６９ Ｏリング（シール部材）
７１ 供給配管
７２ 排出配管
７３ 吸引配管
７４ａ，７４ｂ 貫通孔
７５ 取付孔
７７ ベースプレート
Ａ シャトルアーム（基板搬送手段）
Ａ１，Ａ３〜Ａ５ メインアーム（基板搬送手段）
Ｂ１，Ｂ２ 第１，第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）
Ｂ３ 第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）
Ｂ４ 第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）
Ｂ５ 第５の単位ブロック（ＴＣＴ層）
Ｃ トランスファーアーム
Ｄ，Ｅ 受渡しアーム（基板受渡し手段）
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｒ１，Ｒ３〜Ｒ５ 搬送領域
Ｒ２ 受渡し領域
Ｕ１〜Ｕ４ 棚ユニット（処理ユニット）
Ｕ５，Ｕ６ 棚ユニット（基板収納部）
１０ａ〜１０ｄ 収納ブロック
１１，１２ 開口部
１３ 載置棚
１４ 冷却プレート（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ６，ＣＰＬ１１〜ＣＰＬ１６）
１４Ａ 冷却プレート（受渡しプレート）（ＣＰＬ７，ＣＰＬ８，ＣＰＬ９，ＣＰＬ１０）
２０ キャリア
３１ 現像ユニット（処理ユニット）
３２ 塗布ユニット（処理ユニット）
３３ 第１の反射防止膜形成ユニット（処理ユニット）
３４ 第２の反射防止膜形成ユニット（処理ユニット）
６０ ベースブロック
６１，６１ａ 供給流路
６２，６２ａ 排出流路
６３ 冷媒流路
６４ 冷却プレート本体
６４ｆ 吸着用孔
６５ 封止プレート
６６ 連結ボルト（連結部材）
６７ 基板吸着プレート
６７ｄ 吸引流路
６７ｅ 流路溝
６７ｆ 拡開段部
６７ｇ 閉塞蓋
６７ｈ 吸引孔
６７ｉ ドーナツ状パッキン
６８ 筒状接続部材
６９ Ｏリング（シール部材）
７１ 供給配管
７２ 排出配管
７３ 吸引配管
７４ａ，７４ｂ 貫通孔
７５ 取付孔
７７ ベースプレート
Claims (12)
- 複数の基板を収容可能なキャリアを配置するキャリアブロックと、
上記キャリアから取り出された基板に加熱処理を含む適宜処理を施す処理ユニットを具備する処理ブロックと、
上記処理ブロック内において上記キャリアブロックから搬送された基板を上記処理ユニットに受け渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、
上記キャリアブロックと処理ブロックの間に配置され、複数の基板を収納可能な基板収納部と、
上記キャリアブロックとの間で基板が受け渡し可能であって、上記基板収納部に基板を受渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板受渡し手段と、を具備し、
上記基板収納部は、上記基板搬送手段又は基板受渡し手段から受け取った基板を載置して冷却する冷却プレートと、基板の受渡しに供される受渡しプレートとを具備し、
上記基板搬送手段及び基板受渡し手段は、２つの湾曲アーム片により略馬蹄形状に形成されると共に、上記湾曲アーム片の先端側下部及び基端側下部に夫々基板を支持する複数の支持爪が設けられ、
上記冷却プレートは、冷媒流体の供給流路及び排出流路を有するベースブロックと、該ベースブロックの上部に積層されると共に供給流路及び排出流路に夫々連通する供給流路と排出流路が設けられた取付基部と、上記供給流路及び排出流路に連通する冷媒流路を有すると共に、上記基板搬送手段及び基板受渡し手段の２つの湾曲アーム片間より小径に形成され、かつ、外周に上記支持爪の昇降移動の干渉を回避するための切欠きが設けられた円板部とを有する１又は複数の冷却プレート本体と、上記ベースブロックの上面に積層される上記取付基部の上面に被着されて上記供給流路及び排出流路を塞ぐと共に、上記冷却プレート本体を上記ベースブロックと協働して挟持する封止プレートと、を具備してなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 複数の基板を収容可能なキャリアを配置するキャリアブロックと、
上記キャリアから取り出された基板に加熱処理を含む適宜処理を施す処理ユニットを具備する処理ブロックと、
基板に適宜処理を施す第２の処理ブロックと、
上記処理ブロック内において上記キャリアブロックから搬送された基板を上記処理ユニットに受け渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、
上記キャリアブロックと処理ブロックの間、及び上記処理ブロックと上記第２の処理ブロックとの間に配置され、複数の基板を収納可能な基板収納部と、
上記キャリアブロックとの間で基板が受け渡し可能であって、上記基板収納部に基板を受渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板受渡し手段と、を具備し、
上記基板収納部は、上記基板搬送手段又は基板受渡し手段から受け取った基板を載置して冷却する冷却プレートと、基板の受渡しに供される受渡しプレートとを具備し、
上記基板搬送手段及び基板受渡し手段は、２つの湾曲アーム片により略馬蹄形状に形成されると共に、上記湾曲アーム片の先端側下部及び基端側下部に夫々基板を支持する複数の支持爪が設けられ、
上記冷却プレートは、冷媒流体の供給流路及び排出流路を有するベースブロックと、該ベースブロックの上部に積層されると共に供給流路及び排出流路に夫々連通する供給流路と排出流路が設けられた取付基部と、上記供給流路及び排出流路に連通する冷媒流路を有すると共に、上記基板搬送手段及び基板受渡し手段の２つの湾曲アーム片間より小径に形成され、かつ、外周に上記支持爪の昇降移動の干渉を回避するための切欠きが設けられた円板部とを有する１又は複数の冷却プレート本体と、上記ベースブロックの上面に積層される上記取付基部の上面に被着されて上記供給流路及び排出流路を塞ぐと共に、上記冷却プレート本体を上記ベースブロックと協働して挟持する封止プレートと、を具備してなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 請求項１又は２記載の基板搬送処理装置において、
上記ベースブロック、冷却プレート本体の取付基部及び封止プレートを連結部材によって着脱可能に連結してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 請求項１ないし３のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記ベースブロックと冷却プレート本体の取付基部間における供給流路部及び排出流路部と、上記冷却プレート本体の取付基部と封止プレート間における供給流路部及び排出流路部に、夫々シール部材を介在してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 請求項１ないし４のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記基板収納部は、上記冷却プレート本体の裏面に着脱可能に装着される基板吸着プレートを更に具備し、
上記基板吸着プレートは、上記ベースブロックに設けられた供給流路及び排出流路と上記冷却プレート本体の冷媒流路とを連通する貫通孔を設けると共に、上記冷却プレート本体に設けられた吸着用孔に連通する吸引流路を設けてなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 請求項５記載の基板搬送処理装置において、
上記基板吸着プレートの貫通孔に貫装される筒状の接続部材と、上記ベースブロック及び冷却プレート本体の取付基部との間に、夫々シール部材を介在して供給流路部及び排出流路部を気水密に形成してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 請求項５記載の基板搬送処理装置において、
上記基板吸着プレートの吸引流路は、基板吸着プレートの上面に設けられた流路溝と、該流路溝の開口端に形成された拡開段部内に敷設される閉塞蓋とで構成され、上記閉塞蓋に設けられた吸引孔にシール部材を介して冷却プレート本体の吸着用孔に連通してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 請求項１ないし７のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記冷却プレートのベースブロックと、該ベースブロックに設けられた供給流路及び排出流路に接続する配管部をベースプレートに固定して一体に形成し、
上記冷却プレートを一体化した上記ベースプレートを、基板収納部を構成する枠体に対して引出可能に装着してなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 請求項１ないし８のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記基板収納部は、複数の基板を収納可能な基板収納棚を更に具備してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 請求項１又は３ないし９のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記処理ブロックは、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成する塗布膜形成用処理ユニット，基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成用処理ユニット及び基板を加熱処理する加熱処理ユニットを具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 請求項２ないし９のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記処理ブロックは、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成する塗布膜形成用処理ユニット，基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成用処理ユニット及び基板を加熱処理する加熱処理ユニットを具備し、
上記第２の処理ブロックは、露光装置を具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 - 請求項１０又は１１記載の基板搬送処理装置において、
上記処理ブロックは、塗布膜形成用処理ユニットと加熱処理ユニットとを基板搬送手段の水平移動領域によって区画される塗布膜形成用単位ブロックと、塗布膜の下側に反射防止膜を形成する第１の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第１の反射防止膜形成用単位ブロック、及び塗布膜の上側に反射防止膜を形成する第２の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第２の反射防止膜形成用単位ブロックを積層し、
上記基板収納部は、上記塗布膜形成用単位ブロック，第１の反射防止膜形成用単位ブロック及び第２の反射防止膜形成用単位ブロックに対応すべく複数に区画された収納ブロックを具備すると共に、各収納ブロックに複数の載置棚、及び冷却プレートを具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2008289826A JP4785905B2 (ja) | 2008-11-12 | 2008-11-12 | 基板搬送処理装置 |
| KR1020090108610A KR101449769B1 (ko) | 2008-11-12 | 2009-11-11 | 기판 반송 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2008289826A JP4785905B2 (ja) | 2008-11-12 | 2008-11-12 | 基板搬送処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010118446A JP2010118446A (ja) | 2010-05-27 |
| JP4785905B2 true JP4785905B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=42278570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008289826A Active JP4785905B2 (ja) | 2008-11-12 | 2008-11-12 | 基板搬送処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4785905B2 (ja) |
| KR (1) | KR101449769B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5338777B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2013-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
| JP5223897B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
| KR102000021B1 (ko) | 2016-11-30 | 2019-07-17 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102289939B1 (ko) * | 2019-08-07 | 2021-08-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3734295B2 (ja) * | 1995-09-04 | 2006-01-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板搬送装置 |
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| JP5023679B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 |
| JP5064069B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2012-10-31 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板搬送装置および熱処理装置 |
-
2008
- 2008-11-12 JP JP2008289826A patent/JP4785905B2/ja active Active
-
2009
- 2009-11-11 KR KR1020090108610A patent/KR101449769B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100053469A (ko) | 2010-05-20 |
| JP2010118446A (ja) | 2010-05-27 |
| KR101449769B1 (ko) | 2014-10-13 |
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