JP4636802B2 - 光電変換素子 - Google Patents
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Description
本発明の光電変換素子は、光透過性導電性基材上に少なくともポリフッ化ビニリデン系樹脂よりなる溶媒可溶型樹脂が溶解した溶液中に光半導体粒子が分散した塗料を塗布することによって形成された高分子材料および光半導体粒子よりなる光半導体層を設けた光電変換電極と、該光電変換電極に対向する対向電極と、光電変換電極および対向電極の間に介在する電解質とを有する光電変換素子であって、該光電変換電極の光半導体層と該対向電極の間に、フッ化ビニリデン共重合体樹脂を含む多孔質膜よりなるセパレータを設けたことを特徴とする。
染料としてAcid Red87(東京化成社製)0.7g、エタノール200g、トリメチルアミン(試薬)0.1gをビーカーにて混合し、染料が完全に溶けたことを確認した後に、酸化亜鉛粒子(堺化学社製、Finex50)40gを投入し、超音波分散機にて、酸化亜鉛の二次粒子の解離を行いつつ20分間染色を行った。染色した酸化亜鉛粒子をブフナー漏斗にて分離した。エタノールの脱離が終わった後で、再度エタノールで洗浄した後に、酸化亜鉛粒子を回収し、次に真空乾燥機で100℃に加熱して乾燥し、光半導体粒子を調製した。
2)高分子材料の溶液の調製
N−メチル−2−ピロリドン(NMP)溶液85gに対してポリフッ化ビニリデン樹脂(アトフィナ社製、カイナー301F)15gを投入し、常温にて攪拌しながら徐々に溶解し高分子材料の溶液を得た。
3)光半導体層形成用塗料の調製
上記1)で得られた光半導体粒子と2)で得られた高分子材料の溶液とを、重量比において、光半導体粒子:高分子材料=100:5となるように配合した後に、超音波分散機で30分間分散して、光半導体層形成用塗料を得た。
ITOガラス基板(10×15×0.7tmm、10Ω/□)の導電面全面に、上記3)で得られた光半導体層形成用塗料をアプリケータを用いて塗工した。その後、5mm×5mmの面積を残して該ITOガラス基板の周囲4辺に残る塗料を拭き取った。次いで80℃にて60分間乾燥して光電変換電極を得た。
5)光電変換素子の作製
上記4)で得られた光電変換電極面に、下記に述べるポリフッ化ビニリデン樹脂の多孔質膜からなるセパレータを配し、ついでそのセパレータの上に白金板を配して重ね、ついで、両電極間の間隙に電解液(ヨウ化テトラプロピルアンモニウム0.5mol/dm3とヨウ素0.05mol/dm3のアセトニトリル溶液からなる)を両電極間の間隙を満たす量だけ注入し、光電変換素子を作製した。この光電変換素子の変換効率ηを測定したところ、η=1.63%であった。
1)ポリフッ化ビニリデン樹脂(PVdF)(カイナー301F、アトフィナ社製)100gをNMP900g中に投入し、常温にて攪拌して上記樹脂の溶液を得た。
2)アプリケータを用いて上記溶液をポリプロピレンシートに塗工した。塗工直後に水に5分間浸漬し、NMPと水を溶媒置換することによってポリフッ化ビニリデン樹脂を多孔質化した。
3)得られたシートを80℃に設定した乾燥機中に静置し、十分に水を乾燥した後に、ポリプロピレンシートを剥離、除去してポリフッ化ビニリデンからなるセパレータを得た。セパレータの厚さをマイクロメーターで測定したところ32μmであった。電子顕微鏡でこのセパレータの断面を観察し、厚さを測定したところ、やはり32μmであった。また、膜重量及び膜厚からセパレータの空隙率を計算したところ、63%であった。
Claims (6)
- 光透過性導電性基材上に少なくともポリフッ化ビニリデン系樹脂よりなる溶媒可溶型樹脂が溶解した溶液中に光半導体粒子が分散した塗料を塗布することによって形成された高分子材料および光半導体粒子よりなる光半導体層を設けた光電変換電極と、該光電変換電極に対向する対向電極と、光電変換電極および対向電極の間に介在する電解質とを有する光電変換素子であって、該光電変換電極の光半導体層と該対向電極の間に、フッ化ビニリデン共重合体樹脂を含む多孔質膜よりなるセパレータを設けたことを特徴とする光電変換素子。
- 前記光半導体粒子が、少なくとも金属化合物粒子と染料とよりなることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 前記金属化合物粒子が、酸化亜鉛および酸化チタンから選択された少なくとも1種類の金属酸化物よりなることを特徴とする請求項2記載の光電変換素子。
- 前記染料が、分子構造中にカルボキシル基、スルホン基、水酸基およびニトロ基から選択された少なくとも1種類の極性基を有することを特徴とする請求項2の記載の光電変換素子。
- 前記光透過性導電性基材が、高分子基材よりなるか、または高分子基材の積層体からなることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 前記光透過性導電性基材が可とう性を有することを特徴とする請求項1または5記載の光電変換素子。
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