JP4174391B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents
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Description
該感光層に含有される電荷輸送物質のうち、下記式(1)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して90質量%〜100質量%である
ことを特徴とする電子写真感光体である。
該感光層に含有される電荷輸送物質のうち、下記式(2)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して90質量%〜100質量%である
ことを特徴とする電子写真感光体である。
該感光層に含有される電荷輸送物質のうち、下記式(3)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して90質量%〜100質量%である
ことを特徴とする電子写真感光体である。
該感光層に含有される電荷輸送物質のうち、下記式(4)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して90質量%〜100質量%である
ことを特徴とする電子写真感光体である。
該感光層に含有される電荷輸送物質のうち、下記式(5)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して90質量%〜100質量%である
ことを特徴とする電子写真感光体である。
<ビス(2,4−ジメチルフェニル)アミンの製造>
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した1Lの3口反応容器に、2,4−ジメチルフェニルアミン133g(1.1mol)、1−ブロモ−2,4−ジメチルベンゼン185g(1.0mol)、酢酸パラジウム11.2g(0.05mol)、2−tert−ブチルフォスフィノイル−2−メチルプロパン32.4g(0.2mol)、リン酸三カリウム212g(1.0mol)、ジメチルホルムアミド500mLを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、12時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン/水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、目的のビス(2,4−ジメチルフェニル)アミンを得た。得られた化合物の収量は189g、収率は84%であった。得られた化合物を元素分析器(CHNコーダー MT−5、YANACO(株)製)を用いて測定した。なお、以下の元素分析による実測値及び計算値の単位は質量%である。実測値:C,85.24、H,8.53、N,6.63(計算値:C,85.28、H,8.50、N,6.22)。
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した2Lの3口反応容器に、(2,4−ジメチルフェニル)アミン112.5g(0.5mol)、4,4’−ジブロモビフェニル156g(0.5mol)、酢酸パラジウム5.6g(0.025mol)、ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン27.7g(0.05mol)、tert−ブトキシナトリウム63.7g(0.7mol)、キシレン800mLを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、5時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン/水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム(展開溶媒ヘキサン/トルエン=2:1)にて精製を行い、目的の(ビス(2,4−ジメチルフェニル)[4−(ブロモフェニル)フェニル]アミンを得た。得られた化合物の収量は155.2g、収率は68質量%であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値:C,73.44、H,5.62、N,2.98(計算値:C,73.68、H,5.74、N,3.07)。
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した1Lの3口反応容器に、(ビス(2,4−ジメチルフェニル)[4−(ブロモフェニル)フェニル]アミン91.3g(0.2mol)、2,4−ジメチルフェニルアミン36.3g(0.3mol)、酢酸パラジウム2.24g(0.01mol)、ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン11.1g(0.02mol)、tert−ブトキシナトリウム26.9g(0.28mol)、キシレン500mLを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、3時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン/水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム(展開溶媒ヘキサン/トルエン=1:1)にて精製を行い、目的のビス(2,4−ジメチルフェニル)(4−{4−[(2、4−ジメチルフェニル)アミノ]フェニル}フェニル)アミンを得た。得られた化合物の収量は83.4g、収率は84質量%であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値:C,87.03、H,7.26、N,5.71(計算値:C,87.05、H,7.31、N,5.64)。
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した1Lの3口反応容器に、ビス(2,4−ジメチルフェニル)(4−{4−[(2、4−ジメチルフェニル)アミノ]フェニル}フェニル)アミン49.7g(0.1mol)、4,4’−ジブロモビフェニル31.2g(0.1mol)、酢酸パラジウム1.13g(0.005mol)、ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン5.54g(0.01mol)、tert−ブトキシナトリウム13.4g(0.14mol)、キシレン300mLを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、5時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン/水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム(展開溶媒ヘキサン/トルエン=2:1)にて精製を行い、目的のビス(2,4−ジメチルフェニル)[4−(4−{(2、4−ジメチルフェニル)[4−(4−ブロモフェニル)フェニル]アミノ}フェニル)フェニル]アミンを得た。得られた化合物の収量は50.9g、収率は70質量%であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて実測値を測定した。実測値:C,79.26、H,5.98、N,3.83(計算値:C,79.22、H,5.96、N,3.85)。
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した500mLの3口反応容器に、2,8−ジブロモジベンゾフラン65.2g(0.2mol)、2,4−ジメチルフェニルアミン72.6g(0.6mol)、酢酸パラジウム2.24g(0.01mol)、トリ(o−トリル)ホスフィン12.2g(0.04mol)、tert−ブトキシナトリウム51.8g(0.54mol)、キシレン300mLを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、5時間還流させた。反応終了後、減圧蒸留により過剰量の2,4−ジメチルフェニルアミン、および溶媒を留去、室温まで放冷し、トルエン/水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去、再結晶により目的の(2,4−ジメチルフェニル){8−[(2,4ジメチルフェニル)アミノ]ジベンゾ[b、d]フラン−2−イル}アミンを得た。得られた化合物の収量は71.5g、収率は88質量%であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値:C,82.68、H,6.44、N,6.92(計算値:C,82.73、H,6.45、N,6.89)。
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した500mLの3口反応容器に、ビス(2,4−ジメチルフェニル)[4−(4−{(2、4−ジメチルフェニル)[4−(4−ブロモフェニル)フェニル]アミノ}フェニル)フェニル]アミン36.4g(0.05mol)、(2,4−ジメチルフェニル){8−[(2,4ジメチルフェニル)アミノ]ジベンゾ[b、d]フラン−2−イル}アミン10.2g(0.025mol)、酢酸パラジウム0.57g(0.0025mol)、ビフェニル−2−イル−ジ−tert−ブチルフォスフィン3.0g(0.01mol)、tert−ブトキシナトリウム6.7g(0.07mol)、キシレン200mLを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、4時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン/水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去し、シリカゲルカラム(展開溶媒ヘキサン/トルエン=1:1)にて精製を行い、例示化合物(CT−10)で示された目的の電荷輸送物質を得た。得られた化合物の収量は39.1g、収率は89質量%であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値:C,84.80、H,5.81、N,4.83(計算値:C,84.85、H,5.85、N,4.79)。また、得られた化合物の質量分析をレーザー脱離イオン化飛行時間型質量分析(MALDI−TOF−MASS)装置(REFLEXIII、BRUKER社製、マトリックス;9−ニトロアントラセン)を用いて行った。このとき得られた質量スペクトルの測定結果を図1に示す。なお、この質量スペクトルの横軸は質量電荷比(生成イオンの質量(m)/生成イオンの電荷の価数(z))、縦軸は検出した生成イオンの強度を示す。
<(2,4−ジメチルフェニル){8−[(2,4ジメチルフェニル)アミノ]ジベンゾ[b]ベンゾ[b]チオフェン−2−イル}アミンの製造>
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した500mLの3口反応容器に、2,8−ジブロモジベンゾチオフェン68.4g(0.2mol)、2,4−ジメチルフェニルアミン72.6g(0.6mol)、酢酸パラジウム2.24g(0.01mol)、トリ(o−トリル)ホスフィン12.2g(0.04mol)、tert−ブトキシナトリウム51.8g(0.54mol)、キシレン300mLを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、5時間還流させた。反応終了後、減圧蒸留により過剰量の2,4−ジメチルフェニルアミン、および溶媒を留去、室温まで放冷し、トルエン/水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去、再結晶により目的の(2,4−ジメチルフェニル){8−[(2,4ジメチルフェニル)アミノ]ジベンゾ[b]ベンゾ[b]チオフェン−2−イル}アミンの製造を得た。得られた化合物の収量は71.0g、収率は84質量%であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値:C,79.60、H,6.24、N,6.52(計算値:C,79.58、H,6.20、N,6.63)。
冷却管、およびメカニカルスターラーを付した500mLの3口反応容器に、ビス(2,4−ジメチルフェニル)[4−(4−{(2、4−ジメチルフェニル)[4−(4−ブロモフェニル)フェニル]アミノ}フェニル)フェニル]アミン36.4g(0.05mol)、(2,4−ジメチルフェニル){8−[(2,4ジメチルフェニル)アミノ]ジベンゾ[b]ベンゾ[b]チオフェン−2−イル}アミン10.6g(0.025mol)、酢酸パラジウム0.57g(0.0025mol)、ビフェニル−2−イル−ジ−tert−ブチルフォスフィン3.0g(0.01mol)、tert−ブトキシナトリウム6.7g(0.07mol)、キシレン200mLを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、4時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン/水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去し、シリカゲルカラム(展開溶媒ヘキサン/トルエン=1:1)にて精製を行い、例示化合物(CT−17)で示された目的の電荷輸送物質を得た。得られた化合物の収量は37.3g、収率は87質量%であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値:C,86.80、H,6.40、N,4.86(計算値:C,86.78、H,6.46、N,4.90)。また、得られた化合物の質量分析を上述と同様の装置を用いて行った。このとき得られた質量スペクトルの測定結果を図2に示す。
直径30mm、長さ357mmのアルミニウムシリンダー上に、以下の材料より構成される塗料を浸漬塗布法にて塗布し、140℃で30分熱硬化することにより、膜厚が15μmの導電層を形成した。
導電性顔料:SnO2コート処理硫酸バリウム 10部
抵抗調整用顔料:酸化チタン 2部
結着樹脂:フェノール樹脂 6部
レベリング材:シリコーンオイル 0.001部
溶剤:メタノール/メトキシプロパノール=2/8 20部
電荷輸送物質に表1で示した電荷輸送物質を使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質に表1で示した電荷輸送物質を使用し、結着樹脂として繰り返し単位構造の例(PA−2)で示される樹脂(重量平均分子量(Mw)=120000、樹脂中におけるテレフタル酸とイソフタル酸の質量比:テレフタル酸/イソフタル酸=50/50)を使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質に表1で示した電荷輸送物質を使用し、結着樹脂として繰り返し単位構造の例(PA−10)で示される樹脂(重量平均分子量(Mw)=130000、樹脂中におけるテレフタル酸とイソフタル酸の質量比:テレフタル酸/イソフタル酸=70/30)を使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質に表1で示した電荷輸送物質を使用し、結着樹脂として繰り返し単位構造の例(PA−2)および(PA−9)で示される構造の共重合樹脂(重量平均分子量(Mw)=125000、樹脂中におけるテレフタル酸とイソフタル酸の質量比:テレフタル酸/イソフタル酸=50/50)を使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質に上記式(CT−10)で示される化合物を3.6部と、下記式(CT−10A)で示される化合物を0.2部と、下記式(CT−10B)で示される化合物を0.2部とを使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質に上記式(CT−10)で示される化合物を3.8部と、上記式(CT−10A)で示される化合物を0.1部と、上記式(CT−10B)で示される化合物を0.1部とを使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質に上記式(CT−10)で示される化合物を3.9部と、上記式(CT−10A)で示される化合物を0.05部と、上記式(CT−10B)で示される化合物を0.05部とを使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質に上記式(CT−17)で示される化合物を3.6部と、下記式(CT−17A)で示される化合物を0.2部と、下記式(CT−17B)で示される化合物を0.2部とを使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質に上記式(CT−17)で示される化合物を3.8部と、上記式(CT−17A)で示される化合物を0.1部と、上記式(CT−17B)で示される化合物を0.1部とを使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質に上記式(CT−17)で示される化合物を3.9部と、上記式(CT−17A)で示される化合物を0.05部と、上記式(CT−17B)で示される化合物を0.05部とを使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質として下記式(6)で示される化合物を使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質として下記式(7)で示される化合物を使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質として、特許文献6に記載されている重合反応によって下記式(8A)で示される化合物を作製した。下記式(8A)で示される化合物は通常のGPCによる測定(使用カラム:昭和電工(株)製KF−802、展開溶媒:メタノール/テトラヒドロフラン=7/3、検出器:RI検出器、サンプルの分子量はポリスチレン換算法により決定)のピーク面積比により、繰り返し回数n=4:n=5:n=6:n=7:n=8が7:23:50:17:3の比率で混合されている電荷輸送物質であった。この下記式(8A)で示される化合物を使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
上記比較例3で使用した上記式(8A)で示される化合物を分取用ゲルパーミッションクロマトグラフィーにより繰り返し回数nが6である化合物を中心に精製し、前記GPCによる測定のピーク面積比により、繰り返し回数n=5:n=6:n=7が16:74:10の比率で混合されている化合物(8B)を得た。この化合物(8B)を使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
電荷輸送物質として、特許文献4に記載されている方法により下記式(9)で示される化合物を作製した。下記式(9)で示される化合物は、前記GPCによる測定におけるピーク面積比により、繰り返し回数n=5:n=6:n=7が13:68:19の比率で混合されている電荷輸送物質であった。この下記式(9)で示される化合物を使用した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
比較例1〜5で使用した電荷輸送物質を使用し、結着樹脂として実施例10で使用した樹脂を使用した以外は、実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表1に示す。
2 軸
3 一次帯電手段
4 露光光
5 現像手段
6 転写手段
7 転写材
8 像定着手段
9 クリーニング手段
10 前露光光
11 プロセスカートリッジ
12 レール
Claims (13)
- 支持体ならびに該支持体上に形成された電荷発生物質および電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体において、
該感光層に含有される電荷輸送物質のうち、下記式(1)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して90質量%〜100質量%である
ことを特徴とする電子写真感光体。
- 支持体ならびに該支持体上に形成された電荷発生物質および電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体において、
該感光層に含有される電荷輸送物質のうち、下記式(2)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して90質量%〜100質量%である
ことを特徴とする電子写真感光体。
- 支持体ならびに該支持体上に形成された電荷発生物質および電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体において、
該感光層に含有される電荷輸送物質のうち、下記式(3)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して90質量%〜100質量%である
ことを特徴とする電子写真感光体。
- 支持体ならびに該支持体上に形成された電荷発生物質および電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体において、
該感光層に含有される電荷輸送物質のうち、下記式(4)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して90質量%〜100質量%である
ことを特徴とする電子写真感光体。
- 支持体ならびに該支持体上に形成された電荷発生物質および電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体において、
該感光層に含有される電荷輸送物質のうち、下記式(5)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して90質量%〜100質量%である
ことを特徴とする電子写真感光体。
- 前記感光層に含有される電荷輸送物質のうち、前記式(1)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、前記感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して100質量%である請求項1に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層に含有される電荷輸送物質のうち、前記式(2)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、前記感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して100質量%である請求項2に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層に含有される電荷輸送物質のうち、前記式(3)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、前記感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して100質量%である請求項3に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層に含有される電荷輸送物質のうち、前記式(4)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、前記感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して100質量%である請求項4に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層に含有される電荷輸送物質のうち、上記式(5)で示される構造を有しかつ分子量が1500〜4000である電荷輸送物質が占める割合が、前記感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して100質量%である請求項5に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層が前記支持体側から前記電荷発生物質を含有する電荷発生層および前記電荷輸送物質を含有する電荷輸送層の順に積層してなる積層型の感光層であり、該電荷輸送層が前記電子写真感光体の表面層である請求項1〜10のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
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