JP4082418B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、負の誘電率異方性を備えた液晶を用いた液晶装置およびこの液晶装置を備えた電子機器に関するものである。

一般に、液晶装置は、観察面側に位置する第１の基板と観察面側とは反対側に位置する第２の基板との間に液晶層を備えるとともに、基板の面内において互いに交差する方向に延びた複数の第１の信号線および複数の第２の信号線の各交差点に対応する位置に複数の画素を備えている。また、液晶装置のうち、半透過反射型の液晶装置では、複数の画素の各々に、観察面とは反対側から入射した光を観察面側に出射する透過表示領域および観察面側から入射した光を観察面側に反射する反射表示領域が形成されている。

このような半透過反射型の液晶装置において、第２の基板の内面に反射層を形成して反射表示領域を構成すると、観察面側に配置した１枚の偏光板のみで反射表示を行わなければならない。このため、光学設計の自由度が低いので、透過表示の際の視角が狭くなってしまうなどの問題点がある。

このような問題点を解消するための技術として、誘電率異方性が負の液晶を基板に対して垂直に配向させ、電圧印加により液晶分子を倒すＶＡ（Ｖｅｒｔｉａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードを採用すること、反射表示領域の液晶層の厚さを透過表示領域よりも薄くして透過表示光と反射表示光との間におけるリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消したマルチギャップ構造を採用すること、透過表示領域を正八角形とし、この領域内で液晶分子が３６０°全方向に倒れるよう、配向制御手段として対向基板の中央に突起を設けて配向分割を行うことが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
Makoto Jisaki and Hidemasa Yamaguchi、Asia Display/IDW' 01、p133(2001)

ＶＡモードを用いた液晶装置では、画像表示領域内に上記配向制御手段を設けたとしても、画素の周縁部でディスクリネーションと称せられる不連続線が生じて開口率やコントラストを低下させる場合がある。液晶分子の倒れる方向が制御されず、無秩序な方向に倒れると、異なる液晶配向領域間の境界にディスクリネーションと呼ばれる不連続線が現れ、残像等の原因となり得る。また、液晶の各々の配向領域は異なる視角特性を有するため、斜め方向から液晶装置を見たときに、ざらざらとしたしみ状のむらとして見えるという問題も生じる。上記非特許文献１に開示の構成では、反射表示領域での液晶が倒れる方向に関しての制御が考慮されていない。このため、反射表示領域での液晶の配向異常だけではなく、その配向異常がさらに周囲にも配向異常を引き起こすことに起因して透過表示品位の低下も問題となる。

また、ＶＡモードを用いた半透過反射型の液晶装置において上記のマルチギャップ構造を採用すると、段差部で配向の乱れが発生しやすく、その結果、オフ時の光漏れに起因するコントラストの低下が発生しやすいという問題点がある。さらに、画素間での横電界の影響によっても配向が乱れやすいため、画素間の距離を十分に確保することが必要であるが、このような構造を採用すると、画素開口率（画素全体に対して表示に直接寄与する部分の比率）が低下し、十分な表示光量を確保できないという問題点がある。しかも、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）素子（二端子型に非線形素子）を用いた液晶装置の場合、対向電極が走査電極（走査線）としてストライプ状に形成されるため、隣接する走査電極間に発生する電界が液晶分子の配向を乱すという問題点もあり、それ故、上記のマルチギャップ構造を採用した場合、走査電極同士の隙間と層厚調整層に起因する段差部が近接していると、配向の乱れが発生しやすく、オフ時の光漏れに起因するコントラスト低下が特に顕著である。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、負の誘電率異方性を備えた液晶を用い、かつ、層厚調整層によって透過表示領域および反射表示領域のリタデーションの差を解消した場合でも、良好なコントラスト特性を得ることのできる液晶装置および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明では、第１の基板と、該第１の基板と対向配置された第２の基板との間に液晶層を備えるとともに、前記第２の基板の面内において互いに交差する方向に延びた複数の第１の信号線および複数の第２の信号線の各交差点に対応する位置に薄膜トランジスタからなる画素スイッチング素子を介して電気的に接続する画素電極が形成された画素を複数備え、前記第１の基板の面内において共通電極が形成され、前記複数の画素の各々は、前記第２の基板側から入射した光を前記第１の基板側に出射する透過表示領域および前記第１の基板側から入射した光を反射する反射表示領域を備えた液晶装置において、前記液晶層は、負の誘電率異方性を備えた液晶によって構成され、前記複数の画素の各々は、前記液晶層における液晶分子の配向方向を制御する配向制御部を備えるとともに、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも薄くする層厚調整層を前記第１の基板側に備え、前記複数の画素の各々では、少なくとも前記第１の信号線の延設方向の両端側に前記反射表示領域が配置されているとともに、前記第１の基板側の層厚調整層が、前記第１の信号線に沿って隣接する画素間に連続して形成されていることを特徴とする。

本発明では、負の誘電率異方性を備えた液晶を基板面に対して垂直配向させているので、透過表示の際の視角が広い。また、反射表示領域の液晶層の厚さを透過表示領域よりも薄くして透過表示光と反射表示光との間におけるリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消しているので、透過表示光および反射表示光の双方を好適に光変調することができる。さらに、透過表示領域および反射表示領域の双方に液晶分子の配向方向を制御する配向制御部が形成されているので、透過表示領域および反射表示領域の双方において、液晶分子が３６０°全方向に倒れる。このため、透過表示領域および反射表示領域のいずれの領域においても配向の乱れが発生しないので、ディスクリネーションが発生しない。また、第１の信号線の延設方向の両端側に反射表示領域が配置されているため、層厚調整層は、第１の信号線の延設方向で隣接する画素間に連続して形成されている。従って、第１の信号線の延設方向で隣接する画素の境界領域には層厚調整層の段差部が位置しないので、オフ電圧の印加時に第１の信号線の延設方向で隣接する画素間に横電界が発生しても、横電界が発生する箇所と段差部が形成されている箇所とが離れている。しかも、反射表示領域では、透過表示領域と比較して液晶層が薄いため、横電界の影響を受け難く、かつ、反射領域では、入射光および反射光の双方が、配向の乱れた箇所を通る確率が低いので、反射表示光は液晶層によって確実に光変調された後、出射されることになる。従って、第１の信号線の延設方向で隣接する画素間の境界領域付近での配向の乱れに起因するオフ時の光漏れを防止できるので、コントラストを向上することができる。

本発明において、前記複数の画素は、前記第１の信号線の延設方向で隣接する画素間で前記液晶層に印加される信号が逆極性の反転駆動方式で駆動される構成を採用することができる。ライン反転駆動方式は、フリッカーやクロストークの低減等のために使用される駆動方式として知られている。ライン反転駆動方式を採用した場合、第１の信号線の延設方向で隣接する画素間に横電界が発生するが、本発明では、かかる横電界が発生しても、横電界が発生する箇所と、層厚調整層に起因する段差部とが離れており、かつ、横電界が発生する箇所は、反射表示領域であるため、ライン反転駆動を採用した場合でも、横電界に起因する配向の乱れを防止できるので、オフ時の光漏れを防止でき、コントラストを向上することができる。

また、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域に沿って、前記層厚調整層のテーパ状の段差部が延びている場合に、配向の乱れが発生しやすいが、本発明では、テーパ状の段差部が形成されている箇所は、横電界が発生する箇所から離れているので、横電界に起因する配向の乱れを防止でき、オフ時の光漏れに起因するコントラスト低下を防止することができる。

本発明において、前記テーパ状の段差部は、前記反射表示領域内に位置していることが好ましい。透過表示領域と比較して液晶層が薄い反射領域にテーパ状の段差部が形成されているのであれば、配向の乱れが発生しにくく、かつ、反射領域では、入射光および反射光の双方が、配向の乱された箇所を通る確率が低いので、配向の乱れに起因するオフ時の光漏れを防止でき、コントラストを向上することができる。

本発明において、前記配向制御部は、例えば、前記第１の基板の内面、および前記第２の基板の内面の少なくとも一方に形成された突起により構成されている。また、前記配向制御部は、前記第１の基板の内面に形成された液晶駆動用電極、および前記第２の基板の内面に形成された液晶駆動用電極のうちの少なくとも一方に形成された開口により構成されている構成を採用してもよい。

本発明において、前記反射表示領域は、例えば、前記第２の基板の内面に形成された反射層によって構成され、前記透過表示領域は、前記反射層の非形成領域によって構成されている。

本発明において、前記複数の画素は各々、前記反射表示領域および前記透過表示領域に各々対応する、互いに細幅の連結部を介して繋がった島状の複数のサブ画素に分割され、前記複数の画素の各々では、少なくとも前記第１の信号線も延設方向の両端側に、前記反射表示領域に対応するサブ画素が配置されていることが好ましい。このような配向分割を行えば、液晶分子が倒れる方向を制御できるので、オフ時の光漏れに起因するコントラスト低下を防止することができる。

本発明は、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの一方の基板に対して、前記第１の信号線と前記第２の信号線の交差する位置に形成された薄膜トランジスタからなる前記画素スイッチング素子を介して電気的に接続する画素電極が複数、形成され、他方の基板には、共通電極が形成され、前記共通電極と前記画素電極との対向部分によって前記画素が構成され、前記共通電極および前記画素電極のうちの少なくとも一方が、前記画素に相当する部分で、前記複数のサブ画素領域を構成する複数の電極に分割されている液晶装置に適用することもできる。

本発明において、前記一方の基板では、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との層間に層間絶縁膜が形成されているとともに、前記画素電極と前記画素スイッチング素子とは、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続している場合があり、このような場合、前記コンタクトホールは、前記反射表示領域に形成されていることが好ましい。コンタクトホールに起因して凹凸が発生している場合でも、かかる凹凸が反射領域内にあれば、液晶層が薄いので配向の乱れが発生しにくく、かつ、入射光および反射光の双方が、配向の乱れた箇所を通過する確率が低いので、コンタクトホールを透過表示領域に形成した場合と比較して、凹凸に起因するオフ時の光漏れが発生せず、高いコントラストを得ることができる。

本発明に係る液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いることができる。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、観察面側に位置する側を第１の基板と、観察面とは反対側に位置する基板を第２の基板と定義する。また、以下の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を相違させてある。

［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置を斜め下方（対向基板）の側からみた概略斜視図、および液晶装置をＹ方向に切断したときの断面を模式的に示す説明図である。図３は、水平ライン反転駆動を行ったときのコモン信号の波形図の一例である。なお、以下の説明においては、便宜上、面内方向で互いに交差する方向をＸ方向およびＹ方向とし、液晶層に対して素子基板側を表示画像を視認する観察者が位置する側という意味で「観察面側」と表記する。また、本形態では、素子基板が観察面側に位置する第１の基板に相当し、対向基板が観察面とは反対側に位置する第２の基板に相当する。さらに、本形態では、水平ライン反転駆動を行っているので、データ線の延設方向（Ｙ方向）において隣接する画素間で駆動電圧の極性が逆であることから、データ線を第１の信号線とし、走査線を第２の信号線としてある。さらにまた、本形態の液晶装置は、カラー表示用であるため、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応する画素が形成されているので、対応する色については、各符号の後ろに（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を付して表すこととする。

図１に示す液晶装置１ａは、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）を用いた半透過反射型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、複数のデータ線６（第１の信号線）がＹ方向（列方向）に延びており、複数の走査線３（第２の信号線）がＸ方向（行方向）に延びている。走査線３とデータ線６との各交差点に対応する位置には画素５０（５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ））が各々形成され、これらの画素５０のいずれにおいても、液晶層８と、画素スイッチング用のＴＦＤ７とが直列に接続されている。各走査線３は走査線駆動回路３ａによって駆動され、各データ線６はデータ線駆動回路６ａによって駆動される。

複数の画素５０は、後述するカラーフィルタの色によって、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に各々対応しており、これら３色に対応する画素５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）は各々がサブドットとして機能し、かつ、３つの画素５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）によって１つのドット５が構成されている。従って、本形態では、これら３つの画素５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）を備えたドット５が多数、マトリクス状に配置されている。

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１ａを構成するにあたって、本形態では、観察面側に位置する第１の基板としての素子基板１０と、観察面側とは反対側に位置する第２の基板としての対向基板２０とをシール材３０によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶を封入し、液晶層８を構成してある。素子基板１０および対向基板２０は、ガラスや石英などの光透過性を有する板状部材である。シール材３０は、対向基板２０の縁辺に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶を封入するために一部が開口している。このため、液晶の封入後にその開口部分が封止材３１によって封止される。

素子基板１０は、対向基板２０とシール材３０によって貼り合わされた状態で対向基板２０の端縁から一方の側に張り出した張り出し領域１０ａを有しており、この張り出し領域１０ａに向けて、走査線３およびデータ線６に接続する配線パターンが延びている。シール材３０には導電性を有する多数の導通粒子が分散されている。この導通粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０および対向基板２０の各々に形成された所定の配線パターン同士を基板間導通させる機能を備えている。このため、本形態では、走査線３およびデータ線６に信号を出力するＩＣ４１が素子基板１０の張り出し領域１０ａにＣＯＧ実装され、かつ、この素子基板１０の張り出し領域１０ａの端縁に対して可撓性基板４２が接続されている。

図２（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１ａでは、対向基板２０の側（背面側）にバックライト装置９が配置され、このバックライト装置９は、複数のＬＥＤ（発光素子）などからなる光源９１と、光源９１から出射された光が側端面から入射して出射面から対向基板２０に向けて出射される透明樹脂製の導光板９２とを備えている。導光板９２と対向基板２０との間には、１／４波長板９６や偏光板９７が配置され、素子基板１０の側にも、１／４波長板９８や偏光板９９が対向配置されている。

このように構成した液晶装置１ａにおいて、本形態では水平ライン反転駆動方式が採用されており、図３に示すように、走査線３に印加されるコモン信号（ｃｏｍ）は、１フレーム毎に極性が反転し、かつ、データ線６の延設方向（Ｙ方向）で隣接する走査線３の間で逆極性である。すなわち、第ｎ番目に印加されるコモン信号（ｃｏｍ（ｎ））と、第（ｎ＋１）番目に印加されるコモン信号（ｃｏｍ（ｎ＋１）とは常に逆極性であり、複数の画素５０（５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ））は、データ線６の延設方向で隣接する画素間で液晶層８に印加される信号は、常に逆極性である。

（画素の基本構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つ（赤色（Ｒ）に対応する画素５０（Ｒ））を拡大して示す断面図、およびＴＦＤの断面図である。なお、図４には、素子基板１０に形成されている要素、および対向基板２０に形成されている要素を区別せずに重ねて表してあり、かつ、カラーフィルタの種類に対応する形態の斜線を付してある。また、各色の画素５０（５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ））は、基本的な構造が共通しているので、以下、赤色（Ｒ）に対応する画素５０（Ｒ）を中心に説明し、その他の色に対応する画素５０（Ｇ）、５０（Ｂ）の説明を省略する。

図４および図５（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０の内面側（液晶層８の側）には、透明な下地膜（図示せず）、上述した複数のデータ線６、このデータ線６に電気的に接続するＴＦＤ７、このＴＦＤ７、アクリル樹脂などからなる透明な層間絶縁膜１５、この層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホール１５１を介してＴＦＤ７に電気的に接続するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などからなる透明な画素電極１２、および透明な配向膜１３が形成されており、画素電極１２は、ＴＦＤ７を介してデータ線６に電気的に接続されている。ＴＦＤ７は、２つのＴＦＤからなり、データ線６の側からみても、あるいはその反対側からみても順番に、第１金属膜／酸化膜／第２金属膜となっている。このため、１つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。

一方、対向基板２０の内面側（液晶層８の側）には、透明な感光性樹脂からなる凹凸形成層２１、アルミニウム合金や銀合金などからなる反射層２２、カラーフィルタ２３、透明な感光性樹脂からなる層厚調整層２５、走査線３としてのストライプ状の対向電極（走査電極）、および配向膜２６が形成されており、走査線３は、ＩＴＯなどから構成されている。ここで、凹凸形成層２１は、表面に凹凸が形成されており、このような凹凸は、反射層２２の表面に散乱用の凹凸として反映されている。

また、いずれの画素５０（Ｒ）においても、凹凸形成層２１および反射層２２は、部分的に除去されており、反射層２２には光透過部２２１が形成されている。従って、本形態の液晶装置１ａでは、いずれの画素５０Ｒにも、反射層２２が形成されている領域によって反射表示領域５２（Ｒ）が構成され、反射層２２の除去領域（光透過部２２１）によって透過表示領域５１（Ｒ）が構成されている。従って、透過表示領域５１（Ｒ）は、観察面とは反対側から入射した光（バックライト装置９０から出射された光）を観察面側に出射して透過モードでカラー表示を行い、反射表示領域５２（Ｒ）は、観察面側から入射した外光を観察面側に反射して反射モードでカラー表示を行う。なお、反射層２２の表面には、光散乱用の凹凸が形成されているため、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性や背景の写り込みなどが発生しない。

カラーフィルタ２３としては、透過表示領域５１（Ｒ）には透過表示用カラーフィルタ２３１（Ｒ）が形成され、反射表示領域５２（Ｒ）には、反射表示用カラーフィルタ２３２（Ｒ）が形成されている。透過表示用カラーフィルタ２３１（Ｒ）は、厚さ、色材の種類や配合量などが透過モードでカラー画像を表示するのに最適な条件に設定され、反射表示用カラーフィルタ２３２（Ｒ）は、厚さ、色材の種類や配合量などが反射モードでカラー画像を表示するのに最適な条件に設定されている。従って、反射表示領域５２（Ｒ）から観察面側に出射される光は、反射表示用カラーフィルタ２３２（Ｒ）を２回透過するのに対して、透過表示領域５１（Ｒ）から観察面側に出射される光は、透過表示用カラーフィルタ２３１（Ｒ）を１回だけしか透過しないが、本形態の液晶装置１ａでは、透過モードおよび反射モードの双方において、色再現性に優れ、かつ、明るい画像を表示することができる。なお、対向基板２０の側には、画素電極１２と対向する領域を避けるようにブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光層２７が形成されているが、本発明の液晶装置はノーマリーブラックモードであるために、光漏れの程度に応じて必ずしもブラックマトリクスを用いなくてもよい。

また、本形態では、反射表示用カラーフィルタ２３２（Ｒ）の上層側には、透明な感光性樹脂からなる層厚調整層２５が形成されている。本形態において、層厚調整層２５は、反射表示領域５２（Ｒ）のみに形成され、透過表示領域５１（Ｒ）には形成されていない。従って、層厚調整層２５は、反射表示領域５２（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＴよりも薄くしており、反射表示領域５２（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＴの約１／２とする寸法としている。例えば、透過表示領域５１（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＴが４μｍの場合、厚さが２μｍの層厚調整層２５を形成する。従って、反射表示領域５２（Ｒ）から観察面側に出射される光は、液晶層８を２回透過するのに対して、透過表示領域５１（Ｒ）から観察面側に出射される光は液晶層８を１回だけしか透過しないが、本形態の液晶装置１ａでは、層厚調整層２５が、反射表示領域５２（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＴよりも薄くしているため、液晶の屈折率異方性をΔｎ（例えば、０．１）で表すと、透過表示光と反射表示光との間でのリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消できる。それ故、透過表示光および反射表示光の双方が液晶層８によって好適に光変調されるので、透過モードおよび反射モードの双方において、コントラストなどの面で品位の高い画像を表示することができる。

（画素の配向分割）
このように構成した液晶装置１ａにおいて、本形態では、液晶層８には、誘電率異方性が負の液晶が用いられ、配向膜１３、２６として垂直配向膜が用いられている。このため。液晶層８において、液晶分子８１は、電圧が印加されていない状態で基板面に垂直配向している。

また、画素電極１２は、スリット１２４、１２５（切り欠き）によって３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３に配向分割され、１つの画素５０（Ｒ）は、データ線６の延設方向に沿って並ぶ３つのサブ画素５０１、５０２、５０３に分割されている。ここで、３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３のうち、サブ画素電極１２３のみが層間絶縁膜１５のコンタクトホール１５１を介してＴＦＤ７に電気的に接続している。但し、３つのサブ画素用電極１２１、１２２、１２３は、細幅の連結部１２６、１２７を介して繋がっている。

ここで、対向基板２０では、反射層２２、反射表示用カラーフィルタ２３２（Ｒ）、および層厚調整層２５が、両端のサブ画素５０１、５０３に対応する領域（サブ画素電極１２１、１２３に対応する領域）に形成されており、中央のサブ画素５０２に対応する領域（サブ画素電極１２２に対応する領域）には形成されていない。従って、本形態では、いずれの画素５０（Ｒ）においても、データ線６の延設方向（Ｙ方向）の中央領域は、透過表示領域５１（Ｒ）になっており、データ線６の延設方向の両端領域は、反射表示領域５２（Ｒ）になっている。それ故、層厚調整層２５は、データ線６の延設方向で隣接する画素の境界領域にも形成されており、データ線６の延設方向で隣接する画素の双方に連続して形成されている。このため、層厚調整層２５の端部は、反射表示領域５２（Ｒ）と透過表示領域５１（Ｒ）との境界領域に斜め上向きのテーパをもった段差部２５１を構成しており、かかる段差部２５１では、液晶分子８１が基板面に対してプレチルトを有しているが、本形態では、かかる段差部２５１は、データ線６の延設方向で隣接する画素同士の境界領域から離れた位置にある。しかも、層厚調整層２５の段差部２５１は、図５（ａ）に示すように、反射表示領域５２（Ｒ）の内側に位置している。

さらに、対向基板２０の３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心に対向する位置には、配向膜２６の下層側に、素子基板１０に向けて突出する配向制御用突起１９１、１９２、１９３（配向制御部）が形成されている。従って、本形態では、３つのサブ画素５０１、５０２、５０３の各々に、配向制御用突起１９１、１９２、１９３が形成されている。このような配向制御用突起１９１、１９２、１９３は、高さが１．２μｍで、底面の直径が１２μｍの円錐形であり、配向膜２６の界面にプレチルトをもったなだらかな斜面を構成している。かかる配向制御用突起１９１、１９２、１９３は、ノボラック系のポジタイプのフォトレジストを現像後、ポストベークすることにより形成できる。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１ａでは、負の誘電率異方性を備えた液晶分子８１を基板面に対して垂直配向させ、電圧の印加によって液晶分子８１を倒して光変調を行うので、黒表示での光漏れが少ないため、高い表示コントラストを得ることができる。

また、透過表示領域５１および反射表示領域５２の双方に液晶分子８１の配向方向を制御する配向制御用突起１９１、１９２、１９３が形成されているので、透過表示領域５１および反射表示領域５２の双方において、液晶分子が３６０°全方向に倒れる。このため、透過表示領域５１および反射表示領域５２のいずれの領域においても配向の乱れが発生しないので、ディスクリネーションが発生せず、残像やざらざらとしたしみ状のむらのない、広い視野角の表示が得られる。

さらに、層厚調整層２５によって反射表示領域５２の液晶層８の厚さを透過表示領域５１よりも薄くして透過表示光と反射表示光との間におけるリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消しているので、透過表示光および反射表示光の双方を好適に光変調することができる。

さらにまた、いずれの画素５０においても、データ線６の延設方向（Ｙ方向）の両端側に反射表示領域５２が配置されているため、層厚調整層２５は、データ線６の延設方向で隣接する画素間に連続して形成されている。従って、データ線６の延設方向で隣接する画素間で液晶層８に印加される信号が逆極性となるライン反転駆動方式を採用した場合には、図５に矢印Ｅで示すように、オフ電圧の印加時にも、隣接する走査線３同士の間に横電界が発生するが、本形態では、データ線６の延設方向で隣接する画素の境界領域には層厚調整層２５の段差部２５１が位置せず、横電界が発生する箇所と段差部２５１が形成されている箇所とが離れている。それ故、液晶分子８１に発生する配向の乱れが小さい。すなわち、段差部２５１では、液晶分子８１が基板面に対してプレチルトを有しているが、オフ電圧印加時の横電界によって、プレチルトを有していた液晶分子８１が大きく傾くということがない。

しかも、オフ電圧が印加されているときに矢印Ｅで示す横電界が発生する箇所の付近は、反射表示領域５２であり、かかる反射表示領域５２では、透過表示領域５２と比較して液晶層８が薄いため、横電界などの影響を受け難い。さらに、層厚調整層２５の段差部２５１が位置している箇所は、反射表示領域５２であり、透過表示領域に光漏れを生じさせることがない。また、反射領域５２では、入射光および反射光の双方が、配向の乱れた箇所を通る確率が低いので、入射時および反射時の少なくとも一方で液晶層８による光変調を受ける。それ故、本形態によれば、データ線６の延設方向で隣接する画素間の境界領域付近での配向の乱れや、層厚調整層２５の段差部２５１付近での配向の乱れに起因するオフ時の光漏れを防止できるので、透過表示および反射表示の双方においてコントラストを向上することができる。

また、本形態では、３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３のうち、サブ画素電極１２３のみが層間絶縁膜１５のコンタクトホール１５１を介してＴＦＤ７に電気的に接続しており、コンタクトホール１５１は、サブ画素用電極１２３と平面的に重なる位置、すなわち、反射表示領域５２内に形成されている。従って、コンタクトホール１５１に起因する凹凸が発生していても、反射表示領域５２では液晶層８が薄く、かつ、反射領域５２では、入射光および反射光の双方が、配向の乱れた箇所を通る確率が低いので、コンタクトホール５２を透過表示領域５１に形成した場合と比較して、かかる凹凸に起因するオフ時の光漏れが発生しにくい。それ故、本形態によれば、高いコントラストを得ることができる。

それ故、本形態の液晶装置１ａと、非特許文献１に記載の液晶装置（従来例）とを比較すると、以下に示すように、
オン時の輝度 オフ時の輝度 コントラスト
本形態の液晶装置１ａ １９４．３ｃｄ／ｍ² ０．６１ｃｄ／ｍ² ３１９
従来例の液晶装置 １９３．１ｃｄ／ｍ² １．０２ｃｄ／ｍ² １８９
本形態の液晶装置１ａによれば、従来の約２倍に相当するコントラストを得ることができる。

なお、走査線３の延設方向（Ｘ方向）で隣接する画素の境界領域には、層厚調整層２５の段差部２５１が位置するが、この方向では、隣接する画素間での駆動電圧の極性が一致しているので、横電界の影響を受けずに済む。

［実施の形態１の変形例］
図６は、本発明の実施の形態１の変形例に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つ（赤色（Ｒ）に対応する画素５０（Ｒ））を拡大して示す断面図である。図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１の別の変形例に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つ（赤色（Ｒ）に対応する画素５０（Ｒ））を拡大して示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。

上記形態に係る液晶装置１ａでは、透過表示領域５１および反射表示領域５２の双方に液晶分子８１の配向方向を制御する配向制御部として、配向制御用突起１９１、１９２、１９３を形成したが、本形態では、図６に示すように、負の誘電率異方性を備えた液晶分子８１を基板面に対して垂直配向させ、かつ、透過表示領域５１および反射表示領域５２の双方に対して配向制御部を構成するにあたって、各サブ画素電極１２１、１２２、１２３に配向制御用スリット１９４、１９５、１９６（開口）が形成されている。このため、透過表示領域５１および反射表示領域５２の双方において、液晶分子が３６０°全方向に倒れるので、透過表示領域５１および反射表示領域５２のいずれの領域においても配向の乱れが発生しないので、ディスクリネーションが発生しない。その他の構成は、実施の形態１と同様である。

このように構成した液晶装置１ａでも、非特許文献１に記載の液晶装置（従来例）とのコントラストを比較すると、以下に示す結果
オン時の輝度 オフ時の輝度 コントラスト
本形態の液晶装置１ａ １９１．７ｃｄ／ｍ² ０．５４ｃｄ／ｍ² ３５５
従来例の液晶装置 １９３．１ｃｄ／ｍ² １．０２ｃｄ／ｍ² １８９
から明らかなように、従来の約２倍に相当するコントラストを得ることができる。

また、本形態では、透過表示領域５１および反射表示領域５２の双方に対して、液晶分子８１の配向方向を制御する配向制御部を構成するにあたって、各サブ画素電極１２１、１２２、１２３に配向制御用スリット１９４、１９５、１９６（開口）を形成しているので、各サブ画素電極１２１、１２２、１２３をパタニーングにより形成する際、配向制御用スリット１９４、１９５、１９６（開口）を同時形成することができる。それ故、製造工程数を少なくて済むという利点がある。

なお、配向制御部については、画素電極１２の側あるいは走査線３（走査電極）の側のいずれに形成してもよい。また、カラーフィルタ２３や層厚調整層２５についても、素子基板１０および対向基板２０のうちのいずれに形成してもよい。

例えば、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、対向基板２０が第１の基板として観察面側に位置し、素子基板１０が第２の基板として観察面とは反対側に位置している場合には、素子基板１０の層間絶縁膜１５を、表面に凹凸を備えた凹凸形成層として形成するとともに、この層間絶縁膜１５上に光透過部２２１を備えた反射層２２を形成すればよい。この場合、カラーフィルタ２３や層厚調整層２５は、対向基板２０の内面および素子基板１０の内面のうち、いずれの側に形成してもよいが、図７（ａ）には、カラーフィルタ２３や層厚調整層２５は、対向基板２０の内面に形成した例を表してある。

このように構成した場合も、負の誘電率異方性を備えた液晶分子を基板面に対して垂直配向させ、電圧の印加によって液晶分子を倒して光変調を行うため、半透過反射型の液晶装置１ａであっても、透過表示の際の視角が広い。また、層厚調整層２５によって反射表示領域５２の液晶層８の厚さを透過表示領域５１よりも薄くして透過表示光と反射表示光との間におけるリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消しているので、透過表示光および反射表示光の双方を好適に光変調することができる。

さらに、いずれの画素５０においても、実施の形態１と同様、データ線６の延設方向（Ｙ方向）の両端側に反射表示領域５２が配置されているため、層厚調整層２５は、データ線６の延設方向で隣接する画素間に連続して形成されている。従って、データ線６の延設方向で隣接する画素間で液晶層８に印加される信号が逆極性となるライン反転駆動方式を採用した場合には、図７（ａ）に矢印Ｅで示すように、オフ電圧の印加時にも、隣接する走査線３同士の間に横電界が発生するが、本形態では、データ線６の延設方向で隣接する画素の境界領域には層厚調整層２５の段差部２５１が位置せず、横電界が発生する箇所と段差部２５１が形成されている箇所とが離れている。それ故、液晶分子に発生する配向の乱れが小さい。すなわち、段差部２５１では、液晶分子が基板面に対してプレチルトを有しているが、オフ電圧印加時の横電界によって、プレチルトを有していた液晶分子が大きく傾くということがない。しかも、オフ電圧が印加されているときに矢印Ｅで示す横電界が発生する箇所の付近は、反射表示領域５２であり、かかる反射表示領域５２では、透過表示領域５２と比較して液晶層８が薄いため、横電界の影響を受け難い。しかも、反射領域５２では、入射光および反射光の双方が、配向の乱れた箇所を通る確率が低いので、入射時および反射時の少なくとも一方で液晶層８による光変調を受ける。それ故、本形態によれば、データ線６の延設方向で隣接する画素間の境界領域付近での配向の乱れに起因するオフ時の光漏れを防止できるので、コントラストを向上することができる。

なお、上記形態では、対向基板２０に形成されたストライプ状電極を走査線３とし、素子基板に形成された信号線をデータ線として用いたが、対向基板２０に形成されたストライプ状電極をデータ線とし、素子基板に形成された信号線を走査線としてもよい。

［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図９は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図、およびＴＦＴの断面図である。
なお、以下の説明においても、便宜上、面内方向で互いに交差する方向をＸ方向およびＹ方向とし、液晶層に対して素子基板側を表示画像を視認する観察者が位置する側という意味で「観察面側」と表記する。また、本形態では、対向基板が観察面側に位置する第１の基板に相当し、素子基板が観察面とは反対側に位置する第２の基板に相当する。さらに、本形態の液晶装置は、カラー表示用であるため、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応する画素が形成されているので、対応する色については、各符号の後ろに（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を付して表すこととする。なお、本形態の液晶装置についても、実施の形態１との対応がわかりやすいように、共通の機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。

図８に示す液晶装置１ｂは、画素スイッチング素子としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた半透過反射型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、複数の信号としての走査線３１ｂがＸ方向（行方向）に形成され、複数のデータ線６ｂｂがＹ方向（列方向）に形成されている。走査線３１ｂとデータ線６ｂとの各交差点に対応する位置には画素５０が形成され、この画素５０には、画素スイッチング用のＴＦＴ７ｂ（非線形素子）が構成されている。各走査線３１ｂは走査線駆動回路３ｃによって駆動され、各データ線６ｂはデータ線駆動回路６ｃによって駆動される。データ線６ｂは、ＴＦＴ７ｂのソースに電気的に接続され、ＴＦＴ７ｂのゲートには走査線３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路３ｂから供給される。画素電極１２ｂは、ＴＦＴ７ｂのドレインに電気的に接続されており、ＴＦＴ７ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ｂから供給される画素信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１２ｂを介して液晶層に書き込まれた所定レベルの画素信号は、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、容量線３２ｂを利用して、画素電極１２ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量７０ｂによって、画素電極１２ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶装置が実現できる。

本形態の液晶装置１ｂでも、複数の画素５０は、後述するカラーフィルタの色によって、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に各々対応しており、これら３色に対応する画素５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）は各々がサブドットとして機能し、かつ、３色分の画素５０によって１つのドット５が構成されている。

このように構成した液晶装置１ｂにおいて、水平ライン反転駆動方式を採用すると、データ線６の延設方向で隣接する画素間で液晶層に印加される信号は、常に逆極性であり、横電界が発生する。また、垂直ライン反転駆動方式を採用すると、走査線３１ｂの延設方向で隣接する画素間で液晶層に印加される信号は、常に逆極性であり、横電界が発生する。また、画素電極１２ｂに印加される電圧に大きな差がある場合も、横電界が発生する。そこで、以下の説明では、データ線６の延設方向で隣接する画素間で発生する横電界の影響を防止するための構成を説明する。従って、以下の説明においては、データ線６ｂが第１の信号線に相当し、走査線３１ｂが第２の信号線に相当する。

本形態の液晶装置１ｂを半透過反射型として構成する場合には、図９および図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、透明な素子基板１０に、ＴＦＴ７ｂ、アクリル樹脂などからなる透明な層間絶縁膜１５ｂ、１５ｃ、表面に凹凸を備えた透明な感光性樹脂からなる層間絶縁膜１５ｄ（凹凸形成層）、アルミニウム合金や銀合金などからなる反射層２２、ＩＴＯなどからなる画素電極１２、配向膜１３をこの順に形成し、反射層２２には、その切り欠き部分によって光透過部２２１を形成する。これに対して、透明な対向基板２０の側には、カラーフィルタ２３、透明な感光性樹脂からなる層厚調整層２５、ＩＴＯなどからなる対向電極２８（共通電極）、配向膜２６をこの順に形成する。ここで、カラーフィルタ２３としては、透過表示領域５１（Ｒ）には透過表示用カラーフィルタ２３１（Ｒ）が形成され、反射表示領域５２（Ｒ）には、反射表示用カラーフィルタ２３２（Ｒ）が形成されている。

層厚調整層２５は、反射表示領域５２（Ｒ）のみに形成され、透過表示領域５１（Ｒ）には形成されていない。ここで、層厚調整層２５は、反射表示領域５２（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＴよりも薄くしており、反射表示領域５２（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１（Ｒ）における液晶層８の厚さｄＴの約１／２とする寸法としている。

このように構成した液晶装置１ｂにおいても、実施の形態１と同様、液晶層８には、誘電率異方性が負の液晶が用いられ、配向膜１３、２６として垂直配向膜が用いられている。このため。液晶層８において、液晶分子は、電圧が印加されていない状態で基板面に垂直配向している。また、画素電極１２は、スリット１２４、１２５（切り欠き）によって３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３に配向分割され、１つの画素５０（Ｒ）は、データ線６の延設方向に沿って並ぶ３つのサブ画素５０１、５０２、５０３に分割されている。３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３のうち、サブ画素電極１２３のみが層間絶縁膜１５ｂ、１５ｃのコンタクトホール１５１を介してＴＦＴ７ｂに電気的に接続している。但し、３つのサブ画素用電極１２１、１２２、１２３は、細幅の連結部１２６、１２７を介して繋がっている。

ここで、反射層２２、反射表示用カラーフィルタ２３２（Ｒ）、および層厚調整層２５は、両端のサブ画素５０１、５０３に対応する領域（サブ画素電極１２１、１２３に対応する領域）に形成されており、中央のサブ画素５０２に対応する領域（サブ画素電極１２２に対応する領域）には形成されていない。従って、本形態では、いずれの画素５０（Ｒ）においても、データ線６ｂの延設方向（Ｙ方向）の中央領域は、透過表示領域５１（Ｒ）になっており、データ線６ｂの延設方向の両端領域は、反射表示領域５２（Ｒ）になっている。それ故、層厚調整層２５は、データ線６ｂの延設方向で隣接する画素の境界領域にも形成されており、データ線６ｂの延設方向で隣接する画素の双方に連続して形成されている。このため、層厚調整層２５の端部は、反射表示領域５２（Ｒ）と透過表示領域５１（Ｒ）との境界領域に斜め上向きのテーパをもった段差部２５１を構成しており、かかる段差部２５１では、液晶分子が基板面に対してプレチルトを有しているが、本形態では、かかる段差部２５１は、データ線６ｂの延設方向で隣接する画素同士の境界領域から離れた位置にある。しかも、層厚調整層２５の段差部２５１は、図１０（ａ）に示すように、反射表示領域５２（Ｒ）の内側に位置している。

さらに、対向基板２０の３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心に対向する位置には、配向膜２６の下層側に、素子基板１０に向けて突出する配向制御用突起１９１、１９２、１９３（配向制御部）が形成されている。従って、本形態では、３つのサブ画素５０１、５０２、５０３の各々に、配向制御用突起１９１、１９２、１９３が形成されている。このような配向制御用突起１９１、１９２、１９３は、高さが１．２μｍで、底面の直径が１２μｍの円錐形であり、配向膜２６の界面にプレチルトをもったなだらかな斜面を構成している。かかる配向制御用突起１９１、１９２、１９３は、ノボラック系のポジタイプのフォトレジストを現像後、ポストベークすることにより形成できる。なお、配向制御部としては、図６を参照して説明した配向制御用スリット（開口）を利用してもよい。

以上説明したように、本形態の液晶装置１ｂでは、負の誘電率異方性を備えた液晶分子を基板面に対して垂直配向させ、電圧の印加によって液晶分子を倒して光変調を行う。このため、液晶装置１ｂは半透過反射型であることから、光学設計の自由度が低いが、透過表示においても、視角が広い。

また、本形態の液晶装置１ｂでも、透過表示領域５１および反射表示領域５２の双方に液晶分子の配向方向を制御する配向制御用突起１９１、１９２、１９３が形成されているので、透過表示領域５１および反射表示領域５２の双方において、液晶分子が３６０°全方向に倒れる。このため、透過表示領域５１および反射表示領域５２のいずれの領域においても配向の乱れが発生しないので、ディスクリネーションが発生しない。さらに、層厚調整層２５によって反射表示領域５２の液晶層８の厚さを透過表示領域５１よりも薄くして透過表示光と反射表示光との間におけるリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消しているので、透過表示光および反射表示光の双方を好適に光変調することができる。

さらにまた、いずれの画素５０においても、データ線６ｂの延設方向（Ｙ方向）の両端側に反射表示領域５２が配置されているため、層厚調整層２５は、データ線６ｂの延設方向で隣接する画素間に連続して形成されている。従って、データ線６ｂの延設方向で隣接する画素間に大きな横電界が発生する場合でも、かかる箇所と段差部２５１が形成されている箇所とが離れている。それ故、液晶分子に発生する配向の乱れが小さい。すなわち、段差部２５１では、液晶分子が基板面に対してプレチルトを有しているが、オフ電圧印加時の横電界によって、プレチルトを有していた液晶分子が大きく傾くということがない。しかも、横電界が発生する箇所の付近は、反射表示領域５２であり、かかる反射表示領域５２では、透過表示領域５２と比較して液晶層８が薄いため、横電界の影響を受け難い。しかも、反射領域５２では、入射光および反射光の双方が、配向の乱れた箇所を通る確率が低いので、入射時および反射時の少なくとも一方で液晶層８による光変調を受ける。それ故、本形態によれば、データ線６の延設方向で隣接する画素間の境界領域付近での配向の乱れに起因するオフ時の光漏れを防止できるので、コントラストを向上することができる。

また、本形態では、３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３のうち、サブ画素電極１２３のみが層間絶縁膜１５のコンタクトホール１５１を介してＴＦＴ７ｂに電気的に接続しており、コンタクトホール１５１は、サブ画素用電極１２３と平面的に重なる位置、すなわち、反射表示領域５２内に形成されている。従って、コンタクトホール１５１に起因する凹凸が発生していても、反射表示領域５２では液晶層８が薄く、かつ、反射領域５２では、入射光および反射光の双方が、配向の乱れた箇所を通る確率が低いので、コンタクトホール５２を透過表示領域５１に形成した場合と比較して、かかる凹凸に起因するオフ時の光漏れが発生しにくい。それ故、本形態によれば、高いコントラストを得ることができる。

［その他の実施の形態］
なお、上記実施の形態では、カラー表示用の画素を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応させたが、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）以外、例えば、イエロー、シアン、マゼンタなどに対応させてもよい。

［電子機器］
本発明に係る液晶装置は、携帯電話機、ノート型のパーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、デジタルカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話などといった電子機器の表示部として用いることができる。

本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置を斜め下方（対向基板）の側からみた概略斜視図、および液晶装置をＹ方向に切断したときの断面を模式的に示す説明図である。 水平ライン反転駆動を行ったときのコモン信号の波形図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図、およびＴＦＤの断面図である。 本発明の実施の形態１の変形例に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１の別の変形例に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図、およびＴＦＤの断面図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図、およびＴＦＴの断面図である。

符号の説明

１ａ、１ｂ 液晶装置、３、３１ｂ 走査線、６、６ｂ データ線、７ ＴＦＤ、７ｂ ＴＦＴ、８ 液晶層、１０ 素子基板、１２ 画素電極、２０ 対向基板、２２ 反射層、２３ カラーフィルタ、２５ 層厚調整層、５０ 画素、５１ 透過表示領域、５２ 反射表示領域、１２１、１２２、１２３ サブ画素電極、２２１ 光透過部、１９１、１９２、１９３ 配向制御用突起（配向制御部）、１９４、１９５、１９６ 配向制御用スリット（配向制御部）、２５１ 層厚調整層のテーパ状の段差部、５０１、５０２、５０３ サブ画素

Claims (10)

1. 第１の基板と、該第１の基板と対向配置された第２の基板との間に液晶層を備えるとともに、前記第２の基板の面内において互いに交差する方向に延びた複数の第１の信号線および複数の第２の信号線の各交差点に対応する位置に薄膜トランジスタからなる画素スイッチング素子を介して電気的に接続する画素電極が形成された画素を複数備え、前記第１の基板の面内において共通電極が形成され、前記複数の画素の各々は、前記第２の基板側から入射した光を前記第１の基板側に出射する透過表示領域および前記第１の基板側から入射した光を反射する反射表示領域を備えた液晶装置において、
   前記液晶層は、負の誘電率異方性を備えた液晶によって構成され、
   前記複数の画素の各々は、前記液晶層における液晶分子の配向方向を制御する配向制御部を備えるとともに、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも薄くする層厚調整層を前記第１の基板側に備え、
   前記複数の画素の各々では、少なくとも前記第１の信号線の延設方向の両端側に前記反射表示領域が配置されているとともに、
   前記第１の基板側の層厚調整層が、前記第１の信号線に沿って隣接する画素間に連続して形成されていることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１において、前記複数の画素は、前記第１の信号線の延設方向で隣接する画素間で前記液晶層に印加される信号が逆極性の反転駆動方式で駆動されていることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１または２において、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域に沿って、前記層厚調整層のテーパ状の段差部が延びていることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項３において、前記テーパ状の段差部は、前記反射表示領域内に位置していることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記配向制御部は、前記第１の基板の内面、および前記第２の基板の内面の少なくとも一方に形成された突起により構成されていることを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記配向制御部は、前記第１の基板の内面に形成された共通電極、および前記第２の基板の内面に形成された画素電極のうちの少なくとも一方に形成された開口により構成されていることを特徴とする液晶装置。
7. 請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記反射表示領域は、前記第２の基板の面内に形成された反射層によって構成され、前記透過表示領域は、前記反射層の非形成領域によって構成されていることを特徴とする液晶装置。
8. 請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記複数の画素は各々、前記反射表示領域および前記透過表示領域に各々対応する、互いに細幅の連結部を介して繋がった島状の複数のサブ画素に分割され、
   前記複数の画素の各々では、少なくとも前記第１の信号線の延設方向の両端側に、前記反射表示領域に対応するサブ画素が配置されていることを特徴とする液晶装置。
9. 請求項１において、前記第２の基板では、前記画素スイッチング素子と前記画素電極との層間に層間絶縁膜が形成されているとともに、前記画素電極と前記画素スイッチング素子とは、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続し、
   前記コンタクトホールは、前記反射表示領域に形成されていることを特徴とする液晶装置。
10. 請求項１ないし９のいずれかに記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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