JP3992922B2 - 液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テレビ受像機やモニタ等に使用される液晶表示装置及びそれに用いられる液晶表示装置用基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、一般に透明電極を備えた２枚の基板と、２枚の基板間に挟持された液晶層とで構成される。透明電極間に電圧を印加して液晶を駆動させ、光透過率を変化させることにより表示を制御する。近年液晶表示装置の需要は増加しており、液晶表示装置に対する要求も多様化している。特に視角特性や表示品質の改善が強く要求されており、これを実現する手段として垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）型液晶表示装置が有望視されている。
【０００３】
ＶＡ型液晶表示装置は、両基板の対向する面に垂直配向膜を備え、両基板間に負の誘電率異方性を有する液晶層を含むことを特徴としている。また、ＶＡ型液晶表示装置は、両基板上に線状のドメイン規制手段（突起又はスリット）を備えており、このドメイン規制手段により配向分割が行われる。これによりＶＡ型液晶表示装置は優れた視角特性や表示品質を実現している。
【０００４】
現在、液晶表示装置の両基板間の間隔（セル厚）は、プラスチック製又はガラス製の球状又は棒状スペーサで保持されている。通常これらのスペーサ材は、基板貼り合わせ前のスペーサ散布工程でどちらか一方の基板上に散布される。その後両基板を貼り合わせ、セル厚がスペーサ材の直径付近の厚さで保持されるようにプレスされる。
【０００５】
図３５は、従来のＶＡ型液晶表示装置の構成を示す平面図であり、カラーフィルタ（ＣＦ）基板１０６上にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタが順に並んだ３画素を示している。ＣＦ基板１０６上には、図中上下方向及び左右方向に延びた遮光膜（ＢＭ）が形成されており、各画素領域を画定している。各画素領域には画素領域端部に対して斜めに線状の配向規制用構造物である突起１０２が形成されている。また、ＣＦ基板１０６と対向して配置されているアレイ基板（図３５では図示せず）上には、突起１０２と半ピッチずれて画素領域端部に対して斜めに線状の突起１０３が形成されている。なお、図３５では、画素領域中央部を横切る蓄積容量バスラインの図示は省略している。
【０００６】
図３６は、図３５のＣ−Ｃ線で切断したＶＡ型液晶表示装置の断面図であり、電圧無印加時の液晶ＬＣの状態を示している。アレイ基板１０４は、ガラス基板１０８上の画素領域毎に形成された画素電極１１０を有している。画素電極１１０上には突起１０３が形成されている。画素電極１１０及び突起１０３上の全面には垂直配向膜（図示せず）が形成されている。一方、ＣＦ基板１０６は、ガラス基板１０８上に形成されたＢＭを有している。また、ガラス基板１０８上のＢＭにより画定された画素領域毎にカラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂが形成されている。カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂ上には共通電極１１２が形成され、共通電極１１２上には突起１０２が形成されている。さらに、共通電極１１２及び突起１０２上の全面には垂直配向膜（図示せず）が形成されている。アレイ基板１０４とＣＦ基板１０６の間には液晶ＬＣが封止されている。
【０００７】
図３６に示すように、液晶分子（図中、円柱で示す）は、両基板１０４、１０６に対してほぼ垂直に配向している。突起１０２、１０３の形成されている領域の液晶分子は突起１０２、１０３表面に対してほぼ垂直に配向しており、両基板１０４、１０６に対してわずかに傾斜して配向している。両基板１０４、１０６の外側には偏光板（不図示）がクロスニコルの状態に配置されているため、電圧無印加時では黒表示が得られる。
【０００８】
図３７は、図３６と同様に図３５のＣ−Ｃ線で切断したＶＡ型液晶表示装置の断面図であり、電圧印加時の液晶ＬＣの状態を示している。破線は、画素電極１１０及び共通電極１１２間の電気力線を示している。図３７に示すように、画素電極１１０及び共通電極１１２間に電圧が印加されると、誘電体からなる突起１０２、１０３近傍で電界が歪められる。これにより負の誘電率異方性を有する液晶分子の倒れる方向が規制されると共に、電界強度に応じて倒れる角度を制御することにより階調表示を得ることができる。
【０００９】
このとき突起１０２、１０３近傍の液晶分子は、突起１０２、１０３が図３５に示すように線状に設けられたものである場合、突起１０２、１０３を境界として突起１０２、１０３の延びる方向に直交する２方向に倒れる。突起１０２、１０３近傍の液晶分子は、電圧無印加の状態でも両基板１０４、１０６に垂直な方向よりわずかに傾斜しているので電界強度に素早く応答して倒れ込む。これにより周りの液晶分子も順次その挙動に倣って倒れ込む方向が決定され、電界強度に応じて傾斜するので、配向規制用構造物である突起１０２、１０３を境界とした配向分割が実現される。
【００１０】
ところで、図３６及び図３７では、セル厚を決めるスペーサの表示は省略している。図３５のＡ−Ａ線で切断した切断面を示す図３８を用いてスペーサの配置状態について説明する。アレイ基板１０４とＣＦ基板１０６の間には液晶ＬＣとともに、両基板１０４、１０６間のセル厚を保持する球状スペーサ１１４が封止されている。
【００１１】
図３８に示したＶＡ型液晶表示装置は、両基板１０４、１０６に突起１０２、１０３が形成されている。そのため、球状スペーサ１１４が突起１０２上でセル厚を決定したり、突起１０２以外の領域でセル厚を決定したりしており、安定したセル厚を得ることが難しい。安定したセル厚を得るためには、両基板１０４、１０６表面の凹凸が少ない方がよい。
【００１２】
図３９は、図３５に示したＶＡ型液晶表示装置において、アレイ基板１０４上の突起１０３の代わりにスリット１１８が形成された液晶表示装置をＣ−Ｃ線で切断した断面図であり、電圧印加時の液晶ＬＣの状態を示している。図３９に示すように、スリット１１８の形成された領域は、図３７に示した突起１０３が形成された領域とほぼ同様の電気力線が形成されている。これにより、突起１０２、スリット１１８を境界とした配向分割が実現される。
【００１３】
図４０は、図３５に示したＶＡ型液晶表示装置において、アレイ基板１０４上の突起１０３の代わりにスリット１１８が形成された液晶表示装置をＡ−Ａ線で切断した断面図であり、電圧印加時の液晶ＬＣの状態を示している。図４０に示すように、画素電極１１０端部（図中、円形領域）の液晶分子は、電圧が印加されると周辺の液晶分子と異なる方向へ倒れ込む。この配向不良が起こる領域は光の透過率が悪く、白表示の際に輝度を低下させる原因となっている。
【００１４】
図４１は、従来のＶＡ型液晶表示装置の別の構成を示す平面図であり、ＣＦ基板１０６上のＲ、Ｇ、Ｂの３画素を示している。図３５に示した平面図の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。図４１に示した液晶表示装置は、アレイ基板１０４上の突起１０３の代わりにスリット１１８が形成されており、ＣＦ基板１０６上に突起１０２から延出し、画素領域の上下方向の端部に沿う方向に補助突起１１６がさらに形成されていることに特徴を有している。図示していないがスリット１１８には接続部が設けられており、一画素内の画素電極は電気的に接続されている。補助突起１１６は、突起１０２とともに配向規制用構造物として機能する。突起１０２は液晶表示装置の視角特性を決定しており、補助突起１１６は画素電極１１０端部で発生する電界による液晶の配向不良を制御している。なお、図４１では、画素領域中央部を横切る蓄積容量バスラインの図示は省略している。
【００１５】
図４２は、図４１のＤ−Ｄ線で切断したＶＡ型液晶表示装置の断面図である。図４２に示した液晶表示装置は、アレイ基板１０４上に突起１０３の代わりにスリット１１８が形成されており、ＣＦ基板１０６上に補助突起１１６が形成されている。補助突起１１６の配置により、図４０の円形領域内で生じていた画素電極１１０端部の配向不良は、図４２に示すように解消される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、突起１０２と補助突起１１６では必要な配向規制力が異なる。突起１０２の配向規制力は、電圧印加時の液晶の配向方向を決定しているので強い方が望ましい。一方、補助突起１１６の配向規制力は、画素電極１１０端部で発生する電界とバランスがとれていることが望ましい。図４３は、画素電極１１０端部での液晶分子の配向を示している。突起１０２は、ＣＦ基板１０６上に画素電極１１０端部に対して斜めに形成されており、スリット１１８は、アレイ基板１０４上に突起１０２と同様画素電極１１０端部に対して斜めに形成されている。ＣＦ基板１０６上には、突起１０２から延出し、画素電極１１０の図中上下方向の端部に沿う方向に補助突起１１６がさらに形成されている。
【００１７】
図４３（ａ）は、補助突起１１６の配向規制力が画素電極１１０端部で発生する電界とバランスがとれている状態を示している。画素電極１１０端部の液晶分子は、補助突起１１６の配向規制力により他の液晶分子とほぼ平行に配向しており、光の透過率は改善され、輝度の低下は起こらない。図４３（ｂ）は、補助突起１１６の配向規制力が弱い状態を示している。画素電極１１０端部の液晶分子の配向不良が十分に制御できていないため、画素電極１１０端部の液晶分子は他の液晶分子と平行に配向せず、図中ハッチングで示す輝度低下領域は改善されない。図４３（ｃ）は、補助突起１１６の配向規制力が強すぎる状態を示している。画素電極１１０端部の液晶分子は補助突起１１６の配向規制により、補助突起１１６に対してほぼ垂直に配向している。この状態では液晶分子の配向方向が偏光板の吸収軸とほぼ一致してしまうため、図中ハッチングで示す輝度低下領域は改善されない。
【００１８】
一般に、配向規制用突起物は高さを高く形成し、あるいは幅を広く形成した方が液晶の配向規制力が強くなる。つまり、安定した液晶配向状態を得るには、高さが高く幅の広い配向規制用突起物を形成することが望ましい。しかし、高さが高く幅の広い配向規制用突起物を形成すると、基板表面の凹凸が大きくなり、スペーサ材を散布して安定したセル厚を得ることが難しくなる。従って、従来のＶＡ型液晶表示装置では、基板上に形成した複数の配向規制用突起物による配向規制力を所定領域毎に最適にしつつ、基板表示領域全体で安定したセル厚を得ることが困難であるという問題を有している。
【００１９】
本発明の目的は、輝度が高く、良好な表示特性の得られる液晶表示装置及びそれに用いる液晶表示装置用基板及びその製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する絶縁性基板と、前記液晶を配向規制するために前記絶縁性基板上に形成された異なる断面形状を有する複数の配向規制用突起物とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
【００２１】
また、上記目的は、絶縁性基板上に熱可塑性樹脂を塗布し、パターニングして線幅の異なる複数の熱可塑性樹脂層を形成し、前記複数の熱可塑性樹脂層を熱処理して、高さの異なる複数の配向規制用突起物を同時に形成することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法によって達成される。
【００２２】
さらに、上記目的は、対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、セル厚を決定する複数の樹脂スペーサと、前記樹脂スペーサの形成材料により前記樹脂スペーサ上面より低い高さで前記絶縁性基板上に形成され、前記複数の樹脂スペーサの膜厚むらを確認するために設けられた複数のダミーパターンとを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置について図１乃至図２３を用いて説明する。まず、本実施の形態による液晶表示装置用基板の基本構成について図１及び図２を用いて説明する。図１及び図２とも後述の図４に示すＦ−Ｆ線において、突起２及び補助突起１６の延伸方向に斜めに切った断面を示しているが、図中の突起２及び補助突起１６の断面形状は、それぞれの延伸方向に略直交する方向の断面形状を表している。これ以降において突起２及び補助突起１６の断面形状とは、断面図の切り口の方向に係わらず突起の延伸方向に略直交する方向の断面形状を指すものとする。
【００２４】
図１は、本実施の形態による液晶表示装置用基板をＣＦ基板６として実現し、対向するアレイ基板４との間に負の誘電率異方性を有する液晶ＬＣを封止した液晶パネルの断面を示している。アレイ基板４は、絶縁性基板であるガラス基板８上の画素領域毎に形成された画素電極１０を有している。画素電極１０にはスリット１８が形成されている。画素電極１０及びスリット１８上の全面には垂直配向膜（図示せず）が形成されている。
【００２５】
本実施の形態による液晶表示装置用基板であるＣＦ基板６は、絶縁性基板であるガラス基板８上に例えば低反射Ｃｒで形成されたＢＭを有している。また、ガラス基板８上のＢＭにより画定された画素領域毎にカラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂが形成されている。カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂ上全面には共通電極１２が形成され、共通電極１２上には液晶ＬＣを配向規制するための配向規制用構造物である突起２及び補助突起１６が形成されている。さらに、共通電極１２、突起２及び補助突起１６上の全面には垂直配向膜（図示せず）が形成されている。
【００２６】
図１に示すＣＦ基板６の突起２と補助突起１６とは異なる断面形状を有している。すなわち図１に示すように、補助突起１６の断面形状は、突起２の断面形状より相対的に高さが高く形成されている。こうすることにより、補助突起１６での配向規制力を相対的に強くすることができる。すなわち、図４３（ｂ）に示したように補助突起１１６の配向規制力が弱い場合は、図１に示すような断面形状を有する突起２及び補助突起１６を形成することにより、図４３（ａ）に示したように画素電極１１０端部で発生する電界と補助突起１１６の配向規制力とをバランスさせて、液晶分子を連続的に所定方向に配向させることができるようになる。
【００２７】
図２は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の基本構成を別のＣＦ基板６として実現し、対向するアレイ基板４との間に負の誘電率異方性を有する液晶ＬＣを封止した液晶パネルの断面を示している。図１に示した断面図の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。図２に示すＣＦ基板６の突起２と補助突起１６とは異なる断面形状を有している。すなわち図２に示すように、突起２の断面形状は、補助突起１６の断面形状より相対的に高さが高く、且つ幅も広く形成されている。本例は、補助突起１６による配向規制力を画素電極１０端部で発生する電界に対してバランスさせると、相対的に突起２の配向規制力が弱くなってしまう場合に有効である。図２に示すＣＦ基板６を用いることにより、補助突起１６の配向規制力を一定に保持しつつ突起２に十分な配向規制力を付与することができる。
【００２８】
以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について実施例１−１乃至１−３を用いてより具体的に説明する。
（実施例１−１）
本実施例による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置について図３乃至図１２を用いて説明する。図３は本実施例による液晶表示装置の全体構成を示している。アレイ基板４上には、ＴＦＴ２０と、蓄積容量２２と、例えばインジウム酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜からなる画素電極（図３では図示せず）を有する画素領域２４とがマトリクス状に多数配置された表示領域２６が画定されている。なお、図３では画素領域２４内に液晶表示装置の１画素分の等価回路を示している。表示領域２６の周囲の図中左方にはゲートバスライン駆動回路２８が配置され、図中上方にはドレインバスライン駆動回路３０が配置されている。また、システム側からのドットクロックや、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、及びＲＧＢデータが入力する入力端子３２が図中パネル上方に設けられている。
【００２９】
アレイ基板４は図示しないシール剤を介してＣＦ基板６と対向して貼り合わされている。アレイ基板４とＣＦ基板６との間のセルギャップに負の誘電率異方性を有する液晶ＬＣが封入されている。アレイ基板４上の画素電極とＣＦ基板６上の共通電極、及びそれらに挟まれた液晶ＬＣで液晶容量Ｃｌｃが形成されている。一方、アレイ基板４側で表示電極と不図示の絶縁膜を介して蓄積容量バスラインが形成されて蓄積容量２２が形成されている。
【００３０】
表示領域２６内には図中上下方向に延びるドレインバスライン３４が図中左右方向に平行に複数形成されている。複数のドレインバスライン３４のそれぞれは、ドレインバスライン駆動回路３０に接続されており、ドレインバスライン３４毎に所定の階調電圧が印加されるようになっている。
【００３１】
また、ドレインバスライン３４とほぼ直交する方向に延びるゲートバスライン３６が図中上下方向に平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン３６のそれぞれは、ゲートバスライン駆動回路２８に接続されている。ゲートバスライン駆動回路２８は、内蔵したシフトレジスタから出力されるビット出力に同期して、複数のゲートバスライン３６に対して順にゲートパルスを出力するようになっている。
【００３２】
ゲートバスライン駆動回路２８により複数のゲートバスライン３６のいずれか１つにゲートパルスが出力されると、当該ゲートバスライン３６に接続されている複数のＴＦＴ２０がオン状態になる。これにより、ドレインバスライン駆動回路３０から複数のドレインバスライン３４のそれぞれに印加されている階調電圧が各画素電極に印加される。
【００３３】
図４は、本実施例による液晶表示装置用基板としてのＣＦ基板６の構成を示す平面図であり、ＣＦ基板６上のＲ、Ｇ、Ｂの３画素を示している。図５は、図４のＦ−Ｆ線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図１に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。図４に示すように、ＣＦ基板６上には、図中上下方向及び左右方向に延びた例えば低反射ＣｒからなるＢＭが形成されており、各画素領域を画定している。各画素領域には、ＣＦ基板６と対向して配置されているアレイ基板（図４では図示せず）上の画素電極（図４では図示せず）に対向する領域にカラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂが配置されている。カラーフィルタ上の全面に形成された共通電極１２上には、画素電極端部に対して斜めに、配向規制用構造物である線状の突起２が形成されている。突起２の断面形状は、図５に示すように例えば幅が１５μｍで高さが１．１μｍの山形状である。
【００３４】
また、図４において、突起２から延出し、画素領域の上下方向の端部に沿う方向に配向規制用構造物である線状の補助突起１６が形成されている。補助突起１６の断面形状は図５に示すように幅は１１μｍで高さは１．１μｍであり、突起２と異なる断面形状を有している。ＣＦ基板６と対向して配置されているアレイ基板上の画素電極には、スリット１８が画素電極端部に対して斜めに形成されている。図示していないがスリット１８には接続部が設けられており、一画素内の画素電極は電気的に接続されている。突起２は液晶表示装置の視角特性を決定しており、補助突起１６は画素電極端部で発生する電界による液晶の配向不良を制御している。なお、図４では、画素領域中央部を横切る蓄積容量バスラインの図示は省略している。
【００３５】
本実施例によれば、突起２の断面形状が補助突起１６の断面形状より幅広に形成される。このため、画素電極１０端部での補助突起１６の配向規制力を必要以上に強化せずに突起２の配向規制力を強化でき、優れた視角特性を実現できる。また、突起２断面の幅のみを相対的に広く形成して基板表面における凸部の相対的な面積の増加を抑えて平坦性を向上できるので、スペーサ材を散布しても安定したセル厚を得ることができる。したがって、本実施例によるＶＡ型液晶表示装置では、基板上に形成した複数の配向規制用突起物による配向規制力を所定領域毎に最適にしつつ、基板表示領域全体で安定したセル厚を得ることができるので、ムラ等が少なく信頼性も高まる。そのため、輝度が高く、色変化や視野角変化のない良好な表示特性の得られる高歩留まりの液晶表示装置を実現できる。
【００３６】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板としてのＣＦ基板６の製造方法について、製造工程を示す工程断面図である図６乃至図１２を用いて説明する。まず、絶縁性基板であるガラス基板８全面に例えば低反射Ｃｒ膜を成膜する。次に、例えばポジ型ノボラック系レジストを厚さ１．５μｍ程度全面に塗布して所定の形状にパターニングする。次いで、パターニングされたレジスト層をマスクとしてＣｒ膜をエッチングし剥離工程を経て、図６に示すように、低反射ＣｒによるＢＭを形成する。
【００３７】
次に、図７に示すように、感光性顔料分散タイプのＲ（赤）レジストを例えば膜厚１．５μｍに塗布し、露光、現像、ポストベーク工程を経てパターニングしてカラーフィルタＲを形成する。続いてカラーフィルタＧ、Ｂを同様に形成する（図８、図９）。次に、図１０に示すように、例えば膜厚１５０ｎｍのＩＴＯを全面に成膜して共通電極１２を形成する。
【００３８】
次に、熱可塑性樹脂の例えばポジ型ノボラック系レジストを例えば厚さ１．１μｍに塗布し、レジスト層４０を形成する。次いで、図１１に示すように、突起２のパターンの線幅が例えば１４μｍ、補助突起１６のパターンの線幅が例えば１０μｍとなるように形成された露光用マスク３８を用いて露光して現像し、線幅の異なる複数の熱可塑性樹脂層を形成する。次に、熱可塑性樹脂層を例えば２００℃程度で熱処理（アニール）して、図１２に示すように、高さが異なる複数の配向規制用構造物である、断面形状の幅が１５μｍで高さが１．１μｍの突起２と、断面形状の幅が１１μｍで高さが１．１μｍの補助突起１６とを同時に形成する。以上説明した工程を経て、本実施例による液晶表示装置用基板としてのＣＦ基板６が完成する。
【００３９】
さらに、ドメイン規制用手段として画素電極１０上にスリット１８が形成されたアレイ基板４と、上記ＣＦ基板６との対向する面にそれぞれ垂直配向膜を形成する。その後、一方の基板にスペーサを散布し、シールを形成して両基板４、６を貼り合わせ、負の誘電率異方性を有する液晶を注入し封止することで、図５に示した本実施例による液晶表示装置が完成する。
【００４０】
（実施例１−２）
本実施例による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置について図１３乃至図１８を用いて説明する。まず、本実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の概略の構成を図１３及び図１４を用いて説明する。液晶表示装置の全体構成は、図３に示した第１の実施例と同様の構成を有するのでその説明は省略する。図１３は、本実施例による液晶表示装置用基板としてのＣＦ基板６の構成を示す平面図であり、ＣＦ基板６上のＲ、Ｇ、Ｂの３画素を示している。図１４は、図１３のＥ−Ｅ線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図１及び図４に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。図１３に示す液晶表示装置用基板は、図１４に示すように、突起２と補助突起１６の断面形状が幅と高さの両方において異なることに特徴を有している。突起２の断面形状は例えば幅１０μｍ、高さ１．３μｍであり、補助突起１６の断面形状は例えば幅１６μｍ、高さ１．４μｍである。
【００４１】
図１５（ａ）は図４３（ｂ）と同様に、補助突起１６の配向規制力が弱く、画素電極１０端部に図中ハッチングで示す輝度低下領域が発生している状態を示している。本実施例では、補助突起１６の断面形状は、突起２の断面形状より幅が広く且つ高さが高く形成される。このため、突起２の配向規制力を必要以上に強化せずに、画素電極１０端部での補助突起１６の配向規制力を強化でき、図１５（ｂ）に示すように輝度低下領域は改善される。また、補助突起１６のみについて相対的に幅を広く且つ高さを高く形成しているため、突起２についても幅を広く且つ高さを高く形成する場合と比較して、基板表面における凸部の相対的な面積の増加を抑えて平坦性を向上できる。そのため、スペーサ材を散布しても安定したセル厚を得ることができる。
【００４２】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板としてのＣＦ基板６の製造方法について図１６乃至図１８を用いて説明する。本実施例によるＣＦ基板６の製造方法において共通電極１２を形成するまでの工程は、図６乃至図１０の工程断面図に示した実施例１−１によるＣＦ基板６の製造方法と同様であるので、その図示及び説明は省略する。
【００４３】
共通電極１２の形成後の工程を説明する前に、図１４に示すような高さの異なる配向規制用突起物を同一のプロセスで形成する方法について図１６を用いて説明する。図１６は、熱可塑性樹脂であるポジ型ノボラック系レジストを用いて配向規制用突起物を形成する際の露光用マスク３８上でのパターンの線幅と基板上に形成されるパターンの高さとの関係を示している。横軸は、露光用マスク３８上での配向規制用突起物のパターンの線幅（μｍ）を表しており、縦軸は、形成される配向規制用突起物の高さ（μｍ）を表している。また、パターニング時に塗布されるポジ型ノボラック系レジストの厚さが１．１μｍの場合を□マークで表し、１．４μｍの場合を◆マークで表している。図１６に示すように、ポジ型ノボラック系レジストの厚さが１．１μｍの場合は、露光用マスク３８上でのパターンの線幅が７μｍから１５μｍまで、形成される配向規制用突起物の高さはほとんど変化しない。一方、ポジ型ノボラック系レジストの厚さが１．４μｍの場合は、露光用マスク３８上でのパターンの線幅が５μｍから１５μｍまで、線幅が広くなるとともに形成される配向規制用突起物の高さは高くなる。これにより、ポジ型ノボラック系レジストを１．４μｍの厚さに塗布すれば、露光用マスク３８上でのパターンの線幅を変えることで、高さの異なる配向規制用突起物を同一プロセスで形成できるようになる。
【００４４】
上記の方法を用いて高さの異なる配向規制用突起物を形成する工程を図１７及び図１８を用いて説明する。図１７に示すように、例えばポジ型ノボラック系レジストを厚さ１．４μｍに塗布し、レジスト層４０を形成する。次いで、突起２のパターンの線幅が例えば９μｍ、補助突起１６のパターンの線幅が例えば１５μｍとなるように形成された露光用マスク３８を用いて露光して現像し、所定の形状の熱可塑性樹脂層を形成する。次に、熱可塑性樹脂層を例えば２００℃程度で熱処理して、図１８に示すように、断面形状の幅が１０μｍ、高さが１．３μｍの突起２と、断面形状の幅が１６μｍ、高さが１．４μｍの補助突起１６とを形成する。以上説明した工程を経て、本実施例によるＣＦ基板６が完成する。
【００４５】
さらに、ドメイン規制用手段として画素電極１０上にスリット１８が形成されたアレイ基板４と、上記ＣＦ基板６との対向する面にそれぞれ垂直配向膜を形成する。その後、どちらか一方の基板にスペーサを散布し、シールを形成して両基板４、６を貼り合わせ、負の誘電率異方性を有する液晶を注入し封止することで、図１４に示した本実施例による液晶表示装置が完成する。
【００４６】
本実施例によれば、補助突起１６の断面形状において幅及び高さの両方を変化させるため、断面形状の幅のみ又は高さのみを変化させる場合と比較して、配向規制力をより効果的に強化できる。また、断面形状の異なる突起２及び補助突起１６を同一プロセスで形成しているため、コスト増にもならない。したがって、本実施例によるＶＡ型液晶表示装置では、基板上に形成した複数の配向規制用突起物による配向規制力を所定領域毎に最適にしつつ、基板表示領域全体で安定したセル厚を得ることができるので、ムラ等が少なく信頼性も高まる。そのため、輝度が高く、色変化や視野角変化のない良好な表示特性が得られる高歩留まりの液晶表示装置を実現できる。
【００４７】
（実施例１−３）
本実施例による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置について図１９乃至図２３を用いて説明する。まず、本実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の概略の構成を図１９及び図２０を用いて説明する。液晶表示装置の全体構成は、図３に示した第１の実施例と同様の構成を有するのでその説明を省略する。図１９は、本実施例による液晶表示装置用基板としてのＣＦ基板６の構成を示す平面図であり、ＣＦ基板６上のＲ、Ｇ、Ｂの３画素を示している。図２０は、図１９のＨ−Ｈ線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図１及び図４に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。図１９に示す液晶表示装置用基板は、図２０に示すように、突起２と補助突起１６の断面形状が幅と高さの両方において異なることと、柱状の樹脂スペーサ４２を有することに特徴を有している。突起２の断面形状は例えば幅１６μｍ、高さ１．５μｍであり、補助突起１６の断面形状は例えば幅８μｍ、高さ１．３μｍである。また、樹脂スペーサ４２は例えば高さ４．０μｍで形成されている。
【００４８】
図２１（ａ）は図４３（ｃ）と同様であり、補助突起１６の配向規制力が強すぎ、画素電極１０端部に図中ハッチングで示す輝度低下領域が発生している状態を示している。本実施例では、補助突起１６の断面形状は、図３１に示す従来の補助突起１１６より幅が狭く且つ高さが低く形成されているとともに、突起２の断面形状は、図３１に示す従来の突起１０２より幅が広く且つ高さが高く形成されている。このため、突起２の配向規制力を強化するとともに、画素電極１０端部での補助突起１６の配向規制力を弱くすることができ、図２１（ｂ）に示すように輝度低下領域は改善される。
【００４９】
本実施例では基板表面の凸部の相対的な面積は大きく、高さは高いものの、別途形成された樹脂スペーサが存在するために安定したセル厚を得ることができる。したがって、本実施例によるＶＡ型液晶表示装置では、基板上に形成した複数の配向規制用突起物による配向規制力を所定領域毎に最適にしつつ、基板表示領域全体で安定したセル厚を得ることができるので、ムラ等が少なく信頼性も高まる。そのため、輝度が高く、色変化や視野角変化のない良好な表示特性が得られる高歩留まりの液晶表示装置を実現できる。
【００５０】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板としてのＣＦ基板６の製造方法について図２２及び図２３を用いて説明する。本実施例によるＣＦ基板６の製造方法における共通電極１２を形成するまでの工程は、図６乃至図１０の工程断面図に示した実施例１−１によるＣＦ基板６の製造方法と同様であるので、その図示及び説明は省略する。
【００５１】
上記の方法を用いて高さの異なる配向規制用突起物を形成する工程を図２２及び図２３を用いて説明する。図２２に示すように、例えばポジ型ノボラック系レジストを厚さ１．５μｍに塗布し、レジスト層４０を形成する。次いで、突起２のパターンの線幅が例えば１５μｍとなり、補助突起１６のパターンの線幅が例えば７μｍとなるように形成された露光用マスク３８を用いて露光して現像し、所定の形状の熱可塑性樹脂層を形成する。次に、熱可塑性樹脂層を例えば２００℃程度で熱処理して、図２３に示すように、断面形状の幅が１６μｍで高さが１．５μｍの突起２と、断面形状の幅が８μｍで高さが１．３μｍの補助突起１６とを形成する。その後、例えば４．０μｍの感光性ネガ型アクリル系レジストを塗布してパターニングし、樹脂スペーサを形成する。以上説明した工程を経て、本実施例によるＣＦ基板６が完成する。
【００５２】
さらに、ドメイン規制用手段として画素電極１０上にスリット１８が形成されたアレイ基板４と、上記ＣＦ基板６との対向する面にそれぞれ垂直配向膜を形成する。その後、シールを形成して両基板４、６を貼り合わせ、負の誘電率異方性を有する液晶を注入し封止することで、図１４に示した本実施例による液晶表示装置が完成する。
【００５３】
本実施例によれば、突起２及び補助突起１６の断面形状において幅及び高さの両方を従来に比して変化させて形成するため、断面形状の幅のみあるいは高さのみを変化させる場合と比較して、配向規制力をより効果的に強化しあるいは弱くすることができる。さらに、断面形状の異なる突起２及び補助突起１６を同一プロセスで形成しているため、コスト増にもならない。
【００５４】
本発明は、上記第１の実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態においては、低反射ＣｒによりＢＭを形成しているが、本発明はこれに限らず、黒色樹脂等他の材料を用いてＢＭを形成してもよいし、カラーフィルタの形成材料を重ねてＢＭを形成してもよい。
【００５５】
また、上記実施の形態においては、ＣＦ基板６側のみに配向規制用突起物を形成しているが、本発明はこれに限らず、アレイ基板４側に配向規制用突起物を形成してもよい。また、配向規制用突起物の断面形状は幅、高さの両方を変えることでより効果的であるが、幅又は高さのどちらか一方を変えるだけでもよい。
【００５６】
さらに、上記実施の形態においては、断面形状の異なる配向規制用突起物を熱可塑性樹脂であるポジ型ノボラック系レジストを用いて形成しているが、本発明はこれに限らず、他の熱可塑性樹脂を用いて形成してもよいし、もちろんネガ型でもよい。また、上記実施の形態においては、断面形状の異なる配向規制用突起物を同一プロセスで形成しているが、別プロセスで形成してもよい。その場合、配向規制用突起物は熱可塑性樹脂以外のアクリル系、ポリイミド系等の他の材料を用いて形成してもよい。
【００５７】
また、上記実施の形態においては、カラーフィルタ形成法として顔料分散法を用いているが、本発明はこれに限らず、その他の方法でもよい。また、共通電極１２の下に透明平坦化膜を形成してもよい。
【００５８】
〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置について図２４乃至図３４を用いて説明する。
本実施の形態は、セル厚を制御する樹脂スペーサが形成された液晶表示装置用基板に関し、特に樹脂スペーサが形成されたＣＦ基板及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法に関する。
【００５９】
セル厚を制御する一般的な方法として、プラスチックビーズ等の球状スペーサを基板上に散布して対向基板と貼り合わせる方法があるが、画素内に散布された球状スペーサ近傍は配向不良の発生や光漏れによるコントラスト低下の原因となる点に課題を有している。また、基板が大型化すると球状スペーサの均一な密度での散布がより困難になるため、基板面内のセル厚のばらつきが大きくなる。またＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）等の表示モードはＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードと比べてセル厚の変動に対する輝度の変化が大きいため、より均一なセル厚の制御が必要となる。さらに高精細パネルでは１画素の面積が小さく、画素に対して相対的に球状スペーサの占める面積が大きくなり、球状スペーサの表示品質への影響がより顕著になる。
【００６０】
そこで、近年の液晶表示装置用基板の大型化やパネルの高精細化に伴い、スペーサを任意の位置に配置可能で、且つ、パネル面内のセル厚のばらつきを抑える手段として、フォトリソグラフィ技術で樹脂をパターニングする樹脂スペーサ形成方法が用いられるようになってきている。樹脂スペーサは、フォトリソグラフィ技術を用いることにより、例えばＣＦ基板上のＢＭ遮光領域に任意の配置密度で形成することが可能である。したがって、球状スペーサで問題となる画素内の配向不良や光漏れは生じない。また粒径のばらつきが生じる球状スペーサと比べて、樹脂スペーサは膜厚を均一に形成することが可能である。そのため、より均一で精度のよいセル厚の決定が可能である。これにより、球状スペーサでセル厚を決定する液晶表示装置と比較して、より高品位な液晶表示装置が製造可能となる。
【００６１】
一例として、液晶表示装置用基板としてのＣＦ基板５６上に樹脂スペーサを形成する方法について図２４乃至図２８を用いて説明する。まず、図２４に示すように、絶縁性基板であるガラス基板５０上に、Ｃｒあるいは黒色樹脂でＢＭを形成する。次に、図２５に示すように顔料分散型感光性着色樹脂等を用いてカラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂを順次形成する。次に、図２６に示すように、ＩＴＯ等の透明電極をスパッタリングして共通電極５２を形成する。次に、図２７に示すように、例えばアクリル樹脂系ネガ型感光性レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法で任意の位置、配置密度、大きさの樹脂スペーサ５４を形成する。次に、図２８に示すように、ＣＦ基板５６とアレイ基板６０のそれぞれ対向する面に配向膜６２を形成し、必要ならラビング処理を施して両基板５６、６０を貼り合わせ、液晶を注入し封止して液晶表示装置が完成する。
【００６２】
上記製造方法において、配向膜６２の形成後に樹脂スペーサ５４を形成してもよいし、カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂの形成後にアクリル樹脂やエポキシ樹脂等を用いてオーバーコート層を形成して平坦化し、その上に樹脂スペーサ５４を形成してもよい。もちろん樹脂スペーサ５４をアレイ基板６０側に形成してもよい。
【００６３】
通常、樹脂スペーサ５４は、ＢＭで遮光される位置に、基板面に垂直な方向から見て１０〜３０μｍ□（角）の寸法で４〜５μｍの膜厚に形成される。樹脂スペーサ５４の配置密度の設計においては、樹脂スペーサ５４の形成材料の圧縮変位や塑性変形量等の物性が重要である。したがって、樹脂スペーサ５４の配置密度は、液晶の熱膨張、収縮に追従できる柔らかさと、加圧に対する耐性を有する硬さとを備えるように設計される。このような配置密度で設計された樹脂スペーサ５４の基板上の画素領域に占める面積は、表示領域において概ね１％以下である。
【００６４】
樹脂スペーサ５４の形成工程は、感光性樹脂を形成材料とした場合、樹脂の塗布、露光、現像、焼成からなる。ここで塗布工程での樹脂の塗布むらで樹脂スペーサ５４に膜厚むらが生じた場合、樹脂の焼成後ではスペーサ層のみを再生することが困難なため、現像後であって焼成前にパターン検査を行う必要がある。このパターン検査は、通常、高輝度ランプ、Ｎａランプ、フレネル光等を樹脂スペーサ５４が形成された基板面に照射して、目視検査によりパターンの膜厚むらの有無を確認する。このような膜厚むらは、全面に感光性樹脂が形成されたベタ膜状態では良好に観察できるが、上述のように基板上で離散的に形成される樹脂スペーサ５４ではパターン面積が表示領域の１％以下になるため、目視で確認するのは極めて困難である。また、このような膜厚むらは樹脂スペーサ５４の焼成後も視覚的に確認することは困難であり、結局、ＣＦ基板５６とアレイ基板６０とを貼り合わせて液晶を封止した後に行うパネル表示での目視検査で初めて表示むらとして観察される。このため、樹脂スペーサ５４の膜厚むらに起因する表示不良は再生処理が不可能で、ＣＦ基板５６だけでなくアレイ基板６０やその他の部材を共に廃棄せざるを得ず余計な製造コストが生じてしまう。
【００６５】
この問題に対し本実施の形態では、感光性樹脂を塗布して樹脂スペーサ５４を形成する際、樹脂スペーサ５４とは別に複数のダミーパターンを形成するようにしている。そして、樹脂スペーサ５４とダミーパターンとの基板面に垂直な方向から見た面積の合計は、表示領域の面積の１０％以上になるようにしている。こうすることにより、塗布むら等で生じる樹脂スペーサ５４の膜厚むらが現像後であって焼成前に視覚的に確認できるようになる。焼成前に樹脂スペーサ５４の膜厚むらを発見できるようになるので、膜厚むらが確認された場合には、レジスト剥離液で樹脂スペーサ５４及びダミーパターンの形成材料である感光性樹脂のみを除去して容易に再生処理を行うことができるようになる。さらにＣＦ基板５６の製造工程で不良基板を発見できるため、障害の早期発見による製造コスト低下を実現し液晶表示装置の製造歩留りを向上させることができるようになる。
【００６６】
また、樹脂スペーサ５４を形成する際、フォトリソグラフィ工程での露光装置の解像限界近傍の寸法で露光し現像したダミーテストパターンを設けることで、触針式膜厚測定機による樹脂スペーサ５４の膜厚測定をせずに、顕微鏡によるダミーテストパターンの非接触観察だけで樹脂スペーサ５４近傍の塗布膜厚の厚薄を判別できるようになる。樹脂スペーサ５４の膜厚が基準より大きく異なる場合には、観察されるダミーテストパターンの形状差が顕著であり、比較的簡単に樹脂スペーサ５４の膜厚異常を見つけ出すことが可能になる。
【００６７】
以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について実施例２−１及び２−２を用いてより具体的に説明する。
（実施例２−１）
本実施例では樹脂スペーサをＣＦ基板上に形成する場合について、既に示した図２４乃至図２７及び新たに示す図２９乃至３１を用いて説明する。まず、図２４に示すように、ガラス基板５０上にＣｒをスパッタリング後パターニングしてＢＭを形成する。次に、図２５に示すように顔料分散型のアクリル樹脂系ネガ型カラーレジストによるカラーフィルタ形成層を順次形成してカラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂをそれぞれ１．５μｍの膜厚で形成する。このカラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂの形成の際、図２９に示すように、セル厚を決定する樹脂スペーサ５４を形成するＢＭ領域上にカラーフィルタ形成層を３層積層して樹脂スペーサ５４の形成面を形成する。樹脂スペーサ５４の形成面はアクリル樹脂系ネガ型カラーレジストのレベリング性により、画素領域内に形成されたカラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂ表面から約１．８μｍの高さに形成される。次に、図示は省略したが図２６に示したのと同様にしてスパッタリングによりＩＴＯ等の透明電極である共通電極５２を形成する。
【００６８】
その後、例えばアクリル樹脂系ネガ型レジストを用いて、図３０に示す断面図及び図３１に示す基板平面図のように、３０μｍ×３０μｍの寸法の複数の樹脂スペーサ５４（図では１個のみ図示している）をパターニングする。このパターニングの際同時に、樹脂スペーサ５４の形成材料により樹脂スペーサ５４上面より低い高さで形成され、複数の樹脂スペーサ５４の膜厚むらを確認するために用いる複数のダミーパターン６４を形成する。この例では樹脂スペーサ５４とダミーパターン６４との基板面に垂直な方向から見た面積の合計は、表示領域の面積の１２％以上である。図３１は幅Ｐｘで高さＰｙの画素（サブピクセル）を３×２＝６画素分図示している。各画素の周囲及び画素中央を横断する蓄積容量配線に対応する位置にＢＭが形成されている。本例では６画素で１つの樹脂スペーサ５４がＢＭ上に形成され、且つＢＭ上に略等間隔でマトリクス状にダミーパターン６４が配置されている。
【００６９】
図３０に示すように樹脂スペーサ５４の形成面は、カラーフィルタ形成層を積層して形成された領域の共通電極５２上面になるため、ダミーパターン６４の形成面である画素領域の共通電極５２上面より高い位置にある。セル厚を一定に保つスペーサとして機能するのは、アニール後に画素領域の共通電極５２から計った高さがｄ１＝４．０μｍで形成される樹脂スペーサ５４である。ダミーパターン６４はアニール後に画素領域の共通電極５２から計った高さがｄ２＝３．０μｍの膜厚で形成されてパネル形成後に対向基板と接しないため、セル厚を保つスペーサとしては機能しない。
【００７０】
このように、段差上に形成される樹脂スペーサ５４はダミーパターン６４より高くする必要があるため、樹脂スペーサ５４の形成に用いるレジストはレベリング性の良いものは使用しない方が望ましい。あるいは塗布後に減圧乾燥を行いレベリング性を悪くしてもよい。
【００７１】
次に検査工程に移る。上記のスペーサ形成工程により樹脂スペーサ５４及びダミーパターン６４が形成されたＣＦ基板５６を高輝度ランプ下で目視検査し、複数の樹脂スペーサ５４に膜厚むらが存在するか否かを確認する。表示領域内において樹脂スペーサ５４及びダミーパターン６４の基板面に垂直な方向から見た面積の合計は、表示領域の面積の１０％以上であるため、樹脂スペーサ５４の膜厚むらがある場合には目視で確認することができる。樹脂スペーサ５４の膜厚むらが発見された基板は、例えばレジスト剥離液を用いて樹脂スペーサ５４及びダミーパターン６４を剥離除去し、再生処理により再度樹脂スペーサ５４を形成し直すことが可能である。
【００７２】
樹脂スペーサ５４に膜厚むらが発見されなかったＣＦ基板５６はクリーンオーブンを用いて約２００℃で１時間程度焼成され、樹脂スペーサ５４が完成する。
【００７３】
このようにして形成されたＣＦ基板５６とアレイ基板６０のそれぞれ対向する面に配向膜（図示せず）を形成し、両基板５６、６０を貼り合わせたセルに液晶を封入後、偏光板を貼り付けて液晶表示装置が完成する。
【００７４】
本実施例では樹脂スペーサ５４の形成において、樹脂スペーサ５４上面より低い高さでスペーサとしては機能しないダミーパターン６４を同時に形成している。基板面に垂直な方向から見た樹脂スペーサ５４とダミーパターン６４の面積の合計は、スペーサ膜厚の膜厚むらを目視で確認できるパターン面積となっている。このため、液晶表示パネルとして組立てた後に表示不良となるような樹脂スペーサ５４の膜厚むらを樹脂スペーサ５４の露光／現像後であって焼成前に目視で確認できるようになる。なお、本実施例では樹脂スペーサ５４とダミーパターンと６４の基板面に垂直な方向から見た面積の合計が表示領域の面積の１２％としたが、望ましくは３０％以上にすることで、現像後の膜厚むらはさらに容易に確認できるようになる。
【００７５】
さらに、スペーサ膜厚の膜厚むらを樹脂スペーサ５４の焼成前に発見できるため樹脂スペーサ５４の剥離除去が可能になり、樹脂スペーサ５４剥離後の基板をスペーサ形成工程から再利用することができる。また、スペーサ膜厚むらを生じている不良ＣＦ基板５６をスペーサ形成工程以後の工程に投入してしまうことがなくなるため、セル厚不良による不良パネルの発生を防止して製造コストを抑制することができる。なお、本実施例ではＣＦ基板５６側に樹脂スペーサ５４を形成したが、アレイ基板６０側に形成してももちろんよい。
【００７６】
（実施例２−２）
本実施例も樹脂スペーサ５４をＣＦ基板５６上に形成する場合を例にとり図３２乃至図３４を用いて説明する。上記実施例２−１と同様にして、ＢＭ、カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂ、共通電極５２を形成する。カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂの形成の際、実施例２−１の図２９に示すように、セル厚を決定する樹脂スペーサ５４を形成するＢＭ領域上にカラーフィルタ形成層を３層積層して樹脂スペーサ５４の形成面を形成し、樹脂スペーサ５４の形成面を他の領域よりも高く形成する。
【００７７】
次に、ノボラック樹脂系ポジ型感光性フォトレジストを用いて、塗布膜厚３μｍでガラス基板５０上に塗布する。プロキシミティ（近接）露光法等により、図３２に示すように、複数の樹脂スペーサ５４（図では１個のみ図示している）及び複数のダミーパターン６４の露光を行うと共に、ダミーテストパターン６６のパターンを露光して現像する。図３２は、図３１と同様の図示であり、６画素で１つの樹脂スペーサ５４がＢＭ上に形成され、且つＢＭ上に略等間隔でマトリクス状にダミーパターン６４が配置されている状態を示している。さらに図３２に示すように、基板面に垂直な方向から見てダミーパターン６４より小さい面積を有し、樹脂スペーサ５４の膜厚むらの厚薄を確認するためのダミーテストパターン６６が形成されている。図３２では、基板上面から見てほぼ正方形状の４個のダミーテストパターン６６が樹脂スペーサ５４に隣接してＢＭ上に配置されている状態を示している。
【００７８】
実施例２−１の図３０に示すのと同様に、樹脂スペーサ５４の形成面は、カラーフィルタ形成層を積層して形成された領域の共通電極５２上面になるため、ダミーパターン６４の形成面である画素領域の共通電極５２上面より高い位置にある。セル厚を一定に保つスペーサとして機能するのは、アニール後に画素領域の共通電極５２から計った高さがｄ１＝４．０μｍで形成される樹脂スペーサ５４である。ダミーパターン６４はアニール後に画素領域の共通電極５２から計った高さがｄ２＝３．３μｍの膜厚に形成されてパネル形成後に対向基板と接しないため、セル厚を保つスペーサとしては機能しない。
【００７９】
次に、ダミーテストパターン６６について、図３３及び図３４を用いてより具体的に説明する。図３３は、基板上にノボラック樹脂系ポジ型感光性フォトレジストを塗布し、解像限界付近のパターン形成幅を有する露光用マスクを用いてパターンを転写して現像した後のレジストパターン（ダミーテストパターン６６）の基板面に垂直な断面での形状を示している。図３３の（Ａ）〜（Ｅ）はマスクＭ上の正方形形状のＣｒ遮光パターンを示している。遮光パターン（Ａ）の幅は８μｍであり、遮光パターン（Ｂ）の幅は６μｍであり、遮光パターン（Ｃ）の幅は４μｍであり、遮光パターン（Ｄ）の幅は３μｍであり、遮光パターン（Ｅ）の幅は２μｍである。図３３の（ａ）行はレジストの塗布膜厚がＴ＝３μｍの場合における遮光パターン（Ａ）〜（Ｅ）で形成されるダミーテストパターン６６の断面形状を示している。（ｂ）行は塗布膜厚がＴより薄い場合における遮光パターン（Ａ）〜（Ｅ）で形成されるダミーテストパターン６６の断面形状を示している。（ｃ）行は塗布膜厚がＴより厚い場合における遮光パターン（Ａ）〜（Ｅ）で形成されるダミーテストパターン６６の断面形状を示している。
図３４は、図３３に対応させたレジストパターニング後の基板面を示している。
【００８０】
図３３の遮光パターン（Ａ）〜（Ｅ）は、８μｍ〜２μｍまでパターン形成幅の寸法が変化しており、本例の露光機を用いた通常のフォトリソグラフィ条件における解像限界は約４μｍである。従って、図３３に示す各ダミーテストパターン６６は、通常のフォトリソグラフィ条件における解像限界付近のパターン形成幅を有する露光用マスクを用いて形成されている。
【００８１】
ところで、パターンの解像限界はレジスト膜厚、プリベーク条件、露光条件、現像条件によって異なる。ここで、ダミーテストパターン６６を形成するレジスト膜厚Ｔが異なる場合に、当該レジスト膜から形成されるダミーテストパターン６６が現像後にどのような形状になるか説明する。
【００８２】
図３３（ａ）行に示すように、ダミーテストパターン６６の塗布膜厚ＴがＴ＝３μｍ付近であれば、現像後のダミーテストパターン６６は、解像限界（４μｍ）以上の幅を有する遮光パターン（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）では各パターン幅に略沿った大きさに形成される。従って、図３４（ａ）に示すように、基板面に垂直な方向から見て遮光パターン（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の輪郭に略一致する大きさのダミーテストパターン６６が形成される。
【００８３】
一方、解像限界（４μｍ）より小さい幅を有する遮光パターン（Ｄ）、（Ｅ）では光の回折の影響により遮光領域も露光されてパターンが残らない。
【００８４】
次に、図３３（ｂ）行に示すように、ダミーテストパターン６６の塗布膜厚ＴがＴ＝３μｍより薄い場合について説明する。この場合の現像後のダミーテストパターン６６は、解像限界を超える幅を有する遮光パターン（Ａ）、（Ｂ）ではオーバー露光のために各遮光パターン幅よりも小さい寸法でパターニングされる。従って、図３４（ｂ）に示すように、基板面に垂直な方向から見て遮光パターン（Ａ）、（Ｂ）の輪郭より一回り小さいダミーテストパターン６６が形成される。
【００８５】
解像限界に略一致する遮光パターン（Ｃ）ではオーバー露光に加えて遮光部分も光の回折で弱く露光されるため、通常より小さな寸法と膜厚でパターニングされる。従って、図３４（ｃ）に示すように、基板面に垂直な方向から見て遮光パターン（Ｃ）の輪郭よりかなり小さな略円形状のダミーテストパターン６６が形成される。
【００８６】
一方、解像限界（４μｍ）より小さい幅を有する遮光パターン（Ｄ）、（Ｅ）では光の回折の影響により遮光領域も露光されてパターンが残らない。
【００８７】
これにより、複数の樹脂スペーサ５４の膜厚にむらがある場合において、当該膜厚むらが通常膜厚（Ｔ＝３μｍ）より薄い場合には、当該樹脂スペーサ５４近傍のダミーテストパターン６６は、基板面に垂直な方向から見て通常膜厚の場合と比べてパターンが小さくなるかあるいは消滅している。
【００８８】
次に、図３３（ｃ）行に示すように、ダミーテストパターン６６の塗布膜厚ＴがＴ＝３μｍより厚い場合について説明する。この場合の現像後のダミーテストパターン６６は、解像限界以上の幅を有する遮光パターン（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）では基本的にアンダー露光になるため、各遮光パターン幅より大きな寸法でパターニングされる。従って、図３４（ｃ）に示すように、基板面に垂直な方向から見て遮光パターン（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の輪郭より一回り大きいダミーテストパターン６６が形成される。
【００８９】
一方、解像限界より小さい幅を有する遮光パターン（Ｄ）、（Ｅ）では、通常膜厚では光の回折で露光されていた部分が必要露光量以下となるため薄い膜厚の小さなパターンが残る。
【００９０】
これにより、複数の樹脂スペーサ５４の膜厚にむらがある場合において、当該膜厚むらが通常膜厚（Ｔ＝３μｍ）より厚い場合には、当該樹脂スペーサ５４近傍のダミーテストパターン６６は、基板面に垂直な方向から見て通常膜厚の場合と比べてパターンが大きくなるか、あるいは通常膜厚で消滅しているパターンが残存するようになる。なお、レジスト膜の膜厚Ｔがさらに厚くなると、露光不足のためにパターン間にも薄膜が残るようになる。
【００９１】
以上説明したように、膜厚むらにより局所的に膜厚が変化していると、膜厚の変化に応じて樹脂スペーサ５４近傍のダミーテストパターン６６の大きさが変化する。従って、膜厚むらを生じている樹脂スペーサ５４近傍のダミーテストパターン６６を顕微鏡等により観察するだけで、通常膜厚（基準膜厚）に対する相対的な膜厚の厚薄を容易に確認することができる。特に、解像限界以下で膜厚差によるパターン形状の違いが顕著になるため、これを利用して画像処理によるスペーサ膜厚不良の自動判定をすることも可能である。
【００９２】
検査工程では、まず、スペーサ形成工程により樹脂スペーサ５４及びダミーパターン６４が形成されたＣＦ基板５６を高輝度ランプ下で目視検査し、複数の樹脂スペーサ５４に膜厚むらが存在するか否かを確認する。膜厚むらが存在する場合には、上述の顕微鏡あるいは画像処理検査装置（図示せず）により樹脂スペーサ５４近傍のダミーテストパターン６６の大きさの変化を観察して、基準膜厚に対する相対的な膜厚の厚薄を確認する。
【００９３】
樹脂スペーサ５４の膜厚むらが発見された基板は、樹脂スペーサ５４の膜厚の厚薄の確認結果を参照して、例えばレジスト剥離液を用いて樹脂スペーサ５４及びダミーパターン６４を剥離除去し、再生処理により再度樹脂スペーサ５４を形成し直す工程に移される。
樹脂スペーサ５４に膜厚むらが発見されなかったＣＦ基板５６はクリーンオーブンを用いて焼成され樹脂スペーサ５４が完成する。
【００９４】
このようにして形成されたＣＦ基板５６とアレイ基板６０のそれぞれ対向する面に配向膜（図示せず）を形成し、両基板５６、６０を貼り合わせたセルに液晶を封入後、偏光板を貼り付けて液晶表示装置が完成する。
【００９５】
本実施例によれば、樹脂スペーサ５４近傍に通常のプロセス条件において解像限界近傍のマスクパターン幅で露光してダミーテストパターン６６を設けることにより、接触式膜厚測定器などで直接膜厚を測定することなく、現像後のダミーテストパターン６６の形状から簡単に膜厚差を判別できる。樹脂スペーサ５４の膜厚と基板面に向かってみたダミーテストパターン６６の形状との関係を予め測定しておくことにより、ダミーテストパターン６６の形状から樹脂スペーサ５４の膜厚を知ることができるようになる。
【００９６】
本実施の形態によれば、樹脂スペーサ形成工程において、塗布むら等による膜厚むらが発生していても樹脂スペーサ５４の現像後に当該膜厚むらを発見できるため、樹脂スペーサ５４の剥離処理によりＣＦ基板５６の再生が可能となり、パネル歩留りを向上させて製造コストを抑制することができる。また、ダミーテストパターン６６を形成すれば、直接膜厚を測定することなく、顕微鏡等で観察するだけで膜厚の相対的な厚薄を簡単に確認することができる。
【００９７】
以上説明した第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記液晶を配向規制するために前記絶縁性基板上に形成された異なる断面形状を有する複数の配向規制用突起物と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【００９８】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板において、
前記断面形状は幅が異なること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００９９】
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示装置用基板において、
前記断面形状は高さが異なること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１００】
（付記４）
付記１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記絶縁性基板と前記配向規制用突起物との間に形成され、前記対向基板上に形成された画素電極に対向する領域に配置されたカラーフィルタを有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０１】
（付記５）
付記４記載の液晶表示装置用基板において、
前記配向規制用突起物は、前記画素電極端部に対して斜めに形成された線状の突起と、前記突起から延出し、前記画素電極一端部に沿う方向に形成された線状の補助突起とを有し、
前記突起と前記補助突起は異なる前記断面形状を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０２】
（付記６）
ほぼ直交する複数のバスラインで画定された画素領域を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して配置されたカラーフィルタ基板と、前記アレイ基板及び前記カラーフィルタ基板間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置において、
前記カラーフィルタ基板として、付記１記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。
【０１０３】
（付記７）
ほぼ直交する複数のバスラインで画定された画素領域を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して配置されたカラーフィルタ基板と、前記アレイ基板及び前記カラーフィルタ基板間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置において、
前記アレイ基板として、付記１記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。
【０１０４】
（付記８）
絶縁性基板上に熱可塑性樹脂を塗布し、パターニングして線幅の異なる複数の熱可塑性樹脂層を形成し、
前記複数の熱可塑性樹脂層を熱処理して、高さの異なる複数の配向規制用突起物を同時に形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【０１０５】
以上説明した第２の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記９）
対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成され、セル厚を決定する複数の樹脂スペーサと、
前記樹脂スペーサの形成材料により前記樹脂スペーサ上面より低い高さで前記絶縁性基板上に形成された複数のダミーパターンと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０６】
（付記１０）
付記９記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂スペーサの形成面は、前記ダミーパターンの形成面より高い位置にあること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０７】
（付記１１）
付記１０記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂スペーサの形成面は、カラーフィルタ形成層を積層して形成された領域の上面にあること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０８】
（付記１２）
付記１０記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂スペーサの形成面は、黒色樹脂により形成された領域の上面にあること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０９】
（付記１３）
付記９乃至１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記絶縁性基板上に、基板面に垂直な方向から見て前記ダミーパターンより小さい面積を有するダミーテストパターンが形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１０】
（付記１４）
付記１３記載の液晶表示装置用基板において、
前記ダミーテストパターンは、前記樹脂スペーサの形成材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１１】
（付記１５）
付記１４記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂スペーサの形成材料は、ノボラック樹脂系感光性フォトレジストであること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１２】
（付記１６）
付記１３乃至１５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記ダミーテストパターンは、解像限界付近のパターン形成幅を有する露光用マスクを用いて形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１３】
（付記１７）
付記１６記載の液晶表示装置用基板において、
前記パターン形成幅は、２μｍ以上８μｍ以下であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１４】
（付記１８）
付記９乃至１７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂スペーサと前記ダミーパターンとの基板面に垂直な方向から見た面積の合計は、表示領域の面積の１０％以上であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１５】
（付記１９）
付記９乃至１８のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記絶縁性基板と前記樹脂スペーサとの間に形成され、前記対向基板上に形成された画素電極に対向する領域に配置されたカラーフィルタと
前記絶縁性基板と前記樹脂スペーサとの間に形成され、前記画素電極に対向する領域以外の領域に形成された遮光膜と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１６】
（付記２０）
付記１９記載の液晶表示装置用基板において、
前記ダミーパターンは、前記遮光膜上に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１７】
（付記２１）
付記１９又は２０に記載の液晶表示装置用基板において、
前記ダミーテストパターンは、前記遮光膜上に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１８】
（付記２２）
ほぼ直交する複数のバスラインで画定された画素領域を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して配置され、前記画素領域毎にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板と、前記アレイ基板及び前記カラーフィルタ基板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記カラーフィルタ基板として、付記９記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。
【０１１９】
（付記２３）
ほぼ直交する複数のバスラインで画定された画素領域を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して配置され、前記画素領域毎にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板と、前記アレイ基板及び前記カラーフィルタ基板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記アレイ基板として、付記９記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。
【０１２０】
（付記２４）
絶縁性基板上に樹脂材料を塗布してパターニングし、セル厚を決定する複数の樹脂スペーサと、前記樹脂スペーサ上面より低い高さの複数のダミーパターンとを形成するスペーサ形成工程と、
前記複数のダミーパターンに光を照射して前記複数の樹脂スペーサの膜厚むらを確認する検査工程と、
対向基板と貼り合わせて両基板間に液晶を封止する液晶封止工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０１２１】
（付記２５）
付記２４記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記スペーサ形成工程は、
基板面に垂直な方向から見て前記ダミーパターンより小さい面積を有し、前記樹脂スペーサ膜厚の厚薄を確認するダミーテストパターンをさらに形成すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０１２２】
（付記２６）
付記２５記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記ダミーテストパターンは、解像限界付近のパターン形成幅を有する露光用マスクを用いて形成されること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０１２３】
（付記２７）
付記２５又は２６に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記検査工程は、前記複数のダミーパターンで確認された前記膜厚むらの厚薄をさらに確認すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０１２４】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、輝度が高く、良好な表示特性の得られる液晶表示装置及びそれに用いる基板及びその製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の基本構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の他の基本構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置の全体構成を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の効果を説明する図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２において、熱可塑性樹脂であるポジ型ノボラック系レジストを用いて配向規制用突起物を形成する際の露光用マスク上でのパターンの線幅と形成されるパターンの高さの関係を示す図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の効果を説明する図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す平面図である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す平面図である。
【図３３】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２によるダミーテストパターン６６を基板断面方向に示す図である。
【図３４】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２によるダミーテストパターン６６を基板平面方向に見た図である。
【図３５】従来の液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図３６】従来の液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図３７】従来の液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図３８】従来の液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図３９】従来の液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図４０】従来の液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図４１】従来の液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図４２】従来の液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図４３】従来の液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の有する課題を説明する図である。
【符号の説明】
２ 突起
４、６０ アレイ基板
６、５６ ＣＦ基板
８、５０ ガラス基板
１０、５８ 画素電極
１２、５２ 共通電極
１６ 補助突起
１８ スリット
２０ ＴＦＴ
２２ 蓄積容量
２４ 画素領域
２６ 表示領域
２８ ゲートバスライン駆動回路
３０ ドレインバスライン駆動回路
３２ 入力端子
３４ ドレインバスライン
３６ ゲートバスライン
３８ 露光用マスク
４０ レジスト層
４２、５４ 樹脂スペーサ
６２ 配向膜
６４ ダミーパターン
６６ ダミーテストパターン

Claims (1)

1. 絶縁性基板上に熱可塑性樹脂を塗布し、パターニングして線幅の異なる複数の熱可塑性樹脂層を形成し、
   前記複数の熱可塑性樹脂層を熱処理して、前記絶縁性基板又は前記絶縁性基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する対向基板上に形成された画素電極端部に対して斜めに形成された線状の突起と、前記突起と高さが異なり、前記突起から延出し、前記画素電極一端部に沿う方向に形成された線状の補助突起とを同時に形成し、
   前記画素電極端部で発生する電界と前記補助突起の配向規制力とをバランスさせるようにすること
   を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。

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