JP3343645B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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-
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＶ（オーディオ
ビジュアル）機器やＯＡ（オフィスオートメーション）
機器等に使用される液晶表示装置およびその製造方法に
関する。
ビジュアル）機器やＯＡ（オフィスオートメーション）
機器等に使用される液晶表示装置およびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置
は、ＴＦＴに接続された画素電極がマトリクス状に配列
されたＴＦＴ基板と対向電極が形成された対向基板との
間に液晶を封入し、シール材で封止することにより構成
される。通常の液晶表示装置に使用されるＴＦＴ基板を
図６に、対向基板を図７に示す。ＴＦＴ基板には、ガラ
ス基板１上に画素電極６がマトリクス状に配列されて画
像表示領域８が形成され、それぞれの画素電極６はゲー
トバスライン２及びソースバスライン４に接続されてい
る。又、それぞれのバスラインに信号を供給するために
ゲートドライバＧＤとソースドライバＳＤが配置されて
いる。対向基板には、少なくともガラス基板２０上の画
像表示領域８に、画素電極に対応してカラーフィルタ１
２が形成される。画像表示領域８におけるカラーフィル
タ上部には、透明導電膜によって対向電極（図示せず）
が形成され、画素電極と対向電極との電位差によって液
晶材料のスイッチングが行われる。又、図示はされてい
ないが、対向基板にはＴＦＴに入射する光を遮光する遮
光膜と画素電極の隙間からの漏れ光を遮断する遮光膜が
形成される。
は、ＴＦＴに接続された画素電極がマトリクス状に配列
されたＴＦＴ基板と対向電極が形成された対向基板との
間に液晶を封入し、シール材で封止することにより構成
される。通常の液晶表示装置に使用されるＴＦＴ基板を
図６に、対向基板を図７に示す。ＴＦＴ基板には、ガラ
ス基板１上に画素電極６がマトリクス状に配列されて画
像表示領域８が形成され、それぞれの画素電極６はゲー
トバスライン２及びソースバスライン４に接続されてい
る。又、それぞれのバスラインに信号を供給するために
ゲートドライバＧＤとソースドライバＳＤが配置されて
いる。対向基板には、少なくともガラス基板２０上の画
像表示領域８に、画素電極に対応してカラーフィルタ１
２が形成される。画像表示領域８におけるカラーフィル
タ上部には、透明導電膜によって対向電極（図示せず）
が形成され、画素電極と対向電極との電位差によって液
晶材料のスイッチングが行われる。又、図示はされてい
ないが、対向基板にはＴＦＴに入射する光を遮光する遮
光膜と画素電極の隙間からの漏れ光を遮断する遮光膜が
形成される。
【０００３】ここで、通常対向基板における画像表示領
域８の周縁部には見切り部１４が形成される。これは、
対向基板側からバックライトの光が照射されるが、この
見切り部１４が無いと光の回り込みにより画像表示領域
端部に光が照射され、この光がＴＦＴに当たってオフ特
性が悪くなり、その結果液晶表示装置の表示品位が低下
するためである。
域８の周縁部には見切り部１４が形成される。これは、
対向基板側からバックライトの光が照射されるが、この
見切り部１４が無いと光の回り込みにより画像表示領域
端部に光が照射され、この光がＴＦＴに当たってオフ特
性が悪くなり、その結果液晶表示装置の表示品位が低下
するためである。
【０００４】又、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせ
にはシール樹脂１６が用いられ、見切り部１４近傍に形
成される。シール樹脂１６には、しばしば紫外線硬化型
のものが用いられるが、この紫外線硬化型樹脂を使用し
た場合、貼り合わせ時に紫外線がＴＦＴに当たるとダメ
ージを受けて特性が劣化するので対向基板側から紫外線
が照射される。しかし、この場合、見切り部が大きく形
成されているとシール部に紫外線が当たらなくなるので
見切り部を大きく形成することができない。逆に、見切
り部が小さいとモジュールに組み込むための合わせ精度
が必要であり、この工程が煩雑なものとなってしまう。
にはシール樹脂１６が用いられ、見切り部１４近傍に形
成される。シール樹脂１６には、しばしば紫外線硬化型
のものが用いられるが、この紫外線硬化型樹脂を使用し
た場合、貼り合わせ時に紫外線がＴＦＴに当たるとダメ
ージを受けて特性が劣化するので対向基板側から紫外線
が照射される。しかし、この場合、見切り部が大きく形
成されているとシール部に紫外線が当たらなくなるので
見切り部を大きく形成することができない。逆に、見切
り部が小さいとモジュールに組み込むための合わせ精度
が必要であり、この工程が煩雑なものとなってしまう。
【０００５】この問題を解決するため、特開平６−１７
５１５７に示されるようにＴＦＴ基板側に見切り部を形
成することが考えられている。
５１５７に示されるようにＴＦＴ基板側に見切り部を形
成することが考えられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、見切り
部をＴＦＴ基板側に形成したとしても、対向基板にはカ
ラー表示をするためのカラーフィルタを形成する必要が
ある。さらに、対向基板側にカラーフィルタが形成され
ると、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせマージンは
３μｍ程度と厳しく、これを実現するためには大がかり
な貼り合わせ装置が必要となる。
部をＴＦＴ基板側に形成したとしても、対向基板にはカ
ラー表示をするためのカラーフィルタを形成する必要が
ある。さらに、対向基板側にカラーフィルタが形成され
ると、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせマージンは
３μｍ程度と厳しく、これを実現するためには大がかり
な貼り合わせ装置が必要となる。
【０００７】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであり、対向基板が簡単に作成でき、Ｔ
ＦＴ基板と対向基板との貼り合わせも容易に行うことが
できる液晶表示装置及びその製造方法に関するものであ
る。
になされたものであり、対向基板が簡単に作成でき、Ｔ
ＦＴ基板と対向基板との貼り合わせも容易に行うことが
できる液晶表示装置及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、アクティブ素
子と、該アクティブ素子に信号を供給する配線と、該ア
クティブ素子に導通された画素電極とを有し、前記画素
電極がマトリクス状に配列されて画像表示領域を構成す
る第１の絶縁性基板と、対向電極を有する第２の絶縁性
基板と、を有し、前記第１及び第２の絶縁性基板が貼り
合わされ、基板間に液晶材料が封入された液晶表示装置
において、前記第１の絶縁性基板上には少なくともカラ
ーフィルタと、前記画像表示領域周辺部に設けられた見
切り部とを有することを特徴とし、それによって上記目
的が達成される。
子と、該アクティブ素子に信号を供給する配線と、該ア
クティブ素子に導通された画素電極とを有し、前記画素
電極がマトリクス状に配列されて画像表示領域を構成す
る第１の絶縁性基板と、対向電極を有する第２の絶縁性
基板と、を有し、前記第１及び第２の絶縁性基板が貼り
合わされ、基板間に液晶材料が封入された液晶表示装置
において、前記第１の絶縁性基板上には少なくともカラ
ーフィルタと、前記画像表示領域周辺部に設けられた見
切り部とを有することを特徴とし、それによって上記目
的が達成される。
【０００９】前記アクティブ素子上部にはアクティブ素
子に入射する光を遮光する遮光膜が形成されていること
が好ましい。
子に入射する光を遮光する遮光膜が形成されていること
が好ましい。
【００１０】前記遮光膜は、見切り部と同一材料で形成
されていることが好ましい。
されていることが好ましい。
【００１１】前記遮光膜及び見切り部は、電気化学反応
により形成されたものであることが好ましい。
により形成されたものであることが好ましい。
【００１２】前記見切り部は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のカラ
ーフィルタが積層されて形成されたものであることが好
ましい。
ーフィルタが積層されて形成されたものであることが好
ましい。
【００１３】前記アクティブ素子を駆動するための駆動
回路が前記アクティブ素子と同一基板上に形成され、前
記見切り部は前記駆動回路上部にも形成されていること
が好ましい。
回路が前記アクティブ素子と同一基板上に形成され、前
記見切り部は前記駆動回路上部にも形成されていること
が好ましい。
【００１４】本発明は、アクティブ素子と、該アクティ
ブ素子に信号を供給する配線と、該アクティブ素子に導
通された画素電極とを有し、前記画素電極がマトリクス
状に配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基
板と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、第
１及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ、基板間に液晶
材料が封入された液晶表示装置の製造方法において、第
１の絶縁性基板にカラーフィルタを形成する工程と、第
１の絶縁性基板にアクティブ素子に入射する光を遮光す
る遮光膜を形成する工程と、前記画像表示領域周辺部に
見切り部を形成する工程とを含み、それによって上記目
的が達成される。
ブ素子に信号を供給する配線と、該アクティブ素子に導
通された画素電極とを有し、前記画素電極がマトリクス
状に配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基
板と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、第
１及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ、基板間に液晶
材料が封入された液晶表示装置の製造方法において、第
１の絶縁性基板にカラーフィルタを形成する工程と、第
１の絶縁性基板にアクティブ素子に入射する光を遮光す
る遮光膜を形成する工程と、前記画像表示領域周辺部に
見切り部を形成する工程とを含み、それによって上記目
的が達成される。
【００１５】前記カラーフィルタを形成する工程と、前
記画像表示領域周辺部に見切り部を形成する工程とは同
一工程であることが好ましい。
記画像表示領域周辺部に見切り部を形成する工程とは同
一工程であることが好ましい。
【００１６】前記遮光膜を形成する工程と、前記画像表
示領域周辺部に見切り部を形成する工程とは同一工程で
あることが好ましい。
示領域周辺部に見切り部を形成する工程とは同一工程で
あることが好ましい。
【００１７】前記遮光膜を形成する工程は、電気化学反
応を利用して遮光膜を形成する工程であることが好まし
い。
応を利用して遮光膜を形成する工程であることが好まし
い。
【００１８】以下、作用について説明する。
【００１９】本発明は、アクティブ素子と、該アクティ
ブ素子に信号を供給する配線と、該アクティブ素子に導
通された画素電極とを有し、前記画素電極がマトリクス
状に配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基
板と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、第
１及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ、基板間に液晶
材料が封入された液晶表示装置において、第１の絶縁性
基板上には少なくともカラーフィルタと、画像表示領域
周辺部に設けられた見切り部とを有するので、対向基板
にカラーフィルタと見切り部を形成する必要が無く、対
向基板の作成工程が簡単になる。又、第１の絶縁性基板
側にカラーフィルタが有するので第２の絶縁性基板との
貼り合わせにおいて細かい精度の貼り合わせが要求され
ない。従って、大がかりな貼り合わせ装置を必要としな
い。
ブ素子に信号を供給する配線と、該アクティブ素子に導
通された画素電極とを有し、前記画素電極がマトリクス
状に配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基
板と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、第
１及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ、基板間に液晶
材料が封入された液晶表示装置において、第１の絶縁性
基板上には少なくともカラーフィルタと、画像表示領域
周辺部に設けられた見切り部とを有するので、対向基板
にカラーフィルタと見切り部を形成する必要が無く、対
向基板の作成工程が簡単になる。又、第１の絶縁性基板
側にカラーフィルタが有するので第２の絶縁性基板との
貼り合わせにおいて細かい精度の貼り合わせが要求され
ない。従って、大がかりな貼り合わせ装置を必要としな
い。
【００２０】前記アクティブ素子上部にはアクティブ素
子に入射する光を遮光する遮光膜が形成されているの
で、対向基板には対向電極と液晶の配向を行う配向膜と
を形成しておけばよく、対向基板の作成工程が極めて簡
単になる。又、貼り合わせ工程も簡単になる。又、対向
基板に遮光膜を形成した場合には例えば３μｍの貼り合
わせマージン分大きく遮光膜を形成しておく必要があり
この分開口率が小さくなるが、本発明の構成では、こう
いったことは起こらない。
子に入射する光を遮光する遮光膜が形成されているの
で、対向基板には対向電極と液晶の配向を行う配向膜と
を形成しておけばよく、対向基板の作成工程が極めて簡
単になる。又、貼り合わせ工程も簡単になる。又、対向
基板に遮光膜を形成した場合には例えば３μｍの貼り合
わせマージン分大きく遮光膜を形成しておく必要があり
この分開口率が小さくなるが、本発明の構成では、こう
いったことは起こらない。
【００２１】前記遮光膜は、見切り部と同一材料で形成
されるので、遮光膜と見切り部の形成工程が１回で済
み、新たな工程の付加が無い。
されるので、遮光膜と見切り部の形成工程が１回で済
み、新たな工程の付加が無い。
【００２２】前記遮光膜及び見切り部は、電気化学反応
により形成されるので、簡便に遮光膜を形成でき、この
遮光膜の目視検査を行えば画像表示領域のＴＦＴの検査
も兼ねることができる。
により形成されるので、簡便に遮光膜を形成でき、この
遮光膜の目視検査を行えば画像表示領域のＴＦＴの検査
も兼ねることができる。
【００２３】前記見切り部は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のカラ
ーフィルタが積層されて形成されるので、画素電極上部
に３色のカラーフィルタを順次形成すると同時に見切り
部にも３色のカラーフィルタが順次積層されるので、新
たに見切り部を形成する工程を必要としない。
ーフィルタが積層されて形成されるので、画素電極上部
に３色のカラーフィルタを順次形成すると同時に見切り
部にも３色のカラーフィルタが順次積層されるので、新
たに見切り部を形成する工程を必要としない。
【００２４】前記アクティブ素子を駆動するための駆動
回路が前記アクティブ素子と同一基板上に形成され、前
記遮光膜は前記駆動回路上部にも形成されるので、この
遮光膜により駆動回路に入射する光を遮光できるので入
射光による駆動回路の誤動作の心配が無い。又、遮光膜
を電極上に電気化学反応により形成すれば、この電極が
駆動回路をシールドするので駆動回路からの不要な電界
が発生しない。
回路が前記アクティブ素子と同一基板上に形成され、前
記遮光膜は前記駆動回路上部にも形成されるので、この
遮光膜により駆動回路に入射する光を遮光できるので入
射光による駆動回路の誤動作の心配が無い。又、遮光膜
を電極上に電気化学反応により形成すれば、この電極が
駆動回路をシールドするので駆動回路からの不要な電界
が発生しない。
【００２５】本発明は、アクティブ素子と、前記アクテ
ィブ素子に信号を供給する配線と、前記アクティブ素子
に導通された電極とを有し、前記電極がマトリクス状に
配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基板
と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、第１
及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ、基板間に液晶材
料が封入された液晶表示装置の製造方法において、第１
の絶縁性基板にカラーフィルタを形成する工程と、第１
の絶縁性基板にアクティブ素子に入射する光を遮光する
遮光膜を形成する工程と、画像表示領域周辺部に見切り
部を形成する工程とを含むので、対向基板にカラーフィ
ルタと見切り部を形成する必要が無く、対向基板の作成
工程が簡単になる。又、第１の絶縁性基板側にカラーフ
ィルタが有するので第２の絶縁性基板との貼り合わせに
おいて細かい精度の貼り合わせが要求されない。従っ
て、大がかりな貼り合わせ装置を必要としない。
ィブ素子に信号を供給する配線と、前記アクティブ素子
に導通された電極とを有し、前記電極がマトリクス状に
配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基板
と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、第１
及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ、基板間に液晶材
料が封入された液晶表示装置の製造方法において、第１
の絶縁性基板にカラーフィルタを形成する工程と、第１
の絶縁性基板にアクティブ素子に入射する光を遮光する
遮光膜を形成する工程と、画像表示領域周辺部に見切り
部を形成する工程とを含むので、対向基板にカラーフィ
ルタと見切り部を形成する必要が無く、対向基板の作成
工程が簡単になる。又、第１の絶縁性基板側にカラーフ
ィルタが有するので第２の絶縁性基板との貼り合わせに
おいて細かい精度の貼り合わせが要求されない。従っ
て、大がかりな貼り合わせ装置を必要としない。
【００２６】前記カラーフィルタを形成する工程と、画
像表示領域周辺部に見切り部を形成する工程とは同一工
程であるので、３色のカラーフィルタの形成と同時に見
切り部が形成されるので新たな工程の付加が無い。
像表示領域周辺部に見切り部を形成する工程とは同一工
程であるので、３色のカラーフィルタの形成と同時に見
切り部が形成されるので新たな工程の付加が無い。
【００２７】前記遮光膜を形成する工程と、画像表示領
域周辺部に見切り部を形成する工程とは同一工程である
ので、遮光膜と見切り部の形成工程が１回で済み、新た
な工程の付加が無い。
域周辺部に見切り部を形成する工程とは同一工程である
ので、遮光膜と見切り部の形成工程が１回で済み、新た
な工程の付加が無い。
【００２８】前記遮光膜を形成する工程は、電気化学反
応を利用して遮光膜を形成する工程であるので、簡便に
遮光膜を形成でき、この遮光膜の目視検査を行えば画像
表示領域のＴＦＴの検査も兼ねることができる。
応を利用して遮光膜を形成する工程であるので、簡便に
遮光膜を形成でき、この遮光膜の目視検査を行えば画像
表示領域のＴＦＴの検査も兼ねることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。
に説明する。
【００３０】（実施の形態１）本発明の第１の実施形態
の液晶表示装置を図１に示す。絶縁性の例えばガラス基
板１００上に画像表示領域１０８、ゲートドライバＧ
Ｄ、ソースドライバＳＤが配置されている。ゲートドラ
イバＧＤはゲートバスライン１０２を通じて画素１０６
に走査信号を供給する。ソースドライバＳＤはソースバ
スライン１０４を通じて画素１０６にデータ信号を供給
する。画像表示領域１０８の周縁部には見切り部１１０
が形成されている。
の液晶表示装置を図１に示す。絶縁性の例えばガラス基
板１００上に画像表示領域１０８、ゲートドライバＧ
Ｄ、ソースドライバＳＤが配置されている。ゲートドラ
イバＧＤはゲートバスライン１０２を通じて画素１０６
に走査信号を供給する。ソースドライバＳＤはソースバ
スライン１０４を通じて画素１０６にデータ信号を供給
する。画像表示領域１０８の周縁部には見切り部１１０
が形成されている。
【００３１】画像表示領域１０８における画素３個分の
断面図及び見切り部１１０の断面図（図１のＡ−Ａ断面
図）を図２に示す。図２を用いて本実施形態の製造方法
を説明する。まず、絶縁性基板１００上に活性層１１２
をａ−Ｓｉもしくはｐ−Ｓｉを用いて４０ｎｍの厚さで
形成した。次に、ゲート絶縁膜１１４をＳｉＯ2 を用
い、１００ｎｍの厚さで形成した。次に、ゲート電極１
１６をＡｌもしくはｐ−Ｓｉを用いて３００ｎｍの厚さ
で形成した。次に、ゲート電極１１６をマスクとしてゲ
ート電極上方からリンイオンを導入し、活性層１１２に
おけるゲート電極の下方領域にノンドープのチャネル領
域１１３を形成し、その他の領域はイオンがドープされ
た低抵抗領域とした。次に、第１の層間絶縁膜１１８を
形成し、コンタクトホール１１９を形成した後、ソース
バスライン１２０をＡｌを用いて形成した。次に、第２
の層間絶縁膜１２２を形成し、コンタクトホール１２４
を形成した後、画素電極１２６を透明導電膜を用いて形
成した。
断面図及び見切り部１１０の断面図（図１のＡ−Ａ断面
図）を図２に示す。図２を用いて本実施形態の製造方法
を説明する。まず、絶縁性基板１００上に活性層１１２
をａ−Ｓｉもしくはｐ−Ｓｉを用いて４０ｎｍの厚さで
形成した。次に、ゲート絶縁膜１１４をＳｉＯ2 を用
い、１００ｎｍの厚さで形成した。次に、ゲート電極１
１６をＡｌもしくはｐ−Ｓｉを用いて３００ｎｍの厚さ
で形成した。次に、ゲート電極１１６をマスクとしてゲ
ート電極上方からリンイオンを導入し、活性層１１２に
おけるゲート電極の下方領域にノンドープのチャネル領
域１１３を形成し、その他の領域はイオンがドープされ
た低抵抗領域とした。次に、第１の層間絶縁膜１１８を
形成し、コンタクトホール１１９を形成した後、ソース
バスライン１２０をＡｌを用いて形成した。次に、第２
の層間絶縁膜１２２を形成し、コンタクトホール１２４
を形成した後、画素電極１２６を透明導電膜を用いて形
成した。
【００３２】次に、本実施形態においては、画素電極１
２６を利用してＲ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の
３色のカラーフィルタ１２８，１３０，１３２の形成を
行う。ここでは、以下に示すミセル電解法により、画素
電極１２６上に３色のカラーフィルタ１２８，１３０，
１３２を形成した。
２６を利用してＲ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の
３色のカラーフィルタ１２８，１３０，１３２の形成を
行う。ここでは、以下に示すミセル電解法により、画素
電極１２６上に３色のカラーフィルタ１２８，１３０，
１３２を形成した。
【００３３】まず、化１で表される化合物（ＦＰＥＧ）
の２ｍＭ水溶液に、赤色顔料（Ｌｉｔｈｏｌ Ｓｃａｒ
ｌｅｔ Ｋ３７００：ＢＡＳＦ製）を１〜２ｇ加えて分
散させ、さらに臭化リチウム（支持塩）０．１Ｍを加
え、超音波ホモジナイザで３０分間分散させ、さらにス
ターラで３日間攪拌して、赤色の着色分散液を調製し
た。同様にして、化１で表される化合物（ＦＰＥＧ）の
２ｍＭ水溶液に、緑色顔料（Ｍｅｌｉｏｇｅｎ Ｇｒｅ
ｅｎ Ｌ９３６１：ＢＡＳＦ製）を１〜２ｇ加えて分散
させ、さらに臭化リチウム（支持塩）０．１Ｍを加え、
超音波ホモジナイザで３０分間分散させ、さらにスター
ラで３日間攪拌して、緑色の着色分散液を調製した。同
様にして、化１で表される化合物（ＦＰＥＧ）の２ｍＭ
水溶液に、青色顔料（Ｍｅｌｉｏｇｅｎ Ｂｌｕｅ Ｂ
７０８０：ＢＡＳＦ製）を１〜２ｇ加えて分散させ、さ
らに臭化リチウム（支持塩）０．１Ｍを加え、超音波ホ
モジナイザで３０分間分散させ、さらにスターラで３日
間攪拌して、青色の着色分散液を調製した。このように
して、赤色、青色、緑色の着色分散液をそれぞれ別々に
作製した。
の２ｍＭ水溶液に、赤色顔料（Ｌｉｔｈｏｌ Ｓｃａｒ
ｌｅｔ Ｋ３７００：ＢＡＳＦ製）を１〜２ｇ加えて分
散させ、さらに臭化リチウム（支持塩）０．１Ｍを加
え、超音波ホモジナイザで３０分間分散させ、さらにス
ターラで３日間攪拌して、赤色の着色分散液を調製し
た。同様にして、化１で表される化合物（ＦＰＥＧ）の
２ｍＭ水溶液に、緑色顔料（Ｍｅｌｉｏｇｅｎ Ｇｒｅ
ｅｎ Ｌ９３６１：ＢＡＳＦ製）を１〜２ｇ加えて分散
させ、さらに臭化リチウム（支持塩）０．１Ｍを加え、
超音波ホモジナイザで３０分間分散させ、さらにスター
ラで３日間攪拌して、緑色の着色分散液を調製した。同
様にして、化１で表される化合物（ＦＰＥＧ）の２ｍＭ
水溶液に、青色顔料（Ｍｅｌｉｏｇｅｎ Ｂｌｕｅ Ｂ
７０８０：ＢＡＳＦ製）を１〜２ｇ加えて分散させ、さ
らに臭化リチウム（支持塩）０．１Ｍを加え、超音波ホ
モジナイザで３０分間分散させ、さらにスターラで３日
間攪拌して、青色の着色分散液を調製した。このように
して、赤色、青色、緑色の着色分散液をそれぞれ別々に
作製した。
【００３４】
【化１】
【００３５】次いで、赤色顔料分散液中に前工程で得ら
れた基板を浸漬し、赤色の着色層用電極線の電極取り出
し窓口帯を用い、赤色の画素に対応する信号ラインを電
気的に選択し、参照電極として飽和甘コウ電極および陰
極としてアルミニウム板を利用し、ミセル電解を０．５
Ｖの電圧、２５℃の温度で３０分間の条件にして行っ
た。ミセル電解の処理終了後、純水で洗浄し、１８０℃
で１時間のベーキング処理を行い、画素電極１２６上に
赤色のカラーフィルタ１２８を形成した。一旦ミセル電
解により形成された膜は、ベーキング処理を行うことに
より、導電性を失う。
れた基板を浸漬し、赤色の着色層用電極線の電極取り出
し窓口帯を用い、赤色の画素に対応する信号ラインを電
気的に選択し、参照電極として飽和甘コウ電極および陰
極としてアルミニウム板を利用し、ミセル電解を０．５
Ｖの電圧、２５℃の温度で３０分間の条件にして行っ
た。ミセル電解の処理終了後、純水で洗浄し、１８０℃
で１時間のベーキング処理を行い、画素電極１２６上に
赤色のカラーフィルタ１２８を形成した。一旦ミセル電
解により形成された膜は、ベーキング処理を行うことに
より、導電性を失う。
【００３６】さらに、同様にして、緑色顔料分散液中に
前工程で得られた基板を浸漬し、緑色の画素に対応する
信号ラインを電気的に選択し、緑色のカラーフィルタ１
３０を形成する。この時、先に形成した赤色のカラーフ
ィルタ１２８はベーキング処理により導電性を失ってい
るので、緑色のカラーフィルタ１３０が重なって付着す
ることはない。さらに同様にして、青色のカラーフィル
タ１３２を対応する画素に形成した。
前工程で得られた基板を浸漬し、緑色の画素に対応する
信号ラインを電気的に選択し、緑色のカラーフィルタ１
３０を形成する。この時、先に形成した赤色のカラーフ
ィルタ１２８はベーキング処理により導電性を失ってい
るので、緑色のカラーフィルタ１３０が重なって付着す
ることはない。さらに同様にして、青色のカラーフィル
タ１３２を対応する画素に形成した。
【００３７】ここで、各カラーフィルタの平均膜厚は、
それぞれ赤色のカラーフィルタ１２８が０．５μｍ、緑
色のカラーフィルタ１３０が０．４μｍおよび青色のカ
ラーフィルタ１３２が０．６μｍであった。
それぞれ赤色のカラーフィルタ１２８が０．５μｍ、緑
色のカラーフィルタ１３０が０．４μｍおよび青色のカ
ラーフィルタ１３２が０．６μｍであった。
【００３８】又、本実施形態においては、カラーフィル
タ１２８，１３０，１３２をミセル電解法により形成し
たが、電気化学的方法であればいずれでもよく、例えば
電着法により形成してもよい。
タ１２８，１３０，１３２をミセル電解法により形成し
たが、電気化学的方法であればいずれでもよく、例えば
電着法により形成してもよい。
【００３９】このようにして、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィ
ルタ１２８，１３０，１３２を画素電極を利用して薄膜
トランジスタと同一基板上に形成した。
ルタ１２８，１３０，１３２を画素電極を利用して薄膜
トランジスタと同一基板上に形成した。
【００４０】次に、薄膜トランジスタへの入射光及び画
素電極間からの漏れ光を遮光するための遮光膜１３４を
黒色レジストを用いて形成した。また、この遮光膜１３
４の形成と同時に見切り部１１０に黒色レジスト１３６
を形成した。
素電極間からの漏れ光を遮光するための遮光膜１３４を
黒色レジストを用いて形成した。また、この遮光膜１３
４の形成と同時に見切り部１１０に黒色レジスト１３６
を形成した。
【００４１】このように、ＴＦＴ基板側にカラーフィル
タと遮光膜と見切り部とを有するので、対向基板にそれ
らを形成する必要が無いため、対向基板には対向電極及
び配向膜を形成しておけばよく、対向基板の作成工程が
簡単になる。又、ＴＦＴ基板側にカラーフィルタを有す
るので対向基板との貼り合わせにおいて細かい精度の貼
り合わせが要求されない。従って、大がかりな貼り合わ
せ装置を必要としないので貼り合わせ工程を容易に行う
ことができる。
タと遮光膜と見切り部とを有するので、対向基板にそれ
らを形成する必要が無いため、対向基板には対向電極及
び配向膜を形成しておけばよく、対向基板の作成工程が
簡単になる。又、ＴＦＴ基板側にカラーフィルタを有す
るので対向基板との貼り合わせにおいて細かい精度の貼
り合わせが要求されない。従って、大がかりな貼り合わ
せ装置を必要としないので貼り合わせ工程を容易に行う
ことができる。
【００４２】（実施の形態２）図３は、本発明の第２の
実施形態による液晶表示装置の画素３個分の断面図及び
画像表示領域周縁部の断面図である。図３を用いて第２
の実施形態を説明する。ソースバスライン１２０を形成
し、その上部に第２の層間絶縁膜１２２を形成するまで
は実施の形態１と同様である。本実施形態においては、
コンタクトホール１２４及び１２５を形成して画素電極
１２６を形成するとともにＴＦＴ上部に遮光膜１３４を
形成するための遮光膜用電極１２７さらに見切り部１１
０に額縁形成用電極１４０を形成している。
実施形態による液晶表示装置の画素３個分の断面図及び
画像表示領域周縁部の断面図である。図３を用いて第２
の実施形態を説明する。ソースバスライン１２０を形成
し、その上部に第２の層間絶縁膜１２２を形成するまで
は実施の形態１と同様である。本実施形態においては、
コンタクトホール１２４及び１２５を形成して画素電極
１２６を形成するとともにＴＦＴ上部に遮光膜１３４を
形成するための遮光膜用電極１２７さらに見切り部１１
０に額縁形成用電極１４０を形成している。
【００４３】次に、全てのソースバスライン１２０に電
圧を印加し、遮光膜用電極１２７を利用し、電着法によ
って遮光膜１３４を形成した。ここでソースバスライン
１２０に断線があると、このソースバスライン１２０に
接続された遮光膜用電極１２７には遮光膜が形成されな
い。従って、遮光膜を検査することによりバスラインの
検査を同時に行うことができ、修正用の配線を形成して
おけば断線の修復も行うことができる。ここで、本実施
形態においては、この遮光膜の形成と同時に見切り部形
成用電極１４０に電圧を印加して見切り部形成用電極１
４０上部に遮光膜１５０を形成しこれを見切り部とし
た。このように、遮光膜と同一工程により見切り部を形
成するので、見切り部を形成するための新たな作成工程
が不要となる。
圧を印加し、遮光膜用電極１２７を利用し、電着法によ
って遮光膜１３４を形成した。ここでソースバスライン
１２０に断線があると、このソースバスライン１２０に
接続された遮光膜用電極１２７には遮光膜が形成されな
い。従って、遮光膜を検査することによりバスラインの
検査を同時に行うことができ、修正用の配線を形成して
おけば断線の修復も行うことができる。ここで、本実施
形態においては、この遮光膜の形成と同時に見切り部形
成用電極１４０に電圧を印加して見切り部形成用電極１
４０上部に遮光膜１５０を形成しこれを見切り部とし
た。このように、遮光膜と同一工程により見切り部を形
成するので、見切り部を形成するための新たな作成工程
が不要となる。
【００４４】次に、画素電極１２６を利用して実施形態
１同様にＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ１２８，１３０，
１３２を順次形成した。
１同様にＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ１２８，１３０，
１３２を順次形成した。
【００４５】このように、本実施形態においてもＴＦＴ
基板側にカラーフィルタと遮光膜と見切り部とを有する
ので、対向基板にそれらを形成する必要が無いため、対
向基板には対向電極及び配向膜を形成しておけばよく、
対向基板の作成工程が簡単になる。又、ＴＦＴ基板側に
カラーフィルタを有するので対向基板との貼り合わせに
おいて細かい精度の貼り合わせが要求されない。従っ
て、大がかりな貼り合わせ装置を必要としないので貼り
合わせ工程を容易に行うことができる。
基板側にカラーフィルタと遮光膜と見切り部とを有する
ので、対向基板にそれらを形成する必要が無いため、対
向基板には対向電極及び配向膜を形成しておけばよく、
対向基板の作成工程が簡単になる。又、ＴＦＴ基板側に
カラーフィルタを有するので対向基板との貼り合わせに
おいて細かい精度の貼り合わせが要求されない。従っ
て、大がかりな貼り合わせ装置を必要としないので貼り
合わせ工程を容易に行うことができる。
【００４６】（実施の形態３）図４は、本発明の第３の
実施形態による液晶表示装置の画素３個分の断面図及び
見切り部１１０の断面図である。図４を用いて第３の実
施形態を説明する。ソースバスライン１２０を形成し、
その上部に第２の層間絶縁膜１２２を形成し、コンタク
トホール１２４を形成するまでは実施の形態１と同様で
ある。本実施形態においては、画素電極１２６を形成す
る工程と同一工程で見切り部１１０に見切り部形成用電
極１４０を形成している。
実施形態による液晶表示装置の画素３個分の断面図及び
見切り部１１０の断面図である。図４を用いて第３の実
施形態を説明する。ソースバスライン１２０を形成し、
その上部に第２の層間絶縁膜１２２を形成し、コンタク
トホール１２４を形成するまでは実施の形態１と同様で
ある。本実施形態においては、画素電極１２６を形成す
る工程と同一工程で見切り部１１０に見切り部形成用電
極１４０を形成している。
【００４７】次に、画素電極１２６を利用して実施形態
１と同様にＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ１２８，１３
０，１３２を順次形成するが、Ｒのカラーフィルタ１２
８形成時に見切り部形成用電極１４０にも電圧を印加し
て見切り部形成用電極１４０上部にＲのカラーフィルタ
１４２を形成する。同様にして、Ｇのカラーフィルタ１
３０形成時に見切り部形成用電極１４０にも電圧を印加
して見切り部形成用電極１４０上部にＧのカラーフィル
タ１４４を形成する。又、Ｂのカラーフィルタ１３２形
成時に見切り部形成用電極１４０にも電圧を印加して見
切り部形成用電極１４０上部にＢのカラーフィルタ１４
６を形成する。
１と同様にＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ１２８，１３
０，１３２を順次形成するが、Ｒのカラーフィルタ１２
８形成時に見切り部形成用電極１４０にも電圧を印加し
て見切り部形成用電極１４０上部にＲのカラーフィルタ
１４２を形成する。同様にして、Ｇのカラーフィルタ１
３０形成時に見切り部形成用電極１４０にも電圧を印加
して見切り部形成用電極１４０上部にＧのカラーフィル
タ１４４を形成する。又、Ｂのカラーフィルタ１３２形
成時に見切り部形成用電極１４０にも電圧を印加して見
切り部形成用電極１４０上部にＢのカラーフィルタ１４
６を形成する。
【００４８】このようにして見切り部形成用電極１４０
上部は、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタが積層して黒色と
なり見切り部としての機能をもつようになる。
上部は、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタが積層して黒色と
なり見切り部としての機能をもつようになる。
【００４９】次に、薄膜トランジスタへの入射光及び画
素電極間からの漏れ光を遮光するための遮光膜１３４を
黒色レジストを用いて形成した。
素電極間からの漏れ光を遮光するための遮光膜１３４を
黒色レジストを用いて形成した。
【００５０】このように、本実施形態においてもＴＦＴ
基板側にカラーフィルタと遮光膜と見切り部とを有する
ので、対向基板にそれらを形成する必要が無いため、対
向基板には対向電極及び配向膜を形成しておけばよく、
対向基板の作成工程が簡単になる。また、ＴＦＴ基板側
にカラーフィルタを有するので対向基板との貼り合わせ
において細かい精度の貼り合わせが要求されない。従っ
て、大がかりな貼り合わせ装置を必要としないので貼り
合わせ工程を容易に行うことができる。
基板側にカラーフィルタと遮光膜と見切り部とを有する
ので、対向基板にそれらを形成する必要が無いため、対
向基板には対向電極及び配向膜を形成しておけばよく、
対向基板の作成工程が簡単になる。また、ＴＦＴ基板側
にカラーフィルタを有するので対向基板との貼り合わせ
において細かい精度の貼り合わせが要求されない。従っ
て、大がかりな貼り合わせ装置を必要としないので貼り
合わせ工程を容易に行うことができる。
【００５１】（実施の形態４）本発明の第４の実施形態
の液晶表示装置を図５に示す。絶縁性の例えばガラス基
板１００上に画像表示領域１０８、ゲートドライバＧ
Ｄ、ソースドライバＳＤが配置されている。これらのド
ライバはアクティブ素子と同一工程で形成され、同一基
板上に配置される。ゲートドライバＳＤはゲートバスラ
イン１０２を通じて画素１０６に走査信号を供給する。
ソースドライバＳＤはソースバスライン１０４を通じて
画素１０６にデータ信号を供給する。
の液晶表示装置を図５に示す。絶縁性の例えばガラス基
板１００上に画像表示領域１０８、ゲートドライバＧ
Ｄ、ソースドライバＳＤが配置されている。これらのド
ライバはアクティブ素子と同一工程で形成され、同一基
板上に配置される。ゲートドライバＳＤはゲートバスラ
イン１０２を通じて画素１０６に走査信号を供給する。
ソースドライバＳＤはソースバスライン１０４を通じて
画素１０６にデータ信号を供給する。
【００５２】画像表示領域１０８周縁部には見切り部１
１０が形成されているが、本実施形態においてはこの見
切り部をＴＦＴ基板上に形成するとともにゲートドライ
バＧＤ及びソースドライバＳＤ上部（斜線部）にも形成
している。
１０が形成されているが、本実施形態においてはこの見
切り部をＴＦＴ基板上に形成するとともにゲートドライ
バＧＤ及びソースドライバＳＤ上部（斜線部）にも形成
している。
【００５３】アクティブ素子を駆動するための駆動回路
が前記アクティブ素子と同一基板上に形成され、前記見
切り部は前記駆動回路上部にも形成されるので、この見
切り部により駆動回路に入射する光を遮光できるので入
射光による駆動回路の誤動作の心配が無い。又、実施形
態２及び実施形態３に示されるように見切り部を見切り
部形成用電極を利用して電気化学反応により形成すれ
ば、この電極が駆動回路をシールドするので駆動回路か
らの不要な電界が発生しない。
が前記アクティブ素子と同一基板上に形成され、前記見
切り部は前記駆動回路上部にも形成されるので、この見
切り部により駆動回路に入射する光を遮光できるので入
射光による駆動回路の誤動作の心配が無い。又、実施形
態２及び実施形態３に示されるように見切り部を見切り
部形成用電極を利用して電気化学反応により形成すれ
ば、この電極が駆動回路をシールドするので駆動回路か
らの不要な電界が発生しない。
【００５４】
【発明の効果】本発明は、アクティブ素子と、該アクテ
ィブ素子に信号を供給する配線と、該アクティブ素子に
導通された画素電極とを有し、該画素電極がマトリクス
状に配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基
板と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、第
１及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ、基板間に液晶
材料が封入された液晶表示装置において、第１の絶縁性
基板上には少なくともカラーフィルタと、画像表示領域
周辺部に設けられた見切り部とを有するので、対向基板
にカラーフィルタと見切り部を形成する必要が無く、対
向基板の作成工程が簡単になる。又、第１の絶縁性基板
側にカラーフィルタを有するので第２の絶縁性基板との
貼り合わせにおいて細かい精度の貼り合わせが要求され
ない。従って、大がかりな貼り合わせ装置を必要としな
い。
ィブ素子に信号を供給する配線と、該アクティブ素子に
導通された画素電極とを有し、該画素電極がマトリクス
状に配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基
板と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、第
１及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ、基板間に液晶
材料が封入された液晶表示装置において、第１の絶縁性
基板上には少なくともカラーフィルタと、画像表示領域
周辺部に設けられた見切り部とを有するので、対向基板
にカラーフィルタと見切り部を形成する必要が無く、対
向基板の作成工程が簡単になる。又、第１の絶縁性基板
側にカラーフィルタを有するので第２の絶縁性基板との
貼り合わせにおいて細かい精度の貼り合わせが要求され
ない。従って、大がかりな貼り合わせ装置を必要としな
い。
【００５５】前記アクティブ素子上部にはアクティブ素
子に入射する光を遮光する遮光膜が形成されているの
で、対向基板には対向電極と液晶の配向を行う配向膜と
を形成しておけばよく、対向基板の作成工程が極めて単
純となる。
子に入射する光を遮光する遮光膜が形成されているの
で、対向基板には対向電極と液晶の配向を行う配向膜と
を形成しておけばよく、対向基板の作成工程が極めて単
純となる。
【００５６】前記遮光膜は、見切り部と同一材料で形成
されているので、遮光膜と見切り部の形成工程が１回で
済み、新たな工程の付加が無い。
されているので、遮光膜と見切り部の形成工程が１回で
済み、新たな工程の付加が無い。
【００５７】前記遮光膜及び見切り部は、電気化学反応
により形成されたものであるため、簡便に遮光膜を形成
でき、この遮光膜の目視検査を行えば画像表示領域のＴ
ＦＴの検査も兼ねることができる。
により形成されたものであるため、簡便に遮光膜を形成
でき、この遮光膜の目視検査を行えば画像表示領域のＴ
ＦＴの検査も兼ねることができる。
【００５８】前記見切り部は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のカラ
ーフィルタが積層されて形成されたものであるため、画
素電極上部に３色のカラーフィルタを順次形成すると同
時に見切り部にも３色のカラーフィルタが順次積層され
るので、新たに見切り部を形成する工程を必要としな
い。
ーフィルタが積層されて形成されたものであるため、画
素電極上部に３色のカラーフィルタを順次形成すると同
時に見切り部にも３色のカラーフィルタが順次積層され
るので、新たに見切り部を形成する工程を必要としな
い。
【００５９】前記アクティブ素子を駆動するための駆動
回路が前記アクティブ素子と同一基板上に形成され、前
記遮光膜は前記駆動回路上部にも形成されるので、この
遮光膜により駆動回路に入射する光を遮光できるので入
射光による駆動回路の誤動作の心配が無い。又、遮光膜
を電極上に電気化学反応により形成すれば、この電極が
駆動回路をシールドするので駆動回路からの不要な電界
が発生しない。
回路が前記アクティブ素子と同一基板上に形成され、前
記遮光膜は前記駆動回路上部にも形成されるので、この
遮光膜により駆動回路に入射する光を遮光できるので入
射光による駆動回路の誤動作の心配が無い。又、遮光膜
を電極上に電気化学反応により形成すれば、この電極が
駆動回路をシールドするので駆動回路からの不要な電界
が発生しない。
【００６０】本発明は、アクティブ素子と、該アクティ
ブ素子に信号を供給する配線と、該アクティブ素子に導
通された画素電極とを有し、該画素電極がマトリクス状
に配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基板
と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、前記
第１及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ、基板間に液
晶材料が封入された液晶表示装置の製造方法において、
前記第１の絶縁性基板にカラーフィルタを形成する工程
と、前記第１の絶縁性基板にアクティブ素子に入射する
光を遮光する遮光膜を形成する工程と、画像表示領域周
辺部に見切り部を形成する工程とを含むので、対向基板
にカラーフィルタと見切り部を形成する必要が無く、対
向基板の作成工程が簡単になる。又、第１の絶縁性基板
側にカラーフィルタが有するので第２の絶縁性基板との
貼り合わせにおいて細かい精度の貼り合わせが要求され
ない。従って、大がかりな貼り合わせ装置を必要としな
い。
ブ素子に信号を供給する配線と、該アクティブ素子に導
通された画素電極とを有し、該画素電極がマトリクス状
に配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基板
と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、前記
第１及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ、基板間に液
晶材料が封入された液晶表示装置の製造方法において、
前記第１の絶縁性基板にカラーフィルタを形成する工程
と、前記第１の絶縁性基板にアクティブ素子に入射する
光を遮光する遮光膜を形成する工程と、画像表示領域周
辺部に見切り部を形成する工程とを含むので、対向基板
にカラーフィルタと見切り部を形成する必要が無く、対
向基板の作成工程が簡単になる。又、第１の絶縁性基板
側にカラーフィルタが有するので第２の絶縁性基板との
貼り合わせにおいて細かい精度の貼り合わせが要求され
ない。従って、大がかりな貼り合わせ装置を必要としな
い。
【００６１】前記カラーフィルタを形成する工程と、前
記画像表示領域周辺部に見切り部を形成する工程とは同
一工程であるので、３色のカラーフィルタの形成と同時
に見切り部が形成されるので新たな工程の付加が無い。
記画像表示領域周辺部に見切り部を形成する工程とは同
一工程であるので、３色のカラーフィルタの形成と同時
に見切り部が形成されるので新たな工程の付加が無い。
【００６２】前記遮光膜を形成する工程と、前記画像表
示領域周辺部に見切り部を形成する工程とは同一工程で
あるので、遮光膜と見切り部の形成工程が１回で済み、
新たな工程の付加が無い。
示領域周辺部に見切り部を形成する工程とは同一工程で
あるので、遮光膜と見切り部の形成工程が１回で済み、
新たな工程の付加が無い。
【００６３】前記遮光膜を形成する工程は、電気化学反
応を利用して遮光膜を形成する工程であるので、簡便に
遮光膜を形成でき、この遮光膜の目視検査を行えば画像
表示領域のＴＦＴの検査も兼ねることができる。
応を利用して遮光膜を形成する工程であるので、簡便に
遮光膜を形成でき、この遮光膜の目視検査を行えば画像
表示領域のＴＦＴの検査も兼ねることができる。
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置の平面図で
ある。
ある。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の実施形態２の液晶表示装置の要部断面
図である。
図である。
【図４】本発明の実施形態３の液晶表示装置の要部断面
図である。
図である。
【図５】本発明の実施形態４の液晶表示装置の平面図で
ある。
ある。
【図６】従来の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の平面
図である。
図である。
【図７】従来の液晶表示装置における対向基板の平面図
である。
である。
１００ ガラス基板 １０２ ゲートバスライン １０４，１２０ ソースバスライン １０６ 画素 １０８ 画像表示領域 １１０ 見切り部 １１２ 活性層 １１４ ゲート絶縁膜 １１６ ゲート電極 １１８ 第１の層間絶縁膜 １１９，１２４ コンタクトホール １２２ 第２の層間絶縁膜 １２６ 画素電極 １２８，１３０，１３２ カラーフィルタ １３４ 遮光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−146402（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−281925（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−68969（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−6532（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1335 505 G02F 1/1368 H01L 21/336 H01L 29/786
Claims (9)
- 【請求項１】 アクティブ素子と、該アクティブ素子に
信号を供給する配線と、該アクティブ素子に導通された
画素電極とを有し、該画素電極がマトリクス状に配列さ
れて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基板と、対向
電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、前記第１及び
第２の絶縁性基板が貼り合わされ基板間に液晶材料が封
入された液晶表示装置において、前記第１の絶縁性基板
上には、該画像表示領域内に形成されたカラーフィルタ
と、画像表示領域最外部の画素電極に近接して設けられ
た見切り部と、該見切り部と同一材料で形成され、該ア
クティブ素子上部に入射する光を遮光する遮光膜とを有
することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記遮光膜及び前記見切り部は電気化学
反応により形成されたものであることを特徴とする請求
項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 アクティブ素子と、該アクティブ素子に
信号を供給する配線と、該アクティブ素子に導通された
画素電極とを有し、該画素電極がマトリクス状に配列さ
れて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基板と、対向
電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、前記第１及び
第２の絶縁性基板が貼り合わされ基板間に液晶材料が封
入された液晶表示装置において、前記第１の絶縁性基板
上には、該画像表示領域内に形成されたカラーフィルタ
と、画像表示領域最外部の画素電極に近接して設けられ
た見切り部と、該アクティブ素子上部に入射する光を遮
光する遮光膜とを有し、 該カラーフィルタは、赤色のカラーフィルタと、緑色の
カラーフィルタと、青色のカラーフィルタとを含み、該
見切り部は、該赤色のカラーフィルタと該緑色のカラー
フィルタと該青色のカラーフィルタとが積層されている
ことを特徴とする液晶表示装置 。 - 【請求項４】 前記アクティブ素子を駆動するための駆
動回路が前記アクティブ素子と同一基板上に形成され、
前記見切り部は前記駆動回路上部にも形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 アクティブ素子と、前記アクティブ素子
に信号を供給する配線と、前記アクティブ素子に導通さ
れた画素電極とを有し、前記画素電極がマトリクス状に
配列されて画像表示領域を構成する第１の絶縁性基板
と、対向電極を有する第２の絶縁性基板とを有し、前記
第１及び第２の絶縁性基板が貼り合わされ基板間に液晶
材料が封入された液晶表示装置の製造方法において、該第１の絶縁性基板上に、該アクティブ素子、該配線お
よび該画素電極が形成された後に、該画像表示領域内の
画素電極上 にカラーフィルタを形成する工程と、該第１の絶縁性基板上の該画像表示領域内において 前記
アクティブ素子に入射する光を遮光する遮光膜を形成す
る工程と、該第１の絶縁性基板上の画像表示領域最外部の画素電極
に近接して 見切り部を形成する工程とを含む液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項６】 前記カラーフィルタを形成する工程と、
前記画像表示領域最外部の画素電極に近接して見切り部
を形成する工程とは同一工程であることを特徴とする請
求項５記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記遮光膜を形成する工程と、前記画像
表示領域最外部の画素電極に近接して見切り部を形成す
る工程とは同一工程であることを特徴とする請求項５記
載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記遮光膜を形成する工程は、電気化学
反応を利用して遮光膜を形成する工程であることを特徴
とする請求項７記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記カラーフィルタを形成する工程は、
赤色のカラーフィルタと、緑色のカラーフィルタと、青
色のカラーフィルタとを形成する工程であり、前記画像
表示領域最外部の画素電極に近接して見切り部を形成す
る工程は、該赤色のカラーフィルタと、該緑色のカラー
フィルタと、該青色のカラーフィルタを積層した見切り
部を形成する工程であることを特徴とする請求項６記載
の液晶表示装置の製造方法。
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| JP2002207215A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-26 | Nec Viewtechnology Ltd | 投写型液晶表示装置の液晶パネルおよびその製造方法 |
| JP3811644B2 (ja) * | 2001-12-12 | 2006-08-23 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP2003332045A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| KR20040077110A (ko) * | 2003-02-28 | 2004-09-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 컬러필터 기판 및 그 제조방법 |
| KR100945354B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2010-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화소영역외곽부에 블랙매트릭스가 형성된 ｃｏｔ구조액정표시장치 |
| US7884900B2 (en) * | 2005-05-26 | 2011-02-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display device with partition walls made of color filter layers as a dam for the light shielding material |
| JP5043415B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2012-10-10 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
| US10409102B2 (en) * | 2016-09-08 | 2019-09-10 | Japan Display Inc. | Display device |
| CN107807480B (zh) * | 2016-09-08 | 2021-04-20 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
| CN107015410B (zh) * | 2017-05-26 | 2020-04-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4538884A (en) * | 1981-07-10 | 1985-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electro-optical device and method of operating same |
| US5365357A (en) * | 1988-04-21 | 1994-11-15 | Asahi Glass Company Ltd. | Color liquid crystal display having color filters and light blocking layers in the periphery |
| KR960014823B1 (ko) * | 1991-03-15 | 1996-10-21 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 액정표시장치 |
| JP3244552B2 (ja) | 1992-12-09 | 2002-01-07 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブ・マトリックス型表示装置及びその製造方法 |
| EP0603866B1 (en) * | 1992-12-25 | 2002-07-24 | Sony Corporation | Active matrix substrate |
| JP3258128B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-02-18 | 出光興産株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
| JP3210791B2 (ja) * | 1993-11-30 | 2001-09-17 | 京セラ株式会社 | カラー液晶表示装置の製造方法 |
| JP3240858B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2001-12-25 | ソニー株式会社 | カラー表示装置 |
| JP3072829B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | カラー液晶パネル |
| US6057900A (en) * | 1995-02-09 | 2000-05-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Color liquid crystal display device and method for producing color filter substrate |
| US6081305A (en) * | 1995-05-30 | 2000-06-27 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal light valve and projection type liquid crystal display using such valve |
| TW477905B (en) * | 1995-06-14 | 2002-03-01 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device formed of high resistance black matrix with wide view angle |
| JPH0980416A (ja) * | 1995-09-13 | 1997-03-28 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP3143592B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| JP3143591B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| JPH09138390A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-05-27 | Canon Inc | 液晶表示装置 |
| JPH09105953A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| WO1997020251A1 (fr) * | 1995-11-29 | 1997-06-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Afficheur et procede de production de cet afficheur |
| JP3737176B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2006-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| KR970062775A (ko) * | 1996-02-03 | 1997-09-12 | 구자홍 | 액정표시소자의 블랙매트릭스 및 그 제조방법 |
| KR100209277B1 (ko) * | 1996-04-25 | 1999-07-15 | 구자홍 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| JPH1010516A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Nec Corp | カラー液晶表示装置 |
| US6038006A (en) * | 1996-09-02 | 2000-03-14 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device with light shield and color filter overlapping two edges of pixel electrode |
| JP3475421B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2003-12-08 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3856889B2 (ja) * | 1997-02-06 | 2006-12-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 反射型表示装置および電子デバイス |
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