JP3246374B2 - 磁気抵抗効果型素子を用いた磁気記録装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型素子を用いた磁気記録装置Info
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- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
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- Digital Magnetic Recording (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録に係り、特
に磁気抵抗効果型電磁変換素子を用いて情報を再生する
磁気記録装置に関する。
に磁気抵抗効果型電磁変換素子を用いて情報を再生する
磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気テープ装置や磁気ディスク装置で
は、情報の再生素子として、磁気抵抗効果型素子が採用
されつつある。磁気抵抗効果型素子は、記録媒体からの
漏洩磁界に対応した抵抗率変化（磁気抵抗効果）を利用
するものである。磁気抵抗効果型素子は、従来の誘導型
素子に比べると再生感度が高く、かつ、磁気テープの走
行速度や磁気ディスク媒体の回転速度に対する依存性
（周速依存性）がない。このような特性は、磁気テープ
装置の小形化や磁気ディスク装置の大容量化、テープ媒
体の高記録密度化又はディスク媒体の小径化に極めて有
効であり、現在、磁気抵抗効果型素子を搭載した磁気ヘ
ッドが急速に普及しつつある。
は、情報の再生素子として、磁気抵抗効果型素子が採用
されつつある。磁気抵抗効果型素子は、記録媒体からの
漏洩磁界に対応した抵抗率変化（磁気抵抗効果）を利用
するものである。磁気抵抗効果型素子は、従来の誘導型
素子に比べると再生感度が高く、かつ、磁気テープの走
行速度や磁気ディスク媒体の回転速度に対する依存性
（周速依存性）がない。このような特性は、磁気テープ
装置の小形化や磁気ディスク装置の大容量化、テープ媒
体の高記録密度化又はディスク媒体の小径化に極めて有
効であり、現在、磁気抵抗効果型素子を搭載した磁気ヘ
ッドが急速に普及しつつある。
【０００３】図２は、一般的に使用されている記録媒体
（磁気テープ又は磁気ディスク）と、磁気ヘッドの磁気
抵抗型素子部の構成を模式的に示したものである。磁気
抵抗効果型素子１の電極２に挟まれた領域は、ほぼ単一
磁区を形成し、かつ、記録媒体４からの漏洩磁界が無い
場合に、所定の向きに磁化されるようにバイアス磁界が
印加されている。この領域は感磁部と呼ばれ、記録媒体
４から発生する漏洩磁界６が重畳することで磁化がバイ
アス状態から回転しやすく、この回転角に応じて磁気抵
抗効果型素子１の抵抗率が変化する。
（磁気テープ又は磁気ディスク）と、磁気ヘッドの磁気
抵抗型素子部の構成を模式的に示したものである。磁気
抵抗効果型素子１の電極２に挟まれた領域は、ほぼ単一
磁区を形成し、かつ、記録媒体４からの漏洩磁界が無い
場合に、所定の向きに磁化されるようにバイアス磁界が
印加されている。この領域は感磁部と呼ばれ、記録媒体
４から発生する漏洩磁界６が重畳することで磁化がバイ
アス状態から回転しやすく、この回転角に応じて磁気抵
抗効果型素子１の抵抗率が変化する。
【０００４】従って、この領域が情報再生に有効に働
き、この領域の幅が磁気ヘッドの再生トラック幅に相当
する。磁気抵抗効果型素子１の両側にあるシールド膜３
は空間分解能を向上して、記録媒体４に高密度に情報が
記録された場合にも、各々の情報に対応する漏洩磁界６
が干渉することを防ぎ、各々の情報を区別できるように
するためのものである。
き、この領域の幅が磁気ヘッドの再生トラック幅に相当
する。磁気抵抗効果型素子１の両側にあるシールド膜３
は空間分解能を向上して、記録媒体４に高密度に情報が
記録された場合にも、各々の情報に対応する漏洩磁界６
が干渉することを防ぎ、各々の情報を区別できるように
するためのものである。
【０００５】記録媒体４からの漏洩磁界６に対応した磁
気抵抗効果型素子１の抵抗率変化は、磁気抵抗効果型素
子１にセンス電流５と呼ばれる一定電流を流した場合の
素子両端の電圧降下、又は、磁気抵抗効果型素子１に一
定電圧を印加した場合に流れるセンス電流５の変化を抽
出することで電気信号に変換できる。
気抵抗効果型素子１の抵抗率変化は、磁気抵抗効果型素
子１にセンス電流５と呼ばれる一定電流を流した場合の
素子両端の電圧降下、又は、磁気抵抗効果型素子１に一
定電圧を印加した場合に流れるセンス電流５の変化を抽
出することで電気信号に変換できる。
【０００６】磁気抵抗効果型素子用の再生回路として一
般的に使用されている回路構成の一例を、図３に示す。
この構成では、センス電流設定用の外部抵抗素子７で決
定される値の電流が、磁気抵抗効果型素子１に流れるよ
うに、素子両端の印加電圧を帰還制御する。ローパスフ
ィルターＬＰＦ８により、低い周波数応答に対してのみ
帰還が行われる。これにより、磁気抵抗効果型素子１に
は、その抵抗値に依らずに一定のセンス電流５が流れ
る。また、漏洩磁界による磁気抵抗効果型素子１の抵抗
変化に対しては、磁気抵抗効果型素子１は定電圧駆動さ
れることにより、抵抗変化に対応してセンス電流が変化
する。このセンス電流変化を負荷抵抗９で電圧変化に変
換し、再生信号として取り出す。
般的に使用されている回路構成の一例を、図３に示す。
この構成では、センス電流設定用の外部抵抗素子７で決
定される値の電流が、磁気抵抗効果型素子１に流れるよ
うに、素子両端の印加電圧を帰還制御する。ローパスフ
ィルターＬＰＦ８により、低い周波数応答に対してのみ
帰還が行われる。これにより、磁気抵抗効果型素子１に
は、その抵抗値に依らずに一定のセンス電流５が流れ
る。また、漏洩磁界による磁気抵抗効果型素子１の抵抗
変化に対しては、磁気抵抗効果型素子１は定電圧駆動さ
れることにより、抵抗変化に対応してセンス電流が変化
する。このセンス電流変化を負荷抵抗９で電圧変化に変
換し、再生信号として取り出す。
【０００７】このため、再生素子として磁気抵抗効果型
素子を用いた、例えば、磁気ディスク装置の再生チャネ
ルは、一般的に図４のブロック図に示すような構成とな
る。再生素子が磁気抵抗効果型素子であることによる再
生チャネルの特徴として、Ｒ／Ｗアンプ１０には、セン
ス電流設定用の抵抗素子７が接続される。この抵抗素子
７により設定されたセンス電流５が磁気抵抗効果型素子
１に供給されることにより、上記の原理により再生信号
を得ている。他の再生チャネル構成は、磁気抵抗効果型
素子以外の誘導型素子を用いた場合と同様である。
素子を用いた、例えば、磁気ディスク装置の再生チャネ
ルは、一般的に図４のブロック図に示すような構成とな
る。再生素子が磁気抵抗効果型素子であることによる再
生チャネルの特徴として、Ｒ／Ｗアンプ１０には、セン
ス電流設定用の抵抗素子７が接続される。この抵抗素子
７により設定されたセンス電流５が磁気抵抗効果型素子
１に供給されることにより、上記の原理により再生信号
を得ている。他の再生チャネル構成は、磁気抵抗効果型
素子以外の誘導型素子を用いた場合と同様である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、磁気抵
抗効果型素子の抵抗率変化を一定電流に対する電圧降下
の変化、又は、一定電圧に対する素子電流の変化として
検知するため、磁気抵抗効果型素子の寸法ばらつき（分
散）に起因する素子抵抗値のばらつきがあると、再生信
号振幅が大きく分散してしまう。例えば、特開平５−３
２５１１０号は磁気ディスク装置の技術を開示している
が、ＭＲヘッドの再生レベルが最大になるようにセンス
電流を制御している。そして、図１５に示すように、Ｍ
Ｒヘッドの個体差により最大の再生出力を与えるセンス
電流が異なっている。センス電流を大きくすると、磁気
抵抗効果型素子の寿命が短くなるので、センス電流は必
要以上には大きくできない。このため所定のセンス電流
の上限を設定して、当該上限値以下で使用せざるをえな
い。
抗効果型素子の抵抗率変化を一定電流に対する電圧降下
の変化、又は、一定電圧に対する素子電流の変化として
検知するため、磁気抵抗効果型素子の寸法ばらつき（分
散）に起因する素子抵抗値のばらつきがあると、再生信
号振幅が大きく分散してしまう。例えば、特開平５−３
２５１１０号は磁気ディスク装置の技術を開示している
が、ＭＲヘッドの再生レベルが最大になるようにセンス
電流を制御している。そして、図１５に示すように、Ｍ
Ｒヘッドの個体差により最大の再生出力を与えるセンス
電流が異なっている。センス電流を大きくすると、磁気
抵抗効果型素子の寿命が短くなるので、センス電流は必
要以上には大きくできない。このため所定のセンス電流
の上限を設定して、当該上限値以下で使用せざるをえな
い。
【０００９】以下の説明のため、図５に示すように磁気
抵抗効果型素子の寸法を定義する。図の下方が記録媒体
側、奥行き方向が記録トラック幅方向を示している。こ
こで、磁気抵抗効果型素子の素子高さ(ｈ)は、通常、素
子の機械加工により決まるため、加工精度により分散し
やすい。他の素子幅(ｗ)や素子厚さ(ｔ)は、通常、薄膜
プロセスにより決定される。このため、素子高さ(ｈ)の
ばらつき比率は、他の素子幅(ｗ)や素子厚さ(ｔ)のばら
つき比率に比べて大きく、その影響が現われやすくな
る。
抵抗効果型素子の寸法を定義する。図の下方が記録媒体
側、奥行き方向が記録トラック幅方向を示している。こ
こで、磁気抵抗効果型素子の素子高さ(ｈ)は、通常、素
子の機械加工により決まるため、加工精度により分散し
やすい。他の素子幅(ｗ)や素子厚さ(ｔ)は、通常、薄膜
プロセスにより決定される。このため、素子高さ(ｈ)の
ばらつき比率は、他の素子幅(ｗ)や素子厚さ(ｔ)のばら
つき比率に比べて大きく、その影響が現われやすくな
る。
【００１０】素子高さが通常よりも低い場合、素子抵抗
は大きくなるので、一定の電流を通じたときには、素子
の端子電圧に現れる再生信号の振幅は通常より大きくな
る。また、通常よりも電流密度が大きくなるため、マイ
グレーションや発熱による破壊が起こりやすくなり、寿
命の観点からは信頼性が劣化する。
は大きくなるので、一定の電流を通じたときには、素子
の端子電圧に現れる再生信号の振幅は通常より大きくな
る。また、通常よりも電流密度が大きくなるため、マイ
グレーションや発熱による破壊が起こりやすくなり、寿
命の観点からは信頼性が劣化する。
【００１１】この関係を図６を用いて説明する。図６
は、磁気抵抗効果型素子の素子高さのばらつきに起因し
て抵抗ばらつきが起こる場合を示している。磁気抵抗効
果型再生ヘッドの端子間抵抗に対して、図６上部は再生
出力の変化を示し、図６下部は磁気抵抗効果型素子の電
流密度変化を示している。
は、磁気抵抗効果型素子の素子高さのばらつきに起因し
て抵抗ばらつきが起こる場合を示している。磁気抵抗効
果型再生ヘッドの端子間抵抗に対して、図６上部は再生
出力の変化を示し、図６下部は磁気抵抗効果型素子の電
流密度変化を示している。
【００１２】磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗
は、磁気抵抗効果型素子自身の有する抵抗と電極及び配
線等の抵抗からなる。その結果、図６のような特性を示
す。図４に示すような従来の磁気ディスク装置用の再生
チャネルでは、磁気抵抗効果型素子の抵抗値に依らずに
センス電流を一定に設定する。そのため、磁気抵抗効果
型素子抵抗にばらつきがある場合、磁気抵抗効果型素子
内の電流密度もばらついてしまう。再生性能の観点から
は、できるだけ再生出力を大きくなるようにセンス電流
を大きく設定したい。しかし、図６下部に示すように、
磁気抵抗効果型素子の通電寿命の観点から電流密度の上
限を超えない範囲にセンス電流を設定する必要があっ
た。その結果、再生出力は図６上部に示す範囲でばらつ
くことになる。ここで、素子高さの高い素子は抵抗値が
小さくなるため（図５）、再生信号振幅は低くなる。
は、磁気抵抗効果型素子自身の有する抵抗と電極及び配
線等の抵抗からなる。その結果、図６のような特性を示
す。図４に示すような従来の磁気ディスク装置用の再生
チャネルでは、磁気抵抗効果型素子の抵抗値に依らずに
センス電流を一定に設定する。そのため、磁気抵抗効果
型素子抵抗にばらつきがある場合、磁気抵抗効果型素子
内の電流密度もばらついてしまう。再生性能の観点から
は、できるだけ再生出力を大きくなるようにセンス電流
を大きく設定したい。しかし、図６下部に示すように、
磁気抵抗効果型素子の通電寿命の観点から電流密度の上
限を超えない範囲にセンス電流を設定する必要があっ
た。その結果、再生出力は図６上部に示す範囲でばらつ
くことになる。ここで、素子高さの高い素子は抵抗値が
小さくなるため（図５）、再生信号振幅は低くなる。
【００１３】このように、素子高さの高い素子は、素子
自身の抵抗値が低いので再生出力が小さく、あたかも性
能が低いように見えてしまう。しかし、素子高さの高い
素子の電流密度は小さいため、電流密度の上限値を超え
ない範囲でセンス電流を大きくすれば信頼性を確保した
まま再生出力を大きくすることが可能である。即ち本願
の発明者らは、従来技術では素子高さの高い素子の性能
を十分に利用できていないことを発見した。
自身の抵抗値が低いので再生出力が小さく、あたかも性
能が低いように見えてしまう。しかし、素子高さの高い
素子の電流密度は小さいため、電流密度の上限値を超え
ない範囲でセンス電流を大きくすれば信頼性を確保した
まま再生出力を大きくすることが可能である。即ち本願
の発明者らは、従来技術では素子高さの高い素子の性能
を十分に利用できていないことを発見した。
【００１４】ここまで、素子高さのばらつきに関して述
べてきたが、素子厚さに関しても同様のことが言える。
べてきたが、素子厚さに関しても同様のことが言える。
【００１５】本発明の目的は、上記のような素子高さ、
素子厚さのばらつきに起因する、見かけ上の性能不足を
補償し、磁気抵抗効果型素子が本来持つ性能を十分に引
き出すようにした磁気記録装置を提供することにある。
素子厚さのばらつきに起因する、見かけ上の性能不足を
補償し、磁気抵抗効果型素子が本来持つ性能を十分に引
き出すようにした磁気記録装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、磁気テープ
装置、磁気ディスク装置その他磁気記録装置の磁気抵抗
効果型素子用再生回路に、少なくとも磁気抵抗効果型素
子の端子間電圧のモニタ出力手段を有するとともに、前
記の端子間電圧が所定の値に概略一致するように磁気抵
抗効果型素子に流れる電流を変更する手段を有すること
により達成される。
装置、磁気ディスク装置その他磁気記録装置の磁気抵抗
効果型素子用再生回路に、少なくとも磁気抵抗効果型素
子の端子間電圧のモニタ出力手段を有するとともに、前
記の端子間電圧が所定の値に概略一致するように磁気抵
抗効果型素子に流れる電流を変更する手段を有すること
により達成される。
【００１７】また別の手段として、上記目的は、磁気記
録装置の記録媒体に、少なくとも基準振幅信号を含むト
ラッキング情報を予め記録し、磁気抵抗効果型素子によ
り再生した前記の基準振幅信号の振幅、又は、実効値が
所定の値に概略一致するように磁気抵抗効果型素子に流
れる電流を変更する手段を有することにより達成され
る。
録装置の記録媒体に、少なくとも基準振幅信号を含むト
ラッキング情報を予め記録し、磁気抵抗効果型素子によ
り再生した前記の基準振幅信号の振幅、又は、実効値が
所定の値に概略一致するように磁気抵抗効果型素子に流
れる電流を変更する手段を有することにより達成され
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の適用対象である磁気テー
プ装置を、図１６を用いて簡単に説明する。磁気テープ
は、テープ走行系に設置された磁気ヘッドに接触又は僅
かな間隙を保って走行することにより、情報の記録又は
再生を行う。本装置では、磁気抵抗効果型素子を用いた
磁気ヘッドが、テープの幅方向ｃに沿って複数設けられ
ている。磁気テープは正方向又は逆方向に走行可能であ
り（方向ａ又は方向ｂ）、いづれの場合にも情報の記録
又は再生を行うことができる。磁気ヘッドはＲ／Ｗアン
プ１１に接続され、磁気テープから検出した微小な信号
の増幅、書込みの際の情報信号の増幅、及び本発明の実
施に際して所定の選択機能を有している。
プ装置を、図１６を用いて簡単に説明する。磁気テープ
は、テープ走行系に設置された磁気ヘッドに接触又は僅
かな間隙を保って走行することにより、情報の記録又は
再生を行う。本装置では、磁気抵抗効果型素子を用いた
磁気ヘッドが、テープの幅方向ｃに沿って複数設けられ
ている。磁気テープは正方向又は逆方向に走行可能であ
り（方向ａ又は方向ｂ）、いづれの場合にも情報の記録
又は再生を行うことができる。磁気ヘッドはＲ／Ｗアン
プ１１に接続され、磁気テープから検出した微小な信号
の増幅、書込みの際の情報信号の増幅、及び本発明の実
施に際して所定の選択機能を有している。
【００１９】次に、本発明の別の適用対象である磁気デ
ィスク装置を、図１３及び図１４を用いて説明する。磁
気ディスク装置は、密閉容器４０、磁気媒体であるディ
スク４１、ディスク４１を支持し、かつ、回転させるス
ピンドルモータ４２、ディスク４１からの情報を読み出
す磁気ヘッド及びサスペンションアームを持つヘッドア
ッセンブリ４３及びヘッドアッセンブリを支持し、か
つ、ディスク上を揺動させるピボットシャフト４４を含
むスイングアーム、スイングアームを駆動するボイスコ
イルモータ４５、それに、ディスク４１への書き込み及
びディスク４１からの読み出しを磁気ヘッドにさせる回
路５１やスピンドルモータ４２及びボイスコイルモータ
４５の作動を制御するコントローラに電気的接続を行う
印刷配線板４６を具備している。ディスク４１、スピン
ドルモータ４２、ヘッドアッセンブリ４３、印刷配線板
４６、ボイスコイルモータ４５は容器４０の内部にあ
り、容器４０によって密閉されている。
ィスク装置を、図１３及び図１４を用いて説明する。磁
気ディスク装置は、密閉容器４０、磁気媒体であるディ
スク４１、ディスク４１を支持し、かつ、回転させるス
ピンドルモータ４２、ディスク４１からの情報を読み出
す磁気ヘッド及びサスペンションアームを持つヘッドア
ッセンブリ４３及びヘッドアッセンブリを支持し、か
つ、ディスク上を揺動させるピボットシャフト４４を含
むスイングアーム、スイングアームを駆動するボイスコ
イルモータ４５、それに、ディスク４１への書き込み及
びディスク４１からの読み出しを磁気ヘッドにさせる回
路５１やスピンドルモータ４２及びボイスコイルモータ
４５の作動を制御するコントローラに電気的接続を行う
印刷配線板４６を具備している。ディスク４１、スピン
ドルモータ４２、ヘッドアッセンブリ４３、印刷配線板
４６、ボイスコイルモータ４５は容器４０の内部にあ
り、容器４０によって密閉されている。
【００２０】スピンドルモータ４２は、外周にディスク
４１を固定するハブと、ハブの内部に回転子及び固定子
を配置したインハブタイプのモーターであり、容器４０
を構成するベース部材に設置されている。ただし、イン
ハブタイプのモーターに限定されない。ディスク４１
は、磁気ディスク装置のデータ格納容量を決める重要部
品である。通常は容量に応じて、例えば、１枚から数枚
で構成される。本磁気ディスク装置では、ディスク４１
は、ディスクスペーサ４８ａ（図１４）と、交互にスピ
ンドルモータ４２のハブに挿入されている。ディスクク
ランプ４８ｂは、ディスクの積層体をスピンドルモータ
４２の軸方向に押さえることによって、ディスク４１を
スピンドルモータ４２に固定している。
４１を固定するハブと、ハブの内部に回転子及び固定子
を配置したインハブタイプのモーターであり、容器４０
を構成するベース部材に設置されている。ただし、イン
ハブタイプのモーターに限定されない。ディスク４１
は、磁気ディスク装置のデータ格納容量を決める重要部
品である。通常は容量に応じて、例えば、１枚から数枚
で構成される。本磁気ディスク装置では、ディスク４１
は、ディスクスペーサ４８ａ（図１４）と、交互にスピ
ンドルモータ４２のハブに挿入されている。ディスクク
ランプ４８ｂは、ディスクの積層体をスピンドルモータ
４２の軸方向に押さえることによって、ディスク４１を
スピンドルモータ４２に固定している。
【００２１】スイングアームは、ディスク４２の枚数に
応じて数本有り、磁気ヘッドを搭載している複数のスラ
イダ４９、サスペンションアーム５０（図１３）から構
成される。スイングアームは、ピボットシャフト４４に
より回転自在にベース部材に固定されている。磁気ヘッ
ドは、書き込みのための薄膜ヘッドと読み取りのための
磁気抵抗効果型ヘッドとを一体化したデュアルヘッドが
搭載されており、スライダ４９の各々に取付けられてい
る。
応じて数本有り、磁気ヘッドを搭載している複数のスラ
イダ４９、サスペンションアーム５０（図１３）から構
成される。スイングアームは、ピボットシャフト４４に
より回転自在にベース部材に固定されている。磁気ヘッ
ドは、書き込みのための薄膜ヘッドと読み取りのための
磁気抵抗効果型ヘッドとを一体化したデュアルヘッドが
搭載されており、スライダ４９の各々に取付けられてい
る。
【００２２】次に、本実施の態様である磁気記録装置の
再生チャネルのブロックを、図１を用いて説明する。本
再生チャネルは、少なくとも、磁気抵抗効果型素子１に
接続してセンス電流５を供給するとともに、再生出力端
子１７に、差動再生信号と、これに磁気抵抗効果型再生
ヘッドの端子間電圧を重畳して出力するＲ／Ｗアンプ１
１と、前記差動再生信号を入力する自動利得制御増幅器
（ＡＧＣアンプ）及びこれに接続された再生チャネル
（ローパスフィルタＬＰＦ、適応等価器、復号回路）
と、前記差動再生信号の直流成分を抽出するＬＰＦ１３
と、前記ＬＰＦ１３により抽出された直流成分を入力し
てディジタル信号に変換するアナログ／ディジタル変換
器１４と、前記ディジタル信号とセンス電流設定信号の
対応テーブルを予め格納したメモリ１６と、前記ディジ
タル信号を入力し、前記メモリ１６内の対応テーブルを
参照して、センス電流設定信号１８を出力するコントロ
ーラー１５と、前記センス電流設定信号１８を入力し、
センス電流５を切り替えるセンス電流設定回路１２によ
り構成される。
再生チャネルのブロックを、図１を用いて説明する。本
再生チャネルは、少なくとも、磁気抵抗効果型素子１に
接続してセンス電流５を供給するとともに、再生出力端
子１７に、差動再生信号と、これに磁気抵抗効果型再生
ヘッドの端子間電圧を重畳して出力するＲ／Ｗアンプ１
１と、前記差動再生信号を入力する自動利得制御増幅器
（ＡＧＣアンプ）及びこれに接続された再生チャネル
（ローパスフィルタＬＰＦ、適応等価器、復号回路）
と、前記差動再生信号の直流成分を抽出するＬＰＦ１３
と、前記ＬＰＦ１３により抽出された直流成分を入力し
てディジタル信号に変換するアナログ／ディジタル変換
器１４と、前記ディジタル信号とセンス電流設定信号の
対応テーブルを予め格納したメモリ１６と、前記ディジ
タル信号を入力し、前記メモリ１６内の対応テーブルを
参照して、センス電流設定信号１８を出力するコントロ
ーラー１５と、前記センス電流設定信号１８を入力し、
センス電流５を切り替えるセンス電流設定回路１２によ
り構成される。
【００２３】前記メモリ１６内の対応テーブルは、コン
トローラ１５を制御するプログラムの中に記載されてい
ても良い。この場合には、メモリ１６は不要となる。
トローラ１５を制御するプログラムの中に記載されてい
ても良い。この場合には、メモリ１６は不要となる。
【００２４】図７に、前記Ｒ／Ｗアンプの一構成例を示
す。磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧は、バッフ
ァを介してＬＰＦに入力された後に、該ＬＰＦにより高
周波を除去した端子間電圧となる。この高周波が除去さ
れた端子間電圧を基準にして、出力差動信号が出力され
る。ここで、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗の
うち、磁気抵抗効果型素子自身の抵抗値以外は、おおむ
ね一定であり、事前に測定し評価できる。この素子以外
の抵抗値とセンス電流に対応するセンス電流設定信号と
の変換テーブルが、メモリ１６（図１）に格納される。
それゆえ設定しているセンス電流値と磁気抵抗効果型再
生ヘッドの端子間抵抗から、磁気抵抗効果型素子両端の
電位差を算出できる。素子自身の両端の電位差を所定の
値にするためのセンス電流値を算出した後、センス電流
設定回路１２に送る設定信号値を求めることができる。
以上により磁気抵抗効果型素子の両端の電位差をほぼ一
定の値に設定することが可能となる。
す。磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧は、バッフ
ァを介してＬＰＦに入力された後に、該ＬＰＦにより高
周波を除去した端子間電圧となる。この高周波が除去さ
れた端子間電圧を基準にして、出力差動信号が出力され
る。ここで、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗の
うち、磁気抵抗効果型素子自身の抵抗値以外は、おおむ
ね一定であり、事前に測定し評価できる。この素子以外
の抵抗値とセンス電流に対応するセンス電流設定信号と
の変換テーブルが、メモリ１６（図１）に格納される。
それゆえ設定しているセンス電流値と磁気抵抗効果型再
生ヘッドの端子間抵抗から、磁気抵抗効果型素子両端の
電位差を算出できる。素子自身の両端の電位差を所定の
値にするためのセンス電流値を算出した後、センス電流
設定回路１２に送る設定信号値を求めることができる。
以上により磁気抵抗効果型素子の両端の電位差をほぼ一
定の値に設定することが可能となる。
【００２５】次に、本実施の態様の効果を説明する。従
来の再生チャネルにより、センス電流を一定値に設定し
た場合、磁気抵抗効果型再生ヘッド６００ユニットの再
生出力を、図８に示す。横軸は各磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの端子間抵抗（素子自身の端子間抵抗ではない）で
あり、最大２７Ωまで分散している。ここではセンス電
流は１１ＭＡ(メガアンペア)に固定されている。この電
流値は、ヘッドに流す最大電流密度（概略、２０ＭＡ／
平方ｃｍ）以下に設定するという制約から決められてい
る。
来の再生チャネルにより、センス電流を一定値に設定し
た場合、磁気抵抗効果型再生ヘッド６００ユニットの再
生出力を、図８に示す。横軸は各磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの端子間抵抗（素子自身の端子間抵抗ではない）で
あり、最大２７Ωまで分散している。ここではセンス電
流は１１ＭＡ(メガアンペア)に固定されている。この電
流値は、ヘッドに流す最大電流密度（概略、２０ＭＡ／
平方ｃｍ）以下に設定するという制約から決められてい
る。
【００２６】この結果、再生出力は４００μＶｐｐから
７００μＶｐｐの範囲（より図８に則して表現すれば、
３５０μＶｐｐから７５０μＶｐｐの範囲）で分散し、
このときの磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧は、
最大で２９７ｍＶにまで達する。図８の特性は、図６に
示すような直線的な相関を示していないが、これはヘッ
ドの浮上量ばらつきや素子幅ばらつき、素子感度ばらつ
き等を含むためである。しかしながら、概略右上がりの
相関があることを示しており、前述したような、素子高
さ及び素子厚さのばらつきの影響が大きいことを示して
いる。
７００μＶｐｐの範囲（より図８に則して表現すれば、
３５０μＶｐｐから７５０μＶｐｐの範囲）で分散し、
このときの磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧は、
最大で２９７ｍＶにまで達する。図８の特性は、図６に
示すような直線的な相関を示していないが、これはヘッ
ドの浮上量ばらつきや素子幅ばらつき、素子感度ばらつ
き等を含むためである。しかしながら、概略右上がりの
相関があることを示しており、前述したような、素子高
さ及び素子厚さのばらつきの影響が大きいことを示して
いる。
【００２７】一方、本発明により、センス電流を制御し
た再生出力を、図９に示す。ここでは、図８の例と同様
に最大電流密度を２０ＭＡ(メガアンペア)／平方ｃｍに
制限し、また、センス電流の切り替えは８段階とした。
た再生出力を、図９に示す。ここでは、図８の例と同様
に最大電流密度を２０ＭＡ(メガアンペア)／平方ｃｍに
制限し、また、センス電流の切り替えは８段階とした。
【００２８】制御目標とするセンス電流値の設定方法に
ついて、図１０を用いて説明する。まず、磁気抵抗効果
型再生ヘッドの端子間抵抗のうち、磁気抵抗効果型素子
自身の抵抗以外の抵抗分は、ヘッド単品の測定及び評価
から、ほぼ５Ωであることが分かっている。このため、
センス電流を１１ＭＡに固定した上記の従来例では、磁
気抵抗効果型素子自身の両端の電位差が、最大２４２ｍ
Ｖに達する。
ついて、図１０を用いて説明する。まず、磁気抵抗効果
型再生ヘッドの端子間抵抗のうち、磁気抵抗効果型素子
自身の抵抗以外の抵抗分は、ヘッド単品の測定及び評価
から、ほぼ５Ωであることが分かっている。このため、
センス電流を１１ＭＡに固定した上記の従来例では、磁
気抵抗効果型素子自身の両端の電位差が、最大２４２ｍ
Ｖに達する。
【００２９】従って、磁気抵抗効果型素子自身の両端の
電位差が、２４２ｍＶを越えない範囲でセンス電流を増
加しても、磁気抵抗効果型素子の電流密度は従来例と同
程度に抑えられ、通電寿命等の信頼性も従来例と同程度
に確保できる。
電位差が、２４２ｍＶを越えない範囲でセンス電流を増
加しても、磁気抵抗効果型素子の電流密度は従来例と同
程度に抑えられ、通電寿命等の信頼性も従来例と同程度
に確保できる。
【００３０】図１０に示す×印は、各磁気効果型再生ヘ
ッドにおける磁気抵抗効果型素子自身の両端の電位差
が、前記の２４２ｍＶにほぼ一致すると推定されるセン
ス電流値をプロットしたものである。横軸は、磁気抵抗
効果型再生ヘッドの端子間電圧Ｖを、端子間電圧測定時
のセンス電流Ｉｓで規格化して表示した値（Ｖ／Ｉｓ）
である。また横軸は、アナログ／ディジタル変換器１４
（図１）の出力であるディジタル信号と、センス電流設
定値とからディスクコントローラー１５が評価可能な値
に対応している。
ッドにおける磁気抵抗効果型素子自身の両端の電位差
が、前記の２４２ｍＶにほぼ一致すると推定されるセン
ス電流値をプロットしたものである。横軸は、磁気抵抗
効果型再生ヘッドの端子間電圧Ｖを、端子間電圧測定時
のセンス電流Ｉｓで規格化して表示した値（Ｖ／Ｉｓ）
である。また横軸は、アナログ／ディジタル変換器１４
（図１）の出力であるディジタル信号と、センス電流設
定値とからディスクコントローラー１５が評価可能な値
に対応している。
【００３１】制御目標とするセンス電流値は、図１０の
×印を上回らないように実線で示すように決定する。こ
の結果、磁気抵抗効果型素子の通電寿命等の信頼性を維
持したまま、再生感度を向上できる。図１７に示す変換
テーブルは図１０から作成され、これに相当するデータ
がメモリ１６（図１）に格納される。ディスクコントロ
ーラー１５は、センス電流設定信号１８を、センス電流
設定回路１２に送り、図１０に示す関係のセンス電流の
切り換えを達成する。
×印を上回らないように実線で示すように決定する。こ
の結果、磁気抵抗効果型素子の通電寿命等の信頼性を維
持したまま、再生感度を向上できる。図１７に示す変換
テーブルは図１０から作成され、これに相当するデータ
がメモリ１６（図１）に格納される。ディスクコントロ
ーラー１５は、センス電流設定信号１８を、センス電流
設定回路１２に送り、図１０に示す関係のセンス電流の
切り換えを達成する。
【００３２】本発明では、図９に示すように、再生出力
は４８０μＶｐｐから８００μＶｐｐの範囲（より図９
に則して表現すれば、４２０μＶｐｐから８００μＶｐ
ｐの範囲）で分散することが分かる。図８の従来例に比
べて、本発明では分散の下限出力を約２０％増加できる
とともに、再生出力の分散全体を減少できた。この結
果、磁気ディスク装置、磁気テープ装置その他磁気記録
装置の完成品を輩出する割合が向上できた。
は４８０μＶｐｐから８００μＶｐｐの範囲（より図９
に則して表現すれば、４２０μＶｐｐから８００μＶｐ
ｐの範囲）で分散することが分かる。図８の従来例に比
べて、本発明では分散の下限出力を約２０％増加できる
とともに、再生出力の分散全体を減少できた。この結
果、磁気ディスク装置、磁気テープ装置その他磁気記録
装置の完成品を輩出する割合が向上できた。
【００３３】以上のように、本実施の態様によれば、磁
気抵抗効果型素子のセンス電流を、従来のセンス電流の
最大電流密度と同等レベルに保つことができ、素子の通
電寿命等の信頼性を低下することなく、再生出力を約２
０％増加することができる。これにより磁気記録再生の
信号のＳ／Ｎ比を向上できるので、磁気記録装置の全体
の性能を向上できる。
気抵抗効果型素子のセンス電流を、従来のセンス電流の
最大電流密度と同等レベルに保つことができ、素子の通
電寿命等の信頼性を低下することなく、再生出力を約２
０％増加することができる。これにより磁気記録再生の
信号のＳ／Ｎ比を向上できるので、磁気記録装置の全体
の性能を向上できる。
【００３４】なお本実施の態様においては、磁気抵抗効
果型再生ヘッドの端子間電圧の違いを評価した結果に基
づいてセンス電流を切り替え、再生感度ばらつきを低減
することが本質であり、必ずしも最大電流密度が同等レ
ベルになるようにセンス電流を切り替える必要はない。
果型再生ヘッドの端子間電圧の違いを評価した結果に基
づいてセンス電流を切り替え、再生感度ばらつきを低減
することが本質であり、必ずしも最大電流密度が同等レ
ベルになるようにセンス電流を切り替える必要はない。
【００３５】本実施の態様のセンス電流設定回路１２
は、Ｒ／Ｗアンプ１１に内蔵されていてもよい。また、
ＬＰＦ１３やＡＤＣ１４が他の機能ブロックとともにＲ
／ＷチャネルＩＣ若しくはコントローラー１５に内蔵さ
れていてもよい。
は、Ｒ／Ｗアンプ１１に内蔵されていてもよい。また、
ＬＰＦ１３やＡＤＣ１４が他の機能ブロックとともにＲ
／ＷチャネルＩＣ若しくはコントローラー１５に内蔵さ
れていてもよい。
【００３６】また、本実施の態様のＲ／Ｗアンプ１１
は、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧を再生出力
端子１７に重畳せずに、別の端子を設けて出力し、直
接、ＡＤＣ１４に入力しても良い。この場合にはＬＰＦ
１３は不要となる。
は、磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧を再生出力
端子１７に重畳せずに、別の端子を設けて出力し、直
接、ＡＤＣ１４に入力しても良い。この場合にはＬＰＦ
１３は不要となる。
【００３７】磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間電圧
は、常時監視する必要は無く、ヘッド毎又はシリンダ位
置毎の評価を装置起動の際に実施し、メモリ１６に格納
しておいてもよい。更には、磁気ディスク装置の出荷前
に係る評価を実施し、磁気ディスク媒体上に記録してお
き、装置起動の際に読み出してメモリ１６に格納しても
よい。
は、常時監視する必要は無く、ヘッド毎又はシリンダ位
置毎の評価を装置起動の際に実施し、メモリ１６に格納
しておいてもよい。更には、磁気ディスク装置の出荷前
に係る評価を実施し、磁気ディスク媒体上に記録してお
き、装置起動の際に読み出してメモリ１６に格納しても
よい。
【００３８】次に、本発明の第２の実施の態様について
説明する。図８に示したように、センス電流が一定の場
合、再生出力は磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗
と相関がある。このように相関があることから、ヘッド
端子間抵抗値のモニタとして、再生出力を用いることが
可能となる。再生出力に基づきセンス電流を制御した第
２の実施の態様を、図１１を用いて説明する。再生チャ
ネルは、少なくとも磁気抵抗効果型素子１に接続してセ
ンス電流５を供給するとともに、再生出力端子１７に差
動再生信号を出力するＲ／Ｗアンプ１０と、前記の差動
再生信号を入力するＡＧＣアンプとこれに接続された通
常の再生チャネル（ローパスフィルタ、適応等価回路及
び復号回路）と、前記の差動再生信号１７とサーボゲー
ト信号及びサーボＡＧＣホールド信号２１を入力して、
サーボ基準振幅信号の振幅又は実効値の評価値を出力す
る振幅評価回路１９と、前記の振幅評価回路１９により
抽出されたサーボ信号基準振幅評価値を入力して、ディ
ジタル信号に変換するアナログ／ディジタル変換器ＡＤ
Ｃ１４と、前記ディジタル信号とセンス電流設定信号の
対応テーブルを予め格納したメモリ１６と、前記ディジ
タル信号を入力して、前記対応テーブルを参照して、セ
ンス電流設定信号１８を出力するディスクコントローラ
ー２０と、前記センス電流設定信号１８を入力してセン
ス電流を切り替えるセンス電流設定回路１２により構成
される。
説明する。図８に示したように、センス電流が一定の場
合、再生出力は磁気抵抗効果型再生ヘッドの端子間抵抗
と相関がある。このように相関があることから、ヘッド
端子間抵抗値のモニタとして、再生出力を用いることが
可能となる。再生出力に基づきセンス電流を制御した第
２の実施の態様を、図１１を用いて説明する。再生チャ
ネルは、少なくとも磁気抵抗効果型素子１に接続してセ
ンス電流５を供給するとともに、再生出力端子１７に差
動再生信号を出力するＲ／Ｗアンプ１０と、前記の差動
再生信号を入力するＡＧＣアンプとこれに接続された通
常の再生チャネル（ローパスフィルタ、適応等価回路及
び復号回路）と、前記の差動再生信号１７とサーボゲー
ト信号及びサーボＡＧＣホールド信号２１を入力して、
サーボ基準振幅信号の振幅又は実効値の評価値を出力す
る振幅評価回路１９と、前記の振幅評価回路１９により
抽出されたサーボ信号基準振幅評価値を入力して、ディ
ジタル信号に変換するアナログ／ディジタル変換器ＡＤ
Ｃ１４と、前記ディジタル信号とセンス電流設定信号の
対応テーブルを予め格納したメモリ１６と、前記ディジ
タル信号を入力して、前記対応テーブルを参照して、セ
ンス電流設定信号１８を出力するディスクコントローラ
ー２０と、前記センス電流設定信号１８を入力してセン
ス電流を切り替えるセンス電流設定回路１２により構成
される。
【００３９】第１の実施の態様と同様に、前記メモリ１
６内の対応テーブルは、コントローラ２０を制御するプ
ログラムの中に記載されていても良い。この場合には、
メモリ１６は不要となる。
６内の対応テーブルは、コントローラ２０を制御するプ
ログラムの中に記載されていても良い。この場合には、
メモリ１６は不要となる。
【００４０】磁気記録媒体には、予めサーボトラックの
ようなトラッキング情報が記録されており、前記のトラ
ッキング情報には、少なくとも基準振幅信号を含んでい
る。図１１の構成により、前記の基準振幅信号の振幅又
は実効値が、振幅評価回路１９により評価される。ここ
で、振幅評価回路１９をピークホールド回路により構成
すれば、振幅評価回路１９は前記基準振幅信号の振幅を
評価することができる。また、振幅評価回路１９を全波
整流と積分回路で構成すれば、その実効値を予め定めた
基準値と比較することで、実効値的な評価をすることが
できる。
ようなトラッキング情報が記録されており、前記のトラ
ッキング情報には、少なくとも基準振幅信号を含んでい
る。図１１の構成により、前記の基準振幅信号の振幅又
は実効値が、振幅評価回路１９により評価される。ここ
で、振幅評価回路１９をピークホールド回路により構成
すれば、振幅評価回路１９は前記基準振幅信号の振幅を
評価することができる。また、振幅評価回路１９を全波
整流と積分回路で構成すれば、その実効値を予め定めた
基準値と比較することで、実効値的な評価をすることが
できる。
【００４１】ピークホールド回路により構成された振幅
評価回路１９の構成及びタイミングの一例を、図１２に
示す。サーボ部の再生信号（図１２-（ａ））には、基
準振幅信号が含まれており、振幅評価回路１９に含まれ
る全波整流回路２２に入力されて、全波整流波形（図１
２-（ｂ））に変換され、ピークホールド回路２３に送
られる。ピークホールド回路２３は、サーボゲート信号
とサーボＡＧＣホールド信号２１（図１２-（ｃ））の
タイミングを利用して基準振幅信号区間のピークホール
ド波形（図１２-（ｄ））を生成して出力する。このピ
ークホールド波形はＡＤＣ１４を介して、前記サーボＡ
ＧＣホールド信号の立ち上がりタイミングでサンプリン
グされてディスクコントローラー２０（図１１）に取り
込まれる。これ以降の処理は、前記第１の実施の態様と
同様である。
評価回路１９の構成及びタイミングの一例を、図１２に
示す。サーボ部の再生信号（図１２-（ａ））には、基
準振幅信号が含まれており、振幅評価回路１９に含まれ
る全波整流回路２２に入力されて、全波整流波形（図１
２-（ｂ））に変換され、ピークホールド回路２３に送
られる。ピークホールド回路２３は、サーボゲート信号
とサーボＡＧＣホールド信号２１（図１２-（ｃ））の
タイミングを利用して基準振幅信号区間のピークホール
ド波形（図１２-（ｄ））を生成して出力する。このピ
ークホールド波形はＡＤＣ１４を介して、前記サーボＡ
ＧＣホールド信号の立ち上がりタイミングでサンプリン
グされてディスクコントローラー２０（図１１）に取り
込まれる。これ以降の処理は、前記第１の実施の態様と
同様である。
【００４２】以上のように、トラッキング情報に含まれ
る基準振幅信号の振幅又は実効値の評価値を用いること
により、データの再生状態又は磁気ヘッドを移動する際
の磁気記録装置の動作状態に依らず、第１の実施の態様
と同様の制御を行うことが可能となる。
る基準振幅信号の振幅又は実効値の評価値を用いること
により、データの再生状態又は磁気ヘッドを移動する際
の磁気記録装置の動作状態に依らず、第１の実施の態様
と同様の制御を行うことが可能となる。
【００４３】
【発明の効果】磁気記録装置に用いられる磁気抵抗効果
型素子において、素子高さその他の素子形状の分散に起
因する、見かけの性能劣化（再生出力の低下）を軽減し
て、磁気抵抗効果型素子が本来持つ性能を引き出すこと
ができるため、磁気記録装置の性能を向上できる。
型素子において、素子高さその他の素子形状の分散に起
因する、見かけの性能劣化（再生出力の低下）を軽減し
て、磁気抵抗効果型素子が本来持つ性能を引き出すこと
ができるため、磁気記録装置の性能を向上できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す磁気記録装置の再
生チャネルのブロック図である。
生チャネルのブロック図である。
【図２】磁気ヘッドにおける磁気抵抗効果型素子部分の
構成を示す模式図である。
構成を示す模式図である。
【図３】従来の磁気抵抗効果型素子用再生回路を示す図
である。
である。
【図４】従来の磁気記録装置（磁気ディスク装置）の再
生チャネルのブロック図を示す図である。
生チャネルのブロック図を示す図である。
【図５】磁気抵抗効果型素子の寸法の定義を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図６】磁気抵抗効果型素子の素子高さのばらつきに起
因する、再生ヘッド端子間抵抗と再生出力、電流密度の
関係を示す概念図である。
因する、再生ヘッド端子間抵抗と再生出力、電流密度の
関係を示す概念図である。
【図７】本発明に係る磁気抵抗効果型素子用再生回路の
一構成例を示す図である。
一構成例を示す図である。
【図８】従来技術によりセンス電流を一定にした場合の
再生出力ばらつきを示す図である。
再生出力ばらつきを示す図である。
【図９】本発明の第１の実施の態様により、センス電流
を制御した場合の再生出力ばらつきを示す図である。
を制御した場合の再生出力ばらつきを示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施の態様におけるセンス電
流の制御値の決定方法を示す図である。
流の制御値の決定方法を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施の態様における、磁気記
録装置の再生チャネルの機能ブロックを示す図である。
録装置の再生チャネルの機能ブロックを示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施の態様における振幅評価
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１３】本発明の適用対象である磁気ディスク装置の
平面図である。
平面図である。
【図１４】図１３の磁気ディスク装置の側面図である。
【図１５】磁気抵抗効果型素子を用いた磁気ヘッドにお
いて、ヘッドの出力が最大となるような、従来のセンス
電流制御を説明するための図である。
いて、ヘッドの出力が最大となるような、従来のセンス
電流制御を説明するための図である。
【図１６】本発明の適用対象である磁気テープ装置の斜
視図である。
視図である。
【図１７】本発明の第１の実施の態様におけるセンス電
流設定テーブルである。
流設定テーブルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−131612（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−325110（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/02 G11B 5/31 - 5/39
Claims (8)
- 【請求項１】磁性膜を形成してなる記録媒体と、該記録
媒体に対向して配置された１つの磁気抵抗効果型素子
と、該素子１つに対して複数のセンス電流候補から１つ
のセンス電流を流し、かつ、該素子の抵抗変化を電気的
な再生信号出力に変換する電子回路とを含んで成る磁気
記録装置。 - 【請求項２】磁性膜を形成してなる記録媒体と、該記録
媒体に対向して配置された１つの磁気抵抗効果型素子
と、該素子１つに対して複数のセンス電流候補から１つ
のセンス電流を流し、かつ、該素子の抵抗変化を電気的
な再生信号出力に変換する電子回路と、前記素子の端子
間電圧の振幅信号を検出し、かつ、該振幅信号に対応し
た制御信号を出力する制御回路を有し、該制御回路の出
力により、前記複数のセンス電流候補から１つのセンス
電流を選ぶ磁気記録装置。 - 【請求項３】請求項２記載の磁気記録装置において、制
御回路は、前記振幅信号であって予め定めた値とこれに
対応する制御信号の対応関係を、プログラム中に記載し
ている磁気記録装置。 - 【請求項４】磁性膜を形成してなる記録媒体と、該記録
媒体に対向して配置された１つの磁気抵抗効果型素子
と、該素子１つに対して複数のセンス電流候補から１つ
のセンス電流を流し、かつ、該素子の抵抗変化を電気的
な再生信号出力に変換する電子回路と、前記素子の端子
間電圧の振幅信号であって予め定めた値とこれに対応す
る制御信号の対応関係を記憶するメモリと、前記素子の
端子間電圧の振幅信号を検出し、かつ、該振幅信号に対
応した制御信号を出力する制御回路とを有し、該制御回
路は、前記メモリの対応関係に基づいて、前記複数のセ
ンス電流候補から１つのセンス電流を選ぶ磁気記録装
置。 - 【請求項５】請求項２、請求項３又は請求項４記載の磁
気記録装置において、前記振幅信号は前記素子の端子間
電圧の直流成分である磁気記録装置。 - 【請求項６】請求項２、請求項３又は請求項４記載の磁
気記録装置において、更に、前記記録媒体は予め基準振
幅信号を有し、前記制御回路は該基準振幅信号の振幅又
は実効値を評価する振幅評価回路を有する磁気記録装
置。 - 【請求項７】請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４、請求項５又は請求項６記載の磁気記録装置におい
て、前記磁気記録装置は、磁気ディスク装置である磁気
記録装置。 - 【請求項８】請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４、請求項５又は請求項６記載の磁気記録装置におい
て、前記磁気記録装置は、磁気テープ装置である磁気記
録装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00357597A JP3246374B2 (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | 磁気抵抗効果型素子を用いた磁気記録装置 |
| EP98300151A EP0853310B1 (en) | 1997-01-13 | 1998-01-09 | Magnetic storage apparatus using a magnetoresistive element |
| US09/005,008 US6111715A (en) | 1997-01-13 | 1998-01-09 | Storage apparatus using a magnetoresistive head that employs a sense current selected from plural predetermined sense currents |
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