JP3129373B2 - 排気ガス浄化用触媒 - Google Patents
排気ガス浄化用触媒Info
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- JP3129373B2 JP3129373B2 JP06007667A JP766794A JP3129373B2 JP 3129373 B2 JP3129373 B2 JP 3129373B2 JP 06007667 A JP06007667 A JP 06007667A JP 766794 A JP766794 A JP 766794A JP 3129373 B2 JP3129373 B2 JP 3129373B2
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- chloride
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は窒素酸化物（以下、ＮＯ
ｘと略す）、一酸化炭素（ＣＯ）、炭化水素（以下、Ｈ
Ｃと略す）を含有する排気ガスを浄化する触媒に関する
ものである。
ｘと略す）、一酸化炭素（ＣＯ）、炭化水素（以下、Ｈ
Ｃと略す）を含有する排気ガスを浄化する触媒に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】自動車等の排ガス処理においては、排ガ
ス中のＣＯ、ＨＣを利用して、アルミナを担体とした貴
金属系の触媒をを用いて浄化するのが一般的であるが、
理論空燃比付近の極めて狭い範囲でしかＮＯｘは浄化さ
れない。近年、地球環境問題の高まりの中で自動車の低
燃費化の要求は強く理論空燃比以上で燃焼させるリーン
バーンエンジンがキーテクノロジーとして注目されてい
る。ただし、自動車の走行性、加速性を考慮に入れると
リーン領域のみのエンジンは不具合点が多く、実際は理
論空燃比（ストイキオ）付近、リーン領域の双方で燃焼
を行わせる必要がある。最近、リーン領域のＮＯｘの浄
化に関してはコバルト又は銅を含有した結晶性シリケー
ト触媒が高性能を有する触媒として脚光をあびている。
ス中のＣＯ、ＨＣを利用して、アルミナを担体とした貴
金属系の触媒をを用いて浄化するのが一般的であるが、
理論空燃比付近の極めて狭い範囲でしかＮＯｘは浄化さ
れない。近年、地球環境問題の高まりの中で自動車の低
燃費化の要求は強く理論空燃比以上で燃焼させるリーン
バーンエンジンがキーテクノロジーとして注目されてい
る。ただし、自動車の走行性、加速性を考慮に入れると
リーン領域のみのエンジンは不具合点が多く、実際は理
論空燃比（ストイキオ）付近、リーン領域の双方で燃焼
を行わせる必要がある。最近、リーン領域のＮＯｘの浄
化に関してはコバルト又は銅を含有した結晶性シリケー
ト触媒が高性能を有する触媒として脚光をあびている。
【０００３】これらの触媒は反応初期においては十分な
性能を有するが、耐久性において問題点が生じており、
これまで耐久性を向上させるために種々の結晶性シリケ
ートの改良が検討されている。例えば、結晶性シリケー
トの主要な構成元素であるアルミニウムの脱離を防い
で、コバルト又は銅の安定性を図るために結晶格子中に
VIII族元素や希土類元素（特願平３−１６５８１６号公
報）、さらにアルカリ土類金属（特願平３−３１９１９
５号）を添加させた新規なシリケートを用いる方法が提
案されている。加えて、アルミニウムの脱離を促進する
スチームの進入を防ぐため、結晶性シリケートの表層に
疎水性のシリカライトを結晶成長させ、耐スチーム性を
向上させた結晶性シリケートの適用も検討されている
（特願平３−１９２８２９号）。
性能を有するが、耐久性において問題点が生じており、
これまで耐久性を向上させるために種々の結晶性シリケ
ートの改良が検討されている。例えば、結晶性シリケー
トの主要な構成元素であるアルミニウムの脱離を防い
で、コバルト又は銅の安定性を図るために結晶格子中に
VIII族元素や希土類元素（特願平３−１６５８１６号公
報）、さらにアルカリ土類金属（特願平３−３１９１９
５号）を添加させた新規なシリケートを用いる方法が提
案されている。加えて、アルミニウムの脱離を促進する
スチームの進入を防ぐため、結晶性シリケートの表層に
疎水性のシリカライトを結晶成長させ、耐スチーム性を
向上させた結晶性シリケートの適用も検討されている
（特願平３−１９２８２９号）。
【０００４】しかし、これらの触媒を用いることにより
リーン雰囲気での耐久性は飛躍的に向上したが、加速す
る場合、ガス温度が瞬時に高温になり、かつ、この時の
ガス組成は水素等の還元剤が過剰に存在するリッチ雰囲
気になる。この条件においては、上記改良型結晶性シリ
ケートを適用しても触媒の劣化を防ぐことができないた
め、高温リッチ雰囲気の触媒の耐久性向上がこれらの触
媒の実用化上の大きな課題となっている。
リーン雰囲気での耐久性は飛躍的に向上したが、加速す
る場合、ガス温度が瞬時に高温になり、かつ、この時の
ガス組成は水素等の還元剤が過剰に存在するリッチ雰囲
気になる。この条件においては、上記改良型結晶性シリ
ケートを適用しても触媒の劣化を防ぐことができないた
め、高温リッチ雰囲気の触媒の耐久性向上がこれらの触
媒の実用化上の大きな課題となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記問題点は銅やコバ
ルトを活性金属として用いる限りは避けられない。すな
わち、７００℃以上の高温では卑金属元素は全てシンタ
リングを起こし凝集してしまうからである。そのため、
開発した結晶性シリケートを用いてリーン雰囲気で脱硝
活性を有する卑金属以外の金属を用いることができれ
ば、耐久性は十分保証され、実用化へ大きく前進すると
考えられる。
ルトを活性金属として用いる限りは避けられない。すな
わち、７００℃以上の高温では卑金属元素は全てシンタ
リングを起こし凝集してしまうからである。そのため、
開発した結晶性シリケートを用いてリーン雰囲気で脱硝
活性を有する卑金属以外の金属を用いることができれ
ば、耐久性は十分保証され、実用化へ大きく前進すると
考えられる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは従
来触媒の不具合点を克服するため鋭意検討を行った結果
白金族元素を担持した結晶性シリケート触媒がリーン雰
囲気において脱硝性能を有し、かつ、リッチ条件の高温
雰囲気でもほとんど劣化しない触媒であることを見い出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
来触媒の不具合点を克服するため鋭意検討を行った結果
白金族元素を担持した結晶性シリケート触媒がリーン雰
囲気において脱硝性能を有し、かつ、リッチ条件の高温
雰囲気でもほとんど劣化しない触媒であることを見い出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明は（１）表Ａで示される
Ｘ線回折パターンを有し、脱水された状態において酸化
物のモル比で表わして（１±0.8 ）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ
3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2（上記式
中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イオン、Ｍ
はVIII族元素、希土類元素、チタン、バナジウム、クロ
ム、ニオブ、アンチモン及びガリウムからなる群より選
ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′はマグネ
シウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムのアル
カリ土類金属イオン、ａ＞０、２０＞ｂ＞０、ａ＋ｃ＝
１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する結晶性シ
リケートに、白金族元素（ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、オスミウム、イリジウム、白金）を少なくとも
１種以上担持させてなることを特徴とする排気ガス浄化
用触媒、（２）上記（１）記載の結晶性シリケートが、
予め合成した結晶性シリケートを母結晶とし、その母結
晶の外表面に母結晶と同一の結晶構造を有するＳｉとＯ
よりなる結晶性シリケートを成長させた層状複合結晶性
シリケートであることを特徴とする上記（１）記載の排
気ガス浄化用触媒、（３）白金族元素がイリジウムであ
ることを特徴とする上記（１）又は（２）記載の排気ガ
ス浄化用触媒、（４）上記（１）又は（２）記載の結晶
性シリケートに、イリジウムとさらに、チタン、ジルコ
ニウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、亜鉛、アル
ミニウム、スズ、ニッケル、銅、カルシウム、マグネシ
ウム、ランタン、ストロンチウム及びバリウムよりなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の金属を共存させて
なることを特徴とする上記（１）又は（２）記載の排気
ガス浄化用触媒、である。
Ｘ線回折パターンを有し、脱水された状態において酸化
物のモル比で表わして（１±0.8 ）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ
3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2（上記式
中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イオン、Ｍ
はVIII族元素、希土類元素、チタン、バナジウム、クロ
ム、ニオブ、アンチモン及びガリウムからなる群より選
ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′はマグネ
シウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムのアル
カリ土類金属イオン、ａ＞０、２０＞ｂ＞０、ａ＋ｃ＝
１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する結晶性シ
リケートに、白金族元素（ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、オスミウム、イリジウム、白金）を少なくとも
１種以上担持させてなることを特徴とする排気ガス浄化
用触媒、（２）上記（１）記載の結晶性シリケートが、
予め合成した結晶性シリケートを母結晶とし、その母結
晶の外表面に母結晶と同一の結晶構造を有するＳｉとＯ
よりなる結晶性シリケートを成長させた層状複合結晶性
シリケートであることを特徴とする上記（１）記載の排
気ガス浄化用触媒、（３）白金族元素がイリジウムであ
ることを特徴とする上記（１）又は（２）記載の排気ガ
ス浄化用触媒、（４）上記（１）又は（２）記載の結晶
性シリケートに、イリジウムとさらに、チタン、ジルコ
ニウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、亜鉛、アル
ミニウム、スズ、ニッケル、銅、カルシウム、マグネシ
ウム、ランタン、ストロンチウム及びバリウムよりなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の金属を共存させて
なることを特徴とする上記（１）又は（２）記載の排気
ガス浄化用触媒、である。
【０００８】
【作用】通常、白金族元素を担持した本発明で使用する
結晶性シリケートを用いて、ＮＯｘ、ＣＯ、ＨＣを含有
する排気ガスを浄化する浄化反応式は下記のとおりであ
る。
結晶性シリケートを用いて、ＮＯｘ、ＣＯ、ＨＣを含有
する排気ガスを浄化する浄化反応式は下記のとおりであ
る。
【０００９】
【化１】 ＊１）炭化水素（ＨＣ）の例としてＣ3 Ｈ6 を代表とし
て示した。 ＊２）含酸素炭化水素の例としてＣＨ2 Ｏを代表として
示した。 上記反応式において、（１）はＨＣの活性化、（２）は
ＨＣの燃焼、（３）は脱硝反応、（４）はＣＯの燃焼を
意味している。
て示した。 ＊２）含酸素炭化水素の例としてＣＨ2 Ｏを代表として
示した。 上記反応式において、（１）はＨＣの活性化、（２）は
ＨＣの燃焼、（３）は脱硝反応、（４）はＣＯの燃焼を
意味している。
【００１０】白金族元素（ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、オスミウム、イリジウム、白金）を担持した結
晶性シリケート触媒はいずれも上記反応により脱硝反応
が進むが、とりわけイリジウム担持結晶性シリケート触
媒が２５０℃〜５００℃において高い脱硝性能を有す
る。またイリジウムにチタン、ジルコニウム、クロム、
マンガン、鉄、コバルト、亜鉛、アルミニウム、スズ、
ニッケル、銅、カルシウム、マグネシウム、ストロンチ
ウム及びバリウムよりなる群から少なくとも１種以上の
金属を添加共存させても同様に高い脱硝活性を有する。
上記触媒は、７００℃以上の高温リーン又はリッチ雰囲
気に長時間さらされても上記ｋ1 ，ｋ2 ，ｋ3 及びｋ4
の反応速度定数はほとんど変化せず、耐久性を有する触
媒であることを見い出している。
ジウム、オスミウム、イリジウム、白金）を担持した結
晶性シリケート触媒はいずれも上記反応により脱硝反応
が進むが、とりわけイリジウム担持結晶性シリケート触
媒が２５０℃〜５００℃において高い脱硝性能を有す
る。またイリジウムにチタン、ジルコニウム、クロム、
マンガン、鉄、コバルト、亜鉛、アルミニウム、スズ、
ニッケル、銅、カルシウム、マグネシウム、ストロンチ
ウム及びバリウムよりなる群から少なくとも１種以上の
金属を添加共存させても同様に高い脱硝活性を有する。
上記触媒は、７００℃以上の高温リーン又はリッチ雰囲
気に長時間さらされても上記ｋ1 ，ｋ2 ，ｋ3 及びｋ4
の反応速度定数はほとんど変化せず、耐久性を有する触
媒であることを見い出している。
【００１１】本発明において使用される結晶性シリケー
トは下記表Ａに示されるＸ線回折パターンを有し、脱水
された状態において酸化物のモル比で表わして（１±0.
8 ）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡｌ2 Ｏ3 〕
・ｙＳｉＯ2（上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び
／又は水素イオン、ＭはVIII族元素、希土類元素、チタ
ン、バナジウム、クロム、ニオブ、アンチモン及びガリ
ウムからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の元素
イオン、Ｍ′はマグネシウム、カルシウム、ストロンチ
ウム、バリウムのアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２
０＞ｂ＞０、ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化
学式を有するものである。
トは下記表Ａに示されるＸ線回折パターンを有し、脱水
された状態において酸化物のモル比で表わして（１±0.
8 ）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡｌ2 Ｏ3 〕
・ｙＳｉＯ2（上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び
／又は水素イオン、ＭはVIII族元素、希土類元素、チタ
ン、バナジウム、クロム、ニオブ、アンチモン及びガリ
ウムからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の元素
イオン、Ｍ′はマグネシウム、カルシウム、ストロンチ
ウム、バリウムのアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２
０＞ｂ＞０、ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化
学式を有するものである。
【００１２】また上記結晶性シリケートが予め合成した
結晶性シリケートを母結晶とし、その母結晶の外表面に
母結晶と同一の結晶構造を有するＳｉとＯよりなる結晶
性シリケートを成長させた層状複合結晶性シリケートを
使用してもよい。この層状複合結晶性シリケートは外表
面に成長したＳｉとＯよりなる結晶性シリケート（シリ
カライトと呼ぶ）の疎水性作用により、Ｈ2 Ｏだけが該
結晶性シリケート内部まで浸透しにくくなり、触媒の反
応活性点の回りにはＨ2 Ｏの濃度が低くなる効果を有
し、脱メタル作用を抑制する作用を奏する。そのため、
高温スチーム雰囲気においても結晶性シリケートの構造
は維持されており、白金族元素に対する担体効果は保持
されているので、触媒劣化はほとんどない。
結晶性シリケートを母結晶とし、その母結晶の外表面に
母結晶と同一の結晶構造を有するＳｉとＯよりなる結晶
性シリケートを成長させた層状複合結晶性シリケートを
使用してもよい。この層状複合結晶性シリケートは外表
面に成長したＳｉとＯよりなる結晶性シリケート（シリ
カライトと呼ぶ）の疎水性作用により、Ｈ2 Ｏだけが該
結晶性シリケート内部まで浸透しにくくなり、触媒の反
応活性点の回りにはＨ2 Ｏの濃度が低くなる効果を有
し、脱メタル作用を抑制する作用を奏する。そのため、
高温スチーム雰囲気においても結晶性シリケートの構造
は維持されており、白金族元素に対する担体効果は保持
されているので、触媒劣化はほとんどない。
【００１３】すなわち、従来のアルミナ担体等と異な
り、本発明で使用する結晶性シリケート上においてのみ
白金族元素の分散性がいかなる条件においても、均一に
保持されており、シンタリング等の現象は認められな
い。
り、本発明で使用する結晶性シリケート上においてのみ
白金族元素の分散性がいかなる条件においても、均一に
保持されており、シンタリング等の現象は認められな
い。
【００１４】
【表２】
【００１５】本発明触媒は上記結晶性シリケートに白金
族元素の金属塩の水溶液に浸漬し、イオン交換法又は含
浸法にて担持する方法があげられる。また、イリジウム
を担持する方法もイオン交換法、含浸法があげられ、他
の化金属との共担持においても同様な方法が可能であ
る。
族元素の金属塩の水溶液に浸漬し、イオン交換法又は含
浸法にて担持する方法があげられる。また、イリジウム
を担持する方法もイオン交換法、含浸法があげられ、他
の化金属との共担持においても同様な方法が可能であ
る。
【００１６】また、担持する白金族元素は０．００２ｗ
ｔ％以上で十分に活性を発現し、好ましくは０．０２ｗ
ｔ％以上で高い活性を有する。以後、本発明を実施例に
て詳述する。
ｔ％以上で十分に活性を発現し、好ましくは０．０２ｗ
ｔ％以上で高い活性を有する。以後、本発明を実施例に
て詳述する。
【００１７】
（実施例１） 〇（母結晶１の合成）水ガラス１号（ＳｉＯ2 ：３０
％）：５６１６ｇを水：５４２９ｇに溶解し、この溶液
を溶液Ａとする。一方、水：４１７５ｇに硫酸アルミニ
ウム：７１８．９ｇ、塩化第二鉄：１１０ｇ、酢酸カル
シウム：４７．２ｇ、塩化ナトリウム：２６２ｇ、濃塩
酸：２０２０ｇを溶解し、この溶液を溶液Ｂとする。溶
液Ａと溶液Ｂを一定割合で供給し、沈殿を生成させ、十
分攪拌してｐＨ＝８．０のスラリを得る。このスラリを
２０リットルのオートクレーブに仕込み、さらにテトラ
プロピルアンモニウムブロマイドを５００ｇ添加し、１
６０℃にて７２時間水熱合成を行い、合成後水洗して乾
燥させ、さらに５００℃、３時間焼成させ結晶性シリケ
ート１を得る。この結晶性シリケート１は酸化物のモル
比で（結晶水を省く）下記の組成式で表され、結晶構造
はＸ線回折で前記表Ａにて表示されるものである。 ０．５Ｎａ2 Ｏ・０．５Ｈ2 Ｏ・〔０．８Ａｌ2 Ｏ3 ・
０．２Ｆｅ2 Ｏ3 ・０．２５ＣａＯ〕・２５ＳｉＯ2
％）：５６１６ｇを水：５４２９ｇに溶解し、この溶液
を溶液Ａとする。一方、水：４１７５ｇに硫酸アルミニ
ウム：７１８．９ｇ、塩化第二鉄：１１０ｇ、酢酸カル
シウム：４７．２ｇ、塩化ナトリウム：２６２ｇ、濃塩
酸：２０２０ｇを溶解し、この溶液を溶液Ｂとする。溶
液Ａと溶液Ｂを一定割合で供給し、沈殿を生成させ、十
分攪拌してｐＨ＝８．０のスラリを得る。このスラリを
２０リットルのオートクレーブに仕込み、さらにテトラ
プロピルアンモニウムブロマイドを５００ｇ添加し、１
６０℃にて７２時間水熱合成を行い、合成後水洗して乾
燥させ、さらに５００℃、３時間焼成させ結晶性シリケ
ート１を得る。この結晶性シリケート１は酸化物のモル
比で（結晶水を省く）下記の組成式で表され、結晶構造
はＸ線回折で前記表Ａにて表示されるものである。 ０．５Ｎａ2 Ｏ・０．５Ｈ2 Ｏ・〔０．８Ａｌ2 Ｏ3 ・
０．２Ｆｅ2 Ｏ3 ・０．２５ＣａＯ〕・２５ＳｉＯ2
【００１８】〇（層状複合結晶性シリケート１の合成）
微粉砕した上記母結晶１（結晶性シリケート１）：１０
００ｇを水：２１６０ｇに添加し、さらにコロイダルシ
リカ（ＳｉＯ2 ：２０％）：４５９０ｇを添加し、十分
攪拌を行い、この溶液を溶液ａとする。一方、水：２０
０８ｇに水酸化ナトリウム：１０５．８ｇを溶解させ溶
液ｂを得る。溶液ａを攪拌しながら溶液ｂを徐々に滴下
し、沈殿を生成させてスラリを得る。このスラリをオー
トクレーブに入れ、テトラプロピルアンモニウムブロマ
イド：５６８ｇを水：２１０６ｇに溶解させた溶液を上
記オートクレーブに添加する。このオートクレーブで１
６０℃、７２時間水熱合成を行い（２００ｒｐｍにて攪
拌）、攪拌後洗浄して乾燥後、５００℃、３時間焼成を
行い層状複合結晶性シリケート１を得る。上記層状複合
結晶性シリケート１を４ＮのＮＨ4 Ｃｌ水溶液４０℃に
３時間攪拌してＮＨ4 イオン交換を実施した。イオン交
換後洗浄して１００℃、２４時間乾燥させた後、４００
℃、３時間焼成してＨ型の層状複合結晶性シリケート１
を得た。
微粉砕した上記母結晶１（結晶性シリケート１）：１０
００ｇを水：２１６０ｇに添加し、さらにコロイダルシ
リカ（ＳｉＯ2 ：２０％）：４５９０ｇを添加し、十分
攪拌を行い、この溶液を溶液ａとする。一方、水：２０
０８ｇに水酸化ナトリウム：１０５．８ｇを溶解させ溶
液ｂを得る。溶液ａを攪拌しながら溶液ｂを徐々に滴下
し、沈殿を生成させてスラリを得る。このスラリをオー
トクレーブに入れ、テトラプロピルアンモニウムブロマ
イド：５６８ｇを水：２１０６ｇに溶解させた溶液を上
記オートクレーブに添加する。このオートクレーブで１
６０℃、７２時間水熱合成を行い（２００ｒｐｍにて攪
拌）、攪拌後洗浄して乾燥後、５００℃、３時間焼成を
行い層状複合結晶性シリケート１を得る。上記層状複合
結晶性シリケート１を４ＮのＮＨ4 Ｃｌ水溶液４０℃に
３時間攪拌してＮＨ4 イオン交換を実施した。イオン交
換後洗浄して１００℃、２４時間乾燥させた後、４００
℃、３時間焼成してＨ型の層状複合結晶性シリケート１
を得た。
【００１９】〇（触媒化）次に、上記１００部のＨ型の
層状複合結晶性シリケート１に対して、バインダとして
アルミナゾル：３部、シリカゾル：５５部（ＳｉＯ2 ：
２０％）及び水：２００部加え、充分攪拌を行いウォッ
シュコート用スラリとした。次にコージェライト用モノ
リス基材（４００セルの格子目）を上記スラリに浸漬
し、取り出した後余分なスラリを吹きはらい２００℃で
乾燥させた。コート量は基材１リットルあたり２００ｇ
担持し、このコート物をハニカムコート物１とする。次
に、塩化イリジウム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ
／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）に上記ハニカムコート物１を浸
漬し１時間含浸した後、基材の壁の付着した液をふきと
り２００℃で乾燥させた。次で５００℃で窒素雰囲気で
１２時間パージ処理を行い、ハニカム触媒１を得た。
層状複合結晶性シリケート１に対して、バインダとして
アルミナゾル：３部、シリカゾル：５５部（ＳｉＯ2 ：
２０％）及び水：２００部加え、充分攪拌を行いウォッ
シュコート用スラリとした。次にコージェライト用モノ
リス基材（４００セルの格子目）を上記スラリに浸漬
し、取り出した後余分なスラリを吹きはらい２００℃で
乾燥させた。コート量は基材１リットルあたり２００ｇ
担持し、このコート物をハニカムコート物１とする。次
に、塩化イリジウム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ
／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）に上記ハニカムコート物１を浸
漬し１時間含浸した後、基材の壁の付着した液をふきと
り２００℃で乾燥させた。次で５００℃で窒素雰囲気で
１２時間パージ処理を行い、ハニカム触媒１を得た。
【００２０】（実施例２）実施例１の母結晶１の合成法
において塩化第二鉄の代わりに塩化コバルト、塩化ルテ
ニウム、塩化ロジウム、塩化ランタン、塩化セリウム、
塩化チタン、塩化バナジウム、塩化クロム、塩化アンチ
モン、塩化ガリウム及び塩化ニオブを各々酸化物換算で
Ｆｅ2 Ｏ3 と同じモル数だけ添加した以外は母結晶１と
同様の操作を繰り返して母結晶２〜１２を調製した。こ
れらの母結晶の結晶構造はＸ線回折で前記表Ａに表示さ
れるものであり、その組成は酸化物のモル比（脱水され
た形態）で表わして、（１±０．８）Ｒ2 Ｏ・（０．２
Ｍ2 Ｏ3 ・０．８Ａｌ2 Ｏ3・０．２５ＣａＯ）・２５
ＳｉＯ2 である。ここでＲはＮａ及びＨＭはＣｏ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｓｂ，Ｇａ，
Ｎｂである。これら母結晶の構成は後記の表Ｂに示す。
において塩化第二鉄の代わりに塩化コバルト、塩化ルテ
ニウム、塩化ロジウム、塩化ランタン、塩化セリウム、
塩化チタン、塩化バナジウム、塩化クロム、塩化アンチ
モン、塩化ガリウム及び塩化ニオブを各々酸化物換算で
Ｆｅ2 Ｏ3 と同じモル数だけ添加した以外は母結晶１と
同様の操作を繰り返して母結晶２〜１２を調製した。こ
れらの母結晶の結晶構造はＸ線回折で前記表Ａに表示さ
れるものであり、その組成は酸化物のモル比（脱水され
た形態）で表わして、（１±０．８）Ｒ2 Ｏ・（０．２
Ｍ2 Ｏ3 ・０．８Ａｌ2 Ｏ3・０．２５ＣａＯ）・２５
ＳｉＯ2 である。ここでＲはＮａ及びＨＭはＣｏ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｓｂ，Ｇａ，
Ｎｂである。これら母結晶の構成は後記の表Ｂに示す。
【００２１】これらの母結晶２〜１２を微粉砕し、実施
例１の層状複合結晶性シリケート１の合成と同様の方法
にて、母結晶１の代わりに母結晶２〜１２を用い、オー
トクレーブを用いて水熱合成させた結果、層状複合結晶
性シリケート２〜１２を得た。
例１の層状複合結晶性シリケート１の合成と同様の方法
にて、母結晶１の代わりに母結晶２〜１２を用い、オー
トクレーブを用いて水熱合成させた結果、層状複合結晶
性シリケート２〜１２を得た。
【００２２】実施例１の母結晶１の合成法において酢酸
カルシウムの代わりに酢酸マグネシウム、酢酸ストロン
チウム、酢酸バリウムを各々酸化物換算でＣａＯと同じ
モル数だけ添加した以外は母結晶１と同様の操作を繰り
返して母結晶１３〜１５を調製した。これらの母結晶の
結晶構造はＸ線回折で前記表Ａに表示されるものであ
り、その組成は酸化物のモル比（脱水された形態）で表
わして、０．５Ｎａ2 Ｏ・０．５Ｈ2 Ｏ・（０．２Ｆｅ
2 Ｏ3 ・０．８Ａｌ2 Ｏ3 ・０．２５ＭｅＯ）・２５Ｓ
ｉＯ2 である。ここでＭｅはＭｇ，Ｓｒ，Ｂａである。
これらの母結晶１３〜１５を微粉砕して、実施例１の層
状複合結晶性シリケート１の合成と同様の方法にてオー
トクレーブを用いて水熱合成を行い層状複合結晶性シリ
ケート１３〜１５を得た。
カルシウムの代わりに酢酸マグネシウム、酢酸ストロン
チウム、酢酸バリウムを各々酸化物換算でＣａＯと同じ
モル数だけ添加した以外は母結晶１と同様の操作を繰り
返して母結晶１３〜１５を調製した。これらの母結晶の
結晶構造はＸ線回折で前記表Ａに表示されるものであ
り、その組成は酸化物のモル比（脱水された形態）で表
わして、０．５Ｎａ2 Ｏ・０．５Ｈ2 Ｏ・（０．２Ｆｅ
2 Ｏ3 ・０．８Ａｌ2 Ｏ3 ・０．２５ＭｅＯ）・２５Ｓ
ｉＯ2 である。ここでＭｅはＭｇ，Ｓｒ，Ｂａである。
これらの母結晶１３〜１５を微粉砕して、実施例１の層
状複合結晶性シリケート１の合成と同様の方法にてオー
トクレーブを用いて水熱合成を行い層状複合結晶性シリ
ケート１３〜１５を得た。
【００２３】上記層状複合結晶性シリケート２〜１５を
用いて実施例１と同様の方法でＨ型の層状複合結晶性シ
リケート２〜１５を得、このシリケートをさらに実施例
１の触媒の調製と同様の工程にてコージェライトモノリ
ス基材にコートしてハニカムコート物２〜１５を得た。
次に塩化イリジウム水溶液に浸漬し実施例１と同様の処
理にてハニカム触媒２〜１５を得た。
用いて実施例１と同様の方法でＨ型の層状複合結晶性シ
リケート２〜１５を得、このシリケートをさらに実施例
１の触媒の調製と同様の工程にてコージェライトモノリ
ス基材にコートしてハニカムコート物２〜１５を得た。
次に塩化イリジウム水溶液に浸漬し実施例１と同様の処
理にてハニカム触媒２〜１５を得た。
【００２４】（実施例３）実施例１と２で得た母結晶１
〜１５を用いて実施例１と同様の方法でＨ型の結晶性シ
リケート１６〜３０を得、このシリケートをさらに実施
例１の触媒の調製と同様の工程にてハニカムコート物及
びハニカム触媒１６〜３０を得た。
〜１５を用いて実施例１と同様の方法でＨ型の結晶性シ
リケート１６〜３０を得、このシリケートをさらに実施
例１の触媒の調製と同様の工程にてハニカムコート物及
びハニカム触媒１６〜３０を得た。
【００２５】（実施例４）実施例１及び実施例２に示し
た母結晶１〜１５（層状複合化及びイオン交換をしてい
ないもの）をコージェライトモノリス基材にコートして
ハニカムコート物３１〜４５を得、これを実施例１と同
様にイリジウム水溶液に浸漬してハニカム触媒３１〜４
５を得た。
た母結晶１〜１５（層状複合化及びイオン交換をしてい
ないもの）をコージェライトモノリス基材にコートして
ハニカムコート物３１〜４５を得、これを実施例１と同
様にイリジウム水溶液に浸漬してハニカム触媒３１〜４
５を得た。
【００２６】（実施例５）実施例１で得た層状複合結晶
性シリケート１をコートしたハニカムコート物１を用い
て、塩化イリジウム水溶液の代わりに、塩化ルテニウム
（ＲｕＣｌ3 ：２ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化ロジ
ウム（ＲｈＣｌ3 ：２ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、硝酸
パラジウム｛（Ｐｄ（ＮＯ3 ）2 ：２ｇ／Ｈ2 Ｏ：２０
０ｃｃ｝、硝酸オスミウム｛Ｏｓ（ＮＯ3 ）2 ：２ｇ／
Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ｝、塩化白金酸（Ｈ2 ＰｔＣｌ6 ：
２ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）の各水溶液に浸漬し、実施
例１と同様の方法により触媒化を行い、ハニカム触媒４
６〜５０を得た。
性シリケート１をコートしたハニカムコート物１を用い
て、塩化イリジウム水溶液の代わりに、塩化ルテニウム
（ＲｕＣｌ3 ：２ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化ロジ
ウム（ＲｈＣｌ3 ：２ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、硝酸
パラジウム｛（Ｐｄ（ＮＯ3 ）2 ：２ｇ／Ｈ2 Ｏ：２０
０ｃｃ｝、硝酸オスミウム｛Ｏｓ（ＮＯ3 ）2 ：２ｇ／
Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ｝、塩化白金酸（Ｈ2 ＰｔＣｌ6 ：
２ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）の各水溶液に浸漬し、実施
例１と同様の方法により触媒化を行い、ハニカム触媒４
６〜５０を得た。
【００２７】（実施例６）実施例１で得たＨ型の層状複
合結晶性シリケート１をコートしたハニカムコート物１
を用いて、塩化イリジウムと塩化アルミニウム（ＩｒＣ
ｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、Ａｌ2 Ｏ・６Ｈ2 Ｏ：６．
０ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化チ
タン（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＴｉＣｌ4 ：
７．５ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩
化スズ（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＳｎＣ
ｌ4 ：７ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと
硝酸クロム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、Ｃｒ
（ＮＯ3 ）2 ：６．０ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化
イリジウムと四塩化ジルコニウム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ
2 Ｏ：２．８８ｇ、ＺｒＣｌ4 ：６ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００
ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化コバルト（ＩｒＣｌ4 ・
Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＣｏＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：７ｇ／Ｈ
2Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化マンガン
（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＭｎＣｌ2 ：２０
ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化鉄
（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＦｅＣｌ3 ・６Ｈ
2 Ｏ：７ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと
塩化ニッケル（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、Ｎｉ
Ｃｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：８ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化
イリジウムと塩化カルシウム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：
２．８８ｇ、ＣａＣｌ2 ・２Ｈ2 Ｏ：６ｇ／Ｈ2 Ｏ：２
００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化マグネシウム（Ｉｒ
Ｃｌ4 ・Ｈ2Ｏ：２．８８ｇ、ＭｇＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：
１１ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化
バリウム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＢａＣｌ
2 ・２Ｈ2 Ｏ：１４ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イ
リジウムと塩化ストロンチウム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：
２．８８ｇ、ＳｒＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：１３ｇ／Ｈ2 Ｏ：
２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化第二銅（ＩｒＣｌ
4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＣｕＣｌ2 ・２Ｈ2 Ｏ：１０
ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化亜鉛
（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＺｎＣｌ2 ：６ｇ
／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）の各水溶液に浸漬し、実施例１
と同様の触媒化方法によりハニカム触媒５１〜６５を得
た。
合結晶性シリケート１をコートしたハニカムコート物１
を用いて、塩化イリジウムと塩化アルミニウム（ＩｒＣ
ｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、Ａｌ2 Ｏ・６Ｈ2 Ｏ：６．
０ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化チ
タン（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＴｉＣｌ4 ：
７．５ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩
化スズ（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＳｎＣ
ｌ4 ：７ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと
硝酸クロム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、Ｃｒ
（ＮＯ3 ）2 ：６．０ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化
イリジウムと四塩化ジルコニウム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ
2 Ｏ：２．８８ｇ、ＺｒＣｌ4 ：６ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００
ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化コバルト（ＩｒＣｌ4 ・
Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＣｏＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：７ｇ／Ｈ
2Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化マンガン
（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＭｎＣｌ2 ：２０
ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化鉄
（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＦｅＣｌ3 ・６Ｈ
2 Ｏ：７ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと
塩化ニッケル（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、Ｎｉ
Ｃｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：８ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化
イリジウムと塩化カルシウム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：
２．８８ｇ、ＣａＣｌ2 ・２Ｈ2 Ｏ：６ｇ／Ｈ2 Ｏ：２
００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化マグネシウム（Ｉｒ
Ｃｌ4 ・Ｈ2Ｏ：２．８８ｇ、ＭｇＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：
１１ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化
バリウム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＢａＣｌ
2 ・２Ｈ2 Ｏ：１４ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イ
リジウムと塩化ストロンチウム（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：
２．８８ｇ、ＳｒＣｌ2 ・６Ｈ2 Ｏ：１３ｇ／Ｈ2 Ｏ：
２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化第二銅（ＩｒＣｌ
4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＣｕＣｌ2 ・２Ｈ2 Ｏ：１０
ｇ／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）、塩化イリジウムと塩化亜鉛
（ＩｒＣｌ4 ・Ｈ2 Ｏ：２．８８ｇ、ＺｎＣｌ2 ：６ｇ
／Ｈ2 Ｏ：２００ｃｃ）の各水溶液に浸漬し、実施例１
と同様の触媒化方法によりハニカム触媒５１〜６５を得
た。
【００２８】（比較例１）α−Ａｌ2 Ｏ3 を実施例１と
同様にハニカムコートし、さらに実施例１，４と同様イ
リジウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミ
ウム、白金をα−Ａｌ2 Ｏ3 に担持しハニカム触媒６６
〜７１を得た。以上、本発明の実施例触媒及び比較触媒
の構成を表Ｂ示す。
同様にハニカムコートし、さらに実施例１，４と同様イ
リジウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミ
ウム、白金をα−Ａｌ2 Ｏ3 に担持しハニカム触媒６６
〜７１を得た。以上、本発明の実施例触媒及び比較触媒
の構成を表Ｂ示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】
【表４】
【００３１】
【表５】
【００３２】
【表６】
【００３３】
【表７】
【００３４】
【表８】
【００３５】（実験例１）実施例１、２、３、４、５、
６及び比較例１にて調製したハニカム触媒１〜７１の活
性評価試験を実施した。活性評価条件は下記の通り。 〇（ガス組成） ＮＯ：４００ｐｐｍ、ＣＯ：１０００ｐｐｍ、Ｃ
2 Ｈ4 ：１０００ｐｐｍ、Ｃ 3 Ｈ6 ：３４０ｐｐｍ、Ｏ
2 ：８％、ＣＯ2 ：１０％、Ｈ2 Ｏ：１０％、残：
Ｎ 2 、ＧＨＳＶ ３００００ｈ-1、触媒形状：１５ｍｍ
×１５ｍｍ×６０ｍｍ（１４４セル数） 反応温度３５０、４５０℃における初期状態の触媒の脱
硝率を表Ｃに示す。
６及び比較例１にて調製したハニカム触媒１〜７１の活
性評価試験を実施した。活性評価条件は下記の通り。 〇（ガス組成） ＮＯ：４００ｐｐｍ、ＣＯ：１０００ｐｐｍ、Ｃ
2 Ｈ4 ：１０００ｐｐｍ、Ｃ 3 Ｈ6 ：３４０ｐｐｍ、Ｏ
2 ：８％、ＣＯ2 ：１０％、Ｈ2 Ｏ：１０％、残：
Ｎ 2 、ＧＨＳＶ ３００００ｈ-1、触媒形状：１５ｍｍ
×１５ｍｍ×６０ｍｍ（１４４セル数） 反応温度３５０、４５０℃における初期状態の触媒の脱
硝率を表Ｃに示す。
【００３６】（実験例２）ハニカム触媒１〜７１をリッ
チ雰囲気（還元雰囲気）で強制劣化試験を実施した。強
制劣化試験は下記の通り。 〇（ガス組成） Ｈ2 ：３％、Ｈ2 Ｏ：１０％、残：Ｎ2 ＧＨＳＶ：５０００ｈ-1、温度：７００℃、ガス供給時
間：６時間 触媒形状：１５ｍｍ×１５ｍｍ×６０ｍｍ（１４４セ
ル） 上記強制劣化条件にて処理した触媒１〜７１を実験例１
の活性評価条件において活性評価試験を実施した。反応
温度３５０、４５０℃における強制劣化試験後の触媒の
脱硝率を表Ｃに併せて示す。表Ｃに示すように本発明触
媒１〜６５は高温還元雰囲気においても触媒の活性を高
く維持することを確認した。
チ雰囲気（還元雰囲気）で強制劣化試験を実施した。強
制劣化試験は下記の通り。 〇（ガス組成） Ｈ2 ：３％、Ｈ2 Ｏ：１０％、残：Ｎ2 ＧＨＳＶ：５０００ｈ-1、温度：７００℃、ガス供給時
間：６時間 触媒形状：１５ｍｍ×１５ｍｍ×６０ｍｍ（１４４セ
ル） 上記強制劣化条件にて処理した触媒１〜７１を実験例１
の活性評価条件において活性評価試験を実施した。反応
温度３５０、４５０℃における強制劣化試験後の触媒の
脱硝率を表Ｃに併せて示す。表Ｃに示すように本発明触
媒１〜６５は高温還元雰囲気においても触媒の活性を高
く維持することを確認した。
【００３７】
【表９】
【００３８】
【表１０】
【００３９】
【表１１】
【００４０】
【表１２】
【００４１】
【表１３】
【００４２】
【表１４】
【００４３】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明による排
気ガス浄化用触媒は耐久性に富む安定な触媒であること
を可能にし、ガソリン車のリーンバーンエンジン排ガス
用やディーゼルエンジン排ガス浄化用触媒として利用が
可能である。
気ガス浄化用触媒は耐久性に富む安定な触媒であること
を可能にし、ガソリン車のリーンバーンエンジン排ガス
用やディーゼルエンジン排ガス浄化用触媒として利用が
可能である。
フロントページの続き (72)発明者 芹沢 暁 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重 工業株式会社 長崎造船所内 (72)発明者 守井 淳 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重 工業株式会社 長崎造船所内 (56)参考文献 特開 昭50−121189（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−35667（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−334527（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−40238（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−16239（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−4045（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−165816（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−31369（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01J 21/00 - 38/74
Claims (4)
- 【請求項１】 表Ａに示されるＸ線回折パターンを有
し、脱水された状態において酸化物のモル比で表わして
（１±0.8 ）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡｌ
2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2（上記式中、Ｒはアルカリ金属イ
オン及び／又は水素イオン、ＭはVIII族元素、希土類元
素、チタン、バナジウム、クロム、ニオブ、アンチモン
及びガリウムからなる群より選ばれた少なくとも１種以
上の元素イオン、Ｍ′はマグネシウム、カルシウム、ス
トロンチウム、バリウムのアルカリ土類金属イオン、ａ
＞０、２０＞ｂ＞０、ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１
１）なる化学式を有する結晶性シリケートに白金族元素
からなる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属を担
持させてなることを特徴とする排気ガス浄化用触媒。 【表１】 - 【請求項２】 結晶性シリケートが、予め合成した結晶
性シリケートを母結晶とし、その母結晶の外表面に母結
晶と同一の結晶構造を有するＳｉとＯよりなる結晶性シ
リケートを成長させた層状複合結晶性シリケートである
ことを特徴とする請求項１記載の排気ガス浄化用触媒。 - 【請求項３】 白金族元素がイリジウムであることを特
徴とする請求項１又は請求項２記載の排気ガス浄化用触
媒。 - 【請求項４】 結晶性シリケートに、イリジウムとさら
に、チタン、ジルコニウム、クロム、マンガン、鉄、コ
バルト、亜鉛、アルミニウム、スズ、ニッケル、銅、カ
ルシウム、マグネシウム、ストロンチウム及びバリウム
よりなる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属を共
存させてなることを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の排気ガス浄化用触媒。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06007667A JP3129373B2 (ja) | 1993-02-16 | 1994-01-27 | 排気ガス浄化用触媒 |
| DE69409891T DE69409891T2 (de) | 1993-02-16 | 1994-02-15 | Katalysator zur abgasreinigung |
| PCT/JP1994/000223 WO1994019103A1 (en) | 1993-02-16 | 1994-02-15 | Exhaust gas cleaning catalyst |
| EP94906391A EP0642827B1 (en) | 1993-02-16 | 1994-02-15 | Exhaust gas cleaning catalyst |
| US08/665,820 US5677254A (en) | 1993-02-16 | 1996-06-19 | Catalyst for purifying an exhaust gas |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-26369 | 1993-02-16 | ||
| JP2636993 | 1993-02-16 | ||
| JP06007667A JP3129373B2 (ja) | 1993-02-16 | 1994-01-27 | 排気ガス浄化用触媒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06296870A JPH06296870A (ja) | 1994-10-25 |
| JP3129373B2 true JP3129373B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=26341999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06007667A Expired - Lifetime JP3129373B2 (ja) | 1993-02-16 | 1994-01-27 | 排気ガス浄化用触媒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3129373B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101934964B1 (ko) * | 2017-05-29 | 2019-01-03 | 최영오 | 명함 케이스 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679313A (en) | 1994-06-08 | 1997-10-21 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Ammonia decomposition catalysts |
| JP3129377B2 (ja) | 1994-08-12 | 2001-01-29 | 三菱重工業株式会社 | 排気ガス浄化用触媒 |
| JPH11128687A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-18 | Petroleum Energy Center Found | 排ガス浄化方法 |
| JP2000345175A (ja) | 1999-06-08 | 2000-12-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 一酸化炭素の選択除去方法 |
| JP2001054734A (ja) | 1999-06-08 | 2001-02-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 一酸化炭素選択酸化触媒、一酸化炭素の選択除去方法、水素精製触媒及び水素精製方法 |
| JP2000342975A (ja) | 1999-06-08 | 2000-12-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 一酸化炭素の選択除去方法 |
| JP4073168B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2008-04-09 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関の排ガス浄化方法、排ガス浄化装置、及び排ガス浄化触媒 |
-
1994
- 1994-01-27 JP JP06007667A patent/JP3129373B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101934964B1 (ko) * | 2017-05-29 | 2019-01-03 | 최영오 | 명함 케이스 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06296870A (ja) | 1994-10-25 |
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