JP2905609B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の樹脂封止型半導体装置を示
す平面図、図５は図４のＡーＡ線断面図である。図にお
いて、１は半導体集積回路（以下ＩＣと称する）チッ
プ、２はこのＩＣチップ１を搭載するアイランド、３は
アイランド２を囲むように配置されたインナーリード、
４はアウターリード、５は金属細線、６はモールド樹脂
である。
す平面図、図５は図４のＡーＡ線断面図である。図にお
いて、１は半導体集積回路（以下ＩＣと称する）チッ
プ、２はこのＩＣチップ１を搭載するアイランド、３は
アイランド２を囲むように配置されたインナーリード、
４はアウターリード、５は金属細線、６はモールド樹脂
である。
【０００３】かかる半導体装置の組立てに際しては、ま
ずＩＣチップ１をフレームのアイランド２に接着剤で固
定し、ＩＣチップ１とインナーリード３の間を金属細線
５で電気的に接合し、次にモールド樹脂６で封止する。
その後、アウターリード４をメッキし、さらにリードカ
ット、ベンドを行う。
ずＩＣチップ１をフレームのアイランド２に接着剤で固
定し、ＩＣチップ１とインナーリード３の間を金属細線
５で電気的に接合し、次にモールド樹脂６で封止する。
その後、アウターリード４をメッキし、さらにリードカ
ット、ベンドを行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の樹
脂封止型半導体装置では、ＩＣチップとの膨張率をあわ
せる為、リードフレーム材料が鉄系となり、封止樹脂と
共にその熱伝導率が低く、パッケージ全体に熱が拡がら
ず、放熱性が悪かった。
脂封止型半導体装置では、ＩＣチップとの膨張率をあわ
せる為、リードフレーム材料が鉄系となり、封止樹脂と
共にその熱伝導率が低く、パッケージ全体に熱が拡がら
ず、放熱性が悪かった。
【０００５】さらに放熱性を改善する為に、高熱伝導材
である銅等のヒートスプレッダーを下面に貼り付ける場
合でも、膨張率の関係から、フレーム材をヒートスプレ
ッダーにあわさねばならなかった。
である銅等のヒートスプレッダーを下面に貼り付ける場
合でも、膨張率の関係から、フレーム材をヒートスプレ
ッダーにあわさねばならなかった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、パッケージの熱抵抗を小さくす
ると共に、インナーリード材とヒートスプレッダー材の
熱膨張率が違っていても不具合が生じない樹脂封止型半
導体装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、パッケージの熱抵抗を小さくす
ると共に、インナーリード材とヒートスプレッダー材の
熱膨張率が違っていても不具合が生じない樹脂封止型半
導体装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る樹脂封止
型半導体装置は、信号用のリードフレーム材の上下両側
を絶縁層を介して高熱伝導性の金属板ではさむようにす
ると共に、この金属板は、パッケージ全体に拡がる様に
し、又リードフレームとは絶縁層を介して接している
が、接着剤で固着はしておらず、上下の金属板同士が直
接接着する様にしている。
型半導体装置は、信号用のリードフレーム材の上下両側
を絶縁層を介して高熱伝導性の金属板ではさむようにす
ると共に、この金属板は、パッケージ全体に拡がる様に
し、又リードフレームとは絶縁層を介して接している
が、接着剤で固着はしておらず、上下の金属板同士が直
接接着する様にしている。
【０００８】
【作用】この発明における高熱伝導性の金属板は、パッ
ケージ全体に拡がるように配置されてあるため、熱抵抗
が小さくなり、放熱性が良好となる。更に、金属板はリ
ードフレーム材には直接に固着されていない為、ヒート
スプレッダーとフレーム材料の熱膨張率が違っていても
熱変形等を起こさずにすむ。
ケージ全体に拡がるように配置されてあるため、熱抵抗
が小さくなり、放熱性が良好となる。更に、金属板はリ
ードフレーム材には直接に固着されていない為、ヒート
スプレッダーとフレーム材料の熱膨張率が違っていても
熱変形等を起こさずにすむ。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１は本発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
を示す平面図、図２は図１のＢーＢ線断面図、図３は図
１のＣーＣ線断面図であり、図において、１〜６は従来
装置と同一部分を示すものとする。７はパッケージ内部
全体に拡がるように設けられた高熱伝導体でできた金属
板（ヒートスプレッダー）であり、８はインナーリード
３とヒートスプレッダー７を電気的に絶縁するための絶
縁層、９はこの絶縁層８をヒートスプレッダー７に固着
する接着剤、１０は上側と下側の高熱伝導材を接続する
接着剤で、インナーリード３とは接着されないようにし
ている。
る。図１は本発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
を示す平面図、図２は図１のＢーＢ線断面図、図３は図
１のＣーＣ線断面図であり、図において、１〜６は従来
装置と同一部分を示すものとする。７はパッケージ内部
全体に拡がるように設けられた高熱伝導体でできた金属
板（ヒートスプレッダー）であり、８はインナーリード
３とヒートスプレッダー７を電気的に絶縁するための絶
縁層、９はこの絶縁層８をヒートスプレッダー７に固着
する接着剤、１０は上側と下側の高熱伝導材を接続する
接着剤で、インナーリード３とは接着されないようにし
ている。
【００１０】上記のように構成された樹脂封止型半導体
装置の組立てに際しては、フレーム及び高熱伝導性の金
属板７は予め従来通りエッチングあるいはパンチング等
で形成される。次に金属板７に絶縁層８を貼り付け、更
にフレームをはさみこむ様にして、金属板７を接続し、
一体のフレームとして完成させる。
装置の組立てに際しては、フレーム及び高熱伝導性の金
属板７は予め従来通りエッチングあるいはパンチング等
で形成される。次に金属板７に絶縁層８を貼り付け、更
にフレームをはさみこむ様にして、金属板７を接続し、
一体のフレームとして完成させる。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ヒート
スプレッダーの役割を果す様に高熱伝導性の金属板がパ
ッケージ全体に拡がっている為、熱抵抗が小さく、放熱
性が良好となる。又ヒートスプレッダーはインナーリー
ドと直接に固着されていない為、ヒートスプレッダーと
インナーリード材の熱膨張率が異なっていても、フレー
ム変形等の問題が起きない。
スプレッダーの役割を果す様に高熱伝導性の金属板がパ
ッケージ全体に拡がっている為、熱抵抗が小さく、放熱
性が良好となる。又ヒートスプレッダーはインナーリー
ドと直接に固着されていない為、ヒートスプレッダーと
インナーリード材の熱膨張率が異なっていても、フレー
ム変形等の問題が起きない。
【図１】この発明の一実施例による樹脂封止型半導体装
置を示す平面図である。
置を示す平面図である。
【図２】図１のＢーＢ線断面図である。
【図３】図１のＣーＣ線断面図である。
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す平面図であ
る。
る。
【図５】図４のＡーＡ線断面図である。
１ ＩＣチップ ２ アイランド ３ インナーリード ４ アウターリード ５ 金属細線 ６ モールド樹脂 ７ ヒートスブレッダー ８ 絶縁層 ９ 接着剤 10 接着剤
Claims (1)
- 【請求項１】 アイランド上にＩＣチップを搭載し、Ｉ
Ｃチップとリードフレームを金属細線で接合すると共
に、モールド樹脂で樹脂封止してなる樹脂封止型半導体
装置において、モールド樹脂で樹脂封止される領域内
で、リードフレームの上下両側を、パッケージを構成す
るＩＣチップ,金属細線，インナーリードを囲繞して、
全体に拡がる高熱伝導性の金属板で、絶縁層を介し固着
せずに挾み込んだことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3683291A JP2905609B2 (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3683291A JP2905609B2 (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249353A JPH04249353A (ja) | 1992-09-04 |
| JP2905609B2 true JP2905609B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=12480721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3683291A Expired - Fee Related JP2905609B2 (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2905609B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2551349B2 (ja) * | 1993-08-25 | 1996-11-06 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2000091485A (ja) | 1998-07-14 | 2000-03-31 | Denso Corp | 半導体装置 |
| US6072240A (en) | 1998-10-16 | 2000-06-06 | Denso Corporation | Semiconductor chip package |
| JP4085536B2 (ja) | 1998-11-09 | 2008-05-14 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 電気機器およびその製造方法並びに圧接型半導体装置 |
| US6693350B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure |
| US6703707B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| JP4479121B2 (ja) | 2001-04-25 | 2010-06-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JP4688647B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-05-25 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
-
1991
- 1991-02-05 JP JP3683291A patent/JP2905609B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04249353A (ja) | 1992-09-04 |
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