Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2905609B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JP2905609B2
JP2905609B2 JP3683291A JP3683291A JP2905609B2 JP 2905609 B2 JP2905609 B2 JP 2905609B2 JP 3683291 A JP3683291 A JP 3683291A JP 3683291 A JP3683291 A JP 3683291A JP 2905609 B2 JP2905609 B2 JP 2905609B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
chip
sealed
sealed semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3683291A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04249353A (ja
Inventor
健一 日下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3683291A priority Critical patent/JP2905609B2/ja
Publication of JPH04249353A publication Critical patent/JPH04249353A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2905609B2 publication Critical patent/JP2905609B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は従来の樹脂封止型半導体装置を示
す平面図、図5は図4のAーA線断面図である。図にお
いて、1は半導体集積回路(以下ICと称する)チッ
プ、2はこのICチップ1を搭載するアイランド、3は
アイランド2を囲むように配置されたインナーリード、
4はアウターリード、5は金属細線、6はモールド樹脂
である。
【0003】かかる半導体装置の組立てに際しては、ま
ずICチップ1をフレームのアイランド2に接着剤で固
定し、ICチップ1とインナーリード3の間を金属細線
5で電気的に接合し、次にモールド樹脂6で封止する。
その後、アウターリード4をメッキし、さらにリードカ
ット、ベンドを行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の樹
脂封止型半導体装置では、ICチップとの膨張率をあわ
せる為、リードフレーム材料が鉄系となり、封止樹脂と
共にその熱伝導率が低く、パッケージ全体に熱が拡がら
ず、放熱性が悪かった。
【0005】さらに放熱性を改善する為に、高熱伝導材
である銅等のヒートスプレッダーを下面に貼り付ける場
合でも、膨張率の関係から、フレーム材をヒートスプレ
ッダーにあわさねばならなかった。
【0006】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、パッケージの熱抵抗を小さくす
ると共に、インナーリード材とヒートスプレッダー材の
熱膨張率が違っていても不具合が生じない樹脂封止型半
導体装置を得ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係る樹脂封止
型半導体装置は、信号用のリードフレーム材の上下両側
を絶縁層を介して高熱伝導性の金属板ではさむようにす
ると共に、この金属板は、パッケージ全体に拡がる様に
し、又リードフレームとは絶縁層を介して接している
が、接着剤で固着はしておらず、上下の金属板同士が直
接接着する様にしている。
【0008】
【作用】この発明における高熱伝導性の金属板は、パッ
ケージ全体に拡がるように配置されてあるため、熱抵抗
が小さくなり、放熱性が良好となる。更に、金属板はリ
ードフレーム材には直接に固着されていない為、ヒート
スプレッダーとフレーム材料の熱膨張率が違っていても
熱変形等を起こさずにすむ。
【0009】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図1は本発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
を示す平面図、図2は図1のBーB線断面図、図3は図
1のCーC線断面図であり、図において、1〜6は従来
装置と同一部分を示すものとする。7はパッケージ内部
全体に拡がるように設けられた高熱伝導体でできた金属
板(ヒートスプレッダー)であり、8はインナーリード
3とヒートスプレッダー7を電気的に絶縁するための絶
縁層、9はこの絶縁層8をヒートスプレッダー7に固着
する接着剤、10は上側と下側の高熱伝導材を接続する
接着剤で、インナーリード3とは接着されないようにし
ている。
【0010】上記のように構成された樹脂封止型半導体
装置の組立てに際しては、フレーム及び高熱伝導性の金
属板7は予め従来通りエッチングあるいはパンチング等
で形成される。次に金属板7に絶縁層8を貼り付け、更
にフレームをはさみこむ様にして、金属板7を接続し、
一体のフレームとして完成させる。
【0011】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ヒート
スプレッダーの役割を果す様に高熱伝導性の金属板がパ
ッケージ全体に拡がっている為、熱抵抗が小さく、放熱
性が良好となる。又ヒートスプレッダーはインナーリー
ドと直接に固着されていない為、ヒートスプレッダーと
インナーリード材の熱膨張率が異なっていても、フレー
ム変形等の問題が起きない。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による樹脂封止型半導体装
置を示す平面図である。
【図2】図1のBーB線断面図である。
【図3】図1のCーC線断面図である。
【図4】従来の樹脂封止型半導体装置を示す平面図であ
る。
【図5】図4のAーA線断面図である。
【符号の説明】
1 ICチップ 2 アイランド 3 インナーリード 4 アウターリード 5 金属細線 6 モールド樹脂 7 ヒートスブレッダー 8 絶縁層 9 接着剤 10 接着剤

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アイランド上にICチップを搭載し、I
    Cチップとリードフレームを金属細線で接合すると共
    に、モールド樹脂で樹脂封止してなる樹脂封止型半導体
    装置において、モールド樹脂で樹脂封止される領域内
    で、リードフレームの上下両側を、パッケージを構成す
    るICチップ,金属細線,インナーリードを囲繞して、
    全体に拡がる高熱伝導性の金属板で、絶縁層を介し固着
    せずに挾み込んだことを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置。
JP3683291A 1991-02-05 1991-02-05 樹脂封止型半導体装置 Expired - Fee Related JP2905609B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3683291A JP2905609B2 (ja) 1991-02-05 1991-02-05 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3683291A JP2905609B2 (ja) 1991-02-05 1991-02-05 樹脂封止型半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04249353A JPH04249353A (ja) 1992-09-04
JP2905609B2 true JP2905609B2 (ja) 1999-06-14

Family

ID=12480721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3683291A Expired - Fee Related JP2905609B2 (ja) 1991-02-05 1991-02-05 樹脂封止型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2905609B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2551349B2 (ja) * 1993-08-25 1996-11-06 日本電気株式会社 樹脂封止型半導体装置
JP2000091485A (ja) 1998-07-14 2000-03-31 Denso Corp 半導体装置
US6072240A (en) 1998-10-16 2000-06-06 Denso Corporation Semiconductor chip package
JP4085536B2 (ja) 1998-11-09 2008-05-14 株式会社日本自動車部品総合研究所 電気機器およびその製造方法並びに圧接型半導体装置
US6693350B2 (en) 1999-11-24 2004-02-17 Denso Corporation Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure
US6703707B1 (en) 1999-11-24 2004-03-09 Denso Corporation Semiconductor device having radiation structure
JP4479121B2 (ja) 2001-04-25 2010-06-09 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP4688647B2 (ja) * 2005-11-21 2011-05-25 パナソニック株式会社 半導体装置とその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04249353A (ja) 1992-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6482674B1 (en) Semiconductor package having metal foil die mounting plate
US5293301A (en) Semiconductor device and lead frame used therein
KR100294719B1 (ko) 수지밀봉형 반도체장치 및 그 제조방법, 리드프레임
US20030113954A1 (en) Method of making a semiconductor package having exposed metal strap
US5434449A (en) Semiconductor device in a single package with high wiring density and a heat sink
JP2905609B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3532693B2 (ja) 半導体装置
JPH09307051A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH04207061A (ja) 半導体装置
JPH09199629A (ja) 半導体装置
JPH0645504A (ja) 半導体装置
JPS59207646A (ja) 半導体装置およびリ−ドフレ−ム
JP2691799B2 (ja) リードフレームに接合された介在ダイ取付基板を有する集積回路パッケージ設計
JP2564771B2 (ja) 放熱板付き半導体装置及びその製造方法
JP3454192B2 (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH0563113A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH1012788A (ja) 半導体装置およびその製造方法およびその半導体装置に用いるリードフレーム
JP2713141B2 (ja) 半導体装置
JP2551349B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2962575B2 (ja) 半導体装置
JPH11354673A (ja) 半導体装置
JPS635250Y2 (ja)
JPS635253Y2 (ja)
JP2726555B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04320052A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 10

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees