JP2741419B2 - ケース入りインダクタの製造方法 - Google Patents
ケース入りインダクタの製造方法Info
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- case
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電子機器等に用いられる小型のケース入り
インダクタの製造方法に関する。
インダクタの製造方法に関する。
(発明の概要) 本発明は、巻線を施したドラム状磁気コアをケースに
収納し固定したケース入りインダクタの製造方法であっ
て、後にケースになる複数の棒状部と該棒状部に複数の
コア配置穴部を設けた基板を用い、前記磁気コア及びケ
ースとなる棒状部の両主面側に端部電極薄膜を前記基板
状態において同時成膜することにより、従来製品に比べ
生産性を改善するとともに、製品寸法精度と製品強度を
向上させるようにしたものである。
収納し固定したケース入りインダクタの製造方法であっ
て、後にケースになる複数の棒状部と該棒状部に複数の
コア配置穴部を設けた基板を用い、前記磁気コア及びケ
ースとなる棒状部の両主面側に端部電極薄膜を前記基板
状態において同時成膜することにより、従来製品に比べ
生産性を改善するとともに、製品寸法精度と製品強度を
向上させるようにしたものである。
(従来の技術) 従来のケース入りインダクタ(マイクロインダクタと
も呼ばれる)の一例の構造を第10図に示す。この図にお
いて、24Bはドラム状磁気コアとしてのドラム状フェラ
イトコア、28Aは磁性材ケースとしてのフェライトケー
スを示す。前記フェライトケース28Aには前記フェライ
トコア24Bが収納されるように円柱状穴部21Aが設けられ
ている。そして、フェライトコア24Bの両端面には導体
ペーストの塗布焼き付け及びその後のめっき処理による
コア電極31Aが設けられ、フェライトケース28Aの両端面
及びその近傍にも、導体ペーストの塗布焼き付け及びそ
の後のめっき処理によるケース電極31Bが設けられてい
る。すなわち、第10図に示すように、コア電極31Aは導
体ペーストの焼き付けによる厚膜層32Aと金属めっき層3
3Aの2層構造であり、同様にケース電極31Bは導体ペー
ストの焼き付けによる厚膜層32Bと金属めっき層33Bの2
層構造である。
も呼ばれる)の一例の構造を第10図に示す。この図にお
いて、24Bはドラム状磁気コアとしてのドラム状フェラ
イトコア、28Aは磁性材ケースとしてのフェライトケー
スを示す。前記フェライトケース28Aには前記フェライ
トコア24Bが収納されるように円柱状穴部21Aが設けられ
ている。そして、フェライトコア24Bの両端面には導体
ペーストの塗布焼き付け及びその後のめっき処理による
コア電極31Aが設けられ、フェライトケース28Aの両端面
及びその近傍にも、導体ペーストの塗布焼き付け及びそ
の後のめっき処理によるケース電極31Bが設けられてい
る。すなわち、第10図に示すように、コア電極31Aは導
体ペーストの焼き付けによる厚膜層32Aと金属めっき層3
3Aの2層構造であり、同様にケース電極31Bは導体ペー
ストの焼き付けによる厚膜層32Bと金属めっき層33Bの2
層構造である。
ドラム状フェライトコア24Bにコア電極31Aが設けられ
た後、コアの外周に巻線25Bが設けられる。その巻線25B
の引き出し端部は、コア電極31Aが設けられている両端
面に沿って折り曲げられる。
た後、コアの外周に巻線25Bが設けられる。その巻線25B
の引き出し端部は、コア電極31Aが設けられている両端
面に沿って折り曲げられる。
巻線25Bが施こされたドラム状フェライトコア24Bは、
フェライトケース28Aの穴部21Aに挿入される。ここで、
フェライトコア24Bの端面のコア電極31Aとフェライトケ
ース28Aの端面のケース電極31Bとにはんだめっき銅箔34
をそれぞれはんだ付けすることにより、両端面の電極31
A,31B同士をそれぞれ接続し、かつフェライトコア24Bを
フェライトケース28Aに固定する。さらに、はんだめっ
き銅箔34で接続した後のコア24B端部とケース28Aの穴部
21A内面との間隙を封止し、ケース28Aへのコア24Bの固
定を強化するために、封止用樹脂コート35を施こす。
フェライトケース28Aの穴部21Aに挿入される。ここで、
フェライトコア24Bの端面のコア電極31Aとフェライトケ
ース28Aの端面のケース電極31Bとにはんだめっき銅箔34
をそれぞれはんだ付けすることにより、両端面の電極31
A,31B同士をそれぞれ接続し、かつフェライトコア24Bを
フェライトケース28Aに固定する。さらに、はんだめっ
き銅箔34で接続した後のコア24B端部とケース28Aの穴部
21A内面との間隙を封止し、ケース28Aへのコア24Bの固
定を強化するために、封止用樹脂コート35を施こす。
(発明が解決しようとする課題) ところで、第10図の従来のケース入りインダクタは、
フェライトケースへドラム状フェライトコアを挿入した
状態で導体ペーストの焼き付け及びめっき処理ができ
ず、ドラム状フェライトコアとフェライトケースに対し
て個別に導体ペーストの焼き付け及びめっき処理による
電極を設けているため、製造に手間がかかりコスト高に
なっていた。また、ケース電極とコア電極とをはんだめ
っき銅箔を用いてはんだ付けにより接合しているが、接
合強度が弱い嫌いがあった。その上接合部の封止と強化
のため封止用樹脂コートを施す必要があるため、製造工
程及び製品構成部品が多くなり、生産性や製品寸法精度
の点で改善しなければならなかった。
フェライトケースへドラム状フェライトコアを挿入した
状態で導体ペーストの焼き付け及びめっき処理ができ
ず、ドラム状フェライトコアとフェライトケースに対し
て個別に導体ペーストの焼き付け及びめっき処理による
電極を設けているため、製造に手間がかかりコスト高に
なっていた。また、ケース電極とコア電極とをはんだめ
っき銅箔を用いてはんだ付けにより接合しているが、接
合強度が弱い嫌いがあった。その上接合部の封止と強化
のため封止用樹脂コートを施す必要があるため、製造工
程及び製品構成部品が多くなり、生産性や製品寸法精度
の点で改善しなければならなかった。
本発明は、上記の点に鑑み、構造が簡単で、ケースと
コアとの接合強度が充分大きく、しかも製品寸法精度の
向上を図ることができ、製造工程を改善して量産性を良
好にしたケース入りインダクタの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
コアとの接合強度が充分大きく、しかも製品寸法精度の
向上を図ることができ、製造工程を改善して量産性を良
好にしたケース入りインダクタの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、本発明に係るケース入り
インダクタの製造方法は、複数の棒状部が一体に形成さ
れかつ各棒状部に複数のコア配置穴部が形成された穴あ
き基板を用いるものであり、前記コア配置穴部に巻線を
施したドラム状磁気コアを配置して接着固定する工程
と、前記棒状部の前記コア配置穴部を有する両主面に薄
膜技術による金属薄膜を形成する工程と、前記コア配置
穴部をそれぞれ1個ずつ有する如く前記棒状部を切断分
離する工程とを備えている。
インダクタの製造方法は、複数の棒状部が一体に形成さ
れかつ各棒状部に複数のコア配置穴部が形成された穴あ
き基板を用いるものであり、前記コア配置穴部に巻線を
施したドラム状磁気コアを配置して接着固定する工程
と、前記棒状部の前記コア配置穴部を有する両主面に薄
膜技術による金属薄膜を形成する工程と、前記コア配置
穴部をそれぞれ1個ずつ有する如く前記棒状部を切断分
離する工程とを備えている。
(作用) 本発明においては、複数の棒状部を一体に形成しかつ
各棒状部に複数のコア配置穴部を形成した穴あき基板を
用い、巻線を施したドラム状磁気コアを前記配置穴部に
配置し、前記磁気コア端部と前記穴部内面との間隙を接
着剤で固定封止した後、それぞれ複数の前記磁気コアと
ケースになる前記棒状部が一体化した基板の両主面に端
部電極薄膜を一体に成膜し、前記棒状部をコアと穴部を
それぞれ1個ずつ有する固体に切断分離するので、製造
工程と製品構成部品の減少を図ることができる。また、
端部電極薄膜は、スパッタ、イオンプレーティング、P
−CVD等の薄膜技術で形成可能であり、多数のコアとケ
ースが一体化した基板を同時成膜することができるので
量産性に優れ、製造コスト低減が図れ、製品寸法精度の
向上も図り得る。
各棒状部に複数のコア配置穴部を形成した穴あき基板を
用い、巻線を施したドラム状磁気コアを前記配置穴部に
配置し、前記磁気コア端部と前記穴部内面との間隙を接
着剤で固定封止した後、それぞれ複数の前記磁気コアと
ケースになる前記棒状部が一体化した基板の両主面に端
部電極薄膜を一体に成膜し、前記棒状部をコアと穴部を
それぞれ1個ずつ有する固体に切断分離するので、製造
工程と製品構成部品の減少を図ることができる。また、
端部電極薄膜は、スパッタ、イオンプレーティング、P
−CVD等の薄膜技術で形成可能であり、多数のコアとケ
ースが一体化した基板を同時成膜することができるので
量産性に優れ、製造コスト低減が図れ、製品寸法精度の
向上も図り得る。
(実施例) 以下、本発明に係るケース入りインダクタの製造方法
の実施例を図面に従って説明する。
の実施例を図面に従って説明する。
第1図はケース入りインダクタの製造工程を説明する
工程図である。1はケースとなる材料である未焼成フェ
ライト厚材のシート基板(グリーンシート)である。
工程図である。1はケースとなる材料である未焼成フェ
ライト厚材のシート基板(グリーンシート)である。
まず、穴抜き工程2において、第2図のように前記シ
ート基板1にコア配置用の複数のコア配置穴部21を所定
間隔で並列にパンチングまたはレーザー加工で空ける。
そして、前記コア配置穴部21の両側にスリット22を所定
間隔で平行に前記穴部21と同様に空けて、前記穴部21を
多数個有する棒状部23(後にフェライトケース28とな
る。)を構成する。
ート基板1にコア配置用の複数のコア配置穴部21を所定
間隔で並列にパンチングまたはレーザー加工で空ける。
そして、前記コア配置穴部21の両側にスリット22を所定
間隔で平行に前記穴部21と同様に空けて、前記穴部21を
多数個有する棒状部23(後にフェライトケース28とな
る。)を構成する。
それから焼成工程3において、加工された未焼成の前
記シート基板1を焼結して穴あきフェライト基板20を作
成する。
記シート基板1を焼結して穴あきフェライト基板20を作
成する。
なお、このフェライト基板20は、シート積層品でも粉
末成形品のいずれであっても差し支えない。粉末成形の
場合、フェライト基板成形時にコア配置穴部21とスリッ
ト22が形成され、穴抜き工程2が省略される。
末成形品のいずれであっても差し支えない。粉末成形の
場合、フェライト基板成形時にコア配置穴部21とスリッ
ト22が形成され、穴抜き工程2が省略される。
一方、ドラム状に成形後焼成した磁気コアとしてのド
ラム状フェライトコア24の両端面に予め厚膜又は薄膜技
術による導体膜を形成しておき、巻線工程5において、
第3図のように前記コア24の外周に巻線25が巻回され
る、その巻線25の引き出し端部は、同図の如くコア24の
両端面に沿って折り曲げられる。
ラム状フェライトコア24の両端面に予め厚膜又は薄膜技
術による導体膜を形成しておき、巻線工程5において、
第3図のように前記コア24の外周に巻線25が巻回され
る、その巻線25の引き出し端部は、同図の如くコア24の
両端面に沿って折り曲げられる。
さらに、予備はんだ工程6において、はんだ付けによ
って巻線25の絶縁被膜剥離が為され、かつその巻線端が
コア24の両端面(すなわち導体膜)に固定される。
って巻線25の絶縁被膜剥離が為され、かつその巻線端が
コア24の両端面(すなわち導体膜)に固定される。
次にコア挿入工程7において、巻線25が施こされたド
ラム状フェライトコア24は、第4図の如く穴あきフェラ
イト基板20の棒状部23のコア配置穴部21に挿入される。
ここで、棒状部23とフェライトコア24の各両端面の高さ
を合わせ、接着固定工程8において第5図のように、コ
ア24の端部と棒状部23の穴部21の内面との間隙に封止部
材としての接着樹脂26を注入して封止、接着樹脂26を硬
化させドラム状フェライトコア24を棒状部23に固定す
る。この両端部の間隙を封止することにより、後述の端
部成膜工程9において、コア配置穴部21の内部への成膜
を防止できる。
ラム状フェライトコア24は、第4図の如く穴あきフェラ
イト基板20の棒状部23のコア配置穴部21に挿入される。
ここで、棒状部23とフェライトコア24の各両端面の高さ
を合わせ、接着固定工程8において第5図のように、コ
ア24の端部と棒状部23の穴部21の内面との間隙に封止部
材としての接着樹脂26を注入して封止、接着樹脂26を硬
化させドラム状フェライトコア24を棒状部23に固定す
る。この両端部の間隙を封止することにより、後述の端
部成膜工程9において、コア配置穴部21の内部への成膜
を防止できる。
端部成膜工程9では、第6図に示すように、接着樹脂
26で一体化されたコア24と棒状部23を有する穴あきフェ
ライト基板20の両主面及びその近傍(棒状部23の各側面
の端寄り部分も含む)にわたってCr、Ni−Cr、Cu、Sn等
の金属スパッタ膜を同時に被着形成して端部電極薄膜27
とする。なお、薄膜形成時、スリット22内の不要部分を
予めマスキング処理しておく。この工程でコア24の両端
面にはんだ付けされた巻線25の端部と端部電極薄膜27が
電気的に接続される。端部電極薄膜27の成膜により、コ
ア24と棒状部23の接合がさらに強化される。
26で一体化されたコア24と棒状部23を有する穴あきフェ
ライト基板20の両主面及びその近傍(棒状部23の各側面
の端寄り部分も含む)にわたってCr、Ni−Cr、Cu、Sn等
の金属スパッタ膜を同時に被着形成して端部電極薄膜27
とする。なお、薄膜形成時、スリット22内の不要部分を
予めマスキング処理しておく。この工程でコア24の両端
面にはんだ付けされた巻線25の端部と端部電極薄膜27が
電気的に接続される。端部電極薄膜27の成膜により、コ
ア24と棒状部23の接合がさらに強化される。
なお、スパッタにより、端部電極薄膜27を形成した
が、他の薄膜技術、例えばイオンプレーティング、P−
CVD等で成膜しても差し支えない。
が、他の薄膜技術、例えばイオンプレーティング、P−
CVD等で成膜しても差し支えない。
その後、切断工程10において、コア配置穴部21とドラ
ム状フェライトコア24を1個ずつ有するように第6図
(第2図、第4図にも図示した)切断線Zに沿って前記
棒状部23をスライサー(ダイサー)等により切断し、第
7図の如く1個のケース入りインダクタに切り出す。こ
の切断工程10により、切断分離された棒状部23がケース
入りインダクタのフェライトケース28になる。従って、
得られた製品であるケース入りインダクタの端部電極薄
膜27は第7図の如く、2面の折り返し電極を構成するだ
けである。1個ずつ切断されたケース入りインダクタ
は、次の洗浄・乾燥工程11に送られ、洗浄され乾燥され
る。
ム状フェライトコア24を1個ずつ有するように第6図
(第2図、第4図にも図示した)切断線Zに沿って前記
棒状部23をスライサー(ダイサー)等により切断し、第
7図の如く1個のケース入りインダクタに切り出す。こ
の切断工程10により、切断分離された棒状部23がケース
入りインダクタのフェライトケース28になる。従って、
得られた製品であるケース入りインダクタの端部電極薄
膜27は第7図の如く、2面の折り返し電極を構成するだ
けである。1個ずつ切断されたケース入りインダクタ
は、次の洗浄・乾燥工程11に送られ、洗浄され乾燥され
る。
さらに、薄膜による成膜のみの端部電極における耐熱
性向上のため、次のメッキ工程12において湿式めっき又
は無電解めっきを行ってはんだ等の金属めっき膜を形成
して端部電極膜を2層以上の構造としてもよい。また、
メッキ工程12は切断工程10の前に基板として行ってもよ
い。
性向上のため、次のメッキ工程12において湿式めっき又
は無電解めっきを行ってはんだ等の金属めっき膜を形成
して端部電極膜を2層以上の構造としてもよい。また、
メッキ工程12は切断工程10の前に基板として行ってもよ
い。
上記実施例の各工程により、巻線を施したドラム状磁
気コアを磁性材ケースの穴部に配置し、前記磁気コア端
部と前記穴部内面との間隙を封止部材で封止するととも
に前記磁気コア及び磁性材ケースの端面側に端部電極薄
膜を設けた構成とした磁気シールド型のケース入りイン
ダクタが製造される。
気コアを磁性材ケースの穴部に配置し、前記磁気コア端
部と前記穴部内面との間隙を封止部材で封止するととも
に前記磁気コア及び磁性材ケースの端面側に端部電極薄
膜を設けた構成とした磁気シールド型のケース入りイン
ダクタが製造される。
上記実施例の構成では、多数のコアとケースを一体化
した基板を使用した基板処理工法により、工程のライン
化(工程間搬送の統一化)が可能となり、また多数個同
時処理がパレット等を使用しないで可能となる。さらに
端部電極形成を薄膜技術により行うので、従来の製品に
比べ製品構成部品が大幅に少なくなり(9点から5点に
減少)、この結果、原価低減、歩留り向上の効果が得ら
れる。
した基板を使用した基板処理工法により、工程のライン
化(工程間搬送の統一化)が可能となり、また多数個同
時処理がパレット等を使用しないで可能となる。さらに
端部電極形成を薄膜技術により行うので、従来の製品に
比べ製品構成部品が大幅に少なくなり(9点から5点に
減少)、この結果、原価低減、歩留り向上の効果が得ら
れる。
また、従来品に比べコアとケースとに個別に電極を設
けたり、コア側電極とケース側電極とを相互に接続した
りする工程が不要になるから、製造工数の削減も図るこ
とができる。また、端部電極薄膜27の膜厚の管理は高精
度で行うことができるから、製品の寸法精度の向上を図
ることができる。さらに、コア24及びケース28の端面及
び接着樹脂26の露出面に同時に端部電極薄膜27を設ける
ことができ、はんだめっき銅箔を使用する従来の場合に
比べて製品強度を大きくすることができる。
けたり、コア側電極とケース側電極とを相互に接続した
りする工程が不要になるから、製造工数の削減も図るこ
とができる。また、端部電極薄膜27の膜厚の管理は高精
度で行うことができるから、製品の寸法精度の向上を図
ることができる。さらに、コア24及びケース28の端面及
び接着樹脂26の露出面に同時に端部電極薄膜27を設ける
ことができ、はんだめっき銅箔を使用する従来の場合に
比べて製品強度を大きくすることができる。
なお、上記実施例では、フェライト基板を使用するこ
とで前述した構成のような磁気シールド型インダクタが
できるが、この基板をプラスチック等の一般の加工性の
良い非磁性材を用いることにより、オープン(開磁路)
型のインダクタが製造可能となる。
とで前述した構成のような磁気シールド型インダクタが
できるが、この基板をプラスチック等の一般の加工性の
良い非磁性材を用いることにより、オープン(開磁路)
型のインダクタが製造可能となる。
また、フェライト基板はシート積層品であっても粉末
成形品を用いてもよい。
成形品を用いてもよい。
また、第3図のドラム状フェライトコア24の他の具体
例として、第9図のようなドラム状フェライトコア24の
両端面を凹面40としたものを使用してもよい。この場
合、予備はんだ工程6において、凹面40上の導体膜41に
巻線25の引き出し端部をはんだ付けにより固定する際、
はんだ42のコア端部からの盛り上がりを防ぐことができ
る。
例として、第9図のようなドラム状フェライトコア24の
両端面を凹面40としたものを使用してもよい。この場
合、予備はんだ工程6において、凹面40上の導体膜41に
巻線25の引き出し端部をはんだ付けにより固定する際、
はんだ42のコア端部からの盛り上がりを防ぐことができ
る。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、後にケースに
なる複数の棒状部と前記棒状部に複数のコア配置穴部を
設けた穴あき基板を用いた基板処理工法により製造がで
き、工程のライン化(工程間搬送の統一化)が可能とな
り、また多数個同時処理がパレット等を使用しないで可
能となる。従って、量産が容易になりコスト低減が図れ
る。
なる複数の棒状部と前記棒状部に複数のコア配置穴部を
設けた穴あき基板を用いた基板処理工法により製造がで
き、工程のライン化(工程間搬送の統一化)が可能とな
り、また多数個同時処理がパレット等を使用しないで可
能となる。従って、量産が容易になりコスト低減が図れ
る。
また、磁気コア及びケース端面側に端部電極薄膜を前
記穴あき基板状態においてスパッタ、イオンプレーティ
ング、P−CVD等の薄膜技術で同時成膜することによ
り、従来製品に比べて製造工数を大幅に削減することが
でき、この点でも品質、歩留りの向上と生産性の改善が
可能であり、製品寸法精度、強度の向上も可能になる。
記穴あき基板状態においてスパッタ、イオンプレーティ
ング、P−CVD等の薄膜技術で同時成膜することによ
り、従来製品に比べて製造工数を大幅に削減することが
でき、この点でも品質、歩留りの向上と生産性の改善が
可能であり、製品寸法精度、強度の向上も可能になる。
第1図は本発明に係るケース入りインダクタの製造方法
の実施例を示す工程図、第2図は同実施例の穴抜き及び
焼成工程における穴あきフェライト基板を示す斜視図、
第3図は巻線工程で巻線を施したドラム状フェライトコ
アを示す斜視図、第4図はコア挿入工程を説明する部分
斜視図、第5図は接着固定工程を示す部分正断面図、第
6図は端部成膜工程を示す部分斜視図、第7図は切断工
程を示す部分斜視図、第8図は完成したケース入りイン
ダクタの正断面図、第9図はドラム状フェライトコアの
他の具体例を示す部分断面図、第10図は従来のケース入
りインダクタの一例を示す正断面図である。 20……穴あきフェライト基板、21……コア配置穴部、22
……スリット、23……棒状部、24……ドラム状フェライ
トコア、25……巻線、26……接着樹脂、27……端部電極
薄膜、28……フェライトケース。
の実施例を示す工程図、第2図は同実施例の穴抜き及び
焼成工程における穴あきフェライト基板を示す斜視図、
第3図は巻線工程で巻線を施したドラム状フェライトコ
アを示す斜視図、第4図はコア挿入工程を説明する部分
斜視図、第5図は接着固定工程を示す部分正断面図、第
6図は端部成膜工程を示す部分斜視図、第7図は切断工
程を示す部分斜視図、第8図は完成したケース入りイン
ダクタの正断面図、第9図はドラム状フェライトコアの
他の具体例を示す部分断面図、第10図は従来のケース入
りインダクタの一例を示す正断面図である。 20……穴あきフェライト基板、21……コア配置穴部、22
……スリット、23……棒状部、24……ドラム状フェライ
トコア、25……巻線、26……接着樹脂、27……端部電極
薄膜、28……フェライトケース。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野寺 晃 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 吉原 信也 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】棒状部が一体に形成されかつ該棒状部に複
数のコア配置穴部が形成された穴あき基板を用い、前記
コア配置穴部に巻線を施したドラム状磁気コアを配置し
て接着固定し、前記棒状部の前記コア配置穴部を有する
両主面に薄膜技術による金属薄膜を形成した後、前記コ
ア配置穴部をそれぞれ1個ずつ有する如く前記棒状部を
切断分離することを特徴とするケース入りインダクタの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8879490A JP2741419B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | ケース入りインダクタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8879490A JP2741419B2 (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | ケース入りインダクタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03286512A JPH03286512A (ja) | 1991-12-17 |
JP2741419B2 true JP2741419B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=13952762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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