JP2602076B2 - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体装置用リードフレームに関し、特に
樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームの
ダイボンドパッド部の構造に関するものである。
樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームの
ダイボンドパッド部の構造に関するものである。
[従来の技術] 通常、シリコン基板上に半導体集積回路装置を形成し
た半導体チップは、パッケージ内に封止されて形成され
ている。第12図は、従来の樹脂封止型半導体装置の断面
構造図を示している。本図を参照して、モールド樹脂封
止型半導体装置1は、リードフレーム2と半導体チップ
3およびモールド樹脂材4とを備えている。リードフレ
ーム2はモールド樹脂材4の外部にまで延びた複数のリ
ード5と半導体チップ3をその上面に載置して固定する
ダイボンドパッド部6とを備えている。
た半導体チップは、パッケージ内に封止されて形成され
ている。第12図は、従来の樹脂封止型半導体装置の断面
構造図を示している。本図を参照して、モールド樹脂封
止型半導体装置1は、リードフレーム2と半導体チップ
3およびモールド樹脂材4とを備えている。リードフレ
ーム2はモールド樹脂材4の外部にまで延びた複数のリ
ード5と半導体チップ3をその上面に載置して固定する
ダイボンドパッド部6とを備えている。
モールド樹脂封止型半導体装置1は次のような工程に
よって製造される。
よって製造される。
まず、リードフレーム2のダイボンドパッド部6表面
上に半田などのダイボンド材7を載置する。次にこのダ
イボンド材7の表面上に半導体チップ3を載置し、これ
を温度320℃程度の高温雰囲気下で保持し、ダイボンド
材7を溶融する。その後、冷却して半導体チップ3をリ
ードフレーム2のダイボンドパッド部6上に固定する。
上に半田などのダイボンド材7を載置する。次にこのダ
イボンド材7の表面上に半導体チップ3を載置し、これ
を温度320℃程度の高温雰囲気下で保持し、ダイボンド
材7を溶融する。その後、冷却して半導体チップ3をリ
ードフレーム2のダイボンドパッド部6上に固定する。
次に、半導体チップ3とリードフレーム2のリード5
とをワイヤボンディングする。ワイヤボンディングは温
度250℃程度で熱圧着あるいは超音波熱圧着される。
とをワイヤボンディングする。ワイヤボンディングは温
度250℃程度で熱圧着あるいは超音波熱圧着される。
その後、半導体チップ3が固定して接続されたリード
フレーム2の周囲を200℃〜250℃の温度下でモールド樹
脂材によってモールド成型して図示の形状に成形され
る。その後、放置して冷却される。
フレーム2の周囲を200℃〜250℃の温度下でモールド樹
脂材によってモールド成型して図示の形状に成形され
る。その後、放置して冷却される。
[発明が解決しようとする課題] 従来のモールド樹脂封止型半導体装置においては、製
造過程から完成に至るまでの温度履歴により生じる熱歪
の影響が大きな問題となっていた。すなわち、銅材や鉄
材あるいはこれらの合金からなるリードフレーム2のダ
イボンドパッド部6は、第11図に示すように長方形の平
板状に構成されている。そして、このダイボンドパッド
部6は、半導体チップ3のダイボンド工程での温度(32
0℃)から常温まで冷されて収縮しようとする。また、
モールド樹脂材4はエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂か
らなり、モールド成型時の温度(200℃〜250℃)から常
温まで冷却されて収縮しようとする。これらの両者は互
いに異なる材料からなり、しかも冷却温度に差が生じて
いる。したがって、通常は熱膨張率の大きいダイボンド
パッド部6がモールド樹脂材4に比べて相対的に大きな
熱収縮量を生じようとする。しかも、ダイボンドパッド
部6の剛性がモールド樹脂材4に比べて大きいため、パ
ッケージ全体としての熱歪はダイボンドパッド部6の熱
収縮に支配される。このために半導体チップ3やモール
ド樹脂材4が許容以上の熱歪を受けることにより、半導
体チップ3が曲がったり、モールド樹脂材4の内部にク
ラックが発生したりする等の問題が生じた。
造過程から完成に至るまでの温度履歴により生じる熱歪
の影響が大きな問題となっていた。すなわち、銅材や鉄
材あるいはこれらの合金からなるリードフレーム2のダ
イボンドパッド部6は、第11図に示すように長方形の平
板状に構成されている。そして、このダイボンドパッド
部6は、半導体チップ3のダイボンド工程での温度(32
0℃)から常温まで冷されて収縮しようとする。また、
モールド樹脂材4はエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂か
らなり、モールド成型時の温度(200℃〜250℃)から常
温まで冷却されて収縮しようとする。これらの両者は互
いに異なる材料からなり、しかも冷却温度に差が生じて
いる。したがって、通常は熱膨張率の大きいダイボンド
パッド部6がモールド樹脂材4に比べて相対的に大きな
熱収縮量を生じようとする。しかも、ダイボンドパッド
部6の剛性がモールド樹脂材4に比べて大きいため、パ
ッケージ全体としての熱歪はダイボンドパッド部6の熱
収縮に支配される。このために半導体チップ3やモール
ド樹脂材4が許容以上の熱歪を受けることにより、半導
体チップ3が曲がったり、モールド樹脂材4の内部にク
ラックが発生したりする等の問題が生じた。
したがって、本発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体チップを十分に載置固定
し、かつ製造工程において生じる熱歪によってモールド
樹脂材のクラックや半導体チップの曲がりを生じさせる
ことがないダイボンドパッド部を有する半導体装置用リ
ードフレームを提供することを目的とする。
ためになされたもので、半導体チップを十分に載置固定
し、かつ製造工程において生じる熱歪によってモールド
樹脂材のクラックや半導体チップの曲がりを生じさせる
ことがないダイボンドパッド部を有する半導体装置用リ
ードフレームを提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明における半導体装置用リードフレームは、半導
体チップをその上面および下面のうちのいずれか一方に
固定するダイボンドパッド部と、そのダイボンドパッド
部の周囲に配置された複数本のリード片からなるリード
部とを含んでおり、ダイボンドパッド部は、半導体チッ
プをその上面および下面のうちのいずれか一方に固定し
得るような形状に形成されているとともに、正方形の内
部を埋め尽くす連続曲線と数学上定義されるペアノ曲線
の形状を有する線状体から構成されている。
体チップをその上面および下面のうちのいずれか一方に
固定するダイボンドパッド部と、そのダイボンドパッド
部の周囲に配置された複数本のリード片からなるリード
部とを含んでおり、ダイボンドパッド部は、半導体チッ
プをその上面および下面のうちのいずれか一方に固定し
得るような形状に形成されているとともに、正方形の内
部を埋め尽くす連続曲線と数学上定義されるペアノ曲線
の形状を有する線状体から構成されている。
[作用] 本発明に係る半導体装置用リードフレームでは、ダイ
ボンドパッド部を構成する線状体の形状としてペアノ曲
線を用いている。ここで、ペアノ曲線とは連続曲線で正
方形の内部を埋め尽くすものと定義される数学上でいう
1連続曲線の形態を表わすものであり、そのペアノ曲線
の定義は、たとえば岩波書店発行の岩波数学事典の第3
版の241頁に記載されている。このペアノ曲線を用いる
と、ダイボンドパッド部の単位正方領域に位置する線状
体の形状をダイボンドパッド部全面にわたって相似また
は合同形状で形成することができ、しかも、基本単位形
状をつなぎ合わせる数を増加すれば大チップ用のダイボ
ンドパッド部を容易に形成することが可能となる。そし
て、そのような大チップ用のダイボンドパッド部を形成
したとしても基本単位形状の大きさは同じであるので大
チップに与える熱応力を小さなチップの場合に生じる熱
応力と同じレベルにすることが可能となる。上記のよう
なペアノ曲線を用いると、ダイボンドパッドと半導体チ
ップ裏面との接着面積をダイボンドパッド部全面にわた
って均等に設定することが可能となる。それにより、製
造時の温度変化によって生じる熱歪みによる応力が半導
体チップに局所的に生じるのが防止される。また、ペア
ノ曲線の使用により大チップ用のダイボンドパッド部を
構成したとしても単位正方領域内に形成される線状体の
形状をすべての単位正方領域にわたって合同または相似
形状にすることが可能となるので、ダイボンドパッド部
の平面内に互いに直交する任意の2方向における剛性が
ほぼ均等に低減され、その結果、一方向しか剛性が低減
されない場合に比べて製造時にシリコンチップに加わる
熱応力を容易に軽減することが可能となる。また、この
ような形状によって半導体チップの接着固定面を均等に
支持することができるので、従来は半導体チップ裏面で
の接着固定しかできなかったものを、半導体チップの能
動面を接着固定する事もできるとともに、ダイボンド時
のリードフレーム搬送作業によるリード先端部の振動等
による相対変位を少なくでき、品質の良い半導体組立を
確実で容易に行なうことが可能となる。
ボンドパッド部を構成する線状体の形状としてペアノ曲
線を用いている。ここで、ペアノ曲線とは連続曲線で正
方形の内部を埋め尽くすものと定義される数学上でいう
1連続曲線の形態を表わすものであり、そのペアノ曲線
の定義は、たとえば岩波書店発行の岩波数学事典の第3
版の241頁に記載されている。このペアノ曲線を用いる
と、ダイボンドパッド部の単位正方領域に位置する線状
体の形状をダイボンドパッド部全面にわたって相似また
は合同形状で形成することができ、しかも、基本単位形
状をつなぎ合わせる数を増加すれば大チップ用のダイボ
ンドパッド部を容易に形成することが可能となる。そし
て、そのような大チップ用のダイボンドパッド部を形成
したとしても基本単位形状の大きさは同じであるので大
チップに与える熱応力を小さなチップの場合に生じる熱
応力と同じレベルにすることが可能となる。上記のよう
なペアノ曲線を用いると、ダイボンドパッドと半導体チ
ップ裏面との接着面積をダイボンドパッド部全面にわた
って均等に設定することが可能となる。それにより、製
造時の温度変化によって生じる熱歪みによる応力が半導
体チップに局所的に生じるのが防止される。また、ペア
ノ曲線の使用により大チップ用のダイボンドパッド部を
構成したとしても単位正方領域内に形成される線状体の
形状をすべての単位正方領域にわたって合同または相似
形状にすることが可能となるので、ダイボンドパッド部
の平面内に互いに直交する任意の2方向における剛性が
ほぼ均等に低減され、その結果、一方向しか剛性が低減
されない場合に比べて製造時にシリコンチップに加わる
熱応力を容易に軽減することが可能となる。また、この
ような形状によって半導体チップの接着固定面を均等に
支持することができるので、従来は半導体チップ裏面で
の接着固定しかできなかったものを、半導体チップの能
動面を接着固定する事もできるとともに、ダイボンド時
のリードフレーム搬送作業によるリード先端部の振動等
による相対変位を少なくでき、品質の良い半導体組立を
確実で容易に行なうことが可能となる。
[実施例] 以下本発明の実施例について図を用いて説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例によるリードフレー
ムのダイボンドパッド部周辺領域を示す平面図である。
図示のリードフレーム2は、ペアノ曲線で構成されたダ
イボンドパッド部6と、その周囲に放射状に形成された
複数本のリード5とを備えている。ダイボンドパッド部
6は、銅材や鉄材あるいはこれらの合金材をたとえば線
幅0.15mmのペアノ曲線状に形成した線状体6aから構成さ
れている。ダイボンドパッド部6の四隅には、この部分
を支えるための吊りリード8が一体的に形成されてい
る。ダイボンドパッド部6を構成するペアノ曲線状の線
状体6aは、通常、交差部を持たない独立した1本の連続
曲線で表わされる。そして、ダイボンドパッド部6を複
数の正方領域に分割して見ると、分割した各正方領域内
に形成されるペアノ曲線の一部分の形状はすべての正方
領域にわたって合同または相似形で構成されている。こ
のために、ダイボンドパッド部6の平面内の互いに直交
する任意の二方向における剛性をほぼ等しくすることが
できる。これによって、パッケージング工程において温
度変動によって生じる熱歪による応力の局部集中を防止
することができる。また、このような形状は、ダイボン
ドパッド部6表面上に固定される半導体チップ3との接
触面積を接触領域内で均等に分布させることができる。
したがって、半導体チップ3をその下面から均等に支持
するダイボンドパッド部6の支持機能を損うことがな
い。さらに、これはダイボンドパッド部6に接続される
吊りリード8によって達成される。
ムのダイボンドパッド部周辺領域を示す平面図である。
図示のリードフレーム2は、ペアノ曲線で構成されたダ
イボンドパッド部6と、その周囲に放射状に形成された
複数本のリード5とを備えている。ダイボンドパッド部
6は、銅材や鉄材あるいはこれらの合金材をたとえば線
幅0.15mmのペアノ曲線状に形成した線状体6aから構成さ
れている。ダイボンドパッド部6の四隅には、この部分
を支えるための吊りリード8が一体的に形成されてい
る。ダイボンドパッド部6を構成するペアノ曲線状の線
状体6aは、通常、交差部を持たない独立した1本の連続
曲線で表わされる。そして、ダイボンドパッド部6を複
数の正方領域に分割して見ると、分割した各正方領域内
に形成されるペアノ曲線の一部分の形状はすべての正方
領域にわたって合同または相似形で構成されている。こ
のために、ダイボンドパッド部6の平面内の互いに直交
する任意の二方向における剛性をほぼ等しくすることが
できる。これによって、パッケージング工程において温
度変動によって生じる熱歪による応力の局部集中を防止
することができる。また、このような形状は、ダイボン
ドパッド部6表面上に固定される半導体チップ3との接
触面積を接触領域内で均等に分布させることができる。
したがって、半導体チップ3をその下面から均等に支持
するダイボンドパッド部6の支持機能を損うことがな
い。さらに、これはダイボンドパッド部6に接続される
吊りリード8によって達成される。
第2図は、ダイボンドパッド部6を構成するペアノ曲
線の始点10および終点部11と吊りリード8との接合部を
示す平面拡大図である。吊りリード8はダイボンドパッ
ド部6と一体的に接続されている。この吊りリード8と
ダイボンドパッド部6との接合形状は、さらに第3図お
よび第4図に示されるように形状が考えられる。
線の始点10および終点部11と吊りリード8との接合部を
示す平面拡大図である。吊りリード8はダイボンドパッ
ド部6と一体的に接続されている。この吊りリード8と
ダイボンドパッド部6との接合形状は、さらに第3図お
よび第4図に示されるように形状が考えられる。
次に、本発明の他の実施例を第5図ないし第13図を用
いて説明する。これらの実施例を共通する特徴点として
は、ダイボンドパッド部を構成する線状体6aがリード5
と一体に接続されていることである。そして、このリー
ド5にダイボンドパッド部6を保持する吊りリードとし
ての役割と、本来的なリード線の役割とを兼用させてい
る。したがって、このような構造によって吊りリードを
不要とした簡略な構造を構成している。
いて説明する。これらの実施例を共通する特徴点として
は、ダイボンドパッド部を構成する線状体6aがリード5
と一体に接続されていることである。そして、このリー
ド5にダイボンドパッド部6を保持する吊りリードとし
ての役割と、本来的なリード線の役割とを兼用させてい
る。したがって、このような構造によって吊りリードを
不要とした簡略な構造を構成している。
第5図に示す実施例は、ペアノ曲線状に形成された線
状体6aからなるダイボンドパッド部6と、この連続した
ペアノ曲線の始点10および終点部11と一体に接続形成さ
れた2本のリード5a,5bと、ダイボンドパッド部6の周
辺に放射状に形成された38本の独立したリード5とから
構成されている。ダイボンドパッド部6に接続された2
本のリード5a,5bは連続した導電材料から構成されるた
め、1本のリードとして機能する。
状体6aからなるダイボンドパッド部6と、この連続した
ペアノ曲線の始点10および終点部11と一体に接続形成さ
れた2本のリード5a,5bと、ダイボンドパッド部6の周
辺に放射状に形成された38本の独立したリード5とから
構成されている。ダイボンドパッド部6に接続された2
本のリード5a,5bは連続した導電材料から構成されるた
め、1本のリードとして機能する。
第6図に示す実施例は、第5図に示す実施例に対し
て、さらに線状体6aの途中に2本の新たなリード5c,5d
を接続し、ダイボンドパッド部6の支持を強化した例で
ある。
て、さらに線状体6aの途中に2本の新たなリード5c,5d
を接続し、ダイボンドパッド部6の支持を強化した例で
ある。
第7図に示す実施例は、第6図に示す実施例に対し
て、線状体6a自身の支持強度を増加させるために、線状
体6aのペアノ曲線の途中の任意の2点間を接続した形状
にしたものである。
て、線状体6a自身の支持強度を増加させるために、線状
体6aのペアノ曲線の途中の任意の2点間を接続した形状
にしたものである。
第8図に示す実施例は、ダイボンドパッド部6を3つ
の独立したペアノ曲線形状を有する線状体6aで構成し、
その各々の線状体6aの始点10および終点部11をリード5
a,5bと一体的に接続形成したものである。
の独立したペアノ曲線形状を有する線状体6aで構成し、
その各々の線状体6aの始点10および終点部11をリード5
a,5bと一体的に接続形成したものである。
第9図に示す実施例は、第8図に対して3つの各々独
立した線状体6aに対して、さらにそのペアノ曲線の途中
にリード5c,5dを接続し、ダイボンドパッド部6の支持
構造の強化を図ったものである。
立した線状体6aに対して、さらにそのペアノ曲線の途中
にリード5c,5dを接続し、ダイボンドパッド部6の支持
構造の強化を図ったものである。
第10図に示す実施例は、各々独立した複数のペアノ曲
線状の線状体6aを並列に並べてダイボンドパッド部6を
形成したものである。
線状の線状体6aを並列に並べてダイボンドパッド部6を
形成したものである。
このように、本発明の半導体装置用リードフレームは
ダイボンドパッド部6を線状体のパターン形状で構成
し、その剛性を低減させている。これによって、モール
ド樹脂封止型半導体装置を構成するモールド樹脂材や半
導体チップなどとの剛性の均等化を図っている。これに
よって、製造工程時の温度変動に起因する熱収縮に対し
て、ダイボンドパッド部が他の構成要素に及ぼす相対的
な熱収縮力を低減させている。このために、特にモール
ド樹脂材では、ダイボンドパッド部6側からの熱収縮歪
による変形量が低減され、クラックの発生などを防止す
ることができる。
ダイボンドパッド部6を線状体のパターン形状で構成
し、その剛性を低減させている。これによって、モール
ド樹脂封止型半導体装置を構成するモールド樹脂材や半
導体チップなどとの剛性の均等化を図っている。これに
よって、製造工程時の温度変動に起因する熱収縮に対し
て、ダイボンドパッド部が他の構成要素に及ぼす相対的
な熱収縮力を低減させている。このために、特にモール
ド樹脂材では、ダイボンドパッド部6側からの熱収縮歪
による変形量が低減され、クラックの発生などを防止す
ることができる。
また、上記実施例において説明したように、ダイボン
ドパッド部6をペアノ曲線形状に形成すると、その形状
の合同性により、ダイボンドパッド部6上に載置される
半導体チップ3のサイズの変更に対しても、ペアノ曲線
の合同図形のサイズや反復数を変更するだけで容易に適
用可能となり、ダイボンドパッド部の設計上の自由度を
増加させることができる。
ドパッド部6をペアノ曲線形状に形成すると、その形状
の合同性により、ダイボンドパッド部6上に載置される
半導体チップ3のサイズの変更に対しても、ペアノ曲線
の合同図形のサイズや反復数を変更するだけで容易に適
用可能となり、ダイボンドパッド部の設計上の自由度を
増加させることができる。
なお、上記実施例では、ダイボンドパッド部6上に半
導体チップ3を載置する場合について説明したが、本発
明はこれに限らず、ダイボンドパッド部6下に半導体チ
ップ3を載置する場合にも適用可能である。
導体チップ3を載置する場合について説明したが、本発
明はこれに限らず、ダイボンドパッド部6下に半導体チ
ップ3を載置する場合にも適用可能である。
[発明の効果] 以上のように、本発明によれば、半導体装置用リード
フレームのダイボンドパッド部を正方形の内部を埋め尽
くす連続曲線と数学上定義されるペアノ曲線の形状を有
する線状体から構成することにより、小チップ用のダイ
ボンドパッド部のみならず大チップ用のダイボンドパッ
ド部をも容易に形成することができる。また、大チップ
用のダイボンドパッド部を形成した場合にもダイボンド
パッド部全体にわたってダイボンドパッド部と半導体チ
ップとの接着面積を均等に分布させることができるの
で、製造時の局部的な応力集中を防止することができ、
その結果、大チップ用のダイボンドパッド部であっても
半導体チップ上のダメージを軽減することができる。ま
た、ペアノ曲線の使用によりダイボンドパッド部の平面
内に互いに直交する任意の2方向における剛性をほぼ均
等に低減でき、その結果、一方向のみしか剛性を低減で
きない場合に比べて製造時にシリコンチップに加わる熱
応力をより軽減することができる。これらによって、信
頼性の高いモールド樹脂封止型半導体装置を実現するこ
とができる。
フレームのダイボンドパッド部を正方形の内部を埋め尽
くす連続曲線と数学上定義されるペアノ曲線の形状を有
する線状体から構成することにより、小チップ用のダイ
ボンドパッド部のみならず大チップ用のダイボンドパッ
ド部をも容易に形成することができる。また、大チップ
用のダイボンドパッド部を形成した場合にもダイボンド
パッド部全体にわたってダイボンドパッド部と半導体チ
ップとの接着面積を均等に分布させることができるの
で、製造時の局部的な応力集中を防止することができ、
その結果、大チップ用のダイボンドパッド部であっても
半導体チップ上のダメージを軽減することができる。ま
た、ペアノ曲線の使用によりダイボンドパッド部の平面
内に互いに直交する任意の2方向における剛性をほぼ均
等に低減でき、その結果、一方向のみしか剛性を低減で
きない場合に比べて製造時にシリコンチップに加わる熱
応力をより軽減することができる。これらによって、信
頼性の高いモールド樹脂封止型半導体装置を実現するこ
とができる。
第1図は、本発明の一実施例による半導体装置用リード
フレームのダイボンドパッド部近傍を示す平面構造図で
ある。第2図は、ダイボンドパッド部と吊りリードとの
接続部分を示す平面拡大図である。第3図および第4図
は、さらにダイボンドパッド部と吊りリードとの接続部
を示す他の例の平面拡大図である。第5図、第6図、第
7図、第8図、第9図および第10図は、本発明の半導体
装置用リードフレームの種々の変形例を示すダイボンド
パッド部近傍の平面構造図である。 第11図は、従来の半導体装置用リードフレームのダイボ
ンドパッド部近傍の平面構造図である。第12図は、モー
ルド樹脂封止型半導体装置の一般的な断面構造を示す断
面構造図である。 図において、2はリードフレーム、5,5a,5b,5c,5dはリ
ード、6はダイボンドパッド部、6aは線状体、7はダイ
ボンド材、8は吊りリードを示している。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
フレームのダイボンドパッド部近傍を示す平面構造図で
ある。第2図は、ダイボンドパッド部と吊りリードとの
接続部分を示す平面拡大図である。第3図および第4図
は、さらにダイボンドパッド部と吊りリードとの接続部
を示す他の例の平面拡大図である。第5図、第6図、第
7図、第8図、第9図および第10図は、本発明の半導体
装置用リードフレームの種々の変形例を示すダイボンド
パッド部近傍の平面構造図である。 第11図は、従来の半導体装置用リードフレームのダイボ
ンドパッド部近傍の平面構造図である。第12図は、モー
ルド樹脂封止型半導体装置の一般的な断面構造を示す断
面構造図である。 図において、2はリードフレーム、5,5a,5b,5c,5dはリ
ード、6はダイボンドパッド部、6aは線状体、7はダイ
ボンド材、8は吊りリードを示している。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭47−27474(JP,A) 特開 昭52−95173(JP,A) 実開 昭55−122369(JP,U)
Claims (1)
- 【請求項1】半導体チップをその上面および下面のうち
のいずれか一方に固定するダイボンドパッド部と、 前記ダイボンドパッド部の周囲に配置された複数本のリ
ード片からなるリード部とを含む半導体装置用リードフ
レームにおいて、 前記ダイボンドパッド部は、前記半導体チップをその上
面および下面のうちのいずれか一方に固定し得るような
形状に形成されているとともに、正方形の内部を埋め尽
くす連続曲線と数学上定義されるペアノ曲線の形状を有
する線状体から構成されていることを特徴とする、半導
体装置用リードフレーム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63225380A JP2602076B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 半導体装置用リードフレーム |
US07/403,963 US5021865A (en) | 1988-09-08 | 1989-09-07 | Lead frame for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63225380A JP2602076B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0273660A JPH0273660A (ja) | 1990-03-13 |
JP2602076B2 true JP2602076B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=16828447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63225380A Expired - Fee Related JP2602076B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5021865A (ja) |
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EP0642160A1 (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with improved support means |
KR950034719A (ko) * | 1994-04-13 | 1995-12-28 | 알. 제이. 보토스 | 리드 프레임 및 이 리드 프레임을 포함한 패키지 디바이스 제조 방법 |
KR100209782B1 (ko) * | 1994-08-30 | 1999-07-15 | 가나이 쓰도무 | 반도체 장치 |
US5714792A (en) * | 1994-09-30 | 1998-02-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a reduced die support area and method for making the same |
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CN107025481B (zh) * | 2016-02-02 | 2021-08-20 | 上海伯乐电子有限公司 | 柔性印制电路板及应用其的智能卡模块和智能卡 |
CN109449577A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-03-08 | 北京邮电大学 | 基于皮亚诺ls算法填充曲线的开槽超宽频uc-ebg结构 |
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Family Cites Families (6)
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JPS5479563A (en) * | 1977-12-07 | 1979-06-25 | Kyushu Nippon Electric | Lead frame for semiconductor |
JPS55122369U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-30 | ||
JPS57133655A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-18 | Pioneer Electronic Corp | Lead frame |
US4918511A (en) * | 1985-02-01 | 1990-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Thermal expansion compensated metal lead frame for integrated circuit package |
US4952999A (en) * | 1988-04-26 | 1990-08-28 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for reducing die stress |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP63225380A patent/JP2602076B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-07 US US07/403,963 patent/US5021865A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5021865A (en) | 1991-06-04 |
JPH0273660A (ja) | 1990-03-13 |
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