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JPH09260575A - 半導体装置及びリードフレーム - Google Patents

半導体装置及びリードフレーム

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Publication number
JPH09260575A
JPH09260575A JP6622096A JP6622096A JPH09260575A JP H09260575 A JPH09260575 A JP H09260575A JP 6622096 A JP6622096 A JP 6622096A JP 6622096 A JP6622096 A JP 6622096A JP H09260575 A JPH09260575 A JP H09260575A
Authority
JP
Japan
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semiconductor chip
semiconductor device
inner leads
lead
lead frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP6622096A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Kusaka
健一 日下
Ryoji Takahashi
良治 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Priority to US08/768,909 priority patent/US5753977A/en
Priority to TW085115659A priority patent/TW362267B/zh
Priority to DE1997108002 priority patent/DE19708002B4/de
Priority to KR19970009028A priority patent/KR970067820A/ko
Priority to CNB971034915A priority patent/CN1154184C/zh
Publication of JPH09260575A publication Critical patent/JPH09260575A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 １種類のリードフレームで多種類のサイズの
半導体チップを搭載することを可能にしてリードフレー
ムの共用化を図ることができ、更に放熱性を向上させる
ことができる、半導体装置を提供する。また、この半導
体装置に使用するのに適したリードフレームであって、
高価なエッチング法ではなくパンチング加工で安価に製
造できるリードフレームを提供する。 【解決手段】 上記のような課題を解決するための本発
明による半導体装置は、インナーリードが１ピッチ又は
複数ピッチおきに互いに異なる複数種類の長さを有する
ように形成されており、この複数種類のインナーリード
の少なくとも１種類のものは、半導体チップの周辺部ま
で延びている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止される半
導体装置に関するものであり、アセンブリ技術的に大幅
な変更をすることなく、１種類のリードフレームで多種
類のサイズの半導体チップを搭載することを可能にし、
更に放熱性を向上させることもできる、半導体装置及び
これに使用するのに適したリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１５（ａ）は従来の半導体装置を示す
平面透視図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＡ−Ａ’線
断面図、図１６は従来の半導体装置に用いられる１００
ピンフレームの平面図、図１７は図１６の四分割図であ
る。これらの図１５〜１７において、１は半導体チッ
プ、２はダイパット、３は接着剤、４はインナーリー
ド、５は金属細線、６はモールド樹脂である。これらの
図に示すように、従来の半導体装置及びこれに使用され
るリードフレームでは、ダイパット２のサイズが半導体
チップ１のサイズとほぼ１対１に対応するため、リード
フレームも半導体チップ毎にほぼ専用に作成する必要が
あった。すなわち、従来の樹脂封止型半導体装置では、
１種類のサイズの半導体チップにほぼ１対１に対応して
リードフレームを準備する必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
半導体装置の製造のために準備すべきリードフレームの
種類の数は、半導体チップの種類の数だけ必要とされて
いた。そのため、リードフレームの製造も高価なエッチ
ング法によるしかなく、パンチングにより安価に製作す
ることができず、製造コストの増大を招いていた。
【０００４】また、リードフレームの複数サイズの半導
体チップへの共用化のために、リードフレームの長ルー
プ化の方法もあるが、ワイヤボンド技術及びモールド技
術の点で現状では困難である。更に、従来の構造では放
熱性の向上を計る為に、ヒートスプレッダー等を内蔵す
る必要があったが、これもコストを増大させる原因とな
っている。
【０００５】このように、従来は、一つのリードフレー
ムには一つのサイズの半導体チップしか搭載出来なかっ
た。そのため、半導体の機能別に設計される半導体チッ
プサイズは半導体の機能毎に異なるため、リードフレー
ムの種類は半導体チップサイズ毎に設計され、その半導
体チップのためにほぼ専用に作られていた。その為、リ
ードフレームは高価なエッチング法でしか作れず、半導
体装置の価格を安く提供出来なかった。
【０００６】またリードフレーム共用化に関連する従来
例として、特開平２−２８９６６号公報は、１種類のリ
ードフレームで多種類の半導体チップに対応する目的
で、従来のダイパットを省略し、半導体チップをリード
フレームのインナーリードに直接に間隙を保った状態で
接着剤を用いて取り付ける技術を開示している。しかし
ながら、この開示された技術では、パンチング加工に依
るリードフレーム製造上の制限の考慮がされていないた
めにリードフレーム共用化範囲が狭く、また実現の範囲
が狭いと言う避けられない制約を有している。つまり、
この特開平２−２８９６６号公報の開示技術では、半導
体チップ上のワイヤボンドが多ピンになり１５０μｍ〜
１００μｍと小さくなると、半導体チップの内側までリ
ード先端を配置することができなくなってしまうという
問題がある。
【０００７】本発明はこのような従来技術の問題点に着
目してなされたもので、１ピッチおき又は複数ピッチお
きにリード先端の長さを変えてチップの中央部までイン
ナーリードを配置できるようにし、アセンブリ技術的に
大幅な変更をすることなく、１種類のリードフレームで
多種類のサイズの半導体チップを搭載することを可能に
してリードフレームの共用化を図ることができ、更に放
熱性を向上させることができる、半導体装置を提供する
こと、及び、この半導体装置に使用するのに適したリー
ドフレームであって、高価なエッチング法ではなくパン
チング加工で安価に製造できるリードフレームを提供す
ること、を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決
するための本発明による半導体装置は、インナーリード
が１ピッチ又は複数ピッチおきに互いに異なる複数種類
の長さを有するように形成されており、この複数種類の
インナーリードの少なくとも１種類のものは、半導体チ
ップの周辺部まで延びている、ことを特徴としている。
【０００９】また、本発明の半導体装置に使用されるリ
ードフレームは、１ピッチ又は複数ピッチおきに互いに
異なる複数種類の長さを有するインナーリードを備え、
この複数種類のインナーリードの少なくとも１種類のも
のは半導体チップの周辺部まで延びるものである、こと
を特徴としている。
【００１０】また、本発明による半導体装置は、インナ
ーリードが、１ピッチ又は複数ピッチおきに互いに長さ
の異なる複数種類からなるように形成されており、この
複数種類のインナーリードの少なくとも１種類のもの
は、半導体チップの中心部又はその近傍まで延びてい
る、ことを特徴としている。
【００１１】また、本発明の半導体装置に使用されるリ
ードフレームは、１ピッチ又は複数ピッチおきにその長
さが互いに異なる複数種類のインナーリードを備え、こ
の複数種類のインナーリードの少なくとも１種類のもの
は半導体チップの中心部又はその近傍まで延びるもので
ある、ことを特徴としている。
【００１２】また、本発明による半導体装置は、ダイパ
ットがなく、半導体チップを支持するインナーリードを
備えている、ことを特徴としている。
【００１３】また、本発明の半導体装置に使用されるリ
ードフレームは、ダイパットがなく、半導体チップは前
記インナーリードの全部又は一部により支持されるもの
である、ことを特徴としている。
【００１４】また、本発明による半導体装置は、半導体
チップ下面とインナーリードとの間に、絶縁性のフィル
ム又はシートが介設されていることを特徴としている。
【００１５】また、本発明による半導体装置は、半導体
チップとダイパットとの間に、セラミックスなどの素材
から成る絶縁性及び高熱伝導性を有する部材を介在させ
た、ことを特徴としている。
【００１６】また、本発明による半導体装置は、前記イ
ンナーリードの先端部が、半導体チップ中心を中心とす
る同心円状に沿って折り曲げ形成されている、ことを特
徴としている。
【００１７】また、本発明による半導体装置に使用され
るリードフレームは、前記インナーリードの先端部が、
半導体チップ中心を中心とする同心円状に沿って折り曲
げ形成されている、ことを特徴としている。
【００１８】また、本発明による半導体装置は、前記部
材が、少なくともその一部が封止樹脂の外部に露出され
ている、ことを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】以上のように、本発明による半導
体装置では、１ピッチ又は複数ピッチおきに互いに長さ
の異なる複数種類のインナーリードの少なくとも１種類
のものが半導体チップの周辺部まで延びているので、こ
の半導体チップの周辺部まで延びているインナーリード
で半導体チップを支持することができるようになる。よ
って、本発明によれば、半導体チップのサイズが異なっ
ても、前記の互いに長さの異なる複数種類のインナーリ
ードの中のいずれかの種類のインナーリードで半導体チ
ップを支持することが可能になるので、リードフレーム
の共用化が可能になる。特に、本発明では、半導体チッ
プサイズが小さいときは、１つ又は少数の種類のインナ
ーリードで半導体チップを支持し、半導体チップサイズ
が大きいときは、２つ以上又は多数の種類のインナーリ
ードで半導体チップを支持できるので、合理的である。
また、本発明では、多数のインナーリードが半導体チッ
プに接触して半導体チップからの熱を外部に放出できる
ので、放熱性が大幅に向上されるようになる。
【００２０】また、本発明の半導体装置に使用されるリ
ードフレームでは、１ピッチ又は複数ピッチおきに互い
に長さの異なる複数種類のインナーリードの少なくとも
１種類のものが半導体チップの周辺部まで延びているの
で、この半導体チップの周辺部まで延びているインナー
リードで半導体チップを支持することができるようにな
る。また、本発明によれば、リードフレームの共用化が
可能になることから、高価なエッチング法ではなく、安
価なパンチング加工での製造が可能になる。
【００２１】また、本発明による半導体装置では、互い
に長さの異なる複数種類のインナーリードの少なくとも
１種類のものが半導体チップの中心部又はその近傍まで
延びているので、この半導体チップの中心部又はその近
傍まで延びているインナーリードで半導体チップを支持
することができるようになる。その結果、半導体チップ
の発熱中心（温度が最も高い部分）の熱を前記インナー
リードにより半導体装置外部まで容易に放熱できるの
で、半導体装置の放熱性を大幅に向上させられるように
なる。また、本発明によれば、半導体チップのサイズが
異なっても、前記の互いに長さの異なる複数種類のイン
ナーリードの中のいずれかの種類のインナーリードで半
導体チップを支持することが可能になるので、リードフ
レームの共用化が可能になる。特に、本発明では、半導
体チップサイズが小さいときは、１つ又は少数の種類の
インナーリードで半導体チップを支持し、半導体チップ
サイズが大きいときは、２つ以上又は多数の種類のイン
ナーリードで半導体チップを支持できるので、合理的で
ある。
【００２２】また、本発明による半導体装置に使用され
るリードフレームでは、１ピッチ又は複数ピッチおきに
互いに長さの異なる複数種類のインナーリードの少なく
とも１種類のものが半導体チップの中心部又はその近傍
まで延びているので、この半導体チップの中心部又はそ
の近傍まで延びているインナーリードで半導体チップを
支持することができるようになる。その結果、半導体チ
ップの発熱中心（温度が最も高い部分）から半導体装置
の外部まで発生熱を前記インナーリードにより容易に放
熱できるので、半導体装置の放熱性を大幅に向上させら
れるようになる。また、本発明によれば、半導体チップ
のサイズが異なっても、前記の互いに長さの異なる複数
種類のインナーリードの中のいずれかの種類のインナー
リードで半導体チップを支持することが可能になるの
で、リードフレームの共用化が可能になる。特に、本発
明では、半導体チップサイズが小さいときは、１つ又は
少数の種類のインナーリードで半導体チップを支持し、
半導体チップサイズが大きいときは、２つ以上又は多数
の種類のインナーリードで半導体チップを支持できるの
で、合理的である。また、本発明によれば、リードフレ
ームの共用化が可能になることから、高価なエッチング
法ではなく、安価なパンチング加工での製造が可能にな
る。
【００２３】また、本発明による半導体装置では、ダイ
パットがなく、半導体チップを前記インナーリードの全
部又は一部により支持するようにすることにより、従来
のようにダイパットが封止樹脂のキャビティへの流入の
邪魔になるということがなくなり、キャビティへの封止
樹脂の流入がよりスムーズに行えるようになり、従来の
キャビティ内の封止樹脂の不均衡によるダイパットの変
位などの問題も解消されるようになる。
【００２４】また、本発明による半導体装置に使用され
るリードフレームでは、ダイパットがなく、半導体チッ
プを前記インナーリードの全部又は一部により支持する
ようにすることにより、従来のようにダイパット吊りリ
ードにより封止樹脂のキャビティへのスムーズな流入が
妨げられるということがなくなり、キャビティへの封止
樹脂の流入がよりスムーズに行えるようになる。よっ
て、従来のキャビティ内の封止樹脂の不均衡によるダイ
パットの変位などの問題も解消されるようになる。
【００２５】また、本発明による半導体装置では、半導
体チップ下面とインナーリードとの間に、絶縁性のフィ
ルム又はシートを介設するようにしているので、半導体
チップとインナーリードとの間の絶縁性が大幅に向上す
るようになる。
【００２６】また、本発明による半導体装置では、半導
体チップとダイパットとの間に、セラミックスなどの素
材から成る絶縁性及び高熱伝導性を有する部材を介在さ
せることにより、半導体チップとダイパットとの間の絶
縁性及び半導体装置の放熱性が、大幅に向上するように
なる。
【００２７】また、本発明による半導体装置は、前記イ
ンナーリードの先端部を、半導体チップ中心を中心とす
る同心円状に沿って折り曲げ形成することにより、半導
体チップを封止樹脂の上下方向のほぼ中央に位置させ
て、半導体チップの周囲をほぼ均等に樹脂封止できるよ
うになる。
【００２８】また、本発明による半導体装置に使用され
るリードフレームは、前記インナーリードの先端部を、
半導体チップ中心を中心とする同心円状に沿って折り曲
げ形成することにより、半導体チップを封止樹脂の上下
方向のほぼ中央に位置させて、半導体チップの周囲をほ
ぼ均等に樹脂封止できるようになる。
【００２９】また、本発明による半導体装置では、前記
部材の少なくともその一部を封止樹脂の外部に露出させ
ることにより、半導体チップからの発熱をより効率的に
半導体装置外部に放熱させられるようになる。
【００３０】実施の形態１．以下、本発明の実施の形態
１を説明する。図１（ａ）は本発明の実施の形態１によ
る半導体装置を示す平面透視図、図１（ｂ）はそのＡ−
Ａ’線断面図、図２（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は図１の半
導体装置を具体的に示す平面透視図、図２（ｄ）（ｅ）
及び（ｆ）は、図２（ａ）〜（ｃ）のそれぞれのＡ−
Ａ’線断面図である。
【００３１】図１（ａ）（ｂ）に示すように、半導体チ
ップ１を接着剤３でダイパット２に搭載するが、このダ
イパット２は可能な限り小さなサイズ、すなわち各辺が
２〜３ｍｍ程度とし、インナーリード４が半導体チップ
１の下に来るようにする。尚、ダイパット２はインナー
リード４と同一平面にならないよう、１００μｍ程度上
方に設けるようにする。次に、従来と同様に、半導体チ
ップ１とインナーリード４の間を金属細線５で電気的に
接続し、そしてモールド樹脂６で封止する。
【００３２】このように、この実施の形態１では、イン
ナーリード４が半導体チップ１の直下にあるため、半導
体チップ１で発生した熱は極めて薄い樹脂を通ってイン
ナーリード４へ伝わり、そして直接アウターリード９へ
伝わって外部に放出させる為、より効果的に放熱性を向
上させる事が可能となる。
【００３３】更に、この実施の形態１によれば、図１
（ｂ）及び図２（ｄ）〜（ｆ）に示すように、金属細線
５を長ループ化する事なく各種サイズの半導体チップ１
を搭載する事が可能となる。
【００３４】実施の形態２．次に本発明の実施の形態２
を説明する。図３（ａ）は、この発明の実施の形態２に
よる半導体装置を示す平面透視図であり、図３（ｂ）は
図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００３５】この実施の形態２では、図に示すように、
半導体チップ１下面の周辺部近傍のインナーリード４上
に絶縁性のフィルム７を貼り付ける事により、半導体チ
ップ１の裏面とインナーリード４の間の電気的絶縁性を
確実なものとするようにしている。
【００３６】実施の形態３．次に本発明の実施の形態３
を説明する。図４（ａ）は、この発明の実施の形態３に
よる半導体装置を示す平面透視図であり、図４（ｂ）は
図４（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００３７】この実施の形態３では、図４に示すよう
に、半導体チップ１とダイパット２の間に、セラミック
など素材から成り、絶縁性及び緩衝性があり且つ高熱伝
導性の高い板８を、接着剤３により介設している。これ
により、この実施の形態３では、半導体チップ１とダイ
パット２との間の絶縁性、緩衝性、及び熱伝導性が大幅
に向上するようになっている。
【００３８】実施の形態４．次に本発明の実施の形態４
を説明する。図５は本発明の実施の形態４による半導体
装置を示す部分平面図である。この実施の形態４では、
図５に示すように、ダイパット吊りリード１１と、１ピ
ッチ又は複数ピッチおきに互いに長さの異なる３つの種
類のインナーリード１２，１３，１４が、備えられてい
る。よって、この実施の形態４によれば、少なくとも３
つのサイズの半導体チップに対応できるようになってい
る。
【００３９】すなわち、この実施の形態４によれば、最
も小さいサイズの半導体チップは、前記インナーリード
１２により支持される。また、それよりも大きいサイズ
の半導体チップは、前記インナーリード１２と前記イン
ナーリード１３とにより、支持される。さらに、最も大
きいサイズの半導体チップは、前記インナーリード１
２，１３と前記インナーリード１４とにより、支持され
る。このように、この実施の形態４では、サイズの小さ
い半導体チップは、前記インナーリード１２のみで支持
され、大きくなるに従って、前記インナーリード１３や
前記インナーリード１４でも支持されるようになってい
る。つまり、この実施の形態４では、半導体チップのサ
イズが大きくなるに従って、それを支持するインナーリ
ードの数も増えるようになっており、極めて合理的にな
っている。
【００４０】実施の形態５．次に実施の形態５を説明す
る。図６は本発明の実施の形態５による半導体装置を示
す部分平面図である。この実施の形態５では、図６に示
すように、ダイパット吊りリード２１と、１ピッチ又は
複数ピッチおきに互いに長さの異なる３つの種類のイン
ナーリード２２，２３，２４が、備えられている。よっ
て、この実施の形態５によれば、少なくとも３つのサイ
ズの半導体チップに対応できるようになっている。
【００４１】すなわち、この実施の形態５によれば、最
も小さいサイズの半導体チップは、前記インナーリード
２２により支持される。また、それよりも大きいサイズ
の半導体チップは、前記インナーリード２２と前記イン
ナーリード２３とにより、支持される。さらに、最も大
きいサイズの半導体チップは、前記インナーリード２
２，２３と前記インナーリード２４とにより、支持され
る。このように、この実施の形態５では、サイズの小さ
い半導体チップは、前記インナーリード２２のみで支持
され、大きくなるに従って、前記インナーリード２３や
前記インナーリード２４でも支持されるようになってい
る。つまり、この実施の形態５では、半導体チップのサ
イズが大きくなるに従って、それを支持するインナーリ
ードの数も増えるようになっており、極めて合理的にな
っている。
【００４２】また、この実施の形態５では、上記の実施
の形態４と比較したとき、各インナーリード２２，２
３，２４の先端部の半導体チップと接する部分の面積
を、上記の実施の形態４よりも大きく形成している。そ
のため、この実施の形態５では、インナーリード２２，
２３，２４を通じて、半導体チップからの熱をより多く
外部に伝達させることができ、半導体装置の放熱性を一
層向上させられるようになる。
【００４３】実施の形態６．次に本発明の実施の形態６
を説明する。この実施の形態６では、図７に示すよう
に、ダイパットを省略し、ダイパット吊りリードも省略
し、その代わりに、従来のダイパット吊りリードのあっ
た位置に外部リードを設けるようにしている。なお、こ
の図７は、１０４ピンのリードフレームである。
【００４４】また、この実施の形態６では、上記の実施
の形態５と同様に、１ピッチ又は複数ピッチおきに互い
に長さの異なる３つの種類のインナーリード３２，３
３，３４が、備えられている。よって、この実施の形態
６によれば、少なくとも３つのサイズの半導体チップに
対応できるようになっている。
【００４５】すなわち、この実施の形態６によれば、最
も小さいサイズの半導体チップは、前記インナーリード
３２により支持される。また、それよりも大きいサイズ
の半導体チップは、前記インナーリード３２と前記イン
ナーリード３３とにより、支持される。さらに、最も大
きいサイズの半導体チップは、前記インナーリード３
２，３３と前記インナーリード３４とにより、支持され
る。このように、この実施の形態６では、サイズの小さ
い半導体チップは、前記インナーリード３２のみで支持
され、大きくなるに従って、前記インナーリード３３や
前記インナーリード３４でも支持されるようになってい
る。つまり、この実施の形態６では、半導体チップのサ
イズが大きくなるに従って、それを支持するインナーリ
ードの数も増えるようになっており、極めて合理的にな
っている。
【００４６】実施の形態７．次に本発明の実施の形態７
を説明する。この実施の形態７では、図８に示すよう
に、ダイパットを省略し、ダイパット吊りリードも省略
している。そして、ダイパット吊りリードを省略してい
る代わりに、従来はダイパット吊りリードのあった位置
に、従来よりも大きなモールド樹脂注入口４０を設けて
いる。つまり、この実施の形態７では、モールド樹脂注
入口４０を、ダイパット吊りリードがあった従来の場合
に比べてより大きくし、モールド樹脂注入をより容易に
している。なお、この図８は、１００ピンフレームに本
発明によるリードフレームの考え方を適用した例であ
る。
【００４７】また、この実施の形態７では、上記の実施
の形態５又は６と同様に、１ピッチ又は複数ピッチ大き
な互いに長さの異なる３つの種類のインナーリード４
２，４３，４４が、備えられている。よって、この実施
の形態７によれば、少なくとも３つのサイズの半導体チ
ップに対応できるようになっている。
【００４８】すなわち、この実施の形態７によれば、最
も小さいサイズの半導体チップは、前記インナーリード
４２により支持される。また、それよりも大きいサイズ
の半導体チップは、前記インナーリード４２と前記イン
ナーリード４３とにより、支持される。さらに、最も大
きいサイズの半導体チップは、前記インナーリード４
２，４３と前記インナーリード４４とにより、支持され
る。このように、この実施の形態７では、サイズの小さ
い半導体チップは、前記インナーリード４２のみで支持
され、大きくなるに従って、前記インナーリード４３や
前記インナーリード４４でも支持されるようになってい
る。つまり、この実施の形態７では、半導体チップのサ
イズが大きくなるに従って、それを支持するインナーリ
ードの数も増えるようになっており、極めて合理的であ
る。
【００４９】実施の形態８．次に本発明の実施の形態８
を説明する。図９（ａ）にダイパッド吊りリード（図９
（ａ）に符号１５０で示す）が有る場合の半導体装置を
示し、図９（ｂ）にダイパッド吊りリードが無い場合の
半導体装置を示している。図１０（ｂ）では、ダイパッ
ド吊りリードが無い場合のモールド樹脂を注入する時の
樹脂の流れを矢印で示している。同図に於いて、樹脂注
入口であるゲート５０から注入されたモールド樹脂は、
ダイパット吊りリードが無いので、図の矢印で示すよう
に、空隙部に沿って、下キャビティの方だけでなく、上
キャビティーの方にも容易に流れ込むようになってい
る。
【００５０】他方、図１０（ａ）には、ダイパッド吊り
リード１５０が有る場合の、モールド樹脂を注入する時
の樹脂の流れを矢印で示している。この場合は、同図に
示すように、ゲート５０ａから注入された樹脂は、ダイ
パット吊りリードが有るため、矢印で示すように、空隙
部に沿って下キャビティーの方にはその多くが流れる
が、上キャビティーの方には、図の点線矢印で示すよう
に、樹脂はリード間の狭い隙間を通って流れるしかない
ため、その樹脂流入量は少ない。このことから、ダイパ
ット吊りリードが有ると、下キャビティーの方により多
くの樹脂が流れ、上キャビティーには樹脂の流れがより
少なく成り、その結果、上下キャビティーにアンバラン
スを生じてしまう。このアンバランスは、ダイパッドの
下に圧力の高い樹脂が多く存在する為にダイパッドを上
方向に押し上げる原因となる。特に最近の多ピンパッケ
ージにおいては、上下キャビティーの寸法が小さくなっ
ているため、前記の樹脂による上方向への押し上げによ
るダイパッドの上方向への変位によって、金線がモール
ド樹脂の表面に露出してしまうなどの不良品を作る原因
となることが多い。
【００５１】この実施の形態８では、前述のように、樹
脂注入部の位置にある（図９（ａ）参照）ダイパット吊
りリードを省略して無くすようにして、半導体装置を図
９（ａ）に示すように構成している。そのため、この実
施の形態８では、モールド樹脂の通過路を十分に確保す
ることができるので、従来のような上記ダイパッドの樹
脂による変位により金線がモールド樹脂の表面に露出し
てしまうなどの不良品を作る原因を、除去出来るように
なる。
【００５２】実施の形態９．次に本発明の実施の形態９
を説明する。図１１（ａ）に実施の形態９によるリード
フレームのダイパッド沈めを示している。また、図１１
（ｂ）は図１１（ａ）のリード１０６の側面図を示して
いる。図１１（ｃ）は図１１（ａ）のリード１０５の側
面図を示している。図１１（ｄ）は図１１（ａ）のリー
ド１０４の側面図を示している。
【００５３】図１１（ａ）に示すように、ダイパッド沈
めは、同図の場合ダイパッド中心点Ｏを中心点とする同
心円状に、形成されている。これによりインナーリード
先端の位置は、半径が変位量だけ大きくなった状態とな
り、隣り合うインナーリードピッチは、ダイパッド沈め
を行う前に比べて、当分に大きくなる。よって、この実
施の形態９では、図１１（ａ）に一点鎖線で示すチップ
寸法の収納が可能となっている。
【００５４】実施の形態１０．次に本発明の実施の形態
１０を説明する。図１２は、本発明の実施の形態１０に
よるＱＦＰタイプの半導体装置を示している。図１２に
おいて、６１は半導体チップ、６２はリードフレーム
（４２Ａｌｌｏｙ）、６３はＣｕ製のヒートスプレッ
ダ、６４はモールド樹脂である。この実施の形態１０で
は、図１２に示すように、半導体チップ６１がリードフ
レーム６２のインナーリードの先端部分で支持されるよ
うになってるので、上記実施の形態５〜７などとほぼ同
様な効果を奏するようになっている。
【００５５】実施の形態１１．次に本発明の実施の形態
１１を説明する。図１３は、本発明の実施の形態１１に
よるＱＦＰタイプの半導体装置を示している。図１３に
おいて、７１は半導体チップ、７２はリードフレーム
（４２Ａｌｌｏｙ）、７２ａはリードフレームの沈め部
（半導体チップ７１を載置するとき、半導体チップ７１
がモールド樹脂のほぼ中央に位置するように図示下方に
折り曲げ形成された部分）、７３はＣｕ製のヒートスプ
レッダ、７４はモールド樹脂である。この実施の形態１
１では、図１３に示すように、半導体チップ７１が図示
の沈め部７２ａを有するリードフレーム７２のインナー
リードの先端部分で支持されるようになってるので、上
記実施の形態５〜７などとほぼ同様な効果を奏するよう
になっている。
【００５６】実施の形態１２．次に本発明の実施の形態
１２を説明する。図１４は、本発明の実施の形態１２に
よるＱＦＰタイプの半導体装置を示している。図１４に
おいて、８１は半導体チップ、８２はリードフレーム
（４２Ａｌｌｏｙ）、８２ａはリードフレームの沈め部
（半導体チップ８１を載置するとき、半導体チップ８１
がモールド樹脂のほぼ中央に位置するように図示下方に
折り曲げ形成された部分）、８３はＣｕ製のヒートスプ
レッダ、８３ａはヒートスプレッダ８３の一部がモール
ド樹脂８４の下面の一部から露出するように形成された
露出部である。この実施の形態１２では、図１４に示す
ように、半導体チップ８１が図示の沈め部８２ａを有す
るリードフレーム８２のインナーリードの先端部分で支
持されるようになってるので、上記実施の形態５〜７な
どとほぼ同様な効果を奏するようになっている。また、
この実施の形態１２では、ヒートスプレッダ８３の一部
８３ａがモールド樹脂８４から露出しているので、半導
体装置の放熱性が大幅に向上するようになっている。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置では、１ピッチ又は複数ピッチおきに互いに長さ
の異なる複数種類のインナーリードの少なくとも１種類
のものが半導体チップの周辺部まで延びているので、こ
の半導体チップの周辺部まで延びているインナーリード
で半導体チップを支持することができるようになる。よ
って、本発明によれば、半導体チップのサイズが異なっ
ても、前記の互いに長さの異なる複数種類のインナーリ
ードの中のいずれかの種類のインナーリードで半導体チ
ップを支持することが可能になるので、リードフレーム
の共用化が可能になる。特に、本発明では、半導体チッ
プサイズが小さいときは、１つ又は少数の種類のインナ
ーリードで半導体チップを支持し、半導体チップサイズ
が大きいときは、２つ以上又は多数の種類のインナーリ
ードで半導体チップを支持できるので、合理的である。
また、本発明では、多数のインナーリードが半導体チッ
プに接触して半導体チップからの熱を外部に放出できる
ので、放熱性が大幅に向上されるようになる。
【００５８】また、本発明の半導体装置に使用されるリ
ードフレームでは、１ピッチ又は複数ピッチおきに互い
に長さの異なる複数種類のインナーリードの少なくとも
１種類のものが半導体チップの周辺部まで延びているの
で、この半導体チップの周辺部まで延びているインナー
リードで半導体チップを支持することができるようにな
る。また、本発明によれば、リードフレームの共用化が
可能になることから、高価なエッチング法ではなく、安
価なパンチング加工での製造が可能になる。
【００５９】また、本発明による半導体装置では、１ピ
ッチ又は複数ピッチおきに互いに長さの異なる複数種類
のインナーリードの少なくとも１種類のものが半導体チ
ップの中心部又はその近傍まで延びているので、この半
導体チップの中心部又はその近傍まで延びているインナ
ーリードで半導体チップを支持することができるように
なる。その結果、半導体チップの発熱中心（温度が最も
高い部分）から半導体装置の外部まで発生熱を前記イン
ナーリードにより容易に放熱できるので、半導体装置の
放熱性を大幅に向上させられるようになる。また、本発
明によれば、半導体チップのサイズが異なっても、前記
の互いに長さの異なる複数種類のインナーリードの中の
いずれかの種類のインナーリードで半導体チップを支持
することが可能になるので、リードフレームの共用化が
可能になる。特に、本発明では、半導体チップサイズが
小さいときは、１つ又は少数の種類のインナーリードで
半導体チップを支持し、半導体チップサイズが大きいと
きは、２つ以上又は多数の種類のインナーリードで半導
体チップを支持できるので、合理的である。
【００６０】また、本発明による半導体装置に使用され
るリードフレームでは、１ピッチ又は複数ピッチおきに
互いに長さの異なる複数種類のインナーリードの少なく
とも１種類のものが半導体チップの中心部又はその近傍
まで延びているので、この半導体チップの中心部又はそ
の近傍まで延びているインナーリードで半導体チップを
支持することができるようになる。その結果、半導体チ
ップの発熱中心（温度が最も高い部分）から半導体装置
の外部まで発生熱を前記インナーリードにより放熱でき
るので、半導体装置の放熱性を大幅に向上させられるよ
うになる。また、本発明によれば、半導体チップのサイ
ズが異なっても、前記の互いに長さの異なる複数種類の
インナーリードの中のいずれかの種類のインナーリード
で半導体チップを支持することが可能になるので、リー
ドフレームの共用化が可能になる。特に、本発明では、
半導体チップサイズが小さいときは、１つ又は少数の種
類のインナーリードで半導体チップを支持し、半導体チ
ップサイズが大きいときは、２つ以上又は多数の種類の
インナーリードで半導体チップを支持できるので、合理
的である。また、本発明によれば、リードフレームの共
用化が可能になることから、高価なエッチング法ではな
く、安価なパンチング加工での製造が可能になる。
【００６１】また、本発明による半導体装置では、ダイ
パットがなく、半導体チップを前記インナーリードの全
部又は一部により支持するようにすることにより、従来
のようにダイパット吊りリードの存在が封止樹脂のキャ
ビティへのスムーズな流入を妨げるということがなくな
り、キャビティへの封止樹脂の流入がよりスムーズに行
えるようになる。よって、従来見られた、キャビティ内
の封止樹脂の不均衡によるダイパットの変位などの問題
も、解消されるようになる。
【００６２】また、本発明による半導体装置に使用され
るリードフレームでは、ダイパットがなく、半導体チッ
プを前記インナーリードの全部又は一部により支持する
ようにすることにより、従来のようにダイパット吊りリ
ードの存在が封止樹脂のキャビティへのスムーズな流入
を妨げるということがなくなり、キャビティへの封止樹
脂の流入がよりスムーズに行えるようになる。よって、
これにより、従来のキャビティ内の封止樹脂の不均衡に
よるダイパットの変位などの問題も解消されるようにな
る。
【００６３】また、本発明による半導体装置では、半導
体チップ下面とインナーリードとの間に、絶縁性のフィ
ルム又はシートを介設するようにしているので、半導体
チップとインナーリードとの間の絶縁性が大幅に向上す
るようになる。
【００６４】また、本発明による半導体装置では、半導
体チップとダイパットとの間に、セラミックスなどの素
材から成る絶縁性及び高熱伝導性を有する部材を介在さ
せることにより、半導体チップとダイパットとの間の絶
縁性及び半導体装置の放熱性が、大幅に向上するように
なる。
【００６５】また、本発明による半導体装置は、前記イ
ンナーリードの先端部を、半導体チップ中心を中心とす
る同心円状に沿って折り曲げ形成することにより、半導
体チップを封止樹脂の上下方向のほぼ中央に位置させ
て、半導体チップの周囲をほぼ均等に樹脂封止できるよ
うになる。
【００６６】また、本発明による半導体装置に使用され
るリードフレームは、前記インナーリードの先端部を、
半導体チップ中心を中心とする同心円状に沿って折り曲
げ形成することにより、半導体チップを封止樹脂の上下
方向のほぼ中央に位置させて、半導体チップの周囲をほ
ぼ均等に樹脂封止できるようになる。
【００６７】また、本発明による半導体装置では、前記
部材の少なくともその一部を封止樹脂の外部に露出させ
ることにより、半導体チップからの発熱をより効率的に
放熱させられるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）は本発明の実施の形態１による半導体
装置を示す平面透視図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図
である。
【図２】 （ａ）（ｂ）及び（ｃ）は図１を具体的に説
明する為の平面透視図、（ｄ）（ｅ）及び（ｆ）はこれ
ら（ａ）（ｂ）及び（ｃ）の各Ａ−Ａ’線断面図であ
る。
【図３】 （ａ）は本発明の実施の形態２による半導体
装置を示す平面透視図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図
である。
【図４】 （ａ）は本発明の実施の形態３による半導体
装置を示す平面透視図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図
である。
【図５】 本発明の実施の形態４による半導体装置を示
す平面図である。
【図６】 本発明の実施の形態５による半導体装置を示
す平面図で、リード先端部のチップと接する部分の接合
面積を増加させてリードを通じてチップからの放熱を増
やすことが出来るようにした構成を示す平面図である。
【図７】 本発明の実施の形態６による半導体装置を示
す平面図で、ダイパットを省略しダイパット吊りリード
も外部リードとした１０４ピンフレームの構成を示す平
面図である。
【図８】 本発明の実施の形態７による半導体装置を示
す平面図で、ダイパットを省略しダイパット吊りリード
も省略してモールド樹脂注入を容易にする１００ピンフ
レームのリードフレームの構成を示す平面図である。
【図９】 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態８
による半導体装置を説明するための平面図で、（ａ）は
ダイパット吊りリードがある場合を示し、（ｂ）はダイ
パット吊りリードがない場合を示している。
【図１０】 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態
８による半導体装置を説明するための平面図で、（ａ）
はダイパット吊りリードがある場合のモールド樹脂の注
入経路を示し、（ｂ）はダイパット吊りリードがない場
合のモールド樹脂の注入経路を示している。
【図１１】 （ａ）は本発明の実施の形態９による半導
体装置を示す平面図、（ｂ）（ｃ）及び（ｄ）は、
（ａ）に示すインナーリード１０６，１０５，及び１０
４のそれぞれの側面図である。
【図１２】 本発明の実施の形態１０による半導体装置
を示す平面図である。
【図１３】 本発明の実施の形態１１による半導体装置
を示す平面図である。
【図１４】 本発明の実施の形態１２による半導体装置
を示す平面図である。
【図１５】 （ａ）は従来の半導体装置を示す平面透視
図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図である。
【図１６】 従来の半導体装置に用いられる１００ピン
フレームの平面図である。
【図１７】 図１６の四分割部を示す平面図である。
【符号の説明】
１，６１，７１，８１ 半導体チップ． ２ ダイパッ
ト． ３ 接着剤．４，１２，１３，１４，２２，２
３，２４，３２，３３，３４，４２，４３，４４，１０
６，１０５，１０４ インナーリード． ５ 金属細
線．６，６４，７４，８４ モールド樹脂． ７ フィ
ルム． ８ 板．９ アウターリード． １１，２１，
１５０ ダイパット吊りリード．４０，５０，５０ａ
樹脂注入口（ゲート）．６２，７２，８２ リードフレ
ーム． ７２ａ，８２ａ 沈め部．６３，７３，８３
ヒートスプレッダ． ８３ａ 露出部

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 インナーリードが１ピッチ又は複数ピッ
    チおきに互いに異なる複数種類の長さを有するように形
    成されており、 この複数種類の長さを有するインナーリードの少なくと
    も１つの種類のものは、半導体チップの周辺部まで延び
    ている、ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 １ピッチ又は複数ピッチおきに互いに異
    なる複数種類の長さを有するインナーリードを備え、こ
    の複数種類の長さを有するインナーリードの少なくとも
    １つの種類のものは半導体チップの周辺部まで延びるも
    のである、ことを特徴とするリードフレーム。
  3. 【請求項３】 インナーリードが１ピッチ又は複数ピッ
    チおきに互いに異なる複数種類の長さを有するように形
    成されており、 この複数種類の長さを有するインナーリードの少なくと
    も１つの種類のものは、半導体チップの中心部又はその
    近傍まで延びている、ことを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 １ピッチ又は複数ピッチおきに互いに異
    なる複数種類の長さを有するインナーリードを備え、こ
    の複数種類の長さを有するインナーリードの少なくとも
    １つの種類のものは半導体チップの中心部又はその近傍
    まで延びるものである、ことを特徴とするリードフレー
    ム。
  5. 【請求項５】 請求項１又は３に記載の半導体装置にお
    いて、ダイパットがなく、半導体チップは前記インナー
    リードの全部又は一部により支持されている、ことを特
    徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 請求項２又は４に記載のリードフレーム
    において、ダイパットがなく、半導体チップを支持する
    インナーリードを備えている、ことを特徴とするリード
    フレーム。
  7. 【請求項７】 請求項１，３又は５に記載の半導体装置
    において、半導体チップ下面とインナーリードとの間
    に、絶縁性のフィルム又はシートが介設されていること
    を特徴とする、半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項１，３，５又は７に記載の半導体
    装置において、半導体チップとダイパットとの間に、セ
    ラミックスなどの素材から成る絶縁性及び高熱伝導性を
    有する部材を介在させた、ことを特徴とする半導体装
    置。
  9. 【請求項９】 請求項１，３，５，７又は８に記載の半
    導体装置において、前記インナーリードの先端部は、半
    導体チップ中心を中心とする同心円状に沿って折り曲げ
    形成されている、ことを特徴とする半導体装置。
  10. 【請求項１０】 請求項２，４又は６に記載のリードフ
    レームにおいて、前記インナーリードの先端部は、半導
    体チップ中心を中心とする同心円状に沿って折り曲げ形
    成されている、ことを特徴とするリードフレーム。
  11. 【請求項１１】 請求項８に記載の半導体装置におい
    て、前記部材は、少なくともその一部が封止樹脂の外部
    に露出されている、ことを特徴とする半導体装置。
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