JP2019164075A - 電流センサ - Google Patents

Abstract

【課題】被測定電流の検出精度の低下が抑制された電流センサを提供する。【解決手段】被測定電流の流動する導電部材３０と、被測定磁界を電気信号に変換する磁電変換部２５と、磁電変換部への電磁ノイズの入力を抑制するシールド４０と、を有する。シールドは第１シールド４１と第２シールド４２を備える。第１シールドの一面と第２シールドの一面との間に導電部材の一部と磁電変換部とが位置している。第１シールドおよび第２シールドの少なくとも一方は、一面に沿いなおかつ導電部材の延びる延長方向に直交する横方向の透磁率が、延長方向の透磁率よりも高い異方性を有する。【選択図】図３７

Description

本明細書に記載の開示は、被測定電流を検出する電流センサに関するものである。

特許文献１に示されるように、バスバーを流れる電流によって生じる磁界を電気信号に変換することで電流を検出する電流検出システム（電流センサ）が知られている。

特開２０１５−１９４４７２号公報

特許文献１に記載されているように、電流センサの技術分野では電流（被測定電流）の検出精度の低下、という課題がある。

そこで本明細書に記載の開示物は、被測定電流の検出精度の低下が抑制された電流センサを提供することを目的とする。

開示の１つは、被測定電流の流動する導電部材（３０）と、
被測定電流の流動によって生じる被測定磁界を電気信号に変換する磁電変換部（２５）と、
磁電変換部への電磁ノイズの入力を抑制するシールド（４０）と、を有し、
シールドは互いに一面（４１ａ，４２ａ）同士が離間して対向する板形状の第１シールド（４１）と第２シールド（４２）を備え、
第１シールドの一面（４１ａ）と第２シールドの一面（４２ａ）との間に導電部材の一部と磁電変換部とが位置し、
導電部材における第１シールドと第２シールドとの間に位置する部位（３１）は第１シールドの一面に沿う延長方向に延びており、
第１シールドおよび第２シールドの少なくとも一方は、第１シールドの一面に沿いなおかつ延長方向に直交する横方向の透磁率が、延長方向の透磁率よりも高い異方性を有する。

このように本開示では、第１シールド（４１）および第２シールド（４２）の少なくとも一方は、横方向の透磁率が、延長方向の透磁率よりも高い異方性を有する。したがって、電磁ノイズにおける横方向に沿う成分が第１シールド（４１）および第２シールド（４２）の少なくとも一方を透過しやすくなる。

このために横方向に沿う電磁ノイズが透過しやすい環境下においては、磁電変換部（２５）への電磁ノイズの入力が効果的に抑制される。この結果、被測定電流の検出精度の低下が抑制される。

なお、上記の括弧内の参照番号は、後述の実施形態に記載の構成との対応関係を示すものに過ぎず、技術的範囲を何ら制限するものではない。

車載システムを説明するためのブロック図である。 第１電流センサを示す斜視図である。 第１電流センサを示す分解斜視図である。 第１電流センサを示す図表である。 第１電流センサを示す図表である。 配線基板を示す図表である。 センシング部を説明するためのブロック図である。 導電バスバーを示す図表である。 第１シールドを示す図表である。 第２シールドを示す図表である。 センサ筐体を示す図表である。 基板支持ピンと基板接着ピンを説明するための図表である。 図１２の（ｂ）欄に示すＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 シールド支持ピンとシールド接着ピンを説明するための図表である。 図１４の（ｂ）欄に示すＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。 ２つの個別センサを示す斜視図である。 配線ケースを示す斜視図である。 配線ケースへの個別センサの組み付けを説明するための斜視図である。 第２電流センサを示す斜視図である。 配線ケースを示す図表である。 配線ケースを示す図表である。 第２電流センサを示す図表である。 第２電流センサを示す図表である。 第１シールドの磁気飽和を説明するための図表である。 磁気飽和のシミュレーション結果を示す図表である。 第２実施形態の第２シールドを説明するための図表である。 シールドを透過する磁界を説明するための模式図である。 シールドの変形例を示す図表である。 シールドの変形例を示す図表である。 第３実施形態の第１電流センサを示す斜視図である。 図３０に示すＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。 第１電流センサの固定形態を説明するための図表である。 第４実施形態の磁電変換部と導電バスバーの配置を示す図表である。 磁電変換部の出力変化を説明するための図表である。 第４実施形態のセンシング部を説明するためのブロック図である。 差分回路を示すためのブロック図である。 第５実施形態のシールドの遮蔽性を説明するための模式図である。 シールドの遮蔽性を説明するための模式図である。 シールドの変形例を示す図表である。 シールドの変形例を示す図表である。 第２電流センサの変形例を示す斜視図である。 第２電流センサの変形例を示す図表である。 第２電流センサの変形例を示す図表である。 個別センサの配線ケースへの組み付け状態を示す斜視図である。 検出形態の類型を説明するための図表である。

以下、実施形態を図に基づいて説明する。

（第１実施形態）
＜車載システム＞
先ず、電流センサの適用される車載システム１００を説明する。この車載システム１００はハイブリッドシステムを構成している。図１に示すように車載システム１００は、バッテリ２００、電力変換装置３００、第１モータ４００、第２モータ５００、エンジン６００、および、動力分配機構７００を有する。

また車載システム１００は複数のＥＣＵを有する。図１ではこれら複数のＥＣＵの代表として、電池ＥＣＵ８０１とＭＧＥＣＵ８０２を図示している。これら複数のＥＣＵはバス配線８００を介して相互に信号を送受信し、ハイブリッド自動車を協調制御する。この協調制御により、バッテリ２００のＳＯＣに応じた第１モータ４００の回生と力行、第２モータ５００の発電、および、エンジン６００の出力などが制御される。ＳＯＣはstate of chargeの略である。ＥＣＵはelectronic control unitの略である。

なお、ＥＣＵは、少なくとも１つの演算処理装置（ＣＰＵ）と、プログラムおよびデータを記憶する記憶媒体としての少なくとも１つのメモリ装置（ＭＭＲ）と、を有する。ＥＣＵはコンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を備えるマイクロコンピュータによって提供される。記憶媒体はコンピュータによって読み取り可能なプログラムを非一時的に格納する非遷移的実体的記憶媒体である。記憶媒体は半導体メモリまたは磁気ディスクなどによって提供され得る。以下、車載システム１００の構成要素を個別に概説する。

バッテリ２００は複数の二次電池を有する。これら複数の二次電池は直列接続された電池スタックを構成している。二次電池としてはリチウムイオン二次電池、ニッケル水素二次電池、および、有機ラジカル電池などを採用することができる。

二次電池は化学反応によって起電圧を生成する。二次電池は充電量が多すぎたり少なすぎたりすると劣化が促進する性質を有する。換言すれば、二次電池はＳＯＣが過充電だったり過放電だったりすると劣化が促進する性質を有する。

バッテリ２００のＳＯＣは、上記の電池スタックのＳＯＣに相当する。電池スタックのＳＯＣは複数の二次電池のＳＯＣの総和である。電池スタックのＳＯＣの過充電や過放電は上記の協調制御により回避される。これに対して複数の二次電池それぞれのＳＯＣの過充電や過放電は、複数の二次電池それぞれのＳＯＣを均等化する均等化処理によって回避される。

均等化処理は複数の二次電池を個別に充放電することで成される。バッテリ２００には、複数の二次電池を個別に充放電するためのスイッチが含まれている。またバッテリ２００には、複数の二次電池それぞれのＳＯＣを検出するための電圧センサや温度センサなどが含まれている。電池ＥＣＵ８０１はこれらセンサおよび後述の第１電流センサ１１の出力などに基づいてスイッチを開閉制御する。これにより複数の二次電池それぞれのＳＯＣが均等化される。

電力変換装置３００はバッテリ２００と第１モータ４００との間の電力変換を行う。また電力変換装置３００はバッテリ２００と第２モータ５００との間の電力変換も行う。電力変換装置３００はバッテリ２００の直流電力を第１モータ４００と第２モータ５００の力行に適した電圧レベルの交流電力に変換する。電力変換装置３００は第１モータ４００と第２モータ５００の発電によって生成された交流電力をバッテリ２００の充電に適した電圧レベルの直流電力に変換する。電力変換装置３００については後で詳説する。

第１モータ４００、第２モータ５００、および、エンジン６００それぞれは動力分配機構７００に連結されている。第１モータ４００は図示しないハイブリッド自動車の出力軸に直接連結されている。第１モータ４００の回転エネルギーは出力軸を介して走行輪に伝達される。逆に、走行輪の回転エネルギーは出力軸を介して第１モータ４００に伝達される。

第１モータ４００は電力変換装置３００から供給される交流電力によって力行する。この力行によって発生した回転エネルギーは、動力分配機構７００によってエンジン６００やハイブリッド自動車の出力軸に分配される。これによりクランクシャフトのクランキングや走行輪への推進力の付与が成される。また第１モータ４００は走行輪から伝達される回転エネルギーによって回生する。この回生によって発生した交流電力は、電力変換装置３００によって直流電力に変換されるとともに降圧される。この直流電力がバッテリ２００に供給される。また直流電力はハイブリッド自動車に搭載された各種電気負荷にも供給される。

第２モータ５００はエンジン６００から供給される回転エネルギーによって発電する。この発電によって発生した交流電力は、電力変換装置３００によって直流電力に変換されるとともに降圧される。この直流電力がバッテリ２００や各種電気負荷に供給される。

エンジン６００は燃料を燃焼駆動することで回転エネルギーを発生する。この回転エネルギーが動力分配機構７００を介して第２モータ５００や出力軸に分配される。これにより第２モータ５００の発電や走行輪への推進力の付与が成される。

動力分配機構７００は遊星歯車機構を有する。動力分配機構７００はリングギヤ、プラネタリーギヤ、サンギヤ、および、プラネタリーキャリアを有する。

リングギヤは環状を成す。リングギヤの外周面と内周面それぞれに複数の歯が周方向に並んで形成されている。

プラネタリーギヤとサンギヤそれぞれは円盤形状を成す。プラネタリーギヤとサンギヤそれぞれの円周面に複数の歯が周方向に並んで形成されている。

プラネタリーキャリアは環状を成す。プラネタリーキャリアの外周面と内周面とを連結する平坦面に複数のプラネタリーギヤが連結されている。プラネタリーキャリアとプラネタリーギヤそれぞれの平坦面は互いに対向している。

複数のプラネタリーギヤはプラネタリーキャリアの回転中心を中心とする円周上に位置している。これら複数のプラネタリーギヤの隣接間隔は等しくなっている。本実施形態では３つのプラネタリーギヤが１２０°間隔で並んでいる。

リングギヤの中心にサンギヤが設けられている。リングギヤの内周面とサンギヤの外周面とが互いに対向している。両者の間に３つのプラネタリーギヤが設けられている。３つのプラネタリーギヤそれぞれの歯がリングギヤとサンギヤそれぞれの歯とかみ合わさっている。これにより、リングギヤ、プラネタリーギヤ、サンギヤ、および、プラネタリーキャリアそれぞれの回転が相互に伝達される構成となっている。

リングギヤに第１モータ４００の出力軸が連結されている。プラネタリーキャリアにエンジン６００のクランクシャフトが連結されている。サンギヤに第２モータ５００の出力軸が連結されている。これにより第１モータ４００、エンジン６００、および、第２モータ５００の回転数が共線図において直線の関係となっている。

電力変換装置３００から第１モータ４００と第２モータ５００に交流電力を供給することでリングギヤとサンギヤにトルクを発生させる。エンジン６００の燃焼駆動によってプラネタリーキャリアにトルクを発生させる。こうすることで第１モータ４００の力行と回生、第２モータ５００の発電、および、走行輪への推進力の付与それぞれが行われる。

第１モータ４００、第２モータ５００、および、エンジン６００それぞれの挙動は複数のＥＣＵによって協調制御される。例えばＭＧＥＣＵ８０２は、ハイブリッド自動車に搭載された各種センサで検出される物理量、および、他のＥＣＵから入力される車両情報などに基づいて、第１モータ４００と第２モータ５００の目標トルクを決定する。そしてＭＧＥＣＵ８０２は第１モータ４００と第２モータ５００それぞれに生成されるトルクが目標トルクになるようにベクトル制御する。

＜電力変換装置＞
次に電力変換装置３００を説明する。電力変換装置３００はコンバータ３１０、第１インバータ３２０、および、第２インバータ３３０を備えている。コンバータ３１０は直流電力の電圧レベルを昇降圧する機能を果たす。第１インバータ３２０と第２インバータ３３０は直流電力を交流電力に変換する機能を果たす。第１インバータ３２０と第２インバータ３３０は交流電力を直流電力に変換する機能を果たす。

車載システム１００において、コンバータ３１０はバッテリ２００の直流電力を第１モータ４００と第２モータ５００の力行に適した電圧レベルに昇圧する。第１インバータ３２０と第２インバータ３３０はこの直流電力を交流電力に変換する。この交流電力が第１モータ４００と第２モータ５００に供給される。また第１インバータ３２０と第２インバータ３３０は第１モータ４００と第２モータ５００で生成された交流電力を直流電力に変換する。コンバータ３１０はこの直流電力をバッテリ２００の充電に適した電圧レベルに降圧する。

図１に示すようにコンバータ３１０は第１電力ライン３０１と第２電力ライン３０２を介してバッテリ２００と電気的に接続されている。コンバータ３１０は第３電力ライン３０３と第４電力ライン３０４を介して第１インバータ３２０および第２インバータ３３０それぞれと電気的に接続されている。

第１電力ライン３０１の一端はバッテリ２００の正極に電気的に接続されている。第２電力ライン３０２の一端はバッテリ２００の負極に電気的に接続されている。そして第１電力ライン３０１と第２電力ライン３０２それぞれの他端はコンバータ３１０に電気的に接続されている。

第１電力ライン３０１と第２電力ライン３０２には第１平滑コンデンサ３０５が接続されている。第１平滑コンデンサ３０５の有する２つの電極のうちの一方が第３電力ライン３０３に接続され、他方が第４電力ライン３０４に接続されている。

なお、バッテリ２００は図示しないシステムメインリレー（ＳＭＲ）を有している。このシステムメインリレーの開閉によって、バッテリ２００の電池スタックと電力変換装置３００との電気的な接続が制御される。すなわちシステムメインリレーの開閉によって、バッテリ２００と電力変換装置３００との間の電力供給の継続と中断が制御される。

第３電力ライン３０３の一端は後述のコンバータ３１０のハイサイドスイッチ３１１と電気的に接続されている。第４電力ライン３０４の一端は第２電力ライン３０２の他端と電気的に接続されている。そして第３電力ライン３０３と第４電力ライン３０４それぞれの他端は第１インバータ３２０と第２インバータ３３０それぞれと電気的に接続されている。

第３電力ライン３０３と第４電力ライン３０４には第２平滑コンデンサ３０６が接続されている。第２平滑コンデンサ３０６の有する２つの電極のうちの一方が第３電力ライン３０３に接続され、他方が第４電力ライン３０４に接続されている。

第１インバータ３２０は第１通電バスバー３４１〜第３通電バスバー３４３を介して第１モータ４００の第１Ｕ相ステータコイル４０１〜第１Ｗ相ステータコイル４０３と電気的に接続されている。第２インバータ３３０は第４通電バスバー３４４〜第６通電バスバー３４６を介して第２モータ５００の第２Ｕ相ステータコイル５０１〜第２Ｗ相ステータコイル５０３と電気的に接続されている。

＜コンバータ＞
コンバータ３１０は、ハイサイドスイッチ３１１、ローサイドスイッチ３１２、ハイサイドダイオード３１１ａ、ローサイドダイオード３１２ａ、および、リアクトル３１３を有する。これらハイサイドスイッチ３１１とローサイドスイッチ３１２としてはＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴなどを採用することができる。本実施形態ではハイサイドスイッチ３１１およびローサイドスイッチ３１２としてｎチャネル型のＩＧＢＴを採用している。

なお、ハイサイドスイッチ３１１およびローサイドスイッチ３１２としてＭＯＳＦＥＴを採用する場合、ＭＯＳＦＥＴにはボディダイオードが形成される。そのためにハイサイドダイオード３１１ａとローサイドダイオード３１２ａはなくともよい。コンバータ３１０を構成する半導体素子は、Ｓｉなどの半導体、若しくは、ＳｉＣなどのワイドギャップ半導体によって製造することができる。

ハイサイドダイオード３１１ａはハイサイドスイッチ３１１に逆並列接続されている。すなわち、ハイサイドスイッチ３１１のコレクタ電極にハイサイドダイオード３１１ａのカソード電極が接続されている。ハイサイドスイッチ３１１のエミッタ電極にハイサイドダイオード３１１ａのアノード電極が接続されている。

同様にして、ローサイドダイオード３１２ａはローサイドスイッチ３１２に逆並列接続されている。ローサイドスイッチ３１２のコレクタ電極にローサイドダイオード３１２ａのカソード電極が接続されている。ローサイドスイッチ３１２のエミッタ電極にローサイドダイオード３１２ａのアノード電極が接続されている。

図１に示すようにハイサイドスイッチ３１１のコレクタ電極に第３電力ライン３０３が電気的に接続されている。そしてハイサイドスイッチ３１１のエミッタ電極とローサイドスイッチ３１２のコレクタ電極が接続されている。ローサイドスイッチ３１２のエミッタ電極に第２電力ライン３０２と第４電力ライン３０４が電気的に接続されている。これにより第３電力ライン３０３から第２電力ライン３０２に向かってハイサイドスイッチ３１１とローサイドスイッチ３１２が順に直列接続されている。表現を換えれば、第３電力ライン３０３から第４電力ライン３０４に向かってハイサイドスイッチ３１１とローサイドスイッチ３１２が順に直列接続されている。

直列接続されたハイサイドスイッチ３１１とローサイドスイッチ３１２との間の中点とリアクトル３１３の一端とが通電バスバー３０７を介して電気的に接続されている。そしてリアクトル３１３の他端が第１電力ライン３０１の他端と電気的に接続されている。

以上により、直列接続されたハイサイドスイッチ３１１とローサイドスイッチ３１２の中点には、リアクトル３１３と通電バスバー３０７を介してバッテリ２００の直流電力が供給される。ハイサイドスイッチ３１１のコレクタ電極には、第１インバータ３２０と第２インバータ３３０の少なくとも一方により直流電力に変換されたモータの交流電力が供給される。この直流電力に変換されたモータの交流電力は、ハイサイドスイッチ３１１、通電バスバー３０７、および、リアクトル３１３を介してバッテリ２００に供給される。

このように通電バスバー３０７にはバッテリ２００を入出力する直流電力が流れる。流れる物理量を限定して言えば、通電バスバー３０７にはバッテリ２００を入出力する直流電流が流れる。

コンバータ３１０のハイサイドスイッチ３１１とローサイドスイッチ３１２はＭＧＥＣＵ８０２によって開閉制御される。ＭＧＥＣＵ８０２は制御信号を生成し、それをゲートドライバ８０３に出力する。ゲートドライバ８０３は制御信号を増幅してスイッチのゲート電極に出力する。これによりＭＧＥＣＵ８０２はコンバータ３１０に入力される直流電力の電圧レベルを昇降圧する。

ＭＧＥＣＵ８０２は制御信号としてパルス信号を生成している。ＭＧＥＣＵ８０２はこのパルス信号のオンデューティ比と周波数を調整することで直流電力の昇降圧レベルを調整している。昇降圧レベルは上記の目標トルクとバッテリ２００のＳＯＣに応じて決定される。

バッテリ２００の直流電力を昇圧する場合、ＭＧＥＣＵ８０２はハイサイドスイッチ３１１とローサイドスイッチ３１２それぞれを交互に開閉する。そのためにＭＧＥＣＵ８０２はハイサイドスイッチ３１１とローサイドスイッチ３１２に出力する制御信号の電圧レベルを反転している。

ハイサイドスイッチ３１１のゲート電極にハイレベルが入力される場合、ローサイドスイッチ３１２のゲート電極にはローレベルが入力される。この場合、リアクトル３１３とハイサイドスイッチ３１１を介してバッテリ２００の直流電力が第１インバータ３２０と第２インバータ３３０に供給される。この際、電流の流動によってリアクトル３１３に電気エネルギーが蓄積される。また第２平滑コンデンサ３０６に電荷が蓄えられる。第２平滑コンデンサ３０６が充電される。

ハイサイドスイッチ３１１のゲート電極にローレベルが入力される場合、ローサイドスイッチ３１２のゲート電極にはハイレベルが入力される。この場合、第１平滑コンデンサ３０５、リアクトル３１３、および、ローサイドスイッチ３１２を通る閉ループが構成される。上記したようにリアクトル３１３には電気エネルギーが蓄積されている。そのためにリアクトル３１３は電流を流そうとする。このリアクトル３１３の電気エネルギーに起因する電流が上記の閉ループを流れる。

またこの場合、ハイサイドスイッチ３１１を介した第１インバータ３２０と第２インバータ３３０への直流電力の供給が途絶える。しかしながら第２平滑コンデンサ３０６は充電されている。そのために第２平滑コンデンサ３０６から第１インバータ３２０と第２インバータ３３０への電力供給が成される。第１インバータ３２０と第２インバータ３３０への電力供給が継続される。

この後にハイサイドスイッチ３１１にハイレベル、ローサイドスイッチ３１２にローレベルが入力される。この際、バッテリ２００の直流電力とともにリアクトル３１３に蓄積された電気エネルギーが直流電力として第１インバータ３２０と第２インバータ３３０に供給される。これにより時間平均的に昇圧したバッテリ２００の直流電力が第１インバータ３２０と第２インバータ３３０に供給される。また第２平滑コンデンサ３０６の充電が回復するとともに、その充電量が増大する。これにより第２平滑コンデンサ３０６から第１インバータ３２０と第２インバータ３３０に供給される直流電力の電圧レベルも上昇する。

第１インバータ３２０と第２インバータ３３０の少なくとも一方から供給された直流電力を降圧する場合、ＭＧＥＣＵ８０２はローサイドスイッチ３１２に出力する制御信号をローレベルに固定する。それとともにＭＧＥＣＵ８０２はハイサイドスイッチ３１１に出力する制御信号をハイレベルとローレベルに順次切り換える。

ハイサイドスイッチ３１１のゲート電極にハイレベルが入力される場合、ハイサイドスイッチ３１１とリアクトル３１３を介して、第１インバータ３２０と第２インバータ３３０の少なくとも一方の直流電力がバッテリ２００に供給される。

ハイサイドスイッチ３１１のゲート電極にローレベルが入力される場合、第１インバータ３２０と第２インバータ３３０の少なくとも一方の直流電力がバッテリ２００に供給されなくなる。この結果、時間平均的に降圧された直流電力がバッテリ２００に供給される。

なお、厳密に言うと、上記のようにハイサイドスイッチ３１１のゲート電極にハイレベルが入力されると、第１平滑コンデンサ３０５が充電される。リアクトル３１３に電気エネルギーが蓄積される。この後にハイサイドスイッチ３１１のゲート電極にローレベルが入力されると、第２平滑コンデンサ３０６とバッテリ２００の出力電圧と時定数に差異がある場合、第２平滑コンデンサ３０６とバッテリ２００との間で充放電が行われる。また図示しないダイオードが第１電力ライン３０１と第２電力ライン３０２を接続している。このダイオードのアノード電極が第２電力ライン３０２、カソード電極が第１電力ライン３０１に接続されている。そのため、このダイオード、リアクトル３１３、および、第１平滑コンデンサ３０５を通る閉ループが構成されている。リアクトル３１３の電気エネルギーに起因する電流はこの閉ループを流れる。

＜インバータ＞
第１インバータ３２０は第１スイッチ３２１〜第６スイッチ３２６、および、第１ダイオード３２１ａ〜第６ダイオード３２６ａを有する。第１スイッチ３２１〜第６スイッチ３２６としてはＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴなどを採用することができる。本実施形態では第１スイッチ３２１〜第６スイッチ３２６としてｎチャネル型のＩＧＢＴを採用している。これらスイッチとしてＭＯＳＦＥＴを採用する場合、上記のダイオードはなくともよい。第１インバータ３２０を構成する半導体素子は、Ｓｉなどの半導体、若しくは、ＳｉＣなどのワイドギャップ半導体によって製造することができる。

第１スイッチ３２１〜第６スイッチ３２６に対応する第１ダイオード３２１ａ〜第６ダイオード３２６ａが逆並列接続されている。すなわち、ｋを１〜６の自然数とすると、第ｋスイッチのコレクタ電極に第ｋダイオードのカソード電極が接続されている。第ｋスイッチのエミッタ電極に第ｋダイオードのアノード電極が接続されている。

第１スイッチ３２１と第２スイッチ３２２は第３電力ライン３０３から第４電力ライン３０４へ向かって順に直列接続されている。第１スイッチ３２１と第２スイッチ３２２によって第１Ｕ相レグが構成されている。第１スイッチ３２１と第２スイッチ３２２との間の中点に第１通電バスバー３４１の一端が接続されている。第１通電バスバー３４１の他端が第１モータ４００の第１Ｕ相ステータコイル４０１と接続されている。

第３スイッチ３２３と第４スイッチ３２４は第３電力ライン３０３から第４電力ライン３０４へ向かって順に直列接続されている。第３スイッチ３２３と第４スイッチ３２４によって第１Ｖ相レグが構成されている。第３スイッチ３２３と第４スイッチ３２４との間の中点に第２通電バスバー３４２の一端が接続されている。第２通電バスバー３４２の他端が第１モータ４００の第１Ｖ相ステータコイル４０２と接続されている。

第５スイッチ３２５と第６スイッチ３２６は第３電力ライン３０３から第４電力ライン３０４へ向かって順に直列接続されている。第５スイッチ３２５と第６スイッチ３２６によって第１Ｗ相レグが構成されている。第５スイッチ３２５と第６スイッチ３２６との間の中点に第３通電バスバー３４３の一端が接続されている。第３通電バスバー３４３の他端が第１モータ４００の第１Ｗ相ステータコイル４０３と接続されている。

第２インバータ３３０は第１インバータ３２０と同様の構成になっている。第２インバータ３３０は第７スイッチ３３１〜第１２スイッチ３３６、および、第７ダイオード３３１ａ〜第１２ダイオード３３６ａを有する。

第７スイッチ３３１〜第１２スイッチ３３６に対応する第７ダイオード３３１ａ〜第１２ダイオード３３６ａが逆並列接続されている。ｎを７〜１２の自然数とすると、第ｎスイッチのコレクタ電極に第ｎダイオードのカソード電極が接続されている。第ｎスイッチのエミッタ電極に第ｎダイオードのアノード電極が接続されている。

第７スイッチ３３１と第８スイッチ３３２は第３電力ライン３０３と第４電力ライン３０４との間で直列接続されて第２Ｕ相レグを構成している。第７スイッチ３３１と第８スイッチ３３２との間の中点に第４通電バスバー３４４の一端が接続されている。第４通電バスバー３４４の他端が第２モータ５００の第２Ｕ相ステータコイル５０１と接続されている。

第９スイッチ３３３と第１０スイッチ３３４は第３電力ライン３０３と第４電力ライン３０４との間で直列接続されて第２Ｖ相レグを構成している。第９スイッチ３３３と第１０スイッチ３３４との間の中点に第５通電バスバー３４５の一端が接続されている。第５通電バスバー３４５の他端が第２モータ５００の第２Ｖ相ステータコイル５０２と接続されている。

第１１スイッチ３３５と第１２スイッチ３３６は第３電力ライン３０３と第４電力ライン３０４との間で直列接続されて第２Ｗ相レグを構成している。第１１スイッチ３３５と第１２スイッチ３３６との間の中点に第６通電バスバー３４６の一端が接続されている。第６通電バスバー３４６の他端が第２モータ５００の第２Ｗ相ステータコイル５０３と接続されている。

以上に示したように第１インバータ３２０と第２インバータ３３０それぞれはモータのＵ相〜Ｗ相のステータコイルそれぞれに対応する３相のレグを有する。これら３相のレグそれぞれを構成するスイッチのゲート電極に、ゲートドライバ８０３によって増幅されたＭＧＥＣＵ８０２の制御信号が入力される。

モータを力行する場合、ＭＧＥＣＵ８０２からの制御信号の出力によって各スイッチがＰＷＭ制御される。これによりインバータで３相交流が生成される。モータが発電する場合、ＭＧＥＣＵ８０２は例えば制御信号の出力を停止する。これによりモータの発電によって生成された交流電力がダイオードを通る。この結果、交流電力が直流電力に変換される。

以上に示した第１モータ４００を入出力する交流電力は、第１インバータ３２０と第１モータ４００とを接続する第１通電バスバー３４１〜第３通電バスバー３４３を流れる。同様にして、第２モータ５００を入出力する交流電力は、第２インバータ３３０と第２モータ５００とを接続する第４通電バスバー３４４〜第６通電バスバー３４６を流れる。

流れる物理量を限定して言えば、第１モータ４００を入出力する交流電流は、第１通電バスバー３４１〜第３通電バスバー３４３を流れる。第２モータ５００を入出力する交流電流は、第４通電バスバー３４４〜第６通電バスバー３４６を流れる。

＜電流センサ＞
次に、これまでに説明した車載システム１００に適用される電流センサを説明する。

電流センサとしては、第１電流センサ１１、第２電流センサ１２、および、第３電流センサ１３がある。第１電流センサ１１はコンバータ３１０を流れる電流を検出する。第２電流センサ１２は第１モータ４００を流れる電流を検出する。第３電流センサ１３は第２モータ５００を流れる電流を検出する。

第１電流センサ１１は通電バスバー３０７に設けられる。上記したように通電バスバー３０７にはバッテリ２００を入出力する直流電流が流れる。第１電流センサ１１はこの直流電流を検出する。

第１電流センサ１１で検出された直流電流は電池ＥＣＵ８０１に入力される。電池ＥＣＵ８０１は第１電流センサ１１で検出された直流電流や図示しない電圧センサで検出される電池スタックの電圧などに基づいて、バッテリ２００のＳＯＣを監視する。

第２電流センサ１２は第１通電バスバー３４１〜第３通電バスバー３４３に設けられる。上記したように第１通電バスバー３４１〜第３通電バスバー３４３には第１モータ４００を入出力する交流電流が流れる。第２電流センサ１２はこの交流電流を検出する。

第２電流センサ１２で検出された交流電流はＭＧＥＣＵ８０２に入力される。ＭＧＥＣＵ８０２は第２電流センサ１２で検出された交流電流や図示しない回転角センサで検出される第１モータ４００の回転角などに基づいて、第１モータ４００をベクトル制御する。

第３電流センサ１３は第４通電バスバー３４４〜第６通電バスバー３４６に設けられる。上記したように第４通電バスバー３４４〜第６通電バスバー３４６には第２モータ５００を入出力する交流電流が流れる。第３電流センサ１３はこの交流電流を検出する。

第３電流センサ１３で検出された交流電流はＭＧＥＣＵ８０２に入力される。ＭＧＥＣＵ８０２は第３電流センサ１３で検出された交流電流や図示しない回転角センサで検出される第２モータ５００の回転角などに基づいて、第２モータ５００をベクトル制御する。

なお、第１モータ４００の有する第１Ｕ相ステータコイル４０１、第１Ｖ相ステータコイル４０２、および、第１Ｗ相ステータコイル４０３はスター結線されている。同様にして、第２モータ５００の有する第２Ｕ相ステータコイル５０１、第２Ｖ相ステータコイル５０２、および、第２Ｗ相ステータコイル５０３はスター結線されている。そのためにこれら３相のステータコイルのうちの２相の電流を検出することで、残り１相の電流を検出することができる。

これら３相のステータコイルがデルタ結線された構成を採用することもできる。この構成においても、２相のステータコイルの電流を検出することで、残り１相の電流を検出することができる。

第２電流センサ１２は第１Ｕ相ステータコイル４０１〜第１Ｗ相ステータコイル４０３に接続される第１通電バスバー３４１〜第３通電バスバー３４３のうちの２つに設けられる。より具体的に言えば、第２電流センサ１２は第１通電バスバー３４１と第２通電バスバー３４２に設けられる。

そのために第２電流センサ１２は第１Ｕ相ステータコイル４０１に流れる電流と、第１Ｖ相ステータコイル４０２に流れる電流を検出する。ＭＧＥＣＵ８０２はこれら第１Ｕ相ステータコイル４０１と第１Ｖ相ステータコイル４０２に流れる電流に基づいて第１Ｗ相ステータコイル４０３に流れる電流を検出する。

同様にして、第３電流センサ１３は第２Ｕ相ステータコイル５０１〜第２Ｗ相ステータコイル５０３に接続される第４通電バスバー３４４〜第６通電バスバー３４６のうちの２つに設けられる。より具体的に言えば、第３電流センサ１３は第４通電バスバー３４４と第５通電バスバー３４５に設けられる。

そのために第３電流センサ１３は第２Ｕ相ステータコイル５０１に流れる電流と、第２Ｖ相ステータコイル５０２に流れる電流を検出する。ＭＧＥＣＵ８０２はこれら第２Ｕ相ステータコイル５０１と第２Ｖ相ステータコイル５０２に流れる電流に基づいて第２Ｗ相ステータコイル５０３に流れる電流を検出する。

上記したバッテリ２００を入出力する直流電流、および、第１モータ４００と第２モータ５００を入出力する交流電流それぞれが被測定電流に相当する。そしてこれらの電流の流動によって発生する磁界が被測定磁界に相当する。

＜第１電流センサ＞
上記したように第１電流センサ１１は通電バスバー３０７に設けられる。通電バスバー３０７はリアクトル３１３側とハイサイドスイッチ３１１（ローサイドスイッチ３１２）側とで分断されている。第１電流センサ１１はこの分断された通電バスバー３０７のリアクトル３１３側とハイサイドスイッチ３１１側とを架橋する態様で通電バスバー３０７に設けられる。これにより第１電流センサ１１には通電バスバー３０７を流れる電流、すなわち、バッテリ２００を入出力する直流電流が流れる。

なおもちろんではあるが、通電バスバー３０７がリアクトル３１３側とハイサイドスイッチ３１１側とで分断された構成は一例に過ぎない。例えば、通電バスバー３０７が分断されずにハイサイドスイッチ３１１側だけに接続されている場合、第１電流センサ１１はリアクトル３１３と通電バスバー３０７とを架橋する。

図２〜図５に示すように第１電流センサ１１は、配線基板２０、導電バスバー３０、シールド４０、および、センサ筐体５０を有する。導電バスバー３０が上記の通電バスバー３０７を架橋する。そのため、導電バスバー３０に直流電流が流れる。導電バスバー３０が導電部材に相当する。

図４の（ａ）欄は第１電流センサ１１の上面図を示している。図４の（ｂ）欄は第１電流センサの正面図を示している。図４の（ｃ）欄は第１電流センサの下面図を示している。図５の（ａ）欄は第１電流センサ１１の正面図を示している。図５の（ｂ）欄は第１電流センサの側面図を示している。図５の（ｃ）欄は第１電流センサの背面図を示している。なお、図４の（ｂ）欄と図５の（ａ）欄には同一の図面を示している。

これらの図面に明示されるように、導電バスバー３０の一部はセンサ筐体５０にインサート成形されている。このセンサ筐体５０に配線基板２０とシールド４０とが設けられる。センサ筐体５０は絶縁性の樹脂材料からなる。

配線基板２０は導電バスバー３０のセンサ筐体５０にインサート成形された部位と対向する態様でセンサ筐体５０に固定される。この配線基板２０における導電バスバー３０との対向部位に後述の磁電変換部２５が搭載されている。この磁電変換部２５によって、導電バスバー３０を流れる直流電流の発する磁界が電気信号に変換される。

シールド４０は第１シールド４１と第２シールド４２を有する。第１シールド４１と第２シールド４２は互いに離間する態様でセンサ筐体５０に固定される。この第１シールド４１と第２シールド４２との間に配線基板２０と導電バスバー３０それぞれの互いに対向する部位が位置する。

第１シールド４１と第２シールド４２はセンサ筐体５０よりも透磁率の高い材料からなる。したがって第１電流センサ１１の外部から内部へと透過しようとする電磁ノイズ（外部ノイズ）は、第１シールド４１と第２シールド４２を積極的に通ろうとする。これにより外部ノイズの磁電変換部２５への入力が抑制されている。

なおセンサ筐体５０には図４に示す接続端子６０がインサート成形されている。この接続端子６０ははんだ６１によって配線基板２０と電気的および機械的に接続される。この接続端子６０がワイヤハーネスなどを介して電池ＥＣＵ８０１と電気的に接続される。磁電変換部２５で変換された電気信号は、接続端子６０と図示しないワイヤハーネスなどを介して電池ＥＣＵ８０１に入力される。

次に、第１電流センサ１１の構成要素を個別に詳説する。それに当たって、以下においては互いに直交の関係にある３方向をｘ方向、ｙ方向、および、ｚ方向とする。ｘ方向が横方向に相当する。ｙ方向が延長方向に相当する。

＜配線基板＞
図６に示すように配線基板２０は平板形状を成している。配線基板２０はｚ方向の厚さの薄い扁平形状を成している。配線基板２０は絶縁性の樹脂層と導電性の金属層がｚ方向に複数積層されて成る。配線基板２０の最も面積の広い対向面２０ａおよびその裏側の背面２０ｂはｚ方向に面している。図６の（ａ）欄は配線基板の上面図を示している。図６の（ｂ）欄は配線基板の下面図を示している。

配線基板２０の対向面２０ａには、図６の（ａ）欄および図７に示す第１センシング部２１と第２センシング部２２が搭載されている。第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれはＡＳＩＣ２３とフィルタ２４を有する。ＡＳＩＣ２３とフィルタ２４は配線基板２０の配線パターンを介して電気的に接続されている。この配線パターンに接続端子６０が電気的に接続されている。ＡＳＩＣはapplication specific integrated circuitの略である。なお、背面２０ｂに第１センシング部２１と第２センシング部２２が搭載された構成を採用することもできる。

＜ＡＳＩＣ＞
ＡＳＩＣ２３は磁電変換部２５、処理回路２６、接続ピン２７、および、樹脂部２８を有する。磁電変換部２５と処理回路２６は電気的に接続されている。接続ピン２７の一端が処理回路２６に電気的に接続されている。接続ピン２７の他端が配線基板２０に電気的および機械的に接続されている。接続ピン２７の一端側、処理回路２６、および、磁電変換部２５は樹脂部２８によって被覆されている。接続ピン２７の他端側は樹脂部２８から露出されている。

磁電変換部２５は自身を透過する磁界（透過磁界）に応じて抵抗値が変動する磁気抵抗効果素子を複数有する。この磁気抵抗効果素子は対向面２０ａに沿う透過磁界に応じて抵抗値が変化する。すなわち磁気抵抗効果素子は透過磁界のｘ方向に沿う成分とｙ方向に沿う成分に応じて抵抗値が変化する。

その反面、磁気抵抗効果素子はｚ方向に沿う透過磁界によって抵抗値が変化しない。したがってｚ方向に沿う外部ノイズが磁気抵抗効果素子を透過したとしても、それによって磁気抵抗効果素子の抵抗値は変化しない。

磁気抵抗効果素子は磁化方向の固定されたピン層、磁化方向が透過磁界に応じて変化する自由層、および、両者の間に設けられた非磁性の中間層を有する。中間層が非導電性を有する場合、磁気抵抗効果素子は巨大磁気抵抗素子である。中間層が導電性を有する場合、磁気抵抗効果素子はトンネル磁気抵抗素子である。なお、磁気抵抗効果素子は異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ）でもよい。さらに言えば、磁電変換部２５は磁気抵抗効果素子の代わりにホール素子を有してもよい。

磁気抵抗効果素子はピン層と自由層それぞれの磁化方向の成す角度によって抵抗値が変化する。ピン層の磁化方向は対向面２０ａに沿っている。自由層の磁化方向は対向面２０ａに沿う透過磁界によって定まる。磁気抵抗効果素子の抵抗値は、自由層と固定層それぞれの磁化方向が平行の場合に最も小さくなる。磁気抵抗効果素子の抵抗値は、自由層と固定層それぞれの磁化方向が反平行の場合に最も大きくなる。

磁電変換部２５は、上記した磁気抵抗効果素子として第１磁気抵抗効果素子２５ａと第２磁気抵抗効果素子２５ｂを有する。第１磁気抵抗効果素子２５ａと第２磁気抵抗効果素子２５ｂはピン層の磁化方向が９０°異なっている。このために第１磁気抵抗効果素子２５ａと第２磁気抵抗効果素子２５ｂの抵抗値の増減が逆転している。第１磁気抵抗効果素子２５ａと第２磁気抵抗効果素子２５ｂのうちの一方の抵抗値が減少すると、他方の抵抗値はそれと同等分だけ増大する。

磁電変換部２５は第１磁気抵抗効果素子２５ａと第２磁気抵抗効果素子２５ｂそれぞれを２つ有する。電源電位から基準電位に向かって第１磁気抵抗効果素子２５ａと第２磁気抵抗効果素子２５ｂが順に直列接続されて第１ハーフブリッジ回路が構成されている。電源電位から基準電位に向かって第２磁気抵抗効果素子２５ｂと第１磁気抵抗効果素子２５ａが順に直列接続されて第２ハーフブリッジ回路が構成されている。

このように２つのハーフブリッジ回路では第１磁気抵抗効果素子２５ａと第２磁気抵抗効果素子２５ｂの並びが逆転している。そのために２つのハーフブリッジ回路の中点電位は、一方の電位が下がれば他方の電位が上がる構成となっている。磁電変換部２５ではこれら２つのハーフブリッジ回路が組み合わさることでフルブリッジ回路が構成されている。

磁電変換部２５は上記したフルブリッジ回路を構成する磁気抵抗効果素子の他に、差動アンプ２５ｃ、フィードバックコイル２５ｄ、および、シャント抵抗２５ｅを有する。差動アンプ２５ｃの反転入力端子と非反転入力端子に２つのハーフブリッジ回路の中点電位が入力される。差動アンプ２５ｃの出力端子から基準電位に向かって、フィードバックコイル２５ｄとシャント抵抗２５ｅとが順に直列接続されている。

以上に示した接続構成により、差動アンプ２５ｃの出力端子からは、フルブリッジ回路を構成する第１磁気抵抗効果素子２５ａと第２磁気抵抗効果素子２５ｂの抵抗値の変動に応じた出力がなされる。この抵抗値の変化は、磁気抵抗効果素子を対向面２０ａに沿う磁界が透過することで生じる。磁気抵抗効果素子には導電バスバー３０を流れる電流から生じる磁界（被測定磁界）が透過する。したがって差動アンプ２５ｃの入力端子には被測定磁界に応じた電流が流れる。

差動アンプ２５ｃの入力端子と出力端子は図示しない帰還回路を介して接続されている。そのために差動アンプ２５ｃはバーチャルショートしている。したがって差動アンプ２５ｃは反転入力端子と非反転入力端子とが同電位となるように動作する。すなわち差動アンプ２５ｃは入力端子に流れる電流と出力端子に流れる電流とがゼロとなるように動作する。この結果、差動アンプ２５ｃの出力端子からは、被測定磁界に応じた電流（フィードバック電流）が流れる。

フィードバック電流はフィードバックコイル２５ｄとシャント抵抗２５ｅとを介して、差動アンプ２５ｃの出力端子と基準電位との間で流れる。このフィードバック電流の流動によって、フィードバックコイル２５ｄに相殺磁界が発生する。この相殺磁界が磁電変換部２５を透過する。これによって磁電変換部２５を透過する被測定磁界が相殺される。以上により磁電変換部２５は、自身を透過する被測定磁界と相殺磁界とが平衡となるように動作する。

相殺磁界を発生するフィードバック電流の電流量に応じたフィードバック電圧がフィードバックコイル２５ｄとシャント抵抗２５ｅとの間の中点に生成される。このフィードバック電圧が、被測定電流を検出した電気信号として、後段の処理回路２６に出力される。

処理回路２６は、調整アンプ２６ａと閾値電源２６ｂを有する。調整アンプ２６ａの非反転入力端子にフィードバックコイル２５ｄとシャント抵抗２５ｅとの間の中点が接続されている。調整アンプ２６ａの反転入力端子に閾値電源２６ｂが接続されている。これにより調整アンプ２６ａからは差動増幅されたフィードバック電圧が出力される。

フルブリッジ回路を構成する第１磁気抵抗効果素子２５ａと第２磁気抵抗効果素子２５ｂそれぞれの抵抗値は、温度に依存する性質を有する。そのために温度変化によって調整アンプ２６ａの出力が変動する。そこで処理回路２６は図示しない温度検出素子や、磁気抵抗効果素子の温度と抵抗値の関係を記憶する不揮発性メモリなどを有する。この不揮発性メモリは電気的に書き換え可能である。不揮発性メモリに記憶された値を書き換えることで、調整アンプ２６ａのゲインやオフセットが調整される。これにより温度変化に起因する調整アンプ２６ａの出力の変動がキャンセルされる。

＜フィルタ＞
フィルタ２４は抵抗２４ａとコンデンサ２４ｂを有する。そして図７に示すように配線基板２０には、配線パターンとして電源配線２０ｃ、第１出力配線２０ｄ、第２出力配線２０ｅ、および、グランド配線２０ｆが形成されている。

第１センシング部２１のＡＳＩＣ２３は電源配線２０ｃ、第１出力配線２０ｄ、および、グランド配線２０ｆそれぞれと接続されている。第１センシング部２１のＡＳＩＣ２３の調整アンプ２６ａの出力端子が第１出力配線２０ｄに接続されている。

第１センシング部２１のフィルタ２４の抵抗２４ａは第１出力配線２０ｄに設けられている。コンデンサ２４ｂは第１出力配線２０ｄとグランド配線２０ｆとを接続している。これにより第１センシング部２１のフィルタ２４は抵抗２４ａとコンデンサ２４ｂとによってローパスフィルタを構成している。第１センシング部２１のＡＳＩＣ２３の出力はこのローパスフィルタを介して電池ＥＣＵ８０１に出力される。これにより高周波ノイズの除去された第１センシング部２１の出力が電池ＥＣＵ８０１に入力される。

第２センシング部２２のＡＳＩＣ２３は電源配線２０ｃ、第２出力配線２０ｅ、および、グランド配線２０ｆそれぞれと接続されている。第１センシング部２１のＡＳＩＣ２３の調整アンプ２６ａの出力端子が第２出力配線２０ｅに接続されている。

第２センシング部２２のフィルタ２４の抵抗２４ａは第２出力配線２０ｅに設けられている。コンデンサ２４ｂは第２出力配線２０ｅとグランド配線２０ｆとを接続している。これにより第２センシング部２２のフィルタ２４は抵抗２４ａとコンデンサ２４ｂとによってローパスフィルタを構成している。第２センシング部２２のＡＳＩＣ２３の出力はこのローパスフィルタを介して電池ＥＣＵ８０１に出力される。これにより高周波ノイズの除去された第２センシング部２２の出力が電池ＥＣＵ８０１に入力される。

以上に示したように本実施形態の第１センシング部２１と第２センシング部２２は同一構成となっている。これら第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの磁電変換部２５はｙ方向に並んでいる。後で詳説するように第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの磁電変換部２５を透過する磁界は同一となっている。

したがって、第１センシング部２１から電池ＥＣＵ８０１に入力される電気信号と、第２センシング部２２から電池ＥＣＵ８０１に入力される電気信号は同一になっている。電池ＥＣＵ８０１は入力されるこれら２つの電気信号を比較することで、第１センシング部２１と第２センシング部２２のいずれか一方に異常が生じているか否かを判定する。このように本実施形態にかかる第１電流センサ１１は冗長性を有している。

なお、上記のシャント抵抗２５ｅは樹脂部２８の中に設けられても良いし、その外に設けられてもよい。樹脂部２８の外に設けられる場合、シャント抵抗２５ｅは配線基板２０に搭載される。そしてシャント抵抗２５ｅはＡＳＩＣ２３に外付けされる。

また、フルブリッジ回路を構成する４つの抵抗それぞれが磁気抵抗効果素子でなくともよい。これら４つの抵抗のうちの少なくとも１つが磁気抵抗効果素子であればよい。フルブリッジ回路ではなく、１つのハーフブリッジ回路だけを構成してもよい。

上記の冗長性を有さなくともよい場合、第１電流センサ１１は第１センシング部２１と第２センシング部２２のうちの一方を有する構成を採用することもできる。

＜導電バスバー＞
導電バスバー３０は銅や黄銅およびアルミニウムなどの導電材料から成る。導電バスバー３０は例えば以下に列挙する方法で製造することができる。導電バスバー３０は平板をプレス加工することで製造することができる。導電バスバー３０は複数の平板を一体的に連結することで製造することができる。導電バスバー３０は複数の平板を溶接することで製造することができる。導電バスバー３０は鋳型に溶融状態の導電材料を流し込むことで製造することができる。導電バスバー３０の製造方法としては特に限定されない。

図８に示すように導電バスバー３０はｚ方向の厚さの薄い扁平形状を成している。導電バスバー３０の表面３０ａおよびその裏面３０ｂそれぞれはｚ方向に面している。図８の（ａ）欄は導電バスバーの上面図を示している。図８の（ｂ）欄は導電バスバーの側面図を示している。

導電バスバー３０はｙ方向に延びている。図８において２つの破線で区切って示すように、導電バスバー３０はセンサ筐体５０に被覆される被覆部３１、および、センサ筐体５０から露出される第１露出部３２と第２露出部３３を有する。第１露出部３２と第２露出部３３は被覆部３１を介してｙ方向に並んでいる。第１露出部３２と第２露出部３３は被覆部３１を介して一体的に連結されている。

図８の（ｂ）欄に示すように被覆部３１、第１露出部３２、および、第２露出部３３それぞれのｚ方向の長さ（厚さ）は相等しくなっている。すなわち被覆部３１、第１露出部３２、および、第２露出部３３それぞれの表面３０ａと裏面３０ｂとの間のｚ方向の離間距離が相等しくなっている。

第１露出部３２と第２露出部３３それぞれには、ボルトを通して通電バスバー３０７と電気的および機械的に接続するためのボルト孔３０ｃが形成されている。このボルト孔３０ｃは表面３０ａと裏面３０ｂとを貫通している。

上記したように通電バスバー３０７はリアクトル３１３側とハイサイドスイッチ３１１側とで分断されている。この通電バスバー３０７のリアクトル３１３側、および、ハイサイドスイッチ３１１側それぞれに、ボルト孔３０ｃに対応する取付孔が形成されている。

通電バスバー３０７のリアクトル３１３側の取付孔と第１露出部３２のボルト孔３０ｃとをｚ方向で並ばせる。通電バスバー３０７のハイサイドスイッチ３１１側の取付孔と第２露出部３３のボルト孔３０ｃとをｚ方向で並ばせる。この状態において、ボルト孔３０ｃと取付孔とにボルトの軸部を通す。そしてボルトの軸部の先端から頭部に向かってナットを締結する。ボルトの頭部とナットとによって通電バスバー３０７と導電バスバー３０とを挟持する。これにより通電バスバー３０７と導電バスバー３０とを接触し、両者を電気的および機械的に接続する。以上により、分断された通電バスバー３０７のリアクトル３１３側とハイサイドスイッチ３１１側とが導電バスバー３０によって架橋される。通電バスバー３０７と導電バスバー３０とに共通の電流が流れる。

図８の（ａ）欄に示すように被覆部３１には、ｘ方向の長さの局所的に短い狭窄部３１ａが形成されている。本実施形態の狭窄部３１ａはｘ方向の長さが段階的に短くなっている。狭窄部３１ａは、ｙ方向において被覆部３１の第１露出部３２側から被覆部３１の中心点ＣＰに向かうにしたがって、二段階にわたってｘ方向の長さが短くなっている。同様にして狭窄部３１ａは、ｙ方向において被覆部３１の第２露出部３３側から被覆部３１の中心点ＣＰに向かうにしたがって、二段階にわたってｘ方向の長さが短くなっている。なお狭窄部３１ａのｘ方向の長さはより多段階的に短くなっても良いし、連続的に短くなってもよい。

上記の中心点ＣＰは被覆部３１の重心と同等である。被覆部３１および狭窄部３１ａは、中心点ＣＰをｚ方向に通る中心線を対称軸ＡＳとして、線対称な形状となっている。

狭窄部３１ａは第１露出部３２および第２露出部３３それぞれよりもｘ方向の長さが短くなっている。このため狭窄部３１ａを流れる電流の密度は、第１露出部３２と第２露出部３３を流れる電流の密度よりも濃くなっている。この結果、狭窄部３１ａを流れる電流から発せられる被測定磁界の強度が高くなっている。

図８の（ａ）欄と（ｂ）欄それぞれに第１センシング部２１と第２センシング部２２の磁電変換部２５を概略的に破線で囲って示すように、第１センシング部２１と第２センシング部２２は狭窄部３１ａとｚ方向で離間して対向配置される。したがって第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれには、狭窄部３１ａを流れる電流から発せられる、強度の高い被測定磁界が透過する。

上記したように導電バスバー３０はｙ方向に延びている。したがって導電バスバー３０ではｙ方向に電流が流れる。このｙ方向への電流の流動によって、ｙ方向まわりの周方向に、アンペールの法則にしたがう被測定磁界が生成される。被測定磁界は、ｘ方向とｚ方向とによって規定される平面において、導電バスバー３０を中心として環状に流れる。第１センシング部２１と第２センシング部２２は被測定磁界のｘ方向に沿う成分を検出する。

図８に破線で示すように第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの磁電変換部２５はｙ方向に並んでいる。これら２つの磁電変換部２５は対称軸ＡＳを介して対称配置されている。２つの磁電変換部２５のｘ方向の位置と対称軸ＡＳ（中心点ＣＰ）のｘ方向の位置とが同一になっている。したがって２つの磁電変換部２５は中心点ＣＰを介してｙ方向に並んでいる。

また２つの磁電変換部２５と被覆部３１とのｚ方向の離間距離は同一となっている。そして上記したように被覆部３１および狭窄部３１ａは対称軸ＡＳを介して線対称な形状となっている。以上により、２つの磁電変換部２５にはｘ方向の成分が同等の被測定磁界が透過する。

なお、本実施形態の導電バスバー３０は導電性の平板をプレス加工することで製造している。このプレス加工は、平板をダイに置き、パンチをダイに近づけて平板に引張り力を加える。こうすることで平板を導電バスバー３０と切りくずとに分離し、導電バスバー３０を製造する。

上記のプレス加工によって導電バスバー３０を製造すると、導電バスバー３０にはせん断面が形成される。導電バスバー３０におけるパンチと始めに接触する面側のせん断面にダレが発生する。これによってせん断面の直角性が損なわれる虞がある。この結果、導電バスバー３０を流動する電流によって発生する被測定磁界の分布が設計からずれる虞がある。

本実施形態の導電バスバー３０は、パンチと始めに接触する面ではなく、パンチによって最後に分離される面を配線基板２０側に設けている。すなわち、パンチと始めに接触する面を裏面３０ｂ、パンチによって最後に分離される面を表面３０ａとしている。せん断面は表面３０ａと裏面３０ｂとの間の側面に相当する。したがって導電バスバー３０の側面における表面３０ａ側の直角性が損なわれがたくなっている。この導電バスバー３０の表面３０ａが配線基板２０と対向している。そのために配線基板２０に搭載された第１センシング部２１と第２センシング部２２を透過する被測定磁界の分布が設計からずれることが抑制されている。

なお、上記のように導電バスバー３０をプレス加工で製造した後、側面における表面３０ａ側と裏面３０ｂ側のいずれにダレが発生しているかを見分ける必要がある。これを見分けるための切欠き３３ａが、目印として導電バスバー３０の第２露出部３３に形成されている。本実施形態の切欠き３３ａは半円形状を成している。

＜シールド＞
上記したようにシールド４０は第１シールド４１と第２シールド４２を有する。図９および図１０に示すように第１シールド４１と第２シールド４２それぞれはｚ方向の厚さの薄い板形状を成している。第１シールド４１の最も面積の広い一面４１ａとその裏面４１ｂそれぞれはｚ方向に面している。第２シールド４２の最も面積の広い一面４２ａとその裏面４２ｂそれぞれはｚ方向に面している。

図２および図３に示すように一面４１ａと一面４２ａとが互いにｚ方向において対向する態様で、第１シールド４１と第２シールド４２はセンサ筐体５０に設けられる。第１シールド４１の裏面４１ｂと第２シールド４２の裏面４２ｂそれぞれはセンサ筐体５０の外に露出される。これら裏面４１ｂと裏面４２ｂそれぞれは第１電流センサ１１の最外表面の一部を構成している。

図９の（ａ）欄は第１シールドの上面図を示している。図９の（ｂ）欄は第１シールドの下面図を示している。図１０の（ａ）欄は第２シールドの上面図を示している。図１０の（ｂ）欄は第２シールドの下面図を示している。

これら第１シールド４１と第２シールド４２は、パーマロイなどの透磁率の高い軟磁性材料から成る複数の平板を圧着することで製造することができる。若しくは、第１シールド４１と第２シールド４２は電磁鋼を圧延することで製造することができる。

本実施形態の第１シールド４１と第２シールド４２それぞれは軟磁性材料から成る複数の平板を圧着することで製造している。複数の平板それぞれには、その主面から裏面に向かって突起する４つの凸部が形成されている。これに応じて複数の平板それぞれには、裏面から主面に向かって凹む４つの凹部が形成されている。これら複数の平板それぞれを、主面と裏面とが対向するように配置する。そして対向する２つの平板のうちの一方の凹部に、他方の凸部が入り込むように、複数の平板を積層する。この積層状態で複数の平板を圧着する。これにより第１シールド４１と第２シールド４２とが製造される。

なお、電磁鋼を圧延することで第１シールド４１と第２シールド４２を製造する場合、その圧延によって電磁鋼を延ばす方向を、例えばｘ方向にする。これにより電磁鋼の原子配列（結晶）がｘ方向に整列される。この結果、ｘ方向のほうがｙ方向よりも透磁率が高まる。このように電磁鋼の圧延方向を特定することで、シールドの透磁率に異方性を持たせることができる。

＜第１シールド＞
第１シールド４１の平面形状は、図９に示すようにｘ方向を長手方向とする矩形を成している。そして本実施形態の第１シールド４１の四隅には切欠き４１ｃが形成されている。図９では、ｙ方向における第１シールド４１の中央と両端との境界を明りょうとするため、ｘ方向に延びる２つの破線を第１シールド４１に付与している。以下においては第１シールド４１のｙ方向の中央を第１中央部４１ｄと示す。第１シールド４１のｙ方向の両端を第１両端部４１ｅと示す。ｙ方向において第１両端部４１ｅの有する２つの端部の間に第１中央部４１ｄが位置している。

この破線の付与によって明示されるように、第１両端部４１ｅは第１中央部４１ｄよりもｘ方向の長さが短くなっている。そのために第１両端部４１ｅは第１中央部４１ｄよりもｘ方向の透磁率が低くなっている。第１両端部４１ｅに磁界が侵入しがたくなっている。したがって、第１両端部４１ｅの有する２つの端部の一方から他方へと、第１中央部４１ｄにおける第１両端部４１ｅと直接連結されてｙ方向で並ぶ部位（並列部位）を介して磁界が透過することが抑制されている。第１中央部４１ｄの並列部位に磁界が透過しがたくなっている。この結果、第１中央部４１ｄの並列部位は磁気飽和しがたくなっている。

この磁気飽和の抑制された第１中央部４１ｄの並列部位と、配線基板２０に搭載された第１センシング部２１および第２センシング部２２がｚ方向で並んでいる。第１中央部４１ｄと狭窄部３１ａとの間に第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの磁電変換部２５が位置している。

＜第２シールド＞
第２シールド４２の平面形状は、図１０に示すようにｘ方向を長手方向とする矩形を成している。図１０では、ｙ方向における第２シールド４２の中央と両端との境界を明りょうとするために、ｘ方向に延びる２つの破線を第２シールド４２に付与している。以下においては第２シールド４２のｙ方向の中央を第２中央部４２ｄと示す。第２シールド４２のｙ方向の両端を第２両端部４２ｅと示す。ｙ方向において第２両端部４２ｅの有する２つの端部の間に第２中央部４２ｄが位置している。

第２シールド４２はｘ方向で並ぶ２つの端辺４２ｆを有する。これら２つの端辺４２ｆの第２中央部４２ｄ側それぞれに、ｚ方向に延びる延設部４２ｃが形成されている。これら２つの延設部４２ｃはｚ方向において裏面４２ｂから一面４２ａに向かう方向に延びている。延設部４２ｃはｙ方向を長手方向とする直方体を成している。延設部４２ｃは上記したように第２シールド４２を製造するにあたって軟磁性材料から成る複数の平板を圧着した後に曲げ加工することで形成される。

上記したように第１シールド４１の一面４１ａと第２シールド４２の一面４２ａとが互いにｚ方向において対向する態様で、第１シールド４１と第２シールド４２はセンサ筐体５０に設けられる。このセンサ筐体５０に設けられている状態で、延設部４２ｃは第１シールド４１に向かって延びている。延設部４２ｃの端面と第１シールド４１の第１中央部４１ｄの一面４１ａとがｚ方向で対向している。

これにより、第１シールド４１の一面４１ａと第２シールド４２の一面４２ａとのｚ方向の離間距離よりも、第１シールド４１の第１中央部４１ｄと第２シールド４２の延設部４２ｃとのｚ方向の離間距離のほうが短くなっている。そのため、第１シールド４１に侵入した磁界は、この延設部４２ｃを介して第２シールド４２へと透過しやすくなっている。

上記したように延設部４２ｃは端辺４２ｆの第２中央部４２ｄ側からｚ方向に延びている。端辺４２ｆの第２両端部４２ｅ側に延設部４２ｃは形成されていない。そのため、第１シールド４１に侵入した磁界は、延設部４２ｃを介して第２シールド４２の第２中央部４２ｄへと透過しやすくなっている。

この第２中央部４２ｄと、配線基板２０に搭載された第１センシング部２１および第２センシング部２２がｚ方向で対向している。第１中央部４１ｄと第２中央部４２ｄとの間に、第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの磁電変換部２５と狭窄部３１ａが位置している。

また、磁電変換部２５のｘ方向の位置は、２つの端辺４２ｆそれぞれに形成された２つの延設部４２ｃの間になっている。そのため、磁電変換部２５の位置する第１シールド４１の一面４１ａと第２シールド４２の一面４２ａとの間の領域をｘ方向に沿う外部ノイズが透過しようとした場合、その外部ノイズは磁電変換部２５ではなく延設部４２ｃに侵入しようとする。延設部４２ｃに侵入した外部ノイズは第２シールド４２の中を透過するべく、その透過方向が曲げられる。この結果、外部ノイズが磁電変換部２５を透過することが抑制されている。

＜センサ筐体＞
図３および図１１に示すように、センサ筐体５０には導電バスバー３０と接続端子６０がインサート成形されている。そしてセンサ筐体５０には、配線基板２０とシールド４０が設けられる。導電バスバー３０、配線基板２０、および、シールド４０はｚ方向で離間して並んでいる。図１１の（ａ）欄はセンサ筐体の上面図を示している。図１１の（ｂ）欄はセンサ筐体の下面図を示している。

図５および図１１に示すようにセンサ筐体５０は、基部５１、絶縁部５２、第１囲み部５３、第２囲み部５４、および、コネクタ部５５を有する。

基部５１はｘ方向を長手方向とする直方体を成している。そのために基部５１は６面を有する。基部５１はｙ方向に面する左面５１ａと右面５１ｂを有する。基部５１はｘ方向に面する上面５１ｃと下面５１ｄを有する。基部５１はｚ方向に面する上端面５１ｅと下端面５１ｆを有する。

図５の（ａ）欄および図５の（ｃ）欄に示すように、絶縁部５２は基部５１の左面５１ａと右面５１ｂそれぞれの一部に形成されている。これら２つの絶縁部５２は基部５１から離れるようにｙ方向に延びている。２つの絶縁部５２は基部５１を介してｙ方向に並んでいる。２つの絶縁部５２と基部５１それぞれによって導電バスバー３０の被覆部３１が被覆されている。

概略的に言えば、２つの絶縁部５２によって被覆部３１の第１露出部３２側と第２露出部３３側が被覆されている。基部５１によって被覆部３１の狭窄部３１ａが被覆されている。したがって狭窄部３１ａはｚ方向において基部５１の上端面５１ｅと下端面５１ｆとの間に位置する。狭窄部３１ａと上端面５１ｅとの間、および、狭窄部３１ａと下端面５１ｆとの間それぞれに、基部５１を構成する絶縁性の樹脂材料が位置している。

図１１の（ａ）欄に示すように、第１囲み部５３は基部５１の上端面５１ｅに形成されている。第１囲み部５３はｙ方向に並ぶ左壁５３ａと右壁５３ｂを有する。第１囲み部５３はｘ方向に並ぶ上壁５３ｃと下壁５３ｄを有する。

これら第１囲み部５３を構成する壁は上端面５１ｅの縁に沿って形成されている。ｚ方向まわりの周方向において、左壁５３ａ、上壁５３ｃ、右壁５３ｂ、および、下壁５３ｄが順に連結されている。これにより第１囲み部５３はｚ方向に開口する環状を成している。第１囲み部５３によって上端面５１ｅが囲まれている。この第１囲み部５３と上端面５１ｅとによって構成される第１収納空間に配線基板２０と第１シールド４１が設けられる。

図１１の（ｂ）欄に示すように、第２囲み部５４は基部５１の下端面５１ｆに形成されている。第２囲み部５４はｙ方向に並ぶ左壁５４ａと右壁５４ｂを有する。第２囲み部５４はｘ方向に並ぶ上壁５４ｃと下壁５４ｄを有する。

これら第２囲み部５４を構成する壁は、下端面５１ｆにおける上記の基部５１の狭窄部３１ａとｚ方向で並ぶ部位の周囲に形成されている。ｚ方向まわりの周方向において、左壁５４ａ、上壁５４ｃ、右壁５４ｂ、および、下壁５４ｄが順に連結されている。これにより第２囲み部５４はｚ方向に開口する環状を成している。第２囲み部５４によって下端面５１ｆの一部が囲まれている。この第２囲み部５４と下端面５１ｆとによって構成される第２収納空間に第２シールド４２が設けられる。

第２収納空間は第１収納空間よりもｚ方向に直交する平面の大きさが小さくなっている。第２収納空間は第１収納空間の一部とｚ方向で並んでいる。この第１収納空間における第２収納空間とのｚ方向で並ばない部位とコネクタ部５５とがｚ方向で並んでいる。

図５の（ｂ）欄および図１１の（ｂ）欄に示すように、コネクタ部５５は基部５１の下端面５１ｆに形成されている。コネクタ部５５は下端面５１ｆにおける第２囲み部５４によって囲まれていない部位（非囲み部位）から離れるようにｚ方向に延びている。コネクタ部５５は下壁５４ｄの一部を構成している。

コネクタ部５５は下端面５１ｆからｚ方向に延びる柱部５５ａと、柱部５５ａの先端面５５ｂをｚ方向まわりの周方向で囲む囲み部５５ｃと、を有する。接続端子６０はｚ方向に延びている。接続端子６０は柱部５５ａ、および、基部５１における柱部５５ａとｚ方向で並ぶ部位それぞれによって被覆されている。

接続端子６０の一端は先端面５５ｂから柱部５５ａの外に露出されている。この先端面５５ｂから露出した接続端子６０の一端は上記の囲み部５５ｃによってその周囲を囲まれている。これにより囲み部５５ｃと接続端子６０の一端とによってコネクタが構成されている。このコネクタにワイヤハーネスなどのコネクタが接続される。

接続端子６０の他端は上端面５１ｅから基部５１の外に露出されている。接続端子６０の他端は上記の第１収納空間に設けられている。接続端子６０は導電バスバー３０における基部５１によって被覆された部位（狭窄部３１ａ）とｘ方向で離れている。ｘ方向において接続端子６０の他端は下壁５３ｄ側に位置する。狭窄部３１ａは上壁５３ｃ側に位置する。接続端子６０と狭窄部３１ａそれぞれのセンサ筐体５０にインサート成形された部位の間に、基部５１を構成する絶縁性の樹脂材料が位置している。

上記したように導電バスバー３０にはバッテリ２００を入出力する直流電流が流れる。そして接続端子６０には、配線基板２０と電池ＥＣＵ８０１との間で、直流電流よりも電流量の少ない電気信号が流れる。この導電バスバー３０と接続端子６０との沿面距離が近いと、両者が導通してショートする虞がある。

このような不具合が生じることを抑制するためのリブ５２ａが絶縁部５２に形成されている。リブ５２ａは絶縁部５２からｚ方向に突起している。そしてリブ５２ａはｘ方向に延びている。リブ５２ａのｘ方向の長さは第１露出部３２および第２露出部３３それぞれのｘ方向の長さよりも長くなっている。

リブ５２ａは絶縁部５２の外に位置する導電バスバー３０の第１露出部３２および第２露出部３３と、接続端子６０の上端面５１ｅから外に露出された他端との間に位置する。このリブ５２ａにより、センサ筐体５０の表面における導電バスバー３０と接続端子６０との沿面距離が長くなっている。これにより導電バスバー３０と接続端子６０とのショートが抑制されている。

またリブ５２ａは第１露出部３２および第２露出部３３と、第１シールド４１および第２シールド４２との間に位置する。これにより導電バスバー３０とシールド４０とのショートも抑制されている。

リブ５２ａによる沿面距離の延長によって、絶縁部５２のｙ方向の長さを短くすることができる。絶縁部５２のｙ方向の長さをおよそ８５％短くすることができる。これにより第１電流センサ１１の体格の増大が抑制される。

＜センサ筐体に対する配線基板の固定形態＞
図１１の（ａ）欄および図１２の（ａ）欄に示すように、基部５１の上端面５１ｅには、ｚ方向に局所的に延びる基板支持ピン５６ａと基板接着ピン５６ｂが形成されている。これら基板支持ピン５６ａと基板接着ピン５６ｂは上端面５１ｅに複数形成されている。図１２の（ａ）欄はセンサ筐体の斜視図を示している。図１２の（ｂ）欄は配線基板の設けられたセンサ筐体の斜視図を示している。図１２ではこれらピンを説明するために、一部の符号の付与を略している。

複数の基板支持ピン５６ａそれぞれはｚ方向に面する先端面５６ｃを有する。これら複数の先端面５６ｃのｚ方向の位置が相等しくなっている。同様にして、複数の基板接着ピン５６ｂそれぞれはｚ方向に面する先端面５６ｄを有する。これら複数の先端面５６ｄのｚ方向の位置が相等しくなっている。

図１３に示すように基板支持ピン５６ａの先端面５６ｃと上端面５１ｅとの間のｚ方向の長さはＬ１となっている。基板接着ピン５６ｂの先端面５６ｄと上端面５１ｅとの間のｚ方向の長さはＬ２となっている。図面に明示するように、長さＬ１は長さＬ２よりも長くなっている。

そのために基板支持ピン５６ａの先端面５６ｃは、基板接着ピン５６ｂの先端面５６ｄよりも上端面５１ｅからｚ方向に離れている。この基板支持ピン５６ａの先端面５６ｃに対向面２０ａが接触する態様で、配線基板２０はセンサ筐体５０に搭載される。基板支持ピン５６ａが基板支持部に相当する。先端面５６ｃが支持面に相当する。

基板支持ピン５６ａの先端面５６ｃに搭載されている状態において、配線基板２０の対向面２０ａと基板接着ピン５６ｂの先端面５６ｄはｚ方向で離れている。この配線基板２０と基板接着ピン５６ｂとの間に、両者を接着固定する基板接着剤５６ｅが設けられる。基板接着ピン５６ｂが基板接着部に相当する。先端面５６ｄが搭載面に相当する。

基板接着剤５６ｅによって配線基板２０とセンサ筐体５０とを接着固定する際、基板接着剤５６ｅの温度は第１電流センサ１１の設けられる環境温度よりも高めに設定される。この際の基板接着剤５６ｅの温度は例えば１５０℃程度に設定することができる。この温度において基板接着剤５６ｅは流動性を有している。基板接着剤５６ｅとしてはシリコン系接着剤を採用することができる。

基板接着ピン５６ｂの先端面５６ｄに１５０℃程度の流動性を有する基板接着剤５６ｅを塗布する。そして配線基板２０の対向面２０ａに基板支持ピン５６ａの先端面５６ｃと基板接着剤５６ｅそれぞれが接触するように、配線基板２０をセンサ筐体５０に設ける。この後に基板接着剤５６ｅを室温まで降温して固化する。

これにより基板接着剤５６ｅには、第１電流センサ１１の設けられる環境温度において、自身の中心へと凝縮する残留応力が発生する。この残留応力により、配線基板２０と基板接着ピン５６ｂとが互いに近づく状態となる。配線基板２０の対向面２０ａと基板支持ピン５６ａの先端面５６ｃとの接触状態が維持される。

この結果、配線基板２０のセンサ筐体５０に対する位置ずれが、接着固定時に流動性を有する基板接着剤５６ｅの形状バラツキに依存しなくなる。配線基板２０のセンサ筐体５０に対する位置ずれがセンサ筐体５０の製造誤差になる。さらに言い換えれば、配線基板２０のセンサ筐体５０にインサート成形された導電バスバー３０に対する位置ずれがセンサ筐体５０の製造誤差になる。

本実施形態では３つの基板支持ピン５６ａが上端面５１ｅに形成されている。これら３つの基板支持ピン５６ａのうちの２つがｙ方向に離間して並んでいる。残り１つの基板支持ピン５６ａがｙ方向に並ぶ２つの基板支持ピン５６ａの間の中点からｘ方向に離間している。３つの基板支持ピン５６ａの先端面５６ｃは二等辺三角形の頂点を成している。ｙ方向に並ぶ２つの基板支持ピン５６ａと残り１つの基板支持ピン５６ａとの間に導電バスバー３０の狭窄部３１ａが位置する。

本実施形態では３つの基板接着ピン５６ｂが上端面５１ｅに形成されている。これら３つの基板接着ピン５６ｂのうちの２つがｙ方向に離間して並んでいる。残り１つの基板接着ピン５６ｂがｙ方向に並ぶ２つの基板支持ピン５６ａの間の中点からｘ方向に離間している。３つの基板接着ピン５６ｂの先端面５６ｄは二等辺三角形の頂点を成している。

ｙ方向に並ぶ２つの基板支持ピン５６ａの間で複数の接続端子６０の他端が並んでいる。残り１つの基板支持ピン５６ａはｙ方向に並ぶ２つの基板接着ピン５６ｂの間の中点に位置している。したがってこの残り１つの基板支持ピン５６ａはｘ方向において残り１つの基板接着ピン５６ｂと並んでいる。そして狭窄部３１ａの中心点ＣＰはｘ方向においてこれら残り１つの基板支持ピン５６ａと残り１つの基板接着ピン５６ｂとの間に位置している。

以上に示した構成により、３つの基板支持ピン５６ａの先端面５６ｃを結んで成る二等辺三角形と、３つの基板接着ピン５６ｂの先端面５６ｄを結んで成る二等辺三角形とはｚ方向で重なっている。そしてこれら２つの二等辺三角形のｚ方向で重なる領域に狭窄部３１ａの中心点ＣＰが位置している。

配線基板２０は、これら２つの二等辺三角形それぞれとｚ方向で対向する態様でセンサ筐体５０に設けられる。この配線基板２０における２つの二等辺三角形と対向する部位は、基板支持ピン５６ａとの接触、および、基板接着剤５６ｅを介した基板接着ピン５６ｂとの連結のため、２つの二等辺三角形と対向しない部位よりも、センサ筐体５０との接続が安定化している。この配線基板２０におけるセンサ筐体５０との接続が安定化している部位に、第１センシング部２１と第２センシング部２２が搭載されている。

配線基板２０が基板支持ピン５６ａに搭載され、基板接着剤５６ｅを介して基板接着ピン５６ｂに固定されている状態において、配線基板２０の対向面２０ａと基部５１の上端面５１ｅとがｚ方向に離間して対向している。製造誤差などが全くない場合、対向面２０ａと上端面５１ｅとの離間距離は全面にわたって一定で、両者は平行の関係となっている。

上記したように基部５１には導電バスバー３０の狭窄部３１ａがインサート成形されている。製造誤差などが全くない場合、狭窄部３１ａの表面３０ａと基部５１の上端面５１ｅとの間の離間距離も全面にわたって一定で、両者は平行の関係となっている。

以上に示した平行の関係により、製造誤差などが全くない場合、配線基板２０の対向面２０ａと狭窄部３１ａの表面３０ａとの離間距離も全面にわたって一定で、両者は平行の関係となっている。

ところで、上記したように配線基板２０は樹脂層と金属層がｚ方向に複数積層されて成る。そのために配線基板２０のｚ方向の厚みの製造誤差は大きくなっている。配線基板２０のｚ方向の厚みの製造誤差は、導電バスバー３０のセンサ筐体５０へのインサート成形によるｚ方向の位置の製造誤差、および、センサ筐体５０に対する配線基板２０のｚ方向の配置誤差の２倍程度となっている。

これに対して、上記したように配線基板２０における導電バスバー３０との対向面２０ａに第１センシング部２１と第２センシング部２２が設けられている。したがって第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの導電バスバー３０とのｚ方向の離間距離が、配線基板２０のｚ方向の厚みに依存しなくなっている。配線基板２０のｚ方向の厚みの製造誤差によって、第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれと導電バスバー３０とのｚ方向の離間距離が変動することが抑制されている。

なお、基板支持ピン５６ａと基板接着ピン５６ｂの数としては３つに限定されない。基板支持ピン５６ａの数としては４つ以上を採用することもできる。基板接着ピン５６ｂの数としては、１つ、２つ、若しくは、４つ以上を採用することもできる。

また、基板支持ピン５６ａと基板接着ピン５６ｂそれぞれの数が３つ以上の場合、３つ以上の基板支持ピン５６ａの先端面５６ｃを結んで成る多角形と、３つ以上の基板接着ピン５６ｂの先端面５６ｄを結んで成る多角形とがｚ方向で重なる構成がよい。この構成において、配線基板２０における２つの多角形とｚ方向で対向する領域に第１センシング部２１と第２センシング部２２を搭載するとよい。これにより第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれのセンサ筐体５０に対する位置ずれが抑制される。

基板支持ピン５６ａ、および、基板接着ピン５６ｂと名称したように、これらがｚ方向に延びる柱状である例を示した。しかしながらこれらの形状は柱状に限定されない。基板支持ピン５６ａの先端面５６ｃが基板接着ピン５６ｂの先端面５６ｄよりも上端面５１ｅから離れていればよく、その形状は特に限定されない。

＜センサ筐体に対する第１シールドの固定形態＞
図１１の（ａ）欄および図１４の（ａ）欄に示すように、基部５１の上端面５１ｅには、ｚ方向に局所的に延びるシールド支持ピン５７ａとシールド接着ピン５７ｂが形成されている。これらシールド支持ピン５７ａとシールド接着ピン５７ｂは上端面５１ｅに複数形成されている。図１４の（ａ）欄は配線基板の設けられたセンサ筐体の斜視図を示している。図１４の（ｂ）欄は配線基板とシールドの設けられたセンサ筐体の斜視図を示している。図１４ではこれらピンを説明するために、一部の符号の付与を略している。

複数のシールド支持ピン５７ａそれぞれはｚ方向に面する先端面５７ｃを有する。これら複数の先端面５７ｃのｚ方向の位置が相等しくなっている。同様にして、複数のシールド接着ピン５７ｂそれぞれはｚ方向に面する先端面５７ｄを有する。これら複数の先端面５７ｄのｚ方向の位置が相等しくなっている。

図１５に示すようにシールド支持ピン５７ａとシールド接着ピン５７ｂそれぞれは、基板支持ピン５６ａよりもｚ方向の長さが長くなっている。より詳しく言えば、シールド支持ピン５７ａとシールド接着ピン５７ｂそれぞれは、基板支持ピン５６ａよりもｚ方向の長さが配線基板２０のｚ方向の厚さ以上長くなっている。そのため、上記したようにセンサ筐体５０に配線基板２０が搭載された状態において、シールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃとシールド接着ピン５７ｂの先端面５７ｄそれぞれは配線基板２０の背面２０ｂよりも上端面５１ｅからｚ方向に離れている。なお、シールド接着ピン５７ｂと基板支持ピン５６ａとのｚ方向の長さの相違が、配線基板２０のｚ方向の厚さよりも短い構成を採用することもできる。

図１５に示すようにシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃと上端面５１ｅとの間のｚ方向の長さはＬ３となっている。シールド接着ピン５７ｂの先端面５７ｄと上端面５１ｅとの間のｚ方向の長さはＬ４となっている。図面に明示するように、長さＬ３は長さＬ４よりも長くなっている。

そのためにシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃは、シールド接着ピン５７ｂの先端面５７ｄよりも上端面５１ｅからｚ方向に離れている。このシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃに一面４１ａが接触する態様で、第１シールド４１はセンサ筐体５０に搭載される。シールド支持ピン５７ａがシールド支持部に相当する。先端面５７ｃが接触面に相当する。

シールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃに搭載されている状態において、第１シールド４１の一面４１ａとシールド接着ピン５７ｂの先端面５７ｄはｚ方向で離れている。この第１シールド４１とシールド接着ピン５７ｂとの間に、両者を接着固定する基板接着剤５６ｅが設けられる。シールド接着ピン５７ｂがシールド接着部に相当する。先端面５７ｄが設置面に相当する。

シールド接着剤５７ｅによって第１シールド４１とセンサ筐体５０とを接着固定する際、シールド接着剤５７ｅの温度は第１電流センサ１１の設けられる環境温度よりも高めに設定される。この際のシールド接着剤５７ｅの温度も例えば１５０℃程度に設定することができる。この温度においてシールド接着剤５７ｅは流動性を有している。シールド接着剤５７ｅとしてはシリコン系接着剤を採用することができる。

シールド接着ピン５７ｂの先端面５７ｄに１５０℃程度の流動性を有するシールド接着剤５７ｅを塗布する。そして第１シールド４１の一面４１ａにシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃとシールド接着剤５７ｅそれぞれが接触するように、第１シールド４１をセンサ筐体５０に設ける。この後にシールド接着剤５７ｅを室温まで降温して固化する。

これによりシールド接着剤５７ｅには、第１電流センサ１１の設けられる環境温度において、自身の中心へと凝縮する残留応力が発生する。この残留応力により、第１シールド４１とシールド接着ピン５７ｂとが互いに近づく状態となる。第１シールド４１の一面４１ａとシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃとの接触状態が維持される。

この結果、第１シールド４１のセンサ筐体５０に対する位置ずれが、接着固定時に流動性を有するシールド接着剤５７ｅの形状バラツキに依存しなくなる。第１シールド４１のセンサ筐体５０に対する位置ずれがセンサ筐体５０の製造誤差になる。さらに言い換えれば、第１シールド４１のセンサ筐体５０に固定された配線基板２０に対する位置ずれがセンサ筐体５０の製造誤差になる。

本実施形態では３つのシールド支持ピン５７ａが上端面５１ｅに形成されている。これら３つのシールド支持ピン５７ａのうちの１つが左壁５３ａと一体的に連結されている。残り２つのシールド支持ピン５７ａのうちの１つが右壁５３ｂと一体的に連結されている。残り１つのシールド支持ピン５７ａが上壁５３ｃと一体的に連結されている。これにより３つのシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃは三角形の頂点を成している。

左壁５３ａと一体的に連結されたシールド支持ピン５７ａと、右壁５３ｂと一体的に連結されたシールド支持ピン５７ａはｙ方向で並んでいる。これら２つのシールド支持ピン５７ａの間と、上壁５３ｃと一体的に連結されたシールド支持ピン５７ａとがｘ方向で離間している。これら３つのシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃを結んで成る三角形の領域に配線基板２０の第１センシング部２１と第２センシング部２２が位置している。

本実施形態では３つのシールド接着ピン５７ｂが上端面５１ｅに形成されている。これら３つのシールド接着ピン５７ｂのうちの１つが左壁５３ａと一体的に連結されている。残り２つのシールド接着ピン５７ｂのうちの１つが右壁５３ｂと一体的に連結されている。残り１つのシールド接着ピン５７ｂが上壁５３ｃと一体的に連結されている。これにより３つのシールド接着ピン５７ｂの先端面５７ｄは三角形の頂点を成している。

左壁５３ａと一体的に連結されたシールド接着ピン５７ｂと、右壁５３ｂと一体的に連結されたシールド接着ピン５７ｂはｙ方向で並んでいる。これら２つのシールド接着ピン５７ｂの間と、上壁５３ｃと一体的に連結されたシールド接着ピン５７ｂとがｘ方向で離間している。これら３つのシールド接着ピン５７ｂの先端面５７ｄを結んで成る三角形の領域と、第１センシング部２１と第２センシング部２２がｚ方向で並んでいる。

また左壁５３ａと右壁５３ｂそれぞれにおいて１つのシールド支持ピン５７ａと１つのシールド接着ピン５７ｂが並んでいる。上壁５３ｃにおいて１つのシールド支持ピン５７ａと１つのシールド接着ピン５７ｂが並んでいる。３つのシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃを結んで成る三角形と、３つのシールド接着ピン５７ｂの先端面５７ｄを結んで成る三角形とがｚ方向で重なっている。そしてこれらｚ方向で重なる領域と狭窄部３１ａの中心点ＣＰとがｚ方向で並んでいる。

第１シールド４１はこれら２つの三角形それぞれとｚ方向で対向する態様で、センサ筐体５０に設けられる。この第１シールド４１における２つの三角形と対向する部位は、シールド支持ピン５７ａとの接触、および、シールド接着剤５７ｅを介したシールド接着ピン５７ｂとの連結のため、２つの三角形と対向しない部位よりもセンサ筐体５０との接続が安定化している。

この第１シールド４１におけるセンサ筐体５０との接続が安定化している部位が、配線基板２０の第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれとｚ方向で並んでいる。具体的に言えば、第１シールド４１の第１中央部４１ｄが第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれとｚ方向で並んでいる。

第１シールド４１がシールド支持ピン５７ａに搭載され、シールド接着剤５７ｅを介してシールド接着ピン５７ｂに固定されている状態において、第１シールド４１の一面４１ａと配線基板２０の背面２０ｂとがｚ方向に離間して対向している。製造誤差などが全くない場合、一面４１ａと背面２０ｂとの離間距離は全面にわたって一定で、両者は平行の関係となっている。したがって配線基板２０の対向面２０ａと、第１シールド４１の一面４１ａとの離間距離も全面にわたって一定で、両者は平行の関係となっている。

なお、図６および図１４の（ａ）欄に示すように、配線基板２０の端には、上記のシールド支持ピン５７ａとシールド接着ピン５７ｂそれぞれを配線基板２０の上方に通すための切欠き２０ｇが形成されている。そして配線基板２０には接続端子６０の他端を通すための複数の貫通孔２０ｈが形成されている。

図６に示すように複数の貫通孔２０ｈはｙ方向に並んでいる。配線基板２０におけるこれら複数の貫通孔２０ｈの形成された部位と、第１センシング部２１と第２センシング部２２の搭載される部位とは、ｘ方向に並んでいる。配線基板２０におけるこれらｘ方向に並ぶ２つの部位の間には、配線基板２０をセンサ筐体５０に設ける際に、配線基板２０のセンサ筐体５０に対するｘ方向の位置をガイドするための第１切欠き２０ｉが形成されている。また配線基板２０における第１センシング部２１と第２センシング部２２の搭載される部位には、配線基板２０をセンサ筐体５０に設ける際に、配線基板２０のセンサ筐体５０に対するｙ方向の位置をガイドするための第２切欠き２０ｊが形成されている。

これに対応して、センサ筐体５０の左壁５３ａと右壁５３ｂそれぞれには、図１１の（ａ）欄および図１２の（ｂ）欄に示すように、第１切欠き２０ｉに挿入される第１凸部５３ｅが形成されている。左壁５３ａと右壁５３ｂそれぞれには、第２切欠き２０ｊとｙ方向で対向配置される第２凸部５３ｆが形成されている。第１切欠き２０ｉと第１凸部５３ｅは相似形状を成してｙ方向に延びている。第２切欠き２０ｊと第２凸部５３ｆは相似形状を成してｘ方向に延びている。

上記したシールド支持ピン５７ａとシールド接着ピン５７ｂの数としては上記例に限定されない。シールド支持ピン５７ａの数としては４つ以上を採用することができる。シールド接着ピン５７ｂの数としては、１つ、２つ、若しくは、４つ以上を採用することができる。

シールド支持ピン５７ａとシールド接着ピン５７ｂそれぞれの数が３つ以上の場合、３つ以上のシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃを結んで成る多角形と、３つ以上のシールド接着ピン５７ｂの先端面５７ｄを結んで成る多角形とがｚ方向で重なる構成がよい。この構成において、第１シールド４１における２つの多角形とｚ方向で対向する領域が、配線基板２０の第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれとｚ方向で並ぶとよい。これにより第１シールド４１の第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれに対する位置ずれが抑制される。

シールド支持ピン５７ａ、および、シールド接着ピン５７ｂと名称したように、これらがｚ方向に延びる柱状である例を示した。しかしながらこれらの形状は柱状に限定されない。シールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃがシールド接着ピン５７ｂの先端面５７ｄよりも上端面５１ｅから離れていればよく、その形状は特に限定されない。

＜センサ筐体に対する第２シールドの固定形態＞
図１１の（ｂ）欄および図１５に示すように、基部５１の下端面５１ｆにも複数のシールド支持ピン５７ａが形成されている。

第１シールド４１とは異なり、センサ筐体５０と第２シールド４２との間に配線基板２０が設けられていない。そのために下端面５１ｆに形成されたシールド支持ピン５７ａは、上端面５１ｅに形成されたシールド支持ピン５７ａよりもｚ方向の長さが短くなっている。ｚ方向における複数の基板支持ピン５６ａそれぞれの先端の位置が相等しくなっている。このシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃに一面４２ａが接触する態様で、第２シールド４２はセンサ筐体５０に搭載される。

シールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃに搭載されている状態において、第２シールド４２の一面４２ａは下端面５１ｆとｚ方向で離れている。この第２シールド４２と下端面５１ｆとの間にシールド接着剤５７ｅが設けられる。

シールド接着剤５７ｅによって第２シールド４２とセンサ筐体５０とを接着固定する際、このシールド接着剤５７ｅの温度も第１電流センサ１１の設けられる環境温度よりも高めに設定される。

下端面５１ｆに流動性を有するシールド接着剤５７ｅを塗布する。そして第２シールド４２の一面４２ａにシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃとシールド接着剤５７ｅそれぞれが接触するように、第２シールド４２をセンサ筐体５０に設ける。この後にシールド接着剤５７ｅを室温まで降温して固化する。

これにより下端面５１ｆに設けられたシールド接着剤５７ｅにも、第１電流センサ１１の設けられる環境温度において、自身の中心へと凝縮する残留応力が発生する。この残留応力により、第２シールド４２とシールド接着ピン５７ｂとが互いに近づく状態となる。第２シールド４２の一面４２ａとシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃとの接触状態が維持される。

この結果、第２シールド４２のセンサ筐体５０に対する位置ずれが、接着固定時に流動性を有するシールド接着剤５７ｅの形状バラツキに依存しなくなる。第２シールド４２のセンサ筐体５０に対する位置ずれがセンサ筐体５０の製造誤差になる。さらに言いかえれば、第２シールド４２のセンサ筐体５０に固定された配線基板２０に対する位置ずれがセンサ筐体５０の製造誤差になる。

本実施形態では４つのシールド支持ピン５７ａが下端面５１ｆに形成されている。４つのシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃは四角形の頂点を成している。これら４つのシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃを結んで成る四角形と狭窄部３１ａの中心点ＣＰとがｚ方向で並んでいる。シールド接着剤５７ｅは下端面５１ｆにおけるこの四角形と対向する領域に塗布される。

第２シールド４２は上記の四角形とｚ方向で対向する態様で、センサ筐体５０に設けられる。この第２シールド４２における四角形と対向する部位は、シールド支持ピン５７ａとの接触、および、シールド接着剤５７ｅを介した下端面５１ｆとの連結のため、四角形と対向しない部位よりも、センサ筐体５０との接続が安定化している。

この第２シールド４２におけるセンサ筐体５０との接続が安定化している部位が、配線基板２０の第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれとｚ方向で並んでいる。具体的に言えば、第２シールド４２の第２中央部４２ｄが第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれとｚ方向で並んでいる。

なお、下端面５１ｆに形成されるシールド支持ピン５７ａの数としては４つに限定されない。シールド支持ピン５７ａの数としては３つ以上であれば適宜採用することができる。

シールド支持ピン５７ａの数が３つ以上の場合、第２シールド４２におけるこれら３つ以上のシールド支持ピン５７ａの先端面５７ｃを結んで成る多角形とｚ方向で対向する領域が、第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれとｚ方向で並ぶとよい。これにより第２シールド４２の第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれに対する位置ずれが抑制される。

上記したように、第２シールド４２のｘ方向で並ぶ２つの端辺４２ｆそれぞれには、ｚ方向に延びる延設部４２ｃが形成されている。下端面５１ｆには、この延設部４２ｃを設けるための２つの溝部５１ｇが形成されている。

図１１の（ｂ）欄、および、図１３に示すように２つの溝部５１ｇは上壁５４ｃと下壁５４ｄとの間でｘ方向に並んでいる。２つの溝部５１ｇはそれぞれ下端面５１ｆから上端面５１ｅに向かってｚ方向に形成されている。２つの溝部５１ｇのうちの一方の一部が上壁５４ｃによって構成されている。残り１つの溝部５１ｇの一部が下壁５４ｄによって構成されている。これら２つの溝部５１ｇの間に被覆部３１が位置する。したがって第２シールド４２の２つの延設部４２ｃの間に被覆部３１が位置する。

＜支持ピンと接着ピンの長さ＞
基部５１の上端面５１ｅは、上記の第１凸部５３ｅをｙ方向における境として、ｘ方向に並ぶ接続端子６０の他端の露出される部位と狭窄部３１ａを被覆する部位とに区分けすることができる。この上端面５１ｅにおける接続端子６０の他端の露出される部位は、狭窄部３１ａを被覆する部位よりも、ｚ方向において下端面５１ｆ側に位置している。したがって上端面５１ｅにおける接続端子６０の他端の露出される部位と配線基板２０の対向面２０ａとのｚ方向の離間距離は、上端面５１ｅにおける狭窄部３１ａを被覆する部位と配線基板２０の対向面２０ａとのｚ方向の離間距離よりも長くなっている。これは、配線基板２０の貫通孔２０ｈに接続端子６０の他端を挿入するための距離を確保するためである。

このように上端面５１ｅにおける接続端子６０の他端の露出される部位と狭窄部３１ａを被覆する部位のｚ方向の位置が異なっている。これら２つの部位それぞれに基板支持ピン５６ａが形成されている。このように形成される上端面５１ｅのｚ方向の位置が異なるにも関わらずに、本実施形態では複数の基板支持ピン５６ａそれぞれの先端面５６ｃのｚ方向の位置が同一となっている。そのために複数の基板支持ピン５６ａのｚ方向の長さは異なっている。

複数の基板支持ピン５６ａのｚ方向の長さは、一律に図１３に示す長さＬ１とはなっていない。この長さＬ１は、上端面５１ｅにおける狭窄部３１ａを被覆する部位に形成された基板支持ピン５６ａのｚ方向の長さを示している。上端面５１ｅにおける接続端子６０の他端の露出される部位に形成された基板支持ピン５６ａのｚ方向の長さは、長さＬ１よりも、上記の２つに区分けられる上端面５１ｅのｚ方向の位置の相違分だけ長くなっている。

以上に示したように、形成される面のｚ方向の位置に応じて支持ピンのｚ方向の長さが相違してもよい。複数の基板支持ピン５６ａそれぞれの先端面５６ｃのｚ方向の位置が同一であればよい。これは、複数のシールド支持ピン５７ａについても同様である。

なお、センサ筐体５０に配線基板２０を搭載する際、基板接着ピン５６ｂの先端面５６ｄに流動性の基板接着剤５６ｅが塗布される。基板接着剤５６ｅはその流動性のためにｚ方向の形状が可変である。そのために複数の基板接着ピン５６ｂそれぞれの先端面５６ｄのｚ方向の位置は異なっていてもよい。これは、複数のシールド接着ピン５７ｂについても同様である。

＜第２電流センサと第３電流センサ＞
次に、第２電流センサ１２を詳説する。なお第２電流センサ１２と第３電流センサ１３は実質的に構成が同一である。そのために第３電流センサ１３の説明を省略する。

また第２電流センサ１２は第１電流センサ１１と共通の構成要素を有する。したがって以下においては第１電流センサ１１と同一の点についてはその説明を省略し、主として異なる点を説明する。

上記したように第２電流センサ１２は第１通電バスバー３４１と第２通電バスバー３４２に設けられる。これら第１通電バスバー３４１と第２通電バスバー３４２それぞれの電流を検出するために、第２電流センサ１２は第１電流センサ１１と同等の機能を有する２つの個別センサ７１を有する。また第２電流センサ１２はこれら２つの個別センサ７１を収納する配線ケース７２を有する。

２つの個別センサ７１のうちの一方によって第１通電バスバー３４１を流れる交流電流から発生される磁界が検出される。２つの個別センサ７１のうちの他方によって第２通電バスバー３４２を流れる交流電流から発生される磁界が検出される。

図１６に２つの個別センサ７１を示す。このように２つの個別センサ７１は同一の形状を成している。この個別センサ７１と第１電流センサ１１との構造上の相違は、導電バスバー３０における通電バスバーとの連結部位、および、接続端子６０を被覆するコネクタ部５５の形状などである。すなわち、導電バスバー３０の第１露出部３２と第２露出部３３の形状、および、囲み部５５ｃの消失などである。

このように個別センサ７１と第１電流センサ１１とに構造上の相違が生じるのは、両者の接続対象が異なるからである。第１電流センサ１１はコンバータ３１０の通電バスバー３０７に接続されるからである。第２電流センサ１２は第１インバータ３２０の第１通電バスバー３４１と第２通電バスバー３４２に接続されるからである。ただし、個別センサ７１と第１電流センサ１１の内部構造は同一である。したがって個別センサ７１は第１電流センサ１１と同等の作用効果を奏するようになっている。

複数の個別センサ７１は図１７に示す配線ケース７２に収納される。図１８に示すように複数の個別センサが一括して配線ケース７２に収納可能となっている。図１９に示すように複数の個別センサが配線ケース７２に収納されることで第２電流センサ１２が構成されている。

なお、この配置構成の場合、個別センサ７１それぞれの第１シールド４１と第２シールド４２はｘ方向に交互に並ぶ。個別センサ７１の有する磁電変換部２５の磁界の検知方向はｚ方向とｙ方向になる。

また、これまでに示した図１７〜図１９、および、以下に示す図面に示す配線ケース７２それぞれには６個の個別センサ７１が収納されている。この配線ケース７２に収納される個別センサ７１の数は一例に過ぎない。配線ケース７２は少なくとも２つの個別センサ７１を収納可能であればよい。

また、第２電流センサ１２の有する配線ケース７２に、他の車載機器の電流を検出する電流センサが収納されてもよい。さらに言えば、第２電流センサ１２と第３電流センサ１３とが共通の配線ケース７２を有し、この共通の配線ケース７２に、第２電流センサ１２と第３電流センサ１３それぞれの有する個別センサ７１が収納される構成を採用することもできる。

＜配線ケース＞
図１７に示すように配線ケース７２は、統合筐体７３、端子筐体７４、および、通電端子７５を有する。統合筐体７３と端子筐体７４は絶縁性の樹脂材料から成る。統合筐体７３と端子筐体７４は一体的に連結されている。図１８および図１９に示すように統合筐体７３に複数の個別センサ７１が収納される。したがって統合筐体７３は個別センサ７１のセンサ筐体５０よりも体格が大きくなっている。端子筐体７４に複数の通電端子７５がインサート成形されている。図２０〜図２３に示すように複数の通電端子７５それぞれの一端と他端が端子筐体７４の外に露出されている。

図２０の（ａ）欄は配線ケースの背面図を示している。図２０の（ｂ）欄は配線ケースの上面図を示している。図２０の（ｃ）欄は配線ケースの下面図を示している。図２１の（ａ）欄は配線ケースの左側面図を示している。図２１の（ｂ）欄は配線ケースの上面図を示している。図２１の（ｃ）欄は配線ケースの右側面図を示している。なお、図２０の（ｂ）欄と図２１の（ｂ）欄には同一の図面を示している。

図２２の（ａ）欄は第２電流センサの正面図を示している。図２２の（ｂ）欄は第２電流センサの上面図を示している。図２２の（ｃ）欄は第２電流センサの下面図を示している。図２３の（ａ）欄は第２電流センサの側面図を示している。図２３の（ｂ）欄は第２電流センサの上面図を示している。なお、図２２の（ｂ）欄と図２３の（ｂ）欄には同一の図面を示している。

図２０および図２２それぞれの（ｃ）欄に示すように配線ケース７２は統合配線基板７６を有する。この統合配線基板７６に個別センサ７１の接続端子６０の一端が接続される。統合配線基板７６に通電端子７５の一端が接続される。これにより統合配線基板７６の配線パターンを介して個別センサ７１と通電端子７５とが電気的に接続される。通電端子７５の他端がワイヤハーネスなどを介してＭＧＥＣＵ８０２と電気的に接続される。以上により、個別センサ７１の出力が統合配線基板７６、通電端子７５、および、ワイヤハーネスを介してＭＧＥＣＵ８０２に入力される。統合配線基板７６と通電端子７５が入出力配線に相当する。

上記したように第２電流センサ１２は第１通電バスバー３４１と第２通電バスバー３４２に設けられる。これら通電バスバーは第１インバータ３２０側と第１モータ４００側とで分断されている。通電バスバーは第１インバータ３２０と第２電流センサ１２とを接続する部位と、第２電流センサ１２と第１モータ４００とを接続する部位と、を有する。

本実施形態の通電バスバーにおける第１インバータ３２０と第２電流センサ１２とを接続する部位は金属材料から成る導電プレートである。通電バスバーにおける第２電流センサ１２と第１モータ４００とを接続する部位はワイヤーである。以下においては、通電バスバーにおける第１インバータ３２０と第２電流センサ１２とを接続する部位を単に導電プレートと示す。通電バスバーにおける第２電流センサ１２と第１モータ４００とを接続する部位を単にワイヤーと示す。

なお、通電バスバーの形態は、インバータとモータそれぞれの形状、および、これらの車載への搭載形態などに応じて適宜変更可能である。したがって通電バスバーの具体的な形態は上記例に限定されない。これら通電バスバーの形態に応じて、配線ケース７２や個別センサ７１の導電バスバー３０それぞれの形態は適宜変更可能である。特に個別センサ７１の導電バスバー３０の形態に対しては、第１露出部３２と第２露出部３３それぞれの形状を変えるだけで対応可能である。そのために個別センサ７１の内部形状は変更不要である。これにより個別センサ７１の製造ラインを変更しなくともよくなっている。

図２０および図２１に示すように統合筐体７３は底壁７７と周壁７８を有する。底壁７７はｚ方向に面している。底壁７７の平面形状はｘ方向を長手方向とする矩形を成している。

周壁７８は底壁７７のｚ方向に面する内底面７７ａからｚ方向に起立している。周壁７８はｘ方向に並ぶ左壁７８ａと右壁７８ｂを有する。周壁７８はｙ方向に並ぶ上壁７８ｃと下壁７８ｄを有する。ｚ方向まわりの周方向で左壁７８ａ、上壁７８ｃ、右壁７８ｂ、および、下壁７８ｄが順に連結されている。これにより周壁７８はｚ方向に開口する筒形状を成している。底壁７７と周壁７８とによって構成される収納空間に、複数の個別センサ７１が収納可能となっている。

図１８に示すように個別センサ７１は統合筐体７３の収納空間にｚ方向から挿入される。そして図１９に示すように収納空間において複数の個別センサ７１はｘ方向に並んで設けられる。

複数の個別センサ７１は第１電流センサ１１と同様にして第１シールド４１と第２シールド４２を有する。これら第１シールド４１と第２シールド４２それぞれはｘ方向で離間して対向している。したがって収納空間において、複数の個別センサの有する第１シールド４１と第２シールド４２とが交互に並んでいる。

図１６に示すように個別センサ７１のセンサ筐体５０からは、第１露出部３２と第２露出部３３がｙ方向に延びている。統合筐体７３の上壁７８ｃには、個別センサ７１のセンサ筐体５０を収納空間に収納しつつ、第１露出部３２の先端を収納空間の外に配置するためのスリット７８ｅが形成されている。スリット７８ｅは上壁７８ｃの先端面から底壁７７に向かって、ｚ方向に沿って形成されている。

個別センサ７１が統合筐体７３に収納されている状態において、個別センサ７１の第１露出部３２の先端がスリット７８ｅを介して収納空間の外に位置している。この第１露出部３２の先端が上記の導電プレートとレーザ溶接などによって電気的に接続される。

また統合筐体７３の底壁７７には導電端子７９がインサート成形されている。図２０および図２１それぞれの（ｂ）欄に示すように導電端子７９の一部は底壁７７の内底面７７ａから露出されている。

個別センサ７１が統合筐体７３に収納されている状態において、個別センサ７１の第２露出部３３が導電端子７９における内底面７７ａから露出された部位と対向配置される。この第２露出部３３と導電端子７９とがレーザ溶接などによって電気的に接続される。

また統合筐体７３は複数の導電端子７９を支持するための端子台８０を有する。端子台８０は下壁７８ｄの底壁７７側に一体的に形成されている。端子台８０はｘ方向に延びる直方体形状を成している。複数の導電端子７９はこの端子台８０にもインサート成形されている。複数の導電端子７９の一部がこの端子台８０から露出されている。導電端子７９における端子台８０から露出した部位は端子台８０から離れるようにｚ方向に延びている。導電端子７９における端子台８０から露出した部位は下壁７８ｄとｙ方向で対向している。複数の導電端子７９における端子台８０から露出した部位はｘ方向に離間して並んでいる。

この導電端子７９における端子台８０から露出された部位はｙ方向の厚さの薄い扁平形状を成している。導電端子７９における端子台８０から露出された部位はｙ方向に面する通電面７９ａとその裏面７９ｂとを有する。導電端子７９には通電面７９ａと裏面７９ｂとをｙ方向に貫通するボルト孔７９ｃが形成されている。

また導電端子７９の裏面７９ｂにはｙ方向に開口するナット８１が設けられている。このナット８１の開口とボルト孔７９ｃの開口とがｙ方向に並んでいる。

導電端子７９の通電面７９ａにワイヤーの端子が設けられる。このワイヤーの端子にもｙ方向に貫通するボルト孔が形成されている。導電端子７９の通電面７９ａにワイヤーの端子におけるボルト孔の貫通する面を対向させる。この態様で両者のボルト孔に図示しないボルトの軸部を通す。そしてこのボルトの軸部の先端をナット８１に締結する。ボルトの軸部の先端から頭部に向かうように、ナット８１にボルトを締結する。ボルトの頭部とナット８１とによって導電端子７９とワイヤーの端子とを挟持する。これによりワイヤーの端子と導電端子７９とを接触し、両者を電気的および機械的に接続する。以上により、個別センサ７１の第２露出部３３とワイヤーの端子とが導電端子７９を介して電気的に接続される。

個別センサ７１のセンサ筐体５０からは、接続端子６０がｚ方向に延びている。統合筐体７３の底壁７７には、接続端子６０の一端を収納空間の外に配置するための挿通孔が形成されている。この挿通孔は底壁７７の内底面７７ａとその裏側の外底面７７ｂとを貫通している。接続端子６０の一端は挿通孔を介して外底面７７ｂから離れる態様で収納空間の外に突出している。なお挿通孔は微小である。そのために挿通孔は図面に示されていない。

端子筐体７４は統合筐体７３とｘ方向に並んでいる。端子筐体７４は統合筐体７３の左壁７８ａと一体的に連結されている。端子筐体７４はｚ方向に延びている。端子筐体７４はｚ方向に並ぶ上面７４ａと下面７４ｂを有する。

この端子筐体７４にインサート成形される複数の通電端子７５はｚ方向に延びている。通電端子７５の一端が端子筐体７４の下面７４ｂから突出している。通電端子７５の他端が端子筐体７４の上面７４ａから突出している。

図２０の（ａ）欄および（ｃ）欄に示すように統合筐体７３の底壁７７の外底面７７ｂと端子筐体７４の下面７４ｂはｘ方向およびｙ方向において連続的に連なっている。この連続的に連なる外底面７７ｂと下面７４ｂに統合配線基板７６が設けられる。

統合配線基板７６はｚ方向の厚さの薄い扁平形状を成している。統合配線基板７６はｚ方向に面する載置面７６ａと裏面７６ｂを有する。統合配線基板７６は、載置面７６ａが外底面７７ｂと下面７４ｂそれぞれとｚ方向で対向する態様で統合筐体７３と端子筐体７４に固定されている。

上記したように通電端子７５の一端が下面７４ｂから突出している。接続端子６０の一端が外底面７７ｂから突出している。これに対して統合配線基板７６には通電端子７５の一端の挿入される第１スルーホール７６ｃが形成されている。統合配線基板７６には接続端子６０の一端の挿入される第２スルーホール７６ｄが形成されている。これら第１スルーホール７６ｃと第２スルーホール７６ｄそれぞれは統合配線基板７６の載置面７６ａと裏面７６ｂとをｚ方向に貫通している。また統合配線基板７６には第１スルーホール７６ｃと第２スルーホール７６ｄとを電気的に接続する配線パターンが形成されている。

第１スルーホール７６ｃに通電端子７５の一端が挿入されるように、統合配線基板７６を外底面７７ｂと下面７４ｂに設ける。そして第１スルーホール７６ｃと通電端子７５とをはんだなどを介して電気的に接続する。

接続端子６０の一端が底壁７７の挿通孔と第２スルーホール７６ｄに挿入されるように、個別センサ７１を収納空間に設ける。そして第２スルーホール７６ｄと接続端子６０とをはんだなどを介して電気的に接続する。以上により、個別センサ７１の接続端子６０は、第２スルーホール７６ｄ、統合配線基板７６の配線パターン、および、第１スルーホール７６ｃを介して通電端子７５と電気的に接続される。

配線ケース７２は車両に搭載するための複数のフランジ８２を有する。これら複数のフランジ８２それぞれには第２電流センサ１２を車両にボルト止めするためのボルト孔８２ａが形成されている。

本実施形態の配線ケース７２は３つのフランジ８２を有する。３つのフランジ８２のうちの１つが底壁７７の右壁７８ｂ側に形成されている。残り２つのフランジ８２のうちの１つが端子筐体７４の下壁７８ｄ側に形成されている。このフランジ８２は端子台８０と一体的に連結されている。残り１つのフランジ８２が端子筐体７４における統合筐体７３との連結部位とは反対側に形成されている。

以上により３つのフランジ８２のうちの２つが統合筐体７３と端子筐体７４とを介してｘ方向に並んでいる。残り１つのフランジ８２がｘ方向に並ぶ２つのフランジ８２とｙ方向に離間している。このように３つのフランジ８２は三角形の頂点を成している。

上記したように接続端子６０の一端が外底面７７ｂから突出し、通電端子７５の一端が下面７４ｂから突出している。そして外底面７７ｂと下面７４ｂに統合配線基板７６が設けられる。これら接続端子６０の一端、通電端子７５の一端、および、統合配線基板７６それぞれの車両との接触を避けるために、３つのフランジ８２それぞれはｚ方向に延びる脚部８３を有する。この脚部８３により、第２電流センサ１２が車両に搭載されている状態において、接続端子６０の一端、通電端子７５の一端、および、統合配線基板７６がｚ方向において車両と離間している。

＜電流センサの作用効果＞
次に、本実施形態にかかる電流センサの作用効果を説明する。上記したように第１電流センサ１１と、第２電流センサ１２および第３電流センサ１３の有する個別センサ７１とは同等の構成を有している。そのために同等の作用効果を奏する。したがって、以下においては煩雑となることを避けるために第１電流センサ１１と個別センサ７１とを区別せずに、これらを単に電流センサと示す。以下に示す各種作用効果によって、被測定電流の検出精度の低下が抑制される。

＜シールドの磁気飽和＞
上記したように第１シールド４１の第１両端部４１ｅは第１中央部４１ｄよりもｘ方向の長さが短くなっている。そのために第１両端部４１ｅには磁界が侵入しがたくなっている。第１両端部４１ｅの有する２つの端部の一方から他方へと、第１中央部４１ｄにおける第１両端部４１ｅと直接連結されてｙ方向で並ぶ部位（並列部位）に磁界が透過することが抑制されている。この結果、第１中央部４１ｄの並列部位の磁気飽和が抑制されている。第１中央部４１ｄから電磁ノイズが漏れることが抑制されている。

図２４に、第１シールド４１における磁界の透過によって磁気飽和しやすい領域を模式的にハッチングで示す。図２４の（ａ）欄は比較構成としての切欠きのない第１シールドに生じる磁気飽和を示す模式図である。図２４の（ｂ）欄は本実施形態の第１シールド４１の磁気飽和する領域を示す模式図である。図２４に示す太い実線矢印は導電バスバー３０を流れる電流を示す。

この模式図に示すように、切欠きのない第１シールドでは均等に磁気飽和しやすくなっている。これに対して切欠き４１ｃの形成された第１シールド４１では、第１中央部４１ｄの並列部位以外の領域で磁気飽和が生じたとしても、並列部位で磁気飽和することが抑制されている。

図２５に、シールドを透過する磁界分布のシミュレーション結果を示す。図２５の（ａ）欄は図２４に示すＸＸＶａ−ＸＸＶａ線に沿う断面の磁界分布を示している。図２５の（ｂ）欄は図２４に示すＸＸＶｂ−ＸＸＶｂ線に沿う断面の磁界分布を示している。

ただし、図２５の（ａ）欄は第１シールド４１と第２シールド４２それぞれが矩形の場合のシミュレーション結果を示している。図２５の（ｂ）欄は第１シールド４１と第２シールド４２それぞれに切欠き４１ｃが形成されている場合のシミュレーション結果を示している。そして磁界の強度をハッチングの粗密で示している。ハッチングが粗いほどに磁界の強度が弱く、ハッチングが密であるほどに磁界の強度が高くなっている。

このシミュレーション結果からも明らかなように、切欠き４１ｃがない場合、第１シールドと第２シールドそれぞれの磁界分布は一様になる。そして第１シールドと第２シールドそれぞれの全体の磁界の強度が高くなる。これに対して、切欠き４１ｃが形成されていると、第１シールドと第２シールドそれぞれの全体の磁界の強度が低くなる。特に、第１中央部４１ｄと第２中央部４２ｄそれぞれの並列部位の磁界分布の強度が低くなる。このために磁気飽和によって第１中央部４１ｄと第２中央部４２ｄから電磁ノイズが漏れることが抑制されている。

なお図２５に示すように第１シールド４１と第２シールド４２それぞれの磁界分布の強度が相違している。この相違は、第１シールド４１と第２シールド４２それぞれの導電バスバー３０との離間距離の相違に起因している。いずれの磁界分布も、並列部位では強度が低く、並列部位以外の領域では強度が高くなっている。

この磁気飽和の抑制された第１中央部４１ｄの並列部位と、配線基板２０に搭載された第１センシング部２１および第２センシング部２２とがｚ方向で並んでいる。したがって、第１中央部４１ｄの磁気飽和によって漏れた電磁ノイズが第１センシング部２１と第２センシング部２２の磁電変換部２５に入力されることが抑制される。

＜シールドの位置ずれ＞
第１シールド４１はシールド支持ピン５７ａに搭載され、シールド接着剤５７ｅを介してシールド接着ピン５７ｂに固定されている。第２シールド４２はシールド支持ピン５７ａに搭載され、シールド接着剤５７ｅを介して基部５１に固定されている。

これにより第１シールド４１と第２シールド４２それぞれのセンサ筐体５０に対する位置ずれが、接着固定時に流動性を有するシールド接着剤５７ｅの形状バラツキに依存しなくなる。第１シールド４１と第２シールド４２それぞれのセンサ筐体５０に対する位置ずれがセンサ筐体５０の製造誤差になる。第１シールド４１と第２シールド４２それぞれのセンサ筐体５０に固定された配線基板２０に対する位置ずれの要因を、センサ筐体５０の製造誤差にすることができる。この結果、第１シールド４１および第２シールド４２による電磁ノイズの磁電変換部２５への入力抑制の低下が抑制される。

第１シールド４１および第２シールド４２それぞれをセンサ筐体５０に接着固定する際のシールド接着剤５７ｅの温度は電流センサの設けられる環境温度よりも高めに設定される。このシールド接着剤５７ｅは室温まで降温されて固化する。そのためにシールド接着剤５７ｅには電流センサの設けられる環境温度において、自身の中心へと凝縮する残留応力が発生する。この残留応力により、第１シールド４１とシールド支持ピン５７ａとの接触状態、および、第２シールド４２とシールド支持ピン５７ａとの接触状態それぞれが維持される。

これにより第１シールド４１および第２シールド４２それぞれのセンサ筐体５０に対するｚ方向の変位が抑制される。換言すれば、第１シールド４１と第２シールド４２それぞれのセンサ筐体５０に固定された配線基板２０に対するｚ方向の変位が抑制される。これにより第１シールド４１および第２シールド４２による電磁ノイズの磁電変換部２５への入力抑制の低下が抑制される。

＜配線基板の位置ずれ＞
配線基板２０は基板支持ピン５６ａに搭載され、基板接着剤５６ｅを介して基板接着ピン５６ｂに固定されている。

これにより配線基板２０のセンサ筐体５０に対する位置ずれが、接着固定時に流動性を有する基板接着剤５６ｅの形状バラツキに依存しなくなる。配線基板２０のセンサ筐体５０に対する位置ずれがセンサ筐体５０の製造誤差になる。配線基板２０のセンサ筐体５０に固定された導電バスバー３０に対する位置ずれの要因を、センサ筐体５０の製造誤差にすることができる。この結果、配線基板２０に搭載された磁電変換部２５を透過する被測定磁界が変動することが抑制される。

配線基板２０をセンサ筐体５０に接着固定する際の基板接着剤５６ｅの温度は電流センサの設けられる環境温度よりも高めに設定される。基板接着剤５６ｅは室温まで降温されて固化する。そのために基板接着剤５６ｅには電流センサの設けられる環境温度において、自身の中心へと凝縮する残留応力が発生する。この残留応力により、配線基板２０と基板支持ピン５６ａとの接触状態が維持される。

これにより配線基板２０のセンサ筐体５０に対するｚ方向の変位が抑制される。換言すれば、配線基板２０のセンサ筐体５０に固定された導電バスバー３０に対するｚ方向の変位が抑制される。これにより配線基板２０に搭載された磁電変換部２５を透過する被測定磁界が変動することが抑制される。

＜配線基板の製造誤差＞
配線基板２０における導電バスバー３０との対向面２０ａに第１センシング部２１と第２センシング部２２が設けられている。これにより第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの導電バスバー３０とのｚ方向の離間距離が、配線基板２０のｚ方向の厚みに依存しなくなっている。配線基板２０のｚ方向の厚みの製造誤差によって、これらセンシング部と導電バスバー３０とのｚ方向の離間距離が変動することが抑制されている。

＜配線ケースと個別センサの分離＞
絶縁性の樹脂材料から成る筐体に導電バスバーが固定される場合、筐体の製造誤差やクリープなどの経年劣化によって導電バスバーは筐体に対して位置ずれを起こす。その位置ずれは、筐体の体格が大きいほどに大きくなる。

これに対して、上記したように第２電流センサ１２と第３電流センサ１３は、電流センサ（個別センサ７１）のセンサ筐体５０よりも体格の大きい統合筐体７３を有する。この統合筐体７３に電流センサが収納される。そしてこの体格の大きい統合筐体７３ではなく、センサ筐体５０に導電バスバー３０が固定されている。この導電バスバー３０を流れる電流を磁電変換部２５が検出する。

これによれば、上記の筐体の製造誤差やクリープなどの経年劣化によって、導電バスバー３０と磁電変換部２５との相対的な位置ズレが生じることが抑制される。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態を図２６および図２７に基づいて説明する。以下に示す各実施形態にかかる電流センサは上記した実施形態によるものと共通点が多い。そのため以下においては共通部分の説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。また以下においては上記した実施形態で示した要素と同一の要素には同一の符号を付与する。

＜両端に延設部＞
第１実施形態では、第２シールド４２のｘ方向で並ぶ２つの端辺４２ｆの第２中央部４２ｄ側それぞれにｚ方向に延びる延設部４２ｃが形成された例を示した。これに対して本実施形態では、図２６に示すように第２シールド４２の２つの端辺４２ｆの第２両端部４２ｅ側それぞれに延設部４２ｃが形成されている。図２６の（ａ）欄はシールド、磁電変換部、および、導電バスバーの配置を説明するための斜視図である。図２６の（ｂ）欄はシールド、磁電変換部、および、導電バスバーの配置を説明するための側面図である。

この構成により、第２シールド４２に侵入した磁界は、第２両端部４２ｅ側に形成された延設部４２ｃを介して第１シールド４１へと透過しやすくなっている。この磁界の透過経路は、図２７に模式的に示すように第１シールド４１では第１両端部４１ｅ側となる。同様にして、磁界の透過経路は第２シールド４２の第２両端部４２ｅ側となる。

なお、図２７に示す太い実線矢印は導電バスバー３０を流れる電流を示す。実線矢印は第１シールド４１を透過する磁界を示す。破線矢印は第２シールド４２を透過する磁界を示す。丸の中心に点の付された記号は、ｚ方向において、第２シールド４２から第１シールド４１へ向かう磁界を示す。丸の中にバツ印の付された記号は、ｚ方向において、第１シールド４１から第２シールド４２へ向かう磁界を示す。

したがって、第２シールド４２に侵入した電磁ノイズは、第２中央部４２ｄを介して第１シールド４１へと流れがたくなる。同様にして、第１シールド４１に侵入した電磁ノイズは、第１中央部４１ｄを介して第２シールド４２へと透過しがたくなる。

そのために第２中央部４２ｄと第１中央部４１ｄそれぞれは磁気飽和しがたくなっている。この結果、第２中央部４２ｄと第１中央部４１ｄそれぞれから磁気飽和によって磁界が漏れることが抑制されている。

また図２６の（ｂ）欄に明示するように、第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの磁電変換部２５はｙ方向において２つの延設部４２ｃの間に位置する。すなわち、磁電変換部２５はｚ方向において第２中央部４２ｄと第１中央部４１ｄの間に位置する。したがって第２中央部４２ｄと第１中央部４１ｄそれぞれの磁気飽和によって漏れた磁界が磁電変換部２５に入力されることが抑制される。この結果、被測定電流の検出精度の低下が抑制される。

本実施形態では第２シールド４２の２つの端辺４２ｆの第２両端部４２ｅ側それぞれに延設部４２ｃが形成される例を示した。しかしながら例えば図２８の（ａ）欄に示すように第２シールド４２の２つの端辺４２ｆの第２中央部４２ｄにも延設部４２ｃが形成された構成も採用することができる。ただし、この第２中央部４２ｄに形成された延設部４２ｃは、第２両端部４２ｅに形成された延設部４２ｃよりもｚ方向の長さが短くなっている。これにより、シールド４０に侵入した磁界は中央部よりも端部を透過しやすくなる。

また図２８の（ｂ）欄に示すように、２つの端辺４２ｆのうちの一方の第２両端部４２ｅ側に延設部４２ｃが形成され、他方の第２両端部４２ｅと第２中央部４２ｄそれぞれに延設部４２ｃが形成された構成を採用することもできる。ただし、２つの端辺４２ｆのうちの他方の第２両端部４２ｅと第２中央部４２ｄそれぞれに形成された延設部４２ｃのｚ方向の長さは同一となっている。これによっても、シールド４０に侵入した磁界は中央部よりも端部を透過しやすくなる。図２８の（ａ）欄および（ｂ）欄それぞれはシールド、磁電変換部、および、導電バスバーの配置を説明するための斜視図である。

さらに図２９の（ａ）欄に示すように、２つの端辺４２ｆのうちの一方の第２両端部４２ｅの有する２つの端部の一方側、および、他方の第２両端部４２ｅの有する２つの端部の他方側それぞれに延設部４２ｃが形成された構成を採用することもできる。２つの端辺４２ｆのうちの一方に形成された延設部４２ｃと、他方に形成された延設部４２ｃはｙ方向およびｘ方向それぞれに離間している。

第２シールド４２だけでなく第１シールド４１に延設部４２ｃが形成された構成を採用することもできる。第１シールド４１はｘ方向で並ぶ２つの対向辺４１ｆを有する。例えば図２９の（ｂ）欄に示すように、この第１シールド４１の２つの対向辺４１ｆの第１両端部４１ｅ側それぞれに延設部４２ｃが形成された構成を採用することができる。図２９の（ａ）欄および（ｂ）欄それぞれはシールド、磁電変換部、および、導電バスバーの配置を説明するための斜視図である。

第１シールド４１に形成することのできる延設部４２ｃの形態は、これまでに示した第２シールド４２に形成された延設部４２ｃと同等の形態を採用することができる。第１シールド４１に形成された延設部４２ｃが延長部に相当する。

なお本実施形態、および、以下に示す実施形態にかかる電流センサには、第１実施形態に記載の電流センサと同等の構成要素が含まれている。そのため同等の作用効果を奏することは言うまでもない。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態を図３０〜図３２に基づいて説明する。

＜応力緩和部＞
本実施形態では第１電流センサ１１の導電バスバー３０に応力緩和部３４が形成されている。この応力緩和部３４は導電バスバー３０の第１露出部３２と第２露出部３３それぞれに形成されている。

上記したように導電バスバー３０はセンサ筐体５０に被覆された被覆部３１を有する。第１露出部３２と第２露出部３３それぞれはセンサ筐体５０から露出され、被覆部３１と一体的に連結されている。そして第１露出部３２と第２露出部３３それぞれにはボルトを通して通電バスバー３０７と電気的および機械的に接続するためのボルト孔３０ｃが形成されている。応力緩和部３４はこの第１露出部３２および第２露出部３３それぞれの被覆部３１との連結部位と、ボルト孔３０ｃの形成部位との間に形成されている。

図３１に示すように応力緩和部３４は導電バスバー３０の裏面３０ｂから表面３０ａに向かって局所的に湾曲してなる。この湾曲により、導電バスバー３０に付与されるｚ方向の力に対して、応力緩和部３４は撓んで弾性変形可能となっている。なお、図３１においては応力緩和部３４が一回波打つように湾曲しているが、この波打つ回数、および、その湾曲形態は上記例に限定されない。

上記したように導電バスバー３０は通電バスバー３０７とボルト止めされる。本実施形態の通電バスバー３０７は、図３２に示す第１端子台３０７ａと第２端子台３０７ｂに相当する。導電バスバー３０はこれら第１端子台３０７ａと第２端子台３０７ｂにボルト止めされる。これにより第１端子台３０７ａと第２端子台３０７ｂは通電バスバー３０７により架橋される。通電バスバー３０７を介して第１端子台３０７ａと第２端子台３０７ｂが電気的に接続される。なお以下においては、図３２に示すように、導電バスバー３０のボルト孔３０ｃに通されるボルトに３０７ｃの符号を付す。第１端子台３０７ａと第２端子台３０７ｂは外部通電部に相当する。

第１端子台３０７ａはｚ方向に面する第１載置面３０７ｄを有する。同様にして第２端子台３０７ｂはｚ方向に面する第２載置面３０７ｅを有する。これら第１載置面３０７ｄと第２載置面３０７ｅには、ボルト３０７ｃの軸部を締結するための締結孔３０７ｆが形成されている。締結孔３０７ｆは第１載置面３０７ｄと第２載置面３０７ｅに開口している。締結孔３０７ｆはｚ方向に延びている。図３２の（ａ）欄は、第１載置面と第２載置面のｚ方向の位置が一致している場合を示している。図３２の（ｂ）欄は、第１載置面と第２載置面のｚ方向の位置が一致していない場合を示している。

第１載置面３０７ｄに第１露出部３２の裏面３０ｂがｚ方向で対向する。第２載置面３０７ｅに第２露出部３３の裏面３０ｂがｚ方向で対向する。この態様で、第１端子台３０７ａと第２端子台３０７ｂに第１電流センサ１１が設けられる。

図３２の（ａ）欄に示すように第１載置面３０７ｄと第２載置面３０７ｅのｚ方向の位置が一致している場合、第１載置面３０７ｄに第１露出部３２の裏面３０ｂが接触するとともに、第２載置面３０７ｅに第２露出部３３の裏面３０ｂが接触する。この接触状態で、導電バスバー３０のボルト孔３０ｃと端子台の締結孔３０７ｆにボルト３０７ｃの軸部の先端がｚ方向から挿入される。そしてボルト３０７ｃの頭部が第１載置面３０７ｄ（第２載置面３０７ｅ）に近づくように、ボルト３０７ｃが端子台に締結される。ボルト３０７ｃの頭部と端子台とによって第１露出部３２と第２露出部３３が挟持される。これにより第１電流センサ１１が端子台に機械的および電気的に接続される。

これに対して、図３２の（ｂ）欄に示すように第１載置面３０７ｄと第２載置面３０７ｅのｚ方向の位置が一致していない場合、第１載置面３０７ｄに第１露出部３２の裏面３０ｂが接触する際、第２載置面３０７ｅに第２露出部３３の裏面３０ｂが接触しない。第２載置面３０７ｅと第２露出部３３の裏面３０ｂとがｚ方向で離間し、両者の間に隙間が形成される。

この離間状態でボルト孔３０ｃと締結孔３０７ｆにボルト３０７ｃの軸部が通され、ボルト３０７ｃの頭部が第２露出部３３の表面３０ａに接触すると、第２露出部３３にｚ方向に向かう力が作用する。

上記したように、磁電変換部２５を透過する被測定磁界の強度を強めるために、被覆部３１には局所的にｘ方向の長さの短い狭窄部３１ａが形成されている。狭窄部３１ａはｘ方向の長さが短いために他の部位よりも剛性が低くなっている。そのために狭窄部３１ａは変形しやすくなっている。

したがって上記のようにボルト３０７ｃの締結時のｚ方向に向かう力が第２露出部３３に作用すると、それによって狭窄部３１ａが変形する虞がある。狭窄部３１ａのセンサ筐体５０内での位置が変位する虞がある。もちろん、被覆部３１に狭窄部３１ａが形成されていなくとも、被覆部３１のセンサ筐体５０内での位置が変位する虞がある。これによって磁電変換部２５を透過する被測定磁界の分布が変化する虞がある。

これに対して、上記したように第１露出部３２と第２露出部３３それぞれには応力緩和部３４が形成されている。したがって上記した第１載置面３０７ｄと第２載置面３０７ｅのｚ方向の位置の相違により、第２載置面３０７ｅと第２露出部３３の裏面３０ｂとの間に空隙があったとしても、ボルト３０７ｃのｚ方向に向かう力に応じて応力緩和部３４が弾性変形する。これにより狭窄部３１ａの変形が抑制される。狭窄部３１ａのセンサ筐体５０内での位置の変位が抑制される。この結果、磁電変換部２５を透過する被測定磁界の分布の変化が抑制される。被測定電流の検出精度の低下が抑制される。

なお、応力緩和部３４の表面３０ａと裏面３０ｂとの間の長さ（厚さ）は、被覆部３１、第１露出部３２、および、第２露出部３３それぞれの厚さと相等しくなっている。これにより、例えば応力緩和部の厚さが被覆部や露出部に比べて局所的に薄い構成とは異なり、電流の通電によって、応力緩和部３４が局所的に発熱することが抑制される。この結果、導電バスバー３０の寿命の低下が抑制される。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態を図３３〜図３５に基づいて説明する。図３３の（ａ）欄は導電バスバーの上面図を示している。図３３の（ｂ）欄は導電バスバーの側面図を示している。図３４の（ａ）欄は第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの磁電変換部２５を搭載する配線基板２０と導電バスバー３０の位置を示している。図３４の（ｂ）欄は配線基板２０の導電バスバー３０に対する変位を示している。図３４の（ｃ）欄は第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの磁電変換部２５を透過する磁界を示している。

＜差分キャンセル＞
第１実施形態では第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの磁電変換部２５がｙ方向に並ぶ例を示した。これに対して本実施形態では図３３に破線で示すように第１センシング部２１と第２センシング部２２それぞれの磁電変換部２５はｘ方向に並んでいる。第１センシング部２１の磁電変換部２５が第１磁電変換部に相当する。第２センシング部２２の磁電変換部２５が第２磁電変換部に相当する。

２つの磁電変換部２５は対称軸ＡＳを介して対称配置されている。２つの磁電変換部２５のｙ方向の位置と対称軸ＡＳ（中心点ＣＰ）のｙ方向の位置とが同一になっている。したがって２つの磁電変換部２５は中心点ＣＰを介してｘ方向に並んでいる。

また２つの磁電変換部２５と被覆部３１とのｚ方向の離間距離は同一となっている。そして被覆部３１および狭窄部３１ａは対称軸ＡＳを介して線対称な形状となっている。以上により、２つの磁電変換部２５には、ｚ方向の成分は異なるものの、ｘ方向の成分の同等な被測定磁界が透過する。そのために２つの磁電変換部２５から出力される電気信号の絶対値は同等になる。

上記したように被覆部３１はセンサ筐体５０の基部５１に被覆されている。そして２つの磁電変換部２５を搭載する配線基板２０はセンサ筐体５０に形成された基板支持ピン５６ａに搭載されている。したがって配線基板２０のｚ方向の変位が基板支持ピン５６ａによって規制されている。

しかしながら配線基板２０は基板接着剤５６ｅを介して基板接着ピン５６ｂに固定されている。基板接着剤５６ｅは環境温度の変化によって膨張したりクリープなどの経年劣化をしたりする。このために配線基板２０は被覆部３１に対してｘ方向とｙ方向とに相対的に変位する虞がある。

配線基板２０がｙ方向に変位した場合、上記の２つの磁電変換部２５のｘ方向での対称配置により、両者を透過する被測定磁界のｘ方向の成分は変化しない。しかしながら図３４に示すように配線基板２０がｘ方向に変位すると、両者を透過する被測定磁界のｘ方向の成分が変化する。この結果、２つの磁電変換部２５から出力される電気信号の絶対値が同等ではなくなる。

図３４に示す破線は２つの磁電変換部２５の導電バスバー３０に対する配置位置を示している。一点鎖線は導電バスバー３０の中心点ＣＰを通る対称軸ＡＳを示している。二点鎖線は２つの磁電変換部２５が導電バスバー３０に対して変位した位置を示している。白抜き矢印は２つの磁電変換部２５を搭載する配線基板２０の基板接着剤５６ｅによる導電バスバー３０に対する変位方向を示している。図３４の（ａ）欄と（ｂ）欄に示す実線矢印は磁電変換部２５を通る磁界を示している。図３４の（ｃ）欄に示す実線矢印は磁電変換部２５を透過する磁界の変化方向を示している。

ただし、上記したように２つの磁電変換部２５はともに配線基板２０に搭載されている。そのため、上記したように基板接着剤５６ｅの変形によって配線基板２０と被覆部３１とのｘ方向の相対位置が変化したとしても、配線基板２０に搭載されている２つの磁電変換部２５の相対距離は変化しない。したがって、基板接着剤５６ｅの変形によって配線基板２０と被覆部３１との相対位置がｘ方向に変化した場合、２つの磁電変換部２５の一方は対称軸ＡＳに近づき、他方は対称軸ＡＳから遠ざかる。その遠近距離は同等である。図３４の（ｂ）欄ではこの遠近距離をΔで示している。

そのために図３４の（ｃ）欄に示すように２つの磁電変換部２５の一方を透過する被測定磁界が減少し、他方を透過する被測定磁界が増大する。２つの磁電変換部２５を透過する被測定磁界の減少量と増大量は同等となることが期待される。図３４の（ｂ）欄ではこの被測定磁界の変化量をΔＢと示している。

そこで、本実施形態では２つの磁電変換部２５の出力する電気信号の極性を反転している。このように極性を反転するには、例えば図３５に示すように第１磁気抵抗効果素子２５ａと第２磁気抵抗効果素子２５ｂの配置を２つの磁電変換部２５で逆転させることで実現される。若しくは、より単純に、図７に示す差動アンプ２５ｃの反転入力端子と非反転入力端子を第１センシング部２１と第２センシング部２２とで逆転させることで２つの電気信号の極性を反転することができる。

以上により、２つの磁電変換部２５からは、増大量と減少量の絶対値が等しく、なおかつ極性の異なる電気信号が出力される。電池ＥＣＵ８０１に第１電流センサ１１で生成された２つの電気信号が電池ＥＣＵ８０１に入力される。ＭＧＥＣＵ８０２に第２電流センサ１２および第３電流センサ１３それぞれで生成された２つの電気信号が入力される。

電池ＥＣＵ８０１とＭＧＥＣＵ８０２は２つの電気信号の差分をとる。この差分処理は、変位のない場合に２つの磁電変換部２５から出力される電気信号の絶対値をＢ、変位による電気信号の変化量の絶対値をΔＢとすると、Ｂ＋ΔＢ−（−（Ｂ−ΔＢ））＝２Ｂと表すことができる。若しくは、Ｂ−ΔＢ−（−（Ｂ＋ΔＢ））＝２Ｂと表すことができる。プラスが第１極性と第２極性の一方に相当し、マイナスが第１極性と第２極性の他方に相当する。

このように差分処理を行うことで、上記の基板接着剤５６ｅの変形に起因する配線基板２０と被覆部３１との相対位置の変化に起因する電気信号の減少と増大がキャンセルされる。電池ＥＣＵ８０１とＭＧＥＣＵ８０２が差分部に相当する。

なお、例えば図３６に示すように２つの磁電変換部２５の出力の差分を取る差分回路２９が配線基板２０に搭載された構成を採用することもできる。差分回路２９の反転入力端子と非反転入力端子に第１出力配線２０ｄと第２出力配線２０ｅが接続される。この場合、差分回路２９が差分部に相当する。

上記した配線基板２０と被覆部３１とのｘ方向の相対位置の変化は、上記した基板接着剤５６ｅの変形だけではなく、例えば車両に作用する外部応力やエンジン６００などの駆動による振動によっても起こり得る。しかしながら例えこれらによって配線基板２０と被覆部３１とのｘ方向の相対位置が変化したとしても、上記したように２つの磁電変換部２５から出力される２つの電気信号の差分をとる。こうすることで配線基板２０と被覆部３１との相対位置の変化による電気信号の減少と増大がキャンセルされる。以上により、被測定磁界の検出精度が低下することが抑制される。

（第５実施形態）
次に、第５実施形態を図３７および図３８に基づいて説明する。

＜透磁率の異方性＞
第１実施形態では第１シールド４１と第２シールド４２それぞれを軟磁性材料から成る複数の平板を圧着することで製造する例を示した。これに対して本実施形態では第１シールド４１と第２シールド４２それぞれを、電磁鋼を圧延することで製造している。

第１実施形態で説明したように電磁鋼の圧延方向を特定することで、シールドの透磁率に異方性を持たせることができる。本実施形態では、第１シールド４１と第２シールド４２の圧延方向をｚ方向に沿わせている。これにより第１シールド４１と第２シールド４２の透磁率に異方性を持たせている。なお、第１シールド４１と第２シールド４２の製造方法は上記例に限定されず、そもそも透磁率に異方性を有する材料によって製造してもよい。また、第１シールド４１と第２シールド４２の一方に透磁率の異方性を持たせてもよい。

図３７に示すように第２電流センサ１２および第３電流センサ１３それぞれでは、個別センサ７１がｘ方向に並べて配置される。個別センサ７１それぞれの第１シールド４１と第２シールド４２がｘ方向に交互に並ぶ構成となる。この構成においては、個別センサ７１の有する磁電変換部２５の磁界の検知方向はｚ方向とｙ方向になる。なおこの構成においては、ｘ方向に並ぶ２つの個別センサ７１のうちの一方の有する第１シールド４１と、他方の有する第２シールド４２とを一つにまとめた構成を採用することもできる。

このように複数の個別センサ７１がｘ方向に並ぶ構成においては、ある個別センサ７１の導電バスバー３０から発せられる被測定磁界が、他の個別センサ７１にとっては外部ノイズになる。この外部ノイズは導電バスバー３０を中心として、ｘ方向とｚ方向とによって規定される平面で環状に形成される。したがって外部ノイズはｘ方向とｚ方向に沿う成分を有する。このようにｘ方向とｚ方向に沿う外部ノイズが個別センサ７１を透過しやすい環境になっている。

図３７では２つの個別センサ７１を示している。この２つの個別センサ７１のうちの導電バスバー３０に丸の中にバツ印の付されているほうに被測定電流が流れている。ここから被測定磁界が発せられている。隣の個別センサ７１にとっては、この丸の中にバツ印の付されている導電バスバー３０から発せられる被測定磁界が電磁ノイズになっている。図３７では磁界を矢印で示している。

上記したように第１シールド４１と第２シールド４２それぞれはｚ方向に異方性を有する。したがって第１シールド４１と第２シールド４２それぞれには外部ノイズのｚ方向に沿う成分が侵入しようとする。これに対して、外部ノイズのｘ方向に沿う成分は第１シールド４１と第２シールド４２の異方性に依存しなくなる。そのためにこのｘ方向に沿う成分は磁電変換部２５を透過しようとする。

例えば図３７において破線矢印で示す磁界が磁電変換部２５を通ろうとする場合、この磁界のｚ方向に沿う成分が第１シールド４１と第２シールド４２それぞれを積極的に通ろうとする。しかしながらこの磁界のｘ方向の成分は多少残る。そのためにこの磁界のｘ方向の成分は磁電変換部２５を透過しようとする。

これに対して磁電変換部２５の被測定磁界の検知方向はｚ方向とｙ方向である。磁電変換部２５はｘ方向の磁界を検知しない。したがって上記した電磁ノイズのｘ方向の成分が磁電変換部２５を透過したとしても、それによって被測定磁界の検出精度が低下することが抑制される。

個別センサ７１の並び構成としては上記例に限定されない。例えば図３８に示すように個別センサ７１がｘ方向に並べて配置される構成も考えられる。この構成においては、個別センサ７１の第１シールド４１同士、第２シールド４２同士、および、磁電変換部２５同士がｘ方向に並ぶ。個別センサ７１の有する磁電変換部２５の磁界の検知方向はｘ方向とｙ方向になる。この構成においては、ｘ方向に並ぶ複数の個別センサ７１それぞれの有する第１シールド４１を一つにまとめた構成を採用することもできる。同様にして、複数の個別センサ７１それぞれの有する第２シールド４２を一つにまとめた構成を採用することもできる。

図３８においても２つの個別センサ７１を示している。２つの個別センサ７１のうちの導電バスバー３０に丸の中にバツ印の付されているほうに被測定電流が流れている。図３８においても磁界を矢印で示している。磁界はｘ方向とｚ方向に沿う成分を有する。そのためにｘ方向とｚ方向に沿う外部ノイズが個別センサ７１を透過しやすい環境になっている。

この構成においては、第１シールド４１と第２シールド４２の透磁率をｙ方向よりもｘ方向に高めている。したがって第１シールド４１と第２シールド４２それぞれには外部ノイズのｘ方向に沿う成分が侵入しようとする。これに対して、外部ノイズのｚ方向に沿う成分は第１シールド４１と第２シールド４２の異方性に依存しなくなる。そのためにこのｚ方向に沿う成分は磁電変換部２５を透過しようとする。

例えば図３８において破線矢印で示す磁界が磁電変換部２５を通ろうとする場合、この磁界のｘ方向に沿う成分が第１シールド４１と第２シールド４２それぞれを積極的に通ろうとする。しかしながらこの磁界のｚ方向の成分は多少残る。そのためにこの磁界のｚ方向の成分は磁電変換部２５を透過しようとする。

これに対して磁電変換部２５の被測定磁界の検知方向はｘ方向とｙ方向である。磁電変換部２５はｚ方向の磁界を検知しない。したがって上記した電磁ノイズのｚ方向の成分が磁電変換部２５を透過したとしても、それによって被測定磁界の検出精度が低下することが抑制される。

以上、本開示物の好ましい実施形態について説明したが、本開示物は上記した実施形態になんら制限されることなく、本開示物の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

（第１の変形例）
第１実施形態では第１シールド４１の四隅に切欠き４１ｃが形成された例を示した。これにより第１シールド４１の第１両端部４１ｅは第１中央部４１ｄよりもｘ方向の長さが短い例を示した。そして第２シールド４２に延設部４２ｃが形成された例を示した。

これに対して図３９に示すように第１シールド４１と第２シールド４２それぞれの四隅に切欠き４１ｃの形成された構成を採用することもできる。これにより第２両端部４２ｅは第２中央部４２ｄよりもｘ方向の長さが短くなっている。図３９の（ｂ）欄に示すように第１中央部４１ｄと第２中央部４２ｄとの間に、配線基板２０に搭載された第１センシング部２１および第２センシング部２２の磁電変換部２５が位置している。図３９の（ａ）欄はシールド、磁電変換部、および、導電バスバーの配置を説明するための斜視図である。図３９の（ｂ）欄はシールド、磁電変換部、および、導電バスバーの配置を説明するための側面図である。

また図４０の（ａ）欄に示すように第２シールド４２に延設部４２ｃおよび切欠き４１ｃが形成されなくともよい。図４０の（ｂ）欄に示すように、第１シールド４１の四隅のうちの２つに切欠き４１ｃが形成された構成を採用することもできる。なお図４０の（ｂ）欄では２つの切欠き４１ｃがｘ方向に並んでいる。図４０の（ａ）欄および（ｂ）欄それぞれはシールド、磁電変換部、および、導電バスバーの配置を説明するための斜視図である。以上に示したように、第１シールド４１の第１両端部４１ｅが第１中央部４１ｄよりもｘ方向の長さが短ければよく、切欠き４１ｃの形成位置は特に限定されない。

（第２の変形例）
第１実施形態では統合筐体７３が底壁７７と周壁７８を有し、これらによって構成される収納空間に複数の個別センサ７１が収納される例を示した。しかしながら図４１〜図４３に示すように統合筐体７３は周壁７８を有さなくともよい。この場合、個別センサ７１は底壁７７に対して９０°回転して設けられる。それによって、個別センサ７１の導電バスバー３０の表面３０ａと裏面３０ｂそれぞれはｚ方向に面する。第１シールド４１の一面４１ａと裏面４１ｂそれぞれはｚ方向に面する。同様にして第２シールド４２の一面４２ａと裏面４２ｂそれぞれもｚ方向に面する。個別センサ７１の磁電変換部２５の検知方向はｘ方向とｙ方向になる。

これにより、図３８に示したように複数の個別センサ７１それぞれの第１シールド４１がｘ方向に並ぶ構成となる。複数の個別センサ７１それぞれの第２シールド４２がｘ方向に並ぶ構成となる。複数の個別センサ７１それぞれの磁電変換部２５がｘ方向に並ぶ構成となる。

なお図４２の（ａ）欄は第２電流センサの上面図を示している。図４２の（ｂ）欄は第２電流センサの正面図を示している。図４２の（ｃ）欄は第２電流センサの下面図を示している。図４３の（ａ）欄は第２電流センサの側面図を示している。図４３の（ｂ）欄は第２電流センサの正面図を示している。図４２の（ｂ）欄と図４３の（ｂ）欄には同一の図面を示している。

本変形例では、端子台８０に個別センサ７１と同数のｚ方向に沿うボルト孔が形成されている。個別センサ７１の第２露出部３３にボルト孔３０ｃが形成されている。この端子台８０のボルト孔と第２露出部３３のボルト孔３０ｃ、および、ワイヤーの端子に形成されたボルト孔にボルトが通される。そしてそのボルトの先端にナットが締結される。ボルトの軸部の先端から頭部に向かうように、ナットをボルトに締結する。ボルトの頭部と端子台８０とによって第２露出部３３とワイヤーの端子とを挟持する。これにより第２露出部３３とワイヤーの端子とが接触し、両者が電気的および機械的に接続される。

（第３の変形例）
第１実施形態で示したように第１電流センサ１１のセンサ筐体５０にリブ５２ａが形成されている。これと同様にして、図４４に示すように個別センサ７１のセンサ筐体５０にリブ５２ａを形成してもよい。そして統合筐体７３の底壁７７に、個別センサ７１を配線ケース７２に挿入する際のガイド部７２ａが形成されてもよい。ガイド部７２ａはリブ５２ａと相似形状の中空を有する溝を構成している。ガイド部７２ａはｚ方向に開口している。この開口を介して、ガイド部７２ａの中空へとリブ５２ａを通す。これにより個別センサ７１の統合筐体７３への組み付けが容易となる。なお図４４に示す変形例では、個別センサ７１における接続端子６０の先端の突出する端部を設けるための溝７７ｃが底壁７７に形成されている。

（第４の変形例）
図４５の（ａ）欄に模式的に示すように、各実施形態ではモータのＵ相ステータコイルとＶ相ステータコイルに個別センサ７１が設けられる例を示した。これら個別センサ７１が第１センシング部２１と第２センシング部２２を有する例を示した。

しかしながら図４５の（ｂ）欄に模式的に示すように、モータのＵ相ステータコイル、Ｖ相ステータコイル、および、Ｗ相ステータコイルそれぞれに個別センサ７１が設けられた構成を採用することもできる。これら個別センサ７１は第１センシング部２１だけを有する構成を採用することができる。

上記したように３相のステータコイルのうちの２つに流れる電流に基づいて残り１つの電流を検出することができる。したがって３相のステータコイルに設けられた３つの個別センサ７１の第１センシング部２１のうちの２つの出力に基づいて残り１つのステータコイルの電流を検出することができる。また、この残り１つのステータコイルに設けられた個別センサ７１の第１センシング部２１によって、残り１つのステータコイルの電流を検出することができる。これら２つの検出した電流を比較することで、いずれか一方に異常が生じているか否かを判定することができる。

（その他の変形例）
各実施形態では、ハイブリッドシステムを構成する車載システム１００に電流センサが適用される例を示した。しかしながら電流センサの適用される車載システムは上記例に限定されない。例えば電流センサは電気自動車やエンジン自動車の車載システムに適用されてもよい。電流センサの適用されるシステムに関しては特に限定されない。

１１…第１電流センサ、１２…第２電流センサ、１３…第３電流センサ、２０…配線基板、２０ａ…対向面、２０ｂ…背面、２１…第１センシング部、２２…第２センシング部、２５…磁電変換部、２９…差分回路、３０…導電バスバー、３０ａ…表面、３０ｂ…裏面、３０ｃ…ボルト孔、３１…被覆部、３１ａ…狭窄部、３２…第１露出部、３３…第２露出部、３４…応力緩和部、４０…シールド、４１…第１シールド、４１ａ…一面、４１ｃ…切欠き、４１ｄ…第１中央部、４１ｅ…第１両端部、４１ｆ…対向辺、４２…第２シールド、４２ａ…一面、４２ｃ…延設部、４２ｄ…第２中央部、４２ｅ…第２両端部、４２ｆ…端辺、５０…センサ筐体、５１…基部、５１ｆ…下端面、５６ａ…基板支持ピン、５６ｂ…基板接着ピン、５６ｃ…先端面、５６ｄ…先端面、５６ｅ…基板接着剤、５７ａ…シールド支持ピン、５７ｂ…シールド接着ピン、５７ｃ…先端面、５７ｄ…先端面、５７ｅ…シールド接着剤、７１…個別センサ、７２…配線ケース、７３…統合筐体、７５…通電端子、７６…統合配線基板、１００…車載システム、３０７…通電バスバー、３０７ａ…第１端子台、３０７ｂ…第２端子台、３４１…第１通電バスバー、３４２…第２通電バスバー、３４３…第３通電バスバー、３４４…第４通電バスバー、３４５…第５通電バスバー、３４６…第６通電バスバー、８０１…電池ＥＣＵ、８０２…ＭＧＥＣＵ、ＡＳ…対称軸、ＣＰ…中心点

Claims (1)

1. 被測定電流の流動する導電部材（３０）と、
   前記被測定電流の流動によって生じる被測定磁界を電気信号に変換する磁電変換部（２５）と、
   前記磁電変換部への電磁ノイズの入力を抑制するシールド（４０）と、を有し、
   前記シールドは互いに一面（４１ａ，４２ａ）同士が離間して対向する板形状の第１シールド（４１）と第２シールド（４２）を備え、
   前記第１シールドの前記一面（４１ａ）と前記第２シールドの前記一面（４２ａ）との間に前記導電部材の一部と前記磁電変換部とが位置し、
   前記導電部材における前記第１シールドと前記第２シールドとの間に位置する部位（３１）は前記第１シールドの前記一面に沿う延長方向に延びており、
   前記第１シールドおよび前記第２シールドの少なくとも一方は、前記第１シールドの前記一面に沿いなおかつ前記延長方向に直交する横方向の透磁率が、前記延長方向の透磁率よりも高い異方性を有する電流センサ。

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