JP2015506101A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 121
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 34
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 16
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 3
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004125 X-ray microanalysis Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Abstract
本発明は、太陽電池及びその製造方法に関する。本発明の太陽電池は第１導電型の基板と、前記基板の上に配設され、第１開口部を備える第２導電型のエミッタ層と、前記エミッタ層の上に配設され、前記第１開口部と連通する第２開口部を備える反射防止膜と、前記第１開口部を充填し、リン及びニッケルシリサイドを含む第１電極と、前記第１電極の上に形成され、前記第２開口部を充填し、リン及びニッケルを含む第２電極と、前記第２電極の上に形成される前面電極と、前記基板の背面に配設される背面電極と、を備える。
Description
本発明は太陽電池及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、低い接触抵抗及び高効率を示す太陽電池及びその製造方法に関する。
本出願は、２０１１年１２月９日付けで韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１１−０１３２２０２号の出願日の利益を主張し、その内容の全部は本明細書に取り込まれる。
最近、石油や石炭などの既存のエネルギー資源の枯渇が予想されることに伴い、これらを代替する代替エネルギーへの関心が高まりつつある。中でも、太陽電池は、太陽光エネルギーを直接的に電気エネルギーに変換する半導体素子を用いた次世代電池として脚光を浴びている。太陽電池は、大きく、シリコン太陽電池（ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、化合物半導体太陽電池（ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）及び積層型太陽電池（ｔａｎｄｅｍ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）に分けられる。中でも、シリコン太陽電池が主流をなしている。
一方、シリコン太陽電池の高効率化のために浅いエミッタ（ｓｈａｌｌｏｗ ｅｍｉｔｔｅｒ）及び選択的エミッタ（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｅｍｉｔｔｅｒ）などの様々な方法が開発されている。浅いエミッタとは、６０〜１２０Ω／ｓｑの高シート抵抗のエミッタ層のことをいうが、再結合率が低く、しかも、短波長の太陽光を用いることができるというメリットがある。
結晶質シリコン太陽電池において、基板の上に形成されたエミッタ層は、基板をベースとしてｐｎ接合（ｐｎ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）をなすものであるが、高直列抵抗の電池はシート抵抗（Ｓｈｅｅｔ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が６０〜１２０Ω／ｓｑであり、従来の結晶質太陽電池のエミッタ層のシート抵抗が４０〜５０Ω／ｓｑであることに比べて高いので光電変換効率に優れている。すなわち、高効率太陽電池は、太陽電池の基板の前面に形成されたエミッタ層のうち表面層にデッド層（生成された電子が余分の半導体不純物の濃度により電流の形成が妨げられる領域）が生じることを低減するため太陽電池の効率が高まる。
このような高効率太陽電池のエミッタ層の厚さは１００ｎｍ〜５００ｎｍであり、エミッタ層の半導体不純物の濃度は１×１０１６〜１×１０２１ａｔｏｍ／ｃｍ３であってもよい。これは、従来の太陽電池の製造工程において、エミッタの厚さを超薄型にし、且つ、エミッタを構成する半導体不純物のドーピング濃度を低めることにより製造することができる。
しかしながら、通常の太陽電池のエミッタ層の厚さは６００ｎｍ以上であるのに対し、高効率太陽電池のエミッタ層の厚さは１００ｎｍ〜５００ｎｍであって非常に超薄型であるため、高効率太陽電池の電極を形成するとき、薄いエミッタ層を過ぎてベース基板に電極が接触して短絡され易いという問題点がある。すなわち、薄いエミッタ層を有する高効率太陽電池を商業的に利用するためには、薄くなったエミッタ層の接触を簡単にしながらも、ベースとなるシリコン基板に電極が接触して短絡される状態を防ぐ工程が求められる。
浅いエミッタの前面電極を形成するためにＡｇペーストが用いられているが、Ａｇペーストは、銀粉末、有機バインダー、ガラスフリットなどを含有している。しかしながら、Ａｇペーストのガラスフリットによりオーミック接触（Ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）性が悪く、酷い場合には短絡が生じるという欠点がある。特に、前面電極の接触部を形成するためには、短期間の約８００℃での高温工程が必要である。この高温工程が正確に調整されなければ、高い直列抵抗（ｈｉｇｈ ｓｅｒｉａｌ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）及び／又は低いシャント抵抗（ｌｏｗｅｒ ｓｈｕｎｔ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が生じてしまう。
浅いエミッタのメリットを生かしながらも欠点を解決するための方案の一つとして、低接触抵抗を有するニッケル層を導入して焼成することによりニッケルシリサイドを形成する方法が開示されている（特許文献１）。特許文献１は、ニッケル−シリサイド層を形成するためにｎ−ドーピング部分を有する無電極選択的メッキを行った後にニッケル層をアニーリングするステップと、このニッケル−シリサイド層上の複数の接触部を電気メッキするステップと、これにより光電圧素子のための低い抵抗接触経路を形成するステップと、をさらに含んでいる。上記特許文献１に記載の方法は、ニッケル層を形成するための無電解メッキ法を用いる工程及び選択的なメッキを行うための別途の工程があるため複雑であり、しかも、高いコストがかかるという問題点がある。さらに、太陽電池素子のアルミニウム背面をｐ−ドーピングバルクシリコンでアニーリングして、電子をｐ−ｎ接合に向かって後退させる背面電界（ＢＳＦ：Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）と呼ばれる高濃度のドーピングされたｐ−ドーピング領域を構築するための別途の工程が必要である。
シリコン基板のドーパント（Ｄｏｐａｎｔ）ペーストを用いて上層部に高濃度の不純物ドーピング領域を選択的に形成して選択的エミッタを形成することによりｐ−ｎ接合部位の電位差を増加させ、短波長応答特性を改善して光発電効率を増加させる方法が開示されている（特許文献２）。特許文献２の場合、シリコン基板に第２導電型の不純物を注入して拡散させ、前記シリコン基板の上層部に第２導電型の半導体層を形成するステップと、前記シリコン基板の表面にドーパントペーストを印刷し、熱処理して前記第２導電型の半導体層に高濃度ドーピング領域を形成するステップと、前記ドーパントペーストをバリア（Ｂａｒｒｉｅｒ）として前記シリコン基板の表面をエッチングするステップと、前記シリコン基板の表面に印刷されたドーパントペーストを除去し、前記高濃度ドーピング領域に接触するように金属材をパターニングして電極を形成するステップ及び追加の拡散工程を行って前記高濃度ドーピング領域を拡張させるステップを含んでいる。しかしながら、上記の場合にも工程が複雑であり、しかも、高コストがかかるという問題点がある。
このような従来の技術の問題点を解決するために、本発明は、低い接触抵抗を有する太陽電池を提供することを目的とする。
また、本発明は、前記太陽電池の製造方法を提供することを他の目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は、第１導電型の基板と、前記基板の上に配設され、第１開口部を備える第２導電型のエミッタ層と、前記エミッタ層の上に配設され、前記第１開口部と連通する第２開口部を備える反射防止膜と、前記第１開口部を充填し、リン及びニッケルシリサイドを含む第１電極と、前記第１電極の上に形成され、前記第２開口部を充填し、リン及びニッケルを含む第２電極と、前記第２電極の上に形成される前面電極と、前記基板の背面に配設される背面電極と、を備える太陽電池を提供する。
また、本発明は、第１導電型の基板の上部に第２導電型のエミッタ層を形成するステップと、前記エミッタ層の上部に反射防止膜を形成するステップと、前記反射防止膜及び前記エミッタ層のうちの一部を除去して、前記エミッタ層の一部を露出させる第１開口部及び前記第１開口部と連通し、前記反射防止膜を露出させる第２開口部を形成するステップと、前記第１及び第２開口部にリンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して、前記第１及び第２開口部にそれぞれ第１電極及び第２電極を形成するステップと、前記第２電極の上に銀（Ａｇ）ペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して前面電極を形成するステップと、前記基板の背面にアルミニウムペーストを印刷した後に熱処理して背面電極を形成するステップと、を含む太陽電池の製造方法を提供する。
本発明によれば、低い接触抵抗を提供して光発電効率を増加させる太陽電池及びその製造方法を提供することができる。
本発明の一実施形態による太陽電池は、第１導電型の基板と、前記基板の上に配設され、第１開口部を備える第２導電型のエミッタ層と、前記エミッタ層の上に配設され、前記第１開口部と連通する第２開口部を備える反射防止膜と、前記第１開口部を充填し、リン及びニッケルシリサイドを含む第１電極と、前記第１電極の上に形成され、前記第２開口部を充填し、リン及びニッケルを含む第２電極と、前記第２電極の上に形成される前面電極と、前記基板の背面に配設される背面電極と、を備える。
また、本発明の一実施形態による太陽電池の製造方法は、第１導電型の基板の上部に第２導電型のエミッタ層を形成するステップと、前記エミッタ層の上部に反射防止膜を形成するステップと、前記反射防止膜及び前記エミッタ層のうちの一部を除去して、前記エミッタ層の一部を露出させる第１開口部及び前記第１開口部と連通し、前記反射防止膜を露出させる第２開口部を形成するステップと、前記第１及び第２開口部にリンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して、前記第１及び第２開口部にそれぞれ第１電極及び第２電極を形成するステップと、前記第２電極の上に銀ペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して前面電極を形成するステップと、前記基板の背面にアルミニウムペーストを印刷した後に熱処理して背面電極を形成するステップと、を含む。
本発明において、第１、第２などの用語は様々な構成要素を説明するのに用いられ、これらの用語はある構成要素を他の構成要素から区別するために用いられる。
また、本発明において、各層または要素が各層または要素の「上に」形成されると言及される場合には、各層または要素が直接的に各層または要素の上に形成されることを意味するか、あるいは、他の層または要素が各層の間、対象体、若しくは基材の上にさらに形成されることを意味する。
本発明は、様々な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるが、以下、特定の実施形態を例示して詳述する。しかしながら、これは、本発明を特定の開示形態に対して限定するためのものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物または代替物を含むものと理解されるべきである。
以下、添付図面に基づき、本発明の太陽電池及びその製造方法について詳細に説明する。
［太陽電池］
本発明の太陽電池は、第１導電型の基板と、前記基板の上に配設され、第１開口部を備える第２導電型のエミッタ層と、前記エミッタ層の上に配設され、前記第１開口部と連通する第２開口部を備える反射防止膜と、前記第１開口部を充填し、リン及びニッケルシリサイドを含む第１電極と、前記第１電極の上に形成され、前記第２開口部を充填し、リン及びニッケルを含む第２電極と、前記第２電極の上に形成される前面電極と、前記基板の背面に配設される背面電極と、を備える。
本発明の太陽電池は、第１導電型の基板と、前記基板の上に配設され、第１開口部を備える第２導電型のエミッタ層と、前記エミッタ層の上に配設され、前記第１開口部と連通する第２開口部を備える反射防止膜と、前記第１開口部を充填し、リン及びニッケルシリサイドを含む第１電極と、前記第１電極の上に形成され、前記第２開口部を充填し、リン及びニッケルを含む第２電極と、前記第２電極の上に形成される前面電極と、前記基板の背面に配設される背面電極と、を備える。
図１は、本発明の一実施形態による太陽電池の構造を示す断面図である。
図１を参照すると、本発明による太陽電池は、第１導電型の基板１００と、基板１００の上に配設され、第１開口部２１０を備える第２導電型のエミッタ層２００と、エミッタ層２００の上に配設され、第１開口部２１０と連通する第２開口部３１０を備える反射防止膜３００と、第１開口部２１０を充填し、リン及びニッケルシリサイドを含む第１電極２２０と、第１電極２２０の上に形成され、第２開口部３１０を充填し、リン及びニッケルを含む第２電極３２０と、第２電極３２０の上に形成される前面電極４００と、基板１００の背面に配設される背面電極５００と、を備える。
本発明の一実施形態によれば、基板１００は、第１導電型のシリコン半導体基板であり、例えば、Ｐ型不純物としてホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などの３価元素がドーピングされてもよい。前記シリコンは、単結晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどの結晶質シリコンであってもよく、非晶質シリコンであってもよい。
エミッタ層２００は、基板１００とは反対である型の第２導電型であり、Ｎ型不純物として５族元素のリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などがドーピングされてもよい。
本発明の他の実施形態によれば、基板１００はＮ型導電型であってもよく、エミッタ層２００はＰ型導電型であってもよい。
このように基板１００とエミッタ層２００に反対導電型の不純物がドーピングされれば、基板１００とエミッタ層２００との界面にはＰ−Ｎ接合が形成される。
本発明の一実施形態によれば、エミッタ層２００は、高い光電変換効率及び高いシート抵抗を有していてもよい。例えば、本発明の太陽電池は、約６０〜約１２０Ω／ｓｑの高シート抵抗のエミッタ層２００を備えていてもよい。
本発明の一実施形態によれば、エミッタ層２００の厚さは、約１００〜約５００ｎｍであってもよい。
図１を参照すると、エミッタ層２００は、エミッタ層２００の少なくとも一部、例えば、エミッタ層２００の厚さのうち約５〜約１０ｎｍを露出させる第１開口部２１０を備える。
反射防止膜３００は、エミッタ層２００の表面またはバルク内に存在する欠陥を不動態化し、且つ、基板１００の前面に入射する太陽光の反射率を低減する役割を果たす。エミッタ層２００に存在する欠陥が不動態化されれば、キャリアの再結合サイトが除去されて太陽電池の開放電圧Ｖｏｃが増加される。また、太陽光の反射率が下がれば、Ｐ−Ｎ接合まで達する光の量が増大されて太陽電池の短絡電流Ｉｓｃが増加される。このように反射防止膜３００により太陽電池の開放電圧と短絡電流が増加されれば、その分太陽電池の変換効率が向上する。
反射防止膜３００は、例えば、シリコン窒化膜、水素を含むシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、ＭｇＦ２、ＺｎＳ、ＴｉＯ２及びＣｅＯ２よりなる群から選ばれるいずれか一種の単一膜または２以上の膜が組み合わせられた多層膜の構造を有していてもよいが、これに限定されない。なお、反射防止膜３００の厚さは約３０〜約１００ｎｍであってもよいが、これに限定されない。
反射防止膜３００はエミッタ層２００の上部に配設され、第１開口部２１０と連通する第２開口部３１０を備える。このため、第２開口部３１０は、反射防止膜３００を貫通する。
第１及び第２開口部２１０、３１０の幅は、約２０〜約１５０μｍであってもよく、その形状には制限がない。例えば、第１及び第２開口部２１０、３１０は、円形、楕円形、四角形または三角形であってもよい。
第１電極２２０及び第２電極３２０はそれぞれ第１開口部２１０と第２開口部３１０を充填する。
第１電極２２０は、第１開口部２１０により露出されるエミッタ層２００と接続しながら第１開口部２１０を充填し、リン及びニッケルシリサイド（Ｎｉ ｓｉｌｉｃｉｄｅ）を含む。
第１電極２２０に含まれているリンの含量は、エミッタ層２００にドーピングされた不純物であるリンの濃度よりも高く、約１〜約２０重量％であってもよく、好ましくは、約５〜約１５重量％であってもよい。
第１電極２２０は、リンがドーピングされたニッケルナノ粒子を用いてリン及びニッケルシリサイドを含むように形成してもよい。
前記リンがドーピングされたニッケルナノ粒子に含まれているニッケルがエミッタ層２００のシリコンと反応してエミッタ層２００との界面にニッケルシリサイドを形成することにより第１電極２２０がニッケルシリサイドを含んでいてもよい。したがって、低い接触抵抗を提供して光発電効率を増加させることができる。
第２電極３２０は第１電極２２０の上に形成され、第２開口部３１０を充填し、リン及びニッケルを含む。第２電極３２０の形成に用いられる、リンがドーピングされたニッケルナノ粒子は、第１電極２２０の形成時に用いられるニッケル粒子と同じものであってもよい。しかしながら、第２電極３２０はエミッタ層２００と接触していないため、ニッケルシリサイドが形成されない。
前面電極４００は第２電極３２０の上に形成され、反射防止膜３００から突き出る形状を有する。
本発明の一実施形態によれば、前面電極４００は銀（Ａｇ）を含み、特に、ガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）を含んでいなくてもよい。前面電極４００にガラスフリットが含まれていないことにより、短絡の危険性及び非伝導性物質であるガラスフリットによる接触抵抗の増加、すなわち、伝導性減少の危険性が低減されて信頼性が向上する。
本発明の一実施形態によれば、前面電極４００は、約４０〜約２００μｍの幅と、約５〜約３０μｍの高さを有していてもよい。
背面電極５００は基板１００の背面に形成され、アルミニウムを含んでいてもよい。背面電極５００に含まれているアルミニウムが基板１００の背面を通じて拡散されることにより、背面電極５００と基板１００との間の境界面に背面電界層が形成される。背面電界層が形成されれば、キャリアが基板１００の背面に移動して再結合されることを防ぐことができ、キャリアの再結合が防がれれば、開放電圧が上昇して太陽電池の効率が向上する。
本発明による太陽電池は、高濃度のリンがドーピングされたニッケルナノ粒子を用いて形成され、エミッタ層に接触する第１電極を備えることにより高濃度の不純物ドーピング領域が選択的に形成されるとともに、前記エミッタ層と前記第１電極との接触部にニッケルシリサイドが含まれることにより低い接触抵抗を提供して太陽電池の効率を向上させることができる。
［太陽電池の製造方法］
本発明の太陽電池の製造方法は、第１導電型の基板の上部に第２導電型のエミッタ層を形成するステップと、前記エミッタ層の上部に反射防止膜を形成するステップと、前記反射防止膜及び前記エミッタ層のうちの一部を除去して、前記エミッタ層の一部を露出させる第１開口部及び前記第１開口部と連通し、前記反射防止膜を露出させる第２開口部を形成するステップと、前記第１及び第２開口部にリンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して、前記第１及び第２開口部にそれぞれ第１電極及び第２電極を形成するステップと、前記第２電極の上に銀（Ａｇ）ペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して前面電極を形成するステップと、前記基板の背面にアルミニウムペーストを印刷した後に熱処理して背面電極を形成するステップと、を含む。
本発明の太陽電池の製造方法は、第１導電型の基板の上部に第２導電型のエミッタ層を形成するステップと、前記エミッタ層の上部に反射防止膜を形成するステップと、前記反射防止膜及び前記エミッタ層のうちの一部を除去して、前記エミッタ層の一部を露出させる第１開口部及び前記第１開口部と連通し、前記反射防止膜を露出させる第２開口部を形成するステップと、前記第１及び第２開口部にリンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して、前記第１及び第２開口部にそれぞれ第１電極及び第２電極を形成するステップと、前記第２電極の上に銀（Ａｇ）ペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して前面電極を形成するステップと、前記基板の背面にアルミニウムペーストを印刷した後に熱処理して背面電極を形成するステップと、を含む。
図１ａ乃至図１ｅは、本発明の一実施形態により太陽電池を製造する過程を概略的に示す図である。
まず、図１ａを参照すると、第１導電型の基板１００を準備する。
基板１００は、Ｐ型不純物として３族元素であるＢ、Ｇａ、Ｉｎなどがドーピングされてもよい。
基板１００の上部にエミッタ層２００を形成する。エミッタ層２００にはＮ型不純物として５族元素であるＰ、Ａｓ、Ｓｂなどがドーピングされてもよい。エミッタ層２００は、約１００〜約５００ｎｍの厚さに形成されてもよい。
本発明の一実施形態によれば、ＰＯＣｌ３などＰを含む物質を気相または液相として供給して熱拡散（ｔｈｅｒｍａｌ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）方法により所定の厚さに基板１００の表面にドーピング（ｄｏｐｉｎｇ）して６０〜１２０Ω／ｓｑのシート抵抗を有するエミッタ層２００を形成してもよい。
次いで、エミッタ層２００の上部に反射防止膜３００を形成する。
反射防止膜３００は、真空蒸着法、化学気相堆積法、スピンコート、スクリーン印刷またはスプレーコートにより形成されてもよいが、これらに限定されない。また、反射防止膜３００は、例えば、シリコン窒化膜、水素を含むシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、ＭｇＦ２、ＺｎＳ、ＴｉＯ２及びＣｅＯ２よりなる群から選ばれるいずれか一種の単一膜または２以上の膜が組み合わせられた多層膜の構造を有していてもよいが、これらに限定されない。
反射防止膜３００は、約３０〜約１００ｎｍの厚さを有するように形成してもよい。
図１ｂを参照すると、反射防止膜３００を貫通しながら除去し、エミッタ層２００のうちの一部を除去してエミッタ層２００の一部を露出させる第１開口部２１０及び第１開口部２１０と連通し、反射防止膜３００を露出させる第２開口部３１０を形成する。
第１及び第２開口部２１０、３１０は、フォトリソグラフィ法、光学的スクライビング法、機械的スクライビング法、プラズマを用いたエッチング法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、リフトオフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）法、ワイヤマスク（ｗｉｒｅ ｍａｓｋ）法などの周知の方法によりパターニングして形成してもよい。本発明の一実施形態によれば、レーザアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）を用いて所定の大きさに除去して第１及び第２開口部２１０、３１０を形成してもよいが、開口部を形成する方法はこれに限定されない。
第２開口部３１０は反射防止膜３００を完全に貫通する。しかしながら、第１開口部２１０は、エミッタ層２００は貫通せず、エミッタ層２００の一部の厚さを除去する深さに形成されてもよい。例えば、第１開口部２１０は、エミッタ層２００を約５〜約１０ｎｍの深さに除去して形成してもよい。
第１及び第２開口部２１０、３１０の幅は、約２０〜約１５０μｍであってもよく、その形状には制限がない。例えば、第１及び第２開口部２１０、３１０は、円形、楕円形、四角形または三角形であってもよい。
次いで、図１ｃを参照すると、第１及び第２開口部２１０、３１０にリンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストをスクリーン印刷した後に熱処理する。
前記リンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストは、ペースト１００重量部に対し、リンがドーピングされたニッケルナノ粒子を６０〜９５重量部、バインダーを１〜２０重量部及び溶媒を１〜２０重量部含んでいてもよい。
第１電極２２０及び第２電極３２０の形成に用いられる前記リンがドーピングされたニッケルナノ粒子は、約５〜約２００ｎｍの平均粒径、好ましくは、約１０〜約１００ｎｍの平均粒径を有し、リンの含量が約１〜約２０重量％であってもよい。
前記リンがドーピングされたニッケルナノ粒子は、半連続式工程により液状還元法で製造してもよいが、これに制限されない。
例えば、ニッケルを成長させる触媒となる遷移金属核粒子に対し、ニッケル前駆体物質及び溶媒を含むニッケル溶液及びリンを含む還元剤を混合してニッケルを還元反応させるとともにリンをドーピングすることにより、リンが１〜２０重量％でドーピングされたナノサイズの粒径を有するニッケルナノ粒子を得ることができる。
前記リンがドーピングされたニッケルナノ粒子は、ペースト１００重量部に対して６０〜９５重量部で含まれていてもよい。ニッケルナノ粒子の含量が６０重量部未満であれば、十分な導電性が得られず、９５重量部を超えると、粘度が高過ぎてスクリーン印刷が行い難くなる。
前記バインダーは、電極パターンの焼成前での各成分の結合材として機能するものであり、均一性のために懸濁重合により製造することが好ましい。このようなバインダーとしては、カルボキシル基を含む樹脂、具体的には、それ自体がエチレン性不飽和二重結合を有するカルボキシル基含有感光性樹脂及びエチレン性不飽和二重結合を有していないカルボキシル基含有樹脂が挙げられる。
本発明の一実施形態によれば、不飽和カルボン酸と不飽和二重結合を有する化合物を共重合させることにより得られるカルボキシル基含有樹脂、不飽和カルボン酸と不飽和二重結合を有する化合物の共重合体にエチレン性不飽和基をペンダントとして付加させることにより得られるカルボキシル基含有感光性樹脂、または不飽和二重結合を有する酸無水物と不飽和二重結合を有する化合物の共重合体に、水酸基と不飽和二重結合を有する化合物を反応させて得られるカルボキシル基含有感光性樹脂が使用可能であるが、これらに限定されない。
前記バインダーは１〜２０重量部で含まれることが好ましいが、バインダーの含量が１重量部未満である場合には、形成される電極パターン中のバインダーの分布が不均一になるおそれがあるため、選択的な露光、現像によるパターニングを行い難いおそれがあり、２０重量部を超える場合には、電極の焼成時にパターン崩壊を起こし易く、焼成後の炭素灰（Ｃａｒｂｏｎ ａｓｈ）により電極の抵抗が上昇するおそれがあるためである。
前記溶媒としては、バインダーを溶解することができ、しかも、その他の添加剤との混合性に優れたものを用いることができる。このような溶媒として、ａ−テルピノール（ａ−Ｔｅｒｐｉｎｏｌ）、ブチルカルビトールアセテート（ｂｕｔｙｌ ｃａｒｂｉｔｏｌ ａｃｅｔａｔｅ）、テクサノール（Ｔｅｘａｎｏｌ）、ブチルカルビトール（ｂｕｔｙｌ ｃａｒｂｉｔｏｌ）またはジプロピレングリコールモノメチルエーテル（Ｄｉ−ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ）などが挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
前記溶媒は、１〜２０重量部で含まれることが好ましい。前記溶媒の含量が１重量部未満である場合には、ペーストが均一に塗布され難いおそれがあり、これに対し、２０重量部よりも多量含まれる場合には、電極パターンの十分な導電性が得られず、しかも、基材との密着性が低下するため好ましくない。
さらに、分散剤、増粘剤、揺変剤、レベリング剤などの添加剤をさらに含んでいてもよく、このような添加剤の添加量は、ペースト１００重量部に対して１〜２０重量部であってもよい。
本発明の一実施形態によれば、前記リンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストをスクリーン印刷した後に熱処理するステップは、スクリーンプリンタ（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｅｒ）を用いて印刷した後、窒素雰囲気下で約４００〜約９００℃のベルト焼成炉（ｂｅｌｔ ｆｉｒｉｎｇ）で約１０秒〜約２０分間焼結することにより行うことができる。熱処理する温度が４００℃未満である場合、エミッタ層２００よりも高濃度の不純物ドーピング領域を形成することが困難になるおそれがあり、高過ぎる場合、ニッケルシリサイドが形成されない問題が生じるおそれがある。
上記のようにリンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストを印刷した後に熱処理することにより、第１開口部２１０には第１電極２２０が形成される。また、第２開口部３１０には第２電極３２０が形成される。
リンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストをスクリーン印刷した後に焼結することにより、第１電極２２０はここに含まれているリンがドーピングされたニッケルナノ粒子が、接触しているエミッタ層２００のシリコンと反応してエミッタ層２００との界面にニッケルシリサイドが形成されてもよい。したがって、第１電極２２０は、リン及びニッケルシリサイドを含む。また、第１電極２２０は、リンがドーピングされたニッケルナノ粒子に含まれているリンにより、エミッタ層２００よりも高濃度の不純物ドーピング領域を形成することにより低い接触抵抗を提供する。
焼結により第２電極３２０はリン及びニッケルを含む。第２電極３２０はエミッタ層２００と接触していないため、ニッケルシリサイドは形成されない。第２電極３２０は第２開口部３１０を完全に充填し、反射防止膜３００と同じ高さに形成されてもよい。
次いで、図１ｄを参照すると、第２電極３２０の上に銀（Ａｇ）ペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して前面電極４００を形成する。
前面電極４００は第２電極３２０の上部に連設される。
前記銀ペーストは、全体の銀ペースト１００重量部に対し、銀粉末を約６０〜約９５重量部で含む。銀粉末の含量が６０重量部よりも少ない場合には、前面電極４００に十分な導電性が得られず、９５重量部を超えると、粘度が高過ぎて印刷し難くなるおそれがあるため好ましくない。
本発明の一実施形態によれば、前記銀ペーストは、ガラスフリットを含んでいなくてもよい。前記ガラスフリットは、焼成後に銀ペーストを基板の上に固着、結合させる役割を果たす成分であるが、焼成時に高温工程を経ながら短絡を起こす原因となる。本発明の製造方法においては、前面電極４００の形成時にガラスフリットを含んでいない銀ペーストを用いることにより、高温工程でも短絡の危険性及び非伝導性物質であるガラスフリットによる接触抵抗増加の危険性が低減され、これにより、太陽電池の信頼性が向上する。
本発明の一実施形態によれば、前記銀ペーストをスクリーン印刷した後に熱処理するステップは、スクリーンプリンタを用いて印刷した後、窒素雰囲気下で約４００〜約９００℃のベルト焼成炉（ｂｅｌｔ ｆｉｒｉｎｇ）で約１０秒〜約２０分間焼結することにより行うことができる。
前面電極４００は、約４０〜約２００μｍの幅と、約５〜約３０μｍの高さを有するように形成してもよい。
本発明の一実施形態によれば、第１及び第２電極２２０、３２０の形成のためにリンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストをスクリーン印刷した後に熱処理するステップ及び前面電極４００の形成のために銀ペーストをスクリーン印刷した後に熱処理するステップは同時に行われても良い。すなわち、ニッケルペースト及び銀ペーストをそれぞれスクリーン印刷した後に一度に熱処理することにより第１電極２２０、第２電極３２０及び前面電極４００が一度に形成される。このとき、熱処理は、窒素雰囲気下で約４００〜約９００℃のベルト焼成炉で約１０秒〜約２０分間焼結することにより行われる。
本発明の他の実施形態によれば、ニッケルペーストの熱処理及び銀ペーストの熱処理は別々に行われてもよい。
図１ｅを参照すると、アルミニウムペーストを基板１００の背面に印刷した後に熱処理して背面電極５００を形成する。
前記アルミニウムペーストは、アルミニウム、石英、バインダーなどを含んでいてもよい。前記アルミニウムペーストの熱処理に際して、アルミニウムが基板１００の背面を通じて拡散されることにより背面電極５００と基板１００との境界面に背面電界層が形成される。背面電界層が形成されれば、キャリアが基板の背面に移動して再結合されることを防ぐことができ、キャリアの再結合が防がれれば、開放電圧が上昇して太陽電池の効率が向上する。
本発明の一実施形態によれば、前記アルミニウムペーストを熱処理するステップは、窒素雰囲気下で約４００〜約９００℃のベルト焼成炉で約１０秒〜約２０分間焼結することにより行われてもよい。
別途の図面に例示はしないが、本発明の他の実施形態によれば、背面電極５００の形成は、前面電極４００を形成するステップと同時に行われてもよい。すなわち、前面電極４００の形成のための銀ペーストを印刷スクリーンし、背面電極５００の形成のためのアルミニウムペーストを背面にスクリーン印刷した後に焼成工程により前面電極４００及び背面電極５００を同時に形成してもよい。
また、本発明の他の実施形態によれば、背面電極５００は、反射防止膜３００を形成した後に第１及び第２開口部２１０、３１０を形成する前に別途の焼成工程により形成してもよく、上記のような様々な背面電極５００の形成方法は本発明の太陽電池の性能に影響を与えない。
以下、本発明による実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。但し、これらの実施例は単なる発明の例示に過ぎず、これらにより発明の権利範囲が定められることはない。
＜製造例＞
［リンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストの製造］
［リンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストの製造］
［製造例１］
平均粒径が１００ｎｍであり、リンの含量が１７．４５ｗｔ％であるようにドーピングされたニッケルナノ粒子の粉末８５重量％、ブチルカルビトールアセテート１０重量％、バインダーとしてのエチルセルロース樹脂（商品名：Ｅｔｈｏｃｅｌ、Ｄｏｗ社製、Ｓｔａｎｄａｒｄ １００）５重量％を混合分散した。混合分散液を３ロールミリングにより分散してペーストを製造した。
平均粒径が１００ｎｍであり、リンの含量が１７．４５ｗｔ％であるようにドーピングされたニッケルナノ粒子の粉末８５重量％、ブチルカルビトールアセテート１０重量％、バインダーとしてのエチルセルロース樹脂（商品名：Ｅｔｈｏｃｅｌ、Ｄｏｗ社製、Ｓｔａｎｄａｒｄ １００）５重量％を混合分散した。混合分散液を３ロールミリングにより分散してペーストを製造した。
［製造例２］
平均粒径が１００ｎｍであり、リンの含量が１５．６８ｗｔ％であるようにドーピングされたニッケルナノ粒子を用いた以外は、前記製造例１の方法と同様にしてペーストを製造した。
平均粒径が１００ｎｍであり、リンの含量が１５．６８ｗｔ％であるようにドーピングされたニッケルナノ粒子を用いた以外は、前記製造例１の方法と同様にしてペーストを製造した。
［比較製造例１］
リンがドーピングされていない平均粒径８０ｎｍを有するニッケルナノ粒子を（（株）ドリム社製、Ｃｏｄｅ Ｎｏ． ＤＲ−ＮＩＭ−０４）を用いた以外は、前記製造例１の方法と同様にしてペーストを製造した。
リンがドーピングされていない平均粒径８０ｎｍを有するニッケルナノ粒子を（（株）ドリム社製、Ｃｏｄｅ Ｎｏ． ＤＲ−ＮＩＭ−０４）を用いた以外は、前記製造例１の方法と同様にしてペーストを製造した。
＜実施例＞
［太陽電池の製造］
［太陽電池の製造］
［実施例１］
１５６ｍｍの多結晶シリコンウェーハを用いて管状炉（ｔｕｂｅ ｆｕｒｎａｃｅ）で９００℃にてＰＯＣＬ３を用いる拡散工程によりリン（Ｐ）をドーピングして１００Ω／ｓｑのシート抵抗を有するエミッタ層を形成した。
１５６ｍｍの多結晶シリコンウェーハを用いて管状炉（ｔｕｂｅ ｆｕｒｎａｃｅ）で９００℃にてＰＯＣＬ３を用いる拡散工程によりリン（Ｐ）をドーピングして１００Ω／ｓｑのシート抵抗を有するエミッタ層を形成した。
前記エミッタ層の上にＰＥＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を蒸着して８０ｎｍの厚さに形成して反射防止膜を形成した。
Ａｌペースト（東洋アルミニウム株式会社製ＡＬＳＯＬＡＲ）を用いて背面にスクリーン印刷した。次いで、３００℃のベルト焼成炉で６０秒間乾燥した後に９００℃のベルト焼成炉（ｆｉｒｉｎｇ）で６０秒間焼結した。焼結後に形成された背面電極の厚さは、約３０μｍであった。
前記反射防止膜をレーザアブレーションを用いて４０μｍの幅で除去して開口部を形成した。前記製造例１に従い製造されたペーストを開口部にスクリーン印刷してニッケル層を形成した。
形成されたニッケル層上にガラスフリットを含んでいないＡｇペースト（（株）ＦＰ、ＦＴＬ−６０２）を用いて前面電極を形成した。次いで、９００℃のベルト焼成炉で２０秒間焼結して第１電極、第２電極及び前面電極を形成した。焼成されたフィンガー幅は約８０μｍであり、焼成された前面電極の厚さは約１０μｍであった。
［実施例２］
第１電極、第２電極及び前面電極の形成に際して、８００℃のベルト焼成炉を用いて２０秒間焼結した以外は、前記実施例１の方法と同様にして太陽電池を製造した。
第１電極、第２電極及び前面電極の形成に際して、８００℃のベルト焼成炉を用いて２０秒間焼結した以外は、前記実施例１の方法と同様にして太陽電池を製造した。
［比較例１］
前記比較製造例１に従い製造されたペーストを用いた以外は、前記実施例１の方法と同様にして太陽電池を製造した。
前記比較製造例１に従い製造されたペーストを用いた以外は、前記実施例１の方法と同様にして太陽電池を製造した。
＜実験例＞
［１．ニッケルシリサイドの形成評価］
［１．ニッケルシリサイドの形成評価］
［実験例１］
リンがドーピングされたニッケル粒子の焼結によりリンが純粋なシリコンウェーハ（Ｓｉ ｗａｆｅｒ）に拡散されることを確認するために不純物がドーピングされていないウェーハを準備した。
リンがドーピングされたニッケル粒子の焼結によりリンが純粋なシリコンウェーハ（Ｓｉ ｗａｆｅｒ）に拡散されることを確認するために不純物がドーピングされていないウェーハを準備した。
前記製造例１に従い製造されたペーストを用いてスクリーンプリンタにより前記ウェーハの上に印刷した後に窒素雰囲気下で９００℃のベルト焼成炉で２０秒間焼結した。
形成された構造の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて分析し、その結果を図２に示す。
また、エネルギー分散型Ｘ線ミクロ分析（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｍｉｃｒｏａｎａｌｙｓｉｓ）を用いて境界面を分析し、その結果を図３に示す。
図２及び３を参照すると、その境界面の下である純粋なシリコンウェーハの上端部分にニッケル（ｎｉｃｋｅｌ）成分が検出されることが確認されることにより、シリコン−ニッケル接触層の部分にニッケルシリサイドが形成されることが確認できる。
［実験例２］
前記製造例２に従い製造されたペーストを用いた以外は、前記実験例１の方法と同様にして焼結した。
前記製造例２に従い製造されたペーストを用いた以外は、前記実験例１の方法と同様にして焼結した。
ＥＤＸを用いて境界面を分析した結果を図４に示す。図４を参照すると、その境界面の下ある純粋なシリコンウェーハの上端部分にニッケル成分が検出されることが確認されることにより、シリコン−ニッケル接触層の部分にニッケルシリサイドが形成されることが確認できる。
［比較実験例１］
前記比較製造例１に従い製造されたペーストを用いた以外は、前記実験例１の方法と同様にして焼結した。
前記比較製造例１に従い製造されたペーストを用いた以外は、前記実験例１の方法と同様にして焼結した。
ＥＤＸを用いて境界面を分析した結果を図５に示す。図５を参照すると、その境界面の下である純粋なシリコンウェーハの上端部分にニッケル成分が検出されることが確認されることにより、接触層にニッケルシリサイドが形成されることが確認できる。
［２．シート抵抗評価］
［実験例３］
純粋な多結晶シリコンウェーハを用いて管状炉で９００℃にてＰＯＣＬ３を用いる拡散工程によりリン（Ｐ）をドーピングして７５Ω／ｓｑのシート抵抗を有するウェーハを用いた。
純粋な多結晶シリコンウェーハを用いて管状炉で９００℃にてＰＯＣＬ３を用いる拡散工程によりリン（Ｐ）をドーピングして７５Ω／ｓｑのシート抵抗を有するウェーハを用いた。
次いで、前記製造例１に従い製造されたペーストを用いてスクリーンプリンタにより上記のウェーハ上に印刷した後に窒素雰囲気下で焼結温度４００℃、６００℃、９００℃でベルト焼成を用いて２０秒間焼結した。それぞれの温度で焼結した後にシート抵抗を４−プローブメータを用いて測定した。その結果を表１及び図６に示す。
［比較実験例２］
純粋な多結晶シリコンウェーハを用いて管状炉で９００℃にてＰＯＣＬ３を用いる拡散工程によりリン（Ｐ）をドーピングして７５Ω／ｓｑのシート抵抗を有するウェーハを用いた。
純粋な多結晶シリコンウェーハを用いて管状炉で９００℃にてＰＯＣＬ３を用いる拡散工程によりリン（Ｐ）をドーピングして７５Ω／ｓｑのシート抵抗を有するウェーハを用いた。
次いで、前記比較製造例１に従い製造されたペーストを用いてスクリーンプリンタにより前記ウェーハ上に印刷した後に窒素雰囲気下で焼結温度４００℃、６００℃、９００℃でベルト焼成を用いて２０秒間焼結した。それぞれの温度で焼結した後にシート抵抗を４−プローブメータを用いて測定した。その結果を表１及び図６に示す。
表１及び図６を参照すると、実験例３及び比較実験例２は両方ともニッケルシリサイドが形成されるが、実験例３の場合にシート抵抗がさらに下がることを確認することができる。これは、エミッタ層の上にリンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストを用いて電極を形成することにより、高濃度のリンドーピング領域が形成されるとともにニッケルシリサイドが形成されて低い接触抵抗を示すことが認められる。
特に、焼結温度に依存したシート抵抗が比較実験例２よりも実験例３の方がさらに下がることを確認することができる。
［３．太陽電池の電気的性能評価］
前記実施例１、実施例２及び比較例１に従い製造された太陽電池の電気的性能をＡＳＴＭＧ−１７３−０３によりＡＭ１．５太陽条件下で米国ニュージャージー州テュモン（Ｄｕｍｏｎｔ）所在の株式会社ＮＰＣのソラーテスターＮＣＴ−Ｍ−１８０Ａを用いて測定した。
その結果を表２に示す。ここで、Ｊｓｃは、ゼロ出力電圧で測定された短絡回路電流密度を示し、Ｖｏｃは、ゼロ出力電流で測定された開放回路電圧を示し、直列抵抗（Ｒｓ）は、太陽電池の上部と下部電極との間に直列（ｓｅｒｉｅｓ）に働く抵抗であり、コンタクトインターフェースの組成及びマイクロ構造はＲｓを決定する。ＦＦ［％］はフィルファクター（ｆｉｌｌ ｆａｃｔｏｒ）を示し、Ｅｔａ［％］は効率を示す。
表２の結果のように、リンがドーピングされたニッケル粒子を用いた場合に直列抵抗（Ｒｓ）が下がって結果的にフィルファクターが増加し、その結果、太陽電池の効率が増加することが分かる。
１００ 基板
２００ エミッタ層
２１０ 第１開口部
２２０ 第１電極
３００ 反射防止膜
３１０ 第２開口部
３２０ 第２電極
４００ 前面電極
５００ 背面電極
２００ エミッタ層
２１０ 第１開口部
２２０ 第１電極
３００ 反射防止膜
３１０ 第２開口部
３２０ 第２電極
４００ 前面電極
５００ 背面電極
Claims (24)
- 第１導電型の基板と、
前記基板の上に配設され、第１開口部を備える第２導電型のエミッタ層と、
前記エミッタ層の上に配設され、前記第１開口部と連通する第２開口部を備える反射防止膜と、
前記第１開口部を充填し、リン及びニッケルシリサイドを含む第１電極と、
前記第１電極の上に形成され、前記第２開口部を充填し、リン及びニッケルを含む第２電極と、
前記第２電極の上に形成される前面電極と、
前記基板の背面に配設される背面電極と、
を備える太陽電池。 - 前記基板はＰ型不純物でドーピングされ、前記エミッタ層はＮ型不純物でドーピングされている請求項１に記載の太陽電池。
- 前記エミッタ層は、６０〜１２０Ω／ｓｑのシート抵抗を有する請求項１に記載の太陽電池。
- 前記エミッタ層の厚さは、１００〜５００ｎｍである請求項１に記載の太陽電池。
- 前記反射防止膜は、シリコン窒化膜、水素を含むシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、ＭｇＦ２膜、ＺｎＳ膜、ＴｉＯ２膜、ＣｅＯ２膜よりなる群から選ばれるいずれか一つの単一膜であるか、あるいは、前記単一膜から選ばれる２以上の膜が組み合わせられた多層膜である請求項１に記載の太陽電池。
- 前記エミッタ層は不純物としてリンを含み、前記第１電極は前記エミッタ層よりも高濃度のリンを含む請求項１に記載の太陽電池。
- 前記前面電極は、銀を含む請求項１に記載の太陽電池。
- 前記背面電極は、アルミニウムを含む請求項１に記載の太陽電池。
- 第１導電型の基板の上部に第２導電型のエミッタ層を形成するステップと、
前記エミッタ層の上部に反射防止膜を形成するステップと、
前記反射防止膜及び前記エミッタ層のうちの一部を除去して、前記エミッタ層の一部を露出させる第１開口部及び前記第１開口部と連通し、前記反射防止膜を露出させる第２開口部を形成するステップと、
前記第１及び第２開口部にリンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して、前記第１及び第２開口部にそれぞれ第１電極及び第２電極を形成するステップと、
前記第２電極の上に銀ペーストをスクリーン印刷した後に熱処理して前面電極を形成するステップと、
前記基板の背面にアルミニウムペーストを印刷した後に熱処理して背面電極を形成するステップと、
を含む太陽電池の製造方法。 - 前記リンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストは、前記ペースト１００重量部に対して、リンがドーピングされたニッケルナノ粒子６０〜９５重量部と、バインダー１〜２０重量部と、溶媒１〜２０重量部とを含む請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記リンがドーピングされたニッケルナノ粒子の平均粒径は、５〜２００ｎｍである請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記リンがドーピングされたニッケルナノ粒子は、ニッケルナノ粒子の総重量に対して１〜２０重量％のリンを含む請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記バインダーは、不飽和カルボン酸と不飽和二重結合を有する化合物を共重合することにより得られるカルボキシル基含有感光性樹脂と、不飽和カルボン酸と不飽和二重結合を有する化合物の共重合体にエチレン性不飽和基をペンダント基として付加することにより得られるカルボキシル基含有感光性樹脂と、不飽和二重結合を有する酸無水物と不飽和二重結合を有する化合物の共重合体に水酸基と不飽和二重結合を有する化合物を反応させることにより得られるカルボキシル基含有感光性樹脂と、からなる群から選ばれた１種以上である請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記溶媒は、ａ−テルピノール、ブチルカルビトールアセテート、テクサノール、ブチルカルビトール及びジプロピレングリコールモノメチルエーテルよりなる群から選ばれる１種以上である請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記銀ペーストは、ガラスフリットを含んでいない請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記アルミニウムペーストは、アルミニウム、石英及びバインダーを含む請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第１及び第２開口部は、レーザアブレーションを用いて形成される請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記エミッタ層は、６０〜１２０Ω／ｓｑのシート抵抗及び１００〜５００ｎｍの厚さを有するように形成される請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記エミッタ層は不純物としてリンを含み、前記第１電極は前記エミッタ層よりも高濃度のリンを含む請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第１電極はリン及びニッケルシリサイドを含み、前記第２電極はリン及びニッケルを含む請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記リンがドーピングされたニッケルナノ粒子を含むペーストを熱処理するステップ及び前記銀ペーストを熱処理するステップは、同時に行われる請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記熱処理するステップは、４００〜９００℃の温度で１０秒〜２０分間焼結することにより行われる請求項２１に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記背面電極を形成するステップは、前記前面電極を形成するステップ後に行われるか、または、前記前面電極を形成するステップと同時に行われる請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記背面電極を形成するステップは、前記反射防止膜を形成した後に前記第１及び第２開口部を形成する前に行われる請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110132202A KR101149891B1 (ko) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR10-2011-0132202 | 2011-12-09 | ||
| PCT/KR2012/010428 WO2013085248A1 (en) | 2011-12-09 | 2012-12-04 | Solar cell and method for preparing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015506101A true JP2015506101A (ja) | 2015-02-26 |
| JP6050376B2 JP6050376B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=46607145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014545810A Active JP6050376B2 (ja) | 2011-12-09 | 2012-12-04 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140338743A1 (ja) |
| EP (1) | EP2789017B1 (ja) |
| JP (1) | JP6050376B2 (ja) |
| KR (1) | KR101149891B1 (ja) |
| CN (1) | CN104011874B (ja) |
| WO (1) | WO2013085248A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140011462A (ko) | 2012-07-18 | 2014-01-28 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
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| EP3509112B1 (en) | 2014-11-28 | 2020-10-14 | LG Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| KR101859017B1 (ko) | 2015-12-02 | 2018-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 전극 및 태양 전지 |
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| KR101172385B1 (ko) | 2008-12-15 | 2012-08-08 | 제일모직주식회사 | 인조대리석용 마블칩, 그 제조방법 및 이를 포함하는 인조대리석 |
| US8710355B2 (en) * | 2008-12-22 | 2014-04-29 | E I Du Pont De Nemours And Company | Compositions and processes for forming photovoltaic devices |
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-
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- 2011-12-09 KR KR1020110132202A patent/KR101149891B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-12-04 EP EP12854794.0A patent/EP2789017B1/en active Active
- 2012-12-04 US US14/363,106 patent/US20140338743A1/en not_active Abandoned
- 2012-12-04 CN CN201280060746.0A patent/CN104011874B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-04 WO PCT/KR2012/010428 patent/WO2013085248A1/en active Application Filing
- 2012-12-04 JP JP2014545810A patent/JP6050376B2/ja active Active
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| JP2010526414A (ja) * | 2007-04-25 | 2010-07-29 | フエロ コーポレーション | 銀及びニッケル、もしくは、銀及びニッケル合金からなる厚膜導電体形成、及びそれから作られる太陽電池 |
| JP2009147050A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Bridgestone Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2011514011A (ja) * | 2008-03-10 | 2011-04-28 | カリソーラー インコーポレイテッド | 低級原材料に基づく結晶シリコンを用いた太陽電池および製造方法 |
| JP2010093079A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Kyoto Elex Kk | 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013085248A1 (en) | 2013-06-13 |
| CN104011874A (zh) | 2014-08-27 |
| EP2789017A1 (en) | 2014-10-15 |
| US20140338743A1 (en) | 2014-11-20 |
| EP2789017A4 (en) | 2015-09-02 |
| CN104011874B (zh) | 2016-05-04 |
| KR101149891B1 (ko) | 2012-06-11 |
| EP2789017B1 (en) | 2018-10-24 |
| JP6050376B2 (ja) | 2016-12-21 |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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