JP2015026812A - チップ電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】薄膜型に製造されることにより薄い厚さが維持されて小型化が可能となり且つ高周波及び高電流でも磁性損失による効率低下を防止することができ、充填率を向上させることにより高透磁率、高効率及び高Ｉｓａｔ値を示すことができるチップ電子部品を提供する。
【解決手段】薄膜型インダクター１０は、鉄（Ｆｅ）を含む非晶質金属である、粗粉の第１の磁性粒子５２と微粉の第２の磁性粒子５３とを混合して磁性体本体５０を形成することにより、充填率が向上する効果をもたらし、これにより、透磁率が顕著に向上してインダクタンス及びＩｓａｔ値が向上する効果をもたらす。
【選択図】図３
【解決手段】薄膜型インダクター１０は、鉄（Ｆｅ）を含む非晶質金属である、粗粉の第１の磁性粒子５２と微粉の第２の磁性粒子５３とを混合して磁性体本体５０を形成することにより、充填率が向上する効果をもたらし、これにより、透磁率が顕著に向上してインダクタンス及びＩｓａｔ値が向上する効果をもたらす。
【選択図】図３
Description
本発明は、チップ電子部品に関し、より詳細には、ＩＴデバイス等に備えられてノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去することができるチップ電子部品に関する。
チップ電子部品の一つであるインダクター（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシタと共に電子回路をなし、ノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な受動素子であり、電磁気的特性を用いてキャパシタと組み合わせて特定周波数帯域の信号を増幅させる共振回路、フィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）回路等の構成に用いられる。
一方、携帯電話、ノートパソコン等のデジタル機器及びマルチメディア製品等の各種電気電子情報通信機器の小型軽量化及び薄型化に伴い、インダクターも小型で高密度の自動表面実装が可能なチップに急速に転換されており、これにより、メッキで取り付けられたコイル導線の上に磁性粉末を樹脂と混合させて形成させた薄膜型インダクターが開発されている。
小型軽量化及び薄型化に伴い、高いインダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ、Ｌ）又は微細容量、高い品質係数（Ｑｕａｌｉｔｙ Ｆａｃｔｏｒ、Ｑ）、高い自己共振周波数（Ｓｅｌｆ Ｒｅｓｏｎａｎｔ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＳＲＦ、低い直流抵抗（Ｒｄｃ）及び高い耐電流特性（Ｒａｔｅｄ Ｃｕｒｒｅｎｔ）の製品が求められている。
決められた単位体積で高いインダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）を得るためには、高い透磁率の材料が求められ、高い透磁率を得るためには、通常、粒度の大きい磁性体を用いる。
しかしながら、大きな粒子は、周波数及び使用電流が大きくなる場合には、磁性損失（Ｃｏｒｅ Ｌｏｓｓ）による効率が低下するという問題がある。したがって、高周波における効率低下を防止するためには、粒子のサイズを減らすことが必要である。
但し、小さな粒子を用いる場合には、大きな粒子を用いる場合に比べて透磁率が低いことからインダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）が減少するという問題がある。したがって、充填率を高めて透磁率を高める方案が必須である。図１は、従来の薄膜型インダクターの断面図であり、均一な粒子の磁性体を用いることから充填率が低いため十分な透磁率が得られないという問題を有する。
下記特許文献１は、粒度分布が５〜３０μｍの金属磁性粉末の磁性層を用いたコイル装置を開示している。しかしながら、特許文献１の発明は、均一な粒度の磁性体粒子で構成されることから十分な充填率を確保することができないため透磁率の向上に限界があるという問題を有する。
本発明の目的は、薄膜型に製造されることにより薄い厚さが維持されて小型化が可能となり、充填率を向上させることにより高透磁率、高効率及び高Ｉｓａｔ値を有するチップ電子部品及びその製造方法を提供することである。
上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態によれば、絶縁基板を含む磁性体本体と、上記絶縁基板の少なくとも一面に形成される内部導体パターン部と、上記磁性体本体の外面に形成され、上記内部導体パターン部と接続する外部電極と、を含み、上記磁性体本体は第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を含み、上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子は鉄（Ｆｅ）を含む非晶質金属であり、上記第１の磁性粒子は長軸の長さが１５μｍ以上の粗粉であり、上記第２の磁性粒子は長軸の長さが５μｍ以下の微粉であるチップ電子部品が提供される。
上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子は、鉄（Ｆｅ）以外に少なくとも三つ以上の金属をさらに含む非晶質金属であれば良い。
上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子は、鉄（Ｆｅ）と、珪素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択された少なくとも三つ以上の金属と、を含む非晶質金属であれば良い。
上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子は、Ｆｅ‐Ｓｉ‐Ｂ‐Ｃｒ系非晶質金属であれば良い。
上記磁性体本体の一断面において、上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子の占める断面積比は１０：１〜１８：１であれば良い。
上記第１の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０は、第２の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０に比べて４〜１３．５倍大きければ良い。
上記第１の磁性粒子は、粒度分布Ｄ５０が１８〜２２μｍであれば良い。
上記第１の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０は、第２の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０に比べて１５〜１８μｍ大きければ良い。
上記第２の磁性粒子は、粒度分布Ｄ５０が２〜４μｍであれば良い。
上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子は、６：４〜８：２の重量比で混合されることができる。
上記磁性体本体の充填率（ｄｅｎｓｉｔｙ）は８０％以上であれば良い。
本発明の他の実施形態によれば、絶縁基板の少なくとも一面に内部導体パターンを形成する段階と、上記内部導体パターンが形成された基板の上面及び下面に磁性体層を積層し圧着して磁性体本体を形成する段階と、上記磁性体本体の外面に上記内部導体パターンと接続するように外部電極を形成する段階と、を含み、上記磁性体本体は第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を混合して形成され、上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子は鉄（Ｆｅ）を含む非晶質金属であり、上記第１の磁性粒子は長軸の長さが１５μｍ以上の粗粉であり、上記第２の磁性粒子は長軸の長さが５μｍ以下の微粉であるチップ電子部品の製造方法が提供される。
上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子は、鉄（Ｆｅ）と、珪素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択された少なくとも三つ以上の金属と、を含む非晶質金属であれば良い。
上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子は、Ｆｅ‐Ｓｉ‐Ｂ‐Ｃｒ系非晶質金属であれば良い。
上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を６：４〜８：２の混合重量比で混合することができる。
上記第１の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０は、第２の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０に比べて４〜１３．５倍大きければ良い。
上記第１の磁性粒子は、粒度分布Ｄ５０が１８〜２２μｍであれば良い。
上記第１の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０は、第２の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０に比べて１５〜１８μｍ大きければ良い。
上記第２の磁性粒子は、粒度分布Ｄ５０が２〜４μｍであれば良い。
本発明の一実施形態によるチップ電子部品は、薄膜型に製造されることにより薄い厚さが維持されて小型化が可能となり且つ高周波及び高電流でも磁性損失による効率低下を防止することができ、充填率を向上させることにより高透磁率、高効率及び高Ｉｓａｔ値を示すことができる。
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
［チップ電子部品］
図２は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の概略斜視図であり、図３は図２のＩ‐Ｉ'線に沿う断面図である。
図２は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の概略斜視図であり、図３は図２のＩ‐Ｉ'線に沿う断面図である。
図２及び図３を参照すると、チップ電子部品の一例として電源供給回路の電源ラインに用いられる薄膜型インダクター１０が示されている。上記チップ電子部品は、チップインダクター以外にもチップビーズ（ｃｈｉｐ ｂｅａｄｓ）、チップフィルタ（ｃｈｉｐ ｆｉｌｔｅｒ）等として適切に応用されることができる。
上記薄膜型インダクター１０は、磁性体本体５０、絶縁基板２３、内部導体パターン部４２、４４及び外部電極８０を含む。
上記磁性体本体５０は六面体形であれば良く、図２のＬ、Ｗ及びＴはそれぞれ長さ方向、幅方向、厚さ方向を示す。
上記磁性体本体５０は、厚さ方向の両端面、長さ方向の両端面及び幅方向の両端面を含むことができる。上記磁性体本体５０は、長さ方向の長さが幅方向の長さより大きい直方体の形状を有することができる。
上記磁性体本体５０の内部に形成される上記絶縁基板２３は、電解メッキ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｐｌａｔｉｎｇ）で内部導体パターン部４２、４４が形成できる材質であれば特に制限されず、例えば、エポキシ樹脂等を含み、薄い薄膜で形成されることができる。
上記絶縁基板２３の一面にコイル状のパターンを有する内部導体パターン部４２が形成され、上記絶縁基板２３の反対面にもコイル状のパターンを有する内部導体パターン部４４が形成されることができる。上記絶縁基板２３の一面に形成される内部導体パターン部４２の一端部は磁性体本体５０の長さ方向の一端面に露出し、絶縁基板２３の反対面に形成される内部導体パターン部４４の一端部は磁性体本体５０の長さ方向の他端面に露出することができる。
また、上記絶縁基板２３の一面と反対面に形成される内部導体パターン部４２、４４は、上記絶縁基板２３に形成されるビア電極４６を介して電気的に接続されることができる。
上記絶縁基板２３の中央部には絶縁基板を貫通するホールが形成され、上記ホールは磁性体本体を形成する金属系軟磁性材料等の磁性体で充填されてコア部７１を形成することができる。磁性体で充填されるコア部７１を形成することにより、インダクタンスを向上させることができる。
上記磁性体本体５０の長さ方向の両端面には、露出する上記内部導体パターン部４２、４４と接続するように外部電極８０が形成されることができる。上記内部導体パターン部４２、４４、ビア電極４６、外部電極８０は、電気伝導性に優れた金属、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）又はこれらの合金等で形成されることができる。
より具体的には、上記磁性体本体５０は第１の磁性粒子５２及び第２の磁性粒子５３を含み、上記第１の磁性粒子５２及び第２の磁性粒子は鉄（Ｆｅ）を含む非晶質金属であり、上記第１の磁性粒子は長軸の長さが１５μｍ以上の粗粉であり、上記第２の磁性粒子は長軸の長さが５μｍ以下の微粉である。
本発明の一実施形態による薄膜型インダクター１０の断面図である図３を参照すると、磁性体本体５０は、粗粉の第１の磁性粒子５２と微粉の第２の磁性粒子５３とが混合されて形成される。
このように粒度分布の相違した第１の磁性粒子５２及び第２の磁性粒子５３を混合して磁性体本体５０を形成することにより、充填率が向上する効果をもたらし、これにより、透磁率が顕著に向上してインダクタンス及びＩｓａｔ値が向上する効果をもたらす。
上記第１の磁性粒子５２及び第２の磁性粒子５３は、鉄（Ｆｅ）以外に少なくとも三つ以上の金属をさらに含む非晶質金属であれば良い。
粗粉の第１の磁性粒子５２のみならず微粉の第２の磁性粒子５３も非晶質金属で形成されることにより、インダクタンス等の性能の向上に有利な効果をもたらし、粒子の形状も容易に球形となるため、充填率の向上にも優れた効果をもたらす。
上記第１の磁性粒子５２及び第２の磁性粒子５３は、鉄（Ｆｅ）と、珪素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択された少なくとも三つ以上の金属と、を含む非晶質金属、例えば、Ｆｅ‐Ｓｉ‐Ｂ‐Ｃｒ系非晶質金属であれば良い。
上記第１の磁性粒子５２及び第２の磁性粒子５３は、同種の非晶質金属であっても良く、別種の非晶質金属であっても良い。
上記第１の磁性粒子５２の粒度分布Ｄ５０は、第２の磁性粒子５３の粒度分布Ｄ５０に比べて４〜１３．５倍大きければ良い。
ここで、粒度分布Ｄ５０を定義するにあたり、１，０００倍に撮影したＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真の１視野当たりの面積を１２．５μｍ２としたときに５０視野分に該当する磁性粒子の粒度を求めて粒度の小さい順に並べた後、各粒度の累計が視野全体の５０％に達する順位の粒度をその視野における粒度分布Ｄ５０と定義した。
第１の磁性粒子５２の粒度分布Ｄ５０が第２の磁性粒子５３の粒度分布Ｄ５０に比べて４〜１３．５倍大きいとき、充填率が顕著に向上し、透磁率が増加してインダクタンスが顕著に向上する効果がある（表３参照）。
より具体的には、上記第１の磁性粒子５２の粒度分布Ｄ５０は、第２の磁性粒子５３の粒度分布Ｄ５０に比べて１５〜１８μｍ大きければ良い。第１の磁性粒子５２と第２の磁性粒子５３との粒度分布Ｄ５０の差が１５μｍ未満であるか１８μｍを超える場合は、充填率の向上の効果が弱くてインダクタンスの向上率が少なくなる可能性がある。
上記第１の磁性粒子５２は、粒度分布Ｄ５０が１８〜２２μｍであれば良い。第１の磁性粒子５２の粒度分布Ｄ５０が１８〜２２μｍの場合は、高周波における磁性損失が少なく且つ高い透磁率を確保することができる。第１の磁性粒子５２の粒度分布Ｄ５０が１８μｍ未満の場合は、十分な透磁率を確保することができず、２２μｍを超える場合は、高周波数及び高電流における効率が顕著に減少する問題が発生する可能性がある。
また、上記第２の磁性粒子５３は、粒度分布Ｄ５０が２〜４μｍであれば良い。第２の磁性粒子５３の粒度分布Ｄ５０が２〜４μｍの場合は、第１の磁性粒子５２と混合されて充填率が顕著に向上し、透磁率が顕著に向上することができる。第２の磁性粒子５３の粒度分布Ｄ５０が２μｍ未満であるか４μｍを超える場合は、充填率の向上の効果が弱くて透磁率が減少する問題が発生する可能性がある。
上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を６：４〜８：２の重量比で混合して磁性体本体５０を形成することができる。
この際、磁性体本体５０の一断面において、上記粗粉の第１の磁性粒子５２及び第２の磁性粒子５３の占める断面積比が１０：１〜１８：１であれば良い。上記第１の磁性粒子５２及び第２の磁性粒子５３の断面積比が上記範囲内の場合、充填率が顕著に向上して高透磁率を示すことができる。
本発明の一実施形態による上記磁性体本体５０は、充填率（ｄｅｎｓｉｔｙ）が８０％以上を満たすことができる。
粒度分布Ｄ５０が３μｍの磁性粒子を均一に形成した場合（比較例１）には充填率（ｄｅｎｓｉｔｙ）が６２．７％に過ぎないが、本発明の一実施形態により粒度分布Ｄ５０が２０μｍの第１の磁性粒子と粒度分布Ｄ５０が３μｍの第２の磁性粒子を７：３の重量比で混合して形成した場合（実施例５）には充填率（ｄｅｎｓｉｔｙ）が７６．１％と、約１４％以上向上した（表１参照）。
これにより、本発明の一実施形態による薄膜型インダクター１０は、高透磁率、高効率及び高Ｉｓａｔ値を具現することができる（表２参照）。
［チップ電子部品の製造方法］
図４は、図２のチップ電子部品の製造方法を概略的に示す図である。
図４は、図２のチップ電子部品の製造方法を概略的に示す図である。
まず、図４（ａ）を参照すると、絶縁基板２３の一面及び反対面に内部導体パターン部４２、４４を形成することができる。内部導体パターン部４２、４４の形成方法としては、プリント配線板の製造工程に用いられているメッキ法、エッチング法、印刷法、転写法等の工程を用いることができるが、内部導体パターン部４２、４４をより厚く形成するためにはメッキ法が好ましい。上記内部導体パターン部４２、４４は、電気伝導性に優れた金属、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）又はこれらの合金等で形成されることができる。
上記絶縁基板２３の一部にホールを形成し伝導性物質を充填してビア電極４６を形成することができる。上記ビア電極４６を介して絶縁基板２３の一面と反対面に形成される内部導体パターン部４２、４４は電気的に接続されることができる。
上記絶縁基板２３の中央部には、絶縁基板を貫通するホール７０が形成されることができる。ホール７０は、ドリル、レーザー、サンドブラスト、パンチング加工等を行って形成されることができるが、これに制限されない。
次に、図４（ｂ）を参照すると、絶縁基板２３の一面及び反対面に形成された内部導体パターン部４２、４４を絶縁層２７で被覆することができる。
次に、図４（ｃ）を参照すると、上記内部導体パターン部４２、４４が形成された絶縁基板２３の上面及び下面に磁性体層を積層して磁性体本体５０を形成することができる。磁性体層を絶縁基板２３の両面に積層し、ラミネート法や静水圧プレス法で圧着して磁性体本体５０を形成することができる。この際、上記ホール７０を磁性体で充填することによりコア部７１を形成することができる。
この際、上記磁性体本体５０は第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を含み、第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子は鉄（Ｆｅ）を含む非晶質金属であり、上記第１の磁性粒子は長軸の長さが１５μｍ以上の粗粉であり、上記第２の磁性粒子は長軸の長さが５μｍ以下の微粉である。
なお、本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法に同一に適用される上記第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子に関する詳細な説明は以下省略する。
最後に、図４（ｄ）を参照すると、上記磁性体本体５０の長さ方向の両端面に外部電極８０を形成して薄膜型インダクター１０を製造することができる。上記外部電極８０は、上記内部導体パターン部４２、４４の端部と連結されるように形成され、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法等を行って形成されることができる。上記外部電極は、電気伝導性に優れた金属、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）又はこれらの合金等で形成されることができる。
下記表１及び表２は、Ｆｅ‐Ｓｉ‐Ｂ‐Ｃｒ系非晶質金属である第１の磁性粒子と第２の磁性粒子との混合重量比による薄膜型インダクターの充填率、透磁率及びインダクタンス値の結果を示したものである。
下記表３は、Ｆｅ‐Ｓｉ‐Ｂ‐Ｃｒ系非晶質金属である第１の磁性粒子と第２の磁性粒子との粒子のサイズの比による充填率、透磁率及びインダクタンス値の結果を示したものである。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
１０ 薄膜型インダクター
４６ ビア電極
５０ 磁性体本体
２７ 絶縁層
５２ 第１の磁性粒子
７０ ホール
５３ 第２の磁性粒子
７１ コア部
２３ 絶縁基板
８０ 外部電極
４２、４４ 内部導体パターン部
４６ ビア電極
５０ 磁性体本体
２７ 絶縁層
５２ 第１の磁性粒子
７０ ホール
５３ 第２の磁性粒子
７１ コア部
２３ 絶縁基板
８０ 外部電極
４２、４４ 内部導体パターン部
Claims (27)
- 絶縁基板を含む磁性体本体と、
前記絶縁基板の少なくとも一面に形成される内部導体パターン部と、
前記磁性体本体の外面に形成され、前記内部導体パターン部と接続する外部電極と、
を含み、
前記磁性体本体は第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を含み、
前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子は鉄（Ｆｅ）を含む非晶質金属であり、
前記第１の磁性粒子は長軸の長さが１５μｍ以上の粗粉であり、
前記第２の磁性粒子は長軸の長さが５μｍ以下の微粉である、チップ電子部品。 - 前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子は、鉄（Ｆｅ）以外に少なくとも三つ以上の金属をさらに含む非晶質金属である、請求項１に記載のチップ電子部品。
- 前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子は、鉄（Ｆｅ）と、珪素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択された少なくとも三つ以上の金属と、を含む非晶質金属である、請求項１または２に記載のチップ電子部品。
- 前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子は、Ｆｅ‐Ｓｉ‐Ｂ‐Ｃｒ系非晶質金属である、請求項１から３の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記磁性体本体の一断面において、前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子の占める断面積比は１０：１〜１８：１である、請求項１から４の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記第１の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０は、前記第２の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０に比べて４〜１３．５倍大きい、請求項１から５の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記第１の磁性粒子は、粒度分布Ｄ５０が１８〜２２μｍである、請求項１から６の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記第１の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０は、前記第２の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０に比べて１５〜１８μｍ大きい、請求項１から７の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記第２の磁性粒子は、粒度分布Ｄ５０が２〜４μｍである、請求項１から８の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子は、６：４〜８：２の重量比で混合される、請求項１から９の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記磁性体本体の充填率（ｄｅｎｓｉｔｙ）は８０％以上である、請求項１から１０の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 絶縁基板の少なくとも一面に内部導体パターンを形成する段階と、
前記内部導体パターンが形成された基板の上面及び下面に磁性体層を積層し圧着して磁性体本体を形成する段階と、
前記磁性体本体の外面に前記内部導体パターンと接続するように外部電極を形成する段階と、
を含み、
前記磁性体本体は第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を混合して形成され、
前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子は鉄（Ｆｅ）を含む非晶質金属であり、
前記第１の磁性粒子は長軸の長さが１５μｍ以上の粗粉であり、
前記第２の磁性粒子は長軸の長さが５μｍ以下の微粉である、チップ電子部品の製造方法。 - 前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子は、鉄（Ｆｅ）と、珪素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択された少なくとも三つ以上の金属と、を含む非晶質金属である、請求項１２に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子は、Ｆｅ‐Ｓｉ‐Ｂ‐Ｃｒ系非晶質金属である、請求項１２または１３に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子を６：４〜８：２の混合重量比で混合する、請求項１２から１４の何れか１項に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第１の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０は、前記第２の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０に比べて４〜１３．５倍大きい、請求項１２から１５の何れか１項に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第１の磁性粒子は、粒度分布Ｄ５０が１８〜２２μｍである、請求項１２から１６の何れか１項に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第１の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０は、前記第２の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０に比べて１５〜１８μｍ大きい、請求項１２から１７の何れか１項に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記第２の磁性粒子は、粒度分布Ｄ５０が２〜４μｍである、請求項１２から１８の何れか１項に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 第１の主面及び前記第１の主面と対向する第２の主面を有する絶縁基板を含む磁性体本体と、
前記絶縁基板の前記第１の主面上に形成された第１の内部導体パターン部と、
前記絶縁基板の前記第２の主面上に形成された第２の内部導体パターン部と、
前記磁性体本体の第１の表面上に形成され、前記第１の内部導体パターン部と接続する第１の外部電極と、
前記第１の外部電極と対向し、前記磁性体本体の第２の表面上に形成された第２の外部電極と、
を含み、
前記第１の内部導体パターン部と前記第２の内部導体パターン部は前記絶縁基板を貫通するビア電極によって電気的に連結され、
前記磁性体本体は第１の磁性粒子及び第２の磁性粒子を含み、
前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子は鉄（Ｆｅ）を含む非晶質金属であり、
前記第１の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０は前記第２の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０に比べて４〜１３．５倍大きい、チップ電子部品。 - 前記第１の磁性粒子は長軸の長さが１５μｍ以上であり、前記第２の磁性粒子は長軸の長さが５μｍ以下である、請求項２０に記載のチップ電子部品。
- 前記第１及び第２の内部導体パターン部は第１及び第２の磁性粒子で充填されたコア部をさらに含む、請求項２０または２１に記載のチップ電子部品。
- 前記第１の磁性粒子は粒度分布Ｄ５０が１８〜２２μｍである、請求項２０から２２の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記第１の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０は前記第２の磁性粒子の粒度分布Ｄ５０に比べて１５〜１８μｍ大きい、請求項２０から２３の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記第２の磁性粒子は粒度分布Ｄ５０が２〜４μｍである、請求項２０から２４の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記第１の磁性粒子及び前記第２の磁性粒子は６：４〜８：２の混合重量比で混合される、請求項２０から２５の何れか１項に記載のチップ電子部品。
- 前記磁性体本体は気孔度が２０％以下である、請求項２０から２６の何れか１項に記載のチップ電子部品。
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