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JP2012068536A - 耐熱遮光フィルムとその製造方法、および耐熱遮光フィルムを用いた絞りと光量調整用絞り装置 - Google Patents

耐熱遮光フィルムとその製造方法、および耐熱遮光フィルムを用いた絞りと光量調整用絞り装置 Download PDF

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JP2012068536A JP2010214469A JP2010214469A JP2012068536A JP 2012068536 A JP2012068536 A JP 2012068536A JP 2010214469 A JP2010214469 A JP 2010214469A JP 2010214469 A JP2010214469 A JP 2010214469A JP 2012068536 A JP2012068536 A JP 2012068536A
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和彦 大久保
Katsushi Ono
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Abstract

【課題】 200℃以上の高温に晒される液晶プロジェクタの光量調整用絞り羽根や、加工時に高温に晒されるデジタルカメラのシャッター羽根や固定絞りとして用いられる表面に微細な凹凸構造を有する耐熱性に優れた遮光フィルムを提供する。
【解決手段】 200℃以上の耐熱性を有する樹脂フィルム基材(A)の表面をプラズマ処理もしくはイオン照射処理による表面処理を行い、その表面上にスパッタリング法により形成される50nm以上の膜厚を有する遮光膜(B)と、その遮光膜(B)上にスパッタリング法により形成される低反射性の金属酸化物膜(C)からなる積層膜を備え、表面処理が施された樹脂フィルム基材(A)表面の表面粗さが、算術平均高さRaにおいて0.2〜0.8μm、かつ積層膜の表面粗さが算術平均高さRaにおいて0.1〜0.7μmであることを特徴とする耐熱遮光フィルム。
【選択図】 図1

Description

本発明は、耐熱遮光フィルムとその製造方法、及びその製造方法によって作製された耐熱遮光フィルムを用いた絞り又は光量調整用絞り装置に関し、より詳しくは、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラのレンズシャッターなどのシャッター羽根または絞り羽根やプロジェクタの絞りや光量調整用絞り装置(オートアイリスともいう)の絞り羽根などの光学機器部品として用いられ、遮光性、耐熱性、摺動性、低光沢性、導電性に優れた耐熱遮光フィルムとその製造方法、及びその耐熱遮光フィルムを用いた絞り、光量調整用絞り装置に関するものである。
現在、シャッタースピードが高速化してきていることによって、カメラ用のシャッター羽根や絞り羽根には、極めて短時間に動作と停止が求められ、そのためには軽量かつ高摺動性が求められてきている。
また、シャッター羽根や絞り羽根は、フィルムなどの感光材、CCDなどの撮像素子の前面を覆って光を遮るものなので、基本的に遮光性が重要であり、この光学機器用の羽根は、複数枚が互いに重なり合って動作するので滑らかな動作のために摺動性も必要である。
さらに、各羽根間の漏れ光を防ぐために表面の反射率は低いことが望まれ、使用環境によっては、カメラ内部が高温となる場合もあり、耐熱性も求められている。
一方、プレゼンテーション、ホームシアターなどの映像観賞用の投影装置である液晶プロジェクタの光量調整用絞り羽根に使用される遮光フィルムでも、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラに使用されるものと同様な特性が求められているが、特に耐熱性に関しては、カメラ以上の耐熱性が要求されている。
一般的に、このような遮光フィルムは、ポリエチレンテレフタレート(PET)に代表されるプラスチックフィルムや、ステンレス、SK鋼材、Al材等の金属薄板を基材としたものが実用化されている。
カメラのレンズシャッターにおいて、金属薄板の遮光フィルムをシャッター羽根、絞り羽根として用いる場合、その羽根を開閉する際に、金属板同士が擦れあって大きな騒音が発生する。
また、液晶プロジェクタでは、映像が変化するときに光量調整用絞り装置の絞り羽根を高速で移動させて各画像の輝度変化を和らげる必要があるが、金属薄板の遮光フィルムを絞り羽根に用いた場合、羽根同士の擦れによる騒音を繰り返し発生する。そこで、この騒音を低減するためには羽根を低速で動作させることになり、この場合、画像の変化に光量調整が追いつかず、画像が不安定となるという問題があった。
ところで、前記問題や軽量化の観点から、近年の遮光フィルムの構成は、金属薄板でなくプラスチックフィルムを基材に用いることが主流となってきているが、絶縁性のプラスチックフィルムを遮光羽根に用いると、静電気の帯電によるゴミ付着の問題が生じるため、プラスチック基材を用いた遮光フィルムには導電性も求められている。
このような状況から、遮光フィルムの必要特性は、高遮光性、耐熱性、低光沢性、摺動性、導電性、低発塵性であるとされている。そこで、このような遮光フィルムの特性を満足するために、従来からさまざまな材料、フィルム構造を用いたものが提案されている。
例えば、特許文献1には、遮光性、低光沢性、導電性の点からランプ光源等から発せられる光を吸収させるためにカーボンブラック、チタンブラック等の導電性黒色微粒子をポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムなどの樹脂フィルムに含浸させ遮光性及び導電性を持たせ、更に遮光フィルムの片面または両面をマット処理し、低光沢性とした遮光フィルムが開示されている。
特許文献2では、樹脂フィルム表面上に、遮光性と導電性を有するカーボンブラックなどの黒色顔料や潤滑剤、艶消し剤を含有した熱硬化性樹脂層を塗布し、遮光性、導電性、潤滑性、低光沢性を付与した遮光フィルムが開示されている。
特許文献3では、アルミニウム合金などの金属製羽根材料の表面に硬質炭素膜を形成した遮光材が開示されている。
特許文献4では、遮光羽根の剛性を高めるためプラスチック基材の両面に炭素繊維を含有する熱硬化性樹脂のプリプレグシートで強化した遮光羽根の構造が開示されている。
さらに、近年、液晶プロジェクタではリビングルームといった明るい環境下でも鮮やかなハイコントラストな映像が楽しめるように高画質化の要求が高まっている。したがって、画質の高輝度化によりランプ光源が高出力となるため、光量調整用絞り装置内の温度が高くなる傾向にある。このことは、光量を調整する遮光フィルムに対して高出力な光が照射されるため、遮光フィルムが加熱されて熱変形しやすい環境であることを意味している。
このような遮光フィルムの基材、例えばポリエチレンテレフタレートを基材とした遮光フィルムは、比重も軽いので広く使用されているが、ランプ光源が高出力となる場合、ポリエチレンテレフタレートは熱変形温度が低く、引張弾性率などの機械的強度が弱いため、走行中もしくは制動時に発生する振動や衝撃などで遮光羽根が歪んでしまう可能性がある。
また、遮光フィルムに低光沢性や摺動性を発揮させるため、サンドブラスト法によるマット処理が行われている。このマット処理は、更に、入射光を散乱させ表面の光沢性を低下させ、視認性を向上させる効果もある。このマット処理により、遮光フィルムが接触しても遮光フィルム同士の接触面積が大きくならず摺動性の低下も防止できるものと考えられる。
デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、液晶プロジェクタでは、遮光フィルムをシャッター羽根、絞り羽根等として必ず複数枚近接し、かつ重なり合って使用するようになってきているため、有機成分の遮光材、潤滑剤、艶消し剤を使用している遮光フィルムでは、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラや液晶プロジェクタが暴露される温度、湿度といった使用環境がより厳しくなっている。
特に、液晶プロジェクタでは、上述のように、近年の画像の高輝度化に伴うランプ光源の高出力化により、光量調整用絞り装置内の温度が200℃付近まで上昇するようになってきている。このような厳しい環境下で、上記のような従来の遮光フィルムを使用すると、変形したり、変色したりするなど、耐久性の面で好ましくなく、実用上問題があった。
さらに、200℃以上での高熱環境下における遮光フィルムの熱変形が大きくなると、遮光フィルム同士の接触により、高速の動作ができなくなるなど摺動性が劣化し、表面に微細な凹凸構造を有する低光沢性遮光フィルムであっても、このような遮光フィルム同士の接触によって擦れる度合いが多くなると低光沢性の劣化が起こるなどして、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、液晶プロジェクタ本来の機能が得られなくなってしまう可能性もあった。
また、特許文献1では、低光沢性を発現させるためにサンドブラスト法によるマット処理により、表面凹凸を形成した遮光フィルムが提案されている。しかし、サンドブラスト法では、フィルムの表面粗さは吹き付けるショット材の材質、粒度、吐出圧力等に依存し、粒径の大きいショット材は、水洗浄やブラッシング等の洗浄でフィルム表面から除去できるが、粒径が1μm未満と小さい粒子は洗浄後においてもフィルム表面上に残存してしまい、完全には除去しきれない。
このショット材が残存すると、遮光フィルムが晒される高熱環境下では、ショット材と基材であるプラスチックフィルムとで熱膨張係数が異なるため、熱応力の差により、ショット材がフィルムから脱落してしまい、粉塵の発生源となってしまい、その周囲の光学部品に悪影響を及ぼしてしまうという問題も発生する。
現在、樹脂フィルム基材に遮光膜をスパッタリング法を用いて形成する場合、予め樹脂フィルム基材はサンドブラスト法により表面粗さが0.2〜0.8μm(算術平均高さRa)になるように処理されている(特許文献5参照)。このサンドブラストによる樹脂フィルム基材表面の凹凸は、積層膜との密着性を改善し、積層膜自体にもその凹凸が反映することから、積層膜表面における光の正反射を抑制し、積層膜を低反射性の膜とする効果を発揮する。
しかし、特許文献1に記載されるように、サンドブラスト法を用いてフィルムを処理すると、処理した表面を洗浄してもショット材が残存してしまう。このショット材の残存量が微量であれば問題ないが、フィルムの洗浄が不十分でショット材の残存量が多くなると、積層膜が剥離する問題が生じる懸念がある。
一般に、遮光フィルムはロールコーティングによりロール単位で製造されるが、積層膜の剥離が一部でも発生するとロール単位で不良となり、生産性への影響は大きい。一方、ロール状のフィルムに残存するショット材をすべて検査することは、実質不可能である。
さらに、積層膜表面の光の正反射という品質特性に対して、サンドブラスト法による表面処理ではフィルムの表面粗さ(算術平均高さRa)が、ショット材の吐出圧力や種類、粒径や粒度分布に依存するため、フィルム面内でバラついてしまい、更なる品質向上が難しくなる。また、サンドブラスト法によるフィルムの表面処理から両面積層膜形成までの製造工程の処理時間に着目すると、サンドブラスト法による表面処理は、成膜装置とは異なる装置で処理するため、表面処理の後に成膜装置へのフィルムの装着が必要となる。そのため、フィルムにしわや折れ目、異物付着、傷などが発生しないようにしなければならず、フィルムの取り扱いに注意しなければならなかった。また、サンドブラスト法による表面処理から積層膜形成まで連続処理ができないことによって、その製造時間が長くなる要因にもなっている。
以上の点から、サンドブラスト法による表面処理とは異なり、フィルムにショット材が残存せず、さらなる品質向上や生産性向上が図れる樹脂フィルム基材の表面処理方法が求められていた。
特開平1−120503号公報 特開平4−9802号公報 特開平2−116837号公報 特開2000−75353号公報 特開2008−158479号公報
本発明の目的は、200℃以上の高温に晒される液晶プロジェクタの光量調整用絞り羽根や、加工時に高温に晒されるデジタルカメラのシャッター羽根や固定絞りとして用いられる表面に微細な凹凸構造を有する耐熱性に優れた遮光フィルムを提供するものである。
また、導電性、低反射性(低光沢性)、軽量性を兼ね備えており、200℃以上の高温下で長時間使用しても、これらの特性が劣化せず、積層膜の剥離や粉塵の発生や変形もなく、さらに表面処理による表面粗さの面内均一性が高く、特性のばらつきの少ない耐熱性遮光フィルム、およびこの耐熱性遮光フィルムを絞り羽根に用いた、軽量で駆動時の消費電力が低い光量調整用絞り装置を提供するものである。
本発明者らは、上述の従来技術の課題を解決するため、耐熱性の樹脂フィルムの片面もしくは両面に、酸素、アルゴン、窒素、水素、ヘリウムからなる群より選ばれる1種類以上のガスを使用したプラズマ処理、またはイオン照射処理を行い、表面粗さが0.2〜0.8μm(算術平均高さRa)である状態にして、その表面上にスパッタリング法を用いて特定の厚みを有する金属遮光膜(チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する金属遮光膜)を形成した後、この遮光膜上に、スパッタリング法により低反射性の金属酸化物膜(ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜)を積層することで、200℃程度の高熱環境下でも変形せず、遮光性、低光沢性、摺動性、色味、低反射性が維持でき、さらにサンドブラスト法を使用しないためショット材の残存がなく、高温環境下で使用しても積層膜の剥離が起こらず、表面処理による表面粗さの面内均一性が高く、特性のばらつきも少ない耐熱遮光フィルムが得られ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、液晶プロジェクタなどの絞りの部材として利用できることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
すなわち、本発明の第1の発明によれば、200℃以上の耐熱性を有する樹脂フィルム基材(A)と、その樹脂フィルム基材(A)の表面をプラズマ処理もしくはイオン照射処理による表面処理を施し、その表面処理が施された樹脂フィルム基材(A)表面上に、スパッタリング法により形成される50nm以上の膜厚を有する金属膜、金属炭化物膜、金属窒化物膜のうちいずれか1種類以上からなる遮光膜(B)と、その遮光膜(B)上にスパッタリング法により形成される低反射性の金属酸化物膜(C)からなる積層膜を備え、表面処理が施された樹脂フィルム基材(A)表面の表面粗さが、算術平均高さRaにおいて0.2〜0.8μm、かつ積層膜の表面粗さが算術平均高さRaにおいて0.1〜0.7μmであることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第2の発明は、第1の発明におけるプラズマ処理もしくはイオン照射処理による表面処理が、酸素、アルゴン、窒素、水素、ヘリウムからなる群より選ばれる1種類以上のガスを使用して照射されることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第3の発明は、第1〜第2の発明における樹脂フィルム基材(A)が、ポリイミド、アラミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン又はポリエーテルサルフォンからなる群から選ばれる1種類以上で構成されていることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第4の発明は、第1〜第3の発明における遮光膜(B)が、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜であることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第5の発明は、第1〜第4の発明における金属酸化物膜(C)が、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜であることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第6の発明は、第1〜第5の発明における遮光膜(B)の膜厚が50〜250nm、および金属酸化物膜(C)の膜厚が5〜240nmであることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第7の発明は、第1〜第6の発明における積層膜の表面抵抗値が1×10Ω/□以下であることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第8の発明は、第1〜第7の発明における積層膜の最大正反射率が、波長380〜780nmにおいて7%以下であることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第9の発明は、第1〜第8の発明における樹脂フィルム基材(A)の両面に、遮光膜(B)と金属酸化物膜(C)からなる積層膜が、樹脂フィルム基材(A)を中心とした対称構造となるように備えられていることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第10の発明は、第1〜第9の発明における樹脂フィルム基材(A)と遮光膜(B)の界面に、スパッタリング法により形成される金属酸化物膜をガスバリア膜(D)として有することを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第11の発明は、第10の発明におけるガスバリア膜(D)が、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜であることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第12の発明は、第10〜第11の発明における樹脂フィルム基材(A)の両面に、樹脂フィルム基材(A)側からガスバリア膜(D)、遮光膜(B)、金属酸化物膜(C)の順からなる積層膜を備え、樹脂フィルム基材(A)を中心とした対称構造となるように備えられていることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第13の発明は、第12の発明における樹脂フィルム基材(A)の両面に備わるガスバリア膜(D)同士、遮光膜(B)同士、及び金属酸化物膜(C)同士が、同じ金属元素成分組成であることを特徴とする耐熱遮光フィルムである。
本発明の第14の発明は、樹脂フィルム基材(A)の片面もしくは両面に、プラズマ処理またはイオン照射処理による表面処理を施して表面粗さが算術平均高さRaにおいて0.2〜0.8μmの凹凸表面とした樹脂フィルム基材(A)をスパッタリング装置に供給し、不活性ガス雰囲気下で遮光膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングにより樹脂フィルム基材(A)の凹凸表面上に、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)を形成し、次に、金属酸化物膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリングガスに酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、その遮光膜(B)上に、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜(C)を形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法である。
本発明の第15の発明は、樹脂フィルム基材(A)をスパッタ装置に供給して、その片面もしくは両面をプラズマ処理もしくはイオン照射処理による表面処理を施して表面粗さが算術平均高さRaにおいて0.2〜0.8μmの凹凸表面とし、次いで、不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながらガスバリア膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングにより表面処理された樹脂フィルム基材(A)上に、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有するガスバリア膜(D)を形成し、次に、不活性ガス雰囲気下での遮光膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングにより、そのガスバリア膜(D)上にチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)を形成した後、不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながら金属酸化物膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングし、その遮光膜(B)上にニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜(C)を形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法である。
本発明の第16の発明によれば、第14の発明における片面に遮光膜(B)及び金属酸化物膜(C)の順に形成された積層膜を備える耐熱遮光フィルムを、スパッタリング装置に供給し、不活性ガス雰囲気下での遮光膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングによって樹脂フィルム基材(A)の積層膜が形成されていないもう一方の表面に、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)と、金属酸化物膜形成用ターゲットを用いてスパッタリングガスに酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜(C)を順次形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法である。
本発明の第17の発明は、第15発明における片面にガスバリア膜(D)、遮光膜(B)、金属酸化物膜(C)の順に形成された積層膜を備える耐熱遮光フィルムを、スパッタリング装置に供給し、不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながらガスバリア膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングにより樹脂フィルム基材(A)の積層膜が形成されていないもう一方の表面に、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含むガスバリア膜(D)と、不活性ガス雰囲気下での遮光膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングによって、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)と、金属酸化物膜形成用ターゲットを用い、スパッタリングガスに酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜(C)を順次形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法である。
本発明の第18の発明は、第14〜第17の発明におけるスパッタリングガス圧が、0.2〜1.0Paであることを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法である。
本発明の第19の発明は、第14〜第18の発明におけるスパッタリング時の樹脂フィルム基材(A)温度が、180℃以上であることを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法である。
本発明の第20の発明は、第15および第17の発明におけるガスバリア膜形成用ターゲットおよび金属酸化物膜形成用ターゲットがそれぞれ同一のものを用い、各膜を形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法である。
本発明の第21の発明は、第14〜第20の発明における樹脂フィルム基材(A)が、ロール状に巻き取られてスパッタリング装置のフィルム搬送部にセットされることを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法である。
本発明の第22の発明は、第14〜第21の発明における成膜中の樹脂フィルム基材(A)が冷却されずに、成膜室内でフローティングの状態でスパッタリング成膜されることを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法である。
本発明の第23の発明は、第1〜第13の発明における耐熱遮光フィルムを使用して加工製造された耐熱性に優れる絞りである。
本発明の第24の発明は、第1〜第13の発明における耐熱遮光フィルムを羽根材として用いてなる光量調整用絞り装置である。
本発明の耐熱遮光フィルムは、200℃以上の耐熱性を有する耐熱性の樹脂フィルム基材(A)表面に、酸素、アルゴン、窒素、水素、ヘリウムガス等でプラズマ処理またはイオン照射処理を施し、その表面上にスパッタリング法により特定厚みのチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)を形成し、その遮光膜(B)上にニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する低反射性の金属酸化物膜(C)が形成されている。さらに、樹脂フィルム基材(A)からの水分や酸素などのガス成分の遮光膜(B)への浸透を抑制するガスバリア膜(D)を樹脂フィルム基材(A)と遮光膜(B)の間に備えていても良く、また、遮光膜(B)が銅元素を含有する場合には、樹脂フィルム基材(A)との密着性を強化するために、ニッケル、コバルト、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、アルミニウム、バナジウム、ニオブ、鉄、亜鉛、金、銀及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する金属膜や酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどの金属酸化物膜、あるいは窒化チタン、窒化タンタル、窒化アルミニウムなどの金属窒化物膜を形成する。その中でもニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有するニッケル系金属膜が効果的であり、このニッケル系金属膜を形成した後に遮光膜(B)が形成されるものである。
したがって、耐熱性を有する遮光膜(B)と低反射性の金属酸化物膜(C)により緻密な膜組織(積層膜)が形成されるため、表面の磨耗性、摩擦性、導電性に優れている。さらに、耐熱性の樹脂フィルム基材表面にプラズマ処理またはイオン照射処理を施すことにより、従来の塗膜工程で得られる遮光フィルムに比べ、樹脂フィルム基材表面にショット材が残存することがないため、積層膜の剥離が起こらず、また表面処理による表面粗さの面内均一性を高くできることから、遮光フィルムの特性のばらつきを少なくすることが可能となる。
本発明の耐熱遮光フィルムは、最表面層となる金属酸化物膜の種類を選ぶことで黒色度が高くて低反射特性を有する耐熱性遮光フィルムを実現する。
すなわち、最表面層に可視域での透過率の低い低反射性の金属酸化物膜を遮光膜(B)上に積層すると、その遮光膜の高い反射率を顕著に減少することができ、さらに積層膜の表面粗さが0.1〜0.7μm(算術平均高さRa)であることも寄与して、波長380〜780nmにおける最大正反射率は7%以下、特に優れる場合には3%以下の低反射(いわゆる、低光沢性となる)となり黒色を呈することができる。
逆に、最表面層に可視域〜近赤外域の透過率の高い金属酸化物膜を選ぶと、黒色度は劣るものの、遮光膜の高反射特性を活かして、熱線を効果的に反射できる耐熱遮光フィルムを実現する。このような耐熱遮光フィルムは、例えば、プロジェクタなど絞り羽根材に用いると、強いランプ光が照射されても加熱が抑制されるため好都合である。
本発明の耐熱遮光フィルムは、従来の金属箔板に耐熱塗料を施した耐熱遮光フィルムを使用した遮光羽根に比べ、樹脂フィルムを基材として使用しているために、軽量化され、絞り羽根等に搭載された時の摺動性も向上し、更には駆動モーターの小型化を可能として、コストの低廉化を成し得るものである。
また、樹脂フィルム基材の片面にのみ遮光膜及び金属酸化物膜を形成し、遮光膜及び金属酸化物膜が形成されていない樹脂フィルム面側に粘着材を塗布した耐熱遮光フィルムとして使用することも可能であり、カメラやプロジェクタなどの鏡筒などにおいて、低反射性や低光沢性が必要不可欠な部材の壁面に貼り付けることによって低反射面を形成することもできる。
さらに、耐熱性樹脂フィルムを中心に対称型である膜構造とすることができ、成膜時の膜応力による遮光フィルムの変形を生じないので生産性にも優れるものである。
また、本発明の遮光膜及び低反射性の金属酸化物膜のスパッタリング法による成膜条件を最適化することによって、これらの膜を緻密で高い密着性を有する膜とすることができ、200℃程度の高熱環境下に晒されても、その膜が剥がれることはない。さらに、最表面が緻密で硬質な金属酸化物膜に覆われているので、耐熱遮光フィルムの動作時に遮光膜の剥がれがなく、したがって、本発明の耐熱遮光フィルムは、耐熱性が求められている液晶プロジェクタの光量調整用絞り装置の絞り羽根材として特に有用であり、また、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのシャッター装置のシャッター羽根材としても使用できるため、工業的に極めて有用である。
さらに、本発明の耐熱遮光フィルムを絞り羽根材として用いた光量調整用絞り装置は、金属薄板を羽根材料に用いた従来の耐熱性光量調整用絞り装置と比べて、絞り羽根材が軽量であるため絞り羽根を駆動する際の消費電力の低減が実現できる。よって、駆動モーターの小型化が可能となり、光量調整用絞り装置自体の小型化を実現することができるなどのメリットも有するため、工業的に極めて有用といえる。
本発明に係る耐熱遮光フィルムの一例の構成を示す模式的な図で、(a)および(b)は、樹脂フィルム基材の両面に積層膜を備える耐熱遮光フィルム、(c)は片面のみに積層膜を備えた耐熱遮光フィルムである。 本発明に係る耐熱遮光フィルムの形成に使用される巻き取り式スパッタリング装置の一例を示す構成図である。 打ち抜き加工を施した耐熱遮光羽根を搭載した光量調整用絞り装置の絞り機構を示す模式的な図である。
以下、本発明の耐熱遮光フィルムと、その製造方法について説明する。
・ 耐熱遮光フィルム
本発明の耐熱遮光フィルムは、200℃以上の耐熱性を有する耐熱性の樹脂フィルム基材(A)表面に、酸素、アルゴン、窒素、水素、ヘリウムガス等でプラズマ処理またはイオン照射処理を施し、その処理表面上に、スパッタリング法により形成された膜厚50nm以上のチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)と、その遮光膜(B)上にスパッタリング法により形成されるニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する低反射性の金属酸化物膜(C)からなる積層膜を備え、プラズマ処理もしくはイオン照射処理した樹脂フィルム基材(A)の表面粗さが0.2〜0.8μm(算術平均高さRa)で、かつその積層膜の表面粗さが0.1〜0.7μm(算術平均高さRa)であることを特徴としている。
この樹脂フィルム基材(A)の表面粗さは、0.2〜0.8μmであることが望ましい。表面粗さが0.8μmを超えると、表面に形成された積層膜の表面粗さが0.7μmより大きくなり、積層膜の表面欠陥が付きやすく十分な遮光性(透過率0%)を得られないという点で好ましくない。また、表面粗さが0.2μm未満では、形成された積層膜の表面粗さが0.1μmより小さくなり、380〜780nmにおける最大正反射率が大きくなり好ましくない。
このような樹脂フィルム表面に微細な凹凸を形成する方法は、プラズマを用いるプラズマ処理法や、イオン源を用いて樹脂フィルムにイオンビームを照射するイオン照射法がある。
本発明において使用するプラズマ処理またはイオン照射処理では、酸素、アルゴン、窒素、水素、ヘリウムからなる群から選ばれる1種類以上のガスを用いて処理することを特徴とする。
プラズマ処理は、発生源となる電極部の長辺側がフィルム幅方向に対向しており、電極部がフィルムの幅方向より大きいため、フィルム幅全面に均一にイオン化されたガス成分が照射される。
一方、イオン照射処理は、強い磁場を印加した磁場ギャップでプラズマを発生させて、プラズマ中の陽イオンを陽極による電解でイオンガンからイオンビームとして照射するものである。また、発生源となるイオンガンから照射されるイオンビームは加速電圧を印加して引き出されたイオンの粒子線であり、プラズマ電極同様にフィルム全面に、エネルギーが均一なガス成分のイオンを照射することができるために、フィルム幅方向と平行なライン状のプラズマやイオンビームを生成でき、フィルム搬送しながら処理することでフィルム全面に均一な表面エッチングがなされ、微細な凹凸を形成することができる。
本発明におけるイオンビームを照射するためのイオンガンには、カウフマン型、クローズドドリフトイオンソースなどが利用でき、イオン源として、DC放電、RF放電、マイクロ波放電などを利用することが可能である。特に、樹脂フィルムがロール状の場合においては、リニアイオンソースを使用することが望ましい。
イオン照射処理では、上記ガス成分によるイオン照射が利用可能である。
樹脂フィルムに照射するイオンビームにおいて、イオン化粒子の種類、イオン粒子のエネルギー、イオン粒子の照射量、イオンガンの放電電圧、放電電流、ビームガス流量、イオン源室のガス圧、フィルムの搬送速度などの照射条件は適宜調整して、フィルムの表面粗さ(算術平均高さRa)を0.2〜0.8μmの範囲にできれば、特に限定されない。
このイオン照射は、樹脂フィルム表面の付着物の脱離やスパッタリングによる樹脂フィルム表面のエッチングの作用をもたらすもので、樹脂フィルム表面のエッチング作用により、樹脂フィルム表面に微細な凹凸構造が形成され、表面粗さRaを大きくすることができ、本発明の金属膜とのアンカー効果により密着性を向上させるものである。
さらに酸素などの反応性のガスイオンを照射した場合では、化学的なエッチング作用や樹脂フィルム表面への官能基の付与などの効果もあり、樹脂フィルムと金属膜、金属酸化物膜との密着性向上に有効である。また、プラズマ処理もイオン照射処理と同様の効果を有している。
次に、遮光膜(B)の表面上に設けられる金属酸化物膜(C)は、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜である。
また、遮光膜(B)が銅元素を含有する場合では、ポリイミドなどの樹脂フィルムとの密着性をより向上させるために、樹脂フィルム基材(A)と遮光膜(B)の間に、膜の緻密性が高いニッケル、コバルト、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、アルミニウム、バナジウム、ニオブ、鉄、亜鉛、金、銀及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する金属膜や、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどの金属酸化物膜、あるいは窒化チタン、窒化タンタル、窒化アルミニウムなどの金属窒化物膜がスパッタリング法によって形成されていると良い。その中でも、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有するニッケル系金属膜であることが好ましい。
図1は、本発明にかかる耐熱遮光フィルムの一例の構成を示す模式的な図で、(a)および(b)は、樹脂フィルム基材の両面に積層膜を備える耐熱遮光フィルム、(c)は片面のみに積層膜を備えた耐熱遮光フィルムである。
本発明の耐熱遮光フィルム10は、1の樹脂フィルム基材(A)と、その表面に酸素、アルゴン、窒素、水素、ヘリウムガス等のいずれかのガスを用いてプラズマ処理またはイオン照射処理を施し、その表面処理された面上に積層された、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する2の遮光膜(B)と、その膜面上に形成されるニッケルを主成分とするチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含む3の低反射性の金属酸化物膜(C)との積層膜4から構成されている。
そして、その積層膜4は、表面粗さが0.1〜0.7μm(算術平均高さRa)、より好ましくは、0.2〜0.7μm、最も好ましくは、0.3〜0.6μmである表面を有している。
この積層膜4の表面粗さが0.1μm未満であると低光沢性が得られず、また、積層膜4の表面粗さが0.7μmを超えると積層膜4の表面欠陥が付きやすく十分な遮光性(透過率0%)を得られないという点で好ましくない。また、積層膜4の表面粗さが0.1μm未満では、380〜780nmにおける最大正反射率が大きくなり好ましくない。
1の樹脂フィルム基材(A)の厚みは、特に限定されるわけではないが、例えば10〜125μmの範囲であることが望ましい。10μmより薄いものでは、遮光フィルムの製造時にフィルム自体のハンドリングが悪く、フィルムに傷や折れ目などの表面欠陥が付きやすくなり歩留まり高く製造することが難しい。一方、125μmより厚いと小型化が進むシャッター装置や光量調整用絞り装置へ遮光羽根を複数枚搭載することができないためである。
2の遮光膜(B)は、遮光性のチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有するもので、その厚みが50nm以上であることが必要である。厚みが50nm未満であると、膜の光通過が生じて十分な遮光機能を持たないので好ましくない。ただし、膜厚が厚くなると遮光性が良くなるが、250nmを超えると、材料コストや成膜時間の増加による製造コスト高につながり、また膜の応力も大きくなって変形しやすくなる。十分な遮光性(透過率0%)と低膜応力、低製造コストを考慮すると、前記遮光膜の膜厚は50〜250nmが好ましい。
3の金属酸化物膜(C)は、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する低反射性の金属酸化物膜(C)は、その膜厚を5〜240nmとすることで可視域の正反射率を低減することができる。
チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)と、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する低反射性の金属酸化物膜(C)による積層膜4は、図1(c)のように樹脂フィルム基板の片面に形成されていてもよいが、図1(a)、(b)に示すように両面に形成されている方が好ましい。
図1(a)、(b)に示すように、両面に形成する場合、1の樹脂フィルム基材(A)を中心として各面における2の遮光膜(B)同士、3の金属酸化物膜(C)同士(図1(a)に示す耐熱遮光フィルムでは5のガスバリア膜(D)同士を含む)の組成及び膜厚が対称構造を採ることが、より好ましい。
すなわち、1の樹脂フィルム基材(A)の上に形成された薄膜は、基材に対して応力を与えるため、変形の要因となる。応力による変形は成膜直後でも見られる場合があるが、特に200℃程度に加熱されると変形が大きくなり顕著となりやすい。しかし、基材の両面に形成される2、2の遮光膜(B)と、低反射性の3、3の金属酸化物膜(C)の材質(図1(a)の場合には、5のガスバリア膜(D)の材質)を同じにして、基材を中心として対称構造を採ることによって、加熱条件下でも応力のバランスが維持され、フラットな耐熱遮光フィルム10を実現し易くするものである。
以下、各構成要素について詳細する。
(1)樹脂フィルム基材(A)
樹脂フィルム基材(A)に使用する樹脂フィルムは、透明樹脂で構成されていても顔料を練り込んだ着色樹脂で構成されていても構わないが、200℃以上の耐熱性を有するものでなければならない。ここで、200℃以上の耐熱性を有するフィルムとは、ガラス転移点が200℃以上であるフィルムであり、またガラス転移点の存在しない材料については、200℃以上の温度にて変質しないことを意味する。
このような樹脂材料の材質として、量産性を考慮した場合、スパッタリングによるロールコーティングが可能となるような可撓性を有する材料であることが望ましい。
樹脂フィルム基材(A)に使用する耐熱性の樹脂フィルムとして、ポリイミド(PI)、アラミド(PA)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルサルフォン(PES)から選択される1種類以上の材料で構成される樹脂フィルムが好ましいが、200℃以上の耐熱性を有していればこれらに限定されないが、ポリイミドフィルムは、最も耐熱温度が高く、特に好ましいフィルムである。
遮光膜(B)を形成する前に基材の樹脂フィルム表面に、プラズマ処理またはイオン照射による表面処理を施して、その表面に凹凸を形成する。フィルムを搬送しながらフィルム表面に凹凸を形成することができ、その最適なRa値の凹凸は、フィルム表面の算術平均高さRa値が0.2〜0.8μmとなるように表面処理を行う。フィルムの両面に遮光膜と低反射性の金属酸化物膜を形成する場合は、フィルムの両面をプラズマ処理またはイオン照射処理する。
プラズマ処理は、無機ガスの雰囲気とし、その圧力を10−5〜0.1Paに保持した後、電極間に0.1〜10kV前後の直流または交流を印加してグロー放電させることで、無機ガスのプラズマを発生させ、フィルムを搬送しながら、表面を連続的にプラズマ処理する。本発明では導入する無機ガスは、アルゴン、酸素、窒素、ヘリウム、水素からなる群から選ばれる1種類以上のガスであることが好ましい。
一方イオン照射処理は、使用するイオン注入装置にもよるが、1keV〜1MeVのエネルギーを持ったイオンビームをイオン源から照射する方法であり、被照射体の表面改質などに用いられている。照射するイオン源は、上記プラズマ処理と同様に、アルゴン、酸素、窒素、ヘリウム、水素からなる群から選ばれる1種類以上のガスである。
樹脂フィルム基材(A)表面の表面粗さ(算術平均高さRa)は、プラズマ処理またはイオン照射処理における印加電圧値や処理回数で調整することができる。この印加電圧値が高いほど、処理回数が多いほど表面粗さは大きくなり、密着性や低反射化への効果が顕著になる。プラズマ処理またはイオン照射処理の印加電圧値や処理回数の最適値は、装置や使用する樹脂フィルムによって異なるため一概には言えないが、使用する装置や樹脂フィルムに合った条件で処理することが望ましい。
(2)遮光膜(B)
本発明の耐熱遮光フィルムは、200℃の高熱環境下でも耐えうる耐熱性を有していることが特徴である。それは、スパッタリング法により上記温度以上で成膜された遮光膜(B)と低反射性の金属酸化物膜(C)が、高緻密性で耐酸化性を有しており、さらに耐熱性の樹脂フィルム基材(A)表面は、プラズマ処理またはイオン照射処理による表面処理が施されているため、樹脂フィルム基材(A)表面にはショット材が残存することもない。そのため、遮光膜(B)が樹脂フィルム基材(A)と剥離するという事態は起こらず、樹脂フィルム基材(A)と遮光膜(B)との密着性が良いことによるものである。
一般に遮光膜は、酸化されると透明度が増加するため、遮光膜の耐酸化性は重要である。そのため、本発明の耐熱遮光フィルムに用いる遮光膜(B)の材料は、耐酸化性に優れた元素周期表の4族から12族の遷移金属元素、アルミニウム、又は珪素から選ばれる1種類以上の元素を含有することが好ましい。また、遮光膜として金属膜を用いた場合、種類によっては250℃以下でも溶融する材料もあるため、融点は300℃以上であることが好ましい。
このような遮光膜(B)は、具体的には、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する金属膜、金属炭化物膜、金属窒化物膜のいずれかであることが必要である。これらの元素を含有する遮光膜(B)は、スパッタリング法でポリイミドなどの樹脂フィルムに成膜されると、高い密着性を示すものである。
また、上記元素を含む遮光膜は、耐熱性や耐食性を更に向上させるために、上記金属元素以外の元素を添加して合金としたもの、或いは金属間化合物としたものを使用しても構わない。例えば鉄元素を含む遮光膜には、鉄を含むステンレス材やSK材の遮光膜も含まれる。さらに、金属炭化物膜、金属窒化物膜については、金属が完全に炭化や窒化している必要はなく、部分的に金属が炭化や窒化しているだけでもかまわない。
これら金属炭化物膜や金属窒化物膜を成膜するには、それぞれ、成膜する時のスパッタリングガス中に、炭化水素ガス、窒素ガスなどの炭素や窒素を含む添加ガスを導入してスパッタリング成膜することで可能であるが、このような添加ガスを用いなくても、ターゲット中に炭素、窒素を含有させることでも、これらの元素を導入することができる。特に金属炭化物膜や金属窒化物膜は、耐熱性を更に改善することができるため有用である。
よって、本発明の耐熱遮光フィルムの遮光膜材料には、上記の方法で作製された炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン、炭化モリブデン、炭化ニオブ、炭化鉄、炭化銅、炭化アルミニウム、炭化珪素、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化モリブデン、窒化ニオブ、窒化鉄、窒化銅、窒化アルミニウム、窒化珪素などの炭化物や窒化物も、十分な遮光性と耐熱性を発揮すると共に、基材の樹脂フィルムに対する高い密着性を発揮するために好ましい。
さらに、本発明の耐熱遮光フィルムの遮光膜材料には、これらの炭化物と窒化物の固溶体や化合物、これら炭化物および/または窒化物と上記金属元素との固溶体や化合物も同様の理由から含まれる。
一方、本発明の遮光膜には、酸素をなるべく含まない方が、樹脂フィルムとの高い密着性や高い遮光性を維持するためには好ましいが、スパッタリングガス中に残留する酸素などが成膜時に遮光膜の一部、或いは全体的に膜中に取り込まれて含有していても、高い遮光性や樹脂フィルムとの高い密着性を損なわない程度であれば構わない。したがって、遮光膜中の酸素の含有量は、樹脂フィルムとの密着性を維持するために、金属元素に対して5原子%以下、特に3原子%以下であることが望ましい。
さらに、本発明の耐熱遮光フィルムの遮光膜は、組成(金属元素の含有量や種類、炭素含有量、窒素含有量、酸素含有量)の異なった複数種類の遮光膜の積層膜で構成しても良い。
ところで、密着性に関しては、元来、有機物である樹脂フィルム基材(A)と無機物である遮光膜(B)との間で、高い密着性を得ることが難しく、樹脂フィルム基材(A)と遮光膜(B)の界面の密着性が不十分である場合、200℃の高熱環境下で、樹脂フィルム基材(A)と遮光膜(B)の熱膨張差により膜剥離が生じ易くなる。
このような熱膨張差による膜剥離を回避するには、樹脂フィルム基材(A)と遮光膜(B)との高密着性を維持する必要があるが、本発明の遮光膜(B)は、上記のように、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜であり、一方基材である樹脂フィルム基材(A)の表面には、酸素の官能基が存在しており、本発明の遮光膜(B)中に含まれる酸素と結合し易いチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素などが、樹脂フィルム基材(A)表面の酸素の官能基との化学結合を通じて、樹脂フィルム基材(A)と遮光膜(B)間の密着性が強化されている。
なお、元素周期表の4族から12族の遷移金属元素の中で、銅やクロムやマンガンを主成分とする遮光膜は、樹脂フィルム、特にポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムとの密着性が悪いので、フィルム上に直接形成することは好ましくない。そこで、銅、クロム、マンガン以外の上記の元素を主成分とする金属膜を密着強化膜として介在させて、銅やクロムやマンガンを主成分とする遮光膜を形成すると高密着化が実現できる(この場合は遮光性の役割を担う膜は、密着強化膜/銅系薄膜の積層遮光膜となり、密着強化膜が樹脂フィルム側に配置される)。
この密着強化膜の膜厚は2〜50nmでよく、例えばニッケル、コバルト、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、アルミニウム、バナジウム、ニオブ、鉄、亜鉛、金、銀及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する金属膜や、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどの金属酸化物膜、あるいは窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物膜が選ばれる。その中でもニッケル系金属膜などが効果的である。密着強化膜として用いられるニッケルを主成分とする金属膜は、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有されていても構わない。
スズやインジウム、ガリウムなどの金属材料は250℃以下で溶融化してしまうため、これらの元素を主成分とする金属膜は、本発明の耐熱遮光フィルムを構成する遮光膜として利用することはできない。ただし、スズやインジウム、ガリウムなどの金属材料でも、他の元素を添加して、融点が300℃以上に上げた材料であれば、本発明の耐熱遮光フィルムの金属膜として利用することができる。
希土類金属やアルカリ金属、アルカリ土類金属など、200℃前後において酸素と結合して発熱をともなって反応する金属は、本発明の耐熱遮光フィルムの遮光用の金属膜として使うことはできない。
鉛やカドミウム、水銀、ビスマスなどの人体や環境に対して著しく有害な金属材料は本発明の耐熱遮光フィルム材料の構成材料としては選択しない。
(3)金属酸化物膜(C)
本発明の耐熱遮光フィルムは、低反射性の金属酸化物膜(C)を備えている。樹脂フィルム基材(A)に形成された遮光膜(B)は正反射率が高いので、この遮光膜の上に低反射性の金属酸化物膜を積層することで、耐熱遮光フィルムの波長380〜780nmにおける正反射率を減少させることができる。
この低反射性の金属酸化物膜(C)は、単層でも酸素含有量や構成元素の種類及び含有量の異なる層で構成されても構わない。また、遮光膜(B)上に積層する低反射性の金属酸化物膜(C)は、透明度の高いものでも、透明度が低くて着色したものでもよい。
本発明の低反射性の金属酸化物膜(C)は、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有することによって、その金属酸化物膜(C)は、高熱環境下での耐熱性他、耐食性に優れている。
具体的には、金属酸化物膜(C)は、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類の添加元素のみからなる金属酸化物であってもよいが、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる2種類以上の添加元素を含有した金属酸化物膜であってもよい。また、これらの金属酸化物膜と遮光膜との界面には、これら2層の膜の成分の一部もしくは全てが含まれた化合物層が形成されても構わない。
金属酸化物膜(C)は、上記成分組成を有しており、これらの元素は不動態を形成しやすいため耐熱性の他、耐食性にも優れている。また、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素などの添加元素を含む金属酸化物膜は、耐熱性に優れているとともに、耐摩耗性、靭性が高いことから、遮光羽根として動作する上でも利点がある。
金属酸化物膜(C)には、上記の金属元素の他、炭素、窒素が含まれていても構わない。金属酸化物膜に炭素、窒素を含ませると屈折率を調整することができて低反射性を実現しやすくなる。また、金属酸化物膜(C)には、遷移金属の酸化物膜や酸素欠損を多く含む金属酸化物膜のように可視域で透過率の低い(例えば単膜で透過率が10〜60%)酸化物材質を使用すると、低反射性を実現しやすくなるため好ましい。
このような金属酸化物膜(C)を用いた本発明の耐熱遮光フィルムは、波長380〜780nmにおいて、最大正反射率を2%以下、より優れた場合には1%以下、あるいは0.5%以下とすることができる。さらに、金属酸化物膜(C)は、組成(酸素含有量、炭素含有量、窒素含有量、金属元素の含有量や種類)の異なった複数種類の金属酸化物膜の積層膜で構成されていても構わない。組成が異なって屈折率と消衰係数の異なった金属酸化物膜の積層膜を用いることで、より強い反射防止効果が発現して低反射性を実現することもでき、黒色度のより高い耐熱遮光フィルムを得ることができる。
金属酸化物膜(C)の膜厚は、特に制限されないが、膜厚を5〜240nmとすることで可視域の正反射率を低減することができる。膜厚が5nm未満であると正反射率、光沢度を十分に低下できない場合があり、また、240nmを超えると、表面抵抗が大きくなるだけでなく、経済性の面でも好ましくない。
また、遮光膜(B)上に形成される金属酸化物膜(C)は、反射防止効果を発揮する膜厚に設定されているとより好ましい。すなわち耐熱遮光フィルムの表面に入射する可視光は、金属酸化物膜(C)と空気との界面と、遮光膜(B)と金属酸化物膜(C)の界面で正反射するが、これらの反射光が大気に出たときに互いに干渉して打ち消しあうような位相差が生じるように金属酸化物膜(C)の膜厚を設定すると、著しく低反射性が実現するため好ましい。
さらに、本発明の耐熱遮光フィルムは、熱線光の照射による温度上昇を低減させるために、熱線光について高反射特性を持たせることも可能である。この場合、金属酸化物膜(C)には、可視域の透過率がなるべく高い酸化物材質を使用して、金属酸化物膜内での熱線の吸収をなるべく抑制することが望ましい。このような特性を有することで、遮光膜による熱線の高反射特性を利用するものである。また、上記のように選定された金属酸化物膜の屈折率を加味して、金属酸化物膜の膜厚を最適化し、金属酸化物膜(C)/遮光膜(B)界面での近赤外域の反射光と、外界/酸化物界面での近赤外域の反射光が強め合って、高反射特性を実現させることも可能である。
以上のような構成の熱線の高反射特性を持たせた耐熱遮光フィルムは、可視域での最大正反射率が3〜7%と適度な正反射率を示すことができる。最大正反射率が7%以上であると、反射光が迷光となり悪影響を及ぼすため、7%以下が好ましい。このような構成の耐熱遮光フィルムは、黒色度は劣るが、反射光の波長バランスに応じて、赤色、紫色、青色、黄土色などを呈するものである。
また、樹脂フィルムの両面に遮光膜と金属酸化物膜の積層膜を有する本発明の耐熱遮光フィルムにおいて、それぞれの面の金属酸化物膜で可視域の透過率の異なる膜を用いて、黒色度と正反射率が両面で異なった構成をとっても、用途によっては有効である。
例えば、本発明の耐熱遮光フィルムをプロジェクタ用のランプに近い場所での羽根材として用いる場合には、ランプ光の照射されるフィルム面側は、光による加熱の回避を最重要視して、可視〜近赤外光の高反射特性を有するよう選定し、ランプ側と逆面では可視光の反射が迷光となることが嫌われるために、可視域の低反射性を有する黒色度の高い構成とすることも有効である。その場合、上述したように、ランプ側は酸素欠損が少なくて透過率の高い金属酸化物膜が用いられ、その反対側には酸素欠損が多くて可視域の透過率の低い金属酸化物膜を用いればよい。
なお、ここでプラスチックフィルムは、一般に絶縁性のため静電気が発生しやすいが、仮に絶縁性の遮光フィルムを用いて遮光羽根として動作させた場合には、静電気が発生して、羽根同士が静電吸着する場合がある。羽根同士が吸着しないためには、遮光フィルムに導電性が必要と言える。
そこで、本発明の耐熱遮光フィルムに用いる遮光膜(B)及び金属酸化物膜(C)の材料は、遮光膜(B)として具体的には、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する金属膜、金属炭化物膜、金属窒化物膜であり、金属酸化物膜(C)としては、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有するニッケル系金属酸化物膜であるため、導電性を有しており、表面抵抗値が1013Ω/□(オーム・パー・スクエアと読む)以上である樹脂塗膜系などの遮光フィルムに比べ、表面抵抗値を1×10Ω/□以下と小さくすることができる。
この金属酸化物膜(C)において、上記元素が添加されることで、添加元素が半導体でのドーパント的な作用を有し、電気抵抗を減少することができる。最表面が酸化珪素、アルミナなどの絶縁膜で形成される遮光フィルムでは、表面抵抗値は10Ω/□程度が限界であるが、本発明の耐熱遮光フィルムでは表面抵抗値を1000Ω/□以下、好ましくは500Ω/□以下、更には100Ω/□以下にすることも可能である。
なお、本発明の耐熱遮光フィルムは、金属酸化物膜(C)の表面に、潤滑性や低摩擦性を有する他の薄膜(例えば、フッ素含有の有機膜や、炭素膜、ダイヤモンドライクカーボン膜など)を薄く塗布などによって設けても、本発明の特徴を損なわなければ構わない。
本発明の耐熱遮光フィルムにおいては、遮光膜(B)上の最表面に、酸素欠損を有する酸化物や遷移金属の酸化物膜などの可視域での透過率の低い金属酸化物膜(C)を採用することで、積層膜の最大正反射率が、波長380〜780nmにおいて7%以下、或いは3%以下で黒色度の高い耐熱遮光フィルムを実現することができる。このような耐熱遮光フィルムは、光の反射を極力抑制したい光学フィルム部材(例えばシャッター羽根など)として有用である。
また、遮光膜(B)上の最表面に、可視域〜近赤外域の透過率の高い金属酸化物膜(C)を採用することで、黒色度は劣るが、強いランプ光が照射されても熱線を遮光膜で効果的に反射して加熱温度上昇を効果的に避けるような特徴を持たせることができる。
(4)ガスバリア膜(D)
通常、ポリイミドなどの樹脂フィルム基材は、酸素や水分などのガス成分を多く含んでいる。
ポリイミド中のこれらのガスは、成膜前に加熱処理等を行って除去しておく必要があるが、十分に除去できずに、遮光膜と金属酸化物膜を形成して製造された耐熱遮光フィルムは、250℃前後の高熱環境下におかれると、樹脂フィルムから酸素や水分が放出されて遮光膜内の一部に酸素が進入する。この酸素が進入した遮光膜は、光学定数が異なるために耐熱遮光フィルムの色味の変化が生じてしまう。
さらに、成膜前に樹脂フィルム基材のガス抜きを十分に行って製造された耐熱遮光フィルムでも、恒温恒湿試験(例えば、85℃、90%RH、1000時間)の環境下に耐熱遮光フィルムを配置すると、樹脂フィルムの側面から水や酸素が進入して、遮光膜の樹脂フィルム側の一部に酸素が進入して、同様の要因で色味が変わってしまう。
このような色味変化を回避するため、本発明では、図1(a)に示すように1の樹脂フィルム基材(A)と2の遮光膜(B)の界面に、膜の緻密性が高い5のガスバリア膜(D)として金属酸化物膜をスパッタリング法で形成することが好ましい。
この5のガスバリア膜(D)は、金属酸化物膜(C)と同じ組成の金属酸化物膜であり、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有している。これらのガスバリア膜(D)は、化学量論組成よりも酸素欠損を有する膜の方が、膜の緻密性が高いため、フィルムから放出されるガスの通過を、より効果的に阻止できる。
ガスバリア膜(D)は膜厚5〜30nm、好ましくは8〜25nmの膜厚に形成されていることが望ましい。膜厚が5nm未満ではガスバリア機能が不十分であり、30nmを超えると、遮光膜(B)との密着性が低下することがあり好ましくない。ガスバリア膜(D)、及び金属酸化物膜(C)が同一の金属ターゲットから製造できる膜であると、単一のターゲットと単一のカソードを用いて耐熱遮光フィルムを製造できるため製造コストの低減につながるため好ましい。
[耐熱遮光フィルムの製造方法]
次に、本発明の耐熱遮光フィルムの製造方法について説明する。
本発明に係る耐熱遮光フィルムの製造方法は、表面をプラズマ処理またはイオン照射処理し、フィルム表面の算術平均高さRaが0.2〜0.8μmの表面粗さを有する樹脂フィルム基材(A)をスパッタリング装置に供給し、不活性ガス雰囲気下、フィルム基材温度180℃以上の条件でスパッタリングを行い、その樹脂フィルム基材(A)上に、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する金属膜、金属炭化物膜、金属窒化物膜からなる遮光膜(B)を形成し、次に、不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながらスパッタリングして、遮光膜(B)上に、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜(C)を形成することによって、耐熱遮光フィルムを得ることを特徴とする。
遮光膜(B)および低反射性の金属酸化物膜(C)がスパッタリング法で形成されているため、インクの塗布法や真空蒸着法と比べて膜の緻密性がよく、下地(基材や膜)との密着性が良好であるという特徴がある。この性質は、耐熱遮光フィルムを200℃の高熱環境下で使用したときに顕著である。インクの塗布法や真空蒸着法で形成したときは、膜剥がれや、膜の酸化による色味の変化が見られるが、本発明のようにスパッタリング法で膜を形成した場合はこのような恐れがない。さらに、耐熱性の樹脂フィルム基材(A)表面にプラズマ処理またはイオン照射処理を施すことにより、樹脂フィルム基材(A)表面にはショット材は残存しないため、形成した遮光膜(B)、金属酸化物膜(C)からなる積層膜が剥離するという事態は起こらない。
この遮光膜(B)上に形成される金属酸化物膜(C)は、反射防止効果を発揮する膜厚に設定されているとより好ましい。すなわち耐熱遮光フィルムの表面に入射する可視光は、金属酸化物膜(C)と空気との界面と、遮光膜(B)と金属酸化物膜(C)の界面で反射するが、これらの反射光が大気に出たときに互いに干渉して打ち消しあうような位相差が生じるように金属酸化物膜の膜厚を設定すると、著しく低反射性が実現するため好ましい。
本発明の製造方法において、耐熱遮光フィルムは、上述のようにプラズマ処理またはイオン照射処理を施した耐熱性の樹脂フィルム基材(A)上に、スパッタリング法を使用して遮光膜(B)と低反射性の金属酸化物膜(C)を形成して作製される。さらに、樹脂フィルムをプラズマ処理またはイオン照射処理を施す処理工程と、遮光膜および低反射性の金属酸化物膜をスパッタリング法で形成する工程が、同一装置内で連続的に行うことができる。
スパッタリング法は、蒸気圧の低い材料の膜を基材上に形成する場合や精密な膜厚制御が必要となる時に有効な薄膜形成方法である。
一般的に、アルゴンなどのスパッタリングガス圧(約10Pa以下)のもとで、基材を陽極とし、膜の原料となるスパッタリングターゲットを陰極として、この間にグロー放電を起こさせてアルゴンプラズマを発生させ、プラズマ処理中のアルゴン陽イオンを陰極のスパッタリングターゲットに衝突させてスパッタリングターゲット成分の粒子を弾き飛ばし、この粒子を基材上に堆積させて成膜する方法である。
このようなスパッタリング法は、アルゴンプラズマ処理の発生方法で分けられ、高周波プラズマ処理を用いるものは高周波(RF)スパッタリング法、直流プラズマ処理を用いるものは直流(DC)スパッタリング法である。また、マグネトロンスパッタリング法は、スパッタリングターゲットの裏側に磁石を配置し、アルゴンプラズマ処理をスパッタリングターゲット直上に集中させ、低ガス圧でもアルゴンイオンの衝突効率を上げて成膜する方法である。
遮光膜(B)と金属酸化物膜(C)を成膜するには、例えば、図2に示した巻き取り式スパッタリング装置を用いることができる。この装置は、ロール状の1の樹脂フィルム基材(A)が巻き出しロール6Aにセットされ、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプ7aで真空槽7内を排気した後、巻き出しロール6Aから搬出された樹脂フィルム基材がプラズマ源8で処理され、冷却キャンロール6Cの表面を通って、巻き取りロール6Bで巻き取られる構成である。その冷却キャンロール6Cの表面の対向側にはマグネトロンカソード9が設置され、このカソード9には膜の原料となるターゲット9aが取り付けてある。なお、巻き出しロール6A、冷却キャンロール6C、巻き取りロール6Bなどで構成されるフィルム搬送部は、隔壁11でマグネトロンカソード9と隔離されている。
ターゲット9aとしては、遮光膜形成用ターゲットと金属酸化物膜形成用ターゲットとを用いる。
遮光膜形成用ターゲットとは、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する金属製ターゲットである。また遮光膜として金属炭化物、金属窒化物を成膜する場合には、遮光膜形成用の金属製ターゲットは炭素や窒素を含んでいても良く、上記金属の炭化物や窒化物のターゲットを用いても構わない。
一方、金属酸化物膜形成用ターゲットとは、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属製ターゲットまたは酸化物製ターゲットである。また、金属酸化物膜中に炭素や窒素を含ませるために、酸化物形成用の金属製ターゲットもしくは酸化物ターゲットに炭素や窒素を含んでいても良く、上記金属の炭化物や窒化物のターゲットを用いても構わない。
また、本発明の耐熱遮光フィルムにおいては、樹脂フィルム基材(A)上に形成される遮光膜(B)が銅元素を含有する場合には、樹脂フィルム基材(A)と遮光膜(B)との界面に、密着強化膜としてポリイミドなどの樹脂フィルムとの密着性に優れた、ニッケル、コバルト、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、アルミニウム、バナジウム、ニオブ、鉄、亜鉛、金、銀及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する金属膜や、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどの金属酸化物膜、あるいは窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物膜を備えていても良い。その中でもニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有するニッケル系金属膜が密着強化膜として効果的であり、その場合の密着強化膜の形成には、スパッタリング法を用いて形成することが好ましい。
詳細には遮光膜形成用ターゲットと同等のターゲットを用いてもよく、遮光膜形成用ターゲットとは別のターゲットを用いてもよいが、遮光膜形成の場合と同じようにスパッタリング法で形成すればよい。
以下、成膜方法について、具体的に説明する。
まず、ロール状の1の樹脂フィルム基材(A)を巻き出しロール6Aにセットし、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプ7aで真空槽7内を排気する。その後、巻き出しロール6Aから1の樹脂フィルム基材(A)を供給する。真空槽7内にアルゴン、酸素、水素、ヘリウム、窒素からなる群より選ばれた1種類以上のガスを導入し、ガス圧を調整し、1の樹脂フィルム基材(A)を搬送しながら、プラズマ源またはイオン照射8で1の樹脂フィルム基材(A)の片面または両面を表面処理し、冷却キャンロール6Cの表面を通って、巻き取りロール6Bで巻き取られていくようにする。次に表面処理を行った1の樹脂フィルム基材(A)を巻き取りロール6Bから、巻き出しロール6Aへ搬送し、途中冷却キャンロール6Cとカソード間で放電させて、冷却キャンロール6Cの表面に密着搬送されている1の樹脂フィルム基材(A)に成膜する。なお、1の樹脂フィルム基材(A)は、スパッタリング前に200℃以上の温度で加熱し、乾燥しておくことが望ましい。
[遮光膜(B)の成膜形成]
本発明の耐熱遮光フィルムにおいて、遮光膜(B)は、例えば、アルゴン雰囲気中において、上記遮光膜形成用ターゲットを使用した高周波(RF)または直流(DC)マグネトロンスパッタリング法により樹脂フィルム基材(A)上に成膜形成される。
遮光膜(B)の成膜形成時のスパッタリングガス圧は、装置の種類などによっても異なるので一概に規定できないが、1.0Pa以下、例えば、0.2〜1.0Paにすることが好ましい。
成膜時のガス圧が0.2Pa未満であると、ガス圧が低いためスパッタリング法でのアルゴンプラズマが不安定となり、成膜した膜の膜質が悪くなる。一方、成膜時のガス圧が1.0Paを超えた場合では、遮光膜の結晶粒が粗くなり、高緻密な膜質でなくなるので樹脂フィルム基材との密着力が弱くなり、膜が剥がれてしまう。
この遮光膜(B)の成膜時における樹脂フィルム基材(A)の温度は、少なくとも180℃以上、特に180〜220℃とすることが望ましい。これにより、200℃以上の耐熱性を有するフィルムとの密着性の優れた、緻密な膜質の耐熱遮光フィルムが得られる。
成膜時の樹脂フィルム基材(A)の温度が180℃未満では、200℃以上での耐熱試験における遮光膜と樹脂フィルム基材(A)との密着性が悪化するので好ましくない。ただし、このような耐熱性が要求されない場合には、遮光膜を180℃未満でも成膜できる。なお、遮光膜の膜厚は、成膜時のフィルムの搬送速度とターゲットへの投入電力で制御される。
また、成膜中には樹脂フィルム基材(A)はプラズマから自然加熱される。スパッタリングガス圧とターゲットへの投入電力やフィルム搬送速度を調整することで、自然加熱によって成膜中の基板の温度を180℃以上に維持することは容易である。スパッタリングガス圧は低いほど、投入電力は高いほど、フィルム搬送速度は遅いほどプラズマからの自然加熱による加熱温度は高くなる。
成膜時の樹脂フィルム基材(A)の温度は、放射温度計で測定することが可能で、また予め樹脂フィルム基材(A)の表面にサーモラベルを貼り付けておいて、成膜後にラベルの色の変化を見て達した温度を知ることもできる。
遮光膜(B)が成膜された後、この遮光膜(B)上に所定の金属酸化物膜(C)を形成する。低反射性の酸化物層は、例えば、金属酸化物膜中の金属成分にあたる金属ターゲットを用いて、アルゴン及び酸素ガス雰囲気中で高周波(RF)又は直流(DC)マグネトロンスパッタリング法により形成することができる。
金属酸化物膜(C)を成膜する時の成膜時のスパッタリングガス圧は、装置の種類などによっても異なるので一概に規定できないが、1.0Pa以下、例えば、0.2〜1.0Paにすることが好ましい。
成膜時のガス圧が0.2Pa未満であると、ガス圧が低いためスパッタリング法でのアルゴンプラズマが不安定となり、成膜した膜の膜質が悪くなる。また、成膜時のガス圧が1.0Paを超えた場合では、金属酸化物膜の粒が粗くなり、高緻密な膜質でなくなるので遮光膜との密着力が弱くなり、膜が剥がれてしまう。
スパッタリングガス中の酸素ガスの含有量は特に制限されないが、例えば、不活性ガスに対して1〜10%、好ましくは2〜6%混合することができる。
また、金属酸化物膜(C)の成膜時における樹脂フィルム基材(A)の温度は、上記の遮光膜(B)を成膜する時と同様であり、少なくとも180℃以上、特に180〜220℃とすることが望ましい。これにより緻密な金属酸化物膜(C)が得られる。
この時の樹脂フィルム基材(A)の温度が180℃未満では、緻密な酸化膜が形成できないので好ましくない。なお、金属酸化物膜(C)の膜厚は、成膜時のフィルムの搬送速度とターゲットへの投入電力で制御される。
金属酸化物膜(C)の成膜中には、遮光膜成膜時と同様に、成膜中に樹脂フィルム基材はプラズマから自然加熱される。ガス圧とターゲットへの投入電力やフィルム搬送速度を調整することで、ターゲットから基材に入射する熱電子やプラズマ処理からの熱輻射によって成膜中のフィルム基材の表面温度を180℃以上に維持することは容易である。すなわち、ガス圧は低いほど、投入電力は高いほど、フィルム搬送速度は遅いほどプラズマからの自然加熱による加熱効果は高くなる。成膜時のフィルムが冷却キャンロールに接触している場合でも、自然加熱の影響でフィルム表面の温度は冷却キャンロール温度よりもはるかに高い温度となる。
しかし、自然加熱によるフィルム表面の温度は冷却キャンで冷却されながら行われるため、冷却キャンロールの温度にも大きく依存し、なるべく成膜時の自然加熱の効果を利用するのであれば、冷却キャンロールの温度を高めにして搬送速度を遅くすることが効果的である。
また、冷却キャンロールでフィルム搬送しながらスパッタリング成膜する方法の代りに、ロール状の樹脂フィルム基材を巻き出しロールにセットし、フィルム裏面を冷却手段に保持されることなく巻き取りロールで巻き取りながら成膜する方法(フローティング法)を採用すると、自然加熱効果を有効に利用することができる。
この方法では、ターゲット対向の樹脂フィルム基材は背後で冷却されず、成膜室内でフローティングの状態で成膜が行われる。この時、ターゲットやプラズマ処理から熱がフィルムに照射されるが、成膜室は真空であるため、溜まった熱は逃げにくく、効果的に加熱される。フローティング法では、実際270℃以上の自然加熱効果も容易に実現可能である。
遮光膜(B)の成膜形成と同じく、金属酸化物膜(C)の成膜中の樹脂フィルム基材表面の温度は、放射温度計で測定することが可能で、また予めフィルム表面にサーモラベルを貼り付けておいて、成膜後にラベルの色の変化を見て達した温度を知ることもできる。
[ガスバリア膜(D)の成膜形成]
ところで、通常、ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルム基材には、酸素や水分が多く含まれている。そのため、本発明では遮光膜(B)を成膜形成する前に、樹脂フィルム基材(A)にガスバリア膜(D)としての金属酸化物膜をスパッタリング法で形成することが好ましい。
ガスバリア膜(D)としての金属酸化物層は、ガスバリア膜形成用ターゲットを用いて、金属酸化物膜の成膜形成の場合と同じようにスパッタリング法で形成すればよい。例えば、ガスバリア膜形成用ターゲットを、アルゴン及び酸素ガス雰囲気中で、高周波(RF)又は直流(DC)マグネトロンスパッタリング法により形成することができる。
このガスバリア膜(D)の金属酸化物膜を成膜する時の成膜時のスパッタリングガス圧は、装置の種類などによっても異なるので一概に規定できないが、1.0Pa以下、例えば、0.2〜1.0Paにすることが好ましい。
成膜時のガス圧が0.2Pa未満であると、ガス圧が低いためスパッタリング法でのアルゴンプラズマ処理が不安定となり、成膜した膜の膜質が悪くなる。また、成膜時のガス圧が1.0Paを超えた場合では、金属酸化物膜の粒が粗くなり、高緻密な膜質でなくなるので遮光膜との密着力が弱くなり、膜が剥がれてしまう。
ガスバリア膜(D)の成膜時における樹脂フィルム基材(A)の温度は、少なくとも180℃以上とすることが望ましい。これにより緻密な金属酸化物膜を有する耐熱遮光フィルムが得られる。ガスバリア膜(D)としての金属酸化物膜の膜厚は、成膜時のフィルムの搬送速度とターゲットへの投入電力で制御され、5〜30nmの膜厚に形成すると効果的である。
この場合におけるスパッタリングガス中の酸素ガス含有量は特に制限されないが、例えば、不活性ガスに対して1〜10%、好ましくは2〜6%混合することができる。
樹脂フィルム基材(A)は、必要によりガスバリア膜(D)が形成され、さらに、遮光膜(B)が成膜された後、この遮光膜(B)上に金属酸化物膜(C)を形成することにより、片面にガスバリア膜(D)と、遮光膜(B)、金属酸化物膜(C)の積層膜が形成された耐熱遮光フィルムを得ることができる。さらに、一方の面にこれらの成膜が終了した樹脂フィルム基材(A)を、裏返した状態でスパッタリング装置に供給し、同様に、スパッタリングによって同じ構成の、樹脂フィルム基材(A)の表面に必要によりガスバリア膜(D)が形成され、遮光膜(B)及び金属酸化物膜(C)を順次形成する。これにより、両面にガスバリア膜(D)と、遮光膜(B)、金属酸化物膜(C)を備える本発明の耐熱遮光フィルムが得られる。
これらのスパッタリングにおけるターゲットとしては、ガスバリア膜形成用ターゲット、遮光膜形成用ターゲット、および金属酸化物膜形成用ターゲットを用いることになるが、ガスバリア膜形成用ターゲットと金属酸化物膜形成用ターゲットは、それぞれ同一のターゲットを用いて、ガス雰囲気を変えるなどして膜を形成することができる。したがって、真空槽内に3種類のターゲットを配置せずに済み、真空装置の簡略化を図ることが可能となり、したがって、コスト低減に寄与できる。
さらに、耐熱性の樹脂フィルム基材を中心に、その両面に対称型の膜構造を形成することから、成膜時の膜応力による遮光フィルムの変形を回避することが可能となり、遮光フィルムの変形による歩留まり低下を抑制することによって生産性に優れている。
なお、遮光膜(B)と金属酸化物膜(C)を成膜するのに、フィルム巻き取り式スパッタリング装置(図2)を例示し、連続的に成膜する方法について詳述したが、本発明は、これに限定されることなく、成膜時に基材フィルムの移動をさせずに行う回分式成膜方法を採用することもできる。この場合は、雰囲気ガスの切り替え、フィルム搬入・停止という操作が加わり煩雑となる。さらに、基材フィルムは、ロール状のものでなくとも、所定の大きさに切断された状態で装置内に固定してもよい。
[耐熱遮光フィルムの用途]
本発明の耐熱遮光フィルムは、デジタルカメラの絞りやシャッター装置の羽根、デジタルビデオカメラの絞りや光量調整用絞り装置(オートアイリスとも呼ばれる)の絞り羽根や、液晶プロジェクタの絞りや光量調整用絞り装置の絞り羽根として用いることができる。特に、耐熱性が要求されるプロジェクタ用途の絞りや光量調整用絞り装置(オートアイリス)の絞り羽根材として有用である。
耐熱遮光フィルムを絞りや光量調整用絞り装置(オートアイリス)の絞り羽根材とするには、端面クラックが生じない打ち抜き加工をすればよい。
絞りには、予め絞り開口径を規定した孔を設けた1枚の耐熱遮光板とし、この耐熱遮光板を投影光路に出入り自在に設けた機構のものとして用いることができる。
また、光量調整用絞り装置(オートアイリス)の絞り羽根には、複数の絞り羽根として用い、それらの絞り羽根を可動させ、絞り開口径を可変して光量の調整が可能となる機構のものとして用いることができる。
図3は、打ち抜き加工を施した耐熱遮光羽根12を搭載した光量調整用絞り装置の絞り機構を示す模式的な図である。
図3において、耐熱遮光羽根12には、ガイド孔13、駆動モーターと係合するガイドピン14と遮光羽根の稼働位置を制御するピン15を設けた基板16に取り付けるための孔17が設けられている。また、基板16の中央にはランプ光が通過する開口部18があるが、絞り装置の構造により遮光羽根は、さまざまな形状であってもよい。
本発明の耐熱遮光フィルムは、樹脂フィルムを基材としているので、軽量化でき、遮光羽根を駆動する駆動部材の小型化と消費電力の低減が可能となる。
次に、本発明について、実施例、比較例を用いて具体的に説明する。なお、得られた耐熱遮光フィルムの評価は以下の方法で行った。
[光学濃度、反射率]
分光光度計(日本分光製:V−570)を使用し、波長380nm〜780nmの可視光域の遮光性と反射率を測定した。遮光性は、光学濃度で表し、分光光度計で測定される透過率(T)を用いて(1)式により換算して求めた。
Figure 2012068536
シャッター装置や光量調整用絞り装置の絞り羽根では光学濃度は4以上、最大正反射率は5%以下であることが必要である。
[光沢度]
光沢度は、光沢度計(BYK−Gardner:GmbH製スペクトロガイド)を用いてJIS Z8741に基づき測定した。最大光沢度は、3%以下であれば光沢性が良好である。
作製したロール状フィルムの成膜開始部、成膜中間部、成膜終了部でフィルム面内の光沢度のバラツキを評価した。光沢度の最大値と最小値の差が1%以下であれば、光沢度のバラツキは少ないとした。
[摩擦係数]
静摩擦係数及び動摩擦係数は、JIS D1894に基づき測定した。静摩擦係数及び動摩擦係数が0.3以下の場合は良好「○」とし、0.3を超えるものは不十分「×」とした。
[表面粗さ]
表面処理したフィルム基材および得られた耐熱遮光フィルムの表面粗さ(算術平均高さRa)を表面粗さ計(株式会社東京精密製:サーフコム570A)で測定した。
[耐熱性]
得られた耐熱遮光フィルムの耐熱特性を以下の手順で評価した。220℃に加熱セットしたオーブン(アドバンテック社製)に、作製した耐熱遮光フィルムを24時間放置した後、取り出した。評価は、反りや膜の変色が無い場合は良好「○」とし、反りもしくは膜の変色がある場合は不十分「×」とした。
[密着性]
耐熱試験後の膜の密着性をJIS C0021に基づき評価した。評価は膜剥がれがない場合は良好「○」とし、膜剥がれがあるものは不十分「×」とした。
[導電性]
得られた耐熱遮光フィルムの表面抵抗値を抵抗率計(ダイアインスツルメンツ製:Loresta―EP MCP−T360)を用いて四探針法で測定した。
図2に示した巻き取り式スパッタリング装置を用いて、樹脂フィルム基材(A)の厚み75μm、幅500mm、長さ50mのポリイミド(PI)フィルム(東レ・デュポン社製「カプトン」(登録商標))に、プラズマ処理を施して遮光性のTi膜と低反射のNi−Ti酸化物膜の成膜を行った。
まず、冷却キャンロール6Cの表面の対向側にマグネトロンカソード9が設置された装置のカソードに膜の原料となるターゲット9aを取り付けた。巻き出しロール6A、プラズマ源8、冷却キャンロール6C、巻き取りロール6Bなどで構成されるフィルム搬送部は、隔壁11でマグネトロンカソード9と隔離されている。次に、ロール状の1の樹脂フィルム基材(A)を巻き出しロール6Aにセットした。
樹脂フィルム基材(A)のポリイミド(PI)フィルムは、プラズマ処理前に200℃以上の温度で加熱し、乾燥させている。
次に、真空槽7内の真空度を10−3〜10−4Pa台にし、酸素ガス(純度99.999%)を導入して、真空槽7内の真空度を0.6Paに調整した。その後、1の樹脂フィルム基材(A)が搬送され、プラズマ源8で酸素によるプラズマ処理を印加電圧3000Vで処理して、フィルム表面粗さが0.5μm(算術平均高さRa)の凹凸を形成した。
次いで、Tiターゲット(住友金属鉱山株式会社製)をカソードに設置し、スパッタリングガスに純アルゴンガス(純度99.999%)を用い、成膜時のスパッタガス圧を0.6Paとし、このカソードから直流スパッタリング法でTiの遮光膜を成膜した。成膜時のフィルムの搬送速度とターゲットへの投入電力を制御することでTi膜の膜厚を制御した。
次に、Ni−Tiターゲット(住友金属鉱山株式会社製)をカソードに設置し、Ti膜が形成された樹脂フィルムロールをセットし、スパッタリング装置に供給し、スパッタリングガスに酸素ガスを2%混合したアルゴンガスを用い、成膜時のスパッタガス圧を0.6Paとし、このカソードから直流スパッタリング法でTi膜上に低反射性のNi−Ti酸化物膜を成膜した。成膜時のフィルムの搬送速度とターゲットへの投入電力を制御することでNi−Ti酸化物膜の膜厚を制御した。さらにフィルムの裏面側も同様の成膜を実施して、ポリイミド(PI)フィルムの両面に、プラズマ処理で表面に凹凸をつけた上に、膜厚100nmのTi膜と膜厚50nmのNi−Ti酸化物膜を順に、スパッタリング成膜された、ポリイミド(PI)フィルム基材を中心に対称構造を有する耐熱遮光フィルムを作製した。
スパッタリング時のフィルムの表面温度を赤外線放射温度計(IRCON製:MODLINE3)を用いて巻き取り式スパッタリング装置の石英ガラスののぞき窓から測定すると180〜220℃であった。また、成膜前に予めフィルム表面に貼り付けてあったサーモラベル(アイビー技研製:101−8−176)を用いて成膜中の最高加熱温度をチェックしても同様の結果であった。
なお、フィルム乾燥、巻取り式スパッタ装置へのフィルム装着、真空排気、フィルム表面へのプラズマ処理と成膜をフィルム両表面に実施したところ、製造工程の処理時間は、33時間であった。
得られたTi膜の組成は、ICP発光分析およびEPMA定量分析から、ターゲット組成とほぼ同じであることを確認した。また、低反射性のNi−Ti酸化物膜として、ターゲット金属と同様のNi−Ti比のNi−Ti酸化物膜が得られていることを確認した。またTi膜、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は、断面TEM観察から測定し、所定の膜厚になっていることを確認した。
作製した耐熱遮光フィルムを前記方法により評価し、その構成を表1、特性を表2に示す。
実施例1の耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上、最大正反射率は1%であった。その光沢度は、2%以下となり光沢性は良好であった。また、成膜開始部、成膜中間部、成膜終了部の光沢度は1.5〜2.0%の範囲内にあり、その差は0.5%であった。
静摩擦係数及び動摩擦係数は、0.3以下となり、良好であった。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであった。
加熱後の耐熱遮光フィルムには、反りは発生せず、変色もなかった。また、膜剥がれはなく、良好であった。
また、JIS K5600−5−4に基づいて引っかき硬度試験(鉛筆法)を行ったところ、十分な硬度レベルのH以上であった。遮光性、反射特性、光沢度、摩擦係数も加熱前と変化なかった。
プラズマ処理の電圧を2000Vで行い、フィルム表面粗さが0.3μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例1と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例1と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は、400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.2μmであることを確認した。また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例1と同等の耐熱特性を有していることがわかった。
プラズマ処理の電圧を5000Vで行い、フィルム表面粗さが0.8μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例1と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例1と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は、400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.7μmであることを確認した。また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例1と同等の耐熱特性を有していることがわかった。
(比較例1)
プラズマ処理の電圧を1000Vで行い、フィルム表面粗さRaを0.1μmに変えた以外は実施例1と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度は実施例1と同等のものが得られた。しかし、表面粗さRaは、0.07μmであったため、最大正反射率は10%、光沢度は8%以下となり、実施例1に比べ高くなった。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例1と同等の耐熱特性を有していることがわかった。
(比較例2)
プラズマ処理の電圧を7000Vで行い、フィルム表面粗さRaを0.9μmに変えた以外は実施例1と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
耐熱遮光フィルムの表面の算術平均高さRaは、0.8μmとなり、最大正反射率は2%、光沢度は2%以下となり、実施例1と同等であった。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例1と同等の耐熱特性を有していることがわかった。しかし、光学濃度は3.5となった。フィルム表面を観察すると、ピンホールが無数にあることがわかり、これが原因で遮光性は得られなかったと考えられた。
プラズマ処理のガス種をアルゴンガスに変えた以外は、プラズマ処理時の電圧や、Ti膜及びNi−Ti酸化物膜の膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。フィルム表面粗さは0.4μm(算術平均高さRa)であった。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例1と同等のものが得られた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.3μmであることを確認した。また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例1と同等の耐熱特性を有していることがわかった。
プラズマ処理時の電圧を2000Vで行い、フィルム表面粗さを0.2μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例4と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例4と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例4と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例4と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例4と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.1であることを確認した。また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例1と同等の耐熱特性を有していることがわかった。
プラズマ処理時の電圧を5000Vで行い、フィルム表面粗さを0.8μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例4と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例4と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例4と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例4と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例4と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.7μmであることを確認した。また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例4と同等の耐熱特性を有していることがわかった。
(比較例3)
プラズマ処理の電圧を1000Vで行い、フィルム表面粗さが0.1μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例4と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例4と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例4と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例4と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上となった。表面の算術平均高さRaは0.06μmとなったため、最大正反射率は9%、光沢度は9%以下となり、実施例4より最大正反射率と光沢度は高くなった。また、表面抵抗値は400Ω/□であった。また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例4と同等の耐熱特性を有していることがわかった。
(比較例4)
プラズマ処理の電圧を8000Vで行い、フィルム表面粗さを1.0μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例4と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例4と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例4と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例4と同等であった。
作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例4と同様の方法、条件で実施した。その結果、波長380〜780nmにおける最大正反射率は1%、光沢度は1%以下であったが、フィルム表面に無数のピンホールが確認されたためか、光学濃度は3.9となり、完全遮光性はなかった。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.9μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
プラズマ処理のガス種を窒素ガスとし、処理時の電圧を2000Vで行い、フィルム表面粗さを0.2μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例1と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例1と同等のものが得られた。また、表面抵抗値は420Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.1μmであることを確認した。また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例1と同等の耐熱特性を有していることがわかった。
プラズマ処理時の電圧を5000Vで行い、フィルム表面粗さを0.8μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例7と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例7と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例7と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例7と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例7と同等のものが得られた。また、表面抵抗値は430Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.7μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
(比較例5)
プラズマ処理時の電圧を800Vで行い、フィルム表面粗さを0.1μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例7と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例7と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例7と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例7と同様の方法、条件で実施した。その結果、光学濃度は4以上と完全遮光性を有したが、最大正反射率は11%で、光沢度は8%以下となり、実施例7よりも高くなった。また、表面抵抗値は420Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.09μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
(比較例6)
プラズマ処理時の電圧を7000Vで行い、フィルム表面粗さを0.9μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例7と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例7と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例7と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例7と同等であった。
作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例7と同様の方法、条件で実施した。その結果、最大正反射率は1%で、光沢度は2%以下であったが、光学濃度は3.8を示し、実施例7と比べて光学濃度の少ない耐熱遮光フィルムであった。フィルム表面を観察した結果、微細なピンホールが多数形成されていることがわかった。また、表面抵抗値は420Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.8μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
プラズマ処理のガス種を水素ガスとし、電圧を800Vで行い、フィルム表面粗さを0.4μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例1と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例1と同等のものが得られた。また、表面抵抗値は410Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.3μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。
プラズマ処理時のガスをアルゴンと酸素の混合ガスとし、電圧を4000Vで行い、フィルム表面粗さを0.4μm(算術平均高さRa)に変えた以外は実施例1と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例1と同等のものが得られた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.3μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。
プラズマ処理時のガスをアルゴンと窒素の混合ガスとし、電圧を3000Vとしてフィルム表面粗さを0.4μm(算術平均高さRa)に変えた以外は、実施例1と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例1と同等のものが得られた。また、表面抵抗値は410Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.3μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。
Ti膜の厚みを50nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種、電圧、フィルムの算術平均高さRa、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度は実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。
Ti膜の厚みを250nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種、電圧、フィルムの算術平均高さRa、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
(比較例7)
Ti膜の厚みを40nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種、電圧、フィルムの算術平均高さRa、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。この作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
(比較例8)
Ti膜の厚みを270nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種、電圧、フィルムの算術平均高さRa、Ni−Ti属酸化物膜の膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。この作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、実施例13では、耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度は実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
しかし、比較例7では、耐熱遮光フィルムの光学濃度は3.7となり、完全遮光性は得られず、比較例8では耐熱遮光フィルムの特性は実施例1と同様であったが、膜厚が厚いため成膜時間が長く、製造コストを考慮すると、適さない。
遮光膜の材質をTaとし、プラズマ処理時のガス種を酸素ガス、電圧を3000Vとして、フィルムの算術平均高さRaを0.5μmに変えた以外は、Ta膜の膜厚、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度は実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は500Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。
Ta膜の膜厚を50nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス、電圧値、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例14と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例14と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例14と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例14と同等であった。
Ta膜の膜厚を250nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス、電圧値、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例14と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。この作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例14と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例14と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例14と同等であった。
(比較例9)
Ta膜の膜厚を40nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス、電圧値、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例14と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。この作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例14と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例14と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例14と同等であった。
(比較例10)
Ta膜の膜厚を260nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス、電圧値、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例14と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。この作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例14と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例14と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例14と同等であった。
その結果、実施例15と実施例16では耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度は実施例14と同様のものが得られたが、比較例9では耐熱遮光フィルムの光学濃度は3.9となり、完全遮光性が得られず、比較例10では耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光学濃度は実施例14と同様であったが、膜厚が厚いため成膜時間が長くなったため製造コスト的に不利であった。また、いずれも表面抵抗値は500Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
遮光膜の材質をAlとし、プラズマ処理時のガス種を酸素ガス、電圧を3000Vとして、フィルムの算術平均高さRaを0.5μmに変えた以外は、Al膜の膜厚、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度は実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は350Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。
Al膜の膜厚を250nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス、電圧値、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例17と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例17と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例17と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例17と同等であった。
(比較例11)
Al膜の膜厚を40nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス、電圧値、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例17と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例17と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例17と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例17と同等であった。
(比較例12)
Al膜の膜厚を260nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス、電圧値、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は実施例17と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例17と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例17と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例17と同等であった。
その結果、実施例18では耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度は実施例17と同様のものが得られたが、比較例11では耐熱遮光フィルムの光学濃度は3.8となり、完全遮光性が得られず、比較例12では耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光学濃度は実施例17と同様であったが、膜厚が厚いため成膜時間が長くなったため製造コスト的に不利であった。また、いずれも表面抵抗値は350Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
Ni−Ti酸化物膜の膜厚を5nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上、最大正反射率は6%、光沢度は3%以下となり、実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
Ni−Ti酸化物膜の膜厚を100nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例19と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例19と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例19と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例19と同等であった。
Ni−Ti酸化物膜の膜厚を200nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例19と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例19と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例19と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例19と同等であった。
Ni−Ti酸化物膜の膜厚を240nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例19と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例19と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例19と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例19と同等であった。
(比較例13)
Ni−Ti酸化物膜の膜厚を4nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例19と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例19と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例19と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例19と同等であった。
(比較例14)
Ni−Ti酸化物膜の膜厚を260nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例19と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例19と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例19と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例19と同等であった。
その結果、実施例20、21、22の耐熱遮光フィルムでは、耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上、最大正反射率は3%以下、光沢度は3%以下となり、実施例19と同様のものが得られた。さらに成膜開始部、成膜中間部、成膜終了部の光沢度は、それぞれ、2.4〜3.0%、0.6〜1.0%、1.7〜2.0%の範囲内にあり、その差はそれぞれ0.6%、0.4%、0.3%であった。
一方、比較例13では、耐熱遮光フィルムの最大正反射率が8%、光沢度も10%以下となり、実施例19より反射が高いことがわかった。
また、比較例14では、耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度は実施例19と同等であったが、膜厚が厚いため成膜時間が長くなり、コスト的に不利であった。さらに、これら実施例20〜22および比較例13、14においていずれも表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
金属酸化物膜の材質をNi−W酸化物膜に、膜厚を5nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上、最大正反射率は5%、光沢度は3%以下となり、実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
Ni−W酸化物膜の膜厚を150nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例23と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例23と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例23と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例23と同等であった。
Ni−W酸化物膜の膜厚を240nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例23と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例23と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例23と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例23と同等であった。
(比較例15)
Ni−W酸化物膜の膜厚を4nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例23と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例23と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例23と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例23と同等であった。
(比較例16)
Ni−W酸化物膜の膜厚を260nmに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚は実施例23と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例23と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例23と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例23と同等であった。
その結果、実施例24、25の耐熱遮光フィルムでは、耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上、最大正反射率は2%以下、光沢度は2%以下となり、実施例23と同様のものが得られた。一方、比較例15では、耐熱遮光フィルムの最大正反射率が8%、光沢度も9%以下となり、実施例23より反射が高いことがわかった。
また、比較例16では、耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度は実施例23と同等であったが、膜厚が厚いため成膜時間が長くなり、コスト的に不利であった。また、いずれも表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
樹脂フィルムの材質をポリアミドイミドに変えた以外は、実施例1と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
樹脂フィルムの材質を、ポリフェニレンサルファイドに変えた以外は、実施例1と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
樹脂フィルムの材質をポリエーテルエーテルケトンに変えた以外は、実施例1と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
樹脂フィルムの材質を、ポリエーテルサルフォンに変えた以外は、実施例1と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、実施例26〜29において耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上、最大正反射率は1%、光沢度は2%以下となり、実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
ガスバリア膜として、Ni−Ti酸化物膜を膜厚30nmになるようにプラズマ処理した樹脂フィルム上に形成し、その上にTi膜を、さらに金属酸化物膜としてガスバリア膜と同一組成の酸化物膜を形成し、耐熱遮光フィルムを作製した。プラズマ処理、Ti膜の膜厚、金属酸化物膜の膜厚は実施例1と同様である。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
ガスバリア膜として、Ni−W酸化物膜を膜厚30nmになるようにプラズマ処理した樹脂フィルム上に形成し、その上にTi膜を、さらに金属酸化物膜としてガスバリア膜と同一組成の酸化物膜を形成し、耐熱遮光フィルムを作製した。プラズマ処理、Ti膜の膜厚、金属酸化物膜の膜厚は実施例1と同様である。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
ガスバリア膜として、Ni−Mo酸化物膜を膜厚30nmになるようにプラズマ処理した樹脂フィルム上に形成し、その上にTi膜を、さらに金属酸化物膜としてガスバリア膜と同一組成の酸化物膜を形成し、耐熱遮光フィルムを作製した。プラズマ処理、Ti膜の膜厚、金属酸化物膜の膜厚は実施例1と同様である。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、実施例30〜32においていずれも光学濃度は4以上、最大正反射率は1%、光沢度は2%以下となり、実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。
Ti膜およびNi−Ti酸化物膜形成時のガス圧を0.2Paに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種、電圧値、フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は、実施例1と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施し、その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
Ti膜およびNi−Ti酸化物膜形成時のガス圧を1.0Paに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種、電圧値、フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は、実施例1と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施し、その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
(比較例17)
Ti膜およびNi−Ti酸化物膜形成時のガス圧を0.1Paに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種、電圧値、フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は、実施例1と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施し、その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
(比較例18)
Ti膜およびNi−Ti酸化物膜形成時のガス圧を1.1Paに変えた以外は、プラズマ処理時のガス種、電圧値、フィルムの算術平均高さRa、Ti膜の膜厚、Ni−Ti酸化物膜の膜厚は、実施例1と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施し、その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、実施例33と実施例34では、耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上、最大正反射率は1%、光沢度は2%以下となり、実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。
また、比較例17ではガス圧が低いため、放電が安定せず、耐熱遮光フィルムの光学濃度が4.0以上、最大正反射率が8%、光沢度が10%以下となり良好ではなかった。一方、比較例18では、ガス圧が高いためNi−Ti酸化物膜の粒が肥大するとともに、緻密な膜ではなくなるので、樹脂フィルムやTi膜、Ni−Ti酸化物膜界面での密着性が悪かった。
遮光膜の材質を金属炭化物膜(炭化チタン膜)に変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、遮光膜の膜厚、金属酸化物膜の材質と膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。
なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上、最大正反射率は2%、光沢度は3%以下となり、実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は450Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。
遮光膜の材質を金属窒化物膜(窒化チタン膜)に変えた以外は、プラズマ処理時のガス種や電圧、樹脂フィルムの算術平均高さRa、遮光膜の膜厚、金属酸化物膜の材質と膜厚は実施例1と同様にして、耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例1と同様の方法、条件で実施した。
なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上、最大正反射率は2%、光沢度は3%以下となり、実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は450Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。
樹脂フィルムの表面処理として、プラズマ処理の代わりにイオン照射処理を行った以外は実施例1と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。
イオン照射処理は、樹脂フィルムをスパッタリング装置にセット後、真空槽内の真空度を10−3〜10−4Pa台を保持し、酸素ガス(純度99.999%)を導入して、真空槽内の真空度を0.6Paに調整した。その後、フィルムを搬送しながらイオン源8で酸素によるイオン照射処理を電圧5000Vで行い、さらにフィルムの搬送を5回繰り返すことで、フィルム表面粗さが0.4μm(算術平均高さRa)の凹凸を形成した。
作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例1と同等のものが得られていた。また、成膜開始部、成膜中間部、成膜終了部の光沢度は、1.8〜2.0%の範囲内にあり、その差は0.2%であった。さらに、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.3μmであることを確認した。また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例1と同等の耐熱特性を有していることがわかった。
なお、フィルム乾燥、巻取り式スパッタ装置へのフィルム装着、真空排気、フィルム両表面へのイオン照射処理と成膜といった製造工程の処理時間は、34時間であった。
イオン照射の処理回数を2回に変え、樹脂フィルムの算術平均高さRaを0.2μmに変えた以外は実施例37と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例37と同様の方法、条件で実施し、その耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例37と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例37と同等であった。
イオン照射の処理回数を8回に変え、樹脂フィルムの算術平均高さRaを0.8μmに変えた以外は実施例37と同じ条件で耐熱遮光フィルムを作製した。作製した耐熱遮光フィルムの評価(光学特性、耐熱性)を実施例37と同様の方法、条件で実施した。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。なお、実施例37と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例37と同等であった。
耐熱遮光フィルムの光学濃度、最大正反射率、光沢度などの特性は実施例38、39では実施例37と同等のものが得られていた。また、表面抵抗値は400Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.1μm(実施例38)、0.7μm(実施例39)、であることを確認した。また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価でも、反りや膜剥がれはなく、実施例37と同等の耐熱特性を有していることがわかった。
なお、実施例39でのフィルム乾燥、巻取り式スパッタ装置へのフィルム装着、真空排気、フィルム両表面へのイオン照射処理と成膜といった製造工程の処理時間は、36時間であった。
(比較例19)
予め、ポリイミドフィルムの表面凹凸処理を別の装置でサンドブラスト法で行ったこと以外は、フィルムの種類、長さ、厚み、表面処理後の樹脂フィルムの算術平均高さRaや遮光膜及び金属酸化物膜の種類、各膜の膜厚は実施例1と同様にして耐熱遮光フィルムを作製した。
なお、実施例1と同様の方法でスパッタリング時のフィルムの表面温度を測定すると180〜220℃となり、実施例1と同等であった。
その結果、耐熱遮光フィルムの光学濃度は4以上、最大正反射率は2%、光沢度は3%以下となり、実施例1と同様のものが得られた。また、表面抵抗値は450Ω/□であり、表面の算術平均高さRaは、0.4μmであることを確認した。
なお、成膜開始部、成膜中間部、成膜終了部の光沢度は1〜3%の範囲内にあり、その差は2%であった。光沢度の特性は満足するものの、実施例1のプラズマ処理や実施例37のイオン照射処理に比べ、光沢度のバラツキが大きく、表面粗さにバラツキがあることがわかった。
また、220℃で24時間加熱試験後の膜の密着性評価では、反りや膜剥がれはなかった。作製した耐熱遮光フィルムの構成、特性を表1、表2に示す。
なお、サンドブラスト法を用いた場合のフィルム乾燥、フィルム両表面のサンドブラスト処理時間と遮光膜、金属酸化物膜からなる積層膜成膜に費やした総製造時間は42時間となり、実施例1、実施例37、実施例39で示した樹脂フィルム表面をプラズマ処理やイオン照射処理した場合に比べ、製造時間が長くなり、製造工程の短縮という点でサンドブラスト処理でのフィルム前処理は劣っていると言える。
Figure 2012068536
Figure 2012068536
上記実施例で示された耐熱遮光フィルムは光学濃度、最大正反射率、光沢度、耐熱性、摩擦係数、導電性のすべてについて良好であることから、例えば、200℃程度の高熱環境下で使用される液晶プロジェクタの絞りなどの部材として利用することができる。
1 樹脂フィルム基材(A)
2 遮光膜(B)
3 低反射性の金属酸化物膜(C)
4 積層膜
5 ガスバリア膜
6A 巻き出しロール
6B 巻き取りロール
6C 冷却キャンロール
7 真空槽
7a 真空ポンプ
8 プラズマ源
9 マグネトロンカソード
9a ターゲット
10 耐熱遮光フィルム
11 隔壁
12 耐熱遮光羽根
13 ガイド孔
14 ガイドピン
15 ピン
16 基板
17 孔
18 開口部

Claims (24)

  1. 200℃以上の耐熱性を有する樹脂フィルム基材(A)と、前記樹脂フィルム基材(A)の表面をプラズマ処理もしくはイオン照射処理による表面処理を行い、前記表面処理が施された樹脂フィルム基材(A)表面上に、スパッタリング法により形成される50nm以上の膜厚を有する金属膜、金属炭化物膜、金属窒化物膜のうちいずれか1種類以上からなる遮光膜(B)と、前記遮光膜(B)上にスパッタリング法により形成される低反射性の金属酸化物膜(C)からなる積層膜を備え、前記表面処理が施された樹脂フィルム基材(A)表面の表面粗さが、算術平均高さRaにおいて0.2〜0.8μm、かつ前記積層膜の表面粗さが算術平均高さRaにおいて0.1〜0.7μmであることを特徴とする耐熱遮光フィルム。
  2. 前記プラズマ処理もしくはイオン照射処理による表面処理が、酸素、アルゴン、窒素、水素、ヘリウムからなる群から選ばれる1種類以上のガスを使用して照射されることを特徴とする請求項1に記載の耐熱遮光フィルム。
  3. 前記樹脂フィルム基材(A)が、ポリイミド、アラミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン又はポリエーテルサルフォンからなる群から選ばれる1種類以上で構成されていることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。
  4. 前記遮光膜(B)が、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。
  5. 前記金属酸化物膜(C)が、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。
  6. 前記遮光膜(B)の膜厚が50〜250nm、および前記金属酸化物膜(C)の膜厚が5〜240nmであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。
  7. 前記積層膜の表面抵抗値が、1×10Ω/□以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。
  8. 前記積層膜の光最大正反射率が、波長380〜780nmにおいて7%以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。
  9. 前記樹脂フィルム基材(A)の両面に、遮光膜(B)と金属酸化物膜(C)からなる積層膜が、前記樹脂フィルム基材(A)を中心とした対称構造となるように備えられていることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。
  10. 前記樹脂フィルム基材(A)と前記遮光膜(B)の界面に、スパッタリング法により形成される金属酸化物膜をガスバリア膜(D)として有することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。
  11. 前記ガスバリア膜(D)が、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜であることを特徴とする請求項10に記載の耐熱遮光フィルム。
  12. 樹脂フィルム基材(A)の両面に、前記樹脂フィルム基材(A)側からガスバリア膜(D)、遮光膜(B)、金属酸化物膜(C)の順からなる積層膜を備え、前記樹脂フィルム基材(A)を中心とした対称構造となるように備えられていることを特徴とする請求項10〜11のいずれかに記載の耐熱遮光フィルム。
  13. 前記樹脂フィルム基材(A)の両面に備わるガスバリア膜(D)同士、遮光膜(B)同士、及び金属酸化物膜(C)同士が、同じ金属元素成分組成であることを特徴とする請求項12に記載の耐熱遮光フィルム。
  14. 樹脂フィルム基材(A)の片面もしくは両面をプラズマ処理またはイオン照射処理による表面処理を施して表面粗さが算術平均高さRaにおいて0.2〜0.8μmの凹凸表面とした樹脂フィルム基材(A)を、スパッタリング装置に供給し、
    不活性ガス雰囲気下での遮光膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングにより前記樹脂フィルム基材(A)の凹凸表面上に、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)を形成し、
    次に、金属酸化物膜形成用ターゲットを用い、スパッタリングガスに酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、前記遮光膜(B)上に、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜(C)を形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法。
  15. 樹脂フィルム基材(A)をスパッタ装置に供給し、
    前記樹脂フィルム基材(A)の片面もしくは両面をプラズマ処理もしくはイオン照射処理による表面処理を施して表面粗さが算術平均高さRaにおいて0.2〜0.8μmの凹凸表面とし、
    次いで不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながらガスバリア膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングにより、表面処理された樹脂フィルム基材(A)上に、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有するガスバリア膜(D)を形成し、
    次に、不活性ガス雰囲気下での遮光膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングにより、前記ガスバリア膜(D)上にチタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)を形成した後、
    不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながら金属酸化物膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングにより、遮光膜(B)上に、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜(C)を形成することを特徴とする耐熱遮光フィルムの製造方法。
  16. 片面に前記遮光膜(B)と前記金属酸化物膜(C)の順に形成された積層膜を備える耐熱遮光フィルムを、スパッタリング装置に供給し、
    不活性ガス雰囲気下で遮光膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングによって前記樹脂フィルム基材(A)の前記積層膜が形成されていないもう一方の表面に、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)と、
    金属酸化物膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリングガスに酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜(C)を順次形成することを特徴とする請求項14に記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。
  17. 片面に前記ガスバリア膜(D)、前記遮光膜(B)及び前記金属酸化物膜(C)の順に形成された積層膜を備える耐熱遮光フィルムを、スパッタリング装置に供給し、
    不活性ガス雰囲気に酸素ガスを導入しながらガスバリア膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングにより、前記樹脂フィルム基材(A)の積層膜が形成されていないもう一方の片面に、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含むガスバリア膜(D)と、
    不活性ガス雰囲気下での遮光膜形成用ターゲットを用いたスパッタリングによって、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の元素を含有する遮光膜(B)と、
    金属酸化物膜形成用ターゲットを用い、スパッタリングガスに酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、ニッケルを主成分として、チタン、タンタル、タングステン、バナジウム、モリブデン、コバルト、ニオブ、鉄、銅、亜鉛、アルミニウム、及び珪素からなる群より選ばれる1種類以上の添加元素を含有する金属酸化物膜(C)を順次形成することを特徴とする請求項15に記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。
  18. 前記各スパッタリングにおけるスパッタリングガス圧が、0.2〜1.0Paであることを特徴とする請求項14〜17のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。
  19. 前記各スパッタリングにおけるスパッタリング時の樹脂フィルム基材温度が、180℃以上であることを特徴とする請求項14〜18のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。
  20. 前記ガスバリア膜形成用ターゲットおよび前記金属酸化物膜形成用ターゲットが、それぞれ同一のものを用い、各膜を形成することを特徴とする請求項15または17のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。
  21. 樹脂フィルム基材(A)が、ロール状に巻き取られてスパッタリング装置のフィルム搬送部にセットされることを特徴とする請求項14〜20のいずれか1項に記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。
  22. 成膜中の樹脂フィルム基材が、冷却されずに成膜室内でフローティングの状態でスパッタリング成膜されることを特徴とする請求項14〜21のいずれかに1項に記載の耐熱遮光フィルムの製造方法。
  23. 請求項1〜13のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムを加工して製造された耐熱性に優れた絞り。
  24. 請求項1〜13のいずれかに記載の耐熱遮光フィルムを羽根材として用いてなる光量調整用絞り装置。
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