Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2011135725A - Power converter - Google Patents

Power converter Download PDF

Info

Publication number
JP2011135725A
JP2011135725A JP2009294139A JP2009294139A JP2011135725A JP 2011135725 A JP2011135725 A JP 2011135725A JP 2009294139 A JP2009294139 A JP 2009294139A JP 2009294139 A JP2009294139 A JP 2009294139A JP 2011135725 A JP2011135725 A JP 2011135725A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current sensor
terminal
power
semiconductor module
power conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009294139A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5531611B2 (en
Inventor
Kenshiro Kaida
健史郎 檜田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2009294139A priority Critical patent/JP5531611B2/en
Publication of JP2011135725A publication Critical patent/JP2011135725A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5531611B2 publication Critical patent/JP5531611B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power converter including a break-proof current sensor which has an accurate measurement value. <P>SOLUTION: The power converter includes a laminate 4 in which a plurality of semiconductor modules 2 and a plurality of cooling tubes 3 for cooling the semiconductor modules 2 are stacked. Each of the semiconductor modules 2 includes a body part 20 incorporating a switching element 23 constituting a power conversion circuit. A control terminal 22 and a power terminal 21 being conductive to the switching element 23 protrude from the body part 20 in the directions opposite to each other. The power converter 1 includes a current sensor 5 which measures a current flowing in the power terminal 21. At least a part of the current sensor 5 is interposed between adjoining two cooling tubes 3. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、電流センサを有する電力変換装置に関する。   The present invention relates to a power converter having a current sensor.

従来から、直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置が知られている(下記特許文献1参照)。従来の電力変換装置は、図10、図11に示すごとく、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール92と、該半導体モジュール92を冷却する冷却チューブ93とを積層して構成されている。個々の半導体モジュール92は、スイッチング素子に導通したパワー端子94と制御端子96とを有する。   Conventionally, a power converter that performs power conversion between DC power and AC power is known (see Patent Document 1 below). As shown in FIGS. 10 and 11, the conventional power converter is configured by stacking a semiconductor module 92 having a built-in switching element and a cooling tube 93 for cooling the semiconductor module 92. Each semiconductor module 92 has a power terminal 94 and a control terminal 96 which are electrically connected to the switching element.

パワー端子94には、図10に示すごとく、直流電源の正極端子に接続される正極端子94aと、直流電源の負極端子に接続される負極端子94bと、交流負荷に接続される交流端子94cとがある。交流端子94cにはバスバー97が接続されている。また、正極端子94aと負極端子94bにも、図示しない直流用バスバーが接続されている。   As shown in FIG. 10, the power terminal 94 includes a positive terminal 94a connected to the positive terminal of the DC power source, a negative terminal 94b connected to the negative terminal of the DC power source, and an AC terminal 94c connected to the AC load. There is. A bus bar 97 is connected to the AC terminal 94c. A DC bus bar (not shown) is also connected to the positive terminal 94a and the negative terminal 94b.

図11に示すごとく、半導体モジュール92の制御端子96には、制御回路基板98が接続されている。この制御回路基板98によって、半導体モジュール92内のスイッチング素子の動作を制御している。これにより、正極端子94aと負極端子94bとの間に印加される直流電圧を三相交流電圧に変換し、交流端子94cから出力する。   As shown in FIG. 11, a control circuit board 98 is connected to the control terminal 96 of the semiconductor module 92. The control circuit board 98 controls the operation of the switching elements in the semiconductor module 92. As a result, the DC voltage applied between the positive terminal 94a and the negative terminal 94b is converted into a three-phase AC voltage and output from the AC terminal 94c.

三相交流電流が流れる3本のバスバー97U,97V,97Wのうち、2本のバスバー97U,97Vには電流センサ95が取り付けられている。図11に示すごとく、電流センサ95は、接続配線99によって制御回路基板98に接続されており、この接続配線99を通して制御回路基板98にセンサ出力信号を送信している。制御回路基板98は、電流センサ95のセンサ出力信号を、スイッチング素子の動作制御に利用している。   Of the three bus bars 97U, 97V, and 97W through which the three-phase alternating current flows, current sensors 95 are attached to the two bus bars 97U and 97V. As shown in FIG. 11, the current sensor 95 is connected to the control circuit board 98 through the connection wiring 99, and transmits a sensor output signal to the control circuit board 98 through the connection wiring 99. The control circuit board 98 uses the sensor output signal of the current sensor 95 for controlling the operation of the switching element.

特開2005−332863号公報JP 2005-332863 A

しかしながら、従来の電力変換装置91は、バスバー97に流れる電流によって生じた抵抗熱や、半導体モジュール92から発生した熱によって、電流センサ95の温度が上昇するという問題があった。温度が上昇すると、電流センサ95が壊れやすくなったり、測定値が不正確になったりしやすい。   However, the conventional power converter 91 has a problem that the temperature of the current sensor 95 rises due to resistance heat generated by the current flowing through the bus bar 97 and heat generated from the semiconductor module 92. When the temperature rises, the current sensor 95 tends to be broken or the measured value tends to be inaccurate.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、壊れにくく、測定値が正確な電流センサを有する電力変換装置を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a power conversion device having a current sensor that is hard to break and has an accurate measurement value.

本発明は、電力変換回路を構成するスイッチング素子を内蔵した本体部を有し、上記スイッチング素子に導通したパワー端子と制御端子とが上記本体部から互いに反対方向へ突出した複数個の半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数個の冷却チューブとを積層した積層体と、
上記パワー端子に流れる電流を測定する電流センサとを備え、
上記電流センサは、その少なくとも一部を、隣り合う2個の上記冷却チューブの間に介在させていることを特徴とする電力変換装置にある(請求項1)。
The present invention includes a main body having a built-in switching element constituting a power conversion circuit, and a plurality of semiconductor modules in which a power terminal and a control terminal conducted to the switching element protrude in opposite directions from the main body. A laminated body in which a plurality of cooling tubes for cooling the semiconductor module are laminated;
A current sensor for measuring the current flowing through the power terminal,
The current sensor is in a power converter characterized in that at least a part of the current sensor is interposed between two adjacent cooling tubes.

本発明の作用効果について説明する。本発明では、電流センサの少なくとも一部を、隣り合う2個の冷却チューブの間に介在させている。これにより、電流センサをその両面から冷却チューブで冷却することが可能となる。そのため、温度上昇に伴って電流センサが壊れやすくなるという不具合を防止できる。また、電流センサの温度を一定に保ちやすくなるため、パワー端子に流れる電流を精確に測定することが可能になる。   The function and effect of the present invention will be described. In the present invention, at least a part of the current sensor is interposed between two adjacent cooling tubes. Thereby, it becomes possible to cool a current sensor from the both surfaces with a cooling tube. Therefore, it is possible to prevent a problem that the current sensor is easily broken as the temperature rises. In addition, since the temperature of the current sensor is easily kept constant, it is possible to accurately measure the current flowing through the power terminal.

以上のごとく、本発明によれば、壊れにくく、測定値が正確な電流センサを有する電力変換装置を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a power conversion device that includes a current sensor that is not easily broken and has an accurate measurement value.

実施例1における、電力変換装置の断面図であって、図2のB−B断面図。It is sectional drawing of the power converter device in Example 1, Comprising: It is BB sectional drawing of FIG. 図1のA−A断面図。AA sectional drawing of FIG. 実施例1における、電力変換装置の回路図。The circuit diagram of the power converter device in Example 1. FIG. 実施例2における、電力変換装置の断面図であって、図5のD−D断面図。It is sectional drawing of the power converter device in Example 2, Comprising: DD sectional drawing of FIG. 図4のC−C断面図。CC sectional drawing of FIG. 実施例3における、電力変換装置の断面図であって、図7のF−F断面図。It is sectional drawing of the power converter device in Example 3, Comprising: It is FF sectional drawing of FIG. 図6のE−E断面図。EE sectional drawing of FIG. 実施例4における、電力変換装置の平面図であって、図9のH矢視図。It is a top view of the power converter device in Example 4, Comprising: The H arrow line view of FIG. 図8のG−G断面図。GG sectional drawing of FIG. 従来例における、電力変換装置の平面図であって、図11のJ矢視図。It is a top view of the power converter device in a prior art example, Comprising: The arrow J figure of FIG. 図10のH矢視図であって、冷却チューブの連結管を省略して描いたもの。FIG. 11 is a view as viewed from the direction of the arrow H in FIG. 10, omitting the connecting pipe of the cooling tube.

上述した本発明における好ましい実施の形態につき説明する。
本発明において、上記冷却チューブは導電性材料から構成されていることが好ましい(請求項2)。
このようにすると、隣接する半導体モジュールから放射される電磁ノイズを、冷却チューブによって遮蔽することができる。そのため、電流センサが電磁ノイズの影響を受けにくくなり、誤作動しにくくなる。
A preferred embodiment of the present invention described above will be described.
In the present invention, it is preferable that the cooling tube is made of a conductive material.
If it does in this way, the electromagnetic noise radiated | emitted from the adjacent semiconductor module can be shielded with a cooling tube. For this reason, the current sensor is not easily affected by electromagnetic noise, and is unlikely to malfunction.

また、上記電流センサは、上記制御端子と同一方向に突出した信号端子を備え、該信号端子と上記制御端子とに、上記電流センサの出力信号を受け付けるとともに上記スイッチング素子の動作を制御する制御回路基板が接続されていることが好ましい(請求項3)。
このようにすると、電流センサと制御回路基板とを最短距離で接続することができる。そのため、電流センサと制御回路基板とを接続する配線を、積層体の周囲に引き回した場合(図11参照)と比較して、積層体の周りに接続配線を配置するスペースを確保する必要がなくなるため、電力変換装置を小型化することができる。
また、半導体モジュールの制御端子と、電流センサの信号端子とが同一方向に突出しているため、制御回路基板に対して制御端子と信号端子とを同時に接続することができる。これらの接続工程は、はんだ付け等により自動的に行うことができるため、電力変換装置の製造コストを低減することが可能になる。
In addition, the current sensor includes a signal terminal protruding in the same direction as the control terminal, and receives a signal output from the current sensor and controls the operation of the switching element at the signal terminal and the control terminal. It is preferable that the substrate is connected (claim 3).
If it does in this way, a current sensor and a control circuit board can be connected by the shortest distance. Therefore, it is not necessary to secure a space for arranging the connection wiring around the laminated body, as compared with the case where the wiring connecting the current sensor and the control circuit board is routed around the laminated body (see FIG. 11). Therefore, the power conversion device can be reduced in size.
Moreover, since the control terminal of the semiconductor module and the signal terminal of the current sensor protrude in the same direction, the control terminal and the signal terminal can be connected to the control circuit board at the same time. Since these connection steps can be automatically performed by soldering or the like, the manufacturing cost of the power conversion device can be reduced.

また、上記電流センサは、上記パワー端子に流れる電流を検出する検出素子と、該検出素子に導通した回路部とからなり、少なくとも該回路部は、隣り合う2個の上記冷却チューブの間に介在していることが好ましい(請求項4)。
電流センサの回路部は、温度上昇の影響を特に受けやすい部分であり、温度の上昇によって壊れたり、センサ出力を不安定にしたりしやすい部分である。そのため、少なくとも回路部を冷却チューブで挟んで冷却することにより、本発明の効果、すなわち、電流センサを壊れにくくし、かつ測定値を正確にできるという効果を十分に発揮させることができる。
なお、回路部は、検出素子の出力信号を処理する電気回路を備えた部位であり、例えば該出力信号を増幅する増幅回路を備える。
The current sensor includes a detection element that detects a current flowing through the power terminal and a circuit unit that is electrically connected to the detection element. At least the circuit unit is interposed between two adjacent cooling tubes. (Claim 4).
The circuit part of the current sensor is a part that is particularly susceptible to an increase in temperature, and is a part that is likely to break due to a rise in temperature or to make the sensor output unstable. Therefore, by cooling at least the circuit portion with the cooling tube, the effect of the present invention, that is, the effect that the current sensor is hardly broken and the measured value can be accurately obtained can be sufficiently exhibited.
The circuit unit is a part including an electric circuit that processes the output signal of the detection element, and includes, for example, an amplifier circuit that amplifies the output signal.

また、上記電流センサは、上記半導体モジュールと一体に形成されていることが好ましい(請求項5)。
このように、電流センサと半導体モジュールとを一体にすると、これらを別々に形成した場合よりもサイズを小さくすることができる。また、上記構成によると、積層体を製造する際に、電流センサと半導体モジュールを別々に積層する必要がなくなるので、作業性を向上させることができる。
The current sensor is preferably formed integrally with the semiconductor module.
Thus, when the current sensor and the semiconductor module are integrated, the size can be reduced as compared with the case where they are formed separately. Moreover, according to the said structure, when manufacturing a laminated body, it becomes unnecessary to laminate | stack a current sensor and a semiconductor module separately, Therefore Workability | operativity can be improved.

また、上記冷却チューブは、所定間隔をおいて積層配置されており、隣り合う2個の上記冷却チューブの間に、上記半導体モジュールと上記電流センサとのいずれか一方が介在し、上記電流センサは、上記冷却チューブを介して隣接配置された上記半導体モジュールの上記パワー端子に流れる電流を測定するよう構成されていることが好ましい(請求項6)。
このようにすると、半導体モジュールの冷却効率を高めることができる。すなわち、発熱量が特に大きい半導体モジュールがある場合は、その半導体モジュールを挟む冷却チューブの温度が高くなりやすい。この冷却チューブに別の半導体モジュールを接触させると、更に温度が上昇して冷却効率が低下しやすくなる。そのため、温度が上昇しやすい冷却チューブに別の半導体モジュールを接触させず、発熱量の少ない電流センサを接触させることにより、冷却チューブの温度上昇を防止でき、半導体モジュールの冷却効率低下を防止することができる。
The cooling tubes are stacked and arranged at a predetermined interval, and either one of the semiconductor module or the current sensor is interposed between two adjacent cooling tubes, and the current sensor is It is preferable that the current flowing in the power terminal of the semiconductor module arranged adjacent to the cooling tube through the cooling tube is measured.
If it does in this way, the cooling efficiency of a semiconductor module can be raised. That is, when there is a semiconductor module that generates a particularly large amount of heat, the temperature of the cooling tube that sandwiches the semiconductor module tends to increase. When another semiconductor module is brought into contact with this cooling tube, the temperature further rises and the cooling efficiency tends to decrease. For this reason, the temperature of the cooling tube can be prevented from rising and the cooling efficiency of the semiconductor module can be prevented from lowering by contacting a current sensor with a small amount of heat without contacting another semiconductor module with the cooling tube where the temperature tends to rise. Can do.

(実施例1)
本発明の実施例にかかる電力変換装置につき、図1〜図3を用いて説明する。
本例の電力変換装置1は、図1、図2に示すごとく、複数個の半導体モジュール2と、該半導体モジュール2を冷却する複数個の冷却チューブ3とを積層した積層体4を備える。個々の半導体モジュール2は、電力変換回路を構成するスイッチング素子23を内蔵した本体部20を有し、該スイッチング素子23に導通したパワー端子21と制御端子22とが本体部20から互いに反対方向へ突出している。
また、電力変換装置1は、パワー端子21に流れる電流を測定する電流センサ5を備える。
電流センサ5は、その少なくとも一部を、隣り合う2個の冷却チューブ3の間に介在させている。
以下、詳説する。
Example 1
A power converter according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 and 2, the power conversion device 1 of this example includes a stacked body 4 in which a plurality of semiconductor modules 2 and a plurality of cooling tubes 3 that cool the semiconductor modules 2 are stacked. Each semiconductor module 2 has a main body portion 20 including a switching element 23 that constitutes a power conversion circuit, and a power terminal 21 and a control terminal 22 that are conducted to the switching element 23 are opposite to each other from the main body portion 20. It protrudes.
The power conversion device 1 also includes a current sensor 5 that measures the current flowing through the power terminal 21.
At least a part of the current sensor 5 is interposed between two adjacent cooling tubes 3.
The details will be described below.

本例の電力変換装置1は、電気自動車やハイブリッドカー等に搭載されるもので、直流電力と交流電力との間で電力変換を行う。半導体モジュール2のパワー端子21には、直流電源11(図3参照)の正電極に接続された正極端子21aと、直流電源11の負電極に接続された負極端子21bと、交流端子21cとがある。これらのパワー端子21a〜21cは、図示しないバスバーが接続されている。   The power conversion device 1 of this example is mounted on an electric vehicle, a hybrid car, or the like, and performs power conversion between DC power and AC power. The power terminal 21 of the semiconductor module 2 includes a positive terminal 21a connected to the positive electrode of the DC power supply 11 (see FIG. 3), a negative terminal 21b connected to the negative electrode of the DC power supply 11, and an AC terminal 21c. is there. A bus bar (not shown) is connected to these power terminals 21a to 21c.

また、図2に示すごとく、半導体モジュールの制御端子22には、制御回路基板6が接続されている。この制御回路基板6によってスイッチング素子23(IGBT素子)の動作制御をする。これにより、正極端子21aと負極端子21bとの間に印加される直流電圧を交流に変換して、パワー端子21cから交流電圧を出力する。   Further, as shown in FIG. 2, the control circuit board 6 is connected to the control terminal 22 of the semiconductor module. The control circuit board 6 controls the operation of the switching element 23 (IGBT element). Thereby, the direct-current voltage applied between the positive electrode terminal 21a and the negative electrode terminal 21b is converted into alternating current, and an alternating voltage is output from the power terminal 21c.

電流センサ5は、パワー端子21cを取り囲む鉄製のコア52と、パワー端子21cに流れる電流を検出する検出素子50と、該検出素子50に導通した回路部51とからなる。
検出素子50はホール素子であり、パワー端子21cの周囲に発生した磁界を検出することにより、パワー端子21cに流れる電流の大きさを検出する。また、回路部51は、検出素子50の出力信号を処理する電気回路を備えた部位であり、例えば検出素子50の出力信号を増幅する増幅回路等を備える。
The current sensor 5 includes an iron core 52 that surrounds the power terminal 21c, a detection element 50 that detects a current flowing through the power terminal 21c, and a circuit unit 51 that is electrically connected to the detection element 50.
The detection element 50 is a Hall element, and detects the magnitude of the current flowing through the power terminal 21c by detecting the magnetic field generated around the power terminal 21c. The circuit unit 51 is a part including an electric circuit that processes the output signal of the detection element 50, and includes, for example, an amplifier circuit that amplifies the output signal of the detection element 50.

コア52はスリット500(図1参照)を有しており、このスリット500に検出素子50が設けられている。また、検出素子50と回路部51とは、接続配線501によって接続されている。
図2に示すごとく、コア52と、検出素子50と、回路部51とは、合成樹脂製の封止部502によって封止されている。センサ5は、コア52と回路部51とが直交しており、全体がL字状に形成されている。
センサ5を構成する部品、すなわちコア52と、検出素子50と、回路部51とは、全て冷却チューブ3に挟持されている。
The core 52 has a slit 500 (see FIG. 1), and the detection element 50 is provided in the slit 500. Further, the detection element 50 and the circuit unit 51 are connected by a connection wiring 501.
As shown in FIG. 2, the core 52, the detection element 50, and the circuit unit 51 are sealed with a synthetic resin sealing part 502. In the sensor 5, the core 52 and the circuit unit 51 are orthogonal to each other, and the whole is formed in an L shape.
Components constituting the sensor 5, that is, the core 52, the detection element 50, and the circuit unit 51 are all sandwiched between the cooling tubes 3.

一方、図2に示すごとく、半導体モジュール2の本体部20は、スイッチング素子23やフライホイールダイオード(図示しない)に接続した3枚の電極板201a〜201cを封止している。これらの電極板201a〜201cは、図2では、重ねて描いてある。パワー端子21a〜21cは、それぞれ別の電極板201a〜201cに接続されている。
また、本体部20は、パワー端子21a,21bの中央部分まで封止しているのに対し、パワー端子21cは中央部分まで封止しておらず、このパワー端子21cの周囲に凹状部200が形成されている。この凹状部200にコア52が配置されている。
On the other hand, as shown in FIG. 2, the main body 20 of the semiconductor module 2 seals three electrode plates 201 a to 201 c connected to a switching element 23 and a flywheel diode (not shown). These electrode plates 201a to 201c are drawn in an overlapping manner in FIG. The power terminals 21a to 21c are connected to different electrode plates 201a to 201c, respectively.
The main body 20 is sealed up to the central portion of the power terminals 21a and 21b, whereas the power terminal 21c is not sealed up to the central portion, and the concave portion 200 is formed around the power terminal 21c. Is formed. A core 52 is disposed in the concave portion 200.

図1に示すごとく、本例では、3個のパワー端子21c(21U,21V,21W)が一組となって、三相交流電流が流れるようになっている。この場合、2個のパワー端子21cの電流を測定すると、残りの1個の電流は測定しなくても算出できる。そのため、3個のパワー端子21U,21V,21Wのうち、2個のパワー端子21U,21Vのみに電流センサ5が取り付けられている。   As shown in FIG. 1, in this example, the three power terminals 21c (21U, 21V, 21W) are set as one set so that a three-phase alternating current flows. In this case, when the currents of the two power terminals 21c are measured, the remaining one current can be calculated without measurement. Therefore, the current sensor 5 is attached to only the two power terminals 21U, 21V among the three power terminals 21U, 21V, 21W.

一方、図1に示すごとく、複数個の冷却チューブ3は、連結管15によって連結されている。冷媒を導入管16へ導入すると、連結管15を通って全ての冷却チューブ3に冷媒が流れ、導出管17から導出する。これにより、半導体モジュール2及び電流センサ5を冷却することができる。冷却チューブ3は導電性材料から構成されている。本例では、冷却チューブ3はアルミニウムからなる。また、連結管15、導入管16、導出管17もアルミニウムからなる。   On the other hand, as shown in FIG. 1, the plurality of cooling tubes 3 are connected by a connecting pipe 15. When the refrigerant is introduced into the introduction pipe 16, the refrigerant flows through all the cooling tubes 3 through the connection pipe 15 and is led out from the outlet pipe 17. Thereby, the semiconductor module 2 and the current sensor 5 can be cooled. The cooling tube 3 is made of a conductive material. In this example, the cooling tube 3 is made of aluminum. The connecting pipe 15, the introducing pipe 16, and the outlet pipe 17 are also made of aluminum.

図2に示すごとく、電流センサ5は、制御端子22と同一方向に突出した信号端子53を備え、信号端子53と制御端子22とに、電流センサ5の出力信号を受け付けるとともにスイッチング素子23の動作を制御する制御回路基板6が接続されている。   As shown in FIG. 2, the current sensor 5 includes a signal terminal 53 that protrudes in the same direction as the control terminal 22, receives an output signal of the current sensor 5 at the signal terminal 53 and the control terminal 22, and operates the switching element 23. A control circuit board 6 for controlling the control is connected.

次に、本例の電力変換装置1の回路の説明をする。図3に示すごとく、電力変換装置1は、インバータ部10aと、コンバータ部10bとから構成されている。コンバータ部10bによって直流電源11の電圧を昇圧し、インバータ部10aによって交流に変換する。インバータ部10aによって得られた交流電力を使って、三相交流モータ12を駆動し、車両を走行させる。インバータ部10aは、図3に示すごとく、複数個の半導体モジュール2から構成されている。個々の半導体モジュール2は、2個のスイッチング素子23(IGBT素子)と2個のフリーホイールダイオード24を有する。三相交流モータ12に接続される3本の交流端子21U,21V,21Wのうち、2本の交流端子21U,21Vに電流センサ5が取り付けられている。   Next, the circuit of the power conversion device 1 of this example will be described. As shown in FIG. 3, the power conversion device 1 includes an inverter unit 10 a and a converter unit 10 b. The voltage of the DC power supply 11 is boosted by the converter unit 10b, and is converted to AC by the inverter unit 10a. The AC power obtained by the inverter unit 10a is used to drive the three-phase AC motor 12 to drive the vehicle. As shown in FIG. 3, the inverter unit 10 a includes a plurality of semiconductor modules 2. Each semiconductor module 2 has two switching elements 23 (IGBT elements) and two free wheel diodes 24. Of the three AC terminals 21U, 21V, and 21W connected to the three-phase AC motor 12, the current sensor 5 is attached to the two AC terminals 21U and 21V.

次に、本例の電力変換装置1の作用効果について説明する。
図1、図2に示すごとく、本例の電力変換装置1は、隣り合う2個の冷却チューブ3の間に電流センサ5を介在させている。これにより、電流センサ5をその両面から冷却チューブ3で冷却することが可能となる。そのため、温度上昇に伴って電流センサ5が壊れやすくなるという不具合を防止できる。また、電流センサ5の温度を一定に保ちやすくなるため、パワー端子21に流れる電流を精確に測定することが可能になる。
Next, the effect of the power converter device 1 of this example is demonstrated.
As shown in FIGS. 1 and 2, the power conversion device 1 of this example has a current sensor 5 interposed between two adjacent cooling tubes 3. Thereby, the current sensor 5 can be cooled by the cooling tube 3 from both sides. Therefore, it is possible to prevent a problem that the current sensor 5 is easily broken as the temperature rises. Moreover, since it becomes easy to keep the temperature of the current sensor 5 constant, the current flowing through the power terminal 21 can be accurately measured.

また、本例では、冷却チューブ3は、導電性材料から構成されている。
このようにすると、隣接する半導体モジュール2から放射される電磁ノイズを、冷却チューブ3によって遮蔽することができる。そのため、電流センサ5が電磁ノイズの影響を受けにくくなり、誤作動しにくくなる。
Moreover, in this example, the cooling tube 3 is comprised from the electroconductive material.
In this way, the electromagnetic noise radiated from the adjacent semiconductor module 2 can be shielded by the cooling tube 3. For this reason, the current sensor 5 is not easily affected by electromagnetic noise, and is unlikely to malfunction.

また、図2に示すごとく、電流センサ5は、制御端子22と同一方向に突出した信号端子53を備え、信号端子53と制御端子22とに、制御回路基板6が接続されている。
このようにすると、電流センサ5と制御回路基板6とを最短距離で接続することができる。そのため、従来のように、電流センサ95(図11参照)と制御回路基板98とを接続する配線99を、積層体の周囲に引き回した場合と比較して、積層体の周りに配線99を配置するスペース990(図10参照)を確保する必要がなくなるため、電力変換装置を小型化することができる。
また、本例では、半導体モジュール2の制御端子22と、電流センサ5の信号端子53とが同一方向に突出しているため、制御回路基板6に対して制御端子22と信号端子53とを同時に接続することができる。これらの接続工程は、はんだ付け等により自動的に行うことができるため、電力変換装置1の製造コストを低減することが可能になる。
As shown in FIG. 2, the current sensor 5 includes a signal terminal 53 protruding in the same direction as the control terminal 22, and the control circuit board 6 is connected to the signal terminal 53 and the control terminal 22.
In this way, the current sensor 5 and the control circuit board 6 can be connected with the shortest distance. Therefore, unlike the conventional case, the wiring 99 that connects the current sensor 95 (see FIG. 11) and the control circuit board 98 is arranged around the multilayer body as compared with the case where the wiring 99 is routed around the multilayer body. Since it is not necessary to secure the space 990 (see FIG. 10) to be performed, the power conversion device can be reduced in size.
In this example, since the control terminal 22 of the semiconductor module 2 and the signal terminal 53 of the current sensor 5 protrude in the same direction, the control terminal 22 and the signal terminal 53 are simultaneously connected to the control circuit board 6. can do. Since these connection processes can be automatically performed by soldering or the like, the manufacturing cost of the power conversion device 1 can be reduced.

また、本例では、電流センサ5の回路部51を冷却チューブ3で冷却している。回路部51は、温度上昇の影響を特に受けやすい部分であり、温度の上昇によって壊れたり、センサ出力を不安定にしたりしやすい部分である。そのため、少なくとも回路部51を冷却チューブ3で挟んで冷却することにより、本例の効果、すなわち、電流センサ5を壊れにくくし、かつ測定値を正確にできるという効果を十分に発揮させることができる。   In this example, the circuit unit 51 of the current sensor 5 is cooled by the cooling tube 3. The circuit unit 51 is a part that is particularly susceptible to the effect of temperature rise, and is a part that is likely to break due to temperature rise or to make sensor output unstable. Therefore, by cooling at least the circuit unit 51 with the cooling tube 3, the effect of this example, that is, the effect that the current sensor 5 is hardly broken and the measured value can be accurately obtained can be sufficiently exhibited. .

以上のごとく、本例によれば、壊れにくく、測定値が正確な電流センサ5を有する電力変換装置1を提供することができる。   As described above, according to this example, it is possible to provide the power conversion device 1 having the current sensor 5 that is not easily broken and has an accurate measurement value.

(実施例2)
本例は、電流センサ5の構成を変更した例である。図4、図5に示すごとく、本例における電流センサ5は、パワー端子21cを取り囲む鉄製のコア52と、該コア52に挟持され、パワー端子21cに流れる電流を測定する検出素子50(ホール素子)と、検出素子50に導通した回路部51とからなり、回路部51は、隣り合う2個の冷却チューブ3の間に介在している。また、本例では、コア52と検出素子50とを冷却チューブ3で挟持せず、積層体4からパワー端子21の突出側にはみ出した位置に設けている。
その他、実施例1と同様の構成を有する。
(Example 2)
In this example, the configuration of the current sensor 5 is changed. As shown in FIGS. 4 and 5, the current sensor 5 in this example includes an iron core 52 surrounding the power terminal 21c, and a detection element 50 (Hall element) that is sandwiched between the cores 52 and measures the current flowing through the power terminal 21c. ) And a circuit part 51 conducted to the detection element 50, and the circuit part 51 is interposed between two adjacent cooling tubes 3. In this example, the core 52 and the detection element 50 are not sandwiched between the cooling tubes 3 and are provided at positions protruding from the stacked body 4 to the protruding side of the power terminal 21.
In addition, the configuration is the same as that of the first embodiment.

本例の作用効果について説明する。
本例では、コア52と検出素子50とを冷却チューブ3の間に配置していないため、図4に示すごとく、半導体モジュール2よりも積層方向の寸法が長いコア52を用いることができる。
また、本例では冷却チューブ3で回路部51を挟んで冷却している。上述したように、回路部51は温度上昇の影響を特に受けやすい部分であるため、この回路部51を冷却することにより、回路部51を壊れにくくし、電流センサ5の測定値を正確にすることができる。
なお、回路部51に比べて、コア52や検出素子50は耐熱性が比較的高い。そのため、コア52と検出素子50は冷却チューブ3で挟まなくてもよい。このようにすると、電流センサ5に不具合を生じさせずに、積層体4を小型化できる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
The effect of this example will be described.
In this example, since the core 52 and the detection element 50 are not disposed between the cooling tubes 3, as shown in FIG. 4, the core 52 having a longer dimension in the stacking direction than the semiconductor module 2 can be used.
In the present example, the cooling tube 3 cools the circuit portion 51. As described above, the circuit unit 51 is a part that is particularly susceptible to an increase in temperature. Therefore, by cooling the circuit unit 51, the circuit unit 51 is hardly broken and the measured value of the current sensor 5 is made accurate. be able to.
In addition, compared with the circuit unit 51, the core 52 and the detection element 50 have relatively high heat resistance. Therefore, the core 52 and the detection element 50 may not be sandwiched between the cooling tubes 3. If it does in this way, the laminated body 4 can be reduced in size, without producing a malfunction in the current sensor 5. FIG.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(実施例3)
本例は、電流センサ5の構成を変更した例である。図6、図7に示すごとく、本例では、電流センサ5と半導体モジュール2とが一体になった一体化モジュール2aを備える。一体化モジュール2aは、合成樹脂からなる本体部20を有し、この本体部20に、スイッチング素子23、コア52、検出素子50、回路部51が封止されている。また、スイッチング素子23に導通するパワー端子21および制御端子22と、回路部51に導通する信号端子53とが、本体部20から突出している。
(Example 3)
In this example, the configuration of the current sensor 5 is changed. As shown in FIGS. 6 and 7, the present example includes an integrated module 2 a in which the current sensor 5 and the semiconductor module 2 are integrated. The integrated module 2 a has a main body portion 20 made of synthetic resin, and the switching element 23, the core 52, the detection element 50, and the circuit portion 51 are sealed in the main body portion 20. Further, the power terminal 21 and the control terminal 22 that are conducted to the switching element 23 and the signal terminal 53 that is conducted to the circuit unit 51 protrude from the main body unit 20.

また、本例の電力変換装置1は、一体化モジュール2aの他に、電流センサ5と一体化していない半導体モジュール2を備える。図6に示すごとく、本例では、2個の一体化モジュール2aと、1個の半導体モジュール2とが一組になって、三相交流電流を出力するよう構成されている。
その他、実施例1と同様の構成を備える。
Moreover, the power converter device 1 of this example includes the semiconductor module 2 that is not integrated with the current sensor 5 in addition to the integrated module 2a. As shown in FIG. 6, in this example, two integrated modules 2a and one semiconductor module 2 are combined to output a three-phase alternating current.
In addition, the same configuration as that of the first embodiment is provided.

本例の作用効果について説明する。
このように、電流センサ5と半導体モジュール2を一体にすると、これらを別々に形成した場合よりもサイズを小さくすることができる。また、上記構成によると、積層体4を製造する際に、電流センサ5と半導体モジュール2を別々に積層する必要がなくなるので、作業性を向上させることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を備える。
The effect of this example will be described.
Thus, when the current sensor 5 and the semiconductor module 2 are integrated, the size can be reduced as compared with the case where they are formed separately. Moreover, according to the said structure, when manufacturing the laminated body 4, since it becomes unnecessary to laminate | stack the current sensor 5 and the semiconductor module 2 separately, workability | operativity can be improved.
In addition, the same functions and effects as those of the first embodiment are provided.

(実施例4)
本例は、電流センサ5の構成を変更した例である。図8、図9に示すごとく、本例では、冷却チューブ3は、所定間隔をおいて積層配置されており、隣り合う2個の冷却チューブ3の間に、半導体モジュール2と電流センサ5とのいずれか一方が介在し、電流センサ5は、冷却チューブ3を介して隣接配置された半導体モジュール2のパワー端子21cに流れる電流を測定するよう構成されている。
Example 4
In this example, the configuration of the current sensor 5 is changed. As shown in FIGS. 8 and 9, in this example, the cooling tubes 3 are laminated and arranged at a predetermined interval, and the semiconductor module 2 and the current sensor 5 are disposed between two adjacent cooling tubes 3. Either one of them is interposed, and the current sensor 5 is configured to measure a current flowing through the power terminal 21c of the semiconductor module 2 disposed adjacently via the cooling tube 3.

本例の電流センサ5は、合成樹脂製の樹脂部55を備える。この樹脂部55は、半導体モジュール2の本体部20と略同じ大きさになっている。樹脂部55には、回路部51が封止されている。コア52と検出素子50(ホール素子)は、樹脂部55に封止されておらず、積層体4からパワー端子21の突出側にはみ出した位置に配置されている。コア52は、冷却チューブ3を介して隣接配置された半導体モジュール2のパワー端子21cを取り囲んでいる。このコア52におけるスリット500に、検出素子50が挟持されている。パワー端子21cに電流が流れ、周囲に磁界が発生すると、検出素子50がその磁界を検知する。これにより、パワー端子21cに流れる電流の量を測定している。   The current sensor 5 of this example includes a resin portion 55 made of synthetic resin. The resin portion 55 has substantially the same size as the main body portion 20 of the semiconductor module 2. The circuit portion 51 is sealed in the resin portion 55. The core 52 and the detection element 50 (Hall element) are not sealed by the resin portion 55 and are disposed at a position protruding from the stacked body 4 to the protruding side of the power terminal 21. The core 52 surrounds the power terminal 21 c of the semiconductor module 2 disposed adjacent to the core 52 via the cooling tube 3. The detection element 50 is sandwiched between the slits 500 in the core 52. When a current flows through the power terminal 21c and a magnetic field is generated around it, the detection element 50 detects the magnetic field. Thus, the amount of current flowing through the power terminal 21c is measured.

図8に示すごとく、本例では、3個の半導体モジュール2を一組にし、三相交流電流を出力している。この3個の半導体モジュール2のうち、2個の半導体モジュール2のパワー端子21U,21Vに流れる電流を、電流センサ5によって測定している。電流を測定しない半導体モジュール2bには、回路部51やスイッチング素子23等を封止していないダミーモジュール8を隣接配置している。
その他、実施例1と同様の構成を備える。
As shown in FIG. 8, in this example, three semiconductor modules 2 are made into one set and a three-phase alternating current is output. Of the three semiconductor modules 2, the current flowing through the power terminals 21 U and 21 V of the two semiconductor modules 2 is measured by the current sensor 5. A dummy module 8 that does not seal the circuit portion 51, the switching element 23, or the like is disposed adjacent to the semiconductor module 2b that does not measure current.
In addition, the same configuration as that of the first embodiment is provided.

本例の作用効果について説明する。
上記構成にすると、半導体モジュール2の冷却効率を高めることができる。すなわち、図8に示すごとく、発熱量が特に大きい半導体モジュール2cがある場合は、その半導体モジュール2cを挟む冷却チューブ3aの温度が高くなりやすい。この冷却チューブ3aに別の半導体モジュール2を接触させると、更に温度が上昇して冷却効率が低下しやすくなる。そのため、温度が上昇しやすい冷却チューブ3aには別の半導体モジュール2を接触させず、発熱量の少ない電流センサ5やダミーモジュール8を接触させることにより、冷却チューブ3aの温度上昇を防止でき、半導体モジュール2cの冷却効率低下を防止することができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
The effect of this example will be described.
With the above configuration, the cooling efficiency of the semiconductor module 2 can be increased. That is, as shown in FIG. 8, when there is a semiconductor module 2c that generates a particularly large amount of heat, the temperature of the cooling tube 3a that sandwiches the semiconductor module 2c tends to increase. When another semiconductor module 2 is brought into contact with the cooling tube 3a, the temperature further rises and the cooling efficiency tends to decrease. Therefore, the temperature rise of the cooling tube 3a can be prevented by bringing the current sensor 5 or the dummy module 8 having a small amount of heat into contact with the cooling tube 3a whose temperature is likely to rise without contacting another semiconductor module 2. A decrease in cooling efficiency of the module 2c can be prevented.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

1 電力変換装置
2 半導体モジュール
20 本体部
21 パワー端子
22 制御端子
3 冷却チューブ
4 積層体
5 電流センサ
6 制御回路基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power converter 2 Semiconductor module 20 Main-body part 21 Power terminal 22 Control terminal 3 Cooling tube 4 Laminated body 5 Current sensor 6 Control circuit board

Claims (6)

電力変換回路を構成するスイッチング素子を内蔵した本体部を有し、上記スイッチング素子に導通したパワー端子と制御端子とが上記本体部から互いに反対方向へ突出した複数個の半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数個の冷却チューブとを積層した積層体と、
上記パワー端子に流れる電流を測定する電流センサとを備え、
上記電流センサは、その少なくとも一部を、隣り合う2個の上記冷却チューブの間に介在させていることを特徴とする電力変換装置。
A plurality of semiconductor modules each having a main body including a switching element constituting a power conversion circuit, wherein a power terminal and a control terminal electrically connected to the switching element protrude in opposite directions from the main body; and the semiconductor module A laminated body in which a plurality of cooling tubes for cooling is laminated;
A current sensor for measuring the current flowing through the power terminal,
The power conversion device according to claim 1, wherein at least a part of the current sensor is interposed between two adjacent cooling tubes.
請求項1において、上記冷却チューブは導電性材料から構成されていることを特徴とする電力変換装置。   2. The power conversion device according to claim 1, wherein the cooling tube is made of a conductive material. 請求項1または請求項2において、上記電流センサは、上記制御端子と同一方向に突出した信号端子を備え、該信号端子と上記制御端子とに、上記電流センサの出力信号を受け付けるとともに上記スイッチング素子の動作を制御する制御回路基板が接続されていることを特徴とする電力変換装置。   3. The current sensor according to claim 1 or 2, wherein the current sensor includes a signal terminal protruding in the same direction as the control terminal, and receives the output signal of the current sensor at the signal terminal and the control terminal, and the switching element. A control circuit board for controlling the operation of the power converter is connected. 請求項1〜請求項3のいずれか1項において、上記電流センサは、上記パワー端子に流れる電流を検出する検出素子と、該検出素子に導通した回路部とからなり、少なくとも該回路部は、隣り合う2個の上記冷却チューブの間に介在していることを特徴とする電力変換装置。   In any one of Claims 1-3, the said current sensor consists of the detection element which detects the electric current which flows into the said power terminal, and the circuit part electrically connected to this detection element, At least this circuit part is A power conversion device, wherein the power conversion device is interposed between two adjacent cooling tubes. 請求項1〜請求項4のいずれか1項において、上記電流センサは、上記半導体モジュールと一体に形成されていることを特徴とする電力変換装置。   5. The power conversion device according to claim 1, wherein the current sensor is formed integrally with the semiconductor module. 6. 請求項1〜請求項4のいずれか1項において、上記冷却チューブは、所定間隔をおいて積層配置されており、隣り合う2個の上記冷却チューブの間に、上記半導体モジュールと上記電流センサとのいずれか一方が介在し、上記電流センサは、上記冷却チューブを介して隣接配置された上記半導体モジュールの上記パワー端子に流れる電流を測定するよう構成されていることを特徴とする電力変換装置。   5. The cooling tube according to claim 1, wherein the cooling tubes are stacked and arranged at a predetermined interval, and the semiconductor module and the current sensor are disposed between two adjacent cooling tubes. Any one of these is interposed, The said current sensor is comprised so that the electric current which flows into the said power terminal of the said semiconductor module arrange | positioned adjacently via the said cooling tube may be measured.
JP2009294139A 2009-12-25 2009-12-25 Power converter Active JP5531611B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009294139A JP5531611B2 (en) 2009-12-25 2009-12-25 Power converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009294139A JP5531611B2 (en) 2009-12-25 2009-12-25 Power converter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011135725A true JP2011135725A (en) 2011-07-07
JP5531611B2 JP5531611B2 (en) 2014-06-25

Family

ID=44347862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009294139A Active JP5531611B2 (en) 2009-12-25 2009-12-25 Power converter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5531611B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012253954A (en) * 2011-06-06 2012-12-20 Hitachi Automotive Systems Ltd Electric power conversion apparatus
JP2017073948A (en) * 2015-10-09 2017-04-13 株式会社デンソー Power conversion device
JP2018207726A (en) * 2017-06-08 2018-12-27 アイシン精機株式会社 Current sensor
JP2020010600A (en) * 2019-10-21 2020-01-16 株式会社デンソー Power conversion system
CN112005120A (en) * 2018-04-24 2020-11-27 舍弗勒技术股份两合公司 Hybrid drive train comprising two electric machines and an internal combustion engine
US11056417B2 (en) 2018-07-11 2021-07-06 Denso Corporation Power conversion apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005333008A (en) * 2004-05-20 2005-12-02 Denso Corp Electric power conversion unit
JP2007116840A (en) * 2005-10-21 2007-05-10 Nichicon Corp Inverter module and inverter-integrated alternating current motor using the same
JP2007166803A (en) * 2005-12-14 2007-06-28 Toyota Motor Corp Drive of vehicle
JP2008206345A (en) * 2007-02-21 2008-09-04 Denso Corp Power converter
JP2008289330A (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Toyota Motor Corp Cooling system structure of inverter
JP2009153264A (en) * 2007-12-19 2009-07-09 Toyota Motor Corp Cooling structure of power control unit

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005333008A (en) * 2004-05-20 2005-12-02 Denso Corp Electric power conversion unit
JP2007116840A (en) * 2005-10-21 2007-05-10 Nichicon Corp Inverter module and inverter-integrated alternating current motor using the same
JP2007166803A (en) * 2005-12-14 2007-06-28 Toyota Motor Corp Drive of vehicle
JP2008206345A (en) * 2007-02-21 2008-09-04 Denso Corp Power converter
JP2008289330A (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Toyota Motor Corp Cooling system structure of inverter
JP2009153264A (en) * 2007-12-19 2009-07-09 Toyota Motor Corp Cooling structure of power control unit

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012253954A (en) * 2011-06-06 2012-12-20 Hitachi Automotive Systems Ltd Electric power conversion apparatus
JP2017073948A (en) * 2015-10-09 2017-04-13 株式会社デンソー Power conversion device
JP2018207726A (en) * 2017-06-08 2018-12-27 アイシン精機株式会社 Current sensor
CN112005120A (en) * 2018-04-24 2020-11-27 舍弗勒技术股份两合公司 Hybrid drive train comprising two electric machines and an internal combustion engine
CN112005120B (en) * 2018-04-24 2023-10-24 舍弗勒技术股份两合公司 Hybrid drive train comprising two electric machines and an internal combustion engine
US11056417B2 (en) 2018-07-11 2021-07-06 Denso Corporation Power conversion apparatus
JP2020010600A (en) * 2019-10-21 2020-01-16 株式会社デンソー Power conversion system
JP7028843B2 (en) 2019-10-21 2022-03-02 株式会社デンソー Power converter

Also Published As

Publication number Publication date
JP5531611B2 (en) 2014-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5622043B2 (en) Inverter device
JP5747963B2 (en) Power converter
US10267826B2 (en) Bus bar module equipped with current sensor for measuring value of current in the bus bar
JP4436843B2 (en) Power converter
JP5241344B2 (en) Power module and power converter
JP5227532B2 (en) Semiconductor module for inverter circuit
US9007767B2 (en) Power inverter
JP5531611B2 (en) Power converter
JP5312386B2 (en) Power converter
JP5162518B2 (en) Power converter
JP5622658B2 (en) Power converter
JP2008206243A (en) Power conversion device
JP5845995B2 (en) Power converter
JP2013099213A (en) Inverter device
JP6181136B2 (en) Power converter
JP5739956B2 (en) Semiconductor module and power conversion device using the same
JP2006140217A (en) Semiconductor module
JP5556599B2 (en) Power converter
JP6354433B2 (en) Power converter
JP5989057B2 (en) Power converter
JP5287688B2 (en) Power converter
JP5372544B2 (en) Power transformer and power converter using the same
JP2014239616A (en) Power conversion device for vehicle
JP2008020402A (en) Electric current detection mechanism
JP2017225267A (en) Inverter module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120309

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130521

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130716

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140325

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140407

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5531611

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250