JP2008294191A - ウエーハの分割方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエーハの内部の所定位置にストリートに沿って確実に変質層を形成することができ、かつ、ウエーハの厚さを薄く形成しても安全に搬送することができるウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】ウエハの表面に外的刺激によって貼着力が低下する粘着材を有する保護プレートを貼着する工程と、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するレーザー光線をストリートに沿って照射しウエーハの内部にウエーハの表面から少なくともデバイスの仕上がり厚さに相当する厚さの変質層を形成する変質層形成工程と、ウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、保護プレートの粘着材に外的刺激を付与して貼着力を低下せしめる工程と、ウエーハの表面から保護プレートを剥離する工程と、ウエーハに外力を付与しウエーハをストリートに沿って破断する工程とを含む。
【選択図】図６

Description

本発明は、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているウエーハを、複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法に関する。

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。

近年、半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献２参照。）
特許第３４０８８０５号公報

近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するためにウエーハの厚さを１００μm以下に形成することが要求されている。しかるに、ウエーハの厚さを１００μm以下に形成するとウエーハの外周に反りが生じ、レーザー加工装置のチャックテーブルにウエーハを保持しても外周が反り上がってしまう。このため、チャックテーブルに保持されたウエーハの内部の所定位置にレーザー光線の集光点を合わせることが困難となる。また、薄く形成されたウエーハの内部にストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成した後、レーザー加工装置のチャックテーブルからウエーハを取り出し次の工程に搬送する際に、ウエーハが変質層に沿って割れてしまうという問題がある。
上記事実に鑑み、本発明者はガラス板にウエーハの表面側を貼着し、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成した後に、ガラス板にウエーハの表面側を貼着した状態でウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成する方法も試みたが、薄いウエーハの内部にレーザー光線の集光点を位置付けることが困難であった。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの内部の所定位置にストリートに沿って確実に変質層を形成することができ、かつ、ウエーハの厚さを薄く形成しても安全に搬送することができるウエーハの分割方法を提供することである。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているウエーハを、複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
保護プレートの表面に外的刺激によって粘着力が低下する粘着材によりウエーハの表面を貼着する保護プレート貼着工程と、
該保護プレートに表面が貼着されたウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にウエーハの表面から少なくともデバイスの仕上がり厚さに相当する厚さの変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程が実施されたウエーハの裏面を研削し、ウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該ウエーハ支持工程が実施され該ダイシングテープの表面に貼着されたウエーハを該保護プレートに貼着している該粘着材に外的刺激を付与し、該粘着材の貼着力を低下せしめる粘着力低下工程と、
該粘着力低下工程を実施した後に、ウエーハの表面から該保護プレートを剥離する保護プレート剥離工程と、
該保護プレート剥離工程を実施した後に、該ダイシングテープに貼着されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを変質層が形成されたストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。

上記保護プレートはガラス板からなっており、上記粘着力低下工程はウエーハの表面が貼着されている保護プレート側から紫外線を照射する。
また、上記ウエーハ支持工程においては、ダイシングテープの表面とウエーハの裏面との間にダイボンディング用の接着フィルムが介在されている。

本発明によれば、変質層形成工程はウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する前の厚い状態で実施するため外周が反り上がることがないとともに、ウエーハが厚いのでレーザー光線の集光点をウエーハ内部に位置付けることが容易となる。従って、ウエーハ２の内部にストリートに沿って確実に変質層を形成することができる。また、裏面研削工程を実施することによりウエーハがデバイスの仕上がり厚さに薄く形成されるが、ウエーハは保護プレートに貼着されているので研削装置から次工程に搬送する際に割れることがない。

以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１には、本発明に従って分割されるウエーハとしての半導体ウエーハおよびこのウエーハを貼着する保護プレートの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに格子状に形成された複数のストリート２１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。保護プレート３は、ガラス板等の剛性の高い材料によって円盤状に形成され、その表面３ａおよび裏面３ｂは平坦に形成されている。この保護部材３は、ガラス板によって構成する場合には厚さが１〜３ｍｍ程度とすることが好ましい。なお、保護部材３を構成する材料としては、ガラス板の他にセラミックス、ステンレス鋼等の金属材料、樹脂等を用いることができる。

上記のように形成されたウエーハ２および保護部材３は、図２に示すように保護部材３の表面３ａに半導体ウエーハ２の表面２ａと対面させ、紫外線や熱等の外的刺激によって粘着力が低下する粘着材３０によって貼着し一体化する（保護プレート貼着工程）。従って、半導体ウエーハ２はデバイス２２が形成されていない裏面２bが露出する状態となる。なお、外的刺激によって粘着力が低下する粘着材３０としては、アクリル系、エステル系、ウレタン系等の樹脂からなる粘着材を用いることができる。また、保護部材３としてガラス板を用いた場合には、紫外線によって接着力が低下する粘着材を用いれば、後述するように半導体ウエーハ２と保護部材３を剥離する際に、保護部材３を透過させて紫外線を粘着材に照射することができるため、半導体ウエーハ２と保護部材３を容易に剥離することができる。

上述したように半導体ウエーハ２を保護部材３に貼着し両者を一体化したならば、半導体ウエーハ２の裏面２b側からシリコンウエーハに対して透過性を有するレーザー光線をストリート２１に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部に半導体ウエーハ２の表面２aから少なくともデバイス２２の仕上がり厚さに相当する厚さの変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図３に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。

上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。ケーシング４２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング４２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器４２２が装着されている。

上記レーザー光線照射手段４２２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。

上述したレーザー加工装置４を用いて変質層形成工程を実施するには、図３に示すようにレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２の保護プレート３側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１上に吸引保持された半導体ウエーハ２は裏面２ｂが上側となる。

上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、半導体ウエーハ２を形成するシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側からストリート２１に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部に半導体ウエーハ２の表面２aから仕上がり厚さに相当する厚さのストリート２１に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。変質層形成工程を実施するには、先ず半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない移動機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。そして、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、このストリート２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交して延びるストリート２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される（アライメント工程）。このとき、半導体ウエーハ２のストリート２１が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段４３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２ｂから透かしてストリート２１を撮像することができる。

以上のようにしてアライメント工程を実施したならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２１の一端（図４の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の直下に位置付ける。そして、集光器４２２からシリコンウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図４の（ｂ）で示すように集光器４２２の照射位置がストリート２１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の表面２ａ（下面）付近に合わせる。この結果、集光点Ｐから上下に向けて変質層２３が形成される。なお、上述した変質層形成工程においては、半導体ウエーハ２はデバイス２２の仕上がり厚さに形成する前の厚い状態（図示の実施形態においては７００μｍ）であるため、外周が反り上がることがないとともにレーザー光線の集光点を半導体ウエーハ２の内部に容易に位置付けることができる。従って、半導体ウエーハ２の内部にストリート２１に沿って確実に変質層２３を形成することができる。

上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４パルスレーザー
波長 ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：２W
集光スポット径 ：φ１μｍ
加工送り速度 ：３００ｍｍ／秒

上述した加工条件においては１回に形成される変質層２３の厚さは約８０μｍ程度であるため、図示の実施形態においては半導体ウエーハ２の内部には表面２ａ（下面）から８０μmの厚さの変質層２３が形成される。この変質層２３の厚さは、デバイス２２の仕上がり厚さ（例えば６０μm）より厚い。

以上のようにして、半導体ウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２１に沿って上記変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル４１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリート２１に沿って上記変質層形成工程を実行する。

上述した変質層形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面２bを研削し、半導体ウエーハ２をデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図５に示す研削装置を用いて実施する。図５に示す研削装置５は、被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持されたウエーハの加工面を研削する研削手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面にウエーハを吸引保持し図５において矢印５１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研削ホイール５２４とを具備している。この研削ホイール５２４は、円板状の基台５２５と、該基台５２５の下面に環状に装着された研削砥石５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に取り付けられている。

上述した研削装置５を用いて裏面研削工程を実施するには、チャックテーブル５１の上面（保持面）に上述した変質層形成工程が実施された半導体ウエーハ２の保護プレート３側を載置し、半導体ウエーハ２をチャックテーブ５１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル５１上に吸引保持された半導体ウエーハ２は裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル５１を矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段２２の研削ホイール５２４を矢印５２４aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて半導体ウエーハ２の裏面２bに接触せしめて研削することにより、半導体ウエーハ２をデバイス２２の仕上がり厚さ（例えば、６０μｍ）に形成する。なお、デバイスの仕上がり厚さ（例え６０μm）に研削された半導体ウエーハ２は裏面２ｂには、ストリート２１に沿って形成された変質層２３が露出される。このように裏面研削工程を実施することにより、半導体ウエーハ２は厚さが例えば６０μｍと薄く形成されるが、保護プレート３に貼着されているので研削装置５から次工程に搬送する際に割れることがない。

上述したように裏面研削工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面２bを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図６の（ａ）および（ｂ）に示す実施形態においては、環状のフレーム６の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ７の表面に貼着されているダイボンディング用の接着フィルム７０に半導体ウエーハ２の裏面２bを装着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム７０を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着する。

上述したウエーハ支持工程を実施ならば、ダイシングテープ７の表面に貼着された半導体ウエーハ２を保護プレート３に貼着している粘着材３０に外的刺激を付与し、粘着材３０の貼着力を低下せしめる粘着力低下工程を実施する。即ち、図７に示す実施形態においては、紫外線照射器８によって半導体ウエーハ２の表面２ａが貼着されている保護プレート３側から紫外線を照射する。紫外線照射器８から照射された紫外線は、ガラス板からなる保持プレート３を透過して粘着材３０に照射される。この結果、粘着材３０は上述したように紫外線等の外的刺激が付与されると粘着力が低下する粘着剤によって形成されているので、粘着力が低下せしめられる。

上述した粘着力低下工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面２ａから保護プレート３を剥離する保護プレート剥離工程を実施する。即ち、上記粘着材低下工程を実施することにより粘着材３０の粘着力が低下せしめられているので、図８に示すように保護プレート３を半導体ウエーハ２の表面２ａから容易に剥離することができる。

上述した保護プレート剥離工程を実施したならば、環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７に貼着されている半導体ウエーハ２に外力を付与し、半導体ウエーハ２を変質層２３が形成されているストリート２１に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する。このウエーハ破断工程は、図示の実施形態においては図９に示すテープ拡張装置９を用いて実施する。図９に示すテープ拡張装置９は、上記環状のフレーム６を保持するフレーム保持手段９１と、該フレーム保持手段９１に保持された環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７を拡張するテープ拡張手段９２を具備している。フレーム保持手段９１は、環状のフレーム保持部材９１１と、該フレーム保持部材９１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ９１２とからなっている。フレーム保持部材９１１の上面は環状のフレーム６を載置する載置面９１１ａを形成しており、この載置面９１１ａ上に環状のフレーム６が載置される。そして、載置面９１１ａ上に載置された環状のフレーム６は、クランプ９１２によってフレーム保持部材９１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段９１は、テープ拡張手段９２によって上下方向に進退可能に支持されている。

テープ拡張手段９２は、上記環状のフレーム保持部材９１１の内側に配設される拡張ドラム９２１を具備している。この拡張ドラム９２１は、環状のフレーム６の内径より小さく該環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７に貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム９２１は、下端に支持フランジ９２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段９２は、上記環状のフレーム保持部材９１１を上下方向に進退可能な支持手段９３を具備している。この支持手段９３は、上記支持フランジ９２２上に配設された複数のエアシリンダ９３１からなっており、そのピストンロッド９３２が上記環状のフレーム保持部材９１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ９３１からなる支持手段９３は、環状のフレーム保持部材９１１を載置面９１１ａが拡張ドラム９２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム９２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ９３１からなる支持手段９３は、拡張ドラム９２１とフレーム保持部材９１１とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。

以上のように構成されたテープ拡張装置９を用いて実施するウエーハ破断工程について図１０を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ２（ストリート２１に沿って変質層２３が形成されている）の裏面２ｂが貼着されているダイシングテープ７が装着された環状のフレーム６を、図１０の（ａ）に示すようにフレーム保持手段９１を構成するフレーム保持部材９１１の載置面９１１ａ上に載置し、クランプ９１２によってフレーム保持部材９１１に固定する。このとき、フレーム保持部材９１１は図１０の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段９２を構成する支持手段９３としての複数のエアシリンダ９３１を作動して、環状のフレーム保持部材９１１を図１０の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材９１１の載置面９１１ａ上に固定されている環状のフレーム６も下降するため、図１０の（ｂ）に示すように環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７は拡張ドラム９２１の上端縁に接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープ７に貼着されている半導体ウエーハ２には放射状に引張力が作用するため、半導体ウエーハ２は変質層２３が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２１に沿って破断され個々のデバイス２２に分割される。このとき、半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着されたダイボンディング用の接着フィルム７０も個々のデバイス２２に沿って破断される。

上述したようにウエーハ破断工程を実施したならば、図１１に示すようにピックアップ機構１０を作動しピックアップコレット１０１によって所定位置に位置付けられたデバイス２２をピックアップ（ピックアップ工程）し、裏面にダイボンディング用の接着フィルム７０が装着されたデバイス２２を図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。

本発明によるウエーハの分割方法よって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハおよびウエーハを貼着する保護プレートの斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における保護プレート貼着工程を実施し、半導体ウエーハと保護プレートを一体化した状態を示す斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部を示す斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法における裏面研削工程を実施するための研削装置の要部を示す斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ支持工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法における粘着力低下工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法における保護プレート剥離工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ破断工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ破断工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法によって分割されたデバイスをピックアップするピックアップ工程を示す説明図。

符号の説明

２：半導体ウエーハ
３：保護プレート
４：レーザー加工装置
４１：レーザー加工装置のチャックテーブル
４２：レーザー光線照射手段
４２２：集光器
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削手段
５２４：研削ホイール
６：環状の支持フレーム
７：ダイシングテープ
７０：ダイボンディング用の接着フィルム
８：紫外線照射器
９：テープ拡張装置
９１：フレーム保持手段
９２：テープ拡張手段
１０：ピックアップ機構
１０１：ピックアップコレット

Claims (3)

1. 表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているウエーハを、複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
   保護プレートの表面に外的刺激によって粘着力が低下する粘着材によりウエーハの表面を貼着する保護プレート貼着工程と、
   該保護プレートに表面が貼着されたウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にウエーハの表面から少なくともデバイスの仕上がり厚さに相当する厚さの変質層を形成する変質層形成工程と、
   該変質層形成工程が実施されたウエーハの裏面を研削し、ウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
   裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
   該ウエーハ支持工程が実施され該ダイシングテープの表面に貼着されたウエーハを該保護プレートに貼着している該粘着材に外的刺激を付与し、該粘着材の貼着力を低下せしめる粘着力低下工程と、
   該粘着力低下工程を実施した後に、ウエーハの表面から該保護プレートを剥離する保護プレート剥離工程と、
   該保護プレート剥離工程を実施した後に、該ダイシングテープに貼着されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを変質層が形成されたストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と、を含む、
   ことを特徴とするウエーハの分割方法。
2. 該保護プレートはガラス板からなっており、該粘着力低下工程はウエーハの表面が貼着されている該保護プレート側から紫外線を照射する、請求項１記載のウエーハの分割方法。
3. 該ウエーハ支持工程においては、該ダイシングテープの表面とウエーハの裏面との間にダイボンディング用の接着フィルムが介在されている、請求項１又は２記載のウエーハの分割方法。

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