JP2007511049A - 張力緩和層、反射防止層およびバリア層を備えたoled構造 - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical group 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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Abstract
OLED構造は、実質的に柔軟な基板、基板とOLED構造との間に配置された少なくとも1つのバリア層、およびOLED構造とディスプレイ表面との間に配置された少なくとも1つの反射防止層を含む。バリア層は10層までの積層体を含んでよく、各積層体は、誘電体層および光吸収層を含む。追加に、バリア層の上に別の柔軟な基板が配置されていてもよい。
Description
本発明は、OLED構造に関する。
有機発光デバイス/ダイオード(OLED)は、例えば、エレクトロルミネッセント・ポリマーおよび小分子構造から製造されることが多い発光デバイスである。これらのデバイスは、ディスプレイ並びに他の用途における従来の光源に対する代替として多大な注目を集めている。特に、OLEDを用いたディスプレイは、液晶(LC)ディスプレイの代替であろう。何故ならば、LC材料および構造は、形態がより複雑であり、用途がより制限される傾向にあるからである。
有益なことに、OLEDを用いたディスプレイには、LCディスプレイに必要とされるような光源(バックライト)は必要ない。OLEDは自発光源であり、それゆえ、それらのLCの対応品よりもずっと小型である。さらに、OLEDを用いたディスプレイは、幅広い条件下で見える状態を維持する。さらに、固定されたセル間隙に依存するLCディスプレイと異なり、OLEDを用いたディスプレイは柔軟であり得る。
OLEDは、ディスプレイおよび少なくとも上述した利点を持つ他の用途のための光源を提供するが、その遍在的な実施をしにくくさせ得る特定の検討事項および制限がある。OLED材料およびデバイスの欠点の1つは、環境汚染の受け易さである。特に、水蒸気または酸素へのOLEDディスプレイの曝露は、OLEDの有機材料と構造部材にとって有害であり得る。前者に関して、水蒸気および酸素への曝露は、有機エレクトロルミネッセント材料自体の発光能力を低減し得る。後者に関して、例えば、OLEDディスプレイに通常使用される反応性金属陰極のこれらの汚染物への曝露は、やがて、「ダークスポット」区域を生じ、OLEDデバイスの耐用年数を減少させ得る。したがって、OLEDディスプレイとそれらの構成部材と材料を、水蒸気および酸素などの環境汚染物への曝露から保護することが有益である。
環境汚染を最小にするために、公知のOLEDディスプレイは通常、縁がガラスまたは金属カバーで密封された、厚く剛性のガラス基板上に製造される。しかしながら、軽量の柔軟な基板上にOLEDを提供することがしばしば望まれる。例えば、薄いプラスチック(例えば、ポリマー)基板をこのように使用することが有益であろう。残念ながら、ポリカーボネートなどのプラスチック基板は、水蒸気および酸素の透過を許容できないほど受けやすい。公知の水分と酸素のバリア層はしばしば脆く、それゆえ、柔軟な基板の用途には有用ではない。最後に、高分子誘電体のむしろ厚い層が、バリア層と考えられてきた。しかしながら、このように用いられる公知の厚い層の材料は、平らなことが望ましいスクリーンを湾曲させるであろう。したがって、これらは、柔軟な基板のOLEDディスプレイに使用するのには適していない。
先に概説した公知の構造の欠点に加え、特定の照明条件下でのディスプレイの視認性の問題により、公知のOLED構造が多くの用途に適さなくなっていた。例えば、日光の下および周囲光がかなり明るい他の状況下において、ディスプレイは、周囲光により読みづらくなることがある。それゆえ、通常「ウォッシュアウト(wash out)」と言われるこの状況により、手持ち式デバイスなどの特定のディスプレイ用途においてOLEDの使用は限られている。
したがって、必要とされているのは、少なくとも上述した欠点を克服したディスプレイ構造である。
ある実施の形態によれば、OLED構造は、実質的に柔軟な基板、基板とOLED構造との間に配置された少なくとも1つのバリア層、およびOLED構造とディスプレイ表面との間に配置された少なくとも1つの反射防止層を含む。
例示の実施の形態は、添付の図面と共に読んだときに、以下の詳細な説明からもっともよく理解される。様々な特徴は、必ずしも同じ縮尺で描かれていないことを強調しておく。議論を明らかにするために、寸法は、任意の増加または減少されているであろう。
以下の詳細な説明において、制限ではなく説明目的のために、特定の詳細を開示した実施の形態が、本発明を十分に理解するために述べられている。しかしながら、この開示の恩恵を受けた当業者には、本発明は、ここに開示した特定の詳細から逸脱しない他の実施の形態で実施してもよいことが明らかであろう。さらに、よく知られたデバイス、方法および材料の説明は、本発明の説明を曖昧にしないように、省略されている。
ここに記載した実施の形態において、OLEDの構造が非常に詳しく述べられている。しかしながら、これは単に本発明の例示の実施にすぎないことに留意されたい。すなわち、本発明は、上述したものと同様の問題を受けやすい他の技術にも適用される。例えば、他のタイプの光源を含むフォトニクスおよびディスプレイの実施の形態が本発明の範囲に含まれるのが明らかである。これらとしては、以下に限られないが、集積回路および半導体構造が挙げられる。最後に、これらの実施の形態は、様々な用途に使用してよいことに留意されたい。これらの用途としては、以下に限られないが、手持ち式デバイスおよびコンピュータ・ディスプレイなどのディスプレイ・デバイスが挙げられる。
図1は、部分分解図に示した実施の形態によるOLED構造100を示している。OLED構造100は、可視光に対して透明であるのが有益な基板101を含む。例示として、基板に選択される材料は、観察面106で所望の強度と引っ掻き抵抗性を与える。基板101は、例示として、プラスチックなどのポリマー材料、または適切なガラス層、もしくはガラス、ポリマーおよび他の材料の組合せである。基板101がポリマーである実施の形態において、そのポリマーは、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミドなどである。ある実施の形態において、そのようなポリマー層は、約50μmから約105μmの厚さを有する。さらに、基板はナノ複合フイルムを含んでよい。このフイルムは、柔軟性を与える適切な材料の上に配置される、水蒸気と酸素に対するバリアを与える。さらに、これらの材料の層は、様々な組合せで用いてよい。その組成にかかわらず、基板101は、OLED構造が柔軟になるように柔軟であるのが有益である。
基板101は、OLEDデバイスをその上に配置できる支持体を与え、柔軟である。基板自体は、水蒸気または酸素もしくはそれらの両方などの汚染物に対するバリアであってよく、汚染物が、OLEDを備えた層102に到達するのを防ぐ。あるいは、汚染を防ぐための別の層を基板101の上に配置してよい。図1の実施の形態において、反射防止(AR)層107は、汚染物に対するバリア層として機能する。本発明の説明が続くに連れより明らかになるように、層105が、層102の上に配置され、汚染物から層102を保護する。定量的に、バリア層が、バリアを通る水蒸気の透過が約10-6g/m2/日より小さいような水蒸気に対するバリアを与え、バリアを通る酸素の透過が約10-5cm3/m2/日より小さいような酸素に対するバリアを与えることが有用である。
層102は、例示として、実施の形態のOLEDを含む多層構造である。例示として、層102は、電子輸送層(ETL)/発光層(EL)/ホール輸送層からなる三層積層体である。これらの層は、図2には示されていないが、熱蒸着やスピンコーティングにより堆積され、OLED構造100のOLED層を形成する。層102は、"Prospects and applications for organic light-emitting devices" to Burrows, et al. Current Opinion in Solid State and Materials Science 1997に記載されたタイプのものであってよい。この論文の開示をここに特別に含む。陽極ライン103および陰極ライン104が、照明を行うために必要な電圧をOLEDに与えるために、層102の両側に配置されている。これらのラインは、一般に金属であり、標準的な技法により配置される。
陰極ライン104は、例示として、エレクトロ・インジェクションのための低仕事関数金属からなる。例えば、陰極ラインは、Ca,Li,MgまたはMg/Ag,Al/Liなどの合金もしくはLif/Al,Li2O/Al,CaF/Al構造などの多層材料であってよい。陽極ライン103は、可視光に対して実質的に透明でなければならない。高仕事関数を提供するように改質された表面を持つインジウムスズ酸化物(ITO)が、実施の形態においてこの能力に用いられる。この目的のために、ITOは透明導電層であり、この層は基板101上に被覆されている。ITOはHTLを介してEL層にホールを注入する。この表面処理により、仕事関数を増加させることができ、これにより、ホール注入に対する低電位のバリアが得られる。
容易に認識できるように、実装は、OLEDを用いたデバイスの耐用年数にとって重要であり、これは、柔軟な基板上のOLEDを用いたデバイスにとっては特にそうである。ここに記載した実施の形態において、層105は、交互すなわち層状構造に配置された複数の金属薄層および透明誘電体層からなる。各金属層は、約1nmから約100nmの範囲の厚さを有し、各透明誘電体層は、約10nmから約300nmの厚さを有する。環境光の反射を抑えることによって黒の背景を適切に形成し、適切な汚染物バリア層を提供するために、1から10の積層体を用いて、層105を形成してよい。ここで、積層体は、一層の誘電体と一層の吸収金属である。
実施の形態の積層体の金属薄層の応力タイプを、積層体の誘電体層の応力(通常は圧縮)を帳消しにするために、引張または圧縮のいずれかに変更することが有益である。したがって、圧縮応力の加えられたフイルム/引張応力に加えられたフイルムは、応力を帳消しにし、ディスプレイは「曲がらない」。さらに、金属薄層は延性であり、水分バリア層として働く誘電体層は、金属薄層により隔てられたいくつかの薄層に分けられる。この構造は柔軟であり、水分バリア層は、曲げにより壊れないことが都合よい。
層105の構造の別の有用な特徴は、反射防止特性およびディスプレイ・デバイスのための裏板としての機能であり、このディスプレイ・デバイス中ではOLED構造100が機能する。すなわち、この積層構造はディスプレイの裏面のみにしか置くことができない。何故ならば、観察面でのバリア/AR層は可視光に対して透明でなければならないからである。ここにさらに詳しく説明するように、層105は、1/4波長誘電体層、反射層および光吸収層を含む積層体であってよい。
最後に、適切な疎水性ポリマーなどの疎水性材料の層(図1には示されていない)を層105の最も後の表面に配置してもよく、背面基板(図示せず)が、層105または疎水性層の上に配置される。基板101とは異なり、背面基板は、透明である必要はなく、それゆえ、可視光に対する透明性を考慮せずに、柔軟性および汚染を防ぐ能力について選択してよい。そのような材料としては、以下に限られないが、ポリマー、ガラスおよび当業者の知識の範囲内の他の材料が挙げられる。観察面106に最も近い基板の側にAR層107が配置されている。AR層107は、観察面106に入射する光(例えば、ウォッシュアウト効果により、OLED構造100を含むディスプレイの出力の観察を妨げる周囲光)の反射を防ぐことが有益である。すなわち、OLEDの発光方向に対して反対に向けられた成分を有する方向から、観察面に入射する光が、観察面106で実質的に反射されない。ここにさらに詳しく説明するように、AR層107は、観察面に入射する光の帳消し作用を与える多層誘電積層体であってよい。この物理的現象はよく知られており、この現象のために、厚さ、屈折率および誘電積層体の層の数を注意深く選択する必要がある。
反射防止特性に加え、AR層107の誘電体層は、水蒸気および酸素などの汚染物が基板101を横切って層102または他の層に到達しないようにする適切なバリアを与える。それゆえ、OLED構造の観察面での密閉性は、誘電性のAR層107により与えられる。
上述し、ここに詳しく説明する実施の形態において、AR層107は、観察面106に入射する周囲光に対する反射防止層として働く。このAR層107はまた、柔軟性、酸素と水蒸気に対するバリア、および引っ掻き抵抗性も与える。観察面106とは反対の層102の側にある層105は、汚染物、特に、水蒸気と酸素に対するバリアを提供する。層105は、周囲光または環境光の反射を減少させることによって、観察面106の黒または暗い背景も与える。本発明の説明が続けられるに連れより明らかとなるように、層105は、OLED構造100の背面でこの所望の暗い背景を提供するために、反射防止誘電積層体などの光吸収層を含んでもよい。黒の背景は、明るい周囲または背景の照明においてディスプレイが機能するのに非常に重要であるのが認識できる。日光などの明るい背景照明下でディスプレイを見る場合、グレアおよび表面反射により、画像を観察するのが妨げられるかもしれない。実施の形態において、暗いまたは黒の背景は、比較的グレアが減少した鮮明な画像を与える。
図2Aは、ある実施の形態によるOLED構造100の背面層105のためのコーティング構造200を示している。コーティング構造200は、OLEDデバイスの「後」側(例えば、観察面106に最も近い側とは反対の層102側)に配置された多層構造201である。この多層構造201は、光吸収層202、および透明層203からなる少なくとも1つの積層体を含む。この光吸収層は、例示として、金属であり、透明層202は誘電体である。その実施の形態において、1つの積層体であってよく、10ほど多い積層体であってもよい。誘電体層204は、多層構造201の第1の金属層とOLED構造の陰極ラインとの間に配置しなければならない。最後に、疎水性層205を多層構造と後面または背面基板206との間に配置してもよい。疎水性層205は、約10nmから約300nmの範囲の厚さを有する。
酸素は、水蒸気ほどOLEDデバイスに損傷を与えないことに留意されたい。しかしながら、酸素バリアは、実現するのがずっと難しい。原子の間隔/距離が短く、酸素原子の移行する傾向が低い材料構造が、この能力に関して特に有用である。密で、ピンホールのない非晶質構造(結晶化していない)を用いてもよい。金属フイルムは容易に結晶化するかもしれず、誘電体層は、カラム構造で形成されるかもしれないが、薄い低温堆積(冷却された基板上へのマグネトロン・スパッタリングなど)により、結晶化およびカラム構造を避けることができる。そのような酸素バリア層は、背面基板とOLEDデバイス層との間、例えば、疎水性層205と多層構造201との間に配置してもよい。
例示として、吸収層202は、図1の実施の形態の層105に関して述べたように、黒っぽい金属層である。これらの層は、所望の暗い背景を助長し、観察面でのコントラストを改善できる。さらに、これらの層は、基板の応力を減少させる。前述したように、環境からの光(日光、ランプなど)は、OLEDのEL層から放出される光と競合する。OLED構造を通過するこの「環境」光は、反射して、観察者の目に戻るのを防がなければならない。多層構造201は、この機能を果たし、OLED構造が優れた観察コントラストを有することができる。
吸収層202は通常、可視光を吸収するように選択される。吸収層202に適した材料としては、以下に限られないが、Mo,Zr,Ti,Y,Ta,NiおよびWなどの薄い金属コーティング;ダイヤモンド状炭素、SiOx、酸素欠損In2O3、ITO、SnO2および類似の材料などの薄い吸収誘電体;またはSi,Se,Ge,GaAs,GaN,Se,GaSe,GaTe,CdTe,TiC,TiN,ZnS,ZnO,CdSe,InPおよびBNなどの半導体材料が挙げられる。最後に、これらの層は、選択された材料に応じて、標準的な堆積技法によって、1.0μmから約100μmの範囲の厚さに堆積されることに留意されたい。
透明層203は、厚さが約20nmから約300nmである誘電性の層であることが有用である。適切な材料としては、以下に限られないが、Al2O3,AlON,BaF2,BaTiO3,BeO,MgO,GdO3,Nb2O5,ThO2,CeO2,HfO2,Se2O3,SiO2,Si3N4,TiO2,Y3Al15O12,ZeSiO4,Ta2O5,HfN,ZrN,SiC,Bi12SiO20が挙げられる。材料と波長に応じて、これらの層は、100μmから約300μmの範囲の厚さを有する。
最後に、多層構造201の材料の堆積プロセスを調節することによって、前記実施の形態で、フイルム積層体の応力による基板の湾曲が減少することに留意されたい。すなわち、スパッタリングの圧力制御、堆積速度および材料の選択などのプロセスの調節により、誘発する応力を実質的に無効にできる。例えば、前述したように、多層構造の金属(すなわち、光吸収層202)は、誘電体層203の応力を打ち消す応力を有するように選択できる。別の実施の形態において、ポリマー基板のこの反りは、応力を無効にするために、適切な無機材料(例えば、ガラス)でポリマーの両側を被覆することによって防げるであろう。
図2Aのコーティング構造200の代わりの構造が図2Bに示されている。多層積層体208は、観察面に向かって反射して戻らない/吸収されることが望ましい選択された波長で1/4波長に等しい厚さを持つ誘電体層を含む。この積層体は、周囲光を反射する反射面210および上述した層203などの黒っぽい金属も含む。積層体208は、光を吸収することに加え、酸素と湿度のバリアとして機能する。この目的のために、光減衰のための多層積層体に選択される材料は、水蒸気と酸素がOLED構造に到達するのを防ぐバリア層も提供する。
その実施の形態において、積層体208は、ディスプレイにおけるOLED構造の「暗い」背景を形成する。多層積層体208は、多層積層体の異なる界面からの方向212に反射される光により、方向207からの光を打ち消す光学干渉構造を含む。この反射光は、積層体208の場合には、その構造により、等しい強度と反対の位相を有する。そのような光学干渉構造は、物理光学の技術分野においてよく知られており、しばしば積層誘電体フィルタ(dielectric stack filter)と称される。例えば、多層積層体208は、ここに特別に引用する、ドブロウルスキー(Dobrowolski)等の米国特許第5521759号明細書に記載されたタイプのものであってよい。
黒っぽい金属層211が、図示したように多層積層体の遠い側に配置されている。層210は、約50μmから約200μmの範囲の厚さを有し、また役立つように、OLED構造の観察面に向かって戻る周囲光の反射を抑制する。図2Bの実施の形態を使用する場合、誘電体層209は役立つように、約560nm(人の視力で最も敏感な波長領域)で1/4波長厚である。この層は、同様に水分バリアも提供する。層210は、タングステンやインコネルなどの、光を非常によく吸収する金属である。あるいは、酸素欠損InSnOx、またはITOを光吸収層210として用いてもよい。化学量論的ITOは透明な半導体であるが、その材料中で酸素の欠如が増えると、その透明性は著しく減少し、導電性が著しく増加することに留意されたい。
図2Aおよび2Bに関して説明した層は、公知の電子ビーム、スパッタリングまたはウェブ被覆技法、もしくはそれらの組合せによって、100℃未満の温度で形成されるであろう。
図3は、ある実施の形態によるOLED構造の前面、すなわち観察面(例えば、OLED構造100の観察面106)に役立つように配置されたコーティング構造300を示している。例えば、このコーティング構造を、図1の実施の形態のAR層107に用いてもよい。例えば、コーティング構造300をAR層107として使用してもよい。
コーティング構造300は、別の透明層303上に配置された透明層302の上に配置されたバリア層301からなる多層構造306を含む透明構造である。透明層302,303は、図2の透明層と同じ材料で同じ厚さのものである。透明層303は、基板304に直接配置されても、または別の層を介して配置されてもよい。コーティング構造300は、交互になった、比較的屈折率の高い層と比較的屈折率の低い層とを有する。この構造は、「低−高−低」またはLHL積層体として一般に知られており、反射を防ぐのに非常に有用である。LHL積層構造と調和する際に、コーティング構造は、図3に具体的に示した3層より多い層を有していてもよい。
基板304は有用に、上述したような材料のポリマー層である。OLED構造の観察面(例えば106)に配置されたコーティング構造300は、役立つように、観察面からの反射を減少させ、水分が基板304を透過し、OLED領域(例えば、図1の層102)に到達するのを防ぐ。しかしながら、コーティング構造の全ての層は必然的に透明である。良好なバリア層は、高い屈折率を有する材料であることが多い。例えば、Al2O3(n=1.65)、TiO2(n=2.2〜2.3)、Ta2O5(n=2.1〜2.2)などの優れたバリア層は、比較的高い屈折率を有し、本発明の実施の形態にしたがって用いてよい。それゆえ、バリア層301は、疎水性特徴について選択されたポリマー材料であってよく、誘電体層の頂面にあってもよいことに留意されたい。
ある実施の形態のnL/nH/nL反射防止構造について、表面反射は、約2%未満に、または約0.5%未満までにも削減できる。ITOは高屈折率材料であるが、堆積中の反応性スパッタリング・ガスまたは蒸着ガスを変更することによって、OLED構造を持つポリマー/プラスチック基板の屈折率一致を行って、観察面からの反射を改善することができる。
追加の透明層303を基板304の上に配置してもよいことに留意されたい。この目的のために、バリア層の屈折率が1.45未満であることを条件として、透明層303およびバリア層301は3層反射防止層を構成する。さらに、屈折率の異なる透明層302,303が、無機材料の多層反射防止コーティングに一般に要求される。
ある実施の形態によれば、多層反射防止コーティング(例えば、多層AR構造306)を用いて、広いAR帯域を可能にし、汚染物に対する比較的改善されたバリアを提供する。各層の選択は、要求される屈折率、および要求される厚さによる。3層コーティングについて、電気ベクトルが等しい大きさと反対の符号となる公知の条件は:
y1/y0=y2/y1=y3/y2−”’y基板/y3(式1)
ここで、yi(i=1,2,3・・・)はi番目の層の光学アドミタンスであり、y基板は、基板の光学アドミタンスであり、y0は周囲媒体の光学アドミタンスである。それゆえ、n基板=1.52である場合、ある実施の形態の4層AR層は、MgF(n=1.27および92.7nmの厚さ)/ZrO2(n=2.06および131.7nmの厚さ)/MgF(30.3nmの厚さ)/ZrO2(16.5nmの厚さ)である。
y1/y0=y2/y1=y3/y2−”’y基板/y3(式1)
ここで、yi(i=1,2,3・・・)はi番目の層の光学アドミタンスであり、y基板は、基板の光学アドミタンスであり、y0は周囲媒体の光学アドミタンスである。それゆえ、n基板=1.52である場合、ある実施の形態の4層AR層は、MgF(n=1.27および92.7nmの厚さ)/ZrO2(n=2.06および131.7nmの厚さ)/MgF(30.3nmの厚さ)/ZrO2(16.5nmの厚さ)である。
最後に、図2の実施の形態に関して説明したような材料の屈折率一致層305が、図示したように基板304上に配置される。この層は、層301,302および303のように、図2の実施の形態に関して説明したような公知の方法により製造される。
バリア層301、および透明層302,303からなる反射防止層の各層の内の一層は、役立つように、基板301の屈折率の平方根と等しい。例えば、ITOは、550nmで約2.0の屈折率を有する。屈折率一致層305は約1.81の屈折率を有し、例えば、Si3Ni4、SiONおよびBiO2が屈折率一致層305の有望な候補になるはずである。すなわち、屈折率一致層を提供することが有用である。何故ならば、2つの隣接層の屈折率に急激な変化があると、反射が生じるからである。反射により、ディスプレイのグレアが生じ、これは、上述した理由のために有害である。
最後に、この実施の形態において、汚染物がOLEDに到達するのを防ぎ、また引っ掻きを防ぐために、ナノ複合クレイをバリア層として使用できることに留意されたい。
図4は、ポリマー基板上の3層ARコーティングに関する反射率(%)対波長(nm)を示している。この3層は、ガラス/W(7nm)/Al(80nm)である。反射率は、有用な波長範囲に亘り微小であることが有益であるのが分かる。
図5は、ガラス/W(6.1nm)/SiO2(78.5nm)/W(15.3nm)/SiO2(78.5nm)/Al(71nm)の6層のARコーティングに関する反射率対波長を示している。積層体の層の数が増えるほど、水分バリア特性が良好になるのが分かる。しかしながら、背面からの反射の減少は、最初の2層か3層の吸収金属層により大部分が抑制される。
実施の形態の議論により実施の形態を詳細に説明してきたが、本発明の開示の恩恵を受けた当業者には、本発明の改変が明らかであるのが明瞭である。そのような改変や変種は、添付の特許請求の範囲に含まれる。
100 OLED構造
101 基板
106 観察面
107 AR層
200,300 コーティング構造
201 多層積層体
202,207,210 光吸収層
203,209 誘電体層
205 疎水性層
301 バリア層
302,303 透明層
306 多層構造
101 基板
106 観察面
107 AR層
200,300 コーティング構造
201 多層積層体
202,207,210 光吸収層
203,209 誘電体層
205 疎水性層
301 バリア層
302,303 透明層
306 多層構造
Claims (10)
- OLED構造であって、
少なくとも1つの実質的に柔軟な基板、前記基板と前記OLED構造との間に配置された少なくとも1つのバリア層、および前記OLED構造とディスプレイ表面との間に配置された少なくとも1つの反射防止層を含むOLED構造。 - 前記少なくとも1つのバリア層の上に別の実質的に柔軟な基板が配置されていることを特徴とする請求項1記載のOLED構造。
- 前記少なくとも1つの反射防止層がバリア構造を含むことを特徴とする請求項1記載のOLED構造。
- 前記少なくとも1つのバリア層が、誘電体層および光吸収層からなる少なくとも1つの積層体を含むことを特徴とする請求項1記載のOLED構造。
- 誘電体層が、前記少なくとも1つの反射防止層と前記OLED構造との間、および前記少なくとも1つのバリア層と前記OLED構造との間にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項1記載のOLED構造。
- 前記別の基板と前記少なくとも1つのバリア層との間に疎水性層をさらに含むことを特徴とする請求項2記載のOLED構造。
- 前記基板と前記OLED構造との間に疎水性層をさらに含むことを特徴とする請求項2記載のOLED構造。
- 前記バリア構造および前記少なくとも1つのバリア層の各々が、約10-6g/m2/日より小さい比率でその中を通る水蒸気の透過を防ぎ、約10-5cm3/m2/日より小さい比率でその中を通る酸素の透過を防ぐことを特徴とする請求項3記載のOLED構造。
- 少なくとも1つの実質的に柔軟な基板、前記基板と発光構造との間に配置された少なくとも1つのバリア層、および前記発光構造とディスプレイ表面との間に配置された少なくとも1つの反射防止層を含む発光ディスプレイ・デバイス。
- 前記反射防止層がバリア構造を含むことを特徴とする請求項9記載の発光ディスプレイ・デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/698,723 US20050093437A1 (en) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | OLED structures with strain relief, antireflection and barrier layers |
PCT/US2004/035814 WO2005045948A2 (en) | 2003-10-31 | 2004-10-27 | Oled structures with strain relief, antireflection and barrier layers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007511049A true JP2007511049A (ja) | 2007-04-26 |
Family
ID=34550732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006538248A Withdrawn JP2007511049A (ja) | 2003-10-31 | 2004-10-27 | 張力緩和層、反射防止層およびバリア層を備えたoled構造 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050093437A1 (ja) |
EP (1) | EP1683208A2 (ja) |
JP (1) | JP2007511049A (ja) |
KR (1) | KR20060134940A (ja) |
CN (1) | CN1875501A (ja) |
CA (1) | CA2543425A1 (ja) |
TW (1) | TWI252712B (ja) |
WO (1) | WO2005045948A2 (ja) |
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---|---|
WO2005045948A2 (en) | 2005-05-19 |
WO2005045948A3 (en) | 2005-12-29 |
CN1875501A (zh) | 2006-12-06 |
KR20060134940A (ko) | 2006-12-28 |
US20050093437A1 (en) | 2005-05-05 |
EP1683208A2 (en) | 2006-07-26 |
TW200527952A (en) | 2005-08-16 |
CA2543425A1 (en) | 2005-05-19 |
TWI252712B (en) | 2006-04-01 |
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---|---|---|---|
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