JP2007227415A - 貼り合わせ基板の製造方法および貼り合わせ基板 - Google Patents

Abstract

【課題】硬度の高い基板を貼り合わせに用いて欠陥密度の小さい貼り合わせ基板とすることができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせ基板の製造方法であって、少なくとも、ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第１の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程と、第２の基板表面から水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンをイオン注入して基板内部にイオン注入層を形成する工程と、前記第１の基板および第２の基板を少なくとも前記酸化膜を介して貼り合わせた後、前記第２の基板を前記イオン注入層で剥離して貼り合わせ基板を得る工程と、該貼り合わせ基板を熱処理して前記酸化膜を外方拡散する工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、貼り合わせ基板の製造方法および貼り合わせ基板に関するものであり、特にヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する高硬度基板を用いた貼り合わせ基板の製造方法および貼り合わせ基板に関する。

シリコンに代表される半導体薄膜を絶縁体上に形成したＳＯＩ基板は高速、省電力デバイスの基板として近年使用量が増えている。これはシリコン薄膜を最上層として、その下にシリコン酸化膜とシリコン支持（ハンドル）基板の順に各材料が配置されていることを特徴とする。

一方、通常のＳＯＩ基板とは異なり、高周波デバイスなどに用いるため、ハンドル基板にサファイアなどの透明基板が用いられることがある。これは、このハンドル基板が高い透明性・高い熱伝導率・低い誘電率を有するためである。この基板は、Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ：ＳＯＳと呼ばれており、通常シリコン層はサファイア上にヘテロエピタキシャル成長される（例えば、特許文献１参照）。このためシリコン層にはサファイアとの格子定数の違いに起因する多数の欠陥が成長時に導入される。

また、このＳＯＳ作製には貼り合わせ法の応用が考えられるが、貼り合わせには非常に高い平坦度（ＲＭＳで０.５ｎｍ以下）が必要であり、サファイアのような硬い材料の場合は、表面の凹凸やスクラッチ等が研磨後にも残存するため、貼り合わせ界面にボイド欠陥が導入される。
また、サファイアだけでなく、ＳｉＣ（炭化ケイ素：ヤング率＝約２５０ＧＰａ）、ＡｌＮ（窒化アルミ：ヤング率=約３００ＧＰａ）のような硬い材料を用いたときも、その硬さから高い平坦度が達成し難く、貼り合わせには不向きという問題点があった。

このように、サファイアやＳｉＣなどの高硬度基板は高い放熱性や絶縁特性といった優れた特性があるにも関わらず、その硬度から高い平坦度が達成し難く、欠陥密度の小さい貼り合わせ基板とすることが困難であった。
従って、硬度の高い基板を貼り合わせに用いて欠陥密度の小さい貼り合わせ基板とすることができる貼り合わせ基板の製造方法が求められていた。

特開平１０−８３９６２号公報

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、硬度の高い基板を貼り合わせに用いて欠陥密度の小さい貼り合わせ基板とすることができる貼り合わせ基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、貼り合わせ基板の製造方法であって、少なくとも、ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第１の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程と、第２の基板表面から水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンをイオン注入して基板内部にイオン注入層を形成する工程と、前記第１の基板および第２の基板を少なくとも前記酸化膜を介して貼り合わせた後、前記第２の基板を前記イオン注入層で剥離して貼り合わせ基板を得る工程と、該貼り合わせ基板を熱処理して前記酸化膜を外方拡散する工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法を提供する（請求項１）。

このような製造方法であれば、たとえ高硬度基板を用いたとしても、その表面に形成した酸化膜を平坦化することで容易に貼り合わせ面の平坦化を行って、高硬度基板を用いた貼り合わせ基板を製造することができる。従って、硬度の高い基板を貼り合わせに用いて、欠陥密度の小さい貼り合わせ基板を製造することができる。

また、前記第１の基板として、サファイア、ＳｉＣ、アルミナのいずれかを用いることができる（請求項２）。

このように、前記第１の基板として、サファイア、ＳｉＣ、アルミナのいずれかを用いれば、高い放熱性や絶縁特性を有する貼り合わせ基板を製造することができる。

また、前記第２の基板として、シリコン、ＳｉＣ、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウムのいずれかを用いることができる（請求項３）。

このように、前記第２の基板として、シリコン、ＳｉＣ、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウムのいずれかを用いて貼り合わせ基板を製造することができる。

また、前記酸化膜の平坦化において、前記酸化膜の表面に機械化学研磨を行い、前記酸化膜の表面粗さをＲＭＳで０．５ｎｍ以下とすることが好ましい（請求項４）。

このように、前記酸化膜の平坦化において、前記酸化膜の表面に機械化学研磨を行い、前記酸化膜の表面粗さをＲＭＳで０．５ｎｍ以下とすれば、貼り合わせ面となる酸化膜が高度に平坦化されるので、良好な貼り合わせが達成でき、ボイド等の欠陥が生じ難いし、デバイス製造工程において第１の基板および第２の基板が剥離する恐れもない。

さらに、前記第１の基板および第２の基板の貼り合わせにおいて、前記第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の貼り合わせ表面にプラズマ処理もしくはオゾン処理を施してから、貼り合せを行うことが好ましい（請求項５）。

このように基板の表面をプラズマもしくはオゾンで処理すれば、基板の表面にはＯＨ基が増加して活性化する。この活性化した基板表面を貼り合わせ表面とすれば、貼り合わせた面が水素結合により強固に接合するので、その後結合力を高める高温熱処理を施さなくても十分に強固な接合となる。また、このように接合面が強固に接合しているので、イオン注入層での剥離を、機械的衝撃を与えることにより行うことができる。

また、前記イオン注入層での剥離を、機械的衝撃を与えることにより行うことができる（請求項６）。

このように、前記イオン注入層での剥離を、機械的衝撃を与えることにより行えば、剥離のための熱処理を行なわなくても薄膜化ができる。従って、第１の基板および第２の基板の熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等を発生させずに貼り合わせ基板を製造することができる。

また、前記第２の基板がヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有している場合、前記第２の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程を行い、前記第１の基板および第２の基板の貼り合わせにおいて、前記第１の基板および第２の基板の平坦化した酸化膜が形成されている表面同士を貼り合せることができる（請求項７）。

このように、前記第２の基板もヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有している場合、第２の基板にも第１の基板と同様に酸化膜形成および該酸化膜の平坦化を行うことで、高硬度基板同士を容易に貼り合わせて貼り合わせ基板を製造することができる。

また、本発明は、上記いずれかの方法により製造された貼り合わせ基板を提供する（請求項８）。

このように、上記いずれかの製造方法により製造された貼り合わせ基板であれば、高硬度基板に由来する高い放熱性や絶縁特性といった優れた特性を有し、かつ欠陥密度の小さい貼り合わせ基板となる。

また、本発明は、貼り合わせ基板であって、サファイア、ＳｉＣ、アルミナのいずれかよりなる第１の基板とシリコン、ＳｉＣ、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウムのいずれかよりなる第２の基板とが、表面を研磨された酸化膜を介して貼り合わされているものであることを特徴とする貼り合わせ基板を提供する（請求項９）。

このような高硬度基板を用いた貼り合わせ基板は、高い放熱性や絶縁特性といった優れた特性を有し、かつ欠陥密度の小さい貼り合わせ基板である。

以上説明したように、本発明の貼り合わせ基板の製造方法を用いれば、表面の高度な平坦化が難しい高硬度基板（サファイア、ＳｉＣ、アルミナ等）同士あるいは、高硬度基板と半導体基板（Ｓｉ、ＧａＮ等）を容易に貼り合わせて、貼り合わせ基板を製造することができる。このような貼り合わせ基板は、欠陥密度が小さく、高い放熱性や絶縁特性といった優れた特性を有するものである。

前述したように、高硬度基板は貼り合わせに必要な高い平坦度を達成するのが困難であり、高い放熱性や絶縁特性といった優れた特性を有していながら、貼り合わせ基板とするには不向きであった。

そこで、本発明者等は、鋭意検討を行い、高硬度基板の表面に酸化膜を形成し、この酸化膜を平坦化し、該酸化膜を介して貼り合わせを行えば、高硬度基板を用いた貼り合わせ基板を容易に製造できることに想到し、本発明を完成させた。
以下、本発明の実施の形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

図１は、本発明に係る貼り合わせ基板の製造方法の一例を示す工程図である。

まず、ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第１の基板１を用意する(図１(a))。
このような高硬度のものは、シリコン単結晶１３０ＧＰａ、石英６６ＧＰａより硬く、貼り合わせ不良が生じ易い。第１の基板はこの硬度を満足するものであれば特に限定されないが、たとえばサファイア、ＳｉＣ、アルミナのいずれかを用いることができる。第１の基板のヤング率の上限は特に限定されないが、たとえばダイヤモンドの硬度はヤング率で１０００ＧＰａであり、これが上限である。結晶形態にもよるが、ＳｉＣは２５０ＧＰａ、ＡｌＮは３００ＧＰａである。
また、必要に応じて第１の基板に機械研磨等を施し、表面粗さをＲＭＳでたとえば１０ｎｍ以下（ＡＦＭで１０μｍ□で測定）とすれば、第１の基板の凹凸を埋め合わせるのに必要な酸化膜厚さがより小さくなるため、最終的に第１の基板上の酸化膜がより薄い貼り合わせ基板を製造することができる。

次に、第１の基板１の表面に酸化膜３を形成する(図１(b))。
酸化膜３の形成方法としては、たとえば、ＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法等により酸化膜を堆積してもよいし、熱酸化により第１の基板を酸化処理することで表面に酸化膜を形成してもよい。酸化膜の材質としては、用いる基板材質の酸化物とすればよいが、堆積法により酸化膜を形成する場合は、基板材質とは異なる酸化物とすることも可能である。目的に応じ適宜決定すればよい。例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２等が挙げられる。
また、必要に応じてこの酸化膜に７００℃以上の焼き締めを加えてもよい。

次に、酸化膜３を平坦化する(図１(c))。
平坦化の方法は特に限定されないが、たとえば機械化学研磨により行うことができる。このとき、酸化膜の表面に機械化学研磨を行い、酸化膜の表面粗さをＲＭＳで０．５ｎｍ以下とすることが、貼り合わせ面で剥離しにくい貼り合わせ基板を製造する上で好ましい。また、酸化膜の機械化学研磨は成熟した技術であり、ＲＭＳで０.５ｎｍ以下の粗さを得ることは容易である。なお、平坦化後の酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とすることが、後工程の酸化膜の外方拡散熱処理にかかる時間を短縮する上で好ましい。

次に、第２の基板２を用意する(図１(d))。
第２の基板は特に限定されないが、たとえばシリコン、ＳｉＣ、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウムのいずれかを用いることができる。シリコンを用いれば、いわゆるＳＯＩ基板を製造することができ、シリコンゲルマニウムを用いれば、近年高速動作特性が注目されているＳＧＯＩ基板を製造することができる。

この第２の基板が、第１の基板と同じくヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有している場合、第２の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程を行い、後工程の第１の基板および第２の基板の貼り合わせにおいて、第１の基板および第２の基板の平坦化した酸化膜が形成されている表面同士を貼り合せることが好ましい。
このようにすれば、ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する高硬度基板同士を容易に貼り合せることができる。

次に、上記用意した第２の基板２の表面から水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンを注入し、基板内部にイオン注入層４を形成する(図１(e))。

例えば、第２の基板の温度を２５０〜４５０℃とし、その表面から所望の半導体層の厚さに対応する深さ、例えば０．５μｍ以下の深さにイオン注入層を形成できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンを注入する。このときの条件として、例えば注入エネルギーは２０〜１００ｋｅＶ、注入線量は１×１０^１６〜１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２とできる。この場合、イオン注入層での剥離を容易にするため、イオン注入線量は８×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２より大きくすることが好ましい。

また、第２の基板の表面にあらかじめ薄いシリコン酸化膜などの絶縁膜を形成しておき、それを通してイオン注入を行なえば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られる。

次に、第１の基板および第２の基板を、少なくとも第１の基板上の酸化膜を介して貼り合わせる(図１(f))。
なお、この第１の基板および第２の基板の貼り合わせにおいて、前記第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の貼り合わせ表面にプラズマ処理もしくはオゾン処理を施してから、貼り合せを行うことが好ましい。

プラズマで処理をする場合、真空チャンバ中にＲＣＡ洗浄等の洗浄をした第１の基板および／または第２の基板を載置し、プラズマ用ガスを導入した後、１００Ｗ程度の高周波プラズマに５〜１０秒程度さらし、表面をプラズマ処理する。プラズマ用ガスとしては、たとえば、水素ガス、アルゴンガス、又はこれらの混合ガスあるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガス、酸素ガス等を用いることができる。

オゾンで処理をする場合は、大気を導入したチャンバ中にＲＣＡ洗浄等の洗浄をした第１の基板および／または第２の基板を載置し、窒素ガス、アルゴンガス等のプラズマ用ガスを導入した後、高周波プラズマを発生させ、大気中の酸素をオゾンに変換することで、表面をオゾン処理する。
プラズマ処理とオゾン処理とはどちらか一方又は両方行なうことができる。

このようにプラズマもしくはオゾンで処理することにより、第１の基板および／または第２の基板の貼り合わせ表面の有機物が酸化して除去され、さらに表面のＯＨ基が増加し、活性化する。このように活性化した基板表面を貼り合わせ表面とすれば、貼り合わせた面が水素結合により強固に接合するので、その後結合力を高める高温熱処理を施さなくても十分に強固な接合となる。
プラズマもしくはオゾン処理は，第１の基板および第２の基板の両方ともに行なうのがより好ましいが、いずれか一方だけ行なってもよい。

第１の基板および第２の基板を、少なくとも第１の基板上の酸化膜を介して貼り合わせる際の、貼り合わせ条件は特に限定されない。たとえば、上記のように、貼り合わせ前に、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の貼り合わせ表面にプラズマ処理もしくはオゾン処理を施している場合は、基板同士を例えば減圧または常圧下、一般的な室温程度の温度下で密着させるだけで後工程での機械的剥離に耐え得る強度で強く接合できる。従って、１２００℃以上といった高温の結合熱処理が必要でなく、加熱により問題になる２枚の基板間の熱膨張係数の差異による熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがなく好ましい。
なお、貼り合わせ後、接合した基板を４００℃未満の低温で熱処理して結合力を高めてもよい。

次に、接合した基板において、第２の基板の一部５を前記イオン注入層で剥離して、半導体層６と酸化膜３と第１の基板１から成る貼り合わせ基板を得る(図１(g))。
イオン注入層で剥離する方法は特に限定されないが、たとえば、機械的衝撃を与えることにより行うことができる。

このようにイオン注入層に衝撃を与えて機械的剥離を行えば、熱剥離の場合のように加熱に伴う熱歪、ひび割れ、貼り合わせ面からの剥離等が発生するおそれがない。
イオン注入層に衝撃を与えるためには、例えばガスや液体等の流体のジェットを接合した基板の側面から連続的または断続的に吹き付ければよいが、衝撃により機械的剥離が生じる方法であれば特に限定はされない。

次に、このようにして得た貼り合わせ基板を熱処理して前記酸化膜３を外方拡散する(図１(h))。
この際の熱処理条件は特に限定されないが、９００℃以上、非酸化性雰囲気で行い、熱処理後の酸化膜７の厚さを６０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下とするのが好ましい。
このように、高硬度基板の凹凸を埋め合わせるのに必要な最小限の酸化膜７のみを残して、酸化膜を可能な限り取り除くことで、酸化膜による放熱等の特性への影響を最小限とした貼り合わせ基板を得ることができる。この場合、半導体層６の厚さはすでに薄くなっているので、熱処理を施しても、第１の基板の熱膨張係数の相違に基づく割れ等は発生しない。

そして、上記工程(a)〜(h)により製造された貼り合わせ基板は、高硬度基板を用いた貼り合わせ基板、たとえば、サファイア、ＳｉＣ、アルミナのいずれかよりなる第１の基板とシリコン、ＳｉＣ、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウムのいずれかよりなる第２の基板とが、表面を研磨された酸化膜を介して貼り合わされている貼り合わせ基板であって、高硬度基板に由来する高い放熱性や絶縁特性といった優れた特性を有し、かつ欠陥密度の小さいものである。

（実施例）
図１に示すように、第１の基板１として直径２００ｍｍのサファイア基板（ヤング率＝約３６３ＧＰａ）を用意した（図１(a)）。この第１の基板１に機械研磨を施し、表面粗さをＲＭＳで１０ｎｍ以下（ＡＦＭで１０μｍ□で測定）とした。
次に、ＣＶＤ法により第１の基板１の表面に厚さ１００ｎｍの酸化膜（ＳｉＯ_２）３を堆積した（図１(b)）。

次に、酸化膜３を機械化学研磨により平坦化し、酸化膜厚さを４０ｎｍ、酸化膜の表面粗さをＲＭＳで０．３ｎｍとした(図１(c))。

一方で、第２の基板２として、直径２００ｍｍの単結晶シリコン基板を用意した(図１(d))。
この第２の基板２に、水素イオンを注入し、基板中にイオン注入層４を形成した(図１(e))。注入条件は、注入エネルギーを３５ｋｅＶ、注入線量を９×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２とした。注入深さは０．３ｎｍとなった。

次に、プラズマ処理装置中にイオン注入した第２の基板を載置し、プラズマ用ガスとして空気を導入した後、２Ｔｏｒｒ（２６７Ｐａ）の減圧条件下で１３．５６ＭＨｚの高周波を直径３００ｍｍの平行平板電極間に高周波パワー５０Ｗの条件で印加することで、高周波プラズマ処理を５〜１０秒行った。

一方、第１の基板については、大気を導入したチャンバ中に基板を載置し、狭い電極間にプラズマ用ガスとしてアルゴンガスを導入した後、電極間に高周波を印加することでプラズマを発生させ、そのプラズマと基板間に大気を介在させることで、大気中の酸素がオゾン化され、そのオゾンにより貼り合せ面を処理した。処理時間は５〜１０秒間とした。

以上のようにして表面処理を行った第１の基板および第２の基板を室温で密着させた後、両ウェーハの一方の端部を厚さ方向に強く押圧することで接合を開始させた(図１(f))。これを室温で４８時間放置した後接合面を目視で確認すると、接合面は基板全面に広がり接合が確認された。接合強度を確認するため、一方の基板を固定し、他方の基板の基板面に平行方向に応力を加え横にずらそうとしたがずれることはなかった。

次に、イオン注入層４に衝撃をあたえて剥離するため、紙切りバサミの刃を接合した基板の側面に対角位置において数回楔を打ち込むことを行った。これにより、イオン注入層において剥離が生じ、半導体層６と酸化膜３と第１の基板１から成る貼り合わせ基板を得た（図１(g)）。

次に、このようにして得た貼り合わせ基板を熱処理して前記酸化膜３を外方拡散した(図１(h))。
熱処理条件は、１０００℃以上、アルゴンガス雰囲気で行い、熱処理後の酸化膜７の厚さを２０ｎｍとした。

得られた貼り合わせ基板の半導体層６について、定法に従いＳＥＣＣＯエッチング液を希釈した液を用いてＳＥＣＣＯ欠陥評価を行った。その結果、欠陥密度は２×１０^３〜６×１０^３／ｃｍ^２と欠陥密度が小さいことが確認できた。従って、欠陥密度が小さい、高硬度基板を用いた貼り合わせ基板が得られることが確認できた。

尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

本発明に係る貼り合わせ基板の製造方法の一例を示す工程図である。

符号の説明

１…第１の基板、 ２…第２の基板、 ３…酸化膜、 ４…イオン注入層、 ５…第２の基板の一部、 ６…半導体層、 ７…熱処理後の酸化膜。

Claims (9)

1. 貼り合わせ基板の製造方法であって、少なくとも、ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第１の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程と、第２の基板表面から水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンをイオン注入して基板内部にイオン注入層を形成する工程と、前記第１の基板および第２の基板を少なくとも前記酸化膜を介して貼り合わせた後、前記第２の基板を前記イオン注入層で剥離して貼り合わせ基板を得る工程と、該貼り合わせ基板を熱処理して前記酸化膜を外方拡散する工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。
2. 前記第１の基板として、サファイア、ＳｉＣ、アルミナのいずれかを用いることを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
3. 前記第２の基板として、シリコン、ＳｉＣ、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウムのいずれかを用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
4. 前記酸化膜の平坦化において、前記酸化膜の表面に機械化学研磨を行い、前記酸化膜の表面粗さをＲＭＳで０．５ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
5. 前記第１の基板および第２の基板の貼り合わせにおいて、前記第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の貼り合わせ表面にプラズマ処理もしくはオゾン処理を施してから、貼り合せを行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
6. 前記イオン注入層での剥離を、機械的衝撃を与えることにより行うことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
7. 前記第２の基板がヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有している場合、前記第２の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程を行い、前記第１の基板および第２の基板の貼り合わせにおいて、前記第１の基板および第２の基板の平坦化した酸化膜が形成されている表面同士を貼り合せることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載した貼り合わせ基板の製造方法により製造されたものであることを特徴とする貼り合わせ基板。
9. 貼り合わせ基板であって、サファイア、ＳｉＣ、アルミナのいずれかよりなる第１の基板とシリコン、ＳｉＣ、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウムのいずれかよりなる第２の基板とが、表面を研磨された酸化膜を介して貼り合わされているものであることを特徴とする貼り合わせ基板。

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