JP2006262348A - 半導体回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 バンドギャップリファレンス回路にて、ベース及びコレクタが接地されたトランジスタQ11のエミッタを内部回路11に接続し、ベース及びコレクタが接地されたトランジスタQ12のエミッタを絶対温度に対して正の温度依存性を有する抵抗R11を介して内部回路11に接続するようにして、電圧電流変換回路を設けたり、一定の出力電圧を生成したりすることなく、回路規模の増大を抑制しかつ電源電圧の低電圧化が可能な回路構成で、温度依存の小さい一定の出力電流を生成できるようにする。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施形態による半導体回路を適用した基準電流回路10の構成例を示す回路図である。図1に示すように、基準電流回路10は、バンドギャップリファレンス回路を用いたものであり、ベース及びコレクタが接地された(グランドに対して接続された)pnp型バイポーラトランジスタQ11、Q12と、一端がトランジスタQ12のエミッタに直列に接続され、かつ絶対温度に対して正の温度依存性(温度特性)を有する抵抗R11と、トランジスタQ11のエミッタ及び抵抗R11の他端に接続された内部回路11と、内部回路11の出力に応じて出力電流Ioutを出力するp型MOS(metal oxide semiconductor)トランジスタM13とを有する。
図3は、本実施形態における基準電流回路の他の構成例を示す回路図である。この図3において、図1に示した構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図3に示す基準電流回路30は、図1に示した基準電流回路10と内部回路の構成のみが異なる。
なお、図3に示した基準電流回路30の動作は、図1に示した基準電流回路10の動作と同じであるので、説明は省略する。
なお、上述した各例は一例であり、本発明はこれに限定されるものではなく、いわゆるバンドギャップリファレンス回路と呼ばれる回路構成に対して適用可能である。
12 増幅器
13 電源回路
Q11、Q12 バイポーラトランジスタ
M11〜M13、M31〜M35 MOSトランジスタ
R11 抵抗
Iout 出力電流
D11、D12 ダイオード
Claims (10)
- ベース及びコレクタがともに接地された第1及び第2のトランジスタと、
上記第2のトランジスタのエミッタに一端が接続された抵抗と、
上記第1のトランジスタのエミッタと上記抵抗の他端とがそれぞれ接続され、それぞれの相互接続点の電位が内部での帰還作用により同電位に保たれる内部回路と、
上記内部回路の出力が供給され、当該出力に応じて外部に出力電流を出力する第3のトランジスタとを備え、
上記抵抗は、絶対温度に対して正の温度依存性を有する抵抗であることを特徴とする半導体回路。 - 上記抵抗は、上記第1のトランジスタにおけるベース−エミッタ間電圧と、上記第2のトランジスタにおけるベース−エミッタ間電圧との電位差が有する正の温度依存性を打ち消す正の温度依存性を有することを特徴とする請求項1記載の半導体回路。
- 上記第2のトランジスタのサイズが、上記第1のトランジスタのサイズのN倍(N>1)であることを特徴とする請求項1記載の半導体回路。
- 上記抵抗は、コバルトシリサイドを用いて構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体回路。
- 上記抵抗は、温度依存性が異なる複数の抵抗を直列及び/又は並列に接続して構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体回路。
- 上記内部回路は、ソースに電源電圧が供給される第4及び第5のトランジスタと、
上記第4及び第5のトランジスタのドレインに一対の入力端が接続され、上記第3、第4、及び第5のトランジスタのゲートに出力端が接続された増幅器とを有することを特徴とする請求項1記載の半導体回路。 - 上記第4のトランジスタのサイズが、上記第5のトランジスタのサイズのm倍(m>1)であることを特徴とする請求項6記載の半導体回路。
- 上記内部回路は、ソースに電源電圧が供給される第4及び第5のトランジスタと、
上記第4及び第5のトランジスタのドレインにドレインが接続される第6及び第7のトランジスタとを備え、
上記第4と第6のトランジスタのドレインの相互接続点が上記第6及び第7のトランジスタのゲートに接続され、
上記第5と第7のトランジスタのドレインの相互接続点が上記第3、第4及び第5のトランジスタのゲートに接続され、
上記第6のトランジスタのソースが上記第1のトランジスタのエミッタに接続され、
上記第7のトランジスタのソースが上記抵抗の他端に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体回路。 - バンドギャップリファレンス回路を用いて一定電流を出力する半導体回路であって、
上記バンドギャップリファレンス回路でのベース−エミッタ間電圧の差であるΔVBEの電位差に対して、当該電位差が有する負の温度依存性を打ち消す、絶対温度に対して正の温度依存性を有する抵抗を接続し、絶対温度に対して温度依存しない一定電流を出力するようにしたことを特徴とする半導体回路。 - カソードが接地された第1及び第2のダイオードと、
上記第2のダイオードのアノードに一端が接続された抵抗と、
上記第1のダイオードのアノードと上記抵抗の他端とがそれぞれ接続され、それぞれの相互接続点の電位が内部での帰還作用により同電位に保たれる内部回路と、
上記内部回路の出力が供給され、当該出力に応じて外部に出力電流を出力するトランジスタとを備え、
上記抵抗は、絶対温度に対して正の温度依存性を有する抵抗であることを特徴とする半導体回路。
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