JP2005266755A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 電気光学装置用基板と対向基板とを貼り合わせたパネルにおいて、端子を損傷することなく薄型化することのできる電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】 複数枚の電気光学装置用基板２を大型基板３に貼り合わせた有機ＥＬ表示装置、あるいは液晶表示装置を製造するにあたり、電気光学装置用基板２の端子２０が形成されている側に対向（封止）基板４を貼り付け、その状態で対向（封止）基板４を研磨し薄型化する。その際、電気光学装置用基板２の端子２０を対向（封止）基板４で覆っておき、薄型化後、封止基板４をレーザで切断し、端子２０を露出させる。
【選択図】 図９

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。

各種の電気光学装置のうち、例えば、有機ＥＬ表示装置では、マトリクス状に配置された多数の画素領域の各々に画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子を備えた基板が用いられる。有機ＥＬ素子は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部内へ注入し、注入された電子およびホールを発光中心で再結合させて有機分子を励起状態にし、この有機分子が励起状態から基底状態へと戻るときに蛍光を発生する。ここで、発光材料である蛍光物質を選択すれば発光色を変化させることができるので、カラー画像を表示できる。

このような有機ＥＬ表示装置に対しては、液晶装置と同様、３０インチを越えるようなものが要求されているが、その場合には基板も大型化する。このため、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を製造するためのラインが大型化する。また、基板を大型化すること自体、洗浄工程や成膜工程での歩留まりが低下する。さらに、基板として安価なガラス基板を用いることを目的にＴＦＴを低温ポリシリコンＴＦＴで構成しようとすると、アモルファスシリコンをポリシリコンに結晶化するためのレーザアニールが不安定となる。

そこで、従来の技術や設備で十分、製造可能な大きさの基板を複数枚、平面的に配置して大型の有機ＥＬ表示装置を構成することが提案されている。このような大型化技術には、電気光学装置用基板上に画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子などを全て形成してから複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べる方法と、電気光学装置用基板上に画素スイッチング用素子を形成してから複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べ、しかる後に、各電気光学装置用基板上に有機ＥＬ素子を形成する方法とが提案されているが、後者の場合には電気光学装置用基板同士の繋ぎ目が目立たないという利点がある（例えば、特許文献１、２参照）。
特開２００１−１０２１７１号公報 特開２００２−２９７０６３号公報

しかしながら、特許文献１、２に記載の技術のように、複数枚の電気光学装置用基板を大型基板上に貼り合わせたものでは、その分、電気光学装置が厚く、また軽量化を図れないという問題点がある。また、基板を湾曲させた新たな形態の電気光学装置を製造できないという問題点がある。かといって、最初から薄い基板を用いた場合には、製造工程中、基板が割れて歩留まりが低下しやすいという問題点がある。そこで、電気光学装置用基板に大型基板あるいは封止基板（対向基板）を貼り合わせてパネルとした状態でパネルを薄型化することが考えられるが、このような薄型化を化学エッチングで行うと、電気光学装置用基板に形成されている端子もエッチングされて損傷するという問題点がある。このような問題点は、液晶装置などでも同様に発生する。

以上の問題点に鑑みて、電気光学装置用基板と対向基板とを貼り合わせたパネルを端子を損傷することなく薄型化することのできる電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、電気光学装置用基板の端子が形成されている一方面側を対向基板と貼り合わせて前記端子を対向基板で覆ったパネルにおいて、前記パネルを定盤上にワックスにより固定する固定工程と、前記パネルを研磨して薄型化する薄型化工程と、前記対向基板を切断して前記端子を露出させる切断工程とを有することを特徴とする。

本発明では、パネルの薄型化を図るにあたって、電気光学装置用基板と対向基板とを貼り合せたパネルの状態で薄型化するため、それまでは対向基板が厚い。このため、対向基板としてガラス基板などの硬質基板を用い、かつ、対向基板を例えば１００μｍ以下、さらには、５０μｍ以下にまで薄型化した場合でも、製造工程中に対向基板が割れるおそれがない。また、パネルの状態での薄型化を化学エッチングではなく、研磨により行うので、電気光学装置用基板に形成されている端子がエッチングされることがない。さらに、研磨の際、端子は対向基板で覆われているので、端子が損傷することがない。さらにまた、研磨の際、パネルをワックスで定盤上に固定するので、研磨が終了した後、ワックスを溶融させるだけでパネルを定盤から取り外すことができる。しかも、ワックスによる固定であれば、固定するための応力がパネルの一部分に集中することがないので、パネルが割れることもない。また、ワックスであれば、約８０℃の温度で溶融するので、たとえパネルが液晶やＥＬ材料などの電気光学物質を保持していたとしても電気光学物質が劣化しない。

本発明において、前記薄型化工程では、前記パネルを前記定盤上に前記ワックスにより固定したまま、前記パネルを研磨して薄型化するラッピング工程と、該ラッピング工程で研磨された当該パネルの表面を平滑に研磨するポリッシング工程とを連続して行うことが好ましい。

本発明において、前記固定工程では、前記定盤の上面に形成された凹部内でワックスを加熱して溶融させ、溶融した前記ワックスに前記パネルを浸漬するとともに、当該パネルに流体圧を印加して前記定盤に向けて押し付け、しかる後に、前記ワックスを冷却して固化させて、前記定盤上に前記ワックスにより前記パネルを固定することが好ましい。流体圧を印加する方法としては、ヘッドからパネルの上面に向けて圧縮空気を噴出する方法がある。また、弾性を備えた隔膜をパネルに被せ、この隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、パネルが配置されている側とは反対側の空間内に流体を供給してもよい。このように構成すると、パネル全体に均一な力をかけることができるので、パネルを適正な姿勢で定盤上に固定することができ、高い精度での研磨を行うことができる。

本発明において、前記切断工程では、前記対向基板をレーザにより切断することが好ましい。このように構成すると、パネルの状態で対向基板を効率よく切断することができる。

本発明において、前記パネルでは、前記対向基板に対して前記電気光学装置用基板が１枚あるいは複数枚、貼り合わされていることが特徴である。このように構成すると、電気光学装置用基板を１枚あるいは複数枚、平面的に配置した小型から大型のパネルを効率よく薄型化できる。すなわち、小型パネルの場合は複数枚のパネルを同時に、また、小型基板が複数枚張り合わされた大型パネルの場合は、大面積を一括して薄型化できる。

本発明は、ＥＬ表示装置の製造に適用することができ、この場合、前記電気光学装置用基板は、前記一方面側に電気光学物質としてのエレクトロルミネッセンス材料が保持されている。

本発明は、液晶装置の製造にも適用することができ、この場合、前記電気光学装置用基板は、前記一方面側と前記対向基板との間に電気光学物質としての液晶を保持している。

本発明を適用した自発光型電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった携帯用電子機器に用いることができるとともに、３０インチを越えるような大型画面を備えた電子機器に用いることができる。

以下、図面を参照して、本発明に係る電気光学装置、その製造方法、およびそれを用いた電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。

［実施の形態１］
（有機ＥＬ表示装置の全体構成）
図１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図および平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示す説明図である。

図１において、本形態の有機ＥＬ表示装置１は、いわゆるタイリング技術を利用した３０インチ以上の大型のパネル１’を備えており、電気光学装置用基板２（ＴＦＴアレイ基板）が複数枚（本形態では４枚）、平面的に配列された状態で大型基板３に貼り合わされている。パネル１’において、電気光学装置用基板２には大型基板３と反対側の面にガスバリア用の封止基板４（対向基板）が貼り合わされている。大型基板３は、電気光学装置用基板３の複数枚分と略同一の大きさである。これに対して、封止基板４は、電気光学装置用基板２の複数枚分よりも小さく、電気光学装置用基板２の一方面側２１は、一部が封止基板４の端縁から張り出している。従って、電気光学装置用基板２の一方面側２１の端部に形成されている端子２０の各々に対して、ＩＣ７０がＣＯＦ実装されたフレキシブル配線基板７を接続することができる。

ここで、中・小型のパネルでは、図１の電気光学装置用基板２が２枚、あるいは１枚の構成からなる。また、電気光学装置用基板２、大型基板３、および封止基板４のいずれかは、後述する薄型化工程により、例えば、１００μｍ以下、さらには５０μｍ以下にまで薄型化されたガラス基板である。

図２に示すように、本形態の有機ＥＬ表示装置１も、等価回路的には、周知の有機ＥＬ表示装置と同様、電気光学装置用基板２上には複数の走査線１３１と、走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、信号線に並列に延びる複数の電源線１３３とが配線されている。また、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に上記画素領域１００が形成されている。信号線１３２には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路１０３が接続されている。また、走査線１３１にはシフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路１０４が接続されている。

（画素構成）
図３は、図１に示す有機ＥＬ表示装置における画素領域を拡大して示す断面図である。

図２および図３に示すように、本形態の有機ＥＬ表示装置１の各画素領域１００には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用のＴＦＴ１２３と、このＴＦＴ１２３を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量１３５と、保持容量１３５によって保持された画像信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用（駆動用）のＴＦＴ１２４とが形成されている。このようなＴＦＴ１２３、１２４などを形成するために、電気光学装置用基板２には、ガラス基板からなる基材上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に低温ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１にはソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みによって形成され、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１の表面側にはゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線）が形成されている。ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２の表面側には、透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂとが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂには、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５、１４６が形成されている。第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状に形成されている。画素電極１１１に対しては、コンタクトホール１４５を介してＴＦＴ１２４が接続されている。

画素領域１００には、さらに、ＴＦＴ１２４を介して電源線１３３に電気的に接続したときに電源線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１１１と、画素電極１１１と陰極１２との間に挟み込まれた発光機能層１１０（有機機能層）とを備えた有機ＥＬ素子１０１（自発光素子）が形成されている。

有機機能層１１０は、例えば、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に形成された発光層（有機ＥＬ層）１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂと陰極との間に電子注入／輸送層が形成される場合もある。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有すると共に、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２の側から注入された電子が再結合し、発光が得られる。ここで、多数の画素領域１００は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応しており、このような色の対応は、有機機能層１１０を構成する材料の種類によって規定されている。

陰極１２は、カルシウム層１２ａとアルミニウム層１２ｂとから構成され、電気光学装置用基板２の端子形成領域を除く略全面に形成されている。アルミニウム層１２ｂは、発光層１１０ｂから発せられた光を電気光学装置用基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等から構成される場合もある。

本形態の有機ＥＬ表示装置１において、画素領域１００では、画素電極１１１の周縁部を取り囲むように隔壁１１２がバンクとして形成されている。隔壁１１２は、後述するように、有機機能層１１０を形成する際、インクジェット法（液体吐出法）により吐出、塗布される液状組成物の塗布領域を規定するものであり、その表面張力によって、液状組成物が均一な厚さで形成される。本形態において、隔壁１１２は、例えば、基板側に位置する無機物バンク層１１２ａと、無機物バンク層１１２ａの上層に形成された有機物バンク層１１２ｂとから構成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の無機材料からなる。有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。

なお、封止基板４は、水や酸素の侵入を防ぐことによって陰極１２あるいは有機機能層１１０の酸化を防止するものであり、電気光学装置用基板２の一方面側２１にエポキシ樹脂などといった平坦化機能を備えた封止樹脂４０を介して貼り合わされている。また、大型基板３は電気光学装置用基板２の他方面側２２に透明な接着剤３０を介して貼り合わされている。

このように構成した有機ＥＬ表示装置１において、走査線１３１が駆動されてＴＦＴ１２３がオン状態になると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量１３５に保持され、この保持容量１３５の状態に応じて駆動用のＴＦＴ１２４の導通状態が制御される。また、駆動用のＴＦＴ１２４がオン状態になったとき、そのチャネルを介して電源線１３３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに、有機ＥＬ素子では、有機機能層１１０を通じて陰極１２に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて有機機能層１１０が発光する。そして、有機機能層１１０から大型基板３側に発した光は観測者側に出射される一方、有機機能層１１０から大型基板３とは反対側に発した光は、陰極１２によって反射されて大型基板３から観測者側に放出される。

（製造方法）
図４（Ａ）、（Ｂ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法において電気光学装置用基板に対してＴＦＴ、画素電極、端子を形成し終えた段階の説明図である。図５（Ａ）〜（Ｄ）は、出来上がった電気光学装置用基板の薄型化の工程を示す工程断面図である。また、図６（Ａ）〜（Ｅ）は、前工程で薄型化の終了した複数の電気光学装置用基板を大型基板に張り合わせる工程を示した工程断面図である。図７（Ａ）、（Ｂ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法における有機機能層形成工程の説明図である。図８（Ａ）〜（Ｅ）は、表示装置の製造工程のうち、パネルを薄型化する工程を示す工程断面図である。図９（Ａ）〜（Ｄ）は、表示装置の製造工程のうち、パネルを薄型化後切断するとともに端子にフレキシブル配線基板を接続する工程を示す説明図である。

有機ＥＬ表示装置１を製造するにあたって、本形態では、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ１２３、１２４などの回路素子、有機ＥＬ素子１０１の画素電極１１１、端子２０、および隔壁１１２を電気光学装置用基板２上に形成する。このような工程を行うまで、電気光学装置用基板２は、薄型化する前の厚いガラス基板２’であり、その厚さは例えば０．５ｍｍである。

次に、図４（Ａ）、（Ｂ）および図５（Ａ）に示すように、電気光学装置用基板２の一方面側２１に保護フィルム６を貼着する（保護フィルム貼着工程）。保護フィルム６は、いわゆるＵＶフィルムと称せられるもので、図４（Ｂ）に示すように、フィルム基板６１と粘着材層６３との間にＵＶ剥離層６２を備えている。保護フィルム６は、電気光学装置用基板２の一方面側２１のうち、端子２０が形成されている領域を含む全面に貼られる。なお、電気光学装置用基板２については、レーザ光を照射して、保護フィルム６とともに切断し、電気光学装置用基板２の外形を調整してもよい。電気光学装置用基板２のレーザ切断は、電気光学装置用基板２の複数の基板辺のうち、少なくとも、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように配列した状態で他の電気光学装置用基板２と隣接する辺に対して行う。また、電気光学装置用基板２の好ましくは４隅にレーザの照射位置を示すアライメントマークを形成しておく。このようなレーザ切断を行うと切断面が直角になるため、有機ＥＬ表示装置１を組み立てた状態で電気光学装置用基板２同士を高い位置精度をもって接合できる。従って、後述するインクジェット法により発光機能層１１０を形成する際、電気光学装置用基板２上の所定位置に高い精度をもって発光機能層１１０を形成することができる。また、研磨時にチップが発生することを防止できる。

次に、図５（Ｂ）に示す研磨装置２００において、研磨により電気光学装置用基板２に対する薄型化を行う。このような研磨により複数枚の電気光学装置用基板２の表面が揃うので、後述するように、定盤２１０上で複数枚の電気光学装置用基板２と大型基板３とを容易に、かつ、高い精度で貼り合わせることができる。

このような研磨を行うには、まず、電気光学装置用基板２を複数枚、研磨装置２００の定盤２１０上に並べて固定する（固定工程）。この研磨装置２００は、電気光学装置用基板２が配置される部分に凹部２２０が形成されたセラミックス製の定盤２１０を備えており、この凹部２２０内には、ワックス２５０が充填されている。従って、定盤２１０を介して間接的に、あるいは直接、ワックス２５０を約８０℃の温度にまで加熱して溶融させた後、溶融したワックス２５０の表面に、定盤２１０に一方面側２１を向けた電気光学装置用基板２を複数枚、平面的に配列するように配置し、電気光学装置用基板２に流体圧を印加して電気光学装置用基板２を凹部２２０内に押し付ける。それには、ヘッドから電気光学装置用基板２に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を電気光学装置用基板２に被せ、この隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、電気光学装置用基板２が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給すればよい。このように構成すると、電気光学装置用基板２の各々に均一な力をかけることができる。

次に、溶融していたワックス２５０を２５℃の温度にまで自然冷却あるいは強制冷却し、ワックス２５０を固化させる。その結果、図５（Ｃ）に示すように、電気光学装置用基板２は、他方面側２２を上に向けて、定盤２１０の凹部２２０内にワックス２５０を介して固定される。

次に、薄型化工程を行う。それには、研磨用ヘッド２８０を電気光学装置用基板２の上方位置に配置し、そこで研磨用ヘッド２８０を軸線周りに回転させる一方、研磨用ヘッド２８０とは異なる速度で定盤２１０も回転させ、この状態で、研磨用ヘッド２８０と電気光学装置用基板２との間に砥粒の懸濁液を供給しながら、かつ、矢印Ｐで示すように、研磨用ヘッド２８０に約１５０ｇ／ｃｍ²程度の荷重をかけながら、電気光学装置用基板２の他方面側２２を約７．２μｍ／分の速度で研磨し、０．５ｍｍから２５μｍの厚さにまで薄型化する（ラッピング工程）。

次に、ポリッシング工程として、図５（Ｄ）に示すように、研磨用ヘッド２８０の下端部に柔らかい研磨布２８１を取り付け、研磨用ヘッド２８０と電気光学装置用基板２との間に砥粒の懸濁液を必要に応じて供給しながら、かつ、矢印Ｐで示すように、研磨用ヘッド２８０に約５０ｇ／ｃｍ²程度の荷重をかけながら、研磨した電気光学装置用基板２の他方面側２２の表面を平滑化する。それにより、電気光学装置用基板２は、ガラスと同等の光透過率を有することになる。

次に、図６（Ａ）に示すように、電気光学装置用基板２の他方面側２２を洗浄する。次に、図６（Ｂ）に示すように、電気光学装置用基板２の他方面側２２に接着剤３０を塗布した後、図６（Ｃ）に示すように、電気光学装置用基板２の他方面側２２に大型基板３を重ね、接着剤３０を硬化させる。その際も、大型基板３に対して流体圧を印加して、大型基板３を定盤２１０に向けて押し付け、電気光学装置用基板２と大型基板３との密着性を高める。大型基板３に対して流体圧を印加する方法としては、例えば、ヘッドから大型基板３に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を大型基板３に被せ、この隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、大型基板３が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給してもよい。このように、流体圧を大型基板３に加えて大型基板３を定盤２１０に向けて押し付けて、電気光学装置用基板２と大型基板３とを貼り合わせるので、大型基板３および電気光学装置用基板２に均一な力が加わる。従って、いずれの電気光学装置用基板２も大型基板３に対して同一条件で貼り合わせることができる。それ故、有機ＥＬ表示装置１を形成した状態における電気光学装置用基板２の厚さ方向における位置ばらつきなどを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。

このようにして、定盤２１０上で複数枚の電気光学装置用基板２を大型基板３に対して接着剤３０を介して貼り合わせて貼り合わせ基板１０とした後、固化していたワックス２５０を、定盤２１０を介して間接的に、あるいは直接、約８０℃の温度にまで加熱して溶融させ、図６（Ｄ）に示すように、電気光学装置用基板２（貼り合わせ基板１０）を定盤２１０の凹部２２０内から取り外す。

次に、保護フィルム６に対してＵＶ光を照射し、図６（Ｅ）に示すように、保護フィルム６を剥がした後、貼り合わせ基板１０に洗浄を行う。その際、保護フィルム６はＵＶフィルムであるため、ＵＶ光を照射すると、粘着材層６３は電気光学装置用基板２の一方面側２１から完全に除去される。このように本形態では、電気光学装置用基板２の一方面側２１に保護フィルム６を貼着した状態で貼り合わせ工程を行うため、薄型化工程や貼り合わせ工程の際、異物の付着や外力によるＴＦＴ１２３、１２４などの損傷を防止できる。しかも、電気光学装置用基板２の一方面側２１に保護フィルム６を貼着した状態で貼り合わせ工程を行うため、電気光学装置用基板２の一方面側２１を定盤２１０に向けて電気光学装置用基板２を配列して大型基板３と貼り合わせても、電気光学装置用基板２の一方面側２１に異物の付着や損傷などが発生しない。

このようにして、図７（Ａ）に示す貼り合わせ基板１０を製作した後、発光機能層形成工程を行う。それには、図７（Ｂ）に一点鎖線で示すインクジェットヘッド９と電気光学装置用基板２とを相対移動させながら、電気光学装置用基板２において隔壁１１２で囲まれた領域内に向けて正孔注入／輸送層１１０ａを構成するための液状組成物を選択的に吐出、塗布した後、熱処理を行って正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。同様に、インクジェットヘッド９と電気光学装置用基板２とを相対移動させながら、電気光学装置用基板２において隔壁１１２で囲まれた領域内に向けて、所定色に対応する発光層１１０ｂを構成するための液状組成物を吐出、塗布した後、熱処理を行って発光層１１０ｂを形成する。ここで、正孔注入／輸送層１１０ａを形成するための液状組成物は、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン、ポリピロールなどの導電性高分子、ＭＴＤＡＴＡ、フェニルアミン誘導体、銅フタロシアニンなどの溶液もしくは分散液である。また、発光層１１０ｂを形成するための液状組成物は、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などの溶液もしくは分散液である。

このように本形態では、ＴＦＴ１２３、１２４の形成や画素電極１１１の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、大型基板３への貼り合わせ工程の前に行い、貼り合わせ工程の後、有機ＥＬ素子１０１の発光機能層１１０を形成する際には、任意の位置への塗布を容易に行うことのできるインクジェット法を採用する。このため、有機ＥＬ素子１０１の発光機能層１１０を、複数枚の電気光学装置用基板２を平面的に並べた広い領域に形成する場合でも、製造装置の大型化や歩留まりの低下などが発生しない。また、電気光学装置用基板２の保護フィルム６が形成されている一方面側２１を基準に大型基板３との貼り合わせを行ったので、インクジェット法により発光機能層１１０を形成する際、インクジェットヘッド９から電気光学装置用基板２の一方面側２１との距離がいずれの電気光学装置用基板２においても一定である。それ故、インクジェットヘッド９から液滴の飛弾距離がいずれの電気光学装置用基板２でも一定であるので、飛弾距離のばらつきに起因する発光機能層１１０の形成位置や輝度などのばらつきを防止することができる。

次に、蒸着法などにより、図３に示すように、カルシウム層１２ａ、およびアルミニウム層１２ｂを順次形成する。その際、大型の製造装置を用いず、広い面積に対して選択的にカルシウム層１２ａ、およびアルミニウム層１２ｂを形成することを目的に端子形成領域など、外周部分を所定の部材で覆った状態で蒸着などを行う。

次に、図８（Ａ）に示すように、複数の電気光学装置用基板２と同等、あるいはそれより大きな封止基板４を封止樹脂４０を介して電気光学装置用基板２の一方面側２１に貼り付けてパネル１’を形成する。その結果、図９（Ａ）に示すように、電気光学装置用基板２に形成されている端子２０は、封止基板４で覆われた状態となる。

次に、図５（Ｃ）などを参照して説明した研磨装置２００において、パネル１’に対する薄型化を行う。それには、まず、図８（Ｂ）に示すように、封止基板４を上向きにしてパネル１’を研磨装置２００の定盤２１０上に固定する（固定工程）。それには、定盤２１０を介して間接的に、あるいは直接、ワックス２５０を約８０℃の温度にまで加熱して溶融させた後、溶融したワックス２５０の表面に、定盤２１０の方に大型基板３を向けてパネル１’を配置し、パネル１’に流体圧を印加してパネル１’を凹部２２０内に押し付ける。その際、ヘッドからパネル１’に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜をパネル１’に被せ、この隔膜によって仕切られた２つの空間のうち、パネル１’が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給すればよい。このように構成すると、電気光学装置用基板２の各々に均一な力をかけることができる。

次に、溶融していたワックス２５０を２５℃の温度にまで自然冷却あるいは強制冷却し、ワックス２５０を固化させる。その結果、パネル１’は、封止基板４を上に向けて、定盤２１０の凹部２２０内にワックス２５０を介して固定される。

次に、薄型化工程を行う。それには、研磨用ヘッド２８０をパネル１’の上方位置に配置し、そこで研磨用ヘッド２８０を軸線周りに回転させる一方、研磨用ヘッド２８０とは異なる速度で定盤２１０も回転させ、この状態で、研磨用ヘッド２８０とパネル１’との間に砥粒の懸濁液を供給しながら、かつ、矢印Ｐで示すように、研磨用ヘッド２８０に約１５０ｇ／ｃｍ²程度の荷重をかけながら、パネル１’の封止基板４の表面を約７．２μｍ／分の速度で研磨し、０．５ｍｍから２５μｍの厚さにまで薄型化する（ラッピング工程）。

次に、ポリッシング工程として、図８（Ｃ）に示すように、研磨用ヘッド２８０の下端部に柔らかい研磨布２８１を取り付け、研磨用ヘッド２８０とパネル１’との間に砥粒の懸濁液を必要に応じて供給しながら、かつ、矢印Ｐで示すように、研磨用ヘッド２８０に約５０ｇ／ｃｍ²程度の荷重をかけながら、封止基板４の表面を平滑化する。それにより、封止基板４は、ガラスと同等の光透過率を有することになる。

しかる後に、固化していたワックス２５０を、定盤２１０を介して間接的に、あるいは直接、約８０℃の温度にまで加熱して溶融させ、パネル１’を定盤２１０から取り外す。

また、大型基板３についても、薄型化する場合には、図８（Ｂ）、（Ｃ）を参照して説明した方法と同様、図８（Ｄ）に示すように、大型基板３を上向きにしてパネル１’を研磨装置２００の定盤２１０上に並べて固定した後、大型基板３の表面を研磨して大型基板３を０．５ｍｍから２５μｍの厚さにまで薄型化し（ラッピング工程）、次に、図８（Ｅ）に示すように、大型基板３の表面を平滑化し（ポリッシング工程）、しかる後に、パネル１’を定盤２１０から取り外す。

そして、パネル１’を洗浄した後、図９（Ｂ）に示すように、大型基板３にレーザを照射して切断し、大型基板３を所定のサイズに調整する。

次に、図９（Ｃ）に示すように、封止基板４にレーザを照射して切断し、封止基板４を所定のサイズに調整する。その結果、電気光学装置用基板２に形成されていた端子２０が露出する。そして、図９（Ｄ）に示すように、端子２０に対して、ＩＣ７０がＣＯＦ実装されたフレキシブル配線基板７を接続する。

なお、単独の電気光学装置用基板２からなるパネルに本発明を適用する際には、上記大型基板３の張り合わせ、大型基板３の薄型化、および大型基板３の切断が省略され、同様の工程によって図９の（Ｄ）に至る。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、パネル１’の薄型化を図るにあたって、電気光学装置用基板２に対向基板４および大型基板３を貼り合せたパネル１’の状態で薄型化するため、それまでは対向基板４および大型基板３のいずれもが厚い。このため、対向基板４や大型基板３としてガラス基板などの硬質基板を用い、かつ、対向基板４および大型基板３を例えば１００μｍ以下、さらには、５０μｍ以下にまで薄型化した場合でも、製造工程中に対向基板４や大型基板３が割れるおそれがない。

また、パネル１’の状態での薄型化を化学エッチングではなく、研磨により行うので、電気光学装置用基板２に形成されている端子２０がエッチングされることがない。さらに、研磨の際、端子２０は対向基板４で覆われているので、端子２０が損傷することがない。

さらにまた、研磨の際、パネル１’をワックス２５０で定盤２１０上に固定するので、研磨が終了した後、ワックス２５０を溶融させるだけでパネル１’を定盤２１０から取り外すことができる。しかも、ワックス２５０による固定であれば、固定するための応力がパネル１’の一部分に集中することがないので、パネル１’が割れることもない。また、ワックス２５０であれば、約８０℃の温度で溶融するので、たとえパネル１’が有機ＥＬ材料を保持していたとしても有機ＥＬ材料が劣化しない。

また、パネル１’を流体圧を加えて定盤２１０に固定するため、パネル１’全体に均一な力をかけることができる。従って、パネル１’を適正な姿勢で定盤２１０上に固定することができ、高い精度での研磨を行うことができる。

［実施の形態１の変形例］
図１０に示すように、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す工程で用いる保護フィルム６として、フィルム基材６１に隔壁１１２の高さよりも厚い粘着剤層６３を備えたＵＶフィルムを用いれば、保護フィルム６を電気光学装置用基板２の一方面側２１に貼った際、電気光学装置用基板２と保護フィルム６との間への気泡の侵入を防止できる。従って、保護フィルム６の表面に気泡に起因する凹凸が発生しないので、電気光学装置用基板２と大型基板３とを貼り合わせた際、電気光学装置用基板２の一方面側２１の位置を高い精度で揃えることができる。それ故、インクジェット法により、発光機能層１１０を安定して形成することができるとともに、有機ＥＬ表示装置１を構成した状態における電気光学装置用基板２の厚さ方向における位置ばらつきを防止できる。それ故、品位の高い画像を表示することができる。

また、図１１（Ａ）に示すように、保護フィルム６には、フィルム基材６１に、発光機能層１１０を形成するための液状組成物に対する撥液材層６４を追加し、かつ、粘着剤層６３については隔壁１１２の高さよりも薄くしておけば、保護フィルム６を除去した際、図１１（Ｂ）に示すように、インクジェット法における液状組成物の塗布領域の周囲、すなわち、隔壁１１２の上端側に撥液材層６４を転写することができる。従って、電気光学装置用基板２の一方面側２１に対して、フッ素化合物を用いたプラズマ処理などといった格別な撥液処理を行わなくてもよいので、製造工程の簡素化を図ることができる。

なお、上記形態では有機ＥＬ表示装置１を例にとったが、他の自発光型素子を用いた自発光型電気光学装置の製造に本発明を適用してもよい。

［実施の形態２］
上記実施の形態１は、１枚の電気光学装置用基板に電気光学物質を保持した有機ＥＬ表示装置に本発明を適用した例であったが、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、２枚の電気光学装置用基板の間に電気光学物質を保持した液晶表示装置に本発明を適用してもよい。

図１２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る液晶パネルを対向基板の側から見た斜視図、および断面図である。

図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、液晶パネル５００では、矩形枠状に塗布されたシール材５５２により貼り合わされたＴＦＴアレイ基板５１０（電気光学装置用基板）と対向基板５２０との間に電気光学物質としての液晶５５０が保持されている。ＴＦＴアレイ基板５１０は、対向基板５２０より大きく、対向基板５２０からの張り出し領域５１２には、多数の端子５１４がＴＦＴアレイ基板５１０の一辺に沿って形成されている。なお、駆動用ＩＣがＴＦＴアレイ基板５１０上にＣＯＧ実装することもあるが、このような場合でも、張り出し領域５１２に端子５１４が形成される。

ＴＦＴアレイ基板５１０には、画素スイッチング用のＴＦＴとともに画素電極５５９がマトリクス状に形成されている。対向基板５２０には、ＴＦＴアレイ基板５１０の画素電極５５９の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜５２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極５２１が形成されている。なお、液晶パネル５００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板５２０において、ＴＦＴアレイ基板５１０の各画素電極５５９に対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをその表面保護膜とともに形成する。

このような構成の液晶パネル５００においても、ＴＦＴアレイ基板５１０および対向基板５２０を薄型化する際には、ＴＦＴアレイ基板５１０と対向基板５２０とを貼り合わせてパネルとした状態で、図８を参照して説明した方法で薄型化する。その際、図１２（Ｂ）に一点鎖線で示すように、対向基板５２０としてＴＦＴアレイ基板５１０と略同一サイズのものを用いることにより、ＴＦＴアレイ基板５１０の端子５１４を対向基板５２０で覆っておき、薄型化を終えた後、対向基板５２０の端部をレーザで切断し、端子５１４を露出させる。

また、実施の形態１に示した有機ＥＬ表示装置１と同じように、複数の液晶パネル５００から大型の液晶表示装置を形成することもできる。すなわち、図１２の液晶パネル５００が完成した後、図５（Ａ）と同様に対向基板５２０側に保護フィルム６を貼り、保護フィルム面を下に研磨装置２００の定盤２１０に複数の液晶パネル５００を配列し、ワックス２５０で固定する。すなわち、図５における電気光学装置用基板２’を液晶パネル５００に見立てて各工程を追えばよい。このようにしてＴＦＴアレイ基板５１０の薄型化を行った後、図６と同様に、ＴＦＴアレイ基板５１０側に大型基板３を張り合わせ、図７（Ａ）のような複数の液晶パネルからなる大型の表示パネルを完成する。但し、この段階では対向基板５２０が厚いままであるので、次に、対向基板５２０の薄型化を図８の工程に従って行う。このときの工程も実施の形態１と全く同じで、図８の有機ＥＬ表示装置１’を、ＴＦＴアレイ基板５１０のみが薄型化された液晶パネル５００に置き換えて考えればよい。対向基板５２０の薄型化が終了したパネルは、その後、図９の工程に従い対向基板５２０の端部はレーザ切断され、露出した端子にフレキシブル基板７の取り付けが行われる。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、液晶パネル５００を１枚あるいは複数枚、平面的に配置した小型から大型のパネルを効率よく薄型化できる。すなわち、小型パネルの場合は複数枚のパネルを同時に、また、小型基板が複数枚張り合わされた大型パネルの場合は、大面積を一括して薄型化ができる。

また、液晶パネル５００のの薄型化を化学エッチングではなく、研磨により行うので、ＴＦＴアレイ基板５１０に形成されている端子５１４がエッチングされることがない。さらに、研磨の際、端子５１４は対向基板５２０で覆われているので、端子５１４が損傷することもない。

さらにまた、研磨の際、液晶パネル５００をワックス２５０で定盤２１０上に固定するので、研磨が終了した後、ワックス２５０を溶融させるだけで液晶パネル５００を定盤２１０から取り外すことができる。しかも、ワックス２５０による固定であれば、固定するための応力が液晶パネル５００の一部分に集中することがないので、パネルが割れることもない。また、ワックス２５０は、約８０℃の温度で溶融するので、たとえ液晶パネル５００が液晶材料を保持していたとしても材料が劣化しない。

また、液晶パネル５００に流体圧を加えて定盤２１０に固定するため、パネル全体に均一な力をかけることができる。従って、液晶パネル５００を適正な姿勢で定盤２１０上に固定することができ、高い精度での研磨を行うことができる。

［電子機器への適用］
本発明を適用した電気光学装置については、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、モバイルコンピュータ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話機、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの電子機器に適用できる他、３０インチを越えるような大画面を備えた電子機器に搭載される。

（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る自発光型電気光学装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図、および平面図である。 図１に示す有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示す説明図である。 図１に示す有機ＥＬ表示装置における画素領域を拡大して示す断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法において電気光学装置用基板に対してＴＦＴや画素電極を形成し終えた段階の説明図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、電気光学装置用基板の薄型化を行う工程を示した工程断面図である。 （Ａ）〜（Ｅ）は、複数の電気光学装置用基板を大型基板に張り合わせる工程を示した工程断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法における有機機能層形成工程の説明図である。 （Ａ）〜（Ｅ）は、表示装置の製造工程のうち、パネルを薄型化する工程を示す工程断面図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、表示装置の製造工程のうち、パネルを薄型化後端部を切断すると共に端子にフレキシブル配線基板を接続する工程を示す説明図である。 本発明に係る別の有機ＥＬ表示装置の製造方法において電気光学装置用基板に保護フィルムを貼った状態の説明図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、本発明に係るさらに別の有機ＥＬ表示装置の製造方法において電気光学装置用基板に保護フィルムを貼った状態の説明図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の斜視図、および断面図である。

符号の説明

１ 有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）、１’ パネル、２ 電気光学装置用基板（ＴＦＴアレイ基板）、３ 大型基板、４ 封止基板（対向基板）、６ 保護フィルム、９ インクジェットヘッド、２０、５１４ 端子、１０１ 有機ＥＬ素子、１１０ 発光機能層、１１１ 画素電極、１２３、１２４ ＴＦＴ、２００ 研磨装置、２１０ 定盤、２２０ 定盤の凹部、２５０ ワックス、２８０ 研磨用ヘッド、５００ 液晶装置（電気光学装置）、５１０ ＴＦＴアレイ基板（電気光学装置用基板）、５２０ 対向基板。

Claims (9)

1. 電気光学装置用基板の端子が形成されている一方面側を対向基板と貼り合わせて前記端子を対向基板で覆ったパネルにおいて、
   前記パネルを定盤上にワックスにより固定する固定工程と、
   前記パネルを研磨して薄型化する薄型化工程と、
   前記対向基板を切断して前記端子を露出させる切断工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 請求項１において、前記薄型化工程では、前記パネルを前記定盤上に前記ワックスにより固定したまま、前記パネルを研磨して薄型化するラッピング工程と、該ラッピング工程で研磨された当該パネルの表面を平滑に研磨するポリッシング工程とを連続して行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
3. 請求項１または２のいずれかにおいて、前記固定工程では、前記定盤の上面に形成された凹部内でワックスを加熱して溶融させ、溶融した前記ワックスに前記パネルを浸漬するとともに、当該パネルに流体圧を印加して前記定盤に向けて押し付け、しかる後に、前記ワックスを冷却して固化させて、前記パネルを固定することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 請求項１において、前記切断工程では、前記対向基板をレーザにより切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記パネルは、前記対向基板に対して前記電気光学装置用基板が１枚あるいは複数枚、貼り合わされていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板は、前記一方面側に電気光学物質としてのエレクトロルミネッセンス材料を保持していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板は、前記一方面側と前記対向基板との間に電気光学物質としての液晶を保持していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 請求項１ないし７のいずれかに規定する方法で製造された電気光学装置。
9. 請求項８に規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
   

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