JP2005183561A

JP2005183561A - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2005183561A
Application number: JP2003420320A
Authority: JP
Inventors: Haruo Tanmachi; 東夫反町; Yasunori Sasaki; 康則佐々木; Akira Takashima; 晃高島
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 2003-12-18
Filing date: 2003-12-18
Publication date: 2005-07-07
Anticipated expiration: 2023-12-18
Also published as: JP4200090B2

Abstract

【課題】基板にフリップチップ接続による搭載方法が異なる半導体素子が混在している場合でも、搭載装置を統一して使用することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体素子１０ａと第２の半導体素子１０ｂとが、基板１６にはんだ接合によりフリップチップ接続され、基板と第１および第２の半導体素子との間にアンダーフィル樹脂２２ａ,２２ｂが充填された半導体装置の製造方法において、前記第１と第２のすべての半導体素子が搭載される基板の位置に、アンダーフィル樹脂を塗布し、第１の半導体素子については、アンダーフィル樹脂を硬化させることなく基板にはんだ接合し、前記第２の半導体素子については、基板にはんだ接合するとともに、アンダーフィル樹脂２２ｂを硬化させて搭載し、前記第１および第２の半導体素子を搭載した後基板全体を加熱して、前記第１の半導体素子のアンダーフィル樹脂２２ａを硬化させる。
【選択図】図４

Description

本発明は半導体装置の製造方法に関し、より詳細にはフリップチップ接続により半導体素子を搭載する半導体装置の製造方法に関する。

フリップチップ接続は半導体素子の能動素子面を基板に向けて接続する方式であり、一例として、電極に金のスタッドバンプを設けた半導体素子を、基板に設けた接続電極にはんだ接合した後、半導体素子と基板との間にアンダーフィル樹脂を充填して搭載する方法が知られている。しかしながら、半導体素子をはんだ接合した後にアンダーフィルする方法の場合は、半導体素子と基板との間にアンダーフィル樹脂を充填し、加熱炉内でアンダーフィル樹脂を硬化させるまでの間は、半導体素子がはんだ接合部のみで支持されているから、半導体素子の電極の配置間隔が広く、基板の接続電極の面積が大きくとれ、はんだ接合によって接合部が十分な強度を有する半導体素子の場合は問題ないが、半導体素子の電極の配置間隔が狭く、基板の接続電極の面積が小さくなり、はんだ接合部の機械的強度が十分に得られない半導体素子の場合には、基板と半導体素子との間の熱応力あるいは搬送時の機械的衝撃によってはんだ接合部にクラックが入るという問題がある。

このため、半導体素子を基板に接合する前に、基板にアンダーフィル樹脂を塗布しておき、スタッドバンプと接続電極とを位置合わせして半導体素子を加圧および加熱することによって、はんだを溶融し、同時にアンダーフィル樹脂を硬化させて搭載する方法がなされている（たとえば、特許文献１、２参照）。
図６、７は、アンダーフィル樹脂を基板にあらかじめ塗布して、フリップチップ接続によって半導体素子を搭載する工程を示す。図６(a)は、基板に搭載する半導体素子１０であり、電極端子形成面にアルミニウムのパッド１２が形成されている。図６(b)は、半導体素子１０のパッド１２にスタッドバンプ１４を形成した状態を示す。スタッドバンプ１４はスタッドバンプボンダーにより金線をボンディングして形成される。

図６(c)〜（e)は半導体素子１０を搭載する基板１６の構成を示す。図６(c)はプリント基板等からなる基板１６に、スタッドバンプ１４の配置に合わせて接続電極（銅パッド）１８が形成されている状態を示す。図６(d)は、次に、接続電極１８の表面をはんだ２０により被覆した状態を示す。はんだ２０には、たとえばＳｎ−Ａｇはんだが使用される。はんだ２０の厚さｔは５〜２５μｍである。図６(e)は、次に、基板１６上の半導体素子１０の搭載位置にアンダーフィル樹脂２２を滴下した状態を示す。

図７は、アンダーフィル樹脂２２を塗布した基板１６をフリップチップボンダーにセットして、基板１６に半導体素子１０をフリップチップ接続する工程を示す。図７(a)は、フリップチップボンダーの基板ステージ２４に基板１６をセットし、吸着ツール２６により半導体素子１０を吸着して、基板１６の接続電極１８とスタッドバンプ１４とを位置合わせした状態である。吸着ツール２６は接続電極１８を被覆しているはんだ２０を溶融するため、はんだの融点以上に加熱されている。Ｓｎ−Ａｇはんだの融点は２２１℃であるから、この場合は吸着ツール２６を２５０℃〜３５０℃程度に加熱しておく。

図７(b)は、吸着ツール２６により半導体素子１０を基板１６に加圧し、はんだ２０を溶融させて接合し、あわせてアンダーフィル樹脂２２を硬化させる工程を示す。アンダーフィル樹脂２２は半導体素子１０と基板１６との間に広がって充填され、スタッドバンプ１４と接続電極１８との接合部を封止する。図７(b)においては、バンプ当たり０．５〜５ｇ程度の加圧力で５〜１０秒程度保持することによって、はんだ２０を溶融してスタッドバンプ１４を接続電極１８に接合し、アンダーフィル樹脂２２を硬化させる。はんだ２０は１〜２秒程度で溶融するが、吸着ツール２６を５〜１０秒程度保持しているのはアンダーフィル樹脂２２を加熱して硬化させるためである。アンダーフィル樹脂２２が硬化した後、吸着ツール２６を半導体素子１０から離すことによってはんだ２０は融点以下に冷却されて凝固する。図７(c)はアンダーフィル樹脂２２が硬化して基板１６に半導体素子１０がフリップチップ接続された半導体装置を示す。
特開２０００−５８５９７号公報特開２０００−１００８６２号公報特開２０００−２１９３５号公報特開２０００−１０１０１３号公報

上述したように、基板１６にあらかじめアンダーフィル樹脂２２を塗布して半導体素子１０をフリップチップ接続する方法は、半導体素子１０の電極間隔が狭まり、フリップチップ接続の際のはんだ接合によっては十分な機械的強度が得られない製品については、アンダーフィル樹脂２２によって接合部が補強され、接合部にクラックが生じるといった問題を解消することができるという利点がある。しかしながら、はんだ接合のみによってフリップチップ接続する場合には１〜２秒で接続できるのに対して、アンダーフィル樹脂２２を硬化させるために半導体素子１０を５〜１０秒程度保持していなければならず、接続時間がかかるという問題がある。

また、基板に単一種類の半導体素子をフリップチップ接続する場合、あるいは基板に複数の半導体素子を搭載する場合でも、フリップチップ接続によって搭載する半導体素子が一つだけである場合には、その半導体素子の搭載方法として都合の良い方法で搭載すればよい。
しかしながら、一つの基板に複数の半導体素子を搭載する場合、たとえば、電極配置がきわめて微細なマイクロプロセッサ等の半導体素子と、微細接続を必要としないメモリなどの半導体素子を搭載するような場合には、一方については基板にあらかじめアンダーフィル樹脂２２を塗布してフリップチップ接続し、他方についてはフリップチップ接続した後にアンダーフィルするといったように、半導体素子の搭載方法を変えて作業しなければならなくなる。

このように、フリップチップ接続によって半導体素子を搭載する場合でも、その方法が異なる場合に、半導体素子ごとに個別に搭載方法を選択して搭載するとすれば、各別にボンダーを用意しなければならなくなり、そのために製造ラインのバランスをとることが難しくなる。また一方、ボンダーを共通化して、基板にアンダーフィル樹脂をあらかじめ塗布して半導体素子を搭載する方法にしたとすると、はんだ接合のみで十分な接合強度を有している半導体素子を搭載する場合も、アンダーフィル樹脂を硬化させるためにボンディング時間が長くかかることになり、生産効率が低下する。他方、はじめにはんだ接合を行ってアンダーフィルを後工程とした場合は、電極間隔が微細な半導体素子については、アンダーフィル樹脂を硬化させるまでの間、はんだ接合部だけでは十分な機械的強度を有しなくなるという問題がある。

そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、同一基板内にフリップチップ接続による好適な搭載方法が異なる半導体素子が混在している場合でも、搭載装置を統一して使用することができ、効率的な半導体装置の製造を可能にする半導体装置の製造方法を提供するにある。

本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、第１の半導体素子と第２の半導体素子とが、基板にはんだ接合によりフリップチップ接続され、基板と第１の半導体素子および第２の半導体素子との間にアンダーフィル樹脂が充填された半導体装置の製造方法において、前記基板の、前記第１と第２のすべての半導体素子が搭載される搭載位置に、アンダーフィル樹脂を塗布し、前記第１の半導体素子については、前記基板に塗布されたアンダーフィル樹脂を硬化させることなく、基板にはんだ接合して搭載し、前記第２の半導体素子については、基板にはんだ接合するとともに、前記アンダーフィル樹脂を硬化させて基板に搭載し、前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子を基板に搭載した後、前記第１および第２の半導体素子が搭載された基板全体を加熱して、前記第１の半導体素子のアンダーフィル樹脂を硬化させることを特徴とする。

また、前記第１の半導体素子は、はんだ接合のみで所要の接合強度を有するものであり、前記第２の半導体素子は、はんだ接合とアンダーフィル樹脂により所要の接合強度を有するものであることを特徴とする。
また、前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子は、電極にスタッドバンプが形成されたものであり、前記基板は、前記スタッドバンプの配置に合わせて接続電極が配置され、接続電極の表面にはんだが被覆されたものであり、前記はんだを溶融して、前記スタッドバンプと接続電極とをはんだにより接合することを特徴とする。
また、前記第１の半導体素子および第２の半導体素子を、フリップチップボンダーの吸着ツールに支持し、該吸着ツールを前記はんだの融点以上に加熱するとともに、前記第１の半導体素子を、前記吸着ツールにより基板に加圧して、前記アンダーフィル樹脂を硬化させることなく基板にはんだ接合し、前記吸着ツールにより、前記第２の半導体素子を基板に加圧および加熱して、基板にはんだ接合するとともに、前記アンダーフィル樹脂を硬化させることを特徴とする。

本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、搭載形態が異なる半導体素子に対して共通に搭載装置を使用して基板に半導体素子を搭載することができ、半導体素子に応じたもっとも効率的なボンディングを可能とし、全体としての生産効率を向上させることが可能になる。また、半導体素子と基板との接合強度を確保して半導体素子を搭載することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能になる。

以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面にしたがって詳細に説明する。
図１〜５は本発明に係る半導体装置の製造方法によって半導体装置を製造する工程を示す説明図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、フリップチップ接続によって半導体素子を基板に搭載する際に、はんだ接合部が十分な接合強度を有することから、フリップチップ接続を行った後にアンダーフィル樹脂を充填する方法によって搭載可能な半導体素子（第１の半導体素子）と、電極間隔が狭い等の理由から、はんだ接合部にクラックが生じるといった問題が生じやすい半導体素子であって、あらかじめ基板にアンダーフィル樹脂を塗布してフリップチップ接続する方法が好適な半導体素子（第２の半導体素子）とを混在させて同一の基板に搭載する場合に適用する方法である。

一般に、半導体素子の電極間隔が広いと、基板の接続電極の面積を大きくとることができ、接続電極のはんだ量を多くすることができて、はんだ接合部は十分な機械的強度を得ることができる。また一方、半導体素子の電極間隔が狭いと、これにともなって基板の接続電極の面積が小さくなり、接続電極のはんだ量が少なくなって、はんだ接合部の機械的強度が不十分になる。

はんだ接合部が所要の機械的強度を有している半導体素子としては、たとえばメモリ素子のように電極間の間隔が広く、大径のスタッドバンプを用いて搭載できることから、はんだ接合部が十分な接合強度を備えているもの、あるいは小型の半導体素子で半導体素子と基板との間で生じる熱応力が小さく、接合部を破断させるような応力が作用しないものがあげられる。
また、アンダーフィル樹脂をあらかじめ基板に塗布しておき、はんだ接合と同時にアンダーフィル樹脂を硬化させてアンダーフィル樹脂によって補強する必要がある半導体素子としては、マイクロプロセッサのようにきわめて微細間隔に電極が配置され、この電極に対応するため、基板の接続電極の面積が小さくなりスタッドバンプと接続電極とのはんだ接合によっては十分な機械的強度が得られないものがあげられる。
なお、半導体素子に作用する機械的外力としては、熱応力の他に、搬送等の取り扱い時に半導体素子あるいは基板に作用する機械的衝撃がある。

図１〜５では、説明上、基板１６上に搭載方法が異なる半導体素子を１枚ずつ搭載する例を示す。すなわち、基板に搭載する２枚の半導体素子のうち、第１の半導体素子１０ａは、基板に半導体素子をフリップチップ接続によりはんだ接合した後、アンダーフィルして搭載する方法を適用可能な半導体素子（アンダーフィル樹脂を硬化させなくても接合部の強度を十分確保できるもの）であり、第２の半導体素子１０ｂは、はんだ接合と同時にアンダーフィル樹脂を硬化させて搭載する方法を適用する半導体素子（アンダーフィル樹脂を硬化させてアンダーフィル樹脂による補強が必要なもの）であるとする。
図１は、これら第１の半導体素子１０ａと第２の半導体素子１０ｂを搭載する搭載領域Ａ、Ｂが形成された基板１６を示す。搭載領域Ａは第１の半導体素子１０ａを搭載する領域、搭載領域Ｂは第２の半導体素子１０ｂを搭載する領域である。

基板１６には、第１、第２の半導体素子１０ａ、１０ｂに形成されているパッド１２（スタッドバンプ１４）の配置位置に合わせて接続電極１８が形成されており、接続電極１８の表面にはんだ２０が被覆されている。第１、第２の半導体素子１０ａ、１０ｂに形成されているスタッドバンプ１４および基板１６に形成されている接続電極１８、はんだ２０の構成については、図６、７に示す従来のフリップチップ接続によって半導体素子１０を搭載する場合と同様である。

図１は、基板１６の第１の半導体素子１０ａと第２の半導体素子１０ｂを搭載する領域に第１、第２の半導体素子１０ａ、１０ｂと基板１６との間を充填するに十分な量のアンダーフィル樹脂２２を滴下した状態を示す。アンダーフィル樹脂２２はエポキシ樹脂にシリカが添加された熱硬化性樹脂である。
本実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子をはんだ接合した後にアンダーフィルする方法を適用可能な第１の半導体素子１０ａを搭載する領域にも、あらかじめ基板１６にアンダーフィル樹脂２２を塗布する。すなわち、まず基板１６上で、第１、第２の半導体素子１０ａ、１０ｂを搭載するすべての搭載位置に所要量のアンダーフィル樹脂２２を塗布する。

次に、アンダーフィル樹脂２２を塗布した基板１６を、フリップチップボンダーの基板ステージ２４の上にセットし、まず第１の半導体素子１０ａを基板１６の搭載位置に位置合わせしてはんだ接合する（図２）。
２６は第１の半導体素子１０ａを吸着して支持する吸着ツールである。この吸着ツール２６は、接続電極１８の表面を被覆しているはんだ２０を溶融して第１の半導体素子１０ａをはんだ接合するため、はんだ２０の溶融温度よりも高温に加熱されている。前述したように、はんだ２０としてＳｎ−Ａｇはんだを使用する場合は、はんだの融点が２２１℃であるから、吸着ツール２６は２５０℃〜３５０℃程度に加熱しておく。基板ステージ２４は、若干加熱しておいてもよいが、アンダーフィル樹脂２２が硬化がはじまらない温度程度（５０℃〜１５０℃程度）とする。

図３は、吸着ツール２６により第１の半導体素子１０ａを支持して基板１６に加圧するともに、はんだ２０を溶融して第１の半導体素子１０ａに設けられているスタッドバンプ１４を接続電極１８にはんだ接合している状態を示す。第１の半導体素子１０ａのボンディング条件は、バンプ一つ当たりの加圧力０．５〜５ｇ、ボンディング時間１〜２秒である。
吸着ツール２６により第１の半導体素子１０ａを１〜２秒加圧してはんだ２０を溶融した後、吸着ツール２６をはんだの溶融温度以下（実施形態では２２０℃以下）に冷却して、はんだ２０を凝固させる。

第１の半導体素子１０ａを基板１６にはんだ接合する操作は、はんだ２０を溶融してスタッドバンプ１４を接続電極１８に接合する操作であって、第１の半導体素子１０ａを加圧している時間は１〜２秒程度でよい。アンダーフィル樹脂２２ａは、図３に示すように、第１の半導体素子１０ａと基板１６との間を充填し、スタッドバンプ１４と接続電極１８との接合部を封止する。この場合、アンダーフィル樹脂２２ａは若干加熱されて粘度が上昇する程度であって硬化しない。

第１の半導体素子１０ａは電極間隔が広く、基板１６の接続電極１８の面積を大きくとることができ、接合部のはんだ量が十分に多く、アンダーフィル樹脂２２ａが硬化しないでも、はんだ接合のみで十分な機械的強度を確保して基板１６に搭載される。
図３では、基板１６上に第１の半導体素子１０ａを１枚はんだ接合した状態を示すが、基板１６に第１の半導体素子１０ａと同一または同種の半導体素子を他にも搭載する場合には、これらの半導体素子を上述した方法と同じ方法によって基板１６に搭載する。

第１の半導体素子１０ａを基板１６にフリップチップ接続した後、第２の半導体素子１０ｂを基板１６に搭載する。
図４は、第２の半導体素子１０ｂを基板１６に搭載している状態を示す。吸着ツール２６により第２の半導体素子１０ｂを吸着して支持し、基板１６上の搭載位置に第２の半導体素子１０ｂを位置合わせし、吸着ツール２６により第２の半導体素子１０ｂを基板１６に向けて加圧してボンディングする。

吸着ツール２６は、はんだ２０を溶融するため、はんだ２０が溶融する温度以上（２５０℃〜３５０℃程度）に加熱されている。
吸着ツール２６を用いてこの第２の半導体素子１０ｂをボンディングする際には、はんだ接合と同時にアンダーフィル樹脂２２ｂを硬化させる。したがって、吸着ツール２６によるボンディング条件を、はんだ２０を溶融してスタッドバンプ１４を接続電極１８にはんだ接合し、アンダーフィル樹脂２２ｂを熱硬化させることができる条件に設定する必要がある。
本実施形態では、第２の半導体素子１０ｂのボンディング条件として、バンプ一つ当たりの加圧力を０．５〜５ｇ、加圧保持時間を６〜１０秒とした。これによって、吸着ツール２６により第２の半導体素子１０ｂを加圧している間にアンダーフィル樹脂２２を硬化させることができる。

基板１６に第２の半導体素子１０ｂと同一または同種の半導体素子を他にも搭載する場合には、上述したようにスタッドバンプ１４を接続電極１８にはんだ接合するとともに、アンダーフィル樹脂２２ｂを熱硬化させるようにして搭載する。
なお、基板ステージ２４を若干加熱しておくことにより、第２の半導体素子１０ｂのアンダーフィル樹脂２２ｂを熱硬化させやすくすることができる。

第２の半導体素子１０ｂを基板１６に搭載した後、第１の半導体素子１０ａと第２の半導体素子１０ｂが搭載された基板を加熱炉に移し、第１の半導体素子１０ａのアンダーフィル樹脂２２ａを熱硬化させる。第２の半導体素子１０ｂのアンダーフィル樹脂２２ｂはすでに硬化しているから、加熱炉で硬化させるのは第１の半導体素子１０ａのアンダーフィル樹脂２２ａのみである。加熱炉では１５０℃、１時間程度保持することによって第１の半導体素子１０ａのアンダーフィル樹脂２２ａを硬化させることができる。

図５は、アンダーフィル樹脂２２ａを熱硬化させて最終的に得られた半導体装置を示す。基板１６上に第１の半導体素子１０ａと第２の半導体素子１０ｂがフリップチップ接続によって搭載されている。
なお、本実施形態においては基板１６に、まず第１の半導体素子１０ａを搭載し、次に第２の半導体素子１０ｂを搭載したが、半導体素子を搭載する順序はこの順に限るものではない。また、基板１６に第１、第２の半導体素子１０ａ、１０ｂを複数個ずつ搭載する場合も、その搭載順は任意に設定でき、第１と第２の半導体素子１０ａ、１０ｂの搭載順が混在する形式で搭載することも可能である。

本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、同一の基板上にフリップチップ接続での搭載形態が異なる半導体素子が混在している場合でも、製造ラインとしては共通のフリップチップボンダーを使用して半導体素子を搭載することができ、これによって製造ラインを複雑化せずに構成することが可能になる。また、はんだ接合部が十分な機械的強度を有している半導体素子については、はんだ接合時間のみで搭載し、後工程で一括してアンダーフィル樹脂を硬化させることで効率的な搭載が可能となっており、はんだ接合部が十分な機械的強度を有していない半導体素子についてはフリップチップ接続の際に、同時にアンダーフィル樹脂を硬化させることによって、はんだ接合部を確実に保護して搭載することができ、はんだ接合部にクラックが生じたりすることを防止して、信頼性の高いフリップチップ接続による半導体素子の搭載が可能になる。

本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、フリップチップ接続による搭載方法が異なる半導体素子を混在させて同一の基板に搭載する場合に、搭載方法に応じて個別にフリップチップボンダーを用意する場合にくらべて製造ラインの構成を簡易とし、半導体素子に応じたもっとも効率的なボンディングを可能とし、全体としての生産効率を向上させることが可能になる。
また、半導体素子に応じて半導体素子と基板との接合部の機械的強度が十分確保される条件でボンディングするから、半導体素子と基板との間で生じる熱応力や製造工程中における取り扱い時の機械的衝撃等によって半導体素子と基板との接合部が破断するといった問題を防止し、歩留まりを上げることができ、信頼性の高い半導体装置として提供することが可能になる。

基板にアンダーフィル樹脂を塗布した状態を示す説明図である。基板に第１の半導体素子を搭載する状態を示す説明図である。第１の半導体素子を搭載した状態を示す説明図である。基板に第２の半導体素子を搭載する状態を示す説明図である。基板に複数の半導体素子を搭載した状態を示す説明図である。フリップチップ接続で使用する半導体素子および基板の構成を示す説明図である。基板に半導体素子をフリップチップ接続する方法を示す説明図である。

符号の説明

１０半導体素子
１０ａ第１の半導体素子
１０ｂ第２の半導体素子
１２パッド
１４スタッドバンプ
１６基板
１８接続電極
２０支持してはんだ
２２アンダーフィル樹脂
２４基板ステージ
２６吸着ツール

Claims

第１の半導体素子と第２の半導体素子とが、基板にはんだ接合によりフリップチップ接続され、基板と第１の半導体素子および第２の半導体素子との間にアンダーフィル樹脂が充填された半導体装置の製造方法において、
前記基板の、前記第１と第２のすべての半導体素子が搭載される搭載位置に、アンダーフィル樹脂を塗布し、
前記第１の半導体素子については、前記基板に塗布されたアンダーフィル樹脂を硬化させることなく、基板にはんだ接合して搭載し、
前記第２の半導体素子については、基板にはんだ接合するとともに、前記アンダーフィル樹脂を硬化させて基板に搭載し、
前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子を基板に搭載した後、前記第１および第２の半導体素子が搭載された基板全体を加熱して、前記第１の半導体素子のアンダーフィル樹脂を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第１の半導体素子は、はんだ接合のみで所要の接合強度を有するものであり、
前記第２の半導体素子は、はんだ接合とアンダーフィル樹脂により所要の接合強度を有するものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子は、電極にスタッドバンプが形成されたものであり、
前記基板は、前記スタッドバンプの配置に合わせて接続電極が配置され、接続電極の表面にはんだが被覆されたものであり、
前記はんだを溶融して、前記スタッドバンプと接続電極とをはんだにより接合することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
前記第１の半導体素子および第２の半導体素子を、フリップチップボンダーの吸着ツールに支持し、
該吸着ツールを前記はんだの融点以上に加熱するとともに、
前記第１の半導体素子を、前記吸着ツールにより基板に加圧して、前記アンダーフィル樹脂を硬化させることなく基板にはんだ接合し、
前記吸着ツールにより、前記第２の半導体素子を基板に加圧および加熱して、基板にはんだ接合するとともに、前記アンダーフィル樹脂を硬化させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。