JP2005086603A - 電子部品モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 アンテナ一体型の電子部品モジュールにおいて、小型化および広帯域化を図る。
【解決手段】 第1の伝送線路11aが形成された第1の誘電体基板11、および当該第1の誘電体基板11に実装されて第1の伝送線路11aと接続された高周波デバイス13を備えたデバイス側モジュールAと第1の誘電体基板11に対して積層方向に配置されるとともに第1の伝送線路11aと電気的に接続された第2の伝送線路12aが形成された第2の誘電体基板12、および当該第2の誘電体基板12に設けられて第2の伝送線路12aおよび第1の伝送線路11aを介して高周波デバイス13との間で信号の送信または受信を行うアンテナ素子14を備えたアンテナ側モジュールBとを有する電子部品モジュールとする。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1の伝送線路11aが形成された第1の誘電体基板11、および当該第1の誘電体基板11に実装されて第1の伝送線路11aと接続された高周波デバイス13を備えたデバイス側モジュールAと第1の誘電体基板11に対して積層方向に配置されるとともに第1の伝送線路11aと電気的に接続された第2の伝送線路12aが形成された第2の誘電体基板12、および当該第2の誘電体基板12に設けられて第2の伝送線路12aおよび第1の伝送線路11aを介して高周波デバイス13との間で信号の送信または受信を行うアンテナ素子14を備えたアンテナ側モジュールBとを有する電子部品モジュールとする。
【選択図】 図1
Description
本発明は電子部品モジュールおよびその製造方法に関し、特に電子部品モジュールの広帯域化に適用して有効な技術に関するものである。
近年の電子機器の小型化、高機能化の流れの中で、高周波デバイスなどの電子部品を搭載したモジュールとアンテナ素子とが一体形成された電子部品モジュールの要求がある。このアンテナ一体型の電子部品モジュールでは、その特性を向上させるために、アンテナ素子が設けられる基板は誘電率の低い材料で形成されることが望ましい。
ここで、従来においては、たとえば特開平9−237867号公報に記載されているように、電磁結合を利用することによりスロットを介してアンテナへ給電するアンテナ一体型の電子部品モジュールが提案されている。
特開平9−237867号公報
しかしながら、スロットは使用周波数λの1/2(λ/2)で構成されるために、当該スロットやモジュールの物理的な寸法が必然的に使用周波数に支配されることになる。そのため、電子部品モジュールの小型化に対する自由度が制限されてしまう。
また、λ/2のスロットを用いているため、信号の通過可能な周波数帯域がスロットの寸法に制限され、電子部品モジュールの広帯域化への妨げになる。
そこで、本発明は、小型化および広帯域化が可能なアンテナ一体型の電子部品モジュールを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る電子部品モジュールは、第1の伝送線路が形成された第1の誘電体基板、および当該第1の誘電体基板に実装されて前記第1の伝送線路と接続された高周波デバイスを備えたデバイス側モジュールと、前記第1の誘電体基板に対して積層方向に配置されるとともに前記第1の伝送線路と電気的に接続された第2の伝送線路が形成された第2の誘電体基板、および当該第2の誘電体基板に設けられて前記第2の伝送線路および前記第1の伝送線路を介して前記高周波デバイスとの間で信号の送信または受信を行うアンテナ素子を備えたアンテナ側モジュールとを有することを特徴とする。
本発明の好ましい形態において、前記第1の誘電体基板が挿入される貫通孔が形成されるとともに低周波機能部品が実装され、前記第2の誘電体基板に固定されるとともに前記第1の誘電体基板と電気的に接続された第3の誘電体基板を備えていることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記第1の誘電体基板はセラミック製であることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記第1の誘電体基板はLTCCであることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記第2の誘電体基板は樹脂製であることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記第1の誘電体基板にはキャビティが形成され、前記高周波デバイスは当該キャビティ内に実装されていることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記第1の誘電体基板には、前記高周波デバイスを包囲してこれを電磁遮蔽するシールド手段が設けられていることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記シールド手段は、複数の前記高周波デバイスを個別に電磁遮蔽していることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記シールド手段は、前記第1の誘電体基板に形成されたシールド層および前記高周波デバイスを封止する蓋部材であることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板とは互いに積層されていることを特徴とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、高周波デバイスを第1の伝送線路と接続して第1の誘電体基板に実装してデバイス側モジュールを形成し、アンテナ素子を第2の伝送線路と接続して第2の誘電体基板に設けてアンテナ側モジュールを形成し、前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板とを積層方向に接合して前記第1の伝送線路と前記第2の伝送線路とを電気的に接続することを特徴とする。
本発明の好ましい形態において、前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板との接合においては、前記第1の誘電体基板における前記第2の誘電体基板との接合面に露出した前記第1の伝送線路と前記第2の誘電体基板における前記第1の誘電体基板との接合面に露出した前記第2の伝送線路の少なくとも何れか一方に導電性の接着用部材を塗布し、前記第1の伝送線路12aと前記第2の伝送線路とを位置合わせして前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板とを重なり合わせ、前記導電性の接着用部材を固化させて前記第1の伝送線路と前記第2の伝送線路とを導通固着することを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記導電性の接着部材ははんだであることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記導電性の接着部材は導電性金属配合樹脂ペーストであることを特徴とする。この導電性金属配合樹脂材は、一般的に熱により硬化する。
本発明によれば以下の効果を奏することができる。
すなわち、本発明によれば、高周波デバイスの実装された第1の誘電体基板に形成された第1の伝送線路とアンテナ素子が設けられた第2の誘電体基板に形成された第2の伝送線路とを直接電気的に接続しているので、モジュールの物理的な寸法が使用周波数に支配されたり、信号の通過可能な周波数帯域がスロットの寸法に制限されることがなくなり、アンテナ一体型の電子部品モジュールにおける小型化および広帯域化を図ることが可能になる。
第1の誘電体基板が挿入される貫通孔が形成されて低周波機能部品が実装された第3の誘電体基板を備えれば、第1の誘電体基板は第3の誘電体基板に形成された貫通孔により第2の誘電体基板に位置決めすることができる。
また、第1の誘電体基板をLTCCなどのセラミック製にすれば、熱圧着により高周波デバイスを第1の誘電体基板に実装することが可能になる。
また、第2の誘電体基板を樹脂製にすれば、アンテナ効率を向上させることが可能になる。
さらに、高周波デバイスを第1の誘電体基板に形成されたキャビティ内に実装すれば、電子部品モジュールの低背化と低損失化を図ることが可能になる。
第1の誘電体基板に、高周波デバイスを包囲してこれを電磁遮蔽するシールド手段を設ければ、外部電子機器からの電磁的な影響が排除され、動作の安定化を図ることが可能になる。
シールド手段が複数の前記高周波デバイスを個別に電磁遮蔽するようにすれば、デバイス相互間のアイソレーション特性が向上して一層安定した動作特性が得られる。
デバイス側モジュールとアンテナ側モジュールとを別々に形成して相互に接合する電子部品モジュールの製造方法によれば、第1の誘電体基板をセラミック製、第2の誘電体基板を樹脂製とした場合のように両者を同時焼成できない組み合わせでアンテナ一体型の電子部品モジュールを構成することができる。
第1の誘電体基板に形成された第1の伝送線路の露出部分と第2の誘電体基板に形成された第2の伝送線路の露出部分とをはんだなどの導電性の接着用部材で固着するようにすれば、例えば伝送路の露出部に塗布可能なはんだペーストを用いた場合、溶融したはんだ部材は第1の伝送線路および第2の伝送線路にのみ広がることにより第1の誘電体基板と第2の誘電体基板とが正確に位置決めされるので、微細な位置合わせが必要になる第1の伝送線路と第2の伝送線路との接合を正確に行うことが可能になる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。
図1は本発明の一形態である電子部品モジュールを示す断面図、図2は図1の電子部品モジュールを構成要素に分解して示す断面図、図3は本発明の他の形態である電子部品モジュールを示す断面図、図4は本発明のさらに他の形態である電子部品モジュールを示す断面図、図5は本発明のさらに他の形態である電子部品モジュールを示す分解斜視図である。
図1に示すように、本実施の形態の電子部品モジュール10には、たとえばLTCC(Low Temperature Co−fired Ceramic:低温焼成セラミックス)などセラミック製の誘電体からなる積層構造の第1の誘電体基板11、およびたとえばフッ素樹脂、BTレジン、PPE(O)樹脂、グラフト重合樹脂など樹脂製の誘電体からなり第1の誘電体基板11に対して積層方向に配置された第2の誘電体基板12を備えている。そして、第1の誘電体基板11がデバイス側モジュールAを、第2の誘電体基板12がアンテナ側モジュールBを構成している。
第1の誘電体基板11には第1の伝送線路11aが積層形成され、第2の誘電体基板12には第2の伝送線路12aが形成されている。第1の伝送線路11aおよび第2の伝送線路12aは導波路と導通体(スルーホール)からなり、例えばAu、Ag、Cu、Wなどで形成されている。図示するように、第1の伝送線路11aと第2の伝送線路12aとは相互に電気的に接続されている。また、第1の誘電体基板11には高周波デバイス13が実装されて第1の伝送線路と接続されており、第2の誘電体基板12にはたとえばパッチアンテナなどのアンテナ素子14が設けられて第2の伝送線路12aとは相互と接続されている。したがって、アンテナ素子14は互いに直接接続された第2の伝送線路12aおよび第1の伝送線路11aを介して高周波デバイス13との間で信号の送信または受信を行う。
高周波デバイス13は、たとえば準ミリ波帯である例えば25GHzの周波数帯域やマイクロ波帯である例えば5GHzの周波数帯域で使用される電子部品であり、ハンダやろう材による表面実装、またはAu、Au−Sn合金などによるフリップチップ実装などにより第1の誘電体基板11に搭載されている。高周波デバイス13には、たとえば電力増幅器、ミキサ、逓倍器、周波数変換器、高周波発振器、低雑音電力増幅器などがある。但し、ここに列挙した電子部品に限定されるものではない。また、アンテナ素子14はアレイ状に複数形成され、良好な指向性が得られるよう配慮されている。
なお、第1の誘電体基板11に形成されたグランド層11dおよびこのグランド層11dと繋がって積層方向に延びる導通層11bが後述するシールド層として兼用されている。
第1の誘電体基板11および第2の誘電体基板12はセラミック製や樹脂製に限定されるものではなく、他の誘電体を用いることができる。但し、第1の誘電体基板11をセラミック製にすれば、Au接続のように400℃程度の熱圧着により高周波デバイス13を実装することができる。また、第1の誘電体基板11は積層構造ではなくてもよいが、本形態のような積層構造にすれば、フィルタ機能部品などを基板内に作り込むことが容易にできる。また、第2の誘電体基板12を誘電率の低い樹脂製にすれば、アンテナ効率を向上させることができる。なお、第1の誘電体基板11の比誘電率は6〜45程度、第2の誘電体基板12の比誘電率は2〜5程度が望ましい。
また、アンテナ素子14としてはアレイ化しない単一のアンテナであってもよく、1つのアンテナで複数の周波数の電波を送受信できるマルチバンドアンテナを用いてもよい。さらに、アンテナ素子14は本形態に示すパッチアンテナに限定されるものではなく、例えば逆Fアンテナやスロットアンテナなど他の形態のアンテナを用いることもできる。
第1の誘電体基板11には、高周波デバイス13を包囲してこれを電磁遮蔽するシールド手段が設けられている。すなわち、このシールド手段は、前述したシールド層(第1の誘電体基板11に形成された導通体11bおよびグランド層11d)と、高周波デバイス13を封止する蓋部材15からなる。蓋部材15には、たとえば樹脂などに金属メッキが施されてシールド機能が付与されており、前述したシールド層と相俟って高周波デバイス13が電磁遮蔽される。なお、蓋部材15そのものを金属製としてシールド機能を付与するようにしてもよい。また、図示する場合には、蓋部材15には区画壁15aが形成され、第1の誘電体基板11に形成された導通体11bと相俟って高周波デバイス13が個別に電磁遮蔽されて相互間の電磁的な干渉までもが排除され、アイソレーション特性の向上による安定した動作特性を得ている。但し、区画壁15aを形成することなく、外部との間での電磁遮蔽のみを行うようにしてもよい。
以上説明したように、本形態の電子部品モジュール10によれば、高周波デバイス13の実装された第1の誘電体基板11に形成された第1の伝送線路11aとアンテナ素子14が設けられた第2の誘電体基板12に形成された第2の伝送線路12aとを直接電気的に接続していることから、両者をスロットを介して電磁的に接続した場合のようにモジュールの物理的な寸法が使用周波数に支配されたり、信号の通過可能な周波数帯域がスロットの寸法に制限されることがなくなるので、アンテナ一体型の電子部品モジュールにおける小型化および広帯域化を図ることが可能になる。
また、シールド手段により高周波デバイス13を電磁遮蔽しているので、外部電子機器からの電磁的な影響が排除され、動作の安定化を図ることができる。さらに、高周波デバイス13が個別に電磁遮蔽されているので、電子部品モジュール内部の不要な電磁的結合が遮断されてデバイス相互間のアイソレーション特性が向上し、一層安定した動作特性が得られる。
次に、以上の構成を有する電子部品モジュールの製造方法について説明する。
先ず、第1の誘電体基板11の実装面に、高周波デバイス13を第1の伝送線路11aと接続して実装し、デバイス側モジュールAを形成する。また、第2の誘電体基板12に、第2の伝送線路12aと接続したアンテナ素子14を設けてアンテナ側モジュールを形成する(図2参照)。次に、第1の誘電体基板11と第2の誘電体基板12とを積層方向に接合して第1の伝送線路11aと第2の伝送線路12aとを電気的に接続する。
これにより、高周波デバイス13とアンテナ素子14とが相互に直接接続された第1の伝送線路11aと第2の伝送線路12aとを介して接続されるので、前述のように、アンテナ一体型の電子部品モジュールにおける小型化および広帯域化を図ることが可能になる。
そして、前述のように第1の誘電体基板11をセラミック製、第2の誘電体基板12を樹脂製とした本形態の電子部品モジュールのように両者を同時焼成できない組み合わせでアンテナ一体型の電子部品モジュールを構成することができる。
ここで、第1の誘電体基板11と第2の誘電体基板12との接合においては、先ず、第1の誘電体基板11における第2の誘電体基板12との接合面に露出した第1の伝送線路11aと第2の誘電体基板12における第1の誘電体基板11との接合面に露出した第2の伝送線路12aの何れか一方あるいは両方導電性の接着用部材であるはんだ層を設ける。このはんだはペースト状、シート状、ボール状、BGA(Ball Grid Array)のものであってもよい。
なお、導電性の接着用部材にははんだ以外を用いてもよい。一例を挙げれば、一般的に熱、光、電子線あるいは湿気により硬化する、例えばペースト状やシート状の導電性金属配合樹脂材を用いることができる。
はんだを塗布したならば、第1の伝送線路11aと第2の伝送線路12aとを位置合わせして第1の誘電体基板11と第2の誘電体基板12とを重なり合わせて加熱する。これにより、はんだが溶融されて第1の伝送線路11aと第2の伝送線路12aとが接合する。
このとき、溶融したはんだは、接触角が小さい第1の伝送線路11aの露出部分および第2の伝送線路12aの露出部分には広がるが、接触角が大きいこれら以外の領域には広がらない。したがって、第1の伝送線路11aと第2の伝送線路12aとがそれぞれ正確に相対するように第1の誘電体基板11と第2の誘電体基板12とがはんだの表面張力により位置決めされる。
最後に、このように位置決めされた後に常温下におくことではんだが固化し、第1の誘電体基板11と第2の誘電体基板12とは相互に正確に位置決め固定される。これにより、両者を正確な位置に固定することができ、微細な位置合わせが必要になる第1の伝送線路11aと第2の伝送線路12aとの接合を正確に行うことができる。
なお、第1の誘電体基板11と第2の誘電体基板12の接合がなされたならば、第1の誘電体基板11に蓋部材15を取り付けて高周波デバイス13を電磁遮蔽し(図2)、電子部品モジュール10が完成する。
さて、本発明は以上に説明した形態に限定されるものではなく、たとえば蓋部材15については、図3に示すように、板状の蓋15bと側壁を構成するスペーサ15cとで構成してもよい。
また、図4に示すように、第1の誘電体基板11にキャビティ11bを形成し、高周波デバイス13をこのキャビティ11b内に実装するようにしてもよい。このようにすれば、電子部品モジュール10の低背化と低損失化を図ることができる。
さらに、図5に示すように、高周波デバイス13の実装された第1の誘電体基板11がはまり込むような貫通孔16aを設けるとともに低周波機能部品17が実装された第3の誘電体基板16を用い、第3の誘電体基板16と第2の誘電体基板12とをネジ止めなどで固定することで第1の誘電体基板11と第2の誘電体基板12との位置合わせを行うとともに、例えばワイヤーボンディングや金リボン、あるいはコネクタを介してケーブル等で第1の誘電体基板11と第3の誘電体基板16を電気的に接続することで、電子部品モジュールを構成してもよい。
低周波機能部品は、例えば制御回路、演算回路、信号処理回路などがある。但し、低周波機能部品としては、ここに列挙した電子部品に限定されるものではない。
なお、第3の誘電体基板16を、一般的な樹脂基板であるガラスエポキシ樹脂基板等で構成すると、安価な電子部品モジュールを構成することができる。
10 電子部品モジュール
11 誘電体基板
11a 伝送線路
11b 導通体
11c キャビティ
11d グランド層
12 誘電体基板
12a 伝送線路
13 高周波デバイス
14 アンテナ素子
15 蓋部材
15a 区画壁
15b 蓋
15c スペーサ
16 第3の誘電体基板
16a 貫通孔
17 低周波機能部品
A デバイス側モジュール
B アンテナ側モジュール
11 誘電体基板
11a 伝送線路
11b 導通体
11c キャビティ
11d グランド層
12 誘電体基板
12a 伝送線路
13 高周波デバイス
14 アンテナ素子
15 蓋部材
15a 区画壁
15b 蓋
15c スペーサ
16 第3の誘電体基板
16a 貫通孔
17 低周波機能部品
A デバイス側モジュール
B アンテナ側モジュール
Claims (14)
- 第1の伝送線路が形成された第1の誘電体基板、および当該第1の誘電体基板に実装されて前記第1の伝送線路と接続された高周波デバイスを備えたデバイス側モジュールと、
前記第1の誘電体基板に対して積層方向に配置されるとともに前記第1の伝送線路と電気的に接続された第2の伝送線路が形成された第2の誘電体基板、および当該第2の誘電体基板に設けられて前記第2の伝送線路および前記第1の伝送線路を介して前記高周波デバイスとの間で信号の送信または受信を行うアンテナ素子を備えたアンテナ側モジュールと、
を有することを特徴とする電子部品モジュール。 - 前記第1の誘電体基板が挿入される貫通孔が形成されるとともに低周波機能部品が実装され、前記第2の誘電体基板に固定されるとともに前記第1の誘電体基板と電気的に接続された第3の誘電体基板を備えていることを特徴とする請求項1記載の電子部品モジュール。
- 前記第1の誘電体基板はセラミック製であることを特徴とする請求項1または2記載の電子部品モジュール。
- 前記第1の誘電体基板はLTCCであることを特徴とする請求項3記載の電子部品モジュール。
- 前記第2の誘電体基板は樹脂製であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の電子部品モジュール。
- 前記第1の誘電体基板にはキャビティが形成され、前記高周波デバイスは当該キャビティ内に実装されていることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の電子部品モジュール。
- 前記第1の誘電体基板には、前記高周波デバイスを包囲してこれを電磁遮蔽するシールド手段が設けられていることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の電子部品モジュール。
- 前記シールド手段は、複数の前記高周波デバイスを個別に電磁遮蔽していることを特徴とする請求項7記載の電子部品モジュール。
- 前記シールド手段は、前記第1の誘電体基板に形成されたシールド層および前記高周波デバイスを封止する蓋部材であることを特徴とする請求項8記載の電子部品モジュール。
- 前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板とは互いに積層されていることを特徴とする請求項1〜9の何れか一項に記載の電子部品モジュール。
- 高周波デバイスを第1の伝送線路と接続して第1の誘電体基板に実装してデバイス側モジュールを形成し、
アンテナ素子を第2の伝送線路と接続して第2の誘電体基板に設けてアンテナ側モジュールを形成し、
前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板とを積層方向に接合して前記第1の伝送線路と前記第2の伝送線路とを電気的に接続することを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。 - 前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板との接合においては、
前記第1の誘電体基板における前記第2の誘電体基板との接合面に露出した前記第1の伝送線路と前記第2の誘電体基板における前記第1の誘電体基板との接合面に露出した前記第2の伝送線路の少なくとも何れか一方に導電性の接着用部材を塗布し、
前記第1の伝送線路12aと前記第2の伝送線路とを位置合わせして前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板とを重なり合わせ、
前記導電性の接着用部材を固化させて前記第1の伝送線路と前記第2の伝送線路とを導通固着することを特徴とする請求項11記載の電子部品モジュールの製造方法。 - 前記導電性の接着用部材はんだであることを特徴とする請求項12記載の電子部品モジュールの製造方法。
- 前記導電性の接着用部材は導電性金属配合樹脂材であることを特徴とする請求項12記載の電子部品モジュールの製造方法。
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DE602004003191T DE602004003191T2 (de) | 2003-09-10 | 2004-09-03 | Mehrschichtige Hochfrequenzvorrichtung mit Planarantenne und Herstellungsverfahren |
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Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007060190A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Japan Radio Co Ltd | アンテナ製造方法 |
WO2007049376A1 (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 高周波モジュール |
JP2007158555A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 無線装置 |
WO2007125948A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Panasonic Corporation | アンテナ内蔵電子回路モジュールとその製造方法 |
JP2007299338A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カード型情報装置 |
JP2011216957A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高周波回路基板 |
JP2018093491A (ja) * | 2016-12-03 | 2018-06-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 集積アンテナ・アレーを有するワイヤレス通信パッケージ |
WO2019058646A1 (ja) * | 2017-09-22 | 2019-03-28 | 株式会社フジクラ | 無線通信モジュール |
JP2019057852A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | Tdk株式会社 | 複合電子部品 |
JP2019087987A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | アンテナモジュール |
JP2019102885A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | Tdk株式会社 | パッチアンテナ |
KR20190116886A (ko) * | 2018-04-05 | 2019-10-15 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 |
KR20190116887A (ko) * | 2018-04-05 | 2019-10-15 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법 |
WO2020080575A1 (ko) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 주식회사 아모텍 | 캐비티 구조의 안테나 패키지 |
KR20200110289A (ko) * | 2018-04-05 | 2020-09-23 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 |
WO2020195260A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 株式会社村田製作所 | フィルタ、アンテナモジュールおよび通信装置 |
WO2021106377A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 京セラ株式会社 | アンテナモジュール |
US11936123B2 (en) | 2019-05-31 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sub-array antenna, array antenna, antenna module, and communication device |
JP7514872B2 (ja) | 2021-04-29 | 2024-07-11 | エルジー ユープラス コーポレーション | 広帯域アンテナモジュール及びこれを備える移動端末 |
JP7516139B2 (ja) | 2020-07-13 | 2024-07-16 | 古河電気工業株式会社 | アンテナモジュール |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3973402B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2007-09-12 | 株式会社日立製作所 | 高周波回路モジュール |
WO2005099331A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | モジュール部品およびその製造方法 |
KR100631212B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2006-10-04 | 삼성전자주식회사 | 모놀리식 듀플렉서 및 그 제조방법 |
JP4749795B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2011-08-17 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2007306172A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Tdk Corp | バンドパスフィルタ素子および高周波モジュール |
JP5123493B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2013-01-23 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及び半導体装置 |
JP2009545904A (ja) * | 2006-08-04 | 2009-12-24 | エイアールエム リミテッド | バス相互接続デバイスおよび前記バス相互接続デバイスを含むデータ処理装置 |
US7477197B2 (en) * | 2006-12-29 | 2009-01-13 | Intel Corporation | Package level integration of antenna and RF front-end module |
JP2008205067A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Sharp Corp | 高周波信号処理モジュール及び電子機器 |
US8077095B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-12-13 | Intel Corporation | Multi-band highly isolated planar antennas integrated with front-end modules for mobile applications |
US7573359B2 (en) * | 2007-03-29 | 2009-08-11 | Intel Corporation | Reducing crosstalk in electronic devices having microstrip lines covered by a flexible insulating material and a metallic backing plate |
JP4996345B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | アンテナ装置及び情報端末装置 |
US7852270B2 (en) * | 2007-09-07 | 2010-12-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wireless communication device |
US7855685B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-12-21 | Delphi Technologies, Inc. | Microwave communication package |
EP2068393A1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-06-10 | Panasonic Corporation | Laminated RF device with vertical resonators |
US9007265B2 (en) * | 2009-01-02 | 2015-04-14 | Polytechnic Institute Of New York University | Using dielectric substrates, embedded with vertical wire structures, with slotline and microstrip elements to eliminate parallel-plate or surface-wave radiation in printed-circuits, chip packages and antennas |
US8633858B2 (en) * | 2010-01-29 | 2014-01-21 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing high frequency receiving and/or transmitting devices from low temperature co-fired ceramic materials and devices made therefrom |
US20120170230A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Research In Motion Limited | Combining printed circuit boards |
DE102011005145A1 (de) | 2011-03-04 | 2012-09-06 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Leiterplattenanordnung für Millimeterwellen-Scanner |
US20130095747A1 (en) | 2011-10-17 | 2013-04-18 | Mehran Moshfeghi | Method and system for a repeater network that utilizes distributed transceivers with array processing |
US9166284B2 (en) * | 2012-12-20 | 2015-10-20 | Intel Corporation | Package structures including discrete antennas assembled on a device |
US9172131B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-10-27 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor structure having aperture antenna |
JP5756500B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2015-07-29 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
US20160197400A1 (en) * | 2015-01-07 | 2016-07-07 | Delphi Technologies, Inc. | Circuit board assembly with high and low frequency substrates |
WO2016120254A1 (en) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Component carrier with integrated antenna structure |
CN108292651B (zh) * | 2015-12-22 | 2022-08-23 | 英特尔公司 | 利用集成在管芯间结构上的化合物半导体器件设计的微电子器件 |
JP2017183653A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | スナップトラック・インコーポレーテッド | 高周波用多層配線基板とその製造方法 |
CN107369673B (zh) * | 2016-05-13 | 2019-11-05 | 华为技术有限公司 | 设置有天线的集成电路封装装置及其制造方法 |
US10854995B2 (en) | 2016-09-02 | 2020-12-01 | Movandi Corporation | Wireless transceiver having receive antennas and transmit antennas with orthogonal polarizations in a phased array antenna panel |
FR3055742B1 (fr) * | 2016-09-06 | 2019-12-20 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Guide d'ondes millimetriques |
JP6483927B2 (ja) * | 2016-10-21 | 2019-03-13 | 京セラ株式会社 | タグ用基板、rfidタグおよびrfidシステム |
US10199717B2 (en) | 2016-11-18 | 2019-02-05 | Movandi Corporation | Phased array antenna panel having reduced passive loss of received signals |
US10396432B2 (en) * | 2017-01-23 | 2019-08-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Antenna-integrated radio frequency module |
WO2018186065A1 (ja) * | 2017-04-03 | 2018-10-11 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
TWI678772B (zh) * | 2017-04-28 | 2019-12-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件及其製法 |
TWI663701B (zh) * | 2017-04-28 | 2019-06-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件及其製法 |
EP3621153B1 (en) * | 2017-05-02 | 2022-11-09 | Amotech Co., Ltd. | Antenna module |
US10916861B2 (en) | 2017-05-30 | 2021-02-09 | Movandi Corporation | Three-dimensional antenna array module |
US10321332B2 (en) | 2017-05-30 | 2019-06-11 | Movandi Corporation | Non-line-of-sight (NLOS) coverage for millimeter wave communication |
WO2018221273A1 (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-06 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
US10484078B2 (en) | 2017-07-11 | 2019-11-19 | Movandi Corporation | Reconfigurable and modular active repeater device |
US10658762B2 (en) | 2017-07-14 | 2020-05-19 | Apple Inc. | Multi-band millimeter wave antenna arrays |
US10971825B2 (en) * | 2017-07-28 | 2021-04-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Antenna module and method of manufacturing the same |
US11095037B2 (en) * | 2017-08-11 | 2021-08-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Antenna module |
KR102410799B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2022-06-21 | 삼성전자주식회사 | 밀리미터 웨이브 신호를 송/수신하기 위한 통신 장치 및 그 통신 장치를 포함하는 전자 장치 |
US10348371B2 (en) | 2017-12-07 | 2019-07-09 | Movandi Corporation | Optimized multi-beam antenna array network with an extended radio frequency range |
US10862559B2 (en) | 2017-12-08 | 2020-12-08 | Movandi Corporation | Signal cancellation in radio frequency (RF) device network |
US10090887B1 (en) | 2017-12-08 | 2018-10-02 | Movandi Corporation | Controlled power transmission in radio frequency (RF) device network |
KR102022353B1 (ko) * | 2018-01-18 | 2019-09-18 | 삼성전기주식회사 | 안테나 모듈 |
US11088457B2 (en) | 2018-02-26 | 2021-08-10 | Silicon Valley Bank | Waveguide antenna element based beam forming phased array antenna system for millimeter wave communication |
US10637159B2 (en) | 2018-02-26 | 2020-04-28 | Movandi Corporation | Waveguide antenna element-based beam forming phased array antenna system for millimeter wave communication |
KR102003840B1 (ko) | 2018-03-12 | 2019-07-25 | 삼성전자주식회사 | 안테나 모듈 |
CN110828962B (zh) | 2018-08-09 | 2021-08-03 | 财团法人工业技术研究院 | 天线阵列模块及其制造方法 |
JP7091961B2 (ja) * | 2018-09-13 | 2022-06-28 | Tdk株式会社 | オンチップアンテナ |
US11205855B2 (en) | 2018-12-26 | 2021-12-21 | Silicon Valley Bank | Lens-enhanced communication device |
US11145986B2 (en) | 2018-12-26 | 2021-10-12 | Silicon Valley Bank | Lens-enhanced communication device |
US11043740B2 (en) * | 2019-05-14 | 2021-06-22 | Qualcomm Incorporated | Enhanced antenna module with shield layer |
US20210045227A1 (en) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Component Carrier, Method of Manufacturing the Same and Method of Shielding a Structural Feature in a Component Carrier |
KR102257930B1 (ko) * | 2019-08-13 | 2021-05-28 | 삼성전기주식회사 | 칩 안테나 |
KR20210072938A (ko) * | 2019-12-10 | 2021-06-18 | 삼성전기주식회사 | 안테나 기판 및 이를 포함하는 안테나 모듈 |
US11557544B2 (en) * | 2020-08-27 | 2023-01-17 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor device having a translation feature and method therefor |
US11901270B2 (en) * | 2020-09-02 | 2024-02-13 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63316905A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | アンテナ一体化マイクロ波集積回路 |
JPH05183328A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Hitachi Ltd | 一体型マイクロ波回路 |
JPH07170115A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Fujitsu Ten Ltd | トリプレートアンテナ付き高周波回路 |
JPH0964636A (ja) * | 1995-08-21 | 1997-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平面アンテナ |
JPH10303640A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アンテナ装置 |
JP2000216630A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Alps Electric Co Ltd | アンテナ付き送受信器 |
JP2001028413A (ja) * | 1996-02-29 | 2001-01-30 | Kyocera Corp | 高周波用パッケージ |
JP2002164733A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Sony Corp | 平面アンテナ装置 |
JP2003133801A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Hitachi Ltd | 高周波回路モジュール |
JP2003204211A (ja) * | 2002-09-30 | 2003-07-18 | Nec Corp | マイクロ波・ミリ波回路装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0812887B2 (ja) | 1985-04-13 | 1996-02-07 | 富士通株式会社 | 高速集積回路パツケ−ジ |
JP2606044B2 (ja) * | 1991-04-24 | 1997-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体フィルタ |
US5768109A (en) * | 1991-06-26 | 1998-06-16 | Hughes Electronics | Multi-layer circuit board and semiconductor flip chip connection |
FR2710195B1 (fr) | 1993-09-14 | 1995-10-13 | Thomson Csf | Assemblage antenne-circuit électronique. |
JP3266491B2 (ja) | 1996-02-29 | 2002-03-18 | 京セラ株式会社 | 高周波用パッケージ |
JPH1027987A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Hitachi Ltd | 低emi回路基板及び低emiケーブルコネクタ |
JPH10224120A (ja) * | 1997-02-06 | 1998-08-21 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体線路 |
US6515562B1 (en) * | 1998-04-23 | 2003-02-04 | Kyocera Corporation | Connection structure for overlapping dielectric waveguide lines |
US6215377B1 (en) | 1998-05-26 | 2001-04-10 | Microsubstrates Corporation | Low cost wideband RF port structure for microwave circuit packages using coplanar waveguide and BGA I/O format |
JP3129288B2 (ja) * | 1998-05-28 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | マイクロ波集積回路マルチチップモジュール、マイクロ波集積回路マルチチップモジュールの実装構造 |
JP3331967B2 (ja) | 1998-06-02 | 2002-10-07 | 松下電器産業株式会社 | ミリ波モジュール |
JP3687443B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2005-08-24 | 株式会社村田製作所 | 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板 |
US6456172B1 (en) * | 1999-10-21 | 2002-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayered ceramic RF device |
KR100463092B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2004-12-23 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 세라믹 적층 소자 |
JP3941416B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2007-07-04 | ソニー株式会社 | 高周波モジュール装置及びその製造方法 |
US6784759B2 (en) * | 2001-07-27 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna duplexer and communication apparatus |
JP2004327641A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Tdk Corp | 電子部品モジュール |
JP3734807B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2006-01-11 | Tdk株式会社 | 電子部品モジュール |
JP2004342948A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Tdk Corp | 電子部品モジュール |
-
2003
- 2003-09-10 JP JP2003317757A patent/JP2005086603A/ja active Pending
-
2004
- 2004-08-30 US US10/928,244 patent/US7236070B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-03 EP EP04021051A patent/EP1515389B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-03 DE DE602004003191T patent/DE602004003191T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-10 CN CNA2004100770934A patent/CN1595649A/zh active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63316905A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | アンテナ一体化マイクロ波集積回路 |
JPH05183328A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Hitachi Ltd | 一体型マイクロ波回路 |
JPH07170115A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Fujitsu Ten Ltd | トリプレートアンテナ付き高周波回路 |
JPH0964636A (ja) * | 1995-08-21 | 1997-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平面アンテナ |
JP2001028413A (ja) * | 1996-02-29 | 2001-01-30 | Kyocera Corp | 高周波用パッケージ |
JPH10303640A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アンテナ装置 |
JP2000216630A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Alps Electric Co Ltd | アンテナ付き送受信器 |
JP2002164733A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Sony Corp | 平面アンテナ装置 |
JP2003133801A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Hitachi Ltd | 高周波回路モジュール |
JP2003204211A (ja) * | 2002-09-30 | 2003-07-18 | Nec Corp | マイクロ波・ミリ波回路装置 |
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007060190A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Japan Radio Co Ltd | アンテナ製造方法 |
JP4721270B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2011-07-13 | 日本無線株式会社 | アンテナ製造方法 |
WO2007049376A1 (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 高周波モジュール |
JP4725582B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-07-13 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
JP2007158555A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 無線装置 |
JP4620576B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2011-01-26 | パナソニック株式会社 | 無線装置 |
WO2007125948A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Panasonic Corporation | アンテナ内蔵電子回路モジュールとその製造方法 |
JPWO2007125948A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2009-09-10 | パナソニック株式会社 | アンテナ内蔵電子回路モジュールとその製造方法 |
JP2007299338A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カード型情報装置 |
JP4730196B2 (ja) * | 2006-05-08 | 2011-07-20 | パナソニック株式会社 | カード型情報装置 |
JP2011216957A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高周波回路基板 |
US9082785B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-07-14 | Furukawa Electric Co., Ltd. | High-frequency circuit board |
JP2018093491A (ja) * | 2016-12-03 | 2018-06-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 集積アンテナ・アレーを有するワイヤレス通信パッケージ |
US11658390B2 (en) | 2016-12-03 | 2023-05-23 | International Business Machines Corporation | Wireless communications package with integrated antenna array |
WO2019058646A1 (ja) * | 2017-09-22 | 2019-03-28 | 株式会社フジクラ | 無線通信モジュール |
JP2019057896A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社フジクラ | 無線通信モジュール |
JP2019057852A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | Tdk株式会社 | 複合電子部品 |
US11211696B2 (en) | 2017-09-22 | 2021-12-28 | Fujikura Ltd. | Wireless communication module |
JP2019087987A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | アンテナモジュール |
JP7184232B2 (ja) | 2017-11-08 | 2022-12-06 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | アンテナモジュール |
JP2019102885A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | Tdk株式会社 | パッチアンテナ |
JP7023683B2 (ja) | 2017-11-29 | 2022-02-22 | Tdk株式会社 | パッチアンテナ |
US11347273B2 (en) | 2018-04-05 | 2022-05-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic device module, method of manufacturing the same and electronic apparatus |
KR102520212B1 (ko) | 2018-04-05 | 2023-04-10 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법 |
KR20190116886A (ko) * | 2018-04-05 | 2019-10-15 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 |
KR102518174B1 (ko) | 2018-04-05 | 2023-04-05 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 |
KR20190116887A (ko) * | 2018-04-05 | 2019-10-15 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법 |
KR102470354B1 (ko) * | 2018-04-05 | 2022-11-25 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 |
KR20200110289A (ko) * | 2018-04-05 | 2020-09-23 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 |
WO2020080575A1 (ko) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 주식회사 아모텍 | 캐비티 구조의 안테나 패키지 |
US11329396B2 (en) | 2018-10-18 | 2022-05-10 | Amotech Co., Ltd. | Antenna package having cavity structure |
JPWO2020195260A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2021-11-25 | 株式会社村田製作所 | フィルタ、アンテナモジュールおよび通信装置 |
JP7021718B2 (ja) | 2019-03-25 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | フィルタ、アンテナモジュールおよび通信装置 |
WO2020195260A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 株式会社村田製作所 | フィルタ、アンテナモジュールおよび通信装置 |
US11936123B2 (en) | 2019-05-31 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sub-array antenna, array antenna, antenna module, and communication device |
WO2021106377A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 京セラ株式会社 | アンテナモジュール |
JPWO2021106377A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | ||
JP7295971B2 (ja) | 2019-11-26 | 2023-06-21 | 京セラ株式会社 | アンテナモジュール |
US20230006361A1 (en) * | 2019-11-26 | 2023-01-05 | Kyocera Corporation | Antenna module |
US12040549B2 (en) * | 2019-11-26 | 2024-07-16 | Kyocera Corporation | Antenna module |
JP7516139B2 (ja) | 2020-07-13 | 2024-07-16 | 古河電気工業株式会社 | アンテナモジュール |
JP7514872B2 (ja) | 2021-04-29 | 2024-07-11 | エルジー ユープラス コーポレーション | 広帯域アンテナモジュール及びこれを備える移動端末 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7236070B2 (en) | 2007-06-26 |
US20050088260A1 (en) | 2005-04-28 |
DE602004003191T2 (de) | 2007-02-22 |
DE602004003191D1 (de) | 2006-12-28 |
CN1595649A (zh) | 2005-03-16 |
EP1515389A1 (en) | 2005-03-16 |
EP1515389B1 (en) | 2006-11-15 |
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---|---|---|
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