JP2003077121A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い保磁力が得られ、低い媒体ノイズを有す
る磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性基体１の上に、六方細密充填構造
または六方細密充填構造と体心立方構造とを合わせもつ
構造を有する非磁性下地層２と、六方細密充填構造また
は六方細密充填構造と体心立方構造とを合わせもつ構造
を有する非磁性中間層３と、強磁性結晶粒の周囲を酸化
物または窒化物で囲んだグラニュラー構造を有する磁性
層４とを順次積層した。
る磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性基体１の上に、六方細密充填構造
または六方細密充填構造と体心立方構造とを合わせもつ
構造を有する非磁性下地層２と、六方細密充填構造また
は六方細密充填構造と体心立方構造とを合わせもつ構造
を有する非磁性中間層３と、強磁性結晶粒の周囲を酸化
物または窒化物で囲んだグラニュラー構造を有する磁性
層４とを順次積層した。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体およ
びその製造方法に関し、より詳細には、ハードディスク
ドライブなどで用いられる磁気記録媒体およびその製造
方法に関する。
びその製造方法に関し、より詳細には、ハードディスク
ドライブなどで用いられる磁気記録媒体およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスクドライブなどで用
いられる磁気記録媒体の記録密度に対する要求が、増加
の一途をたどっている。高記録密度化への厳しい要求を
達成するためには、磁性薄膜の高保持力化と、低ノイズ
化が極めて重要となっている。従来、様々な磁性層の組
成と構造、および非磁性下地層の材料などが提案されて
いる。
いられる磁気記録媒体の記録密度に対する要求が、増加
の一途をたどっている。高記録密度化への厳しい要求を
達成するためには、磁性薄膜の高保持力化と、低ノイズ
化が極めて重要となっている。従来、様々な磁性層の組
成と構造、および非磁性下地層の材料などが提案されて
いる。
【０００３】特に、グラニュラー磁性層と呼ばれる、磁
性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物などの非磁性非金属物
質で囲んだ構造を有する磁性層が知られている。グラニ
ュラー磁性膜は、非磁性非金属物質の粒界相が磁性粒子
を物理的に分離するため、磁性粒子間の磁気的な相互作
用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁
壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られると考
えられている。
性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物などの非磁性非金属物
質で囲んだ構造を有する磁性層が知られている。グラニ
ュラー磁性膜は、非磁性非金属物質の粒界相が磁性粒子
を物理的に分離するため、磁性粒子間の磁気的な相互作
用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁
壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られると考
えられている。
【０００４】従来用いられてきたＣｏＣｒ系金属磁性膜
では、高温で成膜することにより、ＣｒがＣｏ系磁性粒
から偏析することで粒界に析出し、磁性粒子間の磁気的
相互作用を低減している。グラニュラー磁性膜の場合
は、この粒界相として非磁性非金属物質を用いるため、
Ｃｒと比較して偏析しやすく、比較的容易に磁性粒の孤
立化が促進できるという利点がある。特に、ＣｏＣｒ系
金属磁性膜の場合は、成膜時の基板温度を２００℃以上
に上昇させることが、Ｃｒの十分な偏析に必要不可欠で
あるの対し、グラニュラー磁性膜の場合は、加熱なしの
成膜においても、非磁性非金属物質の偏析が生じるとい
う利点がある。
では、高温で成膜することにより、ＣｒがＣｏ系磁性粒
から偏析することで粒界に析出し、磁性粒子間の磁気的
相互作用を低減している。グラニュラー磁性膜の場合
は、この粒界相として非磁性非金属物質を用いるため、
Ｃｒと比較して偏析しやすく、比較的容易に磁性粒の孤
立化が促進できるという利点がある。特に、ＣｏＣｒ系
金属磁性膜の場合は、成膜時の基板温度を２００℃以上
に上昇させることが、Ｃｒの十分な偏析に必要不可欠で
あるの対し、グラニュラー磁性膜の場合は、加熱なしの
成膜においても、非磁性非金属物質の偏析が生じるとい
う利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、グラニ
ュラー磁性層を有する磁気記録媒体は、所望の磁気特
性、特に保磁力Ｈｃを実現するために、比較的多量のＰ
ｔをＣｏ合金に添加する必要が生じる。具体的には、３
２００Ｏｅ程度の保磁力Ｈｃを実現しようとした場合、
１６ａｔ％もの高価なＰｔを必要とするという問題があ
った。ＣｏＣｒ系金属磁性膜により同程度の保持力Ｈｃ
を実現するためには、１２ａｔ％程度のＰｔの添加に留
まる。
ュラー磁性層を有する磁気記録媒体は、所望の磁気特
性、特に保磁力Ｈｃを実現するために、比較的多量のＰ
ｔをＣｏ合金に添加する必要が生じる。具体的には、３
２００Ｏｅ程度の保磁力Ｈｃを実現しようとした場合、
１６ａｔ％もの高価なＰｔを必要とするという問題があ
った。ＣｏＣｒ系金属磁性膜により同程度の保持力Ｈｃ
を実現するためには、１２ａｔ％程度のＰｔの添加に留
まる。
【０００６】近年の高記録密度化の要求は、３２００Ｏ
ｅ以上の高い保磁力Ｈｃが要求されていることから、高
価なＰｔをさらに添加しなければならない。このこと
は、製造コストの増加に伴い、低価格化に逆行するとい
う問題もあった。
ｅ以上の高い保磁力Ｈｃが要求されていることから、高
価なＰｔをさらに添加しなければならない。このこと
は、製造コストの増加に伴い、低価格化に逆行するとい
う問題もあった。
【０００７】さらに、媒体のノイズの低減化も要求され
ており、グラニュラー磁性膜の制御も必要となってい
る。
ており、グラニュラー磁性膜の制御も必要となってい
る。
【０００８】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、高い保磁力が得ら
れ、低い媒体ノイズを有する磁気記録媒体およびその製
造方法を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、高い保磁力が得ら
れ、低い媒体ノイズを有する磁気記録媒体およびその製
造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性
基体の上に、六方細密充填構造または六方細密充填構造
と体心立方構造とを合わせもつ構造を有する非磁性下地
層と、六方細密充填構造または六方細密充填構造と体心
立方構造とを合わせもつ構造を有する非磁性中間層と、
強磁性結晶粒の周囲を酸化物または窒化物で囲んだグラ
ニュラー構造を有する磁性層とを順次積層したことを特
徴とする。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性
基体の上に、六方細密充填構造または六方細密充填構造
と体心立方構造とを合わせもつ構造を有する非磁性下地
層と、六方細密充填構造または六方細密充填構造と体心
立方構造とを合わせもつ構造を有する非磁性中間層と、
強磁性結晶粒の周囲を酸化物または窒化物で囲んだグラ
ニュラー構造を有する磁性層とを順次積層したことを特
徴とする。
【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の前記酸化物は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆの少なくとも１つの酸
化物であることを特徴とする。
の前記酸化物は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆの少なくとも１つの酸
化物であることを特徴とする。
【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の前記窒化物は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆの少なくとも１つの窒
化物であることを特徴とする。
の前記窒化物は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆの少なくとも１つの窒
化物であることを特徴とする。
【００１２】請求項４に記載の発明は、請求項１、２ま
たは３に記載の前記非磁性中間層の六方細密充填構造
は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅの少なくとも１つを用いる
ことを特徴とする。
たは３に記載の前記非磁性中間層の六方細密充填構造
は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅの少なくとも１つを用いる
ことを特徴とする。
【００１３】請求項５に記載の発明は、請求項１、２ま
たは３に記載の前記非磁性中間層の六方細密充填構造と
体心立方構造とを合わせもつ構造は、１０ａｔ％以上５
０ａｔ％以下のＴｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕを含むＲｕ、
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅの少なくとも１つの合金を用いること
を特徴とする。
たは３に記載の前記非磁性中間層の六方細密充填構造と
体心立方構造とを合わせもつ構造は、１０ａｔ％以上５
０ａｔ％以下のＴｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕを含むＲｕ、
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅの少なくとも１つの合金を用いること
を特徴とする。
【００１４】請求項６に記載の発明は、請求項１ないし
５のいずれかに記載の前記非磁性下地層の六方細密充填
構造は、Ｗ、Ｍｏ、Ｖの少なくとも１つを用いることを
特徴とする。
５のいずれかに記載の前記非磁性下地層の六方細密充填
構造は、Ｗ、Ｍｏ、Ｖの少なくとも１つを用いることを
特徴とする。
【００１５】請求項７に記載の発明は、請求項１ないし
５のいずれかに記載の前記非磁性下地層の六方細密充填
構造と体心立方構造とを合わせもつ構造は、１０ａｔ％
以上５０ａｔ％以下のＴｉを含むＷ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｖの
少なくとも１つの合金を用いることを特徴とする。
５のいずれかに記載の前記非磁性下地層の六方細密充填
構造と体心立方構造とを合わせもつ構造は、１０ａｔ％
以上５０ａｔ％以下のＴｉを含むＷ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｖの
少なくとも１つの合金を用いることを特徴とする。
【００１６】請求項８に記載の発明は、請求項１ないし
７のいずれかに記載の前記非磁性基体は、結晶化ガラ
ス、化学強化ガラスまたは樹脂を用いることを特徴とす
る。
７のいずれかに記載の前記非磁性基体は、結晶化ガラ
ス、化学強化ガラスまたは樹脂を用いることを特徴とす
る。
【００１７】請求項９に記載の発明は、非磁性基体の上
に、六方細密充填構造または六方細密充填構造と体心立
方構造とを合わせもつ構造を有する非磁性下地層と、六
方細密充填構造または六方細密充填構造と体心立方構造
とを合わせもつ構造を有する非磁性中間層と、強磁性結
晶粒の周囲を酸化物または窒化物で囲んだグラニュラー
構造を有する磁性層とを順次積層した磁気記録媒体の製
造方法であって、前記非磁性中間層および／または前記
磁性層をスパッタ法により成膜する際に、スパッタ装置
のターゲットと基板との距離を、７０ｍｍ以上１００ｍ
ｍ以下とすることを特徴とする。
に、六方細密充填構造または六方細密充填構造と体心立
方構造とを合わせもつ構造を有する非磁性下地層と、六
方細密充填構造または六方細密充填構造と体心立方構造
とを合わせもつ構造を有する非磁性中間層と、強磁性結
晶粒の周囲を酸化物または窒化物で囲んだグラニュラー
構造を有する磁性層とを順次積層した磁気記録媒体の製
造方法であって、前記非磁性中間層および／または前記
磁性層をスパッタ法により成膜する際に、スパッタ装置
のターゲットと基板との距離を、７０ｍｍ以上１００ｍ
ｍ以下とすることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について詳細に説明する。高い保磁力を有
し、低ノイズ化および低コスト化を実現するグラニュラ
ー磁性膜は、スパッタ装置のターゲットと基板との距離
（以下、Ｔ／Ｓ間距離という）を調整することにより、
作製することができる。例えば、非磁性中間層または磁
性層を成膜する際に、Ｔ／Ｓ間距離を４０ｍｍ以上遠ざ
けることにより、成膜速度が低下する。このとき、形成
される膜自体の成長速度が低下し、均一に成長した膜を
得ることができる。このようにして、特に、グラニュラ
ー磁性膜の初期成長状態の改質がなされ、均一に成長し
た強磁性結晶粒内に留まるＰｔが増加し、容易に高い保
磁力を得ることができる。
の実施形態について詳細に説明する。高い保磁力を有
し、低ノイズ化および低コスト化を実現するグラニュラ
ー磁性膜は、スパッタ装置のターゲットと基板との距離
（以下、Ｔ／Ｓ間距離という）を調整することにより、
作製することができる。例えば、非磁性中間層または磁
性層を成膜する際に、Ｔ／Ｓ間距離を４０ｍｍ以上遠ざ
けることにより、成膜速度が低下する。このとき、形成
される膜自体の成長速度が低下し、均一に成長した膜を
得ることができる。このようにして、特に、グラニュラ
ー磁性膜の初期成長状態の改質がなされ、均一に成長し
た強磁性結晶粒内に留まるＰｔが増加し、容易に高い保
磁力を得ることができる。
【００１９】図１は、本発明の一実施形態にかかる磁気
記録媒体を示した断面図である。磁気記録媒体は、非磁
性基体１の上に、非磁性下地層２と、非磁性中間層３
と、磁性層４と、保護層５と、液体潤滑材層６とを順次
積層して形成する。非磁性基体１は、通常の磁気記録媒
体に用いられる、ＮｉＰメッキを付したＡｌ合金、化学
強化ガラス、結晶化ガラスを用いることができるほか、
基板を加熱しないことから、ポリカーボネート、ポリオ
レフィン、その他の樹脂を射出成形して作製した基板を
用いることができる。
記録媒体を示した断面図である。磁気記録媒体は、非磁
性基体１の上に、非磁性下地層２と、非磁性中間層３
と、磁性層４と、保護層５と、液体潤滑材層６とを順次
積層して形成する。非磁性基体１は、通常の磁気記録媒
体に用いられる、ＮｉＰメッキを付したＡｌ合金、化学
強化ガラス、結晶化ガラスを用いることができるほか、
基板を加熱しないことから、ポリカーボネート、ポリオ
レフィン、その他の樹脂を射出成形して作製した基板を
用いることができる。
【００２０】非磁性下地層２は、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、または
１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下のＴｉを含むＷ、Ｍｏ、
Ｃｒ、Ｖ合金を用いることが望ましい。また、非磁性下
地層２の膜厚は、特に制限されないが、５〜１００ｎｍ
程度が好ましい。
１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下のＴｉを含むＷ、Ｍｏ、
Ｃｒ、Ｖ合金を用いることが望ましい。また、非磁性下
地層２の膜厚は、特に制限されないが、５〜１００ｎｍ
程度が好ましい。
【００２１】非磁性中間層３は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒ
ｅ、または１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下のＴｉ、Ｃ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕを含むＲｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅ合金を用
いることが望ましい。また、非磁性中間層３の膜厚は、
特に制限されないが、２〜５０ｎｍ程度が好ましい。
ｅ、または１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下のＴｉ、Ｃ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕを含むＲｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅ合金を用
いることが望ましい。また、非磁性中間層３の膜厚は、
特に制限されないが、２〜５０ｎｍ程度が好ましい。
【００２２】磁性層４は、強磁性を有する結晶粒とそれ
を取り巻く非磁性粒界とからなり、かつ、その非磁性粒
界が、金属の酸化物または窒化物からなるグラニュラー
磁性層である。このような構造は、例えば、非磁性粒界
を構成する酸化物を含有する強磁性金属をターゲットと
して、スパッタリングにより成膜する方法、または、強
磁性金属をターゲットとして酸素を含有するＡｒガス中
で反応性スパッタリングにより成膜する方法などにより
作製することができる。
を取り巻く非磁性粒界とからなり、かつ、その非磁性粒
界が、金属の酸化物または窒化物からなるグラニュラー
磁性層である。このような構造は、例えば、非磁性粒界
を構成する酸化物を含有する強磁性金属をターゲットと
して、スパッタリングにより成膜する方法、または、強
磁性金属をターゲットとして酸素を含有するＡｒガス中
で反応性スパッタリングにより成膜する方法などにより
作製することができる。
【００２３】強磁性を有する結晶を構成する材料は、特
に制限されないが、ＣｏＰｔ系合金が好ましい。特に、
ＣｏＰｔ合金にＣｒ、Ｎｉ、Ｔａなどを添加すること
が、記録媒体のノイズを低減するためには望ましい。非
磁性粒界を構成する材料は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆなどの元素の
酸化物を用いることが、安定なグラニュラー構造を形成
するためには特に望ましい。磁性層４の膜厚は、記録再
生時に十分なヘッド再生出力を得るために、必要十分な
膜厚が要求される。
に制限されないが、ＣｏＰｔ系合金が好ましい。特に、
ＣｏＰｔ合金にＣｒ、Ｎｉ、Ｔａなどを添加すること
が、記録媒体のノイズを低減するためには望ましい。非
磁性粒界を構成する材料は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆなどの元素の
酸化物を用いることが、安定なグラニュラー構造を形成
するためには特に望ましい。磁性層４の膜厚は、記録再
生時に十分なヘッド再生出力を得るために、必要十分な
膜厚が要求される。
【００２４】保護層５は、例えば、カーボンを主体とす
る薄膜が用いられる。液体潤滑材層６は、例えば、パー
フルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができ
る。
る薄膜が用いられる。液体潤滑材層６は、例えば、パー
フルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができ
る。
【００２５】次に、本発明の一実施形態にかかる磁気記
録媒体の製造方法について説明する。非磁性中間層３と
磁性層４とを成膜する際に、Ｔ／Ｓ間距離を７０ｍｍ以
上１００ｍｍ以下とすることが好適である。
録媒体の製造方法について説明する。非磁性中間層３と
磁性層４とを成膜する際に、Ｔ／Ｓ間距離を７０ｍｍ以
上１００ｍｍ以下とすることが好適である。
【００２６】本実施形態によれば、図１に示した磁気記
録媒体の製造にあたっては、従来の磁気記録媒体の製造
方法に含まれる基板加熱工程を省略しても、高い保磁力
と低い媒体ノイズを有する磁気記録媒体を製造すること
ができ、製造工程の簡略化に伴う製造コストの低減もは
かることができる。
録媒体の製造にあたっては、従来の磁気記録媒体の製造
方法に含まれる基板加熱工程を省略しても、高い保磁力
と低い媒体ノイズを有する磁気記録媒体を製造すること
ができ、製造工程の簡略化に伴う製造コストの低減もは
かることができる。
【００２７】（実施例１）非磁性基体１として表面が平
滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１
０ガラス基板）を、精密洗浄してスパッタ装置に導入す
る。Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４
０ｍｍとして、膜厚３０ｎｍのＷからなる非磁性下地層
２を形成した。次に、Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、
Ｔ／Ｓ間距離を４０〜１２０ｍｍまで変化させて、膜厚
３０ｎｍのＲｕからなる非磁性中間層３を形成した。次
に、Ａｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４
０ｍｍとし、ＳｉＯ２を７ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ１
０Ｐｔ１４ターゲットを用いたＲＦスパッタ法により、
膜厚１５ｎｍの磁性層４を形成した。最後に、カーボン
の保護層５を１０ｎｍ積層し、真空中から取り出した
後、液体潤滑剤１．５ｎｍを塗布して、図１に示した構
造の磁気記録媒体を作製した。なお、成膜に先立つ基板
の加熱は行っていない。
滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１
０ガラス基板）を、精密洗浄してスパッタ装置に導入す
る。Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４
０ｍｍとして、膜厚３０ｎｍのＷからなる非磁性下地層
２を形成した。次に、Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、
Ｔ／Ｓ間距離を４０〜１２０ｍｍまで変化させて、膜厚
３０ｎｍのＲｕからなる非磁性中間層３を形成した。次
に、Ａｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４
０ｍｍとし、ＳｉＯ２を７ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ１
０Ｐｔ１４ターゲットを用いたＲＦスパッタ法により、
膜厚１５ｎｍの磁性層４を形成した。最後に、カーボン
の保護層５を１０ｎｍ積層し、真空中から取り出した
後、液体潤滑剤１．５ｎｍを塗布して、図１に示した構
造の磁気記録媒体を作製した。なお、成膜に先立つ基板
の加熱は行っていない。
【００２８】図２は、非磁性中間層の成膜時におけるＴ
／Ｓ間距離と保磁力との関係を示した図である。振動試
料型磁気力計（以下、ＶＳＭという）を用いて測定した
ものである。図２に示したように、Ｔ／Ｓ間距離７０〜
１００ｍｍにて良好な保磁力Ｈｃが得られ、Ｔ／Ｓ間距
離８５ｍｍ付近で最大となることがわかる。このとき、
試料は、残留磁束密度・膜厚積Ｂｒδ＝５０Ｇμｍに固
定した。
／Ｓ間距離と保磁力との関係を示した図である。振動試
料型磁気力計（以下、ＶＳＭという）を用いて測定した
ものである。図２に示したように、Ｔ／Ｓ間距離７０〜
１００ｍｍにて良好な保磁力Ｈｃが得られ、Ｔ／Ｓ間距
離８５ｍｍ付近で最大となることがわかる。このとき、
試料は、残留磁束密度・膜厚積Ｂｒδ＝５０Ｇμｍに固
定した。
【００２９】図３は、非磁性中間層の成膜時におけるＴ
／Ｓ間距離と信号雑音比との関係を示した図である。Ｇ
ＭＲ（Giant MagnetoResistance）ヘッドを用いてスピ
ンスタンドテスターを用いて測定したものであり、試料
として同等の再生出力が得られるものとした。図３に示
したように、Ｔ／Ｓ間距離７０〜１００ｍｍにて良好な
信号雑音比ＳＮＲが得られ、Ｔ／Ｓ間距離８５ｍｍ付近
で最大となることがわかる。
／Ｓ間距離と信号雑音比との関係を示した図である。Ｇ
ＭＲ（Giant MagnetoResistance）ヘッドを用いてスピ
ンスタンドテスターを用いて測定したものであり、試料
として同等の再生出力が得られるものとした。図３に示
したように、Ｔ／Ｓ間距離７０〜１００ｍｍにて良好な
信号雑音比ＳＮＲが得られ、Ｔ／Ｓ間距離８５ｍｍ付近
で最大となることがわかる。
【００３０】（実施例２）非磁性基体１として表面が平
滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１
０ガラス基板）を、精密洗浄してスパッタ装置に導入す
る。Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４
０ｍｍとして、膜厚３０ｎｍのＷからなる非磁性下地層
２を形成した。次に、Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、
Ｔ／Ｓ間距離を４０ｍｍとし、膜厚３０ｎｍのＲｕから
なる非磁性中間層３を形成した。次に、Ａｒガス圧３０
ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４０〜１２０ｍｍまで
変化させて、ＳｉＯ２を７ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ１
０Ｐｔ１４ターゲットを用いたＲＦスパッタ法により、
膜厚１５ｎｍの磁性層４を形成した。最後に、カーボン
の保護層５を１０ｎｍ積層し、真空中から取り出した
後、液体潤滑剤１．５ｎｍを塗布して、図１に示した構
造の磁気記録媒体を作製した。なお、成膜に先立つ基板
の加熱は行っていない。
滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１
０ガラス基板）を、精密洗浄してスパッタ装置に導入す
る。Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４
０ｍｍとして、膜厚３０ｎｍのＷからなる非磁性下地層
２を形成した。次に、Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、
Ｔ／Ｓ間距離を４０ｍｍとし、膜厚３０ｎｍのＲｕから
なる非磁性中間層３を形成した。次に、Ａｒガス圧３０
ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４０〜１２０ｍｍまで
変化させて、ＳｉＯ２を７ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ１
０Ｐｔ１４ターゲットを用いたＲＦスパッタ法により、
膜厚１５ｎｍの磁性層４を形成した。最後に、カーボン
の保護層５を１０ｎｍ積層し、真空中から取り出した
後、液体潤滑剤１．５ｎｍを塗布して、図１に示した構
造の磁気記録媒体を作製した。なお、成膜に先立つ基板
の加熱は行っていない。
【００３１】図４は、磁性層の成膜時におけるＴ／Ｓ間
距離と保磁力との関係を示した図である。ＶＳＭを用い
て測定したものである。図４に示したように、Ｔ／Ｓ間
距離が大きくなるに従い保磁力Ｈｃは低下し、Ｔ／Ｓ間
距離１００ｍｍを越えると保磁力Ｈｃは急激に低下する
ことがわかる。このとき、試料は、残留磁束密度・膜厚
積Ｂｒδ＝５０Ｇμｍに固定した。
距離と保磁力との関係を示した図である。ＶＳＭを用い
て測定したものである。図４に示したように、Ｔ／Ｓ間
距離が大きくなるに従い保磁力Ｈｃは低下し、Ｔ／Ｓ間
距離１００ｍｍを越えると保磁力Ｈｃは急激に低下する
ことがわかる。このとき、試料は、残留磁束密度・膜厚
積Ｂｒδ＝５０Ｇμｍに固定した。
【００３２】図５は、磁性層の成膜時におけるＴ／Ｓ間
距離と信号雑音比との関係を示した図である。ＧＭＲヘ
ッドを用いてスピンスタンドテスターを用いて測定した
ものであり、試料として同等の再生出力が得られるもの
とした。図５に示したように、Ｔ／Ｓ間距離７０〜１０
０ｍｍにて良好な信号雑音比ＳＮＲが得られ、Ｔ／Ｓ間
距離８５ｍｍ付近で最大となることがわかる。
距離と信号雑音比との関係を示した図である。ＧＭＲヘ
ッドを用いてスピンスタンドテスターを用いて測定した
ものであり、試料として同等の再生出力が得られるもの
とした。図５に示したように、Ｔ／Ｓ間距離７０〜１０
０ｍｍにて良好な信号雑音比ＳＮＲが得られ、Ｔ／Ｓ間
距離８５ｍｍ付近で最大となることがわかる。
【００３３】（実施例３）非磁性基体１として表面が平
滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１
０ガラス基板）を、精密洗浄してスパッタ装置に導入す
る。Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４
０ｍｍとして、膜厚３０ｎｍのＷからなる非磁性下地層
２を形成した。次に、Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、
Ｔ／Ｓ間距離を４０〜１２０ｍｍまで変化させて、膜厚
３０ｎｍのＲｕからなる非磁性中間層３を形成した。次
に、Ａｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４
０〜１２０ｍｍまで変化させて、ＳｉＯ２を７ｍｏｌ％
添加したＣｏＣｒ１０Ｐｔ１４ターゲットを用いたＲＦ
スパッタ法により、膜厚１５ｎｍの磁性層４を形成し
た。最後に、カーボンの保護層５を１０ｎｍ積層し、真
空中から取り出した後、液体潤滑剤１．５ｎｍを塗布し
て、図１に示した構造の磁気記録媒体を作製した。な
お、成膜に先立つ基板の加熱は行っていない。
滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１
０ガラス基板）を、精密洗浄してスパッタ装置に導入す
る。Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４
０ｍｍとして、膜厚３０ｎｍのＷからなる非磁性下地層
２を形成した。次に、Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ下で、
Ｔ／Ｓ間距離を４０〜１２０ｍｍまで変化させて、膜厚
３０ｎｍのＲｕからなる非磁性中間層３を形成した。次
に、Ａｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ下で、Ｔ／Ｓ間距離を４
０〜１２０ｍｍまで変化させて、ＳｉＯ２を７ｍｏｌ％
添加したＣｏＣｒ１０Ｐｔ１４ターゲットを用いたＲＦ
スパッタ法により、膜厚１５ｎｍの磁性層４を形成し
た。最後に、カーボンの保護層５を１０ｎｍ積層し、真
空中から取り出した後、液体潤滑剤１．５ｎｍを塗布し
て、図１に示した構造の磁気記録媒体を作製した。な
お、成膜に先立つ基板の加熱は行っていない。
【００３４】図６は、非磁性中間層および層磁性層の成
膜時におけるＴ／Ｓ間距離と保磁力との関係を示した図
である。ＶＳＭを用いて測定したものである。図２に示
した実施例１の場合と比較して、保磁力Ｈｃは低いもの
の、Ｔ／Ｓ間距離７０〜１００ｍｍにて良好な保磁力Ｈ
ｃが得られ、Ｔ／Ｓ間距離８５ｍｍ付近で最大となるこ
とがわかる。このとき、試料は、残留磁束密度・膜厚積
Ｂｒδ＝５０Ｇμｍに固定した。
膜時におけるＴ／Ｓ間距離と保磁力との関係を示した図
である。ＶＳＭを用いて測定したものである。図２に示
した実施例１の場合と比較して、保磁力Ｈｃは低いもの
の、Ｔ／Ｓ間距離７０〜１００ｍｍにて良好な保磁力Ｈ
ｃが得られ、Ｔ／Ｓ間距離８５ｍｍ付近で最大となるこ
とがわかる。このとき、試料は、残留磁束密度・膜厚積
Ｂｒδ＝５０Ｇμｍに固定した。
【００３５】図７は、非磁性中間層および磁性層の成膜
時におけるＴ／Ｓ間距離と信号雑音比との関係を示した
図である。ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテスタ
ーを用いて測定したものであり、試料として同等の再生
出力が得られるものとした。図３に示した実施例１と図
５に示した実施例２と同様に、Ｔ／Ｓ間距離７０〜１０
０ｍｍにて良好な信号雑音比ＳＮＲが得られ、Ｔ／Ｓ間
距離８５ｍｍ付近で最大となることがわかる。３つの実
施例の中では、最も良好な信号雑音比ＳＮＲが得られ
る。
時におけるＴ／Ｓ間距離と信号雑音比との関係を示した
図である。ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテスタ
ーを用いて測定したものであり、試料として同等の再生
出力が得られるものとした。図３に示した実施例１と図
５に示した実施例２と同様に、Ｔ／Ｓ間距離７０〜１０
０ｍｍにて良好な信号雑音比ＳＮＲが得られ、Ｔ／Ｓ間
距離８５ｍｍ付近で最大となることがわかる。３つの実
施例の中では、最も良好な信号雑音比ＳＮＲが得られ
る。
【００３６】本実施形態によれば、実施例１の方法をと
ることにより、高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体を
得ることができ、実施例３の方法をとることにより、最
も良好な信号雑音比ＳＮＲを有する磁気記録媒体を得る
ことができる。従って、磁気記録媒体に要求される仕様
により、それぞれの方法を使い分けることにより、所望
の特性を得ることができる。
ることにより、高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体を
得ることができ、実施例３の方法をとることにより、最
も良好な信号雑音比ＳＮＲを有する磁気記録媒体を得る
ことができる。従って、磁気記録媒体に要求される仕様
により、それぞれの方法を使い分けることにより、所望
の特性を得ることができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非磁性中間層および層磁性層の成膜時におけるＴ／Ｓ間
距離を最適化することにより、高い保磁力Ｈｃを有する
磁気記録媒体が得られ、高価なＰｔの添加量を減らすこ
とが可能となる。また、低い媒体ノイズを有する磁気記
録媒体を製造することが可能となる。
非磁性中間層および層磁性層の成膜時におけるＴ／Ｓ間
距離を最適化することにより、高い保磁力Ｈｃを有する
磁気記録媒体が得られ、高価なＰｔの添加量を減らすこ
とが可能となる。また、低い媒体ノイズを有する磁気記
録媒体を製造することが可能となる。
【００３８】また、本発明によれば、成膜に先立つ基板
の加熱を行う必要がないので、製造工程の簡略化に伴う
製造コストの低減もはかることが可能となる。さらに、
基板を加熱しないことから、安価なプラスチックを基板
として用いることも可能となる。
の加熱を行う必要がないので、製造工程の簡略化に伴う
製造コストの低減もはかることが可能となる。さらに、
基板を加熱しないことから、安価なプラスチックを基板
として用いることも可能となる。
【図１】本発明の一実施形態にかかる磁気記録媒体を示
した断面図である。
した断面図である。
【図２】非磁性中間層の成膜時におけるＴ／Ｓ間距離と
保磁力との関係を示した図である。
保磁力との関係を示した図である。
【図３】非磁性中間層の成膜時におけるＴ／Ｓ間距離と
信号雑音比との関係を示した図である。
信号雑音比との関係を示した図である。
【図４】磁性層の成膜時におけるＴ／Ｓ間距離と保磁力
との関係を示した図である。
との関係を示した図である。
【図５】磁性層の成膜時におけるＴ／Ｓ間距離と信号雑
音比との関係を示した図である。
音比との関係を示した図である。
【図６】非磁性中間層および層磁性層の成膜時における
Ｔ／Ｓ間距離と保磁力との関係を示した図である。
Ｔ／Ｓ間距離と保磁力との関係を示した図である。
【図７】非磁性中間層および磁性層の成膜時におけるＴ
／Ｓ間距離と信号雑音比との関係を示した図である。
／Ｓ間距離と信号雑音比との関係を示した図である。
１ 非磁性基体
２ 非磁性下地層
３ 非磁性中間層
４ 磁性層
５ 保護層
６ 液体潤滑材層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 上住 洋之
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(72)発明者 及川 忠昭
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(72)発明者 中村 雅
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5D006 BB07 CA01 CA05 CA06 CB01
CB04 EA03
5D112 AA02 AA03 AA05 AA18 BA01
BA03 BB06 BD03 FA04
Claims (9)
- 【請求項１】 非磁性基体の上に、六方細密充填構造ま
たは六方細密充填構造と体心立方構造とを合わせもつ構
造を有する非磁性下地層と、六方細密充填構造または六
方細密充填構造と体心立方構造とを合わせもつ構造を有
する非磁性中間層と、強磁性結晶粒の周囲を酸化物また
は窒化物で囲んだグラニュラー構造を有する磁性層とを
順次積層したことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記酸化物は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆの少なく
とも１つの酸化物であることを特徴とする請求項１に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記窒化物は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆの少なく
とも１つの窒化物であることを特徴とする請求項１に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記非磁性中間層の六方細密充填構造
は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅの少なくとも１つを用いる
ことを特徴とする請求項１、２または３に記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項５】 前記非磁性中間層の六方細密充填構造と
体心立方構造とを合わせもつ構造は、１０ａｔ％以上５
０ａｔ％以下のＴｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕを含むＲｕ、
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅの少なくとも１つの合金を用いること
を特徴とする請求項１、２または３に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項６】 前記非磁性下地層の六方細密充填構造
は、Ｗ、Ｍｏ、Ｖの少なくとも１つを用いることを特徴
とする請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項７】 前記非磁性下地層の六方細密充填構造と
体心立方構造とを合わせもつ構造は、１０ａｔ％以上５
０ａｔ％以下のＴｉを含むＷ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｖの少なく
とも１つの合金を用いることを特徴とする請求項１ない
し５のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記非磁性基体は、結晶化ガラス、化学
強化ガラスまたは樹脂を用いることを特徴とする請求項
１ないし７のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 非磁性基体の上に、六方細密充填構造ま
たは六方細密充填構造と体心立方構造とを合わせもつ構
造を有する非磁性下地層と、六方細密充填構造または六
方細密充填構造と体心立方構造とを合わせもつ構造を有
する非磁性中間層と、強磁性結晶粒の周囲を酸化物また
は窒化物で囲んだグラニュラー構造を有する磁性層とを
順次積層した磁気記録媒体の製造方法であって、前記非
磁性中間層および／または前記磁性層をスパッタ法によ
り成膜する際に、スパッタ装置のターゲットと基板との
距離を、７０ｍｍ以上１００ｍｍ以下とすることを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264515A JP2003077121A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| MYPI20023163A MY129492A (en) | 2001-08-31 | 2002-08-27 | Magnetic recording medium and the method of manufacturing the same |
| SG200205228A SG108866A1 (en) | 2001-08-31 | 2002-08-28 | Magnetic recording medium and the method of manufacturing same |
| US10/231,490 US20030044649A1 (en) | 2001-08-31 | 2002-08-30 | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| US10/898,981 US20050000795A1 (en) | 2001-08-31 | 2004-07-27 | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264515A JP2003077121A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077121A true JP2003077121A (ja) | 2003-03-14 |
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ID=19091100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001264515A Pending JP2003077121A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (4)
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