JP2002190108A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非磁性基体上に、少なくとも、非磁性下地
層、六方最密充填構造を有する強磁性結晶粒とそれを取
り巻く主に酸化物からなる非磁性粒界とからなるグラニ
ュラー構造を有する磁性層、保護膜、および液体潤滑剤
層が順次積層されてなる磁気記録媒体において、磁性層
の結晶配向性を精密に制御して低ノイズ化を実現する。 【解決手段】 非磁性下地層として、体心立方格子構造
を有するとともに、その膜面に平行な優先結晶配向面が
（２００）面である材料を用いる。
層、六方最密充填構造を有する強磁性結晶粒とそれを取
り巻く主に酸化物からなる非磁性粒界とからなるグラニ
ュラー構造を有する磁性層、保護膜、および液体潤滑剤
層が順次積層されてなる磁気記録媒体において、磁性層
の結晶配向性を精密に制御して低ノイズ化を実現する。 【解決手段】 非磁性下地層として、体心立方格子構造
を有するとともに、その膜面に平行な優先結晶配向面が
（２００）面である材料を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの外
部記憶装置を初めとする各種磁気記録装置に搭載される
磁気記録媒体およびその製造方法に関するものである。
部記憶装置を初めとする各種磁気記録装置に搭載される
磁気記録媒体およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高い記録密度と低ノイズが要求される磁
気記録媒体に対し、従来からさまざまな磁性層の組成、
構造および非磁性下地層の材料等が提案されている。特
に近年、強磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物のような
非磁性非金属物質で囲んだ構造を持つ一般にグラニュラ
ー磁性層と呼ばれる磁性層が提案されている。
気記録媒体に対し、従来からさまざまな磁性層の組成、
構造および非磁性下地層の材料等が提案されている。特
に近年、強磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物のような
非磁性非金属物質で囲んだ構造を持つ一般にグラニュラ
ー磁性層と呼ばれる磁性層が提案されている。
【０００３】このようなグラニュラー磁性層を利用した
技術としては、例えば、特開平８−２５５３４２号公報
や、米国特許第５，６７９，４７３号公報に開示されて
いるものが知られている。
技術としては、例えば、特開平８−２５５３４２号公報
や、米国特許第５，６７９，４７３号公報に開示されて
いるものが知られている。
【０００４】特開平８−２５５３４２号公報には、非磁
性基板上に非磁性膜と強磁性膜と非磁性膜とも順に積層
した後、加熱処理し、非磁性膜中に強磁性体の結晶粒が
分散した記録層を形成することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法が、開示されている。この公報に開示の技
術では、非磁性基板上に、非磁性膜と強磁性膜と非磁性
膜とを順次積層した後、加熱処理を行なうことにより、
前記非磁性膜中に強磁性の結晶粒が分散したグラニュラ
ー記録層を形成し、これによって、低ノイズ化を図るこ
とが提案されている。この場合、非磁性膜としてはシリ
コン酸化物や窒化物等が用いられている。
性基板上に非磁性膜と強磁性膜と非磁性膜とも順に積層
した後、加熱処理し、非磁性膜中に強磁性体の結晶粒が
分散した記録層を形成することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法が、開示されている。この公報に開示の技
術では、非磁性基板上に、非磁性膜と強磁性膜と非磁性
膜とを順次積層した後、加熱処理を行なうことにより、
前記非磁性膜中に強磁性の結晶粒が分散したグラニュラ
ー記録層を形成し、これによって、低ノイズ化を図るこ
とが提案されている。この場合、非磁性膜としてはシリ
コン酸化物や窒化物等が用いられている。
【０００５】また、米国特許第５，６７９，４７３号公
報には、ＳｉＯ2等の酸化物が添加されたＣｏＮｉＰｔ
ターゲットを用いて、ＲＦスパッタリングを行なうこと
で、磁性結晶粒が非磁性の酸化物で囲まれて個々に分離
した構造を持つグラニュラー記録膜が形成でき、これに
よって、低ノイズ化が実現されることが記載されてい
る。
報には、ＳｉＯ2等の酸化物が添加されたＣｏＮｉＰｔ
ターゲットを用いて、ＲＦスパッタリングを行なうこと
で、磁性結晶粒が非磁性の酸化物で囲まれて個々に分離
した構造を持つグラニュラー記録膜が形成でき、これに
よって、低ノイズ化が実現されることが記載されてい
る。
【０００６】このようなグラニュラー磁性膜は、磁性粒
子を非磁性非金属の粒界相が物理的に分離するため、磁
性粒子間の磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷
移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制する。その結
果、低ノイズ特性が得られると考えられている。従来用
いられてきたＣｏＣｒ系金属磁性膜では、高温で成膜し
て、ＣｒをＣｏ系磁性粒から偏析させて粒界に析出さ
せ、それによって、磁性粒子間の磁気的相互作用を低減
させている。これに対して、グラニュラー磁性層の場合
は、この粒界相として用いているのは、非磁性非金属の
物質であり、この物質は、従来のＣｒに比べて偏析し易
いため、比較的容易に磁性粒の孤立化が促進できるとい
う利点がある。特に、従来のＣｏＣｒ系金属磁性層の場
合は、成膜時の基板温度を２００℃に上昇させることが
Ｃｒの十分な偏析に必要不可欠であったのに対し、グラ
ニュラー磁性層の場合は、加熱なしでの成膜において
も、その非磁性非金属の物質は偏析を生じるという利点
もある。
子を非磁性非金属の粒界相が物理的に分離するため、磁
性粒子間の磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷
移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制する。その結
果、低ノイズ特性が得られると考えられている。従来用
いられてきたＣｏＣｒ系金属磁性膜では、高温で成膜し
て、ＣｒをＣｏ系磁性粒から偏析させて粒界に析出さ
せ、それによって、磁性粒子間の磁気的相互作用を低減
させている。これに対して、グラニュラー磁性層の場合
は、この粒界相として用いているのは、非磁性非金属の
物質であり、この物質は、従来のＣｒに比べて偏析し易
いため、比較的容易に磁性粒の孤立化が促進できるとい
う利点がある。特に、従来のＣｏＣｒ系金属磁性層の場
合は、成膜時の基板温度を２００℃に上昇させることが
Ｃｒの十分な偏析に必要不可欠であったのに対し、グラ
ニュラー磁性層の場合は、加熱なしでの成膜において
も、その非磁性非金属の物質は偏析を生じるという利点
もある。
【０００７】さらに、磁気記録媒体の高密度化、低ノイ
ズ化には、磁性層中の偏析構造の促進に伴う粒子間の磁
気的相互作用を低減させることが必要であるばかりでな
く、ＣｏＣｒ系強磁性結晶粒の結晶配向性の制御、すな
わち六方最密充填型結晶構造を有する強磁性結晶粒のｃ
軸を膜面内に配向させることも、必要である。そのた
め、従来の金属磁性層を用いた磁気記録媒体では、非磁
性下地層の構造や結晶配向を制御することで、磁性層の
結晶配向制御がなされている。
ズ化には、磁性層中の偏析構造の促進に伴う粒子間の磁
気的相互作用を低減させることが必要であるばかりでな
く、ＣｏＣｒ系強磁性結晶粒の結晶配向性の制御、すな
わち六方最密充填型結晶構造を有する強磁性結晶粒のｃ
軸を膜面内に配向させることも、必要である。そのた
め、従来の金属磁性層を用いた磁気記録媒体では、非磁
性下地層の構造や結晶配向を制御することで、磁性層の
結晶配向制御がなされている。
【０００８】これに対し、グラニュラー磁性膜を有する
磁気記録媒体は、非磁性下地層と強磁性結晶粒との間が
粒界偏析物質である酸化物等により分離されるため、非
磁性下地層の効果は小さいと考えられてきた。一方、
『ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2におけるＣｒ−Ｍｏ下地層の効
果』 日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．４−
２，ｐｐ１０１７〜ｐｐ１０２０（１９９９）には、下
地層として（１１０）面が優先配向した特定組成のＣｒ
Ｍｏ合金を用いることで、グラニュラー磁性層中の強磁
性結晶粒の（１００）面および（１０１）面が優先配向
し、磁気特性および電磁変換特性が向上することが、示
されている。
磁気記録媒体は、非磁性下地層と強磁性結晶粒との間が
粒界偏析物質である酸化物等により分離されるため、非
磁性下地層の効果は小さいと考えられてきた。一方、
『ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2におけるＣｒ−Ｍｏ下地層の効
果』 日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．４−
２，ｐｐ１０１７〜ｐｐ１０２０（１９９９）には、下
地層として（１１０）面が優先配向した特定組成のＣｒ
Ｍｏ合金を用いることで、グラニュラー磁性層中の強磁
性結晶粒の（１００）面および（１０１）面が優先配向
し、磁気特性および電磁変換特性が向上することが、示
されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、強磁性
結晶粒の（１０１）面が優先配向した場合、c軸は膜面
に平行ではなく、ある角度を成して膜面から立ちあが
る。そのため、結晶粒の磁気異方性は、膜面に垂直な方
向の成分を有することになり、結果として、磁化の垂直
成分が生じて媒体ノイズを増加させてしまう。このよう
な強磁性結晶粒の（１０１）面の優先配向は、ＣｒＭｏ
合金下地層の（１１０）面の優先配向に起因したもので
あり、前記文献に示された磁性層の結晶配向の制御は不
充分なものであると、考えざるを得ない。すなわち、さ
らなる精密な結晶配向性の制御が低ノイズ媒体を実現す
るために必要とされているのが、現状である。
結晶粒の（１０１）面が優先配向した場合、c軸は膜面
に平行ではなく、ある角度を成して膜面から立ちあが
る。そのため、結晶粒の磁気異方性は、膜面に垂直な方
向の成分を有することになり、結果として、磁化の垂直
成分が生じて媒体ノイズを増加させてしまう。このよう
な強磁性結晶粒の（１０１）面の優先配向は、ＣｒＭｏ
合金下地層の（１１０）面の優先配向に起因したもので
あり、前記文献に示された磁性層の結晶配向の制御は不
充分なものであると、考えざるを得ない。すなわち、さ
らなる精密な結晶配向性の制御が低ノイズ媒体を実現す
るために必要とされているのが、現状である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前述した
グラニュラー磁性膜の結晶配向性の制御について鋭意検
討した結果、次の知見を得るに至った。すなわち、Ｃｏ
Ｐｔ系合金等の六方最密充填構造を有する強磁性結晶粒
からなるグラニュラー磁性膜を形成するにあたり、その
非磁性下地層として、体心立方格子型結晶構造を有する
とともに、その膜面に平行な優先結晶配向面が（２０
０）面であるような材料を用いると、優れた磁気特性と
電磁変換特性を実現できることが、明らかとなった。
グラニュラー磁性膜の結晶配向性の制御について鋭意検
討した結果、次の知見を得るに至った。すなわち、Ｃｏ
Ｐｔ系合金等の六方最密充填構造を有する強磁性結晶粒
からなるグラニュラー磁性膜を形成するにあたり、その
非磁性下地層として、体心立方格子型結晶構造を有する
とともに、その膜面に平行な優先結晶配向面が（２０
０）面であるような材料を用いると、優れた磁気特性と
電磁変換特性を実現できることが、明らかとなった。
【００１１】本発明は係る知見に基づいてなされたもの
で、本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基体上に少な
くとも非磁性下地層、磁性層、保護膜および液体潤滑剤
層が順次積層されてなる磁気記録媒体において、前記磁
性層が、六方最密充填型結晶構造を有する強磁性結晶粒
と、それを取り巻く主に酸化物からなる非磁性粒界とか
らなるグラニュラー構造を有し、前記非磁性下地層が、
体心立方格子構造を有するとともに、該非磁性下地層の
膜面に平行な優先結晶配向面が（２００）面であること
を特徴とする。
で、本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基体上に少な
くとも非磁性下地層、磁性層、保護膜および液体潤滑剤
層が順次積層されてなる磁気記録媒体において、前記磁
性層が、六方最密充填型結晶構造を有する強磁性結晶粒
と、それを取り巻く主に酸化物からなる非磁性粒界とか
らなるグラニュラー構造を有し、前記非磁性下地層が、
体心立方格子構造を有するとともに、該非磁性下地層の
膜面に平行な優先結晶配向面が（２００）面であること
を特徴とする。
【００１２】本発明では、前記下地層を用いることによ
り、その上に積層されるグラニュラー磁性層の強磁性結
晶粒がそのc軸が膜面に平行に配向し、磁化の垂直成分
が生じない。そのため、本発明の磁気記録媒体は、優れ
た諸特性を実現することができる。
り、その上に積層されるグラニュラー磁性層の強磁性結
晶粒がそのc軸が膜面に平行に配向し、磁化の垂直成分
が生じない。そのため、本発明の磁気記録媒体は、優れ
た諸特性を実現することができる。
【００１３】また、このような非磁性下地層とグラニュ
ラー磁性層との間に、結晶構造が磁性層の強磁性結晶粒
のそれと同じ六方最密充填型結晶構造の非磁性中間層、
たとえば、Ｃｒを３０％から５０％程度含むＣｏＣｒ合
金を用いた場合には、磁性層の強磁性結晶粒のc軸配向
性が向上するため、より高い効果を得ることができる。
ラー磁性層との間に、結晶構造が磁性層の強磁性結晶粒
のそれと同じ六方最密充填型結晶構造の非磁性中間層、
たとえば、Ｃｒを３０％から５０％程度含むＣｏＣｒ合
金を用いた場合には、磁性層の強磁性結晶粒のc軸配向
性が向上するため、より高い効果を得ることができる。
【００１４】さらに、非磁性下地層の結晶配向を効果的
に制御するために、単純立方格子型結晶構造を有すると
ともに、その膜面に平行な優先結晶配向面が（１００）
面であるような非磁性配向制御層を、非磁性下地層の成
膜に先立って、形成することもできる。この場合、この
非磁性配向制御層は、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖのうちの少なくと
も一つの元素の酸化物、あるいは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのうちの少なくとも一つの元素の
炭化物または窒化物から構成することが望ましい。これ
らの材料はいずれも単純立方格子型結晶構造を有してお
り、またスパッタリング法により成膜することで、容易
に（１００）面の優先結晶配向が得られる。
に制御するために、単純立方格子型結晶構造を有すると
ともに、その膜面に平行な優先結晶配向面が（１００）
面であるような非磁性配向制御層を、非磁性下地層の成
膜に先立って、形成することもできる。この場合、この
非磁性配向制御層は、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖのうちの少なくと
も一つの元素の酸化物、あるいは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのうちの少なくとも一つの元素の
炭化物または窒化物から構成することが望ましい。これ
らの材料はいずれも単純立方格子型結晶構造を有してお
り、またスパッタリング法により成膜することで、容易
に（１００）面の優先結晶配向が得られる。
【００１５】さらに、前記非磁性配向制御層の結晶配向
および結晶性を効果的に制御するためには、アモルファ
ス構造を有するシード層を、非磁性基体と非磁性配向制
御層の間に形成することも効果的である。この場合、シ
ード層は、全体がアモルファス構造であることが望まし
いが、スパッタリング法により成膜することで、不可避
的に部分的な結晶化が生じても、シード層による目的の
効果に影響はない。シード層として、例えば、１０ａｔ
％以上４０ａｔ％以下のＰを含むＮｉ層、または２５ａ
ｔ％以上５５ａｔ％以下の酸素を含むＳｉ層を形成すれ
ば、非常に効果的である。
および結晶性を効果的に制御するためには、アモルファ
ス構造を有するシード層を、非磁性基体と非磁性配向制
御層の間に形成することも効果的である。この場合、シ
ード層は、全体がアモルファス構造であることが望まし
いが、スパッタリング法により成膜することで、不可避
的に部分的な結晶化が生じても、シード層による目的の
効果に影響はない。シード層として、例えば、１０ａｔ
％以上４０ａｔ％以下のＰを含むＮｉ層、または２５ａ
ｔ％以上５５ａｔ％以下の酸素を含むＳｉ層を形成すれ
ば、非常に効果的である。
【００１６】また、本発明に示した層構成を用いること
で、容易に優れた磁気特性や電磁変換特性が得られるこ
とから、本発明の媒体を成膜するにあたって、基板加熱
を行なう必要がなくなり、製造プロセスの簡易化と低コ
スト化が図れるばかりでなく、従来のＡｌやガラス基板
以外にも、安価なプラスチックを、基板として使用する
ことも、可能となる。
で、容易に優れた磁気特性や電磁変換特性が得られるこ
とから、本発明の媒体を成膜するにあたって、基板加熱
を行なう必要がなくなり、製造プロセスの簡易化と低コ
スト化が図れるばかりでなく、従来のＡｌやガラス基板
以外にも、安価なプラスチックを、基板として使用する
ことも、可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について説明する。図１は、本発明に係る磁気記録媒体
の断面模式図である。この磁気記録媒体は、非磁性基体
１上に下地層２、グラニュラー磁性層３および保護膜４
が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液
体潤滑剤層５が形成されている。
について説明する。図１は、本発明に係る磁気記録媒体
の断面模式図である。この磁気記録媒体は、非磁性基体
１上に下地層２、グラニュラー磁性層３および保護膜４
が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液
体潤滑剤層５が形成されている。
【００１８】非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒
体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化
ガラス、結晶化ガラス等を用いることができるほか、基
体の加熱を必要としないことから、ポリカーボネート、
ポリオレフィンやその他の合成樹脂を射出成形すること
で作製した基板をも用いることができる。
体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化
ガラス、結晶化ガラス等を用いることができるほか、基
体の加熱を必要としないことから、ポリカーボネート、
ポリオレフィンやその他の合成樹脂を射出成形すること
で作製した基板をも用いることができる。
【００１９】保護膜４は、例えば、カーボンを主体とす
る薄膜が用いられる。また、液体潤滑剤層５は、例え
ば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いること
ができる。
る薄膜が用いられる。また、液体潤滑剤層５は、例え
ば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いること
ができる。
【００２０】磁性層３は、強磁性を有する結晶粒とそれ
を取り巻く非磁性粒界からなり、かつその非磁性粒界
が、金属の酸化物または窒化物からなる、いわゆるグラ
ニュラー磁性層である。このような構造は、例えば、非
磁性粒界を構成する酸化物を含有する強磁性金属をター
ゲットとして、スパッタリングにより成膜することや、
強磁性金属をターゲットとして酸素を含有するＡｒガス
中で反応性スパッタリングにより成膜することで、作製
することができる。
を取り巻く非磁性粒界からなり、かつその非磁性粒界
が、金属の酸化物または窒化物からなる、いわゆるグラ
ニュラー磁性層である。このような構造は、例えば、非
磁性粒界を構成する酸化物を含有する強磁性金属をター
ゲットとして、スパッタリングにより成膜することや、
強磁性金属をターゲットとして酸素を含有するＡｒガス
中で反応性スパッタリングにより成膜することで、作製
することができる。
【００２１】強磁性を有する結晶を構成する材料は、特
に制限されないが、ＣｏＰｔ系合金が好適に用い得る。
特に、ＣｏＰｔ合金にＣｒ、Ｎｉ、Ｔａ等を添加するこ
とが、媒体ノイズの低減のためには、望ましい。
に制限されないが、ＣｏＰｔ系合金が好適に用い得る。
特に、ＣｏＰｔ合金にＣｒ、Ｎｉ、Ｔａ等を添加するこ
とが、媒体ノイズの低減のためには、望ましい。
【００２２】一方、非磁性粒界を構成する材料として
は、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ
等の元素の酸化物を用いることが、安定なグラニュラー
構造を形成するためには特に望ましい。磁性層３の膜厚
は、特に制限されるものではなく、記録再生時に十分な
ヘッド再生出力を得るための必要十分な膜厚が要求され
る。
は、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ
等の元素の酸化物を用いることが、安定なグラニュラー
構造を形成するためには特に望ましい。磁性層３の膜厚
は、特に制限されるものではなく、記録再生時に十分な
ヘッド再生出力を得るための必要十分な膜厚が要求され
る。
【００２３】下地層２は、体心立方格子型結晶構造を有
する材料であり、かつその優先結晶配向面が（２００）
面であることが必要である。そのような材料としてはＣ
ｒまたはＣｒ合金を好適に用いることができる。Ｃｒ合
金としては、ＣｒＭｏ、Ｔｉ、ＣｒＴｉ、ＣｒＶ、およ
びＣｒＷ合金等が、望ましい。また、その膜厚は、特に
制限されないが、５ｎｍ〜１００ｎｍ程度が好ましい。
（２００）面の優先結晶配向を得るには、後述の非磁性
配向制御層２１を用いるか、または、基板バイアスやグ
リッドバイアスの印加、さらには、他の成膜条件を制御
することが、望ましい。
する材料であり、かつその優先結晶配向面が（２００）
面であることが必要である。そのような材料としてはＣ
ｒまたはＣｒ合金を好適に用いることができる。Ｃｒ合
金としては、ＣｒＭｏ、Ｔｉ、ＣｒＴｉ、ＣｒＶ、およ
びＣｒＷ合金等が、望ましい。また、その膜厚は、特に
制限されないが、５ｎｍ〜１００ｎｍ程度が好ましい。
（２００）面の優先結晶配向を得るには、後述の非磁性
配向制御層２１を用いるか、または、基板バイアスやグ
リッドバイアスの印加、さらには、他の成膜条件を制御
することが、望ましい。
【００２４】また、本発明によるグラニュラー磁性層３
中の強磁性結晶粒のc軸配向性をより最適に制御するた
めに、非磁性中間層２２を非磁性下地層２とグラニュラ
ー磁性層３の間に設けてもよい。この場合、非磁性中間
層２２としては、結晶構造が磁性層の強磁性結晶粒のそ
れと同じ六方最密充填型結晶構造の非磁性中間層、たと
えば、Ｃｒを３０％から５０％程度含むＣｏＣｒ合金な
どを用いることが、望ましい。この非磁性中間層２２の
膜厚は、特に制限されないが、２ｎｍから２０ｎｍ程度
が好ましい。
中の強磁性結晶粒のc軸配向性をより最適に制御するた
めに、非磁性中間層２２を非磁性下地層２とグラニュラ
ー磁性層３の間に設けてもよい。この場合、非磁性中間
層２２としては、結晶構造が磁性層の強磁性結晶粒のそ
れと同じ六方最密充填型結晶構造の非磁性中間層、たと
えば、Ｃｒを３０％から５０％程度含むＣｏＣｒ合金な
どを用いることが、望ましい。この非磁性中間層２２の
膜厚は、特に制限されないが、２ｎｍから２０ｎｍ程度
が好ましい。
【００２５】さらに、非磁性下地層２の結晶配向を効果
的に制御するために、単純立方格子構造を有するととも
に、その膜面に平行な優先結晶配向面が（１００）面で
あるような非磁性配向制御層２１を非磁性下地層２の成
膜に先立って形成してもよい。この場合、非磁性配向制
御層２１は、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖのうちの少なくとも一つの
元素の酸化物、あるいは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗのうちの少なくとも一つの元素の炭化物ま
たは窒化物であることが、望ましい。これらの材料は、
いずれも単純立方格子型結晶構造を有しており、また、
スパッタリング法により成膜することで、容易に（１０
０）面の優先結晶配向が得られる。この非磁性配向制御
層２１の膜厚も、特に制限されるものではなく、非磁性
下地層２の結晶配向を十分に制御できる膜厚が要求され
る。
的に制御するために、単純立方格子構造を有するととも
に、その膜面に平行な優先結晶配向面が（１００）面で
あるような非磁性配向制御層２１を非磁性下地層２の成
膜に先立って形成してもよい。この場合、非磁性配向制
御層２１は、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖのうちの少なくとも一つの
元素の酸化物、あるいは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗのうちの少なくとも一つの元素の炭化物ま
たは窒化物であることが、望ましい。これらの材料は、
いずれも単純立方格子型結晶構造を有しており、また、
スパッタリング法により成膜することで、容易に（１０
０）面の優先結晶配向が得られる。この非磁性配向制御
層２１の膜厚も、特に制限されるものではなく、非磁性
下地層２の結晶配向を十分に制御できる膜厚が要求され
る。
【００２６】また、さらに、前記磁性配向制御層２１の
結晶配向および結晶性を効果的に制御するためには、ア
モルファス構造を有するシード層１１を、非磁性基体１
と非磁性配向制御層２１の間に形成することも、効果的
である。この場合、シード層１１は、全体がアモルファ
ス構造であることが望ましいが、スパッタリング法によ
り成膜することで、不可避的に部分的な結晶化を生じて
いても、シード層による目的の効果には影響しない。シ
ード層１１として、例えば、１０ａｔ％以上４０ａｔ％
以下のＰを含むＮｉ層、または２５ａｔ％以上５５ａｔ
％以下の酸素を含むＳｉ層を形成することで、非磁性配
向制御層２１の配向性や結晶性が向上する効果がある。
シード層１１の膜厚もまた、特に制限されるものではな
く、非磁性配向制御層２１の配向性と結晶性が効果的に
制御できれば、任意でよい。
結晶配向および結晶性を効果的に制御するためには、ア
モルファス構造を有するシード層１１を、非磁性基体１
と非磁性配向制御層２１の間に形成することも、効果的
である。この場合、シード層１１は、全体がアモルファ
ス構造であることが望ましいが、スパッタリング法によ
り成膜することで、不可避的に部分的な結晶化を生じて
いても、シード層による目的の効果には影響しない。シ
ード層１１として、例えば、１０ａｔ％以上４０ａｔ％
以下のＰを含むＮｉ層、または２５ａｔ％以上５５ａｔ
％以下の酸素を含むＳｉ層を形成することで、非磁性配
向制御層２１の配向性や結晶性が向上する効果がある。
シード層１１の膜厚もまた、特に制限されるものではな
く、非磁性配向制御層２１の配向性と結晶性が効果的に
制御できれば、任意でよい。
【００２７】以上説明したとおりの層構成からなる図１
に示した磁気記録媒体の製造にあたっては、従来の磁気
記録媒体のような基板加熱工程を省略しても、高Ｈｃ化
と低媒体ノイズ化を図ることが可能となり、その結果、
製造工程の簡略化に伴う製造コストの低下をも図ること
ができる。
に示した磁気記録媒体の製造にあたっては、従来の磁気
記録媒体のような基板加熱工程を省略しても、高Ｈｃ化
と低媒体ノイズ化を図ることが可能となり、その結果、
製造工程の簡略化に伴う製造コストの低下をも図ること
ができる。
【００２８】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示す。
【００２９】（実施例１）非磁性基体として、表面が平
滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１
０ガラス基板）を用いた。この基体を洗浄した後、スパ
ッタ装置内に導入し、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で、こ
の基体上にＣｒ−２０ａｔ％Ｍｏからなる下地層３０ｎ
ｍを形成した。その後、さらに引き続いて、ＳｉＯ2を
１０ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ12Ｐｔ12ターゲットを用
いてＲＦスパッタリング法により、Ａｒガス圧３ｍＴｏ
ｒｒ下で、前記下地層上にグラニュラー磁性層２０ｎｍ
を形成し、さらに、その上にカーボン保護層１０ｎｍを
積層した。その後、この積層体を真空中から取り出し、
前記保護層の上に液体潤滑剤１．５ｎｍを塗布して、図
１に示すような構成の磁気記録媒体を作製した。ここ
で、非磁性下地層を成膜する際に基体にＲＦバイアスを
０Ｗから２００Ｗまで変化させて印加した。なお、成膜
に先立って、基体の加熱は行なっていない。
滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１
０ガラス基板）を用いた。この基体を洗浄した後、スパ
ッタ装置内に導入し、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で、こ
の基体上にＣｒ−２０ａｔ％Ｍｏからなる下地層３０ｎ
ｍを形成した。その後、さらに引き続いて、ＳｉＯ2を
１０ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ12Ｐｔ12ターゲットを用
いてＲＦスパッタリング法により、Ａｒガス圧３ｍＴｏ
ｒｒ下で、前記下地層上にグラニュラー磁性層２０ｎｍ
を形成し、さらに、その上にカーボン保護層１０ｎｍを
積層した。その後、この積層体を真空中から取り出し、
前記保護層の上に液体潤滑剤１．５ｎｍを塗布して、図
１に示すような構成の磁気記録媒体を作製した。ここ
で、非磁性下地層を成膜する際に基体にＲＦバイアスを
０Ｗから２００Ｗまで変化させて印加した。なお、成膜
に先立って、基体の加熱は行なっていない。
【００３０】このようにして作製した媒体をＸ線回折に
かけ、そのプロファイルから、ＣｒＭｏ(110)面からの
回折ピーク強度Ｉ(110)と、ＣｒＭｏ（２００）面から
の回折ピーク強度Ｉ(200)との強度比、Ｉ(200)／Ｉ
(110)を、求めた。この強度比（Ｉ( 200)／Ｉ(110)）の
印加したＲＦバイアスパワーに対する変化を、図２に示
す。Ｘ線回折ブロファイルは、Ｃｕ−Ｋα線を用い、ゴ
ニオメータを使用して測定した。図２から分かるよう
に、バイアスパワーの増加に伴い、強度比（Ｉ(200)／
Ｉ(110)）は急激に増加する傾向にあり、１００Ｗ以上
のバイアス印加により強度比（Ｉ(200)／Ｉ(110)）は
０．２を超える値となる。結晶配向がランダムな場合の
強度比（Ｉ(200)／Ｉ(110)）は０．１６であることか
ら、強度比（Ｉ(200)／Ｉ(110)）がそれ以上の値を取っ
たときには、（２００）面が優先配向していると、解釈
できる。
かけ、そのプロファイルから、ＣｒＭｏ(110)面からの
回折ピーク強度Ｉ(110)と、ＣｒＭｏ（２００）面から
の回折ピーク強度Ｉ(200)との強度比、Ｉ(200)／Ｉ
(110)を、求めた。この強度比（Ｉ( 200)／Ｉ(110)）の
印加したＲＦバイアスパワーに対する変化を、図２に示
す。Ｘ線回折ブロファイルは、Ｃｕ−Ｋα線を用い、ゴ
ニオメータを使用して測定した。図２から分かるよう
に、バイアスパワーの増加に伴い、強度比（Ｉ(200)／
Ｉ(110)）は急激に増加する傾向にあり、１００Ｗ以上
のバイアス印加により強度比（Ｉ(200)／Ｉ(110)）は
０．２を超える値となる。結晶配向がランダムな場合の
強度比（Ｉ(200)／Ｉ(110)）は０．１６であることか
ら、強度比（Ｉ(200)／Ｉ(110)）がそれ以上の値を取っ
たときには、（２００）面が優先配向していると、解釈
できる。
【００３１】また、作製した媒体の保磁力Ｈｃを振動試
料型磁力計ＶＳＭにより測定するとともに、ＧＭＲヘッ
ドを用いてスピンスタンドテスターで、線記録密度２７
０ｋＦＣｌにおける対信号雑音比ＳＮＲを測定した。こ
れら保磁力Ｈｃと、線記録密度２７０ｋＦＣｌにおける
対信号雑音比ＳＮＲとの、印加したＲＦバイアスパワー
に対する変化を、図３に示す。ＲＦバイアスを１００Ｗ
以上印加した場合に、高い保磁力Ｈｃと高い対信号雑音
比ＳＮＲとが同時に得られている。すなわち、（２０
０）面が優先配向した下地層を用いることで、優れた磁
気特性と電磁変換特性が実現されることが、分かる。
料型磁力計ＶＳＭにより測定するとともに、ＧＭＲヘッ
ドを用いてスピンスタンドテスターで、線記録密度２７
０ｋＦＣｌにおける対信号雑音比ＳＮＲを測定した。こ
れら保磁力Ｈｃと、線記録密度２７０ｋＦＣｌにおける
対信号雑音比ＳＮＲとの、印加したＲＦバイアスパワー
に対する変化を、図３に示す。ＲＦバイアスを１００Ｗ
以上印加した場合に、高い保磁力Ｈｃと高い対信号雑音
比ＳＮＲとが同時に得られている。すなわち、（２０
０）面が優先配向した下地層を用いることで、優れた磁
気特性と電磁変換特性が実現されることが、分かる。
【００３２】（実施例２）非磁性下地層を成膜した後、
その上に、非磁性中間層として、Ｃｏ−３５ａｔ％Ｃｒ
を、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で、５ｎｍ形成した以外
は実施例１と同様にして、図１に示すような磁気記録媒
体を作製した。非磁性下地層の形成時には、１５０Ｗの
ＲＦバイアスを印加した。
その上に、非磁性中間層として、Ｃｏ−３５ａｔ％Ｃｒ
を、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で、５ｎｍ形成した以外
は実施例１と同様にして、図１に示すような磁気記録媒
体を作製した。非磁性下地層の形成時には、１５０Ｗの
ＲＦバイアスを印加した。
【００３３】実施例１と同様に、作製した媒体の保磁力
Ｈｃを振動試料型磁力計ＶＳＭにより測定するととも
に、ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテスターで、
線記録密度２７０ｋＦＣｌにおける対信号雑音比ＳＮＲ
を測定した。その結果を、表１に示す。この表１には、
比較のために、非磁性中間層を形成しなかった媒体（比
較例１：実施例１中のＲＦバイアス１５０Ｗ印加媒体）
の特性も示した。
Ｈｃを振動試料型磁力計ＶＳＭにより測定するととも
に、ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテスターで、
線記録密度２７０ｋＦＣｌにおける対信号雑音比ＳＮＲ
を測定した。その結果を、表１に示す。この表１には、
比較のために、非磁性中間層を形成しなかった媒体（比
較例１：実施例１中のＲＦバイアス１５０Ｗ印加媒体）
の特性も示した。
【００３４】中間層を付与しない場合、実施例１で述べ
たように、保磁力Ｈｃは２６２０Ｏｅ程度であり、この
ときの対信号雑音比ＳＮＲは１８．３ｄＢであった。こ
れに対し、六方最密充填型結晶構造を有する非磁性のＣ
ｏ−３５ａｔ％Ｃｒを５ｎｍ形成することで、保磁力Ｈ
ｃが向上するとともに対信号雑音比ＳＮＲ値も１９．５
ｄＢと大きく向上することがわかる。
たように、保磁力Ｈｃは２６２０Ｏｅ程度であり、この
ときの対信号雑音比ＳＮＲは１８．３ｄＢであった。こ
れに対し、六方最密充填型結晶構造を有する非磁性のＣ
ｏ−３５ａｔ％Ｃｒを５ｎｍ形成することで、保磁力Ｈ
ｃが向上するとともに対信号雑音比ＳＮＲ値も１９．５
ｄＢと大きく向上することがわかる。
【００３５】
【表１】
【００３６】（実施例３）非磁性下地層の成膜に先立
ち、非磁性配向制御層として、各種材料を、Ａｒガス圧
８ｍＴｏｒｒ下でＲＦスパッタリング法により、３０ｎ
ｍ形成するとともに、非磁性下地層の成膜時にＲＦバイ
アスを印加しなかった以外は、実施例１と同様にして、
図１に示すような磁気記録媒体を作製した。
ち、非磁性配向制御層として、各種材料を、Ａｒガス圧
８ｍＴｏｒｒ下でＲＦスパッタリング法により、３０ｎ
ｍ形成するとともに、非磁性下地層の成膜時にＲＦバイ
アスを印加しなかった以外は、実施例１と同様にして、
図１に示すような磁気記録媒体を作製した。
【００３７】実施例１および２でと同様に、作製した媒
体の保磁力Ｈｃを振動試料型磁力計ＶＳＭにより測定す
るとともに、ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテス
ターで、線記録密度２７０ｋＦＣｌにおける対信号雑音
比ＳＮＲを測定した。その結果を、表２に示す。この表
２には、さらに、それぞれの媒体の下地層のＸ線回折ピ
ーク強度比（Ｉ(200)／Ｉ(110)）も示してあり、また、
比較のために非磁性配向制御層を付与していない媒体
（比較例２：実施例１中のＲＦバイアス印加なしの媒
体）の特性も示した。
体の保磁力Ｈｃを振動試料型磁力計ＶＳＭにより測定す
るとともに、ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテス
ターで、線記録密度２７０ｋＦＣｌにおける対信号雑音
比ＳＮＲを測定した。その結果を、表２に示す。この表
２には、さらに、それぞれの媒体の下地層のＸ線回折ピ
ーク強度比（Ｉ(200)／Ｉ(110)）も示してあり、また、
比較のために非磁性配向制御層を付与していない媒体
（比較例２：実施例１中のＲＦバイアス印加なしの媒
体）の特性も示した。
【００３８】本発明による、単純立方格子構造を有し、
かつその膜面に平行な優先結晶配向面が（１００）面で
ある非磁性配向制御層を付与した媒体（ｉ）〜（iii）
は、非磁性下地層の形成時にＲＦバイアスを印加してい
ないのにもかかわらず、下地層の強度比（Ｉ(200)／Ｉ
(110)）は１．０以上の高い値を示しており、（２０
０）面の強い優先配向が実現し、それに伴って優れた磁
気特性と電磁変換特性が得られていることが、分かる。
かつその膜面に平行な優先結晶配向面が（１００）面で
ある非磁性配向制御層を付与した媒体（ｉ）〜（iii）
は、非磁性下地層の形成時にＲＦバイアスを印加してい
ないのにもかかわらず、下地層の強度比（Ｉ(200)／Ｉ
(110)）は１．０以上の高い値を示しており、（２０
０）面の強い優先配向が実現し、それに伴って優れた磁
気特性と電磁変換特性が得られていることが、分かる。
【００３９】
【表２】
【００４０】（実施例４）非磁性下地層の成膜に先立
ち、シード層として、各種材料を、Ａｒガス圧５ｍＴｏ
ｒｒ下でスパッタリング法により３０ｎｍ形成した後、
連続してＭｇＯからなる非磁性配向制御層をＲＦスパッ
タリング法により３０ｎｍ形成するとともに、非磁性下
地層の成膜時にＲＦバイアスを印加しなかった以外は、
実施例１と同様にして、図１に示すような磁気記録媒体
を作製した。
ち、シード層として、各種材料を、Ａｒガス圧５ｍＴｏ
ｒｒ下でスパッタリング法により３０ｎｍ形成した後、
連続してＭｇＯからなる非磁性配向制御層をＲＦスパッ
タリング法により３０ｎｍ形成するとともに、非磁性下
地層の成膜時にＲＦバイアスを印加しなかった以外は、
実施例１と同様にして、図１に示すような磁気記録媒体
を作製した。
【００４１】実施例１および２でと同様に、作製した媒
体の保磁力Ｈｃを振動試料型磁力計ＶＳＭにより測定す
るとともに、ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテス
ターで、線記録密度２７０ｋＦＣｌにおける対信号雑音
比ＳＮＲを測定した。その結果を、表３に示す。この表
３には、さらに、それぞれの媒体の下地層のＸ線回折ピ
ーク強度比（Ｉ(200)／Ｉ(110)）も示してあり、また、
比較のためにシード層を設けていない媒体（比較例３：
実施例３中の配向制御層がＭｇＯ層であるを媒体）の特
性も示した。
体の保磁力Ｈｃを振動試料型磁力計ＶＳＭにより測定す
るとともに、ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテス
ターで、線記録密度２７０ｋＦＣｌにおける対信号雑音
比ＳＮＲを測定した。その結果を、表３に示す。この表
３には、さらに、それぞれの媒体の下地層のＸ線回折ピ
ーク強度比（Ｉ(200)／Ｉ(110)）も示してあり、また、
比較のためにシード層を設けていない媒体（比較例３：
実施例３中の配向制御層がＭｇＯ層であるを媒体）の特
性も示した。
【００４２】
【表３】
【００４３】表３から明らかなように、シード層を設け
ることにより、下地層において、さらに高い強度比（Ｉ
(200)／Ｉ(110)）が得られおり、非磁性配向制御層の結
晶配向および結晶性がより効果的に改善される。この非
磁性配向制御層の改善に伴って、（２００）面の優先配
向の度合いが非常に強くなっており、それに伴って、よ
り優れた磁気特性と電磁変換特性が得られていること
が、分かる。
ることにより、下地層において、さらに高い強度比（Ｉ
(200)／Ｉ(110)）が得られおり、非磁性配向制御層の結
晶配向および結晶性がより効果的に改善される。この非
磁性配向制御層の改善に伴って、（２００）面の優先配
向の度合いが非常に強くなっており、それに伴って、よ
り優れた磁気特性と電磁変換特性が得られていること
が、分かる。
【００４４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Ｃ
ｏＰｔ系合金等の六方最密充填構造を有する強磁性結晶
粒からなるグラニュラー磁性膜を形成するにあたり、そ
の非磁性下地層として、体心立方格子構造を有するとと
もに、その膜面に平行な優先結晶配向面が（２００）面
であるような材料を用いることで、優れた磁気特性と電
磁変換特性を実現できる。すなわち、本発明の下地層を
用いることにより、その上に積層されるグラニュラー磁
性層の強磁性結晶粒はそのc軸が膜面に平行に配向し、
磁化の垂直成分が生じないために、優れた諸特性を実現
するものである。
ｏＰｔ系合金等の六方最密充填構造を有する強磁性結晶
粒からなるグラニュラー磁性膜を形成するにあたり、そ
の非磁性下地層として、体心立方格子構造を有するとと
もに、その膜面に平行な優先結晶配向面が（２００）面
であるような材料を用いることで、優れた磁気特性と電
磁変換特性を実現できる。すなわち、本発明の下地層を
用いることにより、その上に積層されるグラニュラー磁
性層の強磁性結晶粒はそのc軸が膜面に平行に配向し、
磁化の垂直成分が生じないために、優れた諸特性を実現
するものである。
【００４５】また、このような非磁性下地層とグラニュ
ラー磁性層との間に、結晶構造が磁性層の強磁性結晶粒
のそれと同じ六方最蜜充填型結晶構造の非磁性中間層を
形成した場合には、磁性層の強磁性結晶粒のc軸配向性
が向上するため、より高い効果を得ることができる。
ラー磁性層との間に、結晶構造が磁性層の強磁性結晶粒
のそれと同じ六方最蜜充填型結晶構造の非磁性中間層を
形成した場合には、磁性層の強磁性結晶粒のc軸配向性
が向上するため、より高い効果を得ることができる。
【００４６】さらに、非磁性下地層の結晶配向を制御す
るために、単純立方格子型結晶構造を有するとともに、
その膜面に平行な優先結晶配向面が（１００）面である
ような非磁性配向制御層を非磁性下地層の成膜に先立っ
て形成することが効果的である。非磁性配向制御層は、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖのうちの少なくとも一つの元素の酸化
物、あるいは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗのうちの少なくとも一つの元素の炭化物または窒化物
であることが、望ましい。これらの材料は、いずれも単
純立方格子構造を有しており、また、スパッタリング法
により成膜することで、容易に（１００）面の優先結晶
配向が得られ、その上に形成される非磁性下地層は（２
００）面が優先配向しやすくなるため、優れた特性を有
する磁気記録媒体が実現できる。
るために、単純立方格子型結晶構造を有するとともに、
その膜面に平行な優先結晶配向面が（１００）面である
ような非磁性配向制御層を非磁性下地層の成膜に先立っ
て形成することが効果的である。非磁性配向制御層は、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖのうちの少なくとも一つの元素の酸化
物、あるいは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗのうちの少なくとも一つの元素の炭化物または窒化物
であることが、望ましい。これらの材料は、いずれも単
純立方格子構造を有しており、また、スパッタリング法
により成膜することで、容易に（１００）面の優先結晶
配向が得られ、その上に形成される非磁性下地層は（２
００）面が優先配向しやすくなるため、優れた特性を有
する磁気記録媒体が実現できる。
【００４７】さらに、磁性配向制御層の結晶配向および
結晶性を効果的に制御するためには、アモルファス構造
を有するシード層を、非磁性基体と非磁性配向制御層の
間に形成することも、効果的である。この場合、シード
層は、全体がアモルファス構造であることが望ましい
が、スパッタリング法により成膜することで、不可避的
に部分的な結晶化を生じていても、シード層による目的
の効果には影響しない。シード層として、１０ａｔ％以
上４０ａｔ％以下のＰを含むＮｉ層、または２５ａｔ％
以上５５ａｔ％以下の酸素を含むＳｉ層を形成すること
が、特に望ましい。このようなシード層の存在により、
その上に形成される非磁性配向制御層の配向性や結晶性
がさらに好適に制御することができ、非常に優れた特性
を有する磁気記録媒体を得ることができる。
結晶性を効果的に制御するためには、アモルファス構造
を有するシード層を、非磁性基体と非磁性配向制御層の
間に形成することも、効果的である。この場合、シード
層は、全体がアモルファス構造であることが望ましい
が、スパッタリング法により成膜することで、不可避的
に部分的な結晶化を生じていても、シード層による目的
の効果には影響しない。シード層として、１０ａｔ％以
上４０ａｔ％以下のＰを含むＮｉ層、または２５ａｔ％
以上５５ａｔ％以下の酸素を含むＳｉ層を形成すること
が、特に望ましい。このようなシード層の存在により、
その上に形成される非磁性配向制御層の配向性や結晶性
がさらに好適に制御することができ、非常に優れた特性
を有する磁気記録媒体を得ることができる。
【００４８】本発明の層構成を用いることで、容易に優
れた特性が得られることから、本発明の媒体を成膜する
にあたっては、基板加熱を行なう必要がなくなり、従来
のＡｌ板やガラス基板以外にも、安価なプラスチック板
を基板として使用することも可能となる。
れた特性が得られることから、本発明の媒体を成膜する
にあたっては、基板加熱を行なう必要がなくなり、従来
のＡｌ板やガラス基板以外にも、安価なプラスチック板
を基板として使用することも可能となる。
【図１】本発明による磁気記録媒体の構成を示す断面模
式図である。
式図である。
【図２】実施例１において作製された媒体のＸ線回折プ
ロファイルより得られた、ＣｒＭｏ（１１０）面からの
回折ピーク強度Ｉ（１１０）と、ＣｒＭｏ（２００）面
からの回折ピーク強度Ｉ(200)との強度比（Ｉ(200)／Ｉ
(110)）の、印加したＲＦバイアスパワーに対する変化
を示す図である。
ロファイルより得られた、ＣｒＭｏ（１１０）面からの
回折ピーク強度Ｉ（１１０）と、ＣｒＭｏ（２００）面
からの回折ピーク強度Ｉ(200)との強度比（Ｉ(200)／Ｉ
(110)）の、印加したＲＦバイアスパワーに対する変化
を示す図である。
【図３】実施例１において作製された媒体の保磁力Ｈｃ
と、線記録密度２７０ｋＦＣｌにおける対信号雑音比Ｓ
ＮＲとを、印加したＲＦバイアスパワーに対して示した
図である。
と、線記録密度２７０ｋＦＣｌにおける対信号雑音比Ｓ
ＮＲとを、印加したＲＦバイアスパワーに対して示した
図である。
１ 非磁性基体 ２ 非磁性下地層 ２１ 非磁性配向制御層 ２２ 非磁性中間層 ３ グラニュラー磁性層 ４ 保護層 ５ 液体潤滑剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 (72)発明者 清水 貴宏 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 滝澤 直樹 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB07 CA01 CA05 CA06 CB01 CB04 5D112 AA02 AA03 AA05 AA11 BA01 BA03 BB06 BD01 BD06 5E049 AA04 AA09 AC05 BA06 CB01 CC01 DB02 DB04 DB06 GC01
Claims (17)
- 【請求項１】 非磁性基体上に少なくとも非磁性下地
層、磁性層、保護膜および液体潤滑剤層が順次積層され
てなる磁気記録媒体において、 前記磁性層が、六方最密充填型結晶構造を有する強磁性
結晶粒と、それを取り巻く主に酸化物からなる非磁性粒
界とからなるグラニュラー構造を有し、 前記非磁性下地層が、体心立方格子型結晶構造を有する
とともに、該非磁性下地層の膜面に平行な優先結晶配向
面が（２００）面であることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 前記非磁性下地層と磁性層の間に、六方
最密充填構造を有する非磁性金属中間層が形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記非磁性下地層の下に、単純立方格子
構造を有する非磁性配向制御層が形成されるとともに、
該非磁性配向制御層の膜面に平行な優先結晶配向面が
（１００）面であることを特徴とする請求項１または２
に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記非磁性配向制御層が、Ｍｇ、Ｔｉ、
Ｖのうちの少なくとも一つの元素の酸化物、あるいは、
Ｔｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのうちの少なくとも
一つの元素の炭化物または窒化物からなることを特徴と
する請求項３に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記非磁性配向制御層と前記基体との間
に、アモルファス構造を有するシード層が形成されてい
ることを特徴とする請求項３または４に記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項６】 前記シード層が、１０ａｔ％以上４０ａ
ｔ％以下のＰを含むＮｉ層であることを特徴とする請求
項５に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記シード層が、２５ａｔ％以上５５ａ
ｔ％以下の酸素を含むＳｉ層であることを特徴とする請
求項５に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記非磁性基体が、結晶化ガラス、化学
強化ガラスまたは合成樹脂からなることを特徴とする請
求項１〜７のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 非磁性基体上に、少なくとも、非磁性下
地層、六方最密充填構造を有する強磁性結晶粒とそれを
取り巻く主に酸化物からなる非磁性粒界とからなるグラ
ニュラー構造を有する磁性層、保護膜、および液体潤滑
剤層を順次積層して磁気記録媒体を得る磁気記録媒体の
製造方法であって、 前記非磁性下地層として、体心立方格子型結晶構造を有
するとともに、該非磁性下地層の膜面に平行な優先結晶
配向面が（２００）面である材料を用いることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記非磁性下地層と磁性層の間に、さ
らに、六方最密充填型結晶構造を有する非磁性金属中間
層を形成することを特徴とする請求項９記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 前記非磁性下地層の下に、さらに、単
純立方格子構造を有するとともにその膜面に平行な優先
結晶配向面が（１００）面である非磁性配向制御層を形
成することを特徴とする請求項９または１０に記載の磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 前記非磁性配向制御層を、Ｍｇ、Ｔ
ｉ、Ｖのうちの少なくとも一つの元素の酸化物、あるい
は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのうちの少なく
とも一つの元素の炭化物または窒化物から構成すること
を特徴とする請求項１１に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記非磁性配向制御層と前記基体との
間に、アモルファス構造を有するシード層を形成するこ
とを特徴とする請求項１１または１２に記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 前記シード層を、１０ａｔ％以上４０
ａｔ％以下のＰを含むＮｉ層から構成することを特徴と
する請求項１３に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１５】 前記シード層を、２５ａｔ％以上５５
ａｔ％以下の酸素を含むＳｉ層から構成することを特徴
とする請求項１３に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１６】 前記非磁性基体を、結晶化ガラス、化
学強化ガラスまたは合成樹脂から構成することを特徴と
する請求項９ないし１５のいずれかに記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項１７】 前記非磁性基体を事前に加熱せずに積
層プロセスを行なうことを特徴とする請求項９ないし１
６のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2000-314389 | 2000-10-13 | ||
| JP2000314389 | 2000-10-13 | ||
| JP2000376597A JP2002190108A (ja) | 2000-10-13 | 2000-12-11 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
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|---|---|
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ID=26602102
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|---|---|---|---|
| JP2000376597A Pending JP2002190108A (ja) | 2000-10-13 | 2000-12-11 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
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- 2000-12-11 JP JP2000376597A patent/JP2002190108A/ja active Pending
-
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- 2001-10-04 SG SG200106178A patent/SG115415A1/en unknown
- 2001-10-10 MY MYPI20014712A patent/MY124785A/en unknown
- 2001-10-11 US US09/976,248 patent/US6673475B2/en not_active Expired - Fee Related
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