JP2003068940A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 外部から振動が与えられる条件下で電力用半
導体装置が使用された場合における、電力用半導体装置
の構成部分の共振による破損を防止する。 【解決手段】 パワー素子７がパッケージ内に封入され
た電力用半導体装置１００において、パッケージと、パ
ッケージ内に固定されたパワー素子と、パワー素子に接
続されたボンディングワイヤ１１と、パワー素子を覆う
ゲル状絶縁体１２とを含み、更に、パッケージ内に残る
中空部を満たすように発泡材１９が充填される。
導体装置が使用された場合における、電力用半導体装置
の構成部分の共振による破損を防止する。 【解決手段】 パワー素子７がパッケージ内に封入され
た電力用半導体装置１００において、パッケージと、パ
ッケージ内に固定されたパワー素子と、パワー素子に接
続されたボンディングワイヤ１１と、パワー素子を覆う
ゲル状絶縁体１２とを含み、更に、パッケージ内に残る
中空部を満たすように発泡材１９が充填される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力用半導体装置
に関し、特に、防振対策がなされた電力用半導体装置に
関する。
に関し、特に、防振対策がなされた電力用半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、全体が５００で表された、従来
の電力用半導体装置の断面図である。電力用半導体装置
５００は、放熱板１を含む。放熱板１の上には、セラミ
ック基板３の両面に配線パターン４、５が形成された絶
縁基板２が、半田層６で接続されている。配線パターン
４の上には、パワー素子７が半田層８で接続されてい
る。また、放熱板１の上には、絶縁基板２を囲むように
ケース部９が設けられている。ケース部９には、端子１
０が設けられている。端子１０と、配線パターン４およ
びパワー素子７との間は、ボンディングワイヤ１１で接
続されている。ケース部９の内部には、絶縁基板２、パ
ワー素子７、ボンディングワイヤ１１を埋め込むように
シリコンゲル１２が充填されている。一方、シリコンゲ
ル１２が充填されていない部分は中空部２０となってい
る。
の電力用半導体装置の断面図である。電力用半導体装置
５００は、放熱板１を含む。放熱板１の上には、セラミ
ック基板３の両面に配線パターン４、５が形成された絶
縁基板２が、半田層６で接続されている。配線パターン
４の上には、パワー素子７が半田層８で接続されてい
る。また、放熱板１の上には、絶縁基板２を囲むように
ケース部９が設けられている。ケース部９には、端子１
０が設けられている。端子１０と、配線パターン４およ
びパワー素子７との間は、ボンディングワイヤ１１で接
続されている。ケース部９の内部には、絶縁基板２、パ
ワー素子７、ボンディングワイヤ１１を埋め込むように
シリコンゲル１２が充填されている。一方、シリコンゲ
ル１２が充填されていない部分は中空部２０となってい
る。
【０００３】ケース部９の内部には、更に、シールド板
１３、制御基板１４が固定されている。制御基板１４上
には、制御用素子１５が設けられ、中継端子１６を介し
てパワー素子７に接続されている。制御基板１４上には
信号端子１７が設けられている。ケース部９の上には蓋
部１８が設けられている。信号端子１７は、蓋部１８に
設けた孔部（図示せず）から外部に突出している。放熱
板１、ケース部９および蓋部１８により、パッケージが
形成される。
１３、制御基板１４が固定されている。制御基板１４上
には、制御用素子１５が設けられ、中継端子１６を介し
てパワー素子７に接続されている。制御基板１４上には
信号端子１７が設けられている。ケース部９の上には蓋
部１８が設けられている。信号端子１７は、蓋部１８に
設けた孔部（図示せず）から外部に突出している。放熱
板１、ケース部９および蓋部１８により、パッケージが
形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電力用半導体装置５０
０が、電車や自動車に搭載されて使用された場合、２０
Ｈｚ〜２０００Ｈｚ程度の振動が電力用半導体装置５０
０に外部から与えられ、柔らかいシリコンゲル１２、ケ
ース部９にねじ止めされたシールド板１３や制御基板１
４が、それぞれ所定の固有振動数で共振する。この結
果、シリコンゲル１２等の振動の振幅は、外部から与え
られた振動の振幅より大きくなり、シリコンゲル１２中
のボンディングワイヤ１１が切断したり、制御基板１２
や中継端子１６が破損するという問題があった。
０が、電車や自動車に搭載されて使用された場合、２０
Ｈｚ〜２０００Ｈｚ程度の振動が電力用半導体装置５０
０に外部から与えられ、柔らかいシリコンゲル１２、ケ
ース部９にねじ止めされたシールド板１３や制御基板１
４が、それぞれ所定の固有振動数で共振する。この結
果、シリコンゲル１２等の振動の振幅は、外部から与え
られた振動の振幅より大きくなり、シリコンゲル１２中
のボンディングワイヤ１１が切断したり、制御基板１２
や中継端子１６が破損するという問題があった。
【０００５】そこで、本発明は、外部から振動が与えら
れる条件下で電力用半導体装置が使用された場合におけ
る、電力用半導体装置の構成部分の共振による破損を防
止した電力用半導体装置の提供を目的とする。
れる条件下で電力用半導体装置が使用された場合におけ
る、電力用半導体装置の構成部分の共振による破損を防
止した電力用半導体装置の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、パワー素子が
パッケージ内に封入された電力用半導体装置であって、
パッケージと、該パッケージ内に固定されたパワー素子
と、該パワー素子に接続されたボンディングワイヤと、
該パワー素子を覆うゲル状絶縁体とを含み、更に、該パ
ッケージ内に残る中空部を満たすように発泡材が充填さ
れたことを特徴とする電力用半導体装置である。このよ
うに、中空部に発泡材を充填して、ゲル状絶縁体と接す
るようにすることにより、ゲル状絶縁体に共振を抑制す
ることができる。この結果、ゲル状絶縁体内に封入され
ているパワー素子やボンディングワイヤ等の破損を防止
できる。
パッケージ内に封入された電力用半導体装置であって、
パッケージと、該パッケージ内に固定されたパワー素子
と、該パワー素子に接続されたボンディングワイヤと、
該パワー素子を覆うゲル状絶縁体とを含み、更に、該パ
ッケージ内に残る中空部を満たすように発泡材が充填さ
れたことを特徴とする電力用半導体装置である。このよ
うに、中空部に発泡材を充填して、ゲル状絶縁体と接す
るようにすることにより、ゲル状絶縁体に共振を抑制す
ることができる。この結果、ゲル状絶縁体内に封入され
ているパワー素子やボンディングワイヤ等の破損を防止
できる。
【０００７】また、本発明は、パワー素子がパッケージ
内に封入された電力用半導体装置であって、パッケージ
と、該パッケージ内に固定されたパワー素子と、該パワ
ー素子に接続されたボンディングワイヤとを含み、更
に、該パッケージ内の中空部を満たすように発泡材が充
填されたことを特徴とする電力用半導体装置である。パ
ワー素子の電極間の距離が大きい場合等は、中空部全体
に発泡材を充填することにより、電力用半導体装置の構
成部分の共振を抑制して、電力用半導体装置の破損を防
止できる。
内に封入された電力用半導体装置であって、パッケージ
と、該パッケージ内に固定されたパワー素子と、該パワ
ー素子に接続されたボンディングワイヤとを含み、更
に、該パッケージ内の中空部を満たすように発泡材が充
填されたことを特徴とする電力用半導体装置である。パ
ワー素子の電極間の距離が大きい場合等は、中空部全体
に発泡材を充填することにより、電力用半導体装置の構
成部分の共振を抑制して、電力用半導体装置の破損を防
止できる。
【０００８】更に、上記パワー素子を制御する制御基板
と、該パワー素子と該制御基板の間に設けられたシール
ド板とを含み、該制御基板と該シールド板とが上記発泡
材中に封入されたことを特徴とする電力用半導体装置で
もある。かかる制御基板、シールド板を発泡材中に封入
することにより、板状体であるこれらの共振を防止する
ことができる。
と、該パワー素子と該制御基板の間に設けられたシール
ド板とを含み、該制御基板と該シールド板とが上記発泡
材中に封入されたことを特徴とする電力用半導体装置で
もある。かかる制御基板、シールド板を発泡材中に封入
することにより、板状体であるこれらの共振を防止する
ことができる。
【０００９】上記ボンディングワイヤは、上記発泡材中
に封入されたことが好ましい。共振が殆ど発生しない発
泡材中に封入することにより、ボンディングワイヤの破
損を防止できるからである。
に封入されたことが好ましい。共振が殆ど発生しない発
泡材中に封入することにより、ボンディングワイヤの破
損を防止できるからである。
【００１０】上記パッケージが、放熱板、ケース部およ
び蓋部からなり、上記パワー素子が該放熱板上に固定さ
れたものであっても良い。
び蓋部からなり、上記パワー素子が該放熱板上に固定さ
れたものであっても良い。
【００１１】上記発泡材の有する固有振動数は、略２０
Ｈｚ〜略２０００Ｈｚの範囲からはずれたことが好まし
い。電力用半導体装置が自動車等に搭載された場合、か
かる周波数範囲の振動が電力用半導体装置に加えられ
る。従って、発泡材の有する固有振動数をかかる周波数
範囲からはずすことにより、発泡材の共振を防止でき
る。
Ｈｚ〜略２０００Ｈｚの範囲からはずれたことが好まし
い。電力用半導体装置が自動車等に搭載された場合、か
かる周波数範囲の振動が電力用半導体装置に加えられ
る。従って、発泡材の有する固有振動数をかかる周波数
範囲からはずすことにより、発泡材の共振を防止でき
る。
【００１２】上記発泡材は、発泡ポリウレタンからなる
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【００１３】上記発泡ポリウレタンの密度は、略２５ｋ
ｇ／ｍ３〜略５０ｋｇ／ｍ３の範囲にあることが好まし
い。
ｇ／ｍ３〜略５０ｋｇ／ｍ３の範囲にあることが好まし
い。
【００１４】上記発泡材は、独立気泡の発泡材であるこ
とが好ましい。独立気泡の発泡材は、高い絶縁特性を有
するためである。
とが好ましい。独立気泡の発泡材は、高い絶縁特性を有
するためである。
【００１５】上記ゲル状絶縁体は、シリコンゲルである
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、全体が１
００で表される、本実施の形態にかかる電力用半導体装
置の断面図である。図中、図３と同一符号は、同一又は
相当箇所を示す。
００で表される、本実施の形態にかかる電力用半導体装
置の断面図である。図中、図３と同一符号は、同一又は
相当箇所を示す。
【００１７】電力用半導体装置１００は、放熱板１を含
む。放熱板１は、銅やアルミニウムから形成される。放
熱板１の上には、セラミック基板３の両面に配線パター
ン４、５が形成された絶縁基板２が、半田層６で接続さ
れている。セラミック基板３は、例えば窒化アルミニウ
ムやアルミナからなる。また、配線パターン４、５は、
銅やアルミニウムの薄層からなる。配線パターン４の上
には、ＩＧＢＴやダイオード等のパワー素子７が半田層
８で接続されている。
む。放熱板１は、銅やアルミニウムから形成される。放
熱板１の上には、セラミック基板３の両面に配線パター
ン４、５が形成された絶縁基板２が、半田層６で接続さ
れている。セラミック基板３は、例えば窒化アルミニウ
ムやアルミナからなる。また、配線パターン４、５は、
銅やアルミニウムの薄層からなる。配線パターン４の上
には、ＩＧＢＴやダイオード等のパワー素子７が半田層
８で接続されている。
【００１８】また、放熱板１の上には、絶縁基板２を囲
むようにケース部９が設けられている。ケース部９中に
は、外部導出用の端子１０が設けられている。端子１０
は、ケース部９の形成時にケース部９中に造り込まれ
る。配線パターン４やパワー素子７と端子１０との間
や、配線パターン４やパワー素子７と中継端子１６との
間等は、例えばアルミニウムからなるボンディングワイ
ヤ１１で接続されている。
むようにケース部９が設けられている。ケース部９中に
は、外部導出用の端子１０が設けられている。端子１０
は、ケース部９の形成時にケース部９中に造り込まれ
る。配線パターン４やパワー素子７と端子１０との間
や、配線パターン４やパワー素子７と中継端子１６との
間等は、例えばアルミニウムからなるボンディングワイ
ヤ１１で接続されている。
【００１９】ケース部９の内部には、更に、シールド板
１３、制御基板１４が固定されている。制御基板１４上
には、制御用素子１５が設けられ、中継端子１６を介し
てパワー素子７に接続されている。制御基板１４と中継
端子１６とは、例えば半田で接続されている。制御基板
１４上には、制御信号を外部から制御用素子１５に入力
するための信号端子１７が設けられている。
１３、制御基板１４が固定されている。制御基板１４上
には、制御用素子１５が設けられ、中継端子１６を介し
てパワー素子７に接続されている。制御基板１４と中継
端子１６とは、例えば半田で接続されている。制御基板
１４上には、制御信号を外部から制御用素子１５に入力
するための信号端子１７が設けられている。
【００２０】ケース部９の上には蓋部１８が設けられて
いる。信号端子１７は、蓋部１８に設けた孔部（図示せ
ず）から外部に突出している。
いる。信号端子１７は、蓋部１８に設けた孔部（図示せ
ず）から外部に突出している。
【００２１】また、ケース部９の内部には、パワー素子
７を覆うように、シリコンゲル１２が充填されている。
このように、パワー素子７を、絶縁性の高いシリコンゲ
ル１２で覆うことにより、パワー素子７の端子間の絶縁
性を保つことができる。
７を覆うように、シリコンゲル１２が充填されている。
このように、パワー素子７を、絶縁性の高いシリコンゲ
ル１２で覆うことにより、パワー素子７の端子間の絶縁
性を保つことができる。
【００２２】更に、シリコンゲル１２上の中空部を満た
すように、発泡ポリウレタン１９が充填されている。発
泡ポリウレタン１９は、ボンディングワイヤ１１、シー
ルド板１３、制御基板１４、中継端子１６等を覆うよう
に充填される。発泡ポリウレタン１９は、密度が略２５
ｋｇ／ｍ３〜略５０ｋｇ／ｍ３程度と小さい。このた
め、発泡ポリウレタン１９の固有振動数は、電力用半導
体装置１００を自動車用に搭載した場合に、電力用半導
体装置１００に外部から与えられる振動数（２０Ｈｚ〜
２０００Ｈｚ程度）とは大きく異なるようになり、外部
から振動が与えられても共振しない。また、発泡ポリウ
レタン１９は独立気泡型であるため、連続気泡型に比較
して絶縁性を高く保つことができる。
すように、発泡ポリウレタン１９が充填されている。発
泡ポリウレタン１９は、ボンディングワイヤ１１、シー
ルド板１３、制御基板１４、中継端子１６等を覆うよう
に充填される。発泡ポリウレタン１９は、密度が略２５
ｋｇ／ｍ３〜略５０ｋｇ／ｍ３程度と小さい。このた
め、発泡ポリウレタン１９の固有振動数は、電力用半導
体装置１００を自動車用に搭載した場合に、電力用半導
体装置１００に外部から与えられる振動数（２０Ｈｚ〜
２０００Ｈｚ程度）とは大きく異なるようになり、外部
から振動が与えられても共振しない。また、発泡ポリウ
レタン１９は独立気泡型であるため、連続気泡型に比較
して絶縁性を高く保つことができる。
【００２３】また、シールド板１３等が発泡ポリウレタ
ン１９と接することによりシールド板１３等の剛性が大
きくなる。これにより、シールド板１３等の固有振動数
を、外部から与えられる振動数の範囲からはずすことが
でき、シールド板１３等の共振の防止又は低減が可能と
なる。また、シールド板１３等の固有振動数を、外部か
ら与えられた振動数の範囲からはずすことができなくて
も、シールド板１３等の振幅を小さくすることができ
る。更に、シリコンゲル１２は、発泡ポリウレタン１９
と接することにより、振動が抑制される。特に、本実施
の形態では、ボンディングワイヤ１１が、できるだけ発
泡ポリウレタン１９で覆われるようにしているため、シ
リコンゲル１２が振動しても、ボンディングワイヤ１１
の振動は抑制され、ボンディングワイヤ１１の破損が防
止できる。
ン１９と接することによりシールド板１３等の剛性が大
きくなる。これにより、シールド板１３等の固有振動数
を、外部から与えられる振動数の範囲からはずすことが
でき、シールド板１３等の共振の防止又は低減が可能と
なる。また、シールド板１３等の固有振動数を、外部か
ら与えられた振動数の範囲からはずすことができなくて
も、シールド板１３等の振幅を小さくすることができ
る。更に、シリコンゲル１２は、発泡ポリウレタン１９
と接することにより、振動が抑制される。特に、本実施
の形態では、ボンディングワイヤ１１が、できるだけ発
泡ポリウレタン１９で覆われるようにしているため、シ
リコンゲル１２が振動しても、ボンディングワイヤ１１
の振動は抑制され、ボンディングワイヤ１１の破損が防
止できる。
【００２４】このように、本実施の形態にかかる電力用
半導体装置１００では、外部から振動が与えられる条件
下で使用された場合でも、電力用半導体装置の構成部分
の共振を抑制して、電力用半導体装置の破損を防止でき
る。
半導体装置１００では、外部から振動が与えられる条件
下で使用された場合でも、電力用半導体装置の構成部分
の共振を抑制して、電力用半導体装置の破損を防止でき
る。
【００２５】なお、特開平３−１１２１５３号公報に
は、ケース内に発泡材を入れたメモリーモジュールが記
載されている。しかしながら、これは、外部から加えら
れた衝撃や振動を吸収するクッション材として発泡材を
用いるものであり、電力用半導体装置１００のような共
振の抑制や防止を目的とするものではない。特に、メモ
リモジュールは、電力用半導体装置１００のように、連
続して振動が与えられる状況での使用を意図したもので
はない。
は、ケース内に発泡材を入れたメモリーモジュールが記
載されている。しかしながら、これは、外部から加えら
れた衝撃や振動を吸収するクッション材として発泡材を
用いるものであり、電力用半導体装置１００のような共
振の抑制や防止を目的とするものではない。特に、メモ
リモジュールは、電力用半導体装置１００のように、連
続して振動が与えられる状況での使用を意図したもので
はない。
【００２６】実施の形態２．図２は、全体が２００で表
される、本実施の形態にかかる電力用半導体装置の断面
図である。図中、図１と同一符号は、同一又は相当箇所
を示す。電力用半導体装置２００では、シリコンゲルを
用いずに、発泡ポリウレタン１９のみで、パワー素子７
等の周囲を埋め込んだ。
される、本実施の形態にかかる電力用半導体装置の断面
図である。図中、図１と同一符号は、同一又は相当箇所
を示す。電力用半導体装置２００では、シリコンゲルを
用いずに、発泡ポリウレタン１９のみで、パワー素子７
等の周囲を埋め込んだ。
【００２７】シリコンゲルに代えて発泡ポリウレタン１
９を用いることにより、絶縁特性は若干低下するが、一
方で、防振特性を向上させることができる。例えば、高
電圧が印加される電極間の距離が大きい場合には、シリ
コンゲルの代わりに発泡ポリウレタン１９を用いても、
十分な絶縁特性を得ることができる
９を用いることにより、絶縁特性は若干低下するが、一
方で、防振特性を向上させることができる。例えば、高
電圧が印加される電極間の距離が大きい場合には、シリ
コンゲルの代わりに発泡ポリウレタン１９を用いても、
十分な絶縁特性を得ることができる
【００２８】実施の形態１、２では、シールド板１３、
制御基板１４を有する電力用半導体装置１００、２００
について説明したが、これらを含まない電力用半導体装
置に適用してもかまわない。この場合には、ボンディン
グワイヤの振動による損傷を防止することができる。
制御基板１４を有する電力用半導体装置１００、２００
について説明したが、これらを含まない電力用半導体装
置に適用してもかまわない。この場合には、ボンディン
グワイヤの振動による損傷を防止することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
にかかる電力用半導体装置では、電力用半導体装置の構
成部分の共振を抑制して、電力用半導体装置の破損を防
止できる。
にかかる電力用半導体装置では、電力用半導体装置の構
成部分の共振を抑制して、電力用半導体装置の破損を防
止できる。
【図１】 本発明の実施の形態１にかかる電力用半導体
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態２にかかる電力用半導体
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図３】 従来の電力用半導体装置の断面図である。
１ 放熱板、２ 絶縁基板、３ セラミック基板、４、
５ 配線パターン、６半田層、７ パワー素子、８ 半
田層、９ ケース部、１０ 端子、１１ ボンディング
ワイヤ、１２ シリコンゲル、１３ シールド板、１４
制御基板、１５ 制御用素子、１６ 中継端子、１７
信号端子、１８ 蓋部、１９ 発泡ウレタン、１０
０、２００、５００ 電力用半導体装置。
５ 配線パターン、６半田層、７ パワー素子、８ 半
田層、９ ケース部、１０ 端子、１１ ボンディング
ワイヤ、１２ シリコンゲル、１３ シールド板、１４
制御基板、１５ 制御用素子、１６ 中継端子、１７
信号端子、１８ 蓋部、１９ 発泡ウレタン、１０
０、２００、５００ 電力用半導体装置。
Claims (10)
- 【請求項１】 パワー素子がパッケージ内に封入された
電力用半導体装置であって、 パッケージと、 該パッケージ内に固定されたパワー素子と、 該パワー素子に接続されたボンディングワイヤと、 該パワー素子を覆うゲル状絶縁体とを含み、 更に、該パッケージ内に残る中空部を満たすように発泡
材が充填されたことを特徴とする電力用半導体装置。 - 【請求項２】 パワー素子がパッケージ内に封入された
電力用半導体装置であって、 パッケージと、 該パッケージ内に固定されたパワー素子と、 該パワー素子に接続されたボンディングワイヤとを含
み、 更に、該パッケージ内の中空部を満たすように発泡材が
充填されたことを特徴とする電力用半導体装置。 - 【請求項３】 更に、上記パワー素子を制御する制御基
板と、該パワー素子と該制御基板の間に設けられたシー
ルド板とを含み、 該制御基板と該シールド板とが上記発泡材中に封入され
たことを特徴とする請求項１又は２に記載の電力用半導
体装置。 - 【請求項４】 上記ボンディングワイヤが、上記発泡材
中に封入されたことを特徴とする請求項１又は２に記載
の電力用半導体装置。 - 【請求項５】 上記パッケージが、放熱板、ケース部お
よび蓋部からなり、上記パワー素子が該放熱板上に固定
されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電力用
半導体装置。 - 【請求項６】 上記発泡材の有する固有振動数が、略２
０Ｈｚ〜略２０００Ｈｚの範囲からはずれたことを特徴
とする請求項１又は２に記載の電力用半導体装置。 - 【請求項７】 上記発泡材が、発泡ポリウレタンからな
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の電力用半導
体装置。 - 【請求項８】 上記発泡ポリウレタンの密度が、略２５
ｋｇ／ｍ３〜略５０ｋｇ／ｍ３の範囲にあることを特徴
とする請求項７に記載の電力用半導体装置。 - 【請求項９】 上記発泡材が、独立気泡の発泡材である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電力用半導体
装置。 - 【請求項１０】 上記ゲル状絶縁体が、シリコンゲルで
あることを特徴とする請求項１に記載の電力用半導体装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001257798A JP2003068940A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 電力用半導体装置 |
| KR1020020041993A KR20030019851A (ko) | 2001-08-28 | 2002-07-18 | 전력용 반도체장치 |
| DE10234477A DE10234477A1 (de) | 2001-08-28 | 2002-07-29 | Leistungshalbleitereinrichtung |
| US10/207,022 US20030042624A1 (en) | 2001-08-28 | 2002-07-30 | Power semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001257798A JP2003068940A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 電力用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068940A true JP2003068940A (ja) | 2003-03-07 |
Family
ID=19085406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001257798A Pending JP2003068940A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 電力用半導体装置 |
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|---|---|
| US (1) | US20030042624A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003068940A (ja) |
| KR (1) | KR20030019851A (ja) |
| DE (1) | DE10234477A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010150471A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JPWO2012039115A1 (ja) * | 2010-09-24 | 2014-02-03 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置 |
| JP2016155495A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 日本精工株式会社 | 電動パワーステアリング装置 |
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| US7930820B2 (en) * | 2005-09-26 | 2011-04-26 | International Business Machines Corporation | Method for structural enhancement of compression system board connections |
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| WO2008031370A1 (de) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleitermodul für die energieverteilung mit explosionsschutz |
| JP4488087B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2010-06-23 | ダイキン工業株式会社 | パワー回路実装ユニット、及びモータ駆動装置 |
| DE102011010434A1 (de) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg | Elektrisches Gerät |
| US9237679B2 (en) | 2011-02-04 | 2016-01-12 | Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg | Electrical device |
| WO2013051387A1 (ja) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | 富士電機株式会社 | プリント基板の取り付け構造およびその構造を用いた半導体装置 |
| DE102012211446B4 (de) * | 2012-07-02 | 2016-05-12 | Infineon Technologies Ag | Explosionsgeschütztes halbleitermodul |
| DE112012007051B4 (de) | 2012-10-25 | 2020-06-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
| JP5930980B2 (ja) * | 2013-02-06 | 2016-06-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN105378921A (zh) * | 2013-07-10 | 2016-03-02 | 日立汽车系统株式会社 | 功率半导体模块 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0308676A3 (de) * | 1987-09-25 | 1990-01-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Spannungsarme Umhüllung für elektrische und elektronische Bauelemente, insbesondere Hybridschaltungen |
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| JP3588899B2 (ja) * | 1996-03-12 | 2004-11-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| DE19645636C1 (de) * | 1996-11-06 | 1998-03-12 | Telefunken Microelectron | Leistungsmodul zur Ansteuerung von Elektromotoren |
| DE19649798A1 (de) * | 1996-12-02 | 1998-06-04 | Abb Research Ltd | Leistungshalbleitermodul |
-
2001
- 2001-08-28 JP JP2001257798A patent/JP2003068940A/ja active Pending
-
2002
- 2002-07-18 KR KR1020020041993A patent/KR20030019851A/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-07-29 DE DE10234477A patent/DE10234477A1/de not_active Ceased
- 2002-07-30 US US10/207,022 patent/US20030042624A1/en not_active Abandoned
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|---|---|---|---|---|
| WO2010150471A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2012527095A (ja) * | 2009-06-25 | 2012-11-01 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| US8698287B2 (en) | 2009-06-25 | 2014-04-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR20030019851A (ko) | 2003-03-07 |
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