JP2002196146A - 光学補償シート、偏光板、およびそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示品位に優れる液晶表示装置を提供するこ
と。 【解決手段】 透明支持体及びその上に設けられた光学
異方層からなり、透明支持体の、Ｒｅレターデーション
値が０乃至２０ｎｍの範囲にあり、Ｒthレターデーショ
ン値が７０乃至４００ｎｍの範囲にあり、光学異方層が
ディスコティック構造単位を有する化合物からなる負の
複屈折を有する層であり、そしてディスコティック構造
単位の円盤面が透明支持体面に対して傾いており且つデ
ィスコティック構造単位の円盤面と透明支持体面とのな
す角度が光学異方層の深さ方向において変化している光
学補償シートを液晶表示装置に利用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学補償シート、
偏光板、および光学補償シートを有する液晶表示装置と
カラーの液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、偏光板と液晶セルから
構成されている。現在主流であるＴＮ（Twisted Nemati
c)モードＴＦＴ（Thin Film Transistor）液晶表示装置
においては、特開平８−５０２０６号公報に記載のよう
に光学補償シートを偏光板と液晶セルの間に挿入し、表
示品位の高い液晶表示装置が実現されている。しかし、
この方法によると液晶表示装置自体が厚くなるなどの問
題点があった。特開平１−６８９４０号公報には、偏光
膜の片面に光学補償シート（位相差板）、他方の面に保
護膜を有する楕円偏光板を用いることで、液晶表示装置
を厚くすることなく、正面コントラストを高くすること
ができるとの記載がある。ところが、この発明の光学補
償シートは、熱等の歪みにより位相差が発生しやすく、
耐久性に問題のあることがわかった。歪みによる位相差
発生の問題に対し、特開平７−１９１２１７号公報、お
よびに欧州特許０９１１６５６Ａ２号明細書には、透明
支持体上にディスコティック化合物からなる光学異方層
を塗設した光学補償シートを直接偏光板の保護膜として
用いることで液晶表示装置を厚くすることなく、上述の
耐久性に関する問題を解決した。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年になり、テレビに
液晶表示装置が使われるようになり、従来の用途では気
にならなかった表示画像の微小なムラが問題視されるよ
うになった。

【０００４】本発明の目的は、液晶セルを光学的に補償
する光学補償シートを偏光膜の片側に配置し、何の問題
も生じることなく表示品位の高い液晶表示装置を提供す
ることである。別の本発明の目的は、偏光板の構成要素
の数を増加することなく、偏光板に光学補償機能を追加
することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者の鋭意研究によ
り、液晶表示装置における表示画像の微小なムラは、光
学補償シートに用いられる支持体の平面性に原因がある
ことを突き止めた。さらに、支持体の平面性を良化させ
るには、透明支持体を溶液製膜する際の溶媒を変える、
もしくは共流延法により製膜すれば良いことを見出し
た。

【０００６】本発明は、透明支持体及びその上に設けら
れた光学異方層からなり、透明支持体の、下記式（Ｉ）
により定義されるＲｅレターデーション値が０乃至２０
ｎｍの範囲にあり、下記式（II）により定義されるＲth
レターデーション値が７０乃至４００ｎｍの範囲にあ
り、光学異方層がディスコティック構造単位を有する化
合物からなる負の複屈折を有する層であり、そしてディ
スコティック構造単位の円盤面が透明支持体面に対して
傾いており且つディスコティック構造単位の円盤面と透
明支持体面とのなす角度が光学異方層の深さ方向におい
て変化していることを特徴とする光学補償シートにあ
る。 （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ 式中、ｎｘは、透明支持体面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、透明支持体面内の進相軸方向の屈折率で
あり；ｎｚは、透明支持体の厚み方向の屈折率であり；
そして、ｄは、透明支持体の厚さである。また、レター
デーション値は、波長５５０ｎｍにおける値である。

【０００７】上記光学補償シートの好ましい態様は下記
のとおりである。 （１）透明支持体が、酢化度が５９．０乃至６１．５％
の範囲にあるセルロースアセテート、およびセルロース
アセテート１００質量部に対して、少なくとも二つの芳
香族環を有する芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部
含むセルロースアセテートフイルムからなる上記の光学
補償シート。また、セルロースアセテートフイルムが溶
液製膜法により製膜されたフイルムであり、製膜に用い
る溶媒が、炭素数３乃至１２のエーテル、炭素数３乃至
１２のケトン、もしくは炭素数３乃至１２のエステルで
あることがより好ましい。また、セルロースアセテート
フイルムが、６位水酸基の置換度が、２，３位に比べて
多いセルロースアセテートを主成分とすることも好まし
い。また、セルロースアセテートフイルムが、共流延法
により製膜されたフイルムであることもより好ましい。 （２）光学異方層と透明支持体との間に、配向膜が形成
されている上記の光学補償シート。また配向膜は、ポリ
マーもしくはポリマーの硬化膜からなることが好まし
く、表面にラビング処理することがさらに好ましい。ま
た配向膜が、無機化合物を斜め蒸着することにより得ら
れる蒸着膜であることも好ましい。また、これらの配向
膜と光学異方層との間に、下塗層を形成することがさら
に好ましい。 （３）透明支持体が、８０％以上の光透過率を有しかつ
その光軸を支持体の法線方向に有する上記の光学補償シ
ート。 （４）円盤面と透明支持体面とのなす角度が、光学異方
層の深さ方向において光学異方層の底面からの距離の増
加と共に増加している上記の光学補償シート。 （５）円盤面と透明支持体面とのなす角度が、５〜８５
度の範囲で変化する上記の光学補償シート。 （６）円盤面と透明支持体面とのなす角度の最小値が、
０〜８５度の範囲（好ましくは５〜４０度）にあり、そ
の最大値が５〜９０度の範囲（好ましくは３０〜８５
度）にある上記の光学補償シート。 （７）円盤面と透明支持体面とのなす角度の最小値と最
大値との差が、５〜７０度の範囲（好ましくは１０〜６
０度）にある上記の光学補償シート。 （８）円盤面と透明支持体面とのなす角度が、光学異方
層の深さ方向でかつ光学異方層の底面からの距離の増加
と共に連続的に変化（好ましくは増加）している上記の
光学補償シート。 （９）光学異方層が、さらにセルロースエステル（好ま
しくはセルロースアセテートブチレート）を含んでいる
上記の光学補償シート。 （１０）光学異方層のヘイズが、５．０以下である上記
の光学補償シート。 （１１）光学異方層が、モノドメインまたは０．１μｍ
以下のサイズの多数のドメインを形成している上記の光
学補償シート。 （１２）光学異方層上に、保護層が形成されている上記
の光学補償シート。 （１３）光学異方層が、光学補償シートの法線方向から
傾いた方向に、０以外のレターデーションの絶対値の最
小値を有する上記光学補償シート。

【０００８】また、本発明は、偏光膜およびその両側に
配置された二枚の透明保護膜からなる偏光板であって、
透明保護膜の一方が、酢化度が５９．０乃至６１．５％
の範囲にあるセルロースアセテート、およびセルロース
アセテート１００質量部に対して少なくとも二つの芳香
族環を有する芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部含
セルロースアセテートフイルムと、その上に設けられた
光学異方層からなり、セルロースアセテートフイルム
の、下記式（Ｉ）により定義されるＲｅレターデーショ
ン値が０乃至２０ｎｍの範囲にあり、下記式（II）によ
り定義されるＲthレターデーション値が７０乃至４００
ｎｍの範囲にあり、光学異方層がディスコティック構造
単位を有する化合物からなる負の複屈折を有する層であ
り、そしてディスコティック構造単位の円盤面がセルロ
ースアセテートフイルム面に対して傾いており且つディ
スコティック構造単位の円盤面とセルロースアセテート
フイルム面とのなす角度が光学異方層の深さ方向におい
て変化していることを特徴とする偏光板にもある。 （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ 式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率であ
り；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
て、ｄは、フイルムの厚さである。また、レターデーシ
ョン値は、波長５５０ｎｍにおける値である。

【０００９】上記偏光板の好ましい態様は下記のとおり
である。 （１）セルロースアセテートフイルムが溶液製膜法によ
り製膜されたフイルムであり、製膜に用いる溶媒が、炭
素数３乃至１２のエーテル、炭素数３乃至１２のケト
ン、もしくは炭素数３乃至１２のエステルである上記の
偏光板。また、セルロースアセテートフイルムが、共流
延法により製膜されたフイルムであることがより好まし
い。 （２）光学異方層と透明支持体との間に、配向膜が形成
されている上記の偏光板。また配向膜は、ポリマーもし
くはポリマーの硬化膜からなることが好ましく、表面に
ラビング処理することがさらに好ましい。また配向膜
が、無機化合物を斜め蒸着することにより得られる蒸着
膜であることも好ましい。また、これらの配向膜と光学
異方層との間に、下塗層を形成することがさらに好まし
い。 （３）透明支持体が、８０％以上の光透過率を有しかつ
その光軸を支持体の法線方向に有する上記の偏光板。 （４）円盤面と透明支持体面とのなす角度が、光学異方
層の深さ方向において光学異方層の底面からの距離の増
加と共に増加している上記の偏光板。 （５）円盤面と透明支持体面とのなす角度が、５〜８５
度の範囲で変化する上記の偏光板。 （６）円盤面と透明支持体面とのなす角度の最小値が、
０〜８５度の範囲（好ましくは５〜４０度）にあり、そ
の最大値が５〜９０度の範囲（好ましくは３０〜８５
度）にある上記の偏光板。 （７）円盤面と透明支持体面とのなす角度の最小値と最
大値との差が、５〜７０度の範囲（好ましくは１０〜６
０度）にある上記の偏光板。 （８）円盤面と透明支持体面とのなす角度が、光学異方
層の深さ方向でかつ光学異方層の底面からの距離の増加
と共に連続的に変化（好ましくは増加）している上記の
偏光板。 （９）光学異方層が、さらにセルロースエステル（好ま
しくはセルロースアセテートブチレート）を含んでいる
上記の偏光板。 （１０）光学異方層のヘイズが、５．０以下である上記
の偏光板。 （１１）光学異方層が、モノドメインまたは０．１μｍ
以下のサイズの多数のドメインを形成している上記の偏
光板。 （１２）光学異方層上に、保護層が形成されている上記
の偏光板。 （１３）光学異方層が、光学補償シートの法線方向から
傾いた方向に、０以外のレターデーションの絶対値の最
小値を有する上記の偏光板。

【００１０】さらに、本発明は、一対の透明電極付きの
基板と、その基板間に封入されたねじれ配向したネマチ
ック液晶とからなる液晶セル、液晶セルの両側に設けら
れた一対の偏光板、及び液晶セルと偏光板との間に設け
られた光学補償シートからなる液晶表示装置において、
光学補償シートが透明支持体及びその上に設けられた光
学異方層からなり、透明支持体の、下記式（Ｉ）により
定義されるＲｅレターデーション値が０乃至２０ｎｍの
範囲にあり、下記式（II）により定義されるＲthレター
デーション値が７０乃至４００ｎｍの範囲にあり、光学
異方層がディスコティック構造単位を有する化合物から
なる負の複屈折を有する層であり、そしてディスコティ
ック構造単位の円盤面が透明支持体面に対して傾いてお
り且つディスコティック構造単位の円盤面と透明支持体
面とのなす角度が光学異方層の深さ方向において変化し
ていることを特徴とする液晶表示装置にもある。 （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ 式中、ｎｘは、透明支持体面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、透明支持体面内の進相軸方向の屈折率で
あり；ｎｚは、透明支持体の厚み方向の屈折率であり；
そして、ｄは、透明支持体の厚さである。また、レター
デーション値は、波長５５０ｎｍにおける値である。

【００１１】さらにまた本発明は、一対の透明電極付き
の基板と、その基板間に封入されたねじれ配向したネマ
チック液晶とからなる液晶セル、液晶セルの両側に設け
られた一対の偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびそ
の両側に配置された二枚の透明保護膜からなる液晶表示
装置において、液晶セルと偏光膜との間に配置される二
枚の透明保護膜のうちの少なくとも一方が、透明支持体
及びその上に設けられた光学異方層からなり、透明支持
体の、下記式（Ｉ）により定義されるＲｅレターデーシ
ョン値が０乃至２０ｎｍの範囲にあり、下記式（II）に
より定義されるＲthレターデーション値が７０乃至４０
０ｎｍの範囲にあり、光学異方層がディスコティック構
造単位を有する化合物からなる負の複屈折を有する層で
あり、そしてディスコティック構造単位の円盤面が透明
支持体面に対して傾いており且つディスコティック構造
単位の円盤面と透明支持体面とのなす角度が光学異方層
の深さ方向において変化していることを特徴とする液晶
表示装置にもある。 （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ 式中、ｎｘは、透明支持体面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、透明支持体面内の進相軸方向の屈折率で
あり；ｎｚは、透明支持体の厚み方向の屈折率であり；
そして、ｄは、透明支持体の厚さである。また、レター
デーション値は、波長５５０ｎｍにおける値である。

【００１２】上記二つの液晶表示装置の好ましい態様は
下記のとおりである。 （１）円盤面と透明支持体面とのなす角度が、光学異方
層の深さ方向において光学異方層の底面からの距離の増
加と共に増加している上記の液晶表示装置。 （２）円盤面と透明支持体面とのなす角度が、５〜８５
度の範囲で変化する上記の液晶表示装置。 （３）円盤面と透明支持体面とのなす角度の最小値が、
０〜８５度の範囲（好ましくは５〜４０度）にあり、そ
の最大値が５〜９０度の範囲（好ましくは３０〜８５
度）にある上記の液晶表示装置。 （４）光学異方層が、さらにセルロースエステル（好ま
しくはセルロースアセテートブチレート）を含んでいる
上記の液晶表示装置。 （５）光学異方層と透明支持体との間に、配向膜が形成
されている上記の液晶表示装置。 （６）光学異方層が、光学補償シートの法線方向から傾
いた方向に、０以外のレターデーションの絶対値の最小
値を有する上記の液晶表示装置。 （７）液晶セルの基板が、一方向にラビング処理された
配向表面を有し、かつ光学補償シートが、そのレターデ
ーションの最小値の方向を液晶セル上に正投影した時の
方向と、該光学補償シートに近い液晶セルの基板表面の
ラビング方向とのなす角が９０〜２７０度となるように
液晶セル上に配置されている上記（６）の液晶表示装
置。 （８）１枚又は２枚の光学補償シートが、液晶セルの一
方の側に設けられているか、あるいは２枚が液晶セルの
両側に設けられているの上記の液晶表示装置。

【００１３】そしてさらにまた本発明は、透明電極、画
素電極およびカラーフィルタを有する一対の基板と、そ
の基板間に封入されたねじれ配向したネマチック液晶と
からなる液晶セル、液晶セルの両側に設けられた一対の
偏光板、及び液晶セルと偏光板との間に設けられた光学
補償シートからなるカラー液晶表示装置において、光学
補償シートが透明支持体及びその上に設けられた光学異
方層からなり、透明支持体の、下記式（Ｉ）により定義
されるＲｅレターデーション値が０乃至２０ｎｍの範囲
にあり、下記式（II）により定義されるＲthレターデー
ション値が７０乃至４００ｎｍの範囲にあり、そして光
学異方層がディスコティック構造単位を有する化合物か
らなる負の複屈折を有する層であり、ディスコティック
構造単位の円盤面が透明支持体面に対して傾いており且
つディスコティック構造単位の円盤面と透明支持体面と
のなす角度が光学異方層の深さ方向において変化してい
ることを特徴とする液晶表示装置にもある。 （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ 式中、ｎｘは、透明支持体面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、透明支持体面内の進相軸方向の屈折率で
あり；ｎｚは、透明支持体の厚み方向の屈折率であり；
そして、ｄは、透明支持体の厚さである。また、レター
デーション値は、波長５５０ｎｍにおける値である。

【００１４】そしてさらにまた本発明は、透明電極、画
素電極およびカラーフィルタを有する一対の基板と、そ
の基板間に封入されたねじれ配向したネマチック液晶と
からなる液晶セル、液晶セルの両側に設けられた一対の
偏光板からなり、偏光板が偏光膜およびその両側に配置
された二枚の透明保護膜からなるカラー液晶表示装置に
おいて、液晶セルと偏光膜との間に配置される二枚の透
明保護膜のうちの少なくとも一方が、透明支持体及びそ
の上に設けられた光学異方層からなり、透明支持体の、
下記式（Ｉ）により定義されるＲｅレターデーション値
が０乃至２０ｎｍの範囲にあり、下記式（II）により定
義されるＲthレターデーション値が７０乃至４００ｎｍ
の範囲にあり、そして光学異方層がディスコティック構
造単位を有する化合物からなる負の複屈折を有する層で
あり、ディスコティック構造単位の円盤面が透明支持体
面に対して傾いており且つディスコティック構造単位の
円盤面と透明支持体面とのなす角度が光学異方層の深さ
方向において変化していることを特徴とする液晶表示装
置にもある。 （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ 式中、ｎｘは、透明支持体面内の遅相軸方向の屈折率で
あり；ｎｙは、透明支持体面内の進相軸方向の屈折率で
あり；ｎｚは、透明支持体の厚み方向の屈折率であり；
そして、ｄは、透明支持体の厚さである。また、レター
デーション値は、波長５５０ｎｍにおける値である。

【００１５】上記二つのカラー液晶表示装置の好ましい
態様は下記のとおりである。 （１）円盤面と透明支持体面とのなす角度が、光学異方
層の深さ方向において光学異方層の底面からの距離の増
加と共に増加している上記のカラー液晶表示装置。 （２）円盤面と透明支持体面とのなす角度が、５〜８５
度の範囲で変化する上記のカラー液晶表示装置。 （３）円盤面と透明支持体面とのなす角度の最小値が、
０〜８５度の範囲（好ましくは５〜４０度）にあり、そ
の最大値が５〜９０度の範囲（好ましくは３０〜８５
度）にある上記のカラー液晶表示装置。 （４）光学異方層が、さらにセルロースエステル（好ま
しくはセルロースアセテートブチレート）を含んでいる
上記のカラー液晶表示装置。 （５）光学異方層と透明支持体との間に、配向膜が形成
されている上記のカラー液晶表示装置。 （６）一対の基板の一方が、（透明）画素電極を有し、
そしてもう一方の基板が、対向透明電極とカラーフィル
タを有する上記のカラー液晶表示装置。 （７）（透明）画素電極が、非線形能動素子としてＴＦ
Ｔ(thin-film-transistor)またはＭＩＭ(metal-insulat
or-metal) を有する上記（６）のカラー液晶表示装置。 （８）一対の偏光板の二個の吸収軸が、互いに直角の関
係にある、ノーマリーホワイトモードで使用される上記
のカラー液晶表示装置。 （９）一対の偏光板の二個の吸収軸が、互いに平行の関
係にある、ノーマリーブラックモードで使用される上記
のカラー液晶表示装置。 （１０）光学異方層が、光学補償シートの法線方向から
傾いた方向に、０以外のレターデーションの絶対値の最
小値を有する上記のカラー液晶表示装置。 （１１）液晶セルの基板が、一方向にラビング処理され
た配向表面を有し、かつ光学補償シートが、そのレター
デーションの最小値の方向を液晶セル上に正投影した時
の方向と、該光学補償シートに近い液晶セルの基板表面
のラビング方向とのなす角が９０〜２７０度となるよう
に液晶セル上に配置されている上記（１０）の液晶表示
装置。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の光学補償シートは、透明
支持体及びその上に設けられた光学異方層からなる光学
補償シートであって、光学異方層は、ディスコティック
構造単位を有する化合物からなる負の複屈折を有する層
である。ディスコティック構造単位を有する化合物の例
としては、モノマー等の低分子量のディスコティック液
晶性化合物または重合性ディスコティック液晶性化合物
の重合により得られるポリマーを挙げることができる。
ディスコティック化合物は、一般に、ディスコティック
液晶相（即ち、ディスコティックネマチック相）を有す
る化合物とディスコティック液晶相を持たない化合物に
大別することができる。ディスコティック化合物は一般
に負の複屈折を有する。本発明は、ディスコティック化
合物の負の複屈折性を利用し、そしてディスコティック
構造単位を、該ディスコティック構造単位の面（円盤
面）と透明支持体面との角度が光学異方層の深さ方向に
変化するように傾けて配置し、さらに透明支持体のレタ
ーデーション値を調節することによりることにより達成
したものである。

【００１７】本発明の光学補償シートは、透明支持体及
びその上に設けられたディスコティック構造単位を有す
る化合物からなる光学異方層からなり、さらに配向膜を
透明支持体と光学異方層の間に設けることが好ましい。
配向膜は、光学異方層を複数設ける場合は、光学異方層
上に設けても良い。また下塗層（接着層）を透明基板と
配向膜との間に設けることが好ましい。保護層を光学異
方層上と基板の裏面に設けても良い。

【００１８】［透明支持体］本発明の透明支持体の材料
としては、透明であるかぎりどのような材料でも使用す
ることができる。光透過率が８０％以上を有する材料が
好ましく、特に正面から見た時に光学的等方性を有する
ものが好ましい。従って、透明支持体は、小さい固有複
屈折を有する材料から製造することが好ましい。このよ
うな材料としては、ゼオネックス（日本ゼオン（株）
製）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）製）及びフジタ
ック（富士写真フイルム（株）製）などの市販品を使用
することができる。さらに、ポリカーボネート、ポリア
リレート、ポリスルフォン及びポリエーテルスルホンな
どの固有複屈折率の大きい素材であっても、溶液流延、
溶融押し出し等の条件、さらには縦、横方向に延伸状検
討を適宜設定することにより、得ることができる。偏光
膜の保護フイルムとして用いる場合、その透湿性からセ
ルロースアセテートフイルムを用いることが最も好まし
い。透明支持体の厚みは、２０μｍ乃至１５０μｍが好
ましく、３０μｍ乃至１２０μｍがさらに好ましく、最
も好ましいのは３５μｍ乃至１００μｍである。以下、
セルロースアセテートフイルムを用いる場合を例とし
て、本発明に用いる透明支持体について説明する。

【００１９】［フイルムのレターデーション］セルロー
スアセテートフイルム（透明支持体）のＲｅレターデー
ション値およびＲthレターデーション値は、それぞれ、
下記式（Ｉ）および（II）で定義される。 （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ 式（Ｉ）および（II）において、ｎｘは、フイルム面内
の遅相軸方向（屈折率が最大となる方向）の屈折率であ
る。式（Ｉ）および（II）において、ｎｙは、フイルム
面内の進相軸方向（屈折率が最小となる方向）の屈折率
である。式（II）において、ｎｚは、フイルムの厚み方
向の屈折率である。式（Ｉ）および（II）において、ｄ
は、単位をｎｍとするフイルムの厚さである。

【００２０】本発明では、セルロースアセテートフイル
ムのＲｅレターデーション値を０乃至２０ｎｍに、そし
て、Ｒthレターデーション値を７０乃至４００ｎｍに調
節する。液晶表示装置に二枚の光学的異方性セルロース
アセテートフイルムを使用する場合、フイルムのＲthレ
ターデーション値は７０乃至２５０ｎｍであることが好
ましい。液晶表示装置に一枚の光学的異方性セルロース
アセテートフイルムを使用する場合、フイルムのＲthレ
ターデーション値は１５０乃至４００ｎｍであることが
好ましい。なお、セルロースアセテートフイルムの複屈
折率（Δｎ：ｎｘ−ｎｙ）は、０．００乃至０．００２
であることが好ましい。また、セルロースアセテートフ
イルムの厚み方向の複屈折率｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎ
ｚ｝は、０．００１乃至０．０４であることが好まし
い。

【００２１】［セルロースアセテート］本発明では、酢
化度が５９．０乃至６１．５％であるセルロースアセテ
ートを使用することが好ましい。酢化度とは、セルロー
ス単位質量当たりの結合酢酸量を意味する。酢化度は、
ＡＳＴＭ：Ｄ−８１７−９１（セルロースアセテート等
の試験法）におけるアセチル化度の測定および計算に従
う。セルロースエステルの粘度平均重合度（ＤＰ）は、
２５０以上であることが好ましく、２９０以上であるこ
とがさらに好ましい。また、本発明に使用するセルロー
スエステルは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ーによるＭｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数
平均分子量）の分子量分布が狭いことが好ましい。具体
的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０乃至１．７である
ことが好ましく、１．３乃至１．６５であることがさら
に好ましく、１．４乃至１．６であることが最も好まし
い。一般に、セルロースアセテートの２，３，６の水酸
基は全体の置換度の１／３づつに均等に分配されるわけ
ではなく、６位水酸基の置換度が小さくなる傾向があ
る。本発明ではセルロースアセテートの６位水酸基の置
換度が、２，３位に比べて多いほうが好ましい。全体の
置換度に対して６位の水酸基が３０％以上アセチル基で
置換されていることが好ましく、更には３１％以上、特
に３２％以上であることが好ましい。さらにセルロース
アセテートの６位アセチル基の置換度が０．８８以上で
あることが好ましい。６位水酸基は、アセチル基以外に
炭素数３以上のアシル基であるプロピオニル基、ブチロ
イル基、バレロイル基、ベンゾイル基、アクリロイル基
などで置換されているものも本発明の光学補償シートと
して用いることが出来る。各位置の置換度の測定は、Ｎ
ＭＲによって求める事ができる。本発明のセルロースア
セテートとして、特開平１１−５８５１号公報の段落番
号００４３〜００４４に記載の合成例１、段落番号００
４８〜００４９に記載の合成例２、そして段落番号００
５１〜００５２に記載の合成例３の方法で得られたセル
ロースアセテートを用いることができる。

【００２２】［レターデーション上昇剤］セルロースア
セテートフイルムのレターデーションを調整するため、
少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物をレタ
ーデーション上昇剤として使用する。芳香族化合物は、
セルロースアセテート１００質量部に対して、０．０１
乃至２０質量部の範囲で使用する。芳香族化合物は、セ
ルロースアセテート１００質量部に対して、０．０５乃
至１５質量部の範囲で使用することが好ましく、０．１
乃至１０質量部の範囲で使用することがさらに好まし
い。二種類以上の芳香族化合物を併用してもよい。芳香
族化合物の芳香族環には、芳香族炭化水素環に加えて、
芳香族性ヘテロ環を含む。

【００２３】芳香族炭化水素環は、６員環（すなわち、
ベンゼン環）であることが特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環は一般に、不飽和ヘテロ環である。芳香族性ヘテロ
環は、５員環、６員環または７員環であることが好まし
く、５員環または６員環であることがさらに好ましい。
芳香族性ヘテロ環は一般に、最多の二重結合を有する。
ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原
子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。芳香族性ヘテ
ロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、
オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、
イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フ
ラザン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピ
リダジン環、ピリミジン環、ピラジン環および１，３，
５−トリアジン環が含まれる。芳香族環としては、ベン
ゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサ
ゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾー
ル環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環および
１，３，５−トリアジン環が好ましく、ベンゼン環およ
び１，３，５−トリアジン環がさらに好ましい。芳香族
化合物は、少なくとも一つの１，３，５−トリアジン環
を有することが特に好ましい。

【００２４】芳香族化合物が有する芳香族環の数は、２
乃至２０であることが好ましく、２乃至１２であること
がより好ましく、２乃至８であることがさらに好まし
く、２乃至６であることが最も好ましい。二つの芳香族
環の結合関係は、（ａ）縮合環を形成する場合、（ｂ）
単結合で直結する場合および（ｃ）連結基を介して結合
する場合に分類できる（芳香族環のため、スピロ結合は
形成できない）。結合関係は、（ａ）〜（ｃ）のいずれ
でもよい。

【００２５】（ａ）の縮合環（二つ以上の芳香族環の縮
合環）の例には、インデン環、ナフタレン環、アズレン
環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン
環、アセナフチレン環、ナフタセン環、ピレン環、イン
ドール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、ベンゾ
チオフェン環、インドリジン環、ベンゾオキサゾール
環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベン
ゾトリアゾール環、プリン環、インダゾール環、クロメ
ン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、キ
ナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジ
ン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、
フェナントリジン環、キサンテン環、フェナジン環、フ
ェノチアジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン
環およびチアントレン環が含まれる。ナフタレン環、ア
ズレン環、インドール環、ベンゾオキサゾール環、ベン
ゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリア
ゾール環およびキノリン環が好ましい。（ｂ）の単結合
は、二つの芳香族環の炭素原子間の結合であることが好
ましい。二以上の単結合で二つの芳香族環を結合して、
二つの芳香族環の間に脂肪族環または非芳香族性複素環
を形成してもよい。

【００２６】（ｃ）の連結基も、二つの芳香族環の炭素
原子と結合することが好ましい。連結基は、アルキレン
基、アルケニレン基、アルキニレン基、−ＣＯ−、−Ｏ
−、−ＮＨ−、−Ｓ−またはそれらの組み合わせである
ことが好ましい。組み合わせからなる連結基の例を以下
に示す。なお、以下の連結基の例の左右の関係は、逆に
なってもよい。 ｃ１：−ＣＯ−Ｏ− ｃ２：−ＣＯ−ＮＨ− ｃ３：−アルキレン−Ｏ− ｃ４：−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ− ｃ５：−ＮＨ−ＣＯ−Ｏ− ｃ６：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ− ｃ７：−Ｏ−アルキレン−Ｏ− ｃ８：−ＣＯ−アルケニレン− ｃ９：−ＣＯ−アルケニレン−ＮＨ− ｃ10：−ＣＯ−アルケニレン−Ｏ− ｃ11：−アルキレン−ＣＯ−Ｏ−アルキレン−Ｏ−ＣＯ
−アルキレン− ｃ12：−Ｏ−アルキレン−ＣＯ−Ｏ−アルキレン−Ｏ−
ＣＯ−アルキレン−Ｏ− ｃ13：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン−ＣＯ−Ｏ− ｃ14：−ＮＨ−ＣＯ−アルケニレン− ｃ15：−Ｏ−ＣＯ−アルケニレン−

【００２７】芳香族環および連結基は、置換基を有して
いてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル、カルボキシル、シア
ノ、アミノ、ニトロ、スルホ、カルバモイル、スルファ
モイル、ウレイド、アルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、脂肪族アシル基、脂肪族アシルオキシ基、アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル
基、脂肪族アミド基、脂肪族スルホンアミド基、脂肪族
置換アミノ基、脂肪族置換カルバモイル基、脂肪族置換
スルファモイル基、脂肪族置換ウレイド基および非芳香
族性複素環基が含まれる。

【００２８】アルキル基の炭素原子数は、１乃至８であ
ることが好ましい。環状アルキル基よりも鎖状アルキル
基の方が好ましく、直鎖状アルキル基が特に好ましい。
アルキル基は、さらに置換基（例、ヒドロキシ、カルボ
キシ、アルコキシ基、アルキル置換アミノ基）を有して
いてもよい。アルキル基の（置換アルキル基を含む）例
には、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｎ−ヘキシル、２
−ヒドロキシエチル、４−カルボキシブチル、２−メト
キシエチルおよび２−ジエチルアミノエチルが含まれ
る。アルケニル基の炭素原子数は、２乃至８であること
が好ましい。環状アルケニル基よりも鎖状アルケニル基
の方が好ましく、直鎖状アルケニル基が特に好ましい。
アルケニル基は、さらに置換基を有していてもよい。ア
ルケニル基の例には、ビニル、アリルおよび１−ヘキセ
ニルが含まれる。アルキニル基の炭素原子数は、２乃至
８であることが好ましい。環状アルキケニル基よりも鎖
状アルキニル基の方が好ましく、直鎖状アルキニル基が
特に好ましい。アルキニル基は、さらに置換基を有して
いてもよい。アルキニル基の例には、エチニル、１−ブ
チニルおよび１−ヘキシニルが含まれる。

【００２９】脂肪族アシル基の炭素原子数は、１乃至１
０であることが好ましい。脂肪族アシル基の例には、ア
セチル、プロパノイルおよびブタノイルが含まれる。脂
肪族アシルオキシ基の炭素原子数は、１乃至１０である
ことが好ましい。脂肪族アシルオキシ基の例には、アセ
トキシが含まれる。アルコキシ基の炭素原子数は、１乃
至８であることが好ましい。アルコキシ基は、さらに置
換基（例、アルコキシ基）を有していてもよい。アルコ
キシ基の（置換アルコキシ基を含む）例には、メトキ
シ、エトキシ、ブトキシおよびメトキシエトキシが含ま
れる。アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、２乃至
１０であることが好ましい。アルコキシカルボニル基の
例には、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニル
が含まれる。アルコキシカルボニルアミノ基の炭素原子
数は、２乃至１０であることが好ましい。アルコキシカ
ルボニルアミノ基の例には、メトキシカルボニルアミノ
およびエトキシカルボニルアミノが含まれる。

【００３０】アルキルチオ基の炭素原子数は、１乃至１
２であることが好ましい。アルキルチオ基の例には、メ
チルチオ、エチルチオおよびオクチルチオが含まれる。
アルキルスルホニル基の炭素原子数は、１乃至８である
ことが好ましい。アルキルスルホニル基の例には、メタ
ンスルホニルおよびエタンスルホニルが含まれる。脂肪
族アミド基の炭素原子数は、１乃至１０であることが好
ましい。脂肪族アミド基の例には、アセトアミドが含ま
れる。脂肪族スルホンアミド基の炭素原子数は、１乃至
８であることが好ましい。脂肪族スルホンアミド基の例
には、メタンスルホンアミド、ブタンスルホンアミドお
よびｎ−オクタンスルホンアミドが含まれる。脂肪族置
換アミノ基の炭素原子数は、１乃至１０であることが好
ましい。脂肪族置換アミノ基の例には、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノおよび２−カルボキシエチルアミノ
が含まれる。脂肪族置換カルバモイル基の炭素原子数
は、２乃至１０であることが好ましい。脂肪族置換カル
バモイル基の例には、メチルカルバモイルおよびジエチ
ルカルバモイルが含まれる。脂肪族置換スルファモイル
基の炭素原子数は、１乃至８であることが好ましい。脂
肪族置換スルファモイル基の例には、メチルスルファモ
イルおよびジエチルスルファモイルが含まれる。脂肪族
置換ウレイド基の炭素原子数は、２乃至１０であること
が好ましい。脂肪族置換ウレイド基の例には、メチルウ
レイドが含まれる。非芳香族性複素環基の例には、ピペ
リジノおよびモルホリノが含まれる。レターデーション
上昇剤の分子量は、３００乃至８００であることが好ま
しい

【００３１】［セルロースアセテートフイルムの製造］
セルロースアセテートフイルムは、溶液製膜法により製
造することが好ましい。溶液製膜に用いる溶液を有機溶
媒としたソルベントキャスト法によりセルロースアセテ
ートフイルムを製造することがさらに好ましい。ソルベ
ントキャスト法では、セルロースアセテートを有機溶媒
に溶解した溶液（ドープ）を用いてフイルムを製造す
る。有機溶媒は、炭素原子数が３乃至１２のエーテル、
炭素原子数が３乃至１２のケトン、炭素原子数が３乃至
１２のエステルおよび炭素原子数が１乃至６のハロゲン
化炭化水素から選ばれる溶媒を含むことが好ましい。エ
ーテル、ケトンおよびエステルは、環状構造を有してい
てもよい。エーテル、ケトンおよびエステルの官能基
（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のい
ずれかを二つ以上有する化合物も、有機溶媒として用い
ることができる。有機溶媒は、アルコール性水酸基のよ
うな他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能
基を有する有機溶媒の場合、その炭素原子数は、いずれ
かの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

【００３２】炭素原子数が３乃至１２のエーテル類の例
には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジ
メトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキ
ソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネ
トールが含まれる。炭素原子数が３乃至１２のケトン類
の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメ
チルシクロヘキサノンが含まれる。炭素原子数が３乃至
１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピ
ルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテー
ト、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含ま
れる。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、
２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノー
ルおよび２−ブトキシエタノールが含まれる。ハロゲン
化炭化水素の炭素原子数は、１または２であることが好
ましく、１であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化
水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲ
ン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている
割合は、２５乃至７５モル％であることが好ましく、３
０乃至７０モル％であることがより好ましく、３５乃至
６５モル％であることがさらに好ましく、４０乃至６０
モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリド
が、代表的なハロゲン化炭化水素である。二種類以上の
有機溶媒を混合して用いてもよい。

【００３３】一般的な方法でセルロースアセテート溶液
を調製できる。一般的な方法とは、０℃以上の温度（常
温または高温）で、処理することを意味する。溶液の調
製は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調
製方法および装置を用いて実施することができる。な
お、一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化
炭化水素（特にメチレンクロリド）を用いることが好ま
しい。セルロースアセテートの量は、得られる溶液中に
１０乃至４０質量％含まれるように調整する。セルロー
スアセテートの量は、１０乃至３０質量％であることが
さらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中には、後述する
任意の添加剤を添加しておいてもよい。溶液は、常温
（０乃至４０℃）でセルロースアセテートと有機溶媒と
を攪拌することにより調製することができる。高濃度の
溶液は、加圧および加熱条件下で攪拌してもよい。具体
的には、セルロースアセテートと有機溶媒とを加圧容器
に入れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以
上、かつ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら攪
拌する。加熱温度は、通常は４０℃以上であり、好まし
くは６０乃至２００℃であり、さらに好ましくは８０乃
至１１０℃である。

【００３４】各成分は予め粗混合してから容器に入れて
もよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は攪拌
できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の
不活性気体を注入して容器を加圧することができる。ま
た、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。
あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加しても
よい。加熱する場合、容器の外部より加熱することが好
ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いる
ことができる。また、容器の外部にプレートヒーターを
設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を
加熱することもできる。容器内部に攪拌翼を設けて、こ
れを用いて攪拌することが好ましい。攪拌翼は、容器の
壁付近に達する長さのものが好ましい。攪拌翼の末端に
は、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けるこ
とが好ましい。容器には、圧力計、温度計等の計器類を
設置してもよい。容器内で各成分を溶剤中に溶解する。
調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるい
は、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。

【００３５】冷却溶解法により、溶液を調製することも
できる。冷却溶解法では、通常の溶解方法では溶解させ
ることが困難な有機溶媒中にもセルロースアセテートを
溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセル
ロースアセテートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶
解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果があ
る。冷却溶解法では最初に、室温で有機溶媒中にセルロ
ースアセテートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロ
ースアセテートの量は、この混合物中に１０乃至４０質
量％含まれるように調整することが好ましい。セルロー
スアセテートの量は、１０乃至３０質量％であることが
さらに好ましい。さらに、混合物中には後述する任意の
添加剤を添加しておいてもよい。

【００３６】次に、混合物を−１００乃至−１０℃（好
ましくは−８０乃至−１０℃、さらに好ましくは−５０
乃至−２０℃、最も好ましくは−５０乃至−３０℃）に
冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール
浴（−７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液
（−３０乃至−２０℃）中で実施できる。このように冷
却すると、セルロースアセテートと有機溶媒の混合物は
固化する。冷却速度は、４℃／分以上であることが好ま
しく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２
℃／分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速
いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限で
あり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１
００℃／秒が実用的な上限である。なお、冷却速度は、
冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を冷
却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間
で割った値である。

【００３７】さらに、これを０乃至２００℃（好ましく
は０乃至１５０℃、さらに好ましくは０乃至１２０℃、
最も好ましくは０乃至５０℃）に加温すると、有機溶媒
中にセルロースアセテートが溶解する。昇温は、室温中
に放置するだけでもよし、温浴中で加温してもよい。加
温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／
分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上で
あることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好まし
いが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１００
０℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が
実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始す
る時の温度と最終的な加温温度との差を加温を開始して
から最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値で
ある。以上のようにして、均一な溶液が得られる。な
お、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り
返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視によ
り溶液の外観を観察するだけで判断することができる。

【００３８】冷却溶解法においては、冷却時の結露によ
る水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ま
しい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、
加温時の減圧すると、溶解時間を短縮することができ
る。加圧および減圧を実施するためには、耐圧性容器を
用いることが望ましい。なお、セルロースアセテート
（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷
却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０質量
％の溶液は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によると、３
３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在
し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、
この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移
温度プラス１０℃程度の温度で保する必要がある。ただ
し、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの酢
化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒に
より異なる。

【００３９】調製したセルロースアセテート溶液（ドー
プ）から、ソルベントキャスト法によりセルロースアセ
テートフイルムを製造する。ドープは、ドラムまたはバ
ンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成す
る。流延前のドープは、固形分量が１８乃至３５％とな
るように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたは
バンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好まし
い。ソルベントキャスト法における流延および乾燥方法
については、米国特許２３３６３１０号、同２３６７６
０３号、同２４９２０７８号、同２４９２９７７号、同
２４９２９７８号、同２６０７７０４号、同２７３９０
６９号、同２７３９０７０号、英国特許６４０７３１
号、同７３６８９２号の各明細書、特公昭４５−４５５
４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４
号、同６０−２０３４３０号、同６２−１１５０３５号
の各公報に記載がある。ドープは、表面温度が１０℃以
下のドラムまたはバンド上に流延することが好ましい。
流延してから２秒以上風に当てて乾燥することが好まし
い。得られたフイルムをドラムまたはバンドから剥ぎ取
り、さらに１００から１６０℃まで逐次温度を変えた高
温風で乾燥して残留溶剤を蒸発させることもできる。以
上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載があ
る。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を
短縮することが可能である。この方法を実施するために
は、流延時のドラムまたはバンドの表面温度においてド
ープがゲル化することが必要である。

【００４０】調整したセルロースアセテート溶液（ドー
プ）を用いて、二層以上の流延を行う共流延法によりフ
イルム化することもできる。この場合、ソルベントキャ
スト法によりセルロースアセテートフイルムを作製する
ことが好ましい。ドープは、ドラムまたはバンド上に流
延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成する。流延前の
ドープは、固形分量が１０乃至４０％の範囲となるよう
に濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンド
の表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。

【００４１】二層以上の複数のセルロースアセテート液
を流延する場合、複数のセルロースアセテート溶液を流
延することが可能で、支持体の進行方向に間隔をおいて
設けられた複数の流延口からセルロースアセテートを含
む溶液をそれぞれ流延させて積層させながらフイルムを
作製してもよい。例えば、特開昭６１−１５８４１４
号、特開平１−１２２４１９号、および特開平１１−１
９８２８５号の各明細書に記載の方法を用いることがで
きる。また、２つの流延口からセルロースアセテート溶
液を流延することによってもフイルム化することもでき
る。例えば、特公昭６０−２７５６２号、特開昭６１−
９４７２４号、特開昭６１−９４７２４５号、特開昭６
１−１０４８１３号、特開昭６１−１５８４１３号、お
よび特開平６−１３４９３３号の各明細書に記載の方法
を用いることができる。また、特開昭５６−１６２６１
７号明細書に記載の高粘度セルロースアセテート溶液の
流れを低粘度のセルロースアセテート溶液で包み込み、
その高、低粘度のセルロースアセテート溶液を同時に押
し出すセルロースアセテートフイルムの流延方法を用い
ることもできる。

【００４２】また、二個の流延口を用いて、第一の流延
口により支持体に成形したフイルムを剥ぎ取り、支持体
面に接していた側に第二の流延を行うことにより、フイ
ルムを作製することもできる。例えば、特公昭４４−２
０２３５号明細書に記載の方法を挙げることができる。
流延するセルロースアセテート溶液は同一の溶液を用い
てもよいし、異なるセルロースアセテート溶液を用いて
もよい。複数のセルロースアセテート層に機能をもたせ
るために、その機能に応じたセルロースアセテート溶液
を、それぞれの流延口から押し出せばよい。さらに本発
明のセルロースアセテート溶液は、他の機能層（例え
ば、接着層、染料層、帯電防止層、アンチハレーション
層、紫外線吸収層、偏光層など）と同時に流延すること
もできる。

【００４３】従来の単層液では、必要なフイルムの厚さ
にするためには高濃度で高粘度のセルロースアセテート
溶液を押し出すことが必要である。その場合セルロース
アセテート溶液の安定性が悪くて固形物が発生し、ブツ
故障となったり、平面性が不良となったりして問題とな
ることが多かった。この問題の解決方法として、複数の
セルロースアセテート溶液を流延口から流延することに
より、高粘度の溶液を同時に支持体上に押し出すことが
でき、平面性も良化し優れた面状のフイルムが作製でき
るばかりでなく、濃厚なセルロースアセテート溶液を用
いることで乾燥負荷の低減化が達成でき、フイルムの生
産スピードを高めることができる。

【００４４】セルロースアセテートフイルムには、機械
的物性を改良するため、または乾燥速度を向上するため
に、可塑剤を添加することができる。可塑剤としては、
リン酸エステルまたはカルボン酸エステルが用いられ
る。リン酸エステルの例には、トリフェニルフォスフェ
ート（ＴＰＰ）およびトリクレジルホスフェート（ＴＣ
Ｐ）が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル
酸エステルおよびクエン酸エステルが代表的である。フ
タル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭ
Ｐ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレ
ート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジ
フェニルフタレート（ＤＰＰ）およびジエチルヘキシル
フタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステル
の例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴ
Ｅ）およびＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴ
Ｂ）が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例に
は、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、
セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが
含まれる。フタル酸エステル系可塑剤（ＤＭＰ、ＤＥ
Ｐ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＰＰ、ＤＥＨＰ）が好ましく用
いられる。ＤＥＰおよびＤＰＰが特に好ましい。可塑剤
の添加量は、セルロースエステルの量の０．１乃至２５
質量％であることが好ましく、１乃至２０質量％である
ことがさらに好ましく、３乃至１５質量％であることが
最も好ましい。

【００４５】セルロースアセテートフイルムには、劣化
防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁
止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加して
もよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０
１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９
号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各
公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製する溶
液（ドープ）の０．０１乃至１質量％であることが好ま
しく、０．０１乃至０．２質量％であることがさらに好
ましい。添加量が０．０１質量％未満であると、劣化防
止剤の効果がほとんど認められない。添加量が１質量％
を越えると、フイルム表面への劣化防止剤のブリードア
ウト（滲み出し）が認められる場合がある。特に好まし
い劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエ
ン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げる
ことができる。

【００４６】[二軸延伸]仮想歪みを低減させるために、
セルロースアセテートフイルムに延伸処理をすることが
好ましい。延伸することにより、延伸方向の仮想歪みが
低減できるので、面内すべての方向で歪みを低減するた
めに二軸延伸することが更に好ましい。二軸延伸には、
同時二軸延伸法と逐次二軸延伸法があるが、連続製造の
観点から逐次二軸延伸方法が好ましく、ドープを流延し
た後、バンドもしくはドラムより剥ぎ取り、幅方向に延
伸した後、長手方向に延伸される。この延伸は、長手方
向、次いで幅方向の順序で行っても良い。幅方向に延伸
する方法は、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特
開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号、同４
−２９８３１０号、および同１１−４８２７１号などに
記載されている。フイルムの延伸は、常温または加熱条
件下で実施する。加熱温度は、フイルムのガラス転移温
度以下であることが好ましい。フイルムは、乾燥中の処
理で延伸することができ、特に溶媒が残存する場合は有
効である。長手方向の延伸の場合、例えば、フイルムの
搬送ローラーの速度を調節して、フイルムの剥ぎ取り速
度よりもフイルムの巻き取り速度の方を速くするとフイ
ルムは延伸される。幅方向の延伸の場合、フイルムの巾
をテンターで保持しながら搬送して、テンターの巾を徐
々に広げることによってもフイルムを延伸できる。フイ
ルムの乾燥後に、延伸機を用いて延伸すること（好まし
くはロング延伸機を用いる一軸延伸）もできる。フイル
ムの延伸倍率（元の長さに対する延伸による増加分の比
率）は、５〜５０％が好ましく、さらに好ましくは１０
乃至４０％、最も好ましくは１５乃至３５％である。

【００４７】これら流延から後乾燥までの工程は、空気
雰囲気下でもよいし窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下
でもよい。本発明のセルロースアセテートフイルムの製
造に係わる巻き取り機は一般的に使用されているもので
よく、定テンション法、定トルク法、テーパーテンショ
ン法、内部応力一定のプログラムテンションコントロー
ル法などの巻き取り方法で巻き取ることができる。

【００４８】[吸湿膨張係数]吸湿膨張係数は、一定温度
下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化
量を示す。液晶表示装置の表示面における額縁状の透過
率の上昇を防止するために、セルロースアセテートフィ
ルムの吸湿膨張係数は、３０×１０^-5／％ＲＨ以下とす
ることが好ましく、１５×１０^-5／％ＲＨ以下とするこ
とが更に好ましく、１０×１０^-5／％ＲＨ以下とするこ
とが最も好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好
ましいが、通常は、１．０×１０^-5／％ＲＨ以上の値で
ある。吸湿膨張係数の測定方法について以下に示す。作
製したポリマーフイルム（位相差板）から幅５ｍｍ。長
さ２０ｍｍの試料を切り出し、片方の端を固定して２５
℃、２０％ＲＨ（Ｒ₀ ）の雰囲気下にぶら下げた。他方
の端に０．５ｇの重りをぶら下げて、１０分間放置し長
さ（Ｌ₀ ）を測定した。次に、温度は２５℃のまま、湿
度を８０％ＲＨ（Ｒ₁ ）にして、長さ（Ｌ₁ ）を測定し
た。吸湿膨張係数は下式により算出した。測定は同一試
料につき１０サンプル行い、平均値を採用した。 吸湿膨張係数［／％ＲＨ］＝｛（Ｌ₁ −Ｌ₀ ）／Ｌ₀ ｝
／（Ｒ₁ −Ｒ₀ ）

【００４９】上記吸湿による寸度変化は、ポリマーフイ
ルム中の自由体積を小さくすればよいことを見出した。
自由体積を大きく左右するのは、製膜時の残留溶剤量で
あり、少ない方が寸度変化は少ない。残留溶剤を減らす
ための一般的手法は、高温かつ長時間で乾燥することで
あるが、あまり長時間であると、当然のことながら生産
性が落ちる。従ってセルロースアセテートフイルムに対
する残留溶剤の量は、０．０１乃至１質量％の範囲にあ
ることが好ましく、０．０２乃至０．０７質量％の範囲
にあることがさらに好ましく、０．０３乃至０．０５質
量％の範囲にあることが最も好ましい。上記残留溶剤量
を制御することにより、光学補償能を有する偏光板を安
価に高い生産性で製造することができる。

【００５０】また、上記吸湿による寸度変化を小さくす
る別な方法として、疎水基を有する化合物を添加するこ
とが好ましい。疎水基を有する素材としては、分子中に
アルキル基やフェニル基のような疎水基を有する素材で
あれば特に制限はないが、前記のセルロースアセテート
フイルムに添加する可塑剤や劣化防止剤の中で該当する
素材が特に好ましく用いられる。これら好ましい素材の
例としては、トリフェニルフォスフェート（ＴＰＰ）、
トリベンジルアミン（ＴＢＡ）などを挙げることができ
る。これらの疎水基を有する化合物の添加量は、調整す
る溶液（ドープ）に対して０．０１乃至１０質量％の範
囲にあることが好ましく、０．１乃至５質量％の範囲に
あることがさらに好ましく、１乃至３質量％の範囲にあ
ることが最も好ましい。

【００５１】［セルロースアセテートフイルムの表面処
理］セルロースアセテートフイルムは、表面処理を施す
ことが好ましい。具体的方法としては、コロナ放電処
理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、アルカリ処理
または紫外線照射処理が挙げられる。また、特開平７−
３３３４３３号明細書に記載のように、下塗り層を設け
ることも好ましく利用される。フイルムの平面性を保持
する観点から、これら処理においてセルロースアセテー
トフイルムの温度をＴｇ以下、具体的には１５０℃以下
とすることが好ましい。偏光板の透明保護膜として使用
する場合、偏光膜との接着性の観点から、酸処理または
アルカリ処理、すなわちセルロースアセテートに対する
鹸化処理を実施することが特に好ましい。表面エネルギ
ーは５５ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、６０ｍＮ
／ｍ以上７５ｍＮ／ｍ以下であることが更に好ましい。

【００５２】以下、アルカリ鹸化処理を例に、具体的に
説明する。アルカリ鹸化処理は、フイルム表面をアルカ
リ溶液に浸漬した後、酸性溶液で中和し、水洗して乾燥
するサイクルで行われることが好ましい。アルカリ溶液
としては、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液
が挙げられ、水酸化イオンの規定濃度は、０．１乃至
３．０Ｎの範囲にあることが好ましく、０．５乃至２．
０Ｎの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液
温度は、室温乃至９０℃の範囲にあることが好ましく、
４０乃至７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。固
体の表面エネルギーは、「ぬれの基礎と応用」（リアラ
イズ社 １９８９．１２．１０発行）に記載のように接
触角法、湿潤熱法、および吸着法により求めることがで
きる。セルロースアセテートフイルムの場合、接触角法
を用いることが好ましい。具体的には、表面エネルギー
が既知である二種の溶液をセルロースアセテートフイル
ムに滴下し、液滴の表面とフイルム表面との交点におい
て、液滴に引いた接線とフイルム表面のなす角で、液滴
を含む方の角を接触角と定義し、計算によりフイルムの
表面エネルギーを算出できる。

【００５３】［下塗り層］透明支持体と配向膜との接着
強度を増大させるために、透明支持体上に下塗層を設け
ることが好ましい。下塗層の形成は、一般に表面処理し
た透明支持体の表面に塗布により形成する。下塗層の構
成としても種々の工夫が行われており、第一層として高
分子フイルム（透明支持体）によく密着する層（以下、
下塗第一層と略す）を設け、その上に第二層として配向
膜とよく密着する親水性の樹脂層（以下、下塗第二層と
略す）を塗布する重層法と、疎水性基と親水性基との両
方を含有する樹脂層を一層のみ塗布する単層法とがあ
る。

【００５４】重層法における下塗第一層では、例えば塩
化ビニル、塩化ビニリデン、ブタジエン、メタクリル
酸、アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸などの中
から選ばれた単量体を出発原料とする共重合体；ポリエ
チレンイミン；エポキシ樹脂；グラフト化ゼラチン；ニ
トロセルロース；ポリ臭化ビニル、ポリフッ化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロ
ピレン、臭素化ポリエチレン、塩化ゴム、塩化ビニル−
エチレン共重合体、塩化ビニル−プロピレン共重合体、
塩化ビニル−スチレン共重合体、塩化イソブチレン共重
合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニ
ル−スチレン−無水マレイン酸三元共重合体、塩化ビニ
ル−スチレン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル
−ブタジエン共重合体、塩化ビニル−イソプレン共重合
体、塩化ビニル−塩素化プロピレン共重合体、塩化ビニ
ル−塩化ビニリデン−酢酸ビニル三元共重合体、塩化ビ
ニル−アクリル酸エステル共重合体、塩化ビニル−マレ
イン酸エステル共重合体、塩化ビニル−メタクリル酸エ
ステル共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合
体、内部可塑化ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニリデン−メ
タクリル酸エステル共重合体、塩化ビニリデン−アクリ
ロニトリル共重合体、塩化ビニリデンーアクリル酸エス
テル共重合体、クロロエチルビニルエーテル−アクリル
酸エステル共重合体及びポリクロロプレンなどの含ハロ
ゲン合成樹脂；ポリエチレン、ポリプロピエン、ポリブ
テン、ポリ−３−メチルブテン及びポリ−１，２−ブタ
ジエンなどのα−オレフィン共重合体；エチレン−プロ
ピレン共重合体、エチレン−ビニルエーテル共重合体、
エチレン−プロピレン−１，４−ヘキサジエン共重合
体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ブテン−１−プロ
ビレン共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合
体、およびこれらの共重合体とハロゲン含有樹脂とのブ
レンド物；アクリル酸メチルエステル−アクリロニトリ
ル共重合体、アクリル酸エチルエステル−スチレン共重
合体、メタクリル酸メチルエステル−アクリロニトリル
共重合体、ポリメタクリル酸メチルエステル、メタクリ
ル酸メチルエステル−スチレン共重合体、メチクリル酸
ブチルエステル−スチレン共重合体、ポリアクリル酸メ
チル、ポリ−α−クロルアクリル酸メチル、ポリアクリ
ル酸メトキシエチルエステル、ポリアクリル酸グリシジ
ルエステル、ポリアクリル酸ブチルエステル、ポリアク
リル酸メチルエステル、ポリアクリル酸エチルエステ
ル、アクリル酸−アクリル酸ブチル共重合体、アクリル
酸エステル−ブタジエン−スチレン共重合体及びメタク
ルル酸エステル−ブタジエン−スチレン共重合体などの
アクリル樹脂；ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレ
ン、スチレン−フマル酸ジメチル共重合体、スチレン−
無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−アクリロニトリル共重合及びスチレン−
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体等のスチレン系
樹脂；ポリ−２，６−ジメチルフェニレンオキサイド；
ポリビニルカルバゾール；ポリ−ｐ−キシリレン；ポリ
ビニルホルマール；ポリビニルアセタール；ポリビニル
ブチラール；ポリビニルフタレート；３酢酸セルロー
ス；酪酸セルロース；酪酢酸セルロース；セルロースフ
タレート；ナイロン６；ナイロン６６；ナイロン１２；
メトキシメチル−６−ナイロン；ナイロン−６，１０−
ポリカプラミド；ポリ−Ｎ−ブチル−ナイロン−６−ポ
リエチレンセバケート；ポリブチレングルタレート；ポ
リヘキサメチレンアジペート；ポリブチレンイソフタレ
ート；ポリエチレンテレフタレート；ポリエチレンアジ
ペート；ポリエチレンアジペートテレフタレート；ポリ
エチレン−２，６−ナフタレート；ポリジエチレングリ
コールテレフタレート；ポリエチレンオキシベンゾエー
ト；ビスフェノールＡ−イソフタレート；ポリアクリロ
ニトリル；ビスフェノールＡ−アジペート；ポリヘキサ
メチレン−ｍ−ベンゼンジスルホンアミド；ポリテトラ
メチレンヘキサメチレンカーボネート；ポリジメチルシ
ロキサン；ポリエチレンメチレンビス−４−フェニレン
カボーネート；及びビスフェノールＡ−ポリカーボネー
ト等のを挙げることができる。これらのオリゴマーもし
くはポリマーについてはＥ．Ｈ．Ｉｍｍｅｒｇｕｔ”Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ”、ＩＶ、１８７−２
３１、Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｓｅ Ｐｕｂ．Ｎｅｗ Ｙ
ｏｒｋ、１９６６に詳しく記載されている。下塗第二層
での材料としては、ゼラチンを挙げることができる。

【００５５】単層法においては、高分子フイルム（透明
支持体）を膨張させ、親水性下塗ポリマーと界面混合さ
せることによって良好な密着性が得られるように下塗層
が形成される。本発明に使用する親水性下塗ポリマーと
しては、水溶性ポリマー、セルロースエステル、ラテッ
クスポリマー、水溶性ポリエステルなどを使用すること
ができる。水溶性ポリマーとしては、ゼラチン、ゼラチ
ン誘導体、カゼイン、寒天、アルギン酸ソーダ、でんぷ
ん、ポリビニ−ルアルコール、ポリアクリル酸共重合体
及び無水マレイン酸共重合体などを挙げることができ、
セルロースエステルとしては、カルボキシメチルセルロ
ース及びヒドロキシエチルセルロースを挙げることがで
きる。ラテックスポリマーとしては、塩化ビニル含有共
重合体、塩化ビニリデン含有共重合体、アクリル酸エス
テル含有共重合体、酢酸ビニル含有共重合体及びブタジ
エン含有共重合体を挙げることができる。この中でも最
も好ましいのはゼラチンである。ゼラチンとしては、い
わゆる石灰処理ゼラチン、酸処理ゼラチン、酵素処理ゼ
ラチン、ゼラチン誘導体及び変性ゼラチンなどの、一般
に用いられているものを使用することができる。これら
のゼラチンのうち、最も好ましく用いられるのは石灰処
理ゼラチン、酸処理ゼラチンである。こらのゼラチン
は、その作製工程における種々の不純物、例えば０．１
１〜２００００ｐｐｍの金属類（Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｒ
ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉなどの金属、
及びそのイオンなど）、イオン（Ｆ^- 、Ｃｌ^- 、Ｂ
ｒ^- 、Ｉ^- 、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、ア
ンモニウムイオンなど）を含有していてもよい。特に石
灰処理ゼラチンにおいては、ＣａやＭｇのイオンを含有
するのが一般的であり、その含有量は１０〜３０００ｐ
ｐｍが一般的であり、下塗の塗布性能の点から１０００
ｐｐｍ以下が好ましく、更に好ましくは５００ｐｐｍ以
下である。本発明に用いる密着改良層（重層法における
下塗第二層および単層法における下塗層）に用いられる
化合物の具体例を下記に挙げる。

【００５６】

【化１】

【００５７】

【化２】

【００５８】

【化３】

【００５９】

【化４】

【００６０】

【化５】

【００６１】その他、下塗層形成用塗布液は、必要に応
じて各種の添加剤を含有させることができる。例えば界
面活性剤、耐電防止剤、顔料、塗布助剤等を挙げること
ができる。また本発明の下塗層には、公知の種々のゼラ
チン硬化剤を用いることができる。ゼラチン硬化剤とし
ては、クロム塩（クロム明ばんなど）、アルデヒド類
（ホルムアルデヒド、グルタールアルデヒドなど）、イ
ソシアネート類、エピクロルヒドリン樹脂及びポリアマ
イド−エピクロルヒドリン樹脂、シアヌルクロリド系化
合物、ビニルスルホンあるいはスルホニル系化合物、カ
ルバモイルアンモニウム塩系化合物、アミジニウム塩系
化合物、カルボジイミド化合物及びピリジニウム塩系化
合物などを挙げることができる。

【００６２】本発明の下塗層には、透明性を実質的に損
なわない程度に無機または、有機の微粒子をマット剤と
して含有させることができる。無機微粒子のマット剤と
しては、シリカ（ＳｉＯ₂ ）、二酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ₂ ）、炭酸カルシウム及び炭酸マグネシウムなどを使
用することができる。有機の微粒子マット剤としては、
ポリメチルメタクリレート、セルロースアセテートプロ
ピオネート、ポリスチレン及び米国特許第４１４２８９
４号に記載されているポリマーなどを用いることができ
る。これらの微粒子マット剤の平均粒径は０．０１〜１
０μｍのものが好ましい。より好ましくは、０．０５〜
５μｍである。また、その含有量は、０．５〜６００ｍ
ｇ／ｍ² が好ましく、更に１〜４００ｍｇ／ｍ² が好ま
しい。

【００６３】［配向膜］配向膜は、一般に透明支持体上
又は上記下塗層上に設けられる。配向膜は、その上に設
けられる液晶性ディスコティック化合物の配向方向を規
定するように機能する。そしてこの配向が、光学補償シ
ートから傾いた光軸を与える。配向膜は、光学異方層に
配向性を付与できるものであれば、どのような層でも良
い。配向膜の好ましい例としては、有機化合物（好まし
くはポリマー）のラビング処理された層、無機化合物の
斜方蒸着層、及びマイクログルーブを有する層、さらに
ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウム
クロライド及びステアリル酸メチル等のラングミュア・
ブロジェット法（ＬＢ膜）により形成される累積膜、あ
るいは電場あるいは磁場の付与により誘電体を配向させ
た層を挙げることができる。

【００６４】配向膜用の有機化合物の例としては、ポリ
メチルメタクリレート、アクリル酸／メタクリル酸共重
合体、スチレン／マレインイミド共重合体、ポリビニル
アルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、
スチレン／ビニルトルエン共重合体、クロロスルホン化
ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩
素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸
ビニル／塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共
重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリエチレン、
ポリプロピレン及びポリカーボネート等のポリマー及び
シランカップリング剤等の化合物を挙げることができ
る。好ましいポリマーの例としては、ポリイミド、ポリ
スチレン、スチレン誘導体のポリマー、ゼラチン、ポリ
ビルアルコール及びアルキル基（炭素原子数６以上が好
ましい）を有するアルキル変性ポリビルアルコールを挙
げることができる。これらのポリマーの層を配向処理す
ることにより得られる配向膜は、液晶性ディスコティッ
ク化合物を斜めに配向させることができる。

【００６５】中でもアルキル変性のポリビニルアルコー
ルは特に好ましく、液晶性ディスコティック化合物を均
一に配向させる能力に優れている。これは配向膜表面の
アルキル鎖とディスコティック液晶のアルキル側鎖との
強い相互作用のためと推察される。また、アルキル基
は、炭素原子数６〜１４が好ましく、更に、−Ｓ−、−
（ＣＨ₃ ）Ｃ（ＣＮ）−または−（Ｃ₂ Ｈ₅ ）Ｎ−ＣＳ
−Ｓ−を介してポリビニルアルコールに結合しているこ
とが好ましい。上記アルキル変性ポリビニルアルコール
は、未端にアルキル基を有するものであり、鹸化度８０
％以上、重合度２００以上が好ましい。また、上記側鎖
にアルキル基を有するポリビニルアルコールは、クラレ
（株）製のＭＰ１０３、ＭＰ２０３、Ｒ１１３０などの
市販品を用いることができる。

【００６６】また、ＬＣＤの配向膜として広く用いられ
ているポリイミド膜（好ましくはフッ素原子含有ポリイ
ミド）も有機配向膜として好ましい。これはポリアミッ
ク酸（例えば、日立化成（株）製のＬＱ／ＬＸシリー
ズ、日産化学（株）製のＳＥシリーズ等）を支持体面に
塗布し、１００〜３００℃で０．５〜１時間焼成した
後、ラビングすることにより得られる。更に、本発明の
配向膜は、上記ポリマーに反応性基を導入することによ
り、あるいは上記ポリマーをイソシアネート化合物及び
エポキシ化合物などの架橋剤と共に使用して、これらの
ポリマーを硬化させることにより得られる硬化膜である
ことが好ましい。

【００６７】また、前記ラビング処理は、ＬＣＤの液晶
配向処理工程として広く採用されている処理方法を利用
することができる。即ち、配向膜の表面を、紙やガー
ゼ、フェルト、ゴムあるいはナイロン、ポリエステル繊
維などを用いて一定方向に擦ることにより配向を得る方
法を用いることができる。一般的には、長さ及び太さが
均一な繊維を平均的に植毛した布などを用いて数回程度
ラビングを行うことにより実施される。

【００６８】また、無機斜方蒸着膜の蒸着物質として
は、ＳｉＯを代表とし、ＴｉＯ₂ 、ＺｎＯ₂ 等の金属酸
化物、あるいやＭｇＦ₂ 等のフッ化物、さらにＡｕ、Ａ
ｌ、等の金属が挙げられる。尚、金属酸化物は、高誘電
率のものであれば斜方蒸着物質として用いることがで
き、上記に限定されるものではない。無機斜方蒸着膜
は、蒸着装置を用いて形成することができる。フイルム
（支持体）を固定して蒸着するか、あるいは長尺フイル
ムを移動させて連続的に蒸着することにより無機斜方蒸
着膜を形成することができる。

【００６９】光学異方層を配向膜を使用せずに配向させ
る方法として、支持体上の光学異方層をディスコティッ
ク液晶層を形成し得る温度に加熱しながら、電場あるい
は磁場を付与する方法を挙げることができる。

【００７０】本発明の光学異方層は、透明支持体または
配向膜上に形成される。本発明の光学異方層は、ディス
コティック構造単位を有する化合物からなる負の複屈折
を有する層である。即ち、光学異方層は、モノマー等の
低分子量の液晶性ディスコティック化合物の層または重
合性の液晶性ディスコティック化合物の重合（硬化）に
より得られるポリマーの層である。本発明のディスコテ
ィック（円盤状）化合物の例としては、Ｃ．Ｄｅｓｔｒ
ａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．７１巻、１
１１頁（１９８１年）に記載されているベンゼン誘導
体、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒ
ｙｓｔ．１２２巻、１４１頁（１９８５年）、Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ ｌｅｔｔ，Ａ，７８巻、８２頁（１９９０）に
記載されているトルキセン誘導体、Ｂ．Ｋｏｈｎｅらの
研究報告、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．９６巻、７０頁（１
９８４年）に記載されたシクロヘキサン誘導体及びＪ．
Ｍ．Ｌｅｈｎらの研究報告、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕ
ｎ．，１７９４頁（１９８５年）、Ｊ．Ｚｈａｎｇらの
研究報告、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１６巻、２
６５５頁（１９９４年）に記載されているアザクラウン
系やフェニルアセチレン系マクロサイクルなどを挙げる
ことができる。上記ディスコティック（円盤状）化合物
は、一般的にこれらを分子中心の母核とし、直鎖のアル
キル基やアルコキシ基、置換ベンゾイルオキシ基等がそ
の直鎖として放射線状に置換された構造であり、液晶性
を示し、一般的にディスコティック液晶とよばれるもの
が含まれる。ただし、分子自身が負の一軸性を有し、一
定の配向を付与できるものであれば上記記載に限定され
るものではない。また、本発明において、円盤状化合物
から形成したとは、最終的にできた物が前記化合物であ
る必要はなく、例えば、前記低分子ディスコティツク液
晶が熱、光等で反応する基を有しており、結果的に熱、
光等で反応により重合または架橋し、高分子量化し液晶
性を失ったものも含まれる。

【００７１】上記ディスコティック化合物の好ましい例
を下記に示す。

【００７２】

【化６】

【００７３】

【化７】

【００７４】

【化８】

【００７５】

【化９】

【００７６】

【化１０】

【００７７】

【化１１】

【００７８】

【化１２】

【００７９】

【化１３】

【００８０】

【化１４】

【００８１】

【化１５】

【００８２】

【化１６】

【００８３】本発明の光学補償シートは、前述のよう
に、透明支持体上に配向膜を設け、次いで配向膜上に光
学異方層を形成することにより作製されることが好まし
い。

【００８４】本発明の光学異方層は、ディスコティック
構造単位を有する化合物からなる負の複屈折を有する層
であって、そしてディスコティック構造単位の面が、透
明支持体面に対して傾き、且つ該ディスコティック構造
単位の面と透明支持体面とのなす角度が、光学異方層の
深さ方向に変化している。

【００８５】上記ディスコティック構造単位の面の角度
（傾斜角）は、一般に、光学異方層の深さ方向でかつ光
学異方層の底面からの距離の増加と共に増加または減少
している。上記傾斜角は、距離の増加と共に増加するこ
とが好ましい。更に、傾斜角の変化としては、連続的増
加、連続的減少、間欠的増加、間欠的減少、連続的増加
と連続的減少を含む変化、及び増加及び減少を含む間欠
的変化等を挙げることができる。間欠的変化は、厚さ方
向の途中で傾斜角が変化しない領域を含んでいる。傾斜
角は、変化しない領域を含んでいても、全体として増加
または減少していることが好ましい。更に、傾斜角は全
体として増加していることが好ましく、特に連続的に変
化することが好ましい。

【００８６】本発明の光学異方層の断面の代表的な例
を、模式的に図１に示す。光学異方層２３は、透明支持
体２１上に形成された配向膜２２上に設けられている。
光学異方層２３を構成する液晶性ディスコティック化合
物２３ａ、２３ｂ、２３ｃは、ディスコティック構造単
位Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃが透明支持体２１の面に平行な面２
１ａ、２１ｂ、２１ｃから傾斜し、そしてそれらの傾斜
角θａ、θｂ、θｃ（ディスコティック構造単位の面と
透明支持体の面とのなす角）が、光学異方層の底面から
の深さ（厚さ）方向の距離の増加と共に、順に増加して
いる。２４は透明支持体の法線を表わす。上記液晶性デ
ィスコティック化合物は平面分子であり、それ故分子中
にはただ一個の平面、即ち円盤面（例、２１ａ、２１
ｂ、２１ｃ）を持つ。

【００８７】上記傾斜角（角度）は、５〜８５度の範囲
（特に１０〜８０度の範囲）で変化していることが好ま
しい。上記傾斜角の最小値は、０〜８５度の範囲（特に
５〜４０度）にあり、またその最大値が５〜９０度の範
囲（特に３０〜８５度）にあることが好ましい。図１に
おいて、支持体側のディスコティック構造単位の傾斜角
（例、θａ）が、ほぼ最小値に対応し、そしてディスコ
ティック構造単位の傾斜角（例、θｃ）が、ほぼ最大値
に対応している。さらに、傾斜角の最小値と最大値との
差が、５〜７０度の範囲（特に１０〜６０度）にあるこ
とが好ましい。

【００８８】上記光学異方層は、一般にディスコティッ
ク化合物及び他の化合物を溶剤に溶解した溶液を配向膜
上に塗布し、乾燥し、次いでディスコティックネマチッ
ク相形成温度まで加熱し、その後配向状態（ディスコテ
ィックネマチック相）を維持して冷却することにより得
られる。あるいは、上記光学異方層は、ディスコティッ
ク化合物及び他の化合物（更に、例えば重合性モノマ
ー、光重合開始剤）を溶剤に溶解した溶液を配向膜上に
塗布し、乾燥し、次いでディスコティックネマチック相
形成温度まで加熱したのち重合させ（ＵＶ光の照射等に
より）、さらに冷却することにより得られる。本発明に
用いるディスコティック液晶性化合物のディスコティッ
クネマティック液晶相−固相転移温度としては、７０〜
３００℃が好ましく、特に７０〜１７０℃が好ましい。

【００８９】例えば、支持体側のディスコティック単位
の傾斜角は、一般にディスコティック化合物あるいは配
向膜の材料を選択することにより、またはラビング処理
方法の選択することにより、調整することができる。ま
た、表面側（空気側）のディスコティック単位の傾斜角
は、一般にディスコティック化合物あるいはディスコテ
ィック化合物とともに使用する他の化合物（例、可塑
剤、界面活性剤、重合性モノマー及びポリマー）を選択
することにより調整することができる。更に、傾斜角の
変化の程度も上記選択により調整することができる。

【００９０】上記可塑剤、界面活性剤及び重合性モノマ
ーとしては、ディスコティック化合物と相溶性を有し、
液晶性ディスコティック化合物の傾斜角の変化を与えら
れるか、あるいは配向を阻害しない限り、どのような化
合物も使用することができる。これらの中で、重合性モ
ノマー（例、ビニル基、ビニルオキシ基、アクリロイル
基及びメタクリロイル基を有する化合物）が好ましい。
上記化合物は、ディスコティック化合物に対して一般に
１〜５０質量％（好ましくは５〜３０質量％）の量にて
使用される。

【００９１】上記ポリマーとしては、ディスコティック
化合物と相溶性を有し、液晶性ディスコティック化合物
に傾斜角の変化を与えられる限り、どのようなポリマー
でも使用することができる。ポリマー例としては、セル
ロースエステルを挙げることができる。セルロースエス
テルの好ましい例としては、セルロースアセテート、セ
ルロースアセテートプロピオネート、ヒドロキシプロピ
ルセルロース及びセルロースアセテートブチレートを挙
げることができる。上記ポリマーは、液晶性ディスコテ
ィック化合物の配向を阻害しないように、ディスコティ
ック化合物に対して一般に０．１〜１０質量％（好まし
くは０．１〜８質量％、特に０．１〜５質量％）の量に
て使用される。セルロースアセテートブチレート（酢酸
酪酸セルロース）のブチリル化度は、３０％以上、特に
３０〜８０％の範囲が好ましい。またアセチル化度は３
０％以上、特に３０〜８０％の範囲が好ましい。セルロ
ースアセテートブチレートの粘度（ＡＳＴＭ Ｄ−８１
７−７２に従う測定により得られる値）は、０．０１〜
２０秒の範囲が好ましい。

【００９２】上記図１に示される変化する傾斜角を有す
る光学異方層（光学補償シート）を備えた（カラー）液
晶表示装置は、極めて拡大された視野角を有し、そして
白黒画像の反転、あるいは表示画像の諧調あるいは着色
の発生がほとんどないものである。

【００９３】更に、本発明の（カラー）液晶表示装置に
おいて、より高度に視野角が拡大した理由については以
下のように推定される。例えば、本発明のカラー液晶表
示装置において、偏光子と検光子の透過軸がほぼ直交し
ているノーマリーホワイトのモード（ＴＮ−ＬＣＤで広
く採用されているモード）では、黒表示状態にある部分
は液晶に電圧が印加されている状態であり、視角を大き
くするのに伴って、この黒表示部からの光の透過率が著
しく増大し、コントラストの急激な低下を招いている。
この黒表示状態（電圧印加時）においては、ＴＮ液晶セ
ル内部の液晶分子は、図２に示すように配列している。
基板表面近傍に存在するＴＮ液晶分子３３は、基板３１
ａの表面とほぼ平行に存在しており、そしてＴＮ液晶分
子３３は、基板３１ａの表面から離れるに従って徐々に
傾いて、表面と垂直になる。更に基板３１ａの表面から
離れるに従って、ＴＮ液晶分子３３は、反対方向に徐々
に傾いて、最後には基板３１ｂの表面とほぼ平行とな
る。従って、黒表示におけるＴＮ−ＬＣＤの液晶セル
は、セル表面から徐々に傾く光軸（Ｒｅが最小値を示す
方向）を有する二個の正の光学異方体とセル表面の法線
に平行な光軸を有する二個の正の光学異方体との積層体
とみなすことができる。このため、本発明の光学異方層
のディスコティック構造単位面の傾斜角の変化及び負の
複屈折により、電圧印加時のＴＮ液晶セル内部の液晶分
子の傾斜等により発生する位相差を補償することができ
る。従って、変化する傾斜角を有する光学異方層（光学
補償シート）を備えたカラー液晶表示装置は、視角を大
きくして表示装置を斜めから見た場合でも、白黒画像の
反転、あるいは表示画像の諧調あるいは着色の発生がほ
とんどないものである。

【００９４】上記光学異方層のヘイズは、一般に５．０
％以下である。従って、上記光学異方層を有する光学補
償シートも、透明支持体のヘイズが低いことから、一般
に５．０％以下を有する。上記ヘイズは、ＡＳＴＮ−Ｄ
１００３−５２に従って測定される。光学異方層のヘイ
ズが高いと、黒表示部において散乱によると思われる光
洩れが起こり、結果としてコントラストが低下する。こ
の傾向は、入射光が法線方向および画像の上方向に傾い
た場合に顕著である。したがって、これを防ぐために
は、上記ヘイズは５％以下が好ましく、さらに３％以下
が好ましく、特に１％以下であることが好ましい。一般
にヘイズは、表面が粗であること（細かな凹凸、キズ）
あるいは内部の不均一性（屈折率の異なる微少部分の存
在）に起因するのものであり、それを低くするために
は、光学補償シートの表面を平滑にし、内部の屈折率の
不均一性を小さくすることが必要となる。本発明の光学
補償シートは、平滑な表面及び均一な内部を有する光学
異方層が形成されているので、低いヘイズを有する。更
にヘイズを低下させるために、例えば、光学異方層の上
に保護層、または粘着層を形成すること、あるいは光学
異方層の形成条件を適当に選択することが好ましい。光
学補償シートまたは光学異方層の平滑な表面は、上記の
ようにして容易に得ることができる。

【００９５】また、上記保護層として用いる化合物も特
に制限はないが、製膜能の観点からポリマーが好まし
く、円盤状化合物を溶解しない溶剤に可溶であることが
好ましい。ポリマーの具体例としては、ゼラチン、メチ
ルセルロース、アルギン酸、ペクチンアラビアゴム、プ
ルラン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ン、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンゼンスルホン
酸ソーダ、カラギナン、ポリエチレングリコール等の水
溶性高分子を挙げることができる。上記粘着層を、上記
保護層の代わりに光学異方層上に設けることができる。
粘着層は、一般に光学補償シートを液晶表示装置に組み
込む際に形成される。粘着層の材料としては、特に制限
はなく、アクリル系、ＳＢＲ系、シリコンゴム系等の透
明な接着剤、ないし粘着剤を用いることができる。構成
部材の光学特性の劣化防止の観点から、硬化や乾燥の際
に高温のプロセスを要しないものが好ましく、長時間の
硬化処理や乾燥時間を要しないものが好ましい。光学補
償シートの平滑な表面は、光学異方層の表面に粘着層ま
たは保護層形成用塗布液を平滑な表面を有するように塗
布することにより得ることができ、これによりヘイズを
低下させることができる。本発明では、生産性の観点か
ら保護層よりむしろ粘着層の塗設が好ましい。光学異方
層の形成条件は、ディスコティック化合物を含む組成
（ディスコティック化合物の組み合わせや、併用する他
の化合物の種類や量）により適宜選択される。その条件
としては、ディスコティックネマチック層を形成するた
めの加熱温度あるいは加熱時間、加熱後の冷却速度、層
厚そして塗布方法等を挙げることができる。また、円盤
状化合物は、該化合物の性質、塾成条件等により、複数
の異なるドメインを形成する場合があり、これが層内部
の不均一性に起因するヘイズとなる。このようなヘイズ
の低減には、円盤状化合物をモノドメインとすること、
あるいは複数のドメインを形成しても、その１つ１つの
ドメインサイズを０．１μｍ以下、好ましくは０．０８
μｍ以下とすることにより、可視光に影響を及ぼさなく
することができる。

【００９６】光学異方層を形成するための溶液は、ディ
スコティック化合物及び前述の他の化合物を溶剤に溶解
することにより作製することができる。上記溶剤の例と
しては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジ
メチルスルフォキシド（ＤＭＳＯ）及びピリジン等の極
性溶剤；ベンゼン及びヘキサン等の無極性溶剤；クロロ
ホルム及びジクロロメタン等のアルキルハライド類；酢
酸メチル及び酢酸ブチル等のエステル類；アセトン及び
メチルエチルケトン等のケトン類；及びテトラヒドロフ
ラン及び１，２−ジメトキシエタン等のエーテル類を挙
げることができる。アルキルハライド類及びケトン類が
好ましい。溶剤は単独でも、組合わせて使用しても良
い。

【００９７】上記溶液の塗布方法としては、カーテンコ
ーティング、押出コーティング、ロールコーティング、
ディップコーティング、スピンコーティング、印刷コー
ティング、スプレーコーティング及びスライドコーティ
ングを挙げることができる。本発明では、ディスコティ
ック化合物のみの混合物の場合は蒸着法も使用すること
ができる。本発明では、連続塗布が好ましい。従ってカ
ーテンコーティング、押出コーティング、ロールコーテ
ィング及びスライドコーティングが好ましい。上記光学
異方層は、前述したように、上記塗布溶液を配向膜上に
塗布し、乾燥し、次いでガラス転移温度以上に加熱し
（その後所望により硬化させ）、冷却することにより得
られる。

【００９８】本発明の光学補償シートは、液晶表示装置
において、液晶セルによる複屈折を補償するものである
から、光学異方素子の波長分散は、液晶セルと等しいこ
とが好ましい。すなわち、光学異方素子の４５０、５５
０μｍの光によるレタデーションをそれぞれＲ₄₅₀ 、Ｒ
₅₅₀ とすれば、波長分散を表すＲ₄₅₀ ／Ｒ₅₅₀ 値は、
１．０以上であることが好ましい。

【００９９】［偏光板］偏光板は、偏光膜およびその両
側に配置された二枚の透明保護膜からなる。一方の保護
膜として、上記のセルロースアセテートフイルムを用い
ることができる。他方の保護膜は、通常のセルロースア
セテートフイルムを用いてもよい。偏光膜には、ヨウ素
系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン
系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜および染料系偏光膜
は、一般にポリビニルアルコール系フイルムを用いて製
造する。本発明の光学補償シートを偏光膜の保護膜とす
ることで、偏光板の構成要素の数を増加することなく、
偏光板に光学補償機能を追加することができる。セルロ
ースアセテートフイルムの遅相軸と偏光膜の透過軸と
は、実質的に平行になるように配置することが好まし
い。実質的に平行とは、厳密な角度よりも±５゜未満の
範囲内であることを意味する。この範囲は、±４゜未満
であることが好ましく、±３゜未満であることがさらに
好ましく、±２゜未満であることが最も好ましい。

【０１００】また、偏光板の生産性には保護膜の透湿性
が重要であることがわかった。偏光膜と保護膜は水系接
着剤で貼り合わせられており、この接着剤溶剤は保護膜
中を拡散することで、乾燥される。保護膜の透湿性が高
ければ、高いほど乾燥は早くなり、生産性は向上する
が、高くなりすぎると、液晶表示装置の使用環境（高湿
下）により、水分が偏光膜中に入ることで偏光能が低下
する。従って、本発明の光学補償シートを偏光膜の保護
膜として用いる場合、光学補償シートの透湿性は１００
乃至１０００（ｇ／ｍ² ）／２４ｈｒｓの範囲にあるこ
とが好ましく、３００乃至７００（ｇ／ｍ² ）／２４ｈ
ｒｓの範囲にあることが更に好ましい。光学補償シート
の透湿性は、透明支持体（および重合性液晶化合物）の
厚み、自由体積、もしくは、親疎水性などにより決定さ
れる。

【０１０１】透明支持体の厚みは、セルロースアセテー
トフイルムを製膜する場合の、リップ流量とラインスピ
ード、あるいは、フィルムの延伸、圧縮により調整する
ことができる。使用する主素材にあわせてフイルムの厚
みを調整することにより、透湿性を好ましい範囲にする
ことができる。透明支持体の自由体積は、製膜の際の乾
燥温度と時間により調整することができる。この場合も
また、使用する主素材にあわせて自由体積を調整するこ
とにより、透湿性を好ましい範囲にすることができる。
透明支持体の親疎水性は、添加剤により調整することが
できる。自由体積中に親水性添加剤を添加することで透
湿性は高くなり、逆に疎水性添加剤を添加することで透
湿性を低くすることができる。光学補償シートの透湿性
を調整することにより、光学補償能を有する偏光板を安
価に高い生産性で製造することが可能となる。

【０１０２】［液晶表示装置］本発明の液晶表示装置の
代表的構成例を図３に示す。図３において、透明電極を
備えた一対の基板とその基板間に封入されたねじれ配向
したネマチック液晶とからなる液晶セルＴＮＣ、液晶セ
ルの両側に設けられた一対の偏光板Ａ、Ｂ、液晶セルと
偏光板との間に配置された光学補償シートＲＦ₁ 、ＲＦ
₂ 及びバックライトＢＬが、組み合わされて液晶表示装
置を構成している。光学補償シートは一方のみ配置して
も良い（即ち、ＲＦ₁ またはＲＦ₂ ）。Ｒ₁ は光学補償
シートＲＦ₁ の、正面から見た場合のラビング方向を示
し、Ｒ₂ は光学補償シートＲＦ₂のラビング方向を示
す。液晶セルＴＮＣの実線の矢印は、液晶セルの偏光板
Ｂ側の基板のラビング方向を表わし、液晶セルＴＮＣの
点線の矢印は、液晶セルの偏光板Ａ側の基板のラビング
方向を表わす。ＰＡ及びＰＢは、それぞれ偏光板Ａ、Ｂ
の偏光軸を表わす。

【０１０３】本発明の液晶表示装置においては、光学補
償シートと液晶セルは下記のように配置されることが好
ましい。図４は、レターデーションの最小値の方向と液
晶セルの基板のラビング方向との関係を示す図である。
一対の偏光板６３ａ、６３ｂが、液晶セル６１の両側に
配置され、そして光学補償シート６２が偏光板６３ａと
液晶セル６１との間に配置されている。光学補償シート
は、一般に、光学異方層が液晶セルの表面と接するよう
に配置される。６２Ｍは、光学補償シート６２のレター
デーションの絶対値の最小値の方向を液晶セル上に正投
影した時の方向である。この方向は、一般に光学補償シ
ートの配向膜のラビング方向に対応する。６１Ｒａは、
液晶セル６１の上側基板のラビング方向を表わし、６１
Ｒｂは、液晶セル６１の下側基板のラビング方向を表わ
す。

【０１０４】レターデーションの絶対値の最小値の方向
を液晶セル上に正投影した時の方向６２Ｍと液晶セルの
上側基板のラビング方向６１Ｒａとのなす角（α）は、
９０〜２７０度の範囲にあることが好ましい。即ち、上
記角（α）は、図５のように定義することができる。図
５は、図４をｚ軸方向から見た時に得られる図である。
図５において、６１Ｒａ、６１Ｒｂ及び６２Ｍは、図４
におけると同義である。角（α）は、レターデーション
の最小値を示す正投影方向６２Ｍと上側基板のラビング
方向６１Ｒａとの角度を示す。この配置は、光学補償シ
ートを２枚使用する場合にも適用することができる。１
枚の光学補償シートを使用する場合、レターデーション
の最小値を示す正投影方向６２Ｍは、主視角方向である
こと（シートをセルの上側に設けた場合）、または反視
角方向であること（シートをセルの下側に設けた場合）
が好ましい。主視角方向とは、液晶セル中の液晶分子の
平均のツイスト方向であり、従ってＴＮ液晶分子を図４
のｚ軸の方向からみて反時計方向に９０度ねじられた場
合に、ｘ軸のマイナス方向である。反視角方向とは、主
視角方向と反対の方向である。

【０１０５】本発明の液晶表示装置においては、図６に
示すように、一対の光学補償シートが液晶セルの両側に
設けられることが好ましい。図６では、一対の偏光板８
３ａ、８３ｂが、液晶セル８１の両側に配置され、そし
て光学補償シート８２ａが偏光板８３ａと液晶セル８１
との間に配置され、かつ光学補償シート８２ｂが偏光板
８３ｂと液晶セル８１との間に配置されている。８２Ｍ
ａは、光学補償シート８２ａのレターデーションの絶対
値の最小値の方向を液晶セル上に正投影した時の方向で
あり、８２Ｍｂは、光学補償シート８２ｂのレターデー
ションの絶対値の最小値の方向を液晶セル上に正投影し
た時の方向である。８１Ｒａは、液晶セル８１の上側基
板のラビング方向を表わし、８１Ｒｂは、液晶セル８１
の下側基板のラビング方向を表わす。８４は光源を表わ
す。

【０１０６】レターデーションの絶対値の最小値の方向
を液晶セル上に正投影した時の方向８２Ｍａと液晶セル
の上側基板のラビング方向８１Ｒａとのなす角（α１）
及び８２Ｍｂと８１Ｒｂとなす角（α２）は、１３５〜
２２５度の範囲にあることが好ましい。即ち、上記角
（α１とα２）は、図７のように定義することができ
る。図７は、図６をｚ軸方向から見た時に得られる図で
ある。図７において、８１Ｒａ、８１Ｒｂ、８２Ｍａ及
び８２Ｍｂは、図６におけると同義である。角（α１）
は、レターデーションの最小値を示す正投影方向８２Ｍ
ａと上側基板のラビング方向８１Ｒａとの角度であり、
角（α２）は、レターデーションの最小値を示す正投影
方向８２Ｍｂと下側基板のラビング方向８１Ｒｂとの角
度である。レターデーションの最小値を示す正投影方向
８２Ｍａと８２Ｍｂとのなす角（β１）は、９０〜１８
０度の範囲が好ましい。

【０１０７】本発明の液晶表示装置においては、図８に
示すように、２枚の光学補償シートを液晶セルの一方の
側に設けても良い。図８では、一対の偏光板１０３ａ、
１０３ｂが、液晶セル１０１の両側に配置され、そして
光学補償シート１０２ａ、１０２ｂが、偏光板１０３ａ
と液晶セル１０１との間に配置されている。１０２Ｍａ
は、光学補償シート１０２ａのレターデーションの絶対
値の最小値の方向を液晶セル上に正投影した時の方向で
あり、１０２Ｍｂは、光学補償シート１０２ｂのレター
デーションの絶対値の最小値の方向を液晶セル上に正投
影した時の方向である。１０１Ｒａは、液晶セル１０１
の上側基板のラビング方向を表わし、１０１Ｒｂは、液
晶セル１０１の下側基板のラビング方向を表わす。１０
４は光源を表わす。

【０１０８】レターデーションの絶対値の最小値の方向
を液晶セル上に正投影した時の方向１０２Ｍａと液晶セ
ルの上側基板のラビング方向１０１Ｒａとのなす角（α
３）１３５〜２２５度の範囲にあることが好ましく、１
０２Ｍｂと１０１Ｒｂとなす角（α４）は、−４５〜４
５度の範囲にあることが好ましい。即ち、上記角（α３
とα４）は、図９のように定義することができる。図９
は、図８をｚ軸方向から見た時に得られる図である。図
９において、１０１Ｒａ、１０１Ｒｂ、１０２Ｍａ及び
１０２Ｍｂは、図８におけると同義である。角（α３）
は、レターデーションの最小値を示す正投影方向１０２
Ｍａと上側基板のラビング方向１０１Ｒａとの角度であ
り、角（α４）は、レターデーションの最小値を示す正
投影方向１０２Ｍｂと下側基板のラビング方向１０１Ｒ
ｂとの角度である。レターデーションの最小値を示す正
投影方向１０２Ｍａと１０２Ｍｂとのなす角（β１）
は、０〜１２０度の範囲が好ましい。

【０１０９】上記レターデーションの最小値の方向と液
晶セルの基板のラビング方向との関係は、カラー液晶表
示装置にも適用することができる。本発明のカラー液晶
表示装置の代表的構成例を図１０に示す。図１０におい
て、対向透明電極１２２とカラーフィルタ１２５を備え
たガラス基板１２４ａ、画素電極１２３とＴＦＴ１２６
を備えたガラス基板１２４ｂ、この２枚の基板間に封入
されたねじれ配向したネマチック液晶１２１とからなる
液晶セル、液晶セルの両側に設けられた一対の偏光板１
２８ａ、１２８ｂ、及び液晶セルと偏光板との間に配置
された一対の光学補償シート１２７ａ、１２７ｂが、組
み合わせられてカラー液晶表示装置を構成している。光
学補償シートは一方のみ配置しても良い（即ち、１２７
ａまたは１２７ｂ）。

【０１１０】本発明のカラー液晶表示装置に用いるカラ
ーフィルターとしては、色純度、寸法精度、さらには耐
熱性の高いものであればどのようなものでも使用するこ
とができる。好ましい例としては、染色フィルター、印
刷フィルター、電着フィルターあるいは顔料分散フィル
タ等を挙げることができる。これらは、小林駿介編著
「カラー液晶デスプレイ」（産業図書、１７２〜１７３
頁、２３７〜２５１頁）、あるいは日経マイクロデバイ
ス編「フラットパネル・ディスプレイ１９９４」（日経
ＢＰ社、２１６頁）等に記載されている。例えば、染色
フィルターは、ゼラチンやカゼイン、ＰＶＡ等の基質に
重クロム酸塩を加えて感光性を付与し、ファトリソグラ
ッフィー法によってパターンニングした後、染色して得
ることができる。

【０１１１】また本発明の（カラー）液晶表示装置に用
いる液晶としては、例えば日本学術振興会第１４２委員
会編「液晶デバイスハンドブック」（日刊工業新聞社、
１０７頁〜２１３頁）記載のネマティック液晶が好まし
い。液晶セルはＴＮモードおよびＯＣＢモードである事
が好ましく、ＴＮモードの場合、この液晶分子の長軸
は、液晶セルの上下基板間でほぼ９０℃ツイスト配向し
たものであるので、入射した直線偏光は印加電界がない
場合には、液晶セルの旋光性によって９０℃偏光方向を
変えて液晶セルから出射することになる。しきい値以上
の充分高い電界を印加した時には、液晶分子の長軸が電
界方向に向きを変え、電極面に垂直に並ぶため、旋光性
は殆ど消失する。したがって、この旋光の効果を充分に
発揮させるためには、ツイスト角は７０〜１００℃が好
ましく、８０℃〜９０℃がさらに好ましい。

【０１１２】この電界による液晶分子の配列の欠陥（デ
ィスクリネーション）を少なくするため、液晶分子にあ
らかじめプレチルト角を与えておくことが好ましい。プ
レチルト角は５℃以下が好ましく、さらに、２℃〜４℃
が好ましい。上記ツイスト角、プレチルト角について
は、岡野光治、小林駿介共編「液晶応用編」（培風館、
１６頁〜２８頁）に記載されている。またＯＣＢモード
の場合、ＯＣＢモードの液晶セルは、棒状液晶性分子を
液晶セルの上部と下部とで実質的に逆の方向に（対称的
に）配向させるベンド配向モードの液晶セルを用いた液
晶表示装置であり、米国特許４５８３８２５号、同５４
１０４２２号の各明細書に開示されている。棒状液晶性
分子が液晶セルの上部と下部とで対称的に配向している
ため、ベンド配向モードの液晶セルは、自己光学補償機
能を有する。そのため、この液晶モードは、ＯＣＢ(Opt
ically Compensatory Bend）液晶モードとも呼ばれる。
ベンド配向モードの液晶表示装置は、応答速度が速いと
の利点がある。

【０１１３】さらに液晶セルの屈折率異方性△ｎと、液
晶セルにおける液晶層の厚みｄとの積（△ｎ・ｄ）の値
は、例えば日本学術振興会第１４２委員会編「液晶デバ
イスハンドブック」（日刊工業新聞社、３２９頁〜３３
７頁）に記載されているように、ｄが大きくなればコン
トラストは改良されるものの、応答速度が遅く、また視
野角も小さくなるため、０．３〜１．０μｍの範囲が好
ましく、０．３〜０．６μｍの範囲がより好ましい。

【０１１４】本発明のカラー液晶表示装置に印加される
信号は、例えば日本学術振興会第１４２委員会編「液晶
デバイスハンドブック」（日刊工業新聞社、３８７頁〜
４６５頁）、あるいは岡野光治、小林駿介共編「液晶
応用編」（倍風館、８５頁〜１０５頁）等に記載されて
いるように、５Ｈｚ〜１００Ｈｚの交流で、電圧は２０
Ｖ以下、好ましくは８Ｖ以下の信号である。たとえばノ
ーマリーホワイトモードでは、印加電圧が０〜１．５Ｖ
で明表示、１．５Ｖ〜３．０Ｖで中間調表示、３．０Ｖ
以上で暗表示を行なうことが一般的である。

【０１１５】本発明のカラー液晶表示装置及び液晶表示
装置で使用することができる偏光板の材料は特に限定さ
れることはなく、どのような材料でも使用することがで
きる。一般に、偏光板は、偏光子とその両側に設けられ
た保護フイルムとからなる。偏光子は、例えば、延伸ポ
リビニルアルコール等の親水性ポリマーにヨウ素または
染料で処理して得られる

【０１１６】以上の液晶表示装置の説明では、市販の偏
光板と液晶セルの間に光学補償シートを配置する例を示
した。光学補償シートと偏光膜とを積層させた本発明の
偏光板を、上記の液晶表示装置の市販の偏光板と光学補
償シートの代わりに用いることができる。この場合液晶
表示装置の構成要素（上記の例では、液晶セルと偏光板
の偏光膜との間にある保護膜）を減らすことができ、液
晶表示装置の厚さを薄くでき、そして製造コストも下げ
ることができる。

【０１１７】

【実施例】［実施例１］下記の組成物をミキシングタン
クに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、
セルロースアセテート溶液を調製した。

【０１１８】 ──────────────────────────────────── セルロースアセテート溶液組成 ──────────────────────────────────── 酢化度６０．９％のセルロースアセテート １００質量部 トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部 ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部 メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部 メタノール（第２溶媒） ５４質量部 １−ブタノール（第３溶媒） １１質量部 ────────────────────────────────────

【０１１９】別のミキシングタンクに、下記のレターデ
ーション上昇剤１６質量部、メチレンクロライド８０質
量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しなが
ら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液４７４質量部にレターデーシ
ョン上昇剤溶液２５質量部を混合し、充分に攪拌してド
ープを調製した。レターデーション上昇剤の添加量は、
セルロースアセテート１００質量部に対して、３．５質
量部であった。

【０１２０】

【化１７】

【０１２１】得られたドープを、バンド流延機を用いて
流延した。バンド上での膜面温度が４０℃となってか
ら、６０℃の乾燥風で１分乾燥し、剥ぎ取った後、１４
０℃の乾燥風で１０分乾燥して、残留溶剤量が０．３質
量％のセルロースアセテートフイルム（厚さ：５０μ
ｍ）を製造した。作製したセルロースアセテートフイル
ム（ＣＡＦ−０１）について、エリプソメーター（Ｍ−
１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長５５０ｎｍ
におけるＲｅレターデーション値およびＲthレターデー
ション値を測定した。結果を第１表に示す。作製したセ
ルロースアセテートフイルムを２．０Ｎの水酸化カリウ
ム溶液（２５℃）に２分間浸漬した後、硫酸で中和し、
純水で水洗、乾燥した。このセルロースアセテートフイ
ルムの表面エネルギーを接触角法により求めたところ、
６３ｍＮ／ｍであった。このセルロースアセテートフイ
ルム上に、下記の組成の塗布液を＃１６のワイヤーバー
コーターで２８ｍｌ／ｍ² 塗布した。６０℃の温風で６
０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥した。次に、
セルロースアセテートフイルムの長手方向と平行な方向
に、形成した膜にラビング処理を実施した。

【０１２２】 ──────────────────────────────────── 配向膜塗布液組成 ──────────────────────────────────── 下記の変性ポリビニルアルコール １０質量部 水 ３７１質量部 メタノール １１９質量部 グルタルアルデヒド（架橋剤） ０．５質量部 ────────────────────────────────────

【０１２３】

【化１８】

【０１２４】（光学異方層の形成）配向膜上に、下記の
円盤状（ディスコティック）液晶性化合物４１．０１
ｇ、エチレンオキサイド変成トリメチロールプロパント
リアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）
４．０６ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ
５５１−０．２、イーストマンケミカル社製）０．９０
ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−
１、イーストマンケミカル社製）０．２３ｇ、光重合開
始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製）１．
３５ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬
（株）製）０．４５ｇを、１０２ｇのメチルエチルケト
ンに溶解した塗布液を、＃３．６のワイヤーバーで塗布
した。これを１３０℃の恒温ゾーンで２分間加熱し、円
盤状化合物を配向させた。次に、６０℃の雰囲気下で１
２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、５秒間ＵＶ照射し円
盤状化合物を重合させた。その後、室温まで放冷した。
このようにして、光学異方層を形成し、光学補償シート
（ＫＨ−０１）を作製した。波長５４６ｎｍで測定した
光学異方層のＲｅレターデーション値は４３ｎｍであっ
た。また、円盤面と透明支持体面（セルロースアセテー
トフイルム面）との間の角度（傾斜角）は平均で４２゜
であった。

【０１２５】

【化１９】

【０１２６】得られた本発明の光学補償シート（ＫＨ−
０１）をミクロトームを用いてラビング方向で深さに沿
って切断し、極めて薄いフイルム（サンプル）を作製し
た。このサンプルをＯｓＯ₄ の雰囲気中に４８時間放置
して、染色した。得られた染色フイルムを、透過型電子
顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察し、その顕微鏡写真を得
た。染色フイルムでは、円盤状（液晶性）化合物のアク
リロイル基が染色され、写真の像として認められた。こ
の写真から、光学異方層のディスコティック化合物は透
明支持体の表面から傾いており、かつその傾斜角が、光
学異方層の底部から深さ方向の距離の増加と共に、５〜
７５度にかけて連続的増加していることが認められた。

【０１２７】［実施例２］まず下記の組成のセルロース
トリアセテート溶液を調整する。下記の溶媒を予め混合
した溶液に、よく攪拌しつつセルローストリアセテート
粉体（平均サイズ：２ｍｍ）を徐々に添加した。添加
後、室温（２５℃）にて３時間放置した。得られた不均
一なゲル状溶液を、−７０℃にて６時間冷却した後、５
０℃に加温し攪拌してセルローストリアセテート溶液を
得た。 ──────────────────────────────────── セルローストリアセテート溶液組成 ──────────────────────────────────── セルローストリアセテート（平均酢化度６０．５％、粘度平均重合度３００） ２０質量部 酢酸メチル ４８質量部 シクロヘキサノン ２０質量部 メタノール ５質量部 エタノール ５質量部 トリフェニルフォスフェート／ビフェニルジフェニルフォスフェート（質量比 ：１／２） ２質量部 シリカ（粒径２０nm） ０．１質量部 ２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ− ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン ０．２質量部 ────────────────────────────────────

【０１２８】別のミキシングタンクに、実施例１で用い
たレターデーション上昇剤１６質量部、メチレンクロラ
イド８０質量部およびメタノール２０質量部を投入し、
加熱しながら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を
調製した。セルロースアセテート溶液４７４質量部にレ
ターデーション上昇剤溶液２５質量部を混合し、充分に
攪拌してドープを調製した。レターデーション上昇剤の
添加量は、セルロースアセテート１００質量部に対し
て、３．５質量部であった。次に得られたドープを５０
℃にて、絶対濾過精度０．０１ｍｍの濾紙（東洋濾紙
（株）製、＃６３）でろ過しさらに絶対濾過精度０．０
０２５ｍｍの濾紙（ポール社製、ＦＨ０２５）にて濾過
した。

【０１２９】得られたドープを、バンド流延機を用いて
流延した。バンド上での膜面温度が４０℃となってか
ら、６０℃の乾燥風で１分乾燥し、剥ぎ取った後、１４
０℃の乾燥風で１０分乾燥して、残留溶剤量が０．３質
量％のセルロースアセテートフイルム（厚さ：７０μ
ｍ）を製造した。作製したセルロースアセテートフイル
ム（ＣＡＦ−０２）について、エリプソメーター（Ｍ−
１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長５５０ｎｍ
におけるＲｅレターデーション値およびＲthレターデー
ション値を測定した。結果を第１表に示す。作製したセ
ルロースアセテートフイルムを１．５Ｎの水酸化カリウ
ム溶液（２５℃）に３０秒間浸漬した後、純水で水洗、
乾燥した。このセルロースアセテートフイルムの表面エ
ネルギーを接触角法により求めたところ、５８ｍＮ／ｍ
であった。このセルロースアセテートフイルム上に、実
施例１と同様にして配向膜を設け、さらに下記組成の塗
布液を用いること以外は実施例１と同様にして光学異方
層を設けて、光学補償シート（ＫＨ−０２）を作製し
た。

【０１３０】 ──────────────────────────────────── 光学異方層塗布液組成 ──────────────────────────────────── 実施例１で用いた円盤状液晶性化合物 ３６．００質量部 エチレンオキサイド変性アクリレート（Ｍ１０１） ９．００質量部 セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５５１−０．２） ０．９０質量部 セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１．０） ０．２３質量部 光重合開始剤（イルガキュアー９０７） １．３５質量部 増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ） ０．４５質量部 メチルエチルケトン １０２．００質量部 ────────────────────────────────────

【０１３１】また、実施例１と同様に透過型電子顕微鏡
により光学異方層の観察を行ったところ、光学異方層の
ディスコティック化合物は透明支持体の表面から傾いて
おり、かつその傾斜角が、光学異方層の底部から深さ方
向の距離の増加と共に、２０〜５０度にかけて連続的増
加していることが認められた。

【０１３２】［実施例３］下記の組成の内層用セルロー
スアセテート溶液（ドープ）を調整する。ドープの調整
は、以下のように行った。始めに下記の溶媒を予め混合
した溶液に、よく攪拌しつつセルローストリアセテート
粉体（平均サイズ２ｍｍ）を徐々に添加した。得られた
溶液を、室温（２５℃）にて３時間放置した。次いでこ
の不均一なゲル状溶液を、ステンレス製密閉容器にて１
ＭＰａ、１８０℃で５分間加熱した後、５０℃の水浴中
に容器ごと投入し冷却し、５０℃の溶液を得た。次に５
０℃にて、得られた溶液を、絶対濾過精度０．０１ｍｍ
の濾紙（＃６３、東洋濾紙（株）製）にて濾過した。こ
のようにして内層用セルロースアセテート溶液（内層用
ドープ）を調整した。４５℃におけるドープの粘度は、
１６０Ｐａ・Ｓであった。

【０１３３】 ──────────────────────────────────── 内層用セルロースアセテート溶液組成 ──────────────────────────────────── 酢化度５９．５％のセルローストリアセテート ２０質量部 ソルビトールヘキサアセテート ２質量部 酢酸メチル ４８質量部 シクロヘキサノン ２０質量部 メタノール ５質量部 エタノール ５質量部 シリカ（粒径２０nm） ０．１質量部 ２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ− ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン ０．２質量部 ────────────────────────────────────

【０１３４】組成を下記とし、溶液の濾過に絶対濾過精
度０．００２５ｍｍの濾紙（ＦＨ０２５、ポール社製）
を用いる以外は内層用セルロースアセテート溶液と同様
にして、表面層用セルロースアセテート溶液（表面層用
ドープ）を調整した。４５℃におけるドープの粘度は、
１１０Ｐａ・Ｓであった。

【０１３５】 ──────────────────────────────────── 表面層用セルロースアセテート溶液組成 ──────────────────────────────────── 酢化度５９．５％のセルローストリアセテート １９質量部 ソルビトールヘキサアセテート ２質量部 酢酸メチル ４９質量部 シクロヘキサノン ２０質量部 メタノール ５質量部 エタノール ５質量部 シリカ（粒径２０nm） ０．１質量部 ２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ− ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン ０．２質量部 ────────────────────────────────────

【０１３６】別のミキシングタンクに、実施例１で用い
たレターデーション上昇剤１６質量部、メチレンクロラ
イド８０質量部およびメタノール２０質量部を投入し、
加熱しながら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を
調製した。

【０１３７】内層用セルロースアセテート溶液４７４質
量部にレターデーション上昇剤溶液２５質量部を混合
し、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーショ
ン上昇剤の添加量は、セルロースアセテート１００質量
部に対して、３．６質量部であった。表面層用セルロー
スアセテート溶液４７４質量部にレターデーション上昇
剤溶液２５質量部を混合し、充分に攪拌してドープを調
製した。レターデーション上昇剤の添加量は、セルロー
スアセテート１００質量部に対して、３．８質量部であ
った。

【０１３８】三層共流延ダイを用いて、内層用ドープが
内側に、表面層用ドープが内層用ドープの両外側になる
ように設定した。この三層のドープを金属支持体上に同
時に吐出させて重層流延した後、流延膜を支持体から剥
ぎ取り、乾燥して、三層構造のセルロースアセテートフ
イルム（内層の厚さ：８０μｍ、各表面層の厚さ：１０
μｍ）を製造した。乾燥は、流延したドープを７０℃で
３分、１３０℃で５分した後、金属支持体からフイルム
を剥ぎ取り、そして１６０℃、３０分で乾燥して溶剤を
蒸発させた。乾燥後のフィルムの残留溶剤量は０．３質
量％であった。

【０１３９】作製したセルロースアセテートフイルム
（ＣＡＦ−０３）について、エリプソメーター（Ｍ−１
５０、日本分光（株）製）を用いて、波長５５０ｎｍに
おけるＲｅレターデーション値およびＲthレターデーシ
ョン値を測定した。結果を第１表に示す。作製したセル
ロースアセテートフイルムを１．５Ｎの水酸化ナトリウ
ム溶液（２５℃）に３０秒間浸漬した後、純水で水洗、
乾燥した。このセルロースアセテートフイルムの表面エ
ネルギーを接触角法により求めたところ、５５ｍＮ／ｍ
であった。このセルロースアセテートフイルム上に、実
施例１と同様にして配向膜を設け、さらに下記組成の塗
布液を用いること以外は実施例１と同様にして光学異方
層を設けて、光学補償シート（ＫＨ−０３）を作製し
た。

【０１４０】 ──────────────────────────────────── 光学異方層塗布液組成 ──────────────────────────────────── 実施例１で用いた円盤状液晶性化合物 ４５．００質量部 セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５５１−０．２） ０．９０質量部 セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１．０） ０．２３質量部 光重合開始剤（イルガキュアー９０７） １．３５質量部 増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ） ０．４５質量部 メチルエチルケトン １０２．００質量部 ────────────────────────────────────

【０１４１】このようにして得られた本発明の光学補償
シート（ＫＨ−０３）について、ラビング軸を含み光学
補償シート面に垂直な面において、あらゆる方向からの
Ｒｅレターデション値をエリプソメーター（ＡＥＰ−１
００；島津製作所製）で測定し、更に、測定部分のディ
スコティック化合物を除去した後の支持体の光学特性を
同様に測定した。これらの測定により、光学異方層の光
学特性（Ｒｅと測定角の関係）は、図１１に示すように
なった。図１１の結果をシュミレートしたところ、得ら
れた光学異方層は負の複屈折を有し、そしてディスコテ
ィック化合物の面が支持体表面から傾いており、その傾
き（チルト角）が２０度から４０度まで連続的に変化し
ていることがわかった。

【０１４２】

【表１】 第１表 ──────────────────────────────────── フイルム Ｒｅ Ｒth ──────────────────────────────────── 実施例１ ＣＡＦ−０１ ７ｎｍ ８０ｎｍ 実施例２ ＣＡＦ−０２ ５ｎｍ ７５ｎｍ 実施例３ ＣＡＦ−０３ １２ｎｍ １００ｎｍ ────────────────────────────────────

【０１４３】（光学補償シートの評価）実施例１〜３で
得られた光学補償シートについて光学特性、および面状
を下記のように評価した。結果は第２表に示す。 （１）光学特性 実施例１〜３の光学補償シートについて、ラビング軸を
含み光学補償シート面に垂直な面において、あらゆる方
向からのＲｅレターデション値をエリプソメーター（Ａ
ＥＰ−１００；島津製作所製）で測定し、Ｒｅレターデ
ーション値が最小となる方向を求めた。結果を第２表に
示す。また、実施例中で測定したディスコティック化合
物の面と支持体表面との傾斜角の変化を第２表に記載す
る。 （２）フイルム面状 フイルムを目視で観察し、その面状を以下の如く評価し
た。 Ａ：フイルム表面は平滑である。 Ｂ：フイルム表面は平滑であるが、少し異物が見られ
る。 Ｃ：フイルム表面に弱い凹凸が見られ、異物の存在がは
っきり観察される。 Ｄ：フイルムに凹凸が見られ、異物が多数見られる。

【０１４４】

【表２】 第２表 ──────────────────────────────────── シート 傾斜角 Ｒｅ最小方向 Ｎｏ． 変化（度） 角度（度） 面状 ──────────────────────────────────── 実施例１ ＫＨ−０１ ５−７５ ３０ Ｃ 実施例２ ＫＨ−０２ ２０−５０ ３５ Ａ 実施例３ ＫＨ−０３ ２０−４０ ４０ Ａ ────────────────────────────────────

【０１４５】［実施例４］延伸したポリビニルアルコー
ルフイルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製した。偏
光膜の片側に、実施例１で作成した光学補償シート（Ｋ
Ｈ−０１）を透明支持体（ＣＡＦ―０１）が偏光膜側と
なるように、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼
り付けた。偏光膜の反対側に、市販のセルローストリア
セテートフイルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真
フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルア
ルコール系接着剤を用いて貼り付けた。偏光膜の透過軸
と光学補償シート（ＫＨ−０１）の遅相軸とは平行にな
るように配置した。このようにして偏光板を作製した。

【０１４６】［実施例５］延伸したポリビニルアルコー
ルフイルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製した。偏
光膜の片側に、実施例２で作成した光学補償シート（Ｋ
Ｈ−０２）を透明支持体（ＣＡＦ―０２）が偏光膜側と
なるように、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼
り付けた。偏光膜の反対側に、市販のセルローストリア
セテートフイルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真
フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルア
ルコール系接着剤を用いて貼り付けた。偏光膜の透過軸
と光学補償シート（ＫＨ−０２）の遅相軸とは平行にな
るように配置した。このようにして偏光板を作製した。

【０１４７】［実施例６］延伸したポリビニルアルコー
ルフイルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製した。偏
光膜の片側に、実施例３で作成した光学補償シート（Ｋ
Ｈ−０３）を透明支持体（ＣＡＦ―０３）が偏光膜側と
なるように、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼
り付けた。偏光膜の反対側に、市販のセルローストリア
セテートフイルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真
フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルア
ルコール系接着剤を用いて貼り付けた。偏光膜の透過軸
と光学補償シート（ＫＨ−０３）の遅相軸とは平行にな
るように配置した。このようにして偏光板を作製した。

【０１４８】［実施例７］ＴＮ型液晶セルを使用した液
晶表示装置（６Ｅ−Ａ３、シャープ（株）製）に設けら
れている一対の偏光板を剥がし、代わりに実施例４で作
製した偏光板を、光学補償シート（ＫＨ−０１）が液晶
セル側となるように粘着剤を介して、観察者側およびバ
ックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板
の透過軸と、バックライト側の偏光板の透過軸とが直交
するように配置した。作製した液晶表示装置について、
測定機（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を
用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）までの８段
階で視野角を測定した。結果を第３表に示す。

【０１４９】［実施例８］ＴＮ型液晶セルを使用した液
晶表示装置（６Ｅ−Ａ３、シャープ（株）製）に設けら
れている一対の偏光板を剥がし、代わりに実施例５で作
製した偏光板を、光学補償シート（ＫＨ−０２）が液晶
セル側となるように粘着剤を介して、観察者側およびバ
ックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板
の透過軸と、バックライト側の偏光板の透過軸とが直交
するように配置した。作製した液晶表示装置について、
測定機（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を
用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）までの８段
階で視野角を測定した。結果を第３表に示す。

【０１５０】［実施例９］ＴＮ型液晶セルを使用した液
晶表示装置（６Ｅ−Ａ３、シャープ（株）製）に設けら
れている一対の偏光板を剥がし、代わりに実施例６で作
製した偏光板を、光学補償シート（ＫＨ−０３）が液晶
セル側となるように粘着剤を介して、観察者側およびバ
ックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板
の透過軸と、バックライト側の偏光板の透過軸とが直交
するように配置した。作製した液晶表示装置について、
測定機（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を
用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）までの８段
階で視野角を測定した。結果を第３表に示す。

【０１５１】［比較例２］ＴＮ型液晶セルを使用した液
晶表示装置（６Ｅ−Ａ３、シャープ（株）製）につい
て、測定機（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社
製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）まで
の８段階で視野角を測定した。結果を第３表に示す。

【０１５２】

【表３】 第３表 ──────────────────────────────────── 液晶 視野角（コントラスト比≧１０で階調反転のない範囲） 表示装置 上 下 左右 ──────────────────────────────────── 実施例７ ７０゜ ４５゜ １６０゜ 実施例８ ７５゜ ４５゜ １６０゜ 実施例９ ３０゜ ５５゜ １２０゜ 比較例２ １５゜ ２５゜ ３７゜ ──────────────────────────────────── （註）黒側の階調反転：Ｌ１とＬ２との間の反転

【０１５３】［実施例１０］下記の組成物をミキシング
タンクに投入し、各成分を冷却溶解（−７０℃）し、セ
ルロースアセテート溶液を調整した。

【０１５４】 ──────────────────────────────────── セルローストリアセテート（置換度２．８２、粘度平均重合度３２０、含水率０ ．４質量％、メチレンクロライド溶液中６質量％の粘度３０５ｍＰａ・ｓ、平均 粒子径１．５ｍｍであって標準偏差０．５ｍｍである粉体） ２０質量部 酢酸メチル ５８質量部 アセトン ５質量部 メタノール ５質量部 エタノール ５質量部 ブタノール ５質量部 可塑剤Ａ（ジトリメチロールプロパンテトラアセテート） １．２質量部 可塑剤Ｂ（トリフェニルフォスフェート） １．２質量部 ＵＶ剤ａ （２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ− ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５トリアジン） ０．２質量部 ＵＶ剤ｂ （２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５− クロルベンゾトリアゾール） ０．２質量部 ＵＶ剤ｃ （２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）−５− クロルベンゾトリアゾール） ０．２質量部 Ｃ₁₂Ｈ₂₅ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＫ）₂ （剥離剤） ０．０２質量部 クエン酸（剥離剤） ０．０２質量部 微粒子（シリカ（粒径２０ｎｍ）、モース硬度 約７） ０．０５質量部 ────────────────────────────────────

【０１５５】なお、ここで使用したセルローストリアセ
テートは、酢化度６０．９％、残存酢酸量が０．０１質
量％以下であり、Ｃａが０．０５質量％、Ｍｇは０．０
０７質量％であり、さらにＦｅは５ｐｐｍであった。ま
た６位アセチル基は０．９５であり全アセチル中の３
２．２％であった。また、アセトン抽出分は１１質量
％、重量平均分子量と数平均分子量の比は０．５であ
り、分布の均一なものであった。また、イエローネスイ
ンデックスは０．３であり、ヘイズは０．０８、透明度
は９３．５％であり、Ｔｇは１６０℃、結晶化発熱量は
６．２Ｊ／ｇであった。実施例１と同様にして、レター
デーション上昇剤がセルロースアセテート１００質量部
に対して、４．０質量部となるように調整し、セルロー
スアセテートフイルム（ＣＡＦ−０４）を作製した。以
降、表面処理（鹸化）、配向膜、光学異方層は実施例１
と全く同じ方法で光学補償シート（ＫＨ−０４）を作製
した。作製したセルロースアセテートフイルム（ＣＡＦ
−０４）について、光学特性を測定した。結果は第４表
に示す。

【０１５６】

【表４】 第４表 ──────────────────────────────────── フイルム レターデーション上昇剤 Ｒｅ Ｒth ──────────────────────────────────── 実施例１０ ＣＡＦ−０４ ４．０質量部 ５ｎｍ ８５ｎｍ ────────────────────────────────────

【０１５７】（光学補償シートの評価）実施例１０で得
られた光学補償シートについて、実施例１〜３と同様に
して光学特性および面状を評価した。結果は第５表に示
す。

【０１５８】

【表５】 第５表 ──────────────────────────────────── シート 傾斜角 Ｒｅ最小方向 Ｎｏ． 変化（度） 角度（度） 面状 ──────────────────────────────────── 実施例１０ ＫＨ−０４ ５−７５ ３０ Ａ ────────────────────────────────────

【０１５９】［実施例１１］実施例１０で作製した光学
補償シート（ＫＨ−０４）を用いること以外は実施例４
と同様にして偏光板を作製した。

【０１６０】［実施例１２］実施例１１で作製した偏光
板を用いること以外は実施例７と同様にして液晶表示装
置を作製した。作製した液晶表示装置について、測定機
（ＥＺ−Contrast１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用い
て、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）までの８段階で
視野角を測定した。結果を第６表に示す。

【０１６１】

【表６】 第６表 ──────────────────────────────────── 液晶 視野角（コントラスト比が１０以上で黒側の階調反転のない範囲） 表示装置 上 下 左右 ──────────────────────────────────── 実施例１２ ７８゜ ４３゜ １６０゜ ──────────────────────────────────── （註）黒側の階調反転：Ｌ１とＬ２との間の反転

【０１６２】

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の光学異方層の代表的構造を示
す図である。

【図２】図２は、液晶表示装置の液晶層の代表的構造を
示す図である。

【図３】図３は、本発明の液晶表示装置の代表的構造を
示す図である。

【図４】図４は、光学補償シートを用いた液晶表示装置
におけるレターデーションの最小値の方向と液晶セルの
基板のラビング方向との関係を示す図である。

【図５】図５は、図４をｚ軸方向から見たときに得られ
る図である。

【図６】図６は、一対の光学補償シートを用いた液晶表
示装置におけるレターデーションの最小値の方向と液晶
セルの基板のラビング方向との関係を示す図である。

【図７】図７は、図６をｚ軸方向から見たときに得られ
る図である。

【図８】図８は、２枚積層した光学補償シートを用いた
液晶表示装置におけるレターデーションの最小値の方向
と液晶セルの基板のラビング方向との関係を示す図であ
る。

【図９】図９は、図８をｚ軸方向から見たときに得られ
る図である。

【図１０】図１０は、本発明のカラー液晶表示装置の代
表的な構造を示す図である。

【図１１】図１１は、本発明の光学補償シート（ＫＨ−
０３）の光学異方層のＲｅと視野角の関係を示すグラフ
である。

【符号の説明】

２１、４１ 透明支持体 ２２、４２ 配向膜 ２３、４３ 光学異方層 ２３ａ、２３ｂ、２３ｃ 液晶性ディスコティック化合
物 Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ ディスコティック構造単位の面 ２１ａ、２１ｂ、２１ｃ 透明支持体２１の面に平行な
面 θａ、θｂ、θｃ 傾斜角 ２４ 透明支持体の法線 ３１ａ、３１ｂ 基板 ３３ ＴＮ液晶分子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５１０ Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５１０ 1/13363 1/13363 Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA06 BA42 BB03 BB33 BB49 BC04 BC09 BC22 2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA11X FB02 FB12 GA13 KA10 LA04 LA11 4F006 AA02 AB64 BA00 DA04 4F071 AA09 AC10 AC12 AF29Y AF31Y BB02 BC01 4J002 AB021 EH126 EL076 EQ016 EU026

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明支持体及びその上に設けられた光学
   異方層からなり、透明支持体の、下記式（Ｉ）により定
   義されるＲｅレターデーション値が０乃至２０ｎｍの範
   囲にあり、下記式（II）により定義されるＲthレターデ
   ーション値が７０乃至４００ｎｍの範囲にあり、光学異
   方層がディスコティック構造単位を有する化合物からな
   る負の複屈折を有する層であり、そしてディスコティッ
   ク構造単位の円盤面が透明支持体面に対して傾いており
   且つディスコティック構造単位の円盤面と透明支持体面
   とのなす角度が光学異方層の深さ方向において変化して
   いることを特徴とする光学補償シート： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、透明支持体面内の遅相軸方向の屈折率
   であり；ｎｙは、透明支持体面内の進相軸方向の屈折率
   であり；ｎｚは、透明支持体の厚み方向の屈折率であ
   り；そして、ｄは、透明支持体の厚さである］。
2. 【請求項２】 前記の透明支持体が、酢化度が５９．０
   乃至６１．５％の範囲にあるセルロースアセテート、お
   よびセルロースアセテート１００質量部に対して、少な
   くとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を０．０１
   乃至２０質量部含むセルロースアセテートフイルムから
   なることを特徴とする請求項１に記載の光学補償シート
3. 【請求項３】 前記のセルロースアセテートフイルム
   が、溶液製膜法により製膜されたフイルムであり、製膜
   に用いる溶媒が、炭素数３乃至１２のエーテル、炭素数
   ３乃至１２のケトン、もしくは炭素数３乃至１２のエス
   テルであることを特徴とする請求項２に記載の光学補償
   シート。
4. 【請求項４】 前記セルロースアセテートフイルムが、
   ６位水酸基の置換度が、２，３位に比べて多いセルロー
   スアセテートを主成分とする事を特徴とする請求項２も
   しくは３に記載の光学補償シート。
5. 【請求項５】 前記のセルロースアセテートフイルム
   が、共流延法により製膜されたフイルムであることを特
   徴とする請求項２に記載の光学補償シート。
6. 【請求項６】 前記の光学異方層と透明支持体との間
   に、配向膜が形成されていることを特徴とする請求項１
   に記載の光学補償シート。
7. 【請求項７】 前記の配向膜がポリマーの硬化膜からな
   ることを特徴とする請求項６に記載の光学補償シート。
8. 【請求項８】 偏光膜およびその両側に配置された二枚
   の透明保護膜からなる偏光板であって、透明保護膜の一
   方が、酢化度が５９．０乃至６１．５％の範囲にあるセ
   ルロースアセテート、およびセルロースアセテート１０
   ０質量部に対して少なくとも二つの芳香族環を有する芳
   香族化合物を０．０１乃至２０質量部含セルロースアセ
   テートフイルムと、その上に設けられた光学異方層から
   なり、セルロースアセテートフイルムの、下記式（Ｉ）
   により定義されるＲｅレターデーション値が０乃至２０
   ｎｍの範囲にあり、下記式（II）により定義されるＲth
   レターデーション値が７０乃至４００ｎｍの範囲にあ
   り、光学異方層がディスコティック構造単位を有する化
   合物からなる負の複屈折を有する層であり、そしてディ
   スコティック構造単位の円盤面がセルロースアセテート
   フイルム面に対して傾いており且つディスコティック構
   造単位の円盤面とセルロースアセテートフイルム面との
   なす角度が光学異方層の深さ方向において変化している
   ことを特徴とする偏光板： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率で
   あり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であ
   り；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そし
   て、ｄは、フイルムの厚さである］。
9. 【請求項９】 一対の透明電極付きの基板と、その基板
   間に封入されたねじれ配向したネマチック液晶とからな
   る液晶セル、液晶セルの両側に設けられた一対の偏光
   板、及び液晶セルと偏光板との間に設けられた光学補償
   シートからなる液晶表示装置において、光学補償シート
   が透明支持体及びその上に設けられた光学異方層からな
   り、透明支持体の、下記式（Ｉ）により定義されるＲｅ
   レターデーション値が０乃至２０ｎｍの範囲にあり、下
   記式（II）により定義されるＲthレターデーション値が
   ７０乃至４００ｎｍの範囲にあり、光学異方層がディス
   コティック構造単位を有する化合物からなる負の複屈折
   を有する層であり、そしてディスコティック構造単位の
   円盤面が透明支持体面に対して傾いており且つディスコ
   ティック構造単位の円盤面と透明支持体面とのなす角度
   が光学異方層の深さ方向において変化していることを特
   徴とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、透明支持体面内の遅相軸方向の屈折率
   であり；ｎｙは、透明支持体面内の進相軸方向の屈折率
   であり；ｎｚは、透明支持体の厚み方向の屈折率であ
   り；そして、ｄは、透明支持体の厚さである］。
10. 【請求項１０】 一対の透明電極付きの基板と、その基
    板間に封入されたねじれ配向したネマチック液晶とから
    なる液晶セル、液晶セルの両側に設けられた一対の偏光
    板からなり、偏光板が偏光膜およびその両側に配置され
    た二枚の透明保護膜からなる液晶表示装置において、液
    晶セルと偏光膜との間に配置される二枚の透明保護膜の
    うちの少なくとも一方が、透明支持体及びその上に設け
    られた光学異方層からなり、透明支持体の、下記式
    （Ｉ）により定義されるＲｅレターデーション値が０乃
    至２０ｎｍの範囲にあり、下記式（II）により定義され
    るＲthレターデーション値が７０乃至４００ｎｍの範囲
    にあり、光学異方層がディスコティック構造単位を有す
    る化合物からなる負の複屈折を有する層であり、そして
    ディスコティック構造単位の円盤面が透明支持体面に対
    して傾いており且つディスコティック構造単位の円盤面
    と透明支持体面とのなす角度が光学異方層の深さ方向に
    おいて変化していることを特徴とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、透明支持体面内の遅相軸方向の屈折率
    であり；ｎｙは、透明支持体面内の進相軸方向の屈折率
    であり；ｎｚは、透明支持体の厚み方向の屈折率であ
    り；そして、ｄは、透明支持体の厚さである］。
11. 【請求項１１】 透明電極、画素電極およびカラーフィ
    ルタを有する一対の基板と、その基板間に封入されたね
    じれ配向したネマチック液晶とからなる液晶セル、液晶
    セルの両側に設けられた一対の偏光板、及び液晶セルと
    偏光板との間に設けられた光学補償シートからなるカラ
    ー液晶表示装置において、光学補償シートが透明支持体
    及びその上に設けられた光学異方層からなり、透明支持
    体の、下記式（Ｉ）により定義されるＲｅレターデーシ
    ョン値が０乃至２０ｎｍの範囲にあり、下記式（II）に
    より定義されるＲthレターデーション値が７０乃至４０
    ０ｎｍの範囲にあり、そして光学異方層がディスコティ
    ック構造単位を有する化合物からなる負の複屈折を有す
    る層であり、ディスコティック構造単位の円盤面が透明
    支持体面に対して傾いており且つディスコティック構造
    単位の円盤面と透明支持体面とのなす角度が光学異方層
    の深さ方向において変化していることを特徴とする液晶
    表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、透明支持体面内の遅相軸方向の屈折率
    であり；ｎｙは、透明支持体面内の進相軸方向の屈折率
    であり；ｎｚは、透明支持体の厚み方向の屈折率であ
    り；そして、ｄは、透明支持体の厚さである］。
12. 【請求項１２】 透明電極、画素電極およびカラーフィ
    ルタを有する一対の基板と、その基板間に封入されたね
    じれ配向したネマチック液晶とからなる液晶セル、液晶
    セルの両側に設けられた一対の偏光板からなり、偏光板
    が偏光膜およびその両側に配置された二枚の透明保護膜
    からなるカラー液晶表示装置において、液晶セルと偏光
    膜との間に配置される二枚の透明保護膜のうちの少なく
    とも一方が、透明支持体及びその上に設けられた光学異
    方層からなり、透明支持体の、下記式（Ｉ）により定義
    されるＲｅレターデーション値が０乃至２０ｎｍの範囲
    にあり、下記式（II）により定義されるＲthレターデー
    ション値が７０乃至４００ｎｍの範囲にあり、そして光
    学異方層がディスコティック構造単位を有する化合物か
    らなる負の複屈折を有する層であり、ディスコティック
    構造単位の円盤面が透明支持体面に対して傾いており且
    つディスコティック構造単位の円盤面と透明支持体面と
    のなす角度が光学異方層の深さ方向において変化してい
    ることを特徴とする液晶表示装置： （Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （II） Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ ［式中、ｎｘは、透明支持体面内の遅相軸方向の屈折率
    であり；ｎｙは、透明支持体面内の進相軸方向の屈折率
    であり；ｎｚは、透明支持体の厚み方向の屈折率であ
    り；そして、ｄは、透明支持体の厚さである］。