JP2002015631A - 感光性透明導電膜形成用塗布液、パターン化された透明導電膜および該透明導電膜の製造方法 - Google Patents
感光性透明導電膜形成用塗布液、パターン化された透明導電膜および該透明導電膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定性に優れた感光性透明導電膜形成用塗布
液であって、化学的安定性、パターン加工精度および成
膜作業性がよい塗布液を提供する。 【解決手段】 錫（Ｓｎ）化合物に、または錫（Ｓｎ）
化合物とアンチモン（Ｓｂ）化合物に有機配位子が配位
したキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型
の感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有する感光性透
明導電膜形成用塗布液。この塗布液を基板上に塗布、乾
燥し、該乾燥膜上にフォトマスクを設置し、紫外線にて
露光後、現像してパターン化し、４００℃以上で焼成す
ることによって、パターン化された透明導電膜が製造さ
れる。
液であって、化学的安定性、パターン加工精度および成
膜作業性がよい塗布液を提供する。 【解決手段】 錫（Ｓｎ）化合物に、または錫（Ｓｎ）
化合物とアンチモン（Ｓｂ）化合物に有機配位子が配位
したキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型
の感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有する感光性透
明導電膜形成用塗布液。この塗布液を基板上に塗布、乾
燥し、該乾燥膜上にフォトマスクを設置し、紫外線にて
露光後、現像してパターン化し、４００℃以上で焼成す
ることによって、パターン化された透明導電膜が製造さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にパターン
化された透明導電膜を形成可能な感光性透明導電膜形成
用塗布液、パターン化された透明導電膜、および該透明
導電膜の製造方法に関する。さらに詳しくは、透明導電
膜形成材料として錫（Ｓｎ）系化合物のキレート錯体を
含有する感光性透明導電膜形成用塗布液、該塗布液を用
いて形成された優れた透明性と高い導電性、化学的安定
性を兼ね備え、しかもパターン加工性に優れたパターン
化された酸化錫系透明導電膜、および該透明導電膜の製
造方法に関するものである。
化された透明導電膜を形成可能な感光性透明導電膜形成
用塗布液、パターン化された透明導電膜、および該透明
導電膜の製造方法に関する。さらに詳しくは、透明導電
膜形成材料として錫（Ｓｎ）系化合物のキレート錯体を
含有する感光性透明導電膜形成用塗布液、該塗布液を用
いて形成された優れた透明性と高い導電性、化学的安定
性を兼ね備え、しかもパターン加工性に優れたパターン
化された酸化錫系透明導電膜、および該透明導電膜の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＣＤ、ＥＬ、ＰＤＰなどのディ
スプレイの透明電極やタッチパネルの透明電極などに使
用されるパターン化された透明導電膜の形成材料とし
て、錫ドープ酸化インジウム（以下、「ＩＴＯ」とい
う）材料が知られている。このＩＴＯ材料からなるパタ
ーン化された透明導電膜は、各種のＩＴＯ材料から真空
蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法により均一膜を形
成した後、フォトレジストによりレジストパターンを形
成し、さらに酸エッチングすることにより形成されてい
る。しかしながら、上記のパターン化されたＩＴＯの成
膜法は原料となるインジウム（Ｉｎ）源が高価であるこ
と、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などは、
使用する装置が高価で複雑であり、コストと量産性に問
題があること、また、フォトエッチング法は工程が煩雑
で、エッチング廃液の処理が厄介である。
スプレイの透明電極やタッチパネルの透明電極などに使
用されるパターン化された透明導電膜の形成材料とし
て、錫ドープ酸化インジウム（以下、「ＩＴＯ」とい
う）材料が知られている。このＩＴＯ材料からなるパタ
ーン化された透明導電膜は、各種のＩＴＯ材料から真空
蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法により均一膜を形
成した後、フォトレジストによりレジストパターンを形
成し、さらに酸エッチングすることにより形成されてい
る。しかしながら、上記のパターン化されたＩＴＯの成
膜法は原料となるインジウム（Ｉｎ）源が高価であるこ
と、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などは、
使用する装置が高価で複雑であり、コストと量産性に問
題があること、また、フォトエッチング法は工程が煩雑
で、エッチング廃液の処理が厄介である。
【０００３】また、上記ディスプレイの透明電極に用い
られる場合、一般に電流保証のため、さらにその膜上に
バスラインと呼ばれるＣｒ／Ｃｕ／ＣｒやＡｇの金属電
極配線が形成され、これも多くが均一膜のフォトエッチ
ング法で作製される。この際、透明電極には耐エッチン
グ薬品性が要求されるが、ＩＴＯの場合は充分ではな
い。
られる場合、一般に電流保証のため、さらにその膜上に
バスラインと呼ばれるＣｒ／Ｃｕ／ＣｒやＡｇの金属電
極配線が形成され、これも多くが均一膜のフォトエッチ
ング法で作製される。この際、透明電極には耐エッチン
グ薬品性が要求されるが、ＩＴＯの場合は充分ではな
い。
【０００４】ＩＴＯとは対照的に、より安価な導電膜の
形成材料としてアンチモンドープ酸化錫（以下、「ＡＴ
Ｏ」という）がある。このＡＴＯはＩＴＯと比較し、若
干比抵抗が高いものの、化学的安定性（耐酸性、耐エッ
チング薬品性）や透明性が高く、ＩＴＯ同様種々の用途
の導電膜として使用されている。しかしＡＴＯは耐酸性
が強いため、ＡＴＯからなるパターン化された透明導電
膜はＩＴＯのような均一膜のフォトエッチング法で作製
することは困難で下記のようなリフトオフ法により専ら
作製される。リフトオフ法によるＡＴＯのパターン成膜
は、感光性レジストにより予めネガパターンを形成した
加熱基板上に、例えば二塩化ジメチル錫および三塩化ア
ンチモンの水溶液を吹き付け熱分解して成膜する方法
（ＣＶＤ法）である。しかしながら、この方法も約５０
０℃に基板を加熱することからＡＴＯの成膜中にレジス
トパターンが熱により損傷し、繊細なパターンが形成で
きないこと、反応排ガスの処理が厄介であるという問題
がある。
形成材料としてアンチモンドープ酸化錫（以下、「ＡＴ
Ｏ」という）がある。このＡＴＯはＩＴＯと比較し、若
干比抵抗が高いものの、化学的安定性（耐酸性、耐エッ
チング薬品性）や透明性が高く、ＩＴＯ同様種々の用途
の導電膜として使用されている。しかしＡＴＯは耐酸性
が強いため、ＡＴＯからなるパターン化された透明導電
膜はＩＴＯのような均一膜のフォトエッチング法で作製
することは困難で下記のようなリフトオフ法により専ら
作製される。リフトオフ法によるＡＴＯのパターン成膜
は、感光性レジストにより予めネガパターンを形成した
加熱基板上に、例えば二塩化ジメチル錫および三塩化ア
ンチモンの水溶液を吹き付け熱分解して成膜する方法
（ＣＶＤ法）である。しかしながら、この方法も約５０
０℃に基板を加熱することからＡＴＯの成膜中にレジス
トパターンが熱により損傷し、繊細なパターンが形成で
きないこと、反応排ガスの処理が厄介であるという問題
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来の技術が有する問題点を解決することにあり、より
具体的には、安価で安定性に優れた感光性透明導電膜形
成用塗布液；該感光性透明導電膜形成用塗布液を用いて
形成された透明性、導電性および塗膜の機械的強度、化
学的安定性に優れ、しかもパターン加工性に優れたパタ
ーン化された透明導電膜；ならびに成膜時の作業性がよ
く、非常に簡易な工程で微細にパターン化された透明導
電膜を作製することができる前記透明導電膜の製造方法
を提供することにある。
従来の技術が有する問題点を解決することにあり、より
具体的には、安価で安定性に優れた感光性透明導電膜形
成用塗布液；該感光性透明導電膜形成用塗布液を用いて
形成された透明性、導電性および塗膜の機械的強度、化
学的安定性に優れ、しかもパターン加工性に優れたパタ
ーン化された透明導電膜；ならびに成膜時の作業性がよ
く、非常に簡易な工程で微細にパターン化された透明導
電膜を作製することができる前記透明導電膜の製造方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、透明導電膜形成材料として特定の酸化錫系化
合物を使用することにより、上記の課題を解決すること
ができることを見出し、本発明を完成するに至った。す
なわち、本発明は、錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配
位したキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊
型の感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有することを
特徴とする感光性透明導電膜形成用塗布液（以下、「第
１の感光性透明導電膜形成用塗布液」ということがあ
る。）を提供する。
した結果、透明導電膜形成材料として特定の酸化錫系化
合物を使用することにより、上記の課題を解決すること
ができることを見出し、本発明を完成するに至った。す
なわち、本発明は、錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配
位したキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊
型の感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有することを
特徴とする感光性透明導電膜形成用塗布液（以下、「第
１の感光性透明導電膜形成用塗布液」ということがあ
る。）を提供する。
【０００７】また、本発明は、錫（Ｓｎ）化合物とアン
チモン（Ｓｂ）化合物とにそれぞれ有機配位子が配位し
たキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の
感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有することを特徴
とする感光性透明導電膜形成用塗布液（以下、「第２の
感光性透明導電膜形成用塗布液」ということがある。）
を提供する。
チモン（Ｓｂ）化合物とにそれぞれ有機配位子が配位し
たキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の
感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有することを特徴
とする感光性透明導電膜形成用塗布液（以下、「第２の
感光性透明導電膜形成用塗布液」ということがある。）
を提供する。
【０００８】さらに、本発明は、前記第１の感光性透明
導電膜形成用塗布液または第２の感光性透明導電膜形成
用塗布液を、基板上に塗布、乾燥し、該乾燥膜を露光、
現像してパターン化し、焼成して得られた酸化錫を主成
分とすることを特徴とするパターン化された透明導電膜
を提供する。
導電膜形成用塗布液または第２の感光性透明導電膜形成
用塗布液を、基板上に塗布、乾燥し、該乾燥膜を露光、
現像してパターン化し、焼成して得られた酸化錫を主成
分とすることを特徴とするパターン化された透明導電膜
を提供する。
【０００９】さらに、本発明は、前記前記第１の感光性
透明導電膜形成用塗布液または第２の感光性透明導電膜
形成用塗布液を、基板上に塗布、乾燥し、該乾燥膜上に
フォトマスクを設置し、紫外線を照射して露光した後、
現像してパターン化し、４００℃以上の温度で焼成する
ことを特徴とするパターン化された透明導電膜の製造方
法を提供する。
透明導電膜形成用塗布液または第２の感光性透明導電膜
形成用塗布液を、基板上に塗布、乾燥し、該乾燥膜上に
フォトマスクを設置し、紫外線を照射して露光した後、
現像してパターン化し、４００℃以上の温度で焼成する
ことを特徴とするパターン化された透明導電膜の製造方
法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態を挙げ、本発明
を詳細に説明する。なお、この実施の形態は発明の趣旨
をよりよく理解させるためのものであり、特に限定がな
い限り、本発明の内容を制限するものではない。
を詳細に説明する。なお、この実施の形態は発明の趣旨
をよりよく理解させるためのものであり、特に限定がな
い限り、本発明の内容を制限するものではない。
【００１１】「第１の感光性透明導電膜形成用塗布液」
第１の感光性透明導電膜形成用塗布液は、錫（Ｓｎ）
化合物に有機配位子が配位したキレート錯体と、紫外
線硬化型または紫外線崩壊型の感光性樹脂と、前記キ
レート錯体と前記感光性樹脂を溶解する溶剤とを少なく
とも含有している。ここに、前記の錫（Ｓｎ）化合物
は、有機配位子が配位してキレート錯体を形成し得るも
のであれば、特に限定されるものではない。錫化合物の
中でも、例えば、酢酸錫（II）、ぎ酸錫（II）、蓚酸錫
（II）、２−エチルヘキサン酸錫（II）、テトラメチル
錫（IV）、トリブチル酢酸錫（IV）、テトラｎ−プロポ
キシ錫（IV）などは、有機配位子との反応性がよく、か
つ得られるキレート錯体の溶解性が良好であるので好ま
しい。錫化合物は所望により２種以上を組合せ用いるこ
とができる。
第１の感光性透明導電膜形成用塗布液は、錫（Ｓｎ）
化合物に有機配位子が配位したキレート錯体と、紫外
線硬化型または紫外線崩壊型の感光性樹脂と、前記キ
レート錯体と前記感光性樹脂を溶解する溶剤とを少なく
とも含有している。ここに、前記の錫（Ｓｎ）化合物
は、有機配位子が配位してキレート錯体を形成し得るも
のであれば、特に限定されるものではない。錫化合物の
中でも、例えば、酢酸錫（II）、ぎ酸錫（II）、蓚酸錫
（II）、２−エチルヘキサン酸錫（II）、テトラメチル
錫（IV）、トリブチル酢酸錫（IV）、テトラｎ−プロポ
キシ錫（IV）などは、有機配位子との反応性がよく、か
つ得られるキレート錯体の溶解性が良好であるので好ま
しい。錫化合物は所望により２種以上を組合せ用いるこ
とができる。
【００１２】前記の有機配位子としては、β−ジケト
ン、アミノアルコール、多価アルコールが好適に使用で
きる。β−ジケトンの具体例としては、アセチルアセト
ン、アセト酢酸エチル、アセト酢酸メチルなどが挙げら
れ、アミルアルコールの具体例としては、ジエタノール
アミン、２−アミノエタノール、トリエタノールアミン
などが挙げられ、また、多価アルコールの具体例として
はエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチ
レングリコールなどが挙げられる。これらの有機配位子
の中でも、塗布液の安定性および錯体の熱分解性の点か
らアセチルアセトンが特に好ましい。有機配位子も所望
により２種以上を組合せ用いることができる。
ン、アミノアルコール、多価アルコールが好適に使用で
きる。β−ジケトンの具体例としては、アセチルアセト
ン、アセト酢酸エチル、アセト酢酸メチルなどが挙げら
れ、アミルアルコールの具体例としては、ジエタノール
アミン、２−アミノエタノール、トリエタノールアミン
などが挙げられ、また、多価アルコールの具体例として
はエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチ
レングリコールなどが挙げられる。これらの有機配位子
の中でも、塗布液の安定性および錯体の熱分解性の点か
らアセチルアセトンが特に好ましい。有機配位子も所望
により２種以上を組合せ用いることができる。
【００１３】第１の感光性透明導電膜形成用塗布液中の
錫（Ｓｎ）の含有量は、塗布液重量に基づき酸化物（Ｓ
ｎＯ2）換算の合量で１〜２０重量％が好ましい。１重
量％未満では得られる透明導電膜の膜厚が薄くなり過
ぎ、透明導電膜のマトリックスが充分に形成されず、均
質性および導電性が低下する虞がある。また、２０重量
％を超えると塗布液中での溶解性が悪くなり、成膜時に
均一な膜を得ることが困難となり、また、得られる透明
導電膜の膜が厚くなり過ぎ、クラックが発生して緻密な
膜が得られない。
錫（Ｓｎ）の含有量は、塗布液重量に基づき酸化物（Ｓ
ｎＯ2）換算の合量で１〜２０重量％が好ましい。１重
量％未満では得られる透明導電膜の膜厚が薄くなり過
ぎ、透明導電膜のマトリックスが充分に形成されず、均
質性および導電性が低下する虞がある。また、２０重量
％を超えると塗布液中での溶解性が悪くなり、成膜時に
均一な膜を得ることが困難となり、また、得られる透明
導電膜の膜が厚くなり過ぎ、クラックが発生して緻密な
膜が得られない。
【００１４】前記の感光性樹脂は、特に限定されること
はなく、一般に透明導電膜の形成に用いられる紫外線硬
化型のネガ型感光性樹脂、および紫外線崩壊型のポジ型
感光性樹脂を使用することができる。紫外線硬化型のネ
ガ型感光性樹脂の具体例としては、光重合性アクリル系
樹脂などが挙げられ、また、紫外線崩壊型のポジ型感光
性樹脂の具体例としてはノボラック系樹脂などが挙げら
れる。
はなく、一般に透明導電膜の形成に用いられる紫外線硬
化型のネガ型感光性樹脂、および紫外線崩壊型のポジ型
感光性樹脂を使用することができる。紫外線硬化型のネ
ガ型感光性樹脂の具体例としては、光重合性アクリル系
樹脂などが挙げられ、また、紫外線崩壊型のポジ型感光
性樹脂の具体例としてはノボラック系樹脂などが挙げら
れる。
【００１５】前記の感光性樹脂の含有量は、特に制限さ
れるものではないが、塗布液重量に基づき、通常１〜２
０重量％、好ましくは５〜１５重量％である。含有量が
これより少ないと紫外線による膜の硬化あるいは崩壊が
十分行われず良好なパターンが得られない虞がある。ま
た、これよりも多いと焼成後の膜が多孔質となり緻密な
膜が得られず強度、密着性などが不良となる虞がある。
また、第１の感光性透明導電膜形成用塗布液には、感度
を向上させるため適宜重合開始剤、増感剤などを添加す
ることができる。
れるものではないが、塗布液重量に基づき、通常１〜２
０重量％、好ましくは５〜１５重量％である。含有量が
これより少ないと紫外線による膜の硬化あるいは崩壊が
十分行われず良好なパターンが得られない虞がある。ま
た、これよりも多いと焼成後の膜が多孔質となり緻密な
膜が得られず強度、密着性などが不良となる虞がある。
また、第１の感光性透明導電膜形成用塗布液には、感度
を向上させるため適宜重合開始剤、増感剤などを添加す
ることができる。
【００１６】前記の溶剤としては、前記キレート錯体お
よび前記の感光性樹脂を溶解できるものであれば特に限
定されないが、塗工性を考慮して、１−プロパノール、
２−プロパノール、ベンジルアルコールなどのアルコー
ル類、アセチルアセトン、メチルイソブチルケトン、ジ
イソブチルケトンなどのケトン類、酢酸３−メトキシブ
チル、酢酸イソブチル、エチレングリコールモノアセタ
ートなどのエステル類、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルなどのグ
リコールエーテル類などの中沸点または高沸点有機溶媒
を用いることが好ましい。使用される溶剤の中には、ア
セチルアセトンのように、錫化合物に配位してキレート
錯体を形成し得るものも含まれる。溶剤は単独でまたは
２種以上を組合せて用いることができる。
よび前記の感光性樹脂を溶解できるものであれば特に限
定されないが、塗工性を考慮して、１−プロパノール、
２−プロパノール、ベンジルアルコールなどのアルコー
ル類、アセチルアセトン、メチルイソブチルケトン、ジ
イソブチルケトンなどのケトン類、酢酸３−メトキシブ
チル、酢酸イソブチル、エチレングリコールモノアセタ
ートなどのエステル類、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルなどのグ
リコールエーテル類などの中沸点または高沸点有機溶媒
を用いることが好ましい。使用される溶剤の中には、ア
セチルアセトンのように、錫化合物に配位してキレート
錯体を形成し得るものも含まれる。溶剤は単独でまたは
２種以上を組合せて用いることができる。
【００１７】第１の透明導電膜形成用塗布液は、例え
ば、次のようにして作製することができる。先ず、錫
（Ｓｎ）化合物と、前記の有機配位子と、前記の溶剤と
を混合し、これらを例えば沸点下で１〜５時間還流して
反応させ、前記の錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位
したキレート錯体を調製する。有機配位子の添加量は、
錫（Ｓｎ）原子１モルに対して０.２〜６モルが好まし
く、さらに、前記の有機配位子が前記の溶剤を兼ねる場
合は、有機配位子の添加量は大過剰であってよい。有機
配位子の添加量が０.２モルより少ないと完全なキレー
ト錯体が合成されず、未反応物が残留する。また、合成
は溶液の沸点下で行うのが好ましく、常温で合成すると
キレート化が不十分となる。
ば、次のようにして作製することができる。先ず、錫
（Ｓｎ）化合物と、前記の有機配位子と、前記の溶剤と
を混合し、これらを例えば沸点下で１〜５時間還流して
反応させ、前記の錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位
したキレート錯体を調製する。有機配位子の添加量は、
錫（Ｓｎ）原子１モルに対して０.２〜６モルが好まし
く、さらに、前記の有機配位子が前記の溶剤を兼ねる場
合は、有機配位子の添加量は大過剰であってよい。有機
配位子の添加量が０.２モルより少ないと完全なキレー
ト錯体が合成されず、未反応物が残留する。また、合成
は溶液の沸点下で行うのが好ましく、常温で合成すると
キレート化が不十分となる。
【００１８】次いで、得られたキレート錯体を含む溶液
を冷却した後、この溶液に前記の感光性樹脂、および必
要に応じて前記の溶剤を添加、混合して透明導電膜形成
用塗布液を得る。このようにして得られた第１の感光性
透明導電膜形成用塗布液は安定性に優れ、９０日間放置
しても分離、沈降することはない。また、前記のキレー
ト錯体の化学構造は必ずしも明確ではないが、錫（Ｓ
ｎ）化合物として酢酸錫（II）を、有機配位子としてア
セチルアセトン（ＡＣＡＣと略記）を用いた場合、下記
式（１）で表わされる化学構造を有するものと推定され
る。 Ｓｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）x（ＡＣＡＣ）2-x （１） ただし、０.２≦ｘ≦２.０である。
を冷却した後、この溶液に前記の感光性樹脂、および必
要に応じて前記の溶剤を添加、混合して透明導電膜形成
用塗布液を得る。このようにして得られた第１の感光性
透明導電膜形成用塗布液は安定性に優れ、９０日間放置
しても分離、沈降することはない。また、前記のキレー
ト錯体の化学構造は必ずしも明確ではないが、錫（Ｓ
ｎ）化合物として酢酸錫（II）を、有機配位子としてア
セチルアセトン（ＡＣＡＣと略記）を用いた場合、下記
式（１）で表わされる化学構造を有するものと推定され
る。 Ｓｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）x（ＡＣＡＣ）2-x （１） ただし、０.２≦ｘ≦２.０である。
【００１９】「第２の感光性透明導電膜形成用塗布液」
第２の感光性透明導電膜形成用塗布液は、錫（Ｓｎ）
化合物とアンチモン（Ｓｂ）化合物とにそれぞれ有機配
位子が配位したキレート錯体と、紫外線硬化型または
紫外線崩壊型の感光性樹脂と、前記キレート錯体と前
記感光性樹脂を溶解する溶剤とを少なくとも含有してい
る。そして、この第２の感光性透明導電膜形成用塗布液
は、アンチモン（Ｓｂ）を含有しているので、第１の感
光性透明導電膜形成用塗布液よりも、導電性に優れた透
明導電膜を形成することができる。
第２の感光性透明導電膜形成用塗布液は、錫（Ｓｎ）
化合物とアンチモン（Ｓｂ）化合物とにそれぞれ有機配
位子が配位したキレート錯体と、紫外線硬化型または
紫外線崩壊型の感光性樹脂と、前記キレート錯体と前
記感光性樹脂を溶解する溶剤とを少なくとも含有してい
る。そして、この第２の感光性透明導電膜形成用塗布液
は、アンチモン（Ｓｂ）を含有しているので、第１の感
光性透明導電膜形成用塗布液よりも、導電性に優れた透
明導電膜を形成することができる。
【００２０】前記の錫（Ｓｎ）化合物については第１の
感光性透明導電膜形成用塗布液に準ずればよく、また、
アンチモン（Ｓｂ）源となる前記のアンチモン化合物と
しては、トリフェニルアンチモン、塩化アンチモンなど
が溶解性に優れ、キレート錯体が効率よく得られるので
好ましい。
感光性透明導電膜形成用塗布液に準ずればよく、また、
アンチモン（Ｓｂ）源となる前記のアンチモン化合物と
しては、トリフェニルアンチモン、塩化アンチモンなど
が溶解性に優れ、キレート錯体が効率よく得られるので
好ましい。
【００２１】また、錫（Ｓｎ）とアンチモン（Ｓｂ）の
含有量は、塗布液重量に基づき酸化物（ＳｎＯ2、Ｓｂ2
Ｏ3）換算の合量で１〜２０重量％が好ましい。１重量
％以下では得られる透明導電膜の膜厚が薄くなり過ぎ、
透明導電膜のマトリックスが充分に形成されず、均質性
及び導電性が低下する虞がある。また、２０重量％を超
えると塗布液中での溶解性が悪くなり成膜時に均一な膜
を得ることができなくなる。また、得られる透明導電膜
の膜が厚くなり過ぎ、クラックが発生して緻密な膜が得
られない。
含有量は、塗布液重量に基づき酸化物（ＳｎＯ2、Ｓｂ2
Ｏ3）換算の合量で１〜２０重量％が好ましい。１重量
％以下では得られる透明導電膜の膜厚が薄くなり過ぎ、
透明導電膜のマトリックスが充分に形成されず、均質性
及び導電性が低下する虞がある。また、２０重量％を超
えると塗布液中での溶解性が悪くなり成膜時に均一な膜
を得ることができなくなる。また、得られる透明導電膜
の膜が厚くなり過ぎ、クラックが発生して緻密な膜が得
られない。
【００２２】アンチモン（Ｓｂ）の含有量は、塗布液重
量に基づき、酸化物（Ｓｂ2Ｏ3）に換算してＳｎＯ2１
００重量部に対して、３５重量部以下であることが好ま
しく、より好ましくは３０重量部以下である。アンチモ
ン（Ｓｂ）の配合比を変えることにより、得られる透明
導電膜の比抵抗値は６桁程度変化し、焼成温度、膜厚な
どによっても異なるが、アンチモン（Ｓｂ）の含有量の
増加と共に得られる透明導電膜の比抵抗値は低下し、錫
（Ｓｎ）とアンチモン（Ｓｂ）の比が、ＳｎＯ2とＳｂ2
Ｏ3に換算した重量比で約１００／６以下で膜の表面抵
抗値は数ｋΩ／□と透明電極として十分高い導電性を示
す。従って、透明導電膜に高い導電性を望むときはアン
チモン（Ｓｂ）の含有量はＳｂ2Ｏ3としてＳｎＯ2１０
０重量部に対して約６重量部以上であることが好まし
い。しかしながら、アンチモン（Ｓｂ）の量を、Ｓｂ2
Ｏ3としてＳｎＯ2１００重量部に対して３５重量部を超
える程度に増加しても、比抵抗はもはや低下せず、むし
ろ、アンチモン（Ｓｂ）源であるアンチモン化合物の塗
布液中での溶解性が不良となり、好ましくない。
量に基づき、酸化物（Ｓｂ2Ｏ3）に換算してＳｎＯ2１
００重量部に対して、３５重量部以下であることが好ま
しく、より好ましくは３０重量部以下である。アンチモ
ン（Ｓｂ）の配合比を変えることにより、得られる透明
導電膜の比抵抗値は６桁程度変化し、焼成温度、膜厚な
どによっても異なるが、アンチモン（Ｓｂ）の含有量の
増加と共に得られる透明導電膜の比抵抗値は低下し、錫
（Ｓｎ）とアンチモン（Ｓｂ）の比が、ＳｎＯ2とＳｂ2
Ｏ3に換算した重量比で約１００／６以下で膜の表面抵
抗値は数ｋΩ／□と透明電極として十分高い導電性を示
す。従って、透明導電膜に高い導電性を望むときはアン
チモン（Ｓｂ）の含有量はＳｂ2Ｏ3としてＳｎＯ2１０
０重量部に対して約６重量部以上であることが好まし
い。しかしながら、アンチモン（Ｓｂ）の量を、Ｓｂ2
Ｏ3としてＳｎＯ2１００重量部に対して３５重量部を超
える程度に増加しても、比抵抗はもはや低下せず、むし
ろ、アンチモン（Ｓｂ）源であるアンチモン化合物の塗
布液中での溶解性が不良となり、好ましくない。
【００２３】その他、前記の感光性樹脂、その塗布液中
の含有量、および溶剤については、第１の感光性透明導
電膜形成用塗布液に準ずればよい。また、第２の感光性
透明導電膜形成用塗布液にも、感度を向上させるため適
宜重合開始剤、増感剤などを添加することができる。
の含有量、および溶剤については、第１の感光性透明導
電膜形成用塗布液に準ずればよい。また、第２の感光性
透明導電膜形成用塗布液にも、感度を向上させるため適
宜重合開始剤、増感剤などを添加することができる。
【００２４】この第２の透明導電膜形成用塗布液は、例
えば、次のようにして作製することができる。先ず、前
記の錫（Ｓｎ）化合物と、前記のアンチモン（Ｓｂ）化
合物と、前記の有機配位子と、前記の溶剤とを混合し、
これらを、例えば沸点下で１〜５時間還流して反応さ
せ、前記の錫（Ｓｎ）化合物およびアンチモン（Ｓｂ）
化合物にそれぞれ有機配位子が配位したキレート錯体を
調製する。有機配位子の添加量は、錫（Ｓｎ）原子とア
ンチモン（Ｓｂ）原子の合計１モルに対して０.２〜６
モルが好ましく、さらに、前記の有機配位子が前記の溶
剤を兼ねる場合は、有機配位子の添加量は大過剰であっ
てよい。有機配位子の添加量が０.２モルより少ないと
完全なキレート錯体が合成されず、未反応物が残留す
る。また、合成は溶液の沸点下で行うのが好ましく、常
温で合成するとキレート化が不十分となる。
えば、次のようにして作製することができる。先ず、前
記の錫（Ｓｎ）化合物と、前記のアンチモン（Ｓｂ）化
合物と、前記の有機配位子と、前記の溶剤とを混合し、
これらを、例えば沸点下で１〜５時間還流して反応さ
せ、前記の錫（Ｓｎ）化合物およびアンチモン（Ｓｂ）
化合物にそれぞれ有機配位子が配位したキレート錯体を
調製する。有機配位子の添加量は、錫（Ｓｎ）原子とア
ンチモン（Ｓｂ）原子の合計１モルに対して０.２〜６
モルが好ましく、さらに、前記の有機配位子が前記の溶
剤を兼ねる場合は、有機配位子の添加量は大過剰であっ
てよい。有機配位子の添加量が０.２モルより少ないと
完全なキレート錯体が合成されず、未反応物が残留す
る。また、合成は溶液の沸点下で行うのが好ましく、常
温で合成するとキレート化が不十分となる。
【００２５】次いで、得られたキレート錯体を含む溶液
を冷却した後、この溶液に前記の感光性樹脂、および必
要に応じて前記の溶剤を添加、混合して透明導電膜形成
用塗布液を得る。このようにして得られた第２の感光性
透明導電膜形成用塗布液は安定性に優れ、９０日間放置
しても分離、沈降することはない。また、前記のキレー
ト錯体の化学構造は必ずしも明確ではないが、錫（Ｓ
ｎ）化合物として酢酸錫（II）を、アンチモン（Ｓｂ）
化合物としてトリフェニルアンチモンを、有機配位子と
してアセチルアセトン（ＡＣＡＣと略記）を用いた場
合、下記式（２）で表わされる化学構造を有するものと
推定される。 ｛Ｓｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）x（ＡＣＡＣ）2-x・Ｓｂ（Ｃ6Ｈ5）y（ＡＣＡＣ）3-y｝ （２） ただし、０.２≦ｘ≦２.０、０.０≦ｙ≦３.０である。
を冷却した後、この溶液に前記の感光性樹脂、および必
要に応じて前記の溶剤を添加、混合して透明導電膜形成
用塗布液を得る。このようにして得られた第２の感光性
透明導電膜形成用塗布液は安定性に優れ、９０日間放置
しても分離、沈降することはない。また、前記のキレー
ト錯体の化学構造は必ずしも明確ではないが、錫（Ｓ
ｎ）化合物として酢酸錫（II）を、アンチモン（Ｓｂ）
化合物としてトリフェニルアンチモンを、有機配位子と
してアセチルアセトン（ＡＣＡＣと略記）を用いた場
合、下記式（２）で表わされる化学構造を有するものと
推定される。 ｛Ｓｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）x（ＡＣＡＣ）2-x・Ｓｂ（Ｃ6Ｈ5）y（ＡＣＡＣ）3-y｝ （２） ただし、０.２≦ｘ≦２.０、０.０≦ｙ≦３.０である。
【００２６】「パターン化された透明導電膜およびその
製造方法」パターン化された透明導電膜は、前記の第１
または第２の感光性透明電極形成用塗布液を基板上に塗
布、乾燥した後、露光、現像してパターン化し、焼成す
ることによって作製される。透明導電膜形成用塗布液を
塗布するには、公知の方法が採用でき、例えばスピンコ
ート法、ロールコート法、ディップコート法などが採用
できる。塗布液の塗布量は、形成される焼成透明導電膜
の膜厚が２０ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは４０ｎｍ〜
３００ｎｍとなるように適宜調整して塗布する。透明導
電膜の膜厚がこれより薄いと膜としてのネットワークが
十分形成されず、表明抵抗値が高くまた安定しない。逆
に厚いと膜にクラックが発生し易くなり緻密な膜が形成
できなくなる。
製造方法」パターン化された透明導電膜は、前記の第１
または第２の感光性透明電極形成用塗布液を基板上に塗
布、乾燥した後、露光、現像してパターン化し、焼成す
ることによって作製される。透明導電膜形成用塗布液を
塗布するには、公知の方法が採用でき、例えばスピンコ
ート法、ロールコート法、ディップコート法などが採用
できる。塗布液の塗布量は、形成される焼成透明導電膜
の膜厚が２０ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは４０ｎｍ〜
３００ｎｍとなるように適宜調整して塗布する。透明導
電膜の膜厚がこれより薄いと膜としてのネットワークが
十分形成されず、表明抵抗値が高くまた安定しない。逆
に厚いと膜にクラックが発生し易くなり緻密な膜が形成
できなくなる。
【００２７】塗布膜は、乾燥した後、露光、現像してパ
ターン化される。すなわち、塗布膜上に所定のパターン
を有するフォトマスクを設置して紫外線を照射して露光
し、次いで、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイ
ト、ジエタノールアミンなどの有機アルカリ、または炭
酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど
の無機アルカリの水溶液で現像してパターン化する。次
いで、パターン形成膜を４００℃以上の温度で３０分〜
２時間焼成することにより、透明導電膜が形成される。
焼成時の雰囲気は特に制限されず、通常大気中で行う。
上記の方法によれば、透明性、導電性および塗膜の機械
的強度、化学的安定性に優れ、しかもパターン加工性に
優れたパターン化された酸化錫系（第１の感光性透明導
電膜を使用した場合）、またはＡＴＯ系（第２の感光性
透明導電膜を使用した場合）の透明導電膜を、非常に簡
易な工程および低コストで作製することができる。
ターン化される。すなわち、塗布膜上に所定のパターン
を有するフォトマスクを設置して紫外線を照射して露光
し、次いで、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイ
ト、ジエタノールアミンなどの有機アルカリ、または炭
酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど
の無機アルカリの水溶液で現像してパターン化する。次
いで、パターン形成膜を４００℃以上の温度で３０分〜
２時間焼成することにより、透明導電膜が形成される。
焼成時の雰囲気は特に制限されず、通常大気中で行う。
上記の方法によれば、透明性、導電性および塗膜の機械
的強度、化学的安定性に優れ、しかもパターン加工性に
優れたパターン化された酸化錫系（第１の感光性透明導
電膜を使用した場合）、またはＡＴＯ系（第２の感光性
透明導電膜を使用した場合）の透明導電膜を、非常に簡
易な工程および低コストで作製することができる。
【００２８】実施例 以下、実施例及び比較例を掲げ、本発明を更に具体的に
説明する。実施例1 酢酸錫（キシダ化学社製）、３９.７ｇと、トリフェニ
ルアンチモン（関東化学社製）、６.４ｇをアセチルア
セトン（関東化学社製）６０.３ｇと混合した後、沸点
下で４時間還流して反応させ、アセチルアセトンが配位
したキレート錯体を得た。この時のＳｂ添加量はＳｂ2
Ｏ3換算でＳｎＯ2１００重量部に対して１０重量部であ
った。次に得られたキレート錯体を室温まで冷却後、ネ
ガ型感光性樹脂（富士フィルムオーリン社製；ＣＳＰ−
Ｓ００４）、１１５.１ｇと希釈溶剤となるアセチルア
セトン（関東化学社製）、７９.７ｇを添加し、室温で
１時間よく攪拌混合することで感光性導電膜形成用塗布
液を得た。塗布液中の錫（Ｓｎ）とアンチモン（Ｓｂ）
の含有量は酸化物（ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3）換算の合量と
して塗布液重量に基づき９重量％であり、また、感光性
樹脂含有量は塗布液重量に基づき１２重量％であった。
なお、このようにして得られた感光性透明導電膜形成用
塗布液を、９０日間放置したところ、分離、沈降は生じ
なかった。
説明する。実施例1 酢酸錫（キシダ化学社製）、３９.７ｇと、トリフェニ
ルアンチモン（関東化学社製）、６.４ｇをアセチルア
セトン（関東化学社製）６０.３ｇと混合した後、沸点
下で４時間還流して反応させ、アセチルアセトンが配位
したキレート錯体を得た。この時のＳｂ添加量はＳｂ2
Ｏ3換算でＳｎＯ2１００重量部に対して１０重量部であ
った。次に得られたキレート錯体を室温まで冷却後、ネ
ガ型感光性樹脂（富士フィルムオーリン社製；ＣＳＰ−
Ｓ００４）、１１５.１ｇと希釈溶剤となるアセチルア
セトン（関東化学社製）、７９.７ｇを添加し、室温で
１時間よく攪拌混合することで感光性導電膜形成用塗布
液を得た。塗布液中の錫（Ｓｎ）とアンチモン（Ｓｂ）
の含有量は酸化物（ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3）換算の合量と
して塗布液重量に基づき９重量％であり、また、感光性
樹脂含有量は塗布液重量に基づき１２重量％であった。
なお、このようにして得られた感光性透明導電膜形成用
塗布液を、９０日間放置したところ、分離、沈降は生じ
なかった。
【００２９】得られた塗布液を無アルカリガラス（コー
ニング＃１７３７）基板上にスピンコーターで塗布した
後、オーブン中１３５℃で５分間乾燥を行った。その後
所定のパターン加工精度評価用のフォトマスク（線幅：
２、３、４、５、……、１５μｍ、線間：２、３、４、
５、……、１５μｍ）を設置して、紫外線露光を行っ
た。用いた紫外線露光機の露光強度は２ｍＷ／ｃｍ
2（ｉ線）で、照射した露光量は５００ｍＪ／ｃｍ2であ
った。次いで、３２℃に保持したテトラメチルアンモニ
ウムハイドロキサイト水溶液の浴で５分間パドル現像を
行い、所定のパターンを得た。この基板を大気中５８０
℃で１時間焼成することでパターン形成されたＡＴＯ系
透明導電薄膜が得られた。得られたパターン膜の膜厚を
触針式膜厚測定装置（ＤＥＫＴＡＫ３０３）、表面抵抗
及び比抵抗値を四端子法抵抗測定装置（三菱化学（株）
製ロレスタＡＰ）、波長５５０ｎｍの光透過率を分光光
度計（日本分光（株）製Ｖ−５７０）、ヘーズ値をヘー
ズメータ（東京電色（株）製 Haze Meter Model ＴＣ
−Ｈ３ＤＰＫ）、膜強度を消しゴム試験法、パターン加
工精度を光学顕微鏡観察法により、それぞれ評価した。
その結果を表１に示した。
ニング＃１７３７）基板上にスピンコーターで塗布した
後、オーブン中１３５℃で５分間乾燥を行った。その後
所定のパターン加工精度評価用のフォトマスク（線幅：
２、３、４、５、……、１５μｍ、線間：２、３、４、
５、……、１５μｍ）を設置して、紫外線露光を行っ
た。用いた紫外線露光機の露光強度は２ｍＷ／ｃｍ
2（ｉ線）で、照射した露光量は５００ｍＪ／ｃｍ2であ
った。次いで、３２℃に保持したテトラメチルアンモニ
ウムハイドロキサイト水溶液の浴で５分間パドル現像を
行い、所定のパターンを得た。この基板を大気中５８０
℃で１時間焼成することでパターン形成されたＡＴＯ系
透明導電薄膜が得られた。得られたパターン膜の膜厚を
触針式膜厚測定装置（ＤＥＫＴＡＫ３０３）、表面抵抗
及び比抵抗値を四端子法抵抗測定装置（三菱化学（株）
製ロレスタＡＰ）、波長５５０ｎｍの光透過率を分光光
度計（日本分光（株）製Ｖ−５７０）、ヘーズ値をヘー
ズメータ（東京電色（株）製 Haze Meter Model ＴＣ
−Ｈ３ＤＰＫ）、膜強度を消しゴム試験法、パターン加
工精度を光学顕微鏡観察法により、それぞれ評価した。
その結果を表１に示した。
【００３０】実施例２ トリフェニルアンチモンを添加しなかった他は実施例１
に準じて透明導電膜形成用塗布液を得た。この感光性透
明導電膜形成用塗布液を、９０日間放置したところ、分
離、沈降は生じなかった。この透明導電膜形成用塗布液
を用いた他は実施例１に準じてパターン形成された酸化
錫系透明導電膜を得た。このパターン形成された透明導
電膜の特性を実施例１に準じて評価した。その結果を表
１に示した。
に準じて透明導電膜形成用塗布液を得た。この感光性透
明導電膜形成用塗布液を、９０日間放置したところ、分
離、沈降は生じなかった。この透明導電膜形成用塗布液
を用いた他は実施例１に準じてパターン形成された酸化
錫系透明導電膜を得た。このパターン形成された透明導
電膜の特性を実施例１に準じて評価した。その結果を表
１に示した。
【００３１】実施例３ トリフェニルアンチモンの使用量を１５.７ｇとした他
は実施例１に準じて透明導電膜形成用塗布液を得た。こ
の感光性透明導電膜形成用塗布液を、９０日間放置して
ところ、分離、沈降は生じなかった。なお、Ｓｂ添加量
はＳｂ2Ｏ3換算でＳｎＯ2１００重量部に対して２６重
量部であり、塗布液中のＳｂとＳｎとの合量は（Ｓｂ2
Ｏ3＋ＳｎＯ2）換算で１０重量％であった。この透明導
電膜形成用塗布液を用いた他は実施例１に準じてパター
ン形成されたＡＴＯ系透明導電膜を得た。このパターン
形成された透明導電膜の特性を実施例１に準じて評価し
た。その結果を表１に示した。
は実施例１に準じて透明導電膜形成用塗布液を得た。こ
の感光性透明導電膜形成用塗布液を、９０日間放置して
ところ、分離、沈降は生じなかった。なお、Ｓｂ添加量
はＳｂ2Ｏ3換算でＳｎＯ2１００重量部に対して２６重
量部であり、塗布液中のＳｂとＳｎとの合量は（Ｓｂ2
Ｏ3＋ＳｎＯ2）換算で１０重量％であった。この透明導
電膜形成用塗布液を用いた他は実施例１に準じてパター
ン形成されたＡＴＯ系透明導電膜を得た。このパターン
形成された透明導電膜の特性を実施例１に準じて評価し
た。その結果を表１に示した。
【００３２】実施例４ ネガ型感光性樹脂（ＣＳＰ−Ｓ００４）の使用量を３
２.３ｇ、希釈溶剤であるアセチルアセトンの使用量を
３１.４ｇとした他は実施例１に準じて透明導電膜形成
用塗布液を得た。この感光性透明導電膜形成用塗布液
を、９０日間放置してところ、分離、沈降は生じなかっ
た。なお、感光性樹脂含有量は５.９重量％であり、
（Ｓｂ2Ｏ3＋ＳｎＯ2）量は１７重量％であった。この
透明導電膜形成用塗布液を用いた他は実施例１に準じて
パターン形成されたＡＴＯ系透明導電膜を得た。このパ
ターン形成された透明導電膜の特性を実施例１に準じて
評価した。その結果を表１に示した。
２.３ｇ、希釈溶剤であるアセチルアセトンの使用量を
３１.４ｇとした他は実施例１に準じて透明導電膜形成
用塗布液を得た。この感光性透明導電膜形成用塗布液
を、９０日間放置してところ、分離、沈降は生じなかっ
た。なお、感光性樹脂含有量は５.９重量％であり、
（Ｓｂ2Ｏ3＋ＳｎＯ2）量は１７重量％であった。この
透明導電膜形成用塗布液を用いた他は実施例１に準じて
パターン形成されたＡＴＯ系透明導電膜を得た。このパ
ターン形成された透明導電膜の特性を実施例１に準じて
評価した。その結果を表１に示した。
【００３３】実施例５ 焼成温度を５００℃とした他は実施例１に準じてパター
ン形成されたＡＴＯ系透明導電膜を得た。このパターン
形成された透明導電膜の特性を実施例１に準じて評価し
た。その結果を表１に示した。
ン形成されたＡＴＯ系透明導電膜を得た。このパターン
形成された透明導電膜の特性を実施例１に準じて評価し
た。その結果を表１に示した。
【００３４】実施例６ 焼成温度を４００℃とした他は実施例１に準じてパター
ン形成されたＡＴＯ系透明導電膜を得た。このパターン
形成された透明導電膜の特性を実施例１に準じて評価し
た。その結果を表１に示した。
ン形成されたＡＴＯ系透明導電膜を得た。このパターン
形成された透明導電膜の特性を実施例１に準じて評価し
た。その結果を表１に示した。
【００３５】比較例１ 無アルカリガラス基板（コーニング＃１７３７）上に感
光性レジスト樹脂（ＣＳＰ−００３Ａ；富士フィルムオ
ーリン社製）をロールコータを用いて塗布し、１３５℃
のホットプレート上で５分間乾燥した。その後、実施例
１で用いたフォトマスクと反対のパターン（ネガパター
ン）を有するパターン加工精度評価用のフォトマスク
（線幅：１０、２０、３０、４０、５０、６０、……、
１００μm、線間：１０、２０、３０、４０、５０、６
０、……、１００μm）を設置して２００ｍＪ／ｃｍ2の
露光量で露光した後、３０℃のアルカリ現像液（ＣＤ−
２０００；富士フィルムオーリン社製の５０％水溶液）
で５分間パドル現像しパターン膜（膜厚；５μm）を得
た。このネガパターン膜付き基板をＣＶＤ装置内のフォ
ットプレート上に設置し、５００℃に加熱した。
光性レジスト樹脂（ＣＳＰ−００３Ａ；富士フィルムオ
ーリン社製）をロールコータを用いて塗布し、１３５℃
のホットプレート上で５分間乾燥した。その後、実施例
１で用いたフォトマスクと反対のパターン（ネガパター
ン）を有するパターン加工精度評価用のフォトマスク
（線幅：１０、２０、３０、４０、５０、６０、……、
１００μm、線間：１０、２０、３０、４０、５０、６
０、……、１００μm）を設置して２００ｍＪ／ｃｍ2の
露光量で露光した後、３０℃のアルカリ現像液（ＣＤ−
２０００；富士フィルムオーリン社製の５０％水溶液）
で５分間パドル現像しパターン膜（膜厚；５μm）を得
た。このネガパターン膜付き基板をＣＶＤ装置内のフォ
ットプレート上に設置し、５００℃に加熱した。
【００３６】一方、二塩化ジメチル錫：１４５．８重量
部、三塩化アンチモン：１２．５２重量部を精製水：２
００重量部に溶解させ、さらに塩酸：５重量部を添加し
て錫、アンチモン含有水溶液を作製した。この水溶液中
のＳｂ量は、Ｓｂ2Ｏ3換算でＳｎＯ2に対して８重量％
でり、ＳｂとＳｎとの合量はＳｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2換算で
３０重量％であった。このようにして得られた水溶液を
定量ポンプを用いて２００℃以上に加熱したポットに滴
下して気化した混合ガスを得、この混合ガスを空気をキ
ャリアーガスとしてＣＶＤチャンバに導入し、ＣＶＤノ
ズルから加熱された前記ガラス基板に吹き付け、下記の
反応式に従って、ＡＴＯ膜を全面、すなわちパターンの
スペース部分と熱で変質した感光性レジスト膜上の全て
の面状に形成した。 （ＣＨ3）2ＳｎＣｌ2 → Ｓｎ＋２ＣＨ3Ｃｌ↑ ＳｂＣｌ3 → Ｓｂ＋３／２Ｃｌ2 Ｓｎ＋Ｓｂ＋Ｏ2（空気） → ＳｎＯ2（ＳｂがＳｎＯ
2結晶中に固溶したＡＴＯ膜）
部、三塩化アンチモン：１２．５２重量部を精製水：２
００重量部に溶解させ、さらに塩酸：５重量部を添加し
て錫、アンチモン含有水溶液を作製した。この水溶液中
のＳｂ量は、Ｓｂ2Ｏ3換算でＳｎＯ2に対して８重量％
でり、ＳｂとＳｎとの合量はＳｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2換算で
３０重量％であった。このようにして得られた水溶液を
定量ポンプを用いて２００℃以上に加熱したポットに滴
下して気化した混合ガスを得、この混合ガスを空気をキ
ャリアーガスとしてＣＶＤチャンバに導入し、ＣＶＤノ
ズルから加熱された前記ガラス基板に吹き付け、下記の
反応式に従って、ＡＴＯ膜を全面、すなわちパターンの
スペース部分と熱で変質した感光性レジスト膜上の全て
の面状に形成した。 （ＣＨ3）2ＳｎＣｌ2 → Ｓｎ＋２ＣＨ3Ｃｌ↑ ＳｂＣｌ3 → Ｓｂ＋３／２Ｃｌ2 Ｓｎ＋Ｓｂ＋Ｏ2（空気） → ＳｎＯ2（ＳｂがＳｎＯ
2結晶中に固溶したＡＴＯ膜）
【００３７】感光性レジスト膜は基板の加熱により、パ
ターンエッジ部が特に変質、変形および一部欠損してお
り、レジスト膜剥離後のＡＴＯ膜は設計どおりの微細な
パターン膜ではなかった。このパターン形成された透明
導電膜の特性を実施例１に準じて評価した。その結果を
表１に示した。
ターンエッジ部が特に変質、変形および一部欠損してお
り、レジスト膜剥離後のＡＴＯ膜は設計どおりの微細な
パターン膜ではなかった。このパターン形成された透明
導電膜の特性を実施例１に準じて評価した。その結果を
表１に示した。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【発明の効果】本発明の感光性透明電極形成用塗布液
は、錫（Ｓｎ）化合物、または錫（Ｓｎ）化合物とアン
チモン（Ｓｂ）化合物のそれぞれに有機配位子が配位し
たキレート錯体を含有するので、安価で安定性に優れて
いる。また、この感光性透明電極形成用塗布液を基板上
に塗布、乾燥し、該乾燥膜を露光、現像してパターン化
し、さらに焼成して得られる、酸化錫系化合物からなる
透明導電膜は透明性、機械的および化学的安定性に優
れ、またドープするアンチモン量を変えることにより広
範囲の導電性を有する膜が得られ、ディスプレイなどの
透明電極材料や帯電防止材料として適している。さら
に、パターン化された透明導電膜の製造方法は、成膜時
の作業性が良く、非常に簡易な工程で微細なパターン化
された透明導電膜を作製することができる。
は、錫（Ｓｎ）化合物、または錫（Ｓｎ）化合物とアン
チモン（Ｓｂ）化合物のそれぞれに有機配位子が配位し
たキレート錯体を含有するので、安価で安定性に優れて
いる。また、この感光性透明電極形成用塗布液を基板上
に塗布、乾燥し、該乾燥膜を露光、現像してパターン化
し、さらに焼成して得られる、酸化錫系化合物からなる
透明導電膜は透明性、機械的および化学的安定性に優
れ、またドープするアンチモン量を変えることにより広
範囲の導電性を有する膜が得られ、ディスプレイなどの
透明電極材料や帯電防止材料として適している。さら
に、パターン化された透明導電膜の製造方法は、成膜時
の作業性が良く、非常に簡易な工程で微細なパターン化
された透明導電膜を作製することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０２Ｆ 1/1343 ５Ｇ３０７ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ ５Ｇ３２３ 7/40 ５０１ 7/40 ５０１ Ｈ０１Ｂ 1/20 Ｈ０１Ｂ 1/20 Ａ 5/14 5/14 Ａ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB17 AC01 AD01 AD03 CC03 CC09 FA03 FA17 FA29 2H092 HA03 MA10 MA14 NA11 NA27 NA29 2H096 AA27 BA01 BA09 BA20 EA02 GA08 4J038 JC38 JC41 KA06 KA12 NA01 NA20 PA17 PA19 PB09 5G301 DA22 DA42 DD02 5G307 FA01 FB01 FC03 5G323 BA04 BB01 BC01
Claims (12)
- 【請求項１】 錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の
感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有することを特徴
とする感光性透明導電膜形成用塗布液。 - 【請求項２】 前記の錫（Ｓｎ）化合物は、酢酸錫（I
I）、ぎ酸錫（II）、蓚酸錫（II）、２−エチルヘキサ
ン酸錫（II）、テトラメチル錫（IV）、トリブチル酢酸
錫（IV）、テトラｎ−プロポキシ錫（IV）からなる群か
ら選ばれた少なくとも１種である請求項１記載の感光性
透明導電膜形成用塗布液。 - 【請求項３】 前記の有機配位子は、β−ジケトン、ア
ミノアルコール、多価アルコールからなる群から選ばれ
た少なくとも１種である請求項１または請求項２記載の
感光性透明導電膜形成用塗布液。 - 【請求項４】 前記の錫（Ｓｎ）の含有量は、塗布液重
量に基づき酸化物（ＳｎＯ2）換算で１〜２０重量％で
ある請求項１記載の感光性透明導電膜形成用塗布液。 - 【請求項５】 錫（Ｓｎ）化合物とアンチモン（Ｓｂ）
化合物とにそれぞれ有機配位子が配位したキレート錯体
と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の感光性樹脂と、
溶剤とを少なくとも含有することを特徴とする感光性透
明導電膜形成用塗布液。 - 【請求項６】 前記の錫（Ｓｎ）化合物は、酢酸錫（I
I）、ぎ酸錫（II）、蓚酸錫（II）、２−エチルヘキサ
ン酸錫（II）、テトラメチル錫（IV）、トリブチル酢酸
錫（IV）、テトラｎ−プロポキシ錫（IV）からなる群か
ら選ばれた少なくとも１種である請求項５記載の感光性
透明導電膜形成用塗布液。 - 【請求項７】 前記のアンチモン（Ｓｂ）化合物は、ト
リフェニルアンチモン、塩化アンチモンからなる群から
選ばれた少なくとも１種である請求項５または請求項６
記載の感光性透明導電膜形成用塗布液。 - 【請求項８】 前記の有機配位子は、β−ジケトン、ア
ミノアルコール、多価アルコールからなる群から選ばれ
た少なくとも１種である請求項５〜請求項７のいずれか
に記載の感光性透明導電膜形成用塗布液。 - 【請求項９】 前記の錫（Ｓｎ）とアンチモン（Ｓｂ）
の含有量は、塗布液重量に基づき酸化物（ＳｎＯ2、Ｓ
ｂ2Ｏ3）換算の合量で１〜２０重量％である請求項５〜
請求項８のいずれかに記載の感光性透明導電膜形成用塗
布液。 - 【請求項１０】 前記のアンチモン（Ｓｂ）の含有量
は、酸化物（Ｓｂ2Ｏ3）に換算してＳｎＯ2１００重量
部に対して、３５重量部以下である請求項５〜請求項９
のいずれかに記載の感光性透明導電膜形成用塗布液。 - 【請求項１１】 請求項１〜請求項１０のいずれかに記
載の感光性透明導電膜形成用塗布液を基板上に塗布、乾
燥し、該乾燥膜を露光、現像してパターン化し、焼成し
て得られた酸化錫を主成分とすることを特徴とするパタ
ーン化された透明導電膜。 - 【請求項１２】 請求項１〜請求項１０のいずれかに記
載の感光性透明導電膜形成用塗布液を基板上に塗布、乾
燥し、該乾燥膜上にフォトマスクを設置し、紫外線を照
射して露光した後、現像してパターン化し、４００℃以
上の温度で焼成することを特徴とするパターン化された
透明導電膜の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000195685A JP2002015631A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 感光性透明導電膜形成用塗布液、パターン化された透明導電膜および該透明導電膜の製造方法 |
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