JP2002083777A - バブラー - Google Patents
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material using a porous body
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 化学蒸着系の固体有機金属供給源物質を用い
る２つのチャンバーを有するバブラーデザイン、および
このような系中に送達するためのソース材料で飽和した
キャリアガスの輸送法を開示する。 【解決手段】 細長い円筒形部分、トップクロージャー
部分１５、ボトムクロージャー部分１６、およびインレ
ットチャンバ２５、アウトレットチャンバ３０を有し、
該トップクロージャー部分がフィルプラグとガスインレ
ット開口部１９を有し、フィルプラグとガスインレット
開口部１９はインレットチャンバ２５と連通し、アウト
レット開口部２０はアウトレットチャンバ３０と連通
し、インレットチャンバーは多孔質要素１４を含む円錐
形底部２１を有し、多孔質要素がボトムクロージャー部
分から間隔をおいて配置されている容器を含む、気化し
た有機金属化合物を化学蒸着系に提供する装置。
る２つのチャンバーを有するバブラーデザイン、および
このような系中に送達するためのソース材料で飽和した
キャリアガスの輸送法を開示する。 【解決手段】 細長い円筒形部分、トップクロージャー
部分１５、ボトムクロージャー部分１６、およびインレ
ットチャンバ２５、アウトレットチャンバ３０を有し、
該トップクロージャー部分がフィルプラグとガスインレ
ット開口部１９を有し、フィルプラグとガスインレット
開口部１９はインレットチャンバ２５と連通し、アウト
レット開口部２０はアウトレットチャンバ３０と連通
し、インレットチャンバーは多孔質要素１４を含む円錐
形底部２１を有し、多孔質要素がボトムクロージャー部
分から間隔をおいて配置されている容器を含む、気化し
た有機金属化合物を化学蒸着系に提供する装置。
Description
【０００１】本発明は一般に蒸着装置において用いられ
る蒸気発生器に関する。特に、本発明は蒸気相エピタク
シー（ｅｐｉｔａｘｙ）および他の化学蒸着装置の必要
性のためにデザインされた蒸気発生器に関する。
る蒸気発生器に関する。特に、本発明は蒸気相エピタク
シー（ｅｐｉｔａｘｙ）および他の化学蒸着装置の必要
性のためにデザインされた蒸気発生器に関する。
【０００２】さまざまな組成の異なるモノクリスタル層
を含み、１ミクロンから数ミクロンの範囲の厚さのＩＩ
Ｉ−Ｖ群化合物半導体物質が、多くの電子および光電子
装置、例えばレーザーおよび光検出器の製造において用
いられる。有機金属化合物を用いた化学蒸着法は、ＩＩ
Ｉ−Ｖ群化合物の金属薄膜または半導体薄膜の堆積のた
めの化学蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）（「ＣＤＶ」）分野において典型的に
用いられる。半導体産業用のＣＤＶにおける前駆体とし
て典型的に用いられる化合物としては、シクロペンタジ
エニルマグネシウム（「Ｃｐ２Ｍｇ」）、トリメチルア
ルミニウム（［ＴＭＡ」）、トリメチルガリウム（「Ｔ
ＭＧ」）、トリエチルガリウム（［ＴＥＧ］）、トリメ
チルアンチモン（「ＴＭＳｂ」）、ジメチルヒドラジン
（「ＤＭＨｙ」）、トリメチルインジウム（「ＴＭ
Ｉ」）等が挙げられる。固体前駆体、例えばＴＭＩは、
インジウム含有半導体の金属有機気相エピタクシー
（「ＭＯＶＰＥ」）において用いられる。
を含み、１ミクロンから数ミクロンの範囲の厚さのＩＩ
Ｉ−Ｖ群化合物半導体物質が、多くの電子および光電子
装置、例えばレーザーおよび光検出器の製造において用
いられる。有機金属化合物を用いた化学蒸着法は、ＩＩ
Ｉ−Ｖ群化合物の金属薄膜または半導体薄膜の堆積のた
めの化学蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）（「ＣＤＶ」）分野において典型的に
用いられる。半導体産業用のＣＤＶにおける前駆体とし
て典型的に用いられる化合物としては、シクロペンタジ
エニルマグネシウム（「Ｃｐ２Ｍｇ」）、トリメチルア
ルミニウム（［ＴＭＡ」）、トリメチルガリウム（「Ｔ
ＭＧ」）、トリエチルガリウム（［ＴＥＧ］）、トリメ
チルアンチモン（「ＴＭＳｂ」）、ジメチルヒドラジン
（「ＤＭＨｙ」）、トリメチルインジウム（「ＴＭ
Ｉ」）等が挙げられる。固体前駆体、例えばＴＭＩは、
インジウム含有半導体の金属有機気相エピタクシー
（「ＭＯＶＰＥ」）において用いられる。
【０００３】典型的には、このような固体前駆体を、
「バブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）」と称する円筒形容器ま
たは容器中に入れ、一定温度にすると、固体前駆体は気
化する。キャリアガス、例えば水素を用いて、前駆化合
物蒸気を捕捉し、これを堆積系に輸送する。ほとんどの
固体前駆体は、公知のバブラータイプの前駆体容器にお
いて用いられる場合、送出量が不十分で、不定である。
このような公知バブラーとしては、インレットに取り付
けられたディップチューブ（ｄｉｐ ｔｕｂｅ）を有す
るバブラー容器、例えば米国特許第４５０６８１５号
（Ｍｅｌａｓら）参照、または米国特許第５７５５８８
５号に開示されているようなガス供給装置であって、デ
ィップチューブ中にキャリアガスを容器中に導入するた
めの複数のガス放出孔を有する装置があげられる。この
ような公知バブラー系は、特に固体有機金属前駆体を用
いる場合に前駆体蒸気の流速が不安定で不均一になる可
能性がある。不均一な流速はＭＯＶＰＥリアクタ中で増
大し、フィルム、特に半導体フィルムの組成に悪影響を
及ぼす。
「バブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）」と称する円筒形容器ま
たは容器中に入れ、一定温度にすると、固体前駆体は気
化する。キャリアガス、例えば水素を用いて、前駆化合
物蒸気を捕捉し、これを堆積系に輸送する。ほとんどの
固体前駆体は、公知のバブラータイプの前駆体容器にお
いて用いられる場合、送出量が不十分で、不定である。
このような公知バブラーとしては、インレットに取り付
けられたディップチューブ（ｄｉｐ ｔｕｂｅ）を有す
るバブラー容器、例えば米国特許第４５０６８１５号
（Ｍｅｌａｓら）参照、または米国特許第５７５５８８
５号に開示されているようなガス供給装置であって、デ
ィップチューブ中にキャリアガスを容器中に導入するた
めの複数のガス放出孔を有する装置があげられる。この
ような公知バブラー系は、特に固体有機金属前駆体を用
いる場合に前駆体蒸気の流速が不安定で不均一になる可
能性がある。不均一な流速はＭＯＶＰＥリアクタ中で増
大し、フィルム、特に半導体フィルムの組成に悪影響を
及ぼす。
【０００４】他のバブラー系、たとえばＭｏｒｔｏｎ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ、Ｉｎｃ．により開発され
たものなど、ディップチューブの使用を回避するものが
開発されてきた。しかしながら、このようなディップチ
ューブのないバブラーは均一な流速を提供することが判
明しているが、一貫して高い濃度の前駆体物質を提供で
きない。固体前駆体から一貫して高い濃度でフィード蒸
気を安定して供給できないことは、特に半導体装置製造
においてこのような装置を使用する者にとって問題であ
る。不安定な有機金属前駆体の流速は、気化が起こる化
学物質の全表面積の段階的減少、キャリアガスと前駆化
合物との接触が最低とする固体前駆体化合物を通るチャ
ネリング、およびキャリアガスとの有効な接触が困難で
あるかまたは不可能であるバブラーの部分への前駆体固
体物質の昇華などを含む様々な要因による。
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ、Ｉｎｃ．により開発され
たものなど、ディップチューブの使用を回避するものが
開発されてきた。しかしながら、このようなディップチ
ューブのないバブラーは均一な流速を提供することが判
明しているが、一貫して高い濃度の前駆体物質を提供で
きない。固体前駆体から一貫して高い濃度でフィード蒸
気を安定して供給できないことは、特に半導体装置製造
においてこのような装置を使用する者にとって問題であ
る。不安定な有機金属前駆体の流速は、気化が起こる化
学物質の全表面積の段階的減少、キャリアガスと前駆化
合物との接触が最低とする固体前駆体化合物を通るチャ
ネリング、およびキャリアガスとの有効な接触が困難で
あるかまたは不可能であるバブラーの部分への前駆体固
体物質の昇華などを含む様々な要因による。
【０００５】逆流バブラーの使用、前駆体物質中の分散
物質の使用、固体前駆体物質床下の拡散プレートの使
用、円錐状円筒デザインの使用および固体前駆体物質の
解凝集のためにシリンダーを叩解するなど、流れの問題
を克服するために様々な方法が採用されてきた。例え
ば、米国特許第４７０４９８８号（Ｍｅｌｌｅｔ）は、
容器が多孔質隔壁により第一および第二の区画に分割さ
れているバブラーを開示する。このデザインにおいて、
前駆体物質は第一区画中に液体状態において含まれ、気
化すると隔壁を通って第二区画中に拡散し、ここで容器
から適当な堆積チャンバー中へ輸送するためのキャリア
ガスと接触し、連行される。
物質の使用、固体前駆体物質床下の拡散プレートの使
用、円錐状円筒デザインの使用および固体前駆体物質の
解凝集のためにシリンダーを叩解するなど、流れの問題
を克服するために様々な方法が採用されてきた。例え
ば、米国特許第４７０４９８８号（Ｍｅｌｌｅｔ）は、
容器が多孔質隔壁により第一および第二の区画に分割さ
れているバブラーを開示する。このデザインにおいて、
前駆体物質は第一区画中に液体状態において含まれ、気
化すると隔壁を通って第二区画中に拡散し、ここで容器
から適当な堆積チャンバー中へ輸送するためのキャリア
ガスと接触し、連行される。
【０００６】米国特許第５６０３１６９号（Ｋｉｍ）
は、下部および上部多孔質プレートを有し、キャリアガ
スがこれを通過するバブラーデザインを開示する。下部
多孔質プレートは、キャリアガス供給入り口より上に位
置し、固体前駆体物質を支持する。操作中、キャリアガ
スは下部多孔質プレートを通過した後、固体前駆体物質
と接触する。圧縮プレートは前駆体物質をその重量によ
りプレスするために下部多孔質プレートより上に位置す
る。このようなバブラーデザインはかなり複雑で、バブ
ラー中を上方向に、すなわち重力に逆らって通過する前
に多孔質プラグを通るキャリア流れによる固体前駆体物
質の流動化の問題がある。これにより、固体前駆体物質
の有効面積において変化が生じ、これはバブラーの性能
に悪影響を及ぼす。
は、下部および上部多孔質プレートを有し、キャリアガ
スがこれを通過するバブラーデザインを開示する。下部
多孔質プレートは、キャリアガス供給入り口より上に位
置し、固体前駆体物質を支持する。操作中、キャリアガ
スは下部多孔質プレートを通過した後、固体前駆体物質
と接触する。圧縮プレートは前駆体物質をその重量によ
りプレスするために下部多孔質プレートより上に位置す
る。このようなバブラーデザインはかなり複雑で、バブ
ラー中を上方向に、すなわち重力に逆らって通過する前
に多孔質プラグを通るキャリア流れによる固体前駆体物
質の流動化の問題がある。これにより、固体前駆体物質
の有効面積において変化が生じ、これはバブラーの性能
に悪影響を及ぼす。
【０００７】公知のバブラーデザインは、前駆体物質を
最大捕捉しつつ均質な流速を提供できない。したがっ
て、固体前駆体物質蒸気の安定な流れ／捕捉が継続して
要請されている。さらに、蒸気供給源が全体的に消耗す
るまで均質で高い濃度の前駆体物質蒸気を提供するよう
に製造されたバブラー装置が必要とされる。
最大捕捉しつつ均質な流速を提供できない。したがっ
て、固体前駆体物質蒸気の安定な流れ／捕捉が継続して
要請されている。さらに、蒸気供給源が全体的に消耗す
るまで均質で高い濃度の前駆体物質蒸気を提供するよう
に製造されたバブラー装置が必要とされる。
【０００８】意外にも、本発明のバブラーデザインは前
駆体物質蒸気の安定な流速を提供し、キャリアガス中の
高濃度の前駆体蒸気を提供し、公知バブラーよりも低い
圧力で用いることができ、前駆体物質とキャリアガスの
接触を最大にする。
駆体物質蒸気の安定な流速を提供し、キャリアガス中の
高濃度の前駆体蒸気を提供し、公知バブラーよりも低い
圧力で用いることができ、前駆体物質とキャリアガスの
接触を最大にする。
【０００９】一態様において、本発明は、円筒形部分の
長さ方向において実質的に一定の断面を画定する内部表
面を有する細長い円筒形部分、トップクロージャー部
分、ボトムクロージャー部分、および流体と連通し多孔
質要素により分離されているインレットおよびアウトレ
ットチャンバーを有し、該トップクロージャー部分がフ
ィルプラグとガスインレット開口部を有し、フィルプラ
グとインレット開口部はインレットチャンバーと連通
し、アウトレット開口部はアウトレットチャンバーと連
通し、インレットチャンバーは多孔質要素を含む円錐形
底部を有し、多孔質要素がボトムクロージャー部分から
間隔をおいて配置されている容器を含む、気化した有機
金属化合物を化学蒸着系に提供する装置を提供する。
長さ方向において実質的に一定の断面を画定する内部表
面を有する細長い円筒形部分、トップクロージャー部
分、ボトムクロージャー部分、および流体と連通し多孔
質要素により分離されているインレットおよびアウトレ
ットチャンバーを有し、該トップクロージャー部分がフ
ィルプラグとガスインレット開口部を有し、フィルプラ
グとインレット開口部はインレットチャンバーと連通
し、アウトレット開口部はアウトレットチャンバーと連
通し、インレットチャンバーは多孔質要素を含む円錐形
底部を有し、多孔質要素がボトムクロージャー部分から
間隔をおいて配置されている容器を含む、気化した有機
金属化合物を化学蒸着系に提供する装置を提供する。
【００１０】第二の態様において、本発明はａ）有機金
属前駆化合物を前記の装置中に導入する工程；ｂ）有機
金属前駆化合物を加熱する工程；ｃ）キャリアガスを有
機金属前駆化合物に通して気化した有機金属前駆化合物
を含有するガス流れを提供する工程；およびｄ）ガス流
れを化学蒸着系に送達する工程を含む、気相の有機金属
前駆化合物を化学蒸着系に提供する方法を提供する。
属前駆化合物を前記の装置中に導入する工程；ｂ）有機
金属前駆化合物を加熱する工程；ｃ）キャリアガスを有
機金属前駆化合物に通して気化した有機金属前駆化合物
を含有するガス流れを提供する工程；およびｄ）ガス流
れを化学蒸着系に送達する工程を含む、気相の有機金属
前駆化合物を化学蒸着系に提供する方法を提供する。
【００１１】第三の態様において、本発明は前記の装置
を含む有機金属前駆化合物の化学蒸着用装置を提供す
る。
を含む有機金属前駆化合物の化学蒸着用装置を提供す
る。
【００１２】図１は公知のディップチューブバブラーの
断面図である。図２は環状デザインを有する本発明のバ
ブラーの断面図である。図２Ａは図２のバブラーのイン
レットチャンバーの円錐部分の断面図である。図３は非
環状デザインを有する本発明のバブラーの断面図であ
る。 図３Ａは図３のバブラーのインレットチャンバー
の円錐セクションの断面図である。
断面図である。図２は環状デザインを有する本発明のバ
ブラーの断面図である。図２Ａは図２のバブラーのイン
レットチャンバーの円錐部分の断面図である。図３は非
環状デザインを有する本発明のバブラーの断面図であ
る。 図３Ａは図３のバブラーのインレットチャンバー
の円錐セクションの断面図である。
【００１３】本明細書全体にわたって用いる場合、以下
の略語は特記しない限り以下の意味を有する：ｃｍ＝セ
ンチメートル、ｓｃｃｍ＝１分あたりの標準立方センチ
メートル；℃＝摂氏度。すべての数値範囲は両端を含
み、組み合わせることができる。
の略語は特記しない限り以下の意味を有する：ｃｍ＝セ
ンチメートル、ｓｃｃｍ＝１分あたりの標準立方センチ
メートル；℃＝摂氏度。すべての数値範囲は両端を含
み、組み合わせることができる。
【００１４】本発明の蒸気発生器またはバブラーは、公
知デザインの送出速度が不十分で不安定であること、な
らびに有機金属前駆体物質が完全かつ均一に消耗しない
ことを回避するようにデザインされている。
知デザインの送出速度が不十分で不安定であること、な
らびに有機金属前駆体物質が完全かつ均一に消耗しない
ことを回避するようにデザインされている。
【００１５】本発明のバブラーは、キャリアガスを用い
て固体有機金属前駆体の蒸気を製造するための二つのチ
ャンバーを有する円筒形容器を含む。このようなバブラ
ーは、円筒部分の長さ方向において実質的に一定の断面
を画定する内部表面を有する細長い円筒形部分、トップ
クロージャー部分、ボトムクロージャー部分、ならびに
流体と連通し、多孔質要素により分割されたインレット
およびアウトレットチャンバーを有し、トップクロージ
ャー部分はフィルプラグおよびガスインレット開口部を
有し、フィルプラグおよびガスインレット開口部はイン
レットチャンバーと連通し、アウトレット開口部はアウ
トレットチャンバーと連通し、インレットチャンバーは
多孔質要素を含む円錐形底部を有し、多孔質要素はボト
ムクロージャー部分から間隔をおいて配置されている。
て固体有機金属前駆体の蒸気を製造するための二つのチ
ャンバーを有する円筒形容器を含む。このようなバブラ
ーは、円筒部分の長さ方向において実質的に一定の断面
を画定する内部表面を有する細長い円筒形部分、トップ
クロージャー部分、ボトムクロージャー部分、ならびに
流体と連通し、多孔質要素により分割されたインレット
およびアウトレットチャンバーを有し、トップクロージ
ャー部分はフィルプラグおよびガスインレット開口部を
有し、フィルプラグおよびガスインレット開口部はイン
レットチャンバーと連通し、アウトレット開口部はアウ
トレットチャンバーと連通し、インレットチャンバーは
多孔質要素を含む円錐形底部を有し、多孔質要素はボト
ムクロージャー部分から間隔をおいて配置されている。
【００１６】これらのバブラーは、その中に含まれる有
機金属化合物に対して不活性である限り、任意の適当な
物質、例えばガラス、ポリ（テトラフルオロエチレン）
または金属などで作ることができる。金属が好ましく、
特にニッケル合金およびステンレス鋼が好ましい。適当
なステンレス鋼としては、これに限定されないが、３０
４、３０４Ｌ、３１６、３１６Ｌ、３２１、３４７およ
び４３０が挙げられる。適当なニッケル合金としては、
これに限定されないが、ＩＮＣＯＮＥＬ、ＭＯＮＥＬ、
ＨＡＳＴＥＬＬＯＹなどが挙げられる。当業者らは物質
の混合物を本発明のバブラーの製造において用いること
ができることを理解できるであろう。
機金属化合物に対して不活性である限り、任意の適当な
物質、例えばガラス、ポリ（テトラフルオロエチレン）
または金属などで作ることができる。金属が好ましく、
特にニッケル合金およびステンレス鋼が好ましい。適当
なステンレス鋼としては、これに限定されないが、３０
４、３０４Ｌ、３１６、３１６Ｌ、３２１、３４７およ
び４３０が挙げられる。適当なニッケル合金としては、
これに限定されないが、ＩＮＣＯＮＥＬ、ＭＯＮＥＬ、
ＨＡＳＴＥＬＬＯＹなどが挙げられる。当業者らは物質
の混合物を本発明のバブラーの製造において用いること
ができることを理解できるであろう。
【００１７】多孔質要素は典型的には制御された多孔度
を有するフリット（ｆｒｉｔ）である。さまざまな多孔
度を有する多孔質要素を本発明において用いることがで
きる。具体的な多孔度は当業者の能力範囲内のさまざま
な要素に依存する。典型的には、多孔質要素は約１〜約
１００ミクロン、好ましくは約１〜約１０ミクロンの孔
サイズを有する。しかしながら、１００ミクロンより大
きな孔を有する多孔質要素も、ある用途に適している場
合がある。用いられる有機金属化合物に対して不活性で
あり、望ましい多孔度が調節できる任意の物質を、フリ
ットを構築するために用いることができる。適当な物質
としては、これに限定されないが、ガラス、ポリ（テト
ラフルオロエチレン）または金属、例えばステンレス鋼
またはニッケル合金が挙げられる。多孔質要素が焼結さ
れた金属であるのが好ましく、ステンレス鋼であるのが
より好ましい。多孔質要素を調製するのに適したステン
レス鋼およびニッケル合金は、バブラーの製造について
すでに記載したものである。
を有するフリット（ｆｒｉｔ）である。さまざまな多孔
度を有する多孔質要素を本発明において用いることがで
きる。具体的な多孔度は当業者の能力範囲内のさまざま
な要素に依存する。典型的には、多孔質要素は約１〜約
１００ミクロン、好ましくは約１〜約１０ミクロンの孔
サイズを有する。しかしながら、１００ミクロンより大
きな孔を有する多孔質要素も、ある用途に適している場
合がある。用いられる有機金属化合物に対して不活性で
あり、望ましい多孔度が調節できる任意の物質を、フリ
ットを構築するために用いることができる。適当な物質
としては、これに限定されないが、ガラス、ポリ（テト
ラフルオロエチレン）または金属、例えばステンレス鋼
またはニッケル合金が挙げられる。多孔質要素が焼結さ
れた金属であるのが好ましく、ステンレス鋼であるのが
より好ましい。多孔質要素を調製するのに適したステン
レス鋼およびニッケル合金は、バブラーの製造について
すでに記載したものである。
【００１８】多孔質要素はインレットチャンバーの円錐
下部に含まれる。多孔質要素は、インレットチャンバー
中に固体有機金属前駆体を保持し、円錐形セクションと
多孔質要素の組合せによりガス流れが制限される。この
制限により、充填された固体有機金属前駆体を通る均一
なキャリアガス流れがもたらされる。円錐形セクション
はバブラー内の固体前駆体の動きを向上させ、固体物質
を多孔質、すなわちフリット化された表面上に向ける。
これは、バブラーの寿命の末期に近づくと特に重要であ
り、バブラーからの収率を向上させる。インレットチャ
ンバーの底部の円錐形セクションは、任意の角度、例え
ば１〜８９°であっても良い。好ましくは、円錐形セク
ションは約６０度またはそれ以上の角度を有する。
下部に含まれる。多孔質要素は、インレットチャンバー
中に固体有機金属前駆体を保持し、円錐形セクションと
多孔質要素の組合せによりガス流れが制限される。この
制限により、充填された固体有機金属前駆体を通る均一
なキャリアガス流れがもたらされる。円錐形セクション
はバブラー内の固体前駆体の動きを向上させ、固体物質
を多孔質、すなわちフリット化された表面上に向ける。
これは、バブラーの寿命の末期に近づくと特に重要であ
り、バブラーからの収率を向上させる。インレットチャ
ンバーの底部の円錐形セクションは、任意の角度、例え
ば１〜８９°であっても良い。好ましくは、円錐形セク
ションは約６０度またはそれ以上の角度を有する。
【００１９】多孔質要素のサイズは重要ではない。例え
ば、多孔質部材は、直径約１インチ（２．５４ｃｍ）、
厚さ約０．１２５インチ（０．３２ｃｍ）のディスクで
あってもよい。別の態様においては、多孔質要素は、そ
の外側直径と同心の内管を有することができる。
ば、多孔質部材は、直径約１インチ（２．５４ｃｍ）、
厚さ約０．１２５インチ（０．３２ｃｍ）のディスクで
あってもよい。別の態様においては、多孔質要素は、そ
の外側直径と同心の内管を有することができる。
【００２０】バブラーの断面の大きさはシリンダーの性
能にとって重要で、その他は、バブラーの寸法は重要で
はなく、キャリアガス流れ、用いられる前駆体化合物、
用いられる特定の化学蒸着系などに依存する。断面の大
きさは所定の圧力および流速でシリンダー中のガスの線
速度を決め、これは今度は前駆体物質とキャリアガス間
の接触時間、したがってキャリアガスの飽和を制御す
る。典型的には、バブラーの断面積の大きさは、約２イ
ンチ（５ｃｍ）から約６インチ（１５ｃｍ）である。具
体的なバブラーの他の寸法は、したがって当業者の能力
範囲内である。
能にとって重要で、その他は、バブラーの寸法は重要で
はなく、キャリアガス流れ、用いられる前駆体化合物、
用いられる特定の化学蒸着系などに依存する。断面の大
きさは所定の圧力および流速でシリンダー中のガスの線
速度を決め、これは今度は前駆体物質とキャリアガス間
の接触時間、したがってキャリアガスの飽和を制御す
る。典型的には、バブラーの断面積の大きさは、約２イ
ンチ（５ｃｍ）から約６インチ（１５ｃｍ）である。具
体的なバブラーの他の寸法は、したがって当業者の能力
範囲内である。
【００２１】さまざまな有機金属化合物前駆体を本発明
のバブラーについて用いることができる。固体または液
体有機金属前駆体を本発明のバブラーについて用いるこ
とができるが、固体有機金属前駆体を用いるのが好まし
い。適当な有機金属前駆体としては、これに限定されな
いが、シクロペンタジエニルマグネシウム、トリアルキ
ルアルミニウム、例えばトリメチルアルミニウムおよび
トリエチルアルミニウム、トリアルキルガリウム、例え
ばトリメチルガリウムおよびトリエチルガリウム、トリ
アルキルアンチモン、例えばトリメチルアンチモン、ジ
メチルヒドラジン、トリアルキルインジウム、例えばト
リメチルインジウムなどが挙げられる。有機金属前駆体
がシクロペンタジエニルマグネシウムおよびトリアルキ
ルインジウムであるのが好ましく、トリメチルインジウ
ムであるのがより好ましい。このような有機金属前駆体
は、一般に種々の供給源から商業的に入手可能である。
のバブラーについて用いることができる。固体または液
体有機金属前駆体を本発明のバブラーについて用いるこ
とができるが、固体有機金属前駆体を用いるのが好まし
い。適当な有機金属前駆体としては、これに限定されな
いが、シクロペンタジエニルマグネシウム、トリアルキ
ルアルミニウム、例えばトリメチルアルミニウムおよび
トリエチルアルミニウム、トリアルキルガリウム、例え
ばトリメチルガリウムおよびトリエチルガリウム、トリ
アルキルアンチモン、例えばトリメチルアンチモン、ジ
メチルヒドラジン、トリアルキルインジウム、例えばト
リメチルインジウムなどが挙げられる。有機金属前駆体
がシクロペンタジエニルマグネシウムおよびトリアルキ
ルインジウムであるのが好ましく、トリメチルインジウ
ムであるのがより好ましい。このような有機金属前駆体
は、一般に種々の供給源から商業的に入手可能である。
【００２２】任意の適当なガスを、これが有機金属前駆
体と反応しない限り本発明のバブラーについて用いるこ
とができる。キャリアガスの選択は、種々の要因、例え
ば有機金属前駆体、用いられる具体的な化学蒸着系など
に依存する。適当なキャリアガスとしては、これに限定
されないが、水素、窒素、アルゴン、ヘリウムなどが挙
げられる。水素が好ましい。キャリアガスはさまざまな
流量で本発明のバブラーに関して用いることができる。
このような流量はバブラー断面寸法および圧力の関数で
ある。断面寸法が大きいほど所定の圧力でのキャリアガ
ス流れ、すなわち線速度が大きくなる。例えば、バブラ
ーの断面寸法が２インチである場合、約５００ｓｃｃｍ
までのキャリアガス流量を用いることができるが、さら
に高いガス流量を用いることができる。バブラーに入る
キャリアガス流れ、バブラーを出るキャリアガス流れ、
またはバブラーに出入りするキャリアガス流れは調節手
段により調節することができる。任意の公知の調節手
段、例えば手動で作動する調節弁またはコンピューター
作動の調節弁などを用いることができる。
体と反応しない限り本発明のバブラーについて用いるこ
とができる。キャリアガスの選択は、種々の要因、例え
ば有機金属前駆体、用いられる具体的な化学蒸着系など
に依存する。適当なキャリアガスとしては、これに限定
されないが、水素、窒素、アルゴン、ヘリウムなどが挙
げられる。水素が好ましい。キャリアガスはさまざまな
流量で本発明のバブラーに関して用いることができる。
このような流量はバブラー断面寸法および圧力の関数で
ある。断面寸法が大きいほど所定の圧力でのキャリアガ
ス流れ、すなわち線速度が大きくなる。例えば、バブラ
ーの断面寸法が２インチである場合、約５００ｓｃｃｍ
までのキャリアガス流量を用いることができるが、さら
に高いガス流量を用いることができる。バブラーに入る
キャリアガス流れ、バブラーを出るキャリアガス流れ、
またはバブラーに出入りするキャリアガス流れは調節手
段により調節することができる。任意の公知の調節手
段、例えば手動で作動する調節弁またはコンピューター
作動の調節弁などを用いることができる。
【００２３】一般に、有機金属前駆体化合物を、バブラ
ーの頭頂部におけるフィルポートを通してバブラーイン
レットチャンバーに加える。使用に際して、バブラーは
さまざまな温度で用いることができる。正確な温度は用
いる特定の前駆体化合物および所望の用途に依存する。
温度は前駆体化合物の蒸気圧を調節し、これは特定の増
大率または合金組成に必要な物質のフラックスを調節す
る。このような温度の選択は当業者の技術範囲内であ
る。たとえば、有機金属前駆体化合物がトリメチルイン
ジウムである場合、バブラーの温度は約１０℃から約６
０℃であり、好ましくは約３５℃から約５５℃であり、
より好ましくは約３５℃から約５０℃である。本発明の
バブラーはさまざまな加熱手段、例えばバブラーを恒温
浴中に入れる、バブラーを加熱した油浴中に直接ひた
す、または例えばバブラーを取り囲む銅チューブなどの
金属チューブを通って流れるハロカーボンオイルの使用
により加熱することができる。
ーの頭頂部におけるフィルポートを通してバブラーイン
レットチャンバーに加える。使用に際して、バブラーは
さまざまな温度で用いることができる。正確な温度は用
いる特定の前駆体化合物および所望の用途に依存する。
温度は前駆体化合物の蒸気圧を調節し、これは特定の増
大率または合金組成に必要な物質のフラックスを調節す
る。このような温度の選択は当業者の技術範囲内であ
る。たとえば、有機金属前駆体化合物がトリメチルイン
ジウムである場合、バブラーの温度は約１０℃から約６
０℃であり、好ましくは約３５℃から約５５℃であり、
より好ましくは約３５℃から約５０℃である。本発明の
バブラーはさまざまな加熱手段、例えばバブラーを恒温
浴中に入れる、バブラーを加熱した油浴中に直接ひた
す、または例えばバブラーを取り囲む銅チューブなどの
金属チューブを通って流れるハロカーボンオイルの使用
により加熱することができる。
【００２４】キャリアガスはバブラーの頭頂部のインレ
ット開口部を通ってバブラーインレットチャンバーに入
る。キャリアガスは次に有機金属前駆体を通り、気化し
た前駆体を捕捉し、キャリアガスと混合された気化した
前駆体を含むガス流れを形成する。キャリアガスに捕捉
される気化した前駆体の量は調節することができる。キ
ャリアガスが蒸発された前駆体で飽和されていることが
好ましい。キャリアガスを次にインレットチャンバーの
円錐形底部により円錐形セクションの先端に位置する多
孔質要素に向ける。キャリアガスは多孔質要素を通って
インレットチャンバーに入り、インレットチャンバーと
流体として接触する。キャリアガスは次にアウトレット
開口部を通ってアウトレットチャンバーに入り、化学蒸
着系に向けられる。本発明のバブラーは、任意の化学蒸
着系について用いることができる。
ット開口部を通ってバブラーインレットチャンバーに入
る。キャリアガスは次に有機金属前駆体を通り、気化し
た前駆体を捕捉し、キャリアガスと混合された気化した
前駆体を含むガス流れを形成する。キャリアガスに捕捉
される気化した前駆体の量は調節することができる。キ
ャリアガスが蒸発された前駆体で飽和されていることが
好ましい。キャリアガスを次にインレットチャンバーの
円錐形底部により円錐形セクションの先端に位置する多
孔質要素に向ける。キャリアガスは多孔質要素を通って
インレットチャンバーに入り、インレットチャンバーと
流体として接触する。キャリアガスは次にアウトレット
開口部を通ってアウトレットチャンバーに入り、化学蒸
着系に向けられる。本発明のバブラーは、任意の化学蒸
着系について用いることができる。
【００２５】図１は、細長い円筒形容器１、キャリアガ
スを送達するためのインレットチューブ２、および末端
がディップチューブ４であり、容器中に含まれる前駆体
物質中に伸びる前駆体蒸気を排出するためのアウトレッ
トチューブ３を含む、米国特許第４５０６８１５号に開
示されるタイプの公知のディップ−チューブバブラーを
示す。
スを送達するためのインレットチューブ２、および末端
がディップチューブ４であり、容器中に含まれる前駆体
物質中に伸びる前駆体蒸気を排出するためのアウトレッ
トチューブ３を含む、米国特許第４５０６８１５号に開
示されるタイプの公知のディップ−チューブバブラーを
示す。
【００２６】図２は環状デザインを有する本発明のバブ
ラーの断面図を表す。この態様において、シリンダー１
０の長さ方向において実質的に一定の断面を画定する内
部表面１１を有する細長い円筒形容器１０は、トップク
ロージャー部分１５および平坦な内部底部分１７を有す
るボトムクロージャー部分１６を有する。トップクロー
ジャー部分１５はフィルポート１８，インレット開口部
１９およびアウトレット開口部２０を有する。インレッ
トチューブ１２およびアウトレットチューブ１３は容器
のクロージャー部分１５においてそれぞれインレット開
口部１９およびアウトレット開口部２０と連通する。イ
ンレットチューブ１２を通って容器に入るキャリアガス
流れは調節弁ＣＶ１により調節される。アウトレットチ
ューブ１３を通って容器を出るキャリアガス流れは調節
弁ＣＶ２により調節される。インレット開口部１９の下
部末端は円錐形底部２１を有するインレットチャンバー
２５と直接連通する。インレットチャンバー２５および
アウトレットチャンバー３０は多孔質部材１４により液
体が通過できる。多孔質部材１４はインレットｃの円錐
形部分２１の先端または底部に位置する。アウトレット
開口部２０はアウトレットチャンバー３０と直接連通す
る。
ラーの断面図を表す。この態様において、シリンダー１
０の長さ方向において実質的に一定の断面を画定する内
部表面１１を有する細長い円筒形容器１０は、トップク
ロージャー部分１５および平坦な内部底部分１７を有す
るボトムクロージャー部分１６を有する。トップクロー
ジャー部分１５はフィルポート１８，インレット開口部
１９およびアウトレット開口部２０を有する。インレッ
トチューブ１２およびアウトレットチューブ１３は容器
のクロージャー部分１５においてそれぞれインレット開
口部１９およびアウトレット開口部２０と連通する。イ
ンレットチューブ１２を通って容器に入るキャリアガス
流れは調節弁ＣＶ１により調節される。アウトレットチ
ューブ１３を通って容器を出るキャリアガス流れは調節
弁ＣＶ２により調節される。インレット開口部１９の下
部末端は円錐形底部２１を有するインレットチャンバー
２５と直接連通する。インレットチャンバー２５および
アウトレットチャンバー３０は多孔質部材１４により液
体が通過できる。多孔質部材１４はインレットｃの円錐
形部分２１の先端または底部に位置する。アウトレット
開口部２０はアウトレットチャンバー３０と直接連通す
る。
【００２７】図２Ａは、多孔質要素１４を含む図２のバ
ブラーのインレットチャンバー２５の底部の円錐形セク
ション２１のＡを通る断面図である。
ブラーのインレットチャンバー２５の底部の円錐形セク
ション２１のＡを通る断面図である。
【００２８】キャリアガスはインレットチューブ１２を
通って容器に入り、有機金属前駆体を含むインレットチ
ャンバー２５中にはいる。キャリアガスは気化した有機
金属前駆体を捕捉してガス流れを形成する。ガス流れは
多孔質部材１４を通ってインレットチャンバー２５を出
て、アウトレットチャンバー３０に入る。ガス流れはそ
の後アウトレット開口部２０を通ってアウトレットチャ
ンバー３０を出てアウトレットチューブ１３に入り、次
に化学蒸着系中に向かう。
通って容器に入り、有機金属前駆体を含むインレットチ
ャンバー２５中にはいる。キャリアガスは気化した有機
金属前駆体を捕捉してガス流れを形成する。ガス流れは
多孔質部材１４を通ってインレットチャンバー２５を出
て、アウトレットチャンバー３０に入る。ガス流れはそ
の後アウトレット開口部２０を通ってアウトレットチャ
ンバー３０を出てアウトレットチューブ１３に入り、次
に化学蒸着系中に向かう。
【００２９】図３は非環状デザインを有する本発明のバ
ブラーの断面図を表す。この例においては、シリンダー
１０の長さ方向において実質的に一定の断面を画定する
内部表面１１を有する細長い円筒形容器１０は、トップ
クロージャー部分１５および平坦な内側底部１７を有す
るボトムクロージャー部分１６を有する。トップクロー
ジャー部分１５はフィルポート１８，インレット開口部
１９およびアウトレット開口部２０を有する。インレッ
トチューブ１２およびアウトレットチューブは容器のク
ロージャー部分１５において、それぞれインレット開口
部１９およびアウトレット開口部２０と連通する。イン
レットチューブ１２を通って容器に入るキャリアガス流
れは調節弁ＣＶ１により調節される。アウトレットチュ
ーブ１３を通って容器を出るキャリアガス流れは調節弁
ＣＶ２により調節される。インレット開口部１９の下部
末端は、その外径と同心の中心管３１と円錐形底部２１
を有するインレットチャンバー２５と直接連通する。イ
ンレットチャンバー２５およびアウトレットチャンバー
３０は多孔質部材１４により液体が通過できる。多孔質
部材１４はインレットチャンバーの円錐形部分２１の先
端または底部に位置する。アウトレット開口部２０は中
心管３１によりアウトレットチャンバー３０と直接連通
する。
ブラーの断面図を表す。この例においては、シリンダー
１０の長さ方向において実質的に一定の断面を画定する
内部表面１１を有する細長い円筒形容器１０は、トップ
クロージャー部分１５および平坦な内側底部１７を有す
るボトムクロージャー部分１６を有する。トップクロー
ジャー部分１５はフィルポート１８，インレット開口部
１９およびアウトレット開口部２０を有する。インレッ
トチューブ１２およびアウトレットチューブは容器のク
ロージャー部分１５において、それぞれインレット開口
部１９およびアウトレット開口部２０と連通する。イン
レットチューブ１２を通って容器に入るキャリアガス流
れは調節弁ＣＶ１により調節される。アウトレットチュ
ーブ１３を通って容器を出るキャリアガス流れは調節弁
ＣＶ２により調節される。インレット開口部１９の下部
末端は、その外径と同心の中心管３１と円錐形底部２１
を有するインレットチャンバー２５と直接連通する。イ
ンレットチャンバー２５およびアウトレットチャンバー
３０は多孔質部材１４により液体が通過できる。多孔質
部材１４はインレットチャンバーの円錐形部分２１の先
端または底部に位置する。アウトレット開口部２０は中
心管３１によりアウトレットチャンバー３０と直接連通
する。
【００３０】図３Ａは多孔質要素１４および中心管３１
を含む図３のバブラーのインレットチャンバー２５の底
部の円錐形セクション２１のＡを通る断面図を表す。
を含む図３のバブラーのインレットチャンバー２５の底
部の円錐形セクション２１のＡを通る断面図を表す。
【００３１】キャリアガスはインレットチューブ１２を
通って容器に入り、有機金属前駆体を含むインレットチ
ャンバー２５中に入る。キャリアガスは気化した有機金
属前駆体を捕捉してガス流れを形成する。ガス流れは多
孔質部材１４を通ってインレットチャンバー２５を出
て、アウトレットチャンバー３０に入る。ガス流れはそ
の後中心管３１を通り、アウトレット開口部２０からア
ウトレットチャンバー３０を出て、アウトレットチュー
ブ１３に入り、次に化学蒸着系中に向かう。
通って容器に入り、有機金属前駆体を含むインレットチ
ャンバー２５中に入る。キャリアガスは気化した有機金
属前駆体を捕捉してガス流れを形成する。ガス流れは多
孔質部材１４を通ってインレットチャンバー２５を出
て、アウトレットチャンバー３０に入る。ガス流れはそ
の後中心管３１を通り、アウトレット開口部２０からア
ウトレットチャンバー３０を出て、アウトレットチュー
ブ１３に入り、次に化学蒸着系中に向かう。
【００３２】本発明はさまざまな圧力下で用いることが
できるが、本発明の利点はより低い圧力を用いることが
できることである。本発明のバブラーは、充填された固
体有機金属前駆体を通る均一なキャリアガス流れを有す
るバブラーを提供できるさらなる利点がある。本発明の
バブラーの円錐形セクションはまた、バブラー中の固体
前駆体の動きを向上させ、固体物質を要素の表面上に向
ける。
できるが、本発明の利点はより低い圧力を用いることが
できることである。本発明のバブラーは、充填された固
体有機金属前駆体を通る均一なキャリアガス流れを有す
るバブラーを提供できるさらなる利点がある。本発明の
バブラーの円錐形セクションはまた、バブラー中の固体
前駆体の動きを向上させ、固体物質を要素の表面上に向
ける。
【００３３】本発明の非環状デザインはさらに、向上さ
れた熱伝達を有する利点がある。非環状デザインの一枚
壁と環状空間がないことが向上した熱伝達につながる。
非環状デザインの中心管は固体前駆体物質の中心にさら
なる熱伝達をもたらす。このような非環状デザインは、
さらに一貫した操作温度を提供する。
れた熱伝達を有する利点がある。非環状デザインの一枚
壁と環状空間がないことが向上した熱伝達につながる。
非環状デザインの中心管は固体前駆体物質の中心にさら
なる熱伝達をもたらす。このような非環状デザインは、
さらに一貫した操作温度を提供する。
【図１】図１は公知のディップチューブバブラーの断面
図である。
図である。
【図２】図２は環状デザインを有する本発明のバブラー
の断面図である。
の断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは図２のバブラーのインレットチャン
バーの円錐部分の断面図である。
バーの円錐部分の断面図である。
【図３】図３は非環状デザインを有する本発明のバブラ
ーの断面図である。
ーの断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは図３のバブラーのインレットチャン
バーの円錐セクションの断面図である。
バーの円錐セクションの断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596156668 455 Ｆｏｒｅｓｔ Ｓｔｒｅｅｔ，Ｍａ ｒｌｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ 01752 Ｕ. Ｓ．Ａ (72)発明者 リチャード・ジェー・コルビー アメリカ合衆国マサチューセッツ州01950, ニューベリーポート、クロー・レーン・ 147 (72)発明者 ロバート・ステニック アメリカ合衆国マサチューセッツ州01845, ノースアンドーバー，デイル・ストリー ト・878 Ｆターム(参考） 4G068 AA01 AB02 AC04 AD16 AD38 AF31 DB03 DC04 DD15 4K030 AA11 AA16 AA17 AA18 BA02 BA08 BA11 BA15 CA04 EA01 FA10 JA10 LA14 LA15 5F045 AA04 AC08 AC09 AC19 EE03
Claims (15)
- 【請求項１】 円筒形部分の長さ方向において実質的に
一定の断面を画定する内部表面を有する細長い円筒形部
分、トップクロージャー部分、ボトムクロージャー部
分、および流体と連通し多孔質要素により分離されてい
るインレットおよびアウトレットチャンバーを有し、該
トップクロージャー部分がフィルプラグとガスインレッ
ト開口部を有し、フィルプラグとインレット開口部はイ
ンレットチャンバーと連通し、アウトレット開口部はア
ウトレットチャンバーと連通し、インレットチャンバー
は多孔質要素を含む円錐形底部を有し、多孔質要素がボ
トムクロージャー部分から間隔をおいて配置されている
容器を含む、気化した有機金属化合物を化学蒸着系に提
供する装置。 - 【請求項２】 円錐形セクションが約６０℃またはそれ
以上の角度を有する請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 多孔質要素がフリットである請求項１記
載の装置。 - 【請求項４】 フリットが焼結された金属である請求項
３記載の装置。 - 【請求項５】 多孔質部材が約１〜約１００ミクロンの
孔サイズを有する請求項１記載の装置。 - 【請求項６】 インレットチャンバーが環状デザインを
有する請求項１記載の装置。 - 【請求項７】 インレットチャンバーが非環状デザイン
を有する請求項１記載の装置。 - 【請求項８】 多孔質要素が同心内管を有する請求項７
記載の装置。 - 【請求項９】 ａ）有機金属前駆化合物を請求項１記載
の装置中に導入する工程；ｂ）有機金属前駆化合物を加
熱する工程；ｃ）キャリアガスを有機金属前駆化合物に
通して気化した有機金属前駆化合物を含有するガス流れ
を提供する工程；およびｄ）ガス流れを化学蒸着系に送
達する工程を含む、気相の有機金属前駆化合物を化学蒸
着系に提供する方法。 - 【請求項１０】 有機金属前駆化合物が、シクロペンタ
ジエニルマグネシウム、トリアルキルアルミニウム、ト
リアルキルガリウム、トリアルキルアンチモン、ジメチ
ルヒドラジン、またはトリアルキルインジウムから選択
される請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 有機金属前駆体がシクロペンタジエニ
ルマグネシウムまたはトリアルキルインジウムから選択
される請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 有機金属前駆体がトリメチルインジウ
ムである請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 有機金属前駆体を約１０℃から約６０
℃の範囲の温度で加熱する請求項１１記載の方法。 - 【請求項１４】 キャリアガスが、水素、窒素、アルゴ
ンまたはヘリウムから選択される請求項９記載の方法。 - 【請求項１５】 請求項１記載の装置を含む、有機金属
前駆化合物の化学蒸着装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20825700P | 2000-05-31 | 2000-05-31 | |
| US60/208257 | 2000-05-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002083777A true JP2002083777A (ja) | 2002-03-22 |
| JP4789126B2 JP4789126B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=22773903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001162191A Expired - Fee Related JP4789126B2 (ja) | 2000-05-31 | 2001-05-30 | 気化した有機金属化合物を化学蒸着系に提供する装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6607785B2 (ja) |
| EP (1) | EP1160355B1 (ja) |
| JP (1) | JP4789126B2 (ja) |
| KR (1) | KR100794201B1 (ja) |
| DE (1) | DE60106675T2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006161162A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 供給装置 |
| JP2007053186A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機金属化合物供給容器 |
| JP2008542167A (ja) * | 2005-05-25 | 2008-11-27 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 溶融ガラス等の液中における気泡形成 |
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