JP2002043208A - Method for coating and development - Google Patents
Method for coating and developmentInfo
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- JP2002043208A JP2002043208A JP2000222228A JP2000222228A JP2002043208A JP 2002043208 A JP2002043208 A JP 2002043208A JP 2000222228 A JP2000222228 A JP 2000222228A JP 2000222228 A JP2000222228 A JP 2000222228A JP 2002043208 A JP2002043208 A JP 2002043208A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は,基板の塗布現像処
理方法に関する。The present invention relates to a method for coating and developing a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレ
ジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパター
ンを照射して露光する露光処理,露光後であって現像処
理前のウェハを加熱するポストエクスポージャーベーキ
ング処理,加熱処理後のウェハに対して現像を行う現像
処理等が順次行われ,これらの処理は,単一の塗布現像
処理システム内に個別に設けられた各処理装置と当該シ
ステムに隣接する露光装置において連続して行われてい
る。また,塗布現像処理システムは,一度に複数のウェ
ハを流れ作業式に処理できるように構成されており,各
処理装置間のウェハの搬送は,通常1台の搬送装置によ
って行われている。2. Description of the Related Art For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, a resist coating process for forming a resist film on a wafer surface, an exposure process for irradiating a wafer with a pattern, and an exposure process after the exposure and before a development process are performed. A post-exposure baking process for heating the wafer, a developing process for developing the wafer after the heating process, and the like are sequentially performed, and these processes are performed by each processing apparatus individually provided in a single coating and developing system. And in the exposure apparatus adjacent to the system. Further, the coating and developing system is configured so that a plurality of wafers can be processed at a time in a flow operation manner, and the transfer of wafers between the respective processing apparatuses is usually performed by one transfer apparatus.
【0003】前記搬送装置は,複数の処理装置に対して
アクセス自在に構成されており,各処理装置内の各ウェ
ハを処理工程に従って好適なタイミングで次工程の行わ
れる処理装置にそれぞれ搬送し,一連のフォトリソグラ
フィー工程がスムーズに行われるようにその動作が制御
されている。The transfer device is constructed so as to be accessible to a plurality of processing devices, and transfers each wafer in each processing device to a processing device in which a next process is performed at a suitable timing according to a processing process. The operation is controlled so that a series of photolithography steps can be performed smoothly.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,上述し
たように1台の搬送装置によって多数のウェハの搬送を
行っているため,例えば一の処理装置において一のウェ
ハの搬送を行っている時に,他の処理装置における他の
ウェハの処理が終了した場合には,一のウェハの搬送が
終了するまで他のウェハを搬送することができない。一
方,搬送装置がウェハの搬送をしておらず,待機状態に
ある場合には,直ちに前記他のウェハを搬送することが
できる。したがって,ウェハの処理が終了してから搬送
装置がそのウェハを取りに行くまでにかかる時間は,搬
送装置の位置や状態によって左右され,一の処理の終了
から次の処理の開始までにかかるトータルの時間がウェ
ハ間において不統一になる恐れがある。However, since a large number of wafers are transferred by one transfer device as described above, for example, when one wafer is transferred in one processing device, another transfer device is used. When the processing of another wafer in the processing apparatus is completed, another wafer cannot be transferred until the transfer of one wafer is completed. On the other hand, when the transfer device is not transferring a wafer and is in a standby state, the other wafer can be transferred immediately. Therefore, the time required for the transfer device to pick up the wafer after the processing of the wafer is completed depends on the position and condition of the transfer device, and the total time required from the end of one process to the start of the next process. This time may be non-uniform between wafers.
【0005】ところで,前記レジスト膜を形成するレジ
スト液として化学増幅型のレジストを使用した場合に
は,露光によって酸が発生し,その酸とレジスト膜が反
応して,露光部のレジスト膜が現像液に対して可溶に変
化していく。そのため,現像処理の程度,すなわちウェ
ハ上の回路パターンの線幅は,酸による化学反応の進度
に大きく依存し,その化学反応は,露光から現像までの
時間に大きく左右される。When a chemically amplified resist is used as a resist solution for forming the resist film, an acid is generated by the exposure, and the acid reacts with the resist film to develop the exposed portion of the resist film. It changes to be soluble in liquid. Therefore, the degree of the development process, that is, the line width of the circuit pattern on the wafer largely depends on the progress of the chemical reaction by the acid, and the chemical reaction is greatly affected by the time from exposure to development.
【0006】したがって,ウェハが露光処理されてから
現像処理されるまでの時間,特に露光処理からポストエ
クスポージャーベーキング処理までにかかる時間が搬送
装置の位置や状態によって左右され,当該時間が不統一
になった場合に,最終的にウェハ上に形成される回路パ
ターンの線幅に悪影響を及ぼすことが懸念される。Therefore, the time from the exposure processing to the development processing of the wafer, particularly the time required from the exposure processing to the post-exposure baking processing, is affected by the position and the state of the transfer device, and the time is unified. In such a case, there is a concern that the line width of the circuit pattern finally formed on the wafer is adversely affected.
【0007】本発明は,かかる点に鑑みてなされたもの
であり,露光処理からポストエクスポージャーベーキン
グ処理,すなわち現像処理前の加熱処理までにかかる時
間を一定にし,又は一定に近づくように改善する塗布現
像処理方法を提供することをその目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and has been made in consideration of the above-described problems, and has been made in consideration of the above circumstances. It is an object of the present invention to provide a developing method.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項1の発明によれ
ば,塗布膜が形成された基板を露光する工程と,露光後
の基板を現像処理前の加熱処理が行われる加熱処理装置
に搬送する工程とを有する塗布現像処理方法であって,
前記基板の露光が終了してから前記加熱処理装置に搬送
されるまでの時間が一定になるように前記搬送工程が行
われることを特徴とする塗布現像処理方法が提供され
る。According to the first aspect of the present invention, a step of exposing a substrate on which a coating film is formed and a step of transporting the exposed substrate to a heat treatment apparatus for performing a heat treatment before a development treatment. A coating and developing treatment method comprising the steps of:
There is provided a coating and developing method, wherein the carrying step is performed so that the time from the completion of the exposure of the substrate to the carrying of the substrate to the heat treatment apparatus is constant.
【0009】このように,露光終了から前記加熱処理装
置に搬送されるまでの時間が一定になるように前記搬送
工程を行うことにより,上述した露光による塗布膜の化
学反応の程度が基板間で一様になる。そのため各基板の
現像処理が同程度に行われ,最終的に基板上に形成され
る回路パターンの線幅が基板間において均一に形成され
る。なお,前記基板の露光が終了してから前記加熱処理
装置に搬送されるまでの時間が一定になるように前記搬
送工程が行われるとは,例えば露光装置から前記加熱処
理装置までの基板を搬送する搬送装置の動作を制御する
ことによって行われる。具体的には,例えば予め露光装
置前に搬送装置を待機させておき,露光が終了して基板
が露光装置から出てきたら直ちに,基板を加熱処理装置
に搬送するようにしたり,露光処理終了時から常に一定
時間経過後に基板の搬送を開始するようにしたり,基板
を保持している搬送装置が所定の場所で停止し,時間調
節したりすること等が提案される。As described above, by performing the transfer step so that the time from the end of the exposure to the transfer to the heat treatment apparatus is constant, the degree of the chemical reaction of the coating film due to the above-described exposure is reduced between the substrates. Become uniform. Therefore, the development processing of each substrate is performed to the same extent, and the line width of the circuit pattern finally formed on the substrate is uniformly formed between the substrates. The term “the carrying step is performed so that the time from the completion of the exposure of the substrate to the time when the substrate is carried to the heat treatment apparatus” means that, for example, the substrate is transferred from the exposure apparatus to the heat treatment apparatus. This is performed by controlling the operation of the transfer device. Specifically, for example, the transfer device is set in standby before the exposure device, and the substrate is transferred to the heat treatment device immediately after the exposure is completed and the substrate comes out of the exposure device. It is proposed to always start the transfer of the substrate after a lapse of a predetermined time, or to stop the transfer device holding the substrate at a predetermined place and adjust the time.
【0010】請求項2の発明によれば,塗布膜が形成さ
れた基板を露光装置において露光する工程と,その後第
1の搬送装置によって,露光後の基板が一旦受け渡し部
に搬送され,その後第2の搬送装置によって,前記受け
渡し部内の基板が現像処理前の加熱処理が行われる加熱
処理装置に搬送される工程とを有する塗布現像処理方法
であって,少なくとも基板の露光が終了した際には,前
記第1の搬送装置が,前記基板を受け取り可能な第1の
位置に待機しており,前記基板の露光が終了した直後に
当該基板を前記受け渡し部に搬送し,少なくとも前記受
け渡し部に基板が搬送された際には,前記第2の搬送装
置が,前記基板を受け取り可能な第2の位置に待機して
おり,前記基板が前記受け渡し部内に搬送された直後に
当該基板を前記加熱処理装置に搬送することを特徴とす
る塗布現像処理方法が提供される。According to the second aspect of the present invention, the step of exposing the substrate on which the coating film is formed in the exposure apparatus, and thereafter, the exposed substrate is once transported to the transfer section by the first transport apparatus, and then the first transport apparatus transfers the substrate to the transfer section. And a step of transporting the substrate in the transfer section to a heat treatment apparatus in which a heat treatment before the development processing is performed by the transfer device of (2), wherein at least when the exposure of the substrate is completed, The first transfer device is waiting at a first position where the substrate can be received, and transfers the substrate to the transfer unit immediately after the exposure of the substrate is completed, and at least transfers the substrate to the transfer unit. When the substrate is transported, the second transport device is waiting at a second position where the substrate can be received, and immediately after the substrate is transported into the transfer unit, the substrate is loaded with the substrate. Coating and developing processing method characterized by conveying to the processing apparatus is provided.
【0011】かかる請求項2の塗布現像処理方法では,
基板の露光が終了した際には,第1の搬送装置が基板を
受け取り可能な第1の位置に待機しており,基板の露光
が終了したら直ぐにその基板を前記受け渡し部に搬送す
ることができる。また,前記受け渡し部に基板が搬送さ
れた際には,第2の搬送装置が基板を受け取り可能な第
2の位置に待機しており,基板が前記受け渡し部内に搬
送されたら直ぐにその基板を前記加熱処理装置に搬送す
ることができる。また,第1及び第2の搬送装置が他の
基板の搬送に優先して,前記各所定位置で待機すること
により,前記各搬送装置が,例えば他の基板を搬送して
いたり,前記基板を直ぐには受け取れない位置に移動し
ていることはなく,露光処理から前記加熱処理装置まで
の基板の搬送時間が一定に維持される。したがって,上
述した現像液に可溶化する化学反応が一様に進むため,
各基板の現像処理が一様に行われ,最終的に形成される
パターンの線幅の基板間におけるばらつきが抑制され
る。なお,第1の搬送装置は少なくとも露光が終了した
際に,また第2の搬送装置は少なくとも基板が受け渡し
部に搬送された際に,それぞれの所定の位置に待機して
いればよく,予め所定時間前から待機していてもよい
し,その時を見計らって待機するようにしてもよい。In the coating and developing method according to the second aspect,
When the exposure of the substrate is completed, the first transfer device is waiting at the first position where the substrate can be received, and the substrate can be transferred to the transfer section immediately after the exposure of the substrate is completed. . Further, when the substrate is transferred to the transfer unit, the second transfer device is on standby at a second position where the substrate can be received, and immediately after the substrate is transferred into the transfer unit, the substrate is transferred to the transfer unit. It can be transported to a heat treatment device. In addition, the first and second transfer devices wait at the predetermined positions in preference to the transfer of another substrate, so that each transfer device is transferring another substrate, for example, or transferring the substrate. The substrate is not moved to a position where it cannot be received immediately, and the transfer time of the substrate from the exposure processing to the heat treatment apparatus is kept constant. Therefore, since the chemical reaction solubilized in the developer described above proceeds uniformly,
The development processing of each substrate is performed uniformly, and variation in the line width of the finally formed pattern between the substrates is suppressed. It is sufficient that the first transfer device waits at a predetermined position at least when the exposure is completed, and the second transfer device waits at a predetermined position at least when the substrate is transferred to the transfer unit. The user may be on standby for a period of time, or may be on standby at that time.
【0012】かかる請求項2の発明において,請求項3
のように前記基板の露光工程に所定時間Tを要する場合
において,前記露光工程が終了しないで前記所定時間T
が経過した場合であっても,前記第1の搬送装置は,露
光工程開始から起算して最大で所定時間Tよりも長い最
大待機時間Iが経過する時までは前記第1の位置に待機
しているようにしてもよい。なお,所定時間Tとは,露
光処理工程において通常行われる最小限の処理がスムー
ズに行われ,何のトラブルも発生しなかった場合の露光
工程に要する時間を意味する。請求項3によれば,基板
の露光工程に通常要する所定時間Tよりも長くかかった
場合においても,前記最大待機時間Iが経過するまで
は,前記第1の搬送装置が前記第1の位置に待機するた
め,その際にも露光の終了した基板を直ちに受け渡し部
に搬送することができる。また,最大待機時間Iを設定
するため,例えば露光処理中にトラブルが発生し,基板
の露光処理が終了されない場合においても,いつまでも
第1の搬送装置が待機していることなく,例えば第1の
搬送装置の待機を解除し,他の基板を搬送するなどし
て,そのトラブル対して好適に対応できるようになる。
なお,露光処理は,露光装置内におけるアライメント作
業等により,通常通りの時間で処理が行われない場合が
あり,最大待機時間Iは,その露光工程時間のばらつき
を考慮した上で,その中で最も長い時間とするのが好ま
しい。また,前記基板の露光工程は,基板が露光装置に
搬入されてから露光装置から搬出されるまでを意味す
る。According to the second aspect of the present invention, the third aspect
As described above, when the predetermined time T is required for the substrate exposure step, the predetermined time T
, The first transport device waits at the first position until a maximum standby time I longer than a predetermined time T has elapsed from the start of the exposure process. You may make it. Note that the predetermined time T means the time required for the exposure process when the minimum processing normally performed in the exposure process is performed smoothly and no trouble occurs. According to the third aspect, even when it takes longer than the predetermined time T normally required for the substrate exposure step, the first transfer device is kept at the first position until the maximum standby time I elapses. In this case, the substrate on which the exposure has been completed can be immediately transferred to the transfer unit. Further, since the maximum standby time I is set, for example, even if a trouble occurs during the exposure processing and the exposure processing of the substrate is not completed, the first transfer device does not wait forever, and for example, the first transfer apparatus does not wait. By canceling the standby state of the transfer device and transferring another substrate, it is possible to appropriately cope with the trouble.
Note that the exposure processing may not be performed in a usual time due to an alignment operation in the exposure apparatus or the like, and the maximum standby time I is determined in consideration of variations in the exposure process time. The longest time is preferred. Further, the step of exposing the substrate means a period from when the substrate is loaded into the exposure apparatus to when it is unloaded from the exposure apparatus.
【0013】また,請求項4のように前記基板の露光工
程に通常所定時間Tを要する場合において,前記露光工
程が終了しないで前記通常の所定時間Tが経過した場合
であっても,前記第2の搬送装置は,最大で露光工程開
始から起算して所定時間Tよりも長い最大待機時間Mが
経過する時までは前記第2の位置に待機しているように
してもよい。このように第2の搬送装置においても,第
1の搬送装置と同様に最大待機時間Mを設けることによ
って,例えば露光処理中にトラブルが発生し,基板の露
光処理が終了されない場合においても,第2の搬送装置
がいつまでも前記第2の位置に待機していることはな
く,例えば第2の搬送装置の待機を解除したりして,そ
のトラブルに好適に対応できるようになる。なお,最大
待機時間Mは,露光装置から受け渡し部までの基板の搬
送時間を考慮し,請求項3の最大待機時間Iよりも長く
設定してもよいし,前記最大待機時間Iがその搬送時間
を含めた程度に十分長い場合には,最大待機時間Iと同
じ時間であってもよい。Further, in the case where the predetermined time T is normally required for the exposure step of the substrate as in claim 4, even if the normal predetermined time T has elapsed without terminating the exposure step, the second step is performed. The second transport device may wait at the second position until a maximum standby time M longer than a predetermined time T has elapsed from the start of the exposure process. By providing the maximum standby time M in the second transfer device in the same manner as in the first transfer device, even if a trouble occurs during the exposure processing and the exposure processing of the substrate is not completed, for example, The second transport device does not wait at the second position forever, and for example, the standby of the second transport device is released, so that the trouble can be appropriately dealt with. The maximum standby time M may be set to be longer than the maximum standby time I according to claim 3 in consideration of the transport time of the substrate from the exposure apparatus to the transfer unit. If it is long enough to include the time, the maximum standby time I may be the same.
【0014】請求項5の発明によれば,塗布膜が形成さ
れた基板を露光装置において露光する工程と,その後第
1の搬送装置によって,露光後の基板が一旦受け渡し部
に搬送され,その後第2の搬送装置によって,前記受け
渡し部内の基板が現像処理前の加熱処理が行われる加熱
処理装置に搬送される工程とを有する塗布現像処理方法
であって,少なくとも基板の露光が終了した際には,前
記第1の搬送装置が,前記基板を受け取り可能な所定の
位置に待機しており,前記基板の露光が終了した直後に
当該基板を前記受け渡し部に搬送することを特徴とする
塗布現像処理方法が提供される。According to the fifth aspect of the present invention, the step of exposing the substrate on which the coating film is formed in the exposure apparatus, and thereafter the exposed substrate is once transported to the transfer section by the first transport apparatus, and thereafter the first substrate is transferred to the transfer section. And a step of transporting the substrate in the transfer section to a heat treatment apparatus in which a heat treatment before the development processing is performed by the transfer device of (2), wherein at least when the exposure of the substrate is completed, Wherein the first transfer device is on standby at a predetermined position where the substrate can be received, and transfers the substrate to the transfer section immediately after exposure of the substrate is completed. A method is provided.
【0015】請求項5は,請求項4の発明において,第
1の搬送装置のみを所定の位置に待機させた場合であ
る。搬送装置の搬送アルゴリズムによっては,上述した
第2の搬送装置による搬送開始タイミングのばらつきが
ほとんど生じない場合があり,このような場合には,第
1の搬送装置のみの搬送開始タイミングを揃えれば足り
るからである。従って,露光処理終了から前記加熱処理
装置に搬入するまでの時間が基板間において一定若しく
は一定近づくように改善され,そのことに起因する線幅
のばらつきが抑制される。[0015] In a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect, only the first transport device is made to stand by at a predetermined position. Depending on the transfer algorithm of the transfer device, there may be little variation in the transfer start timing of the second transfer device described above. In such a case, it is sufficient to make the transfer start timing of only the first transfer device uniform. Because. Therefore, the time from the end of the exposure process to the time when the substrate is carried into the heat treatment apparatus is improved so as to be constant or close to the constant between the substrates, and the variation in line width due to this is suppressed.
【0016】かかる請求項5の発明は,請求項6のよう
に前記基板の露光工程に所定時間Tを要する場合におい
て,前記露光工程が終了しないで前記所定時間Tが経過
した場合であっても,前記第1の搬送装置は,露光工程
開始から起算して最大で所定時間Tよりも長い最大待機
時間Iが経過する時までは前記所定の位置に待機してい
るようにしてもよい。請求項6によれば,上述した請求
項3と同様に基板の露光工程が通常の所定時間Tよりも
長くかかった場合においても,前記最大待機時間Iが経
過するまでは,前記第1の搬送装置は前記第1の位置に
待機するため,露光の終了した基板を直ぐに受け渡し部
に搬送することができる。また,最大待機時間Iを設定
することにより,いつまでも第1の搬送装置が前記所定
位置に待機していることはなく,例えば第1の搬送装置
の待機が解除され,他の基板を搬送するなどして露光処
理のトラブルに好適に対応することができる。According to a fifth aspect of the present invention, when the predetermined time T is required for the exposure step of the substrate as in the sixth aspect, even if the predetermined time T has elapsed without completing the exposure step, The first transfer device may be configured to wait at the predetermined position until a maximum standby time I longer than a predetermined time T has elapsed from the start of the exposure process. According to the sixth aspect, even when the substrate exposure step takes longer than the normal predetermined time T as in the third aspect, the first transfer is performed until the maximum standby time I elapses. Since the apparatus stands by at the first position, the substrate on which exposure has been completed can be immediately transferred to the transfer unit. Further, by setting the maximum standby time I, the first transfer device does not wait at the predetermined position forever. For example, the standby of the first transfer device is released and another substrate is transferred. Thus, it is possible to suitably cope with the trouble of the exposure processing.
【0017】請求項7によれば,塗布膜が形成された基
板を露光装置において露光する工程と,その後第1の搬
送装置によって,露光後の基板が一旦受け渡し部に搬送
され,その後第2の搬送装置によって,前記受け渡し部
内の基板が現像処理前の加熱処理が行われる加熱処理装
置に搬送される工程とを有する塗布現像処理方法であっ
て,少なくとも前記受け渡し部に基板が搬送された際に
は,前記第2の搬送装置が,前記基板を受け取り可能な
所定の位置に待機しており,前記基板が前記受け渡し部
内に搬送された直後に当該基板を前記加熱処理装置に搬
送することを特徴とする塗布現像処理方法が提供され
る。According to the seventh aspect, the step of exposing the substrate on which the coating film is formed in the exposure device, and thereafter the exposed substrate is once transported to the transfer section by the first transport device, and thereafter the second transport device is used. Transferring the substrate in the transfer unit to a heat treatment device in which a heat treatment before the development process is performed by the transfer device, wherein at least when the substrate is transferred to the transfer unit, Is characterized in that the second transfer device is standing by at a predetermined position where the substrate can be received, and transfers the substrate to the heat treatment device immediately after the substrate is transferred into the transfer unit. Is provided.
【0018】請求項7は,請求項4の発明において,第
2の搬送装置のみを前記所定の位置に待機させた場合で
ある。搬送装置の搬送アルゴリズムによっては,上述し
た第1の搬送装置による搬送開始タイミングのばらつき
がほとんど生じない場合があり,このような場合には,
第2の搬送装置のみの搬送開始タイミングを揃えれば足
りるからである。従って,請求項7によれば,露光処理
終了から前記加熱処理装置に搬入するまでの時間が基板
間において一定又は一定近づくように改善され,そのこ
とに起因する線幅のばらつきが抑制される。A seventh aspect is the invention according to the fourth aspect, wherein only the second transfer device is made to stand by at the predetermined position. Depending on the transfer algorithm of the transfer device, there may be little variation in the transfer start timing by the first transfer device described above. In such a case,
This is because it is sufficient that the transfer start timings of only the second transfer device are aligned. Therefore, according to the seventh aspect, the time from the end of the exposure processing to the transfer to the heat treatment apparatus is improved so as to be constant or close to constant between the substrates, and the variation in line width due to this is suppressed.
【0019】請求項7の発明において,請求項8のよう
に前記基板の露光工程に所定時間Tを要する場合におい
て,前記露光工程が終了しないで前記所定時間Tが経過
した場合であっても,前記第2の搬送装置は,露光工程
開始から起算して最大で所定時間Tよりも長い最大待機
時間Mが経過する時までは前記所定の位置に待機してい
るようにしてもよい。請求項7によれば,基板の露光工
程に通常要する所定時間Tよりも長くかかった場合にお
いても,前記最大待機時間Mが経過するまでは,前記第
2の搬送装置が前記所定の位置に待機するため,受け渡
し部に搬送された基板を直ちに加熱処理装置に搬送でき
る。また,最大待機時間Mを設定することにより,第2
の搬送装置がいつまでも前記所定の位置に待機すること
が防止されるため,上述した請求項4と同様にして,例
えば第2の搬送装置の待機を解除するなどして露光処理
のトラブルに好適に対応することができる。In the invention according to claim 7, when the predetermined time T is required for the exposure step of the substrate as in claim 8, even if the predetermined time T has elapsed without completing the exposure step, The second transport device may be in a standby state at the predetermined position until a maximum standby time M that is longer than a predetermined time T at the maximum from the start of the exposure process elapses. According to the seventh aspect, even when it takes longer than the predetermined time T normally required for the substrate exposure step, the second transfer device waits at the predetermined position until the maximum standby time M elapses. Therefore, the substrate transported to the transfer section can be immediately transported to the heat treatment apparatus. Also, by setting the maximum standby time M, the second
Is prevented from standing by at the predetermined position indefinitely. Therefore, in the same manner as in the above-described claim 4, for example, the standby of the second transfer device is released, so that it is suitable for troubles in the exposure processing. Can respond.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図1は本発明の塗布現像処理方法
が実施される塗布現像処理システム1の斜視図であり,
図2は,その塗布現像処理システムの概略を示す平面図
である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a perspective view of a coating and developing system 1 in which the coating and developing method of the present invention is performed.
FIG. 2 is a plan view schematically showing the coating and developing system.
【0021】図1,図2に示すように、塗布現像処理シ
ステム1は,例えば複数のウェハWをカセット単位で外
部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,
カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセッ
トステーション2と,塗布現像処理工程において枚葉式
に所定の処理をウェハWに施す各種処理装置をY方向に
2列に並列させて配置している処理ステーション3と,
この処理ステーション3と隣接して設けられ,処理ステ
ーション3と塗布現像処理システム1外に設けられてい
る露光装置4との間でウェハWを搬送する第1の搬送装
置としての搬送体5を有するインタフェイス部6とを一
体に接続した構成を有している。As shown in FIGS. 1 and 2, the coating and developing system 1 carries a plurality of wafers W into and out of the coating and developing system 1 from the outside in cassette units, for example.
A cassette station 2 for loading and unloading wafers W into and out of the cassette C, and various processing apparatuses for performing predetermined processing on the wafers W in the coating and developing process in a single-wafer manner are arranged in parallel in two rows in the Y direction. Processing station 3
There is provided a transfer body 5 as a first transfer device which is provided adjacent to the processing station 3 and transfers the wafer W between the processing station 3 and the exposure device 4 provided outside the coating and developing processing system 1. It has a configuration in which the interface unit 6 is integrally connected.
【0022】カセットステーション2は,複数のカセッ
トCがX方向に一列に載置自在となっている。そして,
このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容さ
れたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に
対して移送可能なウェハ搬送体8が搬送路9に沿って移
動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的
にアクセスできるようになっている。In the cassette station 2, a plurality of cassettes C can be placed in a line in the X direction. And
A wafer transfer body 8 capable of transferring in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W accommodated in the cassette C is provided movably along a transfer path 9. Each cassette C can be selectively accessed.
【0023】処理ステーション3には,その中央部にY
方向に延伸する搬送レール10が設けられており,この
搬送レール10には,搬送レール10上を移動自在な第
2の搬送装置としての主搬送装置11が設けられてい
る。搬送レール10を挟んでその両側には,各種処理装
置がY方向に沿って配置されている。すなわち,搬送レ
ール10のX方向正方向側には,カセットステーション
2側から順に,カセットCから取り出されたウェハWを
洗浄するためのブラシスクラバ12,ウェハWに対して
高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装置13,ウェハ
Wに対して所定の熱処理を行う複数の熱処理装置を多段
に配置した処理装置群14,15,16が並べて配置さ
れており,搬送レール10のX方向負方向側には,カセ
ットステーション2側から順に,ウェハWにレジスト液
を塗布するレジスト塗布装置17,18と,露光処理後
のウェハWを現像処理する現像処理装置19,20が並
べて配置されている。The processing station 3 has a Y
A transfer rail 10 extending in the direction is provided, and the transfer rail 10 is provided with a main transfer device 11 as a second transfer device movable on the transfer rail 10. Various processing units are arranged along the Y direction on both sides of the transport rail 10. That is, the brush scrubber 12 for cleaning the wafer W taken out of the cassette C and the water washing for high-pressure jet cleaning of the wafer W are sequentially provided on the positive side in the X direction of the transfer rail 10 from the cassette station 2 side. A cleaning apparatus 13 and processing apparatus groups 14, 15, and 16 in which a plurality of heat treatment apparatuses for performing a predetermined heat treatment on the wafer W are arranged in multiple stages are arranged side by side. In order from the cassette station 2 side, resist coating devices 17 and 18 for applying a resist solution to the wafer W and developing devices 19 and 20 for developing the exposed wafer W are arranged side by side.
【0024】前記処理装置群14には,例えば図3に示
すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置2
1,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置22,レジスト液中の溶剤を蒸発させ
るためのプリベーキング装置23,24が下から順に重
ねられている。また,処理装置群15には,クーリング
装置26,27,現像処理後のウェハWに加熱処理を施
すポストベーキング装置28,29が下から順に重ねら
れている。As shown in FIG. 3, for example, as shown in FIG.
1, an adhesion device 22 for improving the fixability between the resist solution and the wafer W, and prebaking devices 23 and 24 for evaporating the solvent in the resist solution are sequentially stacked from the bottom. Further, in the processing device group 15, cooling devices 26 and 27 and post baking devices 28 and 29 for performing a heating process on the wafer W after the development process are sequentially stacked from the bottom.
【0025】さらに,処理装置群16には,クーリング
装置30,31,露光処理後であって,現像処理前のウ
ェハWに加熱処理を施す加熱処理装置としてのポストエ
クスポージャーベーキング装置(以下「PEB装置」と
する)32,33が下から順に重ねられている。Further, the processing apparatus group 16 includes cooling apparatuses 30 and 31 and a post-exposure baking apparatus (hereinafter referred to as a “PEB apparatus”) as a heat processing apparatus for performing a heating process on the wafer W after the exposure process and before the development process. ) Are superimposed sequentially from the bottom.
【0026】主搬送装置11は,上述したY方向の他
に,図1,図2に示すように回転方向(θ方向),Z方
向に移動自在であり,処理ステーション3内の各処理装
置とカセットステーション2のウェハ搬送体8及び後述
するインタフェイス部6の受け渡し部としてのエクステ
ンション装置35,36に対してアクセスし,各々に対
してウェハWを搬送できるように構成されている。The main transfer device 11 is movable in the rotation direction (θ direction) and the Z direction as shown in FIGS. 1 and 2 in addition to the Y direction described above. The wafer transfer unit 8 of the cassette station 2 and the extension devices 35 and 36 serving as transfer units for the interface unit 6 described below are accessed, and the wafer W can be transferred to each of them.
【0027】また,主搬送装置11は,その搬送アルゴ
リズムをプログラムとして有する主制御装置37によっ
て制御されている。すなわち,主搬送装置11は,所定
のウェハWの処理フローに従って,処理ステーション3
内で処理されている各ウェハWを次工程の行われる各処
理装置に順次搬送するように制御されている。また,主
制御装置37は,少なくとも露光処理の終了したウェハ
Wが上述したエクステンション装置36に搬送された際
には,図4に示すようなそのエクステンション装置36
にアクセス可能な第2の位置としての待機位置P,すな
わち主搬送装置11が搬送レール10上で最もエクステ
ンション装置36に近づく位置に主搬送装置11を待機
させておくように制御する。The main transfer device 11 is controlled by a main control device 37 having the transfer algorithm as a program. That is, the main transfer device 11 performs processing at the processing station 3 in accordance with a processing flow of a predetermined wafer W.
The wafers W being processed therein are controlled so as to be sequentially transferred to the respective processing apparatuses in which the next process is performed. In addition, at least when the wafer W that has been subjected to the exposure processing is transferred to the above-described extension device 36, the main controller 37 controls the extension device 36 as shown in FIG.
Is controlled so that the main transfer device 11 is kept on standby at a standby position P as a second position where the main transfer device 11 can access the extension device 36 on the transfer rail 10.
【0028】また,主制御装置37には,主搬送装置1
1を待機位置Pに待機させておく最大の最大待機時間M
をカウントするためのタイマー機能が備えられている。
このタイマー機能は,露光装置4内で何らかのトラブル
が発生し,ウェハWが露光装置4から送出されない場合
に,主搬送装置11の待機を解除するためのものであ
る。前記タイマー機能は,露光装置4にウェハWが搬入
されたときからカウントが開始され,露光装置4からウ
ェハWが搬出されたときにカウントが停止されるように
なっている。したがって,通常,主搬送装置11は露光
装置4からのウェハWをエクステンション装置36にお
いて受け取るまで前記待機位置Pに待機しているが,前
記タイマー機能がカウントする最大待機時間Mが経過す
るまでにウェハWが露光装置4から送出されない場合に
は,主搬送装置11の待機が解除されるように構成され
ている。なお,図5に示すように,ウェハWが通常,露
光装置4に搬入されてから露光装置4から搬出されるま
での露光処理工程にかかる所要時間を所定時間Tとして
の露光処理時間Tとした場合,前記最大待機時間Mは,
前記露光処理時間Tよりも十分に長い,例えばM=2T
に設定しておく。The main controller 37 includes the main carrier 1
1 is the maximum standby time M for keeping 1 in the standby position P
A timer function for counting the number of times is provided.
This timer function is for canceling the standby state of the main transfer device 11 when some trouble occurs in the exposure device 4 and the wafer W is not sent out from the exposure device 4. The timer function starts counting when a wafer W is loaded into the exposure apparatus 4, and stops counting when the wafer W is unloaded from the exposure apparatus 4. Therefore, the main transfer device 11 normally waits at the standby position P until the wafer W from the exposure device 4 is received by the extension device 36. However, the main transfer device 11 waits until the maximum standby time M counted by the timer function elapses. When W is not transmitted from the exposure device 4, the standby state of the main transport device 11 is released. In addition, as shown in FIG. 5, the time required for the exposure process from the time when the wafer W is loaded into the exposure apparatus 4 to the time when the wafer W is unloaded from the exposure apparatus 4 is usually referred to as an exposure processing time T as a predetermined time T. In this case, the maximum waiting time M is
Sufficiently longer than the exposure processing time T, for example, M = 2T
Set to.
【0029】図1,図2に示すように,インタフェイス
部6の処理ステーション3側であって搬送レール10の
延長線上には,主搬送装置11と搬送体5との間でウェ
ハWの受け渡しを行うためのエクステンション装置3
5,36が下から順に重ねられて配置されている。各エ
クステンション装置35,36は,ウェハWを載置する
ため載置台(図示せず)とウェハWを昇降させるための
昇降ピン(図示せず)とを備えている。また,エクステ
ンション装置35は,主搬送装置11から搬送体5側に
ウェハWが搬送される際に利用され,エクステンション
装置36は,搬送体5から主搬送装置11側にウェハW
を搬送される際に使用される。また,インタフェイス部
6の露光装置4側には,露光装置4内にウェハWが搬入
される際に一時的にウェハWが載置される搬入載置台3
8と露光装置4からウェハWが送出する際にウェハWが
載置される搬出載置台39とがX方向に沿って並べられ
て設けられている。As shown in FIGS. 1 and 2, on the processing station 3 side of the interface section 6 and on an extension of the transfer rail 10, the transfer of the wafer W between the main transfer device 11 and the transfer body 5 is performed. Extension device 3 for performing
5, 36 are arranged in order from the bottom. Each of the extension devices 35 and 36 is provided with a mounting table (not shown) for mounting the wafer W thereon and elevating pins (not shown) for raising and lowering the wafer W. The extension device 35 is used when the wafer W is transferred from the main transfer device 11 to the transfer body 5 side, and the extension device 36 is used when the wafer W is transferred from the transfer body 5 to the main transfer device 11 side.
Used when transported. Also, on the side of the exposure unit 4 of the interface unit 6, a loading table 3 on which the wafer W is temporarily placed when the wafer W is loaded into the exposure unit 4.
8 and an unloading mounting table 39 on which the wafer W is mounted when the wafer W is sent out from the exposure apparatus 4 are arranged side by side in the X direction.
【0030】さらに,インタフェイス部6の中央部に
は,X方向に延伸するレール6aが設けられており,そ
のレール6a上には,上述した搬送体5が移動自在に設
けられている。搬送体5は,X方向,Z方向及びθ方向
(Z軸を中心とする回転方向)に移動及び回転自在に構
成されており,エクステンション装置35,36,搬入
載置台38及び搬出載置台39に対してアクセスして,
各々に対してウェハWを搬送できるように構成されてい
る。また,搬送体5は,主搬送装置11と同様に主制御
装置37によって制御されており,少なくとも露光処理
が終了したウェハWが搬出載置台39に載置される際に
は,図4に示すような搬送体5がその搬出載置台39の
ウェハWを受け取り可能な第1の位置としての待機位置
Qに待機しているように制御されている。また,主制御
装置37のタイマー機能は,搬送体5に対しても用いら
れ,搬送体5は,最大で最大待機時間Iが経過するまで
は,前記待機位置Qに待機し,最大待機時間Iが経過す
るまでにウェハWが露光装置4から送出されない場合に
は,搬送体5の待機が解除されるようになっている。な
お,本実施の形態では,図5に示すように搬送体5の最
大待機時間Iを前記主搬送装置11の最大待機時間Mと
同じに設定されている。Further, a rail 6a extending in the X direction is provided at the center of the interface section 6, and the above-mentioned carrier 5 is movably provided on the rail 6a. The carrier 5 is configured to be movable and rotatable in the X direction, the Z direction, and the θ direction (a rotation direction about the Z axis), and is provided to the extension devices 35 and 36, the loading / unloading table 38, and the unloading table 39. Access to
It is configured such that a wafer W can be transferred to each of them. Further, the carrier 5 is controlled by the main controller 37 in the same manner as the main carrier 11, and at least when the wafer W having undergone the exposure processing is placed on the carrying-out mounting table 39, as shown in FIG. Such a carrier 5 is controlled to be in a standby state at a standby position Q as a first position at which the wafer W of the carrying-out mounting table 39 can be received. The timer function of the main controller 37 is also used for the carrier 5, and the carrier 5 waits at the standby position Q until the maximum standby time I has elapsed at the maximum. If the wafer W is not sent from the exposure apparatus 4 before the time elapses, the standby state of the carrier 5 is released. In this embodiment, as shown in FIG. 5, the maximum standby time I of the carrier 5 is set to be the same as the maximum standby time M of the main transport device 11.
【0031】露光装置4は,図1に示すようにインタフ
ェイス部5に隣接して設けられている。この露光装置6
には,ウェハWの露光装置4への搬入出時に通過する搬
送口40が設けられている。露光装置4内には,図示し
ない搬送手段が設けられており,前記搬入載置台38か
らウェハWを搬入し,前記搬出載置台39にウェハWを
搬出できるようになっている。また,搬送口40には,
ウェハWが露光装置4内に搬入出されたことを検出し,
その信号を主制御装置37に送信するセンサ41が設け
られており,その信号をトリガとして,上述した主制御
装置37内のタイマー機能のカウントが作動・停止され
るようになっている。The exposure device 4 is provided adjacent to the interface unit 5 as shown in FIG. This exposure device 6
Is provided with a transfer port 40 through which the wafer W is transferred into and out of the exposure apparatus 4. A transfer unit (not shown) is provided in the exposure apparatus 4 so that the wafer W can be loaded from the loading / unloading table 38 and unloaded to the unloading / loading table 39. In addition, the transfer port 40
Detecting that the wafer W has been carried into and out of the exposure apparatus 4,
A sensor 41 for transmitting the signal to the main control device 37 is provided, and the count of the timer function in the main control device 37 is activated / stopped by using the signal as a trigger.
【0032】次に,以上のように構成された塗布現像処
理システム1で行われる塗布現像処理方法をフォトリソ
グラフィー工程のプロセスに沿って説明する。Next, a coating / developing method performed by the coating / developing system 1 configured as described above will be described along with a photolithography process.
【0033】先ず,カセットステーション2において,
ウェハ搬送体8がカセットCから未処理のウェハWを1
枚取りだし,そのウェハWを主搬送装置11が直接ウェ
ハ搬送体8から受け取る。次いで主搬送装置11がウェ
ハWをブラシスクラバ12,水洗洗浄装置13に順次搬
送し,そこでウェハWは所定の洗浄処理が施される。そ
の後,再び主搬送装置11によって,ウェハWは処理装
置群14に属するアドヒージョン装置22に搬送され,
レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着
性強化剤が塗布される。その後,ウェハWは主搬送装置
11によってクーリング装置21,レジスト塗布装置1
7又は18,プリベーキング装置23又は24,クーリ
ング装置26又は27に順次搬送され,所定の処理が施
される。First, at the cassette station 2,
The wafer carrier 8 removes one unprocessed wafer W from the cassette C
The wafer is taken out and the main carrier 11 directly receives the wafer W from the wafer carrier 8. Next, the main transfer device 11 transfers the wafer W to the brush scrubber 12 and the washing / cleaning device 13 sequentially, where the wafer W is subjected to a predetermined cleaning process. Thereafter, the wafer W is transferred again to the adhesion device 22 belonging to the processing device group 14 by the main transfer device 11 again.
An adhesion enhancer such as HMDS for improving the adhesion with the resist solution is applied. Thereafter, the wafer W is transferred to the cooling device 21 and the resist coating device 1 by the main transfer device 11.
7 or 18, the pre-baking device 23 or 24, and the cooling device 26 or 27 are sequentially transported and subjected to predetermined processing.
【0034】その後,クーリング装置26又は27によ
って所定温度に冷却されたウェハWは,主搬送装置11
によってエクステンション装置35に搬入され,図示し
ない載置台上に載置される。Thereafter, the wafer W cooled to a predetermined temperature by the cooling device 26 or 27 is transferred to the main transfer device 11.
Is carried into the extension device 35 and is placed on a mounting table (not shown).
【0035】その後,ウェハWは搬送体5によって,露
光装置4に近接した搬入載置台38に搬送されるが,主
搬送装置11は,所定時間Eの間,主制御装置37の搬
送プログラムに従って搬送レール10上を移動しなが
ら,処理ステーション3の各処理装置内にある他のウェ
ハを次工程の行われる各処理装置に搬送する。ここで所
定時間Eは,主搬送装置11が他のウェハを搬送できる
時間であって,図5に示すように,ウェハWがエクステ
ンション装置35に載置されてからウェハWが露光装置
4から送出されるまでに通常かかる時間よりも短い所定
の設定時間である。Thereafter, the wafer W is transported by the transport body 5 to the loading / unloading table 38 adjacent to the exposure device 4, and the main transport device 11 transports the wafer W for a predetermined time E according to the transport program of the main control device 37. While moving on the rail 10, another wafer in each processing apparatus of the processing station 3 is transferred to each processing apparatus in which the next process is performed. Here, the predetermined time E is a time during which the main transfer device 11 can transfer another wafer, and the wafer W is sent from the exposure device 4 after the wafer W is placed on the extension device 35 as shown in FIG. This is a predetermined set time that is shorter than the time normally required until the operation is performed.
【0036】そして,所定時間Eが経過すると,主搬送
装置11はエクステンション装置36にアクセス可能な
待機位置Pに移動し,そこで露光装置4に搬送された当
該ウェハWがエクステンション装置36に戻されるまで
待機する。なお,所定時間Eは,例えば露光処理時間T
と同じ時間に設定し,ウェハWが露光処理を終了し,エ
クステンション装置36に載置される際には,必ず待機
位置Pに待機していることができるようにする。When the predetermined time E has elapsed, the main transfer device 11 moves to the standby position P where the extension device 36 can be accessed, and the wafer W transferred to the exposure device 4 is returned to the extension device 36. stand by. The predetermined time E is, for example, an exposure processing time T
Is set to the same time as that described above, so that the wafer W can be always waiting at the standby position P when the exposure processing is completed and the wafer W is mounted on the extension device 36.
【0037】一方,搬送体5により搬入載置台38上に
載置されたウェハWは,図示しない露光装置4内の搬送
手段によって露光装置4の搬送口40から露光装置4内
に搬入される。以下,タイマー機能に関するウェハW処
理は,図6のフローチャートに示す。このとき,搬送口
40のセンサ41がウェハWの搬入を検出し,その信号
を主制御装置37に送信する。そして,その信号を受信
した主制御装置37では,その信号をトリガとして前記
タイマー機能のカウントが開始される。また,搬送体5
は,搬出載置台39にアクセス可能な待機位置Qに移動
し,ウェハWが露光処理を終了するまで待機する。On the other hand, the wafer W placed on the loading table 38 by the carrier 5 is carried into the exposure apparatus 4 from the carrier port 40 of the exposure apparatus 4 by a carrier means in the exposure apparatus 4 not shown. Hereinafter, the wafer W processing relating to the timer function is shown in the flowchart of FIG. At this time, the sensor 41 of the transfer port 40 detects the loading of the wafer W, and transmits a signal to the main controller 37. Then, the main control device 37 that has received the signal starts counting the timer function by using the signal as a trigger. In addition, the carrier 5
Moves to the standby position Q accessible to the carrying-out mounting table 39, and waits until the wafer W completes the exposure processing.
【0038】その後,ウェハWは露光装置4において所
定パターンが露光される。なお,この露光処理の行われ
ている間に主搬送装置11の前記所定時間Eが経過し,
主搬送装置11は,待機位置Pに移動し待機する(図4
の状態になる)。そして,通常は,前記露光処理時間T
経過後には,露光装置4の搬送口40からウェハWが送
出され,搬出載置台39上に載置される。このとき,セ
ンサ41がウェハWの搬出を検知し,その信号を主制御
装置37に送信し,主制御装置37のタイマー機能のカ
ウントが停止され,リセットされる。Thereafter, the wafer W is exposed to a predetermined pattern in the exposure device 4. While the exposure processing is being performed, the predetermined time E of the main transport device 11 has elapsed.
The main transfer device 11 moves to the standby position P and waits (see FIG. 4).
State). Usually, the exposure processing time T
After the lapse of time, the wafer W is sent out from the transfer port 40 of the exposure apparatus 4 and is placed on the carrying-out mounting table 39. At this time, the sensor 41 detects the unloading of the wafer W, transmits a signal to the main controller 37, and the timer function of the main controller 37 stops counting and is reset.
【0039】搬出載置台39に載置されたウェハWは,
待機位置Qで待機していた搬送体5に直ちに受け渡さ
れ,搬送体5は,そのウェハWをエクステンション装置
36に搬送する。そして,エクステンション装置36に
搬送されたウェハWは,待機位置Pで待機していた主搬
送装置11に直ちに受け渡され,主搬送装置11によっ
て,PEB装置32又は33に搬送される。The wafer W mounted on the unloading mounting table 39 is
The wafer W is immediately transferred to the carrier 5 waiting at the standby position Q, and the carrier 5 transports the wafer W to the extension device 36. Then, the wafer W transferred to the extension device 36 is immediately transferred to the main transfer device 11 waiting at the standby position P, and transferred to the PEB device 32 or 33 by the main transfer device 11.
【0040】また,露光装置4内で何らかのトラブルが
発生し,最大待機時間I若しくはMが経過しても露光装
置4からウェハWが送出されない場合には,タイマー機
能が停止され,搬送体5及び主搬送装置11の待機命令
が解除される。その後,搬送体5は,例えばその稼働を
直ちに停止し,主搬送装置11は,処理ステーション3
内に残っている露光処理の適切に行われた他のウェハW
を後述する所定の工程に沿って搬送し,それらのウェハ
Wが処理ステーション3からカセットステーション2に
搬出されたところでその稼働を停止する。If some trouble occurs in the exposure apparatus 4 and the wafer W is not sent out from the exposure apparatus 4 even after the maximum standby time I or M has elapsed, the timer function is stopped, and the carrier 5 and The standby command of the main transport device 11 is released. Thereafter, the carrier 5 immediately stops its operation, for example, and the main carrier 11 moves to the processing station 3.
Other wafers W that have been properly subjected to the exposure processing remaining in the wafer W
Are transported along a predetermined process described later, and when the wafers W are unloaded from the processing station 3 to the cassette station 2, the operation is stopped.
【0041】適切に露光されPEB装置32又は33に
搬送されたウェハWは,レジスト膜の現像液に対する可
溶化反応を促進させるための加熱処理が施され,その
後,主搬送装置11によって直ちにクーリング装置30
又は31に搬送され,所定温度に冷却される。次に現像
処理装置19又は20に搬送され,ウェハWは現像処理
に付される。The wafer W appropriately exposed and transported to the PEB device 32 or 33 is subjected to a heat treatment for accelerating the solubilization reaction of the resist film with respect to the developing solution. 30
Or it is conveyed to 31 and cooled to a predetermined temperature. Next, the wafer W is transported to the developing device 19 or 20, where the wafer W is subjected to a developing process.
【0042】現像処理の終了したウェハWは,再び主搬
送装置11に受け渡され,主搬送装置11によって搬送
レール10上をY方向負方向側に搬送され,カセットス
テーション2のウェハ搬送体8に受け渡される。そして
ウェハ搬送体8によってカセットCに戻され,一連のフ
ォトリソグラフィー工程が終了する。The wafer W having undergone the developing process is transferred again to the main transfer device 11, transferred on the transfer rail 10 in the negative Y direction by the main transfer device 11, and transferred to the wafer transfer body 8 of the cassette station 2. Handed over. Then, the wafer is returned to the cassette C by the wafer carrier 8, and a series of photolithography steps is completed.
【0043】以上の実施の形態によれば,搬送体5と主
搬送装置11とをそれぞれ所定の待機位置P,Qでウェ
ハWが来るのを待機させるようにしたため,露光処理か
らPEB処理までのウェハWの搬送を素早く,一定時間
で行うことができる。これによって,露光処理からPE
B処理までの所要時間が各ウェハ間において同じにな
り,レジスト膜の現像液に対する可溶化反応が一様に行
われ,現像処理も一様に行われるため,最終的には,ウ
ェハW上に形成される線幅が各ウェハ間において均一に
なる。According to the above-described embodiment, the transfer body 5 and the main transfer device 11 are made to wait at the predetermined standby positions P and Q, respectively, for the arrival of the wafer W. Therefore, from the exposure processing to the PEB processing. The transfer of the wafer W can be performed quickly and in a fixed time. As a result, the PE
The time required until the B process becomes the same between the wafers, so that the solubilization reaction of the resist film with the developing solution is performed uniformly and the developing process is also performed uniformly. The formed line width becomes uniform between the wafers.
【0044】また,主制御装置37にタイマー機能を設
け,搬送体5と主搬送装置11の最大待機時間I及びM
を設定するようにしたため,何らかの原因で露光処理か
らウェハWが送出されない場合には,露光装置4の点検
のため,搬送体5の搬送を停止させると共に,処理ステ
ーション3内に残存する適切に露光が行われた他のウェ
ハWを主搬送装置11によって搬送し,最後まで処理さ
せることができる。A timer function is provided in the main control device 37, and the maximum standby times I and M of the carrier 5 and the main carrier 11 are set.
When the wafer W is not sent out from the exposure processing for some reason, the transport of the carrier 5 is stopped for inspection of the exposure apparatus 4 and the appropriate exposure remaining in the processing station 3 is set. The other wafers W on which the process has been performed can be transferred by the main transfer device 11 and processed to the end.
【0045】以上の実施の形態では,主搬送装置11と
搬送体5の両者を待機させるようにしたが,塗布現像処
理システム1の構成や各搬送装置の搬送アルゴリズムに
よって,ウェハW間にウェハWを受け取るまでにかかる
時間についてのばらつきが生じない場合には,そのばら
つきのない方の搬送装置を待機させずもう一方の搬送装
置を待機させるようにしてもよい。すなわち,主搬送装
置11のみを待機させてもよいし,搬送体5のみを待機
させるようにしてもよい。この場合においても当然にタ
イマー機能を設け,露光処理が所定時間内に行われなか
った場合に備えるようにしてもよい。In the above embodiment, both the main transfer device 11 and the transfer body 5 are set on standby. However, depending on the configuration of the coating and developing processing system 1 and the transfer algorithm of each transfer device, the wafers W may be placed between the wafers W. If there is no variation in the time required for receiving the transfer device, the transfer device having no variation may not be on standby, and the other transfer device may be on standby. That is, only the main transport device 11 may be made to stand by, or only the transport body 5 may be made to stand by. In this case as well, a timer function may be provided to prepare for a case where the exposure processing is not performed within a predetermined time.
【0046】なお,以上で説明した実施の形態は,半導
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハWの塗布現像処理方法についてであ
ったが,本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばLCD
基板の塗布現像処理方法においても応用できる。Although the above-described embodiment relates to a method of applying and developing a wafer W in a photolithography step of a semiconductor wafer device manufacturing process, the present invention relates to a substrate other than a semiconductor wafer, such as an LCD.
The present invention can also be applied to a method of coating and developing a substrate.
【0047】[0047]
【発明の効果】請求項1〜8の発明によれば,基板の露
光処理が終了してから現像処理前の加熱処理が開始する
までの時間を一定にすることができるため,塗布膜の露
光による化学反応が一定の程度で行われ,基板が一様な
程度で現像処理されるため,基板上に最終的に形成され
るパターンの線幅が基板間において均一になる。According to the first to eighth aspects of the present invention, the time from the end of the exposure processing of the substrate to the start of the heating processing before the development processing can be made constant, so that the exposure of the coating film can be performed. Is performed to a certain extent and the substrate is developed to a uniform extent, so that the line width of the pattern finally formed on the substrate becomes uniform between the substrates.
【0048】特に,請求項2〜8によれば,搬送装置を
予め待機させておき,基板を受け取って直ちに搬送する
ため,露光処理終了から現像処理前の加熱処理が行われ
るまでにかかる時間を短縮させることもできる。In particular, according to the second to eighth aspects, since the transfer device is made to stand by in advance and the substrate is received and transferred immediately, the time required from the end of the exposure process to the heating process before the development process is performed. It can also be shortened.
【0049】また,請求項3,4,6,8によれば,搬
送装置の最大待機時間を設けるため,前記露光工程が適
切に行われなかった場合においても対応することができ
る。According to the third, fourth, sixth, and eighth aspects, since the maximum standby time of the transfer device is provided, it is possible to cope with the case where the exposure step is not properly performed.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本実施の形態にかかる塗布現像処理方法が実施
される塗布現像処理システムの外観を示す斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of a coating and developing system in which a coating and developing method according to an embodiment is performed.
【図2】図1の塗布現像処理システムの概略を示す平面
図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing the coating and developing system of FIG.
【図3】塗布現像処理システムの処理装置群内における
処理装置の配置例を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of the arrangement of processing apparatuses in a processing apparatus group of the coating and developing processing system.
【図4】主搬送装置と搬送体が待機している状態を示す
塗布現像処理システムの状態図である。FIG. 4 is a state diagram of the coating and developing system showing a state in which a main transport device and a transport body are on standby.
【図5】露光処理時間と最大待機時間との関係を示した
説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a relationship between an exposure processing time and a maximum standby time.
【図6】主制御装置のタイマー機能に関するウェハ処理
のフローチャートを示す。FIG. 6 shows a flowchart of wafer processing relating to a timer function of the main control device.
1 塗布現像処理システム 4 露光装置 5 搬送体 11 主搬送装置 33 PEB装置 36 エクステンション装置 37 主制御装置 P 待機位置 Q 待機位置 W ウェハ REFERENCE SIGNS LIST 1 coating / developing processing system 4 exposure apparatus 5 carrier 11 main carrier 33 PEB device 36 extension device 37 main controller P standby position Q standby position W wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H096 AA25 CA12 FA01 GA21 GB00 JA03 5F031 CA02 FA01 FA07 FA12 FA15 GA47 GA48 GA49 JA01 JA14 JA21 JA51 MA02 MA03 MA13 MA24 MA26 PA03 5F046 AA28 CD05 KA00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H096 AA25 CA12 FA01 GA21 GB00 JA03 5F031 CA02 FA01 FA07 FA12 FA15 GA47 GA48 GA49 JA01 JA14 JA21 JA51 MA02 MA03 MA13 MA24 MA26 PA03 5F046 AA28 CD05 KA00
Claims (8)
と,露光後の基板を現像処理前の加熱処理が行われる加
熱処理装置に搬送する工程とを有する塗布現像処理方法
であって,前記基板の露光が終了してから前記加熱処理
装置に搬送されるまでの時間が一定になるように前記搬
送工程が行われることを特徴とする,塗布現像処理方
法。1. A coating and developing method comprising the steps of: exposing a substrate on which a coating film is formed; and transporting the exposed substrate to a heat treatment apparatus for performing a heating process before a developing process. The coating and developing method, wherein the transporting step is performed so that a time period after the exposure of the substrate is completed and the substrate is transported to the heat treatment apparatus is constant.
いて露光する工程と,その後第1の搬送装置によって,
露光後の基板が一旦受け渡し部に搬送され,その後第2
の搬送装置によって,前記受け渡し部内の基板が現像処
理前の加熱処理が行われる加熱処理装置に搬送される工
程とを有する塗布現像処理方法であって,少なくとも基
板の露光が終了した際には,前記第1の搬送装置が,前
記基板を受け取り可能な第1の位置に待機しており,前
記基板の露光が終了した直後に当該基板を前記受け渡し
部に搬送し,少なくとも前記受け渡し部に基板が搬送さ
れた際には,前記第2の搬送装置が,前記基板を受け取
り可能な第2の位置に待機しており,前記基板が前記受
け渡し部内に搬送された直後に当該基板を前記加熱処理
装置に搬送することを特徴とする,塗布現像処理方法。2. A step of exposing a substrate on which a coating film has been formed by an exposure apparatus, and thereafter, a first transport apparatus.
The exposed substrate is once transported to the transfer section, and then the second
Transporting the substrate in the transfer section to a heat treatment device in which a heat treatment before the development treatment is performed by the transfer device, wherein at least when the exposure of the substrate is completed, The first transfer device is waiting at a first position where the substrate can be received, and transfers the substrate to the transfer unit immediately after the exposure of the substrate is completed. When the substrate is transferred, the second transfer device is waiting at a second position where the substrate can be received, and immediately after the substrate is transferred into the transfer unit, the substrate is transferred to the heat treatment device. A coating and developing method.
る場合において,前記露光工程が終了しないで前記所定
時間Tが経過した場合であっても,前記第1の搬送装置
は,露光工程開始から起算して最大で所定時間Tよりも
長い最大待機時間Iが経過する時までは前記第1の位置
に待機していることを特徴とする,請求項2に記載の塗
布現像処理方法。3. When a predetermined time T is required for the substrate exposure step, even if the predetermined time T has elapsed without terminating the exposure step, the first transfer device may start the exposure step. 3. The coating and developing method according to claim 2, wherein the apparatus waits at the first position until a maximum standby time I which is longer than a predetermined time T has elapsed.
る場合において,前記露光工程が終了しないで前記所定
時間Tが経過した場合であっても,前記第2の搬送装置
は,露光工程開始から起算して最大で所定時間Tよりも
長い最大待機時間Mが経過する時までは前記第2の位置
に待機していることを特徴とする,請求項2又は3のい
ずれかに記載の塗布現像処理方法。4. When the predetermined time T is required for the substrate exposure step, the second transfer device can start the exposure step even if the predetermined time T has elapsed without completing the exposure step. The coating according to any one of claims 2 and 3, wherein the application is in a standby state at the second position until a maximum standby time (M) longer than a predetermined time (T) elapses. Development processing method.
いて露光する工程と,その後第1の搬送装置によって,
露光後の基板が一旦受け渡し部に搬送され,その後第2
の搬送装置によって,前記受け渡し部内の基板が現像処
理前の加熱処理が行われる加熱処理装置に搬送される工
程とを有する塗布現像処理方法であって,少なくとも基
板の露光が終了した際には,前記第1の搬送装置が,前
記基板を受け取り可能な所定の位置に待機しており,前
記基板の露光が終了した直後に当該基板を前記受け渡し
部に搬送することを特徴とする,塗布現像処理方法。5. A step of exposing a substrate on which a coating film is formed in an exposure apparatus, and thereafter, a step of exposing the substrate by a first transfer device.
The exposed substrate is once transported to the transfer section, and then the second
Transporting the substrate in the transfer section to a heat treatment device in which a heat treatment before the development treatment is performed by the transfer device, wherein at least when the exposure of the substrate is completed, Wherein the first transfer device is waiting at a predetermined position where the substrate can be received, and transfers the substrate to the transfer section immediately after exposure of the substrate is completed. Method.
る場合において,前記露光工程が終了しないで前記所定
時間Tが経過した場合であっても,前記第1の搬送装置
は,露光工程開始から起算して最大で所定時間Tよりも
長い最大待機時間Iが経過する時までは前記所定の位置
に待機していることを特徴とする,請求項5に記載の塗
布現像処理方法。6. When the predetermined time T is required for the substrate exposure step, even if the predetermined time T has elapsed without the end of the exposure step, the first transfer device may start the exposure step. 6. The coating and developing method according to claim 5, wherein the apparatus waits at the predetermined position until a maximum standby time I longer than a predetermined time T elapses from the start.
いて露光する工程と,その後第1の搬送装置によって,
露光後の基板が一旦受け渡し部に搬送され,その後第2
の搬送装置によって,当該受け渡し部内の基板が現像処
理前の加熱処理が行われる加熱処理装置に搬送される工
程とを有する塗布現像処理方法であって,少なくとも前
記受け渡し部に基板が搬送された際には,前記第2の搬
送装置が,前記基板を受け取り可能な所定の位置に待機
しており,前記基板が前記受け渡し部内に搬送された直
後に当該基板を前記加熱処理装置に搬送することを特徴
とする,塗布現像処理方法。7. A step of exposing a substrate on which a coating film is formed in an exposure apparatus, and thereafter, by a first transport apparatus,
The exposed substrate is once transported to the transfer section, and then the second
Transferring the substrate in the transfer section to a heat treatment apparatus in which a heat treatment before the development processing is performed by the transfer device, wherein at least the substrate is transferred to the transfer section. The second transfer device is waiting at a predetermined position capable of receiving the substrate, and transferring the substrate to the heat treatment device immediately after the substrate is transferred into the transfer unit. Characterized by a coating and developing method.
る場合において,前記露光工程が終了しないで前記所定
時間Tが経過した場合であっても,前記第2の搬送装置
は,露光工程開始から起算して最大で所定時間Tよりも
長い最大待機時間Mが経過する時までは前記所定の位置
に待機していることを特徴とする,請求項7に記載の塗
布現像処理方法。8. When the predetermined time T is required for the substrate exposure step, the second transfer device may start the exposure step even if the predetermined time T has elapsed without terminating the exposure step. 8. The coating and developing method according to claim 7, wherein the apparatus waits at the predetermined position until a maximum standby time M that is longer than a predetermined time T at a maximum has elapsed.
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