Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2000260699A - 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置 - Google Patents

位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置

Info

Publication number
JP2000260699A
JP2000260699A JP11062004A JP6200499A JP2000260699A JP 2000260699 A JP2000260699 A JP 2000260699A JP 11062004 A JP11062004 A JP 11062004A JP 6200499 A JP6200499 A JP 6200499A JP 2000260699 A JP2000260699 A JP 2000260699A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
edge
matching
detection
template
mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11062004A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000260699A5 (ja
Inventor
Hiroshi Tanaka
浩 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP11062004A priority Critical patent/JP2000260699A/ja
Priority to US09/521,210 priority patent/US6925203B1/en
Publication of JP2000260699A publication Critical patent/JP2000260699A/ja
Priority to US11/131,428 priority patent/US7103210B2/en
Publication of JP2000260699A5 publication Critical patent/JP2000260699A5/ja
Priority to US11/498,747 priority patent/US7590280B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092—Signal processing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/10—Segmentation; Edge detection
    • G06T7/12—Edge-based segmentation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/70—Determining position or orientation of objects or cameras
    • G06T7/73—Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods
    • G06T7/74—Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods involving reference images or patches
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10016—Video; Image sequence
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体製造工程でウエハ上に現われる低コント
ラスト画像、ノイズ画像、あるいはウエハ加工の際に発
生した欠陥を有する画像など、検出の難しい検出マーク
の画像に対し、安定した検出を行うことのできる位置検
出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置を提
供する事。 【解決手段】検出マークのエッジと該エッジの方向を同
時に抽出し、予め記憶しているエッジ方向毎にエッジを
着目する特徴着目点で構成されるテンプレートとのマッ
チング検出を行ない、該検出結果に応じて該エッジ抽出
のパラメータ、検出判定の閾値を最適化することを特徴
とする位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体
露光装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は位置検出装置、特に
該位置検出装置を用いてウエハ上のパターン位置を検出
する半導体露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】微細化の進む半導体を製造する半導体製
造装置ではウエハ上にレチクルパターンを投影露光する
前に、ウエハとレチクルの位置合わせが行われる。
【０００３】位置合わせ技術にはプリアライメント、フ
ァインアライメントの２種類の技術がある。プリアライ
メントはウエハがウエハ搬送装置から半導体露光装置内
のステージに構成されるウエハチャックに置かれる際に
発生する送り込みずれ量を検出し、後続のファインアラ
イメントが正常に処理できる精度内にウエハを粗く位置
合わせする役割をする。ファインアライメントは、ステ
ージ上のウエハチャックに置かれたウエハの位置を正し
く計測し、レチクルとの位置合わせ誤差が許容範囲内に
なる様に精密位置合わせする役割を持つ。プリアライメ
ントの精度は3ミクロン程度。ファインアライメントの
精度はウエハ加工精度の要求で異なるが、64MDRAMでは8
0ナノメートル以下が要求される。
【０００４】プリアライメントでは前述のように搬送装
置がチャックに送り込んだ際に発生するウエハの送り込
みずれを検出するため、非常に広範囲の検出が必要で、
一般に500μｍ□程度の検出範囲を有している。広い検
出範囲の中から、一つのマークでX,Yの座標を検出して
プリアライメントを行う方法としてはパターンマッチン
グ処理が多く用いられる。
【０００５】パターンマッチング処理には、大きく分け
ると2種類の方法がある。一つは画像を2値化して予め持
っているテンプレートとのマッチングを行い、最も相関
が有る位置をマーク位置とする方法で、もう一つは濃淡
画像のまま、濃淡情報を持つテンプレートとの相関演算
を行なう方法である。後者としては正規化相関法などが
良く用いられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】プリアライメントの場
合、非常に広範囲の検出を行なうにも関わらず、検出マ
ークは小さいことが要求される。検出マークとして半導
体素子とならないパターンが用いられるので、半導体素
子の面積をできるだけ大きく取るにはできるだけ小さい
ことが好ましいからである。従って検出マークは素子と
して使われない領域、例えばスクライブラインに入れら
れることが多く、検出マークのサイズはスクライブライ
ンの幅で制限を受ける。
【０００７】近年の半導体製造の効率化と加工精度の向
上のため、スクライブラインの幅は年々狭くなってい
る。現在ではスクライブラインの幅は100μｍ以下にま
でなっており、よって検出マークサイズも60μｍ以下の
大きさとなっている。
【０００８】一方、高密度の半導体を製造する為に、ウ
エハは新しい処理工程を経るようになっている。
【０００９】図6は十字型のプリアライメント検出マー
ク100の検出の実際を示したものである。図6(a)は十字
型の検出マーク100の外側に半導体素子のパターンが隣
接した配置を示しており、横長の長方形の部分winが信
号検出部である。図6(b),(d)は検出信号波形、図6(c),
(e)はそれぞれ図6(b),(d)の信号に対応したウエハの断
面構造を示す。図6(f)も十字型検出マーク100の様子を
示したもので、図6(g)が検出信号波形、図6(h)が対応す
るウエハの断面構造である。
【００１０】図6のウエハの断面構造では図6(e)で内側
に示された超低段差加工工程や、図6(h)に示されるCMP
加工工程を経て段差が低く、かつノイズの多い工程など
がプリアライメント検出の難しい例である。
【００１１】一般にプリアライメントでは一旦刻印され
た検出マークが後の工程でも引き続き検出に使用され
る。従って該検出マークの上には次第に層が堆積し、検
出マークは次第に見えにくくなる。図6(e)の断面構造の
場合には高反射率、高段差素材の中に低い段差で、反射
率の検出マークが存在して検出が困難になっている。さ
らに様々な層が検出マークの上にのるため、コントラス
トが下がるだけでなく、ノイズの多い画像となる場合も
ある。
【００１２】図6は高密度の半導体を製造する技術進歩
に伴い、広範囲な検出領域内に存在するプリアライメン
ト用の検出マークを従来のパターンマッチング技術で検
出することが非常に難しい工程が出現し、問題となって
いることを示唆している。
【００１３】例えば、図6(e)のように周辺のパターンの
段差が大きかったり、反射率が高いにも関わらず検出マ
ークが低段差だと、図6(d)のような画像信号となる。図
6(d)の画像信号はプリアライメント用の検出マーク100
に暗視野照明を行ない撮像した際の図6(a) win内の信号
を示している。縦軸はビデオ信号の電圧、横軸は座標で
ある。検出マーク部の信号レベルが下がってしまってい
る為、一定の閾値で二値化するとマークは消えてしま
い、テンプレートマッチングを行なっても検出マークを
認識する事ができない。
【００１４】一方、濃淡画像での検出法として知られる
正規化相関法も低い段差の低コントラスト画像や、ノイ
ズの多い画像ではやはり検出が難しいという問題があ
る。特に正規化相関法はノイズの影響やウエハ加工の際
にマークの欠陥が発生した場合、検出率が低下する傾向
がある。また、演算方法が複雑なので処理時間が大きい
というデメリットもある。
【００１５】上記問題点を克服する為に、さまざまな近
似演算も工夫されているが、低コントラストになると検
出率が低下するという問題は依然として存在している。
【００１６】本発明は低コントラスト画像、ノイズ画
像、あるいはウエハ加工の際に発生した欠陥を有する画
像など、検出の難しいアライメント用の検出マークの画
像に対し、安定した検出を行うことのできる位置検出装
置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置を提供す
る事を目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明ではマーク画像の
エッジを最適に抽出すると同時にエッジの方向特徴を共
に抽出し、方性分に分けられたエッジに着目したパター
ンマッチングを行なうことを特徴としている。
【００１８】請求項１の発明の位置検出装置は、被検出
物上の検出マークの位置を検出する位置検出装置におい
て、該検出マークのエッジを該エッジの延伸方向の情報
と共に抽出するエッジ抽出処理を行い、該方向毎に登録
されているテンプレートとのマッチングを行って、該検
出マークの位置を検出することを特徴としている。
【００１９】請求項２の発明は請求項１の発明におい
て、該テンプレートが該エッジの特徴着目点で構成され
る事を特徴としている。
【００２０】請求項３の発明は請求項２の発明におい
て、該エッジの特徴着目点はエッジを規定する間引きし
た点で定義されることを特徴としている。
【００２１】請求項４の発明は請求項３の発明におい
て、該間引きした点がエッジにつき2点以上で規定され
ることを特徴としている。
【００２２】請求項５の発明は請求項２，３又は４の発
明において、該検出マークのエッジを得られた光電信号
を取り込んでノイズ除去フィルタをかけた後、該エッジ
抽出処理を行うことを特徴としている。
【００２３】請求項６の発明は請求項２，３又は４の発
明において、該検出マークのエッジを得られた光電信号
を取り込んで太線化処理をかけた後、該エッジ抽出処理
を行うことを特徴としている。
【００２４】請求項７の発明は請求項２〜６のいずれか
１項の発明において、該検出マークのエッジを得られた
光電信号を微分し、閾値処理を行うことにより検出こと
を特徴としている。
【００２５】請求項８の発明は請求項７の発明におい
て、該検出マークのエッジの微分信号の立ち上がりと立
ち下がりに対して閾値設定を行いテンプレートマッチン
グ処理を行うこと特徴としている。
【００２６】請求項９の発明は請求項２の発明におい
て、該テンプレートマッチングの結果に応じて、エッジ
抽出のパラメータとマッチング結果判定閾値のどちらか
一方または両方を調整して、テンプレートマッチングを
設定回繰返す事を特徴としている。
【００２７】請求項１０の発明は請求項９の発明におい
て、該エッジ抽出のパラメータが該エッジ信号の微分信
号に対する閾値であることを特徴としている。
【００２８】請求項１１の発明は請求項９又は１０の発
明において、該テンプレートマッチングのエッジ抽出の
パラメータとマッチング結果判定閾値の変更において、
直前のマッチングの処理で決定した値を記憶し、次回の
該パラメータと該判定閾値の初期値とする事を特徴とし
ている。
【００２９】請求項１２の発明の位置検出装置は、被検
出物上の検出マークの位置を該検出マークのエッジ抽出
処理を行い、テンプレートとのマッチングを行って検出
する位置検出装置において、該テンプレートマッチング
の結果に応じて、該エッジ抽出のパラメータとマッチン
グ結果判定閾値のどちらか一方または両方を調整して、
テンプレートマッチングを設定回繰返す事を特徴として
いる。
【００３０】請求項１３の発明は請求項１２の発明にお
いて、該エッジ抽出処理を該エッジの延伸方向の情報の
抽出と共に行うとともに、該テンプレートを該予め定め
られた方向毎に登録する事を特徴としている。
【００３１】請求項１４の発明は請求項１３の発明にお
いて、該テンプレートマッチングのエッジ抽出のパラメ
ータとマッチング結果判定閾値の変更において、直前の
マッチングの処理で決定した値を記憶し、次回の該パラ
メータと該判定閾値の初期値とする事を特徴としてい
る。
【００３２】請求項１５の発明の半導体露光装置は、レ
チクル上のパターンを投影露光光学系を介して被露光基
板上に露光する半導体露光装置において、該被露光基板
上の検出マーク位置を該検出マークのエッジを該エッジ
の延伸方向の情報と共に抽出するエッジ抽出処理を行っ
た後、該方向毎に予め登録されているテンプレートとの
マッチングを行って検出する位置検出装置を搭載した事
を特徴としている。
【００３３】請求項１６の発明は請求項１５の発明にお
いて、該テンプレートが該エッジの特徴着目点で構成さ
れる事を特徴としている。
【００３４】請求項１７の発明は請求項１６の発明にお
いて、該エッジの特徴着目点はエッジを規定する間引き
した点で定義されることを特徴としている。
【００３５】請求項１８の発明は請求項１６又は１７の
発明において、該エッジの方向として3つ以上のポジシ
ョンを選択することを特徴としている。
【００３６】請求項１９の発明は請求項１６〜１８のい
ずれか１項の発明において、該テンプレートマッチング
の結果に応じて、該エッジ抽出のパラメータとマッチン
グ結果判定閾値のどちらか一方または両方を調整して、
テンプレートマッチングを設定回繰返す事を特徴として
いる。
【００３７】請求項２０の発明は請求項１９の発明にお
いて、該テンプレートマッチングのエッジ抽出のパラメ
ータとマッチング結果判定閾値の変更において、直前の
マッチングの処理で決定した値を記憶し、次回の該パラ
メータと該判定閾値の初期値とする事を特徴としてい
る。
【００３８】請求項２１の発明は請求項１６〜２０のい
ずれか１項の発明において、該被露光基板上の検出マー
ク位置の検出をオフアクシススコープで行うことを特徴
としている。
【００３９】請求項２２の発明は請求項１６〜２０のい
ずれか１項の発明において、該被露光基板上の検出マー
ク位置の検出をTTR検出系で行うことを特徴としてい
る。
【００４０】請求項２３の発明は請求項１６〜２０のい
ずれか１項の発明において、該被露光基板上の検出マー
ク位置の検出をTTL検出系で行うことを特徴としてい
る。
【００４１】請求項２４の発明の半導体露光装置は、レ
チクル上のパターンを投影露光光学系を介して被露光基
板上に露光する半導体露光装置において、該被露光基板
上の検出マークの位置を該検出マークのエッジ抽出処理
を行い、テンプレートとのマッチングを行って検出する
と共に、該テンプレートマッチングの結果に応じて、該
エッジ抽出のパラメータとマッチング結果判定閾値のど
ちらか一方または両方を調整して、テンプレートマッチ
ングを繰り返す位置検出装置を搭載したことを特徴とし
ている。
【００４２】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を説明する前
に、先ず図２を用いてプリアライメント動作の説明を行
う。
【００４３】図２(a) は半導体露光装置の概略の構成を
示したもので、本発明の実施形態1は図2(a)のフアクシ
ススコープ6によるプリアライメント検出に対して適用
されたものである。
【００４４】露光対象パターンはレチクル1上に存在
し、不図示の照明系でI線あるいはエキシマレーザ光を
使って照明され、投影レンズ2によりウエハ5に露光され
る。
【００４５】プリアライメントはウエハ5が不図示のウ
エハ搬送装置によって、XYステージ3上のウエハ吸着チ
ャック4に載せられてから行われる。ウエハ5はチャック
4上に搬送装置の精度で載せられているため、精度上そ
のままウエハの精密な位置計測に移行することはできな
い。その為、ウエハ上のプリアライメント（粗合わせ）
用の検出マークを投影レンズ2の外側に構成されるオフ
アクシススコープ6で観察し、CCDカメラ7で光電変換し
た後、プリアライメント画像処理装置8で検出マークの
位置情報を検出する。プリアライメント画像処理装置8
内では、光電変換されたビデオ信号をA/D変換装置71で
デジタル情報にし、画像メモリを有する画像処理プロセ
ッサ72でプリアライメントマーク位置の検出を行なう。
【００４６】プリアライメント用の検出マークの形状は
一個のマークでX,Y両座標検出できるとスループットの
上で有利なので、図6(a)100 に示される形状を取るもの
とする。プリアライメントマークの画像を取り込んだと
きのXYステージ3の位置はレーザ干渉計12によって正確
に測定されており、露光装置制御装置9がマーク位置の
ずれとXYステージ3の位置から、チャック4上に置かれて
いるウエハ5のずれ量を正しく計測する。
【００４７】本実施形態ではオフアクシススコープの照
明として暗視野照明を用いて説明する。暗視野照明では
マーク段差のエッジ位置からの散乱光がCCDカメラなど
で受光されるが、本発明は明視野照明にも同様に適用で
きる。
【００４８】図１は本発明の位置検出装置及び該位置検
出装置を用いた半導体露光装置のプリアライメントの画
像処理のフローを示したものである。CCDカメラ7で取込
まれた画像は、画像処理プロセッサ72でエッジ抽出が行
なわれる(S100)。エッジの抽出においては、抽出したエ
ッジが検出マーク信号のの上側、下側、右側、左側のい
ずれかであるかといった情報も同時に取得する。本実施
形態では上下左右の４ポジションの情報を取得すること
としたが、更に4種類の45度方向を加えて８ポジション
の情報を取得するとしてもよい。以降、本実施形態の説
明は４ポジションで行うこととする。ここでポジション
とは方向性と信号の極性も含めた広義の方向性であると
定義する。
【００４９】次いでS101でエッジ情報からエッジのサー
チを行う。サーチとは検出マークのおおよその位置を画
像内から探す事を意味する。検出マーク形状は既知なの
で、マークの中心からどこにどのようなエッジがあるか
は予め分かっている。従って検出すべきエッジ位置は登
録され、記憶されている。S101では登録されている上側
エッジの位置、下側エッジの位置、右側エッジの位置、
左側エッジの位置の２次元的な配置と、S100で抽出した
エッジ画像とのマッチングが行われる。
【００５０】S102は検出結果の判定である。マッチング
結果が検出判定閾値以上であればマークのサーチは成功
した事となりS103でマークの詳細な位置測定を行う。
【００５１】S102の検出判定でサーチが成功しない場合
には 1)検出結果が検出判定閾値より低い場合 2)検出判定閾値以上の位置が複数存在し選択できない場
合 の2通りの理由が存在する。
【００５２】成功しなかった場合はS104の指定回サーチ
のループに入り、S105で検出パラメータの変更、即ちエ
ッジ抽出のパラメータ及び検出判定閾値の一方または両
方を調整して再度エッジ抽出を実行し、サーチを行う。
パラメータ変更とサーチの繰り返しループはあらかじめ
設定されている回数または、条件によって決定される。
繰り返しループをこれ以上繰り返しても検出できないと
判断した場合は検出エラーとなる。
【００５３】次にフローに従った実際の処理について図
３、図４を用いて説明する。S100のエッジ抽出におい
て、マーク100の散乱光はCCDカメラ7で受光し光電変換
された後、71でA/D変換してメモリに記憶される。記憶
した画像のある走査線で得られる信号をXiとする。暗視
野照明のため信号はマークエッジ位置が光り、他の部分
は黒い。信号Xiを微分した信号が信号Xidで、走査線を
左から追っていくとエッジの立ち上がりで正、立ち下が
りで負の信号となる。信号Xidの立ち上がり側にthlの閾
値を設定し、thlよりも信号Xidが大きい場合とそうでな
い場合で二値化すると、信号Leが得られる。同様に信号
Xidの立ち下がり側に閾値thrを設定しthrよりも信号Xid
が小さい場合とそうでない場合で二値化すると信号Reが
得られる。信号Leはマーク信号の左側エッジ位置を示
し、信号Reはマーク信号の右側エッジ位置を示す。
【００５４】同様にメモリ上の縦ラインについて信号を
作成すると信号Yiとなる。Xと同様にYiを下から追って
いき、微分信号Yidを作成して、thuとthoという閾値設
定により二値化すると信号Ue,信号Oeが得られる。信号U
eはマーク信号の下側エッジ位置を信号Oeはマーク信号
の上側エッジ位置を示す。
【００５５】図4はマーク100の右エッジ位置、左エッジ
位置、上エッジ位置、下エッジ位置をそれぞれ求めた2
次元イメージである。各エッジの位置を合成すると図4
(a)となるが、本発明ではエッジ位置画像として図4(b)
の上側エッジ位置、図4(c)の下側エッジ位置、図4(d)の
左側エッジ位置、図4(e)の右側エッジ位置をそれぞれ独
立情報として記憶することを特徴としている。
【００５６】サーチはあらかじめ記憶しているテンプレ
ートと図4(b)〜(e)に示されるエッジ位置画像とのマッ
チング演算によって行なう。
【００５７】図５はサーチの模様を説明したものであ
る。
【００５８】マーク中心（十字）に対して上側、下側、
左側、右側エッジの位置がどこにあるかはあらかじめ分
かっているので、テンプレートはマークの特徴的な部分
を丸印の位置とし、図5(b)〜(e)に示すように配置を登
録する。登録されたテンプレートを上側、下側、左側、
右側を合成すると図5(a)となる。なお丸印の位置を特徴
着目点と呼び、着目点の集合をテンプレートとする。
【００５９】サーチにおけるマッチング演算は、マーク
中心（十字）に対し図４(b)の画像において図5(b)の丸
印の位置にエッジ情報があるかどうかを判断することに
よって行われる。同様に図4(c)と図5(c)、図4(d)と図5
(d)、図4(e)と図5(e)を比較して図4の画像に対応する図
5の丸印の位置にエッジ情報があるかどうか判断する。
全ての丸印の位置にエッジ情報が存在するとマッチ度は
100％となり、丸印の位置にエッジ情報が無い場所が存
在するとマッチ度が100％から下がる。上記のマッチン
グ演算をマーク中心座標を移動させながらエッジ画像全
体に対して行ない、最終的に最ももマッチ度が高い座標
を抽出してサーチを完了する。
【００６０】図5に示される特徴着目点は各エッジにつ
いてエッジを規定する2点を指定するという、間引きし
た形で表現されている。特徴着目点の点数を多くしても
特徴を表現していなければ効果が無く、密にするとマッ
チ度が下がった場合急激に数値が下がり、検出判定でき
ない事がある。特にマークが欠損している場合には急激
にマッチ度が下がることが多く、間引きした特徴着目点
を設定したほうが高い検出率を維持できる。
【００６１】一方、上述のサーチで最大のマッチ度が得
られたにも関わらず、得られた値が判定閾値より低い場
合、最大マッチ度が得られた座標が正しいマーク位置を
示していない可能性がある。その場合はエッジ位置情報
の抽出が最適でない可能性があるため、マークエッジを
決定する閾値 thl,thr,thu,thoを修正し、再度エッジ情
報を作成し直してサーチを繰返す。
【００６２】例えば閾値が元々高めであると低コントラ
ストのマーク画像ではエッジ情報が得られず、サーチに
おいてマッチ度が低くてマークの検出判定ができない。
そこで、エッジ決定の閾値を徐々に下げてマークエッジ
情報を検出すれば、サーチにおいて十分なマッチ度が得
られるようになる。
【００６３】別な実施形態として判定閾値より高い座標
が複数出現した場合も、どの位置をマーク位置として決
定するかが決められない。この場合も判定閾値をより高
くしてエッジ情報の作成とサーチを繰返す事を行なうこ
とで、信頼性の高いマーク位置決定の判断を行うことが
できる。
【００６４】エッジ検出の閾地や判定閾値等の位置検出
パラメータの変更は、直前のマッチングの処理で決定し
た値を記憶し、次回の位置検出パラメータの初期値とす
ると効率的である。
【００６５】マークのサーチが完了した後の精密検出
は、A/D変換した画像のサーチ中心を原点とした輝度分
布から重心を求める方法などによって、画素分解能以下
の精度でマーク位置を決定する事が可能である。
【００６６】本実施例ではエッジ抽出を画像取り込み後
に行なっているが、エッジ抽出の前にノイズ除去フィル
タリングを行ない、事前にノイズレベルを下げて不要な
エッジ情報が出ない様にしたり、パターンマッチングす
る前に、エッジ情報を太線化し、マーク寸法の変形や、
エッジの途切れを修復する処理も有効である。また、検
出判定の結果に応じてノイズ除去のパラメータ、太線化
のパラメータを調整する事も有効である。以上のような
処理の追加はいずれも検出マークのサーチの検出率を高
める効果がある。
【００６７】実施形態1は本発明の位置検出装置及び該
位置検出装置を用いた半導体露光装置をオフアクシス顕
微鏡を用いたプリアライメントに適応したケースを示し
たが、検出マーク位置をサーチする処理はオフアクシス
を用いたプリアライメントに限った処理ではない。
【００６８】図2(b)は本発明の実施形態2で、本発明の
位置検出を半導体露光装置においてレチクル1を通して
ウエハ5またはステージ上のマークを検出するTTR検出系
に適用したものである。
【００６９】TTR検出系の検出は露光光を用いる。例え
ばエキシマレーザを用いた半導体露光装置の場合には、
CCDカメラ7とレーザ21を同期信号発生器20で同期を取
り、CCDカメラ7の光蓄積時間中だけレーザを発振する。
光電変換されたマークの画像は実施形態1と同じ方法で
マーク位置をサーチし、サーチ後精密なマーク位置計算
を行なう事ができる。I線露光装置の場合は光源がレー
ザでないため、画像取り込みと照明系の同期が不要な
で、実施形態1と同様に検出マーク位置をサーチし、サ
ーチ後精密なマーク位置計算を行なう事ができる。
【００７０】さらに、レチクル1の位置を投影レンズ2に
対して位置決めするレチクルアライメントにおいてもサ
ーチ用のマークに対して実施形態1と同じ処理を行なっ
てマークのサーチを行なう事が可能である。
【００７１】図2(c)は本発明の実施形態3で、本発明の
位置検出を半導体露光装置においてレチクル1を介さず
投影レンズ2を介したウエハ5またはステージ3上のマー
ク位置を検出するTTL検出系に適用したものである。TTL
の場合もマークの撮像方法が異なるだけでマークのサー
チおよび位置決定は実施形態1と同様に行うことができ
る。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の位置検出
装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置では、
検出マークの画像のエッジをエッジの延伸方向と共に抽
出し、方性分に分けられたエッジに着目したパターンマ
ッチングを行なうことにより、高密度の半導体を製造す
る為に起こった低コントラスト画像、ノイズ画像、ウエ
ハ加工の際に発生した欠陥を有する画像など、劣化した
検出マークの画像を、より安定して検出することが可能
となった。
【００７３】その結果、半導体露光装置においては半導
体製造の歩留まりが向上するだけでなく、今後の高密度
半導体製造にも対応する事のできる、適応能力の高い位
置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置
を実現することが可能となった。
【００７４】これとは別の本発明の位置検出装置及び該
位置検出装置を用いた半導体露光装置では、テンプレー
トマッチングの結果に応じてエッジ抽出のパラメータと
マッチング結果判定閾値の一方又は両方を調整してテン
プレートマッチングを繰り返し行うことにより、劣化し
た検出マークの像を、より確実に検出することができる
ようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明を示す画像処理のフローチャート、
【図２】 半導体製造装置の概略図、
【図３】 マークエッジ抽出を説明する図、
【図４】 マークエッジ成分に分かれたプリアライメン
トマークを示す図、
【図５】 本発明のテンプレートを示す図、
【図６】 プリアライメントマークと段差、ビデオ信号
を示す図
【符号の説明】
1 レチクル 2 投影レンズ 3 ステージ 4 ウエハチャック 5 ウエハ 6 オフアクシススコープ 7 CCDカメラ 8 画像処理装置 9 露光装置制御装置 10 照明装置 11 ステージ干渉計 12 モータ 20 同期信号発生器 21 エキシマレーザ 71 A/D変換装置 72 画像処理プロセッサ 100 プリアライメントマーク

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被検出物上の検出マークの位置を検出する
    位置検出装置において、該検出マークのエッジを該エッ
    ジの延伸方向の情報と共に抽出するエッジ抽出処理を行
    い、該方向毎に登録されているテンプレートとのマッチ
    ングを行って、該検出マークの位置を検出することを特
    徴とする位置検出装置。
  2. 【請求項２】該テンプレートが該エッジの特徴着目点で
    構成される事を特徴とする請求項１記載の位置検出装
    置。
  3. 【請求項３】該エッジの特徴着目点はエッジを規定する
    間引きした点で定義されることを特徴とする請求項２記
    載の位置検出装置。
  4. 【請求項４】該間引きした点がエッジにつき2点以上で
    規定されることを特徴とする請求項３記載の位置検出装
    置。
  5. 【請求項５】該検出マークのエッジを得られた光電信号
    を取り込んでノイズ除去フィルタをかけた後、該エッジ
    抽出処理を行うことを特徴とする請求項２，３又は４記
    載の位置検出装置。
  6. 【請求項６】該検出マークのエッジを得られた光電信号
    を取り込んで太線化処理をかけた後、該エッジ抽出処理
    を行うことを特徴とする請求項２，３又は４記載の位置
    検出装置。
  7. 【請求項７】該検出マークのエッジを得られた光電信号
    を微分し、閾値処理を行うことにより検出ことを特徴と
    する請求項２〜６のいずれか１項に記載の位置検出装
    置。
  8. 【請求項８】該検出マークのエッジの微分信号の立ち上
    がりと立ち下がりに対して閾値設定を行いテンプレート
    マッチング処理を行うこと特徴とする請求項７記載の位
    置検出装置。
  9. 【請求項９】該テンプレートマッチングの結果に応じ
    て、エッジ抽出のパラメータとマッチング結果判定閾値
    のどちらか一方または両方を調整して、テンプレートマ
    ッチングを設定回繰返す事を特徴とする請求項２記載の
    位置検出装置。
  10. 【請求項１０】該エッジ抽出のパラメータが該エッジ信
    号の微分信号に対する閾値であることを特徴とする請求
    項９記載の位置検出装置。
  11. 【請求項１１】該テンプレートマッチングのエッジ抽出
    のパラメータとマッチング結果判定閾値の変更におい
    て、直前のマッチングの処理で決定した値を記憶し、次
    回の該パラメータと該判定閾値の初期値とする事を特徴
    とする請求項９又は１０記載の位置検出装置。
  12. 【請求項１２】被検出物上の検出マークの位置を該検出
    マークのエッジ抽出処理を行い、テンプレートとのマッ
    チングを行って検出する位置検出装置において、該テン
    プレートマッチングの結果に応じて、該エッジ抽出のパ
    ラメータとマッチング結果判定閾値のどちらか一方また
    は両方を調整して、テンプレートマッチングを設定回繰
    返す事を特徴とする位置検出装置。
  13. 【請求項１３】該エッジ抽出処理を該エッジの延伸方向
    の情報の抽出と共に行うとともに、該テンプレートを該
    予め定められた方向毎に登録する事を特徴とする請求項
    １２記載の位置検出装置。
  14. 【請求項１４】該テンプレートマッチングのエッジ抽出
    のパラメータとマッチング結果判定閾値の変更におい
    て、直前のマッチングの処理で決定した値を記憶し、次
    回の該パラメータと該判定閾値の初期値とする事を特徴
    とする請求項１３記載の位置検出装置。
  15. 【請求項１５】レチクル上のパターンを投影露光光学系
    を介して被露光基板上に露光する半導体露光装置におい
    て、該被露光基板上の検出マーク位置を該検出マークの
    エッジを該エッジの延伸方向の情報と共に抽出するエッ
    ジ抽出処理を行った後、該方向毎に予め登録されている
    テンプレートとのマッチングを行って検出する位置検出
    装置を搭載した事を特徴とする半導体露光装置。
  16. 【請求項１６】該テンプレートが該エッジの特徴着目点
    で構成される事を特徴とする請求項１５記載の半導体露
    光装置。
  17. 【請求項１７】該エッジの特徴着目点はエッジを規定す
    る間引きした点で定義されることを特徴とする請求項１
    ６記載の半導体露光装置。
  18. 【請求項１８】該エッジの方向として3つ以上のポジシ
    ョンを選択することを特徴とする請求項１６又は１７記
    載の半導体露光装置。
  19. 【請求項１９】該テンプレートマッチングの結果に応じ
    て、該エッジ抽出のパラメータとマッチング結果判定閾
    値のどちらか一方または両方を調整して、テンプレート
    マッチングを設定回繰返す事を特徴とする請求項１６〜
    １８のいずれか１項に記載の半導体露光装置。
  20. 【請求項２０】該テンプレートマッチングのエッジ抽出
    のパラメータとマッチング結果判定閾値の変更におい
    て、直前のマッチングの処理で決定した値を記憶し、次
    回の該パラメータと該判定閾値の初期値とする事を特徴
    とする請求項１９記載の半導体露光装置。
  21. 【請求項２１】該被露光基板上の検出マーク位置の検出
    をオフアクシススコープで行うことを特徴とする請求項
    １６〜２０のいずれか１項に記載の半導体露光装置。
  22. 【請求項２２】該被露光基板上の検出マーク位置の検出
    をTTR検出系で行うことを特徴とする請求項１６〜２０
    のいずれか1項に記載の半導体露光装置。
  23. 【請求項２３】該被露光基板上の検出マーク位置の検出
    をTTL検出系で行うことを特徴とする請求項１６〜２０
    のいずれか１項に記載の半導体露光装置。
  24. 【請求項２４】レチクル上のパターンを投影露光光学系
    を介して被露光基板上に露光する半導体露光装置におい
    て、該被露光基板上の検出マークの位置を該検出マーク
    のエッジ抽出処理を行い、テンプレートとのマッチング
    を行って検出すると共に、該テンプレートマッチングの
    結果に応じて、該エッジ抽出のパラメータとマッチング
    結果判定閾値のどちらか一方または両方を調整して、テ
    ンプレートマッチングを繰り返す位置検出装置を搭載し
    たことを特徴とする半導体露光装置。
JP11062004A 1999-03-09 1999-03-09 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置 Pending JP2000260699A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11062004A JP2000260699A (ja) 1999-03-09 1999-03-09 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置
US09/521,210 US6925203B1 (en) 1999-03-09 2000-03-08 Position detection apparatus and exposure apparatus
US11/131,428 US7103210B2 (en) 1999-03-09 2005-05-18 Position detection apparatus and exposure apparatus
US11/498,747 US7590280B2 (en) 1999-03-09 2006-08-04 Position detection apparatus and exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11062004A JP2000260699A (ja) 1999-03-09 1999-03-09 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000260699A true JP2000260699A (ja) 2000-09-22
JP2000260699A5 JP2000260699A5 (ja) 2006-04-20

Family

ID=13187586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11062004A Pending JP2000260699A (ja) 1999-03-09 1999-03-09 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置

Country Status (2)

Country Link
US (3) US6925203B1 (ja)
JP (1) JP2000260699A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6992766B2 (en) 2002-03-15 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus and method
CN100372089C (zh) * 2001-09-26 2008-02-27 株式会社东芝 图形评价装置、图形评价方法
JP2008211265A (ja) * 2002-03-15 2008-09-11 Canon Inc 位置検出装置及び方法及び露光装置
JP2011123101A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012069003A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Juki Corp 形状ベースマッチングパラメータの調整装置、形状ベースマッチングパラメータの調整方法および部品実装装置
JP2015085425A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 グラフテック株式会社 カッティングプロッタ
JP2015085433A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 グラフテック株式会社 線分検出装置およびその制御プログラム
US9984453B2 (en) 2014-11-06 2018-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Measurement apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
JP2019070716A (ja) * 2017-10-06 2019-05-09 株式会社ニコン 位置を決定する装置、方法、およびプログラム、画像を表示する装置、方法、およびプログラム
JP2021060251A (ja) * 2019-10-04 2021-04-15 キヤノン株式会社 位置検出装置、位置検出方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US10996574B2 (en) 2019-04-18 2021-05-04 Canon Kabushiki Kaisha Substrate processing apparatus, article manufacturing method, substrate processing method, substrate processing system, management apparatus, and storage medium

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000260699A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Canon Inc 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置
JP2005030963A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Canon Inc 位置検出方法
JP2006261162A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Hitachi High-Technologies Corp レビュー装置及びレビュー装置における検査方法
US7570800B2 (en) * 2005-12-14 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for binning defects detected on a specimen
JP4781430B2 (ja) * 2006-05-09 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 撮像位置補正方法及び基板撮像装置
JPWO2009031612A1 (ja) * 2007-09-05 2010-12-16 株式会社ニコン 観察装置および観察方法、並びに検査装置および検査方法
JP5005482B2 (ja) * 2007-09-26 2012-08-22 株式会社日立国際電気 パターン検索方法及び装置
JP5342210B2 (ja) * 2008-10-30 2013-11-13 三菱重工業株式会社 アライメント装置制御装置およびアライメント方法
JP2011154501A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Sony Corp 学習装置、学習方法、識別装置、識別方法、プログラム、及び情報処理システム
US8885969B2 (en) * 2010-03-29 2014-11-11 Sony Corporation Method and apparatus for detecting coding artifacts in an image
KR101914101B1 (ko) * 2011-06-28 2018-11-02 삼성전자 주식회사 척의 제어 장치 및 방법, 노광 장치 및 그 제어 방법
CN103077367A (zh) * 2011-10-25 2013-05-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 标签检测系统、装置及其检测标签的方法
US8719167B2 (en) 2012-03-02 2014-05-06 American Express Travel Related Services Company, Inc. Systems and methods for enhanced authorization fraud mitigation
US8903516B2 (en) * 2012-09-04 2014-12-02 United Technologies Corporation Visual alignment system and method for workpiece marking
JP5673719B2 (ja) * 2013-03-27 2015-02-18 Tdk株式会社 電子部品の製造装置およびその製造方法
DE102013211403B4 (de) 2013-06-18 2020-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum automatisierten Bestimmen eines Referenzpunktes einer Ausrichtungsmarkierung auf einem Substrat einer photolithographischen Maske
US9076195B2 (en) * 2013-08-29 2015-07-07 The Boeing Company Methods and apparatus to identify components from images of the components
TW201531104A (zh) * 2014-01-24 2015-08-01 Sintai Optical Shenzhen Co Ltd 電子裝置
CN105182702B (zh) * 2015-10-30 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 对位标记搜寻方法、显示基板和显示装置
JP6370826B2 (ja) * 2016-04-01 2018-08-08 ファナック株式会社 液体の浸入を光で検出するエンコーダ
JP7366626B2 (ja) * 2019-07-31 2023-10-23 キヤノン株式会社 判断装置
JP7373340B2 (ja) * 2019-09-25 2023-11-02 キヤノン株式会社 判断装置
CN114202578A (zh) * 2020-09-18 2022-03-18 长鑫存储技术有限公司 一种晶圆的对准方法和装置

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53145034A (en) 1977-05-24 1978-12-16 Suwa Seikosha Kk Alkaline battery
JPS57186328A (en) 1981-05-13 1982-11-16 Nippon Seiko Kk Method and device for regulating threshold value for positioning
JPS5876974A (ja) 1981-10-30 1983-05-10 Hitachi Ltd 位置検出方法
US4639604A (en) * 1983-03-29 1987-01-27 Nippon Kagaku K.K. Method and apparatus for detecting an edge position of a pattern and eliminating overlapping pattern signals
JPS5981767A (ja) 1983-08-29 1984-05-11 Hitachi Ltd 信号処理装置
JPS6073408A (ja) 1983-09-30 1985-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd パタ−ン認識装置
US4860374A (en) * 1984-04-19 1989-08-22 Nikon Corporation Apparatus for detecting position of reference pattern
US4688088A (en) * 1984-04-20 1987-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting device and method
JPS6180373A (ja) 1984-09-27 1986-04-23 Hokuyo Automatic Co 文字認識方法
JPS61214078A (ja) 1985-03-20 1986-09-22 Hitachi Ltd 画像入力装置
JPS61271833A (ja) 1985-05-28 1986-12-02 Canon Inc 位置検出装置
JPS61278138A (ja) 1985-05-31 1986-12-09 Mitsubishi Electric Corp パタ−ンマツチング装置
JPH0723846B2 (ja) 1986-04-02 1995-03-15 キヤノン株式会社 位置検出装置
JPS62262426A (ja) * 1986-05-09 1987-11-14 Canon Inc 露光装置
US4814829A (en) * 1986-06-12 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
EP0256502A3 (en) * 1986-08-15 1989-09-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Image forming apparatus with positioning-mark forming function
JPS63221616A (ja) * 1987-03-11 1988-09-14 Toshiba Corp マスク・ウエハの位置合わせ方法
JPH07120621B2 (ja) * 1989-05-08 1995-12-20 キヤノン株式会社 位置合せ方法
DE3923449A1 (de) * 1989-07-15 1991-01-24 Philips Patentverwaltung Verfahren zum bestimmen von kanten in bildern
JP2745764B2 (ja) * 1990-03-08 1998-04-28 松下電器産業株式会社 位置認識装置
US5692072A (en) * 1990-11-06 1997-11-25 Olympus Optical Co., Ltd. Edge detecting device
US5525808A (en) * 1992-01-23 1996-06-11 Nikon Corporaton Alignment method and alignment apparatus with a statistic calculation using a plurality of weighted coordinate positions
JP3219217B2 (ja) 1993-01-22 2001-10-15 株式会社ニコン 位置合わせ方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JPH05335212A (ja) 1992-05-29 1993-12-17 Canon Inc 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置
JPH06151274A (ja) 1992-11-11 1994-05-31 Hitachi Ltd 半導体集積回路パターンの位置合わせ方法および装置
JP3301153B2 (ja) * 1993-04-06 2002-07-15 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法
US5659384A (en) * 1993-04-09 1997-08-19 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus and method
JP3549569B2 (ja) * 1993-04-27 2004-08-04 ソニー エレクトロニクス インコーポレイテッド 映像内の目標パターン探知方法
US5602937A (en) * 1994-06-01 1997-02-11 Cognex Corporation Methods and apparatus for machine vision high accuracy searching
US5754677A (en) * 1994-10-25 1998-05-19 Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. Image processing apparatus
JP3490797B2 (ja) 1995-05-23 2004-01-26 株式会社ルネサステクノロジ パターンの位置測定方法およびそれを用いた光学装置
US5825913A (en) * 1995-07-18 1998-10-20 Cognex Corporation System for finding the orientation of a wafer
US5841520A (en) * 1995-08-09 1998-11-24 Nikon Corporatioin Exposure apparatus and method that use mark patterns to determine image formation characteristics of the apparatus prior to exposure
JP3405087B2 (ja) * 1995-11-06 2003-05-12 ソニー株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JPH104044A (ja) 1996-06-13 1998-01-06 Hitachi Ltd パターン検出方法ならびにアライメントマーク検出方法およびそれを用いた光学装置
US6312859B1 (en) * 1996-06-20 2001-11-06 Nikon Corporation Projection exposure method with corrections for image displacement
JPH10242041A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Nikon Corp 位置検出方法及びその装置並びに露光装置
US6188467B1 (en) * 1997-06-13 2001-02-13 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for fabricating semiconductor devices
US6421458B2 (en) * 1998-08-28 2002-07-16 Cognex Corporation Automated inspection of objects undergoing general affine transformation
JP2000260699A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Canon Inc 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100372089C (zh) * 2001-09-26 2008-02-27 株式会社东芝 图形评价装置、图形评价方法
US6992766B2 (en) 2002-03-15 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus and method
JP2008211265A (ja) * 2002-03-15 2008-09-11 Canon Inc 位置検出装置及び方法及び露光装置
US7466414B2 (en) 2002-03-15 2008-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus and method
JP2011155300A (ja) * 2002-03-15 2011-08-11 Canon Inc 位置検出装置及び方法、露光装置、デバイス製造方法
JP2013102234A (ja) * 2002-03-15 2013-05-23 Canon Inc 検出装置及び方法、露光装置、デバイス製造方法
JP2011123101A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012069003A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Juki Corp 形状ベースマッチングパラメータの調整装置、形状ベースマッチングパラメータの調整方法および部品実装装置
JP2015085425A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 グラフテック株式会社 カッティングプロッタ
JP2015085433A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 グラフテック株式会社 線分検出装置およびその制御プログラム
US9984453B2 (en) 2014-11-06 2018-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Measurement apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
JP2019070716A (ja) * 2017-10-06 2019-05-09 株式会社ニコン 位置を決定する装置、方法、およびプログラム、画像を表示する装置、方法、およびプログラム
JP7006111B2 (ja) 2017-10-06 2022-01-24 株式会社ニコン 位置を決定する装置、方法、およびプログラム、画像を表示する装置、方法、およびプログラム
US10996574B2 (en) 2019-04-18 2021-05-04 Canon Kabushiki Kaisha Substrate processing apparatus, article manufacturing method, substrate processing method, substrate processing system, management apparatus, and storage medium
JP2021060251A (ja) * 2019-10-04 2021-04-15 キヤノン株式会社 位置検出装置、位置検出方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP7418080B2 (ja) 2019-10-04 2024-01-19 キヤノン株式会社 位置検出装置、位置検出方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7590280B2 (en) 2009-09-15
US20050220334A1 (en) 2005-10-06
US6925203B1 (en) 2005-08-02
US7103210B2 (en) 2006-09-05
US20060269122A1 (en) 2006-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000260699A (ja) 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置
US6992766B2 (en) Position detection apparatus and method
US4688088A (en) Position detecting device and method
KR100808653B1 (ko) 패턴 비교 검사 방법 및 패턴 비교 검사 장치
JP2005024329A (ja) 画像欠陥検査方法、画像欠陥検査装置及び外観検査装置
JP5476938B2 (ja) アライメントマークの検出方法
JP3329805B2 (ja) 自動外観検査装置及び外観検査方法
JP2010151824A (ja) パターン検査方法及びその装置
JPH09189519A (ja) パターン検出方法およびマスクとワークの位置合わせ装置
JP5414921B2 (ja) 検出装置及び方法、露光装置、デバイス製造方法
JP2009294027A (ja) パターン検査装置及び方法
JP4013510B2 (ja) 欠陥検査方法及びその装置
JP5261891B2 (ja) アライメントマークおよび位置計測方法
JP5391172B2 (ja) 異物検査装置及びアライメント調整方法
US7379581B2 (en) Method for recognizing a pattern of an alignment mark on a wafer
JP2010243209A (ja) 欠陥検査方法および欠陥検出装置
JP2000321038A (ja) パターン欠陥検出方法
JP2517570B2 (ja) パタ−ン検出方法
JP4484041B2 (ja) エッジ位置検出装置
US20240281960A1 (en) Debris determination method
WO2024204649A1 (ja) ウエハ検査装置、ウエハ検査システム、ウエハ検査方法、及びプログラム
JP2004085543A (ja) 外観検査装置及び外観検査方法
JP2003059991A (ja) 外観検査装置および外観検査方法
JPH03266444A (ja) 電子ビームを用いた測定装置におけるパタン検出方法および寸法測定方法
KR20060110893A (ko) 얼라인 마크 위치인식방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060303

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060303

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071204

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080415

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080606

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080805

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081209

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090204

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090630