Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2000036448A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JP2000036448A
JP2000036448A JP10202615A JP20261598A JP2000036448A JP 2000036448 A JP2000036448 A JP 2000036448A JP 10202615 A JP10202615 A JP 10202615A JP 20261598 A JP20261598 A JP 20261598A JP 2000036448 A JP2000036448 A JP 2000036448A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
exposure
optical system
illuminance
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10202615A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Takeuchi
仁 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP10202615A priority Critical patent/JP2000036448A/ja
Publication of JP2000036448A publication Critical patent/JP2000036448A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットを向上することができる露光装
置を提供することである。 【解決手段】 照明光学系により照明されたレチクルの
パターンを、ウエハステージにより位置決めされるウエ
ハホルダWHに保持されたウエハW上に転写するように
した露光装置において、ウエハホルダWHに、露光量検
出用の蛍光体S1、照度分布検出用の蛍光体S2を設け
た。投影光学系の投影領域における露光量及び照度分布
は、照明光の照射による該蛍光体S1,S2の発光光の
照度を光電センサなどにより計測することにより求め
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、液晶
表示装置、CCD等の撮像素子、薄膜磁気ヘッドなどの
マイクロデバイスを製造するための露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程の一つである
フォトリソグラフィー工程においては、マスク又はレチ
クルに形成されているパターンをフォトレジストが塗布
されたウエハ(感光基板)上に転写するための露光装置
として、マスクパターンをウエハ上のショット領域に一
括露光し、順次ウエハを移動して他のショット領域に対
して一括露光を繰り返すステッパーが多く用いられてい
る。また、近時においては、露光範囲の拡大や露光性能
の向上等の観点から、マスクとウエハとを同期移動し
て、矩形その他の形状のスリット光で走査・照明してウ
エハ上のショット領域に逐次露光し、順次ウエハを移動
して他のショット領域に対して走査・露光を繰り返すス
キャニング・ステッパーも開発され、実用に供されるよ
うになっている。
【0003】このような露光装置においては、露光対象
としてのウエハはウエハステージ上に設けられたウエハ
ホルダに吸着保持される。ウエハステージはリニアモー
タなどによりX及びY方向(投影光学系の光軸に略直交
する面内における2軸方向)に位置決め移動される。
【0004】ウエハステージ上のウエハホルダが吸着保
持される保持部の近傍には、投影光学系による投影領域
の露光量を検出するための光電センサである露光量セン
サが取り付けられているとともに、該投影領域内の照度
分布(照度ムラ)を検出するための光電センサであるい
わゆるムラセンサも取り付けられている。また、ウエハ
ステージ上にはベースラインの変動量を計測するための
フィディシャルマーク(Fiducial Mark)
が形成された基準マーク部材も取り付けられている。な
お、ベースラインとは、オフ・アクシス方式のアライメ
ントセンサにより規定されるアライメント用の基線、又
はその基線によるアライメント位置と露光位置との距離
のことである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
技術においては、露光量センサやムラセンサなどは、ウ
エハステージのウエハホルダを吸着保持した保持部の近
傍に取り付けられており、かかる露光量センサやムラセ
ンサは、フォトダイオードなどからなり、その付属回路
などを含めると、ステージ上でそれなりのスペースを占
有するから、ウエハステージの大きさがその分だけ大き
くなり、ステージの重量の増大を招いていた。また、か
かる露光量センサやムラセンサは、その付属回路などを
含めて、それ自体でそれなりの重量を有しているので、
これによってもステージ重量の増大を招いていた。この
ため、感光基板(ステージ)の加速反応性を鈍化させ、
振動の原因にもなり、感光基板の高速移動を阻害し、ス
ループット(生産性)の低下を招く原因となっていた。
【0006】さらに、かかる露光量センサやムラセンサ
若しくはその付属回路と、これらのセンサからの検出信
号の供給先としての制御装置とは電線などにより接続す
る必要があるが、かかる電線などが可動部の移動の抵抗
や障害となり、同様の問題を生じさせていた。
【0007】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであり、その目的とするところは、スル
ープットを向上することができる露光装置を提供するこ
とである。
【0008】
【課題を解決するための手段】以下、この項に示す説明
では、理解の容易化のため、本発明の各構成要件に実施
形態の図に示す参照符号を付して説明するが、本発明の
各構成要件は、これら参照符号によって限定されるもの
ではない。
【0009】上記目的を達成するための本発明の露光装
置は、照明光学系(11)により照明されたマスク
(R)のパターンを、位置決め装置(14,15)によ
り位置決めされる基板ホルダ(WH)に保持された感光
基板(W)上に転写するようにした露光装置において、
前記基板ホルダに、露光量検出用の蛍光体(S1)、又
は照度分布検出用の蛍光体(S2)を設けたことを特徴
とする。
【0010】本発明の露光装置によると、露光量を検出
するための露光量センサや照度分布を検出するためのい
わゆるムラセンサを位置決め装置の可動部(ステージ、
テーブルなど)に設けることはせずに、これに代えて、
基板ホルダに露光量検出用の蛍光体又は照度分布検出用
の蛍光体を設けているので、該可動部を小型・軽量化す
ることができる。また、当該蛍光体はそれ自体小型・軽
量であるとともに、付属回路なども伴わないので、基板
ホルダを含めて該可動部の全体を小型・軽量化できる。
これにより、感光基板の加速性を向上できるとともに、
その移動に伴う反力も小さくなるので振動の発生も少な
くなる。従って、感光基板の露光処理の速度を高速化す
ることができ、スループットを向上することができる。
【0011】また、照明光学系からの照明光による蛍光
体での発光光の照度を、例えば該位置決め装置の可動部
とは独立して別に設けられた光電センサなどにより計測
するようにでき、従来のように位置決め装置の可動部と
制御装置などを電線を用いて接続する必要がなくなり、
これによっても該可動部の加速性などを向上することが
できる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき
図面を参照して説明する。図1は本発明の実施形態の縮
小投影型露光装置(ステッパー)の概略構成図である。
【0013】図1において、照明光学系11は、エキシ
マレーザ光などを射出する露光光源、照度分布均一化用
のフライアイレンズ又はロッド・インテグレータなどの
オプチカルインテグレータ(ホモジナイザー)、照明系
開口絞り、レチクルブラインド(可変視野絞り)、及び
コンデンサレンズ系等から構成されている。転写すべき
パターンが形成されたフォトマスクとしてのレチクルR
は、レチクルステージ12上に吸着保持されており、照
明光学系11により照明光ILがレチクルステージ12
上のレチクルRに照射される。
【0014】レチクルRの照明領域内のパターンの像
は、投影光学系PLを介して縮小倍率1/α(αは、例
えば4又は5)で、露光対象としてのフォトレジストが
塗布されたウエハWの表面に投影される。以下、投影光
学系PLの光軸AXに平行にZ軸をとり、Z軸に垂直な
平面内で図1の紙面に平行にX軸を、図1の紙面に垂直
にY軸をとって説明する。
【0015】レチクルステージ12は、この上に吸着保
持されたレチクルRをXY平面内で位置決めする。レチ
クルステージ12の位置は不図示のレーザ干渉計によっ
て計測され、この計測値及び主制御系13からの制御情
報によってレチクルステージ12の動作が制御される。
【0016】一方、ウエハWは、ウエハホルダ(基板ホ
ルダ)WH上に負圧吸着により保持され、このウエハホ
ルダWHはウエハテーブル14上に着脱可能に吸着保持
されている。ウエハテーブル14はXYステージ15上
にZ方向に変位する複数のアクチュエータなどを介して
設置されている。ウエハテーブル14は、オートフォー
カス方式でウエハWのフォーカス位置(光軸AX方向の
位置)、及び傾斜角を制御することによって、ウエハW
の表面を投影光学系PLの像面に合わせ込む。
【0017】また、XYステージ15は、ベース16上
にリニアモータを介して設置されており、X方向及びY
方向にウエハテーブル14(ウエハW)を位置決めす
る。ウエハテーブル14にはレーザ干渉計の移動鏡(反
射鏡)17が固定されており、この移動鏡17及び移動
鏡17に対向して配置されたレーザ干渉計(本体)18
によってウエハテーブル14のX座標、Y座標、及び回
転角が計測され、この計測値がステージ制御系19及び
主制御系13に供給されている。ステージ制御系19
は、レーザ干渉計18による計測値及び主制御系13か
らの制御情報に基づいて、XYステージ15のリニアモ
ータなどの動作を制御する。
【0018】ウエハテーブル14に設けられた移動鏡1
7は、X軸方向の位置を計測するためのX移動鏡及びY
軸方向の位置を計測するためのY移動鏡から構成されて
おり、X移動鏡はその鏡面が+X軸方向を指向した状態
でその長手方向がY軸に沿うように、Y移動鏡はその鏡
面が+Y方向を指向した状態でその長手方向がX軸に沿
うように、それぞれウエハテーブル14の上側の端部
に、例えばネジ止めにより一体的に固定されている。
【0019】ウエハホルダWHは、図2及び図3にその
詳細を示すように構成されている。即ち、ウエハホルダ
WHは、概略矩形板状の部材からなり、ウエハステージ
14上に着脱可能に吸着保持される。ウエハホルダWH
の上面のウエハ保持部にはウエハWを吸着保持するため
に、ほぼ同心円状の多数の凹状の溝31が形成されてい
る。各溝31はウエハホルダWHの内部の通路32を介
してバッファ部33に連通されており、ウエハWをウエ
ハ保持部に載置した状態で、バッファ部33に図外の負
圧源を逆止弁34を介して着脱可能に接続して真空吸引
した後に、該負圧源を取り外すことにより、ウエハWは
ウエハホルダWHに吸着保持されて、この状態で一体と
して搬送などができるようになっている。
【0020】ウエハホルダWHのウエハWを吸着保持す
るウエハ保持部の近傍には、露光量を検出するための第
1蛍光体S1、及び照度分布を検出するための第2蛍光
体S2が設けられている。これらの第1及び第2蛍光体
S1,S2は、紫外線照射によりその照射エネルギに応
じて可視光線を放出する蛍光性を有する物質であり、ウ
エハホルダWH上に、蛍光塗料を塗布することにより、
あるいは独立した板部材上に蛍光塗料を塗布したものを
接着その他の方法により取り付けることにより設けられ
る。第1蛍光体S1は、投影光学系PLの投影領域の全
域に渡ってその照度を計測するため、該投影領域にほぼ
等しい面積を有している。これに対し、第2蛍光体S2
は、投影光学系PLの投影領域内の複数の微少領域のそ
れぞれにおける照度を検出するため、該投影領域よりも
小さい面積を有している。
【0021】また、ウエハホルダWHのウエハ保持部の
近傍には、基準マーク部材FMが設けられている。この
基準マーク部材FMは、ウエハホルダWH上でウエハ保
持部の近傍にネジ止めなどにより一体的に固定されてい
る。この基準マーク部材FMは光透過性の部材からな
り、図示は省略するが、その上面には、X方向に所定間
隔で、例えば十字型の一対の基準マーク(Fiduci
al Mark)が形成されている。これらの基準マー
クは、図示は省略するが、照明光ILから分岐された照
明光でその下側から投影光学系PL側に照明される。レ
チクルRのアライメント時には、XYステージ15を駆
動することによって、基準マーク部材FM上の一対の基
準マークの中心がほぼ投影光学系PLの光軸AXに合致
するように位置決めされる。
【0022】また、レチクルRのパターン面(下面)の
パターン領域をX方向に挟むように、一例として十字型
の2つのアライメントマーク(不図示)が形成されてい
る。一対の基準マークの間隔は、一対のアライメントマ
ークの投影光学系PLによる縮小像の間隔とほぼ等しく
設定されており、上記のように一対の基準マークの中心
をほぼ光軸AXに合致させた状態で、基準マーク部材F
Mの下側から照明光ILと同じ波長の照明光で照明する
ことによって、基準マークの投影光学系PLによる拡大
像がそれぞれレチクルRのアライメントマークの近傍に
形成される。
【0023】図1に示されているように、これらのアラ
イメントマークの上方に投影光学系PL側からの照明光
を±X方向に反射するためのミラー22A,22Bが配
置され、ミラー22A,22Bで反射された照明光を受
光するようにTTR(スルー・ザ・レチクル)方式で、
画像処理方式のアライメントセンサ23A,23Bが備
えられている。アライメントセンサ23A,23Bはそ
れぞれ結像系と、CCDカメラ等の2次元の撮像素子と
を備え、その撮像素子がアライメントマーク、及び対応
する基準マークの像を撮像し、その撮像信号がアライメ
ント信号処理系24に供給される。
【0024】アライメント信号処理系24は、その撮像
信号を画像処理して、基準マークの像に対するアライメ
ントマークのX方向、Y方向への位置ずれ量を求め、こ
れら2組の位置ずれ量を主制御系13に供給する。主制
御系13は、その2組の位置ずれ量が互いに対称に、か
つそれぞれ所定範囲内に収まるようにレチクルステージ
12の位置決めを行う。これによって、基準マークに対
して、アライメントマーク、ひいてはレチクルRのパタ
ーン領域内のパターンが位置決めされる。
【0025】言い換えると、レチクルRのパターンの投
影光学系PLによる縮小像の中心(露光中心)は、実質
的に基準マークの中心(ほぼ光軸AX)に位置決めさ
れ、パターンの輪郭(パターン領域の輪郭)の直交する
辺はそれぞれX軸及びY軸に平行に設定される。この状
態で図1の主制御系13は、レーザ干渉計18によって
計測されるウエハテーブル14のX方向、Y方向の座標
を記憶することで、レチクルRのアライメントが終了す
る。この後は、パターンの露光中心に、ウエハテーブル
14上の任意の点を移動することができる。
【0026】また、図1において、投影光学系PLの側
面に、ウエハW上のマークの位置検出を行うために、オ
フ・アクシス方式で、画像処理方式のアライメントセン
サ25も備えられている。アライメントセンサ25は、
フォトレジストに対して非感光性で広帯域の照明光で被
検マークを照明し、被検マークの像をCCDカメラ等の
2次元の撮像素子で撮像し、撮像信号をアライメント信
号処理系24に供給する。アライメントセンサ25の検
出中心とレチクルRのパターンの投影像の中心(露光中
心)との間隔(ベースライン量)は、基準マーク部材F
M上の基準マークを用いて求められて、主制御系13内
に記憶される。
【0027】ウエハホルダWHに吸着保持されたウエハ
Wについては、不図示のウエハ用のアライメントセンサ
を用いて、ウエハW上のアライメントマークを計測し
て、その全体についてあるいは各ショット領域について
アライメントが行われる。そして、ウエハW上の露光対
象のショット領域を順次露光位置に位置決めした後、レ
チクルRのパターン領域に対して、照明光学系11より
エキシマレーザ光等の照明光ILを照射することで、パ
ターン領域内のパターンを縮小倍率1/αで縮小した像
がショット領域に転写される。このようにしてウエハW
上の各ショット領域にパターンの縮小像を転写露光した
後、ウエハWの現像を行って、エッチング等のプロセス
を実行することによって、ウエハW上の各ショット領域
に半導体デバイスのあるレイヤの回路パターンが形成さ
れる。
【0028】なお、この実施形態では、図示は省略する
が、ウエハWが吸着保持されたウエハホルダWHが搬送
系により搬送され、ウエハテーブル14上に搬入され、
各ショット領域に対する露光処理が終了したならば、ウ
エハホルダWHとともにウエハWが該ウエハテーブル1
4上から搬出されるようにしている。但し、ウエハホル
ダWHをウエハテーブル14上に保持した状態で、ウエ
ハWのみを搬送し、該ウエハホルダWHに対してウエハ
Wを搬出入するようにしても勿論よい。
【0029】ここで、このような露光装置においては、
露光光源自体の経時的な照度変化、照明光学系11ある
いは投影光学系PLを構成するレンズやミラーなどの光
学素子の経時的な劣化や汚染、その他の原因による露光
量変化、あるいは照度分布の一様性の劣化などがある
と、露光精度が低下するため、定期的にあるいは必要に
応じて、投影光学系PLの投影領域の露光量及び照度分
布(照度ムラ)を計測することが行われる。
【0030】このため、この実施形態では、上述したよ
うに、ウエハホルダWH上に、第1及び第2蛍光体S
1,S2を設けるとともに、図4に示されているよう
に、これらの蛍光体S1,S2が照明光の照射により発
光する際のその照度を検出する照度センサ35を投影光
学系PLを支持しているコラムなどに取り付けている。
この照度センサ34は、レンズなどの結像系と、CCD
カメラ等の2次元の撮像素子とを備えて構成され、この
撮像素子は投影光学系PLの投影領域に対応する撮像領
域を有し、該撮像領域内の入射光の照度を全体的に及び
部分的に検出できる。なお、照度センサ35は投影光学
系PLの像面に対して傾斜した方向から蛍光体S1,S
2を指向するように取り付けられている。投影光学系P
Lの像面と撮像素子の撮像面が傾斜していることによる
各対応点間の距離の相違による検出値の誤差は、予め計
測されて補正されるものとする。
【0031】投影光学系PLの投影領域の全域に渡る照
度を計測して露光量の変化を検出する場合には、投影光
学系PLの光軸AXにウエハホルダWH上の第1蛍光体
S1の中心が一致するようにウエハテーブル14を位置
決めして、即ち、該投影領域と照度センサ35の撮像素
子の撮像領域を実質的に一致させて、露光光源による照
明光ILの照射を実施し、このときの第1蛍光体S1に
よる発光光の照度を照度センサ35により計測する。
【0032】また、投影光学系PLの投影領域内の各点
における照度を計測して、該投影領域内の照度分布を検
出する場合には、投影光学系PLの投影領域内の計測す
べき位置にウエハホルダWH上の第2蛍光体S2が一致
するようにウエハテーブル14を位置決めして、露光光
源による照明光ILの照射を実施し、このときの第2蛍
光体S2による発光光の照度を照度センサ35により計
測する。同様の処理を投影領域内の複数点について実施
することにより、該投影領域内の照度分布を得る。
【0033】上述した実施形態によると、露光量を検出
するための照度センサや照度分布を検出するためのムラ
センサをウエハテーブル14上に取り付けないようにし
たから、これらのセンサを取り付けるために必要なスペ
ースをウエハテーブル14上に確保する必要がなくな
り、ウエハテーブル14の小型化・軽量化を図ることが
できる。そして、投影光学系PLの投影領域における露
光量を検出するため、及び該投影領域の照度分布(照度
ムラ)を検出するために、第1及び第2蛍光体S1,S
2をウエハホルダWH上に設け、照明光の照射による該
蛍光体S1,S2による発光光の照度をウエハテーブル
14やXYステージ15とは別に設けられた照度センサ
35により計測するようにしたから、露光量や照度分布
の検出に支障を生じることはない。
【0034】また、基準マーク部材FMをウエハテーブ
ル14上に取り付けることもせず、これをウエハホルダ
WH上に設けているので、基準マーク部材FMを取り付
けるために必要なスペースをウエハテーブル14上に確
保する必要がなくなり、これによってもウエハテーブル
14の小型・軽量化を図ることができる。なお、基準マ
ーク部材FMをウエハホルダWH上に設けているので、
ベースライン計測に支障を生じることはない。
【0035】さらに、ウエハホルダWH上には第1及び
第2蛍光体S1,S2を配置し、ウエハテーブル14や
XYステージ15とは別に独立して照度センサ35を設
け、照明光ILの照射による蛍光体S1,S2の発光光
の照度を該照度センサ35により計測して、露光量及び
照度分布を検出するようにしており、これらの第1及び
第2蛍光体S1,S2は単に蛍光塗料の塗布などにより
設けることができるため軽量であり、ウエハホルダW
H、ウエハテーブル14及びXYステージ15を含む可
動部を全体として軽量化することができ、振動の発生も
少なくなり、ウエハWの移動の高速化を図ることがで
き、スループットを向上することができる。
【0036】特に、上述した実施形態では、ウエハWを
吸着保持した状態でウエハホルダWHを搬送し、ウエハ
テーブル14に対して搬出入するようにしているが、露
光量や照度分布を検出するためにはウエハホルダWH上
には蛍光体S1,S2が設けられているのみであるか
ら、ウエハホルダWHに露光量や照度分布を検出するた
めの照度センサなどを設けた場合と比較して、ウエハホ
ルダWH自体が軽量であるとともに、該照度センサと制
御系との間を電線などにより接続する必要がなく、独立
性が高いため搬送も容易であり、ウエハテーブル14上
に搬入された後においても、該電線などが障害になるこ
ともないため、ウエハWの加速性などを損なうこともな
い。
【0037】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。
【0038】例えば、図1の投影露光装置は一括露光型
のステッパーであるが、走査露光型のスキャニング・ス
テッパーにも同様に適用でき、その場合に特に有効であ
る。これは、スキャニング・ステッパーでは、露光時に
レチクルRとウエハWとが投影光学系PLに対して縮小
倍率比で同期走査されるが、本発明を適用することによ
り、ショット間での高速移動に加えて、ウエハWの高速
スキャンを高精度に行えるからである。さらに、ミラー
プロジェクション・アライナーにも適用することができ
る。
【0039】また、上述した実施形態では、ウエハテー
ブル14をリニアモータ及びアクチュエータにより駆動
するようにしているが、いわゆる平面モータにより駆動
するようにできる。平面モータは、ウエハテーブルをX
方向及びY方向に移動するとともに、Z方向に微動し、
さらに、X軸、Y軸及びZ軸周りに微少回転することが
でき、全部で6自由度を有する駆動装置である。平面モ
ータは、詳細な図示は省略するが、以下のような構成で
ある。
【0040】即ち、平面モータは、強磁性体からなる底
部ヨークの上面に複数の駆動ユニットを配設し、該駆動
ユニットから上部に離間して、強磁性体からなる上部ヨ
ークを配置する。駆動ユニットは強磁性体からなるコア
に適宜に複数のコイルを配置して構成され、該駆動ユニ
ットと該上部ヨークの間に、磁石板を有するウエハステ
ージを配置する。これにより、ウエハステージは浮遊し
た状態で保持され、駆動ユニットに適宜に通電すること
により、所望の方向に推力を発生することで、かかる6
自由度を実現している。
【0041】さらに、露光用照明光は、水銀ランプから
射出される輝線(例えばg線、i線)、KrFエキシマ
レーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波
長193nm)、Fエキシマレーザ(波長157n
m)、又はYAGレーザなどの高調波のいずれであって
もよい。また、例えば5〜15nm(軟X線領域)に発
振スペクトルを有するEUV(Extreme Ult
ra Violet)光を露光用照明光とし、反射マス
ク上での照明領域を円弧スリット状に規定するととも
に、複数の反射光学素子(ミラー)のみからなる縮小投
影光学系を有し、縮小投影光学系の倍率に応じた速度比
で反射マスクとウエハとを同期移動して反射マスクのパ
ターンをウエハ上に転写するEUV露光装置などにも、
本発明を適用することができる。
【0042】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成したの
で、感光基板を移動するための可動部の小型・軽量化を
図ることができ、感光基板の高速移動が可能となり、ス
ループットを向上した露光装置を提供することができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態の露光装置の全体構成を示
す正面図である。
【図2】 本発明の実施形態のウエハホルダの要部構成
を示す平面図である。
【図3】 本発明の実施形態のウエハホルダの要部構成
を示す断面図である。
【図4】 本発明の実施形態の要部構成を示す側面図で
ある。
【符号の説明】
R…レチクル(マスク) W…ウエハ(感光基板) WH…ウエハホルダ(基板ホルダ) FM…基準マーク部材 PL…投影光学系 IL…照明光 S1…露光量検出用蛍光体(第1蛍光体) S2…照度分布検出用蛍光体(第2蛍光体) 11…照明光学系 12…レチクルステージ 13…主制御系 14…ウエハテーブル 15…XYステージ 17…移動鏡(反射鏡) 18…レーザ干渉計 19…ステージ制御系 23A,23B,25…アライメントセンサ 31…溝 35…照度センサ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 照明光学系により照明されたマスクのパ
    ターンを、位置決め装置により位置決めされる基板ホル
    ダに保持された感光基板上に転写するようにした露光装
    置において、 前記基板ホルダに露光量検出用の蛍光体を設けたことを
    特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 照明光学系により照明されたマスクのパ
    ターンを、位置決め装置により位置決めされる基板ホル
    ダに保持された感光基板上に転写するようにした露光装
    置において、 前記基板ホルダに照度分布検出用の蛍光体を設けたこと
    を特徴とする露光装置。
  3. 【請求項3】 前記基板ホルダにフィディシャルマーク
    を設けたことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光
    装置。
  4. 【請求項4】 前記基板ホルダは前記感光基板を保持し
    た状態で前記位置決め装置に対して搬出入されることを
    特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の露光装
    置。
JP10202615A 1998-07-17 1998-07-17 露光装置 Pending JP2000036448A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10202615A JP2000036448A (ja) 1998-07-17 1998-07-17 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10202615A JP2000036448A (ja) 1998-07-17 1998-07-17 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000036448A true JP2000036448A (ja) 2000-02-02

Family

ID=16460331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10202615A Pending JP2000036448A (ja) 1998-07-17 1998-07-17 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000036448A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141280A (ja) * 2000-08-25 2002-05-17 Asm Lithography Bv 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141280A (ja) * 2000-08-25 2002-05-17 Asm Lithography Bv 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6727978B2 (en) Projection exposure apparatus and projection exposure method
TWI548953B (zh) A moving body system and a moving body driving method, a pattern forming apparatus and a pattern forming method, an exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
TWI424143B (zh) A moving body system, a pattern forming apparatus, an exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
US20010055117A1 (en) Alignment method, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
US6891603B2 (en) Manufacturing method in manufacturing line, manufacturing method for exposure apparatus, and exposure apparatus
KR20010033118A (ko) 스테이지 장치 및 노광장치
JP2001297982A (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス
JP5692076B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2001093808A (ja) 露光方法及び露光装置
JPH1184098A (ja) X線照明装置およびx線照明方法、x線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2001257157A (ja) アライメント装置、アライメント方法、露光装置、及び露光方法
US7295287B2 (en) Substrate holder and exposure apparatus having the same
JPH10284408A (ja) 露光方法
JP2004158610A (ja) 露光装置および露光方法
JP2002184665A (ja) アライメント装置及びアライメント方法、露光装置
TWI251129B (en) Lithographic apparatus and integrated circuit manufacturing method
JP2004087593A (ja) ステージ装置および露光装置
WO1999028957A1 (fr) Appareil de maintien de substrat et appareil d'exposition l'utilisant
JP2013247304A (ja) 基板保持装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2000077301A (ja) 露光装置
JP2000036448A (ja) 露光装置
JPH11325821A (ja) ステージ制御方法および露光装置
JP2003060000A (ja) 基板搬送装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TW550668B (en) Stage apparatus, exposure system and device production method
JP6008165B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法