JPH11325821A - ステージ制御方法および露光装置 - Google Patents
ステージ制御方法および露光装置Info
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- JPH11325821A JPH11325821A JP10136261A JP13626198A JPH11325821A JP H11325821 A JPH11325821 A JP H11325821A JP 10136261 A JP10136261 A JP 10136261A JP 13626198 A JP13626198 A JP 13626198A JP H11325821 A JPH11325821 A JP H11325821A
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- exposure apparatus
- wafer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 レチクルステージ及びウエハステージの位置
制御に対する固定部材の振動の影響をなくし、レチクル
からウエハへの解像度の高いパターン転写を実現する。 【解決手段】 レチクル11のパターン像を投影光学系
を介してウエハ15上に投影して転写する露光装置10
であって、マスク及びウエハを保持して移動が可能なス
テージ13,17と、これらのステージそれぞれに対し
てその位置を計測する干渉計システム21,31とを備
えている。各干渉計システムは各ステージに取付けられ
た移動鏡22,32と、投影光学系を保持する保持部材
に移動機構23,33を介して取付けられた固定鏡2
5,35と、ステージ制御のために固定鏡と移動鏡との
間の相対位置を計測する干渉計26,36によって構成
される。保持機構はセンサ24,34によって固定部材
の振動を検知し、その検知結果に基づいて振動をキャン
セルし、固定鏡が一定位置を保つように固定鏡を移動さ
せる。
制御に対する固定部材の振動の影響をなくし、レチクル
からウエハへの解像度の高いパターン転写を実現する。 【解決手段】 レチクル11のパターン像を投影光学系
を介してウエハ15上に投影して転写する露光装置10
であって、マスク及びウエハを保持して移動が可能なス
テージ13,17と、これらのステージそれぞれに対し
てその位置を計測する干渉計システム21,31とを備
えている。各干渉計システムは各ステージに取付けられ
た移動鏡22,32と、投影光学系を保持する保持部材
に移動機構23,33を介して取付けられた固定鏡2
5,35と、ステージ制御のために固定鏡と移動鏡との
間の相対位置を計測する干渉計26,36によって構成
される。保持機構はセンサ24,34によって固定部材
の振動を検知し、その検知結果に基づいて振動をキャン
セルし、固定鏡が一定位置を保つように固定鏡を移動さ
せる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置に関するも
のであり、より詳しくは、半導体集積回路や液晶表示素
子等の微細構造を、フォトリソグラフィ技術を用いて製
造する際に用いられる露光装置に関するものである。
のであり、より詳しくは、半導体集積回路や液晶表示素
子等の微細構造を、フォトリソグラフィ技術を用いて製
造する際に用いられる露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】投影露光装置では、露光ビームを照射す
ることによって、フォトマスクまたはレチクル等(以
下、まとめてレチクルと呼ぶ)のパターン像が、投影光
学系を介して感光材が塗布されたウエハやガラス基板等
(以下、まとめてレチクルと呼ぶ)上のショット領域に
露光され、これにより、パターン像が拡大あるいは縮小
されて所望の大きさで基板に転写される。
ることによって、フォトマスクまたはレチクル等(以
下、まとめてレチクルと呼ぶ)のパターン像が、投影光
学系を介して感光材が塗布されたウエハやガラス基板等
(以下、まとめてレチクルと呼ぶ)上のショット領域に
露光され、これにより、パターン像が拡大あるいは縮小
されて所望の大きさで基板に転写される。
【0003】このような投影露光装置として、近年ステ
ップ・アンド・リピート方式の投影露光装置が用いられ
ている。このステップ・アンド・リピート方式の投影露光
装置では、ウエハが二次元的に移動可能なウエハステー
ジ上に載置され、このウエハステージを移動(ステッピ
ング)させながらレチクルのパターンがウエハ上の所定
のショット領域に露光されていく。一方、レチクルは移
動自在に配置されたレチクルステージ上に保持されてお
り、1つのレチクルの露光が終了するとレチクルが次の
レチクルに取り替えられ、取り替えられたレチクルのパ
ターン像が基板上の対応するショット領域に露光され
る。このように、レチクルの露光と交換が繰り返され
て、必要とされる全てのパターン像が基板上に露光さ
れ、1つの基板に対するパターン転写が完了する。
ップ・アンド・リピート方式の投影露光装置が用いられ
ている。このステップ・アンド・リピート方式の投影露光
装置では、ウエハが二次元的に移動可能なウエハステー
ジ上に載置され、このウエハステージを移動(ステッピ
ング)させながらレチクルのパターンがウエハ上の所定
のショット領域に露光されていく。一方、レチクルは移
動自在に配置されたレチクルステージ上に保持されてお
り、1つのレチクルの露光が終了するとレチクルが次の
レチクルに取り替えられ、取り替えられたレチクルのパ
ターン像が基板上の対応するショット領域に露光され
る。このように、レチクルの露光と交換が繰り返され
て、必要とされる全てのパターン像が基板上に露光さ
れ、1つの基板に対するパターン転写が完了する。
【0004】投影露光装置では、レチクルステージとウ
エハステージとの間に設置された鏡筒の投影レンズを介
してレチクルのパターン像の拡大・縮小が行なわれる。
一般に、レチクルステージの位置は、その鏡筒に取付け
られた固定鏡を基準点としてレーザ干渉計を用いて制御
される。すなわち、レーザ干渉計と固定鏡との間の距離
を基準として、レーザ干渉計からレチクルステージに取
付けられた移動鏡までの距離が計測され、その計測結果
に応じてレチクルステージ制御系によってレチクルステ
ージが移動され、適切な位置に制御される。また、ウエ
ハステージについても、別のレーザ干渉計と別の固定鏡
との間の距離を基準として、そのレーザ干渉計からウエ
ハステージに取付けられた移動鏡までの距離が計測さ
れ、ウエハステージ制御系によってその位置が制御され
る。この位置制御によって、レチクル位置とウエハ位置
との対応付けがnmオーダーで精密に行われ、レチクル
上のパターン像がウエハの所定の位置に正確に露光され
る。
エハステージとの間に設置された鏡筒の投影レンズを介
してレチクルのパターン像の拡大・縮小が行なわれる。
一般に、レチクルステージの位置は、その鏡筒に取付け
られた固定鏡を基準点としてレーザ干渉計を用いて制御
される。すなわち、レーザ干渉計と固定鏡との間の距離
を基準として、レーザ干渉計からレチクルステージに取
付けられた移動鏡までの距離が計測され、その計測結果
に応じてレチクルステージ制御系によってレチクルステ
ージが移動され、適切な位置に制御される。また、ウエ
ハステージについても、別のレーザ干渉計と別の固定鏡
との間の距離を基準として、そのレーザ干渉計からウエ
ハステージに取付けられた移動鏡までの距離が計測さ
れ、ウエハステージ制御系によってその位置が制御され
る。この位置制御によって、レチクル位置とウエハ位置
との対応付けがnmオーダーで精密に行われ、レチクル
上のパターン像がウエハの所定の位置に正確に露光され
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、投影露
光装置ではレチクルステージとウエハステージの位置制
御には極めて高い精度が要求されるので、装置の動作や
周辺環境の影響により鏡筒に振動が発生した場合、それ
が極めて小さな振動であったとしても、パターンの転写
精度に与える影響は重大である。すなわち、従来の投影
露光装置では、鏡筒の振動に伴なって固定鏡が振動する
と、レチクルステージ及びウエハステージの移動にもそ
の振動が影響を与え、レチクル及びウエハの位置決めが
不安定となり、ステージ制御への負担は大きなものとな
っていた。さらに、露光時に固定鏡が振動すると、固定
鏡の位置ずれ分が修正されないままレチクルステージも
ウエハステージも移動してしまうために、ウエハに転写
されるパターン像がぼやけてしまい、今後ますます要求
が強まっていくパターンの高線密度および高解像度が容
易には得られないといった問題があった。
光装置ではレチクルステージとウエハステージの位置制
御には極めて高い精度が要求されるので、装置の動作や
周辺環境の影響により鏡筒に振動が発生した場合、それ
が極めて小さな振動であったとしても、パターンの転写
精度に与える影響は重大である。すなわち、従来の投影
露光装置では、鏡筒の振動に伴なって固定鏡が振動する
と、レチクルステージ及びウエハステージの移動にもそ
の振動が影響を与え、レチクル及びウエハの位置決めが
不安定となり、ステージ制御への負担は大きなものとな
っていた。さらに、露光時に固定鏡が振動すると、固定
鏡の位置ずれ分が修正されないままレチクルステージも
ウエハステージも移動してしまうために、ウエハに転写
されるパターン像がぼやけてしまい、今後ますます要求
が強まっていくパターンの高線密度および高解像度が容
易には得られないといった問題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するためになされたものであり、レチクルステージや
ウエハステージの位置制御の基準となる基準鏡(固定
鏡)、または基準鏡が取付けられた鏡筒などの固定部材
がたとえ振動したとしても、各ステージの位置制御がそ
の振動の影響を受けないような、あるいはその影響が極
めて小さく抑えられるような露光装置を提供することが
本発明の目的である。
決するためになされたものであり、レチクルステージや
ウエハステージの位置制御の基準となる基準鏡(固定
鏡)、または基準鏡が取付けられた鏡筒などの固定部材
がたとえ振動したとしても、各ステージの位置制御がそ
の振動の影響を受けないような、あるいはその影響が極
めて小さく抑えられるような露光装置を提供することが
本発明の目的である。
【0007】本発明のステージ制御方法は、レチクルや
ウエハ等の物体を載置して移動するステージに設けられ
た移動鏡と、鏡筒などの所定の固定部材に取付けられた
基準鏡とを有する干渉計システムを使って、前記ステー
ジの位置を計測しながら前記ステージの移動を制御する
ステージ制御方法であって、上記の課題を解決するため
に、前記基準鏡の振動に関する情報を検出し、該検出結
果に基づいて前記固定部材に対して前記基準鏡を移動さ
せる(請求項1の特徴に対応)。この場合基準鏡は、固
定部材の振動を相殺するように移動し、これによりステ
ージの位置制御に対する固定部材の振動の影響が低減す
る。
ウエハ等の物体を載置して移動するステージに設けられ
た移動鏡と、鏡筒などの所定の固定部材に取付けられた
基準鏡とを有する干渉計システムを使って、前記ステー
ジの位置を計測しながら前記ステージの移動を制御する
ステージ制御方法であって、上記の課題を解決するため
に、前記基準鏡の振動に関する情報を検出し、該検出結
果に基づいて前記固定部材に対して前記基準鏡を移動さ
せる(請求項1の特徴に対応)。この場合基準鏡は、固
定部材の振動を相殺するように移動し、これによりステ
ージの位置制御に対する固定部材の振動の影響が低減す
る。
【0008】本発明の露光装置は、マスクのパターンの
像を投影光学系を介して基板上に投影することによって
前記基板を露光する露光装置であって、前記マスクまた
は前記基板を保持して移動が可能なステージと、前記ス
テージに設けられた移動鏡及び所定の固定部材に取付け
られた基準鏡を有し前記ステージの位置を計測する干渉
計システムと、前記固定部材の変位に対して前記基準鏡
をほぼ一定位置に保持する保持機構とを備えている(請
求項2の特徴に対応)。この保持機構により基準鏡が一
定位置に保持されるので、ステージの位置制御にたいす
る固定部材の振動の影響を極めて抑えることができる。
像を投影光学系を介して基板上に投影することによって
前記基板を露光する露光装置であって、前記マスクまた
は前記基板を保持して移動が可能なステージと、前記ス
テージに設けられた移動鏡及び所定の固定部材に取付け
られた基準鏡を有し前記ステージの位置を計測する干渉
計システムと、前記固定部材の変位に対して前記基準鏡
をほぼ一定位置に保持する保持機構とを備えている(請
求項2の特徴に対応)。この保持機構により基準鏡が一
定位置に保持されるので、ステージの位置制御にたいす
る固定部材の振動の影響を極めて抑えることができる。
【0009】前記保持機構は、前記固定部材に対して前
記基準鏡を移動する移動機構を有しており(請求項3の
特徴に対応)、前記固定部材の振動に応じて前記基準鏡
を移動させることができる(請求項4に対応)。また、
前記保持機構は、前記固定部材の振動情報を検出するセ
ンサを有しており、前記移動機構は、該センサの検出結
果に基づいて前記基準鏡を移動することができる(請求
項5に対応)。前記センサは、前記振動情報として前記
固定部材の変位と加速度の少なくとも一方を検出するも
のである(請求項6に対応)。また、前記固定部材は、
前記投影光学系を支持する鏡筒でありうる(請求項7に
対応)。また、前記マスクと前記基板とを同期移動する
ことによって前記基板が走査露光される(請求項8に対
応)。
記基準鏡を移動する移動機構を有しており(請求項3の
特徴に対応)、前記固定部材の振動に応じて前記基準鏡
を移動させることができる(請求項4に対応)。また、
前記保持機構は、前記固定部材の振動情報を検出するセ
ンサを有しており、前記移動機構は、該センサの検出結
果に基づいて前記基準鏡を移動することができる(請求
項5に対応)。前記センサは、前記振動情報として前記
固定部材の変位と加速度の少なくとも一方を検出するも
のである(請求項6に対応)。また、前記固定部材は、
前記投影光学系を支持する鏡筒でありうる(請求項7に
対応)。また、前記マスクと前記基板とを同期移動する
ことによって前記基板が走査露光される(請求項8に対
応)。
【0010】また本発明の露光装置は、マスクのパター
ンを基板上に転写する露光装置であって、記マスクまた
は前記基板を保持して移動が可能なステージと、所定の
固定部材に取付けられた基準部材の位置を基準として前
記ステージの位置を制御する制御システムと、前記固定
部材の変位に対して前記基準部材をほぼ一定位置に保持
する保持機構とを備えている(請求項9に対応)。
ンを基板上に転写する露光装置であって、記マスクまた
は前記基板を保持して移動が可能なステージと、所定の
固定部材に取付けられた基準部材の位置を基準として前
記ステージの位置を制御する制御システムと、前記固定
部材の変位に対して前記基準部材をほぼ一定位置に保持
する保持機構とを備えている(請求項9に対応)。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について説明する。
の実施形態について説明する。
【0012】図1は、本発明による投影露光装置の実施
形態の概略図である。この実施形態では、ステップ・ア
ンド・リピート方式の縮小投影露光装置(ステッパー:
以下、単に露光装置と呼ぶ)10を例として取り上げて
いる。
形態の概略図である。この実施形態では、ステップ・ア
ンド・リピート方式の縮小投影露光装置(ステッパー:
以下、単に露光装置と呼ぶ)10を例として取り上げて
いる。
【0013】この露光装置10は、レチクル11を露光
するための照明系12と、レチクル11を保持するレチ
クルステージ13と、レチクル11に形成されたパター
ン(原版)14の像を感光基板としてのウエハ15上に
投影する投影光学系(投影レンズ)を含む鏡筒16と、
ウエハ15を保持して基準平面(X−Y平面)内を二次
元的に移動可能であるとともに所定の角度範囲内での回
転が可能なウエハステージ17と、ウエハ15に形成さ
れたアライメントマーク(ウェハマーク)を検出するオ
フ・アクシス方式のアライメント顕微鏡18と、レチク
ルステージ13をリニアモータ等を用いて移動させるレ
チクルステージ駆動系20と、レチクルステージ13の
位置及び回転を計測するレーザ干渉計システム21と、
ウエハステージ17をリニアモータ等を用いて移動させ
るウエハステージ駆動系30と、ウエハステージ17の
位置及び回転を計測するレーザ干渉計システム31と、
装置全体を統括的に制御するミニコンピュータから成る
制御装置40等を備えている。
するための照明系12と、レチクル11を保持するレチ
クルステージ13と、レチクル11に形成されたパター
ン(原版)14の像を感光基板としてのウエハ15上に
投影する投影光学系(投影レンズ)を含む鏡筒16と、
ウエハ15を保持して基準平面(X−Y平面)内を二次
元的に移動可能であるとともに所定の角度範囲内での回
転が可能なウエハステージ17と、ウエハ15に形成さ
れたアライメントマーク(ウェハマーク)を検出するオ
フ・アクシス方式のアライメント顕微鏡18と、レチク
ルステージ13をリニアモータ等を用いて移動させるレ
チクルステージ駆動系20と、レチクルステージ13の
位置及び回転を計測するレーザ干渉計システム21と、
ウエハステージ17をリニアモータ等を用いて移動させ
るウエハステージ駆動系30と、ウエハステージ17の
位置及び回転を計測するレーザ干渉計システム31と、
装置全体を統括的に制御するミニコンピュータから成る
制御装置40等を備えている。
【0014】照明系12は、水銀ランプやエキシマレー
ザ等の光源と、シャッタ、ブラインド、インプットレン
ズ、フライアイレンズ、リレーレンズ、メインコンデン
サレンズ(いずれも図示せず)等によって構成されてい
る。
ザ等の光源と、シャッタ、ブラインド、インプットレン
ズ、フライアイレンズ、リレーレンズ、メインコンデン
サレンズ(いずれも図示せず)等によって構成されてい
る。
【0015】照明系12は、光源からの露光用の照明光
によってレチクル11のパターン形成面のパターン14
を均一な強度分布で照明する。ここで、露光用照明光
は、単色光(又は準単色光)であり、その波長(露光波
長)は例えば水銀輝線(i線)の365nm、あるいは
KrFエキシマーレーザの248nm等である。
によってレチクル11のパターン形成面のパターン14
を均一な強度分布で照明する。ここで、露光用照明光
は、単色光(又は準単色光)であり、その波長(露光波
長)は例えば水銀輝線(i線)の365nm、あるいは
KrFエキシマーレーザの248nm等である。
【0016】レチクルステージ13上にはレチクル14
が真空吸着等によって固定されており、このレチクルス
テージ13は、レチクルステージ駆動系20によってX
方向(図1における紙面左右方向)、Y方向(図1にお
ける紙面直交方向)及びθ方向(X−Y平面内の回転方
向)に移動され、微小制御される。
が真空吸着等によって固定されており、このレチクルス
テージ13は、レチクルステージ駆動系20によってX
方向(図1における紙面左右方向)、Y方向(図1にお
ける紙面直交方向)及びθ方向(X−Y平面内の回転方
向)に移動され、微小制御される。
【0017】鏡筒16の投影レンズは、その光紬がレチ
クルステージ13の移動面に直交するZ軸方向であり、
パターン14がウエハ15に転写されるとき所定の縮小
倍率を与えるものである。アライメント顕微鏡18を介
してレチクル11のパターン14とウェハ15のショッ
ト領域との位置合わせ(アライメント)が行われた状態
で、照明系12によりレチクル11が均一な照度で照明
されると、パターン14が鏡筒16の投影レンズにより
所定の縮小倍率で縮小されて、フオトレジストが塗布さ
れたウェハ15上に投影され、ウエハ15上の各ショッ
ト領域(例えば各LSIチップの領域)にパターンの縮
小像が形成される。
クルステージ13の移動面に直交するZ軸方向であり、
パターン14がウエハ15に転写されるとき所定の縮小
倍率を与えるものである。アライメント顕微鏡18を介
してレチクル11のパターン14とウェハ15のショッ
ト領域との位置合わせ(アライメント)が行われた状態
で、照明系12によりレチクル11が均一な照度で照明
されると、パターン14が鏡筒16の投影レンズにより
所定の縮小倍率で縮小されて、フオトレジストが塗布さ
れたウェハ15上に投影され、ウエハ15上の各ショッ
ト領域(例えば各LSIチップの領域)にパターンの縮
小像が形成される。
【0018】ウエハ15はウェハホルダを介してウェハ
ステージ17上に固定されている。ウェハステージ17
は、ウエハステージ駆動系30によってX方向、Y方
向、及びθ方向に移動され、微小制御される。なお、こ
のウェハステージ17上には、その表面がウェハWの表
面と同じ高さとなるように基準板19が固定されてい
る。この基準板19の表面には、ベースライン計測等に
用いられる基準マークを含む各種の基準マークが形成さ
れている。
ステージ17上に固定されている。ウェハステージ17
は、ウエハステージ駆動系30によってX方向、Y方
向、及びθ方向に移動され、微小制御される。なお、こ
のウェハステージ17上には、その表面がウェハWの表
面と同じ高さとなるように基準板19が固定されてい
る。この基準板19の表面には、ベースライン計測等に
用いられる基準マークを含む各種の基準マークが形成さ
れている。
【0019】前記アライメント顕微鏡18は、鏡筒18
の投影レンズのY紬方向の一側面に固定されており、本
実施形態では画像処理方式のものを用いている。このア
ライメント顕微鏡18は、ハロゲンランプ等のブロード
バンドな照明光を発する光源、対物レンズ、指標板、C
CD等の撮像素子、及び信号処理回路、演算回路等(い
ずれも図示省略)を含んで構成されている。このアライ
メント顕微鏡18の光源から発せられた照明光がアライ
メント顕微鏡18内部の対物レンズを通過した後ウェハ
15(又は基準板19)上に照射される。そして、ウェ
ハ15表面の不図示のウェハマーク領域からの反射光が
アライメント顕微鏡18に戻り、対物レンズ、指標板を
順次透過してCCD等の撮像面上にウェハマークの像、
及び指標板上の指標の像が結像される。これらの像の光
電変換信号が信号処理回路により処理され、演算回路に
よってウェハマークと指標との相対位置が算出される。
の投影レンズのY紬方向の一側面に固定されており、本
実施形態では画像処理方式のものを用いている。このア
ライメント顕微鏡18は、ハロゲンランプ等のブロード
バンドな照明光を発する光源、対物レンズ、指標板、C
CD等の撮像素子、及び信号処理回路、演算回路等(い
ずれも図示省略)を含んで構成されている。このアライ
メント顕微鏡18の光源から発せられた照明光がアライ
メント顕微鏡18内部の対物レンズを通過した後ウェハ
15(又は基準板19)上に照射される。そして、ウェ
ハ15表面の不図示のウェハマーク領域からの反射光が
アライメント顕微鏡18に戻り、対物レンズ、指標板を
順次透過してCCD等の撮像面上にウェハマークの像、
及び指標板上の指標の像が結像される。これらの像の光
電変換信号が信号処理回路により処理され、演算回路に
よってウェハマークと指標との相対位置が算出される。
【0020】次に、レーザ干渉計システム21および3
1について説明する。
1について説明する。
【0021】レーザ干渉計システム21は、レチクルス
テージ13に固定された移動鏡22と、鏡筒16の側面
上方に固定されたアクチュエーター等による移動機構2
3を介して鏡筒16に支持された固定鏡25と、レーザ
干渉計26とによって構成される。レーザ干渉計26は
移動鏡22および固定鏡25にそれぞれレーザビームを
投射し、それぞれの反射光を受光することによってレチ
クルステージ13の位置及び回転を移動鏡22と固定鏡
25との相対的な位置関係として計測する。
テージ13に固定された移動鏡22と、鏡筒16の側面
上方に固定されたアクチュエーター等による移動機構2
3を介して鏡筒16に支持された固定鏡25と、レーザ
干渉計26とによって構成される。レーザ干渉計26は
移動鏡22および固定鏡25にそれぞれレーザビームを
投射し、それぞれの反射光を受光することによってレチ
クルステージ13の位置及び回転を移動鏡22と固定鏡
25との相対的な位置関係として計測する。
【0022】移動機構23には、移動機構23の取付け
位置における鏡筒16の振動(あるいは変位)を検出す
るセンサー(加速度計、変位計等による)24が設けら
れている。移動機構23は、センサー24の測定結果に
基づいて固定鏡25の位置あるいはその移動を制御し、
鏡筒16の振動によらず固定鏡25がほぼ一定位置を保
つようにする。つまり、移動機構25は、鏡筒16が振
動した場合、固定鏡25を鏡筒16の振動による位置ず
れを相殺するように移動させる。これにより、たとえ鏡
筒16が振動したとしてもその振動はキャンセルされ、
その振動によって固定鏡25の位置が変化することがな
く、外部から見た場合固定鏡25がとまって見えるよう
に維持される。したがって、レチクルステージ16の位
置制御が鏡筒16の振動の影響を受けることはなく、ま
たレチクルステージ16は一度位置決めされたあとは、
鏡筒16の振動によらず一定位置を保つことができる。
位置における鏡筒16の振動(あるいは変位)を検出す
るセンサー(加速度計、変位計等による)24が設けら
れている。移動機構23は、センサー24の測定結果に
基づいて固定鏡25の位置あるいはその移動を制御し、
鏡筒16の振動によらず固定鏡25がほぼ一定位置を保
つようにする。つまり、移動機構25は、鏡筒16が振
動した場合、固定鏡25を鏡筒16の振動による位置ず
れを相殺するように移動させる。これにより、たとえ鏡
筒16が振動したとしてもその振動はキャンセルされ、
その振動によって固定鏡25の位置が変化することがな
く、外部から見た場合固定鏡25がとまって見えるよう
に維持される。したがって、レチクルステージ16の位
置制御が鏡筒16の振動の影響を受けることはなく、ま
たレチクルステージ16は一度位置決めされたあとは、
鏡筒16の振動によらず一定位置を保つことができる。
【0023】一方、レーザ干渉計システム31は、ウエ
ハステージ17に固定された移動鏡32と、鏡筒16の
側面下方に固定されたアクチュエーター等による移動機
構33を介して鏡筒16に支持された固定鏡35と、レ
ーザ干渉計36とによって構成される。レーザ干渉計3
6は移動鏡32および固定鏡35にそれぞれレーザビー
ムを投射し、それぞれの反射光を受光することによって
ウエハステージ17の位置及び回転を移動鏡32と固定
鏡35との相対的な位置関係として計測する。
ハステージ17に固定された移動鏡32と、鏡筒16の
側面下方に固定されたアクチュエーター等による移動機
構33を介して鏡筒16に支持された固定鏡35と、レ
ーザ干渉計36とによって構成される。レーザ干渉計3
6は移動鏡32および固定鏡35にそれぞれレーザビー
ムを投射し、それぞれの反射光を受光することによって
ウエハステージ17の位置及び回転を移動鏡32と固定
鏡35との相対的な位置関係として計測する。
【0024】移動機構33には、移動機構33の取付け
位置における鏡筒16の振動(あるいは変位)を検出す
るセンサー(加速度計、変位計等による)34が設けら
れている。移動機構33は、センサー34の測定結果に
基づいて固定鏡35の位置あるいはその移動を制御し、
鏡筒16の振動によらず固定鏡35がほぼ一定位置を保
つようにする。つまり、移動機構33は、鏡筒16が振
動した場合、固定鏡35を鏡筒16の振動による位相ず
れを相殺するように移動させる。これにより、たとえ鏡
筒16が振動したとしてもその振動の影響はキャンセル
され、その振動によって固定鏡35の位置が変化するこ
とがなく、外部から見た場合固定鏡35がとまって見え
るように維持される。したがって、ウエハステージ17
の位置制御が鏡筒16の振動の影響を受けることはな
く、またウエハステージ17は一度位置決めされたあと
は、鏡筒16の振動によらず一定位置を保つことができ
る。
位置における鏡筒16の振動(あるいは変位)を検出す
るセンサー(加速度計、変位計等による)34が設けら
れている。移動機構33は、センサー34の測定結果に
基づいて固定鏡35の位置あるいはその移動を制御し、
鏡筒16の振動によらず固定鏡35がほぼ一定位置を保
つようにする。つまり、移動機構33は、鏡筒16が振
動した場合、固定鏡35を鏡筒16の振動による位相ず
れを相殺するように移動させる。これにより、たとえ鏡
筒16が振動したとしてもその振動の影響はキャンセル
され、その振動によって固定鏡35の位置が変化するこ
とがなく、外部から見た場合固定鏡35がとまって見え
るように維持される。したがって、ウエハステージ17
の位置制御が鏡筒16の振動の影響を受けることはな
く、またウエハステージ17は一度位置決めされたあと
は、鏡筒16の振動によらず一定位置を保つことができ
る。
【0025】図1には、レチクルステージ13とウエハ
ステージ17に対して、それぞれ1つのX方向の移動制
御のためのレーザ干渉計システム(21および31)を
示しているが、本実施形態の露光装置は、実際には、レ
チクルステージ13とウエハステージ17それぞれに対
して、Y方向の移動制御のためのレーザ干渉計システム
(第2レーザ干渉計システムと呼ぶ)ともう1つ別のX
方向の移動制御のためのレーザ干渉計システム(第3レ
ーザ干渉計システムと呼ぶ)を備えている。第3のレー
ザ干渉計システムは、図示したレーザ干渉計システムと
組み合せて各ステージのX−Y平面内での回転量を計測
・制御するために用いられる。
ステージ17に対して、それぞれ1つのX方向の移動制
御のためのレーザ干渉計システム(21および31)を
示しているが、本実施形態の露光装置は、実際には、レ
チクルステージ13とウエハステージ17それぞれに対
して、Y方向の移動制御のためのレーザ干渉計システム
(第2レーザ干渉計システムと呼ぶ)ともう1つ別のX
方向の移動制御のためのレーザ干渉計システム(第3レ
ーザ干渉計システムと呼ぶ)を備えている。第3のレー
ザ干渉計システムは、図示したレーザ干渉計システムと
組み合せて各ステージのX−Y平面内での回転量を計測
・制御するために用いられる。
【0026】第2レーザ干渉計システムも第3レーザ干
渉計システムも、その取付け位置や方向が異なるだけ
で、図1に示したレーザ干渉計システム(21および3
1)と同様にそれぞれ、固定鏡、移動鏡、およびレーザ
干渉計を備えるものであり、固定鏡の移動機構、鏡筒1
6の振動を検出するセンサーも、それぞれ同様に設けら
れているが、図示することはしていない。ただし、図1
のレーザ干渉計システム(21および31)と第2レー
ザ干渉計システムと第3レーザ干渉計システムのうちの
1つあるいは2つについて、移動機構やセンサーを用い
ずに固定鏡を直接鏡筒16に取付けてもよく、そのよう
な構成も本願発明の範囲に含まれるものとする。また、
センサーの取付け位置も、図1に示したように移動機構
の固定鏡側の面上に限られることはなく、鏡筒16の固
定鏡付近の振動を感知できる場所であればどこに取付け
てもよい。
渉計システムも、その取付け位置や方向が異なるだけ
で、図1に示したレーザ干渉計システム(21および3
1)と同様にそれぞれ、固定鏡、移動鏡、およびレーザ
干渉計を備えるものであり、固定鏡の移動機構、鏡筒1
6の振動を検出するセンサーも、それぞれ同様に設けら
れているが、図示することはしていない。ただし、図1
のレーザ干渉計システム(21および31)と第2レー
ザ干渉計システムと第3レーザ干渉計システムのうちの
1つあるいは2つについて、移動機構やセンサーを用い
ずに固定鏡を直接鏡筒16に取付けてもよく、そのよう
な構成も本願発明の範囲に含まれるものとする。また、
センサーの取付け位置も、図1に示したように移動機構
の固定鏡側の面上に限られることはなく、鏡筒16の固
定鏡付近の振動を感知できる場所であればどこに取付け
てもよい。
【0027】図2は、本実施形態の露光装置10の外観
を示す斜視図である本実施形態の露光装置10は、設置
面である床上に長方形板状のベースフレーム(フレーム
キャスタ)50を介して設置される。ベースフレーム5
0上にはマウント部51A〜51D(ただし、図2にお
いては紙面奥側にくるマウント部51Dは示されない)
が設置され、これらのマウント部51A〜51Dの上に
除振台としての機能を持つメインフレーム52が支持さ
れている。このメインフレーム52は、上板53と上版
の下方に4本の柱状部材54を介して一体的に固定され
たウエハステージベースプレート55とによって構成さ
れている。
を示す斜視図である本実施形態の露光装置10は、設置
面である床上に長方形板状のベースフレーム(フレーム
キャスタ)50を介して設置される。ベースフレーム5
0上にはマウント部51A〜51D(ただし、図2にお
いては紙面奥側にくるマウント部51Dは示されない)
が設置され、これらのマウント部51A〜51Dの上に
除振台としての機能を持つメインフレーム52が支持さ
れている。このメインフレーム52は、上板53と上版
の下方に4本の柱状部材54を介して一体的に固定され
たウエハステージベースプレート55とによって構成さ
れている。
【0028】マウント部51A〜51Dは、それぞれウ
エハステージベースプレート55の4隅付近に配置され
ており、それぞれアクチュエータと防振パッドにより構
成されている。この防振パッドとしては、ダンピング液
の中に圧縮コイルばねを入れた機械式ダンパが用いられ
るが、空気式ダンパを用いることも可能である。
エハステージベースプレート55の4隅付近に配置され
ており、それぞれアクチュエータと防振パッドにより構
成されている。この防振パッドとしては、ダンピング液
の中に圧縮コイルばねを入れた機械式ダンパが用いられ
るが、空気式ダンパを用いることも可能である。
【0029】ウエハステージベースプレート55上に
は、図1にて示した(図2には示していない)ウエハス
テージ駆動系30によって駆動されるウエハステージ1
7が載置されている。ウエハステージ17の上には、ウ
エハホルダを介してウエハ15が吸着保持されている。
また、ウエハステージベースプレート55の上方でこれ
に一体化されたメインフレーム52の中央部にはインバ
56固定されており、インバ56の内部には図1に示し
た鏡筒16等が設置されている。インバ56の上部に
は、レチクル11を保持するレチクルステージ13が載
置されており、レチクルステージ13はレチクルステー
ジ駆動系20によって駆動される。
は、図1にて示した(図2には示していない)ウエハス
テージ駆動系30によって駆動されるウエハステージ1
7が載置されている。ウエハステージ17の上には、ウ
エハホルダを介してウエハ15が吸着保持されている。
また、ウエハステージベースプレート55の上方でこれ
に一体化されたメインフレーム52の中央部にはインバ
56固定されており、インバ56の内部には図1に示し
た鏡筒16等が設置されている。インバ56の上部に
は、レチクル11を保持するレチクルステージ13が載
置されており、レチクルステージ13はレチクルステー
ジ駆動系20によって駆動される。
【0030】メインフレーム52の上部には、インバ5
6およびレチクルステージ13を囲むようにサポートフ
レーム57が設置されており、このサポートフレーム5
7によって図1の照明系12が支持されている。
6およびレチクルステージ13を囲むようにサポートフ
レーム57が設置されており、このサポートフレーム5
7によって図1の照明系12が支持されている。
【0031】レチクルステージ13とウエハステージ1
7の位置は、それぞれに対応するレーザ干渉計26およ
びレーザ干渉計36(図2には示していない)によって
計測されるが、レチクルステージ13のためのレーザ干
渉計26はサポートフレーム57に取り付けられてお
り、またウエハステージ17のためのレーザ干渉計36
はメインフレーム52に取付けられている。
7の位置は、それぞれに対応するレーザ干渉計26およ
びレーザ干渉計36(図2には示していない)によって
計測されるが、レチクルステージ13のためのレーザ干
渉計26はサポートフレーム57に取り付けられてお
り、またウエハステージ17のためのレーザ干渉計36
はメインフレーム52に取付けられている。
【0032】次に、上述のように構成された露光装置1
0の露光時の動作について説明する。まず、図示しない
レチクル顕微鏡を用いて、レチクルステージ13の鏡筒
16に対する位置合わせ(レチクルアライメント)が行
われる。このとき、レーザ干渉計システム21によって
鏡筒16とレチクルステージ13との相対位置が計測さ
れ、その計測結果に基づいて制御装置40がレチクルス
テージ駆動系20によってレチクルステージ13を正し
い位置に位置決めする。
0の露光時の動作について説明する。まず、図示しない
レチクル顕微鏡を用いて、レチクルステージ13の鏡筒
16に対する位置合わせ(レチクルアライメント)が行
われる。このとき、レーザ干渉計システム21によって
鏡筒16とレチクルステージ13との相対位置が計測さ
れ、その計測結果に基づいて制御装置40がレチクルス
テージ駆動系20によってレチクルステージ13を正し
い位置に位置決めする。
【0033】次に、重ね合わせ露光に先立って、ウェハ
15上の位置検出マークを検出するアライメント顕微鏡
18の位置(検出中心)と投影レンズの中心(通常は、
レチクルのパターンの中心であるレチクルセンタに一
致)との位置関係を計測するベースライン計測が次のよ
うに行われる。
15上の位置検出マークを検出するアライメント顕微鏡
18の位置(検出中心)と投影レンズの中心(通常は、
レチクルのパターンの中心であるレチクルセンタに一
致)との位置関係を計測するベースライン計測が次のよ
うに行われる。
【0034】まず、ウェハステージ17上に設けられた
基準板19を、鏡筒16内の投影レンズを介したレチク
ルアライメントマーク(図示省略)の投影像位置へ移動
する。この移動は、制御装置40によりウエハステージ
駆動系30を介して行われる。基準板19の表面はウェ
ハ15の表面とほぼ同じ高さ(光紬方向)となってお
り、その表面には基準マーク(不図示)が形成されてい
る。このとき、例えば、不図示のレチクル顕微鏡により
投影レンズを介してレチクルアライメントマークと基準
マークの相対位置が検出される。
基準板19を、鏡筒16内の投影レンズを介したレチク
ルアライメントマーク(図示省略)の投影像位置へ移動
する。この移動は、制御装置40によりウエハステージ
駆動系30を介して行われる。基準板19の表面はウェ
ハ15の表面とほぼ同じ高さ(光紬方向)となってお
り、その表面には基準マーク(不図示)が形成されてい
る。このとき、例えば、不図示のレチクル顕微鏡により
投影レンズを介してレチクルアライメントマークと基準
マークの相対位置が検出される。
【0035】このときのウェハステージ17の位置は、
ウェハステージ17上に設けられた移動鏡32を介して
レーザ干渉計36により計測され、この計測結果は制御
装置40に送られる。制御装置40はレーザ干渉計36
の計測結果とレチクル顕微鏡から出力される相対位置と
の和を、レチクル11の位置としてRAMに記憶する。
ウェハステージ17上に設けられた移動鏡32を介して
レーザ干渉計36により計測され、この計測結果は制御
装置40に送られる。制御装置40はレーザ干渉計36
の計測結果とレチクル顕微鏡から出力される相対位置と
の和を、レチクル11の位置としてRAMに記憶する。
【0036】次に、制御装置40はウエハステージ駆動
系30を介してウェハステージ17を駆動し、基準板1
9をアライメント顕微鏡18の検出基準位置近傍に移動
させる。そして、アライメント顕微鏡18に内蔵された
指標坂上の指標の中心(検出中心)と基準板19上の基
準マークとの相対位置関係を検出する。この相対位置関
係の検出値と、このときのレーザ干渉計36の出力値
(ウェハステージ15の位置)は、制御装置40に送ら
れ、制御装置40はその和をアライメント顕微鏡18の
位置とし、さらに、レチクル11の位置とアライメント
顕微鏡との差を「ベースライン計測値」としてRAMに
記憶する。本実施形態によれば、このベースライン計測
において、鏡筒16およびそれに取付けられたアライメ
ント顕微鏡18に振動が発生したとしても、固定鏡35
はその影響を受けないので、ベースライン計測における
ウエハステージ駆動系30および制御装置40の負担が
減少し、正確なベースライン計測が短時間で可能とな
る。
系30を介してウェハステージ17を駆動し、基準板1
9をアライメント顕微鏡18の検出基準位置近傍に移動
させる。そして、アライメント顕微鏡18に内蔵された
指標坂上の指標の中心(検出中心)と基準板19上の基
準マークとの相対位置関係を検出する。この相対位置関
係の検出値と、このときのレーザ干渉計36の出力値
(ウェハステージ15の位置)は、制御装置40に送ら
れ、制御装置40はその和をアライメント顕微鏡18の
位置とし、さらに、レチクル11の位置とアライメント
顕微鏡との差を「ベースライン計測値」としてRAMに
記憶する。本実施形態によれば、このベースライン計測
において、鏡筒16およびそれに取付けられたアライメ
ント顕微鏡18に振動が発生したとしても、固定鏡35
はその影響を受けないので、ベースライン計測における
ウエハステージ駆動系30および制御装置40の負担が
減少し、正確なベースライン計測が短時間で可能とな
る。
【0037】本実施形態の露光装置10では、以上のベ
ースライン計測シーケンスの後に、ウェハ15への重ね
合わせ露光を開始する。すなわち、ウェハ15上の不図
示のウェハアライメントマークの位置を、アライメント
顕微鏡18により検出する。そして、制御装置40はこ
のときのウェハアライメントマークと前述のアライメン
ト顕微鏡18内の指標マーク中心との相対位置関係と、
ウェハステージ17の位置(レーザ干渉計36の出力
値)との和を、マーク位置として認識する。
ースライン計測シーケンスの後に、ウェハ15への重ね
合わせ露光を開始する。すなわち、ウェハ15上の不図
示のウェハアライメントマークの位置を、アライメント
顕微鏡18により検出する。そして、制御装置40はこ
のときのウェハアライメントマークと前述のアライメン
ト顕微鏡18内の指標マーク中心との相対位置関係と、
ウェハステージ17の位置(レーザ干渉計36の出力
値)との和を、マーク位置として認識する。
【0038】続いて、制御装置40ではこのマーク位置
からベースライン量とウェハアライメントマークの設計
座標の和だけウェハステージ17を、レーザ干渉計36
の計測値に基づいて移動する。
からベースライン量とウェハアライメントマークの設計
座標の和だけウェハステージ17を、レーザ干渉計36
の計測値に基づいて移動する。
【0039】これにより、レチクル11上のパターンの
投影像がウェハ15上に正確に位置合わせされるので、
この状態で露光を行いウェハ15にレチクル11上のパ
ターンを投影転写する。このようにして、ウェハ15上
の各ショット領域を順次レチクルパターンの像の投影位
置に移動させながら、露光(投影転写)を繰り返しおこ
なうことにより、ステップ・アンド・リピート方式の露
光が達成される。本実施形態によれば、この露光時にお
いて、たとえ鏡筒16に振動があったとしても、その振
動がレチクルステージ13とウエハステージ17の位置
制御に影響を及ぼすことがないので、ウエハ15に転写
されるパターン像がぼやけることがなくなり、きわめて
高解像度のパターン像が得られる。
投影像がウェハ15上に正確に位置合わせされるので、
この状態で露光を行いウェハ15にレチクル11上のパ
ターンを投影転写する。このようにして、ウェハ15上
の各ショット領域を順次レチクルパターンの像の投影位
置に移動させながら、露光(投影転写)を繰り返しおこ
なうことにより、ステップ・アンド・リピート方式の露
光が達成される。本実施形態によれば、この露光時にお
いて、たとえ鏡筒16に振動があったとしても、その振
動がレチクルステージ13とウエハステージ17の位置
制御に影響を及ぼすことがないので、ウエハ15に転写
されるパターン像がぼやけることがなくなり、きわめて
高解像度のパターン像が得られる。
【0040】なお、照明系、投影光学系を露光装置本体
に組み込み光学調整をするとともに、多数の機械部品か
らなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本
体に取付けて配線や配管を接続し、更に総合調整(電気
調整、動作確認等)をすることにより本実施例の露光装
置を製造することができる。
に組み込み光学調整をするとともに、多数の機械部品か
らなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本
体に取付けて配線や配管を接続し、更に総合調整(電気
調整、動作確認等)をすることにより本実施例の露光装
置を製造することができる。
【0041】また、上記ステップ・アンド・リピート方
式の露光動作は、ウェハ15上の各ショット領域内のア
ライメントマークを逐次検出してそのショットに重ね合
わせ露光を行ういわゆるタイ・パイ・ダイ方式で行って
もよく、露光に先立って複数のショット内の各アライメ
ントマークを繰出し、それらの検出値を統計処理して露
光ショットの配列を決め、その配列に基づいて全ショッ
トの露光を行ういわゆるEGA(エンハンスト・グロー
バル・アライメント)方式で行っても良い。
式の露光動作は、ウェハ15上の各ショット領域内のア
ライメントマークを逐次検出してそのショットに重ね合
わせ露光を行ういわゆるタイ・パイ・ダイ方式で行って
もよく、露光に先立って複数のショット内の各アライメ
ントマークを繰出し、それらの検出値を統計処理して露
光ショットの配列を決め、その配列に基づいて全ショッ
トの露光を行ういわゆるEGA(エンハンスト・グロー
バル・アライメント)方式で行っても良い。
【0042】また、本実施形態では、レチクルとウエハ
とがほぼ静止した状態で露光を行なう制止型の露光装置
を用いて説明したが、レチクルとウエハとを同期移動し
ながら露光を行なう走査型の露光装置に、本発明を適用
できることは言うまでもない。特に走査型の露光装置で
は、走査露光のためにレチクルステージ及びウエハステ
ージを同期移動しているときに振動が大きくなるので、
この走査露光のための同期移動中に固定鏡を移動して、
ほぼ一定位置に保持するようにすると大きな効果が得ら
れる。
とがほぼ静止した状態で露光を行なう制止型の露光装置
を用いて説明したが、レチクルとウエハとを同期移動し
ながら露光を行なう走査型の露光装置に、本発明を適用
できることは言うまでもない。特に走査型の露光装置で
は、走査露光のためにレチクルステージ及びウエハステ
ージを同期移動しているときに振動が大きくなるので、
この走査露光のための同期移動中に固定鏡を移動して、
ほぼ一定位置に保持するようにすると大きな効果が得ら
れる。
【0043】さらに、本実施形態では、本発明を縮小投
影露光装置に適用した場合について説明したが、本発明
の適用範囲はこれに限定されるものではなく、拡大投影
露光装置、X線プロキシミティー露光装置、あるいは電
子線露光装置など、別のタイプの露光装置に対して適用
した場合も本発明の範囲内とする。
影露光装置に適用した場合について説明したが、本発明
の適用範囲はこれに限定されるものではなく、拡大投影
露光装置、X線プロキシミティー露光装置、あるいは電
子線露光装置など、別のタイプの露光装置に対して適用
した場合も本発明の範囲内とする。
【0044】
【発明の効果】本発明によれば、たとえレチクルステー
ジやウエハステージの位置制御の基準となる固定鏡を取
付けた鏡筒などの固定部材が振動したとしても、固定鏡
の位置はその振動の影響を全く受けないか、あるいはそ
の振動の固定鏡の位置への影響を極めて小さく抑えるこ
とができる。したがって、固定鏡は固定部材の振動に対
してはその位置が常にほぼ一定に保たれるので、チクル
ステージやウエハステージの位置制御への固定部材の振
動の影響を極めて減少させることができる。その結果、
両ステージの位置制御に対する負担が軽減され、迅速で
正確な位置制御が可能となる。また、ウエハ露光中にお
いても、固定部材の振動によって各ステージが動くこと
がないので、レチクルからウエハに転写されるパターン
像がぼやけることがなく、極めて解像度の高いパターン
像を提供することができる。
ジやウエハステージの位置制御の基準となる固定鏡を取
付けた鏡筒などの固定部材が振動したとしても、固定鏡
の位置はその振動の影響を全く受けないか、あるいはそ
の振動の固定鏡の位置への影響を極めて小さく抑えるこ
とができる。したがって、固定鏡は固定部材の振動に対
してはその位置が常にほぼ一定に保たれるので、チクル
ステージやウエハステージの位置制御への固定部材の振
動の影響を極めて減少させることができる。その結果、
両ステージの位置制御に対する負担が軽減され、迅速で
正確な位置制御が可能となる。また、ウエハ露光中にお
いても、固定部材の振動によって各ステージが動くこと
がないので、レチクルからウエハに転写されるパターン
像がぼやけることがなく、極めて解像度の高いパターン
像を提供することができる。
【図1】本発明による投影露光装置の実施形態の概略図
である。
である。
【図2】実施形態の露光装置のより外観を示す斜視図で
ある
ある
10 露光装置 11 レチクル11 12 照明系 13 レチクルステージ 14 パターン 15 ウエハ 16 鏡筒 17 ウエハステージ 18 アライメント顕微鏡 19 基準板 20 レチクルステージ駆動系 21、31 レーザ干渉計システム 22、32 移動鏡 23、33 移動機構 24、34 センサー 25、35 固定鏡 26、36 レーザ干渉計 30 ウエハステージ駆動系 40 制御装置 50 ベースフレーム 51A〜51D マウント部 52 メインフレーム 53 上板 54 柱状部材 55 ウエハステージベースプレート 56 インバ 57 サポートフレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 515D 516B
Claims (9)
- 【請求項1】 物体を載置して移動するステージに設け
られた移動鏡と所定の固定部材に取付けられた基準鏡と
を有する干渉計システムを使って前記ステージの位置を
計測しながら前記ステージの移動を制御するステージ制
御方法であって、 前記基準鏡の振動に関する情報を検出し、 該検出結果に基づいて前記固定部材に対して前記基準鏡
を移動することを特徴とするステージ制御方法。 - 【請求項2】 マスクのパターンの像を投影光学系を介
して基板上に投影することによって前記基板を露光する
露光装置であって、 前記マスクまたは前記基板を保持して移動が可能なステ
ージと、 前記ステージに設けられた移動鏡及び所定の固定部材に
取付けられた基準鏡を有し前記ステージの位置を計測す
る干渉計システムと、 前記固定部材の変位に対して前記基準鏡をほぼ一定位置
に保持する保持機構と、を備えることを特徴とする露光
装置。 - 【請求項3】 前記保持機構は、前記固定部材に対して
前記基準鏡を移動する移動機構を有することを特徴とす
る請求項2に記載の露光装置。 - 【請求項4】 前記移動機構は、前記固定部材の振動に
応じて前記基準鏡を移動することを特徴とする請求項3
に記載の露光装置。 - 【請求項5】 前記保持機構は、前記固定部材の振動情
報を検出するセンサを有し、前記移動機構は、該センサ
の検出結果に基づいて前記基準鏡を移動することを特徴
とする請求項3に記載の露光装置。 - 【請求項6】 前記センサは、前記振動情報として前記
固定部材の変位と加速度の少なくとも一方を検出するこ
とを特徴とする請求項5に記載の露光装置。 - 【請求項7】 前記固定部材は、前記投影光学系を支持
する鏡筒であることを特徴とする請求項1乃至6のいず
れか一項に記載の露光装置。 - 【請求項8】 前記マスクと前記基板とを同期移動する
ことによって前記基板を走査露光することを特徴とする
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の露光装置。 - 【請求項9】 マスクのパターンを基板上に転写する露
光装置であって、 前記マスクまたは前記基板を保持して移動が可能なステ
ージと、 所定の固定部材に取付けられた基準部材の位置を基準と
して前記ステージの位置を制御する制御システムと、 前記固定部材の変位に対して前記基準部材をほぼ一定位
置に保持する保持機構と、を備えることを特徴とする露
光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10136261A JPH11325821A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | ステージ制御方法および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10136261A JPH11325821A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | ステージ制御方法および露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11325821A true JPH11325821A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=15171060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10136261A Withdrawn JPH11325821A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | ステージ制御方法および露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11325821A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185478A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Canon Inc | 露光装置 |
KR100629390B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2006-09-29 | 삼성전자주식회사 | 광학계 위치제어수단을 갖는 반도체 제조용 노광장치 및이를 이용한 노광방법 |
KR100641504B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2006-10-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 레티클 스테이지의 레벨링 장치 |
KR100699566B1 (ko) | 2004-09-15 | 2007-03-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 진동 검출 및 진동 분석을 위한 장치 및 방법, 및 이러한장치가 구비된 리소그래피 장치 |
US7382469B2 (en) | 2005-03-21 | 2008-06-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exposure apparatus for manufacturing semiconductor device, method of exposing a layer of photoresist, and method of detecting vibrations and measuring relative position of substrate during an exposure process |
JP2009111366A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-05-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、投影アセンブリおよび能動型制振 |
-
1998
- 1998-05-19 JP JP10136261A patent/JPH11325821A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185478A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Canon Inc | 露光装置 |
KR100641504B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2006-10-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 레티클 스테이지의 레벨링 장치 |
KR100699566B1 (ko) | 2004-09-15 | 2007-03-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 진동 검출 및 진동 분석을 위한 장치 및 방법, 및 이러한장치가 구비된 리소그래피 장치 |
KR100629390B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2006-09-29 | 삼성전자주식회사 | 광학계 위치제어수단을 갖는 반도체 제조용 노광장치 및이를 이용한 노광방법 |
US7315349B2 (en) | 2004-09-21 | 2008-01-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exposure equipment with optical system positioning mechanism and related exposure method |
US7382469B2 (en) | 2005-03-21 | 2008-06-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exposure apparatus for manufacturing semiconductor device, method of exposing a layer of photoresist, and method of detecting vibrations and measuring relative position of substrate during an exposure process |
JP2009111366A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-05-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、投影アセンブリおよび能動型制振 |
JP2012104862A (ja) * | 2007-10-04 | 2012-05-31 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および投影アセンブリ |
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