DE3807606C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen
eines doppelbrechenden Streifenwellenleiters, bei dem
ein Glassubstrat mit einer einen Schlitz aufweisenden
Maske abgedeckt und mittels einer einwertige Kationen
enthaltenden Salzschmelze ein Ionenaustausch in der
Oberfläche des Glassubstrates vorgenommen wird sowie dessen
Verwendung für integriert optische Bauelemente.
Ein Verfahren der eingangs genannten Art für einen
doppelbrechenden Wellenleiter sind aus "Stress in Ion-Exchanged
Glass Waveguides", Journal of Lightwave
Technology, Vol. LT-4, no. 10 October 1986, Seiten 1580
bis 1593 bekannt. Aus der konventionellen Freistrahl-Optik
sind doppelbrechende Elemente wie Lambda/2- und
Lambda/4-Platten bekannt, die als optische Isolatoren
verwendet werden, wenn beispielsweise das Licht eines
Lasers über einen Polarisator in einen optischen Aufbau
eingestrahlt wird und vermieden werden soll, daß unerwünschte
Reflexionen in den Laser zurückgelangen und
dort zu Instabilitäten führen.
Aus den Seiten 255-257 der DE-Z Silikattechnik (1985)
ist die Möglichkeit der Veränderung der optischen
Eigenschaften von Gläsern bekannt, an deren Oberfläche
durch Salzschmelzen ein Ionenaustausch hervorgerufen
wird.
Die DE-OS 25 53 685, lehrt ein Verfahren zur Herstellung
von optischen Richtkopplern, bei dem ein Glassubstrat
in aufeinanderfolgenden Verfahrensschritten von
verschiedenen Masken abgedeckt und durch Ionenbeschuß
verändert wird.
In DE-OS 20 64 204, ist ein Verfahren zur Herstellung
eines transparenten Lichtleitkörpers beschrieben,
bei dem das optische Verhalten eines mit einer Maske
teilweise abgedeckten Glassubstrates durch Ionenaustausch
mit einem Salz verändert wird.
Alle bekannten Verfahren zeigen keine Möglichkeit auf,
ein integriert-optisches Bauelement mit einem einer
"Lambda-Viertel"-Platte oder "Lambda-Halbe"-Platte
entsprechenden optischen Verhalten herzustellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein integriert optisches
Bauelement zu schaffen, das eine
Doppelbrechung mit einer vorbestimmten Drehung der
Hauptachsen aufweist.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs
genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das
behandelte, mit einer zweiten Maske, deren Schlitz mit
dem der ersten Maske fluchtet abgedeckte Substrat einem
zweiten Ionenaustauschprozeß mit einer ebenfalls einwertige
Kationen enthaltenden Salzschmelze unterzogen
und durch die Abstimmung der Konzentrationen und Zusammensetzungen
der beiden Salzschmelzen im Wellenleiter
zwischen zwei nichtdoppelbrechenden Wellenleiterelementen
ein doppelbrechendes Wellenleiterelement mit einer
entlang dem doppelbrechenden Wellenleiterabschnitt
verlaufenden Grube gebildet wird.
Die Erzeugung eines doppelbrechenden Abschnittes zwischen
zwei nichtdoppelbrechenden Abschnitten eines derart
hergestellten Wellenleiters gestattet die einfache
Ankopplung des erfindungsgemäßen Bauelementes an andere
optische Bauelemente, wie z. B. Lichtwellenleiter, und
insbesondere den Aufbau eines integriert-optischen
Isolator zur Speisung eines Faser-Fabry-P´rot-Interferometers.
Die sich entlang dem doppelbrechenden
Abschnitt erstreckende Grube gestattet durch Einstellung
der Grubengeometrie die Voreinstellung der Neigung
der Hauptachsen des doppelbrechenden Abschnittes, die
eine Funktion der Tiefe der Grube und ihres Abstandes
von dem doppelbrechenden Abschnitt ist.
Bei dem Verfahren werden die Konzentrationen und Zusammensetzungen
der beiden Salzschmelzen so aufeinander
abgestimmt, daß im Wellenleiter zwischen zwei nicht
doppelbrechenden Wellenleiterelementen ein doppelbrechendes
Wellenleiterelement entsteht, das aufgrund
seiner Länge als Lambda/4- oder Lambda/2-Element eines
optischen Aufbaus wirksam ist.
Die verwendeten Salzschmelzen enthalten einzeln oder in
Mischung beispielsweise Silbernitrat, Natriumnitrat und
Kaliumnitrat.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung
anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein Glassubstrat mit einer aufgebrachten
Schlitzmaske,
Fig. 2 das Glassubstrat mit einem Streifenwellenleiter
und einer zweiten Maske,
Fig. 3 ein gemäß den Fig. 1 und 2 hergestelltes
integriert-optisches Bauelement,
Fig. 4 eine der Fig. 1 entsprechende Darstellung
eines Glassubstrates mit einer Maske nach
dem Herstellen eines eine durchgehend gleiche
Doppelbrechung aufweisenden Wellenleiters,
Fig. 5 das mit dem doppelbrechenden Wellenleiter
versehene Glassubstrat nach dem Entfernen
der ersten Maske,
Fig. 6 das Substrat nach dem Aufbringen der zweiten
Maske,
Fig. 7 einen Querschnitt durch das Substrat im
Bereich des doppelbrechenden Wellenleiterabschnitts,
Fig. 8 einen Schnitt durch das erfindungsgemäße
integriert-optische Bauelement im Bereich
einer die Hauptachsenlage des doppelbrechenden
Wellenleiterabschnitts bestimmenden
Grube,
Fig. 9 eine perspektivische Ansicht des in Fig. 8
im Schnitt dargestellten integriert-optischen
Bauelementes und
Fig. 10 eine vergrößerte Darstellung der Grube und
des doppelbrechenden Wellenleiterabschnitts
in perspektivischer Ansicht im Ausschnitt.
In Fig. 1 erkennt man in perspektivischer Ansicht ein
Glassubstrat 1 bzw. einen rechteckigen Ausschnitt aus
einem größeren Glassubstrat. Das Glassubstrat 1 hat
beispielsweise eine Dicke von 2 mm. Auf dem Glassubs
trat 1 befindet sich eine Abdeckmaske 2 mit einem
Schlitz 3, der beispielsweise 3 µm breit ist. Bei der
Abdeckmaske 2 handelt es sich um eine dielektrische
oder metallische Abdeckmaske, die z. B. mit Hilfe
photolithographischer Techniken hergestellt ist und aus
Aluminium oder Titan besteht. Bei dem Glassubstrat 1
handelt es sich um ein Natriumionen und Kaliumionen
enthaltendes Glas.
Das in Fig. 1 dargestellte und mit einer Abdeckmaske 2 versehene Glassubstrat 1 wird zum Herstellen
eines Wellenleiters entlang dem Schlitz 3 innerhalb des
Glassubstrates 1 zunächst einem ersten Ionenaustausch
prozeß unterworfen. Dies geschieht durch Eintauchen
des mit der Abdeckmaske 2 versehenen Glassubstrates
1 in eine Salzschmelze, die beispielsweise eine Tempe
ratur von 330°C hat. Die Salzschmelze besteht aus
Salzen mit Silberionen, Natriumionen und Kaliumionen.
Insbesondere besteht sie aus einer Mischung von AgNO3,
NaNO3 und KNO3. Der Anteil des Silbernitrats in der
Salzschmelze beträgt weniger als 1 mol-%.
Der Ionenaustauschprozeß, der nach dem Eintauchen des
Glassubstrates 1 in die Salzschmelze stattfindet, kann
entweder als thermischer oder auch als feldunterstütz
ter Ionenaustauschprozeß durchgeführt werden. Während
des Ionenaustauschprozesses dringen Silberionen und
Natriumionen durch den Schlitz 3 in das Glassubstrat 1
ein, während Kaliumionen aus dem Glassubstrat 1 durch
den Schlitz 3 austreten und in die Salzschmelze gelan
gen.
Aufgrund des Ionenaustauschs im Glassubstrat 1 entlang
dem Schlitz 3 wird im Glassubstrat 1 entlang dem
Schlitz ein Wellenleiter 4 gebildet, dessen optische
Eigenschaften davon abhängen, welche Ionen in das Glas
substrat 1 eindringen und welche Ionen aus dem Glas
substrat 1 austreten. Dies wiederum hängt von den in
der Salzschmelze vorhandenen Konzentrationen der Sil
berionen, Natriumionen und Kaliumionen ab.
Das Verhältnis der Kalium- und Natriumionen in der
Salzschmelze, bezogen auf die Silberionenkonzentration,
ist so gewählt, daß sich im Wellenleiter 4 ein höherer
Brechungsindex als im übrigen Glassubstrat 1 ergibt,
ohne daß jedoch im Wellenleiter 4 eine Doppelbrechung
auftritt.
Der Einfluß verschiedener für die Ionenaustauschpro
zesse verwendbarer Ionen auf die Eigenschaften von
Glaswellenleitern nach deren Eindringen im Austausch
gegen Natriumionen und Kaliumionen ist in der nach
folgenden Tabelle dargestellt:
Aus der obigen Tabelle erkennt man, daß sich ein Wel
lenleiter 4 ohne Doppelbrechung einstellt, wenn Silber
ionen in das Glassubstrat eindringen, was zu einer
Erhöhung des Brechungsindexes und zu einer Doppelbre
chung führt, die jedoch vermieden wird, wenn aus der
Salzschmelze Natriumionen gegen Kaliumionen im Glas
substrat ausgetauscht werden. Bezüglich der Doppel
brechung ergibt sich aus der obigen Tabelle, daß das
Eindringen von Silberionen eine positive Doppelbrechung
und das Einbringen von Natriumionen eine negative
Doppelbrechung bewirkt, die sich bei gleicher Größe
gegenseitig aufheben.
Wenn in der im Zusammenhang mit Fig. 1 beschriebenen
Weise im Glassubstrat 1 der Wellenleiter 4 hergestellt
worden ist, wird die erste Abdeckmaske 2 durch eine
zweite Abdeckmaske 5 ersetzt, die über ein Schlitz
fenster 6 verfügt, das genau über dem nichtdoppelbre
chenden Wellenleiter 4 ausgebildet ist. Die Länge des
Schlitzfensters 6 liegt zwischen 0,2 und 2 mm und
beträgt insbesondere etwa 1 mm.
Das Schlitzfenster 6 dient dazu, im nichtdoppelbrechen
den Wellenleiter 4 einen doppelbrechenden Wellenleiter
abschnitt 7 zu erzeugen, der in Fig. 3 dargestellt ist.
Nach dem Aufbringen der zweiten Abdeckmaske 5 mit
dem Schlitzfenster 6 wird das in Fig. 2 dargestellte
Glassubstrat 1 einem zweiten Ionenaustauschprozeß
unterworfen, bei dem wiederum ein thermischer oder
feldunterstützter Ionenaustausch stattfindet. Vorzugs
weise wird für den zweiten Ionenaustauschprozeß ein
feldunterstützter Austausch mit den Ionen einer zweiten
Salzschmelze mit von den Salzen der ersten Salzschmelze
verschiedenen Salzen durchgeführt, um die weitere
Diffusion des bereits erzeugten Wellenleiters 4 mög
lichst gering zu halten.
Wenn das in Fig. 2 dargestellte Glassubstrat 1 mit der
zweiten Abdeckmaske 5 in eine Salzschmelze aus
Kaliumnitrat eingetaucht wird, dringen Kaliumionen
durch das Schlitzfenster 6 in den Wellenleiter 4 ein,
wobei Natriumionen und Silberionen gegen die Kalium
ionen ausgetauscht werden. Aus der obigen Tabelle
ergibt sich, daß sich durch Austausch von Natriumionen
im Wellenleiter 4 gegen Kaliumionen aus der Salzschmel
ze eine große positive Doppelbrechung ergibt. Der
Verlust von Silberionen im Austausch gegen Kaliumionen
ergibt ebenfalls einen kleinen positiven Beitrag zur
Doppelbrechung unter dem Schlitzfenster 6, wie sich
indirekt aus der obigen Tabelle ergibt.
Nach dem zweiten Ionenaustauschprozeß enthält der
Wellenleiter 4 einen doppelbrechenden Wellenleiterab
schnitt 7, dessen Doppelbrechung durch die Erzeugung
mechanischer Spannungen infolge des Ionenaustauschs
entstanden ist. Die Spannungsdoppelbrechung hängt im
wesentlichen von den Größen der Ionenradien ab, die bei
der Wellenleiterherstellung gegeneinander ausgetauscht
werden. Aus der obigen Tabelle erkennt man, daß
sowohl negative als auch positive Werte für die Doppelbrechung
(n TM-nTE) entstehen, und zwar je nachdem ob Druck- oder
Zugspannungen durch den Ionenaustausch bewirkt werden.
Die obige Tabelle gibt die Größenordnung des Anteils
der Doppelbrechung für verschiedene Kombinationen von
Austauschionen an.
Je nach den verwendeten Mischungen mehrerer verschie
dener Ionen in den Salzschmelzen ergeben sich unter
schiedliche Einwirkungen auf den Brechungsindex und die
Doppelbrechung. Im Glassubstrat 1 können verschiedene
Austauschionen enthalten sein, wobei es sich normaler
weise um Kaliumionen und Natriumionen handelt. Aus
diesem Grunde ist es möglich, bei annähernd gleichen
Brechungsindex-Profilen sehr verschiedene Doppelbre
chungen zu erzeugen. Es können sowohl positive als auch
negative Werte für die Doppelbrechung und insbesondere
auch der Fall verschwindender Doppelbrechung einge
stellt werden. Eine formbedingte Doppelbrechung auf
grund polarisationsabhängiger Totalreflexion im Wellen
leiter wird dabei in einigen Fällen kompensiert. Die
formbedingte Doppelbrechung läßt sich durch den Bre
chungsindex dünner Beschichtungen aus dielektrischem
Material beeinflussen, die nach dem Entfernen der
zweiten Abdeckmaske auf das in Fig. 3 dargestellte
Chip 8 aufgebracht werden können.
Aus der obigen Tabelle ergibt sich, daß der Silber
ionenanteil in der Salzschmelze vorwiegend das Bre
chungsindexprofil des Wellenleiters 4 bestimmt, während
das Verhältnis des Natriumionenanteils zum Kaliumionen
anteil in der Salzschmelze vorwiegend das Spannungspro
fil bestimmt. Dies ergibt sich aus den hohen Spannun
gen, die ein Austausch von Kaliumionen gegen Natrium
ionen erzeugt.
Der Fachmann erkennt ohne weiteres, daß statt der oben
erörterten Ionenkombinationen andere Möglichkeiten
gegeben sind, die sich ebenfalls der Tabelle entnehmen
lassen. Das in Fig. 3 perspektivisch dargestellte Chip
8 enthält auf dem Glassubstrat 1 mit einer Stärke von
etwa 2 mm den Wellenleiter 4, der sich rinnenförmig mit
einer Tiefe von etwa 5 bis 10 µm entlang der Oberfläche
9 des Glassubstrates 1 erstreckt und einen doppelbre
chenden Wellenleiterabschnitt 7 aufweist. Die Länge des
doppelbrechenden Wellenleiterabschnittes 7 ist gerade
so gewählt, daß der doppelbrechende Wellenleiterab
schnitt 7 ein λ/4- oder ein λ/2-Element entsprechend
einer λ/4- oder λ/2-Platte in der Freistrahloptik
darstellt.
Selbstverständlich läßt sich auf die oben beschriebene
Weise ein doppelbrechender Wellenleiterabschnitt 7
nicht nur in einem geradlinig verlaufenden Wellenleiter
4 ausbilden, sondern auch in einer komplizierteren
Wellenleiterstruktur.
Fig. 7 zeigt einen Querschnitt durch das Glassubstrat
im Bereich des doppelbrechenden Wellenleiterabschnitts
7 zur Veranschaulichung der Orientierung der Haupt
achsen 10, 11 der Doppelbrechung, die sich rechtwink
lig bzw. parallel zur Oberfläche 9 des Glassubstrates
1 erstrecken.
Nachfolgend wird ein weiteres Ausführungsbeispiel für
die Herstellung eines doppelbrechenden Wellenleiter
abschnitts 7 durch einen doppelten Ionenaustauschprozeß
unter der Verwendung zweier verschiedener Salzschmel
zenzusammensetzungen beschrieben.
Fig. 4 zeigt das Glassubstrat 1 mit der ersten Abdeck
maske 2, die entsprechend der im Zusammenhang mit
Fig. 1 beschriebenen Abdeckmaske 2 mit einem
Schlitz 3 ausgebildet und hergestellt ist. In Abwei
chung von dem zusammen mit Fig. 1 beschriebenen Ver
fahren wird jedoch beim ersten Ionenaustauschprozeß
eine Kaliumnitratschmelze verwendet. Nach dem Ein
tauchen des Glassubstrates 1 erfolgt daher ein Aus
tausch der im Glassubstrat 1 vorhandenen Natriumionen
gegen Kaliumionen im Glassubstrat 1 entlang dem Schlitz
3. Aus der obigen Tabelle ergibt sich, daß beim Aus
tausch von Natriumionen gegen Kaliumionen in der Salz
schmelze eine große positive Doppelbrechung infolge der
Erzeugung mechanischer Spannungen aufgrund der unter
schiedlichen Ionengrößen auftritt. Der so erzeugte und
in Fig. 4 dargestellte Wellenleiter 12 weist somit
entlang seiner gesamten Länge eine hohe positive Dop
pelbrechung auf.
Nach dem Ersetzen der ersten Abdeckmaske 2 durch
eine in Fig. 6 gezeigte zweite Abdeckmaske 13 mit
einem Steg 14 bzw. nach einem Ergänzen der ersten
Abdeckmaske 2 durch einen Steg 14, erfolgt ein
zweiter Ionenaustauschprozeß in einer Salzschmelze, die
aus einem Gemisch von Silbernitrat, Kaliumnitrat und
Natriumnitrat hergestellt ist. Der Kaliumnitratanteil
der Salzschmelze dient dazu, den Verlust an Kaliumionen
aus dem doppelbrechenden Wellenleiter 12 zu puffern.
Aus dem Natriumnitratanteil treten Natriumionen in den
doppelbrechenden Wellenleiter 12 ein, was gemäß der
obigen Tabelle einen großen negativen Einfluß auf die
Doppelbrechung hat. Der Verlust von Kaliumionen führt
zu einer Brechungsindexerniedrigung, die jedoch durch
das Eindringen von Silberionen kompensiert wird. Insge
samt ergibt sich durch den zweiten Ionenaustauschpro
zeß, daß im Bereich der Schlitze 15 und 16 neben dem
Steg 14 der ursprünglich doppelbrechende Wellenleiter
12 so verändert wird, daß im Bereich der Schlitze 15,
16 Wellenleiterabschnitte ohne Doppelbrechung erzeugt
werden, die in Fig. 3 mit den Bezugszeichen 17 und 18
bezeichnet sind.
Durch den anhand der Fig. 4 beschriebenen ersten Ionen
austauschprozeß wird somit der in Fig. 5 perspektivisch
dargestellte doppelbrechende Wellenleiter 12 mit Haupt
achsen 10 und 11 erzeugt, um im Anschluß mit Hilfe der
in Fig. 6 dargestellten Abdeckmaske 13 und einem
zweiten Ionenaustauschprozeß zu einem Wellenleiter 4
entsprechend Fig. 3 zu gelangen, der über nichtdoppel
brechende Wellenleiterabschnitte 17 und 18 verfügt, die
beidseitig an einen doppelbrechenden Wellenleiterab
schnitt 7 angekoppelt sind. Der Doppelpfeil 19 in den
Fig. 2, 3, 6 und 9 veranschaulicht dabei jeweils die
Länge des herzustellenden bzw. hergestellten doppel
brechenden Wellenleiterabschnitts 7.
Wie der Fachmann aus den obigen Erörterungen erkennt,
ist es auch möglich, gemäß einer weiteren Abwandlung
der Erfindung, den ersten Ionenaustauschprozeß mit
einer Abdeckmaske 5 entsprechend Fig. 2 durchzu
führen, wobei eine nur Kaliumionen oder Kaliumionen und
Natriumionen enthaltende Salzmischung für die Salz
schmelze verwendet wird. Dieser Prozeß erzeugt eine
Verspannung des Wellenleiterabschnitts bei geringer
Indexerhöhung. Vor dem zweiten Austausch wird gemäß
dieser Abwandlung eine Abdeckmaske 2 entsprechend
Fig. 1 auf das Substrat aufgebracht. Der Austausch
erfolgt dann in einer Schmelze mit Silberionen, Kalium
ionen und Natriumionen, wobei das Verhältnis der Ka
lium- und Natriumionen so ausgelegt ist, daß bei dem
Prozeß in dem verwendeten Glas keine Doppelbrechung
entsteht. Hier wird also durch leichte Verspannung
des Glases die formbedingte Doppelbrechung kompensiert.
Auch mit diesem in der Zeichnung nicht gesondert darge
stellten Verfahren kann eine integriert-optische Ver
sion eines optischen Isolators hergestellt werden, bei
dem Licht mit einer Polarisation in 45° zur Oberfläche
eingestrahlt wird. Der doppelbrechende Wellenleiterab
schnitt wird durch Einstellung der Doppelbrechung
(Kaliumionen/Natriumionenverhältnis beim ersten Prozeß)
und durch Vorgabe der Länge so ausgelegt, daß die TE-
und die TM-Wellen des Lichtstrahles nach Durchlaufen
des Wellenleiterabschnitts um eine halbe Wellenlänge
phasenverschoben sind.
Eine weitere Möglichkeit zur Durchführung des doppelten
Ionenaustauschprozesses besteht darin, als erste Maske
die in Fig. 6 dargestellte Abdeckmaske und als
zweite Maske die in Fig. 2 dargestellte Abdeckmaske
5 zu verwenden, um nach Durchführung der beiden Ionen
austauschprozesse zu der in Fig. 3 veranschaulichten
Struktur zu gelangen.
Der in Fig. 3 perspektivisch und in Fig. 7 im Schnitt
dargestellte Wellenleiterabschnitt 7 verfügt über
Hauptachsen 10, 11, die rechtwinklig bzw. parallel zur
Oberfläche 9 des Glassubstrates 1 verlaufen.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung können
die Hauptachsen 10, 11 auch mit anderen Orientierungen
hergestellt werden. Da die Orientierung der Hauptachsen
bei hoher Verspannung des Wellenleiterabschnitts 7
hauptsächlich durch die Orientierung der Hauptspan
nungen gegeben ist, erfolgt gemäß der Erfindung eine
mechanische Nachbehandlung, durch die die Richtungen
der Hauptspannungen verändert werden.
Dazu wird auf das in Fig. 3 bzw. 7 dargestellte Chip
erneut eine Maskierung aufgebracht, die jedoch diesmal
keinen mit dem Wellenleiter 4 fluchtenden Schlitz,
sondern einen neben dem Wellenleiterabschnitt 7 paral
lel zu diesem verlaufenden Schlitz aufweist. Diese in
der Zeichnung nicht dargestellte dritte Maskierung
deckt das Chip 8 somit bis auf einen kurzen Schlitzbe
reich neben dem doppelbrechenden Wellenleiterabschnitt
7 vollkommen ab.
Zur Veränderung der Orientierung der Hauptachsen 10, 11
wird durch den Schlitz der dritten Maskierung eine
Grube 20 entlang dem doppelbrechenden Wellenleiterab
schnitt 7 in das Glassubstrat 1 eingeätzt. Die Tiefe
der Grube 20 entspricht dabei in etwa der Ausdehnung
des Wellenleiterabschnitts 7 rechtwinklig zur Ober
fläche 9. Je nach der Tiefe der Grube 20 kann die
Orientierung der Hauptachsen 10, 11 verändert werden.
Das Ätzen der Grube 20 entlang dem Wellenleiterab
schnitt 7 erfolgt beispielsweise durch reaktives Ionen
ätzen, durch ein trockenes Ätzen mit Gasen oder ein
Ätzen mit Flüssigkeiten.
Fig. 9 zeigt in perspektivischer Ansicht die Lage der
Grube 20 auf der Oberfläche 9 eines fertigen Chips 8.
Die geätzte Grube 20 ist in Fig. 10 zusammen mit dem
doppelbrechenden Wellenleiterabschnitt 7 vergrößert und
gesondert dargestellt.
Bei dem in den Fig. 8, 9 und 10 dargestellten Ausfüh
rungsbeispiel befindet sich die Grube 20 unmittelbar
neben dem Wellenleiterabschnitt 7. Abwandlungen, bei
denen die Grube auf der anderen Seite oder auf beiden
Seiten des Wellenleiterabschnitts 7 vorgesehen ist,
sind möglich. Ebenso kann die Grube mit einem kleinen
Abstand zum Wellenleiterabschnitt 7 vorgesehen sein.
Claims (10)
1. Verfahren zum Herstellen eines doppelbrechenden
Streifenwellenleiters, bei dem ein Glassubstrat mit
einer einen Schlitz aufweisenden Maske abgedecket und
mittels einer einwertige Kationen enthaltenden Salzschmelze
ein Ionenaustausch in der Oberfläche des
Glassubstrates vorgenommen wird, dadurch
gekennzeichnet, daß das behandelte, mit
einer zweiten Maske, deren Schlitz mit dem der ersten
Maske fluchtet, abgedeckte Substrat einem zweiten
Ionenaustauschprozeß mit einer ebenfalls einwertige
Kationen enthaltenden Salzschmelze unterzogen und durch
die Abstimmung der Konzentrationen und Zusammensetzungen
der beiden Salzschmelzen im Wellenleiter zwischen
zwei nichtdoppelbrechenden Wellenleiterelementen ein
doppelbrechendes Wellenleiterelement mit einer entlang
dem doppelbrechenden Wellenleiterabschnitt verlaufenden
Grube gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Grube durch einen kurzen Schlitz
aufweisende dritte Maske hindurchgeätzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Tiefe und/oder der seitliche Abstand
der Grube zur Einstellung der Richtungen der Hauptachsen
der Doppelbrechung gewählt werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß als Salzschmelzen Silbernitrat
und/oder Natriumnitrat und/oder Kaliumnitrat
verwendet werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß als erste Maske eine mit
durchgehendem langen Schlitz und als zweite Maske eine
mit kurzem, den ersten Schlitz in Längsrichtung überdeckenden
gleichbreiten Schlitz verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß als erste Maske eine mit
durchgehendem langen Schlitz und als zweite eine aus
zwei miteinander fluchtenden Schlitzen, die den Schlitz
der ersten Maske überdecken aber durch einen Steg
voneinander getrennt sind, bestehende Maske verwendet
wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß als erste Maske eine mit
kurzem Schlitz und als zweite Maske, eine mit einem den
ersten Schlitz überdeckenden längeren Schlitz verwendet
wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß als erste Maske eine mit
langem durch einen Steg unterbrochenem Schlitz und als
zweite eine mit im Bereich des Stegs der ersten Maske
liegenden kurzen Schlitz verwendet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß als erste Maske eine mit
kurzem Schlitz und als zweite Maske eine mit einem langem
Schlitz, der durch einen Steg im Bereich des Schlitzes
der ersten Maske unterbrochen ist, verwendet wird.
10. Verwendung eines nach einem der Verfahren gemäß
den Ansprüchen 1 bis 9 hergestellten Streifenwellenleiters
für ein integriert optisches Bauelement.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883807606 DE3807606A1 (de) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | Verfahren zum herstellen eines doppelbrechenden streifenwellenleiters in einem integriert-optischen bauelement sowie ein nach dem verfahren hergestelltes integriert-optisches bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883807606 DE3807606A1 (de) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | Verfahren zum herstellen eines doppelbrechenden streifenwellenleiters in einem integriert-optischen bauelement sowie ein nach dem verfahren hergestelltes integriert-optisches bauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3807606A1 DE3807606A1 (de) | 1989-09-21 |
DE3807606C2 true DE3807606C2 (de) | 1990-08-23 |
Family
ID=6349176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883807606 Granted DE3807606A1 (de) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | Verfahren zum herstellen eines doppelbrechenden streifenwellenleiters in einem integriert-optischen bauelement sowie ein nach dem verfahren hergestelltes integriert-optisches bauelement |
Country Status (1)
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---|---|
DE (1) | DE3807606A1 (de) |
Families Citing this family (4)
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-
1988
- 1988-03-09 DE DE19883807606 patent/DE3807606A1/de active Granted
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DE3807606A1 (de) | 1989-09-21 |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
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