DE2631628A1 - Verwendung von kolloidalen vanadiumpentoxidloesungen zur antistatischen ausruestung hydrophober oberflaechen - Google Patents
Verwendung von kolloidalen vanadiumpentoxidloesungen zur antistatischen ausruestung hydrophober oberflaechenInfo
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H. Bartels
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Staat New York, Vereinigte Staaten von Amerika
Staat New York, Vereinigte Staaten von Amerika
Verwendung von kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen
zur antistatischen Ausrüstung hydrophober Oberflächen
zur antistatischen Ausrüstung hydrophober Oberflächen
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Verwendung von kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen zur antistatischen
Ausrüstung hydrophober Oberflächen.
Die Erfindung betrifft die Verwendung von kolloidalen Vanadiumpontoxidlösungen
(V-Or-Lösungen), gegebenenfalls mit einem Gehalt
an Molybdänoxid, zur antistatischen Ausrüstung hydrophober Oberflächen. Des weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren
zur Herstellung kolloidaler Vanadiumpentoxidlösungen für die antistatische Ausrüstung hydrophober Oberflächen.
Es ist allgemein bekannt, daß sich hydrophobe Oberflächen, beispielsweise
die Schichtträger photographischer, elektrographischer und magnetischer Aufzeichnungsmaterialien sowie hydrophobe Fäden
und Fasern sowie hieraus hergestellte textile Gebilde statisch aufladen können. So haben beispielsweise die Schichtträger photographischer
Materialien die Tendenz, sich beim Auf-, Ab- und Umspulen statisch aufzuladens wobei die erzeugten elektrischen Ladungen
nicht leicht abfließen können, da die Schichtträgermaterialien schlechte elektrische Leiter sind. Infolgedessen werden oftmals
hohe Spannungen erzeugt und bei der Herstellung und Verarbeitung der Schichtträger wie bei der Verwendung der hergestellten
Aufzeichnungsmaterialien treten oftmals plötzliche Entladungen
auf, die sich in dem hergestellten Produkt in nachteiliger Weise bemerkbar machen.
Um die statische Aufladung von hydrophoben Oberflächen zu vermeiden
oder die Gefahr von Aufladungen zu vermindern, ist es bekannt, hydrophobe Oberflächen mit antistatischen Schichten auszurüsten.
So ist es beispielsweise auch bekannt, auf der Rückseite von Schichtträgern für die Herstellung photographischer, elektrographischer
und magnetischer Aufzeichnungsmaterialien leitfähige
antistatische Schichten anzuordnen, die die Ableitung statischer Ladungen ermöglichen und somit plötzliche Entladungen und Entladungsblitze
vermeiden sollen.
Im allgemeinen bestehen derartige antistatisch wirksame Schichten aus einem Bindemittel mit einer hierin dispergierten organischen
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oder mineralischen Substanz, welche die Oberfläche des Schichtträgermaterials
ausreichend leitfähig macht, so daß ein Fluß elektrostatischer Ladungen ermöglicht wird. In den meisten Fällen
handelt es sich dabei um mehr oder weniger hygroskopische Schichten,
deren Wirksamkeit eine Funktion der Luftfeuchtigkeit ist. Dabei hat sich gezeigt, daß derartige Schichten unwirksam sind,
wenn die Feuchtigkeitsgrade gering sind, da sie dabei nicht länger leitfähig sind. Des weiteren hat sich gezeigt, daß derartige
hygroskopische Schichten sich auch bei vergleichsweise sehr hohen Feuchtigkeitsgraden nicht verwenden lassen, da sie dann klebrig
werden und zu einem Zusammenkleben der Trägermaterialien führen, die sich nur unter großen Schwierigkeiten wieder voneinander trennen
lassen. Dabei hat sich gezeigt, daß bei der Trennung von zwei zusammengeklebten Schichten oftmals Ladungen erzeugt werden, die
größer sind als die Ladungen, die in Abwesenheit antistatisch wirksamer Schichten auftreten würden.
In der DT-OS 26 09 010.8 werden antistatische Präparationen beschrieben,
die aus der Lösung eines glasartigen Produktes, erhalten durch Zusammenschmelzen mindestens eines Alkalimetallphosphates
und/oder Alkalimetallpolyphosphates mit mindestens einem Oxid eines Übergangsmetalles bestehen. Das Oxid des Obergangsmetalles
kann dabei aus Vanadiumpentoxid .(V2O5) bestehen, wobei das
Vanadiumoxid im glasförmigen Endprodukt in verschiedenen Valenzzuständen auftreten kann. Die glasförmigen oder glasartigen Verbindungen
können dadurch erhalten werden, daß die zusammengeschmolzenen Mischungen im aufgeschmolzenen Zustand auf eine kalte oder
gekühlte Metallplatte gegossen werden. Das Verfahren zur Herstellung
der glasartigen Massen läßt sich im allgemeinen in zufriedenstellender
Weise durchführen. Es hat sich jedoch gezeigt, daß bei Verwendung von vergleichsweise sehr hohen Mengen an modifizierenden
Oxiden, d.h. den Verbindungen, die die Leitfähigkeitseigenschaften
herbeiführen, die Massen vor der Verfestigung der aufgeschmolzenen Mischung entglasen können, wodurch polykristalline, heterogene
und unlösliche Produkte anfallen können.
Als besonders vorteilhaftes Oxid zur Herstellung antistatischer
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Präparationen rait leitfähigen Eigenschaften hat sich Vanadiumpentoxid
V2Or erwiesen.
Aufgabe der Erfindung war es„ einen Weg aufzufinden, der es ermöglicht,
Vanadiumoxid in eine amorphe Form zu überführen, die sich leicht zur antistatischen Ausrüstung hydrophober Oberflächen
verwenden läßt und sich insbesondere zur Erzeugung dünner Schichten auf Schichtträgern eignet.
Die Herstellung kolloidaler Lösungen von Vanadiumpentoxid ist bekannt,
beispielsweise aus der Zeitschrift "Journal of Physical Chemistry", (1953), Nr. 50, Seite 363 ff. Die Lösungen können
nach verschiedenen Verfahren hergestellt werden, beispielsweise durch Eingießen von V3O5 von Schmelztemperatur in kaltes destilliertes
Wasser. Die dabei anfallenden Lösungen enthalten Teilchen, deren chemische Natur noch nicht restlos geklärt ist. Aus der
Literaturstelle "Kolloid-Zeitschrift, Ji, (1911), Seite 302 ist es
bekannt, daß sich V2O5 nur schlecht in Wasser löst und daß es
möglich ist, kolloidale Lösungen dadurch zu erhalten, daß man V2O2 von Schmelztemperatur in kaltes destilliertes Wasser gießt.
A. Revcolevschi hat auf der am 13. Dezember 1973 stattgefundenen
Konferenz der Societß dfEncouragement pour I1Industrie Nationale
ein neues Verfahren zur Herstellung von amorphen Strukturen von Oxiden und Mischungen von Oxiden beschrieben. Dieses Verfahren,
als Hyper-Abschreckungsverfahren beschrieben, besteht aus einem raschen Abkühlen einer Substanz im flüssigen oder dampfförmigen
Zustand. Im Falle der Abschreckung aus dem flüssigen Zustand hat es sich dabei als notwendig erwiesen, daß die Abkühlungsgeschwindigkeit
des Materials zum Zeitpunkt des Obergangs vom flüssigen
in den festen Zustand ausgesprochen hoch ist. Dies erfordert zu diesem Zeitpunkt eine extrem hohe Wärmeaustauschgeschwindigkeit.
Es hat sich gezeigt, daß der Mechanismus des Wärmeaustausches
durch Leitung die wirksamste Methode ist, sofern die folgenden Bedingungen eingehalten werden:
Der Träger» auf dem das Abschrecken erfolgt, muß ein ausgezeichne-
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ter Wärmeleiter sein;
der Wärmekontakt hat so perfekt wie möglich zu sein;
die Entfernung zwischen Flüssigkeit und Träger soll so gering wie
möglich sein;
die Zeitspanne für den Übergang vom flüssigen Zustand in den
festen Zustand soll so klein wie möglich sein.
A. Revcolevschi hat verschiedene Verfahren vorgeschlagen, um dies zu erreichen. Es war möglich, mittels der beschriebenen Verfahren
amorphe Strukturen herzustellen, da die Abschreckgeschwindigkeit
ausreichend schnell war, um die Struktur des flüssigen Zustandes im festen Zustand zu fixieren.
Der Erfindung lag die Erkenntnis zugrunde, daß sich:
(1) durch Erhitzen der aufgeschmolzenen Masse auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes der Masse konzentriertere V2O5-Lösungen
erhalten lassen und daß,
(2) werden diese Lösungen in Form einer Schicht auf hydrophobe
Oberflächen, beispielsweise Schichtträger aufgetragen, ausgezeichnete
antistatische Effekte erzielt werden, welche weitestgehend von der relativen Luftfeuchtigkeit unabhängig sind.
Erfindungsgemäß lassen sich hydrophobe Oberflächen, beispielsweise
die Schichtträger photographischer, elektrographischer und magnetischer Aufzeichnungsmaterialien in Band- oder Blattform mittels
antistatischer Schichten ausrüsten, die dadurch gekennzeichnet sind, daß sie praktisch amorph sind und als antistatisch wirksame
Substanz eine Substanz enthalten, die zu mindestens 80 I, vorzugsweise mindestens 85 %, aus V-Or-Vanadiumpentoxid besteht.
Der Ausdruck "praktisch amorph" kennzeichnet eine Schicht aus
fin
einer Substanz, der. Röntgenstrahl-Beugungsanalyse zeigt, daß sie zu mindestens 95 % und in der Mehrzahl der Fälle zu mindestens 98 I aus einer amorphen Substanz besteht.
einer Substanz, der. Röntgenstrahl-Beugungsanalyse zeigt, daß sie zu mindestens 95 % und in der Mehrzahl der Fälle zu mindestens 98 I aus einer amorphen Substanz besteht.
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Erfindungsgemäß lassen sich insbesondere photographische und magnetische Materialien xtfirksam antistatisch ausrüsten. Ein
photographisches Material, das nach der Erfindung antistatisch ausgerüstet ist, besteht im einfachsten Falle beispielsweise
aus einem Schichtträger, beispielsweise aus Celluloseacetat oder Polyäthylenglykolterephthalat, der auf der einen Seite
eine lichtempfindliche Aufzeichnungsschicht aufweist, beispielsweise
eine Gelatine-Silberhalogenidemulsionsschicht und auf der anderen Seite eine aus einer kolloidalen Vanadiumpentoxidlösung;
erzeugte antistatisch wirksame Schicht.
Erfindungsgemäß lassen sich zur antistatischen Ausrüstung hydrophober
Oberflächen geeignete kolloidale Vanadiumpentoxidlösungen dadurch herstellen, daß man V-Or auf eine Temperatur von mindestens
1000C oberhalb Schmelztemperatur erhitzt und die aufgeschmolzene
Masse in Wasser gießt, wobei man in vorteilhafter Weise solche Bedingungen einhält, daß die aufgeschmolzene Masse in das
Wasser bei einer Temperatur eintritt, die mindestens 500C oberhalb
der Schmelztemperatur liegt.
Die Gewichtsmenge an V2O5 in der antistatischen Schicht soll bei
mindestens 80 % liegen, in vorteilhafter Weise bei über 85 % oder
bei bis zu 90 Gew.-I und darüber. In den Fällen, in denen die Gewichtsmenge an V2O5 90 % erreicht und bei über 90 I liegt, werden
kolloidale Lösungen erhalten, die auf Grund ihres hohen V20_-Gehaltes
eine vorteilhafte antistatische Ausrüstung bei vergleichsweise geringen Mengen ermöglichen.
Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung erhält man kolloidale V-O5-Lösungen dadurch, daß man eine entsprechende
Menge an V2Or auf eine Temperatur von mindestens 1500C
oberhalb Schmelztemperatur erhitzt und die aufgeschmolzene Masse rasch in destilliertes Wasser, beispielsweise von Raumtemperatur,
unter solchen Bedingungen eingießt, daß die aufgeschmolzene Masse in das Wasser bei einer Temperatur eintritt, die mindestens 500C
oberhalb der Schmelztemperatur liegt. Die Fallhöhe der aufgeschmol-
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zenen Masse kann dabei sehr verschieden sein und zwischen beispielsweise
2 m und nur wenigen cm liegen. Als vorteilhaft hat es sich im allgemeinen erwiesen, wenn die Fallhöhe unterhalb von
15 cm liegt, insbesondere dann, wenn man keine Wärme-Ableitvorrichtung verwendet. Auf diese Weise läßt sich in einer sehr kurzen Zeitspanne die Lösung einer vergleichsweise großen Menge an
V7O1. erreichen.
Verfährt man in der beschriebenen Weise, so lassen sich V2O5-KOnzentrationen
von bis zu 60 g/l und sogar darüber erzielen. Ganz offensichtlich wird dies dadurch erreicht, daß die aufgeschmolzene
Masse bei einer beträchtlich oberhalb der Schmelztemperatur der
Masse liegenden Temperatur in Wasser, vorzugsweise destilliertes Wasser eingegossen wird, und zwar unter solchen Bedingungen, daß
die Masse in das Wasser bei einer Temperatur eintritt, die ebenfalls
oberhalb der Schmelztemperatur liegt.
In vorteilhafter Weise arbeitet man bei Temperaturen von 100 bis
4QO0C oberhalb der Schmelztemperatur, beispielsweise des Schmelzpunktes
von V2O-. Als ganz besonders vorteilhaft hat sich die Anwendung
von Temperaturen von ZOO0C bis 40O0C oberhalb der Schmelztemperatur,
beispielsweise des Schmelzpunktes, von V_0_ erwiesen.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung werden zum
Aufschmelzen Mischungen verwendet, die eine vergleichsweise geringe
Menge eines Glasbildners enthalten, beispielsweise eines Natriumphosphates>bder Natriumpolyphosphates. Gemäß einer weiteren
Ausgestaltung der Erfindung verwendet man gemeinsam mit V2O5 andere
Oxide, beispielsweise Molybdänoxid, gegebenenfalls unter gleichzeitiger Verwendung eines Glasbildners, beispielsweise eines
Natriumphosphates oder Natriumpolyphosphates. Als zweckmäßig hat
es sich erwiesen, wenn die Menge an Glasbildner nicht über 20 I,
vorzugsweise nicht über 15 %, bezogen auf das Gewicht der antistatisch
wirksamen Substanz liegt, d.h. V2O5 oder V2O + MoO-. Die
Menge an V2O5 in derartigen Mischungen liegt bei mindestens 80
Gew.-I.
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Die in der beschriebenen Weise erhaltenen. Lösungen lassen sich
direkt verwenden, beispielsweise direkt auf einen Schichtträger auftrag/, insbesondere als sogenannte Rückschichten auf photographische
Filmschichtträger mit ausgezeichneten antistatischen Eigenschaften,
wobei der Oberflächenwiderstand dieser Schichten
sich nur sehr gering in Abhängigkeit von der Luftfeuchtigkeit ändert. Überdies sind die erzielbaren Widerstandswerte sehr gering,
da sich erfindungsgemäß antistatisch wirksame Schichten herstellen
lassen, die einen hohen V^Or-Gehalt aufweisen.
Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veranschaulichen.
In Platintiegeln wurden in einem elektrischen Ofen bei verschiedenen
Temperaturen, wie aus der folgenden Tabelle I ersichtlich, jeweils 30 g V-O5 aufgeschmolzen. Dabei wurde das Oxid in jedem
Falle im aufgeschmolzenen Zustand 10 Minuten lang bei der angegebenen Temperatur belassen, worauf das Oxid jeweils in 1 Liter
destilliertes Wasser von 200C gegossen wurde, um die Ableitung
der Wärme zu begünstigen. Der Ausguß der Tiegel mit den aufgeschmolzenen Massen befand sich jeweils ungefähr 10 cm von der
Wasseroberfläche entfernt. Am Ende der Zugabe war die Temperatur von etwa 200C auf ungefähr 400C angestiegen. Nach einer Filtration
wurden die Lösungen auf 2,5 g/l verdünnt, worauf sie auf PoIyäthylenterephthalatschichtträger
in einer Konzentration von 20 mg/m Schichtträgerfläche aufgetragen wurden. Ermittelt wurden
die Oberflächenwiderstände der erhaltenen Schichten. Die erhaltenen Ergebnisse sind in den Tabellen I und II zusammengestellt.
In Tabelle I sind die Konzentrationswerte größer als sie sein sollten, da, obgleich die Analysen nach dem Trocknen durchgeführt
wurden, vermutlich etwas teilweise hydratisiertes Oxid hinterblieb, welches den Wert von 31,3 g pro Liter für die Masse erklärt,
die auf eine Temperatur von 11000C aufgeschmolzen worden war.
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263Ί628
Temperatur des aufgeschmolzenen V-O-
7000C
85O0C
10000C 11000C
12000C
Bemerkungen
Braun-rote Lösung
mit unlöslichen
Teilchen
mit unlöslichen
Teilchen
Erhaltene Konzentration in g/l
20,5
Braun-rote Lösung mit unlöslichen Teilchen |
25,6 |
Braun-rote, voll ständige Lösung |
28,6 |
Braun-grüne, voll ständige Lösung |
31,3 |
Grünlicher Nieder schlag |
1,0 |
des | auf- | Tabelle II | RH | 30 % | RH | 15 | Ω | % RH | |
Temperaturen | v2o | 5 | 65 | 80 | |||||
geschmolzenen | 24 | 17 | |||||||
7000C | ,6 | ■ ι | ,5 | 16 | |||||
85O°C | Oberflächenwiderstände in G | ,8 | ,3 | 1 | |||||
10000C | 50 % | ||||||||
11000C | 40 | ||||||||
10 | |||||||||
1. | |||||||||
1. |
Wie sich aus den erhaltenen Daten ergibt, läßt sich der Oberflächenwiderstand
dann besonders stark vermindern, wenn die Temperatur der aufgeschmolzenen Masse bei über 7000C bis 11000C liegt.
Des weiteren hat sich gezeigt, daß der Oberflächenwiderstand vergleichsweise konstant bleibt, wenn sich die relative Feuchtigkeit
ändert, insbesondere im Falle der Lösung, die ausgehend von einer auf 11000C erhitzten Schmelze erhalten wurde. Wie bereits dargelegt,
lassen sich vergleichsweise stark konzentrierte Lösungen dann erhalten, wenn die Schmelze über den Schmelzpunkt hinaus er-
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hitzt wird. Beim Erhitzen der Schmelze um mehr als 40O0C über
den Schmelzpunkt hinaus lassen sich derart hoch konzentrierte Lösungen weniger gut herstellen.
Dies Beispiel zeigt einerseits, daß die Oberflächenwiderstände abnehmen, wenn die Konzentration an V-O5 ansteigt und andererseits,
daß die Oberflächenwiderstände sich nur sehr gering in Abhängigkeit von der relativen Feuchtigkeit ändern, und zwar
umso mehr, umso höher die Konzentration an V^O5 ist.
Es wurde, wie in Beispiel 1 beschrieben, verfahren mit der Ausnahme
jedoch, daß ein Solarofen verwendet wurde, z.B. ein Solarofen vom Typ Odeillo (Eastern Pyrenees). Die erhaltenen Ergebnisse
sind in der folgenden Tabelle III zusammengestellt.
Tabelle IU | 301 RH | 151 RH | |
Verbindung Konzen | [ | C30) | Π5) |
tration in g/l |
0,1 0,5 3 85 140 |
0,1 0,3 7 270 700 |
|
Oberflächenwiderstände in G Ω | unter Verwendung des Sonnenofens (Ti | ||
V2O5 10,8 7,2 3,6 1,8 0,9 |
501 RH | ||
Verbindungen erhalten tür 11000C). |
C50) | ||
0,1 0,2 2,5 18 25 |
Aus den erhaltenen Ergebnissen ergibt sich die gute Stabilität der Oberflächenwiderstände als Funktion der relativen Feuchtigkeit,
insbesondere im Falle hoher V2Os-Konzentrationen. Die bei Verwendung
des Solarofens erhaltenen Produkte weisen praktisch die gleichen Eigenschaften auf wie die Produkte, die unter Verwendung
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eines elektrischen Ofens erhalten wurden. Der Vorteil der Verwendung
eines Solarofens zum Aufschmelzen der V2O5-Massen ist
in der Geschwindigkeit zu sehen, in welcher die erwünschten Produkte
erhalten werden können. Tatsächlich läßt sich in einfacher Weise leicht pro Minute 1 kg V2O5 aufschmelzen und verarbeiten.
Ein weiterer Vorteil eines solchen Aufschmelzprozesses liegt darin, daß bei Durchführung des Aufschmelzprozesses keinerlei
Umwe11vers chmut zungen auftre ten.
Es wurden weitere Lösungen, wie in Beispiel 2 beschrieben, hergestellt,
ausgehend von V-O5 allein oder von Mischungen von
MoO- und Na5P3O10 oder anderen Mischungen von V2
und
Aus den erhaltenen Lösungen wurden dann in der beschriebenen Weise
wiederum Schichten erzeugt, deren Oberflächenwiderstände gemessen wurden. Die erhaltenen Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle IV
zusammengestellt.
Konzentra | Tabelle IV | 301RH (30) |
in G Ω | |
Verbindung | tion in g/l | 100 | 15IRH (15) |
|
11,7 | Oberflächenwiderstände | 250 | ||
V2O5-MoO3- | SOI RH" (50) |
300 | ||
Na5P3O10 | 7,8 | 10 | 2000 | 2000 |
61-13-26++ | 3,9 | 40000 | 30000 | |
1,9 | 30 | 120000 | > | |
1 | 40 | 90 | > | |
10,5, | 200 | 550 | 900 | |
V2°5"Na5P3°1O | 7,0 | 1400 | 2100 | 2000 |
οι _ 17++ | 3,5 | 25 | 65000 | 16000 |
1,75 | 80 | > | > | |
0,9 | 240 | > | ||
450 | ||||
1300 |
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Verbindungen, erhalten unter Verwendung eines Odeillo-Solarofens
(Temperatur 11000C);
Gewichtsmengen.
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Claims (10)
1./ Verwendung von kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen, gegebenenfalls
mit einem Gehalt an Molybdänoxid, hergestellt durch Aufschmelzen von Vanadiumpentoxid, gegebenenfalls mit einem Gehalt
an Molybdänoxid, und Erhitzen auf eine Temperatur von mindestens 1000C oberhalb Schmelztemperatur und Eingießen in Wassers zur
antistatischen Ausrüstung hydrophober Oberflächen.
2. Verwendung von kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen zur antistatischen
Ausrüstung von photographischen, elektrophotographischen und magnetischen Aufzeichnungsmaterialieno
3. Verwendung von kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen zur Erzeugung
antistatischer Rückschichten von photographischea, elektrophotographischen
und magnetischen Aufzeichnungsmaterialieno
4. Verwendung von kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen zur Erzeugung
antistatischer Rückschichten von photographischen Aufzeicknungsmaterialien
mit mindestens einer lichtempfindlichen Silberhalogenidemulsionsschichtο
5. Verfahren zur Herstellung von kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen
zur Verwendung nach Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man Vanadiumpentoxid, gegebenenfalls in Mischung mit Molybdänoxid,
aufschmelzt, auf eine Temperatur von mindestens 1000C oberhalb
Schmelztemperatur erhitzt und die Schmelze in destilliertes Wasser gießt, derarts daß die Temperatur der Schmelze bei Eintritt
in das Wasser mindestens 500C oberhalb Schmelztemperatur liegt,
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß man das
Vanadimpentoxid, gegebenenfalls in Mischung mit Molybdänoxid auf
eine Temperatur von mindestens 1500C oberhalb Schmelztemperatur
erhitzt.
6 09883/1319
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß man das
Vanadiumpentoxid, gegebenenfalls in Mischung mit Molybdänoxid,
auf eine Temperatur von mindestens 2000C oberhalb Schmelztemperatur
erhitzt.
8. Verfahren nach Anspruch S9 dadurch gekennzeichnet, daß man das
Vanadiumpentoxidg gegebenenfalls in Mischung mit Molybdänoxid,
auf eine Temperatur von 900 bis 11000C erhitzt, bevor man die
Schmelze in destilliertes Wasser eingießt»
9. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß man zur
Verwendung geeignete Vanadiumpentoxidlösungen herstellt, deren Konzentration an Vanadiumpentoxid bei 1 bis 10 g/l liegt.
10. Verwendung von kolloidalen Vanadiumpentoxidlösungen nach Ansprüchen
1 bis 4S dadurch gekennzeichnet, daß man sie in Mengen
7
voa etwa 20 mg/m Schichtträgerfläche auf Schichtträger aufträgt.
voa etwa 20 mg/m Schichtträgerfläche auf Schichtträger aufträgt.
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7522060A FR2318442A1 (fr) | 1975-07-15 | 1975-07-15 | Nouveau produit, notamment, photographique, a couche antistatique et procede pour sa preparation |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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DE2631628B2 DE2631628B2 (de) | 1978-06-08 |
DE2631628C3 DE2631628C3 (de) | 1979-02-08 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
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