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DE112018003709B4 - Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Herstellen eines Moduls mit Licht emittierender Diode (LED), das Folgendes umfasst:Vorbereiten (S1) eines Substrats (10a) und eines Trägers mit einem LED-Chip (100) darauf;Vorhandensein einer Maske (120) auf dem vorbereiteten Substrat;Aufnehmen (S3) des LED-Chips von dem Träger mit einem Stempel (130);Bewegen (S4) des aufgenommenen LED-Chips, um einer Öffnung der Maske zugewandt zu sein,Bewegen (S5) des LED-Chips derart, dass mindestens ein Teil des LED-Chips in die Öffnung eingesetzt wird; undPositionieren (S6) des LED-Chips auf dem Substrat durch Bewegen des LED-Chips derart, dass mindestens ein Teil des LED-Chips eine Wand der Maske kontaktiert,dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner das Trennen (S7) der Maske von dem Substrat umfasst.

Description

  • [Technisches Gebiet]
  • Die Offenbarung betrifft ein Gerät und ein Verfahren zum Herstellen eines Moduls mit Licht emittierender Diode (LED) und insbesondere eines Geräts und eines Verfahrens, die fähig sind, ein LED-Modul effizient herzustellen.
  • [Allgemeiner Stand der Technik]
  • Eine Anzeigevorrichtung ist ein Typ einer Ausgabevorrichtung für das visuelle Anzeigen von Dateninformationen, wie Buchstaben und Figuren, Bildern oder dergleichen.
  • Die Anzeigevorrichtung beinhaltet eine selbst emittierende Anzeigetafel, wie eine organische Licht emittierende Diode (Organic Light-Emitting Diode - OLED), oder eine Licht empfangende Anzeigetafel, wie eine Flüssigkristallanzeige (Liquid Crystal Display - LCD).
  • Ferner kann eine neue Anzeigetafel durch modulares Kombinieren einer Vielzahl von LEDs miteinander hergestellt werden. In diesem Fall weist die Vielzahl von LEDs eine Größe einer Mikroeinheit auf, um ein Hochauflösungsbild anzuzeigen.
  • Um eine Mikro-LED als ein Anzeigefeld herzustellen, muss eine Vielzahl von Mikro-LEDs, die auf einem Wafer hergestellt ist, zu einem einzigen Substrat bewegt werden, und Hochauflösungsbildanzeige und Farbenreproduzierbarkeit des Anzeigefelds werden weitgehend von einer Technologie des Bewegens und Einrichtens der Vielzahl von Mikro-LEDs beeinflusst. Ein Verfahren zum Herstellen eines Moduls mit Licht emittierender Dioden ist in US 9 835 014 B2 offenbart.
  • [Offenbarung]
  • [Technische Problemstellung]
  • Folglich besteht ein Aspekt der Offenbarung darin, ein Gerät und ein Verfahren zum Herstellen eines Moduls mit Licht emittierender Diode (LED) bereitzustellen, das eine verbesserte Struktur aufweist, die fähig ist, eine Anzeigevorrichtung, die eine hohe Auflösung aufweist, herzustellen.
  • Ein anderer Aspekt der Offenbarung besteht darin, ein Gerät und ein Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls bereitzustellen, das eine verbesserte Struktur aufweist, um zu verhindern, dass ein LED-Chip während eines Prozesses des Transferierens des LED-Chips und des Positionierens des LED-Chips auf einem Substrat beschädigt wird.
  • Noch ein anderer Aspekt der Offenbarung ist das Bereitstellen eines Geräts und eines Verfahrens zum Herstellen eines LED-Moduls, das eine verbesserte Struktur aufweist, um einen LED-Chip ohne Weiteres auf einem Substrat zu positionieren.
  • Zusätzliche Aspekte der Offenbarung werden zum Teil in der folgenden Beschreibung dargelegt, und sind zum Teil aus der Beschreibung offensichtlich oder können durch die Praxis der Erfindung erlernt werden.
  • [Technische Lösung]
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der Offenbarung kann ein Verfahren zum Herstellen eines Moduls mit Licht emittierender Diode (LED) das Vorbereiten eines Substrats und eines Trägers, auf dem ein LED-Chip angeordnet ist, das Anordnen oder Platzieren einer Maske auf dem Substrat, wobei die Maske eine Öffnung beinhaltet, und eine Wand, die die Öffnung definiert, oder eine Wand, die die Öffnung bildet, das Aufnehmen oder Nehmen des LED-Chips von dem Träger mit einem Stempel, das Bewegen des LED-Chips, der mit dem Stempel aufgenommen wurde, um der Öffnung zugewandt zu sein, das Bewegen des LED-Chips derart, dass mindestens ein Teil des LED-Chips in die Öffnung eingesetzt wird, und das Positionieren des LED-Chips auf dem Substrat durch Bewegen des LED-Chips derart, dass mindestens ein Teil des LED-Chips die Wand kontaktiert, beinhaltet.
  • In Übereinstimmung mit der Erfindung weist das Verfahren zum Herstellen des Moduls mit Licht emittierender Diode (LED) ferner das Trennen der Maske von dem Substrat auf.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der Offenbarung kann das Verfahren zum Herstellen des Moduls mit Licht emittierender Dioden (LED) ferner das Bewegen des LED-Chips in eine erste Richtung derart beinhalten, dass mindestens ein Teil des LED-Chips in die Öffnung eingesetzt ist, und das Bewegen des LED-Chips in eine zweite Richtung derart, dass mindestens ein Teil des LED-Chips die Wand kontaktiert.
  • Die Öffnung und die Wand können alternativ in der zweiten Richtung angeordnet sein.
  • Die Öffnung kann eine kürzere Seite beinhalten, die sich in die zweite Richtung erstreckt, und eine längere Seite, die sich in eine dritte Richtung erstreckt.
  • Die Öffnung kann eine Vielzahl von Öffnungen, die in einem Gittermuster eingerichtet sind, beinhalten.
  • Die Öffnung kann einen gekrümmten Abschnitt beinhalten.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der Offenbarung kann das Verfahren zum Herstellen des Moduls mit Licht emittierender Diode (LED) ferner das Verwenden einer Magnetkraft beinhalten, um den LED-Chip auf dem Substrat zu positionieren.
  • Der LED-Chip kann ein Material beinhalten, das auf die Magnetkraft reagiert.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der Offenbarung kann das Verfahren zum Herstellen des Moduls mit Licht emittierender Diode (LED) ferner das Bewegen des LED-Chips, der durch den Stempel aufgenommen wurde, zu dem Substrat in einem Zustand beinhalten, in dem der LED-Chip auf dem Stempel angebracht ist, und das lineare Bewegen oder Drehen des Stempels, nachdem mindestens ein Teil des LED-Chips in die Öffnung eingesetzt wurde.
  • Eine Breite einer Öffnung kann 120 % einer Breite des LED-Chips in die zweite Richtung gemessen betragen.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der Offenbarung kann ein Gerät zum Herstellen eines Moduls mit Licht emittierender Diode (LED) einen Träger beinhalten, auf dem ein LED-Chip angeordnet ist, ein Substrat, das an den Träger angrenzend angeordnet ist, einen Stempel, der konfiguriert ist, um den LED-Chip von dem Träger aufzunehmen und den LED-Chip auf dem Substrat zu platzieren, und eine Maske, die auf dem Substrat positioniert ist und eine Öffnung beinhaltet.
  • Die Maske kann abnehmbar auf dem Substrat angeordnet werden.
  • Die Maske kann ferner eine Wand, die die Öffnung definiert, beinhalten. Der Stempel kann sich linear bewegen oder drehen, um den LED-Chip die Wand kontaktieren zu lassen, um den LED-Chip von dem Stempel zu trennen.
  • Wenn sich der Stempel linear bewegt, kann eine Breite der Öffnung 120 % einer Breite des LED-Chips in eine Richtung gemessen, in die sich der Stempel bewegt, betragen.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der Offenbarung kann ein Gerät zum Herstellen eines Moduls mit Licht emittierender Diode (LED) ferner einen Elektromagnet beinhalten, der an das Substrat angrenzend derart angeordnet ist, dass der LED-Chip von dem Stempel getrennt und auf dem Substrat positioniert wird.
  • Der Elektromagnet kann abnehmbar angeordnet werden, um dem Stempel mit dem Substrat dazwischen zugewandt zu sein.
  • Die Maske kann in das Substrat derart integriert werden, dass der LED-Chip auf dem Substrat durch die Öffnung positioniert wird.
  • [Vorteilhafte Effekte]
  • Eine Vielzahl von LED-Chips kann präzis und dicht auf einem Substrat durch Verwenden des LED-Modulherstellungsgeräts positioniert werden. Eine Anzeigevorrichtung, die eine hohe Auflösung aufweist, kann folglich hergestellt werden.
  • Wenn LED-Chips aufgenommen und unter Verwenden des LED-Modulherstellungsgeräts transportiert werden, besteht kein Bedarf, statische Elektrizität an die LED-Chips anzulegen, wodurch effektiv verhindert wird, dass die LED-Chips beschädigt werden.
  • Durch Verwenden einer Maske, die auf einem Substrat angeordnet ist, können LED-Chips ohne Weiteres von einem Stempel getrennt und auf dem Substrat positioniert werden, obwohl eine Bindekraft des Stempels in Bezug auf die LED-Chips größer ist als eine Bindekraft des Substrats in Bezug auf die LED-Chips.
  • Durch Verwenden eines Elektromagnets können LED-Chips ohne Weiteres von einem Stempel getrennt und auf einem Substrat positioniert werden, obwohl eine Bindekraft des Stempels in Bezug auf die LED-Chips größer ist als eine Bindekraft des Substrats in Bezug an den LED-Chips.
  • Figurenliste
  • Dieser und/oder andere Aspekte der Offenbarung ergeben sich leichter wahrnehmbar aus der folgenden Beschreibung bestimmter Ausführungsformen, die gemeinsam mit den begleitenden Zeichnungen genommen werden, in welchen:
    • 1 eine Ansicht ist, die ein Modul mit Licht emittierender Diode (LED) veranschaulicht, das durch ein LED-Modulherstellungsverfahren nach einem Anspruch hergestellt ist,
    • 2 ein Ablaufdiagramm ist, das ein LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 3 eine Ansicht ist, die einen Positionierungsprozess eines LED-Chips auf einem Substrat bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 4 eine Ansicht ist, die Formen eines Substrats und einer Maske gemäß der ersten Ausführungsform bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 5 eine Ansicht ist, die Formen eines Substrats und einer Maske gemäß einer zweiten Ausführungsform bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 6 eine Ansicht ist, die Formen eines Substrats und einer Maske gemäß einer dritten Ausführungsform bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 7 eine Ansicht ist, die Formen eines Substrats und einer Maske gemäß einer vierten Ausführungsform bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 8 eine Ansicht ist, die Formen eines Substrats und einer Maske gemäß einer fünften Ausführungsform bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 9 ein Ablaufdiagramm ist, das ein LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer zweiten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 10 eine Ansicht ist, die einen Positionierungsprozess eines LED-Chips auf einem Substrat bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 11 ein Ablaufdiagramm ist, das ein LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer dritten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 12 eine Ansicht ist, die einen Positionierungsprozess eines LED-Chips auf einem Substrat bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 13 eine Ansicht ist, die einen Positionierungsprozess eines LED-Chips auf einem Substrat bei einem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer vierten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 14 eine Ansicht ist, die einen Positionierungsprozess eines LED-Chips auf einem Substrat bei einem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer fünften Ausführungsform veranschaulicht;
  • [Ausführungsformen der Erfindung]
  • Unten werden beispielhafte Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die begleitenden veranschaulichenden Zeichnungen ausführlich beschrieben. Bei der folgenden Beschreibung sind die Begriffe „Frontende“, „Rückseitenende“, „oberer Abschnitt“, „unterer Abschnitt“, „oberes Ende“ und „unteres Ende“ basierend auf den Zeichnungen definiert, und die Formen und Positionen der entsprechenden Bauelemente sind durch die Begriffe nicht eingeschränkt.
  • Unten verweist „w1“ auf eine Breite eines Chips mit Licht emittierender Diode (LED), und „w2“ verweist auf eine Breite einer Öffnung.
  • 1 ist eine Ansicht, die ein LED-Modul veranschaulicht, das durch ein LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einem Anspruch hergestellt ist. Als Bezug zeigt 1 ein geformtes LED-Modul. In 1 ist ein geformter Abschnitt schattiert.
  • Wie in 1 gezeigt, kann ein LED-Modul 1 ein Substrat 10 und einen LED-Chip 100, der auf dem Substrat 10 angeordnet ist, beinhalten. Genauer genommen kann das LED-Modul 1 das Substrat 10 und eine Vielzahl von LED-Chips 100, die auf dem Substrat angeordnet ist, beinhalten. Die Vielzahl von LED-Chips 100 kann auf dem Substrat 10 angeordnet sein, um ein spezifisches Muster zu bilden.
  • Das Substrat 10 kann eine Leiterplatte (Printed Circuit Board - PCB) sein.
  • Die LED-Chips 100 können einen roten LED-Chip, einen grünen LED-Chip und einem blauen LED-Chip beinhalten. Die LED-Chips 100 können auf dem Substrat derart eingerichtet sein, dass der rote LED-Chip, der grüne LED-Chip und der blaue LED-Chip eine Einheit bilden.
  • Der LED-Chip 100 kann ein Pad 101 (siehe 3) und eine Elektrode 102 (siehe 3), die auf einer Oberfläche des Pads 101 angeordnet ist, beinhalten. Die Elektrode 102 kann eine positive (+) Elektrode und eine negative (-) Elektrode beinhalten. Vorzugsweise kann das Pad 101 aus einem Metallmaterial gebildet sein. Die Elektrode 102 des LED-Chips 100 kann elektrisch mit einer Elektrode 11 (siehe 3), die auf dem Substrat 10 vorgesehen ist, durch Lötmetall 12 (siehe 3) verbunden werden.
  • Wie in 1 gezeigt, kann, falls die LED-Chips 100 dicht auf dem Substrat 10 angeordnet sind, eine Anzeigevorrichtung mit einer hohen Auflösung hergestellt werden. Ein Prozess des präzisen und dichten Anordnens der LED-Chips 100 auf dem Substrat 10 erfordert hohe Präzision. Unten wird ein Verfahren zum präzisen und dichten Anordnen der LED-Chips 100 auf dem Substrat 10 ausführlich beschrieben.
  • Das LED-Modul 1, das in 1 gezeigt ist, kann durch mindestens eines eines LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer ersten Ausführungsform, eines LED-Modulherstellungsverfahrens gemäß einer zweiten Ausführungsform, eines LED-Modulherstellungsverfahrens gemäß einer dritten Ausführungsform, eines LED-Modulherstellungsverfahrens gemäß einer vierten Ausführungsform und eines LED-Modulherstellungsverfahrens gemäß einer fünften Ausführungsform hergestellt werden.
  • 2 ist ein Ablaufdiagramm, das ein LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht, und 3 ist eine Ansicht, die einen Prozess des Positionierens eines LED-Chips auf einem Substrat bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
  • Wie in den 2 und 3 gezeigt, weist das LED-Modulherstellungsverfahren einen Vorgang S1 des Vorbereitens eines Trägers 110 (siehe 14), auf dem der LED-Chip 100 angeordnet ist, und eines Substrats 10a auf.
  • Das Substrat 10a kann die Elektrode 11 beinhalten. Die Elektrode 11, die auf dem Substrat 10a bereitgestellt wird, kann eine positive (+) Elektrode und eine negative (-) Elektrode beinhalten. Die positive (+) Elektrode des Substrats 10a kann mit einer negativen (-) Elektrode des LED-Chips 100 elektrisch verbunden sein, und die negative (-) Elektrode des Substrats 10a kann mit der positiven (+) Elektrode des LED-Chips 100 elektrisch verbunden sein.
  • Das Substrat 10a kann ferner das Lötmetall 12 beinhalten. Das Lötmetall 12 kann auf der Elektrode 11 angeordnet werden, und funktionieren, um die Elektrode 11 des Substrats 10a mit der Elektrode 102 des LED-Chips 100 elektrisch zu verbinden. Das Lötmetall 12 kann zum Beispiel in der Form eines Lötbumps gebildet werden. Alternativ kann das Lötmetall 12 kann zum Beispiel in der Form einer Schicht gebildet werden.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren weist ferner einen Vorgang S2 des Anordnens einer Maske 120 auf dem Substrat 10a auf.
  • Die Maske 120 kann auf einer Oberfläche des Substrats 10a angeordnet werden, auf der die Elektrode 11 und das Lötmetall 12 angeordnet sind. Mit anderen Worten kann die Maske 120 auf dem Substrat 10a angeordnet werden, um zwischen dem Substrat 10a und einem Stempel 130 positioniert zu sein. Die Maske 120 kann eine Öffnung 121 und eine Wand 122 beinhalten. Die Wand 122 kann die Öffnung 121 definieren. Die Maske 120 kann aus einem starren Material gebildet werden. Die Maske 120 kann zum Beispiel aus einem Metallmaterial gebildet werden.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren weist ferner einen Vorgang S3 des Aufnehmens des LED-Chips 100 von dem Träger 110 mit dem Stempel 130 auf.
  • Der Stempel 130 kann aus einem elastischen Material gebildet werden, um einen Aufprall zu minimieren, der an den LED-Chip bei einem Prozess des Aufnehmens des LED-Chips 100 angelegt wird. Der Stempel 130 kann zum Beispiel aus einem Polydimethylsiloxan (PDMS) gebildet werden. Der Stempel 130 kann jedoch aus einem beliebigen anderen Material gebildet werden, solange er einen Aufprall dämpfen kann, der an den LED-Chip 100 angelegt wird. Der Stempel 130 kann einen Körper 131 und einen Vorsprung 132, der aus dem Körper 131 vorragt, beinhalten. Der Vorsprung 132 kann eine Haftfläche beinhalten. Der LED-Chip 100, der auf dem Träger 110 angeordnet ist, kann durch Haften an dem Stempel 130, der sich dem Träger 110 nähert, aufgenommen werden. Genauer genommen kann der LED-Chip an der Klebeoberfläche des Vorsprungs 132 haften.
  • Der Stempel 130 kann die Vielzahl von LED-Chips 100 alle auf einmal von dem Träger 110 aufnehmen. Genauer genommen kann der Stempel 130 eine Vielzahl von Vorsprüngen 132 beinhalten, die der Anzahl der Vielzahl von LED-Chips 100, die von dem Träger 110 aufzunehmen sind, entspricht. Die Vorsprünge 132 des Stempels 130 können auch lokalisiert sein, um Stellen der Vielzahl der LED-Chips 110, die von dem Träger 110 aufzunehmen sind, zu entsprechen. Die Vielzahl von LED-Chips kann von dem Träger 110 aufgenommen und auf dem Substrat 10a in einer Einheit eines Moduls 2, das in 1 gezeigt ist, positioniert werden. Das LED-Modul 1, das in 1 gezeigt ist, kann zum Beispiel mit vier Modulen 2 konfiguriert werden. Das LED-Modul 1 kann jedoch mit fünf oder mehr Modulen oder mit drei oder weniger Modulen 2 konfiguriert werden. Das LED-Modul 1 kann daher mit einem oder mehreren Modulen 2 konfiguriert werden.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren weist ferner einen Vorgang S4 des Bewegens des LED-Chips 100, der von dem Stempel 130 aufgenommen wird, um der Öffnung 121 der Maske 120 zugewandt zu sein, auf. Der LED-Chip 100, der von dem Stempel 130 aufgenommen wird, kann sich zum Beispiel gemeinsam mit dem Stempel 130 bewegen, um der Öffnung 121 der Maske 120 zugewandt zu sein. Mit anderen Worten kann sich der LED-Chip 100, der von dem Stempel 130 aufgenommen wird, zu dem Substrat 10a in einem Zustand bewegen, in dem er an dem Stempel 130 angebracht ist.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren weist ferner einen Vorgang S5 des Bewegens des LED-Chips 100 derart auf, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 121 eingesetzt wird. Genauer genommen kann das LED-Modulherstellungsverfahren ferner den Vorgang des Bewegens des LED-Chips in eine erste Richtung Z beinhalten, bis mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 121 eingesetzt ist. Der LED-Chip 100 kann sich zum Beispiel gemeinsam mit dem Stempel 130 derart bewegen, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 121 der Maske eingesetzt wird.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren weist ferner einen Vorgang S6 des Bewegens des LED-Chips 100 auf, bis mindestens ein Teil des LED-Chips 100 die Wand 122 kontaktiert, und das Positionieren des LED-Chips 100 auf dem Substrat 10a. Genauer genommen kann das LED-Modulherstellungsverfahren ferner einen Vorgang des Bewegens des LED-Chips in eine zweite Richtung Y beinhalten, bis mindestens ein Teil des LED-Chips 100 die Wand 122 kontaktiert. Mit anderen Worten kann das LED-Modulherstellungsverfahren ferner einen Vorgang des Trennens des LED-Chips von dem Stempel 130 durch Bewegen des LED-Chips, bis mindestens ein Teil des LED-Chips mit der Wand 122 zusammenstößt, beinhalten. In diesem Zeitpunkt kann der LED-Chip 100 mit der Wand 122 mit einer Intensität zusammenstoßen, die den LED-Chip 100 nicht durch einen Aufprall beschädigt, der angelegt wird, wenn der LED-Chip 100 mit der Wand 122 zusammenstößt. Bei einem anderen Aspekt kann das LED-Modulherstellungsverfahren ferner einen Vorgang des linearen Bewegens oder des Drehens des Stempels 130 beinhalten, nachdem mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 121 eingesetzt wurde. Der LED-Chip 100, der von dem Stempel 130 aufgenommen wurde, kann zu dem Substrat 10a in dem an dem Stempel 130 angebrachten Zustand bewegt werden. Durch lineares Bewegen oder Drehen des Stempels, nachdem mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 101 eingesetzt wurde, kann der LED-Chip von dem Stempel 130 getrennt werden. Während des Prozesses des linearen Bewegens oder Drehens des Stempels 130, kann der LED-Chip 100, der an dem Stempel angebracht ist, und indem er sich gemeinsam mit dem Stempel 130 bewegt, die Wand 122 kontaktieren oder mit ihr zusammenstoßen. Folglich kann der LED-Chip 100 von dem Stempel 130 getrennt werden und auf dem Substrat 10a angeordnet oder positioniert werden.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren weist ferner einen Vorgang S7 des Trennens der Maske 120 von dem Substrat 10a auf. Nachdem der LED-Chip 100 auf dem Substrat 10a angeordnet wurde, kann die Maske 120 von dem Substrat 10a entfernt werden.
  • Das LED-Modul 1, das von dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform hergestellt wird, kann diversen Prozessen unterworfen werden, wie Härten, Formen und Schneiden, und dann an ein Anzeigegerät angewandt werden. Unten werden Prozesse für das Herstellen des LED-Moduls sequenziell unter Bezugnahme auf 3 beschrieben.
  • Wie in (a) der 3 gezeigt, kann die Maske 120 auf dem Substrat 10a angeordnet werden. Die Maske 120 kann in eine erste Richtung Z angehoben oder gesenkt werden. Wie in (a) der 3 gezeigt, kann die Maske 120 in die erste Richtung Z gesenkt werden, um auf dem Substrat 10a angeordnet zu werden. Die Maske 120 kann die Öffnung 121 beinhalten, und die Wand 122, die bereitgestellt wird, um die Öffnung 121 zu definieren.
  • Wie in (b) der 3 gezeigt, kann sich der Stempel 130, an dem der LED-Chip 100 angebracht ist, dem Substrat 10a nähern. Der Stempel 130 kann in die erste Richtung Z angehoben oder gesenkt werden. Wie in (b) der 3 gezeigt, kann der Stempel 130 in die erste Richtung Z gesenkt werden, um sich dem Substrat 10a zu nähern. Der LED-Chip 100 kann an dem Vorsprung 132 des Stempels 130 angebracht werden. Genauer genommen kann die Elektrode 102 des LED-Chips 100 auf dem Vorsprung 132 der Maske 120 angebracht werden, um der Elektrode 11 des Substrats 10a zugewandt zu sein, um elektrisch mit der Elektrode 11 des Substrats 10a verbunden zu werden.
  • Wie in (c) der 3 gezeigt, kann der Stempel 130 derart bewegt werden, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100, der auf dem Stempel 130 angebracht ist, in die Öffnung 121 der Maske 120 eingesetzt wird. In diesem Zeitpunkt können der LED-Chip 100 und die Öffnung 121 der Maske 120 auf derselben Linie in die erste Richtung Z ausgerichtet werden.
  • Wie in (d) der 3 gezeigt, kann sich der Stempel 130, nachdem mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 121 der Maske 120 eingesetzt wurde, derart bewegen, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100 die Wand 122 der Maske 120 kontaktiert. Der Stempel 130 kann sich in die zweite Richtung Y nach links oder rechts bewegen. Falls sich der Stempel 130 in die zweite Richtung Y nach links bewegt, kann der LED-Chip 100, der auf dem Stempel 130 angebracht ist, die Wand 122, die links von der Öffnung 121 in Bezug auf die Öffnung 121, in die mindestens ein Teil des LED-Chips 100 eingesetzt ist, kontaktieren oder mit ihr zusammenstoßen. In diesem Zeitpunkt kann sich der Stempel 130 in die zweite Richtung Y nach links bewegen, aber der LED-Chip, der auf dem Stempel 130 angebracht ist, kann durch die Wand 122, die sich links von der Öffnung 121 befindet, am Bewegen gehindert werden. Der LED-Chip 100 kann folglich von dem Stempel 130 getrennt werden und auf dem Lötmetall 12 des Substrats 10a, das zu dem Äußeren durch die Öffnung 121 exponiert ist, ruhen. Falls sich der Stempel 130 in die zweite Richtung Y nach rechts bewegt, kann der LED-Chip 100, der an dem Stempel 130 angebracht ist, die Wand 122, die rechts von der Öffnung 121 in Bezug auf die Öffnung 121, in die mindestens ein Teil des LED-Chips 100 eingesetzt ist, kontaktieren oder mit ihr zusammenstoßen. In diesem Zeitpunkt kann sich der Stempel 130 in die zweite Richtung Y nach rechts bewegen, aber der LED-Chip, der auf dem Stempel 130 angebracht ist, kann durch die Wand 122, die sich rechts von der Öffnung 121, befindet am Bewegen gehindert werden. Der LED-Chip 100 kann folglich von dem Stempel 130 getrennt werden und auf dem Lötmetall 12 des Substrats 10a, das zu dem Äußeren durch die Öffnung 121 exponiert ist, ruhen.
  • Wie in (e) der 3 gezeigt, kann sich der Stempel 130, nachdem der LED-Chip 100 auf dem Substrat 10a zum Ruhen gekommen ist, bewegen, um einen Abstand zwischen dem Stempel 130 und dem Substrat 10a zu steigern. Genauer genommen kann der Stempel 130 in die erste Richtung Z angehoben werden, um sich von dem Substrat 10a weg zu bewegen.
  • Wie in (f) der 3 gezeigt, kann die Maske 120 von dem Substrat 10a getrennt werden. Genauer genommen kann die Maske 120 in die erste Richtung Z angehoben und von dem Substrat 10a getrennt werden.
  • Unten wird ein LED-Modulherstellungsgerät gemäß einer beispielhaften Ausführungsform beschrieben.
  • Das LED-Modulherstellungsgerät kann den Träger 110 beinhalten. Der LED-Chip 100 kann auf einer Oberfläche des Trägers angeordnet werden. Genauer genommen kann der Träger 110 eine Klebeoberfläche aufweisen, und der LED-Chip 100 kann an der Klebeoberfläche des Trägers 110 haften.
  • Das LED-Modulherstellungsgerät kann ferner das Substrat 10a beinhalten. Das Substrat 10a kann vorzugsweise an den Träger 110 angrenzend angeordnet werden. Das Substrat 10a kann die Elektrode 11 beinhalten. Die Elektrode 11 kann die positive (+) Elektrode und die negative (-) Elektrode beinhalten. Das Substrat 10a kann ferner das Lötmetall 12 beinhalten. Das Lötmetall 12 kann die Elektrode 102 des LED-Chips 100 mit der Elektrode 11 des Substrats 10a elektrisch verbinden.
  • Das LED-Modulherstellungsgerät kann ferner den Stempel 130 beinhalten. Der Stempel 130 kann sich bewegen, um den LED-Chip 100 von dem Träger 110 aufzunehmen und den LED-Chip 100 auf dem Substrat 10a zu platzieren. Der Stempel 130 kann den Körper 131 und den Vorsprung 132, der von dem Körper 131 vorragt, beinhalten. Der Stempel 130 kann die Klebeoberfläche aufweisen. Genauer genommen kann die Klebeoberfläche des Stempels 130 auf dem Vorsprung 132 gebildet werden, und der LED-Chip 100, der von dem Träger 110 aufgenommen wird, kann auf der Klebeoberfläche des Vorsprungs 132 haften. Der Stempel 130 kann sich linear bewegen oder drehen, um den LED-Chip 100 die Wand 122 der Maske 120 kontaktieren oder mit ihr zusammenstoßen zu lassen, um den LED-Chip von dem Stempel 130 zu trennen. Der LED-Chip 100, der von dem Stempel 130 getrennt wird, kann auf dem Substrat 10a positioniert werden.
  • Das LED-Modulherstellungsgerät kann ferner einen Stempelantrieb (nicht gezeigt) zum Bewegen des Stempels 130 beinhalten. Der Stempel 130 kann mit dem Stempelantrieb verbunden werden, um eine Antriebskraft von dem Stempelantrieb zu empfangen.
  • Das LED-Modulherstellungsgerät kann ferner die Maske 120, die abnehmbar auf dem Substrat 10a angeordnet ist, beinhalten. Die Maske 120 kann die Öffnung 121 und die Wand 122, die die Öffnung 121 definiert, beinhalten.
  • Die erste Richtung Z kann zu der zweiten Richtung Y senkrecht sein, obwohl sie nicht darauf beschränkt ist.
  • 4 ist eine Ansicht, die Formen eines Substrats und einer Maske gemäß einer ersten Ausführungsform des LED-Modulherstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht, und 5 ist eine Ansicht, die Formen eines Substrats und einer Maske gemäß einer zweiten Ausführungsform des LED-Modulherstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht. 6 ist eine Ansicht, die Formen eines Substrats und einer Maske gemäß einer dritten Ausführungsform des LED-Modulherstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht, und 7 ist eine Ansicht, die Formen eines Substrats und einer Maske gemäß einer vierten Ausführungsform des LED-Modulherstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht. 8 ist eine Ansicht, die Formen eines Substrats und einer Maske gemäß einer fünften Ausführungsform bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht. Die Masken und Substrate, die in den 4 bis 8 gezeigt sind, können bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform, dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform, dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der vierten Ausführungsform und dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der fünften Ausführungsform sowie bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform verwendet werden.
  • Wie in den 4 bis 8 gezeigt, können die Masken und die Substrate diverse Formen aufweisen. Die Formen der Masken können den Formen der Substrate entsprechen. Genauer genommen können die Masken Formen aufweisen, die Einrichtungsmustern der LED-Chips, die auf den Substraten angeordnet werden, entsprechen. Unten werden diverse Formen der Masken und der Substrate beschrieben.
  • Wie in 4 gezeigt, kann ein Substrat 10b eine erste Fläche 13 und eine zweite Fläche 14 beinhalten. Der LED-Chip 100 kann auf die erste Fläche 13 des Substrats 10b montiert werden. Die zweite Fläche 14 des Substrats 10b kann bereitgestellt werden, um die erste Fläche 13 zu definieren. Als ein Beispiel kann die erste Fläche 13 von der zweiten Fläche 14 umgeben sein. Zusätzlich kann die zweite Fläche 14 des Substrats 10b an die erste Fläche 13 angrenzend angeordnet werden. Die Vielzahl von LED-Chips 100 kann auf die erste Fläche 13 des Substrats 10b in Einheiten von Modulen montiert werden. Ein Chip mit roter LED R, ein Chip mit grüner LED G und ein Chip mit blauer LED B können eine Moduleinheit bilden.
  • Eine Maske 120a kann an das Substrat 10b angelegt werden. Genauer genommen kann die Maske 120a auf dem Substrat 10b derart angeordnet werden, dass sie fähig ist, zum Lokalisieren des LED-Chips 100 auf dem Substrat 10b verwendet zu werden. Die Maske 120a kann die Öffnung 121 beinhalten. Die Öffnung 121 kann gebildet werden, um die erste Fläche 13 des Substrats 10b mit der Außenseite zu exponieren, wenn die Maske 120a auf dem Substrat 10b angeordnet wird. Der LED-Chip 100 kann auf die erste Fläche 13 des Substrats 10b durch die Öffnung 121 der Maske 120a montiert werden. Die Maske 120a kann ferner die Wand 122 beinhalten. Die Wand 122 kann die Öffnung 121 definieren. Die Wand 122 kann auf der zweiten Fläche 14 positioniert werden, wenn die Maske 120a auf dem Substrat 10b angeordnet ist.
  • Die Öffnung 121 und die Wand 122 können abwechselnd eingerichtet werden. Genauer genommen können die Öffnung 121 und die Wand 122 abwechselnd in die zweite Richtung Y eingerichtet werden.
  • Die Öffnung 121 kann die Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs des LED-Chips 100 gebildet wird, aufweisen. Die Öffnung 121 kann zum Beispiel die Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs einer Vielzahl von LED-Chips 100 in einer Moduleinheit gebildet wird, aufweisen. Als ein anderes Beispiel kann die Öffnung 121 die Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs jedes der Vielzahl von LED-Chips 100 gebildet wird, aufweisen. Bei noch einem anderen Beispiel kann die Öffnung 121 die Form einer geschlossenen Schleife aufweisen, die entlang des Umfangs einer Vielzahl von LED-Chips 100, die eine Reihe oder Spalte in die zweite Richtung Y oder in eine dritte Richtung X bilden, aufweisen. 4 zeigt die Öffnung 121, die die Form einer geschlossenen Schleife aufweist, die entlang des Umfangs der Vielzahl von LED-Chips 100, die eine Reihe oder Spalte in die dritte Richtung X bilden, gebildet sind. Wie in 4 gezeigt, kann die zweite Richtung Y zu der dritten Richtung X senkrecht sein.
  • Die Öffnung 121 kann eine kürzere Seite 123 beinhalten, die sich in die zweite Richtung Y erstreckt, und eine längere Seite 124, die sich in eine dritte Richtung X erstreckt. 4 zeigt die Öffnung 121, die eine rechteckige Form aufweist.
  • Eine Breite der Öffnung 121 kann größer sein als die des LED-Chips 100 (siehe (f) der 3). Vorzugsweise kann die Breite der Öffnung 121 120 % der des LED-Chips in die zweite Richtung Y gemessen betragen. Mit anderen Worten kann die kürzere Seite 123 der Öffnung 121 eine Länge aufweisen, die 120 % der Breite des LED-Chips, in die zweite Richtung Y gemessen, entspricht.
  • Wie in 5 gezeigt, kann ein Substrat 10c die erste Fläche 13 und die zweite Fläche 14 beinhalten. Eine ausführliche Beschreibung des Substrats 10c wird weggelassen, weil sie sich mit der Beschreibung, die oben unter Bezugnahme auf 4 gegeben wurde, überschneidet.
  • Eine Maske 120b kann die Öffnung 121 und die Wand 122 beinhalten. Eine ausführliche Beschreibung der Maske 120b wird auch weggelassen, weil sie sich mit der Beschreibung, die oben unter Bezugnahme auf 4 gegeben wurde, überschneidet.
  • Die Öffnung 121 und die Wand 122 können abwechselnd angeordnet werden. Genauer genommen können die Öffnung 121 und die Wand 122 abwechselnd in die zweite Richtung Y, die eine Richtung, die von der zweiten Richtung Y in 4 unterschiedlich ist, angeordnet werden.
  • Die Öffnung 121 kann die Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs des LED-Chips 100 gebildet wird, aufweisen. Die Öffnung 121 kann zum Beispiel die Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs einer Vielzahl von LED-Chips 100 in einer Moduleinheit gebildet wird, aufweisen. Als ein anderes Beispiel kann die Öffnung 121 die Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs jedes der Vielzahl von LED-Chips 100 gebildet wird, aufweisen. Als noch ein anderes Beispiel kann die Öffnung 121 die Form einer geschlossenen Schleife aufweisen, die entlang des Umfangs einer Vielzahl von LED-Chips 100, die Reihen oder Spalten in die zweite Richtung Y bildet, in die sich der Stempel 130 bewegt, wenn mindestens ein LED-Chip 100 in die Öffnung 121 eingesetzt ist, oder in die dritte Richtung X gebildet ist. 5 zeigt die Öffnung 121, die die Form einer geschlossenen Schleife aufweist, die entlang des Umfangs der Vielzahl von LED-Chips 100, die eine Reihe oder Spalte in die dritte Richtung X bilden, gebildet sind. Hierin kann die dritte Richtung X zu der zweiten Richtung Y senkrecht sein.
  • Die Öffnung 121 kann die kürzere Seite 123 beinhalten, die sich in die zweite Richtung Y erstreckt, und die längere Seite 124, die sich in die dritte Richtung X erstreckt. 5 zeigt die Öffnung 121, die eine rechteckige Form aufweist. In 4 hat die Vielzahl von Öffnungen 121 dieselbe Größe, während die Vielzahl von Öffnungen 121 in 5 unterschiedliche Größen aufweist. Bei einer beispielhaften Ausführungsform nimmt die Größe der Vielzahl von Öffnungen 121 von den Umfängen des Substrats 10c zu der Mitte des Substrats 10c zu.
  • Eine Breite der Öffnung 121 kann größer sein als die des LED-Chips 100 (siehe (f) der 3). Vorzugsweise kann die Breite der Öffnung 121 120 % der des LED-Chips in die zweite Richtung Y gemessen betragen. Mit anderen Worten kann die kürzere Seite 123 der Öffnung 121 eine Länge aufweisen, die 120 % der Breite des LED-Chips, in die zweite Richtung Y gemessen, entspricht.
  • Wie in 6 gezeigt, kann ein Substrat 10d die erste Fläche 13 und die zweite Fläche 14 beinhalten. Eine ausführliche Beschreibung des Substrats 10d wird weggelassen, weil sie sich mit der Beschreibung, die oben unter Bezugnahme auf 4 gegeben wurde, überschneidet.
  • Eine Maske 120c kann die Öffnung 121 und die Wand 122 beinhalten. Eine ausführliche Beschreibung der Maske 120c wird weggelassen, weil sie sich mit der Beschreibung, die oben unter Bezugnahme auf 4 gegeben wurde, überschneidet.
  • Die Vielzahl von Öffnungen 121, und die Vielzahl von Wänden 122 kann in einem Gittermuster eingerichtet werden.
  • Die Öffnung 121 kann die Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs des LED-Chips 100 gebildet wird, aufweisen. 6 zeigt die Öffnung 121 in der Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs einer Vielzahl von LED-Chips 100 in einer Moduleinheit gebildet wird.
  • Die Öffnung 121 kann eine erste Seite 125 beinhalten, die sich in die zweite Richtung Y erstreckt, und eine zweite Seite 126, die sich in die Richtung X erstreckt und dieselbe Länge aufweist wie die erste Seite 125. 6 zeigt die Öffnung 121, die die Form eines Quadrats aufweist.
  • Eine Breite der Öffnung 121 kann größer sein als die Breite des LED-Chips 100 (siehe (f) der 3). Vorzugsweise kann die Breite der Öffnung 121 120 % der des LED-Chips in die zweite Richtung Y gemessen betragen. Mit anderen Worten können die erste Seite 125 und die zweite Seite 126 der Öffnung 121 eine Länge aufweisen, die 120 % der Breite des LED-Chips, in die zweite Richtung Y gemessen, entspricht.
  • Wie in 7 gezeigt, kann ein Substrat 10e die erste Fläche 13 und die zweite Fläche 14 beinhalten. Eine ausführliche Beschreibung des Substrats 10e wird weggelassen, weil sie sich mit der Beschreibung, die oben unter Bezugnahme auf 4 gegeben wurde, überschneidet.
  • Eine Maske 120d kann die Öffnung 121 und die Wand 122 beinhalten. Eine ausführliche Beschreibung der Maske 120d wird auch weggelassen, weil sie sich mit der Beschreibung, die oben unter Bezugnahme auf 4 gegeben wurde, überschneidet.
  • Die Öffnung 121 kann einen gekrümmten Abschnitt beinhalten.
  • Die Öffnung 121 kann die Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs des LED-Chips 100 gebildet wird, aufweisen. 7 zeigt die Öffnung 121 in der Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs einer Vielzahl von LED-Chips 100 in einer Moduleinheit gebildet wird. 7 zeigt die Öffnung 121, die die Form eines Kreises aufweist. In 7 weist die Vielzahl der Öffnungen 121 der Maske 120d die gleiche Größe auf. Es kann jedoch auch möglich sein, die Maske 120d mit Öffnungen 121 mit unterschiedlichen Größen zu konzipieren.
  • Eine Breite der Öffnung 121 kann größer sein als die des LED-Chips 100 (siehe (f) der 3). Ein Durchmesser der Öffnung 121 kann daher größer sein als die Breite des LED-Chips 100.
  • Wie in 8 gezeigt, kann ein Substrat 10f die erste Fläche 13 und die zweite Fläche 14 beinhalten. Eine ausführliche Beschreibung des Substrats 10f wird weggelassen, weil sie sich mit der Beschreibung, die oben unter Bezugnahme auf 4 gegeben wurde, überschneidet.
  • Eine Maske 120e kann die Öffnung 121 und die Wand 122 beinhalten. Eine ausführliche Beschreibung der Maske 120e wird auch weggelassen, weil sie sich mit der Beschreibung, die oben unter Bezugnahme auf 4 gegeben wurde, überschneidet.
  • Die Öffnung 121 kann einen gekrümmten Abschnitt beinhalten.
  • Die Öffnung 121 kann die Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs des LED-Chips 100 gebildet wird, aufweisen. 8 zeigt die Öffnung 121 in der Form einer geschlossenen Schleife, die entlang des Umfangs einer Vielzahl von LED-Chips 100 in einer Moduleinheit gebildet wird. 8 zeigt die Öffnung 121, die die Form eines Klees aufweist. In 8 hat die Vielzahl der Öffnungen 121 der Maske 120e die gleiche Größe. Es kann jedoch auch möglich sein, die Maske 120e mit Öffnungen 121 mit unterschiedlichen Größen zu konzipieren.
  • Eine Breite der Öffnung 121 kann größer sein als die des LED-Chips 100.
  • 9 ist ein Ablaufdiagramm, das ein LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer zweiten Ausführungsform veranschaulicht, und 10 ist eine Ansicht, die einen Prozess des Positionierens eines LED-Chips auf einem Substrat bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. Unten werden Beschreibungen, die sich mit denjenigen überschneiden, die bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben wurden, weggelassen.
  • Wie in den 9 und 10 gezeigt, kann das LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform einen Vorgang P1 des Vorbereitens eines Trägers 110, auf dem der LED-Chip 100 angeordnet wird, und eines Substrats 10g, mit dem eine Maske 120f gekoppelt wird, beinhalten. Eine Maske 120f kann die Öffnung 121 und die Wand 122 beinhalten. Die Maske 120f kann in das Substrat 10g integriert sein. Die Maske 120f kann aus einem starren Material gebildet werden.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann weiter einen Vorgang P2 des Aufnehmens des LED-Chips 100 von dem Träger 110 mit dem Stempel 130 beinhalten.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang P3 des Bewegens des LED-Chips 100, der von dem Stempel 130 aufgenommen wird, um der Öffnung 121 der Maske 120 zugewandt zu sein, beinhalten.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang P4 des Bewegens des LED-Chips 100 derart beinhalten, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 121 eingesetzt wird.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang P5 des Bewegens des LED-Chips 100 derart beinhalten, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100 die Wand 122 kontaktiert, um den LED-Chip 100 auf dem Substrat 10g zu positionieren.
  • Das LED-Modul 1, das von dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform hergestellt wird, kann diversen Prozessen unterworfen werden, wie Härten, Formen und Schneiden, und dann an ein Anzeigegerät angewandt werden. Unten werden Prozesse für das Herstellen des LED-Moduls sequenziell unter Bezugnahme auf 10 beschrieben.
  • Wie in (a) der 10 gezeigt, kann sich der Stempel 130, auf dem der LED-Chip 100 angebracht ist, dem Substrat 10g, mit dem die Maske 120f gekoppelt ist, nähern. Der Stempel 130 kann in die erste Richtung Z angehoben oder gesenkt werden. Wie in (a) der 10 gezeigt, kann der Stempel 130 in die erste Richtung Z gesenkt werden, um sich dem Substrat 10g zu nähern.
  • Wie in (b) der 10 gezeigt, kann sich der Stempel 130 derart bewegen, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100, der auf dem Stempel 130 angebracht ist, in die Öffnung 121 der Maske 120f eingesetzt wird. In diesem Zeitpunkt können der LED-Chip 100 und die Öffnung 121 der Maske 120f auf derselben Linie in die erste Richtung Z ausgerichtet werden.
  • Wie in (c) der 10 gezeigt, kann sich der Stempel 130, nachdem mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 121 der Maske 120f eingesetzt wurde, derart bewegen, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100 die Wand 122 der Maske 120f kontaktiert. Der Stempel 130 kann sich dann in die zweite Richtung Y nach links oder rechts bewegen.
  • Wie in (d) der 10 gezeigt, kann sich der Stempel 130, nachdem der LED-Chip 100 auf dem Substrat 10g positioniert wurde, bewegen, um einen Abstand zwischen dem Stempel 130 und dem Substrat 10g zu steigern. Genauer genommen kann der Stempel 130 in die erste Richtung Z angehoben werden, um sich von dem Substrat 10g weg zu bewegen.
  • Bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform, kann die Maske 120f von dem Substrat 10g getrennt und mit dem Substrat 10g, wenn es verwendet wird, gekoppelt werden. Die Maske 120f kann jedoch in das Substrat 10g integriert sein. In diesem Fall kann eine der Strukturen, die auf dem Substrat 10g angeordnet ist, als die Wand 122 der Maske 120f dienen. Wie oben beschrieben, wenn die Maske 120f integral mit dem Substrat 10g gebildet wird, können der Prozess des Positionierens der Maske 120f auf dem Substrat 10g und der Prozess des Entfernens der Maske 120f von dem Substrat 10g weggelassen werden, wodurch ein LED-Modulherstellungsverfahren einfach werden kann.
  • 11 ist ein Ablaufdiagramm, das ein LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer dritten Ausführungsform veranschaulicht, und 12 ist eine Ansicht, die einen Prozess des Positionierens eines LED-Chips auf einem Substrat bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform zeigt. Unten werden Beschreibungen, die sich mit denjenigen überschneiden, die bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben wurden, weggelassen.
  • Wie in den 11 und 12 gezeigt, kann das LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform einen Vorgang T1 des Vorbereitens eines Trägers 110, auf dem der LED-Chip 100 angeordnet ist, und eines Substrats 10h beinhalten.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang T2 des Anordnens einer Maske 120g auf dem Substrat 10h beinhalten.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang T3 des Aufnehmens des LED-Chips 100 von dem Träger 110 mit dem Stempel 130 beinhalten.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang T4 des Bewegens des LED-Chips 100, der von dem Stempel 130 aufgenommen wird, um der Öffnung 121 der Maske 120g zugewandt zu sein, beinhalten.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang T5 des Bewegens des LED-Chips 100 derart beinhalten, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 121 eingesetzt wird.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang T6 des Betätigens eines Elektromagnets 140 beinhalten. Mit anderen Worten kann das LED-Modulherstellungsverfahren ferner einen Vorgang eines Anlegens einer Magnetkraft an den LED-Chip 100 beinhalten.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang T7 des Bewegens des LED-Chips 100 derart beinhalten, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100 die Wand 122 kontaktiert, um den LED-Chip 100 auf dem Substrat 10h zu positionieren.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang T8 des Betätigens des Elektromagnets 140 beinhalten.
  • Das LED-Modulherstellungsverfahren kann ferner einen Vorgang T9 des Trennens der Maske 120g von dem Substrat 10h beinhalten.
  • Das LED-Modul 1, das von dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform hergestellt wird, kann diversen Prozessen unterworfen werden, wie Härten, Formen und Schneiden, und dann an ein Anzeigegerät angewandt werden.
  • Unten werden Prozesse für das Herstellen des LED-Moduls sequenziell unter Bezugnahme auf 12 beschrieben.
  • Wie in (a) der 12 gezeigt, kann die Maske 120g auf dem Substrat 10h angeordnet werden. Die Maske 120g kann in die erste Richtung Z angehoben oder gesenkt werden. Wie in (a) der 12 gezeigt, kann die Maske 120g auf dem Substrat 10h angeordnet werden, indem sie in die erste Richtung Z gesenkt wird.
  • Wie in (b) der 12 gezeigt, kann sich der Stempel 130, an dem der LED-Chip 100 angebracht ist, dem Substrat 10h nähern. Der Stempel 130 kann in die erste Richtung Z angehoben oder gesenkt werden. Wie in (b) der 12 gezeigt, kann der Stempel 130 in die erste Richtung Z gesenkt werden, um sich dem Substrat 10h zu nähern.
  • Wie in (c) der 12 gezeigt, kann sich der Stempel 130 derart bewegen, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100, der auf dem Stempel 130 angebracht ist, in die Öffnung 121 der Maske 120g eingesetzt wird.
  • Wie in (d) der 12 gezeigt, kann der Elektromagnet 140, nachdem mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 121 der Maske 120g eingesetzt wurde, arbeiten. Ferner nachdem mindestens ein Teil des LED-Chips 100 in die Öffnung 121 der Maske 120g eingesetzt wurde, kann sich der Stempel 130, bewegen, bis mindestens ein Teil des LED-Chips 100 die Wand 122 der Maske 120g kontaktiert. Der Stempel 130 kann sich dann in die zweite Richtung Y nach links oder rechts bewegen. Der Vorgang zum Betreiben des Elektromagnets 140 und der Vorgang des Bewegens des Stempels 130, um zu veranlassen, dass mindestens ein Teil des LED-Chips 100 die Wand 122 kontaktiert, kann gleichzeitig oder sequenziell ausgeführt werden.
  • Wie in (e) der 12 gezeigt, kann das Betreiben des Elektromagnets 140 gestoppt werden, nachdem der LED-Chip 100 auf dem Substrat 10h positioniert wurde, der LED-Chip 100 auf dem Substrat 10h positioniert wurde, erzeugt der Elektromagnet eventuell keine Magnetkraft mehr. Ferner kann sich der Stempel 130, nachdem der LED-Chip 100 auf dem Substrat 10h positioniert wurde, bewegen, um einen Abstand zwischen dem Stempel 130 und dem Substrat 10h zu steigern. Genauer genommen kann der Stempel 130 in die erste Richtung Z angehoben werden, um sich von dem Substrat 10h weg zu bewegen. Der Vorgang des Stoppens des Betriebs des Elektromagnets 140 und der Vorgang des Bewegens des Stempels 130 können gleichzeitig oder sequenziell ausgeführt werden.
  • Wie in (f) der 12 gezeigt, kann die Maske 120g von dem Substrat 10h getrennt werden. Genauer genommen kann die Maske 120g entlang der ersten Richtung Z angehoben und von dem Substrat 10h getrennt werden.
  • Unten wird ein LED-Modulherstellungsgerät wie folgt beschrieben.
  • Das LED-Modulherstellungsgerät kann ferner den Elektromagnet 140 beinhalten. Der Elektromagnet 140 kann an das Substrat 10h angrenzend derart angeordnet werden, dass der LED-Chip 100 von dem Stempel 130 getrennt und auf dem Substrat 10h positioniert ist. Der Elektromagnet 140 kann zum Beispiel unter dem Substrat 10h angeordnet werden. Bei einem anderen Aspekt kann der Elektromagnet 140 angeordnet werden, um dem Stempel 130 mit dem Substrat 10h dazwischen zugewandt zu sein. Der Elektromagnet 140 kann an einem unteren Abschnitt des Substrats 10h befestigt werden. Der Elektromagnet 140 kann auch abnehmbar angeordnet werden.
  • Bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform, kann der LED-Chip 100 ein Material beinhalten, das auf eine Magnetkraft reagiert. Bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform, kann der LED-Chip 100 ein Material beinhalten, das auf eine Magnetkraft reagiert.
  • Gemäß dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform kann durch Betätigen des Elektromagnets 140 zum Anlegen einer Magnetkraft an den LED-Chip 100 zusätzlich dazu, dass der LED-Chip 100 veranlasst wird, die Wand 122 der Maske 120g zu kontaktieren, um den LED-Chip 100 von dem Stempel 130 zu trennen, eine zusätzliche Anziehungskraft an den LED-Chip 100 durch den Elektromagnet 140 zu dem Substrat 10h angelegt werden. Der LED-Chip 100 kann folglich effektiver von dem Stempel 130 getrennt und auf dem Substrat 10h positioniert werden. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform trennt sich der LED-Chip von dem Stempel und wird präziser auf dem Substrat 10h positioniert, indem eine zusätzliche Anziehungskraft von dem Elektromagnet 140 vorhanden ist.
  • 13 eine Ansicht ist, die einen Positionierungsprozess eines LED-Chips auf einem Substrat bei einem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt. Unten werden Beschreibungen, die sich mit denjenigen, die bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform und dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform beschrieben sind, überschneiden, weggelassen. Unten werden Prozesse für das Herstellen des LED-Moduls sequenziell unter Bezugnahme auf 13 beschrieben.
  • Wie in (a) der 13 gezeigt, kann sich der Stempel 130, an dem der LED-Chip 100 angebracht ist, dem Substrat 10i nähern. Der Stempel 130 kann in die erste Richtung Z angehoben oder gesenkt werden. Wie in (a) der 13 gezeigt, kann der Stempel 130 entlang der ersten Richtung Z gesenkt werden, um sich dem Substrat 10i zu nähern.
  • Wie in (b) der 13 gezeigt, kann der Elektromagnet 140 arbeiten, falls sich der Stempel 130, auf dem der LED-Chip 100 angebracht ist, dem Substrat 10i ausreichend nähert. In diesem Zeitpunkt kann der Elektromagnet 140 mit dem LED-Chip 100, der auf dem Stempel 130 angebracht ist, in Wechselwirkung treten. Eine Magnetkraft, die von dem Elektromagnet 140 erzeugt wird, kann daher an den LED-Chip 100, der auf dem Stempel 130 angebracht ist, angelegt werden. Eine Anziehungskraft zu dem Substrat 10i kann folglich an den LED-Chip 100 angelegt werden.
  • Wie in (c) der 13 gezeigt, kann der Elektromagnet 140, nachdem der LED-Chip 100 von dem Stempel 130 getrennt und auf dem Substrat 10i positioniert wurde, den Betrieb einstellen. Daher erzeugt der Elektromagnet 140, nachdem der LED-Chip 100 auf dem Substrat 10i positioniert wurde, eventuell keine Magnetkraft mehr. Zusätzlich kann sich der Stempel 130, nachdem der LED-Chip 100 auf dem Substrat 10h positioniert wurde, bewegen, um einen Abstand zwischen dem Stempel 130 und dem Substrat 10i zu steigern. Genauer genommen kann der Stempel 130 in die erste Richtung Z angehoben werden, um sich von dem Substrat 10i weg zu bewegen. Der Vorgang des Stoppens des Betriebs des Elektromagnets und der Vorgang des Bewegens des Stempels 130 können gleichzeitig oder sequenziell ausgeführt werden.
  • 14 eine Ansicht ist, die schematisch einen Positionierungsprozess eines LED-Chips auf einem Substrat bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß einer fünften Ausführungsform veranschaulicht. Unten werden Beschreibungen, die sich mit denjenigen überschneiden, die bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben wurden, weggelassen.
  • Wie in 14 gezeigt, kann ein LED-Modulherstellungsgerät den Träger 110 aufweisen. Der LED-Chip 100 kann auf dem Träger 110 angeordnet werden. Genauer genommen kann der Träger 110 einen Körper 111 und eine Haftschicht 112, die auf dem Körper 111 gebildet ist, beinhalten. Der LED-Chip 100 kann auf der Haftschicht 112 angeordnet werden.
  • Das LED-Modulherstellungsgerät kann ferner das Substrat 10j beinhalten. Vorzugsweise kann das Substrat 10j an den Träger 110 angrenzend angeordnet werden. Das Substrat 10j kann die Elektrode 11 beinhalten. Die Elektrode 11 kann die positive (+) Elektrode und die negative (-) Elektrode beinhalten. Das Substrat 10j kann ferner eine Klebeschicht 15 beinhalten. Die Klebeschicht 15 kann durch Lötmetall hergestellt werden. Die Klebeschicht 15 kann die Elektrode 102 des LED-Chips 100 mit der Elektrode 11 des Substrats 10j elektrisch verbinden.
  • Das LED-Modulherstellungsgerät kann ferner einen Stempel 130a beinhalten. Der Stempel 130a kann sich bewegen, um den LED-Chip 100 von dem Träger 110 aufzunehmen und den LED-Chip 100 auf dem Substrat 10j zu platzieren. Der Stempel 130 kann eine Klebeoberfläche aufweisen. Der LED-Chip 100, der von dem Träger 110 aufgenommen wird, kann an der Klebeoberfläche des Stempels 130a haften. Der LED-Chip 100, der von dem Stempel 130a getrennt wird, kann auf dem Substrat 10j positioniert werden. Der Stempel 130a kann aus einem elastischen Material hergestellt werden.
  • Das LED-Modulherstellungsgerät kann ferner einen Stempelantrieb 150 zum Bewegen des Stempels 130a beinhalten.
  • Das LED-Modulherstellungsgerät kann ferner einen Stempelsteckverbinder 160, der zwischen dem Stempel 130a und dem Stempelantrieb 150 positioniert ist, beinhalten. Der Stempelsteckverbinder 160 kann den Stempel 130a tragen. Bei einem anderen Aspekt kann der Stempelsteckverbinder 160 den Stempel 130a mit dem Stempelantrieb 150 verbinden. Genauer genommen kann der Stempelsteckverbinder 160 eine Saugkraft an den Stempel 130a anlegen, um den Stempel 130a mit dem Stempelantrieb 150 zu verbinden.
  • Unten werden Prozesse zum Herstellen des LED-Moduls sequenziell beschrieben.
  • Der Träger 110, auf dem der LED-Chip 100 angeordnet wird, kann vorbereitet werden. Der Träger 110 kann auf einer Schiene 200 angeordnet werden.
  • Dann kann sich der Stempel 130a dem Träger 110 nähern. Der Stempel 130a kann in die erste Richtung Z angehoben oder gesenkt werden. Der Stempel 130a kann in die erste Richtung Z gesenkt werden, um sich dem Träger 110 zu nähern.
  • Der Stempel 130a, der nahe dem Träger 110 legt, kann den LED-Chip 100 von dem Träger 110 aufnehmen und sich dann in die erste Richtung Z heben.
  • Dann kann sich der Stempel 130a zu dem Substrat 10j bewegen. In diesem Zeitpunkt kann der LED-Chip an dem Stempel 130a angebracht werden und sich gemeinsam mit dem Stempel 130a bewegen. Genauer genommen kann sich der Stempel 130a zu dem Substrat 10j entlang der zweiten Richtung Y bewegen. In diesem Zeitpunkt kann die erste Richtung Z zu der zweiten Richtung Y senkrecht sein, obwohl sie nicht darauf beschränkt ist.
  • Der Stempel 130a kann sich dem Substrat 10j derart nähern, dass die Elektrode 102 des LED-Chips 100, der von dem Stempel 130a aufgenommen wird, der Elektrode 11 des Substrats 10j entspricht. Der Stempel 130a kann in die erste Richtung Z zu dem Substrat 10j gesenkt werden. Das Substrat 10j kann auf der Schiene 200 angeordnet werden. Das Substrat 10j kann auf derselben Schiene angeordnet werden wie der Träger 110, oder auf einer Schiene, die von der des Trägers 110 unterschiedlich ist.
  • Nachdem der LED-Chip 100, der von dem Stempel 130a aufgenommen wurde, von dem Stempel 130a getrennt und auf dem Substrat 10j positioniert wurde, kann der Stempel 130a in die erste Richtung Z angehoben werden.
  • Bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der fünften Ausführungsform muss eine Haftkraft des Stempels 130a in Bezug auf den LED-Chip 100 eventuell größer sein als eine Haftkraft des Trägers 100 sind in Bezug auf den LED-Chip 100, und eine Haftkraft des Substrats 10j in Bezug auf den LED-Chip 100 muss eventuell größer sein als die Haftkraft des Stempels 130a in Bezug auf den LED-Chip 100. In diesem Fall kann der Stempel 130a den LED-Chip 100 von dem Träger 110 aufnehmen, und der LED-Chip 100, der von dem Stempel 130a aufgenommen wurde, kann auf dem Substrat 10j positioniert werden.
  • Bei dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten Ausführungsform, dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform, dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der dritten Ausführungsform und dem LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der vierten Ausführungsform kann der LED-Chip 100, der von dem Stempel 130 aufgenommen wird ohne Weiteres von dem Stempel 130 getrennt und effektiv auf den Substraten 10a, 10g, 10h und 10i positioniert werden, obwohl eine Haftkraft der Substrate 10a, 10g, 10h und 10i in Bezug auf den LED-Chip 100 gleich oder kleiner als eine Haftkraft des Stempels 130 in Bezug auf den LED-Chip 100 ist. Falls folglich die LED-Modulherstellungsverfahren gemäß der ersten bis vierten Ausführungsform verwendet werden, kann der LED-Chip 100, der von dem Stempel 130 aufgenommen wird, effektiv auf den Substraten 10a, 10g, 10h und 10i ungeachtet der Haftkraft der Substrate 10a, 10g, 10h und 10i in Bezug auf den LED-Chip 100 positioniert werden.

Claims (10)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Moduls mit Licht emittierender Diode (LED), das Folgendes umfasst: Vorbereiten (S1) eines Substrats (10a) und eines Trägers mit einem LED-Chip (100) darauf; Vorhandensein einer Maske (120) auf dem vorbereiteten Substrat; Aufnehmen (S3) des LED-Chips von dem Träger mit einem Stempel (130); Bewegen (S4) des aufgenommenen LED-Chips, um einer Öffnung der Maske zugewandt zu sein, Bewegen (S5) des LED-Chips derart, dass mindestens ein Teil des LED-Chips in die Öffnung eingesetzt wird; und Positionieren (S6) des LED-Chips auf dem Substrat durch Bewegen des LED-Chips derart, dass mindestens ein Teil des LED-Chips eine Wand der Maske kontaktiert, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner das Trennen (S7) der Maske von dem Substrat umfasst.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner Folgendes umfasst: Bewegen (P4) des LED-Chips in eine erste Richtung derart, dass mindestens ein Teil des LED-Chips in die Öffnung eingesetzt wird; und Bewegen (P5) des LED-Chips in eine zweite Richtung derart, dass mindestens ein Teil des LED-Chips die Wand, die die Öffnung bildet, kontaktiert.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Öffnung und die Wand abwechselnd in der zweiten Richtung angeordnet sind.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Öffnung Folgendes umfasst: eine kürzere Seite, die sich in die zweite Richtung erstreckt, und eine längere Seite, die sich in eine dritte Richtung erstreckt.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Öffnung eine Vielzahl von Öffnungen, die in einem Gittermuster angeordnet sind, umfasst.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Öffnung einen gekrümmten Abschnitt umfasst.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Anlegen (T7) einer Magnetkraft umfasst, um den LED-Chip auf dem Substrat zu positionieren.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der LED-Chip ein Material, das auf die Magnetkraft reagiert, umfasst.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner Folgendes umfasst: Bewegen des aufgenommenen LED-Chips zu dem Substrat in einem Zustand, in dem der LED-Chip an dem Stempel angebracht wird; und lineares Bewegen oder Drehen des Stempels, nachdem mindestens ein Teil des LED-Chips in die Öffnung eingesetzt wurde.
  10. Verfahren nach Anspruch 2, wobei eine Breite der Öffnung 120 % einer Breite des LED-Chips, in die zweite Richtung gemessen, beträgt.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10978530B2 (en) 2016-11-25 2021-04-13 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US10998352B2 (en) 2016-11-25 2021-05-04 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US10916523B2 (en) * 2016-11-25 2021-02-09 Vuereal Inc. Microdevice transfer setup and integration of micro-devices into system substrate
KR102430018B1 (ko) * 2017-12-20 2022-08-05 엘지디스플레이 주식회사 이송 헤드 어셈블리 및 발광소자 이송장치
KR102311727B1 (ko) * 2019-05-29 2021-10-13 서울대학교산학협력단 전자 장치 및 스탬핑과 자기장 정렬을 이용한 전자 소자의 전사 방법
KR102695965B1 (ko) * 2019-06-20 2024-08-16 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조를 위한 기판 및 디스플레이 장치의 제조방법
WO2020262034A1 (ja) * 2019-06-28 2020-12-30 株式会社ブイ・テクノロジー 電子部品実装構造、その実装方法及びｌｅｄチップ実装方法
KR102659765B1 (ko) * 2019-06-28 2024-04-24 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조를 위한 기판 및 디스플레이 장치의 제조방법
CN110379761B (zh) * 2019-07-18 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 微发光二极管转移基板及装置
JP6696036B1 (ja) * 2019-08-01 2020-05-20 信越エンジニアリング株式会社 ワーク転写装置及びワーク転写チャック並びにワーク転写方法
CN113394153B (zh) * 2020-03-13 2024-03-15 东莞市中麒光电技术有限公司 Led芯片的混晶方法
CN113497073B (zh) * 2020-03-18 2022-10-21 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种便于修复的led显示器及其修复方法
KR102346195B1 (ko) 2020-05-21 2022-01-03 주식회사 인터원 엘이디 모듈 자동화 조립장치
US12009339B2 (en) 2020-08-18 2024-06-11 Seoul National University R&Db Foundation Electronic device and method of transferring electronic element using stamping and magnetic field alignment
CN118103964A (zh) * 2021-10-14 2024-05-28 信越化学工业株式会社 受体基板、受体基板的制造方法、移载方法、led面板的制造方法和压模
CN114171398A (zh) * 2021-12-03 2022-03-11 东莞市中麒光电技术有限公司 Led显示模块芯片混装方法及led显示模块
KR102640352B1 (ko) 2021-12-06 2024-02-23 주식회사 인터원 Led모듈 인라인 무인 자동화 시스템을 위한 나사분배장치
KR102571765B1 (ko) 2021-12-06 2023-08-28 주식회사 인터원 Led모듈 인라인 무인자동화 시스템을 위한 pcb 정렬장치
KR102690051B1 (ko) 2022-09-19 2024-07-29 나정훈 Led 모듈의 양면테이프 절단 및 부착장치
WO2024075859A1 (ko) * 2022-10-04 2024-04-11 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825014B2 (en) 2015-11-19 2017-11-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Light source module, display panel, and display apparatus including the same
US9835014B2 (en) 2013-04-27 2017-12-05 Xi'an Ruitong Energy Technology Co., Ltd Coaxial perforating charge and its perforation method for self-eliminating compacted zone

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002062825A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Sony Corp 画像表示装置及びその製造方法
US7943052B2 (en) * 2005-07-05 2011-05-17 National Taiwan University Method for self-assembling microstructures
TWI592996B (zh) * 2009-05-12 2017-07-21 美國伊利諾大學理事會 用於可變形及半透明顯示器之超薄微刻度無機發光二極體之印刷總成
CN101814487B (zh) * 2010-02-09 2011-09-21 中山大学 一种多芯片led光源模组及其制作方法
KR20120067153A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
JP5700544B2 (ja) * 2011-04-14 2015-04-15 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
US9281451B2 (en) * 2012-02-17 2016-03-08 Industrial Technology Research Institute Light emitting element and fabricating method thereof
US9548332B2 (en) * 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US9318475B2 (en) * 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
KR102143680B1 (ko) * 2014-10-17 2020-08-11 인텔 코포레이션 마이크로 픽 앤드 본드 조립체
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
KR101672781B1 (ko) 2014-11-18 2016-11-07 피에스아이 주식회사 수평배열 어셈블리용 초소형 led 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 수평배열 어셈블리
KR101723436B1 (ko) * 2015-01-13 2017-04-05 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
CN113410146A (zh) 2015-01-23 2021-09-17 维耶尔公司 到受体衬底的选择性微型器件转移
KR20170137797A (ko) * 2015-04-16 2017-12-13 아큘러스 브이알, 엘엘씨 Ｌｅｄ 어레이를 위한 색상 변환 구조
JP6375063B2 (ja) * 2015-05-21 2018-08-15 ゴルテック．インク マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
US20170215280A1 (en) * 2016-01-21 2017-07-27 Vuereal Inc. Selective transfer of micro devices
KR101754528B1 (ko) 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 건식 접착구조를 갖는 ｌｅｄ 구조체 어레이의 전사체와 이를 이용한 ｌｅｄ 구조체 어레이의 이송방법 및 ｌｅｄ 구조체
CN105870265A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置
CN106058010B (zh) * 2016-07-26 2019-02-01 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管阵列的转印方法
CN106782128A (zh) * 2017-01-24 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9835014B2 (en) 2013-04-27 2017-12-05 Xi'an Ruitong Energy Technology Co., Ltd Coaxial perforating charge and its perforation method for self-eliminating compacted zone
US9825014B2 (en) 2015-11-19 2017-11-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Light source module, display panel, and display apparatus including the same

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