Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN110998870A - 用于制造led模块的设备和方法 - Google Patents

用于制造led模块的设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110998870A
CN110998870A CN201880048802.6A CN201880048802A CN110998870A CN 110998870 A CN110998870 A CN 110998870A CN 201880048802 A CN201880048802 A CN 201880048802A CN 110998870 A CN110998870 A CN 110998870A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led chip
substrate
led
opening
stamper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880048802.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110998870B (zh
Inventor
尹正勋
车暻焄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN110998870A publication Critical patent/CN110998870A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110998870B publication Critical patent/CN110998870B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F7/00—Magnets
    • H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/81002—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a removable or sacrificial coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112—Aligning
    • H01L2224/81121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112—Aligning
    • H01L2224/81136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112—Aligning
    • H01L2224/81148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/81169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H01L2224/8118—Translational movements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81192—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95001—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95121—Active alignment, i.e. by apparatus steering
    • H01L2224/95133—Active alignment, i.e. by apparatus steering by applying an electromagnetic field
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95136—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies involving guiding structures, e.g. shape matching, spacers or supporting members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种能够有效地制造LED模块的设备和方法。制造发光二极管(LED)模块的方法包括：准备基板和布置有LED芯片的载体；将掩模布置在基板上，其中，掩模包括开口和限定或形成所述开口的壁；利用压模从载体拾取LED芯片；移动由压模拾取的LED芯片以面向所述开口；移动LED芯片，使得LED芯片的至少一部分被插入到所述开口中；并且通过移动LED芯片使得LED芯片的所述至少一部分接触所述壁，将LED芯片放置在基板上。

Description

用于制造LED模块的设备和方法
技术领域
本公开涉及一种用于制造发光二极管(LED)模块的设备和方法，更具体地，涉及一种能够有效地制造LED模块的设备和方法。
背景技术
显示装置是一种用于可视地显示数据信息(诸如字符和图形、图像等)的输出装置。
显示装置包括诸如有机发光二极管(OLED)的自发光显示面板或者诸如液晶显示器(LCD)的受光显示面板。
此外，可通过将多个LED彼此模块化地组合来实现新的显示面板。在这种情况下，多个LED具有微单元的尺寸以显示高分辨率图像。
为了将微型LED制造为显示面板，必须将在晶片上制造的多个微型LED移到单个基板上，并且移动和布置多个微型LED的技术极大地影响了高分辨率图像显示和显示面板的色彩再现性。
发明内容
技术问题
本公开的一方面在于提供一种用于制造具有能够实现具有高分辨率的显示装置的改进结构的发光二极管(LED)模块的设备和方法。
本公开的另一方面在于提供一种用于制造具有用于防止在转移LED芯片并将LED芯片放置在基板上的过程期间损坏LED芯片的改进结构的LED模块的设备和方法。
本公开的又一方面在于提供一种用于制造具有用于容易地将LED芯片放置在基板上的改进结构的LED模块的设备和方法。
本公开的其他方面将在下面的描述中部分地被阐述，并且部分地从该描述中将是显而易见的，或者可通过本公开的实践而获知。
解决方案
根据本公开的一方面，一种制造发光二极管(LED)模块的方法可包括：准备基板和布置有LED芯片的载体；将掩模布置或放置在基板上，其中，掩模包括开口和限定所述开口的壁或形成所述开口的壁；利用压模从载体拾取或获取LED芯片；移动由压模拾取的LED芯片以面向所述开口；移动LED芯片使得LED芯片的至少一部分被插入到所述开口中；并且通过移动LED芯片使得LED芯片的所述至少一部分接触所述壁，将LED芯片放置在基板上。
根据本公开的一方面，所述制造发光二极管(LED)模块的方法还可包括将掩模与基板分离。
根据本公开的一方面，所述制造发光二极管(LED)模块的方法还可包括在第一方向上移动LED芯片，使得LED芯片的所述至少一部分被插入到所述开口中，并且在第二方向上移动LED芯片，使得LED芯片的所述至少一部分接触所述壁。
所述开口和所述壁可在第二方向上被交替地布置。
所述开口可包括在第二方向上延伸的较短边和在第三方向上延伸的较长边。
所述开口可包括以网格图案布置的多个开口。
所述开口可包括曲线部分。
根据本公开的一方面，所述制造发光二极管(LED)模块的方法还可包括使用磁力以将LED芯片放置在基板上。
LED芯片可包括响应所述磁力的材料。
根据本公开的一方面，所述制造发光二极管(LED)模块的方法还可包括：在LED芯片被附着在压模的状态下，将由压模拾取的LED芯片朝向基板移动，并且在LED芯片的所述至少一部分被插入到所述开口之后，线性地移动或转动压模。
所述开口的宽度可以是在第二方向上测量的LED芯片的宽度的120％。
根据本公开的另一方面，一种制造发光二极管(LED)模块的设备可包括：载体，其中，在载体上布置有LED芯片；基板，被布置为与载体相邻；压模，被构造为进行移动以从载体拾取LED芯片并将LED芯片放置在基板上；以及掩模，被放置在基板上并包括开口。
掩模可被可拆卸地布置在基板上。
掩模还可包括限定所述开口的壁。压模可线性地移动或转动以使LED芯片接触所述壁，从而将LED芯片与压模分离。
当压模线性地移动时，所述开口的宽度可以是在压模移动的方向上测量的LED芯片的宽度的120％。
根据本公开的另一方面，一种制造发光二极管(LED)模块的设备还可包括电磁体，被布置为与基板相邻，使得LED芯片与压模分离并被放置在基板上。
电磁体可被可拆卸地布置为面向压模，并且基板在电磁体和压模之间。
掩模可被集成到基板中，使得LED芯片通过所述开口被放置在基板上。
有益效果
通过使用LED模块制造设备，可将多个LED芯片精确且密集地放置在基板上。因此，可实现具有高分辨率的显示装置。
当使用LED模块制造设备拾取并转移LED芯片时，不需要将静电施加到LED芯片，从而有效地防止了LED芯片的损坏。
通过使用布置在基板上的掩模，即使压模对于LED芯片的结合力大于基板对于LED芯片的结合力，LED芯片也可容易地与压模分离并被放置在基板上。
通过使用电磁体，即使压模对于LED芯片的结合力大于基板对于LED芯片的结合力，LED芯片也可容易地与压模分离并被放置在基板上。
附图说明
从以下结合附图对特定实施例的描述，本公开的这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易理解，其中：
图1是示出通过根据实施例的发光二极管(LED)模块的制造方法制造的LED模块的示图；
图2是示出根据第一实施例的LED模块制造方法的流程图；
图3是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的将LED芯片放置在基板上的工艺的示图；
图4是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的根据第一实施例的基板和掩模的形状的示图；
图5是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的根据第二实施例的基板和掩模的形状的示图；
图6是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的根据第三实施例的基板和掩模的形状的示图；
图7是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的根据第四实施例的基板和掩模的形状的示图；
图8是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的根据第五实施例的基板和掩模的形状的示图；
图9是示出根据第二实施例的LED模块制造方法的流程图；
图10是示出在根据第二实施例的LED模块制造方法中的将LED芯片放置在基板上的工艺的示图；
图11是示出根据第三实施例的LED模块制造方法的流程图；
图12是示出在根据第三实施例的LED模块制造方法中的将LED芯片放置在基板上的工艺的示图；
图13是示出在根据第四实施例的LED模块制造方法中的将LED芯片放置在基板上的工艺的示图；以及
图14是示意性地示出在根据第五实施例的LED模块制造方法中的将LED芯片放置在基板上的工艺的示图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述示例性实施例。在下面的描述中，术语“前端”、“后端”、“上部”、“下部”、“上端”和“下端”是基于附图定义的，并且相应组件的形状和位置不受这些术语的限制。
在下文中，“w1”是指发光二极管(LED)芯片的宽度，并且“w2”是指开口的宽度。
图1是示出通过根据实施例的LED模块制造方法制造的LED模块的示图。作为参考，图1示出了模制的LED模块。在图1中，以阴影表示模制的部分。
如图1所示，LED模块1可包括基板10和布置在基板10上的LED芯片100。更具体地，LED模块1可包括基板10和布置在基板10上的多个LED芯片100。多个LED芯片100可被布置在基板10上以形成特定的图案。
基板10可以是印刷电路板(PCB)。
LED芯片100可包括红色LED芯片、绿色LED芯片和蓝色LED芯片。LED芯片100可被布置在基板10上，使得红色LED芯片、绿色LED芯片和蓝色LED芯片形成一个单元。
LED芯片100可包括焊盘101(参见图3)和布置在焊盘101的一个表面上的电极102(参见图3)。电极102可包括正(+)电极和负(-)电极。优选地，焊盘101可由金属材料形成。LED芯片100的电极102可通过焊料12(参见图3)被电连接到设置在基板10上的电极11(参见图3)。
如图1所示，如果LED芯片100被密集地布置在基板10上，则可实现具有高分辨率的显示装置。在基板10上精确且密集地布置LED芯片100的工艺需要高精度。在下文中，将详细描述在基板10上精确且密集地布置LED芯片100的方法。
图1所示的LED模块1可通过以下方法中的至少一种方法被制造：根据第一实施例的LED模块制造方法、根据第二实施例的LED模块制造方法、根据第三实施例的LED模块制造方法、根据第四实施例的LED模块制造方法和根据第五实施例的LED模块制造方法。
图2是示出根据本公开的第一实施例的LED模块制造方法的流程图，图3是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的将LED芯片放置在基板上的工艺的示图。
如图2和图3所示，根据第一实施例的LED模块制造方法可包括准备基板10a和布置有LED芯片100的载体110(参见图14)的操作S1。
基板10a可包括电极11。设置在基板10a上的电极11可包括正(+)电极和负(-)电极。基板10a的正(+)电极可被电连接到LED芯片100的负(-)电极，并且基板10a的负(-)电极可被电连接到LED芯片100的正(+)电极。
基板10a还可包括焊料12。焊料12可被布置在电极11上，并且起到将基板10a的电极11电连接到LED芯片100的电极102的作用。例如，焊料12可形成为焊料凸块的形状。可选地，焊料12可形成为层的形状。
LED模块制造方法还可包括将掩模120布置在基板10a上的操作S2。
掩模120可被布置在基板10a的布置有电极11和焊料12的一个表面上。换句话说，掩模120可被布置在基板10a上以被放置基板10a和压模130之间。掩模120可包括开口121和壁122。壁122可限定开口121。掩模120可由刚性材料形成。例如，掩模120可由金属材料形成。
LED模块制造方法还可包括利用压模130从载体110拾取LED芯片100的操作S3。
压模130可由弹性材料形成，以最小化在拾取LED芯片100的过程中会施加到LED芯片100的冲击。例如，压模130可由聚二甲基硅氧烷(PDMS)形成。然而，压模130可由任意其他材料形成，只要压模130可缓和会施加到LED芯片100的冲击即可。压模130可包括主体131和从主体131突出的突起132。突起132可包括粘合表面。布置在载体110上的LED芯片100可通过被粘附到接近载体110的压模130而被拾取。更具体地，LED芯片100可被粘附到突起132的粘合表面。
压模130可一次从载体110拾取全部的多个LED芯片100。更具体地，压模130可包括与将从载体110被拾取的多个LED芯片100的数量相应的多个突起132。此外，压模130的突起132的位置可与将从载体110被拾取的多个LED芯片110的位置相应。多个LED芯片100可从载体110被拾取并且以图1所示的模块2为单位被放置在基板10a上。例如，图1所示的LED模块1可被配置有四个模块2。然而，LED模块1可被配置有五个或更多个模块或者配置有三个或更少个模块2。也就是说，LED模块1可被配置有一个或更多个模块2。
LED模块制造方法还可包括移动由压模130拾取的LED芯片100以面向掩模120的开口121的操作S4。例如，由压模130拾取的LED芯片100可与压模130一起移动以面向掩模120的开口121。换句话说，由压模130拾取的LED芯片100可在其被粘附到压模130的状态下朝向基板10a移动。
LED模块制造方法还可包括移动LED芯片100使得LED芯片100的至少一部分被插入到开口121中的操作S5。更具体地，LED模块制造方法还可包括在第一方向Z上移动LED芯片100直到LED芯片100的至少一部分被插入到开口121中为止的操作。例如，LED芯片100可与压模130一起移动使得LED芯片100的至少一部分被插入到掩模120的开口121中。
LED模块制造方法还可包括移动LED芯片100直到LED芯片100的至少一部分接触壁122为止并且将LED芯片100放置在基板10a上的操作S6。更具体地，LED模块制造方法还可包括在第二方向Y上移动LED芯片100直到LED芯片100的至少一部分接触壁122为止的操作。换句话说，LED模块制造方法可还包括通过移动LED芯片100直到LED芯片100的至少一部分与壁122碰撞为止来将LED芯片100与压模130分离的操作。此时，LED芯片100会以一定强度与壁122碰撞，其中，所述强度不会因LED芯片100与壁122碰撞时施加的冲击而损坏LED芯片100。在另一方面，LED模块制造方法还可包括在LED芯片100的至少一部分被插入到开口121中之后线性地移动或转动压模130的操作。由压模100拾取的LED芯片100可在被粘附到压模130的状态下朝向基板10a移动。通过在LED芯片100的至少一部分被插入到开口121中之后线性地移动或转动压模，可将LED芯片100与压模130分离。在线性地移动或转动压模130的过程中，粘附到压模130并与压模130一起移动的LED芯片100可与壁122接触或碰撞。因此，LED芯片100可与压模130分离，并且被布置或放置在基板10a上。
LED模块制造方法还可包括将掩模120与基板10a分离的操作S7。在将LED芯片100布置在基板10a上之后，可从基板10a移除掩模120。
通过根据第一实施例的LED模块制造方法制造的LED模块1可经历各种工艺，诸如固化、模制和切割，然后应用于显示设备。在下文中，将参照图3顺序描述用于制造LED模块的工艺。
如图3的(a)所示，掩模120可被布置在基板10a上。掩模120可在第一方向Z上被升高或降低。如图3的(a)所示，掩模120可在第一方向Z上被降低以被布置在基板10a上。掩模120可包括开口121和设置用于限定开口121的壁122。
如图3的(b)所示，附着有LED芯片100的压模130可接近基板10a。可在第一方向Z上升高或降低压模130。如图3的(b)所示，压模130可在第一方向Z上被降低以接近基板10a。LED芯片100可被附着到压模130的突起132。更具体地，LED芯片100的电极102可被附着在掩模120的突起132上以面向基板10a的电极11，以便被电连接到基板10a的电极11。
如图3的(c)所示，可移动压模130，使得附着在压模130上的LED芯片100的至少一部分被插入到掩模120的开口121中。此时，LED芯片100和掩模120的开口121可在第一方向Z的同一条线上对准。
如图3的(d)所示，在LED芯片100的至少一部分被插入到掩模120的开口121中之后，压模130可进行移动使得LED芯片100的至少一部分与掩模120的壁122接触。压模130可在第二方向Y上向左或向右移动。如果压模130在第二方向Y上向左移动，则附着在压模130上的LED芯片100可关于LED芯片100的至少一部分被插入的开口121与位于开口121左侧的壁122接触或碰撞。此时，压模130可在第二方向Y上向左移动，而附着在压模130上的LED芯片100可通过位于开口121左侧的壁122被阻止移动。因此，芯片100可与压模130分离，并被置于基板10a的通过开口121暴露于外部的焊料12上。如果压模130在第二方向Y上向右移动，则附着在压模130上的LED芯片100可关于LED芯片100的至少一部分被插入的开口121与位于开口121右侧的壁122接触或碰撞。此时，压模130可在第二方向Y上向右移动，而附着在压模130上的LED芯片100可通过位于开口121右侧的壁122被阻止移动。因此，芯片100可与压模130分离，并被置于基板10a的通过开口121暴露于外部的焊料12上。
如图3的(e)所示，在将LED芯片100置于基板10a上之后，压模130可进行移动以增加压模130与基板10a之间的距离。更具体地，压模130可在第一方向上Z被升高以远离基板10a移动。
如图3的(f)所示，掩模120可与基板10a分离。更具体地，掩模120可在第一方向Z上被升高并与基板10a分离。
在下文中，将根据示例性实施例描述LED模块制造设备。
LED模块制造设备可包括载体110。LED芯片100可被布置在载体110的一个表面上。更具体地，载体110可具有粘合表面，并且LED芯片100可被粘附在载体110的粘合表面上。
LED模块制造设备还可包括基板10a。基板10a可优选地被布置为邻近载体110。基板10a可包括电极11。电极11可包括正(+)电极和负(-)电极。基板10a还可包括焊料12。焊料12可将LED芯片100的电极102电连接到基板10a的电极11。
LED模块制造设备还可包括压模130。压模130可进行移动以从载体110拾取LED芯片100并将LED芯片100放置在基板10a上。压模130可包括主体131和从主体131突出的突起132。压模130可具有粘合表面。更具体地，压模130的粘合表面可在突起132上形成，并且从载体110拾取的LED芯片100可被粘附在突起132的粘合表面上。压模130可线性地移动或转动以使LED芯片100与掩模120的壁122接触或碰撞，以将LED芯片100与压模130分离。与压模130分离的LED芯片100可被放置在基板10a上。
LED模块制造设备还可包括用于移动压模130的压模驱动器(未示出)。压模130可被连接到压模驱动器以从压模驱动器接收驱动力。
LED模块制造设备还可包括可拆卸地布置在基板10a上的掩模120。掩模120可包括开口121和限定开口121的壁122。
第一方向Z可垂直于第二方向Y，但是不限于此。
图4是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的根据第一实施例的基板和掩模的形状的示图，图5是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的根据第二实施例的基板和掩模的形状的示图。图6是示出根据第一实施例的LED模块制造方法中的根据第三实施例的基板和掩模的形状的示图，图7是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的根据第四实施例的基板和掩模的形状的示图。图8是示出在根据第一实施例的LED模块制造方法中的根据第五实施例的基板和掩模的形状的示图。图4至图8所示的掩模和基板除了可用于根据第一实施例的LED模块制造方法之外，还可用于根据第二实施例的LED模块制造方法、根据第三实施例的LED模块制造方法、根据第四实施例的LED模块制造方法和根据第五实施例的LED模块制造方法。
如图4至图8所示，掩模和基板可具有各种形状。掩模的形状可与基板的形状相应。更具体地，掩模可具有与布置在基板上的LED芯片的布置图案相应的形状。在下文中，将描述掩模和基板的各种形状。
如图4所示，基板10b可包括第一区域13和第二区域14。LED芯片100可被安装在基板10b的第一区域13上。基板10b的第二区域14可被设置为限定第一区域13。作为示例，第一区域13可被第二区域14包围。此外，基板10b的第二区域14可被布置为邻近第一区域13。多个LED芯片100可以以模块为单位被安装在基板10b的第一区域13上。红色LED芯片R、绿色LED芯片G和蓝色LED芯片B可构成模块单元。
可将掩模120a施加到基板10b上。更具体地，掩模120a可按照能够用于将LED芯片100置于基板10b上这样的方式被布置在基板10b上。掩模120a可包括开口121。开口121可被形成为当掩模120a被布置在基板10b上时将基板10b的第一区域13暴露于外部。LED芯片100可通过掩模120a的开口121被安装在基板10b的第一区域13上。掩模120a还可包括壁122。壁122可限定开口121。当掩模120a被布置在基板10b上时，壁122可位于第二区域14上。
开口121和壁122可被交替地布置。更具体地，开口121和壁122可在第二方向Y上被交替地布置。
开口121可以是沿着LED芯片100的外围形成的闭环形状。例如，开口121可以是沿着以模块为单位的多个LED芯片100的外围形成的闭环形状。作为另一示例，开口121可以是沿着多个LED芯片100中的每一个的外围形成的闭环形状。作为又一示例，开口121可以是沿着在第二方向Y或第三方向X上形成行或列的多个LED芯片100的外围形成的闭环形状。图4示出了开口121为沿着在第三方向X上形成行或列的多个LED芯片100的外围形成的闭环形状。如图4所示，第二方向Y可垂直于第三方向X。
开口121可包括在第二方向Y上延伸的较短边123和在第三方向X上延伸的较长边124。图4示出了具有矩形形状的开口121。
开口121的宽度可大于LED芯片100的宽度(参见图3的(f))。优选地，开口121的宽度可以是在第二方向Y上测量的LED芯片100的宽度的120％。换句话说，开口121的较短边123的长度可与在第二方向Y上测量的LED芯片100的宽度的120％相应。
如图5所示，基板10c可包括第一区域13和第二区域14。因为关于基板10c的详细描述与上述参照图4给出的描述重复，因此将省略关于基板10c的详细描述。
掩模120b可包括开口121和壁122。因为关于掩模120b的详细描述与上述参照图4给出的描述重复，因此也将省略关于掩模120b的详细描述。
开口121和壁122可被交替地布置。更具体地，开口121和壁122可在第二方向Y上被交替地布置，其中，所述第二方向Y是与图4中的第二方向Y不同的方向。
开口121可以是沿着LED芯片100的外围形成的闭环形状。例如，开口121可以是沿着以模块为单位的多个LED的外围形成的闭环形状。作为另一示例，开口121可以是沿着多个LED芯片100中的每一个的外围形成的闭环形状。作为又一示例，开口121可以是沿着在第二方向Y或第三方向X上形成行或列的多个LED芯片100的外围形成的闭环形状，其中，当至少一个LED芯片100被插入到开口121中时，压模130在第二方向Y上移动。图5示出了开口121为沿着在第三方向X上形成行或列的多个LED芯片100的外围形成的闭环形状。这里，第三方向X可垂直于第二方向Y。
开口121可包括在第二方向Y上延伸的较短边123和在第三方向X上延伸的较长边124。图5示出了具有矩形形状的开口121。在图4中，多个开口121具有相同的尺寸，而在图5中，多个开口121具有不同的尺寸。在示例性实施例中，多个开口121的尺寸从基板10c的外围到基板10c的中间增大。
开口121的宽度可大于LED芯片100的宽度(参见图3的(f))。优选地，开口121的宽度可以是在第二方向Y上测量的LED芯片100的宽度的120％。换句话说，开口121的较短边123的长度可与在第二方向Y上测量的LED芯片100的宽度的120％相应。
如图6所示，基板10d可包括第一区域13和第二区域14。因为关于基板10d的详细描述与上述参照图4给出的描述重复，因此将省略关于基板10d的详细描述。
掩模120c可包括开口121和壁122。因为关于掩模120c的详细描述与上述参照图4给出的描述重复，因此也将省略关于掩模120c的详细描述。
多个开口121和多个壁122可以以网格图案被布置。
开口121可以是沿着LED芯片100的外围形成的闭环形状。图6示出了开口121为沿着以模块为单位的多个LED芯片100的外围形成的闭环形状。
开口121可包括在第二方向Y上延伸的第一边125和在第三方向X上延伸并具有与第一边125相同的长度的第二边126。图6示出了开口121为正方形形状。
开口121的宽度可大于LED芯片100的宽度(参见图3的(f))。优选地，开口121的宽度可以是在第二方向Y上测量的LED芯片100的宽度的120％。换句话说，开口121的第一边125和第二边126的长度可与在第二方向Y上测量的LED芯片100的宽度的120％相应。
如图7所示，基板10e可包括第一区域13和第二区域14。因为关于基板10e的详细描述与上述参照图4给出的描述重复，因此将省略关于基板10e的详细描述。
掩模120d可包括开口121和壁122。因为关于掩模120d的详细描述与上述参照图4给出的描述重复，因此也将省略关于掩模120d的详细描述。
开口121可包括曲线部分。
开口121可以是沿着LED芯片100的外围形成的闭环的形状。图7示出了开口121为沿着以模块为单位的多个LED芯片100的外围形成的闭环形状。图7示出了开口121为圆形形状。在图7中，掩模120d的多个开口121具有相同的尺寸。然而，也可设计具有不同尺寸的开口121的掩模120d。
开口121的宽度可大于LED芯片100的宽度(参见图3的(f))。也就是说，开口121的直径可大于LED芯片100的宽度。
如图8所示，基板10f可包括第一区域13和第二区域14。因为关于基板10f的详细描述与上述参照图4给出的描述重复，因此将省略关于基板10f的详细描述。
掩模120e可包括开口121和壁122。因为关于掩模120e的详细描述与上述参照图4给出的描述重复，因此也将省略关于掩模120e的详细描述。
开口121可包括曲线部分。
开口121可以是沿着LED芯片100的外围形成的闭环形状。图8示出了开口121为沿着以模块为单位的多个LED芯片100的外围形成的闭环形状。图8示出了开口121为三叶草形状。在图8中，掩模120e的多个开口121具有相同的尺寸。然而，也可设计具有不同尺寸的开口121的掩模120e。
开口121的宽度可大于LED芯片100的宽度。
图9是示出根据第二实施例的LED模块制造方法的流程图，图10是示出在根据第二实施例的LED模块制造方法中的将LED芯片放置在基板上的工艺的示图。在下文中，将省略与在根据第一实施例的LED模块制造方法中的描述重复的描述。
如图9和图10所示，根据第二实施例的LED模块制造方法可包括准备布置有LED芯片100的载体110和与掩模120f耦合的基板10g的操作P1。掩模120f可包括开口121和壁122。掩模120f可被集成到基板10g中。掩模120f可由刚性材料形成。
LED模块制造方法还可包括利用压模130从载体110拾取LED芯片100的操作P2。
LED模块制造方法还可包括移动由压模130拾取的LED芯片100以面向掩模120f的开口121的操作P3。
LED模块制造方法还可包括移动LED芯片100使得LED芯片100的至少一部分被插入到开口121中的操作P4。
LED模块制造方法还可包括移动LED芯片100使得LED芯片100的至少一部分接触壁122，以将LED芯片100放置在基板10g上的操作P5。
通过根据第二实施例的LED模块制造方法制造的LED模块1可经历各种工艺，例如固化、模制和切割，然后应用于显示设备。在下文中，将参照图10顺序描述用于制造LED模块的工艺。
如图10的(a)所示，附着有LED芯片100的压模130可接近与掩模120f耦合的基板10g。压模130可在第一方向Z上被升高或降低。如图10的(a)所示，压模130可在第一方向Z上被降低以接近基板10g。
如图10的(b)所示，压模130可进行移动，使得附着在压模130上的LED芯片100的至少一部分被插入到掩模120f的开口121中。此时，LED芯片100和掩模120f的开口121可被放置在第一方向Z的同一条线上。
如图10的(c)所示，在LED芯片100的至少一部分被插入到掩模120f的开口121中之后，压模130可进行移动直到LED芯片100的至少一部分接触掩模120f的壁122为止。然后，压模130可在第二方向Y上向左或向右移动。
如图10的(d)所示，在LED芯片100被放置在基板10g上之后，压模130可进行移动以增加压模130与基板10g之间的距离。更具体地，压模130可在第一方向Z上被升高以远离基板10g移动。
在根据第二实施例的LED模块制造方法中，掩模120f可与基板10g分离，并且在被使用时与基板10g耦合。然而，掩模120f可被集成到基板10g中。在这种情况下，布置在基板10g上的结构之一可用作掩模120f的壁122。如上所述，当掩模120f与基板10g一体形成时，可省略将掩模120f放置在基板10g上的工艺以及从基板10g移除掩模120f的工艺，从而用于制造LED模块的工艺会变得简单。
图11是示出根据第三实施例的LED模块制造方法的流程图，图12是示出在根据第三实施例的LED模块制造方法中的将LED芯片放置在基板上的工艺的示图。在下文中，将省略与在根据第一实施例的LED模块制造方法中的描述重复的描述。
如图11和图12所示，根据第三实施例的LED模块制造方法可包括准备基板10h和布置有LED芯片100的载体110的操作T1。
LED模块制造方法还可包括将掩模120g布置在基板10h上的操作T2。
LED模块制造方法还可包括利用压模130从载体110拾取LED芯片100的操作T3。
LED模块制造方法还可包括移动由压模130拾取的LED芯片100以面向掩模120g的开口121的操作T4。
LED模块制造方法还可包括移动LED芯片100使得LED芯片100的至少一部分被插入到开口121中的操作T5。
LED模块制造方法还可包括操作电磁体140的操作T6。换句话说，LED模块制造方法还可包括向LED芯片100施加磁力的操作。
LED模块制造方法还可包括移动LED芯片100使得LED芯片100的至少一部分接触壁122，以将LED芯片100放置在基板10h上的操作T7。
LED模块制造方法还可包括停止操作电磁体140的操作T8。
LED模块制造方法还可包括将掩模120g与基板10h分离的操作T9。
通过根据第三实施例的LED模块制造方法制造的LED模块1可经历各种工艺，例如固化、模制和切割，然后应用于显示设备。
在下文中，将参照图12顺序描述用于制造LED模块的工艺。
如图12的(a)所示，掩模120g可被布置在基板10h上。掩模120g可在第一方向Z上被升高或降低。如图12的(a)所示，掩模120g可通过在第一方向Z上被降低而被布置在基板10h上。
如图12的(b)所示，附着有LED芯片100的压模130可接近基板10h。压模130可在第一方向Z上被升高或降低。如图12的(b)所示，压模130可在第一方向Z上被降低以接近基板10h。
如图12的(c)所示，压模130可进行移动，使得附着在压模130上的LED芯片100的至少一部分被插入到掩模120g的开口121中。
如图12的(d)所示，在LED芯片100的至少一部分被插入到掩模120g的开口121中之后，电磁体140可进行操作。此外，在LED芯片100的至少一部分被插入到掩模120g的开口121中之后，压模130可进行移动直到LED芯片100的至少一部分接触掩模120g的壁122为止。然后，压模130可在第二方向Y上向左或向右移动。操作电磁体140的操作和移动压模130以使LED芯片100的至少一部分接触壁122的操作可被同时或顺序地执行。
如图12的(e)所示，在LED芯片100被放置在基板10h上之后，电磁体140可停止操作。也就是说，在LED芯片100被放置在基板10h上之后，电磁体140可不再产生磁力。此外，在LED芯片100被放置在基板10h上之后，压模130可进行移动以增加压模130与基板10h之间的距离。更具体地，压模130可在第一方向Z上被升高以远离基板10h移动。停止操作电磁体140的操作和移动压模130的操作可被同时或顺序地执行。
如图12的(f)所示，掩模120g可与基板10h分离。更具体地，掩模120g可沿着第一方向Z被升高并且与基板10h分离。
在下文中，将描述LED模块制造设备。
LED模块制造设备还可包括电磁体140。电磁体140可被布置为邻近基板10h，使得LED芯片100与压模130分离并被放置在基板10h上。例如，电磁体140可被布置在基板10h下方。在另一方面，电磁体140可被布置为面向压模130，并且基板10h位于电磁体140和压模130之间。电磁铁140可被固定在基板10h的下部。此外，电磁体140可被可拆卸地布置。
在根据第三实施例的LED模块制造方法中，LED芯片100可包括响应磁力的材料。也就是说，在根据第三实施例的LED模块制造方法中，LED芯片100可包括能够与电磁体140相互作用的材料。
基于根据第三实施例的LED模块制造方法，通过操作电磁体140以向LED芯片100施加磁力，除了使LED芯片100接触掩模120g的壁122以将LED芯片100与压模130分离之外，还可通过电磁体140向LED芯片100施加另外的朝向基板10h的吸引力。因此，LED芯片100可更有效地与压模130分离并且被放置在基板10h上。根据示例性实施例，由于受到来自电磁体140的另外的吸引力，LED芯片更容易与压模分离并且更精确地被放置在基板10h上。
图13是示出在根据第四实施例的LED模块制造方法中的将LED芯片放置在基板上的工艺的示图。在下文中，将省略与在根据第一实施例的LED模块制造方法和根据第三实施例的LED模块制造方法中的描述重复的描述。在下文中，将参照图13顺序描述用于制造LED模块的工艺。
如图13的(a)所示，附着有LED芯片100的压模130可接近基板10i。压模130可在第一方向Z上被升高或降低。如图13的(a)所示，压模130可沿着第一方向Z被降低以接近基板10i。
如图13的(b)所示，如果附着有LED芯片100的压模130充分接近基板10i，则电磁体140可进行操作。此时，电磁体140可与附着在压模130上的LED芯片100相互作用。也就是说，由电磁体140产生的磁力可被施加到附着在压模130上的LED芯片100。因此，朝向基板10i的吸引力可被施加到LED芯片100。
如图13(c)所示，在LED芯片100与压模130分离并被放置在基板10i上之后，电磁体140可停止操作。也就是说，在LED芯片100被放置在基板10i上之后，电磁体140可不再产生磁力。此外，在LED芯片100被放置在基板10i上之后，压模130可进行移动以增加压模130与基板10i之间的距离。更具体地，压模130可在第一方向Z上被升高以远离基板10i移动。停止操作电磁体的操作和移动压模130的操作可被同时或顺序地执行。
图14是示意性地示出在根据第五实施例的LED模块制造方法中的将LED芯片放置在基板上的工艺的示图。在下文中，将省略与在根据第一实施例的LED模块制造方法中的描述重复的描述。
如图14所示，LED模块制造设备可包括载体110。LED芯片100可被布置在载体110上。更具体地，载体110可包括主体111和形成在主体111上的粘合层112。芯片100可被布置在粘合层112上。
LED模块制造设备还可包括基板10j。优选地，基板10j可被布置为邻近载体110。基板10j可包括电极11。电极11可包括正(+)电极和负(-)电极。基板10j还可包括粘合层15。粘合层15可由焊料实现。粘合层15可将LED芯片100的电极102电连接到基板10j的电极11。
LED模块制造设备还可包括压模130a。压模130a可进行移动以从载体110拾取LED芯片100并将LED芯片100放置在基板10j上。压模130a可具有粘合表面。从载体110拾取的LED芯片100可被粘附在压模130a的粘合表面上。与压模130a分离的LED芯片100可被放置在基板10j上。压模130a可由弹性材料形成。
LED模块制造设备还可包括用于移动压模130a的压模驱动器150。
LED模块制造设备还可包括位于压模130a和压模驱动器150之间的压模连接器160。压模连接器160可支撑压模130a。在另一方面，压模连接器160可将压模130a连接到压模驱动器150。更具体地，压模连接器160可向压模130a施加吸力以将压模130a连接到压模驱动器150。
在下文中，将顺序描述用于制造LED模块的工艺。
可准备布置有LED芯片100的载体110。载体110可被布置在轨道200上。
然后，压模130a可接近载体110。压模130a可在第一方向Z上被升高或降低。压模130a可在第一方向Z上被降低以接近载体110。
位于靠近载体110的压模130a可从载体110拾取LED芯片100，然后在第一方向Z上被升高。
然后，压模130a可朝向基板10j移动。此时，LED芯片100可被附着在压模130a上并且与压模130a一起移动。更具体地，压模130a可沿着第二方向Y朝向基板10j移动。此时，第一方向Z可垂直于第二方向Y，但是不限于此。
压模130a可接近基板10j，使得由压模130a拾取的LED芯片100的电极102与基板10j的电极11相应。压模130a可在第一方向Z上朝向基板10j被降低。基板10j可被布置在轨道200上。基板10j可被布置在与载体110相同的轨道上，或者可被布置在与载体110不同的轨道上。
在由压模130a拾取的LED芯片100与压模130a分离并被放置在基板10j上之后，压模130a可在第一方向Z上被升高。
在根据第五实施例的LED模块制造方法中，压模130a对于LED芯片100的粘合力可能需要大于载体110对于LED芯片100的粘合力，并且基板10j对于LED芯片100的粘合力可能需要大于压模130a对于LED芯片100的粘合力。在这种情况下，压模130a可从载体110拾取LED芯片100，并且由压模130a拾取的LED芯片100可被放置在基板10j上。
在根据第一实施例的LED模块制造方法、根据第二实施例的LED模块制造方法、根据第三实施例的LED模块制造方法以及根据第四实施例的LED模块制造方法中，即使基板10a、10g、10h和10i对于LED芯片100的粘合力等于或小于压模130对于LED芯片100的粘合力，由压模130拾取的LED芯片100也可容易地与压模130分离并有效地被放置在基板10a、10g、10h和10i上。因此，如果使用根据第一至第四实施例的LED模块制造方法，则不论基板10a、10g、10h和10i对于由压模130拾取的LED芯片100的粘附力如何，LED芯片100都可被有效地放置在基板10a、10g、10h和10i上。
前述示例性实施例和优点仅是示例性的，并且不应被解释为限制本公开。示例性实施例的描述旨在是说明性的，而不是限制权利要求的范围，并且许多替代、修改和变化对于本领域技术人员将是显而易见的。尽管已经示出和描述了一些示例性实施例，但是本领域技术人员将理解，可在不脱离本公开的原理和精神的情况下对这些示例性实施例进行改变，其中，由权利要求及其等同物限定本公开的范围。

Claims (11)

1.一种制造发光二极管LED模块的方法，包括：
准备基板和载体，其中，在载体上具有LED芯片；
将掩模放在准备好的基板上；
利用压模从载体获取LED芯片；
移动获取的LED芯片以面向掩模的开口；
移动LED芯片使得LED芯片的至少一部分被插入到所述开口中；并且
通过移动LED芯片使得LED芯片的所述至少一部分接触掩模的壁，将LED芯片放置在基板上。
2.如权利要求1所述的方法，还包括：将掩模与基板分离。
3.如权利要求1所述的方法，还包括：
在第一方向上移动LED芯片，使得LED芯片的所述至少一部分被插入到所述开口中；并且
在第二方向上移动LED芯片，使得LED芯片的所述至少一部分接触所述壁，其中，所述壁形成所述开口。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述开口和所述壁在第二方向上被交替地布置。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述开口包括：
在第二方向上延伸的较短边，以及
在第三方向上延伸的较长边。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述开口包括以网格图案布置的多个开口。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述开口包括曲线部分。
8.如权利要求1所述的方法，还包括：施加磁力以将LED芯片放置在基板上。
9.如权利要求8所述的方法，其中，LED芯片包括响应所述磁力的材料。
10.如权利要求1所述的方法，还包括：
在LED芯片被附着到压模的状态下，将获取的LED芯片朝向基板移动；并且
在LED芯片的至少一部分被插入到所述开口之后，线性地移动或转动压模。
11.如权利要求3所述的方法，其中，所述开口的宽度是在第二方向上测量的LED芯片的宽度的120％。
CN201880048802.6A 2017-07-18 2018-07-17 用于制造led模块的设备和方法 Active CN110998870B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170090702A KR102236769B1 (ko) 2017-07-18 2017-07-18 엘이디 모듈 제조장치 및 엘이디 모듈 제조방법
KR10-2017-0090702 2017-07-18
PCT/KR2018/008052 WO2019017670A1 (en) 2017-07-18 2018-07-17 APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING LED MODULE

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110998870A true CN110998870A (zh) 2020-04-10
CN110998870B CN110998870B (zh) 2023-06-02

Family

ID=65016208

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880048802.6A Active CN110998870B (zh) 2017-07-18 2018-07-17 用于制造led模块的设备和方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10797199B2 (zh)
KR (1) KR102236769B1 (zh)
CN (1) CN110998870B (zh)
DE (1) DE112018003709B4 (zh)
WO (1) WO2019017670A1 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10978530B2 (en) 2016-11-25 2021-04-13 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US10998352B2 (en) 2016-11-25 2021-05-04 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US10916523B2 (en) * 2016-11-25 2021-02-09 Vuereal Inc. Microdevice transfer setup and integration of micro-devices into system substrate
KR102430018B1 (ko) * 2017-12-20 2022-08-05 엘지디스플레이 주식회사 이송 헤드 어셈블리 및 발광소자 이송장치
KR102311727B1 (ko) * 2019-05-29 2021-10-13 서울대학교산학협력단 전자 장치 및 스탬핑과 자기장 정렬을 이용한 전자 소자의 전사 방법
KR102695965B1 (ko) * 2019-06-20 2024-08-16 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조를 위한 기판 및 디스플레이 장치의 제조방법
WO2020262034A1 (ja) * 2019-06-28 2020-12-30 株式会社ブイ・テクノロジー 電子部品実装構造、その実装方法及びｌｅｄチップ実装方法
KR102659765B1 (ko) * 2019-06-28 2024-04-24 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조를 위한 기판 및 디스플레이 장치의 제조방법
CN110379761B (zh) * 2019-07-18 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 微发光二极管转移基板及装置
JP6696036B1 (ja) * 2019-08-01 2020-05-20 信越エンジニアリング株式会社 ワーク転写装置及びワーク転写チャック並びにワーク転写方法
CN113394153B (zh) * 2020-03-13 2024-03-15 东莞市中麒光电技术有限公司 Led芯片的混晶方法
CN113497073B (zh) * 2020-03-18 2022-10-21 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种便于修复的led显示器及其修复方法
KR102346195B1 (ko) 2020-05-21 2022-01-03 주식회사 인터원 엘이디 모듈 자동화 조립장치
US12009339B2 (en) 2020-08-18 2024-06-11 Seoul National University R&Db Foundation Electronic device and method of transferring electronic element using stamping and magnetic field alignment
CN118103964A (zh) * 2021-10-14 2024-05-28 信越化学工业株式会社 受体基板、受体基板的制造方法、移载方法、led面板的制造方法和压模
CN114171398A (zh) * 2021-12-03 2022-03-11 东莞市中麒光电技术有限公司 Led显示模块芯片混装方法及led显示模块
KR102640352B1 (ko) 2021-12-06 2024-02-23 주식회사 인터원 Led모듈 인라인 무인 자동화 시스템을 위한 나사분배장치
KR102571765B1 (ko) 2021-12-06 2023-08-28 주식회사 인터원 Led모듈 인라인 무인자동화 시스템을 위한 pcb 정렬장치
KR102690051B1 (ko) 2022-09-19 2024-07-29 나정훈 Led 모듈의 양면테이프 절단 및 부착장치
WO2024075859A1 (ko) * 2022-10-04 2024-04-11 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814487A (zh) * 2010-02-09 2010-08-25 中山大学 一种多芯片led光源模组及其制作方法
CN102569608A (zh) * 2010-12-15 2012-07-11 三星Led株式会社 发光装置及其制造方法和发光装置封装件及封装方法
US20130214302A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 Industrial Technology Research Institute Light emitting element and fabricating method thereof
CN105493297A (zh) * 2015-05-21 2016-04-13 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
KR20160059576A (ko) * 2014-11-18 2016-05-27 피에스아이 주식회사 수평배열 어셈블리용 초소형 led 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 수평배열 어셈블리
WO2016166514A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 Mled Limited Colour converting structure for led arrays
CN106058010A (zh) * 2016-07-26 2016-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管阵列的转印方法
CN106716611A (zh) * 2014-10-17 2017-05-24 英特尔公司 微拾取和键合组装
CN106782128A (zh) * 2017-01-24 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制造方法
KR101754528B1 (ko) * 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 건식 접착구조를 갖는 ｌｅｄ 구조체 어레이의 전사체와 이를 이용한 ｌｅｄ 구조체 어레이의 이송방법 및 ｌｅｄ 구조체

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002062825A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Sony Corp 画像表示装置及びその製造方法
US7943052B2 (en) * 2005-07-05 2011-05-17 National Taiwan University Method for self-assembling microstructures
TWI592996B (zh) * 2009-05-12 2017-07-21 美國伊利諾大學理事會 用於可變形及半透明顯示器之超薄微刻度無機發光二極體之印刷總成
JP5700544B2 (ja) * 2011-04-14 2015-04-15 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
US9548332B2 (en) * 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
WO2014172910A1 (zh) 2013-04-27 2014-10-30 西安瑞通能源科技有限公司 一种同轴随进式射孔弹及其自消除压实带射孔工艺
US9318475B2 (en) * 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
KR101723436B1 (ko) * 2015-01-13 2017-04-05 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
CN113410146A (zh) 2015-01-23 2021-09-17 维耶尔公司 到受体衬底的选择性微型器件转移
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US20170215280A1 (en) * 2016-01-21 2017-07-27 Vuereal Inc. Selective transfer of micro devices
CN105870265A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814487A (zh) * 2010-02-09 2010-08-25 中山大学 一种多芯片led光源模组及其制作方法
CN102569608A (zh) * 2010-12-15 2012-07-11 三星Led株式会社 发光装置及其制造方法和发光装置封装件及封装方法
US20130214302A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 Industrial Technology Research Institute Light emitting element and fabricating method thereof
CN106716611A (zh) * 2014-10-17 2017-05-24 英特尔公司 微拾取和键合组装
KR20160059576A (ko) * 2014-11-18 2016-05-27 피에스아이 주식회사 수평배열 어셈블리용 초소형 led 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 수평배열 어셈블리
WO2016166514A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 Mled Limited Colour converting structure for led arrays
CN105493297A (zh) * 2015-05-21 2016-04-13 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
KR101754528B1 (ko) * 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 건식 접착구조를 갖는 ｌｅｄ 구조체 어레이의 전사체와 이를 이용한 ｌｅｄ 구조체 어레이의 이송방법 및 ｌｅｄ 구조체
CN106058010A (zh) * 2016-07-26 2016-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管阵列的转印方法
CN106782128A (zh) * 2017-01-24 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190027639A1 (en) 2019-01-24
US10797199B2 (en) 2020-10-06
WO2019017670A1 (en) 2019-01-24
KR102236769B1 (ko) 2021-04-06
DE112018003709T5 (de) 2020-04-09
CN110998870B (zh) 2023-06-02
KR20190009045A (ko) 2019-01-28
DE112018003709B4 (de) 2022-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110998870B (zh) 用于制造led模块的设备和方法
US11646400B2 (en) Display module having glass substrate on which side wirings are formed and manufacturing method of the same
KR102344277B1 (ko) 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈 제조 방법
US11462523B2 (en) Display module having LED packages including connection substrate
US20040027314A1 (en) Image display unit and production method thereof
KR20150082414A (ko) 인접 관계를 유지하는 디스플레이 및 광 패널에서의 ｌｅｄ 다이 분산
CN112567505B (zh) 元件的移载方法和用于该方法的移载板
CN110379738B (zh) 一种微型电子元件排料转移与定位装置及其方法
US11023194B2 (en) Modular module
JP4100203B2 (ja) 素子転写方法
US20200135524A1 (en) Transfer method and transfer apparatus
KR20210006241A (ko) 마이크로 led 그룹 기판 및 이의 제조 방법 및 마이크로 led 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법
JP6510138B2 (ja) 可撓性電子デバイスの製造方法
CN116157920A (zh) 显示模块
US20230170355A1 (en) Display module having side wiring and method for manufacturing same
JP4840371B2 (ja) 素子転写方法
CN110911435A (zh) 显示装置、显示装置的制程方法及显示装置的基板
US20200258761A1 (en) Printing component arrays with different orientations
JP2021118274A (ja) 移戴基板
WO2023063358A1 (ja) レセプター基板、レセプター基板の製造方法、移載方法、ｌｅｄパネルの製造方法及びスタンパ
JP4013860B2 (ja) スクリーン印刷装置およびスクリーン印刷方法
JP2006337913A5 (zh)
CN109659258B (zh) 机台及面板制作方法
JP5320346B2 (ja) セラミック配線基板の製造方法および印刷装置ならびに発光体
CN214203161U (zh) 显示面板、显示装置及发光元件修复装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant