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DE102010025320B4 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

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DE102010025320B4 DE102010025320.0A DE102010025320A DE102010025320B4 DE 102010025320 B4 DE102010025320 B4 DE 102010025320B4 DE 102010025320 A DE102010025320 A DE 102010025320A DE 102010025320 B4 DE102010025320 B4 DE 102010025320B4
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Abstract

Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip (1), der eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer aktiven Schicht (3) aufweist, und einem Träger (12), der mittels einer Verbindungsschicht (14) aus einem Metall oder einer Metalllegierung mit dem Halbleiterchip (1) verbunden ist, wobei- der Halbleiterchip (1) einen ersten elektrischen Anschlussbereich (18) und einen zweiten elektrischen Anschlussbereich (19) aufweist,- der erste elektrische Anschlussbereich (18) und der zweite elektrische Anschlussbereich (19) dem Träger (12) zugewandt sind,- der Träger (12) an einer von dem Halbleiterchip (1) abgewandten Rückseite einen ersten elektrischen Rückseitenkontakt (28) und einen zweiten elektrischen Rückseitenkontakt (29) aufweist,- der erste elektrische Rückseitenkontakt (28) mit mindestens einer Durchkontaktierung (15), die durch den Träger (12) verläuft, mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich (18) elektrisch leitend verbunden ist,- der zweite elektrische Rückseitenkontakt (29) mit mindestens einer Durchkontaktierung (16), die durch den Träger (12) verläuft, mit dem zweiten elektrischen Anschlussbereich (19) elektrisch leitend verbunden ist,- der erste und/oder der zweite elektrische Rückseitenkontakt (28, 29) mit mindestens einer weiteren Durchkontaktierung (15, 16), die durch den Träger verläuft, mit dem ersten bzw. dem zweiten elektrischen Anschlussbereich (18, 19) verbunden ist, und- die Durchkontaktierungen (15, 16) aus dem gleichen Metall oder der gleichen Metalllegierung gebildet sind wie die Verbindungsschicht (14).

Description

  • Die Anmeldung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, das einen Halbleiterkörper und ein mittels einer Verbindungsschicht mit dem Halbleiterkörper verbundenes Trägersubstrat aufweist.
  • Die Druckschrift DE 10 2007 022 947 A1 betrifft einen optoelektronischen Halbleiterkörper und ein Herstellungsverfahren hierfür.
  • Die Druckschrift DE 10 2008 062 933 A1 beschreibt eine optoelektronische Projektionsvorrichtung.
  • In der Druckschrift US 2004 / 0 188 696 A1 ist eine LED mit einem auf Wafer-Ebene hergestellten Gehäuse angegeben.
  • Die Druckschrift US 2006 / 0 278 885 A1 beschreibt ein Gehäuse für Leistungs-LEDs.
  • Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes optoelektronisches Bauelement anzugeben, das oberflächenmontierbar ist und sich durch eine gute Stromtragfähigkeit auszeichnet. Weiterhin soll ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Bauelements angegeben werden.
  • Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement einen Halbleiterchip auf, der eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht aufweist. Die aktive Schicht ist vorzugsweise eine zur Emission von Strahlung geeignete Schicht. Alternativ kann die aktive Schicht aber auch eine strahlungsdetektierende Schicht sein. Das optoelektronische Bauelement ist vorzugsweise eine LED oder ein Strahlungsdetektor.
  • Weiterhin weist das optoelektronische Bauelement einen Träger auf, der mittels einer Verbindungsschicht mit dem Halbleiterchip verbunden ist. Der Träger kann insbesondere aus einem Halbleitermaterial wie beispielsweise Silizium gebildet sein. Vorzugsweise ist das Halbleitermaterial des Trägers undotiert. Die Verbindungsschicht weist vorzugsweise ein Metall oder eine Metalllegierung auf.
  • Weiterhin weist der Halbleiterchip einen ersten elektrischen Anschlussbereich und einen zweiten elektrischen Anschlussbereich auf, wobei der erste elektrische Anschlussbereich und der zweite elektrische Anschlussbereich dem Träger zugewandt sind. Insbesondere kann der erste elektrische Anschlussbereich den p-Kontakt des Halbleiterchips und der zweite elektrische Anschlussbereich den n-Kontakt des Halbleiterchips ausbilden.
  • Der erste elektrische Anschlussbereich und der zweite elektrische Anschlussbereich sind vorzugsweise durch eine Ausnehmung in dem Halbleiterchip voneinander getrennt. Die Ausnehmung kann in diesem Fall mit einem elektrisch isolierenden Material, insbesondere einem Polymer, gefüllt sein.
  • Der erste und der zweite elektrische Anschlussbereich des Halbleiterchips können insbesondere durch eine dem Träger zugewandte Kontaktmetallisierungsschichtenfolge, beispielsweise Ti/Pt/Au, gebildet sein. Der erste elektrische Anschlussbereich und der zweite elektrische Anschlussbereich sind bevorzugt in einer Ebene angeordnet und grenzen vorteilhaft jeweils an voneinander isolierte Teilbereiche der Verbindungsschicht an.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Träger an einer von dem Halbleiterchip abgewandten Rückseite einen ersten elektrischen Rückseitenkontakt und einen zweiten elektrischen Rückseitenkontakt auf. Die elektrischen Rückseitenkontakte des Trägers sind insbesondere zur Oberflächenmontage des optoelektronischen Bauelements vorgesehen. Das heißt, dass das optoelektronische Bauelement an den Rückseitenkontakten des Trägers ohne die Verwendung von Drahtanschlüssen elektrisch angeschlossen werden kann, beispielsweise mittels Lötverbindungen an die Leiterbahnen einer Leiterplatte.
  • Der erste elektrische Rückseitenkontakt ist mit mindestens einer Durchkontaktierung, die durch den Träger verläuft, mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich elektrisch leitend verbunden. Weiterhin ist der zweite elektrische Rückseitenkontakt mit mindestens einer Durchkontaktierung, die durch den Träger verläuft, mit dem zweiten elektrischen Anschlussbereich elektrisch leitend verbunden. Mittels der Durchkontaktierungen durch den Träger werden also die Rückseitenkontakte des Trägers mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich und dem zweiten elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterchips elektrisch leitend verbunden.
  • Der erste und/oder der zweite elektrische Rückseitenkontakt sind mit mindestens einer weiteren Durchkontaktierung, die durch den Träger verläuft, mit dem ersten beziehungsweise dem zweiten elektrischen Anschlussbereich verbunden. Es ist also mindestens einer der elektrischen Rückseitenkontakte durch mindestens zwei oder mehr Durchkontaktierungen, die durch den Träger verlaufen, mit dem ihm zugeordneten elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterchips verbunden. Vorzugsweise sind sowohl der erste als auch der zweite elektrische Rückseitenkontakt jeweils mit mindestens zwei Durchkontaktierungen, die durch den Träger verlaufen, mit dem ersten beziehungsweise dem zweiten elektrischen Anschlussbereich verbunden.
  • Durch eine Erhöhung der Anzahl der Durchkontaktierungen, die den ersten oder den zweiten elektrischen Rückseitenkontakt mit dem zugeordneten elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterchips verbinden, wird die Stromtragfähigkeit des optoelektronischen Bauelements vorteilhaft erhöht, da sich der Stromfluss zwischen dem jeweiligen Rückseitenkontakt des Trägers und dem zugeordneten elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterchips auf die mehreren Durchkontaktierungen verteilt.
  • Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist mindestens eine der Durchkontaktierungen eine Breite von mindestens 30 µm auf. Unter der Breite der Durchkontaktierung wird dabei die Abmessung der Durchkontaktierung in der parallel zur Hauptebene des Trägers verlaufenden Richtung verstanden. Die Durchkontaktierungen können beispielsweise zylinderförmig sein, so dass ihre Breite gleich dem Durchmesser ihrer kreisförmigen Querschnittsfläche ist.
  • Durch eine vergleichsweise große Breite der Durchkontaktierung kann die Stromtragfähigkeit des optoelektronischen Bauelements weiter verbessert werden. Vorzugsweise weisen alle Durchkontaktierungen in dem Träger eine Breite von mindestens 30 µm auf.
  • Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung weist mindestens eine der Durchkontaktierungen eine Breite von mindestens 60 µm auf. Insbesondere ist es auch möglich, dass alle Durchkontaktierungen in dem Träger eine Breite von mindestens 60 µm aufweisen. Auf diese Weise wird eine besonders gute Stromtragfähigkeit des optoelektronischen Bauelements erzielt. Die Durchkontaktierungen sollten andererseits aber möglichst nicht breiter als 100 µm sein, um eine mechanische Instabilität des Trägers zu vermeiden.
  • Die mehreren durch den Träger verlaufenden Durchkontaktierungen müssen nicht notwendigerweise die gleiche Breite aufweisen. Vielmehr kann es vorteilhaft sein, wenn eine Durchkontaktierung, die an einer dem Halbleiterchip zugewandten Seite in der Nähe einer Ausnehmung in der Verbindungsschicht, beispielsweise einem Hohlraum oder einer isolierenden Schicht, angeordnet ist, eine geringere Breite als die übrigen Durchkontaktierungen aufweist. Eine derartige Unterbrechung der Verbindungsschicht zwischen dem Träger und dem Halbleiterchip durch eine isolierende Schicht oder einen Hohlraum kann insbesondere dazu vorgesehen sein, den ersten elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterchips und den zweiten elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterchips voneinander zu isolieren. Eine derartige Unterbrechung der Verbindungsschicht könnte zu einer mechanischen Instabilität der Verbindung zwischen dem Träger und dem Halbleiterchip führen, wenn in der Nähe dieser Stelle auch der Träger eine Unterbrechung durch eine besonders breite Durchkontaktierung aufweisen würde. Aus diesem Grund ist es vorteilhaft, wenn eine in der Nähe einer solchen Unterbrechung der Verbindungsschicht angeordnete Durchkontaktierung eine geringere Breite aufweist als die übrigen Durchkontaktierungen.
  • Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist die Halbleiterschichtenfolge einen n-dotierten Halbleiterbereich und einen p-dotierten Halbleiterbereich auf, wobei der p-dotierte Halbleiterbereich dem Träger zugewandt ist. Der Halbleiterchip weist eine erste elektrische Anschlussschicht auf, die den ersten elektrischen Anschlussbereich mit dem p-dotierten Halbleiterbereich verbindet. Weiterhin weist der Halbleiterchip eine zweite elektrische Anschlussschicht auf, die den zweiten elektrischen Anschlussbereich mit dem n-dotierten Halbleiterbereich verbindet.
  • Vorzugsweise erstreckt sich ein Teilbereich der zweiten elektrischen Anschlussschicht durch mindestens einen Durchbruch, der durch den p-dotierten Halbleiterbereich und die aktive Schicht verläuft, in den n-dotierten Halbleiterbereich hinein. Im Bereich des Durchbruchs ist die zweite elektrische Anschlussschicht vorteilhaft von dem p-dotierten Halbleiterbereich und der aktiven Schicht isoliert. Dadurch, dass die zweite elektrische Anschlussschicht durch einen Durchbruch in dem p-dotierten Halbleiterbereich und der aktiven Schicht in den n-dotierten Halbleiterbereich hineingeführt wird, anstatt sie beispielsweise über vorher isolierte Seitenflächen des Halbleiterchips zu dem n-dotierten Halbleiterbereich zu führen, verbessert sich die Stromtragfähigkeit und Zuverlässigkeit des optoelektronischen Bauelements.
  • Die Isolierung der zweiten elektrischen Anschlussschicht von dem p-dotierten Halbleiterbereich und der aktiven Schicht im Bereich des Durchbruchs kann beispielsweise durch eine elektrisch isolierende Schicht, insbesondere eine SiO2-Schicht, erfolgen. Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung sind der p-dotierte Halbleiterbereich und die aktive Schicht in der Nähe des Durchbruchs durch einen Beschuss mit Argon-Ionen passiviert. Auf diese Weise wird der Herstellungsaufwand vorteilhaft verringert.
  • Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung weist die zweite elektrische Anschlussschicht mehrere Teilbereiche auf, die sich durch mehrere Durchbrüche, die durch den p-dotierten Halbleiterbereich und die aktive Schicht verlaufen, in den n-dotierten Halbleiterbereich hinein erstrecken. Dadurch, dass sich die zweite elektrische Anschlussschicht durch mehrere Durchbrüche in den n-dotierten Halbleiterbereich hinein erstreckt, wird die Stromtragfähigkeit des optoelektronischen Bauelements weiter verbessert.
  • Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements weist die Verbindungsschicht zwischen dem Träger und dem Halbleiterchip mindestens zwei voneinander elektrisch isolierte Teilbereiche auf, die durch ein elektrisch isolierendes Material voneinander getrennt sind. Insbesondere ist der erste Teilbereich der Verbindungsschicht mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterchips und über die mindestens eine Durchkontaktierung mit dem ersten Rückseitenkontakt des Trägers verbunden. Entsprechend ist der zweite Teilbereich der Verbindungsschicht mit dem zweiten elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterchips und über mindestens eine Durchkontaktierung mit dem zweiten Rückseitenkontakt des Trägers elektrisch leitend verbunden. Bei dem elektrisch isolierenden Material, das den ersten und zweiten Teilbereich der Verbindungsschicht elektrisch voneinander isoliert, handelt es sich vorzugsweise um ein Polymer. Bei dem Polymer kann es sich insbesondere um ein Polyimid handeln. Alternativ ist es auch denkbar, dass der erste und der zweite Teilbereich der Verbindungsschicht durch einen Hohlraum voneinander getrennt sind, wobei das elektrisch isolierende Material in diesem Fall Luft ist.
  • Die Durchkontaktierungen sind aus dem gleichen Metall oder der gleichen Metalllegierung wie die Verbindungsschicht. Insbesondere können die Durchkontaktierungen bei dem nachfolgend noch näher beschriebenen Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements im gleichen Verfahrensschritt ausgebildet werden wie die Verbindungsschicht, wodurch sich der Herstellungsaufwand vorteilhaft reduziert.
  • Bei einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung sind der erste elektrische Rückseitenkontakt und der zweite elektrische Rückseitenkontakt aus dem gleichen Metall oder der gleichen Metalllegierung gebildet wie die Durchkontaktierungen. Insbesondere ist es möglich, auch die Rückseitenkontakte im gleichen Verfahrensschritt auszubilden wie die Durchkontaktierungen und die Verbindungsschicht. Vorteilhaft sind also die Verbindungsschicht, die Durchkontaktierungen und die elektrischen Rückseitenkontakte jeweils aus dem gleichen Metall oder der gleichen Metalllegierung gebildet.
  • Bei dem Metall oder Metalllegierung handelt es sich vorzugsweise um Cu, Au, oder BiAg. Diese Materialien zeichnen sich durch eine gute elektrische Leitfähigkeit aus und sind somit vorteilhaft für eine gute Stromtragfähigkeit des optoelektronischen Bauelements.
  • Das Metall oder die Metalllegierung, aus dem die Verbindungsschicht und vorzugsweise auch die Durchkontaktierungen und/oder die Rückseitenkontakte gebildet sind, ist bevorzugt frei von Lunkern. Die Zuverlässigkeit und die Stromtragfähigkeit des optoelektronischen Bauelements wird durch eine lunkerfreie Verbindungsschicht vorteilhaft erhöht. Eine lunkerfreie Herstellung der Verbindungsschicht sowie der Durchkontaktierungen und/oder der Rückseitenkontakte ermöglicht sich durch das nachfolgend beschriebene Herstellungsverfahren für das optoelektronische Bauelement.
  • Bei einer Ausgestaltung des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements werden der Träger, der mehrere Öffnungen zum Ausbilden der Durchkontaktierungen aufweist, und der Halbleiterchip, der den ersten elektrischen Anschlussbereich und den zweiten elektrischen Anschlussbereich aufweist, bereitgestellt.
  • Der erste elektrische Anschlussbereich und der zweite elektrische Anschlussbereich sind durch eine Ausnehmung in dem Halbleiterchip voneinander getrennt.
  • Die Ausnehmung zwischen dem ersten elektrischen Anschlussbereich und dem zweiten elektrischen Anschlussbereich wird mit einem elektrisch isolierenden Material derart aufgefüllt, dass das elektrisch isolierende Material über einen Teilbereich der Anschlussbereiche hinausragt. Nachfolgend wird der Träger auf den Halbleiterchip aufgesetzt, wobei das über die Anschlussbereiche hinausragende elektrisch isolierende Material als Abstandshalterschicht fungiert, so dass ein Zwischenraum zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger entsteht. Die Abstandshalterschicht kann beispielsweise ringförmig ausgebildet sein.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt wird ein flüssiges Metall oder eine flüssige Metalllegierung durch die Öffnungen in dem Träger in den Zwischenraum eingefüllt, wobei das Metall oder die Metalllegierung nach dem Erstarren die Verbindungsschicht und die Durchkontaktierungen ausbildet.
  • Das Verfahren hat zum einen den Vorteil, dass die Verbindungsschicht und die Durchkontaktierungen in einem einzigen Verfahrensschritt ausgebildet werden. Weiterhin hat sich vorteilhaft herausgestellt, dass sich bei dieser Art der Herstellung der Verbindungsschicht und der Durchkontaktierungen im Gegensatz zu einem herkömmlichen Lötverfahren eine Verbindungsschicht ausbildet, die frei von Lunkern ist. Dadurch erhöhen sich die Stromtragfähigkeit und die Langzeitstabilität des optoelektronischen Bauelements.
  • Bei einer vorteilhaften Variante des Verfahrens werden beim Ausbilden der Verbindungsschicht und der Durchkontaktierungen auch die Rückseitenkontakte ausgebildet, wobei vor dem Einfüllen des flüssigen Metalls oder der flüssigen Metalllegierung in die Öffnungen des Trägers eine strukturierte Schicht auf die Rückseite des Trägers aufgebracht wird, die als Maske zur Ausbildung des ersten und zweiten Rückseitenkontakts dient. Die strukturierte Schicht verhindert, dass das flüssige Metall oder die flüssige Metalllegierung nach dem Befüllen des Zwischenraums und der Öffnungen für die Durchkontaktierungen die gesamte Rückseite des Trägers bedeckt. Vielmehr werden nur die von der strukturierten Schicht unbedeckten Bereiche des Trägers von dem flüssigen Metall oder der flüssigen Metalllegierung bedeckt, wodurch der erste und zweite Rückseitenkontakt ausgebildet werden. Bei dieser Variante des Verfahrens werden also die Verbindungsschicht, die Durchkontaktierungen und die Rückseitenkontakte in einem einzigen Verfahrensschritt hergestellt.
  • Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung ist das elektrisch isolierende Material, das als Abstandshalter zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger fungiert, ein Polymer. Insbesondere kann es sich bei dem elektrisch isolierenden Material um ein Polyimid handeln.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den 1 und 2 näher erläutert.
  • Es zeigen:
    • 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, und
    • 2A bis 2M eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels des Verfahrens zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements anhand von Zwischenschritten.
  • Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
  • Das in 1 schematisch im Querschnitt dargestellte optoelektronische Bauelement enthält einen Halbleiterchip 1, der eine Halbleiterschichtenfolge 20 aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge 20 kann beispielsweise einen n-dotierten Halbleiterbereich 2 und einen p-dotierten Halbleiterbereich 4 enthalten, wobei zwischen dem n-dotierten Halbleiterbereich 2 und dem p-dotierten Halbleiterbereich 4 eine aktive Schicht 3 angeordnet ist.
  • Die aktive Schicht 3 des optoelektronischen Bauelements kann insbesondere eine zur Emission von Strahlung geeignete aktive Schicht 3 sein. In diesem Fall handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauelement um eine Lumineszenzdiode, insbesondere um eine LED. Alternativ wäre es auch denkbar, dass die aktive Schicht 3 eine strahlungsdetektierende Schicht ist, wobei es sich bei dem optoelektronischen Bauelement in diesem Fall um ein Detektorbauelement handelt. Die aktive Schicht kann zum Beispiel als pn-Übergang, als Doppelheterostruktur, als Einfach-Quantentopfstruktur oder Mehrfach-Quantentopfstruktur ausgebildet sein. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst dabei jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss (Confinement) eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
  • Die Halbleiterschichtenfolge 20 des Halbleiterchips 1 basiert vorzugsweise auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial, insbesondere auf einem Arsenid-, Nitrid- oder Phosphidverbindungshalbleitermaterial. Beispielsweise kann die Halbleiterschichtenfolge 20 InxAlyGa1-x-yN, InxAlyGa1-x-yP oder InxAlyGa1-x-yAs, jeweils mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, enthalten. Dabei muss das III-V-Verbindungshalbleitermaterial nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach einer der obigen Formeln aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die physikalischen Eigenschaften des Materials im wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhalten obige Formeln jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
  • Der Halbleiterchip 1 ist mittels einer Verbindungsschicht 14 aus einem Metall oder einer Metalllegierung mit einem Träger 12 verbunden. Der Träger 12 kann insbesondere ein Halbleitermaterial, bevorzugt ein undotiertes Halbleitermaterial, aufweisen. Bei dem Halbleitermaterial des Trägers 12 handelt es sich vorzugsweise um Silizium. Die der Verbindungsschicht 14 zugewandte Seite des Trägers kann mit einer Benetzungsschicht 13 versehen sein.
  • Der Halbleiterchip 1 weist einen ersten elektrischen Anschlussbereich 18 und einen zweiten elektrischen Anschlussbereich 19 auf. Die elektrischen Anschlussbereich 18, 19 werden vorzugsweise durch Kontaktmetallisierungen gebildet, bei denen es sich beispielsweise um eine Ti/Pt/Au-Schichtenfolge handeln kann. Sowohl der erste elektrische Anschlussbereich 18 als auch der zweite elektrische Anschlussbereich 19 des Halbleiterchips sind dem Träger 12 zugewandt.
  • Der Träger 12 weist an einer von dem Halbleiterchip 1 abgewandten Rückseite einen ersten elektrischen Rückseitenkontakt 28 und einen zweiten elektrischen Rückseitenkontakt 29 auf. Die beiden elektrischen Rückseitenkontakte 28, 29 an der Rückseite des Trägers 12 sind insbesondere zur Oberflächenmontage des optoelektronischen Bauelements vorgesehen. Insbesondere kann das optoelektronische Bauelement an den Rückseitenkontakten 28, 29 beispielsweise mittels einer Lötverbindung mit den Leiterbahnen einer Leiterplatte verbunden werden. Das optoelektronische Bauelement ist also ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und weist insbesondere keine Drahtanschlüsse auf.
  • Der erste elektrische Rückseitenkontakt 28 und der zweite elektrische Rückseitenkontakt 29 sind jeweils mittels mindestens einer Durchkontaktierung 15, 16 und über die Verbindungsschicht 14 mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich 18 beziehungsweise dem zweiten elektrischen Anschlussbereich 19 verbunden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind zur Verbindung des ersten Rückseitenkontakts 28 mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich 18 vorteilhaft zwei Durchkontaktierungen 15 in dem Träger 12 ausgebildet. Zur Verbindung des zweiten elektrischen Rückseitenkontakts 29 mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich 19 sind vorteilhaft drei Durchkontaktierungen 16 in dem Träger 12 ausgebildet. Dadurch, dass die Rückseitenkontakte 28, 29 jeweils mittels mehrerer Durchkontaktierungen 15, 16 mit den elektrischen Anschlussbereichen 18, 19 des Halbleiterchips 1 verbunden sind, erhöht sich vorteilhaft die Stromtragfähigkeit des optoelektronischen Bauelements.
  • Die Durchkontaktierungen 15, 16 weisen vorteilhaft eine Breite b von mindestens 30 µm, besonders bevorzugt von mindestens 60 µm auf. Beispielsweise können die Durchkontaktierungen 15, 16 zylinderförmig mit einem Durchmesser von mindestens 30 µm oder bevorzugt mindestens 60 µm sein. Es sind aber auch andere Querschnittsflächen für die Durchkontaktierungen 15, 16 denkbar, beispielsweise können die Durchkontaktierungen 15, 16 rechteckige, insbesondere quadratische, Querschnittsflächen aufweisen. Durch eine vergleichsweise große Breite der Durchkontaktierungen wird die Stromtragfähigkeit des optoelektronischen Bauelements weiter verbessert.
  • Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel weisen nicht alle Durchkontaktierungen 15, 16 die gleiche Breite auf. Insbesondere weisen die Durchkontaktierungen 15 eine geringere Breite auf als die Durchkontaktierungen 16. Beispielsweise kann die Breite der Durchkontaktierungen 15 30 µm oder mehr, und die Breite der Durchkontaktierungen 16 60 µm oder mehr betragen. Die Durchkontaktierungen 15 weisen eine geringere Breite auf, da sie in der Nähe von Bereichen der Verbindungsschicht 14 angeordnet sind, an denen die Verbindungsschicht 14 durch ein elektrisch isolierendes Material 17, insbesondere ein Polymer, unterbrochen ist. Das isolierende Material 17, bei dem es sich insbesondere um Polyimid handeln kann, dient zur Aufteilung der Verbindungsschicht 14 in einen ersten Teilbereich 14a, der mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich 18 und über die Durchkontaktierungen 15 mit dem ersten Rückseitenkontakt 28 elektrisch leitend verbunden ist, und einen zweiten Teilbereich 14b, der mit dem zweiten elektrischen Anschlussbereich 19 und über die Durchkontaktierungen 16 mit dem zweiten Rückseitenkontakt 29 elektrisch leitend verbunden ist. Vorzugsweise ist die Verbindungsschicht 14 auch an den Seiten des Halbleiterchips 1 durch das isolierende Material 17 unterbrochen. Auf diese Weise wird vorteilhaft verhindert, dass das Metall oder die Metalllegierung der Verbindungsschicht 14 beim Verbinden des Trägers 12 mit dem Halbleiterchip 1 an die Seitenflanken des Trägers 12 gelangt und dort möglicherweise mit den Material der Rückseitenkontakte 28, 29 in Verbindung gerät. Auf diese Weise könnte ansonsten möglicherweise ein Kurzschluss entstehen.
  • Die Unterbrechungen der Verbindungsschicht 14 durch die elektrisch isolierenden Bereiche 17 könnten zu einer mechanischen Instabilität führen, wenn in der Nähe dieser Unterbrechungen auch eine vergleichsweise große Unterbrechung des Trägers 12 vorliegen würde. Aus diesem Grund weisen die Durchkontaktierungen 15, die in der Nähe der Unterbrechungen der Verbindungsschicht durch das elektrisch isolierende Material 17 angeordnet sind, eine kleinere Breite als die Durchkontaktierungen 16 auf.
  • Das elektrisch isolierende Material 17, das die Verbindungsschicht 14 in elektrisch voneinander isolierte Teilbereiche 14a, 14b unterteilt, muss nicht notwendigerweise ein Polymer wie beispielsweise Polyimid sein. Es ist alternativ auch denkbar, dass die Unterbrechung durch Hohlräume realisiert ist, so dass das elektrisch isolierende Material 17 Luft ist.
  • Die Verbindungsschicht 14, die den Halbleiterchip 1 und den Träger 12 miteinander verbindet, ist aus einem Metall oder einer Metalllegierung gebildet. Bei dem Metall oder der Metalllegierung kann es sich insbesondere um Cu, Au, AuSn oder BiAg handeln. Die Durchkontaktierungen 15, 16 sind aus dem gleichen Material gebildet wie die Verbindungsschicht 14. Insbesondere ist es möglich, die Durchkontaktierungen 15, 16 im gleichen Verfahrensschritt herzustellen wie die Verbindungsschicht 14. Besonders vorteilhaft sind auch die Rückseitenkontakte 28, 29 aus dem gleichen Material gebildet wie die Durchkontaktierungen 15, 16 und/oder die Verbindungsschicht 14. Insbesondere ist es möglich, auch die Rückseitenkontakte 28, 29 im gleichen Verfahrensschritt herzustellen wie die Verbindungsschicht 14 und die Durchkontaktierungen 15, 16.
  • Um eine hohe Stromtragfähigkeit und gute Langzeitstabilität des optoelektronischen Bauelements zu erreichen, ist das Metall oder die Metalllegierung, aus dem die Verbindungsschicht 14, die Durchkontaktierungen 15, 16 und vorzugsweise auch die Rückseitenkontakte 28, 29 gebildet sind, frei von Lunkern.
  • In dem Halbleiterchip 1 ist der erste elektrische Anschlussbereich 18 mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht 8 mit dem p-dotierten Halbleiterbereich 4 elektrisch leitend verbunden. Der zweite elektrische Anschlussbereich 19 ist mit einer zweiten elektrischen Anschlussschicht 9 mit dem n-dotierten Halbleiterbereich 2 elektrisch leitend verbunden. Der Halbleiterchip 1 enthält eine elektrisch isolierende Schicht 10, beispielsweise eine SiO2-Schicht, welche Bereiche des Halbleiterchips 1, die mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich 18 verbunden sind, von Bereichen des Halbleiterchips 1, die mit dem zweiten elektrischen Anschlussbereich verbunden 19 sind, voneinander isoliert.
  • Die zweite elektrische Anschlussschicht erstreckt sich vorteilhaft durch mehrere Durchbrüche 25, die durch den p-dotierten Bereich 4 der Halbleiterschichtenfolge und die aktive Schicht 3 hindurch verlaufen, bis in den n-dotierten Halbleiterbereich 2 hinein. Im Bereich der Durchbrüche ist die zweite elektrische Anschlussschicht 9 durch passivierte Halbleiterbereiche 7 von dem p-dotierten Halbleiterbereich 4 und der aktiven Schicht 3 isoliert. Die passivierten Halbleiterbereiche 7 können durch einen Beschuss des Materials des p-dotierten Bereichs 4 oder der aktiven Schicht 3 der Halbleiterschichtenfolge 20 mit hochenergetischen Ionen, insbesondere Argon-Ionen erzeugt werden. Alternativ wäre es auch möglich, die zweite elektrische Anschlussschicht 9 im Bereich der Durchbrüche 25 mittels einer weiteren isolierenden Schicht von den angrenzenden Halbleiterbereichen zu isolieren.
  • Dadurch, dass sich die zweite elektrische Anschlussschicht 9 durch mehrere Durchbrüche 25 in den n-dotierten Halbleiterbereich 2 hinein erstreckt, wird eine hohe Stromtragfähigkeit erzielt. Weiterhin hat die beschriebene Art der Kontaktierung den Vorteil, dass eine dem Träger 12 gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche 32 des Halbleiterchips 1 frei von elektrischen Kontakten ist, welche eine teilweise Absorption der von der aktiven Schicht 3 emittierten Strahlung bewirken könnten. Um die Auskopplung von Strahlung aus dem optoelektronischen Bauelement weiter zu verbessern, ist die Strahlungsaustrittsfläche 32 mit einer Aufrauhung oder Auskoppelstruktur 21 versehen.
  • Um eine weitere Verbesserung der Effizienz des optoelektronischen Bauelements zu erzielen, ist die dem Träger 12 zugewandte Seite des p-dotierten Halbleiterbereichs 4 mit einer Spiegelschicht 5 versehen. Die Spiegelschicht 5 weist vorzugsweise Silber auf oder besteht daraus.
  • Um die Spiegelschicht 5 vor Korrosion zu schützen, ist diese mit einer Verkapselungsschicht 6 versehen. Die Verkapselungsschicht 6 kann mehrere Teilschichten aufweisen. Bei der Verkapselungsschicht 6 kann es sich insbesondere um eine Schichtenfolge aus Pt/Au/Ti handeln.
  • Vorteilhaft enthalten auch die erste und die zweite elektrische Anschlussschicht 8, 9 jeweils Silber oder bestehen daraus. Um auch die elektrischen Anschlussschichten 8, 9 vor Korrosion zu schützen, sind diese mit einer elektrisch leitfähigen Barriereschicht 11 versehen, die insbesondere TiWN enthalten kann. Die Barriereschicht 11 kann auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein.
  • Die Spiegelschicht 5, die Verkapselungsschicht 6 und die Barriereschicht 11 sind jeweils aus elektrisch leitenden Materialien gebildet, so dass durch diese Schichten der Strompfad zwischen den elektrischen Anschlussbereichen 18, 19 und dem p-dotierten Halbleiterbereich 4 beziehungsweise dem n-dotierten Halbleiterbereich 2 nicht unterbrochen wird. Die elektrischen Anschlussschichten 8, 9 müssen daher nicht unmittelbar an die elektrischen Anschlussbereiche 18, 19 angrenzen, sondern es können Teilbereiche der Spiegelschicht 5, der Verkapselungsschicht 6 oder der Barriereschicht 11 innerhalb des Strompfads angeordnet sein.
  • In den folgenden 2A bis 2M wird ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements beschrieben. Die zuvor beschriebenen vorteilhaften Ausgestaltungen einzelner Bestandteile des optoelektronischen Bauelements gelten in gleicher Weise für das im Folgenden beschriebene Verfahren und umgekehrt.
  • Bei dem in 2A dargestellten Zwischenschritt des Verfahrens ist die Halbleiterschichtenfolge 20, die den n-dotierten Halbleiterbereich 2, die aktive Schicht 3 und den p-dotierten Halbleiterbereich 4 umfasst, auf ein Aufwachssubstrat 20 aufgewachsen worden. Bei dem Aufwachssubstrat 27 kann es sich beispielsweise um ein Silizium-Substrat handeln. Alternativ kann das Aufwachssubstrat 27 beispielsweise GaN, Saphir oder SiC aufweisen. Die Halbleiterschichtenfolge 20 wird vorzugsweise epitaktisch, insbesondere mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) hergestellt. Der n-dotierte Halbleiterbereich 2, die aktive Schicht 3 und der p-dotierte Halbleiterbereich 4 sind können jeweils aus mehreren Einzelschichten zusammengesetzt sein, die zur Vereinfachung nicht im Einzelnen dargestellt sind.
  • Bei dem in 2B dargestellten Zwischenschritt ist eine Spiegelschicht 5 auf die Halbleiterschichtenfolge 20 aufgebracht worden. Bei der Spiegelschicht 5 handelt es sich vorzugsweise um eine Silberschicht. Um die Spiegelschicht 5 vor Korrosion zu schützen, wird sie mit einer Verkapselungsschicht 6 bedeckt, wobei die Verkapselungsschicht 6 aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt sein kann. Insbesondere kann die Verkapselungsschicht 6 eine Pt/Au/Ti-Schichtenfolge sein.
  • Bei dem in 2C dargestellten Zwischenschritt sind die Spiegelschicht 5 und die Verkapselungsschicht 6 derart strukturiert worden, dass sie zwei räumlich voneinander getrennte Bereiche der Halbleiterschichtenfolge 20 bedecken. Die Strukturierung der Schichten erfolgt bei diesem Verfahrensschritt wie auch bei den in nachfolgend beschriebenen Zwischenschritten jeweils mit Techniken wie Photolithographie, Ätzprozessen und Lift-off-Prozessen, die dem Fachmann an sich bekannt sind und daher nicht im Einzelnen erläutert werden.
  • Weiterhin ist bei dem in 2C dargestellten Zwischenschritt der p-dotierte Halbleiterbereich 4 in Bereichen 7, die zwischen und außerhalb der von der Spiegelschicht und der Verkapselungsschicht bedeckten Bereichen der Halbleiterschichtenfolge angeordnet sind, passiviert worden. Die passivierten Bereiche 7 können beispielsweise durch einen Beschuss des p-dotierten Halbleitermaterials mit Argon-Ionen erzeugt werden. Vorzugsweise erstrecken sich die passivierten Bereiche 7 bis in die aktive Schicht 3 hinein, so dass der pn-Übergang durch die elektrisch isolierenden passivierten Bereichen 7 durchtrennt ist.
  • Bei dem in 2D dargestellten Zwischenschritt wurde in den Randbereichen der Halbleiterschichtenfolge 20 eine Mesa-Ätzung durchgeführt, bei der die Halbleiterschichtenfolge 20 bis in den n-dotierten Halbleiterbereich 2 hinein abgetragen wurde.
  • Auf die auf diese Weise hergestellte Struktur wurde bei dem in 2E dargestellten Zwischenschritt eine elektrisch isolierende Schicht 10 aufgebracht. Bei der elektrisch isolierenden Schicht 10 kann es sich insbesondere um eine SiO2-Schicht handeln.
  • Bei dem in 2F dargestellten Zwischenschritt wurden mittels Ätzprozessen Öffnungen in der isolierenden Schicht 10 hergestellt und Durchbrüche 25 erzeugt, die durch die passivierten Bereiche 7 des p-dotierten Halbleiterbereichs 4 und der aktiven Schicht 3 hindurch bis in den n-dotierten Halbleiterbereich 2 hinein verlaufen. Weiterhin wurde eine Ausnehmung 30 in der Verkapselungsschicht 6 erzeugt.
  • Bei dem in 2G dargestellten Verfahrensschritt wurden eine erste elektrische Anschlussschicht 8 und eine zweite elektrische Anschlussschicht 9 aufgebracht und strukturiert. Die erste elektrische Anschlussschicht 8 und die zweite elektrische Anschlussschicht 9 können insbesondere Silber enthalten oder daraus bestehen.
  • Die erste elektrische Anschlussschicht 8 schließt an die Verkapselungsschicht 6 an, die über die elektrisch leitende Spiegelschicht 5 mit dem p-dotierten Halbleiterbereich 4 verbunden ist. Die erste elektrische Anschlussschicht 8 ist also zur Kontaktierung des p-dotierten Halbleiterbereichs 4 vorgesehen. Die zweite elektrische Anschlussschicht 9 erstreckt sich durch die Durchbrüche 25 bis in den n-dotierten Halbleiterbereich 2 hinein. Die zweite elektrische Anschlussschicht 9 ist also zur Kontaktierung des n-dotierten Halbleiterbereichs 2 vorgesehen. Die erste elektrische Anschlussschicht 8 und die zweite elektrische Anschlussschicht 9 sind durch Ausnehmungen 31 voneinander isoliert.
  • Bei dem in 2H dargestellten Zwischenschritt wurde eine Barriereschicht 11 auf die erste Anschlussschicht 8 und die zweite Anschlussschicht 9 aufgebracht. Die Barriereschicht 11 kann insbesondere TiWN enthalten. Es ist auch möglich, dass die Barriereschicht 11 aus mehreren Einzelschichten zusammengesetzt ist. Durch die Barriereschicht 11 werden die erste elektrische Anschlussschicht 8 und die zweite elektrische Anschlussschicht 9, die vorzugsweise Silber enthalten, vor Korrosion geschützt. Weiterhin wurde bei dem in 2H dargestellten Zwischenschritt eine Kontaktmetallisierung auf die Barriereschicht 11 aufgebracht, die den ersten elektrischen Anschlussbereich 18 und der zweiten elektrischen Anschlussbereich 19 des auf diese Weise hergestellten Halbleiterchips 1 ausbilden. Die Kontaktmetallisierung 18, 19 kann insbesondere ein Ti/Pt/Au-Schichtenfolge sein. Der erste elektrische Anschlussbereich und der zweite elektrische Anschlussbereich sind durch die Ausnehmung 31 voneinander isoliert.
  • Beim dem in 21 dargestellten Verfahrensschritt wurden die Ausnehmungen 31 mit einem elektrisch isolierenden Material 17 aufgefüllt. Das elektrisch isolierende Material 17 kann insbesondere ein Polymer, vorzugsweise Polyimid, sein. Die Schicht aus dem elektrisch isolierenden Material 17 isoliert die elektrischen Anschlussbereiche 18, 19 voneinander und ragt über Teilbereiche der elektrischen Anschlussbereiche 18, 19 hinaus. Weiterhin wurde das isolierende Material 17 auch an den Seiten des Halbleiterchips auf die Anschlussbereiche 18, 19 aufgebracht.
  • Bei dem in 2J dargestellten Zwischenschritt wurde ein Träger 12 auf den Halbleiterchip 1 aufgesetzt, wobei das über die elektrischen Anschlussbereiche 18, 19 hinausragende elektrisch isolierende Material 17 als Abstandshalter wirkt, so dass zwischen dem Halbleiterchip 1 und dem Träger 12 ein Zwischenraum 24 entstanden ist. Der Träger 12 weist mehrere Öffnungen 22 auf, die zur Ausbildung von Durchkontaktierungen durch den Träger 12 vorgesehen sind. Die dem Halbleiterchip 1 zugewandte Seite des Trägers 12 kann mit einer Benetzungsschicht 13 versehen sein. Die von dem Halbleiterchip 1 abgewandte Rückseite des Trägers 12 ist vorteilhaft mit einer strukturierten Schicht 26 versehen, die als Maske zur Ausbildung von elektrischen Rückseitenkontakten an der Rückseite des Trägers 12 dient.
  • 2K zeigt eine Aufsicht auf die Rückseite des Trägers 12. Die strukturierte Schicht 26, bei der es sich insbesondere um einen Lötstopplack handeln kann, definiert zwei Bereiche, die zur Ausbildung der elektrischen Rückseitenkontakte 28, 29 des Trägers 12 dienen. In der Aufsicht auf die Rückseite sind auch die beispielsweise zylinderförmigen Öffnungen 22 für die Durchkontaktierungen zu sehen.
  • Bei dem in 2L dargestellten Zwischenschritt wurde eine Verbindungsschicht 14 zwischen dem Träger 12 und dem Halbleiterchip 1 hergestellt, indem ein flüssiges Metall oder eine flüssige Metalllegierung durch die Öffnungen 22 des Trägers 12 in dem Zwischenraum 24 eingefüllt wurde. Bei diesem Verfahrensschritt wurden gleichzeitig auch die Durchkontaktierungen 15, 16 sowie der erste Rückseitenkontakt 28 und der zweite Rückseitenkontakt 29 erzeugt. Vorzugsweise bestehen daher die Verbindungsschicht 14, die Durchkontaktierungen 15, 16 sowie der erste Rückseitenkontakt 28 und der zweite Rückseitenkontakt 29 jeweils aus dem gleichen Material, beispielsweise Cu, Au, AuSn oder BiAg. Die als Maske zur Ausbildung der Rückseitenkontakte 28, 29 dienende strukturierte Schicht 26 ist bei dem in 2L dargestellten Zwischenschritt bereits wieder entfernt worden.
  • Bei dem in 2M dargestellten Zwischenschritt wurde das zum Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge 20 verwendete Aufwachssubstrat von dem Halbleiterchip 1 abgelöst. Somit fungiert allein der Träger 12, der dem ursprünglichen Aufwachssubstrat gegenüberliegt, als tragende Unterlage für den Halbleiterchip. Die Darstellung in 2M wurde daher im Vergleich zu den vorherigen Figuren um 180° gedreht.
  • Die Oberfläche des n-dotierten Halbleiterbereichs 2, an der das ursprüngliche Aufwachssubstrat angeordnet war, ist nun als Strahlungsaustrittsfläche 32 des Halbleiterchips 1 vorgesehen. Die Oberfläche des n-dotierten Halbleiterbereichs 2, die als Strahlungsaustrittsfläche 32 dient, kann in einem weiteren Verfahrensschritt mit einer Oberflächenstruktur oder einer Aufrauhung 21 versehen werden, beispielsweise mittels eines Ätzprozesses mit KOH. Das auf diese Weise hergestellte optoelektronische Bauelement entspricht dann dem in 1 dargestellten optoelektronischen Bauelement.

Claims (14)

  1. Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip (1), der eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer aktiven Schicht (3) aufweist, und einem Träger (12), der mittels einer Verbindungsschicht (14) aus einem Metall oder einer Metalllegierung mit dem Halbleiterchip (1) verbunden ist, wobei - der Halbleiterchip (1) einen ersten elektrischen Anschlussbereich (18) und einen zweiten elektrischen Anschlussbereich (19) aufweist, - der erste elektrische Anschlussbereich (18) und der zweite elektrische Anschlussbereich (19) dem Träger (12) zugewandt sind, - der Träger (12) an einer von dem Halbleiterchip (1) abgewandten Rückseite einen ersten elektrischen Rückseitenkontakt (28) und einen zweiten elektrischen Rückseitenkontakt (29) aufweist, - der erste elektrische Rückseitenkontakt (28) mit mindestens einer Durchkontaktierung (15), die durch den Träger (12) verläuft, mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich (18) elektrisch leitend verbunden ist, - der zweite elektrische Rückseitenkontakt (29) mit mindestens einer Durchkontaktierung (16), die durch den Träger (12) verläuft, mit dem zweiten elektrischen Anschlussbereich (19) elektrisch leitend verbunden ist, - der erste und/oder der zweite elektrische Rückseitenkontakt (28, 29) mit mindestens einer weiteren Durchkontaktierung (15, 16), die durch den Träger verläuft, mit dem ersten bzw. dem zweiten elektrischen Anschlussbereich (18, 19) verbunden ist, und - die Durchkontaktierungen (15, 16) aus dem gleichen Metall oder der gleichen Metalllegierung gebildet sind wie die Verbindungsschicht (14).
  2. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, wobei sowohl der erste (28) als auch der zweite elektrische Rückseitenkontakt (29) jeweils mit mindestens zwei Durchkontaktierungen (15, 16), die durch den Träger (12) verlaufen, mit dem ersten (18) bzw. dem zweiten elektrischen Anschlussbereich (19) verbunden sind.
  3. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens eine der Durchkontaktierungen (15, 16) eine Breite von mindestens 30 µm aufweist.
  4. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens eine der Durchkontaktierungen (15, 16) eine Breite von mindestens 60 µm aufweist.
  5. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (20) einen n-dotierten Halbleiterbereich (2) und einen p-dotierten Halbleiterbereich (4) aufweist, wobei der p-dotierte Halbleiterbereich (4) dem Träger (12) zugewandt ist, - der Halbleiterchip (1) eine erste elektrische Anschlussschicht (8) aufweist, die den ersten elektrischen Anschlussbereich (18) mit dem p-dotierten Halbeleiterbereich (4) verbindet, - der Halbleiterchip (1) eine zweite elektrische Anschlussschicht (9) aufweist, die den zweiten elektrischen Anschlussbereich (19) mit dem n-dotierten Halbeleiterbereich (2) verbindet, und - sich ein Teilbereich der zweiten elektrischen Anschlussschicht (9) durch mindestens einen Durchbruch (25), der durch den p-dotierten Halbleiterbereich (4) und die aktive Schicht (3) verläuft, in den n-dotierten Halbleiterbereich (2) hinein erstreckt.
  6. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 5, wobei die zweite elektrische Anschlussschicht (9) mehrere Teilbereiche aufweist, die sich durch mehrere Durchbrüche (25) in der aktiven Schicht (3) in den n-dotierten Halbleiterbereich (2) hinein erstrecken.
  7. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verbindungsschicht (14) mindestens zwei elektrisch voneinander isolierte Teilbereiche (14a, 14b) aufweist, die durch ein elektrisch isolierendes Material (17) voneinander getrennt sind.
  8. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 7, wobei das elektrisch isolierende Material (17) ein Polymer ist.
  9. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste elektrische Rückseitenkontakt (28) und der zweite elektrische Rückseitenkontakt (29) aus dem gleichen Metall oder der gleichen Metalllegierung gebildet sind wie die Durchkontaktierungen (15, 16).
  10. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Metall oder die Metalllegierung Cu, Au, AuSn oder BiAg enthält.
  11. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Metall oder die Metalllegierung frei von Lunkern ist.
  12. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, mit den Verfahrensschritten: - Bereitstellen des Trägers (12), der mehrere Öffnungen (22) zum Ausbilden der Durchkontaktierungen (15, 16) aufweist, - Bereitstellen des Halbleiterchips (1), der den ersten elektrischen Annschlussbereich (18) und den zweiten elektrischen Anschlussbereich (19) aufweist, wobei der erste elektrische Annschlussbereich (18) und der zweite elektrische Anschlussbereich (19) durch eine Ausnehmung (23) in dem Halbleiterchip (1) voneinander getrennt sind, - Auffüllen der Ausnehmung (23) mit einem elektrisch isolierenden Material (17) derart, dass das elektrisch isolierende Material (17) über einen Teilbereich der Anschlussbereiche (18, 19) hinausragt, - Aufsetzen des Trägers auf den Halbleiterchip, wobei das über die Anschlussbereiche (18, 19) hinausragende elektrisch isolierende Material (17) als Abstandshalterschicht fungiert, so dass ein Zwischenraum (24) zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem Träger (12) entsteht, - Einfüllen eines flüssigen Metalls oder einer flüssigen Metalllegierung durch die Öffnungen (12) in dem Träger in den Zwischenraum (24), wobei das Metall oder die Metalllegierung nach dem Erstarren die Verbindungsschicht (14) und die Durchkontaktierungen (15, 16) ausbildet.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem beim Ausbilden der Verbindungsschicht (14) und der Durchkontaktierungen (15, 16) auch die Rückseitenkontakte (28, 29) ausgebildet werden, wobei vor dem Einfüllen des flüssigen Metalls oder der flüssigen Metalllegierung in die Öffnungen (22) eine strukturierte Schicht (26) auf die Rückseite des Trägers (12) aufgebracht wird, die als Maske zur Ausbildung des ersten und zweiten Rückseitenkontakts (28, 29) dient.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, wobei das elektrisch isolierende Material (17) ein Polymer ist.
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