CN1741377A

CN1741377A - 声表面波装置以及通信装置

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Publication number: CN1741377A
Application number: CN200510092192.4A
Authority: CN
Inventors: 田中宏行; 饭冈淳弘
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2004-08-24
Filing date: 2005-08-24
Publication date: 2006-03-01
Anticipated expiration: 2025-08-24
Also published as: US20060044081A1; JP4518870B2; CN100574097C; JP2006066978A; US7453333B2

Abstract

本发明涉及一种通频带外衰减特性优良的声表面波装置，具有压电基板(17)，其下面形成有IDT电极(3、4)、将上述IDT电极(3、4)包围起来且与IDT电极(3)相连接的环状接地电极(6)；以及基体(5)，上面形成有环状接地导体(7)，具有与环状接地导体(7)相连接的内部接地导体层(10a)、下面接地导体层(11a)、与IDT电极(4)相连接的内部接地导体层(10b)、及下面接地导体层(11b)。内部接地导体层(10a)与下面接地导体层(11a)所构成的第1接地用导体，与内部接地导体层(10b)与下面接地导体层(11b)所构成的第2接地用导体被直流分离。

Description

声表面波装置以及通信装置

技术领域

本发明涉及一种声表面波装置以及具备该装置的通信装置，特别是一种在倒装构造的声表面波装置中，通频带外衰减特性优良的声表面波装置。该声表面波装置形成声表面波滤波器或声表面波共振器等电路部件。这些电路部件用于移动电话等通信装置。

背景技术

近年来，伴随着通信装置的高频化、高功能化的发展，需要通频带外衰减特性优良的声表面波(Surface Acoustic Wave)滤波器的要求日益增加。

例如，900MHz带的移动电话用滤波器，需要一种增加了通频带附近以及数GHz的高频带中的通频带外衰减量的、通频带外衰减特性优良的声表面波滤波器。

为了实现这样的优良的通频带外衰减特性，例如，有人提出了在压电基板上设置3个IDT(Inter Digital Transducer)电极，利用纵1次模式与纵3次模式的双重模式声表面波共振器滤波器。

图16中显示了以往的共振器型声表面波滤波器的电极构造的模式平面图。

具有配设在压电基板上的多个电极指的IDT电极204，是由相面对齿合在一起的一对梳齿状电极构成，给该一对梳齿状电极施加电场，生成声表面波的电极。

从与IDT电极204的一方的梳齿状电极相连接的输入端子215输入电气信号，通过这样，将激励起来的声表面波传输给设置在IDT电极204的两侧的IDT电极203、205。

从分别构成IDT电极203、205的一方梳齿状电极，通过IDT电极206、209向输出端子216、217输出电气信号。另外，图中的210、211、212、213分别为反射器电极。

这里，通过给输入端子215输入电气信号，激励起声表面波，该声表面波传输给位于IDT电极204的两侧的IDT电极203、205，通过IDT电极206、209，传输给被IDT电极206、209所夹持的IDT电极207、208，从与IDT电极207、208相连接的输出端子216、217输出电气信号。另外，通过位于两端的反射器电极210、211、212、213反射声表面波，在两端的反射器电极210、211之间以及212、213之间变为驻波。

像这样，通过采用将具有相同的特性的声表面波滤波器两段级联(cascade)连接起来的构成，在第1段被衰减的信号能够继续被第2段所衰减，从而能够使通频带外衰减量变为约两倍。

另外，为了实现优良的通频带外衰减特性，同时减少插入损耗，图16中所示的声表面波滤波器的段数最好为2段。这是由于，在1段的情况下，虽然插入损耗较少，但通频带外衰减量也减少，在3段以上的情况下相反，虽然通频带外衰减量增加，但插入损耗也增加。

以前，将形成有这样的声表面波滤波器的声表面波元件正装在封装中。这种情况下，通过焊线将声表面波滤波器与封装的接地电极电连接起来，通过这样，能够在声表面波滤波器与接地电极之间附加较大的电感，抑制声表面波滤波器的通频带外的下限电平(floor level)的上升，还能够进一步提高通频带外衰减特性。

另外，为了让声表面波装置进一步小型化，有人积极开发出了一种使用倒装导体凸台来安装声表面波元件，使用所谓的倒装法的CSP(ChipScale Package)型声表面波装置(参照特开2000-49565号公报)。

图17中显示了以往的CSP型声表面波装置的模式剖面图。

图17中，51为压电基板，52为形成在压电基板51的下面的接地焊盘，53为形成在压电基板51的下面的IDT电极，54为形成在封装57中的接地电极，55为将接地焊盘52与接地电极54连接起来的凸台。56为从上方覆盖封装57的凹部，用来将封装57内部的声表面波元件气密封起来的盖体，58为将封装57与盖体56连接起来的连接层。

如上所述，通过CSP型来实现小型化，并且还提高通频带外衰减特性的开发正在不断发展，另一方面，如果说为了通信机器的小型化，而制造CSP型声表面波装置，则无法使用以前的正装型声表面波装置中所使用的焊线。因此，无法在声表面波滤波器与接地电极之间附加大电感(在电感较小的情况下，衰减极位于高频侧，衰减极无法有助于提高滤波器特性)。所以，存在声表面波滤波器的通频带外的下限电平上升，通频带外衰减量不充分等问题点。

另外，图17中所示的声表面波装置为了防止IDT电极53的氧化等，而采用将声表面波元件安装储存在封装57内，通过盖体56来气密封封装57的上面的构成，因此，不利于进一步的小型化·低高度化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种通频带外衰减特性优良，且能够小型化·低高度化的倒装构造的声表面波装置以及使用该装置的通信装置。

本发明的声表面波装置，具有：压电基板，其下面形成有第1IDT电极、第2IDT电极、上述第2IDT电极的接地端子、以及将上述第1IDT电极与第2IDT电极包围起来并且用作上述第1IDT电极的接地端子的环状接地电极；以及基体，上面形成有对应于上述环状接地电极的环状接地导体，以及对应于上述第2IDT电极的接地端子的接地焊盘，用来与上述压电基板的形成有上述IDT电极等的面相面对安装。

上述基体的上述环状接地导体，与通过上述基体的第1内部接地导体层以及第1下面接地导体层的至少一方所构成的第1接地用导体相连接；上述基体的上述接地焊盘，与通过上述基体的第2内部接地导体层以及第2下面接地导体层的至少一方所构成的第2接地用导体相连接；上述第1接地用导体，与上述第2接地用导体被直流分离。

根据本发明的声表面波装置，由于上述第1接地用导体与上述第2接地用导体被直流分离，因此，能够防止输入到第1IDT电极中的信号，经第1接地用导体以及第2接地用导体，传送到第2IDT电极中，从而让信号的泄漏较少。

另外，由于第1接地用导体包含有环状接地电极与内部接地电极层以及下面接地导体层的至少一方，第2接地用导体包含有内部接地电极层以及下面接地导体层的至少一方，因此，在第1IDT电极与第1接地用导体之间，以及第2IDT电极与第2接地用导体之间，能够增加与各个IDT电极所形成的电容串联的大电感。通过这样，由于能够在通频带外的所期望的位置上形成衰减极，从而能够抑制下限电平的上升，提高通频带外衰减特性。

另外，与第1接地用导体和第2接地用导体并联的构成相比，能够增加第1接地用导体以及第2接地用导体各自的线路电感，其结果是，提高通频带外衰减特性变得较容易。

进一步，根据本发明的构成，在通过环状接地电极以及环状接地导体将压电基板与基体接合起来的同时，能够将各个IDT电极气密封起来，因此，不需要以前为了进行气密封所必需的封装，从而能够让声表面波装置大幅小型化·低高度化。

最好让上述环状接地导体的一部分，与上述第1内部接地导体层，以及上述第1下面接地导体层相面对设置。

一般来说，通频带外的衰减极的位置，由通过各个IDT电极的电容与各个接地用导体的电感所决定的共振频率所控制，能够在声表面波装置中得到所期望的频率特性。

根据本发明的构成，由于环状接地导体的一部分与内部接地导体层以及下面接地导体层相面对，因此，除了第1IDT电极的电容与第1接地用导体的电感之外，还能够通过与环状接地导体相面对的内部接地导体层以及下面接地导体层的至少一方之间所产生的电容，来进一步控制衰减极的位置。其结果是，将能够控制通频带外衰减极的位置的频率范围进一步扩展到低频侧，从而接近通频带，因此能够得到所期望的滤波特性。

根据同样的理由，最好让上述第2内部接地导体层，与上述第2下面接地导体层相面对设置。

最好让上述基体在平面上看具有4个以上的角部，在这些角部中互相不相邻的两个角部的一方中设有上述第1下面接地导体层，在另一方中设有上述第2下面接地导体层。该构成中，由于能够增加第1IDT电极的信号端子与第2IDT电极的信号端子之间的距离，而不扩大声表面波装置的形状，因此能够尽量降低各个信号端子间的干扰，得到一种小型且信号端子间的绝缘性良好的声表面波装置。

另外，根据本发明的声表面波装置，最好得到下述结构：让第1IDT电极的信号端子以及第2IDT电极的信号端子，分别经基体中所形成的第1信号用导体以及第2信号用导体，从基体的下面导出来，第1及/或第2内部接地用导体层，配置在第1信号用导体与上述第2信号用导体之间。该结构中，由于能够降低第1IDT电极的信号端子与第2IDT电极的信号端子之间的电磁耦合，而不扩大声表面波装置的形状，因此能够尽量降低各个信号端子间的干扰，得到一种小型且信号端子间的绝缘性良好的声表面波装置。

另外，可以让上述基体是多层基板，上述环状接地导体，经贯通导体与上述第1内部接地导体层相连接，该第1内部接地导体层经贯通导体与上述第1下面接地导体层相连接。

另外，可以让上述基体是多层基板，上述基体的上面所形成的接地焊盘，经贯通导体与上述第2内部接地导体层相连接，该第2内部接地导体层经贯通导体与上述第2下面接地导体层相连接。

根据上述构造，通过环状接地导体、接地焊盘、贯通导体、内部接地导体层以及下面接地导体层，能够在压电基板上的各个IDT电极以及与其相对应的基体的下面接地导体层之间，添加更大的电感以及电容。其结果是，由于能够让通频带外能够形成衰减极的频率范围扩展到低频侧，从而接近通频带，因此，能够进一步提高所期望的频率范围中的通频带外衰减特性。

本发明的通信装置，由于具备将本发明的声表面波装置用作高频滤波器的接收电路以及发送电路中的至少一方，因此能够小型化·低高度化，且作为通信装置的放射杂散特性、接收灵敏度非常好。

本发明中的上述或其他优点、特征以及效果，通过接下来参照附图所进行的实施方式的说明能够更加明确。

附图说明

以下所说明的附图中，为了说明而示意性地图示各个电极的大小以及电极间的距离等、电极指的根数以及间隔等。

图1为说明构成本发明的声表面波装置的声表面波元件的电极配置的一例的平面图。

图2为表示安装声表面波元件的基体构造的一例的透视状态的立体图。

图3为图2中所示的基体的透视状态的平面图。

图4(a)～图4(f)分别为构成图2中所示的基体的各层的平面图。

图5为图2中所示的基体的剖面图。

图6为表示基体构造的另一例的透视状态的立体图。

图7为表示基体构造的另一例的透视状态的立体图。

图8为表示基体构造的另一例的透视状态的立体图。

图9为声表面波装置的简化电路图。

图10为表示参考例的声表面波装置的基体构造的透视状态的立体图。

图11为表示声表面波装置的通频带及其附近的插入损耗的频率特性的曲线图。

图12为表示用来比较声表面波装置的通频带外衰减特性的频率特性的曲线图。

图13为表示实施例2的声表面波装置的基体构造的透视状态的立体图。

图14为表示声表面波装置的通频带及其附近的插入损耗的频率特性的曲线图。

图15为表示用来比较声表面波装置的通频带外衰减特性的频率特性的曲线图。

图16为模式地表示以前的声表面波装置的电极构造的平面图。

图17为模式地表示以前的CSP型声表面波装置的剖面图。

具体实施方式

图1为表示构成本发明的声表面波装置的声表面波元件的电极配置的一例的平面图。

该声表面波元件，在压电基板17的下面，形成有第1IDT电极3与第2IDT电极4，以及包围上述IDT电极3、4的环状接地电极6。

第1IDT电极3以及第2IDT电极4，分别由梳齿状的电极对构成，第1IDT电极3的一方电极以及第2IDT电极4的一方电极，分别与信号端子1a、1b相连接。

第1IDT电极3的另一方电极，与具有作为接地端子的功能的环状电极6相连接，第2IDT电极4的另一方电极，与接地端子2相连接。

另外，第1IDT电极3与第2IDT电极4之间被连接起来，形成双重模式共振器型声表面波滤波器。

这里，各个IDT电极3、4的电极指的根数为数根～数百根，但附图中将其形状简化图示。另外，信号端子1a、1b以及接地端子2的形成位置，并不仅限于图中的配置，可以在压电基板17的下面的被环状接地电极6所包围的区域内，设置在任意的位置上。另外，图1的声表面波元件的电极构造，并不仅限于图示的形态，还可以通过更多段来构成作为声表面波共振子的IDT电极。

图2为表示用来安装上述声表面波元件的基体5的透视状态的立体图。图3为图2中所示的基体5的透视状态的平面图。

图4(a)～图4(f)分别显示了构成图2中所示基体5的各层的平面图。另外，图4(f)为仰视图，虚线部分表示露出下面的导体层。

基体5由电介质多层基板构成。

如图2、图3以及图4(a)所示，基体5的上面形成有与上述环状接地电极6相对应的环状接地导体7、与第1IDT电极3以及第2IDT电极4的信号端子1a、1b相对应的第1信号用焊盘15以及第2信号用焊盘16、及对应于接地端子2的接地焊盘8。第1信号用焊盘15、第2信号用焊盘16、接地焊盘8以及环状接地导体7上，形成有用来将与它们相对应的声表面波元件的信号端子1a、1b、接地端子2以及环状接地电极6连接起来的接合层20。

图5中显示了在图2中所示的基体5中安装有声表面波元件的状态，为通过A-A线所切断的剖面图。

如图5以及图4(a)至图4(f)所示，声表面波元件的第1IDT电极3的信号端子1a与第1信号用焊盘15、第2IDT电极4的接地端子2与接地焊盘8、以及环状接地电极6与环状接地导体7分别经接合层20相连接。另外，虽然图5中没有显示，但第2IDT电极4的信号端子1b，同样经接合层20与第2信号用焊盘16相连接。

而且，与第1IDT电极3的信号端子1a相连接的第1信号用焊盘15，经贯通导体9与形成在基体5的下面的信号用图案(pattern)12a相连接。该导体线路称作“第1信号用导体”。

与第2IDT电极4的信号端子1b相连接的第2信号用焊盘16，经贯通导体9与形成在基体5的下面的信号用图案12b相连接。该导体线路称作“第2信号用导体”。

环状接地导体7，经贯通导体9与内部接地导体层10a以及下面接地导体层11a相连接。将包括该环状接地导体7、内部接地导体层10a以及下面接地导体层11a的导体线路称作“第1接地用导体”。第1接地用导体，如图4(e)所示，在平面看基体5时，设置在第1信号用导体的形成位置与第2信号用导体的形成位置之间。

另外，基体5中，接地焊盘8与内部接地导体层10b以及下面接地导体层11b相连接。将包含有该内部接地导体层10b以及下面接地导体层11b的导体线路，称作“第2接地用导体”。第2接地用导体，如图4(e)所示，在平面看基体5时，设置在第1信号用导体的形成位置与第2信号用导体的形成位置之间。

该第2接地用导体，与第1接地用导体直流分离，这是本发明的特征。

上述声表面波元件，让压电基板17的下面与基体5的上面相面对而安装在基体5中。之后，通过罐烧(potting)法或印刷法形成密封树脂21，将基体5上的声表面波元件覆盖起来，制作本发明的声表面波装置。

这样，通过将环状接地导体6以及环状接地导体7，经接合层20接合起来，能够将第1IDT电极3以及第2IDT电极4气密封起来，因此，不需要以前为了进行气密封而必需的封装，从而能够实现声表面波装置的小型化·低高度化。

根据本发明的声表面波装置，通过让这样的第2接地用导体与第1接地用导体直流分离的结构，能够抑制第1接地用导体与第2接地用导体之间的电磁耦合，因此，能够防止输入到第1IDT电极3中的信号，经第1接地用导体以及第2接地用导体传送到第2IDT电极4中，从而能够得到一种小型且信号端子间的绝缘特性良好的装置。

另外，基体5内部，环状接地导体7经贯通导体9与内部接地导体层10a相连接，内部接地导体层10a经贯通导体9与下面接地导体层11a相连接，并且形成在基体5的上面的接地焊盘8经贯通导体9与内部接地导体层10b相连接，内部接地导体层10b经贯通导体层9与下面接地导体层11b相连接，因此，能够在压电基板17上的各个IDT电极3、4以及与其相对应的基体5的下面接地导体层11a、11b之间，附加足够大的电感以及电容，而不增大声表面波装置的形状。因此，能够在通频带外的期望位置上形成衰减极。从而，由于能够抑制下限电平的上升，因此能够提高通频带外衰减特性。

特别是，由于第1接地用导体与第2接地用导体直流分离，因此与第1接地用导体与第2接地用导体并联的情况相比，第1接地用导体的线路的电感变大，以及第2接地用导体的线路的电感变大，其结果是，能够提高高频滤波器的通频带外衰减特性。

一般来说，通频带外的衰减极的位置，由通过各个IDT电极3、4的电容以及各个接地用导体的电感所决定的共振频率所控制，通过这样，能够在声表面波装置中得到所期望的频率特性。

根据本发明的图1～图5中所示的构成，由于环状接地导体7的一部分与内部接地导体层10a以及下面接地导体层11a相面对，因此除了第1IDT电极3的电容以及第1接地用导体的电感之外，通过环状接地导体7与相面对的内部接地电极层10a以及下面接地导体层11a中至少一方之间产生的电容，能够进一步控制衰减极的位置。其结果是，可让能够控制通频带外的衰减极的位置的频率范围，进一步扩展到低频侧，从而接近通频带，因此能够得到所期望的滤波特性。

另外，通过让环状接地电极6具有第1IDT电极3的接地端子的功能，就可以不形成第1IDT电极3的接地端子，因此在另外形成接地端子的情况下，能够让声表面波装置缩小为接地端子与环状接地电极6之间所形成的间隙的程度。

接下来，对照图6至图8，对基体5的内部构造的变形例进行说明。

例如，图6中所示的构成与图2的构成相比，内部接地导体层10a、10b的大小变小，连接内部接地导体层10a与下面接地导体层11a的贯通导体9的根数变少，连接内部接地导体层10b与下面接地导体层11b的贯通导体9的根数变少。

图7中所示的构成中，与图2的构成相比，省略了内部接地导体层10a、10b。

通过这样的图6、图7的构成，与图2的构成一样，基体5的平面视图中有4个以上的角部，在这些角部中不相邻的两个角部中的一方中，设有第1接地用导体的下面接地导体层11a，另一方中设有第2接地用导体的下面接地导体层11b。因此能够增长第1IDT电极3的信号端子1a与第2IDT电极4的信号端子1b之间的距离，而不增大声表面波装置的形状，所以能够尽量降低各个信号端子1a、1b间的干扰，得到一种小型且信号端子间的绝缘性较好的装置。

另外，图8中，在平面看基体5时的相邻的两个角部中设置有第1接地用导体的下面接地导体层11a以及第2接地用导体的下面接地导体层11b。这种情况下，也能够让第2接地用导体与第1接地用导体直流分离。通过该构成，能够抑制第1接地用导体与第2接地用导体之间的电磁耦合，因此，能够防止输入到第1IDT电极3中的信号，经第1接地用导体以及第2接地用导体传送到第2IDT电极4中，从而能够得到一种小型且信号端子间的绝缘特性良好的装置。

另外，在压电基板2与基体5通过环状接地电极6以及环状接地导体7相接合的同时，能够将各个IDT电极3、4气密封起来，因此，不需要以前为了进行气密封所必需的封装，从而能够让声表面波装置大幅小型化·低高度化。

这里，图9中显示了本发明的声表面波装置的简化电路图。

C1、C2表示IDT电极3、4的电极指的电容。L1、L2表示IDT电极3、4与下面接地导体层11a、11b之间的电感。

如图9所示，通过电容C1、C2以及电感L1、L2能够控制共振频率，控制衰减极，得到所期望的频率特性。

另外，本发明的声表面波装置中，具有环状接地导体7与内部接地导体层10a以及下面接地导体层11a的至少一方相面对的结构，还有内部接地导体层10b与下面接地导体层11b相面对的结构，因此这些导体7、10a、10b、11a、11b之间也产生电容成分。

将这些电容成分中，第1接地用导体与第2接地用导体之间所形成的电容成分标记为C3。

通过控制电容C1、C2、电感L1、L2、及第1接地用导体与第2接地用导体内的导体间所产生的电容C3，能够更细地控制衰减极的位置，从而能够大幅提高通频带外衰减特性。

最近，由于声表面波装置的小型化不断发展，因此电感L1、L2的大小有限制。

因此，通过设置与环状接地导体7相面对的内部接地导体层10a、10b以及下面接地导体层11a、11b，使在环状接地导体7、内部接地导体层10a、10b以及下面接地导体层11a、11b之间产生电容成分，通过这样，能够在更宽的频率范围内，在所期望的位置上设置衰减极。

这些电容成分的大小，能够通过相面对的各个导体7、10a、10b、11a、11b的面积以及距离进行控制。另外，通过让各个导体7、10a、10b、11a、11b相面对配置，将第1接地用导体与第2接地用导体之间通过电容成分C3连接起来，而不是通过导体经电感相连接，因此，能够使信号几乎不从信号输入侧的信号端子1a经第1接地用导体、第2接地用导体，泄漏到输出侧的信号端子1b中。

接下来，对本发明的声表面波装置的制造方法进行说明。

作为声表面波滤波器用压电基板17，36°±3°Y切X传送钽酸锂单晶体、42°±3°Y切X传送钽酸锂单晶体、64°±3°Y切X传送铌酸锂单晶体、41°±3°Y切X传送锂单晶体、及45°±3°X切Z传送四硼酸锂单晶体，由于电气机械结合系数较大，且频率温度系数较小，因此是很理想的。这些压电单晶体具有热电性，但如果是在缺氧环境下让Fe等固溶，得到一种显著减少了热电性的基板，则设备的可靠性上非常良好。

压电基板17的厚度可以在0.1mm～0.5mm左右，如果不满0.1mm，则压电基板变脆，如果超过了0.5mm，材料成本与部件尺寸便增加。

另外，IDT电极3、4以及环状接地电极6，由Al或Al合金(Al-Cu系、Al-Ti系)制成，通过蒸镀法、溅射法或CVD法等薄膜形成法形成。让电极厚度为0.1μm～0.5μm左右，在获得声表面波滤波器的特性上非常适合。

另外，通过在压电基板17上的第1IDT电极3以及第2IDT电极4等声表面波传送部中，形成由SiO₂、SiN_x、Si、Al₂O₃构成的保护膜，能够防止因附着导电性异物而短路，并调整频率。这些保护膜可以在形成第1IDT电极3以及第2IDT电极4之后，通过蒸镀法或溅射法等通常的薄膜形成方法来形成。

另一方面，基体5由绝缘性材料构成，使用层叠有多层绝缘层的材料。这些绝缘层使用例如陶瓷或玻璃陶瓷。将陶瓷等金属氧化物与有机粘合剂通过有机溶媒等均质混合而成的料浆成型为薄片状，制作印刷电路基板，并形成了所期望的导体图案7、8、10a、10b、11a、11b、12、15、16以及贯通导体9的图案(通路孔)之后，通过将这些印刷电路基板层叠并固定，而形成一体并进行烘焙。

环状接地导体7、接地焊盘8、第1信号用焊盘15、第2信号用焊盘16、内部接地导体层10a、10b以及下面接地导体层11a、11b，例如将Au、Cu、Ag、Ag-Pd、W等金属导体通过丝网印刷等成膜法与蚀刻法的组合来形成，在从下层开始依次层叠有W、Ni、Au的导体层中通过电镀法或无电镀法形成所期望的图案。

贯通导体9例如由Ag等导体构成，在印刷电路基板的所期望的位置上，通过微钻头、冲孔、激光加工、模具穿孔加工、光刻法等形成贯通孔(通路孔)，在贯通孔中可以填充例如Ag系的导体膏而形成。

接合层20，由钎焊膏、Au-Sn膏等通过丝网印刷等印刷法形成，或通过分配器进行涂敷来形成。这里所表示的是，接合层20形成在基体5侧的情况，但也可以形成在声表面波元件侧。

另外，在通过环状接地电极6与环状接地导体7所气密封的空间(以下称作密封空间)中，可以封入低湿度的空气或氮气、氩气等惰性气体并密封。这样一来，能够抑制因第1IDT电极3以及第2IDT电极4的氧化等所引起的恶化，因此优选。

密封树脂21，是为了防止湿度高的空气侵入密闭空间，并且提高声表面波装置的机械强度而设计的，例如可以使用环氧树脂或聚酰亚胺树脂等热硬化性树脂、聚苯硫醚树脂等热可塑性树脂、紫外线硬化树脂或低熔点玻璃等，在通过罐烧法或印刷法将它们涂敷之后，可以进行硬化处理来形成。

本发明的声表面波装置，可以适用于通信装置。

通信装置至少具备接收电路或发送电路的一方，这些电路中所包含的带通滤波器可以采用本发明的声表面波装置。

例如，如果在具有能够通过混频器将发送电路所输出的发送信号加载到载频上，通过带通滤波器将不需要的信号衰减，之后，由功率放大器放大发送信号，通过双工器由天线进行发送的发送电路的通信装置中，采用本发明的声表面波装置，就能够提供一种杂散较少的优良的通信装置。

另外，如果在具有能够通过天线接收接收信号，将通过了双工器的接收信号在低噪声放大器中进行放大，之后，通过带通滤波器衰减不需要的信号，通过混频器从载频中分离信号，并取出该信号的接收电路的通信装置中，采用本发明的声表面波装置，就能够提供一种灵敏度优良的通信装置。

另外，上述实施方式的说明中，对于声表面波装置以声表面波滤波器为例进行了说明，但本发明的声表面波装置还能够适用于声表面波共振器。另外，对于其他的构成，也能够在不脱离本发明的要点的范围内进行适当变更。例如，可以在被环状接地电极6所包围的区域中，设置两组以上的具有不同通频带的IDT电极。

<实施例1>

下面对具体地试作图1～图5中所示的声表面波装置的实施例进行说明。

首先，形成图1中所示的声表面波元件。也即，在38.7°Y切X方向传送的LiTaO₃单晶体的压电基板17上，通过Al(99质量％)-Cu(1质量％)，形成信号端子1a、1b、接地端子2、第1IDT电极3、第2IDT电极4以及环状接地电极6的细微图案。

这里，构成第1IDT电极3的电极对的一方的电极，与形成在第1IDT电极3与第2IDT电极4之间的信号端子1a相连接，另一方电极与具有作为接地端子的功能的环状接地电极6相连接。另外，构成第2IDT电极4的电极对的一方的电极，与形成在第1IDT电极3与第2IDT电极4之间的接地端子2相连接，另一方电极与形成在第2IDT电极4与环状接地电极6之间的信号端子1b相连接。

图案制作时，通过喷射装置、缩小投影曝光机(stepper，即步进器)以及RIE(Reactive Ion Etching，活性离子蚀刻)装置进行光刻。

首先，通过丙酮、IPA(异丙醇)等对压电基板17进行超声波清洗，去除有机成分。接下来，通过清洁干燥机将压电基板17充分干燥之后，进行各个电极3、4、6以及各个端子1a、1b、2的成膜。各个电极3、4、6以及各个端子1a、1b、2的成膜中使用溅射装置，使用Al(99质量％)-Cu(1质量％)合金所构成的材料，形成约0.30μm的厚度。

接下来，将光阻材料旋涂形成约0.5μm的厚度，通过缩小投影曝光装置(步进器)，构图为所期望的形状，通过碱性显影液溶解显影装置中所不需要的部分的光阻材料，露出所期望的图案之后，通过RIE装置进行电极膜的蚀刻，得到构成声表面波滤波器的声表面波元件的各个电极3、4以及各个端子1a、1b、2的图案。

之后，在形成有各个电极3、4、6以及各个端子1a、1b、2的区域上制作保护膜。也即，通过CVD(Chemical Vapor Deposition，即化学气相淀积)装置，在各个电极3、4、6以及各个端子1a、1b、2以及压电基板17上形成厚约0.02μm的SiO₂。之后，通过光刻法进行光阻材料的构图，通过RIE装置等在各个端子1a、1b、2以及环状接地电极6的形成位置上进行倒装(flip chip)用开孔部的蚀刻。之后，使用溅射装置成膜厚约1.0μm的由Al所形成的层。之后，通过剥离(lift off)法将除了各个端子1a、1b、2以及环状接地导体6的形成位置之外的场所的Al以及光阻材料同时去除，在各个端子1a、1b、2以及环状接地电极6上完成倒装用焊盘。

接下来，在上述焊盘上，使用丝网印刷装置形成由焊锡构成的倒装用接合层20。各个端子1a、1b、2上的接合层20的直径约为80μm，高度约为30μm。另外，环状接地电极6上的接合层20的高度约为30μm。

接下来，对压电基板17沿着切割线实施切割加工，分割成一个个声表面波元件。

接下来制作图2～图4中所示的基体5。也即，制作将通过有机溶媒将用来制造LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同时烘焙陶瓷)的金属氧化物与有机粘合剂等均匀混合而成的料浆，成型为薄片状的印刷电路基板，在所期望的位置中形成环状接地导体7、接地焊盘8、第1信号用焊盘15、第2信号用焊盘16、内部接地导体层10、下面接地导体层11以及信号用图案12与贯通导体9的图案之后，将这些印刷电路基板层叠固定形成一体，并进行烘焙。另外，基体5的尺寸为2.5×2.0mm方形。

这里，环状接地导体7、接地焊盘8、第1信号用焊盘15、第2信号用焊盘16、内部接地导体层10、下面接地导体层11以及信号用图案12，使用Ag，通过丝网印刷法对应于接地端子2以及环状接地电极6形成约1μm厚。贯通导体9，通过填充由模具穿孔加工所形成的直径100μm的Ag系导体膏而形成。

接下来，如图5所示，让声表面波元件的下面与基体5的上面相面对设置，使得基体5的第1信号用焊盘15、第2信号用焊盘16、接地焊盘8以及环状接地导体7，与压电基板17的信号端子1a、1b、接地端子2以及环状接地电极6的位置相对应，在重熔(reflow)炉中在240℃下经过5分钟使其重熔，通过焊锡所构成的接合层20将二者接合起来。

此时，通过让环状接地导体6与环状接地导体7经接合层20接合起来，将第1IDT电极3以及第2IDT电极4气密封。从该压电基板17的上部，通过罐烧法涂敷由环氧树脂所构成的密封树脂21，将基体5上的声表面波元件覆盖起来之后，在干燥炉中在150℃下进行5分钟的加热使其硬化，制作声表面波装置。

图10为说明参考例的声表面波装置的基体5的透视状态的立体图。

参考例中，通过内部接地导体层10c将如图10所示的第1接地用导体与第2接地用导体连接起来，使其共用，使用与上述相同的材料通过同样的工序制造出来。

接下来，实施例1中进行参考例中的声表面波装置的特性测定。输入0dBm的信号，在频率为780MHz～960MHz、测定点为800点的条件下进行测定。抽样数为30个，测定机器使用アジレント·技术公司所生产的多端口网络分析器E5071A。

实施例1的声表面波装置以及参考例的声表面波装置中，图11以及图12中表示说明输入信号的传输特性的频率依赖性的曲线图。图11与图12中，横轴为频率(MHz)，纵轴为透射特性(dB)。

这里，图11为说明表示通频带附近的传输特性的插入损耗的频率依赖性的曲线图。另外，图12是特别说明用来与高频侧的通频带外衰减特性进行对比的通过特性的曲线图。

图11、图12中，通过实线表示实施例1的声表面波装置的传输特性，通过虚线表示参考例的声表面波装置的传输特性。

由图11以及图12可以得知，通过采用实施例1的声表面波装置，在通频带外的高频侧能够产生衰减极，与参考例相比，通频带外衰减特性大幅改善。通过这样可以得知，第1接地用导体与第2接地用导体直流分离的实施例1的滤波器特性非常良好。

<实施例2>

实施例2如图13所示，使用与实施例1相同的材料，通过相同的工序制作与实施例1相比，贯通导体9的数目较少，且内部接地导体层10a、10b的面积较小的声表面波装置。

图13为表示实施例2的声表面波装置的基本构造的透视状态的立体图。

进行该实施例2中的声表面波装置的特性测定。输入0dBm的信号，在频率为780MHz～960MHz、测定点为800点的条件下进行测定。抽样数为30个，测定机器使用アジレント·技术公司所生产的多端口网络分析器E5071A。

图14以及图15中表示说明实施例1以及实施例2的声表面波装置中，输入信号的传输特性的频率依赖性的曲线图。

图14与图15中，横轴为频率(MHz)，纵轴为透射特性(dB)。

这里，图14为表示说明通频带附近的传输特性的插入损耗的频率依赖性的曲线图。另外，图15是特别说明用来与高频侧的通频带外衰减特性进行对比的通过特性的曲线图。

图14、图15中，通过实线表示实施例1的声表面波装置的传输特性，通过虚线表示实施例2的声表面波装置的传输特性。

由图14以及图15可以得知，通过采用实施例2的声表面波装置，在通频带外的高频侧能够产生衰减极，提高了通频带外衰减特性，而实施例1的声表面波装置与实施例2的声表面波装置相比，通频带外衰减特性更好。

推断其原因是，实施例1与实施例2相比，环状接地导体7与内部接地导体层10a相面对的面积以及内部接地导体层10a与下面接地导体层11a相面对的面积较大，因此，各个导体7、10a、10b、11a、11b之间产生了较大的电容成分，第1接地用导体以及第2接地用导体之间也产生了较大的电容成分(图9中所示的电容成分C3)。通过它们与第1接地用导体和第2接地用导体的电感(图9中所示的电感L1、L2)成分所构成的共振电路，能够将衰减极的位置控制在靠近通频带的低频侧，因此通频带外衰减特性较好。

Claims

1.一种声表面波装置，其特征在于，包括：

压电基板，其下面形成有第1IDT电极、第2IDT电极、所述第2IDT电极的接地端子、以及将所述第1IDT电极与第2IDT电极包围起来并且用作所述第1IDT电极的接地端子的环状接地电极；以及

基体，在上面形成有对应于所述环状接地电极的环状接地导体，以及对应于所述第2IDT电极的接地端子的接地焊盘，用来与所述压电基板的形成有所述IDT电极等的面相面对安装；

所述基体的所述环状接地导体，与通过所述基体的第1内部接地导体层以及第1下面接地导体层的至少一方所构成的第1接地用导体相连接；

所述基体的所述接地焊盘，与通过所述基体的第2内部接地导体层以及第2下面接地导体层的至少一方所构成的第2接地用导体相连接；

所述第1接地用导体，与所述第2接地用导体被直流分离。

2.如权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于：

所述环状接地导体的一部分，与所述第1内部接地导体层，以及所述第1下面接地导体层相面对设置。

3.如权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于：

所述第2内部接地导体层，与所述第2下面接地导体层相面对设置。

4.如权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于：

所述基体在平面上看具有4个以上的角部，在这些角部中互相不相邻的两个角部的一方中设有所述第1下面接地导体层，在另一方中设有所述第2下面接地导体层。

5.如权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于：

所述第1IDT电极的信号端子以及所述第2IDT电极的信号端子，分别经所述基体中所形成的第1信号用导体以及第2信号用导体，从所述基体的下面导出来，所述第1内部接地用导体层，配置在所述第1信号用导体与所述第2信号用导体之间。

6.如权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于：

所述第1IDT电极的信号端子以及所述第2IDT电极的信号端子，分别经所述基体中所形成的第1信号用导体以及第2信号用导体，从所述基体的下面导出来，所述第2内部接地用导体层，配置在所述第1信号用导体与所述第2信号用导体之间。

7.如权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于：

所述基体是多层基板，所述环状接地导体，经贯通导体与所述第1内部接地导体层相连接，该第1内部接地导体层经贯通导体与所述第1下面接地导体层相连接。

8.如权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于：

所述基体是多层基板，所述基体的上面所形成的接地焊盘，经贯通导体与所述第2内部接地导体层相连接，该第2内部接地导体层经贯通导体与所述第2下面接地导体层相连接。

9.如权利要求7所述的声表面波装置，其特征在于：

所述基体的上面所形成的接地焊盘，经贯通导体与所述第2内部接地导体层相连接，该第2内部接地导体层经贯通导体与所述第2下面接地导体层相连接。

10.如权利要求7所述的声表面波装置，其特征在于：

11.如权利要求8所述的声表面波装置，其特征在于：

12.如权利要求10所述的声表面波装置，其特征在于：

所述第1IDT电极的信号端子以及所述第2IDT电极的信号端子，分别经所述基体中所形成的第1信号用导体以及第2信号用导体，从所述基体的下面导出来，所述第1内部接地用导体层以及第2内部接地用导体层，分别配置在所述第1信号用导体与所述第2信号用导体之间。

13.一种通信装置，其特征在于：

具有将权利要求1中所述的声表面波装置用作滤波器电路部件的接收电路。

14.一种通信装置，其特征在于：

具有将权利要求1中所述的声表面波装置用作滤波器电路部件的发送电路。