CN113353971B - 一种球形纳米级、高分散ito粉的制备方法 - Google Patents
一种球形纳米级、高分散ito粉的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113353971B CN113353971B CN202110708842.2A CN202110708842A CN113353971B CN 113353971 B CN113353971 B CN 113353971B CN 202110708842 A CN202110708842 A CN 202110708842A CN 113353971 B CN113353971 B CN 113353971B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- indium
- tin
- ito powder
- solution
- hydroxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 18
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000012716 precipitator Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical class [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 10
- IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K indium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[In+3] IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 10
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- CVNKFOIOZXAFBO-UHFFFAOYSA-J tin(4+);tetrahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Sn+4] CVNKFOIOZXAFBO-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical group Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 2
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical group Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- YQMWDQQWGKVOSQ-UHFFFAOYSA-N trinitrooxystannyl nitrate Chemical compound [Sn+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YQMWDQQWGKVOSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 6
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000009841 combustion method Methods 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- KSLJWNPTKCBAMV-UHFFFAOYSA-G diacetyloxyindiganyl acetate triacetyloxystannyl acetate Chemical compound C(C)(=O)[O-].[Sn+4].[In+3].C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-] KSLJWNPTKCBAMV-UHFFFAOYSA-G 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 2
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- -1 ammonia radical ion Chemical class 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
- C01G19/006—Compounds containing tin, with or without oxygen or hydrogen, and containing two or more other elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种球形纳米级、高分散ITO粉的制备方法，以铟盐和锡盐溶液为原料制备铟锡混合盐溶液；以氨水溶液为沉淀剂；然后将铟锡混合盐溶液和沉淀剂溶液分别经雾化器雾化形成微小的液雾以对喷方式喷入反应室反应，生成颗粒均匀且呈球形的氢氧化铟和氢氧化锡的混合物，经清洗、干燥、煅烧得到纳米ITO粉体，本发明制备的ITO粉呈球形、纳米级且高度分散，晶粒大小均匀，大大提高了ITO粉的综合性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种球形纳米级、高分散ITO粉的制备方法，属于材料领域。
背景技术
铟锡氧化物(ITO)又名锡掺杂氧化铟粉，由In2O3和SnO2复合而成，ITO材料以高的可见光透过率、红外线反射率、优良的导电性及较好的刻蚀性能在电学材料、透明电极材料、太阳能电池材料、屏幕显示技术方面有非常广泛的应用。
目前，ITO粉的制备方法主要有：化学共沉淀法、化学滴定法、电解法、溶胶凝胶法、喷雾燃烧法、喷雾热分解法、机械混合法等。
（1）化学共沉淀法是将铟盐、锡盐与能分解出氨的铵盐，如尿素、碳酸铵混合在一起，然后加热，铵盐分解出的氨根离子与铟盐、锡盐反应生成氢氧化铟和氢氧化锡的混合物，将混合物过滤、干燥、煅烧，最后得到纳米级的ITO粉体。
（2）化学滴定法是将氨水等弱碱匀速滴入铟盐和锡盐的混合液中，生成氢氧化铟和氢氧化锡的混合物，同样经过滤、干燥、煅烧得到纳米的ITO粉体。
（3）电解法是将一定比例的铟锡合金作为阳极置于硝酸铵电解液中，生成氢氧化铟和亚锡酸沉淀物，经过滤，干燥煅烧后得到ITO粉体。
（4）喷雾燃烧法是将高纯金属铟和金属锡加热到铟锡合金熔体，再将合金熔体在雾化燃烧器中雾化形成微小的合金雾滴，然后引入到高温反应室中进行剧烈氧化燃烧，急冷形成ITO粉体。
（5）喷雾热分解法是将高纯金属铟锡按一定比例混合并倒入乙酸溶剂中制成醋酸铟锡盐水溶液，再将其喷入容器进行喷雾热分解而形成ITO粉体。
（6）机械研磨法是将氧化铟和二氧化锡在球磨机中加入溶剂混合碾磨后，喷雾干燥形成ITO粉体。
以上各方法中，电解法的污染比较严重。喷雾燃烧法、喷雾热分解法生产工艺比较复杂，且设备昂贵，在一定程度上限制了该方法的应用。机械研磨法生产的ITO粉工艺简单，但所得ITO粉体很难达到纳米级别，且粉体流动性差，成型时的烧结密度低，无法满足高端ITO靶材的需要。化学共沉淀法和化学滴定法采用的化学设备和工艺流程简单，试验条件易控制，环境污染小，是目前制备ITO粉的成熟方法。但采用化学共沉淀法制备的ITO粉体容易团聚，流动性差，且粉体颗粒形状不规则。采用滴定法制备ITO粉体时，ITO前驱体合成与沉淀需在容器和溶液中完成，在铟-锡盐溶液中会存在沉淀剂的浓度梯度和PH值的梯度差，从而导致溶液中不同区域晶体的成核速率和长大速率不同，导致晶粒的大小不均匀。另外，ITO粉体中铟和锡的比例也会偏离设计值，从而影响ITO粉体的性能。
因此，提供一种高性价比、且性能优异的新型ITO粉及其制备方法是本发明亟需解决的问题。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种球形纳米级、高分散ITO粉的制备方法，能够解决现有ITO粉制备工艺复杂和性能不佳的问题。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：
一种球形纳米级、高分散ITO粉的制备方法，以铟盐和锡盐溶液为原料制备铟锡混合盐溶液；以氨水溶液为沉淀剂；然后将铟锡混合盐溶液和沉淀剂溶液分别经雾化器雾化形成微小的液雾以对喷方式喷入反应室反应，让铟锡混合盐溶液与沉淀剂溶液以液雾状进行微米尺度和纳米尺度的均匀混合，提升了沉淀剂与铟锡混合盐溶液反应分布的均匀性。同时，雾化过程使整个体系的PH值保持稳定，避免因PH值的大范围变化而引起反应不均匀造成的团聚现象。最后，通过雾化共沉淀反应生成颗粒均匀且呈球形的氢氧化铟和氢氧化锡的混合物，经清洗、干燥、煅烧得到纳米ITO粉体。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述制备铟锡混合盐溶液时按照生成氧化铟和二氧化锡的质量比为8:1-9:1进行配比。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述制备铟锡混合盐溶液时加入0.1%-0.6%硅酸钠分散剂。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述铟盐为氯化铟或硝酸铟，其中，铟离子的浓度为180g-200g/L；所述锡盐为氯化锡或硝酸锡。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述氨水的浓度为160g-400g/L；pH值为7-8。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述雾化分散器雾化颗粒的平均中位直径为12-50μm；并且<50μm的微粒百分比为80%。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述氢氧化铟和氢氧化锡均为微米或纳米尺度。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述清洗工艺采用无水乙醇或去离子水进行清洗，清洗2-3次。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述煅烧温度为600-900℃，保温1-3h。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述煅烧温度为720-850℃。
由于采用了上述技术方案，本发明取得的技术进步是：
本发明针对现有ITO粉制备工艺复杂和性能不佳的问题，以铟盐和锡盐溶液为原料，以氨水溶液为沉淀剂，采用喷雾混合、反应的方法制备氢氧化铟和氢氧化锡的混合物；让铟锡混合盐溶液与沉淀剂溶液以液雾状进行微米尺度和纳米尺度的均匀混合，生成颗粒均匀且呈球形的氢氧化铟和氢氧化锡的混合物，提升了沉淀剂分散的均匀性，使整个体系的pH值保稳定，避免因pH值的大范围变化而引起的团聚现象；经清洗、干燥、煅烧得到纳米ITO粉体呈纳米级球形结构、且晶粒大小均匀，高度分散无团聚，大大提高了ITO粉的综合性能。
附图说明
图1是本发明实施例1的电镜图；
图2是本发明实施例2的电镜图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步详细说明：
实施例1
按照氧化铟和二氧化锡的质量比为8:1进行配比设计；分别称取InCl3溶液和SnCl3溶液，加入0.3%的分散剂，通过机械搅拌制备InCl3和SnCl3混合溶液，铟离子的浓度为180g/L。在氨水中加入去离子水机械搅拌制备沉淀剂溶液，氨水的浓度调整为160g/L。以反应釜为容器，分别采用雾化器将制备好的InCl3与SnCl3混合溶液和沉淀剂雾化后以对喷的方式喷入具有一定高度的反应釜内，发生共沉淀反应。反应完成后将沉淀物进行真空抽滤，采用无水乙醇清洗2次，经真空干燥得到ITO粉体的前驱体，然后将前驱体放置于电炉中经750℃煅烧3小时后得到ITO粉体。所得ITO粉体的纯度为＞99%，粒度为200-500nm，呈球形、高度分散，晶粒大小均匀。
实施例2
按照氧化铟和二氧化锡的质量比为9:1进行配比设计；分别称取InCl3溶液和SnCl3溶液，加入0.6%的分散剂硅酸钠，通过机械搅拌制备InCl3和SnCl3混合溶液，铟离子的浓度为200g/L。在氨水中加入去离子水机械搅拌制备沉淀剂溶液，氨水的浓度调整为300g/L。
以反应釜为容器，分别采用雾化器将制备好的InCl3和SnCl3混合溶液和沉淀剂雾化后以对喷的方式喷入具有一定高度的的反应釜内，发生共沉淀反应。反应完成后将沉淀物进行真空抽滤，采用无水乙醇清洗3次，经真空干燥得到ITO粉体的前驱体，然后将前驱体放置于电炉中经800℃煅烧4小时后得到ITO粉体。所得ITO粉体的纯度为＞99%，粒度为200-500nm，呈球形、高度分散，晶粒大小均匀。
Claims (4)
1.一种球形纳米级、高分散ITO粉的制备方法，以铟盐和锡盐溶液为原料制备铟锡混合盐溶液；以氨水溶液为沉淀剂；然后将铟锡混合盐溶液和沉淀剂溶液分别经雾化器雾化形成微小的液雾以对喷方式喷入反应室反应，生成颗粒均匀且呈球形的氢氧化铟和氢氧化锡的混合物，经清洗、干燥、煅烧得到纳米ITO粉体；
所述制备铟锡混合盐溶液时按照生成氧化铟和二氧化锡的质量比为8:1-9:1进行配比；
所述制备铟锡混合盐溶液时加入0.1%-0.6%硅酸钠分散剂；
所述铟盐为氯化铟或硝酸铟溶液，其中，铟离子的浓度为180g-200g/L；所述锡盐为氯化锡或硝酸锡；
所述氨水的浓度为160g-400g/L；pH值为7-8；
所述雾化分散器雾化颗粒的平均中位直径为12-50μm；并且<50μm的微粒百分比为80%；
所述氢氧化铟和氢氧化锡均为微米或纳米尺度。
2.根据权利要求1所述的一种球形纳米级、高分散ITO粉的制备方法，其特征在于：所述清洗工艺采用无水乙醇或去离子水进行清洗，清洗2-3次。
3.根据权利要求1所述的一种球形纳米级、高分散ITO粉的制备方法，其特征在于：所述煅烧温度为600-900℃，保温1-3h。
4.根据权利要求1所述的一种球形纳米级、高分散ITO粉的制备方法，其特征在于：所述煅烧温度为720-850℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110708842.2A CN113353971B (zh) | 2021-06-25 | 2021-06-25 | 一种球形纳米级、高分散ito粉的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110708842.2A CN113353971B (zh) | 2021-06-25 | 2021-06-25 | 一种球形纳米级、高分散ito粉的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113353971A CN113353971A (zh) | 2021-09-07 |
| CN113353971B true CN113353971B (zh) | 2023-01-31 |
Family
ID=77536331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110708842.2A Active CN113353971B (zh) | 2021-06-25 | 2021-06-25 | 一种球形纳米级、高分散ito粉的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113353971B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116332224A (zh) * | 2023-03-22 | 2023-06-27 | 广东长信精密设备有限公司 | 一种球形氧化镓及其制备工艺 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102211786A (zh) * | 2011-03-02 | 2011-10-12 | 北京冶科纳米科技有限公司 | 一种纳米级氧化铟锡粉末的制备方法 |
| CN102923765A (zh) * | 2012-10-08 | 2013-02-13 | 中山大学 | 一种铟锡氧化物（ito）纳米粉体及其制造方法 |
| US20130330267A1 (en) * | 2012-06-12 | 2013-12-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Ito film, ito powder used in manufacturing same ito film, manufacturing method of ito powder, and manufacturing method of ito film |
| CN106348338A (zh) * | 2016-11-18 | 2017-01-25 | 陕西盛迈石油有限公司 | 喷雾热解法制备ito粉体的方法 |
| CN107098378A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-29 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 一种高分散性ito粉体的制备方法 |
| CN110713200A (zh) * | 2018-07-12 | 2020-01-21 | 南方科技大学 | 一种金属氧化物粉体及其制备方法和设备 |
-
2021
- 2021-06-25 CN CN202110708842.2A patent/CN113353971B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102211786A (zh) * | 2011-03-02 | 2011-10-12 | 北京冶科纳米科技有限公司 | 一种纳米级氧化铟锡粉末的制备方法 |
| US20130330267A1 (en) * | 2012-06-12 | 2013-12-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Ito film, ito powder used in manufacturing same ito film, manufacturing method of ito powder, and manufacturing method of ito film |
| CN102923765A (zh) * | 2012-10-08 | 2013-02-13 | 中山大学 | 一种铟锡氧化物（ito）纳米粉体及其制造方法 |
| CN106348338A (zh) * | 2016-11-18 | 2017-01-25 | 陕西盛迈石油有限公司 | 喷雾热解法制备ito粉体的方法 |
| CN107098378A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-29 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 一种高分散性ito粉体的制备方法 |
| CN110713200A (zh) * | 2018-07-12 | 2020-01-21 | 南方科技大学 | 一种金属氧化物粉体及其制备方法和设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113353971A (zh) | 2021-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102139908B (zh) | 一种亚微米级氧化钇及其制备方法 | |
| KR100474845B1 (ko) | 주석산화물 분말, 그 제조방법, 및 이를 사용한 고밀도인듐 주석 산화물 타겟의 제조방법 | |
| CN114163232B (zh) | 一种单晶高熵陶瓷粉体及其制备方法 | |
| CN111960466B (zh) | 一种纳米氧化锆空心球的制备方法 | |
| CN101913659A (zh) | 电池级四氧化三钴的制备方法 | |
| CN112209440A (zh) | 制备m相二氧化钒纳米粉体的工艺方法 | |
| CN110156070B (zh) | 一种纳米级氢氧化铟的制备方法 | |
| CN108911707A (zh) | 高密度ito靶材的制备方法 | |
| CN113353971B (zh) | 一种球形纳米级、高分散ito粉的制备方法 | |
| CN103570083A (zh) | 一种锂离子电池正极材料镍钴铝球形前驱体的制备方法 | |
| EP1277703A1 (en) | Manufacturing method of ito powder with thin dissolved in indium oxide, and manufacturing method of ito target | |
| CN101066781A (zh) | 锂离子电池用四氧化三钴的制备工艺 | |
| CN110615476A (zh) | 利用失效的钒电池正极电解液制取m相vo2的方法 | |
| CN1237006C (zh) | In2O3或ITO单分散纳米粉体的水热制备方法 | |
| CN103318949A (zh) | 一种氧化铟锡纳米颗粒粉体的低温固相制备方法 | |
| CN112323084A (zh) | 一种纳米氧化铟的制备方法 | |
| CN115676884B (zh) | 一种基于超声雾化微波制备钒酸铋纳米粉体的方法及粉体 | |
| CN112158883A (zh) | 制备二氧化钒纳米粉体的工艺方法 | |
| CN100494077C (zh) | 增压并流沉淀制备超细氧化钴粉末的方法 | |
| CN106564936A (zh) | 一种二氧化钛导电粉体的制备方法 | |
| CN117049497A (zh) | 一种分步式制备磷酸钛铝锂固态电解质的方法及应用 | |
| CN113336548A (zh) | 一种氧化钇喷涂粉的制备方法 | |
| CN112266019A (zh) | 单超声雾化均相沉淀法制备m相二氧化钒的方法 | |
| CN112209443A (zh) | 单超声雾化微波法制备m相二氧化钒的方法 | |
| CN1544337A (zh) | 纳米氧化铋的制备工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |