CN112352303A - 加工装置、加工方法以及计算机存储介质 - Google Patents

Abstract

加工装置具有：保持部，其保持基板；磨削部，其磨削被所述保持部保持的基板的加工面；搬送部，其相对于所述保持部搬送基板；以及控制部，其控制所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部，其中，所述控制部控制所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部，以执行以下处理：当所述加工装置在工作中停止并且使该加工装置再启动后，进行所述保持部的初始化、所述磨削部的初始化以及所述搬送部的初始化；检测所述保持部中的基板；针对检测到的基板指定是否需要利用所述磨削部进行磨削；以及通过所述磨削部来磨削被指定为需要磨削的基板的加工面。

Description

加工装置、加工方法以及计算机存储介质

技术领域

本公开涉及一种加工装置、加工方法以及计算机存储介质。

背景技术

在专利文献1中公开了一种磨削晶圆的背面的磨削装置的运转方法。磨削装置具有实施晶圆的中心对齐的对位部件、吸引并保持晶圆的吸盘台、对被保持于吸盘台的晶圆进行磨削的磨削部件、以及对晶圆进行清洗的清洗部件。在磨削装置中，控制部件执行自动磨削程序，由此使晶圆依次移动至对位部件、吸盘台、清洗部件来对该晶圆进行各处理。另外，当控制部件在自动磨削程序的执行期间接收到中止自动磨削程序的信号时，判断晶圆是否正被实施磨削加工。而且，在判断为正被实施磨削加工的情况下，使该晶圆按照与自动磨削程序相同的路径进行移动并且将其收容于盒中。另一方面，在判断为不是正被实施磨削加工的情况下，使该晶圆按照与自动磨削程序相反的路径移动并且将其收容于盒中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-218472号公报

发明内容

发明要解决的问题

在本公开所涉及的技术中，当基板的加工装置在工作中停止并且再启动后，对该加工装置停止前的基板进行适当的处理。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式是一种加工装置，对基板进行加工，所述加工装置具有：保持部，其保持基板；磨削部，其磨削被所述保持部保持的基板的加工面；搬送部，其相对于所述保持部搬送基板；以及控制部，其控制所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部，其中，所述控制部控制所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部，以执行以下处理：当所述加工装置在工作中停止并且使该加工装置再启动后，进行所述保持部的初始化、所述磨削部的初始化以及所述搬送部的初始化；检测所述保持部中的基板；针对检测到的基板指定是否需要利用所述磨削部进行磨削；以及通过所述磨削部来磨削被指定为需要磨削的基板的加工面。

发明的效果

根据本公开，当基板的加工装置在工作中停止并且再启动后，能够对该加工装置停止前的基板进行适当的处理。

附图说明

图1是示意性地表示本实施方式所涉及的加工装置的概要结构的俯视图。

图2是表示检查单元的概要结构的侧视图。

图3是表示加工处理的主要工序的流程图。

图4是表示加工处理的运转准备的主要工序的流程图。

图5是表示加工装置的各单元进行初始化的定时的说明图。

图6是表示晶圆的再启动后磨削的流程的说明图。

具体实施方式

在半导体器件的制造工序中，针对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(在以下称作晶圆)，对该晶圆的背面进行磨削加工来使晶圆变薄。

晶圆的背面的磨削加工例如由专利文献1公开的磨削装置进行。在该磨削装置中，当如上述那样控制部件接收到中止自动磨削程序的信号时，判断晶圆是否正被实施磨削加工，根据判断结果来决定用于向盒搬送晶圆的搬送路径。

在专利文献1公开的磨削装置中，想到了在像这样发出了磨削中止的指令的情况下高效地回收晶圆。然而，未想到在从使磨削装置再启动起至进行通常运转为止的期间对在该磨削装置停止后残留的晶圆恰当地进行处理。

因此，本公开所涉及的技术在加工装置停止并且再启动后恰当地进行该加工装置的运转准备。下面，参照附图来说明本实施方式所涉及的加工装置和加工方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。

首先，对本实施方式所涉及的加工装置的结构进行说明。图1是示意性地表示加工装置1的概要结构的俯视图。

在本实施方式的加工装置1中，使作为基板的晶圆W变薄。晶圆W例如为硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体晶圆。在晶圆W的表面(以下称作非加工面Wn)形成有器件(未图示)，并且在该非加工面Wn贴附有用于保护器件的保护件，例如保护带(未图示)。而且，对晶圆W的背面(以下称作加工面Wg)进行磨削等规定的加工处理来使该晶圆W变薄。

如图1所示，加工装置1具有将搬入搬出站2与处理站3连接成一体的结构，所述搬入搬出站2例如与外部之间进行能够收容多个晶圆W的盒C的搬入搬出，所述处理站3对晶圆W实施规定的处理。搬入搬出站2和处理站3以沿Y轴方向排列的方式配置。

在搬入搬出站2设置有盒载置台10。在图示的例子中，在盒载置台10上，将多个例如四个盒C沿X轴方向自由地载置成一列。

另外，在搬入搬出站2，例如以与盒载置台10在Y轴正向相邻的方式设置有晶圆搬送区域20。在晶圆搬送区域20设置有能够在沿X轴方向延伸的搬送路21上移动自如的晶圆搬送装置22。晶圆搬送装置22具有保持晶圆W的搬送叉23和搬送垫24。搬送叉23的前端分支成两部分，用于对晶圆W进行吸附保持。搬送叉23例如搬送磨削处理前的晶圆W。搬送垫24在俯视时呈具备比晶圆W的直径长的直径的圆形状，用于对晶圆W进行吸附保持。搬送垫24例如搬送磨削处理后的晶圆W。而且，这些搬送叉23和搬送垫24分别构成为能够在水平方向、铅垂方向上移动自如并且绕水平轴线、绕铅垂轴线移动自如。

在处理站3中连续地对晶圆W进行磨削、清洗等加工处理。处理站3具有旋转台30、作为搬送部的搬送单元40、对准单元50、第一清洗单元60、第二清洗单元70、第三清洗单元80、作为磨削部的粗磨削单元90、作为磨削部的中磨削单元100、作为磨削部的精磨削单元110以及检查单元120。

旋转台30构成为通过旋转机构(未图示)旋转自如。在旋转台30上设置有对晶圆W进行吸附保持的作为保持部的四个吸盘31。吸盘31均等地、即分别间隔90度地配置于与旋转台30相同的圆周上。旋转台30旋转，由此四个吸盘31能够移动至交接位置A0和加工位置A1～A3。此外，对于吸盘31，例如使用多孔吸盘(真空吸盘)，如图2所示那样经由吸引管32与对晶圆W真空吸引的吸引源33连接。另外，吸盘31被吸盘基部(未图示)保持，构成为能够通过旋转机构(未图示)旋转。

如图1所示，在本实施方式中，交接位置A0为旋转台30的X轴正向侧且Y轴负向侧的位置，第三清洗单元80配置于该交接位置A0。在交接位置A0的Y轴负向侧并排地配置第二清洗单元70、对准单元50以及第一清洗单元60。对准单元50和第一清洗单元60按顺序从上方起层叠配置。第一加工位置A1为旋转台30的X轴正向侧且Y轴正向侧的位置，粗磨削单元90配置于该第一加工位置A1。为旋转台30的X轴负向侧且Y轴正向侧的位置，中磨削单元100配置于该第二加工位置A2。第三加工位置A3为旋转台30的X轴负向侧且Y轴负向侧的位置，精磨削单元110配置于该第三加工位置A3。

搬送单元40为具备多个例如三个臂41的多关节型机器人。三个臂41分别构成为旋转自如。在前端的臂41安装有对晶圆W进行吸附保持的搬送垫42。另外，基端的臂41安装于使臂41在铅垂方向上进行升降的升降机构43。而且，具备该结构的搬送单元40能够相对于交接位置A0、对准单元50、第一清洗单元60以及第二清洗单元70搬送晶圆W。

在对准单元50中，调节磨削处理前的晶圆W的水平方向上的朝向。例如，通过一边使被旋转吸盘(未图示)保持的晶圆W旋转，一边通过检测部(未图示)检测晶圆W的槽口部的位置，由此调节该槽口部的位置来调节晶圆W的水平方向上的朝向。

在第一清洗单元60中，对磨削处理后的晶圆W的加工面Wg进行清洗，更具体地说，进行旋转清洗。

在第二清洗单元70中，对磨削处理后的晶圆W被搬送垫42保持的状态的晶圆W的非加工面Wn进行清洗，并且对搬送垫42进行清洗。

在第三清洗单元80中，对磨削处理后的晶圆W的加工面Wg进行清洗，并且对吸盘31进行清洗。

在粗磨削单元90中，对晶圆W的加工面Wg进行粗磨削。粗磨削单元90具有粗磨削部91，该粗磨削部91具备以环状的形状旋转自如的粗磨削研磨石(未图示)。另外，粗磨削部91构成为能够沿支柱92在铅垂方向和水平方向上移动。而且，在使被吸盘31保持的晶圆W的加工面Wg与粗磨削研磨石抵接了的状态下，分别使吸盘31和粗磨削研磨石旋转，并且使粗磨削研磨石下降，由此对晶圆W的加工面Wg进行粗磨削。

在中磨削单元100中，对晶圆W的加工面Wg进行中磨削。中磨削单元100具有中磨削部101，该中磨削部101具备以环状的形状旋转自如的中磨削研磨石(未图示)。另外，中磨削部101构成为能够沿支柱102在铅垂方向和水平方向上移动。此外，中磨削研磨石的研磨颗粒的粒度比粗磨削研磨石的研磨颗粒的粒度小。而且，在使被吸盘31保持的晶圆W的加工面Wg与中磨削研磨石抵接了的状态下，分别使吸盘31和中磨削研磨石旋转，并且使中磨削研磨石下降，由此对加工面Wg进行中磨削。

在精磨削单元110中，对晶圆W的加工面Wg进行精磨削。精磨削单元110具有精磨削部111，该精磨削部111具备以环状的形状旋转自如的精磨削研磨石(未图示)。另外，精磨削部111构成为能够沿支柱112在铅垂方向和水平方向上移动。此外，精磨削研磨石的研磨颗粒的粒度比中磨削研磨石的研磨颗粒的粒度小。而且，在使被吸盘31保持的晶圆W的加工面Wg与精磨削研磨石抵接了的状态下，分别使吸盘31和精磨削研磨石旋转，并且使精磨削研磨石下降，由此对加工面Wg进行精磨削。

检查单元120设置于交接位置A0和加工位置A1～A3的各位置。另外，如图2所示，检查单元120具有作为检测部的压力传感器121。压力传感器121设置于吸引管32，测定吸引源33的吸引压力。而且，在检查单元120中，能够通过由压力传感器121测定的吸引压力来检测有无晶圆W。

另外，检查单元120具有测量晶圆W的加工面Wg的高度的第一高度计122和测量吸盘31的表面31a的高度的第二高度计123。第一高度计122具备传感器124，通过使传感器124的前端与晶圆W的加工面Wg抵接来测量该加工面Wg的高度位置。第二高度计123具备传感器125，通过使传感器125的前端与吸盘31的表面31a抵接来测量该表面31a的高度位置。而且，通过检查单元120，能够测定晶圆W的厚度。此外，检查单元120的结构不限定于本实施方式，只要是检测晶圆W的结构即可，能够采取任意结构。例如，检查单元可以使用非接触式的传感器来检测晶圆W。

如图1所示，针对加工装置1设置有控制部130。控制部130例如为计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有控制加工装置1中的晶圆W的处理的程序。另外，在程序保存部中还保存有控制上述的各种处理单元、搬送装置等驱动系统的动作来实现加工装置1的后述的加工处理的程序。此外，上述程序可以记录在计算机可读存储介质H中，并且从该存储介质H安装至控制部130中。

接着，说明使用如以上那样构成的加工装置1进行的加工处理。

首先，将收纳有多个晶圆W的盒C载置于搬入搬出站2的盒载置台10。为了抑制保护带变形，在盒C中将晶圆W以晶圆W的非加工面Wn朝向上侧的方式收纳。

接着，通过晶圆搬送装置22的搬送叉23将盒C内的晶圆W取出，并且搬送至处理站3。此时，通过搬送叉23将晶圆W的表背面翻转，以使晶圆W的加工面Wg朝向上侧。

将被搬送至处理站3的晶圆W交接至对准单元50。而且，在对准单元50中，调节晶圆W的水平方向上的朝向(图3的步骤S1)。

接着，通过搬送单元40将晶圆W从对准单元50搬送至交接位置A0，并且交接至该交接位置A0的吸盘31。之后，使吸盘31移动至第一加工位置A1。然后，通过粗磨削单元90对晶圆W的加工面Wg进行粗磨削(图3的步骤S2)。

接着，使吸盘31移动至第二加工位置A2。而且，通过中磨削单元100对晶圆W的加工面Wg进行中磨削(图3的步骤S3)。

接着，使吸盘31移动至第三加工位置A3。而且，通过精磨削单元110对晶圆W的加工面Wg进行精磨削(图3的步骤S4)。

接着，使吸盘31移动至交接位置A0。在此，通过第三清洗单元80，利用清洗液对晶圆W的加工面Wg进行粗清洗(图3的步骤S5)。在该工序中，进行将加工面Wg的脏污去掉至某种程度的清洗。

接着，通过搬送单元40将晶圆W从交接位置A0搬送至第二清洗单元70。然后，在第二清洗单元70中，在将晶圆W保持于搬送垫42的状态下对晶圆W的非加工面Wn进行清洗以及干燥(图3的步骤S6)。

接着，通过搬送单元40将晶圆W从第二清洗单元70搬送至第一清洗单元60。然后，在第一清洗单元60中，通过清洗液对晶圆W的加工面Wg进行精清洗(图3的步骤S7)。在该工序中，将加工面Wg清洗至期望的清洁度并进行干燥。

之后，通过晶圆搬送装置22的搬送垫24将被实施了全部的处理的晶圆W搬送至盒载置台10的盒C。通过这样，加工装置1的一系列的加工处理结束。

接着，对当加工装置1在工作中停止并且使加工装置1再启动后且进行通常运转之前的、该加工装置1的运转准备方法进行说明。

首先，当如上述那样通过加工装置1进行晶圆W的加工处理时，在该加工处理中例如有时在加工装置1的一个单元中产生异常。在该情况下，停止加工装置1并且关机(图4的步骤T1)。

在该步骤T1中，有时在加工装置1的内部残留有晶圆W。因此，在控制部130中，存储加工装置1关机时的晶圆W的状态例如晶圆W的位置、处理进展状态。例如，检测在旋转台30中的交接位置A0、加工位置A1～A3的各位置的吸盘31上是否保持有晶圆W，并且存储于控制部130中。另外，在加工位置A1～A3的吸盘31上保持有晶圆W的情况下，还将对该晶圆W进行了的磨削制程一同存储于控制部130中。该磨削制程是加工装置1的关机时的制程，换言之是关机以前使用着的制程。并且，在晶圆W处于其它单元例如对准单元50的情况下，也将该晶圆W的位置和处理进展状态存储于控制部130中。此外，下面，为了方便说明，有时将处于旋转台30的吸盘31上的晶圆W称作晶圆Wa，将处于对准单元50的晶圆W称作晶圆Wb。

接着，使加工装置1再启动(图4的步骤T2)。

接着，使加工装置1中的各单元初始化(图4的步骤T3)。如图5所示，在加工装置1中，根据各单元的功能依次进行初始化。初始化是指使各单元恢复原点，使该单元成为能够动作的状态。此外，图5的横轴为时间，各单元的箭头的基端(左端)表示初始化的开始定时，箭头的前端(右端)表示初始化的结束定时。

对搬入搬出站2的初始化进行说明。在该搬入搬出站2中，首先开始进行晶圆搬送装置22的初始化。具体地说，使搬送叉23和搬送垫24的水平方向轴初始化。例如，在搬送叉23进入了盒C、对准单元50的状态下，在加工装置1关机了的情况下，使搬送叉23从盒C、对准单元50退出并返回原始的位置来进行初始化。

在晶圆搬送装置22的初始化中，当搬送叉23和搬送垫24从盒C退避后接着开进行始盒载置台10的初始化。具体地说，例如使盒载置台10恢复原始的状态，如使设置于盒C的挡板(未图示)返回原始的位置等。

接着，对处理站3的初始化进行说明。在该处理站3中，首先，在上述的晶圆搬送装置22的初始化开始的同时开始搬进行送单元40的初始化。具体地说，使搬送垫42的水平方向轴初始化。例如，在搬送垫42进入到可访问的单元(例如对准单元50)的状态下，在加工装置1关机了的情况下，使搬送垫42从对准单元50退出并返回原始的位置来进行初始化。

在搬送单元40的初始化中，当搬送垫42从各单元退避后接着开始进行第三清洗单元80和磨削单元90、100、110的初始化。即，进行设置于旋转台30的上方的各单元的初始化。具体地说，使第三清洗单元80从清洗位置退避至铅垂上方的位置，并且使第三清洗单元80自身初始化。另外，使磨削部91、101、111分别从磨削位置退避至铅垂上方的位置，并且使磨削单元90、100、110自身初始化。

当第三清洗单元80和磨削部91、101、111全部退避后，接着进行四个吸盘31的初始化。并且，当四个吸盘31的初始化结束时，进行旋转台30的初始化。

另外，在上述的搬送单元40的初始化中，当搬送垫42从各单元退避后，与第三清洗单元80和磨削单元90、100、110的初始化并行地开始进行对准单元50和清洗单元70、80的初始化。此外，若要使晶圆搬送装置22和搬送单元40访问对准单元50和第一清洗单元60，需要使搬送叉23、搬送垫24以及搬送垫42全部进行退避。

与以上的加工装置1的各单元的初始化并行地检测旋转台30的吸盘31上的晶圆Wa(图4的步骤T4)。此外，该步骤T4的对晶圆Wa的检测只要在步骤T2的再启动后进行即可，可以如本实施方式那样与步骤T3的加工装置1的初始化并行地进行，或者也可以在该初始化的中途或初始化结束后进行。

在步骤T4中，在交接位置A0和加工位置A1～A3中，使用检查单元120(压力传感器121)来检测吸盘31上的晶圆Wa。而且，基于由该检查单元120检测出的晶圆Wa和在步骤T1的加工装置1关机时存储于控制部130的晶圆Wa的状态，来确认吸盘31上是否有晶圆Wa。

例如，在针对一个吸盘31在控制部130中存储为“有”晶圆Wa并且在检查单元120中也检测为“有”晶圆Wa的情况下，判断为在吸盘31上保持有晶圆Wa。而且，针对该晶圆Wa进行后述的再启动后磨削或回收。此外，在本实施方式中，再启动后磨削是指在再启动后对残留于关机前的加工装置1的晶圆Wa进行磨削。例如，再启动后磨削包括对在磨削中途关机了的晶圆Wa进行再磨削的情况、对在磨削前或磨削后关机了的晶圆Wa进行磨削的情况。

在控制部130中存储有“有”晶圆Wa但在通过检查单元120检测为“无”晶圆Wa的情况下，确认实际在吸盘31上是否保持有晶圆Wa。在吸盘31上无晶圆Wa的情况下，例如操作员已经回收了晶圆Wa等情况下，设为无晶圆Wa，不进行之后的处理。另一方面，在由于某些原因而在吸盘31上残留有晶圆Wa的情况下，使磨削部91、101、111沿铅垂方向退避，之后操作员回收晶圆Wa。

在控制部130中存储有“无”晶圆Wa但通过检查单元120检测为“有”晶圆Wa的情况下，操作员回收晶圆Wa。如后述的那样，晶圆Wa的再启动后磨削是基于在加工装置1关机前对该晶圆Wa进行了的磨削制程来进行的，在上述的情况下，在控制部130中未存储该磨削制程。当在该状态下在加工装置1再启动后对晶圆Wa进行再启动后磨削时，有时该晶圆Wa不会被恰当地磨削。在该情况下，还可能会对加工装置1带来损伤，因此在此操作员回收晶圆Wa。

在控制部130中存储有“无”晶圆Wa并且在检查单元120中也检测为“无”晶圆Wa的情况下，判断为在吸盘31上未保持晶圆Wa。在该情况下，如果步骤T3的初始化结束，则能够使用该吸盘31。

如以上那样，在步骤T4中，使用控制部130和检查单元120这双方来检测有无晶圆Wa，因此能够使检测精度提高，从而能够恰当地进行之后的处理。

接着，当在步骤T4中判断为在吸盘31上保持有晶圆Wa时，指定对该晶圆Wa进行再启动后磨削，或者指定不进行再启动后磨削地进行回收(图4的步骤T5)。是否需要对该晶圆Wa进行再启动后磨削可以由控制部130自动地指定，也可以由操作员按照指南指定。

而且，在步骤T5中，在指定为不需要进行晶圆Wa的再启动后磨削的情况下，将该晶圆Wa搬送至盒C中来进行回收。在像这样不进行晶圆Wa的再启动后磨削地将该晶圆Wa回收至盒C中的情况下，有时晶圆Wa根据状态而厚度出现偏差。因此，为了稳定地进行晶圆Wa的搬送，优选事先通过检查单元120(高度计122、123)来测定被吸盘31保持的晶圆Wa的厚度(高度)。或者，操作员可以回收该晶圆Wa。

接着，当在步骤T5中指定为需要进行晶圆Wa的再启动后磨削时，指定是否进行加工装置1的暖机(本公开中的第一准备处理)(图4的步骤T6)。针对进行再启动后磨削的每个加工位置A1～A3进行暖机。下面，有时将该暖机称作“单独暖机”。此外，关于是否需要进行单独暖机，可以由控制部130自动地指定，也可以由操作员按照指南指定。而且，在通过步骤T6指定为不需要进行单独暖机的情况下，跳过单独暖机，进行后述的步骤T8的再启动后磨削。

接着，当在步骤T6中指定为需要进行单独暖机时，进行相应的单独暖机(图4的步骤T7)。单独暖机例如使水朝向吸盘31上和磨削部91、101、111流动并且使它们旋转，来使该吸盘31和磨削部91、101、111的温度稳定。另外，单独暖机例如按照规定了水的流量、转数的暖机制程来进行。而且，通过像这样进行单独暖机，能够使吸盘31、磨削部91、101、111的温度固定，从而能够稳定地进行后述的步骤T8中的再启动后磨削。

接着，对晶圆Wa的加工面Wg进行再启动后磨削(图4的步骤T8)。该再启动后磨削的流程根据晶圆Wa的位置和状态而不同。晶圆Wa的位置为有晶圆Wa的位置，是交接位置A0、加工位置A1～A3中的某一位置。晶圆Wa的状态是指加工装置1关机时的晶圆Wa的最终的处理进展状态。下面，如图6所示，按情况分为模式1～7进行说明。

模式1是晶圆Wa的位置为交接位置A0、晶圆Wa的状态为未磨削的情况。在模式1中，依次进行第一加工位置A1的粗磨削(步骤S2)、第二加工位置A2的中磨削(步骤S3)、第三加工位置A3的精磨削(步骤S4)、交接位置A0的加工面粗清洗(步骤S5)。

模式2为晶圆Wa的位置为第一加工位置A1、晶圆Wa的状态为粗磨削的中途的状态的情况。另外，模式2还包括晶圆Wa在第一加工位置A1未磨削的情况。在模式2中，首先在第一加工位置A1进行继粗磨削之后的磨削处理。此时，基于在上述的步骤T1中加工装置1关机时存储于控制部130中的、磨削制程中的晶圆Wa的处理进展状态和磨削制程，来磨削晶圆Wa的加工面Wg。例如，在磨削制程中已决定了晶圆Wa的粗磨削的目标高度，将晶圆Wa的加工面Wg磨削至该目标高度，粗磨削结束(步骤S2)。接着，依次进行第二加工位置A2的中磨削(步骤S3)、第三加工位置A3的精磨削(步骤S4)、交接位置A0的加工面粗清洗(步骤S5)。之后，使晶圆Wa返回第一加工位置A1、即加工装置1关机时的晶圆Wa的位置。

此外，在模式2中，还能够想到在交接位置A0的加工面清洗结束后直接将晶圆Wa回收至盒C中。但是，关于在中途暂时停止粗磨削并且进行了再启动后磨削的晶圆Wa，并未被进行过通常的磨削处理，无法保证质量。因此，优选使晶圆Wa返回加工装置1关机时的位置(第一加工位置A1)并回收至盒C中。另外，基本上优选的是按照搬入加工装置1的顺序来搬送晶圆Wa，从该观点出发，也优选使晶圆Wa返回第一加工位置A1。

模式3是晶圆Wa的位置为第一加工位置A1、晶圆Wa的状态为粗磨削结束了的状态的情况。在模式3中，使晶圆Wa移动至第二加工位置A2来进行中磨削(步骤S3)。接着，依次进行第三加工位置A3的精磨削(步骤S4)、交接位置A0的加工面粗清洗(步骤S5)。之后，使晶圆Wa返回第一加工位置A1、即加工装置1关机时的晶圆Wa的位置。

模式4是晶圆Wa的位置为第二加工位置A2、晶圆Wa的状态为中磨削的中途的状态的情况。另外，模式4还包括晶圆Wa在第二加工位置A2未磨削的情况。在模式4中，首先在第二加工位置A2进行继中磨削后的磨削处理。此时，基于在步骤T1中加工装置1关机时存储于控制部130中的、磨削制程中的晶圆Wa的处理进展状态和磨削制程，来磨削晶圆Wa的加工面Wg，中磨削结束(步骤S3)。接着，依次进行第三加工位置A3的精磨削(步骤S4)、交接位置A0的加工面粗清洗(步骤S5)。之后，使晶圆Wa返回第二加工位置A2、即加工装置1关机时的晶圆Wa的位置。

模式5为晶圆Wa的位置为第二加工位置A2、晶圆Wa的状态为中磨削结束的状态的情况。在模式5中，使晶圆Wa移动至第三加工位置A3来进行精磨削(步骤S4)。接着，进行交接位置A0的加工面粗清洗(步骤S5)。之后，使晶圆Wa返回第二加工位置A2、即加工装置1关机时的晶圆Wa的位置。

模式6是晶圆Wa的位置为第三加工位置A3、晶圆Wa的状态为精磨削的中途的状态的情况。另外，模式6还包括晶圆Wa在第三加工位置A3未磨削的情况。在模式6中，首先在第三加工位置A3进行继精磨削之后的磨削处理。此时，基于在步骤T1中加工装置1关机时存储于控制部130中的、磨削制程中的晶圆Wa的处理进展状态和磨削制程，来磨削晶圆Wa的加工面Wg，精磨削结束(步骤S4)。接着，进行交接位置A0的加工面粗清洗(步骤S5)。之后，使晶圆Wa返回第三加工位置A3、即加工装置1关机时的晶圆Wa的位置。

模式7为晶圆Wa的位置为第三加工位置A3、晶圆Wa的状态为精磨削结束的状态的情况。在模式5中，使晶圆Wa移动至交接位置A0来进行加工面清洗(步骤S5)。之后，使晶圆Wa返回第三加工位置A3、即加工装置1关机时的晶圆Wa的位置。

此外，在上述例子中单独地说明了模式1～7，但例如在交接位置A0、加工位置A1～A3处存在多个晶圆Wa的情况下，控制部130也可以判断从哪个位置的晶圆Wa起进行再启动后磨削。具体地说，控制部130基于加工装置1关机时的晶圆Wa的最终的处理进展状态，来自动地设定晶圆Wa的再启动后磨削的顺序。另外，在像这样存在多个晶圆Wa的情况下，也可以并行地进行任意的模式。换言之，可以对一张晶圆Wa进行再启动后磨削，也可以在多个加工位置A1～A3并行地进行再启动后磨削。

如以上那样，当步骤T8中的晶圆Wa的加工面Wg的再启动后磨削结束时，接着将再启动后磨削结束的晶圆Wa搬送至盒C中来进行回收(图4的步骤T9)。此时，在向盒C晶圆Wa搬送之前，对该晶圆Wa依次进行第二清洗单元70的非加工面清洗(步骤S6)和第一清洗单元60的加工面精清洗(步骤S7)。此外，当在步骤T9中回收晶圆Wa且变成没有被吸盘31保持的晶圆Wa时，进行后述的步骤T11的晶圆Wb的再启动后磨削，因此可以进行通常的暖机(本公开中的第二准备处理)。在该暖机中，除了上述的单独暖机以外，还使水、气体从吸盘31流过、或还调整吸盘31的高度。另外，当加工装置1与进行磨削加工后的后续处理的装置(例如贴片机等)连结的情况下，也可以使晶圆Wa移动至进行该后续处理的装置中。

另一方面，在通过步骤T1在控制部130中存储了在对准单元50中存在晶圆Wb的情况下，指定对该晶圆Wb进行再启动后磨削，或者指定不进行再启动后磨削地进行回收(图4的步骤T10)。是否需要进行针对该晶圆Wb进行再启动后磨削可以由控制部130自动地指定，也可以由操作员按照指南指定。而且，在通过步骤T10指定为不需要进行晶圆Wb的再启动后磨削的情况下，将该晶圆Wb搬送至盒C中来进行回收。或者，操作员也可以回收该晶圆Wb。此外，可以在步骤T9之前进行步骤T10。

接着，对在步骤T10中被指定了再启动后磨削的晶圆Wb进行再启动后磨削(图4的步骤T11)。具体地说，首先，在对准单元50中再次调节晶圆Wb的水平方向上的朝向(步骤S1)。接着，对晶圆Wb依次进行第一加工位置A1的粗磨削(步骤S2)、第二加工位置A2的中磨削(步骤S3)、第三加工位置A3的精磨削(步骤S4)、交接位置A0的加工面粗清洗(步骤S5)。此外，该步骤T11中的晶圆Wb的再启动后磨削也可以与步骤T9的晶圆Wa的回收并行地进行。

接着，将通过步骤T11进行的再启动后磨削结束了的晶圆Wb搬送至盒C中来进行回收(图4的步骤T12)。此时，在向盒C搬送晶圆Wb之前，对该晶圆Wb依次进行第二清洗单元70的非加工面清洗(步骤S6)和第一清洗单元60的加工面精清洗(步骤S7)。

接着，当回收加工装置1内的全部的晶圆W后，指定是否进行加工装置1的通常的暖机(本公开中的第二准备处理)(图4的步骤T13)。是否需要进行该暖机可以由控制部130自动地指定，也可以由操作员按照指南指定。而且，在通过步骤T13指定为不需要进行暖机的情况下，跳过暖机，用于进行加工装置1的通常运转的准备完成。

接着，当在步骤T13中指定为需要进行暖机时，进行该暖机(图4的步骤T14)。在该暖机中，与步骤T7的单独暖机同样地，一边使水流过吸盘31和磨削部91、101、111，一边使它们旋转，来使该吸盘31和磨削部91、101、111的温度稳定。此外，还使水、气体从吸盘31流过、或者还调整吸盘31的高度。而且，当暖机结束时，用于进行加工装置1的通常运转的准备完成。

根据以上的实施方式，在将加工装置1再启动之后，针对通过步骤T4检测到且通过步骤T5被指定为需要进行再启动后磨削的晶圆Wa，通过步骤T8来进行再启动后磨削。并且，针对通过步骤T10被指定为需要进行再启动后磨削的晶圆Wb，通过步骤T11来进行再启动后磨削。因此，能够无浪费地有效利用在加工装置1关机时残留于内部的晶圆Wa、Wb。

另外，在步骤T8中，根据晶圆Wa的位置和状态，例如分为模式1～7来进行晶圆Wa的加工面Wg的再启动后磨削。此时，基于在加工装置1关机时被存储于控制部130中的、磨削制程中的晶圆Wa的处理进展状态和磨削制程，来磨削晶圆Wa的加工面Wg，因此能够恰当地进行该再启动后磨削。

并且，在步骤T8中，在对Wa的加工面Wg进行再启动后磨削之后，使该晶圆Wa返回加工装置1关机时的位置。因此，能够基于加工装置1关机前的制程来顺利地回收晶圆Wa。

另外，通过步骤T7来进行单独暖机，因此吸盘31和磨削部91、101、111的温度稳定。其结果是，能够稳定地进行步骤T8的再启动后磨削。

另外，基于在步骤T4中通过检查单元120检测出的晶圆Wa和步骤T1的加工装置1关机时被存储于控制部130中的晶圆Wa的状态，来检测吸盘31上的晶圆Wa。像这样使用控制部130和检查单元120这双方来检测有无晶圆Wa，因此能够恰当地进行之后的处理。具体地说，能够使之后的处理的加工条件恰当，还能够消除尽管没有晶圆Wa还进行处理这样的多余的动作。

另外，在步骤T2中，在加工装置1中根据各单元的功能来依次进行初始化。因而，能够恰当地进行各单元的初始化。

应该认为，本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下以各种方式进行省略、置换、变更。

附图标记说明

1：加工装置；31：吸盘；40：搬送单元；90：粗磨削单元；100：中磨削单元；110：精磨削单元；130：控制部；W、Wa、Wb：晶圆。

Claims (17)

1.一种加工装置，对基板进行加工，所述加工装置具有：

保持部，其保持基板；

磨削部，其磨削被所述保持部保持的基板的加工面；

搬送部，其相对于所述保持部搬送基板；以及

控制部，其控制所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部，

其中，所述控制部控制所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部，以执行以下处理：

当所述加工装置在工作中停止并且使该加工装置再启动后，进行所述保持部的初始化、所述磨削部的初始化以及所述搬送部的初始化；

检测所述保持部中的基板；

针对检测到的基板指定是否需要利用所述磨削部进行磨削；以及

通过所述磨削部来磨削被指定为需要磨削的基板的加工面。

2.根据权利要求1所述的加工装置，其特征在于，

还具有检测部，该检测部检测被所述保持部保持的基板，

所述控制部存储所述加工装置停止时的、所述保持部中的基板的状态，

在所述保持部中的基板的检测中，基于所述控制部中存储的加工装置停止时的基板的状态和所述检测部的检测结果，来检测所述保持部中的基板，并指定是否需要磨削。

3.根据权利要求1或2所述的加工装置，其特征在于，

所述控制部存储所述加工装置停止时的、所述保持部中的基板的状态，

当在所述保持部中检测到基板的情况下，基于所述控制部中存储的加工装置停止时的基板的状态指定为需要进行该基板的磨削。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的加工装置，其特征在于，

还具有旋转自如的旋转台，该旋转台保持多个所述保持部，用于将所述保持部配置于多个加工位置，

所述磨削部设置于所述多个加工位置的各加工位置来磨削基板的加工面，

在所述加工面的磨削中，所述控制部控制所述磨削部和所述旋转台，以通过所述磨削部在所述多个加工位置连续地磨削基板的加工面，并且在继一个所述加工位置之后的其它所述加工位置磨削基板的加工面之后，通过所述旋转台使基板移动至所述一个加工位置。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的加工装置，其特征在于，

在指定是否需要所述磨削之后且进行所述加工面的磨削之前，所述控制部控制所述保持部和所述磨削部，以进行所述保持部的第一准备处理和所述磨削部的第一准备处理。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的加工装置，其特征在于，

在进行所述加工面的磨削之后，所述控制部控制所述保持部和所述磨削部，以进行所述保持部的第二准备处理和所述磨削部的第二准备处理。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的加工装置，其特征在于，

还具有对准部，该对准部调节被所述保持部保持之前的基板的水平方向的朝向，

在进行所述加工面的磨削之后，所述控制部控制所述对准部、所述搬送部、所述保持部以及所述磨削部，以通过所述搬送部将处于所述对准部的基板搬送至所述保持部，通过所述磨削部来磨削被该保持部保持的基板的加工面。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的加工装置，其特征在于，

在所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部的初始化中，所述控制部控制所述搬送部、所述磨削部以及所述保持部，以按照所述搬送部的初始化、所述磨削部的初始化以及保持部的初始化的顺序进行初始化。

9.一种加工方法，是使用加工装置对基板进行加工的加工方法，

所述加工装置具有：

保持部，其保持基板；

磨削部，其磨削被所述保持部保持的基板的加工面；以及

搬送部，其相对于所述保持部搬送基板，

所述加工方法包括：

当所述加工装置在工作中停止并且使该加工装置再启动后，进行所述保持部的初始化、所述磨削部的初始化以及所述搬送部的初始化；

检测所述保持部中的基板；

针对检测到的基板指定是否需要利用所述磨削部进行磨削；以及

通过所述磨削部来磨削被指定为需要磨削的基板的加工面。

10.根据权利要求9所述的加工方法，其特征在于，

所述加工装置具有检测部，所述检测部检测被所述保持部保持的基板，

在进行所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部的初始化之前，存储所述加工装置停止时的、所述保持部中的基板的状态，

在所述保持部中的基板的检测中，基于所述存储的加工装置停止时的基板的状态和所述检测部的检测结果，来检测所述保持部中的基板，并指定是否需要磨削。

11.根据权利要求9或10所述的加工方法，其特征在于，

在进行所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部的初始化之前，存储所述加工装置停止时的、所述保持部中的基板的状态，

当在所述保持部中的基板的检测中检测到所述保持部中的基板的情况下，基于存储的所述加工装置停止时的基板的状态，来指定为需要进行该基板的磨削。

12.根据权利要求9至11中的任一项所述的加工方法，其特征在于，

所述加工装置具有旋转自如的旋转台，所述旋转台保持多个所述保持部，用于将该保持部配置于多个加工位置，

所述磨削部设置于所述多个加工位置的各加工位置来磨削基板的加工面，

在所述加工面的磨削中，通过所述磨削部在所述多个加工位置连续地磨削基板的加工面，并且在继一个所述加工位置之后的其它所述加工位置磨削基板的加工面之后，通过所述旋转台使基板移动至所述一个加工位置。

13.根据权利要求9至12中的任一项所述的加工方法，其特征在于，

在指定是否需要所述磨削之后且进行所述加工面的磨削之前，进行所述保持部的第一准备处理和所述磨削部的第一准备处理。

14.根据权利要求9至13中的任一项所述的加工方法，其特征在于，

在进行所述加工面的磨削之后，进行所述保持部的第二准备处理和所述磨削部的第二准备处理。

15.根据权利要求9至14中的任一项所述的加工方法，其特征在于，

所述加工装置具有对准部，该对准部调节被所述保持部保持之前的基板的水平方向的朝向，

在进行所述加工面的磨削之后，通过所述搬送部将处于所述对准部的基板搬送至所述保持部，并且通过所述磨削部来磨削被该保持部保持的基板的加工面。

16.根据权利要求9至15中的任一项所述的加工方法，其特征在于，

在所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部的初始化中，按照所述搬送部的初始化、所述磨削部的初始化以及保持部的初始化的顺序进行初始化。

17.一种可读取的计算机存储介质，保存有在控制加工装置的控制部的计算机上运行以使所述加工装置执行根据权利要求9～16中的任一项所述的加工方法的程序。

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