Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN116867314A - 显示面板制作方法、显示面板与显示终端 - Google Patents

显示面板制作方法、显示面板与显示终端 Download PDF

Info

Publication number
CN116867314A
CN116867314A CN202311127122.2A CN202311127122A CN116867314A CN 116867314 A CN116867314 A CN 116867314A CN 202311127122 A CN202311127122 A CN 202311127122A CN 116867314 A CN116867314 A CN 116867314A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
sub
layer
opening
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202311127122.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116867314B (zh
Inventor
曹尚操
谢俊烽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HKC Co Ltd
Original Assignee
HKC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HKC Co Ltd filed Critical HKC Co Ltd
Priority to CN202311127122.2A priority Critical patent/CN116867314B/zh
Publication of CN116867314A publication Critical patent/CN116867314A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116867314B publication Critical patent/CN116867314B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请实施例公开一种显示效果较佳的显示面板的制作方法,包括:提供第一基板,在第一基板表面依次形成多个像素单元和覆盖像素单元的平坦化层,每个像素单元包括依次层叠设置的第一电极、有机材料层以及第二电极,多个像素单元通过平坦化层间隔开,第二电极与第一电极用于驱动有机材料层出射光线;对应第二电极的位置在平坦化层形成开口,部分第二电极自开口显露;在平坦化层的表面和开口表面形成第三电极,第三电极在开口的位置连接第二电极。本申请实施例还提供一种经过前述方法制作完成的显示面板和包括显示面板的显示终端。

Description

显示面板制作方法、显示面板与显示终端
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板制作方法、显示面板与显示终端。
背景技术
OLED显示面板因自发光、轻薄、高对比度等技术优势广泛运用于手机、显示器、电视等各种显示产品。目前OLED技术中,OLED显示面板中每个OLED像素单元包括:透光的第一电极(透明电极)、淀积在第一电极上的OLED有机材料层以及位于OLED介质上面的第二电极(金属电极)。透明电极作为器件的阳极层,金属电极作为器件的阴极。给透明电极和金属电极分别施加电压形成电场使OLED像素单元作为发光器件发光。
在蒸镀形成有机材料层时,需用到高精细金属掩版(FMM),利用FMM 蒸镀形成像素发光单元,在蒸镀时, FMM需要很高的对位精度,在实际操作时成功率相对较低从而降低了生产效率,且由此制作形成的OLED显示面板在执行图像显示时相邻的像素之间容易出现电子流的串扰进而出现色差,同时,FMM还限制OLED显示面板大尺寸化和相同尺寸下的分辨率和亮度,从而导致OLED显示面板的显示效果不佳。
发明内容
鉴于上述技术问题的不足,本申请提供一种显示效果较佳的显示面板的制作方法,以及通过前述制作方法制作形成的显示面板和显示终端。
第一方面,本申请提供一种显示面板制作方法,包括:
提供第一基板,在所述第一基板表面依次形成多个像素单元和覆盖所述像素单元的平坦化层,每个像素单元包括依次层叠设置的第一电极、有机材料层以及第二电极,多个像素单元通过所述平坦化层间隔开,所述第二电极与所述第一电极用于驱动所述有机材料层出射光线;
对应所述第二电极的位置在所述平坦化层形成开口,部分所述第二电极自所述开口显露;
在所述平坦化层的表面和所述开口表面形成第三电极,所述第三电极在所述开口的位置连接所述第二电极。
在一实施例中,在所述第一基板表面依次形成多个像素单元和覆盖所述像素单元的平坦化层包括:
在所述第一基板表面形成第一导电层,所述第一导电层通过光刻工艺图案化所述第一导电层形成包括多个间隔预设距离的所述第一电极;
在所述第一电极表面依次层叠制作有机材料层、第二导电层和第一绝缘层;
对应所述相邻两个第一电极之间间隔区域的位置在所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述有机材料层形成第一开口,所述第一基板自所述第一开口显露,所述第二导电层通过所述第一开口形成多个间隔预设距离的第二电极;
在所述第一绝缘层表面形成第二绝缘层,所述第二绝缘层还填充所述第一开口,其中,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层构成所述平坦化层。
在一实施例中,形成所述第一开口包括:
对所述第一绝缘层进行光刻工艺形成第一子开口;
对应所述第一子开口继续对所述第二导电层和所述有机材料层进行干法蚀刻形成所述第一开口。
在一实施例中,在所述第一基板表面依次形成多个像素单元和覆盖所述像素单元的平坦化层包括:
在所述第一基板表面形成第一导电层、有机材料层与第二导电层和第一绝缘层;
通过掩膜对所述第一绝缘层、所述第二导电层、所述有机材料层和所述第一导电层进行图案化并形成第一开口,所述第一基板自所述第一开口显露,所述第一导电层通过所述第一开口形成多个间隔预设距离的第一电极,所述第二导电层通过所述第一开口形成多个间隔预设距离的第二电极;
在所述第一绝缘层表面形成第二绝缘层,所述第二绝缘层还填充所述第一开口,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层构成所述平坦化层。
在一实施例中,形成所述第一开口包括:
对所述第一绝缘层进行光刻工艺形成第一子开口,所述第二电极自所述第一子开口显露;
对应所述第一子开口继续对所述第二导电层和所述有机材料层进行干法蚀刻形成第二子开口,所述第一导电层自所述第二子开口显露;
对应所述第二子开口继续对所述第一导电层进行湿法蚀刻形成所述第一开口。
在一实施例中,在所述平坦化层的表面和所述开口表面形成第三电极包括:
对应所述第二电极的位置在所述第二绝缘层与所述第一绝缘层形成第二开口,部分所述第二电极自所述第二开口显露;
在所述第二绝缘层表面和所述第二开口表面形成所述第三电极。
在一实施例中,形式所述第三电极后还包括:
在所述第三电极表面依次形成封装层与光阻层,所述第二电极与所述第一电极配合驱动所述有机材料层出射白色光线,所述光阻层包括多个不同颜色的滤色单元,所述滤色单元用于对所述白色光线进行滤光以出射不同颜色的光线。
在一实施例中,在所述第一基板表面依次形成多个像素单元和覆盖所述像素单元的平坦化层包括:
于所述第一基板表面形成第一导电层,所述第一导电层包括多个间隔预设距离的第一子电极、第二子电极与第三子电极;
在所述第一导电层表面依次制作第一子有机材料层、第二导电层和第一绝缘层;
对应所述第二子电极与所述第三子电极蚀刻所述第一子有机材料层、所述第二导电层和所述第一绝缘层,使得所述第二导电层形成多个间隔预设距离的第二电极,所述第一绝缘层分隔为多个第一子绝缘层,所述第一子电极、所述第一子有机材料层和所述第二电极构成第一子像素单元;
在所述第二子电极表面形成第二子有机材料层、第二电极和第二子绝缘层,所述第二子电极、所述第二子有机材料层和第二电极构成第二子像素单元;
在所述第三子电极表面形成第三子有机材料层、第二电极和第三子绝缘层,所述第三子电极、所述第三子有机材料层和所述第二电极构成第三子像素单元;
在所述第一子绝缘层、所述第二子绝缘层以及所述第三子绝缘层和所述第一子像素单元、所述第二子像素单元与所述第三子像素单元之间的第一基板表面形成所述平坦化层。
在一实施例中,在所述平坦化层的表面和所述开口表面形成第三电极包括:
对应每个第二电极所在位置于所述平坦化层和第一子绝缘层、第二子绝缘层和第三子绝缘层的位置形成多个开口,所述第二电极自所述开口显露;
在所述平坦化层表面和所述开口表面形成所述第三电极。
在一实施例中,在所述第三电极表面形成封装层,所述第一子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第一子有机材料层出射第一颜色的光线,所述第二子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第二子有机材料层出射第二颜色的光线,所述第三子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第三子有机材料层出射第三颜色的光线。
第二方面,提供一种通过前述方法制作形成的显示面板,包括:
第一基板,所述第一基板表面设置多个间隔预设距离的像素单元,每个像素单元包括层叠设置的第一电极、有机材料层和第二电极,所述第二电极与所述第一电极配合用于驱动所述有机材料层出射光线;
平坦化层,所述平坦化层覆盖像素单元之间的所述第一基板表面以及所述第二电极表面,多个像素单元通过所述平坦化层间隔开,且所述平坦化层在对应所述第二电极的位置包括开口,在所述平坦化层的表面和所述开口表面设置有第三电极,所述第三电极在所述开口的位置连接所述第二电极。
在一实施例中,所述平坦化层包括第一绝缘层与第二绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述第二电极,所述第一绝缘层和所述有机材料层在对应所述第二电极和所述第一电极之间的区域设置有第一开口,所述第二绝缘层填充所述开口。
在一实施例中,第一电极包括多个间隔预设距离的第一子电极、第二子电极与第三子电极;
所述第一子电极表面包括第一子有机材料层、第二电极和第一子绝缘层并构成第一子像素单元;
所述第二子电极表面包括第二子有机材料层、第二电极和第二子绝缘层并构成第二子像素单元;
所述第三子电极表面包括第三子有机材料层、第二电极和第三子绝缘层并构成第三子像素单元;
所述第一子像素电极、所述第二子像素电极以及所述第三子像素电极之间包括第一开口,所述平坦化层填充所述第一开口,所述第一子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第一子有机材料层出射第一颜色的光线,所述第二子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第二子有机材料层出射第二颜色的光线,所述第三子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第三子有机材料层出射第三颜色的光线。
第三方面,提供一种显示终端,包括前述显示面板,所述显示面板还包括数据驱动电路、扫描驱动电路和呈阵列排布的多个像素单元,所述数据驱动电路经多条数据线连接于所述多个像素单元,所述扫描驱动电路经多条扫描线连接于所述像素单元,所述扫描驱动电路输出扫描信号至所述像素单元以控制所述像素单元接收所述数据驱动电路输出的数据信号,所述像素单元依据所述数据信号执行图像显示。
相较于现有技术,通过在平坦化层设置一层连接于第二电极的第三电极,由于第三电极占用面积较大,从而能够通过第三电极有效增加了第二电极的横截面积,有效降低了作为像素单元内阴极的第二电极整体的阻抗,能够有效改善各个不同位置中像素单元的阻抗损耗,保证图像显示的均匀性。
进一步,多个像素单元通过所述平坦化层间隔开,从而使得相邻两个像素单元中的第一电极以及有机材料层间隔开,保证相邻像素单元出射的光线不会发生串扰,同时,相邻像素电极之间不会存在电子流的泄露或者串扰,从而防止显示的图像出现色偏且有效提高了特性显示的亮度。
进一步,形成所述第二电极时是通过光刻工艺对绝缘层和第二导电层进行光刻工艺和干法蚀刻或者湿法蚀刻工艺配合,使得第二电极之间的间距能够更精细,从而使得各个像素单元之间间隔的距离则能够保持在较小范围内,进而使得显示面板中像素单元的数量可以具有较大提升空间,并且保持较大的发光面积和较高亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的一种显示终端的结构示意图;
图2为图1所示显示面板的平面布局示意图;
图3为本申请第一实施例中如图2所示显示面板制作流程示意图;
图4为如图3所示显示面板制作过程中步骤一的侧面结构示意图;
图5为如图3所示显示面板制作过程中步骤二的侧面结构示意图;
图6为如图3所示显示面板制作过程中步骤三的侧面结构示意图;
图7为如图3所示显示面板制作过程中步骤四的侧面结构示意图;
图8为本申请第二实施例中如图3所示显示面板制作过程中步骤一的侧面结构示意图;
图9为本申请第二实施例中如图3所示显示面板制作过程中步骤二的侧面结构示意图;
图10为本申请第二实施例中如图3所示显示面板制作过程中步骤三的侧面结构示意图;
图11为本申请第二实施例中如图3所示显示面板制作过程中步骤四的侧面结构示意图;
图12为本申请第三实施例中图2所示显示面板制作流程示意图;
图13为如图12所示显示面板制作过程中步骤一的侧面结构示意图;
图14为如图12所示显示面板制作过程中步骤二的侧面结构示意图;
图15为如图12所示显示面板制作过程中步骤三的侧面结构示意图;
图16为如图12所示显示面板制作过程中步骤四的侧面结构示意图。
附图标记说明:
显示终端-100、显示面板-10、30、电源模组-20、显示区-10a、m条数据线-D1~Dm、n条扫描线-G1~Gn、第一方向-F1、第二方向-F2、时序控制电路-11、数据驱动电路-12、扫描驱动电路-13、像素单元-P、第一子像素单元-PR、第二子像素单元-PG、第三子像素单元-PB、第一基板-Sub、第一导电层-C1、第二导电层-C2、第一电极-P1、第一子电极-P11、第二子电极-P12、第三子电极-P13、第一绝缘层-S1、第一子绝缘层-S11、第二子绝缘层-S12、第三子绝缘层-S13、第二绝缘层-S2、有机材料层-R、第一子有机材料层-R1、第二子有机材料层-R2、第三子有机材料层-R3、平坦化层-TD、第二电极-P2、第三电极-P3、封装层-EN、光阻层-PH、第一开口-H1、第一子开口-H11、第二子开口-H12、第二开口-H2。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本文中为部件所编序号本身,例如“第一”、“第二”等,仅用于区分所描述的对象,不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”,如无特别说明,均包括直接和间接连接(联接)。本申请中所提到的方向用语,例如,“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等,仅是参考附加图式的方向,因此,使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本申请,而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸地连接,或者一体地连接;可以是机械连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。需要说明的是,本申请的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象,而不是用于描述特定顺序。
此外,本申请中使用的术语“包括”、“可以包括”、“包含”、或“可以包含”表示公开的相应功能、操作、元件等的存在,并不限制其他的一个或多个更多功能、操作、元件等。此外,术语“包括”或“包含”表示存在说明书中公开的相应特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合,而并不排除存在或添加一个或多个其他特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合,意图在于覆盖不排他的包含。此外,当描述本申请的实施方式时,使用“可”表示“本申请的一个或多个实施方式”。并且,用语“示例性的”旨在指代示例或举例说明。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。
请参阅图1,图1为本申请第一实施例提供的一种显示终端100的结构示意图。显示终端100包括显示面板10和电源模组20,电源模组20设置于显示面板10的背面也即是显示面板10的非显示面。电源模组20用于为显示面板10进行图像显示提供驱动电压以维持显示面板10执行图像显示。
请参阅图2,图2为图1所示显示面板10的平面布局示意图。如图2所示,显示面板10的显示区10a包括多个呈矩阵排列的m×n像素单元P、m条数据线D1~Dm、n条扫描线G1~Gn,m、n为大于1的自然数。
其中,该n条扫描线G1~Gn沿第一方向F1 延伸且沿第二方向F2相互绝缘且平行排列,该m条数据线D1~Dm沿第二方向F2延伸且沿第一方向F1相互绝缘且平行排列,所述第一方向F1与第二方向F2相互垂直。
对应显示面板10的非显示区,显示终端100进一步包括的用于驱动像素单元进行图像显示的时序控制电路11、数据驱动电路12以及设置于显示面板10中的扫描驱动电路13。
其中,时序控制电路11电性连接于数据驱动电路12与扫描驱动电路13,用于控制数据驱动电路12与扫描驱动电路13的工作时序,也即是输出对应的时序控制信号至数据驱动电路12至扫描驱动电路13,以控制何时输出对应的扫描信号以及数据信号。
数据驱动电路12与该m条数据线D1~Dm电性连接,用于将待显示用的数据信号(Data)通过该m条数据线D1~Dm以数据电压的形式传输至该多个像素单元P。
扫描驱动电路13用于与该n条扫描线G1~Gn电性连接,用于通过该n条扫描线G1~Gn输出扫描信号用于控制像素单元P何时接收数据信号。其中,扫描驱动电路13按照位置排列顺序自n条扫描线G1~Gn按照扫描周期依次自扫描线G1、G2、……,Gn输出扫描信号。
请参阅图3-图7,图3为本申请第一实施例中如图2所示显示面板10制作流程示意图。
如图3所示,显示面板10制作包括步骤1000~步骤4000。具体地:
请参阅图3与图4,其中图4为如图3所示显示面板制作过程中步骤一中的侧面结构示意图,在步骤1000中,提供第一基板Sub,在第一基板Sub表面形成多个间隔预设距离的像素单元P和覆盖所述像素单元P的平坦化层TD,像素单元P包括第一电极P1、有机材料层R、第二电极P2。也即是,一个所述第一电极P1、有机材料层R和一个第二电极P2构成一个像素单元P,且第二电极P2与第一电极P1配合驱动有机材料层R出射光线。
本实施例中,更为具体地,步骤1000还包括:
步骤A1,第一基板Sub表面设置有多个间隔预设距离的第一电极P1。
具体地,如图4所示,第一基板Sub可以透明塑料、玻璃、金属箔材质,用于制程后续全部层结构。其中需要说明的是,第一基板Sub上已预先形成有用于驱动OLED的像素单元的驱动电路,其中,驱动电路包括有薄膜晶体管(Thin Film transistor TFT)和电容等电子元器件。
本实施例中,第一电极P1可为一种N型氧化物半导体材料,例如透明的氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)。第一电极P1可以在第一基板Sub设置ITO层或者透明金属层以后再图案化形成,当然,ITO层或者透明金属层例可磁控溅射等方式形成,再通过包括图案的掩模(Mask)进行蚀刻光刻工艺(photo)图案化。本实施例中,第一电极P1作为像素单元的阳极。光刻工艺主要包括在基板上进行光阻涂布(PR coating)、曝光(Exposure)、显影(Develop)和黄光蚀刻等步骤,从而在ITO层上形成多个间隔预设距离的第一电极P1。
对于第一电极P1通过光刻工艺图案化的具体方式,举例而言,包括:
将作为第一基板Sub的原料硅片进行清洗,保证表面清洁度。清洁可包括在水洗机经纯水洗涤和氮气吹扫烘干。
从原料中发射粒子(经过蒸发、升华、溅射和分解等过程)粒子输运到硅片(粒子之间发生碰撞,产生离化、复合、反应,能量的交换和运动方向的变化)。粒子在硅片上凝结、成核、长大和成膜。在磁场电场的作用下,用加速的带电气体离子(Ar、N2)轰击靶材(Mg、Ag、Ti、Mo)使靶材原子从表面逸出并沉淀在硅片上形成ITO膜或者金属膜(物理气相沉淀、不发生化学反应),大部分ITO材料或者金属材料沉淀在基片上,部分沉淀在设备的腔体内壁。此工序(PVD)在OLED镀膜机内完成。
依靠硅片旋转时产生的离心力及重力作用,将滴加在硅片上的光刻胶全面流布于硅片表面的过程。光刻胶主要由对光和能量非常敏感的高分子聚合物和有机溶剂组成,高分子聚合体是光刻胶的主体,主要成分为酚醛树脂,有机溶剂是光刻胶的介质。为使光刻胶牢固附着在硅片上,在涂胶结束后,通过设备自带的电热板加热烘烤。
使用光刻机并透过光掩膜版对涂胶后的硅片进行光照进行光刻,也即是使部分光刻胶得到光照,另外部分光刻胶得不到光照,从而选择性的改变光刻胶的性质。通过喷淋方式用TMAH显影液将曝光后的光刻胶去除从而进行光刻,也即是光照后的光刻胶溶于显影液、未被光照的光刻胶不溶于显影液,在光刻胶上形成沟槽,使下面的金属层暴露出来,以便于下一道工序进行刻蚀,而没有曝光的光刻胶则不被清洗下来,从而使下面的面极得以保护。显影后基片用纯水喷淋冲洗、氮气吹扫烘干(显影机集成显影、水洗、烘干功能)。
去除未曝光的光刻胶,例如使用剥离液浸泡剥离后纯水洗涤、氮气吹扫烘干(剥离机集成剥离、水洗、干燥功能),从而形成图案化的第一电极P1。
步骤A2,在第一电极P1表面依次形成有机材料层R、第二导电层C2和第一绝缘层S1。
本实施例中,有机材料层R包括自下而上依次层叠设置的空穴传输层(未标示)、发光层(未标示)以及电子传输层(未标示)。其中,空穴传输层、发光层和电子传输层均由n型或者p型有机材料分子构成。
举例而言,有机材料层R可采用热蒸镀的成膜方法,在真空环境下通过加热的方式将有机材料由固态通过升华或熔融变为蒸气状态,高速运动的气态分子到达玻璃基板并在基板上沉积固化,再变回为OLED材料的固体薄膜。具体地,就是将小分子材料置放于电子束蒸镀机,通过电加热装置传递能量给小分子材料,小分子材料,变成气态分子并沉积在第一电极P1所在的层结构表面,形成有机薄膜。
在有机材料层R表面形成第二导电层C2,本实施例中,第二导电层C2的材质可以为金属材料,例如低功函数之金属材料(或合金),如镁合金。
第一绝缘层S1可以通过涂布(coating)的方式形成于第二导电层C2表面,用于保护有机材料层R以及同时实现平坦化层的功效。第一绝缘层S1的材质可以为氮化硅或者树脂材料。
步骤A3,对应相邻两个第一电极P1之间间隔的区域在所述第一绝缘层S1、所述第二导电层C2和有机材料层R形成第一开口H1,第一基板Sub的表面自第一开口H1显露,且第二导电层C2通过第一开口H1分隔开并形成多个间隔预设距离的第二电极P2。
具体地,形成所第一开口H1包括:
对应相邻两个第一电极P1之间间隔区域的位置,通过掩膜对第一绝缘层S1进行光刻工艺(photo)形成第一子开口H11。本实施例中,通过光刻工艺和掩膜对第一绝缘层S1进行图案化,从而形成第一子开口H11。
对应第一子开口H11继续对第二导电层C2和有机材料层R进行干法蚀刻,从而形成第一开口H1。通过干法蚀刻方式对有机材料层R进行蚀刻,能够有有效避免对有机材料产生污染。
步骤A4,在第一绝缘层S1表面形成第二绝缘层S2,所述第二绝缘层S2还填充所述第一开口H1,第一绝缘层S1与第二绝缘层S2共同配合构成平坦化层TD。
其中,第二绝缘层S2通过涂布(coating)工艺形成于第一绝缘层S1表面,同时,第二绝缘层S2还同时填充第一开口H1,从而使得多个第一电极P1之间、多个第二电极P2之间相互隔离开,也即是由第一电极P1、有机材料层R和第二电极P2构成的像素单元P均通过第一开口H1填充的第二绝缘层S2相互间隔开,从而防止相邻像素单元P之间出射的光线产干扰。
本实施例中,第一电极P1作为OLED像素单元的阳极,第二电极P2作为OLED像素单元的阴极,也即是第一电极P1、有机材料层R和第二电极P2构成一个OLED发光器件,也作为像素单元中的一个出射光线的像素电极。像素单元P发光原理为:有机材料层R中电子传输层的电子和空穴由作为阴极的第二电极P2和作为阳极的第一电极P1注入并传导至发光层,在发光层中结合而出射光线。本实施例中,第一电极P1、有机材料层R和第二电极P2构成的像素电极出射的光线为白色光线。
请参阅图3和图5,步骤2000中,对应第二电极P2的位置在平坦化层TD形成开口,部分第二电极P2自第二开口H2显露。
本实施例中,请参阅图5,其为如图3所示显示面板制作过程中步骤二的侧面结构示意图,在第二电极P2对应的位置,通过光刻工艺和掩膜对第二绝缘层S2与第一绝缘层S1进行蚀刻从而形成第二开口H2,部分第二电极P2自第二开口H2显露出来。
请参阅图3和图6,步骤3000中,在平坦化层TD中的第二绝缘层S2表面和第二开口H2形成第三电极P3,其中,第三电极P3还在第二开口H2的位置连接第二电极P2。
本实施例中,请参阅图6,其为如图3所示显示面板制作过程中步骤三的侧面结构示意图,第三电极P3通过掩膜和蒸镀的方式将作为阴极的金属材料覆盖于第二绝缘层S2表面和第二开口H2表面,由于第二电极P2与第三电极P3直接连接而电性导通,同时第三电极P3的面积较大,保证了全部第二电极P2通过第三电极P3连接于同一电位,同时通过面积较大的第三电极P3减小了导通电阻,并且通过第一绝缘层S1和第二绝缘层S2的缓冲,有效保证第二电极P2与第三电极P3断线,使得第二电极P2的安全性与可靠性。
请参阅图3和图7,步骤4000中,在所述第三电极P3表面依次形成封装层EN与光阻层PH。
本实施例中,请参阅图7,其为如图3所示显示面板制作过程中步骤四的侧面结构示意图,通过涂布、蒸镀或者印刷的方式于第三电极P3表面形成封装层EN,封装层EN用于保护第三电极P3。
封装层EN是对制作完成电极和各有机薄膜功能层后的第一基板Sub进行盖板封装,例如通过环氧树脂在经过紫外固化后而对第一基板Sub上的元器件形成一个封闭的屏罩,把元器件的各个功能层和空气隔开,有效地防止第一基板Sub上的元器件受到空气中的水氧等成分被损坏。
光阻层PH包括周期排列的多个不同颜色的滤色单元,滤色单元用于对有机材料层出射的白色光线进行滤色以出射不同颜色的光线。本实施例中,不同颜色的滤色单元为红色滤光单元(Red)、绿色滤光单元(Green)和蓝色滤光单元(Blue),红色滤光单元(Red)、绿色滤光单元(Green)和蓝色滤光单元(Blue)作为一组且呈周期性排列,从而对各像素电极出射的光线进行滤光后形成彩色图像。
其中,光阻层PH的形成也包括涂胶、曝光、显影等光刻工艺。例如涂覆红色感光胶,而后通过曝光、显影、烘烤形成与像素对应的红色光阻作为红色滤光层,重复此工艺制作出绿色、蓝色等光阻滤光层。
请继续参阅图7,如图7所示的制作完成的显示面板10中,通过在平坦化层TD设置一层连接于第二电极P2的第三电极P3,由于第三电极P3占用面积较大,能够通过第三电极P3有效增加了第二电极P2的横截面积,有效降低了作为像素单元P内阴极的第二电极P2整体的阻抗,能够有效改善各个不同位置中第二电极P2的阻抗损耗,有效改善各个不同位置中像素单元P的阻抗损耗(IR-drop),保证图像显示的均匀性。
进一步,像素单元P通过平坦化层TD进行隔离,也即是通过平坦化层TD中的第二绝缘层S2与第一开口H1来定义不同的像素区域,也即是各像素单元中的第一电极P1和有机材料层R均通过平坦化层TD间隔开,故而相邻像素单元中的有机材料层R之间不会存在电子流的泄露或者串扰,从而防止显示的图像出现色偏。
进一步,形成所述第二电极P2时是通过光刻工艺对第一绝缘层S1和第二导电层C2进行光刻工艺和干法蚀刻配合,使得第二电极P2之间的间距能够更精细,从而使得各个像素单元P之间间隔的距离则能够保持在较小范围内,进而使得显示面板10中像素单元P的数量可以具有较大提升空间,并且保持较大的发光面积和较高亮度。同时,在对有机材料层R进行蚀刻时,第一绝缘层S1采用光刻工艺,从而使得对有机材料层R采用湿法蚀刻时带来污染,保证有机材料层R的性能安全性与稳定性。
请一并参阅图3和图8-图11,其为本申请第二实施例中显示面板在制作过程中的侧面结构示意图。
具体地,请参阅图3与图8,图8为本申请第二实施例中如图3所示显示面板制作过程中步骤一的侧面结构示意图,在步骤1000中,提供第一基板Sub,在第一基板Sub表面形成多个间隔预设距离的像素单元P和覆盖所述像素单元P的平坦化层TD,像素单元P包括第一电极P1、有机材料层R、第二电极P2。也即是,一个所述第一电极P1、有机材料层R和一个第二电极P2构成一个像素单元P,且第二电极P2与第一电极P1配合驱动有机材料层R出射光线。
本实施例中,更为具体地,步骤1000还包括:
步骤B1,提供第一基板Sub,第一基板Sub表面设置第一导电层C1。
本实施例中,如图8所示,第一基板Sub可以透明塑料、玻璃、金属箔材质,用于制程后续全部层结构。其中,第一基板Sub上已预先形成有用于驱动OLED的像素单元的驱动电路,其中,驱动电路包括有薄膜晶体管(Thin Film transistor TFT)和电容等元器件。
第一导电层C1为一种N型氧化物半导体材料,例如透明的氧化铟锡(Indium tinoxide,ITO)。第一导电层C1可以在第一基板Sub设置ITO层,ITO层例可磁控溅射等方式形成。
步骤B2,在第一导电层C1表面依次形成有机材料层R、第二导电层C2和第一绝缘层S1。
本实施例中,有机材料层R包括自下而上依次层叠设置的空穴传输层(未标示)、发光层(未标示)以及电子传输层(未标示)。其中,空穴传输层、发光层和电子传输层均由n型或者p型有机材料分子构成。
有机材料层R表面形成第二导电层C2,第二导电层C2与第一导电层C1配合用于驱动有机材料层R出射光线。本实施例中,第二导电层C2的材质可以为金属材料,例如低功函数之金属材料(或合金),如镁合金。
第一绝缘层S1可以通过涂布(coating)的方式形成于第二导电层C2表面,用于保护有机材料层R以及同时实现平坦化层的功效。第一绝缘层S1的材质可以为氮化硅或者树脂材料。
步骤B3,通过掩膜对第一绝缘层S1、第二导电层C2、有机材料层R和第一导电层C1进行图案化形成第一开口H1,第一基板Sub的表面自第一开口H1显露,且第二导电层C2通过第一开口H1形成多个间隔预设距离的第二电极P2。
具体地,形成所第一开口H1包括:
通过掩膜对第一绝缘层S1进行光刻工艺(photo)形成第一子开口H11。本实施例中,通过光刻工艺和掩膜对第一绝缘层S1进行图案化,从而形成第一子开口H11。
对应第一子开口H11继续对第二导电层C2和有机材料层R进行干法蚀刻形成第二子开口H12。由此,第二导电层C2通过第二子开口H12间隔开形成多个间隔预设距离的第二电极P2。
对应第二子开口H12继续对第一导电层C1进行湿法蚀刻,从而形成第一开口H1,其中第一基板Sub自所述第一开口H1显露。由此,第一导电层C1通过第一开口H1间隔开形成多个间隔预设距离的第一电极P1。
步骤B4,在第一绝缘层S1表面形成第二绝缘层S2,所述第二绝缘层S2还填充所述第一开口H1,第一绝缘层S1与第二绝缘层S2共同配合构成平坦化层TD。
其中,第二绝缘层S2通过涂布(coating)工艺形成于第一绝缘层S1表面,同时,第二绝缘层S2还同时填充第一开口H1,使得多个第一电极P1之间、多个第二电极P2之间相互隔离开。也即是由第一电极P1、有机材料层R和第二电极P2构成的像素单元P均通过第一开口H1填充的第二绝缘层S2相互间隔开,从而防止相邻像素单元P之间出射的光线产干扰。
本实施例中,第一电极P1作为OLED像素单元的阳极,第二电极P2作为OLED像素单元的阴极,也即是第一电极P1、有机材料层R和第二电极P2构成一个OLED发光器件,也作为像素单元中的一个出射光线的像素电极。像素单元P发光原理为:有机材料层R中电子传输层的电子和空穴由作为阴极的第二电极P2和作为阳极的第一电极P1注入并传导至发光层,在发光层中结合而出射光线。本实施例中,第一电极P1、有机材料层R和第二电极P2构成的像素电极出射的光线为白色光线。
请参阅图3和图9,步骤2000中,对应第二电极P2的位置在平坦化层TD形成开口,部分第二电极P2自第二开口H2显露。
具体地,如图9所示,其为本申请第二实施例中如图3所示显示面板制作过程中步骤二的侧面结构示意图,也即是在第二电极P2的位置,对平坦化层TD中的第二绝缘层S2与第一绝缘层S1进行蚀刻形成第二开口H2,部分第二电极P2自第二开口H2显露出来。本实施例中,可通过光刻工艺和掩膜对第二绝缘层S2与第一绝缘层S1进行蚀刻形成第二开口H2,使得部分第二电极P2自第二开口H2显露出来。
请参阅图3和图10,步骤3000中,在平坦化层TD中的第二绝缘层S2表面和第二开口H2形成第三电极P3,其中,第三电极P3还在第二开口H2的位置连接第二电极P2。
具体地,如图10所示,其为本申请第二实施例中如图3所示显示面板制作过程中步骤三的侧面结构示意图,在第二绝缘层S2表面和第二开口H2形成第三电极P3,其中,第三电极P3还在第二开口H2的位置连接第二电极P2。
本实施例中,第三电极P3通过掩膜和蒸镀的方式将作为阴极的金属材料覆盖于第二绝缘层S2表面和第二开口H2表面,由于第二电极P2与第三电极P3直接连接而电性导通,同时第三电极P3的面积较大,保证了全部第二电极P2通过第三电极P3连接于同一电位,同时通过面积较大的第三电极P3减小了导通电阻,并且通过第一绝缘层S1和第二绝缘层S2的缓冲,有效保证第二电极P2与第三电极P3断线,使得第二电极P2的安全性与可靠性。
请参阅图3和图11,步骤4000中,所述第三电极P3表面依次形成封装层EN与光阻层PH。
具体地,如图11所示,其为本申请第二实施例中如图3所示显示面板制作过程中步骤四的侧面结构示意图,通过涂布、蒸镀或者印刷的方式于第三电极P3表面形成封装层EN,封装层EN用于保护第三电极P3。
光阻层PH包括周期排列的多个不同颜色的滤色单元,滤色单元用于对有机材料层出射的白色光线进行滤色以出射不同颜色的光线。本实施例中,不同颜色的滤色单元为红色滤光单元(Red)、绿色滤光单元(Green)和蓝色滤光单元(Blue)B,红色滤光单元(Red)、绿色滤光单元(Green)和蓝色滤光单元(Blue)作为一组且呈周期性排列,从而对各像素电极出射的光线进行滤光后形成彩色图像。
本实施例中,第一电极P1是随着有机材料层R、第二电极P2以及平坦化层TD是在一个制程中蚀刻形成,从而能够省略单独针对第一导电层C1进行光刻制程,有效降低了制程的复杂度。
请参阅图12,其中,图12为本申请第三实施例中如2所示显示面板的制作流程图。
如图12所示,显示面板30(如图16所示)制作包括步骤1000~步骤4000。具体地:
请参阅图12与图13,其中,图13为如图12所示显示面板制作过程中步骤一的侧面结构示意图,在步骤1000中,提供第一基板Sub,在第一基板Sub表面形成多个间隔预设距离的像素单元P和覆盖所述像素单元P的平坦化层TD,像素单元P包括第一电极P1、有机材料层R、第二电极P2。也即是,一个所述第一电极P1、有机材料层R和一个第二电极P2构成一个像素单元P,且第二电极P2与第一电极P1配合驱动有机材料层R出射光线。
本实施例中,更为具体地,步骤1000还包括:
步骤C10,如图13所示,提供第一基板Sub,于第一基板Sub表面形成第一导电层C1,第一导电层C1包括多个间隔预设距离的第一电极P1。本实施例中,第一电极P1包括多个第一子电极P11、第二子电极P12与第三子电极P13。
本实施例中,第一基板Sub可以透明塑料、玻璃、金属箔材质,用于制程后续全部层结构。其中,第一基板Sub上已预先形成有用于驱动OLED的像素单元的驱动电路,其中,驱动电路包括有薄膜晶体管(Thin Film transistor TFT)和电容等元器件。
第一导电层C1为一种N型氧化物半导体材料,例如透明的氧化铟锡(Indium tinoxide,ITO)。第一导电层C1可以在第一基板Sub设置ITO层,ITO层例可磁控溅射等方式形成。本实施例中,第一电极P1可以在第一基板Sub设置ITO层以后再图案化形成,例如包括图案的掩模(Mask)进行蚀刻光刻工艺(photo)图案化。本实施例中,第一电极P1作为像素单元的阳极。光刻工艺主要包括在基板上进行光阻涂布(PR coating)、曝光(Exposure)、显影(Develop)和黄光蚀刻等步骤,从而在ITO层上形成多个间隔预设距离的第一电极P1。
第一电极P1包括依序周期性排列的第一子电极P11、第二子电极P12和第三子电极P13,其中,第一子电极P11、第二子电极P12和第三子电极P13分别对应一个像素单元。
步骤C20,在第一电极P1表面依次制作第一子有机材料层R1、第二导电层C2和第一绝缘层S1。
第一子有机材料层R1包括自下而上依次层叠设置的空穴传输层(未标示)、发光层(未标示)以及电子传输层(未标示)。其中,空穴传输层、发光层和电子传输层均由n型或者p型有机材料分子构成。本实施例中,第一子有机材料层R1中发光层出射第一颜色的光线。例如出射红色光线。
在有机材料层R表面形成第二导电层C2,本实施例中,第二导电层C2的材质可以为金属材料,例如低功函数之金属材料(或合金),如镁合金。
第一绝缘层S1可以通过涂布(coating)的方式形成于第二导电层C2表面,用于保护有机材料层R以及同时实现平坦化层的功效。第一绝缘层S1的材质可以为氮化硅或者树脂材料。
步骤C30,对应第二子电极P12与第三子电极P13的位置蚀刻第一子有机材料层R1、第二导电层C2和第一绝缘层S1。
也即是对应在相邻两个第一子电极P11之间间隔的区域在所述第一绝缘层S1、所述第二导电层C2和第一子有机材料层R1进行蚀刻并形成第一辅助开口HL1,部分第一基板Sub的表面和第二子电极P12与第三子电极P13均自第一辅助开口HL1显露,且第二导电层C2通过第一辅助开口HL1分隔开并形成多个间隔预设距离的第二电极P2,第一绝缘层S1和第一子有机材料层R1均被第一辅助开口HL1所分割开,其中第一绝缘层S1通过第一辅助开口HL1分隔开后于第一子电极P11形成第一子绝缘层S11。
本实施例中,第一子电极P11、第一子有机材料层R1和第二电极P2构成第一子像素单元PR,在第一子电极P11和第二电极P2驱动下,第一子像素单元的第一子有机材料层R1中的发光层出射第一颜色的光线。
步骤C40,在第二子电极P12的表面形成第二子有机材料层R2、第二电极P2和第二子绝缘层S12。
其中,第二子有机材料层R2包括自下而上依次层叠设置的空穴传输层(未标示)、发光层(未标示)以及电子传输层(未标示)。其中,空穴传输层、发光层和电子传输层均由n型或者p型有机材料分子构成。本实施例中,在第二子电极P12和第二电极P2驱动下,发光层出射第二颜色的光线。例如出射绿色光线。
本实施例中,第二子电极P12、第二子有机材料层R2和第二电极P2构成第二子像素单元PG,在第二子电极P12和第二电极P2驱动下,第二子像素单元PG的第二子有机材料层R2中的发光层出射第二颜色的光线。
步骤C50,在第三子电极P13的表面形成第三子有机材料层R3、第二电极P2和第三子绝缘层S13。
其中,第三子有机材料层R3包括自下而上依次层叠设置的空穴传输层(未标示)、发光层(未标示)以及电子传输层(未标示)。其中,空穴传输层、发光层和电子传输层均由n型或者p型有机材料分子构成。本实施例中,在第三子电极P13和第二电极P2驱动下,第三子有机材料层R3中发光层出射第三颜色的光线。例如出射绿色光线。
本实施例中,第三子电极P13、第三子有机材料层R3和第二电极P2构成第三子像素单元PB,在第三子电极P13和第二电极P2驱动下,第三子像素单元PB的第三子有机材料层R3中的发光层出射第二颜色的光线。
第一子像素单元PR、第二子像素单元PG和第三子像素单元PB之间间隔预设距离,也即是第一子像素单元PR、第二子像素单元PG和第三子像素单元PB之间具有预设距离的第一开口H1。
步骤C60,在第一子绝缘层S11、第二子绝缘层S12以及第三子绝缘层S13和第一子电极P11、第二子电极P12与第三子电极P13之间的第一基板Sub表面形成第二绝缘层S2,也即是在第一子像素单元PR、第二子像素单元PG与第三子像素单元PB之间的第一基板Sub表面也覆盖第二绝缘层S2。其中,本实施例中,第二绝缘层S2即为构成平坦化层TD。换言之,第二绝缘层S2覆盖第一子绝缘层S11、第二子绝缘层S12以及第三子绝缘层S13,并填充第一子像素单元PR、第二子像素单元PG和第三子像素单元PB之间间隔的第一开口H1的区域,从而使得第一子像素单元PR、第二子像素单元PG、第三子像素单元PB相互间隔开,尤其第一子有机材料层R1、第二子有机材料层R2和第三子有机材料层R3之间通过第二绝缘层S2完全电性隔离开,从而能有效防止相邻的子像素单元之间发生电流串流,保证各个子像素单元之间的图像显示准确。
其中,第二绝缘层S2通过涂布(coating)工艺形成于第一子绝缘层S11、第二子绝缘层S12以及第三子绝缘层S13表面,同时,第二绝缘层S2还同时填充第一子像素单元PR、第二子像素单元PG和第三子像素单元PB之间间隔的第一开口H1区域,从而使得多个第一电极P1之间、多个第二电极P2之间相互隔离开,也即是由第一子像素单元PR、第二子像素单元PG和第三子像素单元PB之间通过在开口填充的第二绝缘层S2相互间隔开,从而防止相邻像素单元P之间出射的光线产干扰。
请参阅图12和图14,步骤2000中,对应第二电极P2的位置在平坦化层TD形成开口,部分第二电极P2自第二开口H2显露。
本实施例中,如图14所示,其为如图12所示显示面板制作过程中步骤二的侧面结构示意图,在第二电极P2对应的位置,通过光刻工艺和掩膜对第二绝缘层S2与第一绝缘层S1进行蚀刻从而形成第二开口H2,部分第二电极P2自第二开口H2显露出来。
具体地,对应第一子像素单元PR、第二子像素单元PG和第三子像素单元PB所在位置,于所述第二绝缘层S2和第一子绝缘层S11、第二子绝缘层S12以及第三子绝缘层S13的位置形成多个第二开口H2,第二电极P2表面形成第二开口H2自开口显露出来。
请参阅图12和图15,步骤3000中,其中,图15为如图12所示显示面板制作过程中步骤三的侧面结构示意图,在平坦化层TD中的第二绝缘层S2表面和第二开口H2形成第三电极P3,其中,第三电极P3还在第二开口H2的位置连接第二电极P2。
请参阅图12和图16,步骤4000中所述第三电极P3表面形成封装层EN,封装层EN用于保护第三电极P3。
本实施例中,如图16所示,其为如图12所示显示面板制作过程中步骤四的侧面结构示意图,第一子像素单元PR中,第一子电极P11与第二电极P2配合驱动第一子有机材料层R1出射第一颜色的光线;第二子像素单元PG中,第二子电极P12与所述第二电极P2配合驱动第二子有机材料层R2出射第二颜色的光线;第三子像素单元PB中,第三子电极P13与第二电极P2配合驱动第三子有机材料层R3出射第三颜色的光线。本实施例中,第一颜色的光线为红色(Red)光线,第二颜色的光线为绿色(Green)光线,第三颜色的光线为蓝色(Blue)光线。相较于第一实施例和第二实施例,本实施例中,每个像素单元能够出射不同颜色的光线,对应地显示面板30无需设置光阻层,简化了显示面板30的结构。
请继续参阅图16,如图16所示的制作完成的显示面板30中,像素单元P中的第一子像素单元PR、第二子像素单元PG和第三子像素单元PB通过平坦化层TD进行隔离,也即是通过平坦化层TD中的第二绝缘层S2与第一开口来定义不同的像素区域,从而使得相邻两个像素区域内的像素电极出射的光线不会发生串扰,进一步,相邻像素单元P之间的像素电极和第一子有机材料层R1、第二子有机材料层R2和第三子有机材料层R3之间通过第二绝缘层S2进行绝缘隔离,故而相邻像素单元P中的第一子有机材料层R1、第二子有机材料层R2和第三子有机材料层R3之间不会存在电子流的泄露或者串扰,从而防止显示的图像出现色偏。
第二电极P2与第三电极P3电性连接,且第三电极P3由大面积的整层结构形成,由此显示区域内全部像素电极的阴极也即是全部电性连接于同一电位,第三电极P3有效增加了作为像素电极的阴极横截面积,进而有效降低了阴极整体的阻抗,有效改善各个不同位置中像素电极的阻抗损耗(IR-drop),保证图像显示的均匀性。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (14)

1.一种显示面板制作方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,在所述第一基板表面依次形成多个像素单元和覆盖所述像素单元的平坦化层,每个像素单元包括依次层叠设置的第一电极、有机材料层以及第二电极,多个所述像素单元通过所述平坦化层间隔开,所述第二电极与所述第一电极用于驱动所述有机材料层出射光线;
对应所述第二电极的位置在所述平坦化层形成开口,部分所述第二电极自所述开口显露;
在所述平坦化层的表面和所述开口表面形成第三电极,所述第三电极在所述开口的位置连接所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,在所述第一基板表面依次形成多个像素单元和覆盖所述像素单元的平坦化层包括:
在所述第一基板表面形成第一导电层,所述第一导电层通过光刻工艺图案化所述第一导电层形成包括多个间隔预设距离的所述第一电极;
在所述第一电极表面依次层叠制作有机材料层、第二导电层和第一绝缘层;
对应相邻两个所述第一电极之间间隔区域的位置在所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述有机材料层形成第一开口,所述第一基板自所述第一开口显露,所述第二导电层通过所述第一开口形成多个间隔预设距离的第二电极;
在所述第一绝缘层表面形成第二绝缘层,所述第二绝缘层还填充所述第一开口,其中,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层构成所述平坦化层。
3.根据权利要求2所述的显示面板制作方法,其特征在于,形成所述第一开口包括:
对所述第一绝缘层进行光刻工艺形成第一子开口;
对应所述第一子开口继续对所述第二导电层和所述有机材料层进行干法蚀刻形成所述第一开口。
4.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,在所述第一基板表面依次形成多个像素单元和覆盖所述像素单元的平坦化层包括:
在所述第一基板表面形成第一导电层、有机材料层与第二导电层和第一绝缘层;
通过掩膜对所述第一绝缘层、所述第二导电层、所述有机材料层和所述第一导电层进行图案化并形成第一开口,所述第一基板自所述第一开口显露,所述第一导电层通过所述第一开口形成多个间隔预设距离的第一电极,所述第二导电层通过所述第一开口形成多个间隔预设距离的第二电极;
在所述第一绝缘层表面形成第二绝缘层,所述第二绝缘层还填充所述第一开口,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层构成所述平坦化层。
5.根据权利要求4所述的显示面板制作方法,其特征在于,形成所述第一开口包括:
对所述第一绝缘层进行光刻工艺形成第一子开口,所述第二电极自所述第一子开口显露;
对应所述第一子开口继续对所述第二导电层和所述有机材料层进行干法蚀刻形成第二子开口,所述第一导电层自所述第二子开口显露;
对应所述第二子开口继续对所述第一导电层进行湿法蚀刻形成所述第一开口。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的显示面板制作方法,其特征在于,在所述平坦化层的表面和所述开口表面形成第三电极包括:
对应所述第二电极的位置在所述第二绝缘层与所述第一绝缘层形成第二开口,部分所述第二电极自所述第二开口显露;
在所述第二绝缘层表面和所述第二开口表面形成所述第三电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板制作方法,其特征在于,形式所述第三电极后还包括:
在所述第三电极表面依次形成封装层与光阻层,所述第二电极与所述第一电极配合驱动所述有机材料层出射白色光线,所述光阻层包括多个不同颜色的滤色单元,所述滤色单元用于对所述白色光线进行滤光以出射不同颜色的光线。
8.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,在所述第一基板表面依次形成多个像素单元和覆盖所述像素单元的平坦化层包括:
于所述第一基板表面形成第一导电层,所述第一导电层包括多个间隔预设距离的第一子电极、第二子电极与第三子电极;
在所述第一导电层表面依次制作第一子有机材料层、第二导电层和第一绝缘层;
对应所述第二子电极与所述第三子电极蚀刻所述第一子有机材料层、所述第二导电层和所述第一绝缘层,使得所述第二导电层形成多个间隔预设距离的第二电极,所述第一绝缘层分隔为多个第一子绝缘层,所述第一子电极、所述第一子有机材料层和所述第二电极构成第一子像素单元;
在所述第二子电极表面形成第二子有机材料层、第二电极和第二子绝缘层,所述第二子电极、所述第二子有机材料层和第二电极构成第二子像素单元;
在所述第三子电极表面形成第三子有机材料层、第二电极和第三子绝缘层,所述第三子电极、所述第三子有机材料层和所述第二电极构成第三子像素单元;
在所述第一子绝缘层、所述第二子绝缘层以及所述第三子绝缘层和所述第一子像素单元、所述第二子像素单元与所述第三子像素单元之间的第一基板表面形成所述平坦化层。
9.根据权利要求8所述的显示面板制作方法,其特征在于,在所述平坦化层的表面和所述开口表面形成第三电极包括:
对应每个第二电极所在位置于所述平坦化层和第一子绝缘层、第二子绝缘层和第三子绝缘层的位置形成多个开口,所述第二电极自所述开口显露;
在所述平坦化层表面和所述开口表面形成所述第三电极。
10.根据权利要求9所述的显示面板制作方法,其特征在于,在所述第三电极表面形成封装层,所述第一子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第一子有机材料层出射第一颜色的光线,所述第二子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第二子有机材料层出射第二颜色的光线,所述第三子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第三子有机材料层出射第三颜色的光线。
11.一种显示面板,其特征在于,包括:
第一基板,所述第一基板表面设置多个间隔预设距离的像素单元,每个像素单元包括层叠设置的第一电极、有机材料层和第二电极,所述第二电极与所述第一电极配合用于驱动所述有机材料层出射光线;
平坦化层,所述平坦化层覆盖像素单元之间的所述第一基板表面以及所述第二电极表面,多个所述像素单元通过所述平坦化层间隔开,且所述平坦化层在对应所述第二电极的位置包括开口,在所述平坦化层的表面和所述开口表面设置有第三电极,所述第三电极在所述开口的位置连接所述第二电极。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述平坦化层包括第一绝缘层与第二绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述第二电极,所述第一绝缘层和所述有机材料层在对应所述第二电极和所述第一电极之间的区域设置有第一开口,所述第二绝缘层填充所述开口。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,
第一电极包括多个间隔预设距离的第一子电极、第二子电极与第三子电极;
所述第一子电极表面包括第一子有机材料层、第二电极和第一子绝缘层并构成第一子像素单元;
所述第二子电极表面包括第二子有机材料层、第二电极和第二子绝缘层并构成第二子像素单元;
所述第三子电极表面包括第三子有机材料层、第二电极和第三子绝缘层并构成第三子像素单元;
所述第一子像素电极、所述第二子像素电极以及所述第三子像素电极之间包括第一开口,所述平坦化层填充所述第一开口,所述第一子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第一子有机材料层出射第一颜色的光线,所述第二子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第二子有机材料层出射第二颜色的光线,所述第三子电极与所述第二电极配合用于驱动所述第三子有机材料层出射第三颜色的光线。
14.一种显示终端,包括权利要求11-13任意一项所述显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括数据驱动电路、扫描驱动电路和呈阵列排布的多个像素单元,所述数据驱动电路经多条数据线连接于所述多个像素单元,所述扫描驱动电路经多条扫描线连接于所述像素单元,所述扫描驱动电路输出扫描信号至所述像素单元以控制所述像素单元接收所述数据驱动电路输出的数据信号,所述像素单元依据所述数据信号执行图像显示。
CN202311127122.2A 2023-09-04 2023-09-04 显示面板制作方法、显示面板与显示终端 Active CN116867314B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311127122.2A CN116867314B (zh) 2023-09-04 2023-09-04 显示面板制作方法、显示面板与显示终端

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311127122.2A CN116867314B (zh) 2023-09-04 2023-09-04 显示面板制作方法、显示面板与显示终端

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116867314A true CN116867314A (zh) 2023-10-10
CN116867314B CN116867314B (zh) 2024-04-09

Family

ID=88221963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311127122.2A Active CN116867314B (zh) 2023-09-04 2023-09-04 显示面板制作方法、显示面板与显示终端

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116867314B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004139917A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Dainippon Printing Co Ltd 有機el素子およびその製造方法
US20150014661A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device
CN109509765A (zh) * 2017-09-14 2019-03-22 黑牛食品股份有限公司 一种有机发光显示屏及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004139917A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Dainippon Printing Co Ltd 有機el素子およびその製造方法
US20150014661A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device
CN109509765A (zh) * 2017-09-14 2019-03-22 黑牛食品股份有限公司 一种有机发光显示屏及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN116867314B (zh) 2024-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101011346B1 (ko) 발광 장치 및 그 제작 방법
US8877532B2 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device
KR100941129B1 (ko) 발광장치 및 그의 제조방법
US8183069B2 (en) Method of manufacturing organic light emitting display device
CN111435676B (zh) 有机el显示面板和制造有机el显示面板的方法
US7817119B2 (en) Display device and method of manufacturing the display device
CN108417600B (zh) 有机el显示面板以及有机el显示面板的制造方法
JP4651916B2 (ja) 発光装置の作製方法
US20140239272A1 (en) Organic Light Emitting Display Device and Method of Manufacturing the Same
US20110084257A1 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
CN103283306B (zh) 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法
US20120025224A1 (en) Organic el display panel and method of manufacturing the same
US20120252149A1 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device
WO2001063975A1 (en) Organic el device and method of manufacture thereof
CN109860438B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
KR101161926B1 (ko) 발광장치 및 발광장치의 제조방법
CN110620133B (zh) 一种透明显示面板及其制备方法和显示装置
JP2010009746A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2020030933A (ja) 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法
CN116867314B (zh) 显示面板制作方法、显示面板与显示终端
KR100759557B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
CN114093920A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113571666A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
JP6893020B2 (ja) 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法
EP1735854A2 (en) Method of patterning a functional material on to a substrate

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant