CN114371790A - 电磁屏蔽基板与显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电磁屏蔽基板，其包括第一基板和光电辅助层。光电辅助层设置于第一基板上，且直接接触第一基板。光电辅助层包括第一子层与第二子层。第二子层连接于第一子层与第一基板之间。第一子层的化学组成为MxOy，所述第二子层的化学组成为MxOz，且M选自Nb、Mo、Ta、Te、Ti、Tl、Y、Yb、Zr和Zn中的一者。x和y为正整数，且y‑1<z<y。一种采用上述电磁屏蔽基板的显示面板亦被提出。
Description
技术领域
本发明涉及一种基板与显示面板，尤其涉及一种具有电磁防护效果的电磁屏蔽基板与显示面板。
背景技术
显示面板的广泛应用，已彻底改变人们的生活方式。眼球的视觉革命更带动了显示技术的蓬勃发展。针对特殊使用情境，例如医疗场所、航空飞行器，为了降低精密的电子仪器受外部电磁干扰，显示面板大都需具备有电磁屏蔽的功能。一般来说，这类显示面板是在显示面一侧的基板表面镀上透明导电膜层或导电高分子膜层来达到电磁防护的目的。然而，透明导电膜层的高膜厚会造成外在环境光的反射率的增加，而低膜厚会造成制程控制不易，导致透明导电膜层的阻值变异过大。此外，虽然导电高分子膜层的折射率趋近于基板常用的材料(例如玻璃)的折射率，但这类有机膜层的硬度偏低、寿命也较短。因此，一种可应用在显示面板且兼具低反射率和高可靠度的电磁屏蔽层仍亟待开发。
发明内容
本发明提供一种显示面板，其电磁防护与抗反射性能的整合度高。
本发明提供一种电磁屏蔽基板，其制程裕度较佳。
本发明的显示面板，包括第一基板、第二基板、光电辅助层、像素电路层以及显示介质层。第一基板具有相对的第一表面与第二表面。第二基板与第一基板相对设置。光电辅助层设置于第一基板上，且直接接触第一基板的第一表面或第二表面。光电辅助层包括第一子层与第二子层。第二子层连接于第一子层与第一基板之间。第一子层的化学组成为MxOy，所述第二子层的化学组成为MxOz，且M选自Nb、Mo、Ta、Te、Ti、Tl、Y、Yb、Zr和Zn中的一者，其中x和y为正整数，且y-1<z<y。像素电路层设置于第二基板上。显示介质层设置于像素电路层与第一基板之间。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的第一基板为铝硅酸盐玻璃。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的第二子层的厚度小于第一子层的厚度。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的第一子层的化学组成为五氧化二铌(Nb2O5)、三氧化钼(MoO3)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化碲(TeO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化亚铊(Tl2O)、氧化钇(Y2O3)、氧化镱(Yb2O3)、二氧化锆(ZrO2)或氧化锌(ZnO)。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的光电辅助层的片电阻值介于1010欧母/平方至1012欧母/平方之间。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的光电辅助层位于第一基板与显示介质层之间。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括光学辅助层，设置在光电辅助层远离第一基板的一侧。光电辅助层的折射率大于光学辅助层的折射率。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的光学辅助层的材料为二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)或氟铝酸钠(Na3AlF6)。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的光学辅助层的厚度介于100埃至400埃之间。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的光电辅助层的厚度介于50埃至200埃之间。
本发明的电磁屏蔽基板，包括第一基板和光电辅助层。光电辅助层设置于第一基板上，且直接接触第一基板。光电辅助层包括第一子层与第二子层。第二子层连接于第一子层与第一基板之间。第一子层的化学组成为MxOy，所述第二子层的化学组成为MxOz，且M选自Nb、Mo、Ta、Te、Ti、Tl、Y、Yb、Zr和Zn中的一者，其中x和y为正整数，且y-1<z<y。
基于上述，在本发明的一实施例的显示面板中，位于显示面一侧的基板上设有光电辅助层，据以降低显示面板对于外在环境光的反射率。通过光电辅助层接触基板的第二子层的金属氧化物的氧含量低于未接触基板的第一子层的金属氧化物的氧含量，还可使光电辅助层具有特定的导电率来实现电磁防护的效果。此外，采用无机的金属氧化物还可增加光电辅助层的硬度和使用寿命。
附图说明
图1是本发明的第一实施例的显示面板的剖视示意图；
图2是本发明的第二实施例的显示面板的剖视示意图。
附图标记说明
10、11：显示面板；
110：第一基板；
110s1：第一表面；
110s2：第二表面；
120：第二基板；
125：像素电路层；
130：显示介质层；
140、140A：光电辅助层；
141：第一子层；
142：第二子层；
150：光学辅助层；
t1、t2：厚度。
具体实施方式
有关本发明的前述及其它技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图的一优选实施例的详细说明中，将可清楚地呈现。以下实施例中所提到方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。以下将列举一些本发明的实施例以详细说明本发明。只要有可能，相同的构件符号在附图和描述中用来表示相同或相似的部分。
图1是本发明的第一实施例的显示面板的剖视示意图。请参照图1，显示面板10包括第一基板110、第二基板120、像素电路层125、显示介质层130以及光电辅助层140。第一基板110与第二基板120设置于显示介质层130的相对两侧。像素电路层125设置于第二基板120上，并且位于第二基板120与显示介质层130之间。显示介质层130设置于像素电路层125与第一基板110之间。
举例来说，第一基板110与第二基板120的材质可选地为铝硅酸盐玻璃(aluminosilicate glass)，但不以此为限。在其他实施例中，第一基板110与第二基板120的材质也可以是石英或其他适合的玻璃材料(例如：钠钙玻璃、硼硅玻璃、或其类似者)。需说明的是，在本实施例中，第一基板110与第二基板120的材质可选地相同，但不以此为限。在其他实施例中，第一基板110与第二基板120的材质也可彼此不同。
在本实施例中，显示介质层130可以是液晶层，且包括多个液晶分子(未示出)。也就是说，本实施例的显示面板10可以是液晶显示面板(liquid crystal display panel)，但本发明不以此为限。在另一实施例中，显示介质层130也可以是有机发光材料的堆叠层。也即，显示面板10也可以是有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)面板。在又一实施例中，显示介质层130也可包含电性接合于像素电路层125的多个发光组件，这些发光组件例如是微型发光二极管(micro light emitting diode，micro-LED)或次毫米发光二极管(mini light emitting diode，mini-LED)，但不以此为限。
另一方面，像素电路层125可包括多个主动组件(未示出)、多个像素电极(未示出)以及多条信号线(未示出)。这些信号线分别在两个相互垂直的方向上排列，并定义出显示面板10的多个像素区。上述多个像素电极分别设置于上述多个像素区内，且各自电性连接对应的至少一个主动组件与至少两条信号线。然而，本发明不限于此，当显示面板10为微型发光二极管显示面板或次毫米发光二极管显示面板时，像素电路层125还可选地包含多个接合垫(bonding pads)，以电性接合前述多个发光组件。
进一步而言，在本实施例中，显示面板10设有第一基板110的一侧为显示侧。第一基板110具有相对的第一表面110s1与第二表面110s2。光电辅助层140可选地设置于第一基板110背离显示介质层130的第一表面110s1上，而显示介质层130位于第一基板110的第二表面110s2上，但本发明不以此为限。特别说明的是，光电辅助层140是直接接触第一基板110的第一表面110s1，且为多个金属氧化物的堆叠层。举例来说，光电辅助层140的厚度可介于50埃至200埃之间。特别说明的是，由于光电辅助层140是设置在第一基板110上，因此第一基板110与光电辅助层140的组合可视为一种电磁屏蔽基板，且此电磁屏蔽基板并不局限于显示面板10上的应用。举例来说，设有光电辅助层140的第一基板110也可以是触控面板的基板，但不以此为限。
光电辅助层140包括第一子层141与第二子层142，其中第二子层142的厚度t2小于第一子层141的厚度t1，且第二子层142的氧含量低于第一子层141的氧含量。具体而言，第一子层141的化学组成为MxOy，第二子层142的化学组成为MxOz，其中M可选自Nb、Mo、Ta、Te、Ti、Tl、Y、Yb、Zr和Zn中的一者，x和y为正整数，且y-1<z<y。举例来说，第一子层141的化学组成为五氧化二铌(Nb2O5)、三氧化钼(MoO3)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化碲(TeO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化亚铊(Tl2O)、氧化钇(Y2O3)、氧化镱(Yb2O3)、二氧化锆(ZrO2)或氧化锌(ZnO)。
在本实施例中，光电辅助层140的第一子层141的化学组成例如是五氧化二铌(Nb2O5)，第二子层142的化学组成例如是Nb2Oz，其中4<z<5。举例来说，形成光电辅助层140的方法可包括：提供一片铝硅酸盐玻璃作为第一基板110、于所述第一基板110上形成光电辅助材料层(未示出)以及进行热处理步骤，使所述光电辅助材料层转变成光电辅助层140，其中所述光电辅助材料层的材质为Nb2O5，且所述光电辅助材料层远离第一基板110的一部分和所述光电辅助材料层接触第一基板110的另一部分分别形成光电辅助层140的第一子层141与第二子层142。
特别说明的是，由于第一基板110的化学组成中的铝元素的电化学势(electrochemical potential)大于光电辅助材料层中的铌元素的电化学势，因此铝元素与氧元素的反应驱动力较铌元素与氧元素的反应驱动力来得高。也因此，在光电辅助材料层的热处理过程中，光电辅助材料层中接触第一基板110的部分氧元素会倾向与铝元素产生键结，致使接触第一基板110的部分光电辅助材料层的氧含量降低，并形成化学组成为Nb2Oz且4<z<5的第二子层142。
值得一提的是，光电辅助材料层的片电阻值(sheet resistance)在热处理之前是大于1012欧母/平方，在热处理步骤完成之后是介于1010欧母/平方至1012欧母/平方之间。更具体地说，在本实施例中，通过热处理制程，可将直接接触第一基板110的光电辅助材料层转变成具有特定导电率(例如大于10-4西门子/公分的导电率)的光电辅助层140，且光电辅助层140的导电率会随着热处理温度的越高而增加。换句话说，通过热处理的光电辅助层140可作为显示面板10的电磁屏蔽层，据以实现电磁防护的效果。另一方面，由于光电辅助层140是采用无机的金属氧化物来制作，其膜层的硬度和使用寿命可显著地增加。
然而，本发明并不加以限制光电辅助层140的形成方法，在另一实施例中，于光电辅助材料层的热蒸镀制程中，也可通过控制反应腔室内的氧气流量来形成氧含量较低的第二子层142(即光电辅助层140中化学组成为Nb2Oz且4<z<5的部分)。
进一步而言，显示面板10还可选地包括光学辅助层150。光学辅助层150设置于光电辅助层140远离第一基板110的一侧，且光电辅助层140的折射率大于光学辅助层150的折射率。举例来说，光学辅助层150于可见光波长的折射率可小于1.5，光电辅助层140于可见光波长的折射率可大于2，但不以此为限。在本实施例中，光学辅助层150的材质例如是二氧化硅(SiO2)，但不以此为限。在其他实施例中，光学辅助层150的材质也可以是氟化镁(MgF2)、氟铝酸钠(Na3AlF6)、或其他具有低折射率(例如可见光波长的折射率小于1.5)的材料。此外，光学辅助层150的厚度可介于100埃至400埃之间。
由于第一基板110的第一表面110s1上依序叠设有具高折射率的光电辅助层140与具低折射率的光学辅助层150，因此，可有效抑制来自外在环境的光线于第一基板110的第一表面110s1的反射，有助于提升显示面板10的显示质量(例如暗态对比)。
图2是本发明的第二实施例的显示面板的剖视示意图。请参照图2，本实施例的显示面板11与图1的显示面板10的差异在于：光电辅助层的配置方式不同。在本实施例中，显示面板11的光电辅助层140A是设置在第一基板110的第二表面110s2上，且位于显示介质层130与第一基板110之间。
由于本实施例的光电辅助层140A的形成方法相似于前述实施例的光电辅助层140的形成方法，因此，详细的说明请参见前述实施例的相关段落，于此便不再重述。值得一提的是，相较于传统采用透明导电膜层(例如铟锡氧化物膜)作为电磁屏蔽层，本实施例的光电辅助层140A因自身的片电阻值较大(例如介于1010欧母/平方至1012欧母/平方之间)，更适合应用在电磁遮蔽层需具备高片电阻值的情况下，且其片电阻值(或导电率)还可通过热处理步骤的反应温度来调整。换句话说，不同于传统的透明导电膜层为了取得较高的片电阻值而需要较薄的膜厚，造成制程控制不易，本实施例的光电辅助层140A可具有较佳的制程裕度，且能让显示面板11在取得电磁防护效果的同时还能保有低反射率的光学表现。
纵上所述，在本发明的一实施例的显示面板中，位于显示面一侧的基板上设有光电辅助层，据以降低显示面板对于外在环境光的反射率。通过光电辅助层接触基板的第二子层的金属氧化物的氧含量低于未接触基板的第一子层的金属氧化物的氧含量，还可使光电辅助层具有特定的导电率来实现电磁防护的效果。此外，采用无机的金属氧化物还可增加光电辅助层的硬度和使用寿命。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (11)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一基板，具有相对的第一表面与第二表面；
第二基板，与所述第一基板相对设置；
光电辅助层，设置于所述第一基板上，且直接接触所述第一基板的所述第一表面或所述第二表面，所述光电辅助层包括：
第一子层与第二子层，所述第二子层连接于所述第一子层与所述第一基板之间，所述第一子层的化学组成为MxOy，所述第二子层的化学组成为MxOz，且M选自Nb、Mo、Ta、Te、Ti、Tl、Y、Yb、Zr和Zn中的一者，其中x和y为正整数，且y-1<z<y；
像素电路层，设置于所述第二基板上；以及
显示介质层，设置于所述像素电路层与所述第一基板之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板为铝硅酸盐玻璃。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二子层的厚度小于所述第一子层的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子层的化学组成为五氧化二铌、三氧化钼、五氧化二钽、二氧化碲、二氧化钛、氧化亚铊、氧化钇、氧化镱、二氧化锆或氧化锌。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光电辅助层的片电阻值介于1010欧母/平方至1012欧母/平方之间。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述光电辅助层位于所述第一基板与所述显示介质层之间。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
光学辅助层，设置在所述光电辅助层远离所述第一基板的一侧，其中所述光电辅助层的折射率大于所述光学辅助层的折射率。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述光学辅助层的材料为二氧化硅、氟化镁或氟铝酸钠。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述光学辅助层的厚度介于100埃至400埃之间。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光电辅助层的厚度介于50埃至200埃之间。
11.一种电磁屏蔽基板，其特征在于，包括：
第一基板；以及
光电辅助层，设置于所述第一基板上，且直接接触所述第一基板，所述光电辅助层包括：
第一子层与第二子层，所述第二子层连接于所述第一子层与所述第一基板之间，所述第一子层的化学组成为MxOy，所述第二子层的化学组成为MxOz，且M选自Nb、Mo、Ta、Te、Ti、Tl、Y、Yb、Zr和Zn中的一者，其中x和y为正整数，且y-1<z<y。
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101324718A (zh) * | 2007-06-14 | 2008-12-17 | 胜华科技股份有限公司 | 液晶显示面板及应用其的液晶显示装置 |
| CN102262313A (zh) * | 2011-08-02 | 2011-11-30 | 深超光电（深圳）有限公司 | 一种液晶显示装置及其制造方法 |
| CN102963076A (zh) * | 2012-11-26 | 2013-03-13 | 江西沃格光电科技有限公司 | 电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 |
| CN102963077A (zh) * | 2012-11-26 | 2013-03-13 | 江西沃格光电科技有限公司 | 电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 |
| CN103779389A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-05-07 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN105487702A (zh) * | 2014-10-09 | 2016-04-13 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 触控显示面板及其制造方法 |
| CN205176423U (zh) * | 2015-10-30 | 2016-04-20 | 上海冠显光电科技有限公司 | 一种具有防窥及电磁屏蔽功能的液晶显示模组 |
| US20160133198A1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| CN108990398A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 上海光线新材料科技有限公司 | 一种复合电磁屏蔽片及其制备方法 |
| CN111524452A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置 |
| CN111599934A (zh) * | 2020-05-07 | 2020-08-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101213895A (zh) * | 2005-07-07 | 2008-07-02 | 旭硝子株式会社 | 等离子体显示屏用电磁波屏蔽膜及保护板 |
| CN102092940A (zh) * | 2009-12-11 | 2011-06-15 | 肖特公开股份有限公司 | 用于触摸屏的铝硅酸盐玻璃 |
| KR102132883B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2020-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광추출 효율이 향상된 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
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-
2021
- 2021-08-19 US US17/406,079 patent/US11772363B2/en active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101324718A (zh) * | 2007-06-14 | 2008-12-17 | 胜华科技股份有限公司 | 液晶显示面板及应用其的液晶显示装置 |
| CN102262313A (zh) * | 2011-08-02 | 2011-11-30 | 深超光电（深圳）有限公司 | 一种液晶显示装置及其制造方法 |
| CN102963076A (zh) * | 2012-11-26 | 2013-03-13 | 江西沃格光电科技有限公司 | 电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 |
| CN102963077A (zh) * | 2012-11-26 | 2013-03-13 | 江西沃格光电科技有限公司 | 电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 |
| CN103779389A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-05-07 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN105487702A (zh) * | 2014-10-09 | 2016-04-13 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 触控显示面板及其制造方法 |
| US20160133198A1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| CN205176423U (zh) * | 2015-10-30 | 2016-04-20 | 上海冠显光电科技有限公司 | 一种具有防窥及电磁屏蔽功能的液晶显示模组 |
| CN108990398A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 上海光线新材料科技有限公司 | 一种复合电磁屏蔽片及其制备方法 |
| CN111524452A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置 |
| CN111599934A (zh) * | 2020-05-07 | 2020-08-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
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