JPH09221340A - 透明導電膜付基板 - Google Patents
透明導電膜付基板Info
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- JPH09221340A JPH09221340A JP2363796A JP2363796A JPH09221340A JP H09221340 A JPH09221340 A JP H09221340A JP 2363796 A JP2363796 A JP 2363796A JP 2363796 A JP2363796 A JP 2363796A JP H09221340 A JPH09221340 A JP H09221340A
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- layer
- substrate
- transparent conductive
- conductive film
- antireflection
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】5オーム/平方以下の低抵抗にすると、透明電
極による顕著な段差が形成されるので、ラビングなどに
よる液晶の配向処理においてこの段差部周辺で配向不良
が生じる。 【解決手段】透明基板上に、基板側から反射防止層、銀
主成分の金属層、導電性反射防止兼保護層をこの順に積
層した透明導電膜が被覆された透明導電膜付基板で、導
電性反射防止兼保護層を、基板側の酸化亜鉛または酸化
錫を主成分とする層と非基板側の酸化インジウムを主成
分とする層の2層構成とする。
極による顕著な段差が形成されるので、ラビングなどに
よる液晶の配向処理においてこの段差部周辺で配向不良
が生じる。 【解決手段】透明基板上に、基板側から反射防止層、銀
主成分の金属層、導電性反射防止兼保護層をこの順に積
層した透明導電膜が被覆された透明導電膜付基板で、導
電性反射防止兼保護層を、基板側の酸化亜鉛または酸化
錫を主成分とする層と非基板側の酸化インジウムを主成
分とする層の2層構成とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子やプラ
ズマ表示素子などの薄型表示素子に用いられる透明導電
膜付基板に関し、とりわけ大面積で高精細、高速応答の
薄型表示装置に好適に用いられる透明導電膜付基板に関
する。
ズマ表示素子などの薄型表示素子に用いられる透明導電
膜付基板に関し、とりわけ大面積で高精細、高速応答の
薄型表示装置に好適に用いられる透明導電膜付基板に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来、液晶表示素子に用いられる透明導
電膜付基板としては、少量の錫を含有する酸化インジウ
ム(ITOと略記)をガラス基板表面に被覆したものが
用いられている。この基板のITO透明導電膜を所定形
状の透明電極にパターン加工したものは、可視光の透過
性が優れているが、透明導電膜の抵抗率は10ー4Ωcm
オーダーという大きな値を有するため、表示面積を大き
く、また、表示の高精細化、高速応答化を実現するため
には、透明電極の膜厚を厚くしなければならないという
問題があった。
電膜付基板としては、少量の錫を含有する酸化インジウ
ム(ITOと略記)をガラス基板表面に被覆したものが
用いられている。この基板のITO透明導電膜を所定形
状の透明電極にパターン加工したものは、可視光の透過
性が優れているが、透明導電膜の抵抗率は10ー4Ωcm
オーダーという大きな値を有するため、表示面積を大き
く、また、表示の高精細化、高速応答化を実現するため
には、透明電極の膜厚を厚くしなければならないという
問題があった。
【0003】透明導電膜の膜厚が厚くなると、高精細な
形状の電極を歩留りよく形成することが困難になり、ま
た液晶表示素子内部に透明電極による顕著な段差が形成
されるので、ラビングなどによる液晶の配向処理におい
てこの段差部周辺で配向不良が生じるという問題があっ
た。この問題を解決するために、抵抗率の小さい銀の薄
膜を導電層とし、透過率の向上をはかるために、この銀
層をITOなどの導電性反射防止層で挟んだ3層構造の
透明電極が、液晶表示用透明電極として特開昭63−1
87399号公報や特開平7ー114841号公報に開
示されている。
形状の電極を歩留りよく形成することが困難になり、ま
た液晶表示素子内部に透明電極による顕著な段差が形成
されるので、ラビングなどによる液晶の配向処理におい
てこの段差部周辺で配向不良が生じるという問題があっ
た。この問題を解決するために、抵抗率の小さい銀の薄
膜を導電層とし、透過率の向上をはかるために、この銀
層をITOなどの導電性反射防止層で挟んだ3層構造の
透明電極が、液晶表示用透明電極として特開昭63−1
87399号公報や特開平7ー114841号公報に開
示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導電層
に銀の薄膜を用いる前記従来の技術は、透明性(可視光
線透過率)と低抵抗特性を併せ有するが、実用上の耐湿
熱性が必ずしも十分でないという問題点があった。本発
明は、従来技術が有する上記問題点を解決するためにな
されたものである。
に銀の薄膜を用いる前記従来の技術は、透明性(可視光
線透過率)と低抵抗特性を併せ有するが、実用上の耐湿
熱性が必ずしも十分でないという問題点があった。本発
明は、従来技術が有する上記問題点を解決するためにな
されたものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、透明基板上に、基板側から反射防止層、銀が主成分
である金属層、導電性反射防止兼保護層がこの順に積層
されてなる透明導電膜が被覆された透明導電膜付基板に
おいて、前記導電性反射防止兼保護層を、基板側の酸化
亜鉛を主成分とする層と非基板側の酸化インジウムを主
成分とする層の2層構成としたことを特徴とする液晶表
示用透明導電膜付基板である。
は、透明基板上に、基板側から反射防止層、銀が主成分
である金属層、導電性反射防止兼保護層がこの順に積層
されてなる透明導電膜が被覆された透明導電膜付基板に
おいて、前記導電性反射防止兼保護層を、基板側の酸化
亜鉛を主成分とする層と非基板側の酸化インジウムを主
成分とする層の2層構成としたことを特徴とする液晶表
示用透明導電膜付基板である。
【0006】請求項2に記載の発明は、透明導電膜とし
て、基板側から反射防止層、銀が主成分である金属層、
導電性反射防止兼保護層がこの順に積層されてなる透明
導電膜が被覆された透明導電膜付基板において、前記導
電性反射防止兼保護層を、基板側の酸化錫を主成分とす
る層と非基板側の酸化インジウムを主成分とする層の2
層構成としたことを特徴とする液晶表示用透明導電膜付
基板である。
て、基板側から反射防止層、銀が主成分である金属層、
導電性反射防止兼保護層がこの順に積層されてなる透明
導電膜が被覆された透明導電膜付基板において、前記導
電性反射防止兼保護層を、基板側の酸化錫を主成分とす
る層と非基板側の酸化インジウムを主成分とする層の2
層構成としたことを特徴とする液晶表示用透明導電膜付
基板である。
【0007】本発明に用いることのできる透明基板とし
ては、ソーダライムシリカ組成のガラスや硼珪酸ガラス
(無アルカリガラス)などの公知のガラス基板はもちろ
ん、ポリエチレンテレフタレート(PET)やアクリル
(PMMA)などのプラスチック基板やプラスチックフ
ィルム、さらにはこれらの透明基板表面上にカラー表示
を目的としたカラーフイルタなどを設けた基板を例示す
ることができる。
ては、ソーダライムシリカ組成のガラスや硼珪酸ガラス
(無アルカリガラス)などの公知のガラス基板はもちろ
ん、ポリエチレンテレフタレート(PET)やアクリル
(PMMA)などのプラスチック基板やプラスチックフ
ィルム、さらにはこれらの透明基板表面上にカラー表示
を目的としたカラーフイルタなどを設けた基板を例示す
ることができる。
【0008】本発明においては、可視光線に対する透明
性および低い面積抵抗を確保する上で、反射防止層1の
膜厚を10〜200nmとするのが好ましく、銀が主成
分である金属層2の膜厚を5〜100nmとするのが好
ましく、さらに導電性反射防止兼保護層3を構成する基
板側の保護層4と非基板側の保護層5の膜厚総和を、1
0〜200nmとするのが好ましい。
性および低い面積抵抗を確保する上で、反射防止層1の
膜厚を10〜200nmとするのが好ましく、銀が主成
分である金属層2の膜厚を5〜100nmとするのが好
ましく、さらに導電性反射防止兼保護層3を構成する基
板側の保護層4と非基板側の保護層5の膜厚総和を、1
0〜200nmとするのが好ましい。
【0009】導電性反射防止兼保護層の基板側の酸化亜
鉛または酸化錫を主成分とする層の膜厚は、5nm以上
とするのが好ましく、非基板側の酸化インジウムを主成
分とする層の膜厚は5nm以上とするのが好ましい。導
電性反射防止兼保護層の基板側の酸化亜鉛または酸化錫
を主成分とする層の膜厚が2nmより薄くなると本発明
の透明導電膜の耐湿熱性が低下するので好ましくなく、
非基板側の酸化インジウムを主成分とする層の膜厚が2
nmより薄くなると本発明の透明導電膜の耐アルカリ性
が低下するので好ましくないため、耐湿熱性及び耐アル
カリ性の両特性を併せ有するようにするには、それぞれ
の層の膜厚を上記下限値より大きくするのが好ましい。
また導電性反射防止兼保護層の基板側の層の膜厚は、1
00nmを越えないことが可視光の反射防止作用の観点
から好ましく、導電性反射防止兼保護層の非基板側の層
の膜厚も、同様の観点から100nmを越えないことが
好ましい。
鉛または酸化錫を主成分とする層の膜厚は、5nm以上
とするのが好ましく、非基板側の酸化インジウムを主成
分とする層の膜厚は5nm以上とするのが好ましい。導
電性反射防止兼保護層の基板側の酸化亜鉛または酸化錫
を主成分とする層の膜厚が2nmより薄くなると本発明
の透明導電膜の耐湿熱性が低下するので好ましくなく、
非基板側の酸化インジウムを主成分とする層の膜厚が2
nmより薄くなると本発明の透明導電膜の耐アルカリ性
が低下するので好ましくないため、耐湿熱性及び耐アル
カリ性の両特性を併せ有するようにするには、それぞれ
の層の膜厚を上記下限値より大きくするのが好ましい。
また導電性反射防止兼保護層の基板側の層の膜厚は、1
00nmを越えないことが可視光の反射防止作用の観点
から好ましく、導電性反射防止兼保護層の非基板側の層
の膜厚も、同様の観点から100nmを越えないことが
好ましい。
【0010】本発明においては、導電性反射防止兼保護
層の総膜厚は、透過率を考慮して反射防止層の膜厚及び
屈折率と金属層の膜厚及び屈折率とに関連して決められ
るが、耐湿熱性および耐アルカリ性の両特性を実用的に
満足し得るようにするためには、基板側の層の膜厚を5
〜100nm、非基板側の膜厚を5〜100nmとする
のが好ましく、さらにそれぞれの膜厚を20〜80n
m、10〜60nmにするのが好ましい。
層の総膜厚は、透過率を考慮して反射防止層の膜厚及び
屈折率と金属層の膜厚及び屈折率とに関連して決められ
るが、耐湿熱性および耐アルカリ性の両特性を実用的に
満足し得るようにするためには、基板側の層の膜厚を5
〜100nm、非基板側の膜厚を5〜100nmとする
のが好ましく、さらにそれぞれの膜厚を20〜80n
m、10〜60nmにするのが好ましい。
【0011】本発明の導電性反射防止兼保護層を構成す
る基板側の層は、本発明の基板が高温高湿性の環境に晒
されたときに、耐水性及び銀層との密着性に優れ、銀層
が水分と反応し凝集劣化するのを防止する耐湿熱性向上
層として作用し、かつ光の干渉作用による反射防止層と
しても作用する層であり、その材料としては酸化亜鉛を
主成分とした酸化物、酸化錫を主成分とした酸化物、ま
たはそれらの酸化物を主成分とする複合酸化物で構成さ
れる。本発明の透明導電膜8の面積抵抗は、主として銀
主成分からなる金属層により得られるが、金属層の保護
層が、その透明性と高温高湿に対する銀層の保護性能を
有していると同時に、導電性を有していることが好まし
い。この場合、この保護層の好ましい導電性は約500
0Ω/□以下である。このような理由から、少量のアル
ミニウムを含有させた酸化亜鉛(一般にZnO:Alや
AZOと略記され本願ではAZOと略記)、少量のアン
チモンを含ませた酸化錫(SnO2:Sbと略記)が好
ましい。
る基板側の層は、本発明の基板が高温高湿性の環境に晒
されたときに、耐水性及び銀層との密着性に優れ、銀層
が水分と反応し凝集劣化するのを防止する耐湿熱性向上
層として作用し、かつ光の干渉作用による反射防止層と
しても作用する層であり、その材料としては酸化亜鉛を
主成分とした酸化物、酸化錫を主成分とした酸化物、ま
たはそれらの酸化物を主成分とする複合酸化物で構成さ
れる。本発明の透明導電膜8の面積抵抗は、主として銀
主成分からなる金属層により得られるが、金属層の保護
層が、その透明性と高温高湿に対する銀層の保護性能を
有していると同時に、導電性を有していることが好まし
い。この場合、この保護層の好ましい導電性は約500
0Ω/□以下である。このような理由から、少量のアル
ミニウムを含有させた酸化亜鉛(一般にZnO:Alや
AZOと略記され本願ではAZOと略記)、少量のアン
チモンを含ませた酸化錫(SnO2:Sbと略記)が好
ましい。
【0012】上記導電性を得る観点から、酸化亜鉛に含
ませるアルミニウムの含有量は重量換算で1〜5%が好
ましく、1.5〜3%とするのがさらに好ましい。ま
た、酸化錫に含ませるアンチモンの含有量は1〜10%
が好ましく、2〜6%とするのがさらに好ましい。これ
らの膜材料の成膜時の蒸発源となるスパッタリングター
ゲットや蒸着用ソースは、一般的には主成分の金属酸化
物粉体と少量含有成分の金属酸化物粉体の、混合物の圧
縮焼結体として準備される場合が多い。
ませるアルミニウムの含有量は重量換算で1〜5%が好
ましく、1.5〜3%とするのがさらに好ましい。ま
た、酸化錫に含ませるアンチモンの含有量は1〜10%
が好ましく、2〜6%とするのがさらに好ましい。これ
らの膜材料の成膜時の蒸発源となるスパッタリングター
ゲットや蒸着用ソースは、一般的には主成分の金属酸化
物粉体と少量含有成分の金属酸化物粉体の、混合物の圧
縮焼結体として準備される場合が多い。
【0013】本発明における導電性反射防止兼保護層を
構成する非基板側の層としては、ITOが、銀主成分の
金属層および基板側の層をアルカリ性の環境において保
護し、また酸化亜鉛や酸化錫を主成分とする基板側の層
とほぼ同じ屈折率である1.8〜2.2を有するので、
可視光の反射防止作用が発揮でき、さらに導電性がよ
く、酸による電極加工が容易に行えるという観点から好
ましい。
構成する非基板側の層としては、ITOが、銀主成分の
金属層および基板側の層をアルカリ性の環境において保
護し、また酸化亜鉛や酸化錫を主成分とする基板側の層
とほぼ同じ屈折率である1.8〜2.2を有するので、
可視光の反射防止作用が発揮でき、さらに導電性がよ
く、酸による電極加工が容易に行えるという観点から好
ましい。
【0014】本発明の反射防止層の材料としては、酸化
ネオジウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化カ
ドミウム、酸化アンチモン、五酸化タンタル、酸化ビス
マス、二酸化チタニウム、酸化アルミニウム、二酸化珪
素やこれらの混合物からなる透明な複合酸化物、さらに
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、ITO、アンチモ
ンを含ませた酸化錫、アルミニウムを含ませた酸化亜鉛
などの導電性透明酸化物やこれらの混合物からなる導電
性複合酸化物を用いることができる。
ネオジウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化カ
ドミウム、酸化アンチモン、五酸化タンタル、酸化ビス
マス、二酸化チタニウム、酸化アルミニウム、二酸化珪
素やこれらの混合物からなる透明な複合酸化物、さらに
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、ITO、アンチモ
ンを含ませた酸化錫、アルミニウムを含ませた酸化亜鉛
などの導電性透明酸化物やこれらの混合物からなる導電
性複合酸化物を用いることができる。
【0015】本発明に用いることができる銀主成分の金
属層は、銀からなる層や銀に抵抗を著しく劣化させない
程度に耐湿熱性を向上させるためにパラジウム、金、銅
などの金属を含ませることができる。このときの金属層
の体積抵抗率は10μΩcm以下とするのが好ましい。
属層は、銀からなる層や銀に抵抗を著しく劣化させない
程度に耐湿熱性を向上させるためにパラジウム、金、銅
などの金属を含ませることができる。このときの金属層
の体積抵抗率は10μΩcm以下とするのが好ましい。
【0016】本発明の銀主成分の金属層は、さらに導電
性反射防止材料よりなる導電性反射防止層6をn(n≧
1)層挿入することにより基板側に近い層から基板側か
ら遠い層のn+1層の金属層に分割することができる。
これにより、金属の層を分割しない場合に比べ、ほぼ同
じ面積抵抗であれば、より高い透過率の透明導電膜付き
基板とすることができる。この導電性反射防止層に用い
ることができる導電性透明酸化物としては、酸化亜鉛、
酸化錫、酸化インジウムからなる群から選ばれた少なく
とも1種を主成分とするものが用いることができ、好ま
しくは少量のアルミニウムを含有させた酸化亜鉛、少量
のアンチモンを少量含有させた酸化錫、ITOが適用で
きる。これらのうち耐湿熱性をよくするという観点から
酸化亜鉛にアルミニウムを含有させた酸化物および酸化
錫にアンチモンを含有させた酸化物が好ましい。この複
数の導電性反射防止層は、必ずしも同じ厚みでなくてよ
く、光学特性等の特性により適時定められる。また、前
記金属層を分割する場合は、それぞれの分割された金属
層の膜厚の総和が100nm以下とするか、または本透
明導電膜付基板全体の垂直可視光透過率が50%以上と
することが表示装置用透明導電膜付基板として好まし
い。
性反射防止材料よりなる導電性反射防止層6をn(n≧
1)層挿入することにより基板側に近い層から基板側か
ら遠い層のn+1層の金属層に分割することができる。
これにより、金属の層を分割しない場合に比べ、ほぼ同
じ面積抵抗であれば、より高い透過率の透明導電膜付き
基板とすることができる。この導電性反射防止層に用い
ることができる導電性透明酸化物としては、酸化亜鉛、
酸化錫、酸化インジウムからなる群から選ばれた少なく
とも1種を主成分とするものが用いることができ、好ま
しくは少量のアルミニウムを含有させた酸化亜鉛、少量
のアンチモンを少量含有させた酸化錫、ITOが適用で
きる。これらのうち耐湿熱性をよくするという観点から
酸化亜鉛にアルミニウムを含有させた酸化物および酸化
錫にアンチモンを含有させた酸化物が好ましい。この複
数の導電性反射防止層は、必ずしも同じ厚みでなくてよ
く、光学特性等の特性により適時定められる。また、前
記金属層を分割する場合は、それぞれの分割された金属
層の膜厚の総和が100nm以下とするか、または本透
明導電膜付基板全体の垂直可視光透過率が50%以上と
することが表示装置用透明導電膜付基板として好まし
い。
【0017】本発明の透明導電膜の各層は、スパッタリ
ング、真空蒸着、イオンプレーテイングなどの公知の真
空薄膜の形成方法で成膜することができる。成膜後必要
により、大気中、非酸化性雰囲気中あるいは真空中で、
基板が劣化しない程度の温度に加熱してもよい。
ング、真空蒸着、イオンプレーテイングなどの公知の真
空薄膜の形成方法で成膜することができる。成膜後必要
により、大気中、非酸化性雰囲気中あるいは真空中で、
基板が劣化しない程度の温度に加熱してもよい。
【0018】
【発明の実施の態様】耐湿熱性および耐アルカリ性の大
きさで評価される化学的耐久性、基板込みの可視光透過
率の高さで評価される透明性、シート抵抗の低さで評価
される電気的特性、透明導電膜のパターン加工の際のエ
ッチング加工のし易さと面内のエッチングの均一性で評
価される電極加工性などの観点から、本発明のとりわけ
好ましい実施態様としてのシート抵抗値である約3.5
Ω/□以下2.5Ω/□以上の範囲でかつ可視光透過率約
80%以上である特性を有する本発明の好ましい透明導
電膜付基板のとしては、ガラス基板/ITO層30〜6
0nm/銀層7〜20nm/AZO層20〜50nm/
ITO層5〜40nmの積層構造や、ガラス基板/AZ
O層30〜60nm/銀層7〜20nm/AZO層20
〜50nm/ITO層5〜40nmの積層構造が上げら
れる。またシート抵抗値で約2.5Ω/□以下で可視光
透過率60%以上である特性を有する本発明の透明導電
膜付基板の好ましい例としては、基板/ITO層30〜
60nm/銀層7〜30nm/ITO層60〜100n
m/銀層7〜30nm/AZO層20〜50nm/IT
O層5〜40nmの積層構造や基板/AZO層30〜6
0nm/銀層7〜30nm/AZO層60〜100nm
/銀層7〜30nm/AZO層20〜50nm/ITO
層5〜40nmの積層構造が上げられる。
きさで評価される化学的耐久性、基板込みの可視光透過
率の高さで評価される透明性、シート抵抗の低さで評価
される電気的特性、透明導電膜のパターン加工の際のエ
ッチング加工のし易さと面内のエッチングの均一性で評
価される電極加工性などの観点から、本発明のとりわけ
好ましい実施態様としてのシート抵抗値である約3.5
Ω/□以下2.5Ω/□以上の範囲でかつ可視光透過率約
80%以上である特性を有する本発明の好ましい透明導
電膜付基板のとしては、ガラス基板/ITO層30〜6
0nm/銀層7〜20nm/AZO層20〜50nm/
ITO層5〜40nmの積層構造や、ガラス基板/AZ
O層30〜60nm/銀層7〜20nm/AZO層20
〜50nm/ITO層5〜40nmの積層構造が上げら
れる。またシート抵抗値で約2.5Ω/□以下で可視光
透過率60%以上である特性を有する本発明の透明導電
膜付基板の好ましい例としては、基板/ITO層30〜
60nm/銀層7〜30nm/ITO層60〜100n
m/銀層7〜30nm/AZO層20〜50nm/IT
O層5〜40nmの積層構造や基板/AZO層30〜6
0nm/銀層7〜30nm/AZO層60〜100nm
/銀層7〜30nm/AZO層20〜50nm/ITO
層5〜40nmの積層構造が上げられる。
【0019】以下に実施例により本発明を説明する。 実施例1 縦400mm横300mm厚さ0.7mmの単純マトリ
ックス液晶表示用ソーダライムシリカ組成のガラス板を
洗浄した後、アルカリパッシベーション用二酸化珪素膜
を珪フッ化水素酸溶液を用いる公知の方法で30nm形
成し、本発明のの透明基板7として用いた。つぎにスパ
ッタリングターゲットとして10重量%の酸化錫を含む
酸化インジウム、2重量%の酸化アルミニウムを含む酸
化亜鉛、銀、酸化アンチモンを4%含有する酸化錫をそ
れぞれ用いて、アルゴンまたはアルゴンに少量の酸素を
混入したスパッタリングガスによるDCスパッタリング
法により、表1に示す銀を1層とする種々の積層構成の
透明導電膜付基板を作成した。得られた4種の透明導電
膜付基板の膜構成と耐湿熱性及び耐アルカリ性、透過
率、面積抵抗を測定したものを表1に比較例1とともに
まとめて示す。表1の実施例1(4サンプル)および実
施例1に対応する比較例1(5サンプル)から、本発明
の実施例1のいずれも、耐アルカリ性及び耐湿熱性を併
せ有することが分かる。また、これらの透明導電膜付基
板の透明導電膜を電極幅70μm、電極間隔15μmの
ストライプ状透明電極になるように、酸を含む水溶液か
らなるエッチング液により電極のパターン加工をし、良
好の電極加工が得られた。
ックス液晶表示用ソーダライムシリカ組成のガラス板を
洗浄した後、アルカリパッシベーション用二酸化珪素膜
を珪フッ化水素酸溶液を用いる公知の方法で30nm形
成し、本発明のの透明基板7として用いた。つぎにスパ
ッタリングターゲットとして10重量%の酸化錫を含む
酸化インジウム、2重量%の酸化アルミニウムを含む酸
化亜鉛、銀、酸化アンチモンを4%含有する酸化錫をそ
れぞれ用いて、アルゴンまたはアルゴンに少量の酸素を
混入したスパッタリングガスによるDCスパッタリング
法により、表1に示す銀を1層とする種々の積層構成の
透明導電膜付基板を作成した。得られた4種の透明導電
膜付基板の膜構成と耐湿熱性及び耐アルカリ性、透過
率、面積抵抗を測定したものを表1に比較例1とともに
まとめて示す。表1の実施例1(4サンプル)および実
施例1に対応する比較例1(5サンプル)から、本発明
の実施例1のいずれも、耐アルカリ性及び耐湿熱性を併
せ有することが分かる。また、これらの透明導電膜付基
板の透明導電膜を電極幅70μm、電極間隔15μmの
ストライプ状透明電極になるように、酸を含む水溶液か
らなるエッチング液により電極のパターン加工をし、良
好の電極加工が得られた。
【0020】
【表1】
【0021】実施例2 本発明の基板として、実施例1と同じ基板を用いた。実
施例1で行ったのと同様のスパッタリング法により、銀
層を2層に分割した構成の透明導電膜付基板を2種作成
した。この基板の膜構成と耐湿熱性及び耐アルカリ性、
透過率、面積抵抗を測定したものを表1に、比較例2と
ともにまとめて示す。本発明の実施例2はいずれも、耐
アルカリ性及び耐湿熱性を併せ有し、かつ低抵抗で高透
過率であることが分かる。この基板の透明導電膜を電極
幅70μm、電極間隔15μmのストライプ状透明電極
になるように、酸を含む水溶液からなるエッチング液に
より電極のパターン加工をした。
施例1で行ったのと同様のスパッタリング法により、銀
層を2層に分割した構成の透明導電膜付基板を2種作成
した。この基板の膜構成と耐湿熱性及び耐アルカリ性、
透過率、面積抵抗を測定したものを表1に、比較例2と
ともにまとめて示す。本発明の実施例2はいずれも、耐
アルカリ性及び耐湿熱性を併せ有し、かつ低抵抗で高透
過率であることが分かる。この基板の透明導電膜を電極
幅70μm、電極間隔15μmのストライプ状透明電極
になるように、酸を含む水溶液からなるエッチング液に
より電極のパターン加工をした。
【0022】
【発明の効果】本発明の透明導電膜は、従来の導電性反
射防止兼保護層を銀層を高温高湿環境から保護する酸化
亜鉛または酸化錫を主成分とする層と前記銀層及び層を
アルカリ性の環境から保護する酸化インジウムを主成分
とする層との2層構成としたため、良好な耐湿性と良好
な耐アルカリ性を兼ね備えた超低抵抗の透明導電膜とす
ることができる。これにより、化学的耐久性の優れた高
透過率、超低抵抗の透明導電膜付基板を得ることができ
る。また、本発明の透明導電膜付基板をすくなくとも一
方の透明基板として用いることにより、高精細で大型の
表示ができる液晶表示素子を得ることができる。
射防止兼保護層を銀層を高温高湿環境から保護する酸化
亜鉛または酸化錫を主成分とする層と前記銀層及び層を
アルカリ性の環境から保護する酸化インジウムを主成分
とする層との2層構成としたため、良好な耐湿性と良好
な耐アルカリ性を兼ね備えた超低抵抗の透明導電膜とす
ることができる。これにより、化学的耐久性の優れた高
透過率、超低抵抗の透明導電膜付基板を得ることができ
る。また、本発明の透明導電膜付基板をすくなくとも一
方の透明基板として用いることにより、高精細で大型の
表示ができる液晶表示素子を得ることができる。
【0023】
【図1】図1は、本発明の透明導電膜付基板の一実施例
の断面を模式的に表した図である。
の断面を模式的に表した図である。
【図2】図2は、本発明の透明導電膜付基板の他の実施
例の断面を模式的に表した図である。
例の断面を模式的に表した図である。
【図3】図3は、本発明の液晶表示装置の一実施例の断
面模式図である。
面模式図である。
【図4】図4は、従来の技術の透明導電膜付基板の断面
を模式的に表した図である。
を模式的に表した図である。
1:反射防止層 2:銀が主成分である金属層 3:導電性反射防止兼保護層 4:導電性反射防止兼保護層を構成する基板側の層 5:導電性反射防止兼保護層を構成する非基板側の層 6:導電性反射防止層 7:透明基板 8:透明導電膜 10:本発明の透明導電膜付基板 11:本発明の液晶表示装置 12:従来の技術の透明導電膜付基板
Claims (10)
- 【請求項1】透明基板上に、前記基板側から反射防止
層、銀が主成分である金属層、導電性反射防止兼保護層
がこの順に積層されてなる透明導電膜が被覆された透明
導電膜付基板において、前記導電性反射防止兼保護層
を、基板側の酸化亜鉛を主成分とする層と非基板側の酸
化インジウムを主成分とする層の2層構成としたことを
特徴とする液晶表示用透明導電膜付基板。 - 【請求項2】透明基板上に、前記基板側から反射防止
層、銀が主成分である金属層、導電性反射防止兼保護層
がこの順に積層されてなる透明導電膜が被覆された透明
導電膜付基板において、前記導電性反射防止兼保護層
を、基板側の酸化錫を主成分とする層と非基板側の酸化
インジウムを主成分とする層の2層構成としたことを特
徴とする液晶表示用透明導電膜付基板。 - 【請求項3】前記2層構成の層の基板側の層を少量のア
ルミニウムを含有する酸化亜鉛の層とし、前記2層構成
の層の非基板側の層を少量の錫を含有する酸化インジウ
ムの層としたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表
示用透明導電膜付基板。 - 【請求項4】前記2層構成の基板側の層を少量のアンチ
モンを含有する酸化錫の層とし、前記2層構成の非基板
側の層を少量の錫を含有する酸化インジウムの層とした
ことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示用透明導電
膜付基板。 - 【請求項5】前記銀主成分の金属層を、n層(nは1以
上の整数)の導電性反射防止層により、基板側に近い金
属層から基板側から遠い金属層へn+1層に分割し、こ
の導電性反射防止層を、少量のアルミニウムを含有させ
た酸化亜鉛、少量のアンチモンを含有させた酸化錫およ
び少量の錫を含有させた酸化インジウムのいずれかとし
たことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の
液晶表示用透明導電膜付基板。 - 【請求項6】前記銀主成分の金属層を分割する導電性反
射防止層の層数nが1である請求項5に記載の液晶表示
用透明導電膜付基板。 - 【請求項7】前記反射防止層を、酸化インジウムを主成
分とする層とした請求項1乃至6のいずれかに記載の液
晶表示用透明導電膜付基板。 - 【請求項8】前記反射防止層を、酸化亜鉛を主成分とす
る層としたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか
に記載の液晶表示用透明導電膜付基板。 - 【請求項9】前記反射防止層を、酸化錫を主成分とする
層としたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに
記載の液晶表示用透明導電膜付基板。 - 【請求項10】2枚の透明導電膜付基板をその透明導電
膜が対向するように、前記基板の周辺部において接着剤
で接着して基板間に密閉空間を形成し、前記密閉空間に
液晶を封入した液晶表示装置であって、前記基板のうち
の少なくとも一方を、請求項1乃至9のいずれかに記載
の透明導電膜付基板としたことを特徴とする液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2363796A JPH09221340A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 透明導電膜付基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2363796A JPH09221340A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 透明導電膜付基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09221340A true JPH09221340A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12116096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2363796A Pending JPH09221340A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 透明導電膜付基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09221340A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006109586A1 (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 導電層を備えた基板、表示装置および導電層を備えた基板の製造方法 |
WO2006109585A1 (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 導電層を備えた基板、表示装置および導電層を備えた基板の製造方法 |
JP2007109505A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電性基材 |
WO2007072877A1 (ja) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Central Glass Company, Limited | 低放射ガラス |
JP2008542804A (ja) * | 2005-05-27 | 2008-11-27 | サン−ゴバン グラス フランス | 電気化学的/電気駆動式デバイスの電極 |
JP2009529153A (ja) * | 2006-03-03 | 2009-08-13 | ジェンテックス コーポレイション | Imiコーティングを含む電気光学要素 |
JP2010111896A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Tosoh Corp | 積層型透明導電膜及びその製造方法 |
JP2014156395A (ja) * | 2009-06-12 | 2014-08-28 | Saint-Gobain Glass France | 薄膜層堆積方法及び得られる製品 |
CN107248422A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-10-13 | 华中科技大学 | 一种基于聚酰亚胺基底的柔性透明导电电极及其制备方法 |
CN115210066A (zh) * | 2020-03-03 | 2022-10-18 | 迪睿合株式会社 | 导电性层叠体及使用其的光学装置、导电性层叠体的制造方法 |
-
1996
- 1996-02-09 JP JP2363796A patent/JPH09221340A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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