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CN103178195A - 发光二极管装置的制造方法 - Google Patents

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CN103178195A
CN103178195A CN2012105768742A CN201210576874A CN103178195A CN 103178195 A CN103178195 A CN 103178195A CN 2012105768742 A CN2012105768742 A CN 2012105768742A CN 201210576874 A CN201210576874 A CN 201210576874A CN 103178195 A CN103178195 A CN 103178195A
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light
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luminescent coating
package layer
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江部悠纪
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Nitto Denko Corp
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Abstract

本发明的发光二极管装置的制造方法包括如下工序：准备安装有发光二极管的基板的工序；准备半球状的透镜成型模的工序；准备发光二极管封装材料的工序，所述发光二极管封装材料具备发光二极管封装层及层叠于所述发光二极管封装层的荧光体层、并且所述发光二极管封装层及所述荧光体层这二者由最终固化前的树脂形成；在基板及透镜成型模之间，以使荧光体层与透镜成型模相对的方式配置发光二极管封装材料、进行压缩成型，由此用半球状的所述发光二极管封装层直接封装所述发光二极管，并在发光二极管封装层的半球表面配置荧光体层的工序。

Description

发光二极管装置的制造方法
技术领域
本发明涉及使用发光二极管封装材料的发光二极管装置的制造方法。
背景技术
近年来，作为能够发射高能量的光的发光装置，已知有白色发光装置。白色发光装置例如设有发射蓝色光的LED（发光二极管）和可以将蓝色光变换为黄色光、并被覆LED的荧光体层，白色发光装置通过从LED发出的蓝色光与其在荧光体层中转换而得到的黄色光的混色而发出高能量的白色光。
作为这样的发光装置的制造方法，提出了如下制造方法：例如在安装基板上安装LED芯片后，通过第一封装树脂覆盖LED芯片，然后在圆顶状的光学构件的内侧注入由相同材料形成的第二封装树脂，然后，使光学构件和安装基板的位置对准并使各封装树脂固化，由此形成封装部，接着，通过止动爪将使荧光体与透光性树脂一起成型而得到的圆顶状的色转换构件安装在安装基板上，由此制造发光装置（例如，参照日本特开2007-227677号公报。）。
发明内容
然而，在日本特开2007-227677号公报所记载的方法中，首先，形成封装LED芯片的封装部，然后，在该封装部之上安装另行准备的色转换构件。因此，作业工序多，而且要求确定位置精度，因此，存在作业繁杂这样的不良情况。
本发明的目的在于，提供可以用较少的作业工序简易并且精度良好地制造发光二极管装置的发光二极管装置的制造方法。
本发明的发光二极管装置的制造方法的特征在于，其包括如下工序：准备安装有发光二极管的基板的工序；准备半球状的透镜成型模的工序；准备发光二极管封装材料的工序，所述发光二极管封装材料具备发光二极管封装层及层叠于所述发光二极管封装层的荧光体层、并且所述发光二极管封装层及所述荧光体层这二者由最终固化前的树脂形成；在所述基板及所述透镜成型模之间，以使所述荧光体层与所述透镜成型模相对的方式配置所述发光二极管封装材料、进行压缩成型，由此用半球状的所述发光二极管封装层直接封装所述发光二极管，并在所述发光二极管封装层的半球表面配置所述荧光体层的工序。
根据这样的发光二极管装置的制造方法，通过进行压缩成型，可以利用半球状的发光二极管封装层封装发光二极管、并在该发光二极管封装层的半球表面配置荧光体层。
因此，根据这样的发光二极管装置的制造方法，可以用较少的作业工序简易并且精度良好地制造发光二极管装置。
另外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，所述荧光体层距离所述发光二极管的中心点实质上等距离地配置是适当的。
根据这样的发光二极管装置的制造方法，可以实现改善配光性，可以制造能够在宽范围内照射光的发光二极管装置。
另外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，所述最终固化前的树脂为二阶段固化型树脂的一阶段固化体、和/或兼有热塑性及热固性的树脂的热塑体是适当的。
根据这样的发光二极管装置的制造方法，由于发光二极管封装材料为二阶段固化型树脂的一阶段固化体、和/或兼有热塑性及热固性的树脂的热塑体，因此，发光二极管封装材料的操作性优异，并且可以可靠地实现发光二极管封装材料的最终固化。
根据本发明的发光二极管装置的制造方法，可以通过由最终固化前的树脂形成的半球状的发光二极管封装层对发光二极管进行封装，并且可以在该半球表面配置荧光体层，因此，可以用较少的作业工序简易并且精度良好地制造发光二极管装置。
附图说明
图1是表示本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的制造工序图，（a）表示准备安装有发光二极管的基板的工序；（b）表示准备半球状的透镜成型模的工序；（c）表示准备发光二极管封装层和荧光体层的工序。
图2是接续图1表示本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的制造工序图，（d）表示在基板及透镜成型模之间以使荧光体层与透镜成型模相对的方式配置发光二极管封装材料的工序；（e）表示对发光二极管封装材料进行压缩成型的工序；（f）表示将半球状的透镜成型模打开并将成型物裁切成单片状的工序。
图3表示实施例1的发光二极管装置的剖面照片图。
具体实施方式
图1是表示本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的制造工序图，图2是接续图1表示本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的制造工序图。
以下，参照图1及图2来对本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式进行说明。
在该方法中，首先，如图1的（a）所示，准备安装有发光二极管13的基板12。
基板12例如由在铜上镀覆了银的引线框形成。
在基板12的上表面形成有：用于电连接发光二极管13的端子（未图示）和用于对发光二极管13供电的电源的端子（未图示）的布线（未图示）。
作为发光二极管13，例如，可列举出主要发射蓝色光的蓝色发光二极管（蓝色LED）等。
发光二极管13在基板12的上表面设置多个（图1及图2中出现两个），发光二极管13的端子（未图示）借助引线17与未图示的布线电连接（引线键合）。
接着，在该方法中，如图1的（b）所示，准备半球状的透镜成型模16。
透镜成型模16例如为由在不锈钢上镀覆硬质铬而得到的材料等形成的成型模，与发光二极管13相应地具备多个（图1及图2中，出现两个）与荧光罩14（后述）形状对应的凹处、即半球状凹处。
接着，在该方法中，如图1的（c）所示，准备发光二极管封装材料1。
发光二极管封装材料1具备发光二极管封装层2和层叠在发光二极管封装层2上的荧光体层3。
发光二极管封装层2是封装发光二极管13、并且能够透过光的树脂层，由能够透过光的树脂的最终固化前的树脂形成为俯视大致矩形的平板形状。
作为最终固化前的树脂，可列举出例如二阶段固化型树脂的一阶段固化体（第二阶段固化之前）、例如兼有热塑性及热固性的树脂的热塑体（热固化前）等。
发光二极管封装层2为二阶段固化型树脂的一阶段固化体、和/或兼有热塑性及热固性的树脂的热可塑体时，发光二极管封装层2的操作性优异、并且可以可靠地实现发光二极管封装层2的最终固化。
二阶段固化型树脂定义为具有二阶段的反应机理并且通过第一阶段的反应半固化（B阶段状态化）、通过第二阶段的反应最终固化的树脂。
需要说明的是，B阶段状态是树脂介于可溶于溶剂的A阶段和最终固化的C阶段之间的状态，进行了少量固化及凝胶化、并且在溶剂中溶胀但不完全溶解、通过加热而软化但不熔融的状态。
作为二阶段固化型树脂的未固化体（第一阶段固化前），例如，可列举出环氧树脂组合物、有机硅树脂组合物等，优选列举出有机硅树脂组合物。
作为二阶段固化型树脂的未固化体（第一阶段固化前），使用有机硅树脂组合物时，可以确保优异的耐光性及耐热性。
作为这种有机硅树脂组合物，例如，可列举出缩合反应·加成反应型有机硅树脂组合物。
缩合反应·加成反应型有机硅树脂组合物是可以通过加热进行缩合反应及加成反应（具体而言为氢化硅烷化反应）的有机硅树脂组合物，更具体而言，为可以通过加热进行缩合反应而变为B阶段状态（半固化状态）、接着可以通过进一步的加热进行加成反应（具体为例如氢化硅烷化反应）成为固化（最终固化）状态的有机硅树脂组合物。
作为上述缩合反应·加成反应型有机硅树脂组合物，可列举出：例如含有两末端硅烷醇基聚硅氧烷、含烯基的烷氧基硅烷及有机氢硅氧烷的第一热固性有机硅树脂组合物；例如含有两末端硅烷醇基聚硅氧烷、含烯属不饱和烃基的硅化合物、含环氧基的硅化合物及有机氢硅氧烷的第二热固性有机硅树脂组合物；例如含有1分子中具有至少两个烯基甲硅烷基的第一有机聚硅氧烷、1分子中具有至少两个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂和固化延迟剂的第三热固性有机硅树脂组合物；例如含有1分子中兼有至少两个烯属不饱和烃基和至少两个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷、不含烯属不饱和烃基且1分子中具有至少两个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂和氢化硅烷化抑制剂的第四热固性有机硅树脂组合物；例如含有1分子中兼有至少两个烯属不饱和烃基和至少两个硅烷醇基的第一有机聚硅氧烷、不含烯属不饱和烃基且1分子中含有至少两个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷和氢化硅烷化催化剂的第五热固性有机硅树脂组合物等。
这些缩合反应·加成反应型有机硅树脂组合物可以单独使用或组合使用两种以上。
作为缩合反应·加成反应型有机硅树脂组合物，优选列举出第一热固性有机硅树脂组合物。
需要说明的是，在第一热固性有机硅树脂组合物中，两末端硅烷醇基聚硅氧烷及含烯基的烷氧基硅烷是缩合原料（供于缩合反应的原料），含烯基的烷氧基硅烷及有机氢硅氧烷是加成原料（供于加成反应的原料）。
两末端硅烷醇基聚硅氧烷是分子的两末端含有硅烷醇基（SiOH基）的硅烷化合物，具体而言，由下述式（1）表示。
Figure BDA00002657032400071
（式（1）中，R1及R2为一价烃基，n表示2以上的整数。R1及R2是相同或不同的。）
在上述式（1)中，R1及R2优选是相同的。
R1及R2所示的一价烃基可列举出饱和或不饱和的直链状、支链状或环状的烃基等。从制备的容易性或热稳定性的观点出发，烃基的碳数例如为1~20、优选为1~10。
具体而言，作为一价烃基，可列举出：例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、戊基、环戊基、己基、环己基等饱和脂肪族烃基；例如苯基、萘基等芳香族烃基等。
作为一价烃基，优选列举出饱和脂肪族烃基，从透明性及耐光性的观点出发，进一步优选列举出甲基。
在上述式（1）中，从稳定性和/或操作性的观点出发，n优选为2~10000的整数、进一步优选为2~1000的整数。
作为两末端硅烷醇基聚硅氧烷，具体而言，可列举出两末端硅烷醇基聚二甲基硅氧烷、两末端硅烷醇基聚甲基苯基硅氧烷、两末端硅烷醇基聚二苯基硅氧烷等。优选列举出两末端硅烷醇基聚二甲基硅氧烷。
两末端硅烷醇基聚硅氧烷可以使用市售品，另外，也可以使用按照公知的方法合成的物质。
两末端硅烷醇基聚硅氧烷可以单独使用或组合使用两种以上。
需要说明的是，两末端硅烷醇基聚硅氧烷通常是n不同的（也就是分子量不同的）化合物的混合物。
因而，上述式（1）中的n以平均值的形式算出。
对于两末端硅烷醇基聚硅氧烷的数均分子量，从稳定性和/或操作性的观点出发，例如为100~1000000、优选为200~100000。数均分子量是通过凝胶渗透色谱以标准聚苯乙烯进行换算而算出的。对于后述的数均分子量，也与上述同样操作来算出。
对于两末端硅烷醇基聚硅氧烷的配混比例，相对于缩合原料的总量，例如为1~99.99质量%、优选为50~99.9质量%、进一步优选为80~99.5质量%。
含烯基的烷氧基硅烷是兼有烯基及烷氧基的硅烷化合物，具体而言，是下述式（2）所示的含烯基的三烷氧基硅烷。
R3-Si（OR4）3   （2）
（式（2）中，R3为直链或环状的烯基，R4为一价烃基。R3及R4是互不相同的。）
从制备的容易性或热稳定性的观点出发，R3所示的烯基的碳数例如为2~20、优选为2~10。
具体而言，作为烯基，例如，可列举出：乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等直链状烯基；降冰片烯基、环己烯基等环状烯基等。
可优选列举出直链状烯基，从加成反应的反应性的观点出发，进一步优选列举出乙烯基。
作为R4所示的一价烃基，可列举出与上述式（1)的R1及R2所示的一价烃基相同的基团。优选列举出甲基。
具体而言，作为含烯基的烷氧基硅烷，可列举出：例如乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷等乙烯基三烷氧基硅烷；例如烯丙基三甲氧基硅烷、丙烯基三甲氧基硅烷、丁烯基三甲氧基硅烷、戊烯基三甲氧基硅烷、己烯基三甲氧基硅烷、庚烯基三甲氧基硅烷、辛烯基三甲氧基硅烷、降冰片烯基三甲氧基硅烷、环己烯基三甲氧基硅烷等。
优选列举出乙烯基三烷氧基硅烷，进一步优选列举出乙烯基三甲氧基硅烷。
含烯基的烷氧基硅烷可以单独使用或组合使用两种以上
含烯基的烷氧基硅烷可以使用市售品，另外，也可以使用按照公知的方法合成的物质。
对于含烯基的三烷氧基硅烷的配混比例，相对于缩合原料的总量，例如为0.01~90质量%、优选为0.01~50质量%、进一步优选为0.01~10质量%。
两末端硅烷醇基聚硅氧烷的硅烷醇基（SiOH基）相对于含烯基的烷氧基硅烷的烷氧基甲硅烷基（SiOR4基）的摩尔比（SiOH/（SiOR4）例如为20/1~0.2/1、优选为10/1~0.5/1、进一步优选实质上为1/1。
摩尔比超过上述范围时，在将有机硅树脂组合物制成B阶段状态时，有时无法得到具有适度韧性的B阶段状物（半固化物），另一方面，摩尔比低于上述范围时，有时含烯基的烷氧基硅烷的配混比例过多，因此，得到的树脂层（发光二极管封装层2）的耐热性变得不良。
另外，只要摩尔比为上述范围内（优选实质上为1/1），就可以使两末端硅烷醇基聚硅氧烷的硅烷醇基（SiOH基）与含烯基的烷氧基硅烷的烷氧基甲硅烷基（SiOR4基）不会过量或不足地进行缩合反应。
有机氢硅氧烷是含有直接键合在主链的硅原子上的氢原子的化合物，例如，可列举出：由下述式（3）所示的含有直接键合在主链的中途（两末端间）的硅原子上的氢原子的氢化化合物；或由下述式（4）所示的含有直接键合在主链的两末端硅原子上的氢原子的氢化化合物（两末端氢化硅烷基聚硅氧烷）。
Figure BDA00002657032400101
（式（3）中，I、II、III及IV为结构单元，I及IV表示末端单元，II及III表示重复单元，R5为相互相同或不同的一价烃基。a表示0或1以上的整数，b表示2以上的整数。）
Figure BDA00002657032400102
（式（4）中，R6为相互相同或不同的一价烃基。c表示1以上的整数。）
结构单元I中的R5、结构单元II中的R5、结构单元III中的R5及结构单元IV中的R5优选为相互相同的。
对于R5所示的一价烃基，可列举出与上述的R1及R2所示的一价烃基相同的基团。优选列举出饱和脂肪族烃基，更优选列举出甲基、乙基，进一步优选列举出甲基。
结构单元I及IV为两末端的结构单元。
结构单元II中的a是结构单元II的重复单元个数，从反应性的观点出发，优选表示1~1000的整数、进一步优选表示1~100的整数。
结构单元III中的b是结构单元III的重复单元个数，从反应性的观点出发，优选表示2~10000、进一步优选表示2~1000的整数。
具体而言，作为上述式（3）所示的氢化化合物，可列举出：甲基氢聚硅氧烷、二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷、乙基氢聚硅氧烷、甲基氢聚硅氧烷-共聚-甲基苯基聚硅氧烷等。优选列举出二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷。
上述式（3）所示的氢化化合物可以单独使用或组合使用两种以上。
需要说明的是，上述式（3）所示的氢化化合物通常为a和/或b不同的（也就是分子量不同的）化合物的混合物。
因而，结构单元II中的a及结构单元III中的b分别以平均值的形式算出。
上述式（3）所示的氢化化合物的数均分子量例如为100~1000000。
上述式（4）中的R6优选是相互相同的。亦即，键合于两末端的硅原子上的R6与键合于两末端间的硅原子上的R6全部相同。
对于R6所示的一价烃基，可列举出与上述的R1及R2所示的一价烃基相同的基团。优选列举出甲基、乙基。
上述式（4）中，从反应性的观点出发，c优选表示1~10000的整数、进一步优选表示1~1000的整数。
具体而言，作为上述式（4）所示的氢化化合物，例如，可列举出：两末端氢化硅烷基聚二甲基硅氧烷、两末端氢化硅烷基聚甲基苯基硅氧烷、两末端氢化硅烷基聚二苯基硅氧烷等。
上述式（4）所示的氢化化合物可以单独使用或组合使用两种以上。
作为上述式（4）所示的氢化化合物，通常为c不同的（也就是分子量不同的）化合物的混合物。
因而，上述式（4）中的c以平均值的形式算出。
对于式（4）表示的氢化化合物的数均分子量，从稳定性和/或操作性的观点出发，例如为100~1000000、进一步优选为100~100000。
有机氢硅氧烷在25℃下的粘度例如为10~100000mPa·s、优选为15~50000mPa·s。粘度利用B型粘度计来测定。
有机氢硅氧烷可以使用市售品，另外，也可以使用按照公知的方法合成的物质。
作为有机氢硅氧烷，可以单独使用上述式（3）所示的氢化化合物或上述式（4）所示的氢化化合物，或者也可以将它们组合使用。作为有机氢硅氧烷，优选单独使用上述式（3）所示的氢化化合物。
有机氢硅氧烷的配混比例也取决于含烯基的烷氧基硅烷的烯基（上述式（2）的R3）和有机氢硅氧烷的氢化硅烷基（SiH基）的摩尔比，但例如，相对于含烯基的烷氧基硅烷100质量份，例如为10~10000质量份、优选为50~1000质量份。
另外，含烯基的烷氧基硅烷的烯基（上述式（2）的R3）相对于有机氢硅氧烷的氢化硅烷基（SiH基）的摩尔比（R3/SiH）例如为20/1~0.05/1、优选为20/1~0.1/1、进一步优选为10/1~0.1/1、特别优选为5/1~0.2/1、最优选实质上为1/1。
摩尔比超过上述上限（20/1）时，在将有机硅树脂组合物制成B阶段状态时，有时无法得到具有适度韧性的半固化物，摩尔比低于上述下限（0.05/1）时，有时有机氢硅氧烷的配混比例过多，因此，得到的树脂层（发光二极管封装层2）的耐热性及韧性会变得不充分。
另外，如果摩尔比低于1/1且为0.05/1以上，则在将有机硅树脂组合物制成B阶段状态时，与摩尔比为20/1~1/1的有机硅树脂组合物相比，能够向半固化状态迅速转变。
有机硅树脂组合物通过将上述的两末端硅烷醇基聚硅氧烷、含烯基的烷氧基硅烷及有机氢硅氧烷与催化剂一起配混、并进行搅拌混合来制备。
作为催化剂，例如，可列举出缩合催化剂（半固化催化剂）及加成催化剂（固化催化剂、氢化硅烷化催化剂）等。
对于缩合催化剂，只要是使硅烷醇基和烷氧基甲硅烷基的缩合反应的反应速度提高的物质，就没有特别限制，可列举出：例如盐酸、乙酸、甲酸、硫酸等酸；例如氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钾、四甲基氢氧化铵等碱；例如铝、钛、锌、锡等金属系催化剂等。
在这些催化剂中，从相容性及热分解性的观点出发，优选列举出碱、进一步优选列举出四甲基氢氧化铵。
对于缩合催化剂的配混比例，相对于两末端硅烷醇基聚硅氧烷100摩尔，例如为0.1~50摩尔、优选为0.5~5摩尔。
对于加成催化剂，只要是使加成反应、也就是烯基和SiH的氢化硅烷化反应的反应速度提高的物质，就没有特别限制，可列举出：例如铂黑、氯化铂、氯铂酸、铂-烯烃络合物、铂-羰基络合物、乙酰丙酮合铂等铂催化剂；例如钯催化剂、铑催化剂等金属催化剂。
在这些催化剂中，从相容性、透明性及催化活性的观点出发，优选列举出铂催化剂、进一步优选列举出羰基-铂络合物。
对于加成催化剂的配混比例，以加成催化剂的金属量的质量份数计，相对于有机氢硅氧烷100质量份，例如为1.0×10-4~2.0质量份、优选为1.0×10-4~1.5质量份、进一步优选为1.0×10-4~1.0质量份。
需要说明的是，上述的催化剂可以直接使用固体状态的催化剂，或者，从操作性的观点考虑，也可以以使其溶解或分散在溶剂中而得到的溶液或分散液的形式使用。
作为溶剂，可列举出：例如水；例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等醇等。优选列举出水。
在制备缩合反应·加成反应型有机硅树脂组合物时，例如，一次性加入上述的原料（缩合原料及加成原料）与催化剂。或者，可以首先在不同的时机分别加入各原料及各催化剂。进而，也可以一次性加入一部分成分、并在不同的时机分别加入剩余部分的各成分。
优选的是，首先在缩合原料中加入缩合催化剂，接着一次性加入加成原料及加成催化剂。
具体而言，在第一热固性有机硅树脂组合物的情况下，在两末端硅烷醇基聚硅氧烷及含烯基的烷氧基硅烷（也就是缩合原料）中，以上述的比例配混缩合催化剂，并将它们搅拌例如5分钟~24小时。
另外，在配混及搅拌时，为了提高缩合原料的相容性及操作性，还可以设定为例如0~60℃。
另外，在配混原料及缩合催化剂时，还可以以适当的比例加入用于提高它们的相容性的相容化剂。
作为相容化剂，例如，可列举出甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等醇等有机溶剂。需要说明的是，对于相容化剂，在以有机溶剂的溶液或分散液的形式制备缩合催化剂时，还可以以该有机溶剂为相容化剂来供给。
对于相容化剂的配混比例，相对于两末端硅烷醇基聚硅氧烷及含烯基的烷氧基硅烷的总量100质量份，例如为1~20质量份、优选为5~10质量份。
然后，根据需要对反应体系（混合物）进行减压，由此去除挥发成分（有机溶剂）。
接下来，在得到的缩合原料及缩合催化剂的混合物中，配混有机氢硅氧烷及加成催化剂，并搅拌例如1~60分钟。
在配混及搅拌时，为了提高混合物及有机氢硅氧烷的相容性及操作性，还可以设定为例如0~60℃。
由此，可以制备缩合反应·加成反应型有机硅树脂组合物。
另外，二阶段固化型树脂可以根据需要含有填充剂。
通过使树脂含有填充剂，可以减少树脂固化时的固化收缩率，可以使部件的精密形状、尺寸按设计再现，进而可以实现耐热性、热导率的提高。
作为这样的填充剂，例如，可列举出有机硅微粒、玻璃、氧化铝、氢氧化铝、硅石（熔融硅石、结晶性硅石、超细粉无定型硅石、疏水性超细粉硅石等）、滑石、粘土、硫酸钡等，这些填充剂可以单独使用或组合使用两种以上。
优选列举出有机硅微粒。
需要说明的是，填充剂的粒径可根据目的及用途来进行各种选择，从透明性的观点出发，最大粒径例如为20μm以下、优选为10μm以下。
对于填充剂的含有比例，相对于二阶段固化型树脂100质量份，例如为1~50质量份、优选为3~30质量份。
进而，在二阶段固化型树脂中，可以以适当的比例添加防透过剂、改性剂、表面活性剂、染料、颜料、防变色剂、紫外线吸收剂等公知的添加物。
然后，为了使用这样的二阶段固化型树脂得到发光二极管封装层2，例如，在公知的脱模纸等上涂覆上述的二阶段固化型树脂的未固化体（例如上述的第一热固性有机硅树脂组合物等），并进行加热，由此进行第一阶段的固化（例如缩合反应）。
作为加热条件，为进行第一阶段的固化（例如缩合反应）而不进行第二阶段的固化（例如加成反应（氢化硅烷化反应））的条件，具体而言，加热温度例如为40~150℃、优选为50~140℃，加热时间例如为1~60分钟、优选为3~30分钟。
由此，可以得到由二阶段固化型树脂的一阶段固化体（最终固化前的树脂（例如缩合体等））形成的发光二极管封装层2。
作为兼有热塑性及热固性的树脂，例如，可列举出兼有热塑性及热固性的有机硅树脂。
只要使用兼有热塑性及热固性的有机硅树脂，就可以确保优异的耐光性及耐热性。
兼有热塑性及热固性的有机硅树脂组合物通过使笼型八聚倍半硅氧烷和含烯基的聚硅氧烷在氢化硅烷化催化剂的存在下进行反应来得到。
笼型八聚倍半硅氧烷是三官能有机硅单体的八聚体，具体而言，具有8个下述式（5）所示的基团。
Figure BDA00002657032400161
（式中，R7表示一价烃基，R8表示氢或一价烃基。其中，以笼型八聚倍半硅氧烷总体的平均值计，R8的一价烃基:氢的摩尔比为6.5:1.5~5.5:2.5的范围。）
更具体而言，用下述式（6）表示。
Figure BDA00002657032400171
（式中，R7及R8的含义与上述相同。另外，R8的一价烃基:氢的摩尔比与上述相同。）
在上述式（5）及（6）中，作为R7所示的一价烃基，例如，可列举出饱和或不饱和的直链状、支链状或环状的烃基。
具体而言，可列举出：饱和的直链状的烃基（例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等碳数1~6的烷基）、饱和的支链状的烃基（例如异丙基、异丁基等碳数3~6的烷基）、饱和的环状的烃基（例如环己基等碳数3~6的环烷基）、不饱和的环状的烃基（例如苯基等碳数6~8的芳基）等。
一价烃基的碳数例如为1~8、优选为1~6。
R7可以是相同或不同的，优选是相同的。
作为一价烃基，从制备的容易性及热稳定性的观点出发，优选列举出饱和的直链状的烃基、进一步优选列举出碳数1~6的烷基、特别优选列举出甲基。
在上述式（5）及（6）中，作为R8所示的一价烃基，可列举出与上述的R7所示的一价烃基相同的基团。优选列举出甲基。
式（6）中的R8的一价烃基:氢的摩尔比以笼型八聚倍半硅氧烷总体的平均值计为6.5:1.5~5.5:2.5的范围，优选为6.0:2.0~5.5:2.5的范围。
即，在1分子笼型八聚倍半硅氧烷中，上述式（5）所示的基团形成了1.5~2.5个（具体而言为2个）、优选2~2.5个（具体而言为2个）氢化硅烷基（-SiH）。
上述的R8的一价烃基:氢的摩尔比超过6.5/1.5（=6.5:1.5）（例如7/1（=7:1））时，有时由于氢化硅烷基的摩尔数过少，因此，笼型八聚倍半硅氧烷与含烯基的聚硅氧烷的反应程度过度降低，得到的有机硅树脂的分子量变低，无法得到固体状的有机硅树脂。
另一方面，上述的R8的一价烃基:氢的摩尔比低于5.5/2.5（=5.5:2.5）（例如5/3（=5:3））时，有时由于笼型八聚倍半硅氧烷的氢化硅烷基的摩尔数过多，因此，笼型八聚倍半硅氧烷与含烯基的聚硅氧烷的反应程度过度增大，因而有机硅树脂不显示热塑性。
作为上述的笼型八聚倍半硅氧烷，具体而言，例如，可列举出在上述式（5）及（6）中R7为甲基、R8为甲基或氢、以笼型八聚倍半硅氧烷总体的平均值计R8的甲基:氢的摩尔比为5.5:2.5、6:2、或、6.5:1.5的笼型八聚倍半硅氧烷等。
上述式（6）所示的笼型八聚倍半硅氧烷例如可以按照公知的方法（例如基于日本特开2007-246880号公报等的记载）来合成。
具体而言，在甲醇等醇和/或水与催化剂的存在下使四烷氧基硅烷（四乙氧基硅烷等）反应，合成八聚（倍半硅氧烷）骨架（式（6）中除去式（5）的基团的部分），然后，以与上述的R8的一价烃基:氢的摩尔比对应的配混比例配混二烷基氯硅烷（二甲基氯硅烷等）及三烷基氯硅烷（三甲基氯硅烷等），使键合于八聚（倍半硅氧烷）骨架的硅原子的烷氧基（乙氧基等）与二烷基氯硅烷以及三烷基氯硅烷反应。反应后，根据需要，将产物提纯。由此，可以得到笼型八聚倍半硅氧烷。
需要说明的是，笼型八聚倍半硅氧烷也可以使用市售品。
含烯基的聚硅氧烷是含有烯基的聚硅氧烷，具体而言，用下述式（7）表示。
Figure BDA00002657032400191
（式中，R9表示一价烃基，R10表示烯基。另外，d表示1以上的整数。）
式（7）中R9所示的一价烃基可以是相同或不同的，优选是相同的。
作为R9所示的一价烃基，可列举出与上述式（5）及（6）中R7所示的一价烃基相同的基团，优选列举出甲基。
作为式（7）中R10所示的烯基，例如，可列举出取代或未取代的烯基、优选列举出未取代的烯基。
作为这样的烯基，例如，可列举出乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基等碳数2~10的烯基。
烯基的碳数例如为2~10、优选为2~5。
R10可以是相同或不同的，优选是相同的。
作为烯基，从与笼型八聚倍半硅氧烷的氢化硅烷基的反应性的观点出发，优选列举出碳数2~5的烯基，进一步优选列举出乙烯基。
d与上述式（1)中的n同样以平均值的形式算出，从反应性及稳定性的观点出发，优选表示1~5000的整数、进一步优选表示1~1000的整数。
对于上述式（7）所示的含烯基的聚硅氧烷的数均分子量，从安全性及操作性的观点出发，例如为100~10000、优选为300~5000。
上述式（7）所示的含烯基聚硅氧烷例如可以按照公知的方法合成，或者也可以使用市售品（例如Gelest公司制造）。
作为氢化硅烷化催化剂，可列举出：例如铂黑、氯化铂、氯铂酸、铂烯烃络合物、铂羰基络合物、乙酰丙酮合铂等铂催化剂；例如钯催化剂；例如铑催化剂等。
在这些氢化硅烷化催化剂中，从相容性及透明性的观点出发，优选列举出铂催化剂、进一步优选列举出铂烯烃络合物，具体而言，可列举出1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷合铂络合物等二乙烯基硅氧烷合铂络合物等。
需要说明的是，氢化硅烷化催化剂可以以公知的溶剂（甲苯等）溶液的形式制备。
对于氢化硅烷化催化剂（固体成分）的配混比例，相对于笼型八聚倍半硅氧烷及含烯基的聚硅氧烷的总量100质量份，例如为1.0×10-10~3质量份、优选为1.0×10-81质量份。
而且，在本发明中，在氢化硅烷化催化剂的存在下，以使笼型八聚倍半硅氧烷的氢化硅烷基的摩尔数比含烯基的聚硅氧烷的烯基的摩尔数多（过量）的方式使笼型八聚倍半硅氧烷与含烯基的聚硅氧烷反应。
烯基和氢化硅烷基的摩尔比（烯基的摩尔数/氢化硅烷基的摩尔数）小于1，例如为0.10~0.99、优选为0.20~0.99、进一步优选为0.50~0.99。
另一方面，上述的摩尔比超过上述范围时，有时氢化硅烷基少于烯基，在该情况下，反应后不会残留过量部分的氢化硅烷基，无法赋予有机硅树脂组合物热固性。
而且，为了使上述的笼型八聚倍半硅氧烷与含烯基的聚硅氧烷反应，以上述的配混比例将它们与氢化硅烷化催化剂及溶剂一起配混，然后，根据需要，将它们加热。
作为溶剂，可列举出：例如甲苯等芳香族烃、例如己烷等脂肪族烃、例如乙酸乙酯等酯等。从提高各成分的相容性的观点出发，优选列举出芳香族烃，进一步优选列举出甲苯。
反应温度例如为0~100℃、优选为20~80℃，反应时间例如为0.5~96小时。
由此，笼型八聚倍半硅氧烷的氢化硅烷基和含烯基的聚硅氧烷的烯基发生氢化硅烷化反应。
需要说明的是，氢化硅烷化反应的程度可以通过1H-NMR测定、根据源于含烯基的聚硅氧烷的烯基的信号的强度来确认，该信号消失时，认为氢化硅烷化反应结束。
在上述氢化硅烷化反应中，以氢化硅烷基的摩尔数与烯基的摩尔数相比过量的方式，使笼型八聚倍半硅氧烷与含烯基的聚硅氧烷反应，因此，在该反应后，氢化硅烷基的过量部分残留，所述过量部分的氢化硅烷基通过加热（例如100~200℃的加热）与空气中的水分发生水解和进行缩合反应，相互键合（三维交联），由此可赋予有机硅树脂热固性。
由此，可以得到兼有热塑性和热固性的有机硅树脂。
得到的有机硅树脂是固体状的。由于笼型八聚倍半硅氧烷的空间位阻，含烯基的聚硅氧烷的运动性降低，因此，有机硅树脂是以固体状的形式得到的。
另外，兼有热塑性及热固性的树脂与上述的二阶段固化型树脂同样地可以根据需要以上述比例含有填充剂、添加剂。
然后，为了使用这样的兼有热塑性及热固性的树脂得到发光二极管封装层2，例如，通过在公知的脱模纸等上配置兼有热塑性及热固性的树脂、并加温保持在其热塑化温度下而使其塑化。
需要说明的是，在使用上述的兼有热塑性及热固性的有机硅树脂作为兼有热塑性和热固性的树脂时，其热塑性通过加热所引起的笼型八聚倍半硅氧烷及含烯基的聚硅氧烷的运动性上升来显示。
需要说明的是，兼有热塑性及热固性的有机硅树脂的热塑化温度例如为40~100℃、优选为50~90℃。另外，热塑化温度是有机硅树脂显示热塑性的温度，具体而言，是固体状的有机硅树脂通过加热而软化、完全变为液体状的温度，与软化温度实质上是相同的。
由此，可以得到由兼有热塑性及热固性的树脂的热塑体（最终固化前的树脂）形成的发光二极管封装层2。
由此得到的发光二极管封装层2的厚度例如为50~1000μm、优选为300~900μm。
荧光体层3是可发出荧光、并且可透过光的树脂层，由可透过光的树脂的最终固化前的树脂形成为俯视大致矩形的平板形状。这样的荧光体层3是为了吸收由发光二极管13产生的光并发出荧光而设的。
在荧光体层3中，作为最终固化前的树脂，例如，可列举出上述的二阶段固化型树脂的一阶段固化体、兼有热塑性及热固性的树脂的热塑体（热固化前）等。
另外，荧光体层3含有荧光体。
荧光体例如可列举出可将蓝色光变换为黄色光的黄色荧光体等。作为这样的荧光体，例如，可列举出在复合金属氧化物、金属硫化物等中掺杂例如铈（Ce）、铕（Eu）等金属原子而得到的荧光体。
具体而言，作为荧光体，可列举出：例如Y3Al5O12:Ce（YAG（钇·铝·石榴石）:Ce）、（Y，Gd）3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2（Si,Ge）3O12:Ce等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体；例如（Sr,Ba）2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu等硅酸盐荧光体；例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等铝酸盐荧光体；例如ZnS:Cu,Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等硫化物荧光体；例如CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体；例如CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu等氮化物荧光体；例如K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn等氟化物系荧光体等。优选列举出石榴石型荧光体、进一步优选列举出Y3Al5O12:Ce。
另外，荧光体为颗粒状，对其形状没有特别限制，例如，可列举出大致球状、大致平板状、大致针状等。
另外，荧光体的平均粒径（最大长度的平均）例如为0.1~30μm、优选为0.2~20μm。荧光体颗粒的平均粒径通过粒度分布测定装置来测定。
荧光体可以单独使用或组合使用两种以上。
如果形成荧光体层3的树脂含有荧光体，则在荧光体层3中，可以更有效率地发出荧光。
而且，例如，在发光二极管装置11中，通过使用蓝色发光二极管等作为发光二极管13、并将由该发光二极管13产生的光与由荧光体产生的光进行混色，可以将发光二极管装置11制成例如产生白色光的发光二极管装置11（白色发光二极管）。
对于荧光体的含有比例，相对于最终固化前的树脂100质量份，例如为1~50质量份、优选为3~35质量份。
而且，为了使最终固化前的树脂中含有荧光体，配混上述的荧光体和最终固化前的树脂，进行搅拌混合。搅拌时间例如为0.5~2小时。
另外，荧光体层3与上述的发光二极管封装层2同样地可以根据需要含有上述填充剂。
作为填充剂，优选列举出硅石。
需要说明的是，填充剂的粒径可根据目的及用途来进行各种选择，从透明性的观点出发，最大粒径例如为50nm以下、优选为20nm以下。作为这种填充剂，更具体而言，可列举出例如纳米硅石（纳米微粒的硅石）等。
对于填充剂的含有比例，相对于最终固化前的树脂100质量份，例如为1~50质量份、优选为3~30质量份。
对于荧光体层3，可以与发光二极管封装层2同样操作，以最终固化前的树脂的形式得到。
荧光体层3的厚度例如为40~500μm、优选为50~200μm。
另外，相对于发光二极管封装层2的厚度，荧光体层3的厚度例如为10~40%。
而且，发光二极管封装材料1可以通过贴合发光二极管封装层2和荧光体层3而得到。
例如，贴合由最终固化前的树脂形成的发光二极管封装层2和荧光体层3，并在例如100~150℃、优选110~140℃下加热例如0.5~5分钟、优选1~3分钟，由此可以维持发光二极管封装层2及荧光体层3的最终固化前的状态，并且得到发光二极管封装材料1。
具体而言，发光二极管封装层2及荧光体层3这二者为二阶段固化型树脂的一阶段固化体（B阶段状态）时，贴合发光二极管封装层2和荧光体层3，并在例如100~150℃、优选110~140℃下加热例如0.5~5分钟、优选1~3分钟，由此可以维持发光二极管封装层2及荧光体层3的第二阶段的固化前的状态，并且得到发光二极管封装材料1。
另外，发光二极管封装层2及荧光体层3这二者为兼有热塑性及热固性的树脂的热塑体（热固化前）时，贴合发光二极管封装层2和荧光体层3，并在例如100~150℃、优选110~140℃下加热例如0.5~5分钟、优选1~3分钟，由此可以维持发光二极管封装层2及荧光体层3的热固化前的状态，并且得到发光二极管封装材料1。
发光二极管封装材料1的厚度例如为90~1500μm、优选为350~1000μm。
根据这样的发光二极管封装材料1，详细情况后述，在通过半球状的发光二极管封装层2封装发光二极管13的同时，可以成型为半球状，进而可以在发光二极管封装层2的半球表面配置荧光体层，因此，可以用较少的作业工序简易并且精度良好地制造发光二极管装置11（后述）。
接着，在该方法中，如图2的（d）所示，在基板12及透镜成型模16之间，以使荧光体层3与透镜成型模16相对的方式配置上述发光二极管封装材料1，如图2的（e）所示，以用基板12和透镜成型模16夹入发光二极管封装材料1的方式进行压缩成型。
实际上，在透镜成型模16上（形成有凹处侧）载置发光二极管封装材料1后，在其上以使发光二极管13与发光二极管封装材料1相对的方式载置具备发光二极管13的基板12，，进行压缩成型。
在压缩成型时，压缩压力例如为0.1~5MPa、优选为0.5~3MPa，压缩时间例如为1~15分钟、优选为2~10分钟。
此时，对于发光二极管封装材料1，例如，以使其一边拉伸20~30μm一边追随透镜成型模16的方式进行成型。
由此，用半球状的发光二极管封装层2直接封装发光二极管13，并且在发光二极管封装层2的半球表面配置荧光体层3。
另外，在该方法中，通过例如与压缩成型一起进行对发光二极管封装材料1进行加热处理，可以使最终固化前的树脂最终固化。
加热处理通常包括：固化至发光二极管封装材料1的发光二极管封装层2及荧光体层3可脱模的程度的第一步骤；从透镜成型模16脱模后进行最终固化的第二步骤。
加热处理中的加热条件是由最终固化前的树脂形成的发光二极管封装层2及荧光体层3最终固化的条件，在第一步骤中，例如为120~180℃、2~20分钟，在第二步骤中，例如为100~180℃、30分钟~5小时。
具体而言，在发光二极管封装层2及荧光体层3由二阶段固化型树脂的一阶段固化体形成的情况下，加热条件为第二阶段的固化（例如加成反应（氢化硅烷化反应））进行的条件，具体而言，在第一步骤中，例如为120~180℃、2~20分钟，在第二步骤中，例如为100~180℃、30分钟~5小时。
另外，例如，在发光二极管封装层2及荧光体层3这二者为兼有热塑性及热固性的树脂的热塑体（热固化前）的情况下，加热条件为热固化反应进行的条件，具体而言，在第一步骤中，例如为120~180℃、2~20分钟，在第二步骤中，例如为100~180℃、30分钟~5小时。
通过这样进行压缩成型（及根据需要进行加热处理），可以在发光二极管封装层2封装有发光二极管13的状态、并且以发光二极管封装材料1对应于透镜成型模16的形状使发光二极管封装材料1固化。由此可以同时形成发光二极管封装层15（固化后的发光二极管封装层2）和荧光罩14（固化后的荧光体层3）。
另外，在该方法中，优选的是，使发光二极管封装材料1、透镜成型模16及发光二极管13在压缩成型后以使发光二极管封装材料1的荧光体层3距离发光二极管13的中心点实质上等距离地配置的方式进行位置对准。
如果荧光体层3（及其固化后的荧光罩14）距离发光二极管13的中心点等距离地配置，则可使从光源到荧光体层3的光程长均匀（参照图2的（e）箭头）。
具体而言，从发光二极管13的最上表面（相对于基板12的另外一侧）的俯视中的中心点到荧光体层3的内侧面（发光二极管13侧表面）的距离的最大长度和最小长度之差为0~50μm的范围的情况下，定义为荧光体层3距离发光二极管13的中心点实质上为等距离。
根据这样的发光二极管装置的制造方法，可以实现配光性的提高，可以制造能够以宽范围照射光的发光二极管装置。
然后，根据需要，如图2的（f）所示，以使各发光二极管13各自单体化的方式裁切成单片状。由此，可以得到发光二极管装置11。
这样，根据本发明的发光二极管装置11的制造方法，在通过由最终固化前的树脂形成的半球状的发光二极管封装层封装发光二极管的同时，可以在其半球表面配置荧光体层。在封装发光二极管13后，不需要另外安装透镜、荧光罩14，因此，可以用较少的作业工序简易并且精度良好地制造发光二极管装置11。
实施例
以下举出实施例及比较例来进一步具体地说明本发明，但本发明不受这些实施例的任何限制。
实施例1
有机硅树脂组合物的制备
将两末端硅烷醇基型硅油（商品名：X-21-5842、信越化学工业公司制造、数均分子量11500）100g（8.70mmol）、乙烯基三甲氧基硅烷（商品名：KBM-1003、信越化学工业公司制造）0.86g（5.80mmol、两末端硅烷醇基型硅油的SiOH基与乙烯基三甲氧基硅烷的甲氧基的摩尔比（SiOH/甲氧基甲硅烷基）=17/17）、和2-丙醇10mL（相对于两末端硅烷醇基型硅油与乙烯基三甲氧基硅烷的总量100质量份为8质量份）搅拌混合后，加入作为缩合催化剂的四甲基氢氧化铵水溶液（浓度：10质量%）0.16mL（0.17mmol、相对于两末端硅烷醇基型硅油100摩尔为2.0摩尔），在室温（25℃）下搅拌2小时。在得到的油中，加入有机氢聚硅氧烷（甲基氢聚硅氧烷、商品名：KF-9901、信越化学工业公司制造）0.75g（乙烯基三甲氧基硅烷的乙烯基与有机氢聚硅氧烷的SiH基的摩尔比（乙烯基/SiH）=1/1）和作为氢化硅烷化催化剂的铂羰基络合物溶液（铂浓度：2质量%）0.26mL（相对于有机氢聚硅氧烷100质量份为35质量份），得到有机硅树脂组合物。
发光二极管封装层的制造
相对于通过“有机硅树脂组合物的制备”得到的有机硅树脂组合物100质量份，添加30质量份有机硅微粒（聚甲基硅倍半氧烷微粒、商品名：Tospearl 2000B、Momentive PerformanceMaterials Japan LLC.制造、平均粒径6.0μm）。
将其涂覆在脱模纸上，并在135℃下使其干燥12分钟，得到厚度900μm的半固化状态（B阶段状态）的发光二极管封装层。
荧光体层的制造
相对于通过“有机硅树脂组合物的制备”得到的有机硅树脂组合物100质量份，添加5质量份纳米硅石（二甲基甲硅烷基化硅石、商品名：AEROSIL R976S、Nippon Aerosil Co.,Ltd.制造、平均粒径7nm）、35质量份荧光体（Y3Al5O12:Ce（YAG:Ce）、球状、平均粒径17μm）。
将其涂覆在脱模纸上，并在135℃下使其干燥3分钟，得到厚度100μm的由半固化（B阶段状态）的有机硅树脂组合物形成的荧光体层。
发光二极管封装材料的制造
贴合通过上述得到的发光二极管封装层及荧光体层，并在120℃下加热3分钟，得到厚度1000μm的发光二极管封装材料。
需要说明的是，在发光二极管封装材料中，发光二极管封装层及荧光体层维持半固化状态（B阶段状态）。
发光二极管装置的制造
在形成有布线的基板的上表面安装100个（10×10配置）蓝色发光二极管（参照图1的（a））。
接着，准备形成有100个半球状的凹处的透镜成型模（参照图1的（b）），在该透镜成型模与基板之间配置通过上述得到的发光二极管封装材料（参照图1的（c）），以使荧光体层与透镜成型模对置（参照图2的（d））。
接着，将发光二极管封装材料夹入基板及透镜成型模之间，以1.6MPa进行压缩成型，并且在160℃下加热10分钟（参照图2的（e））。然后，进行脱模，在150℃下加热3小时使其完全固化，裁切成单片状，由此制造100个发光二极管装置（参照图2的（f））。
这样，可以在通过半球状的发光二极管封装层封装发光二极管的同时成型透镜，并在其半球表面对荧光体层进行一体成型。
由此，可以用较少的作业工序简易并且精度良好地制造发光二极管装置。
将得到的发光二极管装置的剖面照片图示于图3。
比较例1
发光二极管封装层的制造
代替通过“有机硅树脂组合物的制备”得到的有机硅树脂组合物，使用有机硅弹性体（二甲基硅氧烷骨架衍生物、商品名：LR7556、Wacker Asahikasei Silicone Co.,Ltd.制造）溶液，另外，将干燥条件设定为150℃下10分钟，除此以外，与实施例1同样操作，得到发光二极管封装层。
荧光体层的制造
代替通过“有机硅树脂组合物的制备”得到的有机硅树脂组合物，使用有机硅弹性体（二甲基硅氧烷骨架衍生物、商品名：LR7556、Wacker Asahikasei Silicone Co.,Ltd.制造）溶液，另外，将干燥条件设定为150℃下10分钟，除此以外，与实施例1同样操作，得到荧光体层。
发光二极管封装材料的制造
与实施例1同样操作，得到发光二极管封装材料。
发光二极管装置的制造
与实施例1同样操作，得到发光二极管装置。
得到的发光二极管装置的荧光体层产生了裂纹。
需要说明的是，上述说明作为本发明的例示实施方式提供，但这不过是单纯的例示，并非是限定性解释。本领域技术人员所清楚的本发明的变形例包括在所述权利要求的范围内。

Claims (3)

1.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：
准备安装有发光二极管的基板的工序；
准备半球状的透镜成型模的工序；
准备发光二极管封装材料的工序，所述发光二极管封装材料具备发光二极管封装层及层叠于所述发光二极管封装层的荧光体层、并且所述发光二极管封装层及所述荧光体层这二者由最终固化前的树脂形成；
在所述基板及所述透镜成型模之间，以使所述荧光体层与所述透镜成型模相对的方式配置所述发光二极管封装材料、进行压缩成型，由此用半球状的所述发光二极管封装层直接封装所述发光二极管，并在所述发光二极管封装层的半球表面配置所述荧光体层的工序。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述荧光体层距离所述发光二极管的中心点实质上等距离地配置。
3.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述最终固化前的树脂为二阶段固化型树脂的一阶段固化体、和/或兼有热塑性及热固性的树脂的热塑体。
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