CN103227270A

CN103227270A - 发光二极管装置及其制造方法

Info

Publication number: CN103227270A
Application number: CN2013100296699A
Authority: CN
Inventors: 片山博之; 大薮恭也; 佐藤慧
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2012-01-27
Filing date: 2013-01-25
Publication date: 2013-07-31
Also published as: KR20130087428A; JP2013157408A; TW201332161A; EP2620990A3; EP2620990A2; US20130193477A1

Abstract

本发明提供发光二极管装置及其制造方法，该发光二极管装置的制造方法具备：准备封装树脂层的工序；将发光二极管元件埋设在封装树脂层中的工序；以及边利用气体对埋设有发光二极管元件的封装树脂层加压、边进行加热的工序。

Description

发光二极管装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及发光二极管装置及其制造方法、详细而言，涉及发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置及其制造方法。

背景技术

已知发光二极管装置是通过利用封装树脂层封装发光二极管元件（LED）而得到的。

例如提出了以下的方法（例如参照日本特开2011-228525号公报。）。

即，提出了如下的方法：在安装有光半导体元件的基板上以被覆光半导体元件的方式形成封装材料，其后，将它们在真空压制装置中，在减压下用压制板夹持，并且边真空压制边进行加热，使封装材料固化，利用该封装材料封装光半导体元件，从而得到光半导体装置。

在日本特开2011-228525号公报的方法中，通过利用真空压制的加压，会减少封装材料中孔隙（气泡）的产生。

发明内容

发明要解决的问题

但是，日本特开2011-228525号公报记载的方法中，由于用压制板夹持封装材料并进行加压及加热，因此，压力高、且加热时间长时会存在以下问题：容易对装置施加载荷、或封装材料（片）容易产生变形·应变、或容易碎裂。

进而，真空压制中，压力高时，对光半导体元件施加的挤压力容易变得不均匀，这种情况下，有时光半导体元件会损伤、或在封装树脂层中残留孔隙（void）。

本发明的目的在于，提供能够边抑制发光二极管元件的损伤及封装树脂层中的孔隙的产生并抑制对设备施加载荷、边制造发光二极管装置的发光二极管装置的制造方法及由该制造方法得到的发光二极管装置。

本发明的发光二极管装置的制造方法的特征在于，其为制造发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置的方法，所述方法包括如下工序：准备封装树脂层的工序；将发光二极管元件埋设在前述封装树脂层中的工序；以及边利用气体对埋设有前述发光二极管元件的前述封装树脂层加压、边进行加热的工序。

另外，在发光二极管装置的制造方法中，适宜的是，前述封装树脂层由B阶的热固化性树脂形成。

另外，在发光二极管装置的制造方法中，适宜的是，前述封装树脂层在25℃下的压缩弹性模量为0.01~1MPa。

另外，在发光二极管装置的制造方法中，适宜的是，在边利用气体对前述封装树脂层加压、边进行加热的工序中，以2~20个大气压对前述封装树脂层加压。

另外，在发光二极管装置的制造方法中，适宜的是，在边利用气体对前述封装树脂层加压、边进行加热的工序中，通过高压釜对前述封装树脂层边加压边加热。

另外，发光二极管装置的特征在于，通过上述发光二极管装置的制造方法来制造。

利用用于制造本发明的发光二极管装置的、本发明的发光二极管装置的制造方法，能够边利用气体对埋设有发光二极管元件的封装树脂层加压边进行加热。

因此，即使压力高、且加热时间长，也能抑制施加于装置的载荷。

另外，由于利用气体加压，因此，即使压力变高时，也能使施加于发光二极管元件的挤压力均一，因此，能够抑制发光二极管元件的损伤及封装树脂层中的孔隙的产生。

附图说明

图1是说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的工序图，

（a）表示将封装片与基板相对配置的工序、

（b）表示将发光二极管元件埋设在封装树脂层中的工序、

（c）表示边利用气体对封装树脂层加压边加热的工序。

图2是说明准备图1的（a）中所示的封装片的方法的工序图，

（a）表示准备基材的工序、

（b）表示将封装树脂层层叠于基材的工序。

具体实施方式

图1是表示说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的工序图，图2是表示说明图1的（a）中所示的准备封装片的方法的工序图。

该方法如图1所示，是制造发光二极管元件2被封装树脂层3封装的发光二极管装置1的方法，所述方法包括如下工序：准备封装树脂层3的工序（参照图1的（a））；将发光二极管元件2埋设在封装树脂层3中的工序（埋设工序、参照图1的（b））；以及边利用气体对埋设有发光二极管元件2的封装树脂层3加压边进行加热的工序（气体加压·加热工序、参照图1的（c））。

准备封装树脂层3时，例如如图1的（a）所示，准备具备基材4、和形成于其背面的封装树脂层3的封装片5。

准备图1的（a）所示的封装片5时，首先，如图2的（a）所示，准备基材4。

基材4是被覆及保护封装树脂层3的表面（参照图2的（b））的保护片、封装树脂层3的涂覆基材。

作为基材4，没有特别限定，可列举出：例如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜等聚酯薄膜，例如聚碳酸酯薄膜，例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等聚烯烃薄膜，例如聚苯乙烯薄膜，例如丙烯酸系薄膜，例如有机硅树脂薄膜，例如氟树脂薄膜等树脂薄膜等。进而，作为基材4，还可以列举出例如铜箔、不锈钢箔等金属箔。

在这种基材4中，优选列举出树脂薄膜、更优选列举出聚酯薄膜。

其中，在基材4的表面（要形成封装树脂层3侧的面），为了提高自封装树脂层3的脱模性，会根据需要实施脱模处理。

对基材4的厚度没有特别限定，例如，从操作性、成本的观点考虑，例如为10~200μm、优选为20~100μm。

然后，在该方法中，如图2的（b）所示，将封装树脂层3层叠在基材4的表面。

将封装树脂层3层叠在基材4的表面上时，首先，利用例如刮刀涂布机、凹版涂布机、喷泉式涂布机、流延、旋涂、辊涂等公知的涂布方法将以下详细叙述的封装树脂组合物涂布到基材4的整个表面。

作为封装树脂组合物，可列举出：例如有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等热固化性树脂；例如丙烯酸系树脂、氟树脂、聚酯树脂等热塑性树脂等树脂。

作为封装树脂组合物，优选列举出热固化性树脂、进一步优选列举出有机硅树脂。

作为有机硅树脂，例如可列举出具有两个反应体系（固化反应中的反应体系）的热固化性有机硅树脂组合物。

作为具有两个反应体系的热固化性有机硅树脂组合物，例如可列举出具有缩合反应和加成反应这两个反应体系的缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物。

关于缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物，具体而言，可以通过加热进行缩合反应（硅醇缩合），成为半固化状态（B阶），然后，可以通过进一步加热，进行加成反应（氢化硅烷化加成），形成固化状态（完全固化状态）。

作为缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物，可列举出：例如含有硅烷醇基两末端聚硅氧烷、含乙烯系不饱和烃基的硅化合物（以下称为乙烯系硅化合物。）、含环氧基的硅化合物及有机氢硅氧烷的第一热固化性有机硅树脂组合物；例如含有1分子中具有至少两个烯基甲硅烷基的第一有机聚硅氧烷、1分子中具有至少两个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂、及固化延迟剂的第二热固化性有机硅树脂组合物；例如含有1分子中兼具至少两个乙烯系不饱和烃基和至少两个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷、不含乙烯系不饱和烃基而在1分子中具有至少两个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂、及氢化硅烷化抑制剂的第三热固化性有机硅树脂组合物；例如含有在1分子中兼具至少两个乙烯系不饱和烃基和至少两个硅烷醇基的第一有机聚硅氧烷、不含乙烯系不饱和烃基而在1分子中具有至少两个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、及氢化硅烷化催化剂的第四热固化性有机硅树脂组合物等。

作为缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物，优选列举出第一热固化性有机硅树脂组合物。

在第一热固化性有机硅树脂组合物中，硅烷醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物及含环氧基硅化合物为缩合原料（供给于缩合反应的原料），乙烯系硅化合物及有机氢硅氧烷为加成原料（供给于加成反应的原料）。

硅烷醇基两末端聚硅氧烷为在分子的两末端含有硅烷醇基（SiOH基）的有机硅氧烷，具体而言用下述通式（1）表示。

通式（1）：

（通式（1）中，R¹表示选自饱和烃基及芳香族烃基的1价烃基。另外，n表示1以上的整数。）

上述通式（1)中，R¹表示的1价烃基中，作为饱和烃基，可列举出：例如碳数1~6的直链状或支链状的烷基（甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、戊基、己基等）、例如碳数3~6的环烷基（环戊基、环己基等）等。

另外，上述通式（1）中，R¹表示的1价烃基中，作为芳香族烃基，可列举出例如碳数6~10的芳基（苯基、萘基）等。

上述通式（1)中，R¹可以相同或不同，优选为相同。

作为1价烃基，优选列举出碳数1~6的烷基、及碳数6~10的芳基，从透明性、热稳定性及耐光性的观点考虑，进一步优选列举出甲基。

上述通式（1)中，从稳定性和/或操作性的观点考虑，n优选为1~10000的整数、进一步优选为1~1000的整数。

其中，上述通式（1）中的n以平均值的形式计算。

作为硅烷醇基两末端聚硅氧烷，具体可列举出：硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷、硅烷醇基两末端聚甲基苯基硅氧烷、硅烷醇基两末端聚二苯基硅氧烷等。

这样的硅烷醇基两末端聚硅氧烷可以单独使用、或者也可以组合使用。

另外，在这种硅烷醇基两末端聚硅氧烷中，优选列举出硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷。

硅烷醇基两末端聚硅氧烷可以使用市售品，另外也可以使用利用公知的方法合成的物质。

关于硅烷醇基两末端聚硅氧烷的数均分子量，从稳定性和/或操作性的观点来看，例如为100~1000000、优选为200~100000。数均分子量是利用凝胶渗透色谱法以标准聚苯乙烯换算而计算出的。对于后述的硅烷醇基两末端聚硅氧烷以外的原料的数均分子量，也通过与上述同样的方式计算出。

这种硅烷醇基两末端聚硅氧烷中的硅烷醇基当量例如为0.002~25mmol/g、优选为0.02~25mmol/g。

对于硅烷醇基两末端聚硅氧烷的配合比例，相对于缩合原料100质量份，例如为1~99.99质量份、优选为50~99.9质量份、更优选为80~99.5质量份。

乙烯系硅化合物是兼具乙烯系不饱和烃基、及硅醇缩合反应中的离去基团的硅烷化合物，具体而言，用下述通式（2）表示。

通式（2）：

R²-Si（X¹）₃（2）

（通式（2）中，R²表示1价乙烯系不饱和烃基，X¹表示卤原子、烷氧基、苯氧基、或乙酰氧基。其中，X¹可以相同或不同。）

作为上述通式（2）中R²表示的乙烯系不饱和烃基，可列举出取代或非取代的乙烯系不饱和烃基，例如可列举出烯基、环烯基等。

作为烯基，例如可列举出：乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等碳数2~10的烯基。

作为环烯基，例如可列举出环己烯基、降冰片烯基等碳数3~10的环烯基。

作为乙烯系不饱和烃基，从与氢化硅烷基的反应性的观点考虑，优选列举出烯基、更优选列举出碳数2~5的烯基、特别优选列举出乙烯基。

上述通式（2）中的X¹为硅醇缩合反应中的离去基团，上述通式（2）中的SiX¹基为硅醇缩合反应中的反应性官能团。

作为上述通式（2）中X¹表示的卤原子，例如可列举出溴、氯、氟、碘等。

作为上述通式（2）中X¹表示的烷氧基，可列举出：例如具有碳数1~6的直链状或支链状的烷基的烷氧基（甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、戊氧基、己氧基等）、例如具有碳数3~6的环烷基的烷氧基（环戊氧基、环己氧基等）等。

上述通式（2）中，X¹可以相同或不同，优选为相同。

在这种上述通式（2）的X¹中，优选列举出烷氧基，进一步优选列举出甲氧基。

作为这样的乙烯系硅化合物，例如可列举出含乙烯系不饱和烃基的三烷氧基硅烷、含乙烯系不饱和烃基的三卤代硅烷、含乙烯系不饱和烃基的三苯氧基硅烷、含乙烯系不饱和烃基的三乙酰氧基硅烷等。

这种乙烯系硅化合物可以单独使用、或者也可以组合使用。

在这种乙烯系硅化合物中，优选列举出含乙烯系不饱和烃基的三烷氧基硅烷。

作为含乙烯系不饱和烃基的三烷氧基硅烷，具体而言，可列举出：乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷等乙烯基三烷氧基硅烷；例如烯丙基三甲氧基硅烷；例如丙烯基三甲氧基硅烷；例如丁烯基三甲氧基硅烷；例如环己烯基三甲氧基硅烷等。

另外，这样的含乙烯系不饱和烃基的三烷氧基硅烷中，优选列举出乙烯基三烷氧基硅烷、进一步优选列举出乙烯基三甲氧基硅烷。

关于乙烯系硅化合物的配合比例，相对于缩合原料100质量份，例如为0.01~90质量份、优选为0.01~50质量份、更优选为0.01~10质量份。

乙烯系硅化合物可以使用市售品，另外，也可以使用利用公知的方法合成的物质。

含环氧基的硅化合物为兼具环氧基及硅醇缩合反应中的离去基团的硅烷化合物，具体而言，用下述通式（3）表示。

通式（3）：

R³-Si（X²）₃（3）

（通式（3）中，R³表示含环氧结构的基团，X²表示卤原子、烷氧基、苯氧基、或乙酰氧基。其中，X²可以相同或不同。）

通式（3）中，作为R³表示的含环氧结构的基团，可列举出例如环氧基、例如缩水甘油醚基、例如环氧环己基等环氧环烷基等。

在这种含环氧结构的基团中，优选列举出缩水甘油醚基。缩水甘油醚基具体为下述通式（4）表示的环氧丙氧基烷基。

通式（4）：

（通式（4）中，R⁴表示选自饱和烃基及芳香族烃基的2价烃基。）

上述通式（4）中，R⁴表示的2价烃基中，作为饱和烃基，可列举出：例如碳数1~6的亚烷基（亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基等）、例如碳数3~8的环亚烷基（环亚戊基、环亚己基等）等。

另外，上述通式（4）中，R⁴表示的2价烃基中，作为芳香族烃基，例如可列举出碳数6~10的亚芳基基（亚苯基、亚萘基等）等。

作为这种2价烃基，优选列举出碳数1~6的亚烷基、进一步优选列举出亚丙基。

作为缩水甘油醚基，具体可列举出环氧丙氧基甲基、环氧丙氧基乙基、环氧丙氧基丙基、环氧丙氧基环己基、环氧丙氧基苯基等。

在这种缩水甘油醚基中，优选列举出环氧丙氧基丙基。

上述通式（3）中的X²为硅醇缩合反应中的离去基团，上述通式（3）中的SiX²基为硅醇缩合反应中的反应性官能团。

作为上述通式（3）中X²表示的卤原子，可列举出与上述通式（2）的X¹表示的卤原子相同的卤原子。

作为上述通式（3）中X²表示的烷氧基，可列举出与上述通式（2）的X¹表示的烷氧基相同的烷氧基。

上述通式（3）中，X²可以相同或不同，优选为相同。

作为这种上述通式（3）的X²，优选列举烷氧基，进一步优选列举甲氧基。

作为这种含环氧基的硅化合物，例如可列举出：含环氧基的三烷氧基硅烷、含环氧基的三卤代硅烷、含环氧基的三苯氧基硅烷、含环氧基的三乙酰氧基硅烷等。

这种含环氧基的硅化合物可以单独使用，也可以组合使用。

另外，在这种含环氧基的硅化合物中，优选列举出含环氧基的三烷氧基硅烷。

作为含环氧基的三烷氧基硅烷，具体可列举出：环氧丙氧基甲基三甲氧基硅烷、（2-环氧丙氧基乙基）三甲氧基硅烷、（3-环氧丙氧基丙基）三甲氧基硅烷等环氧丙氧基烷基三甲氧基硅烷；例如（3-环氧丙氧基丙基）三乙氧基硅烷、例如（3-环氧丙氧基丙基）三丙氧基硅烷、例如（3-环氧丙氧基丙基）三异丙氧基硅烷等。

另外，在这种含环氧基的三烷氧基硅烷中，优选列举出环氧丙氧基烷基三烷氧基硅烷、更优选列举出（3-环氧丙氧基丙基）三甲氧基硅烷。

对于含环氧基的硅化合物的配合比例，相对于缩合原料100质量份，例如为0.01~90质量份、优选为0.01~50质量份、进一步优选为0.01~1质量份。

含环氧基的硅化合物可以使用市售品，另外，也可以使用按照公知的方法合成的物质。

硅烷醇基两末端聚硅氧烷的硅烷醇基（SiOH基）与乙烯系硅化合物及含环氧基的硅化合物的反应性官能团（SiX¹基及SiX²基）的摩尔比（SiOH/（SiX¹＋SiX²））例如为20/1~0.2/1、优选为10/1~0.5/1、进一步优选实质为1/1。

摩尔比超过上述上限的情况下，将第一热固化性有机硅树脂组合物制成半固化状态时，有时无法得到具有适度的韧性的半固化状物（半固化物），另一方面，摩尔比不足上述下限的情况下，乙烯系硅化合物及含环氧基的硅化合物的配合比例过多，因此，有时所得的封装树脂层3的耐热性会降低。

另外，摩尔比在上述范围内（优选实质上为1/1)时，可以使硅烷醇基两末端聚硅氧烷的硅烷醇基（SiOH基）、与乙烯系硅化合物的反应性官能团（SiX¹基）及含环氧基的硅化合物的反应性官能团（SiX²基）适量地进行缩合反应。

乙烯系硅化合物与含环氧基的硅化合物的摩尔比例如为10/90~99/1、优选为50/50~97/3、更优选为80/20~95/5。

摩尔比在上述范围内时，具有能够确保固化物的强度、并且提高粘接性的优点。

有机氢硅氧烷是不含乙烯系不饱和烃基且在1分子中具有至少两个氢化硅烷基的有机硅氧烷。

关于有机氢硅氧烷，具体而言，可列举出含氢侧链有机聚硅氧烷、氢两末端有机聚硅氧烷等。

含氢侧链有机聚硅氧烷是具有氢原子作为从主链分支的侧链的有机氢硅氧烷，例如可列举出：甲基氢聚硅氧烷、二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷、乙基氢聚硅氧烷、甲基氢聚硅氧烷-共聚-甲基苯基聚硅氧烷等。

含氢侧链有机聚硅氧烷的数均分子量例如为100~1000000。

另外，氢两末端有机聚硅氧烷是在主链的两末端具有氢原子的有机氢硅氧烷，例如可列举出氢化硅烷基两末端聚二甲基硅氧烷、氢化硅烷基两末端聚甲基苯基硅氧烷、氢化硅烷基两末端聚二苯基硅氧烷等。

关于氢两末端有机聚硅氧烷的数均分子量，从稳定性和/或操作性的观点考虑，例如为100~1000000、优选为100~100000。

这种有机氢硅氧烷可以单独使用、或者也可以组合使用。

另外，在这种有机氢硅氧烷中，优选列举出含氢侧链有机聚硅氧烷，进一步优选列举出二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷。

有机氢硅氧烷在25℃下的粘度例如为10~100000mPa·s、优选为20~50000mPa·s。其中，粘度利用E型粘度计（转子的种类：1”34’×R24、转速10rpm）测定。对后述的有机氢硅氧烷以外的原料或者组合物的粘度，也通过与上述同样的方式算出。

有机氢硅氧烷中的氢化硅烷基当量例如为0.1~30mmol/g、优选为1~20mmol/g。

有机氢硅氧烷可以使用市售品，另外也可以使用按照公知的方法合成的物质。

有机氢硅氧烷的配合比例虽也取决于乙烯系硅化合物的乙烯系不饱和烃基（上述通式（2）的R²）和有机氢硅氧烷的氢化硅烷基（SiH基）的摩尔比，但例如，相对于乙烯系硅化合物100质量份，例如为10~10000质量份、优选为100~1000质量份。

另外，乙烯系硅化合物的乙烯系不饱和烃基（上述通式（2）的R²）与有机氢硅氧烷的氢化硅烷基（SiH基）的摩尔比（R²/SiH）例如为20/1~0.05/1、优选为20/1~0.1/1、更优选为10/1~0.1/1、特别优选为10/1~0.2/1、最优选为5/1~0.2/1。另外，例如可以设定为不足1/1、且为0.05/1以上。

摩尔比超过20/1的情况下，将第一热固化性有机硅树脂组合物制成半固化状态时，有时无法得到具有适度的韧性的半固化物，摩尔比不足0.05/1的情况下，有机氢硅氧烷的配合比例过多，因此，有时所得的封装树脂层3的耐热性及韧性会变得不充分。

另外，摩尔比不足1/1且为0.05/1以上时，将第一热固化性有机硅树脂组合物制成半固化状态时，与摩尔比为20/1~1/1的第一热固化性有机硅树脂组合物相比，能够迅速地向半固化状态转移。

第一热固化性有机硅树脂组合物通过将上述硅烷醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基的硅化合物及有机氢硅氧烷与催化剂一起配合并进行搅拌混合来制备。

作为催化剂，例如可列举出缩合催化剂及加成催化剂（氢化硅烷化催化剂）等。

缩合催化剂只要是使硅烷醇基与反应性官能团（上述通式（2）的SiX¹基及上述通式（3）的SiX²基）的缩合反应的反应速度提高的物质就没有特别限定，可列举出：例如盐酸、醋酸、甲酸、硫酸等酸，例如氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钾、四甲基氢氧化铵等碱，例如铝、钛、锌、锡等金属等。

这种缩合催化剂可以单独使用、或者也可以组合使用。

另外，在这种缩合催化剂中，从相容性及热分解性的观点考虑，优选列举出碱、进一步优选列举出四甲基氢氧化铵。

关于这种缩合催化剂的配合比例，相对于硅烷醇基两末端聚硅氧烷100摩尔，例如为0.1~50摩尔、优选为0.5~5摩尔。

加成催化剂只要是使加成反应、即乙烯系不饱和烃基与SiH的氢化硅烷化反应的反应速度提高的物质就没有特别限定，可列举出：例如铂黑、氯化铂、氯铂酸、铂-烯烃络合物、铂-羰基络合物、乙酰乙酸酯合铂等铂催化剂，例如钯催化剂、铑催化剂等金属催化剂。

这种加成催化剂可以单独使用、或者也可以组合使用。

另外，在这种加成催化剂中，从相容性、透明性及催化活性的观点考虑，优选列举出铂催化剂、进一步优选列举出铂-羰基络合物。

对于加成催化剂的配合比例，以加成催化剂的金属量的质量份数计，相对于有机氢硅氧烷100质量份，例如为1.0×10^-4~1.0质量份、优选为1.0×10^-4~0.5质量份、进一步优选为1.0×10^-4~0.05质量份。

其中，上述催化剂也可以直接使用固体状态的物质，或者，从操作性的观点考虑，也可以以溶解或分散在溶剂中的溶液或分散液的形式使用。

作为溶剂，可列举出：例如甲醇、乙醇等醇，例如硅氧烷等硅化合物，例如己烷等脂肪族烃，例如甲苯等芳香族烃，例如四氢呋喃（THF）等醚等有机溶剂。另外，作为溶剂，还可以列举出例如水等水系溶剂。

作为溶剂，在催化剂为缩合催化剂时，优选列举出醇，在催化剂为加成催化剂时，优选列举出硅化合物及芳香族烃。

制备第一热固化性有机硅树脂组合物时，例如，可以一次性加入上述原料（缩合原料及加成原料）、和催化剂，或者，也可以在不同的时机分别加入各原料及各催化剂。进而，还可以一次性加入一部分成分，然后再在不同的时机分别加入剩余的各成分。

在这种第一热固化性有机硅树脂组合物的制备方法中，优选列举出以下的方法：首先，一次性加入缩合原料及缩合催化剂，接着，加入加成原料，之后，加入加成催化剂。

具体而言，将硅烷醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物及含环氧基的硅化合物（即缩合原料）、与缩合催化剂以上述比例一次性配合，然后将它们搅拌例如5分钟~24小时。

另外，在配合及搅拌时，为了提高缩合原料的相容性及操作性，例如可以将温度调整为0~60℃、优选10~40℃。

其后，根据需要对体系进行减压，由此去除挥发成分（有机溶剂）。

接着，在得到的缩合原料及缩合催化剂的混合物中配合有机氢硅氧烷，搅拌例如1~120分钟。

在配合及搅拌时，为了提高混合物及有机氢硅氧烷的相容性及操作性，例如可以将温度调整为0~60℃。

其后，在体系中配合加成催化剂，搅拌例如1~60分钟。

由此，可以制备第一热固化性有机硅树脂组合物。

制备的第一热固化性有机硅树脂组合物例如为常温液状（油状）。

第一热固化性有机硅树脂组合物在25℃下的粘度例如为1000~50000mPa·s、优选为4000~20000mPa·s。

缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物例如为常温液状（油状），通过如后所述涂布在基材4的表面之后进行加热，缩合原料发生缩合反应，从而制备。并且，由缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物形成的封装树脂层3在埋设后述的发光二极管元件2后（参照图1的（b）），进一步加压及加热，由此，加成原料发生加成反应，形成固化后的封装树脂层3（参照图1的（c））。

具体而言，第一热固化性有机硅树脂组合物例如含有：硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷、乙烯基三甲氧基硅烷、（3-环氧丙氧基丙基）三甲氧基硅烷及二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷，第二热固化性有机硅树脂组合物例如含有：二甲基乙烯基甲硅烷基末端聚二甲基硅氧烷、三甲基甲硅烷基末端二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物、二乙烯基四甲基二硅氧烷合铂络合物、及四甲基氢氧化铵，第三热固化性有机硅树脂组合物例如含有：氢末端乙烯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、三甲基硅氧基末端二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物、铂-羰基络合物、及四甲基氢氧化铵，第四热固化性有机硅树脂组合物例如含有：羟基末端乙烯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、三甲基硅氧基末端二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物、铂-羰基络合物、及四甲基氢氧化铵。

另外，封装树脂组合物中也可以含有微粒。

作为微粒，可列举出：例如有机硅微粒等有机微粒，例如二氧化硅微粒（例如气相二氧化硅微粒等）、滑石微粒、氧化铝微粒、氮化铝微粒、氮化硅微粒等无机微粒。另外，作为无机微粒，还可以列举出荧光体微粒。

微粒可以单独使用同一种类或组合使用不同种类。

作为微粒，优选列举出无机微粒、更优选列举出荧光体微粒。

荧光体微粒为具有波长转换功能的微粒，例如可列举出能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体微粒、能够将蓝色光转换成红色光的红色荧光体微粒等公知的荧光体微粒。

作为黄色荧光体微粒，可列举出：例如Y₃Al₅O₁₂:Ce（YAG（钇·铝·石榴石）:Ce）、Tb₃Al₃O₁₂:Ce（TAG（铽·铝·石榴石）:Ce）等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体微粒、例如Ca-α-SiAlON等氧氮化物荧光体微粒等。

作为红色荧光体微粒，例如可列举出CaAlSiN₃：Eu、CaSiN₂：Eu等氮化物荧光体微粒等。

优选列举出黄色荧光体微粒。

作为微粒的形状，例如可列举出球状、片状、针状等。从流动性的观点考虑，优选列举出球状。

微粒的最大长度的平均值（为球状时为平均粒径）例如为0.1~200μm，从光学特性及操作性的观点考虑，优选为1~100μm。最大长度的平均值使用激光衍射散射式粒度分布计来测定。

关于微粒的配合比例，相对于有机硅树脂100质量份，例如为0.1~80质量份，从确保流动性的观点考虑，优选为0.5~50质量份。

进而，在上述封装树脂组合物中，根据需要，可以以适合的比例添加硅烷偶联剂、抗老化剂、改性剂、表面活性剂、染料、颜料、防变色剂、紫外线吸收剂等公知的添加物。

制备封装树脂组合物时，以上述配合比例配合树脂、根据需要使用的微粒、和根据需要使用的添加剂，并混合。

作为混合条件，温度例如为10~40℃、优选为15~35℃，时间例如为10分钟以上、优选为30分钟以上。

封装树脂组合物的粘度例如在25℃下为1000~100000mPa·s、优选为5000~50000mPa·s。

树脂组合物的粘度不足上述下限时，有时成形性或加工性变得不充分，粘度超过上述上限时，有时操作性（涂布性）降低。

之后，对涂布的树脂组合物进行加热。

加热温度例如为40~150℃、优选为60~140℃，加热时间例如为1分钟~24小时、优选为10分钟~12小时。

其中，在树脂组合物为热固化性树脂时，加热温度设定为封装树脂层3不完全固化的温度。

通过上述加热，在树脂组合物为热固化性树脂时，封装树脂层3成为半固化状态（B阶）。

即，树脂组合物由缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物形成时，通过加热，发生缩合反应（硅醇缩合），成为半固化状态（B阶）。

关于封装树脂层3在25℃下的压缩弹性模量，例如从封装性及操作性的观点考虑，为0.01~1MPa、优选为0.01~0.5MPa、进一步优选为0.01~0.2MPa。

封装树脂层3的压缩弹性模量不足上述范围时，有时封装树脂层3的形状保持性降低。另一方面，封装树脂层3的压缩弹性模量超过上述范围时，有时在基板上埋设通过引线键合连接的发光二极管元件2时，引线会损伤。

封装树脂层3的压缩弹性模量通过使用精密载荷测定机的压缩试验求出。

另外，关于封装树脂层3的压缩弹性模量，在封装树脂组合物为热固化性树脂时，测定B阶的封装树脂层3的压缩弹性模量。

对封装树脂层3的厚度没有特别限定，以在后述的发光二极管元件2的封装时能够埋设发光二极管元件2的方式适当调整。

封装树脂层3的厚度例如为50~5000μm、优选为100~1000μm。封装树脂层3的厚度不足上述范围时，有时无法埋设（包埋）发光二极管元件2（尤其是发光二极管元件被引线键合时，发光二极管元件2及引线）。

封装树脂层3的厚度不足上述范围时，有时发光二极管元件2的封装变得不充分。

这种封装树脂层3可以由1层形成、或者也可以由多层形成。

由此，如图2的（b）所示，准备具备基材4、和形成于其表面的封装树脂层3的封装片5。

然后，在该方法中，如图1的（a）及图1的（b）所示，将发光二极管元件2埋设在封装树脂层3中（埋设工序）。

发光二极管元件2例如安装在基板6上。

基板6通过例如由铝等形成的金属板、例如由聚酰亚胺树脂等形成的树脂板形成。

在基板6上，在其表面设有端子（未图示），在中央部分安装发光二极管元件2。

其中，发光二极管元件2通过引线键合或者倒装法与基板6的端子电连接。

发光二极管元件2例如是能够发出蓝色光的光半导体元件（具体而言为蓝色发光二极管元件），形成为剖面大致矩形形状。

发光二极管元件2形成为俯视大致矩形平板状，其一边的长度例如为0.1~5mm，厚度例如为10~1000μm。

将发光二极管元件2埋设在封装树脂层3中时，如图1的（a）所示，首先，使封装片5与基板6相对配置。具体而言，使封装树脂层3与发光二极管元件2相对配置。即，封装树脂层3及发光二极管元件2以封装树脂层3的中央部与发光二极管元件2相对的方式定位。其中，封装片5及基板6也可以通过未图示的吸引装置等来支撑。

接着，如图1的（a）的箭头所示，使封装片5下降（压下）、利用封装树脂层3被覆发光二极管元件2的表面。

更具体而言，对基板6压接封装片5。

由此，将发光二极管元件2埋设在封装树脂层3中。

基于封装片5的压下将发光二极管元件2埋设在封装树脂层3中时，例如使用加压装置、层压装置等压接装置等。

作为压接装置，优选使用加压装置。

作为加压装置，可列举出：例如压制装置等在常压常温气氛下对对象物进行加压的常压常温气氛下加压装置，例如热压制装置等在常压常温气氛下对对象物进行加压及加热的常压常温气氛下加压加热装置，例如真空压制装置等在减压常温气氛下对对象物进行加压的减压常温气氛下加压装置，例如真空热压制装置等在减压常温气氛下对对象物进行加压及加热的减压常温气氛下加压加热装置等。

作为加压装置，优选列举出常压常温气氛下加压加热装置、减压常温气氛下加压装置。

另外，使用减压常温气氛下加压装置或减压常温气氛下加压加热装置时，可以将封装树脂层3的树脂组合物中溶存的空气从树脂组合物中有效地去除，有效地防止封装树脂层3中产生孔隙。

使用上述各种加压装置时，压制封装片5及基板6的压力（压制压力）例如为0.01~10MPa、优选为0.05~5MPa。

另外，使用常压常温气氛下加压加热装置或减压常温气氛下加压加热装置时，加热温度为例如超过常温（25℃）且在180℃以下，优选超过常温且在150℃以下。其中，封装树脂组合物为热固化性树脂、压接的封装树脂层3为B阶时，设定为封装树脂层3未完全固化的温度。

进而，使用减压常温气氛下加压装置或减压常温气氛下加压加热装置时，装置内的压力（气压）例如为0.01~100hPa、优选为0.01~10hPa。

压接时间例如为0.1~60分钟、优选为0.1~20分钟。

具体而言，将封装片5及基板6安装在上述压接装置上，使其在上述条件下工作。

接着，在该方法中，参照图1的（c）所示，边利用气体对埋设有发光二极管元件2的封装树脂层3加压边进行加热（气体加压·加热工序）。

利用气体对封装树脂层3加压时，例如使用高压釜等在高压高温气氛下进行处理的高压高温气氛下处理装置等。

高压高温气氛下处理装置利用例如空气、氮气、二氧化碳等气体对封装树脂层3进行加压。优选利用空气对封装树脂层3进行加压。

在高压高温气氛下处理装置中，压力以表压计例如为2~20个大气压（0.2026~2.026MPa）、优选为5~10个大气压（0.5065~10.13MPa）。

压力不足上述范围时，有时不能有效防止封装树脂层3中产生孔隙。另一方面，压力超过上述范围时，有时不能充分确保安全性。

在高压高温气氛下处理装置中，温度例如为80~200℃、优选为120~180℃。

加热及加压的时间例如为0.1~24小时、优选为0.5~5小时。

具体而言，将埋设有发光二极管元件2的封装树脂层3放置在高压高温气氛下处理装置中，使其在规定条件下工作。

接着，在封装树脂组合物为热固化性树脂、封装树脂层3为B阶时，通过边利用气体加压边进行加热，封装树脂层3成为C阶（即完全固化）。

即，封装树脂层3的封装树脂组合物为缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物时，加成原料发生加成反应，形成固化后的封装树脂层3。

由此，边利用气体对埋设有发光二极管元件2的封装树脂层3加压边进行加热，从而利用封装树脂层3封装发光二极管元件2。

其后，在该方法中，如图1的（c）的虚线所示，将基材4从封装树脂层3剥离。

由此，得到具备基板6、安装在基板6上的发光二极管元件2、和埋设发光二极管元件2的封装树脂层3的发光二极管装置1。

其后，根据需要，也可以在封装树脂层3的表面设置例如荧光体层、光扩散层等功能层，在这里没有图示。

然后，根据该发光二极管装置1的制造方法，边利用气体对埋设有发光二极管元件2的封装树脂层3加压边进行加热。

因此，即使压力高且加热时间长，也能抑制对装置、具体为高压高温气氛下处理装置的载荷。

另外，由于利用气体进行加压，因此，即使在压力升高的情况下也能使施加在发光二极管元件2上的挤压力均一，因此，能够抑制发光二极管元件2的损伤及封装树脂层3中的孔隙的产生。

需要说明的是，在图1的（a）的实施方式中，1个基板6安装有1个发光二极管元件2，但例如也可以安装有多个发光二极管装置1，这在此没有图示。这种情况下，参照图1的（c）所示，边利用气体对封装树脂层3加压边进行加热后，通过切割将各发光二极管装置1单片化。

另外，虽然未图示，但可以以辊对辊等连续方式实施图1的（a）及图1的（b）的各工序，或者也可以以间歇方式实施。

实施例

以下示出制备例、实施例及比较例，对本发明进行更具体的说明，但本发明并不限定于此。

制备例1

缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物的制备

相对于硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷（硅烷醇基两末端聚硅氧烷，通式（1)中，R¹全部为甲基、n的平均为155、数均分子量11500、硅烷醇基当量0.174mmol/g）2031g（0.177摩尔），配合乙烯基三甲氧基硅烷（乙烯系硅化合物）15.71g（0.106摩尔）、及（3-环氧丙氧基丙基）三甲氧基硅烷（含环氧基的硅化合物）2.80g（0.0118摩尔），进行搅拌混合。

其中，硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷的SiOH基与乙烯基三甲氧基硅烷及（3-环氧丙氧基丙基）三甲氧基硅烷的SiOCH₃基的摩尔比（SiOH基的摩尔数/SiOCH₃基的总摩尔数）为1/1。

搅拌混合后，添加四甲基氢氧化铵的甲醇溶液（缩合催化剂、浓度10质量%）0.97mL（0.766g，催化剂含量：0.88毫摩尔，相对于硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷100摩尔相当于0.50摩尔），在40℃下搅拌1小时。其后，边将它们在40℃的减压下（10mmHg）搅拌1小时边去除挥发成分（甲醇等）。

其后，将体系恢复常压后，在反应物中添加有机氢硅氧烷（信越化学工业公司制造、二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷、数均分子量2000、氢化硅烷基当量7.14mmol/g）44.5g（0.022摩尔），在40℃下搅拌1小时。

其中，乙烯基三甲氧基硅烷的乙烯基（CH₂＝CH-）和有机氢硅氧烷的氢化硅烷基（SiH基）的摩尔比（CH₂＝CH-/SiH）为1/3。

其后，在体系中添加铂-羰基络合物的硅氧烷溶液（加成催化剂、铂浓度2质量%）0.13g（0.13mL、铂含量2质量%，以铂计，相对于有机氢硅氧烷100质量份相当于5.8×10^-3质量份），在40℃下搅拌10分钟，得到常温液状的热固化型有机硅树脂组合物（缩合·加成反应固化型）。

实施例1

树脂组合物的制备

配合制备例1的热固化型有机硅树脂组合物100质量份、和YAG：Ce（球状、平均粒径10μm）26质量份，制备常温液状的封装树脂组合物。

通过刮刀涂布法将制备的封装树脂组合物涂布在由PET薄膜形成的基材（参照图2的（a））的整个表面，然后，在135℃下加热20分钟，从而制作具备基材及层叠于其表面的厚度600μm的B阶的封装树脂层的封装片（参照图2的（b））。

其后，将封装片切成5cm见方，相对于在5cm见方的区域安装有25个蓝色发光二极管元件（大小0.35mm×0.35mm）的基板，将封装片定位，使它们相对配置（参照图1的（a））。

然后，将封装片及基板安装在压制装置中，在常温常压气氛下以压制压力0.1MPa压接1分钟，从而将蓝色发光二极管元件埋设在封装树脂层中（埋设工序、参照图1的（b））。

其后，将封装片及基板安装在高压釜中，在7.5个大气压（表压：0.759MPa）、150℃下加热2小时。由此，使封装树脂层完全固化，用封装树脂层封装蓝色发光二极管元件（气体加压·加热工序、参照图1的（c））。

由此，制造发光二极管装置。

其后，将基材从封装树脂层剥离（参照图1的（c）的虚线），其后，进行切割，将各蓝色发光二极管元件单片化。

实施例2

代替埋设工序中的压制装置，使用真空压制装置，在常温减压气氛下进行压制，除此以外，与实施例1同样地处理，将蓝色发光二极管元件埋设在封装树脂层中，然后，使封装树脂层完全固化，之后，制造发光二极管装置。

其中，真空压制装置的减压条件为1hPa（0.0001MPa）。

实施例3

将气体加压·加热工序中的高压釜的加压条件从7.5个大气压（表压：0.759MPa）变更为5.0个大气压（表压：0.507MPa），除此以外，与实施例1同样地处理，使封装树脂层完全固化，然后，制造发光二极管装置。

实施例4

将气体加压·加热工序中的高压釜的加压条件从7.5个大气压（表压：0.759MPa）变更为1.8个大气压（表压：0.182MPa），除此以外，与实施例1同样地处理，使封装树脂层完全固化，然后，制造发光二极管装置。

比较例1

代替气体加压·加热工序中的高压釜，使用热风型烘箱，在常温气氛下、150℃下加热2小时，除此以外，与实施例1同样地处理，使封装树脂层完全固化，然后，制造发光二极管装置。

比较例2

代替气体加压·加热工序中的高压釜，使用压制装置，在常压气氛下、0.182MPa（压制压力：相当于1.8个大气压）、150℃下加热2小时，除此以外，与实施例4同样地处理，使封装树脂层完全固化，然后，制造发光二极管装置。

比较例3

代替气体加压·加热工序中的高压釜，使用压制装置，在常压气氛下、0.507MPa（压制压力：相当于5个大气压）、150℃下加热2小时，除此以外，与实施例4同样地处理，尝试使封装树脂层完全固化。

但是，封装片发生变形·应变，无法得到目标发光二极管装置。

评价

（1）蓝色发光二极管元件的损伤

观察实施例1~4、比较例1及2的发光二极管装置的蓝色发光二极管元件，按照下述的评价基准进行评价。将其结果示于表1。

○：未观察到蓝色发光二极管元件的损伤。

×：观察到蓝色发光二极管元件的损伤。

（2）封装树脂层中的孔隙

○：封装树脂层中未观察到孔隙。

△：封装树脂层中观察到极少数的孔隙。

×：封装树脂层中观察到孔隙。

（3）封装树脂层的压缩弹性模量

在25℃下利用精密载荷测定机（型号1605II VL、AIKOHENGINEERING CO.,LTD.制造）测定B阶的封装树脂层的压缩弹性模量。

其结果为0.04MPa。

表1

需要说明的是，上述说明以本发明例示的实施方式的形式提供，但这仅仅是例示，不做限定性解释。对本领域技术人员显而易见的本发明的变形例包含在上述权利要求的范围内。

Claims

1.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，

其为制造发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置的方法，

所述方法包括如下工序：

准备封装树脂层的工序；

将发光二极管元件埋设在所述封装树脂层中的工序；以及

边利用气体对埋设有所述发光二极管元件的所述封装树脂层加压、边进行加热的工序。

2.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述封装树脂层由B阶的热固化性树脂形成。

3.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述封装树脂层在25℃下的压缩弹性模量为0.01~1MPa。

4.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，在边利用气体对所述封装树脂层加压、边进行加热的工序中，以2~20个大气压对所述封装树脂层进行加压。

5.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，在边利用气体对所述封装树脂层加压、边进行加热的工序中，通过高压釜对所述封装树脂层边加压边加热。

6.一种发光二极管装置，其特征在于，

其是发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置，其通过包括如下工序的发光二极管装置的制造方法制造：

准备封装树脂层的工序；

将发光二极管元件埋设在所述封装树脂层中的工序；以及