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CN101248506B - 处理气流的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了一种用于处理来自多晶硅蚀刻过程的废气的方法，该方法采用等离子消除装置用以处理气体。该装置包括具有用于接收气体的气体入口以及气体出口的不锈钢气室。由于气体可包含卤代化合物和水蒸气，故气室被加热至抑制在气室内的表面上吸收水的温度，由此抑制气室的腐蚀。然后气体被传向气室以便处理，而气室温度维持在处理气体时的所述温度以上。

Description

处理气流的方法
本发明涉及一种使用等离子消除装置(plasma abatement device)处理气流的方法。本发明尤其适于处理从多晶硅蚀刻过程中排出的气流。
在半导体或平板显示装置的形成期间，向各种处理室供给各种不同的处理气体。化学气相沉积(CVD)被用来在位于沉积室内的基片或晶片的表面上沉积薄膜或层。在促使在表面处发生化学反应的条件下，该处理通过通常使用运载气体向沉积室供给一种或多种反应气体而对基片的表面产生作用。例如，可向沉积室供给TEOS(四乙基原硅酸盐)以及氧气和臭氧中的一种以便在基片上形成二氧化硅层，并且可供给硅烷和氨以便形成氮化硅层。多晶硅通过硅烷或氯硅烷因加热产生的分解而沉积在基片上。
气体也向蚀刻室供给以便对沉积层的区域实施选择性地蚀刻，例如在形成电极、半导体装置的源极区和漏极区的期间。蚀刻气体可包括诸如CF4(四氟化碳)、CHF3(三氟甲烷)和NF3(三氟化氮)的全氟化合物，诸如HCl(氯化氢)、HBr(溴化氢)、BCl3(三氯化硼)和Br2(溴气)的其它卤代化合物(halocompound)以及其组合。例如，CF4通常用来在氮化层区或氧化层区内形成开口，该氮化层或氧化层形成在多晶硅层上方并通过光阻材料层而曝露，而HBr和Cl2(氯气)的混合物则通常随后用来蚀刻已曝露的多晶硅。
蚀刻气体可同光阻材料反应从而形成需要周期性地从蚀刻室中除去的沉淀物和焦油，因此通常包括SF6(六氟化硫)和氧气的清洁气体被周期性地供给到蚀刻室以便从蚀刻室中除去不需要的材料。
在蚀刻室内执行这些蚀刻过程和清洁处理时，在来自蚀刻室的废气内通常包含有向蚀刻室供给的残留量的气体。诸如CF4和SF6的全氟化合物(perfluorocompound)如果排到大气中将会非常危险，因此考虑到这点，在废气向大气排放之前，常常提供消除装置以便对废气进行处理。消除装置将废气中的大部分有害成分转换成例如通过惯常的洗涤便可轻易地从废气中除去的物质，和/或转换成可安全地排到大气中的物质。
使用微波等离子消除装置可高效地从气流中除去诸如CF4、SF6、NF3和C2F6(六氟乙烷)的全氟化合物(PFCs)。在英国专利GB2273027中描述了一种微波等离子反应器的示例。在该装置内，波导(waveguide)将微波辐射从微波发生器传送到气室内，该气室容纳两个处于紧密对置关系的电极。待处理的气体经由气体入口流进气室，并从电极之间经过，因而微波等离子自气体在电极之间流动起便被启动并保持在电极之间。电极中的一个具有轴向孔以便提供来自气室的气体出口。在等离子内的强化情况下，气流内的物质经受高能电子的冲击从而分裂成可同氧气或氢气化合的活性物质以便生成相对稳定的副产物。
包含在气流内用于同各种物质起反应的方便的氧气源和氢气源，是可轻易地从消除装置的上游添加到气流中的水蒸气。例如，CF4同水蒸气的反应将会形成CO2(二氧化碳)和HF(氟化氢)，而Cl2可在气室内形成HCl。通过位于消除装置下游的湿的洗涤器，可随后从气流中除去HF、HCl和HBr。
等离子消除装置的各种部分(例如电极、电极支架以及气室内表面中的一个或多个)通常由不锈钢形成。除了铁、碳和铬之外，不锈钢还可包括其它元素，例如镍、钼、铌和钛。当存在空气时，形成了惰性的氧化层，该氧化层保护了下方的不锈钢免于受到腐蚀。然而，当存在诸如HF、HCl和HBr的酸性气体时，惰性层可被剥离从而露出下方的不锈钢。例如，HF可作为在气室内处理全氟化合物的副产物而存在于气室中，而HCl和HBr可包含在蚀刻过程期间来自处理室的废气中。
一旦镍氧化层被除去，当潮湿水平超过数个ppm(百万分之一)时则HBr和HCl可同不锈钢内包含的金属反应。由于吸收在不锈钢表面上的水，这些反应的副产物可剥蚀(degrade)气室和电极，这会降低消除装置的效率。
本发明至少优选实施例的目的是使用等离子消除装置提供一种处理气流的改进方法，该气流包含变化的量的诸如HBr、HCl、Br2和Cl2的全氟化合物和水蒸气。
在第一方面，本发明提供了一种处理包含变化的量的卤代化合物和水蒸气的方法，该方法包括步骤：提供等离子消除装置，该等离子消除装置包括具有用于接收气体的气体入口以及气体出口的气室，将气室加热至抑制在气室内的不锈钢表面上吸收水的温度，向气室传送气体以便在气室内对其处理，以及在处理气体时将气室维持在或高于所述温度。
通过以该种方式加热气室以便防止在气室内的任何不锈钢表面上吸收水，可抑制诸如HBr和HCl的腐蚀性卤化氢、Br2或Cl2与包含在不锈钢内的金属反应，这是因为不存在足够的湿气用于发生反应。我们已发现，保持气室超过120摄氏度的温度可大大提高曝露于经过气室的气体的任何不锈钢部件的寿命。这不同于简化将气室加热至露点上方，这是因为如果气室温度没有足够地加热到露点上方以便抑制不锈钢表面上的水吸收时，在不锈钢表面处仍会发生水吸收。
为了防止气室的过热，气室优选保持在120摄氏度至350摄氏度的温度范围内，更优选地保持在120摄氏度至180摄氏度之间。通过经由室的温度控制回路流动传热流体以便控制气室温度和流体温度，可方便地将气室维持在该温度范围内。室的温度控制回路可部分地位于气室的壁内，例如在气室的上方、下方或者包绕气室。优选实施例中，室的温度控制回路在气体出口附近延伸。
通过经由热交换机构流动流体并控制热交换机构用以控制流体温度，从而可控制流体的温度。传热流体通过第一热交换器可选择性地冷却到优选低于120摄氏度的第一流体温度，且通过第二热交换器可选择性地加热到高于第一流体温度的第二流体温度。第一热交换器可以是用于从热流体中散失热的被动装置例如温度控制回路的非绝缘管，或者是通过控制器控制的主动装置。第二热交换器优选为通过控制器控制的主动装置。回路可构造成使得传热流体取决于气室温度流经两个热交换器或流经所选的热交换器中的一个。该温度可使用位于气室壁上的温度传感器进行监控。传热流体可通过热油、透热性的流体或其它的热流体而提供。
在向气室供给气体之前可通过传热流体将气室初始地加热至所述温度。备选地，通过运行消除装置可对气室加热，该消除装置使用外部加热装置或以任何其它的便利方式，可产生用于处理气流的等离子以及向气室传输热。
在优选实施例中，等离子消除装置包括微波等离子消除装置，但本发明还可应用气体类型的等离子消除装置，例如等离子炬消除装置，该等离子消除装置可具有不锈钢电极和/或不锈钢气室。气体优选通过消除装置在大气压力或其附近进行处理。
在第二方面，本发明提供了一种处理包含变化的量的卤代化合物以及水蒸气的气体的方法，该方法包括步骤：提供等离子消除装置，该等离子消除装置包括用于接收气体的气体入口以及气体出口的气室，将气室温度至少加热至120摄氏度，向气室传送气体以便在气室内对其处理，以及在处理气体时将气室温度保持在120摄氏度至350摄氏度的温度范围内。
在第三方面，本发明提供了一种等离子消除装置和热控制机构，该等离子消除装置包括具有气体入口和气体出口的气室，该气体入口用于接收气体以便通过该消除装置进行处理，而该热控制机构用于在处理含卤代化合物和水蒸气的气体时将气室保持在抑制在气室内的不锈钢表面上吸收水的温度。
上文中结合本发明第一方面进行描述的特征同样适用于第二方面和第三方面，反之亦然。
现在将参照附图仅以示例的方式对本发明优选特征进行描述，附图中：
图1为微波等离子消除装置的外部透视图；
图2为图1装置的侧视图；
图3为该装置沿图2的线A-A截取的截面图；
图4为该装置沿图2的线B-B截取的截面图；
图5为图3中标识区域C的放大图；和
图6示出了室的温度控制回路以便控制装置的气室的温度。
参照图1至图4，微波等离子消除装置10包括导电机架12。机架12优选由不锈钢形成。这可以是奥氏体不锈钢，例如304、304L、316、316L或其它的非磁性等级。如图所示，机架12可具有矩形截面。开槽14例如通过机械加工而形成在机架12内，并横过机架12的宽度延伸以便提供消除装置10的共振腔。共振腔14的一端连接至波导16以便将微波辐射从微波发生器(未示出)传送到共振腔14内。共振腔14的另一端连接短回路18。
波导16包括大致矩形的第一本体部20，该第一本体部20具有高度h1和宽度w，高度h1大致平行于经由波导16向共振腔14传送的微波辐射的TE01电场，而宽度w垂直于微波辐射的电场。波导16还包括面对共振腔14的大致矩形的第二本体部22，第二本体部22具有高度h2和宽度w，其中，h2＜h1。在示出示例中，第二本体部具有近似于第一本体部20高度三分之一的高度。
波导16还包括位于第一本体部20和第二本体部22之间宽为w的锥形收缩部24。锥形部24包括邻近高为h1和宽为w的第一本体部20的第一端表面25a，以及邻近高为h2和宽为w的第二本体部22的第二端表面25b。锥形部24还包括第一侧表面25c和第二侧表面25d，该第一侧表面25c和第二侧表面25d在端表面25a、25b之间延伸并与第二侧表面25b成锐角倾斜以便第一本体部20和第二本体部22同轴。锥形部24在微波辐射经由波导16的传播方向上具有长度L，其中，L大约等于微波辐射的波长的一半。
短回路18在共振腔14的相反侧上提供了对波导16的延伸。短回路18包括由端板26所部分限定的室27，端板26与波导16第二本体部22的端部相隔一定距离，以便入射的微波辐射通过端板26而反射从而在共振腔14内形成电磁驻波。端板26相对于波导16第二本体部22的端部的位置可进行调节。
端回路18包括与端板26隔开的调谐器29以便调谐短回路18。在所示实施例中，调谐器包括旋进短回路18顶部表面的螺杆29以便螺杆本体大致垂直于微波辐射经过室27的传播方向延伸进室27内。通过转动螺杆29的头部29a，可在室27内升高和降低螺杆29的端部以便调谐短回路18。
共振腔14含有两个绝缘板构件28、30，该两个绝缘板构件28、30优选由PTFE(聚四氟乙烯)和其它适当材料形成以便在保持足够抗腐蚀性的同时对于经过共振腔14传送的微波辐射充分地透射。板构件28、30分别具有平坦侧壁部32和曲形侧壁部34，平坦侧壁部32垂直于微波辐射经过共振腔的传播方向延伸，曲形侧壁部34在共振腔14内部分地限定大致圆柱形的气室36。气室36可具有圆形截面和椭圆形截面。
板构件30、32分别具有形成在其内的第一孔38，从而提供了进入共振腔14的气室36内的气体入口。在所示的消除装置10内，孔38中的一个与形成在机架12侧壁内的气体入口端口40对准以便自安装在机架12上的第一气体导管42接收气体。第二气体端口可任选地形成在机架12的对置侧壁内以便自第二气体导管接收气体，该气体可相同或有异于自第一气体导管42进入气室36的气体。各个气体入口优选构造成大致成切线地自第一气体导管40进入气室36，以便气体在气室36内朝向气室36的中心向内旋动。气体出口端口44形成在机架12的基座内以便从气室36向第二气体导管46传送气体。气体出口端口44横穿气室36延伸，且优选与气室36同轴。
板构件30、32还分别具有形成在其内的较小的第二孔48。孔48中的一个与形成在机架侧壁内并由透明盖板52封闭的开孔50对准用以提供检查窗，从而使得用户在使用消除装置10时能够观察到在共振腔14的气室36内产生的等离子。
圆柱形孔54还形成在机架12内，孔54横穿共振腔14延伸并与共振腔一起限定了消除装置10的气室。孔54优选与气室36和气体出口端口44大致同轴。孔54接收导电组件56。组件56包括导电构件58以及用于保持导电构件58的支架60。
导电构件58包括伸长管62，该伸长管62可由铜或其它导电材料形成，并接合管状尖端64，如图5中更为详细的示出那样。尖端64优选由抗腐蚀的耐热材料形成，例如钨或诸如钨镧合金的钨合金。尖端64可设有在其附近延伸的多个开孔65以便在气体入口38和气体出口44之间流动的气体能够径向经过尖端64传递从而增强了尖端64的冷却。开孔65优选地尺寸设置成微波辐射经过开孔65传递。
支架60优选由导电材料例如不锈钢形成。这可以是类似于或不同于机架12的等级。导电构件58和支架60优选在使用消除装置10时电接地。支架60具有中空内部，在该中空内部中，管62和导电构件58的尖端64优选为滑动配合。支架60包括第一本体部66，该第一本体部66具有向外延伸的裙缘68，该裙缘68位于机架12的孔54的凸缘开口70上。O形圈72设置在裙缘68和凸缘开口70之间以便形成气密密封，裙缘68通过在其附近延伸的夹持链74夹持在凸缘开口70上。如图3所示，O形圈72优选位于气室外部并因而位于其内产生的电磁场外部，且绕着自裙缘68向下悬垂的环形圈76延伸，该环形圈具有大致等于孔54直径的内径，并且电接触支架12。备选地，裙缘68的基座可电接触机架12。
支架60还包括延伸进孔54的第二伸长本体部78。支架60的第二本体部78终止于圆锥形突出物80，该圆锥形突出物80优选未突入气室36内。第二本体部78的内径在圆锥形突出物80处减小以便提供接合尖端64的缘边84的肩部82从而在支架60内保持尖端64。支架60的第二本体部78优选与第一本体部66和裙缘68整体形成。
如图5所示，尖端64优选突入气室36内。尖端64的长度和/或支架60第二本体部78的长度优选选择成使得尖端64延伸预定距离进入取决于向共振腔14供给的微波辐射频率而在共振腔14内产生的驻波内。
管62优选保持电接触支架60。如图所示，金属弹簧86或其它导电物件可位于支架60内，以便弹簧86的一端接合在管62上形成的第一环形突出物88而弹簧86的另一端接合旋进支架60内的金属锁紧螺帽90。
管62具有与第一环形突出物88隔开的第二环形突出物92以便在支架60和管62之间限定环形通道94。冷却水流被供向环形通道94，水经由穿过支架60的冷却剂入口端口96向环形通道94供给，并经由穿过支架60并与冷却剂入口端口96大致对置的冷却剂出口端口98自环形通道94中排出。
取决于传送到共振腔的电磁辐射的功率，在共振腔14内产生的电场强度或会不足以点燃气室36内的等离子。因此，辉光放电电极组件100可容纳在导电构件58内。电极组件100包括等离子点燃的辉光放电电极102，该辉光放电电极102以伸长的高压电极的形式同心地位于导电构件58的管62内且与该管62隔开。连接器104连接电极102和电源。电极102可旋进具有一致螺纹(conformingly-threaded)的开孔内，该开孔与锁紧螺帽90同心地放置。气体入口106形成在管62内以便从气体入口端口108接收辉光放电气体，例如氮气、稀有气体或任何其它的大致惰性且可电离的气体，气体入口端口108经由支架60的第一本体部66径向地延伸。气体入口端口108从装接在支架上的连接器110接收辉光放电气体以便将气体入口端口108连接到辉光放电的气源上。气体入口106优选地相对于导电构件58的管62的孔切向地布置以便有助于形成螺旋流动路径，该螺旋流动路径绕着电极102通常向下地朝向导电构件58的尖端64。
如图2所示，当支架60安装在机架12上时，导电构件58大致垂直于微波经过气室36传播的方向延伸进孔54内，且大致与气室36和气体出口端口44同轴。导电构件58的尖端64优选位于使用消除装置10时在共振腔14内形成的电磁场强度最大处。
在正常使用消除装置10时，冷却水流被供向环形通道94。气体经由气体入口端口40被泵入气室36内并在经由气体出口端口44离  开气室36并进入第二气体导管46之前，在气室36内螺旋形地流动并经过导电构件58的尖端64的下方。
微波辐射因磁控管通过波导16被进给到共振腔14内并随后进入气室36内。短回路18的端板26反射微波以便在共振腔14内形成驻波，同时导电构件58的尖端64增强了气室36内的电场。波导16的锥形部24用于抑制微波辐射自波导16的第一本体部20和第二本体部22之间界面的传输和反射，同时增大了等离子的吸收能量。支架60的裙缘68的下表面112的几何结构和位置相对于导电构件58的尖端64被选成使得裙缘68的下表面112连同机架12的孔54的内表面和支架60的第二本体部的外表面一起，提供了同轴的调谐器以便以微波辐射频率匹配导电构件58平面内的阻抗和波导16的阻抗。
当辉光放电电极组件100被用于点燃气室36内的等离子时，则导致辉光放电气体流经管62的气体入口端口106并进入管62的孔内。低压的高电流源连接电极102，且对电极102暂时地施加高压。高压引起了经由辉光放电气体从电极102的尖端向管62近端部的电晕放电。电晕放电提供了路径，经过该路径来自低压源的大电流可流向地面。大电流的流动导致在辉光放电气体内形成辉光放电。因而形成的由辉光放电气体在管62内的流动所引起的辉光放电从导电构件58的尖端64移动到气室36内。气室36内的微波辐射能够有效地耦合辉光放电且通常在少于一秒内点燃等离子，从而导致在切断电极102的电源后(通常在两或三秒内)借助于向气室36单独供给的微波辐射可保持稳定的微波等离子。
在气室36内启动的等离子连同流经气室36的气体经由气体出口端口44从气室36中运出，并包含在第二气体导管46内。等离子因而类似于在尖端64下方产生的火焰并经由气体出口端口44伸出进入第二气体导管46内。由于使用消除装置10时在第二气体导管46内产生的高温，诸如水的冷却剂可喷洒在第二气体导管46的外表面上以便冷却第二气体导管46。
在气室36内产生的微波等离子可用于多种用途。一种这样的用途是用于处理来自半导体处理室的废气。取决于处理室内发生的处理特性，在废气内可存在变化的量的有害全氟化合物，例如CF4、C2F6、CHF3、NF3或SF6、硅烷和氨。使用消除装置10这些气体可高效地从气体中除去。用于同这些气体起反应的水蒸气可从消除装置10的上游添加到废气中，例如通过经由湿的预洗涤器传递废气或通过向废气添加水蒸气流。在气室36内，这些气体同水蒸气反应以便形成诸如CO2和HF的气体，这些气体可通过位于消除装置10下游的湿洗涤器从废气中除去。
当废气包含诸如HBr、HCl、Br2和Cl2的气体时就会出现问题。气室36中存在的HBr和HCl连同作为气室36内发生的反应副产物而生成的HF一起，可从机架12和喷嘴支架60的不锈钢表面剥离惰性的表面氧化层，从而露出不锈钢。进入气室36的废气中存在的水蒸气可吸收在露出的不锈钢表面上，并通过HBr、HCl、Br2和Cl2同不锈钢金属成分的反应而促使这些表面的腐蚀。像剥蚀这些不锈钢部件的表面一样，腐蚀的副产物可干涉进入共振腔14的微波，而这会导致在气室36内发生气体处理在破坏和除去效率上的下降。
考虑到该点，当进入气室36的气体有可能包含诸如HBr、HCl、Br2或Cl2的卤代化合物时，同时与水蒸气一起或与其隔开，在将气体经由气体入口端口40泵入气室36之前，气室36被加热至抑制在气室36的不锈钢表面上吸收水的温度。该温度优选超过100摄氏度以便减小任何在气室36的不锈钢表面上吸收水的风险，本示例中大约为120摄氏度。
通过在气室36内点燃来自辉光放电气体的等离子并通过微波辐射的供给而维持该等离子，从而可足够长时间地加热气室36以便在气体经由气体入口40进入气室36之前将气室温度升高到大约120摄氏度。备选地，机架12可外部地加热以便将气室36的温度升高到120摄氏度以上。
在使用消除装置10处理经由气体入口40进入气室36的气体时，此时有必要维持气室36的温度等于或超出抑制水吸收的温度。考虑到该点，在优选实施例中消除装置10包括用于控制气室36温度的室的温度控制回路。
参照图3和图5，机架12包括位于气室36邻近处的流体腔120。本实施例中，流体腔120在气室36的气体出口44附近延伸。诸如受压蒸汽、热硅油或其它透热性的流体的热流体经由经过机架12的流体入口端口122向流体腔120供给，且该流体腔120自第一外部连接器124中接收热流体。热流体经由也经过机架12并位于流体入口端口122邻近处的流体出口端口(未示出)从流体腔120中排出。位于第一外部连接器124邻近处的第二外部连接器126从流体出口端口接收热流体。
参照图6，流体腔120形成室的温度控制回路130的一部分以便控制气室36的温度。热流体流通过泵132在回路130内流通。流体流从连接器124中进入流体腔，在经由连接器126从腔120中排出之前绕着腔120流通，由此控制邻近的气室36的温度。
热流体的温度通过控制器130进行控制，该控制器130从传感器134中接收表示气室36温度的信号，该传感器134如图6所示，可安装在紧接气室36的机架12的外表面上或者任何其它的适于检测气室36温度的位置处。响应于该信号，控制器130控制一个或多个热交换器136、138以便控制热流体的温度。
为避免过热，气室优选在温度范围内运转，优选为120摄氏度至350摄氏度之间。本实施例中，气室36在120摄氏度至180摄氏度的温度范围内运转。
由于气室36内的等离子所产生的热，当从传感器134输出的信号显示气室36的温度将达到该温度范围顶端时，控制器130操作第一热交换器136以便将热流体冷却至该温度范围以下的第一温度，例如低于100摄氏度或其附近，因而热流体随着其流经流体腔120而起到降低气室136温度的作用。当从传感器134输出的信号显示气室36的温度将达到该温度范围底端时，例如通过相对冷的热流体冷却一段时间后，控制器130操作第二热交换器138以便将热流体加热至该温度范围内或其上方的第二温度，例如高于120摄氏度或其附近，因而热流体随着其流经流体腔120而起到升高气室36温度的作用。任选地，第一热交换器136在第二热交换器的运转期间不需要运行，反之亦然，从而取决于气室36的温度，回路120可构造成使得热交换器中的一个或两个都能够选择性地分流。
本示例中，使用了直接主动的方法对气室温度进行控制。然而，也可采用间接的方法，如下文所述。
首先，确定用于气室36的最小至最大的连续运转温度，例如120摄氏度至130摄氏度。接着，通过计算、估算或测量可确定微波功率源散失的最大热量(功率损耗和等离子损耗)。已知热流体的特定热容量，可推导出流动速率用以限制先前所确定的最大温度。于是第一热交换器136可设计成散失稍微多于气室36内所吸收的能量而第二热交换器138则可用于控制流通热流体的温度以便达到所需温度(本示例中为120摄氏度)，因而气室36的温度控制为间接的，也就是，经由流体入口上的流通热流体的温度控制进入气室36。
除了用于将气室36的温度维持在所选温度范围外，回路120还可用来在待处理的气体进入气室36之前初始地对气室36加热。

Claims (25)

1.一种处理包含变化的量的卤代化合物以及水蒸气的气体的方法，所述方法包括步骤：提供等离子消除装置，所述等离子消除装置包括具有用于接收所述气体的气体入口以及气体出口的气室，将所述气室加热至抑制在所述气室内的不锈钢表面上吸收水的温度，向所述气室传送所述气体以便在所述气室内对其处理，其中在处理所述气体期间将所述气室维持在120摄氏度至180摄氏度的范围内。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在向所述气室传送所述气体之前，所述气室至少加热至120摄氏度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在处理所述气体期间，通过经由室的温度控制回路流动传热流体以便控制所述气室的温度和控制所述流体的温度，从而将所述气室的温度维持等于或超出抑制在所述气室内的不锈钢表面上吸收水的所述温度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述室的温度控制回路部分地位于所述气室的壁内。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的方法，其特征在于，所述室的温度控制回路在所述气体出口附近延伸。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过经由热交换机构流动所述流体和控制所述热交换机构以便控制所述流体的温度，从而控制了所述流体的所述温度。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述传热流体经由第一热交换器和第二热交换器中的至少一个进行传送，所述第一热交换器选择性地将所述流体冷却至第一流体温度，而所述第二热交换器选择性地将所述流体加热至高于所述第一流体温度的第二流体温度。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一流体温度低于120摄氏度，而第二温度至少为120摄氏度。
9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述传热流体包括透热性的流体。
10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述气体被供向所述气室之前通过所述传热流体将所述气室加热至所述温度。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子消除装置包括微波等离子消除装置。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气体在大气压力或其附近进行处理。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述卤代化合物包括卤化氢。
14.一种处理包含变化的量的卤代化合物以及水蒸气的气体的方法，所述方法包括步骤：提供等离子消除装置，所述等离子消除装置包括具有用于接收所述气体的气体入口以及气体出口的气室，将所述气室温度加热至少至120摄氏度，向所述气室传送所述气体以便在所述气室内对其处理，以及在处理所述气体期间将所述气室的温度维持在120摄氏度至180摄氏度的温度范围内。
15.一种等离子消除装置，包括气室和热控制机构，所述气室具有气体入口和气体出口，所述气体入口用于接收待通过所述消除装置进行处理的气体，而所述热控制机构在处理包含卤代化合物和水蒸气期间用于将所述气室维持在抑制在所述气室内的不锈钢表面上吸收水的温度，其中在处理所述气体期间将所述气室维持在120摄氏度至180摄氏度的范围内。
16.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述热控制机构包括用于控制所述气室的温度的室的温度控制回路、用于经由所述温度控制回路流动传热流体的机构以及用于控制所述流体的温度的控制机构。
17.根据权利要求16所述的装置，其特征在于，所述室的温度控制回路部分地位于所述气室的壁内。
18.根据权利要求16所述的装置，其特征在于，所述室的温度控制回路在所述气体出口附近延伸。
19.根据权利要求16所述的装置，其特征在于，所述热控制机构包括经由其引起所述流体流动的热交换机构，所述控制机构构造成控制所述热交换机构以便控制所述流体的温度。
20.根据权利要求19所述的装置，其特征在于，所述热交换机构包括第一热交换器和第二热交换器，所述第一热交换器选择性地将所述流体冷却至第一温度，而所述第二热交换器选择性地将所述流体加热至高于所述第一温度的第二温度。
21.根据权利要求20所述的装置，其特征在于，所述第一温度低于120摄氏度，而所述第二温度处于所述温度范围内。
22.根据权利要求16所述的装置，其特征在于，所述传热流体包括透热性的流体。
23.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述气室由不锈钢形成。
24.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述装置采用微波等离子消除装置的形式。
25.根据权利要求24所述的装置，其特征在于，所述装置包括突出到所述气室内的导电构件，所述导电构件由不锈钢形成。
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4611409B2 (ja) * 2008-09-03 2011-01-12 晃俊 沖野 プラズマ温度制御装置
KR100965491B1 (ko) * 2009-11-02 2010-06-24 박영배 복합 플라스마 발생장치
KR101775608B1 (ko) 2010-01-21 2017-09-19 파워다인, 인코포레이티드 탄소질 물질로부터의 스팀의 발생 방법
US9338871B2 (en) 2010-01-29 2016-05-10 Applied Materials, Inc. Feedforward temperature control for plasma processing apparatus
US8916793B2 (en) 2010-06-08 2014-12-23 Applied Materials, Inc. Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow
US8880227B2 (en) 2010-05-27 2014-11-04 Applied Materials, Inc. Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control
GB2490355B (en) * 2011-04-28 2015-10-14 Gasplas As Method for processing a gas and a device for performing the method
US8653911B2 (en) 2011-07-22 2014-02-18 Triple Cores Korea Atmospheric plasma equipment and waveguide for the same
JP2013026118A (ja) * 2011-07-25 2013-02-04 Triplecores Korea 常圧プラズマ装置及びこのための導波管
CN102905456B (zh) * 2011-07-27 2015-05-20 韩国三重核心株式会社 大气等离子体设备和用于该设备的波导
US10274270B2 (en) 2011-10-27 2019-04-30 Applied Materials, Inc. Dual zone common catch heat exchanger/chiller
KR101382003B1 (ko) * 2011-11-04 2014-04-21 (주)트리플코어스코리아 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 가스스크러버
WO2014039719A1 (en) 2012-09-05 2014-03-13 Powerdyne, Inc. Fuel generation using high-voltage electric fields methods
EP2900353A4 (en) 2012-09-05 2016-05-18 Powerdyne Inc METHOD FOR SEQUESTRATING HEAVY METAL PARTICLES BY MEANS OF H2O, CO2, O2 AND PARTICLE SOURCE
WO2014039726A1 (en) 2012-09-05 2014-03-13 Powerdyne, Inc. System for generating fuel materials using fischer-tropsch catalysts and plasma sources
BR112015004832A2 (pt) 2012-09-05 2017-07-04 Powerdyne Inc método para produzir combustível
US9677431B2 (en) 2012-09-05 2017-06-13 Powerdyne, Inc. Methods for generating hydrogen gas using plasma sources
BR112015004831A2 (pt) 2012-09-05 2017-07-04 Powerdyne Inc método para produzir energia elétrica
KR20150053781A (ko) 2012-09-05 2015-05-18 파워다인, 인코포레이티드 고전압 전기장 방법을 사용하는 연료 생성
CN102933016A (zh) * 2012-11-28 2013-02-13 吉林大学 车载燃料的等离子体微波功率合成系统
US9630142B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Mks Instruments, Inc. Toroidal plasma abatement apparatus and method
KR101427720B1 (ko) 2013-03-27 2014-08-13 (주)트리플코어스코리아 단차부 및 블록부를 이용한 플라즈마 도파관
GB2516267B (en) * 2013-07-17 2016-08-17 Edwards Ltd Head assembly
US9240308B2 (en) * 2014-03-06 2016-01-19 Applied Materials, Inc. Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source, an abatement system, and vacuum processing system
CN103968882B (zh) * 2014-05-22 2016-05-18 哈尔滨工业大学 微波与弱磁等离子体相互作用的测试装置
KR102235612B1 (ko) 2015-01-29 2021-04-02 삼성전자주식회사 일-함수 금속을 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법
US10153133B2 (en) * 2015-03-23 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion
US10340124B2 (en) 2015-10-29 2019-07-02 Applied Materials, Inc. Generalized cylindrical cavity system for microwave rotation and impedance shifting by irises in a power-supplying waveguide
EP3309815B1 (de) * 2016-10-12 2019-03-20 Meyer Burger (Germany) AG Plasmabehandlungsvorrichtung mit zwei, miteinander gekoppelten mikrowellenplasmaquellen sowie verfahren zum betreiben einer solchen plasmabehandlungsvorrichtung
US10712005B2 (en) 2017-07-14 2020-07-14 Goodrich Corporation Ceramic matrix composite manufacturing
US10480065B2 (en) * 2017-09-19 2019-11-19 Goodrich Corporation Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration
US10818479B2 (en) * 2017-11-12 2020-10-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Grounding cap module, gas injection device and etching apparatus
US11469077B2 (en) * 2018-04-24 2022-10-11 FD3M, Inc. Microwave plasma chemical vapor deposition device and application thereof
US11633710B2 (en) 2018-08-23 2023-04-25 Transform Materials Llc Systems and methods for processing gases
US11634323B2 (en) 2018-08-23 2023-04-25 Transform Materials Llc Systems and methods for processing gases
US12110229B2 (en) 2018-09-27 2024-10-08 Maat Energy Company Process for recovering heat at high temperatures in plasma reforming systems
CN114560443B (zh) * 2022-03-02 2023-07-07 瓮福（集团）有限责任公司 一种同时制备氟化氢及晶体硅产品的微波等离子体装置
CN115665914B (zh) * 2022-12-22 2023-03-10 河北科技大学 多源微波加热装置
CN117373964B (zh) * 2023-12-05 2024-03-12 天津吉兆源科技有限公司 一种用于微波远程等离子体源自动点火装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1199242A (zh) * 1997-03-27 1998-11-18 松下电器产业株式会社 等离子体处理的方法及装置
EP1093849A1 (en) * 1999-04-12 2001-04-25 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Method for decomposition-treating organic halogen compound and decomposing device
EP1297891A1 (en) * 2000-05-29 2003-04-02 Three Tec Co., Ltd. Object processing apparatus and plasma facility comprising the same

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2002002A (en) * 1931-11-20 1935-05-21 Deere & Co Tractor
JPS59103340A (ja) 1983-09-21 1984-06-14 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPS62155934A (ja) * 1985-12-28 1987-07-10 Canon Inc 気相励起装置
US4866346A (en) * 1987-06-22 1989-09-12 Applied Science & Technology, Inc. Microwave plasma generator
US4970435A (en) 1987-12-09 1990-11-13 Tel Sagami Limited Plasma processing apparatus
US4893584A (en) * 1988-03-29 1990-01-16 Energy Conversion Devices, Inc. Large area microwave plasma apparatus
US5037666A (en) * 1989-08-03 1991-08-06 Uha Mikakuto Precision Engineering Research Institute Co., Ltd. High-speed film forming method by microwave plasma chemical vapor deposition (CVD) under high pressure
US5144199A (en) * 1990-01-11 1992-09-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microwave discharge light source device
DE4132558C1 (zh) * 1991-09-30 1992-12-03 Secon Halbleiterproduktionsgeraete Ges.M.B.H., Wien, At
US5349154A (en) * 1991-10-16 1994-09-20 Rockwell International Corporation Diamond growth by microwave generated plasma flame
JPH0653170A (ja) 1992-03-18 1994-02-25 Nec Corp Ｅｃｒプラズマエッチング装置
JPH0673567A (ja) 1992-08-28 1994-03-15 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JP3328844B2 (ja) 1992-09-24 2002-09-30 株式会社日立製作所 プラズマプロセス装置
FR2695944B1 (fr) * 1992-09-24 1994-11-18 Onera (Off Nat Aerospatiale) Appareil de dépôt chimique en phase vapeur activé par un plasma micro-ondes.
DE4235914A1 (de) 1992-10-23 1994-04-28 Juergen Prof Dr Engemann Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen
GB9224745D0 (en) * 1992-11-26 1993-01-13 Atomic Energy Authority Uk Microwave plasma generator
JP3337266B2 (ja) 1993-04-15 2002-10-21 三菱重工業株式会社 電子サイクロトロン共鳴プラズマの科学蒸着装置
US5453125A (en) 1994-02-17 1995-09-26 Krogh; Ole D. ECR plasma source for gas abatement
GB9414561D0 (en) * 1994-07-19 1994-09-07 Ea Tech Ltd Method of and apparatus for microwave-plasma production
US5793013A (en) * 1995-06-07 1998-08-11 Physical Sciences, Inc. Microwave-driven plasma spraying apparatus and method for spraying
US6045618A (en) * 1995-09-25 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment
US5825485A (en) * 1995-11-03 1998-10-20 Cohn; Daniel R. Compact trace element sensor which utilizes microwave generated plasma and which is portable by an individual
US5902404A (en) * 1997-03-04 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Resonant chamber applicator for remote plasma source
FR2766321B1 (fr) * 1997-07-16 1999-09-03 Air Liquide Dispositif d'excitation d'un gaz par plasma d'onde de surface
US6390019B1 (en) * 1998-06-11 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Chamber having improved process monitoring window
JP2000133494A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd マイクロ波プラズマ発生装置及び方法
US20020007912A1 (en) * 1999-04-12 2002-01-24 Mohammad Kamarehi Coolant for plasma generator
JP2000296326A (ja) * 1999-04-12 2000-10-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機ハロゲン化合物分解装置の運転制御方法
US6263830B1 (en) * 1999-04-12 2001-07-24 Matrix Integrated Systems, Inc. Microwave choke for remote plasma generator
AU741947B2 (en) * 1999-04-12 2001-12-13 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Organic halogen compound decomposing device and operation control method therefor, and organic halogen compound decomposing method
DE19943953A1 (de) * 1999-09-14 2001-04-12 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines lokalen Plasmas durch Mikrostrukturelektrodenentladungen mit Mikrowellen
KR100767762B1 (ko) * 2000-01-18 2007-10-17 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치
JP4252702B2 (ja) 2000-02-14 2009-04-08 株式会社荏原製作所 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法
JP4377510B2 (ja) 2000-03-02 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6673323B1 (en) * 2000-03-24 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Treatment of hazardous gases in effluent
US6696662B2 (en) * 2000-05-25 2004-02-24 Advanced Energy Industries, Inc. Methods and apparatus for plasma processing
EP1448030A4 (en) * 2002-08-30 2006-11-22 Sekisui Chemical Co Ltd PLASMA PROCESSING SYSTEM
JP2004216231A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Toshiba Corp 高周波プラズマによる化合物分解方法および化合物分解装置
US6872909B2 (en) * 2003-04-16 2005-03-29 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas and plasma source having a dielectric vacuum vessel
GB0309932D0 (en) 2003-04-30 2003-06-04 Boc Group Plc Apparatus and method for forming a plasma

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1199242A (zh) * 1997-03-27 1998-11-18 松下电器产业株式会社 等离子体处理的方法及装置
EP1093849A1 (en) * 1999-04-12 2001-04-25 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Method for decomposition-treating organic halogen compound and decomposing device
EP1297891A1 (en) * 2000-05-29 2003-04-02 Three Tec Co., Ltd. Object processing apparatus and plasma facility comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI399454B (zh) 2013-06-21
EP1915768A1 (en) 2008-04-30
GB0521961D0 (en) 2005-12-07
KR20080033408A (ko) 2008-04-16
ATE509365T1 (de) 2011-05-15
KR101286348B1 (ko) 2013-07-23
US20100006227A1 (en) 2010-01-14
US8518162B2 (en) 2013-08-27
JP2009504394A (ja) 2009-02-05
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TWI405239B (zh) 2013-08-11
US8776719B2 (en) 2014-07-15
EP1915768B1 (en) 2014-09-10
WO2007020373A1 (en) 2007-02-22
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GB0516695D0 (en) 2005-09-21
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US20110197759A1 (en) 2011-08-18
SG186661A1 (en) 2013-01-30
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