CN108615824B

CN108615824B - 有机场致发光元件用组合物和有机场致发光元件

Info

Publication number: CN108615824B
Application number: CN201810039186.XA
Authority: CN
Inventors: 水上润二; 清水渡; 竹本洋己
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2012-04-09
Filing date: 2013-04-08
Publication date: 2021-09-28
Anticipated expiration: 2033-04-08
Also published as: TW201351744A; JP2014199922A; JPWO2013154076A1; KR20150002651A; KR102123784B1; EP2838129A4; KR102610365B1; WO2013154076A1; EP2838129A1; US20150021587A1; KR20230165369A; KR102374181B1; JP5494899B2; CN104254930A; KR20220034934A; CN104254930B; CN108615824A; KR20200071148A; TWI648894B

Abstract

本发明的目的在于提供一种有机场致发光元件用组合物，其是异物含量少的组合物。本发明涉及一种有机场致发光元件用组合物，是用于形成选自有机场致发光元件的发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发光元件用组合物，含有重均分子量3000～1000000的芳香族胺系聚合物和有机溶剂，上述组合物中的Zn浓度小于0.5ppm。

Description

有机场致发光元件用组合物和有机场致发光元件

本发明专利申请是针对申请日为2013年04月08日、申请号为201380018895.5、发明名称为“有机场致发光元件用组合物和有机场致发光元件”的申请提出的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于形成有机场致发光元件的空穴注入层和/或空穴输送层而使用的有机场致发光元件用组合物。

另外，本发明涉及使用上述有机场致发光元件用组合物并利用湿式成膜法形成的具有空穴注入层和/或空穴输送层的有机场致发光元件。

背景技术

近年来，进行着利用有机薄膜的场致发光元件(以下，称为“有机场致发光元件”)的开发。作为有机场致发光元件中的有机薄膜的形成方法，可举出真空蒸镀法和湿式成膜法。

其中，真空蒸镀法由于可层叠化，所以具有容易改善来自阳极和/或阴极的电荷注入、容易将激子关入发光层这样的优点。

另一方面，湿式成膜法具有不需要真空工序、容易大面积化、容易将具有各种功能的多个材料混合放入1个层(涂布液)等优点。

作为用湿式成膜法形成有机层的例子，专利文献1中，公开了采用电荷输送用组合物所使用的各种溶剂或苯甲酸乙酯作为溶剂的空穴注入层用组合物。

但是，湿式成膜法中，发生异物的混入等时，有时发生涂布缺陷，特别是使用有机薄膜的有机场致发光元件中要求形成非常薄的膜，所以要求抑制异物的混入、组合物中的异物的生成。

特别是使用有机溶剂作为涂布溶剂时，由于通过离子键而形成的盐不溶于有机溶剂，所以因在水系溶剂中不析出的微量杂质导致盐析出成为异物，成为成膜时的麻烦、有机场致发光元件不良的原因。

作为用湿式成膜法形成空穴注入层的例子，专利文献2～4记载了关于使用水作为涂布溶剂的PEDOT(聚乙撑二氧噻吩)－PSS(聚苯乙烯磺酸)树脂系空穴注入材料的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010－98306号公报

专利文献2:日本特开2005－276749号公报

专利文献3:日本特开2006－5144号公报

专利文献4:日本特表2008－515194号公报

发明内容

然而，上述技术是涉及水系这种溶剂体系的不同技术。另外，由于是水系，所以金属成分的混入量多，金属的混入量以溶液中浓度计达到数十ppm以上，污染程度非常高。

因此，在本发明中，鉴于上述实际情况，其课题在于提供一种用于形成有机场致发光元件的空穴注入层和/或空穴输送层的、含有空穴注入·输送性材料和有机溶剂的有机场致发光元件用组合物，该组合物的异物含量少、成膜时的麻烦少。

本发明人等经过深入研究，结果发现通过使组合物中的Zn的含量(Zn浓度)小于0.5ppm，能够抑制由Zn引起的异物的生成，能解决上述课题，从而完成了本发明。

即，本发明的主旨在于以下的<1>～<22>。

<1>一种有机场致发光元件用组合物，是用于形成选自有机场致发光元件的发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发光元件用组合物，含有重均分子量3000～1000000的芳香族胺系聚合物和有机溶剂，上述组合物中的Zn浓度小于0.5ppm。

<2>根据上述<1>所述的有机场致发光元件用组合物，上述有机场致发光元件用组合物是用于形成有机场致发光元件的空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的组合物。

<3>根据上述<1>或<2>所述的有机场致发光元件用组合物，上述Zn浓度小于0.1ppm。

<4>根据上述<1>～<3>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述组合物1ml中所含的长径0.1μm以上的含Zn异物的数目为50000个以下。

<5>根据上述<1>～<4>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述组合物中的S浓度小于20ppm。

<6>根据上述<1>～<4>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述组合物中的S浓度小于5ppm。

<7>根据上述<5>或<6>所述的有机场致发光元件用组合物，存在于上述组合物中的S来自有机化合物。

<8>根据上述<1>～<7>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述芳香族胺系聚合物具有由下述式(2)表示的重复单元。

(式中，m表示0～3的整数，Ar³¹和Ar³²各自独立地表示直接键合、可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，Ar³³～Ar³⁵各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。

应予说明，Ar³³和Ar³⁵表示1价的基团，Ar³⁴表示2价的基团。其中，Ar³¹和Ar³²不同时为直接键合。)

<9>根据上述<1>～<7>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述芳香族胺系聚合物具有由下述式(3)表示的重复单元。

(式中，Ar⁵¹～Ar⁵³各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族基团，Ar⁵⁴和Ar⁵⁵各自独立地表示可以具有取代基的芳香族基团，Ar⁵⁶和Ar⁵⁷各自独立地表示直接键合或可以具有取代基的2价的芳香族基团，R¹¹和R¹²各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或可以具有取代基的芳香族基团，m’表示0～5的整数，R¹¹和R¹²可以相互键合而形成环结构。)

<10>根据上述<1>～<9>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述芳香族胺系聚合物具有由下述式(1)表示的重复单元。

(式中，Ar¹和Ar²各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。Ar³～Ar⁵各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基。Ar¹～Ar⁵中，与同一N原子键合的两个基团可以相互键合而形成环。X表示选自下述连接基团组X’中的1个连接基团。)

<连接基团组X’>

(式中，Ar¹¹～Ar²⁸各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。R⁴¹和R⁴²各自独立地表示氢原子或任意的取代基。)

<11>根据上述<10>所述的有机场致发光元件用组合物，上述式(1)是由下述式(1－1)表示的重复单元。

(式中，R¹～R⁵各自独立地表示任意的取代基。p和q各自独立地表示0～5的整数。r、s和t各自独立地表示0～4的整数。X与式(1)中的X意思相同。)

<12>根据上述<8>～<11>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述芳香族胺系聚合物具有不溶基团。

<13>根据上述<1>～<12>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，进一步含有电子接受性化合物。

<14>根据上述<1>～<13>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述有机场致发光元件用组合物被封入具有下述特征的玻璃容器。

(特征)是玻璃容器，在上述容器内表面的与上述有机场致发光元件用组合物的接液面中，由投影面积求得的、距基准面突出0.8nm以上的凸部区域和距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域的总计的表面凹凸部分的面积率为0.2％以上。

<15>根据上述<1>～<13>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述有机场致发光元件用组合物被封入具有下述特征的玻璃容器。

(特征)是玻璃容器，在上述容器内表面的与上述有机场致发光元件用组合物的接液面中，由投影面积求得的、作为距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域的表面凹部分的面积率为0.1％以上。

<16>根据上述<1>～<13>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述有机场致发光元件用组合物被封入具有下述特征的玻璃容器。

(特征)是玻璃容器，在上述容器内表面的与上述有机场致发光元件用组合物的接液面中，任意选择的10μm×10μm的区域中的距基准面突出0.8nm以上的凸部区域的数目和距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域的数目的总计为5个以上。

<17>一种有机场致发光元件，是在基板上至少层叠阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层和阴极而成的有机场致发光元件，选自上述发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层是使用上述<1>～<16>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物并利用湿式成膜法而形成的。

<18>一种有机场致发光照明，包含上述<17>所述的有机场致发光元件。

<19>一种有机场致发光显示装置，包含上述<17>所述的有机场致发光元件。

<20>一种封入体，是将上述<1>～<13>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物封入玻璃容器而成的封入体，上述玻璃容器为：在上述容器内表面的与上述有机场致发光元件用组合物的接液面中，由投影面积求得的、距基准面突出0.8nm以上的凸部区域和距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域的总计的表面凹凸部分的面积率为0.2％以上。

<21>一种封入体，是将上述<1>～<13>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物封入玻璃容器而成的封入体，上述玻璃容器为：在上述容器内表面的与上述有机场致发光元件用组合物的接液面中，由投影面积求得的、作为距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域的表面凹部分的面积率为0.1％以上。

<22>一种封入体，是将上述<1>～<13>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物封入玻璃容器而成的封入体，上述玻璃容器为：在上述容器内表面的与上述有机场致发光元件用组合物的接液面中，任意选择的10μm×10μm的区域中的距基准面突出0.8nm以上的凸部区域的数目和距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域的数目的总计为5个以上。

本发明的有机场致发光(以下，有时也称为“有机EL”)元件用组合物是组合物均匀的溶液，由于成为异物生成的重要因素的Zn浓度降低，所以能够进行均匀的成膜。因此，使用本发明的有机场致发光元件用组合物制造的有机场致发光元件不产生短路、黑斑，驱动寿命长。

认为使用本发明的有机场致发光元件用组合物而得的本发明的有机场致发光元件可应用于平板·显示器(例如OA计算机用、壁挂电视)、产生作为面发光体的特征的光源(例如，复印机的光源、液晶显示器和计量仪器类的背光灯光源)、显示板、信号灯，其技术价值高。

附图说明

图1是示意性地表示本发明涉及的有机场致发光元件的结构的一个例子的截面图。

具体实施方式

以下对本发明的有机场致发光元件用组合物和有机场致发光元件的实施方式进行详细说明，以下记载的构成要件的说明是本发明的实施方式的一个例子(代表例)，只要不超过本发明的主旨，不限定于这些内容。

在此，仅记载为“ppm”时，表示“重量ppm”。

[有机场致发光元件用组合物]

本发明的有机场致发光元件用组合物(以下，有时称为“本发明的组合物”)是用于形成选自有机场致发光元件的发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发光元件用组合物，其特征在于，含有重均分子量3000～1000000的芳香族胺系聚合物和有机溶剂，上述组合物中的Zn浓度小于0.5ppm。应予说明，本发明的芳香族胺系聚合物是在主链具有芳香族氨基的聚合物。详细内容后述。

其中，本发明的有机场致发光元件用组合物优选是用于形成有机场致发光元件的空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发光元件用组合物。

另外，从有机场致发光元件的低电压化的观点考虑，优选本发明的有机场致发光元件用组合物进一步含有电子接受性化合物。

<关于Zn的说明>

本发明的组合物的特征在于组合物中的Zn的含量，即Zn浓度小于0.5ppm。以下陈述理由。

认为如果本发明涉及的组合物中存在Zn原子，则该Zn原子与组合物中所含的阴离子成分经时缓慢地反应而形成不溶性的析出物(异物)。这样的析出物在含有该组合物的有机场致发光元件中，会成为短路、黑斑等的原因。

作为上述阴离子成分，可举出尤其是含有硫(S)的阴离子成分，对于阴离子成分，在后面进行叙述。

由于Zn的原子半径大，范德华力大，所以与有机物的相互作用强。因此，容易进入形成空穴注入层和/或空穴输送层的聚合物中。因此，如果组合物中存在Zn原子，则可能因不希望的配合物形成、极化作用、分子间相互作用的阻碍等而妨碍有机场致发光元件的功能。

认为组合物中的Zn从各种路径混入。

作为其路径的具体例，可举出从构成组合物的芳香族胺系聚合物等固体材料、有机溶剂等材料的混入；从制备组合物时使用的混合材料的容器的混入；从混合材料制备组合物时的周围环境的混入；从填充并保存组合物的容器的混入等。

为了防止来自容器的Zn的混入，必须充分进行使用的容器的清洗。例如，优选在洁净室等颗粒(微小粒子)少的环境中，使用颗粒量少的超纯水，反复清洗容器，在洁净烘箱中干燥。

还优选在利用超纯水进行上述清洗前，根据需要，使用有机溶剂、碱性、酸性或中性的洗剂预先清洗去除附着于容器内壁等的有机物质或无机物质。

为了防止来自组合物制备时的周围环境的Zn的混入，重要的是充分确认周围没有成为混入源的污染物质，有污染物质时将其排除。

例如，优选用隔板、罩等整理出与外部环境分隔的洁净环境，对流入的气体使用高效微粒空气过滤器等各种过滤器进行清洁化。

为了减少组合物中的Zn含量，特别重要的是充分精制该组合物的构成材料。

例如，对于有机溶剂等液体，在组合物制备之前，应用蒸馏、离子色谱、柱色谱、利用各种金属去除剂等的精制手法进行精制是有效的。另外，对于固体材料，需要充分注意在制造该化合物的阶段的原料、催化剂、有机溶剂等反应原材料中的Zn混入，尽量不混入Zn。

在制造阶段将使用酸性水溶液、碱性水溶液、有机溶剂等的清洗工序、再沉淀法、重结晶法、蒸馏、升华精制法等组合来进行精制的方法也是有效的。另外，对于这些在水溶液、有机溶剂中的溶解性低的固体材料，优选使用球磨机等将固体材料细细粉碎，同时用酸性水溶液、碱性水溶液、有机溶剂等清洗。

作为去除已经混入到所制备的组合物中的Zn的方法，可举出柱色谱法、析晶－过滤法、倾析法、水洗法、用过滤器进行过滤的方法等。

本发明中，如上所述，通过在从组合物的构成材料的制造到组合物的制备中、其保存中等各阶段防止Zn混入到组合物中，并且去除已混入的Zn，从而使本发明的组合物中的Zn浓度小于0.5ppm。

本发明的组合物中的Zn浓度越低越好，更优选小于0.1ppm，更优选在后述的Zn浓度的分析中的检测界限以下。

如果组合物中的Zn浓度为0.5ppm以上，则产生因Zn引起的异物，无法进行均匀的成膜，使用该组合物制造的有机场致发光元件产生短路、黑斑、反向电压漏电流等，因此无法得到驱动寿命长的有机场致发光元件。

本发明中，通过使组合物中的Zn浓度小于0.5ppm，能够抑制由Zn引起的异物的生成，进行均匀的成膜，使用该组合物制造的有机场致发光元件不易产生短路、黑斑、反向电压漏电流等问题，得到驱动寿命长的有机场致发光元件。

应予说明，本发明的组合物中的Zn浓度如后述的实施例项所述，能够用ICP(分光分析)法进行测定。

另外，本发明的组合物如上所述，由于Zn浓度低，所以还具有Zn与组合物中的阴离子成分等的反应中生成的异物少的特征。例如，本发明的组合物1ml中所含的长径为0.1μm以上的含Zn异物的数目优选为50000个以下，更优选为20000个，进一步优选为10000个以下。

在此，组合物中的长径为0.1μm以上的含Zn异物的个数越少越好，特别优选组合物中不存在长径为0.1μm以上的含Zn异物。

作为测定组合物中的含Zn异物的个数的方法，可举出用扫描式电子显微镜(SEM)观察单位面积来进行测量的方法。此时，可以用EDX或EDS(能量分散型X射线分析装置)确定异物所含的元素。

具体而言，例如将1ml的组合物用Acm²过滤面积的过滤器进行过滤，观察过滤器的任意的Bcm²范围，利用SEM－EDX检测出1个含Zn异物时，1ml中的含Zn异物的个数可算作1×A/B个。

<Zn减少方法>

以下对用于制备Zn含量小于0.5ppm的本发明的组合物的精制方法进行说明。

为了制备Zn含量小于0.5ppm的本发明的组合物，作为减少在制备本发明的组合物中使用的空穴注入·输送性材料的芳香族胺系聚合物、其它的固体材料、有机溶剂或制备的组合物中所含的Zn含量的方法，采用酸处理法、使用离子去除剂的方法、其它的方法(例如，再沉淀法、有机溶剂清洗法)以及它们的组合等公知的方法。

(酸处理法)

作为酸处理法，可举出将芳香族胺系聚合物等被精制材料溶解于有机溶剂等而成为液体的状态后，使其与酸性水溶液接触，通过液液萃取将杂质萃取到水溶液侧而去除的方法。

具体而言，例如，可举出在日本特开2004－2627号公报、日本特开2011－42745号公报中记载的方法。

具体而言，可以通过将芳香族胺系聚合物等被精制材料溶解于有机溶剂，使该溶液与酸性水溶液接触而进行液液萃取来进行精制。在此，对于使被精制材料溶解的有机溶剂，在后面进行叙述。

将被精制材料溶解于有机溶剂时的有机溶剂的使用量只要为能够溶解被精制材料的量即可，没有特别限制，如果过多使用有机溶剂，则整体的液量变多而有时操作性降低。另外，如果有机溶剂的量过少，则有时用酸性水溶液处理后与水层的分离性变差。

因此，优选的有机溶剂使用量相对于被精制材料100重量份为50～5000重量份，更优选为100～4000重量份。

溶解于有机溶剂的被精制材料接着通过与酸性水溶液进行接触处理来进行液液萃取。作为酸性水溶液，例如优选向水中加入酸而使pH为5以下的水溶液。应予说明，如果水溶液的酸度过大则有时影响被精制材料的物性、结构，通常优选pH0以上程度的酸性水溶液，更优选的pH范围是1～5。

作为制备酸性水溶液时使用的酸，例如可举出盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸、磷酸、硼酸等无机酸；乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、草酸、马来酸、甲基丙二酸、己二酸、癸二酸、没食子酸、酪酸、苯六甲酸、花生四烯酸、莽草酸、2-乙基己酸、油酸、硬脂酸、亚油酸、亚麻酸、水杨酸、苯甲酸、对氨基苯甲酸、对甲苯磺酸、苯磺酸、单氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、甲酸、丙二酸、磺酸、邻苯二甲酸、富马酸、柠檬酸、酒石酸、琥珀酸、衣康酸、中康酸、柠康酸、苹果酸、戊二酸的水解物、马来酸酐的水解物、邻苯二甲酸酐的水解物等有机酸。

其中从成本、去除性、反应性等方面考虑，作为优选的例子，可举出无机酸、乙酸等低级有机酸。这些酸可以使用1种，也可以混合2种以上使用。

酸性水溶液的制备中使用的水根据本发明的目的优选金属含量少的例如显示电阻10MΩ/cm以上的离子交换水、蒸馏水等。例如，可优选使用向离子交换水、金属含量少的水中加入酸而成为弱酸性的水溶液。

液液萃取中的酸性水溶液的使用量没有特别限制，如果该量过少，则需要增加用于去除Zn的萃取次数。另外如果酸性水溶液的量过多，则整体的液量变多而有时操作性降低。

酸性水溶液的优选使用量相对于被精制材料100重量份为100～3000重量份，更优选为150～2500重量份。

液液萃取处理通常通过将溶解有被精制材料的有机溶剂溶液和作为萃取剂的酸性水溶液在5～60℃的温度、更优选10～50℃的温度下利用搅拌等充分混合后静置来进行。

由此，被精制材料溶液层和水层分成二层，被精制材料溶液中含有的Zn离子移至水层。此时，也可以使用离心分离器等提高被精制材料溶液层与水层的分离性。

通过这样的处理能够减少被精制材料溶液中的Zn含量，但优选将得到的被精制材料溶液层进一步投入到水或酸性水溶液中，与上述液液萃取处理同样地重复几次利用搅拌进行的混合、静置、分液这样的操作，进一步减少Zn含量。另外，优选在利用上述酸性水溶液进行的萃取结束后，进一步使用水进行数次萃取处理，去除酸。此时使用的水也与上述酸性水溶液的制备中使用的水同样，优选金属含量少的离子交换水、蒸馏水。

(使用离子去除剂的方法)

作为使用离子去除剂减少Zn含量的方法，作为优选的实施方式，可举出将被精制材料溶解于后述的有机溶剂等而成为液体的状态后，与离子去除剂接触的方法。

作为与离子去除剂的接触方法，可举出将离子去除剂添加混合到被精制材料的溶液中进行充分搅拌，其后，通过过滤除去离子去除剂的方法，使填充有离子去除剂的柱内通过被精制材料溶液的方法等。

作为离子去除剂，优选的物质可举出离子交换树脂。作为离子交换树脂，使用酸性阳离子交换树脂或碱性阴离子交换树脂。其中，为了去除Zn等金属离子，优选使用酸性阳离子交换树脂。

酸性阳离子交换树脂例如是以苯乙烯系、丙烯酸系、甲基丙烯酸系等各种聚合物为基体，向其主链导入-SO₃M(-SO₃H)、-COOM、-N＝(CH₂COOM)₂等各种离子交换基团(官能团)、即被离子交换基团修饰而成的树脂。应予说明，上述离子交换基团(官能团)中的M表示金属元素。

该酸性阳离子交换树脂有强酸性阳离子交换树脂和弱酸性阳离子交换树脂。强酸性阳离子交换树脂例如是以苯乙烯系的聚合物为基体，具有磺酸基(-SO₃H)作为离子交换基团(官能团)的树脂，能够更好地对作为杂质的阳离子(cation)进行离子交换而将其捕捉，从被处理液中去除。

在此，作为成为去除对象的杂质的阳离子，除Zn之外，还可举出各种金属离子、由P、Si构成的离子。作为金属离子，可举出属于元素周期表Ia族、IIa族、VIa族、VIIa族和IIb族的金属离子，更具体而言可举出Ca、Cr、Fe、Pd、Na、Mg、Ni、Sn、K等。应予说明，作为这样的强酸性阳离子交换树脂的具体例，可举出三菱化学株式会社制的“DIAION(注册商标)SK110”(商品名)等。

弱酸性阳离子交换树脂可举出以丙烯酸系的聚合物为基体、具有丙烯酸基作为离子交换基团(官能团)的树脂，或者是以甲基丙烯酸系的聚合物为基体、具有甲基丙烯酸基作为离子交换基团(官能团)的树脂。与上述的强酸性阳离子交换树脂同样，弱酸性阳离子交换树脂能够更好地对金属离子等阳离子进行离子交换而将其捕捉，从被处理液中去除。

另外，该弱酸性阳离子交换树脂特别是相对于被处理液中的供电子性高分子过量地使用、供于接触时，与上述强酸性阳离子交换树脂同样，也能够选择性吸附(离子交换)供电子性高分子的低分子侧的成分，从被处理液中去除。应予说明，作为这样的强酸性阳离子交换树脂的具体例，可举出三菱化学株式会社制的“DIAION(注册商标)WK100”(商品名)、“DIAION(注册商标)WK11”(商品名)等。

作为这样的离子交换树脂，其形态没有特别限定，可使用各种形态。例如，可使用粒状、纤维状或由该纤维构成的织布、无纺布，并且可使用成型为各种形状的成型体。

另外，使用上述的酸性阳离子交换树脂除去阳离子并使用碱性阴离子交换树脂除去阴离子性杂质，这在提高使用本发明的组合物制作的有机场致发光元件的寿命方面也是优选的。

碱性阴离子交换树脂例如是以苯乙烯系、丙烯酸系等各种聚合物为基体，向其主链导入季铵碱(季铵)、叔胺、伯多胺或仲多胺等各种离子交换基团(官能团)、即被离子交换基团修饰而成的树脂。

该碱性阴离子交换树脂有强碱性阴离子交换树脂和弱碱性阴离子交换树脂。

强碱性阴离子交换树脂例如是以苯乙烯系的聚合物为基体，具有第季铵碱(季铵)作为离子交换基团(官能团)的树脂，能够更好地对作为杂质的阴离子(anion)进行离子交换而将其捕捉，从被处理液中去除。

作为成为去除对象的杂质的阴离子，可举出硫酸根离子(SO₄ ²-)、甲酸根离子(HCO²-)、草酸根离子(C₂O₄ ²-)、乙酸根离子(CH₃COO-)、F-离子、Cl-离子、Br-离子、NO₃-离子等无机离子和有机离子。

应予说明，作为这样的强碱阴离子交换树脂的具体例，可举出三菱化学株式会社制的“DIAION(注册商标)NSA100”(商品名)、“DIAION(注册商标)SAN1”(商品名)等。

弱碱性阴离子交换树脂是以苯乙烯系的聚合物为基体、具有叔胺作为离子交换基团(官能团)的树脂，或者是以丙烯酸系的聚合物为基体、具有伯多胺或仲多胺作为离子交换基团(官能团)的树脂，与上述的强碱性阴离子交换树脂同样，能够更好地对硫酸根离子(磺酸根离子)等阴离子进行离子交换而将其捕捉，从被处理液中去除。

应予说明，作为这样的弱碱性阴离子交换树脂的具体例，可举出三菱化学株式会社制的“DIAION(注册商标)WA20”(商品名)等。

并且，作为离子去除剂，还优选使用无机离子交换材料。无机离子交换材料是由金属氧化物等金属盐构成的材料，具有吸附阳离子而进行离子交换的类型；吸附阴离子而进行离子交换的类型；同时吸附阳离子和阴离子而进行离子交换的类型。

作为对阳离子进行离子交换的类型的无机离子交换材料，有五氧化锑(Sb₂O₅)的水合物(例如，东亚合成株式会社制“IXE(注册商标)-300”(商品名))、磷酸钛(例如，东亚合成株式会社制“IXE(注册商标)-400”(商品名))、磷酸锆(例如，东亚合成株式会社制“IXE(注册商标)-100”(商品名))等。

另外，作为对阴离子进行离子交换的类型的无机离子交换材料，有含水氧化铋(例如，东亚合成株式会社制“IXE(注册商标)-500”(商品名))、氢氧化磷酸铅(例如，东亚合成株式会社制“IXE(注册商标)-1000”(商品名))等。特别是含水氧化铋对硫酸根离子(SO₄ ²-)的吸附选择性高。

作为离子去除剂，除这样的上述离子交换剂之外，也可以使用活性炭、活性白土、二氧化硅、硅胶等。

(再沉淀法)

用于减少Zn含量的再沉淀法是通过将被精制材料溶解于可溶解的适当的有机溶剂(良溶剂)中，向该溶液中添加不良溶剂，使被精制材料以固体的形式析出而进行精制的方法。为了完全溶解被精制的芳香族胺系聚合物等被精制材料，优选该再沉淀法使用的良溶剂的使用量相对于被精制材料通常为5倍重量份以上，优选为10倍重量份以上。

在此，作为使用的有机溶剂，在后述的精制用有机溶剂中，特别优选甲醇、乙醇等醇系有机溶剂，戊烷、己烷、庚烷等脂肪族系有机溶剂，苯、甲苯等芳香族系有机溶剂等。当然，优选所使用的有机溶剂的杂质量少。

(有机溶剂清洗法)

用于减少Zn含量的有机溶剂清洗法是选择能够分散被精制材料且具有适度挥发性的适当的有机溶剂对被精制材料进行清洗的方法。该有机溶剂清洗法中使用的有机溶剂可以是某种程度溶解芳香族胺系聚合物等被精制材料的有机溶剂。

作为有机溶剂清洗法中使用的有机溶剂，优选使用甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇等醇系有机溶剂。

作为有机溶剂清洗法的操作方法，可举出如下操作方法等，即，分散清洗操作，将被精制材料和有机溶剂的混合物使用溶解器、均质混合器、均质机、涂料混合器、三辊机、双辊机、珠磨机等混合装置，通常混合1分钟～70小时，优选混合5分钟～24小时，进一步优选混合10分钟～6小时，其后，通过过滤、倾析等分离出有机溶剂后，进行干燥；超声波清洗操作，在超声波分散均质机、超声波清洗机等超声波混合装置内，对被精制材料和有机溶剂的混合物照射通常30秒～10小时、优选1分钟～5小时的通常1～300KHz、优选2～100KHz的频率的超声波，其后，通过过滤、倾析等分离出有机溶剂后，进行干燥；搅拌清洗操作，将被精制材料和有机溶剂的混合物使用带叶片的搅拌机以通常为50～15000rpm、优选为100～2000rpm的转数搅拌通常5分钟～10小时、优选10分钟～5小时，其后，通过过滤、倾析等分离出有机溶剂后，进行干燥。

这些操作可以分别独立地实施也可以组合2个以上实施。进行这些操作时的被精制材料的浓度通常为0.1～70重量％，优选为1～50重量％。

(精制用有机溶剂)

作为以上的精制法中使用的有机溶剂，可以使用与制备本发明的组合物时使用的有机溶剂同样的有机溶剂，从Zn去除性等观点考虑，例如，优选使用如下的有机溶剂。

乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丁酯、乙酸仲丁酯、乙酸正戊酯、乙酸仲戊酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸2-乙基丁酯、乙酸2-乙基己酯、乙酸苄酯、乙酸环己酯、乙酸甲基环己酯、乙酸正壬酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酸丙二醇单丁醚、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸异戊酯、草酸二乙酯、草酸二正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、丙二酸二乙酯、邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯等酯系有机溶剂；正戊烷、异戊烷、正己烷、异己烷、正庚烷、异庚烷、2,2,4-三甲基戊烷、正辛烷、异辛烷、环己烷、甲基环己烷等脂肪族烃类有机溶剂；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、三甲基苯、甲基乙基苯、正丙基苯、异丙基苯、二乙基苯、异丁基苯、三乙基苯、二异丙基苯、正戊基萘、三甲基苯等芳香族烃类有机溶剂；环戊酮、环己酮、2-己酮、2-庚酮、甲基环己酮等酮系有机溶剂；二乙基醚、四氢呋喃等醚系有机溶剂等。

这些有机溶剂可以同时使用2种以上。

(有机溶剂的精制方法)

作为用于制备本发明的组合物的有机溶剂的精制方法，可以在上述的被精制材料的精制方法中，使用被精制有机溶剂代替被精制材料溶液，同样地实施。

<组合物的保存>

本发明的组合物通过封入到特定的玻璃容器中进行保存，使组合物中的成为异物生成的重要因素的金属在保存中被捕捉到玻璃容器的壁面，能够保持均匀的溶液状态。因此，组合物中不生成异物，能够稳定地进行均匀的成膜。因此，通过使用将本发明的有机场致发光元件用组合物封入到特定的玻璃容器中保存的有机场致发光元件用组合物来进行制造，从而本发明的有机场致发光元件不产生短路、黑斑，驱动寿命长。

即，优选本发明的有机场致发光元件用组合物以封入到特定的玻璃容器而成的封入体的形式保存。

上述玻璃容器是在上述玻璃容器的容器内表面的与该有机场致发光元件用组合物的接触面(以下有时称为“接液面”)中，由投影面积求得的、距基准面突出0.8nm以上的凸部区域和距表面凹陷0.8nm以上的凹部区域的总计的表面凹凸部分的面积率为0.2％以上的玻璃容器。

另外，优选上述玻璃容器为：相对于上述玻璃容器的接液面，由投影面积求得的、作为比基准面低0.8nm的凹部区域的表面凹部分的面积率为0.1％以上。

此外，进一步优选上述玻璃容器为：相对于上述玻璃容器的接液面，任意选择的10μm×10μm的区域中的距基准面突出0.8nm以上的凸部区域的数目和距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域的数目的总计为5个以上。

容器内表面的接液面的投影面积是指从与容器内表面的接液面垂直的方向观察作为观察样品的容器内表面的接液面的任意区域时的面积。具体而言，可以是从与接液面垂直的方向观察任意的10μm×10μm的接液面时的面积。

宏观上容器内表面多为曲面形状，但上述10μm×10μm这种微小区域可以近似看做平面，将10μm×10μm区域的与容器内表面的接液面垂直的方向唯一确定。

因此，容器内表面的接液面中的、由投影面积求得的、距基准面突出0.8nm以上的凸部区域是指从与容器内表面垂直的方向观察时，距容器内表面基准面突出0.8nm以上的凸部的投影面积，容器内表面的接液面中的、由投影面积求得的、距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域是指从与容器内表面垂直的方向观察时，距容器内表面基准面凹陷0.8nm以上的凹部的投影面积。

关于在玻璃容器的容器内表面的与该有机场致发光元件用组合物的接触面中，由投影面积求得的、距基准面突出0.8nm以上的凸部区域和距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域的总计的表面凹凸部分的面积率为0.2％以上这点，具体而言，优选对容器内表面的与有机场致发光元件用组合物的接液面进行下述(i)所示的AFM测定，作为下述(ii)所示的表面凹凸部分的面积率而求出。

另外，关于在玻璃容器的容器内表面的与该有机场致发光元件用组合物的接液面中，由投影面积求得的、作为距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域的表面凹部分的面积率为0.1％以上这点，具体而言，优选进行下述(i)所示的AFM测定，作为下述(iii)所示的表面凹部分的面积率而求出。

另外，关于在玻璃容器的容器内表面的与该有机场致发光元件用组合物的接液面中，任意选择的10μm×10μm的区域中的距基准面突出0.8nm以上的凸部区域的数目和距基准面凹陷0.8nm以上的凹部区域的数目的总计为5个以上这点，具体而言，优选进行下述(i)所示的AFM测定，作为下述(iv)所示的表面凹凸密度而求出。

(i)将从玻璃容器的接液面的任意2处分别任意选择的10μm×10μm的AFM图像设为1个样品，将1个样品划分成256×256的区域，对每个分区测定高度信息的数据。

(ii)算出检测每个样品而得的、比基准面高0.8nm以上的凸部分区和比基准面低0.8nm以上的凹部分区的面积的总计相对于1个样品的面积(10μm×10μm)的百分率，求出全部样品的平均值作为表面凹凸部分的面积率。

(iii)算出检测每个样品而得的、比基准面低0.8nm以上的凹部分区的面积的总计相对于1个样品的面积(10μm×10μm)的百分率，求出全部样品的平均值作为表面凹部分的面积率。

(iv)算出检测每个样品(10μm×10μm)而得的、比基准面高0.8nm以上的凸部区域的数目和比基准面低0.8nm以上的凹部区域的数目的总计，求出全部样品的平均值作为表面凹凸密度。

在此，比基准面高0.8nm以上的凸部区域是指1个比基准面高0.8nm以上的凸部分区或多个相连而成的凸部分区的集合，是指其周围不是高0.8nm以上的凸部分区的区域。

比基准面低0.8nm的凹部区域是指1个比基准面低0.8nm以上的凹部分区或多个相连而成的凹部分区的集合，是指其周围不是低0.8nm以上的凹部分区的区域。

基准面可以使用平坦区域的面或由测定区域的凹凸的平均定义的面。由测定区域的凹凸的平均定义的面简便且有再现性，所以优选。

应予说明，为了使上述接液面的观察的再现性高，优选AFM测定。

使用上述接液面具有上述表面凹凸的特征的玻璃容器所带来的本发明的作用效果如下。

本发明的组合物中存在金属杂质时，这些杂质在长期保存期间经时凝聚，例如有时形成0.1μm左右以上的大小的异物。在作为本发明的组合物的用途的有机场致发光元件设备中，由于有机层的膜厚为数nm～数十nm或者数百nm的等级，所以即便是这样尺寸的异物，也可能对膜的电气物性造成影响，引起电短路，形成显示缺陷。

本发明的组合物中存在这样的微量混入金属杂质时，本发明涉及的玻璃容器作为在保存中用其接液面的表面凹凸捕捉上述杂质而抑制凝聚的金属担载性容器发挥功能。

本发明涉及的玻璃容器为了充分发挥金属捕捉功能，优选在玻璃容器的接液面存在最佳的凹凸，另外，优选接液面具有极性。

通过使本发明涉及的玻璃容器的接液面的表面凹凸部分的面积率为0.2％以上，能够充分得到由表面凹凸带来的捕捉组合物中的异物的效果。从异物捕捉效果这方面考虑，表面凹凸部分的面积率越大越好，优选为0.5％以上，特别优选为0.7％以上。

从容器附着污垢等时容易清洗而去除的角度、使用容器内的溶液时溶液不易附着残留在容器壁面而提高容器内的溶液的利用效率的角度以及容器成分不易溶出的角度考虑，玻璃容器的表面凹凸部分的面积率通常为20％以下。

另外，为了更可靠地得到由表面凹凸带来的捕捉组合物中的异物的效果，特别是将异物捕获到其凹部的表示凹部的存在量的表面凹部分的面积率优选为0.1％以上，更优选为0.3％以上。

从容器附着污垢等时容易清洗而去除的角度、使用容器内的溶液时溶液不易附着残留在容器壁面而提高容器内的溶液的利用效率的角度以及容器成分不易溶出的角度考虑，玻璃容器的接液面的表面凹部分的面积率通常为30％以下。

另外，从由表面凹凸带来的捕捉组合物中的异物的效果这方面考虑，表示单位面积的表面凹凸的数目的表面凹凸密度越大越好，优选为5个以上，特别优选为7个以上，尤其优选为10个以上。

从容器附着污垢等时容易清洗而去除的角度、使用容器内的溶液时溶液不易附着残留在容器壁面而提高容器内的溶液的利用效率的角度以及容器成分不易溶出的角度考虑，玻璃容器的接液面的表面凹凸密度通常为80个以下，优选为50个以下。

凸部的高度的上限、凹部的深度的上限没有特别限制，凸部距基准面的高度的上限通常为7nm以下，凹部距基准面的深度的上限通常为7nm以下。

作为玻璃容器的接液面的凸部区域或凹部区域的每一个的大小，优选直径(用2根平行线夹持凹凸的投影面时，平行线的距离最长的部分的长度)为0.05～3μm的突起(凸部)或细孔(凹部)。该凹凸的直径优选为0.1μm以上，进一步优选为0.5μm以上。

将10μm×10μm的AFM图像作为1个样品，将1个样品划分成256×256的区域，对每个分区测定高度信息的数据时，直径定义为用与由分区(1个分区为约0.039μm×约0.039μm的正方形)的集合表示的凸部区域或凹部区域的边或顶点相接的2根平行线夹持时的、平行线的距离最长的部分的长度。

凹凸的直径越小接液面的表面积越小，金属捕捉效果越低，因此，通过增大接液面的表面积来提高金属捕捉效果。

细孔的情况下，如果直径过小，则组合物中的异物进入细孔的概率变小，有时金属捕捉效率降低。考虑到由组合物形成的层的膜厚，认为存在于组合物中会产生问题的异物是大小为0.01μm以上的异物。

优选玻璃容器的表面凹凸为即便保存中的组合物中形成这样的异物也能够有效将其捕捉的大小。

应予说明，本发明涉及的玻璃容器优选其接液面的整面满足上述表面凹凸部分的面积率，优选还满足上述表面凹部分的面积率和表面凹凸密度。

只要至少接液面的30％以上、尤其50％以上满足上述表面凹凸部分的面积率，优选还满足上述表面凹部分的面积率和表面凹凸密度，就能够得到本发明起到的异物捕捉效果。

另外，在本发明的组合物的保存中，为了充分得到本发明涉及的玻璃容器带来的异物捕捉效果，本发明的组合物优选被封入本发明涉及的玻璃容器保存16小时以上，特别优选保存1天以上。

如果该保存期间过短，当为高度精制的组合物时，发生金属凝聚而成为异物的程度的可能性小。因此，也得不到玻璃容器带来的异物捕捉效果。另外如果保存期间过长，当组合物的稳定性低时，可能发生组合物的凝聚或分解等劣化。

作为有机场致发光元件用组合物保存用的一般的容器材质，可举出塑料容器(树脂制容器)、玻璃容器、金属容器。

金属容器有时从金属表面发生更进一步的金属溶出，塑料容器有时耐热性、耐试剂性等差。从不发生这样的情况、并且容易确认内容物、牢固的观点等考虑，本发明中优选使用玻璃容器。

作为玻璃容器的玻璃的材质，从各种离子向本发明组合物的溶出性低的观点考虑，优选使用硼硅酸玻璃。作为玻璃容器的玻璃材质，也可以使用钠钙玻璃等，但由于钠钙玻璃从玻璃溶出的Na等的量多，所以优选硼硅酸玻璃。

认为玻璃容器的表面凹凸主要被硅烷醇基覆盖。满足上述的表面凹凸部分的面积率、进而满足表面凹部分的面积率和表面凹凸密度的玻璃容器通过使该硅烷醇基的表面积变大，提高捕捉金属的化学效果。

另外表面凹凸形成三维的捕捉离子和异物的口袋，由于物理键合力起到的协同效果，金属离子被容器的接液面捕捉。由此能够防止在组合物内形成凝聚体而成为异物。

另外即使生成异物也被容器的接液面捕捉，能够防止异物在组合物内自由浮游。将这样的组合物用于膜形成时，能够防止异物混入到形成的膜中。

为了在玻璃容器的接液面形成如上所述的满足表面凹凸部分的面积率、进而满足表面凹部分的面积率和表面凹凸密度的表面凹凸，可以通过分别对玻璃的坯管的生成阶段的加热或冷却阶段的温度上升或冷却速度进行调节来形成。另外，使用喷砂法等的粒子，将做好的玻璃容器的表面进行粗糙化的方法也是有效的。

另外，也可以对市售的玻璃容器进行上述的AFM测定，选择如上所述的满足表面凹凸部分的面积率、进而满足表面凹部分的面积率和表面凹凸密度的表面凹凸用作本发明涉及的玻璃容器。

<阴离子成分>

如上所述，如果组合物中存在Zn，则有可能与阴离子成分形成不溶性的析出物。特别是利用离子键而形成的盐通常对有机溶剂不溶，从有机溶剂中析出。因此，优选减少阴离子成分，尤其是含有硫(S)作为构成成分的阴离子成分。以下，对硫(S)的减少进行说明。

<关于S的说明>

对于本发明的组合物而言，优选将组合物中的S的含量(S浓度)减少至小于20ppm，更优选减少至小于5ppm，进一步优选减少至小于1ppm。

本发明的组合物所含的S通常来自有机化合物，一般，制备组合物时使用的有机溶剂所含的S成分被带入组合物内。

本发明中，组合物中的S包含在有机溶剂中被带入的理由如下。

本发明的组合物是使用芳香族胺系聚合物并将其溶解于有机溶剂而成的。为了溶解这样的芳香族胺系聚合物，作为本申请发明的组合物中使用的有机溶剂所要求的物性，希望具有较多极性。

在制造具有极性基团的有机溶剂时，使用利用硫酸或硫酸衍生物等的催化剂或用于导入极性基团的试剂。

例如，酯系有机溶剂是对原料的羧酸使用醇和催化剂量的硫酸等酸而合成的。有时也通过使原料的羧酸与硫酸二甲酯、硫酸二乙酯、硫酸二丁酯等硫酸酯类反应而合成。

进行这样的反应后，如果精制不充分，则合成的有机溶剂中存留硫酸、硫酸酯等。

如果使用含有这样的残留硫酸、残留硫酸酯的有机溶剂制备组合物，则组合物中含有S，为硫酸时，与组合物中的金属离子直接形成配合物，为硫酸二乙酯时，缓慢分解而成为硫酸后与金属离子形成配合物。形成的配合物在组合物中以异物的形式析出。

比较硫酸和硫酸酯时，通常硫酸用水洗等工序就能够容易地去除，而硫酸酯用水洗难以去除，另外，即便是通过蒸馏进行的分离精制有时也无法去除。

这些S即便是在制备组合物之后不会立刻产生问题，经过一段时间后也会产生问题，因此特别优选使用硫酸二乙酯等硫酸酯这种来自有机化合物的S的含量得到减少的有机溶剂。

本发明的组合物通过减少组合物中的S浓度，能够防止组合物中含有的金属析出而形成异物，能够形成异物的含量少、成膜时的麻烦少的组合物。

本发明的组合物中，由S与组合物中的金属成分形成的异物越少越好，优选用孔径0.1μm的过滤器进行过滤时，在过滤器上看不到长径0.5μm以上的粒子。

应予说明，形成成为异物的配合物的组合物中的金属成分是从如下来源不可避免地混入组合物中的成分，所述来源有：构成组合物的芳香族胺系聚合物等固体材料、有机溶剂等材料；制备组合物时混合它们的容器；混合材料制备组合物时的周围环境；以及填充并保存组合物的容器等。其中，特别是Zn容易形成异物，所以优选本发明的组合物中Zn含量少，优选Zn含量小于0.5ppm。

<S的减少方法>

以下，对本发明的组合物中用于使S含量小于20ppm的有机溶剂的精制方法进行说明。

如上所述，本发明的组合物中的S含量优选小于20ppm，更优选小于5ppm，进一步优选小于1ppm。在得到本发明的组合物时，作为减少组合物的制备中使用的有机溶剂的S含量的方法，可举出水洗法、使用离子去除剂的方法。

(使用离子去除剂的方法)

作为使用离子去除剂减少S浓度的方法，可举出与离子交换树脂接触的方法。

作为离子交换树脂，使用酸性阳离子交换树脂或碱性阴离子交换树脂。其中，为了除去SO₄ ^2-等S成分优选使用碱性阴离子交换树脂。

碱性阴离子交换树脂有强碱性阴离子交换树脂和弱碱性阴离子交换树脂。

强碱性阴离子交换树脂例如是以苯乙烯系的聚合物为基体，具有季铵碱(季铵)作为离子交换基团(官能团)的树脂，能够更好地对作为杂质的阴离子(anion)进行离子交换而将其捕捉，从被处理液中去除。

在此，作为成为去除对象的杂质的阴离子，可举出硫酸根离子(SO₄ ^2-)、甲酸根离子(HCO^2-)、草酸根离子(C₂O₄ ^2-)、乙酸根离子(CH₃COO^-)、F^-离子、Cl^-离子、Br^-离子、NO₃ ^-离子等无机离子和有机离子。

应予说明，作为这样的强盐基阴离子交换树脂的具体例，可举出三菱化学株式会社制的“DIAION(注册商标)NSA100”(商品名)、“DIAION(注册商标)SAN1”(商品名)等。

另外，使用上述的碱性阴离子交换树脂除去阴离子并使用酸性阳离子交换树脂除去阳离子性杂质，这在提高使用本发明的组合物制作的有机场致发光元件的寿命方面也是优选的。

在此，作为成为去除对象的杂质的阳离子，除Zn之外，还可举出各种金属离子、由P、Si构成的离子。作为金属离子，可举出属于元素周期表Ia族、IIa族、VIa族、VIIa族、和IIb族的金属离子，更具体而言可举出Ca、Cr、Fe、Pd、Na、Mg、Ni、Sn、K等。应予说明，作为这样的强酸性阳离子交换树脂的具体例，可举出三菱化学株式会社制的“DIAION(注册商标)SK110”(商品名)、“DIAION(注册商标)SKN1”(商品名)等。

对于弱酸性阳离子交换树脂，可举出以丙烯酸系的聚合物为基体、具有丙烯酸基作为离子交换基团(官能团)的树脂，或者以甲基丙烯酸系的聚合物为基体、具有甲基丙烯酸基作为离子交换基团(官能团)的树脂。与上述的强酸性阳离子交换树脂同样，弱酸性阳离子交换树脂能够更好地对金属离子等阳离子进行离子交换而将其捕捉，从被处理液中去除。

另外，该弱酸性阳离子交换树脂特别是相对于被处理液中的供电子性高分子过量使用、供于接触时，与上述强酸性阳离子交换树脂同样，也能够选择性吸附(离子交换)供电子性高分子的低分子侧的成分，从被处理液中去除。应予说明，作为这样的弱酸性阳离子交换树脂的具体例，可举出三菱化学株式会社制的“DIAION(注册商标)WK100”(商品名)等。

并且，作为离子去除剂，还优选使用无机离子交换材料。无机离子交换材料由金属氧化物等金属盐构成，具有吸附阳离子而进行离子交换的类型；吸附阴离子而进行离子交换的类型；同时吸附阳离子和阴离子而进行离子交换的类型。

作为对阳离子进行离子交换的类型的无机离子交换材料，有五氧化锑(Sb₂O₅)的水合物(例如，东亚合成株式会社制“IXE(注册商标)-300”(商品名))、磷酸钛(例如，东亚合成株式会社制“IXE(注册商标)-400(商品名)”)、磷酸锆(例如，东亚合成株式会社制“IXE(注册商标)-100”(商品名))等。

另外，作为对阴离子进行离子交换的类型的无机离子交换材料，有含水氧化铋(例如，东亚合成株式会社制“IXE(注册商标)-500”(商品名))、氢氧化磷酸铅(例如，东亚合成株式会社制“IXE(注册商标)-1000”(商品名))等。特别是含水氧化铋对硫酸根离子(SO₄ ^2-)的吸附选择性高。

作为这样的离子去除剂与有机溶剂的接触方法，可举出将离子去除剂添加混合到被精制有机溶剂进行充分搅拌，其后，通过过滤除去离子去除剂的方法，使填充有离子去除剂的柱内通过被精制有机溶剂的方法等。

(利用水洗的方法)

有机溶剂也可以通过小心地进行水洗而精制。

然而，由于即使通过使用上述离子去除剂的方法、利用水洗的方法也难以除去有机体系的离子，所以本发明的组合物的制备中，优选不对所用的有机溶剂、其它的材料进行使用有机系含S化合物的处理。

本发明中，如上所述，通过对组合物的制备中使用的有机溶剂进行精制，能够防止S向组合物混入，能够使本发明的组合物中的S浓度小于20ppm，优选小于5ppm，更优选小于1ppm。本发明的组合物中的S浓度越低越好，优选为后述的S浓度的分析中的检测界限以下。

如果组合物中的S浓度为20ppm以上，则产生由S引起的异物，无法进行均匀的成膜，使用该组合物制造的有机场致发光元件产生短路、黑斑等问题，无法得到驱动寿命长的有机场致发光元件。

应予说明，本发明的组合物中的S浓度如后述的实施例项所述，能够用ICP(分光分析)法进行测定。

另外，在显著得到这样的S浓度减少效果方面，特别有效的是本发明的组合物使用不易混入S的苯甲酸乙酯、苯甲酸戊酯、苯甲酸丁酯等酯系有机溶剂作为有机溶剂。

<芳香族胺系聚合物>

以下，对本发明的有机场致发光元件用组合物中使用的芳香族胺系聚合物进行说明。

本发明的有机场致发光元件用组合物所含的芳香族胺系聚合物是重复单元中至少具有芳香族氨基、重均分子量为3000～1000000的高分子化合物。

另外，本发明的有机场致发光元件用组合物所含的芳香族胺系聚合物优选为重复单元中至少具有三芳基氨基、重均分子量为3000～1000000的高分子化合物。

(分子量)

本发明中的芳香族胺系聚合物的重均分子量(Mw)为3000以上且为1000000以下，适用于有机场致发光元件。

如果芳香族胺系聚合物的重均分子量为上述范围内，则湿式成膜时，芳香族胺系聚合物在有机溶剂中的溶解性良好，另外容易形成均匀的膜，并且，由于不易引起杂质的高分子量化所以精制容易，不易在工业上产生不利情况。

另外如果重均分子量小于该下限值，则玻璃化转变温度、熔点和气化温度降低，所以耐热性可能明显受损。

利用湿式成膜法形成含有该芳香族胺系聚合物的层时，从溶解性、成膜性、耐热性的观点考虑，其重均分子量优选为100000以下，进一步优选为60000以下。同样，作为下限值优选为5000以上，进一步优选为10000以上。

另外，本发明中的芳香族胺系聚合物的数均分子量(Mn)通常为2500000以下，优选为750000以下，更优选为400000以下，另外通常为500以上，优选为1500以上，更优选为3000以上。

并且，本发明中的芳香族胺系聚合物的分散度(Mw/Mn)通常为10以下，优选为2.5以下，更优选为2.0以下，优选为1.0以上，进一步优选为1.1以上，特别优选为1.2以上。

如果为上述范围内，则精制容易，另外芳香族胺系聚合物在有机溶剂中的溶解性、电荷输送能力良好，所以优选。

本发明中的重均分子量(和数均分子量)通过SEC(尺寸排阻色谱)测定来决定。SEC测定中高分子量成分的溶出时间短，低分子量成分的溶出时间长，使用由分子量已知的聚苯乙烯(标准试样)的溶出时间算出的标准曲线，将样品的溶出时间换算成分子量，由此算出重均分子量(和数均分子量)。

(关于优选的重复单元)

本发明的有机场致发光元件用组合物含有的芳香族胺系聚合物优选为含有由下述式(2)表示的重复单元的聚合物。

(式中，m表示0～3的整数，Ar³¹和Ar³²各自独立地表示直接键合、可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，Ar³³～Ar³⁵各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。应予说明，Ar³³和Ar³⁵表示1价的基团，Ar³⁴表示2价的基团。但是，Ar³¹和Ar³²不同时为直接键合。)

作为可以具有取代基的芳香族烃环基，例如，可举出具有1个或2个游离原子价的苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、

环、9,10-苯并菲环、苊环、荧蒽环、芴环等具有1个或2个的游离原子价的6元环的单环或2～5稠合环。

在此，本发明中，游离原子价是指如有机化学·生物化学命名法(上)(修订第2版，南江堂，1992年发行)所述，可以与其它游离原子价形成键的原子价。

作为可以具有取代基的芳香族杂环基，例如，可举出具有1个或2个游离原子价的呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、

二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异

唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、shinorine环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、薁环等具有1个或2个游离原子价的5或6元环的单环或2～4稠合环。

从在有机溶剂中的溶解性和耐热性的观点考虑，优选Ar³¹～Ar³⁵各自独立地为选自可以具有取代基的、具有1个或2个游离原子价的苯环、萘环、蒽环、菲环、9,10-苯并菲环、芘环、噻吩环、吡啶环、芴环中的1个环。

另外，作为Ar³¹～Ar³⁵，优选为将选自上述组中的1种或2种以上的环利用直接键合或-CH＝CH-基连接而成的基团，进一步优选为联苯基和三联苯基等。

另外，从作为有机场致发光元件的稳定性考虑，进一步优选为具有1个或2个游离原子价的苯环、芴环、联苯基、三联苯基。

作为上述可以具有取代基的芳香族烃环基和可以具有取代基的芳香族杂环基可具有的取代基，例如可举出下述(取代基组Z)中记载的基团。

<取代基组Z>

甲基、乙基等碳原子数优选为1～24、碳原子数进一步优选为1～12的烷基；

乙烯基等碳原子数优选为2～24、碳原子数进一步优选为2～12的烯基；

乙炔基等碳原子数优选为2～24、碳原子数进一步优选为2～12的炔基；

甲氧基、乙氧基等碳原子数优选为1～24、碳原子数进一步优选为1～12的烷氧基；

苯氧基、萘氧基、吡啶氧基等碳原子数优选为4～36、碳原子数进一步优选为5～24的芳氧基；

甲氧羰基、乙氧羰基等碳原子数优选为2～24、碳原子数进一步优选为2～12的烷氧羰基；

二甲基氨基、二乙基氨基等碳原子数优选为2～24、碳原子数进一步优选为2～12的二烷基氨基；

二苯基氨基、二甲苯基氨基、N-咔唑基等碳原子数优选为10～36、碳原子数进一步优选为12～24的二芳基氨基；

苯基甲基氨基等碳原子数优选为6～36、碳原子数进一步优选为7～24的芳基烷基氨基；

乙酰基、苯甲酰基等碳原子数优选为2～24、碳原子数优选为2～12的酰基；

氟原子、氯原子等卤素原子；

三氟甲基等碳原子数优选为1～12、碳原子数进一步优选为1～6的卤代烷基；

甲硫基、乙硫基等碳原子数优选为1～24、碳原子数进一步优选为1～12的烷硫基；

苯硫基、萘硫基、吡啶硫基等碳原子数优选为4～36、碳原子数进一步优选为5～24的芳硫基；

三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等碳原子数优选为2～36、碳原子数进一步优选为3～24的甲硅烷基；

三甲基甲硅烷氧基、三苯基甲硅烷氧基等碳原子数优选为2～36、碳原子数进一步优选为3～24的甲硅烷氧基；

氰基；

苯基、萘基等碳原子数优选为6～36、碳原子数进一步优选为6～24的芳香族烃环基；

噻吩基、吡啶基等碳原子数优选为3～36、碳原子数进一步优选为4～24的芳香族杂环基。

上述各取代基可以进一步具有取代基，作为可具有的取代基的例子，可举出与上述取代基组Z例示的基团同样的基团。

作为Ar³¹～Ar³⁵中的芳香族烃环基和芳香族杂环基可具有的取代基的分子量，进一步包含所取代的基团在内优选为500以下，进一步优选为250以下。

从在有机溶剂中的溶解性的观点考虑，作为Ar³¹～Ar³⁵中的芳香族烃环基和芳香族杂环基可具有的取代基，各自独立地优选为碳原子数1～12的烷基和碳原子数1～12的烷氧基、碳原子数6～24的芳香族烃环基、碳原子数4～24的芳香族杂环基，进一步优选为甲基、乙基、苯基、萘基，从作为有机场致发光元件的稳定性考虑，特别优选苯基、萘基。

应予说明，m为2以上时，由上述式(2)表示的重复单元具有2个以上的Ar³⁴和Ar³⁵。此时，多个存在的Ar³⁴彼此和Ar³⁵彼此各自可以相同也可以不同。并且，Ar³⁴彼此、Ar³⁵彼此可以各自相互直接形成环状结构或介由连接基团键合而形成环状结构。

式(2)中的m表示0～3的整数。

m为0时，芳香族胺系聚合物在有机溶剂中的溶解性和成膜性提高，在这点上是优选的。

另外，m为1～3时，芳香族胺系聚合物的空穴输送能力提高，在这点上是优选的。

可以根据用途、状况使用m值改变的化合物。

(共轭聚合物)

由于本发明中的芳香族胺系聚合物由具有共轭系结构的重复单元构成，所以从具有充分的电荷输送能力并且在有机溶剂中具有充分的溶解性的观点考虑，优选为共轭聚合物。

更具体而言，优选为由上述式(2)表示的重复单元构成的聚合物。

(非共轭基团)

本发明中的芳香族胺系聚合物还优选为含有由下述式(3)表示的重复单元的聚合物。

具体而言，Ar⁵¹、AR⁵²、Ar⁵³、为可以具有取代基的2价的芳香族基团时的Ar⁵⁶以及为可以具有取代基的2价的芳香族基团时的Ar⁵⁷是与上述Ar³¹和Ar³²中记载的基团同样的基团。

Ar⁵⁴、Ar⁵⁵、为芳香族基团时的R¹¹和为芳香族基团时的R¹²是与上述Ar³³和Ar³⁵中记载的基团同样的基团。

Ar⁵¹～Ar⁵⁷、R¹¹和R¹²可具有的取代基与上述取代基组Z同样。

R¹¹和R¹²为可以具有取代基的芳香族基团时，R¹¹和R¹²是与上述Ar³³和Ar³⁵中记载的基团同样的基团。

从溶解性的观点考虑，R¹¹和R¹²优选为碳原子数1～12的烷基和碳原子数1～12的烷氧基，更优选为碳原子数1～12的烷基。

(不溶基团)

另外，本发明中的芳香族胺系聚合物为共轭聚合物时，从层叠容易、并且成膜时的表面平坦性优异的观点考虑，进一步优选具有不溶基团。也就是说，本发明中的芳香族胺系聚合物优选为具有不溶基团的共轭聚合物。

不溶基团是通过热和/或光等活性能量射线的照射而发生反应的基团，是具有反应后与反应前相比在有机溶剂、水中的溶解性下降的效果的基团。

本发明中，不溶基团优选为解离性基团或交联性基团。

芳香族胺系聚合物具有含不溶基团作为取代基的基团，具有不溶基团的位置可以在由上述式(2)表示的重复单元中，另外也可以在由式(2)表示的重复单元以外的部分、例如末端基具有。

以下，有时将具有解离性基团的芳香族胺系聚合物称为“解离性聚合物”，将具有交联性基团的芳香族胺系聚合物称为“交联性聚合物”。

<解离性基团>

解离性基团是对有机溶剂显示可溶性的基团，表示在70℃以上从键合的基团(例如，烃环)发生热解离的基团。另外，通过解离性基团发生解离，聚合物在有机溶剂中的溶解度降低。

但是，解离后，通过键合其它原子的反应例如水解而发生解离的基团等不包含在解离性基团中。通过水解而发生解离的基团在解离后在分子内具有活性质子。如果该活性质子存在于元件中，则有时对元件特性造成影响。

优选这样的解离性基团与烃环键合且该烃环与不具有极性基团的芳香族烃环缩合，更优选为通过逆狄尔斯-阿尔德反应发生热解离的基团。

另外，发生热解离的温度优选为100℃以上，进一步优选为120℃以上，另外优选为300℃以下，进一步优选为240℃以下。

如果为上述范围内，则聚合物的合成容易，另外成膜时不容易引起化合物分解等。

另外，特别是具有抑制分子间的堆积的立体结构的基团的可溶性优异，所以优选。以下示出解离性基团从化合物解离的反应的1个例子。

应予说明，为上述反应式时，解离性基团是以下所示的结构的由圆框包围的部分。

作为这样的解离性基团的解离的例子，例如可举出脱亚磺酰基乙酰胺(参照JACS，V124，No.30，2002，8813)、脱烯烃、脱、脱烷基(参照H.Kwart and K.King，Department ofChemistry，University of Delaware，Nework，Delaware 19771，p415-447(1967)，O.Dielsand K.Alder，Ber.，62，554(1929)和M.C.Kloetzel，Org.Reactions，4，6(1948))、脱1,3-二氧杂环戊烯(参照N.D.Field，J.Am.Chem.Soc.，83，3504(1961))、脱二烯(参照R.Huisgen，M.Seidel，G.Wallbillich，and H.Knupfer，Tetrahedron，17，3(1962))、脱异

唑(参照R.Huisgen and M，Christi，Angew.Chem.Intern.Ed.Engl.，5，456(1967))、脱三唑(参照R.Kreher and J.Seubert，Z.Naturforach.，20B，75(1965))等。

从解离性基团更稳定、容易合成的观考虑，特别优选上述中解离性基团所键合的烃环为含有桥亚乙烯基或桥亚乙基的环。

在加热处理前，这样的解离性基团因其体积大的分子结构，能够防止分子间的堆积，使该聚合物在有机溶剂中具有良好的溶解性。

另外，由于通过加热处理解离性基团从该聚合物解离，所以能够明显抑制加热后的化合物在有机溶剂中的溶解性，能够对含有该化合物的有机层赋予耐有机溶剂涂布性。

因此，容易在使用本发明的解离性聚合物形成的有机层上进一步利用湿式成膜法层叠有机薄膜来形成。

含有解离性基团的基团的具体例如下，但本发明不限于这些具体例。

含有解离性基团的基团为2价基团时的具体例如以下的<2价的含有解离性基团的基团组A>所述。

<2价的含有解离性基团的基团组A>

解离性基团为1价的基团时的具体例如以下的<1价的解离性基团组B>所述。

<1价的含有解离性基团的基团组B>

<重复单元的排列和比例等>

具有解离性基团的共轭聚合物只要其结构中具有解离性基团即可，其重复单元等结构没有特别限制，优选重复单元内具有芳香族环，在与该芳香族环缩合的烃环上键合上述解离性基团。

其中从成膜性优异的观点考虑，优选包含如下重复单元的具有解离性基团的共轭聚合物，所述重复单元具有包含桥亚乙烯基或桥亚乙基的键合有解离性基团的部分结构。

应予说明，优选桥亚乙烯基或桥亚乙基包含在烃环中，进一步优选该烃环为6元环。

本发明中的具有解离性基团的共轭聚合物优选包含具有由下述化学式(U3)或(U4)表示的部分结构的重复单元作为具有键合有解离性基团的部分结构作为重复单元。此时，聚合物链中的重复单元(U3)或(U4)的含量优选为10摩尔％以上，进一步优选为30摩尔％以上。

(式(U3)中，环A¹表示可以具有取代基的芳香族环，上述取代基彼此可以直接或介由2价的连接基团而形成环。

S²¹、S²²和R²¹～R²⁶各自独立地表示氢原子、羟基、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳香族烃环基、可以具有取代基的芳香族杂环基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳氧基、可以具有取代基的酰基、可以具有取代基的烯基、可以具有取代基的炔基、可以具有取代基的酰氧基、可以具有取代基的芳基氨基、可以具有取代基的杂芳基氨基或可以具有取代基的酰基氨基。

X¹和X²各自独立地表示可以具有取代基的碳原子数6～50的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的碳原子数5～50的2价的芳香族杂环基。

n¹和n²各自独立地表示0～5的整数。)

(式(U4)中，环B¹表示可以具有取代基的芳香族环，上述取代基彼此可以直接形成环或介由2价的连接基团形成环。

S³¹～S³⁴和R³¹～R³⁶各自独立地与式(U3)中的S²¹同样。

X³和X⁴各自独立地与式(U3)中的X¹同样。

n³和n⁴各自独立地表示0～5的整数。)

化学式(U3)和(U4)中的环A¹和环B¹分别表示键合有解离性基团的芳香族环，可以为芳香族烃环也可以为芳香族杂环，从电化学的稳定性优异、电荷不容易局部化的角度出发，优选芳香族烃环。

环A¹和B¹为芳香族烃环时，该芳香族烃环的核碳原子数通常为6以上。另外通常为40以下，优选为30以下，更优选为20以下。

另外，环A¹和B¹为芳香族杂环时，该芳香族杂环的核碳原子数通常为3以上，优选为4以上，更优选为5以上。另外通常为50以下，优选为30以下，更优选为20以下。

作为该芳香族烃环，例如，可举出苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、

环、苯并

环、9,10-苯并菲环、荧蒽环、芴环等。

其中环A¹和环B¹优选各自独立地选自苯环、萘环、蒽环和并四苯环。

另外作为芳香族杂环，可举出呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、

唑环环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、喹啉环、异喹啉环、喹喔啉环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、喹唑啉酮环等。

另外，上述化学式(U3)和(U4)中的环A¹和环B²也可以是1～10个同种或不同的2种以上环结构单元直接连接而成的结构、或介由1种以上的2价连接基团连接而成的结构，所述2价连接基团选自氧原子、氮原子、硫原子、核碳原子数1～20的可含杂原子的链状基团以及碳原子数为1～20的脂肪族基团。

应予说明，作为连接成的环结构单元，可以是与上述芳香族烃环、芳香族杂环同样的环结构单元，也可以是不同的芳香族烃环、芳香族杂环。另外这些芳香族烃环和芳香族杂环可以具有取代基。

作为环A¹或环B¹的取代基，可举出甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳原子数1～10的直链状或支链状的烷基；乙烯基、烯丙基、1-丁烯基等碳原子数1～8的烯基；乙炔基、丙炔基等的碳原子数1～8的炔基；苄基等碳原子数2～8的芳烷基；苯基氨基、二苯基氨基、二(甲苯基)氨基等芳基氨基；吡啶基氨基、噻吩基氨基、二噻吩基氨基等杂芳基氨基；乙酰基氨基、苯甲酰基氨基等酰基氨基；甲氧基、乙氧基、丁氧基等碳原子数1～8的烷氧基；丙烯酰氧基、甲基羰氧基、乙基羰氧基、羟基羰甲基羰氧基、羟基羰乙基羰氧基、羟基苯基羰氧基等碳原子数1～15的酰氧基；苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基等碳原子数10～20的芳氧基等。

这些取代基可以相互直接键合而形成环状结构，或介由-O-、-S-、>CO、>SO₂、-(C_αH_2α)-、-O-(C_βH_2β)-、取代或无取代的碳原子数2～20的烷叉基或可以具有取代基的碳原子数2～20的亚烷基等2价连接基团键合而形成环状结构。上述α和β分别表示1～20的整数。

这些取代基可以仅为1种，或者2种以上的任意组合，1个或2个以上的基团可以取代在环A¹或环B¹上。

更优选上述化学式(U3)和化学式(U4)中的S²¹、S²²、R²¹～R²⁶、S³¹～S³⁴和R³¹～R³⁶各自独立地表示氢原子；羟基；甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等可以具有取代基的碳原子数通常为1以上、通常为50以下、优选为10以下的直链状或支链状的烷基；可以具有取代基的核碳原子数通常为5～50的芳香族烃环基；可以具有取代基的核碳原子数为5～40的芳香族杂环基；苄基等可以具有取代基的核碳原子数通常为6以上、优选为7以上、通常50为以下、优选为8以下的芳烷基；甲氧基、乙氧基、丁氧基等可以具有取代基的碳原子数通常为1以上、通常为50以下、优选为8以下的烷氧基；苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基等可以具有取代基的核碳原子数通常为5以上、优选为6以上、通常为50以下、优选为15以下的芳氧基；可以具有取代基的核碳原子数通常为2～50的酰基；乙烯基、烯丙基、1-丁烯基等可以具有取代基的碳原子数通常为1～8的烯基；乙炔基、丙炔基等可以具有取代基的碳原子数通常为1～8的炔基；丙烯酰氧基、甲基羰氧基、乙基羰氧基、羟基羰甲基羰氧基、羟基羰乙基羰氧基、羟基苯基羰氧基等可以具有取代基的核碳原子数通常为2以上、通常为50以下、优选为15以下的酰氧基；苯基氨基、二苯基氨基、二(甲苯基)氨基等可以具有取代基的核碳原子数通常为6～50的芳基氨基；吡啶基氨基、噻吩基氨基、二噻吩基氨基等可以具有取代基的核碳原子数通常为5～50的杂芳基氨基；或者乙酰基氨基、苯甲酰基氨基等可以具有取代基的碳原子数通常为2～50的酰基氨基。

(热解离性可溶性基团的比例)

解离性基团可以包含在上述解离性聚合物的重复单元以外的部分。解离性聚合物链中所含的解离性基团优选为平均5个以上，更优选为平均10个以上，更优选为平均50个以上。

如果为上述范围内，则使用解离性聚合物形成的有机层在有机溶剂中的溶解性降低充分，在这点上是优选的。

以下，以下示出本发明中的解离性聚合物的优选具体例，但本发明不限于这些具体例。

(交联性基团)

另外，本发明中的芳香族胺系聚合物为共轭聚合物时，从在由热和/或活性能量射线的照射引起的反应(交联反应)的前后，在有机溶剂中的溶解性能够产生大的差异的观点考虑，优选具有交联性基团作为不溶基团。

在此，交联性基团是指通过热和/或活性能量射线的照射与位于附近的其它分子的相同或不同基团反应而生成新的化学键的基团。

作为交联性基团，从容易交联这样的观点考虑，例如，可举出交联性基团组T所示的基团。

<交联性基团组T>

(式中，R⁸¹～R⁸⁵各自独立地表示氢原子或烷基。Ar⁴¹表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。应予说明，苯并环丁烯环可以具有取代基，另外取代基彼此可以相互键合而形成环。)

从反应性高且不溶化容易的观点考虑，交联性基团优选为环氧基、氧杂环丁烷基等环状醚基、乙烯基醚基等通过阳离子聚合而发生不溶化反应的基团。其中，从容易控制阳离子聚合的速度的观点考虑，特别优选氧杂环丁烷基，从不容易生成在阳离子聚合时可能导致元件劣化的羟基的观点考虑，优选乙烯基醚基。

另外，从进一步提高电化学的稳定性的观点考虑，交联性基团优选为肉桂酰基等芳基乙烯基羰基、具有1个游离原子价的苯并环丁烯环等发生环化加成反应的基团。

另外，交联性基团中，从不溶化后的结构特别稳定的观点考虑，特别优选具有1个游离原子价的苯并环丁烯环。

具体而言，优选为由下述式(5)表示的基团。

(式(5)中的苯并环丁烯环可以具有取代基。另外，取代基彼此可以相互键合而形成环。)

交联性基团可以与分子内的芳香族烃环基或芳香族杂环基直接键合，也可以介由2价基团键合。优选介由将选自-O-基、-C(＝O)-基或(可以具有取代基的)-CH₂-基中的基团以任意的顺序连接1～30个而成的2价基团作为该2价基团与芳香族烃环基或芳香族杂环基键合。

介由这些2价基团的交联性基团，即，含有交联性基团的基团的具体例如以下的<含有交联性基团的基团组T’>所示，但本发明不限于这些基团。

<含有交联性基团的基团组T’>

(交联性基团的比例)

本发明中的交联性聚合物具有的交联性基团的数目可以以每1000分子量的数目来表示。

将上述交联性聚合物具有的交联性基团的数目以每1000分子量的数目表示时，每1000分子量通常为3.0个以下，优选为2.0个以下，进一步优选为1.0以下，另外通常为0.01以上，优选为0.05以上。

如果为上述范围内，则得到更平坦的膜，另外形成膜后的未反应交联性基团的数目不易影响驱动寿命，所以优选。

在此，交联性聚合物的每1000分子量的交联性基团的数目是从交联性聚合物除去其末端基团，由合成时的投料单体的摩尔比和结构式计算。

例如，以下述化合物为例进行说明。

上述化合物中，除去了末端基团的重复单元的分子量平均为362.33，另外交联性基团是每1个重复单元中平均为0.05个。如果通过单纯比例计算它，则计算出每1000分子量的交联性基团的数目为0.138个。

以下，将本发明中的交联性聚合物的优选具体例示于以下，但本发明不限于这些具体例。

[具体例]

(例如可举出上述式中a＝0.475、b＝0.475、c＝0.025、d＝0.025的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.9、b＝0.1的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.94、b＝0.06的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.1、b＝0.9的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.9、b＝0.1的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.1、b＝0.9的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.8、b＝0.1、c＝0.1的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.8、b＝0.2的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.2、b＝0.5、c＝0.3的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.9442、b＝0.0558的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.1、b＝0.9的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.9、b＝0.1的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.94、b＝0.06的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.9、b＝0.1的化合物。)

(例如可举出上述式中a＝0.9、b＝0.1的化合物。)

(特别优选的具有交联性基团的共轭聚合物)

从电荷输送能力高、氧化还原稳定性优异的观点考虑，特别优选本发明中的交联性聚合物是具有选自下述重复单元组C中的至少1个重复单元和选自下述重复单元组D中的至少1个重复单元的共轭聚合物。

<重复单元组C>

<重复单元组D>

(玻璃化转变温度、其它物性)

本发明中的交联性聚合物的玻璃化转变温度通常为50℃以上，从有机场致发光元件的包含耐热性在内的驱动稳定性的观点考虑，优选为80℃以上，更优选为100℃以上，另外，通常为300℃以下。

另外，从电荷输送能力优异的观点考虑，上述共轭聚合物的电离电势通常为4.5eV以上，优选为4.8eV以上，另外，通常为6.0eV以下，优选为5.7eV以下。

(为具有交联性基团的共轭聚合物的优点)

为溶液状态的电荷输送膜用组合物的情况下，由于为溶液所以交联性基团的分子运动比固体状态大。此时，推测在交联性聚合物的凝聚状态下，交联性基团彼此总是靠近地连续存在时，由于适当的分子运动，即使在用于后述的不溶化的加热温度以下在凝聚状态发生交联的概率也很大。

为非凝聚状态的均匀溶液时，由于交联性聚合物分子自身的分子运动大所以交联性基团彼此不会总是靠近地连续存在，因此在用于后述的不溶化的加热温度以下的溶液状态下几乎没有发生交联的可能性。

(关于非共轭聚合物)

本发明中的芳香族胺系聚合物还优选使用非共轭聚合物。作为其理由，通过电子接受性化合物，胺部位成为阳离子自由基时，主链不共轭，因此在没有施加电压的状态下阳离子自由基难以移动。也就是说，阳离子自由基在聚合物链中均匀分布，阳离子自由基在聚合物链中传播，不易保持聚合物局部化而引起的凝聚，所以优选。

非共轭聚合物中，优选含有由上述式(2)表示的重复单元和/或由上述式(3)表示的重复单元。另外，从空穴注入·输送性高这样的理由出发，进一步优选非共轭聚合物为含有由下述式(1)表示的重复单元的聚合物。

(式(1)中，Ar¹和Ar²各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。Ar³～Ar⁵各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基。Ar¹～Ar⁵中，与同一N原子键合的两个基团可以相互键合而形成环。X表示2价的连接基团。)

作为Ar¹和Ar²，从芳香族胺系聚合物的溶解性、耐热性、空穴注入·输送性的观点考虑，优选各自独立地为可具有取代基、具有1个游离原子价的苯环、萘环、菲环、噻吩环、吡啶环，还优选为苯基、萘基。

另外，作为Ar³～Ar⁵，从耐热性、包含氧化还原电位的空穴注入·输送性的观点考虑，优选各自独立地为具有2个游离原子价的苯环、萘环、9,10-苯并菲环、菲环，还优选为亚苯基、亚联苯基、亚萘基。

作为Ar¹～Ar⁵中的芳香族烃环基和芳香族杂环基可具有的取代基，与上述的(取代基团组Z)意思相同。另外，其中优选的基团也相同。

作为取代基的分子量，通常为400以下，其中优选为250以下左右。

(连接基团X)

此外，由上述式(1)表示的重复单元中，连接基团X优选为选自连接基团组X’中的2价的连接基团。

<连接基团组X’>

在此，Ar¹⁶、Ar²¹和Ar²⁶各自独立地举出与上述式(1)中的Ar¹同样的基团。另外，Ar¹¹～Ar¹⁵、Ar¹⁷～Ar²⁰、Ar²²～Ar²⁵、Ar²⁷和Ar²⁸各自独立地举出与上述式(1)中的Ar³同样的基团。

R⁴¹和R⁴²各自独立地为氢原子或取代基。若例示该取代基，则可举出烷基、烯基、炔基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳香族烃环基、芳香族杂环基等，作为这些具体例和优选例，可举出上述(取代基团组Z)中例示的具体例和优选例。

作为Ar¹¹～Ar²⁸中的芳香族烃环基和芳香族杂环基可具有的取代基，可举出上述(取代基团组Z)项中例示的取代基。

另外，对于本发明中使用的芳香族胺系聚合物而言，从空穴注入·输送性非常高这样的理由出发，上述式(1)优选为由下述式(1-1)表示的重复单元，进一步优选由下述式(1-2)表示的重复单元。

应予说明，上述式(1-1)中，R¹～R⁵的具体例与上述Ar¹～Ar⁵可具有的取代基的例子、即上述(取代基团组Z)例示的取代基相当。

(式中，Y表示选自下述连接基团组X”中的连接基团。)

<连接基团组X”>

(式中，Ar¹¹～Ar¹⁷分别与上述<连接基团组X’>中的Ar¹¹～Ar¹⁷意思相同。另外，优选的例子也同样。)

(芳香族胺系聚合物的重复单元的具体例)

以下，例示构成本发明中的芳香族胺系聚合物的重复单元的优选例，但本发明不限于这些优选例。

上述具体例中，从耐热性、电荷输送能力的观点考虑，优选为由(P-1)～(P-11)、(P-13)～(P-18)、(P-20)、(P-21)、(P-23)、(P-25)或(P-26)表示的重复单元，进一步优选为由(P-1)、(P-3)、(P-4)、(P-6)、(P-9)或(P-10)表示的重复单元，最优选为由(P-1)或(P-4)表示的重复单元。

本发明中的芳香族胺系聚合物可以是含有不同的2种以上重复单元的聚合物。

另外，通过使由式(1)表示的重复单元中的Ar¹～Ar⁵或连接基团X不同，从而可以成为不同的重复单元。

(不溶基团)

另外，从层叠容易、并且成膜时的表面平坦性优异的观点考虑，含有由式(1)表示的重复单元的聚合物可以进一步具有不溶基团。不溶基团与上述同样。

本发明的有机场致发光元件用组合物中的上述芳香族胺系聚合物的含量通常为1重量％以上，优选为2重量％以上，另外，通常为6重量％以下，优选为5重量％以下。

如果芳香族胺系聚合物的含量过少，则有时电荷输送能力不足。另外，如果过多，则有时芳香族胺系聚合物在有机溶剂中的溶解性降低。并用不同的二种以上芳香族胺系聚合物时，它们总计的含量包含在上述范围内。

<电子接受性化合物>

优选电子接受性化合物是具有氧化力、具有从上述空穴输送性化合物接受一个电子的能力的化合物，具体而言，优选电子亲和力为4eV以上的化合物，进一步优选为5eV以上的化合物。

作为这样的电子接受性化合物，例如，可举出选自三芳基硼化合物、卤化金属、路易斯酸、有机酸、

盐、芳基胺与卤化金属的盐以及芳基胺与路易斯酸的盐中的1种或2种以上的化合物等。

本发明的有机场致发光元件用组合物中含有的电子接受性化合物优选为具有如下结构的离子化合物，即，在属于长周期型周期表(以下，只要没有特殊说明“周期表”这种情况是指长周期型周期表)的第15～17族的元素上通过碳原子键合有至少一个有机基团的结构，进一步优选为由下述式(I-1)～(I-3)中的任一个表示的化合物。

式(I-1)～(I-3)中，R⁵¹、R⁶¹和R⁷¹各自独立地表示通过D¹～D³和碳原子进行键合的有机基团，R⁵²、R⁶²、R⁶³和R⁷²～R⁷⁴各自独立地表示取代基。R⁵¹～R⁷⁴中邻接的2个以上的基团可以相互键合而形成环。

作为R⁵¹、R⁶¹和R⁷¹，只要是在与D¹～D³的键合部分具有碳原子的有机基团即可，只要不损害本发明的效果，其种类没有特别限制。本发明中的有机基团是至少含有一个碳原子的基团。

R⁵¹、R⁶¹和R⁷¹的分子量分别是包含其取代基在内的值，通常为1000以下，优选为500以下的范围。

作为R⁵¹、R⁶¹和R⁷¹的优选例，从使正电荷非局部化的观点考虑，可举出烷基、烯基、炔基、芳香族烃环基、芳香族杂环基。其中，从使正电荷非局部化并且热特性稳定的角度出发，优选芳香族烃环基或芳香族杂环基。

作为芳香族烃环基，可举出为具有1个游离原子价的5或6元环的单环或2～5稠合环、且使正电荷在该基团上进一步非局部化的基团。

作为具体例，可举出具有1个游离原子价的苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、

环、9,10-苯并菲环、苊环、芴环等。

作为芳香族杂环基，可举出为具有1个游离原子价的5或6元环的单环或2～4稠合环、且使正电荷在该基团上进一步非局部化的基团。

作为具体例，可举出具有1个游离原子价的呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、三唑环、咪唑环、

唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、shinorine环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、薁环等。

作为烷基，可举出直链状、支链状或环状的烷基，其碳原子数通常为1以上，另外通常为12以下、优选为6以下。

作为具体例，可举出甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环己基等。

作为烯基，可举出碳原子数通常为2以上、通常为12以下、优选为6以下的烯基。作为具体例，可举出乙烯基、烯丙基、1-丁烯基等。

作为炔基，可举出碳原子数通常为2以上、通常为12以下、优选为6以下的炔基。作为具体例，可举出乙炔基、丙炔基等。

R⁵²、R⁶²、R⁶³和R⁷²～R⁷⁴的种类只要不损害本发明的效果就没有特别限制。

R⁵²、R⁶²、R⁶³和R⁷²～R⁷⁴的分子量分别是包含其取代基在内的值，通常为1000以下，优选为500以下的范围。

作为R⁵²、R⁶²、R⁶³和R⁷²～R⁷⁴的例子，可举出氢原子、烷基、烯基、炔基、芳香族烃环基、芳香族杂环基、氨基、烷氧基、芳氧基、酰基、烷氧羰基、芳氧羰基、烷基羰氧基、烷硫基、芳硫基、磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、磺酰氧基、氰基、羟基、硫醇基、甲硅烷基等。

其中，与R⁵¹、R⁶¹和R⁷¹同样，从电子接受性大的观点考虑，优选在与D¹～D³的键合部分具有碳原子的有机基团，作为例子，优选使用烷基、烯基、炔基、芳香族烃环基、芳香族杂环基。特别是从电子接受性大并且热特性稳定的角度出发，优选芳香族烃环基或芳香族杂环基。

作为烷基、烯基、炔基、芳香族烃环基、芳香族杂环基，可举出与R⁵¹、R⁶¹和R⁷¹先前说明的例子同样的基团。作为氨基，可举出烷基氨基、芳基氨基、酰基氨基等。

作为烷基氨基，可举出具有1个以上如下烷基的烷基氨基，所述烷基是碳原子数通常为1以上、另外通常为12以下、优选为6以下的烷基。作为具体例，可举出甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二苄基氨基等。

作为芳基氨基，可举出具有1个以上如下芳香族烃环基或芳香族杂环基的芳基氨基，所述芳香族烃环基或芳香族杂环基是碳原子数通常为3以上、优选为4以上、另外通常为25以下、优选为15以下的基团。作为具体例，可举出苯基氨基、二苯基氨基、甲苯基氨基、吡啶基氨基、噻吩基氨基等。

作为酰基氨基，可举出具有1个以上如下酰基的酰基氨基，所述酰基是碳原子数通常为2以上、另外通常为25以下、优选为15以下的酰基。作为具体例，可举出乙酰基氨基、苯甲酰基氨基等。

作为烷氧基，可举出碳原子数通常为1以上、另外通常为12以下、优选为6以下的烷氧基。作为具体例，可举出甲氧基、乙氧基、丁氧基等。

作为芳氧基，可举出具有碳原子数通常为3以上、优选为4以上、另外通常为25以下、优选为15以下的芳香族烃环基或芳香族杂环基的芳氧基。作为具体例，可举出苯氧基、萘氧基、吡啶氧基、噻吩氧基等。

作为酰基，可举出碳原子数通常为1以上、另外通常为25以下、优选为15以下的酰基。作为具体例，可举出甲酰基、乙酰基、苯甲酰基等。

作为烷氧羰基，可举出碳原子数通常为2以上、另外通常为10以下、优选为7以下的烷氧羰基。作为具体例，可举出甲氧羰基、乙氧羰基等。

作为芳氧羰基，可举出具有碳原子数通常为3以上、优选为4以上、另外通常为25以下、优选为15以下的芳香族烃环基或芳香族杂环基的芳氧羰基。作为具体例，可举出苯氧基羰基、吡啶氧基羰基等。

作为烷基羰氧基，可举出碳原子数通常为2以上、另外通常为10以下、优选为7以下的烷基羰氧基。作为具体例，可举出乙酰氧基、三氟乙酰氧基等。

作为烷硫基，可举出碳原子数通常为1以上、另外通常为12以下、优选为6以下的烷硫基。作为具体例，可举出甲硫基、乙硫基等。

作为芳硫基，可举出碳原子数通常为3以上、优选为4以上、另外通常为25以下、优选为14以下的芳硫基。作为具体例，可举出苯硫基、萘硫基、吡啶硫基等。

作为烷基磺酰基和芳基磺酰基的具体例，可举出甲磺酰基、甲苯磺酰基等。

作为磺酰氧基的具体例，可举出甲磺酰氧基、甲苯磺酰氧基等。

作为甲硅烷基的具体例，可举出三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等。

以上，作为R⁵¹、R⁶¹和R⁷¹以及R⁵²、R⁶²、R⁶³和R⁷²～R⁷⁴例示的基团只要不违反本发明的主旨，可以进一步被其它取代基取代。

取代基的种类没有特别限制，作为例子，除作为上述R⁵¹、R⁶¹和R⁷¹以及R⁵²、R⁶²、R⁶³和R⁷²～R⁷⁴分别例示的基团之外，还可举出卤素原子、氰基、硫氰基、硝基等。其中，从不妨碍离子化合物(电子接受性化合物)的耐热性和电子接受性的观点考虑，优选烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、芳香族烃环基、芳香族杂环基。

式(I-1)～(I-3)中，D¹和D²是周期表第3周期以后(第3～第6周期)的元素，D³是周期表第2周期以后(第2～第6周期)的元素，D¹表示属于长周期型周期表的第17族的元素，D²表示属于第16族的元素，D³表示属于第15族的元素。

其中，从电子接受性和获得容易性的观点考虑，D¹～D³均优选为周期表的第5周期以前的元素。

即，作为D¹，优选为碘原子、溴原子或氯原子，作为D²，优选为碲原子、硒原子或硫原子，作为D³，优选为锑原子、砷原子、磷原子或氮原子。

特别是从电子接受性、化合物的稳定性的角度出发，优选式(I-1)中的D¹为溴原子或碘原子的电子接受性化合物、式(I-2)中的D²为硒原子或硫原子的电子接受性化合物、式(I-3)中的D³为氮原子的电子接受性化合物，其中，最优选式(I-1)中的D¹为碘原子的电子接受性化合物、式(I-3)中的D³为氮原子的电子接受性化合物。

式(I-1)～(I-3)中，Z₁ ^n1-～Z₃ ^n3-各自独立地表示抗衡阴离子。

抗衡阴离子的种类没有特别限制，可以为单原子离子也可以为络离子。其中，由于抗衡阴离子的尺寸越大负电荷越容易非局部化，随之正电荷也非局部化而使电子接受能力变大，所以与单原子离子相比更优选络离子。

n₁～n₃各自独立地为与抗衡阴离子Z₁ ^n1-～Z₃ ^n3-的离子价相当的任意的正整数。n₁～n₃的值没有特别限制，优选均为1或2，最优选为1。

作为Z₁ ^n1-～Z₃ ^n3-的具体例，可举出氢氧根离子、氟离子、氯离子、溴离子、碘离子、氰根离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子、硫酸根离子、亚硫酸根离子、高氯酸根离子、高溴酸根离子、高碘酸根离子、氯酸根离子、亚氯酸根离子、次氯酸根离子、磷酸根离子、亚磷酸根离子、次磷酸根离子、硼酸根离子、异氰酸根离子、硫氢根离子、四氟硼酸根离子、六氟磷酸根离子、六氯锑酸根离子；乙酸根离子、三氟乙酸根离子、苯甲酸根离子等羧酸根离子；甲磺酸根离子、三氟甲磺酸根离子等磺酸根离子；甲氧基离子、叔丁氧基离子等烷氧基离子等，优选四氟硼酸根离子或六氟硼酸根离子。

另外，作为抗衡阴离子Z₁ ^n1-～Z₃ ^n3-，从化合物的稳定性、在有机溶剂中的溶解性的观点考虑，优选由下述式(I-4)～(I-6)中任一个表示的络离子，从尺寸大这样的观点考虑，由于负电荷非局部化，随之正电荷也非局部化而使电子接受能力变大，所以进一步优选由式(I-6)表示的络离子。

式(I-4)和(I-6)中，E¹和E³各自独立地表示属于长周期型周期表的第13族的元素。其中优选硼原子、铝原子或镓原子，从化合物的稳定性、合成和精制的容易度的观点考虑，优选硼原子。

式(I-5)中，E²表示属于长周期型周期表的第15族的元素。其中优选磷原子、砷原子或锑原子，从化合物的稳定性、合成和精制容易的观点以及毒性的观点考虑，优选磷原子。

式(I-4)和(I-5)中，Q₄和Q₆各自独立地表示氟原子、氯原子、溴原子等卤素原子，从化合物的稳定性、合成和精制容易的观点考虑，优选氟原子或氯原子，最优选氟原子。

式(I-6)中，Ar⁶¹～Ar⁶⁴各自独立地表示芳香族烃环基或芳香族杂环基。作为芳香族烃环基、芳香族杂环基的例示，可举出与R⁵¹之前例示的基团同样的具有1个游离原子价的5或6元环的单环或2～4稠合环。

其中，从化合物的稳定性、耐热性的观点考虑，优选具有1个游离原子价的苯环、萘环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环。

作为Ar⁶¹～Ar⁶⁴例示的芳香族烃环基或芳香族杂环基，只要不违反本发明的主旨，可以进一步被其它的取代基取代。取代基的种类没有特别限制，可以使用任意的取代基，但优选吸电子性的基团。

作为Ar⁶¹～Ar⁶⁴可具有的取代基，若例示优选的吸电子性的基团，可举出氟原子、氯原子、溴原子等卤素原子；氰基；硫氰基；硝基；甲磺酰基等烷基磺酰基；甲苯磺酰基等芳基磺酰基；甲酰基、乙酰基、苯甲酰基等碳原子数通常为1以上、通常为12以下、优选为6以下的酰基；甲氧羰基、乙氧羰基等碳原子数通常为2以上、通常为10以下、优选为7以下的烷氧羰基；苯氧基羰基、吡啶氧基羰基等具有碳原子数通常为3以上、优选为4以上、通常为25以下、优选为15以下的芳香族烃环基或芳香族杂环基的芳氧羰基；氨基羰基；氨基磺酰基；三氟甲基、五氟乙基等碳原子数通常为1以上、通常为10以下、优选为6以下的直链状、支链状或环状的烷基被氟原子、氯原子等卤素原子取代的卤代烷基等。

其中，更优选Ar⁶¹～Ar⁶⁴中至少1个基团具有1个或2个以上氟原子或氯原子作为取代基。

特别是从使负电荷高效非局部化的观点和具有适度的升华性的观点考虑，最优选Ar⁶¹～Ar⁶⁴的氢原子全部被氟原子取代的全氟芳基。作为全氟芳基的具体例，可举出五氟苯基、七氟-2-萘基、四氟-4-吡啶基等。

本发明中的电子接受性化合物的分子量通常为100以上，优选为300以上，进一步优选为400以上，另外，通常为5000以下，优选为3000以下，进一步优选为2000以下的范围。

如果电子接受性化合物的分子量过小，则正电荷和负电荷的非局部化不充分，因此电子接受能力可能降低，如果电子接受性化合物的分子量过大，则电子接受性化合物本身可能妨碍电荷输送。

以下举出本发明中的电子接受性化合物的具体例，但本发明不限于这些具体例。

[表1]

[表2]

[表3]

[表4]

[表5]

[表6]

[表7]

[表8]

[表9]

[表10]

[表11]

[表12]

[表13]

上述具体例中，从电子接受性、耐热性、在有机溶剂中的溶解性的观点考虑，优选A-1～A-48、A-54、A-55、A-60～A-62、A-64～A-75、A-79～A-83、B-1～B-20、B-24、B-25、B-27、B-30～B-37、B-39～B-43、C-1～C-10、C-19～C-21、C-25～C-27、C-30、C-31、D-15～D-28的化合物，更优选A-1～A-9、A-12～A-15、A-17、A-19、A-24、A―29、A-31～A-33、A-36、A-37、A-65、A-66、A-69、A-80～A-82、B-1～B-3、B-5、B-7～B-10、B-16、B-30、B-33、B-39、C-1～C-3、C-5、C-10、C-21、C-25、C-31、D-17～D-28的化合物，最优选A-1～A-7、A-80、D-21～D-24的化合物。

制造以上说明的电子接受性化合物的方法没有特别限制，可以使用各种方法进行制造。作为例子，可举出Chem.Rev.，66卷，243页，1966年和J.Org.Chem.，53卷，5571页，1988年中记载的方法等。

本发明的有机场致发光元件用组合物可以单独含有上述电子接受性化合物中的任一种，也可以按任意的组合和比率含有二种以上。另外，可以组合二种以上符合式(I-1)～(I-3)中任一式的电子接受性化合物，也可以组合分别符合不同式子的二种以上的电子接受性化合物。

本发明的有机场致发光元件用组合物中的上述电子接受性化合物的含量是相对于上述芳香族胺系聚合物的值，通常为0.1重量％以上，优选为1重量％以上，另外，通常为100重量％以下，优选为40重量％以下。

如果电子接受性化合物的含有率过少，则驱动电压可能上升，另外如果电子接受性化合物的含有率过多，则成膜性可能降低。并用二种以上的电子接受性化合物时，它们的总计的含量包含在上述范围内。

<有机溶剂>

作为本发明的有机场致发光元件用组合物中含有的有机溶剂，优选将本发明的芳香族胺系聚合物溶解通常为0.05重量％以上、优选为0.5重量％以上、进一步优选为1重量％以上的有机溶剂。

另外，优选溶解电子接受性化合物0.005重量％以上，更优选溶解0.05重量％以上，进一步优选溶解0.5重量％以上。

作为有机溶剂，具体而言，可举出芳香族系有机溶剂、含卤素有机溶剂、醚系有机溶剂和酯系有机溶剂。

作为芳香族系有机溶剂的具体例，可举出甲苯、二甲苯、三甲苯、环己基苯、五氟甲氧基苯、五氟苯甲酸乙酯等，

作为含卤素有机溶剂的具体例，可举出1,2-二氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等，

作为醚系有机溶剂的具体例，可举出乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、二苯醚等芳香族醚等，

作为酯系有机溶剂的具体例，可举出乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯等脂肪族酯；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯等。

从需要溶解芳香族胺系聚合物以及溶解由这些芳香族胺系聚合物等空穴输送材料和电子接受性化合物的混合而产生的空穴注入·输送性材料的阳离子自由基的能力高的角度出发，优选醚系有机溶剂和酯系有机溶剂。

这些溶剂可以使用1种，也可以是2种以上的混合有机溶剂。

作为本发明的有机场致发光元件用组合物所含有的有机溶剂，可举出在25℃的蒸气压为10mmHg以下、优选为5mmHg以下、通常为0.1mmHg以上的有机溶剂。

本发明的有机场致发光元件用组合物所含有的这些有机溶剂在组合物中的浓度通常为10重量％以上，优选为50重量％以上，更优选为80重量％以上。

应予说明，作为有机溶剂，除上述有机溶剂以外，根据需要可以含有各种其它有机溶剂。作为这样的其它有机溶剂，例如，可举出N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等酰胺系有机溶剂，二甲基亚砜等。另外，可以含有流平剂、消泡剂等各种添加剂。

应予说明，众所周知水分有促进有机场致发光元件的性能劣化、其中尤其是连续驱动时的亮度降低的可能性，为了尽量减少残留在涂膜中的水分，这些有机溶剂中，优选在25℃的水的溶解度为1重量％以下的有机溶剂，更优选为0.1重量％以下的有机溶剂。

另外，作为有机溶剂，可举出在20℃的表面张力通常小于40dyn/cm、优选为36dyn/cm以下、更优选为33dyn/cm以下的有机溶剂。

作为有机溶剂，可以是混合溶剂，可举出在25℃的蒸气压为2mmHg以上、优选为3mmHg以上、更优选为4mmHg以上(其中，上限值优选为10mmHg以下)的有机溶剂和在25℃的蒸气压小于2mmHg、优选为1mmHg以下、更优选为0.5mmHg以下的有机溶剂的混合有机溶剂。通过使用这样的有机溶剂，能够制备适合利用湿式成膜法制造有机场致发光元件的工序的、并且适合芳香族胺系聚合物的性质的组合物。

<关于有机场致发光元件用组合物的物性>

本发明的有机场致发光元件用组合物的粘度虽然取决于固体成分的浓度，但通常为15mPas以下，优选为10mPas以下，进一步优选为8mPas以下，另外通常为2mPas以上，优选为3mPas以上，进一步优选为5mPas以上。

如果超过该上限值，则利用湿式成膜法形成膜时，可能无法进行均匀的成膜。另外，如果低于该下限值则可能无法成膜。

应予说明，粘度的测定方法是使用旋转式粘度测定装置进行测定的。通常，粘度取决于温度和测定转数，上述值是在测定温度23℃、测定转数20转的一定条件下测定时的测定值。

<添加剂>

本发明的有机场致发光元件用组合物根据需要可以含有流平剂、消泡剂等涂布性改良剂等各种添加剂等。此时，作为有机溶剂，优选使用溶解芳香族胺系聚合物和添加剂双方0.05重量％以上、优选为0.5重量％以上、进一步优选为1重量％以上的有机溶剂。

<用途>

本发明的有机场致发光元件用组合物没有异物产生的问题，在用湿式成膜法形成空穴注入层和/或空穴输送层时，能够均匀成膜，所以优选。

另外，本发明中的湿式成膜法是指旋涂法、浸涂法、模涂法、棒涂法、刮涂法、辊涂法、喷涂法、毛细管涂布法、组合物喷射法、丝网印刷法、凹版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法等使用含有有机溶剂的组合物进行成膜的方法。

从容易形成图案这样的观点考虑，优选模涂法、辊涂法、喷涂法、组合物喷射法、柔性版印刷法。

<有机场致发光元件用组合物的制造方法>

以下示出本发明的有机场致发光元件用组合物的制造方法的1个例子，但本发明不限于这些例子。

特别是本发明的有机场致发光元件用组合物可以通过组合以下记载的方法、特别优选的方法等进行制造。

[1]添加方式·方法

混合本发明的有机场致发光元件用组合物所含有的芳香族胺系聚合物、电子接受性化合物和有机溶剂时，混合的芳香族胺系聚合物和电子接受性化合物可以各自独立地为固体，另外也可以为溶液。

优选以芳香族胺系聚合物和电子接受性化合物均为溶液的状态进行混合。或者优选以芳香族胺系聚合物和电子接受性化合物中的任一方为固体状态、另一方为溶液状态进行混合。此时，从能够边确认固体的溶解边进行添加的观点出发，优选向溶液加入固体。

进一步优选芳香族胺系聚合物和电子接受性化合物均为固体，将它们粉碎混合后，用有机溶剂溶解。

如上所述以固体混合时，粒径通常为5cm以下，优选为1cm以下，更优选为5mm以下，另外通常为0.5mm以上。

[2]溶解工序

在本发明的有机场致发光元件用组合物的优选制造方法中，通常具有溶解工序。

溶解工序是指在有机溶剂中搅拌固体直至以目视观察无法确认固体浮游的工序。

溶解工序中的温度通常为20℃以上，优选为40℃以上，另外通常为有机溶剂的沸点以下，优选为比有机溶剂的沸点低10℃以上的温度。

如果超过该上限值，则有机溶剂可能部分蒸发而导致浓度发生变化，另外如果低于该下限值，则可能使用的有机溶剂发生固化，或者溶解度降低而得不到所希望的浓度。

溶解工序中的气氛只要不损害本发明的效果就没有特别限制，可举出惰性气体。作为惰性气体，例如，可举出氮气、氩气等，从容易操作的观点考虑，优选氮气。

[3]超声波处理·光照射处理·加热处理

作为用于得到本发明的有机场致发光元件用组合物的制造方法，特别优选包含超声波处理、光照射处理、加热处理中的至少一个处理。

另外，进行处理的时间只要不损害本发明的效果就没有特别限制，可以在溶解工序中进行，另外也可以在溶解工序后进行。

应予说明，这些处理可以单独进行任一种处理，另外也可以并用进行处理。

(超声波处理)

进行超声波处理时，优选使用振子28kHz。

超声波处理中的超声波时间通常为5分钟以上，优选为10分钟以上，另外通常为2小时以下，优选为1小时以下。

如果超过该上限值，则聚合物可能分解，另外如果低于该下限值，则溶解可能不充分。

(光照射处理)

进行光照射处理时，优选使用高压汞灯。高压汞灯是由404.7nm、435.8nm、546.1nm、577.0nm和579.1nm的亮线光谱构成的带绿色的蓝白色(5700K)的光源，伴有253.7nm、365.0nm的紫外线照射。

作为紫外线的照射方法，没有特别限定，可以对上述制备的组合物直接照射，也可以放入适当的容器中照射紫外线。

容器透过紫外线时可以在容器密闭的状态下照射紫外线，容器遮挡紫外线时，例如可以打开盖，从开口部照射紫外线。

作为用于紫外线照射的装置，没有特别限定，可使用氙气灯、汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、金属卤化物灯、紫外线荧光灯、D2灯、碳弧灯、LED等。

另外，组合物含有有机溶剂时的组合物的液温没有特别限定，通常为常温，但可以进一步冷却或加热。

紫外线的照射量通常为10mJ/cm²以上，优选为100mJ/cm²以上，更优选为600mJ/cm²以上，通常为50000mJ/cm²以下，优选为10000mJ/cm²以下，更优选为5000mJ/cm²以下。

如果为上述范围内，则从芳香族胺系聚合物向电子接受性化合物的电子迁移率充分，另外芳香族胺系聚合物不易劣化，所以优选。

通常紫外线在组合物表面被吸收，因此优选在紫外线照射后将组合物搅拌至均匀，或者边搅拌边照射紫外线。

作为紫外线的照射面积，优选对装入组合物的容器整体照射紫外线，但也可以照射组合物的一部分。此时，优选在紫外线照射后搅拌组合物，还优选边搅拌组合物边照射。

(加热处理)

加热处理中的加热方式只要不损害本发明的效果则可以使用公知的技术。

具体而言，可举出将芳香族胺系聚合物、电子接受性化合物和有机溶剂装入能够加热的容器中，边搅拌边利用加热浴调节温度，进行加热搅拌的方法。

作为加热浴，可使用水浴、油浴等。

另外，可以将芳香族胺系聚合物、电子接受性化合物和有机溶剂放入加热容器中搅拌后，放置到能够控制一定温度的恒温槽内进行加热处理。

从考虑安全的观点出发，优选使用加热浴的加热搅拌的方法。

加热处理中的加热温度通常为40℃以上，优选为80℃以上，另外，通常为有机溶剂的沸点以下，优选为比有机溶剂的沸点低10℃以上的温度。

在此，作为上限值的沸点以2种以上的有机溶剂中最低沸点的有机溶剂的沸点为基准。

如果超过该上限值，则有机溶剂可能暴沸，并且因有机溶剂的蒸发而导致投入时的浓度变化。另外如果低于该下限值，则没有加热处理的效果，溶解可能变得不充分。

加热处理中的加热时间通常为1小时以上，优选为5小时以上，另外通常36为小时以下，优选为24小时以下。如果超过该上限值，则有机溶剂可能蒸发，另外如果低于该下限值，则溶解可能变得不充分。

通过进行超声波处理、光照射处理或加热处理中至少任一种处理能够制造本发明的有机场致发光元件用组合物的理由推测为如下。

通过进行超声波处理、光照射处理或加热处理中任一种处理，芳香族胺系聚合物的凝聚状态得到缓和，芳香族胺系聚合物和电子接受性化合物容易接近。

由于该接近，芳香族胺系聚合物在分子内成为阳离子自由基状态，与作为阴离子自由基的电子接受性化合物成为离子对状态，不易发生聚合物的凝聚、电子接受性化合物的凝聚，因此能够制造含有粒径为微米级的大凝聚体的比例小的电荷输送膜用组合物。

[4]过滤工序

在本发明的有机场致发光元件用组合物的制造方法中，优选包含过滤工序。另外，本发明中的过滤工序优选在溶解工序后进行。

过滤工序中使用的过滤器的孔径通常为5μm以下，优选为0.5μm以下，另外通常为0.02μm以上，优选为0.1μm以上。

如果超过该上限值，则不溶物可能混入，另外，如果低于该下限值则可能无法过滤而发生堵塞。

<成膜方法>

如上所述，由于有机场致发光元件是层叠多个由有机化合物构成的层而形成的，因此膜质均匀是非常重要的。用湿式成膜法形成层时，根据其材料、基底的性质，可以采用旋涂法、喷涂法等涂布法，喷墨法，丝网印刷法等印刷法等公知的成膜方法。

采用湿式成膜法时，将本发明的有机场致发光元件用组合物利用旋涂法、浸涂法等方法涂布在相当于形成层的下层的层上并干燥而形成层。

本发明中的芳香族胺系聚合物不具有不溶基团时，涂布后，通常经过加热等使有机场致发光元件用组合物的膜干燥。作为干燥的方法，通常进行加热工序。

若举出加热工序中使用的加热方式的例子，可举出洁净烘箱、热板、红外线、卤素加热器、微波照射等。其中，为了对膜整体均衡给予热量，优选洁净烘箱和热板。

只要不明显损害本发明的效果，加热工序中的加热温度优选在有机场致发光元件用组合物中使用的有机溶剂的沸点以上的温度下进行加热。另外，层中含有上述解离性聚合物时，优选在解离性基团发生解离的温度以上的温度下进行加热。

另外，有机场致发光元件用组合物中含有2种以上的有机溶剂时，优选在至少1种的有机溶剂的沸点以上的温度下进行加热。

若考虑到有机溶剂的沸点上升，则在加热工序中，优选在120℃～410℃进行加热。

另外，除加热之外，利用光等活性能量射线的情况下，可举出直接使用超高压汞灯、高压汞灯、卤素灯、红外灯等紫外·可见·红外光源进行照射的方法，或者使用内置有上述光源的掩模对准器、传送型光照射装置进行照射的方法等。

在光以外的活性能量射线中，例如可举出照射由磁控管产生的微波的装置，即所谓的使用微波炉进行照射的方法。

作为照射时间，优选设定不溶化反应充分发生所必需的条件，通常照射0.1秒以上，优选照射10小时以下。

加热和光等活性能量射线可以分别单独进行、或者组合进行。组合时，实施的顺序没有特别限定。

对于加热和光等活性能量射线，为了减少实施后层中含有的水分和/或表面吸附的水分的量，优选在氮气气氛等不含水分的气氛中进行。出于同样的目的，组合加热和/或光等活性能量射线来进行时，特别优选至少在氮气气氛等不含水分的气氛中进行发光层形成之前的工序。

[有机场致发光元件]

本发明的有机场致发光元件是在基板上至少层叠阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层和阴极而成的有机场致发光元件，其特征在于，上述空穴注入层和空穴输送层中的至少1层是使用本发明的有机场致发光元件用组合物并利用湿式成膜法而形成的。

利用本发明的有机场致发光元件用组合物形成的层为与阳极邻接的层的有机场致发光元件具有不产生短路、黑斑这样的效果。因此，通常利用本发明的有机场致发光元件用组合物形成的层优选为空穴注入层。

另外，优选空穴注入层、空穴输送层和发光层全部用湿式成膜法形成。另外，本发明的有机场致发光元件可以具有无机层。

以下，参照图1对本发明的有机场致发光元件的层构成的1个例子及其一般的形成方法等进行说明。

图1是表示本发明的有机场致发光元件的结构例的截面的示意图，图1中，1表示基板，2表示阳极，3表示空穴注入层，4表示空穴输送层，5表示发光层，6表示空穴阻挡层，7表示电子输送层，8表示电子注入层，9表示阴极。

应予说明，在这样的有机场致发光元件中，用湿式成膜法形成阳极与阴极之间的有机层时，只要使以下记载的各层的材料分散或溶解于有机溶剂而制作湿式成膜用组合物，并使用该湿式成膜用组合物形成即可。

{基板}

基板是有机场致发光元件的支撑体，可使用石英或玻璃板、金属板、金属箔、塑料膜、片材等。特别优选玻璃板、聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚砜等透明的合成树脂板。

使用合成树脂基板时必须留意阻气性。如果基板的阻气性过小，则因通过基板的外部空气使有机场致发光元件劣化，所以不优选。因此，在合成树脂基板的至少一面设置致密的硅氧化膜等来确保阻气性的方法也是优选的方法之一。

{阳极}

阳极发挥向发光层侧的层注入空穴的作用。

该阳极通常由铝、金、银、镍、钯、铂等金属、铟和/或锡的氧化物等金属氧化物、碘化铜等卤化金属、炭黑、或者聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等导电性高分子等构成。

阳极的形成通常多采用溅射法、真空蒸镀法等进行。另外，使用银等金属微粒、碘化铜等微粒、炭黑、导电性的金属氧化物微粒、导电性高分子微粉末等形成阳极时，也能够通过使其分散到适当的粘结剂树脂溶液中，并涂布到基板上来形成阳极。

并且，采用导电性高分子时，也能够通过电解聚合而直接在基板上形成薄膜，或者在基板上涂布导电性高分子而形成阳极(Appl.Phys.Lett.，60卷，2711页，1992年)。

阳极通常为单层结构，也可以根据需要形成由多种材料构成的层叠结构。

阳极的厚度根据所需的透明性而不同。需要透明性时，通常使可见光的透过率为60％以上，优选为80％以上。此时，阳极的厚度通常为5nm以上，优选为10nm以上，另外，通常为1000nm以下，优选为500nm以下左右。

不透明也可时阳极的厚度任意，阳极可以与基板相同。

另外，也可以进一步在上述阳极上层叠不同的导电材料。

出于除去附着在阳极的杂质、调整电离电势来提高空穴注入性的目的，优选对阳极表面进行紫外线(UV)/臭氧处理，或者进行氧等离子体、氩等离子体处理。

{空穴注入层}

空穴注入层是具有从阳极向发光层输送空穴的功能的层，通常在阳极上形成。

为了表现该功能，优选空穴注入层是利用本发明的有机场致发光元件用组合物形成的层。

(成膜方法)

制备本发明的有机场致发光元件用组合物后，将该组合物利用湿式成膜在相当于空穴注入层的下层的层(通常为阳极)上进行湿式成膜，并进行干燥，从而形成空穴注入层。

为了防止组合物中产生晶体而导致膜的缺损，湿式成膜中的温度优选为10℃以上，优选为50℃以下。

湿式成膜的相对湿度只要不明显损害本发明的效果则没有限定，通常为0.01ppm以上，另外通常为80％以下。

成膜后，通常经过加热等使本发明的有机场致发光元件用组合物的膜干燥。干燥的方法为加热时，加热方式没有特别限制，例如，可举出洁净烘箱、热板、红外线、卤素加热器、微波照射等。其中，为了对膜整体均衡给予热量，优选洁净烘箱和热板。

另外，只要不显著损害本发明的效果，加热温度优选在本发明的有机场致发光元件用组合物所使用的有机溶剂中的至少1种有机溶剂的沸点以上或接近沸点的温度下进行加热。

若考虑到有机溶剂的沸点上升，则在加热工序中，优选在优选为200℃以上、更优选为220℃以上、优选为410℃以下进行加热。

只要加热温度为本发明的有机场致发光元件用组合物的有机溶剂的沸点以上、且利用湿式成膜形成的膜充分不溶化，则加热时间没有特别限制，优选为10秒以上，另外通常为180分钟以下。如果为上述范围内，则有形成均匀的膜的趋势，所以优选。加热可以分2次进行。

用上述方法形成的膜厚通常为1nm以上，优选为5nm以上，另外，通常为1000nm以下，优选为500nm以下。

{空穴输送层}

本发明的有机场致发光元件通常具有空穴输送层。

本发明的空穴输送层的形成方法没有特别限制，从减少黑斑的观点考虑，优选利用湿式成膜形成空穴输送层。

为图1所示构成的有机场致发光元件时，空穴输送层可以在空穴注入层上形成。

作为可利用于空穴输送层的材料，优选为空穴输送性高且能够高效地输送所注入的空穴的材料。因此，优选电离电势小、对可见光的光透明性高、空穴迁移率大、稳定性优异、在制造时或使用时不易产生成为隐患的杂质。

另外，由于大多数情况与发光层相接，因此，优选不会消除来自发光层的发光、或不会在与发光层之间形成激基复合物而使效率降低。

作为这样的空穴输送层的材料，只要是以往作为空穴输送层的材料使用的材料即可。例如，可举出作为本发明的有机场致发光元件用组合物含有的空穴输送性化合物所例示的材料。

另外，可举出以4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯为代表的含有2个以上叔胺、在氮原子上取代有2个以上稠合芳香族环的芳香族二胺(日本特开平5-234681号公报)、4,4’,4”-三(1-萘基苯基氨基)三苯胺等具有星爆结构的芳香族胺化合物(J.Lumin.，72-74卷，985页，1997年)、由三苯胺的四聚体形成的芳香族胺化合物(Chem.Commun.，2175页，1996年)、2,2’,7,7’-四-(二苯基氨基)-9,9’-螺二芴等螺环化合物(Synth.Metals，91卷，209页，1997年)、4,4’-N,N’-二咔唑联苯等咔唑衍生物等。

另外，例如可举出聚乙烯基咔唑、聚乙烯基三苯胺(日本特开平7-53953号公报)、含有四苯基联苯胺的聚芳撑醚砜(Polym.Adv.Tech.，7卷，33页，1996年)等。

用湿式成膜法形成空穴输送层时，在制备空穴输送层形成用组合物后，进行成膜，加热干燥。

空穴输送层形成用组合物中除含有空穴输送性化合物之外，还含有有机溶剂。有机溶剂与本发明的有机场致发光元件用组合物中使用的溶剂相同，成膜条件、加热干燥条件等也与空穴注入层形成时相同。

利用真空蒸镀法形成空穴输送层时的成膜条件等如下。

利用真空蒸镀形成空穴输送层时，将1种或2种以上的空穴输送层的构成材料(上述空穴输送性化合物、电子接受性化合物等)放入设置在真空容器内的坩埚中(使用2种以上的材料时放入各自的坩埚中)，用适当的真空泵将真空容器内排气到10-⁴Pa左右后，加热坩埚(使用2种以上材料时加热各自的坩埚)，控制蒸发量而使其蒸发(使用2种以上的材料时各自独立地控制蒸发量而使其蒸发)，在与坩埚相对放置的基板的阳极上形成空穴输送层。

应予说明，使用2种以上的材料时，也可以将它们的混合物放入坩埚中，进行加热使其蒸发而形成空穴输送层。

蒸镀时的真空度只要不显著损害本发明的效果则没有限定，通常为0.1×10-⁶Torr(0.13×10-⁴Pa)以上，通常为9.0×10-⁶Torr(12.0×10-⁴Pa)以下。

蒸镀速度只要不显著损害本发明的效果则没有限定，通常为

秒以上，通常为

秒以下。

蒸镀时的成膜温度只要不显著损害本发明的效果则没有限定，优选在10℃以上、优选在50℃以下进行。

空穴输送层除含有上述空穴输送性化合物之外，还可以含有各种发光材料、电子输送性化合物、粘结剂树脂、涂布性改良剂等。

空穴输送层可以是使交联性化合物交联而形成的层。

交联性化合物是具有后述的交联性基团的化合物，通过进行交联而形成网状芳香族胺系聚合物。交联性化合物可以是单体、低聚物、聚合物中的任一种，其中优选芳香族胺系聚合物。

交联性化合物可以仅具有1种，也可以按任意的组合和比率具有2种以上。

另外，交联性基团是指与位于附近的其它分子的相同或不同的基团反应而生成新的化学键的基团。

例如，可举出通过热和/或活性能量射线的照射与位于附近的其它分子的相同或不同的基团反应而生成新的化学键的基团。

若举出交联性基团的例子，可举出氧杂环丁烷基、环氧基等环状醚；乙烯基、三氟乙烯基、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、肉桂酰基等不饱和双键；苯并环丁烷基等。

具有交联性基团的单体、低聚物或聚合物所具有的交联性基团的数目没有特别限制，优选每电荷输送单元通常小于2.0、优选为0.8以下、更优选为0.5以下的数目。这是为了将交联性化合物的相对介电常数限制在优选的范围内。

另外，如果交联性基团的数目过多，则可能产生反应活性种，对其它材料造成负面影响。

在此，在形成网状芳香族胺系聚合物的材料为单体时，电荷输送单元是指单体本身，表示除去了交联性基团的骨架(主骨架)。即便混合其它种类的单体时，也表示各单体的主骨架。

形成网状聚合物的材料为芳香族胺系聚合物时、为有机化学上共轭中断的结构时，将其重复的结构作为电荷输送单元。另外，为共轭宽泛地连接的结构时，显示电荷输送性的最小重复结构为单体的结构。

例如，可举出萘、9,10-苯并菲、菲、并四苯、

、芘、苝等多环系芳香族，芴、9,10-苯并菲、咔唑、三芳基胺、四芳基联苯胺、1,4-双(二芳基氨基)苯等。

并且，作为交联性化合物，优选使用具有交联性基团的空穴输送性化合物。

若举出空穴输送性化合物的例子，可举出吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、菲咯啉衍生物、咔唑衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物等含氮芳香族化合物衍生物；三苯胺衍生物；噻咯衍生物；低聚噻吩衍生物、稠合多环芳香族衍生物、金属配合物等。

其中，优选吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、菲咯啉衍生物、咔唑衍生物等含氮芳香族衍生物；三苯胺衍生物、噻咯衍生物、稠合多环芳香族衍生物、金属配合物等，特别优选三苯胺衍生物。

交联性化合物的分子量通常为5000以下，优选为2500以下，另外优选为300以上，进一步优选为500以上。

使交联性化合物交联而形成空穴输送层时，通常制备将交联性化合物溶解或分散于有机溶剂中而成的涂布液(空穴输送层形成用组合物)，通过湿式成膜进行成膜而交联。

涂布液中除含有交联性化合物之外，还可以含有促进交联反应的添加物。

若举出促进交联反应的添加物的例子，可举出烷基苯酮化合物、酰基氧化膦化合物、茂金属化合物、肟酯化合物、偶氮化合物、

盐等交联引发剂和交联促进剂；稠合多环烃、卟啉化合物、二芳基酮化合物等光增感剂等。

另外，可以进一步含有流平剂、消泡剂等涂布性改良剂；电子接受性化合物；粘结剂树脂等。

在为了形成空穴注入层而使用本发明的有机场致发光元件用组合物时，涂布液中使用的有机溶剂与上述专利文献1的作为用于形成空穴输送层的组合物有机溶剂所例示的有机溶剂相同。

涂布液通常含有交联性化合物0.01重量％以上，优选含有0.05重量％以上，进一步优选含有0.1重量％以上，通常含有50重量％以下，优选含有20重量％以下，进一步优选含有10重量％。

在为了形成空穴注入层不使用本发明的有机场致发光元件用组合物时，空穴输送层中优选使用本发明的有机溶剂。

将涂布液在下层上成膜后，通过加热和/或活性能量射线照射使交联性化合物交联而形成网状高分子。成膜后的加热方法没有特别限定，作为例子可举出加热干燥、减压干燥等。

作为加热干燥时的条件，通常在120℃以上、优选在400℃以下将成膜得到的层加热。作为加热时间，通常为1分钟以上，优选为24小时以下。

作为加热方式，没有特别限定，可采用将具有成膜得到的层的层叠体载置于热板上、或者在烘箱内进行加热等方式。例如，可以采用在热板上在120℃以上加热1分钟以上等条件。

利用活性能量射线照射时，可举出直接使用超高压汞灯、高压汞灯、卤素灯、红外灯等紫外·可见·红外光源进行照射的方法，或者使用内置有上述光源的掩模对准器、传送型光照射装置进行照射的方法等。

在光以外的活性能量射线照射中，例如可举出照射由磁控管产生的微波的装置，即所谓的使用微波炉进行照射的方法。

作为照射时间，优选设定为了降低膜的溶解性所必需的条件，通常照射0.1秒以上，优选照射10小时以下。

加热和活性能量射线照射可以分别单独进行、或者组合进行。组合时，实施的顺序没有特别限定。

对于加热和活性能量射线照射，为了减少实施后层中含有的水分和/或表面吸附的水分的量，优选在氮气气氛等不含水分的气氛中进行。出于相同的目的，组合加热和/或活性能量射线照射来进行时，特别优选至少在氮气气氛等不含水分的气氛中进行发光层形成之前的工序。

空穴输送层的膜厚通常为5nm以上，优选为10nm以上，另外通常为300nm以下，优选为100nm以下。

{发光层}

在空穴注入层上或者设置空穴输送层时在空穴输送层上设置发光层。发光层是在提供电场的电极间通过从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子的再结合而被激发、成为主要发光源的层。

<发光层的材料>

作为发光层的构成材料，至少含有具有发光性质的材料(发光材料)，并且优选含有具有空穴迁移性质的化合物(空穴输送材料)或者具有电子迁移性质的化合物(电子输送材料)。

发光材料没有特别限定，只要使用以所希望的发光波长发光且发光效率良好的物质即可。另外，优选含有2种成分以上的电荷输送材料。在不明显损害本发明的效果的范围内，发光层可以进一步含有其它的成分。

应予说明，用湿式成膜法形成发光层时，优选使用任何单体量的材料。

(发光材料)

作为发光材料，可以使用任意公知的材料。例如，可以是荧光发光材料，也可以是磷光发光材料，从内部量子效率的观点考虑，优选磷光发光材料。

应予说明，出于提高在有机溶剂中的溶解性的目的，优选降低发光材料的分子的对称性、刚性，或者导入烷基等亲油性取代基。

以下，列举发光材料中荧光色素的例子，但荧光色素不限于以下的例示物。

作为提供蓝色发光的荧光色素(蓝色荧光色素)，例如，可举出萘、苝、芘、蒽、香豆素、

、对双(2-苯基乙烯基)苯及它们的衍生物等。

作为提供绿色发光的荧光色素(绿色荧光色素)，例如，可举出喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、Al(C₉H₆NO)₃等铝配合物等。

作为提供黄色发光的荧光色素(黄色荧光色素)，例如，可举出红荧烯、萘嘧啶酮衍生物等。

作为提供红色发光的荧光色素(红色荧光色素)，例如，可举出DCM(4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran))系化合物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、苯并噻吨衍生物、氮杂苯并噻吨等。

作为磷光发光材料，例如，可举出含有选自长周期型周期表第7～11族中的金属的有机金属配合物。

作为选自周期表第7～11族中的金属，优选举出钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂、金等。

作为配合物的配位基，优选(杂)芳基吡啶配位基、(杂)芳基吡唑配位基等(杂)芳基与吡啶、吡唑、菲咯啉等连接而成的配位基，特别优选苯基吡啶配位基、苯基吡唑配位基。

在此，(杂)芳基表示芳基或杂芳基。

作为磷光发光材料，具体而言，可举出三(2-苯基吡啶)合铱、三(2-苯基吡啶)合钌、三(2-苯基吡啶)合钯、双(2-苯基吡啶)合铂、三(2-苯基吡啶)合锇、三(2-苯基吡啶)合铼、八乙基卟啉铂、八苯基卟啉铂、八乙基卟啉钯、八苯基卟啉钯等。

作为发光材料使用的化合物的分子量只要不明显损害本发明的效果则是任意的，通常为10000以下，优选为5000以下，更优选为4000以下，进一步优选为3000以下，另外，通常为100以上，优选为200以上，更优选为300以上，进一步优选为400以上的范围。

如果发光材料的分子量过小，则耐热性明显降低，或者成为气体产生的原因，或者导致形成膜时的膜质的降低，或者由迁移等导致有机场致发光元件的形态学发生变化。另一方面，如果发光材料的分子量过大，则有发光材料的精制变得困难，或者使其溶解于有机溶剂时需要耗费时间的趋势。

应予说明，上述发光材料可以仅使用任1种，也可以按任意的组合和比率并用2种以上。

发光层中的发光材料的比例只要不明显损害本发明的效果则是任意的，通常为0.05重量％以上，优选为0.3重量％以上，更优选为0.5重量％以上，另外，通常为35重量％以下，优选为25重量％以下，进一步优选为20重量％以下。

如果发光材料过少则可能发生发光不均，若过多则发光效率可能降低。

应予说明，并用2种以上的发光材料时，使它们的总计的含量包含在上述范围中。

(空穴输送材料)

发光层中可以含有空穴输送材料作为其构成材料。在此，作为空穴输送材料中单体量的空穴输送材料的例子，除作为上述空穴注入层中的(单体量的空穴输送材料)所例示的各种化合物之外，例如，还可举出以4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯为代表的、含有2个以上叔胺且在氮原子上取代有2个以上稠合芳香族环的芳香族二胺(日本特开平5-234681号公报)、4,4’,4”-三(1-萘基苯基氨基)三苯胺等具有星爆结构的芳香族胺化合物(Journal of Luminescence，1997年，Vol.72-74，pp.985)、由三苯胺的四聚体形成的芳香族胺化合物(ChemicalCommunications，1996年，pp.2175)、2,2’,7,7’-四-(二苯基氨基)-9,9’-螺二芴等螺环化合物(Synthetic Metals，1997年，Vol.91，pp.209)等。

应予说明，发光层中，空穴输送材料可以仅使用1种，也可以按任意的组合和比率并用2种以上。

发光层中的空穴输送材料的比例只要不明显损害本发明的效果则是任意的，通常为0.1重量％以上，优选为0.5重量％以上，更优选为1重量％以上，另外，通常为65重量％以下，优选为50重量％以下，进一步优选为40重量％以下。

如果空穴输送材料过少则可能容易受到短路的影响，如果过多则可能产生膜厚不均。

应予说明，并用2种以上的空穴输送材料时，使它们的总计的含量包含在上述范围中。

(电子输送材料)

发光层中可以含有电子输送材料作为其构成材料。在此，作为电子输送材料中单体量的电子输送材料的例子，可举出2,5-双(1-萘基)-1,3,4-

二唑(BND)、2,5-双(6’-(2’,2”-联吡啶))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯(PyPySPyPy)、红菲绕啉(BPhen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲绕啉(BCP，浴铜灵)、2-(4-联苯基)-5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-

二唑(tBu-PBD)、4,4’-双(9-咔唑)-联苯(CBP)等。

应予说明，发光层中，电子输送材料可以仅使用1种，也可以按任意的组合和比率并用2种以上。

发光层中的电子输送材料的比例只要不明显损害本发明的效果则是任意的，通常为0.1重量％以上，优选为0.5重量％以上，更优选为1重量％以上，另外，通常为65重量％以下，优选为50重量％以下，进一步优选为40重量％以下。

如果电子输送材料过少则可能容易受到短路的影响，如果过多则可能产生膜厚不均。应予说明，并用2种以上的电子输送材料时，使它们的总计的含量包含在上述范围中。

<发光层的形成>

利用本发明的湿式成膜法形成发光层时，使上述材料溶解于适当的有机溶剂中制备湿式成膜用组合物，使用它经过成膜工序，优选经过干燥工序而形成。

这些工序的详细内容与先前说明的内容相同。应予说明，用本发明的湿式成膜法形成其它有机层时，发光层的形成可以使用蒸镀法或其它的方法。

发光层用有机溶剂的优选例与上述专利文献1的发光层用有机溶剂相同。

相对于用于形成发光层的湿式成膜用组合物的发光层用有机溶剂的比率只要不明显损害本发明的效果则是任意的，通常为0.01重量％以上，优选为0.1重量％以上，更优选为0.5重量％以上，另外，通常为70重量％以下，优选为60重量％以下，进一步优选为50重量％以下的范围。

应予说明，作为发光层用有机溶剂混合使用2种以上的有机溶剂时，使这些有机溶剂的总计满足该范围。

在用于形成发光层的湿式成膜用组合物的湿式成膜后，将得到的涂膜干燥，去除发光层用有机溶剂，从而形成发光层。

湿式成膜法的方式只要不明显损害本发明的效果则没有限定，可以使用上述任何方式。

发光层的膜厚只要不明显损害本发明的效果则是任意的，通常为3nm以上，优选为5nm以上，另外，通常为200nm以下，优选为100nm以下的范围。

如果发光层的膜厚过薄则膜可能产生缺陷，如果过厚则驱动电压可能上升。

{空穴阻挡层}

可以在发光层与后述的电子注入层之间设置空穴阻挡层。空穴阻挡层是以与发光层的阴极侧的界面相接的方式层叠在发光层上的层。

该空穴阻挡层具有阻挡从阳极迁移过来的空穴到达阴极的作用和将从阴极注入的电子高效地向发光层的方向输送的作用。

作为构成空穴阻挡层的材料所需求的物性，可举出电子迁移率高、空穴迁移率低、能隙(HOMO、LUMO的差)大、激发三重态能级(T1)高。

作为满足这样的条件的空穴阻挡层的材料，例如，可以举出双(2-甲基-8-羟基喹啉)(苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(三苯基硅烷醇)铝等混合配位基配合物、双(2-甲基-8-喹啉)铝-μ-氧-双-(2-甲基-8-喹啉)铝二核金属配合物等金属配合物、二苯乙烯基联苯衍生物等苯乙烯基化合物(日本特开平11-242996号公报)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑等三唑衍生物(日本特开平7-41759号公报)、浴铜灵等菲咯啉衍生物(日本特开平10-79297号公报)等。

此外，国际公开第2005/022962号中记载的具有至少1个2,4,6位被取代的吡啶环的化合物也优选作为空穴阻挡层的材料。

应予说明，空穴阻挡层的材料可以仅使用1种，也可以按任意的组合和比率并用2种以上。

空穴阻挡层的形成方法没有限制。因此，可以用湿式成膜法、蒸镀法或其它的方法来形成。

空穴阻挡层的膜厚只要不明显损害本发明的效果则是任意的，通常为0.3nm以上，优选为0.5nm以上，另外，通常为100nm以下，优选为50nm以下。

{电子输送层}

在发光层与后述的阴极之间通常设置电子输送层。

电子输送层是为了进一步提高元件的发光效率而设置的，是由能够在提供电场的电极间将从阴极注入的电子高效地向发光层的方向输送的化合物形成的。

作为电子输送层中使用的电子输送性化合物，通常使用从阴极或电子注入层的电子注入效率高、且具有高的电子迁移率并能够将注入的电子高效地输送的化合物。

作为满足这样的条件的化合物，例如，可以举出8-羟基喹啉的铝配合物等金属配合物(日本特开昭59-194393号公报)、10-羟基苯并[h]喹啉的金属配合物、

二唑衍生物、二苯乙烯基联苯衍生物、噻咯衍生物、3-羟基黄酮金属配合物、5-羟基黄酮金属配合物、苯并

唑金属配合物、苯并噻唑金属配合物、三苯并咪唑苯(美国专利第5645948号说明书)、喹喔啉化合物(日本特开平6-207169号公报)、菲咯啉衍生物(日本特开平5-331459号公报)、2-叔丁基-9,10-N,N’-二氰基蒽醌二亚胺、n型氢化非晶碳化硅、n型硫化锌、n型硒化锌等。

应予说明，电子输送层的材料可以仅使用1种，也可以按任意的组合和比率并用2种以上。

电子输送层的形成方法没有限制。因此，可以用湿式成膜法、蒸镀法或其它的方法来形成。

电子输送层的膜厚只要不明显损害本发明的效果则是任意的，通常为1nm以上，优选为5nm以上，另外，通常为300nm以下，优选为100nm以下的范围。

发光层和电子输送层可以形成为1个层。该情况下，使1个层中含有上述发光材料和电子输送材料。

作为发光材料、电子输送材料，可以使用各自的化合物，也可以使用1种同时具有发光功能和电子输送功能的化合物(例如，后述的由式(C3)表示的8-羟基喹啉的铝配合物)。

{电子注入层}

优选在电子输送层与阴极之间设置电子注入层。

电子注入层起到将从阴极注入的电子高效地向发光层注入的作用。为了高效地进行电子注入，优选形成电子注入层的材料为功函数低的金属。

作为例子，使用钠、铯等碱金属，钡、钙等碱土金属等，其膜厚通常优选为0.1nm～5nm。

此外，通过在以红菲绕啉等含氮杂环化合物、8-羟基喹啉的铝配合物等金属配合物为代表的有机电子输送化合物中掺杂钠、钾、铯、锂、铷等碱金属(在日本特开平10-270171号公报、日本特开2002-100478号公报、日本特开2002-100482号公报等中记载)，从而电子注入·输送性提高，可以兼备优异的膜质，所以优选。

此时的膜厚通常为5nm以上，尤为优选为10nm以上，另外，通常为200nm以下，尤为优选为100nm以下。

应予说明，电子注入层的材料可以仅使用1种，也可以按任意的组合和比率并用2种以上。

电子注入层的形成方法没有限制。因此，可以用湿式成膜法、蒸镀法或其它的方法来形成。

{阴极}

阴极发挥向发光层侧的层(电子注入层或发光层等)注入电子的作用。

作为阴极的材料，可以使用上述阳极中使用的材料，为了高效地进行电子注入，优选功函数低的金属，例如，使用锡、镁、铟、钙、铝、银等适当的金属或它们的合金。

作为具体例，可举出镁-银合金、镁-铟合金、铝-锂合金等低功函数合金电极。

应予说明，阴极的材料可以仅使用1种，也可以按任意的组合和比率并用2种以上。

阴极的膜厚通常与阳极相同。

此外，出于保护由低功函数金属形成的阴极的目的，在其上进一步层叠功函数高且对大气稳定的金属层，则元件的稳定性增大，因此优选。为了该目的，例如，可使用铝、银、铜、镍、铬、金、铂等金属。

应予说明，这些材料可以仅使用1种，也可以按任意的组合和比率并用2种以上。

{其它层}

本发明的有机场致发光元件在不脱离其主旨的范围内可以具有其它的构成。例如，只要不损害其性能，则在阳极与阴极之间，除上述说明的层之外还可以具有任意层，另外，也可以省略任意层。

<电子阻挡层>

作为可具有的其它层，可举出电子阻挡层。

电子阻挡层设置在空穴注入层或空穴输送层与发光层之间，阻挡从发光层迁移过来的电子到达空穴注入层，由此具有如下作用：增加发光层内的空穴与电子再结合的概率、将生成的激子关入发光层内的作用和将从空穴注入层注入的空穴高效地向发光层的方向输送的作用。尤其是使用磷光材料或使用蓝色发光材料作为发光材料时，设置电子阻挡层是有效的。

作为电子阻挡层所需求的特性，可举出空穴输送性高、能隙(HOMO、LUMO的差)大、激发三重态能级(T1)高等。

此外，本发明中，用湿式成膜法制作发光层时，对电子阻挡层还要求湿式成膜的适合性。作为在这样的电子阻挡层中使用的材料，可举出以F8-TFB为代表的二辛基芴与三苯胺的共聚物(国际公开第2004/084260号)等。

应予说明，电子阻挡层的材料可以仅使用1种，也可以按任意的组合和比率并用2种以上。

电子阻挡层的形成方法没有限制。因此，可以用湿式成膜法、蒸镀法或其它的方法来形成。

此外，在阴极与发光层或电子输送层的界面插入由例如氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF₂)、氧化锂(Li₂O)、碳酸铯(Ⅱ)(CsCO₃)等形成的极薄绝缘膜(0.1～5nm)也是使元件效率提高的有效方法(参照Applied Physics Letters，1997年，Vol.70，pp.152；日本特开平10-74586号公报；IEEE Transactions on Electron Devices，1997年，Vol.44，pp.1245；SID 04Digest，pp.154等)。

另外，在以上说明的层构成中，也可以按相反顺序层叠基板以外的构成要素。

例如，如果为图1的层构成，则可以在基板上按阴极、电子注入层、电子输送层、空穴阻挡层、发光层、空穴输送层、空穴注入层、阳极的顺序层叠其它的构成要素。并且，通过在至少一方具有透明性的2块基板之间层叠基板以外的构成要素，也能够构成本发明的有机场致发光元件。

另外，也可以形成将基板以外的构成要素(发光单元)重叠多段而成的结构(重叠多个发光单元而成的结构)。该情况下，如果设置由例如五氧化钒(V₂O₅)等构成的电荷发生层(Carrier Generation Layer：CGL)代替各段间(发光单元间)的界面层(阳极为ITO、阴极为Al时，为这2层)，则段间的位垒变少，从发光效率·驱动电压的观点考虑更优选。

此外，本发明的有机场致发光元件可以构成为单一的有机场致发光元件，也可以应用于以阵列状配置有多个有机场致发光元件的构成，也可以应用于以X-Y矩阵状配置有阳极和阴极的构成。

另外，只要不明显损害本发明的效果，上述各层中可以含有作为材料说明的成分以外的成分。

[有机场致发光(有机EL)显示装置]

本发明的有机EL显示装置使用了上述本发明的有机场致发光元件。本发明的有机EL显示装置的型号、结构没有特别限制，可以使用本发明的有机场致发光元件按照常法来组装。

例如，可以采用在“有机EL显示器”(OHM公司，平成16年8月20日发行，时任静士、安达千波矢、村田英幸著)中记载的方法来形成有机EL显示器。

[有机场致发光(有机EL)照明]

本发明的有机EL照明使用了上述本发明的有机场致发光元件。采用了本发明的有机场致发光元件的本发明的有机EL照明的型号、结构没有特别限制，可以使用本发明的有机场致发光元件按照常法来组装。

实施例

接下来，通过实施例对本发明进一步具体说明，本发明只要不超过其主旨，并不限于以下实施例的记载。

〔芳香族胺系聚合物的合成和精制〕

[合成例1：芳香族胺系聚合物(P1-1)的合成]

根据下述反应式进行反应，合成芳香族胺系聚合物(P1-1)。

在氮气流下将N,N’-双(4-羟基苯基)-N,N’-二苯基对苯二胺(1.00重量份)、4,4’-二氟二苯甲酮(0.49重量份)、碳酸钾(1.87重量份)和1-甲基-2-吡咯烷酮(23.13重量份)在131℃搅拌9小时。

将得到的反应混合物冷却后，将通过中间过滤除去了不溶物的滤液添加到甲醇中得到沉淀。滤出它，在60℃减压干燥6小时，由此得到粗组合物1-1。

使粗组合物1-1溶解于四氢呋喃，向该溶液中添加正庚烷，在20±5℃搅拌30分钟得到沉淀。用倾析法去除上清液，得到沉淀物。进一步重复同样的再沉淀操作，得到粗组合物1-2。

使粗组合物1-2溶解于甲苯，向该甲苯溶液中添加2-丙醇和脱盐水，在50±5℃搅拌30分钟。将静置后分液而得到的有机层用同样的操作再清洗2次，去除无机成分。

将得到的有机层减压浓缩，用四氢呋喃萃取残渣，将该溶液添加到甲醇中使其沉淀后滤出，在60℃减压干燥8小时，由此得到目标芳香族胺系聚合物(P1-1)(0.81重量份，收率59％)。

(芳香族胺系聚合物(P1-1)的SEC测定)

按下述的条件进行所得到的芳香族胺系聚合物(P1-1)的SEC(尺寸排阻色谱)测定，测定分子量。

<SEC测定条件>

装置：TOSOH公司制HLC8020

柱：TOSOH公司制TSKgel GMHxL(柱尺寸30cm×2根)

柱温：40℃

流动相：四氢呋喃

流量：1.0ml/分钟

注射浓度：0.1重量％

注射量：0.10ml

检测器：RI

换算法：聚苯乙烯换算

近似公式：三次方程

得到的芳香族胺系聚合物(P1-1)的重均分子量(Mw)为24000。

[合成例2：芳香族胺系聚合物(P1-2)的合成]

合成例1中，变更作为原料的N,N’-双(4-羟基苯基)-N,N’-二苯基-对苯二胺、4,4’-二氟二苯甲酮的原料批次，除此之外同样地制造与芳香族胺系聚合物(P1-1)相同的芳香族胺系聚合物(P1-2)(重均分子量(Mw)＝24000)。

[合成例3：芳香族胺系聚合物(P1-2)的精制]

向合成例2中制造的芳香族胺系聚合物(P1-2)50重量份中加入四氢呋喃105重量份和甲苯345重量份，得到均匀的溶液。向该溶液中进一步加入1N盐酸500重量份，搅拌后，进行分液。

将得到的有机相用500重量份的水清洗3次。向分离出的有机层中加入甲苯630重量份，使上述有机层的甲苯溶液通过将强酸性阳离子交换树脂(三菱化学株式会社制商品名“DIAION(注册商标)WK11”(商品名))167重量份和强碱性阴离子交换树脂(三菱化学株式会社制商品名“DIAION(注册商标)SAN1”(商品名))83重量份混合而制成的混床离子交换树脂层。

将洗脱液用孔径0.1μm的聚四氟乙烯过滤器(以下称为“0.1μmPTFE过滤器”)过滤后，放出到3500重量份的甲醇中制备聚合物的浆料后，过滤，将固体成分用350重量份的甲醇清洗，在60℃干燥8小时得到精制芳香族胺系聚合物(P1-3)。

[合成例4：芳香族胺系聚合物(P1-2)的精制]

与合成例3同样地精制合成例2中制造的芳香族胺系聚合物(P1-2)。

向合成例2制造的芳香族胺系聚合物(P1-2)40重量份中加入四氢呋喃84重量份和甲苯276重量份，得到均匀的溶液。向该溶液再加入1N盐酸400重量份，搅拌后，进行分液。

将得到的有机相用400重量份的水清洗3次。向分离出的有机层中加入甲苯630重量份，使上述有机层的甲苯溶液通过将强酸性阳离子交换树脂(三菱化学株式会社制商品名“DIAION(注册商标)WK11”(商品名))134重量份和强碱性阴离子交换树脂(三菱化学株式会社制商品名“DIAION(注册商标)SAN1”(商品名))66重量份混合而制成的混床离子交换树脂层。

将洗脱液用0.1μmPTFE过滤器过滤后，放入到2800重量份的甲醇中制成聚合物的浆料后，过滤，将固体成分用280重量份的甲醇清洗，在60℃干燥8小时得到精制芳香族胺系聚合物(P1-4)。

〔有机场致发光元件用组合物的制备和评价〕

[实施例1]

<有机场致发光元件用组合物1的制备>

按照下述的配方制备含有合成例3中得到的芳香族胺系聚合物(P1-3)、由下述结构式表示的电子接受性化合物(A1)和有机溶剂的有机场致发光元件用组合物1。

溶质成分化合物(P1-3) 3.0重量份

化合物(A1) 0.3重量份

有机溶剂苯甲酸乙酯 96.7重量份

将化合物(P1-3)、化合物(A1)和有机溶剂混合，在140℃加热搅拌3小时。放冷后，目视观察确认了溶解残渣不沉淀后，用0.1μmPTFE过滤器进行过滤处理，得到有机场致发光元件用组合物1。

用ICP法中对该有机场致发光元件用组合物1的Zn浓度进行定量，结果为0.03ppm。

<有机场致发光元件的制作>

使用得到的有机场致发光元件用组合物1，用以下的方法制作有机场致发光元件。

(空穴注入层的形成)

用旋涂法在清洗处理过的ITO基板上涂布上述有机场致发光元件用组合物1并干燥、烧制而形成空穴注入层。旋涂在气温23℃、相对湿度50％的大气中进行，旋转转数为2750rpm，旋转时间为30秒。

涂布后，在热板上于80℃加热干燥1分钟后，在烘箱、大气中于230℃烘烤15分钟，形成膜厚35nm的空穴注入层。

(空穴输送层的形成)

将该形成有空穴注入层的ITO基板设置在真空蒸镀装置的腔室内。腔室用旋转泵进行粗抽后，用低温泵减压。真空度为2.0×10^-4Pa。在基板上于规定的区域配置蒸镀用掩模，将需要的蒸镀材料预先放入各自的瓷制坩埚中配置于腔室内。

将装有由下述结构式表示的4,4’-双[N-(9-菲基)-N-苯基-氨基]联苯(PPD)的瓷制坩埚通电加热，向空穴注入层上蒸镀。蒸镀时的真空度为1.8×10^-4Pa，蒸镀速度为

以膜厚45nm形成空穴输送层。

(发光·电子输送层的形成)

接下来，将装有由下述式(C3)表示的8-羟基喹啉的铝配合物(Alq3)的瓷制坩埚通电加热，向空穴输送层上蒸镀。蒸镀时的真空度为1.8×10^-4Pa，蒸镀速度为

以膜厚60nm形成兼作发光层的电子输送层。

(阴极形成)

接下来，将形成到发光·电子输送层为止的基板暂时取出到大气中，将作为阴极蒸镀用掩模的7mm宽度的条栅状荫罩以与阳极的ITO条栅正交的方式配置，迅速设置于蒸镀装置。腔室用旋转泵进行粗抽后，用低温泵减压。真空度为3.4×10^-6Torr。

作为阴极，首先，将装有氟化锂(LiF)的钼制舟皿通电加热，向电子输送层上蒸镀。蒸镀条件是蒸镀时的真空度为3.6×10^-6Torr、蒸镀速度为

以膜厚0.5nm成膜。

最后，将装有铝的钼制舟皿通电加热而蒸镀阴极。蒸镀条件是蒸镀时的真空度为6.0×10^-6Torr～12.0×10^-6Torr、蒸镀速度为

成膜为膜厚80nm。

(封装)

接下来，将形成有阴极的基板暂时取出到大气中，迅速移至经氮置换的手套箱中。在经氮置换的手套箱中在封装玻璃板的凹部贴附吸湿剂片，用分配器在封装玻璃板的凹部的周围涂布UV固化性树脂，以用封装玻璃板将进行了蒸镀的基板的蒸镀区域密封的方式使它们密合，用UV灯照射UV光而使UV固化性树脂固化。

如上地操作，得到有机场致发光元件。

<反向电压漏电流试验>

(评价方法)

对得到的元件采用直流2端子法测定电流电压特性。测定使用KEYTHLEY公司制2400型号通用Source Meter。以电压2.0V/sec扫描0.0V～-16.0V，每0.2V获取1次电流值。

评价是对使用有机场致发光元件用组合物1形成的4个像素进行2次上述的扫描，以8个数据序列的形式获得。

将在-15.0V～-16.0V的区域流通1×10^-7A以上的电流的情况判断为NG，将8个数据序列中总计的NG的比例作为“NG次数”以百分率表示。

即，NG次数0％表示即使施加反向电压也不流通反向漏电流这种极好的状态，NG次数100％表示施加反向电压以100％的概率流通反向漏电流这种极不理想的状态。

(评价结果)

对于采用了利用芳香族胺系聚合物(P1-3)制备的有机场致发光元件用组合物1的元件，得到NG次数为25％的优异结果。

[比较例1]

实施例1中，使用合成例1中制造的芳香族胺系聚合物(P1-1)代替芳香族胺系聚合物(P1-3)，除此之外，与实施例1同样地制备有机场致发光元件用组合物x。

用ICP法对该组合物x的Zn浓度进行定量，结果为0.7ppm，与实施例1中使用的有机场致发光元件用组合物1相比，Zn浓度高。

使用上述的有机场致发光元件用组合物x代替有机场致发光元件用组合物1，与实施例1同样地制造有机场致发光元件，同样地进行反向电压漏电流试验，结果得到NG次数为88％这种不理想的结果。

[实施例2]

实施例1中，混合使用合成例2中制造的芳香族胺系聚合物(P1-2)0.5重量份和芳香族胺系聚合物(P1-3)2.5重量份来代替芳香族胺系聚合物(P1-3)，除此之外，与实施例1同样地制备有机场致发光元件用组合物2。

用ICP法对该组合物2的Zn浓度进行定量，结果为0.2ppm，与比较例1中的有机场致发光元件用组合物x相比，Zn浓度低。

使用上述的有机场致发光元件用组合物2代替有机场致发光元件用组合物1，与实施例1同样地制造有机场致发光元件，同样地进行反向电压漏电流试验，结果NG次数为50％，得到比比较例1好的结果。

[实施例3]

<有机场致发光元件用组合物3的制备>

实施例1中，使用芳香族胺系聚合物(P1-4)代替芳香族胺系聚合物(P1-3)，除此之外，进行与实施例1同样的操作，制备有机场致发光元件用组合物3。

用ICP法对该组合物的Zn浓度进行定量，结果为0.01ppm。

<保存稳定性试验方法>

关于该有机场致发光元件用组合物3的保存稳定性，用以下的方法确认有无含Zn异物的生成。

即，室温下采取1ml保存了3周的有机场致发光元件用组合物3，使其通过直径1.3cm的0.1μmPTFE过滤器，使通液后的过滤器在室温下干燥3小时，用扫描式电子显微镜(倍率：1000倍)观察该过滤器。

即，由于将1ml的有机场致发光元件用组合物用孔径0.1μm的过滤器过滤，所以通过该过滤，如果在过滤器上残留异物，则该异物是有机场致发光元件用组合物1ml中所含的长径为0.1μm以上的异物，通过计算其数目，能够求出组合物1ml中的长径为0.1μm以上的异物的数目。

<保存稳定性试验结果>

观察过滤器而检查异物，但没有发现异物。

[比较例2]

实施例3中，使用比较例1中制备的有机场致发光元件用组合物x代替有机场致发光元件用组合物3，同样地确认保存稳定性，结果确认每个视野有10～20个异物，推断在过滤器整面总计约有56000～112000个异物。

由EDX分析的结果判明该异物含有Zn。即，1ml有机场致发光元件用组合物x中的长径为0.1μm以上的含Zn异物约为56000～112000个。

[实施例4]

实施例3中，使用实施例2中制备的有机场致发光元件用组合物2代替有机场致发光元件用组合物3，同样地确认保存稳定性，结果确认每个视野有0～1个异物，推断在过滤器整面总计约有5600个以下的异物。

由EDX分析的结果判明该异物含有Zn。该有机场致发光元件用组合物2中，1ml组合物中长径为0.1μm以上的含Zn异物存在5600个以下，但Zn异物析出行为与比较例的有机场致发光元件用组合物x相比，大幅改善。

〔芳香族胺系聚合物的Zn去除操作〕

作为减少本发明中使用的芳香族胺系聚合物的Zn浓度的方法，除上述实施例中例示的酸处理法、离子交换法及其组合以外还可使用公知的方法。

即，有使芳香族胺系聚合物的有机溶剂溶液与例如作为离子去除剂的活性炭、二氧化硅接触的方法等。以下，示出使用活性炭和二氧化硅的Zn的去除效果。

[参考例1]

使合成例1中得到的芳香族胺系聚合物(P1-1)2重量份溶解于四氢呋喃18重量份中。该溶液的Zn浓度为3ppm。

[参考例2]

向参考例1中得到的芳香族胺系聚合物溶液20重量份中加入FujiSilysiaChemical株式会社制DIAMINE SILICA 2重量份，在室温下搅拌3小时后滤除二氧化硅，对液相部的Zn浓度进行定量，结果Zn浓度为1ppm，Zn浓度减少。

[参考例3]

向参考例1得到的芳香族胺系聚合物溶液20重量份中加入关东化学株式会社制活性炭(粉末)2重量份，室温下搅拌3小时后滤除活性炭，对液相部的Zn浓度进行定量，结果Zn浓度为0.1ppm，Zn浓度减少。

[合成例5：芳香族胺系聚合物(P1-5)的合成]

用与合成例1同样的方法再次合成芳香族胺系聚合物(P1-5)(重均分子量(Mw)＝24000)。

[合成例6：芳香族胺系聚合物(P1-6)的合成]

向合成例5制造的芳香族胺系聚合物(P1-5)50重量份中加入四氢呋喃105重量份和甲苯345重量份，得到均匀的溶液。向该溶液中进一步加入1N盐酸500重量份，搅拌后，进行分液。

将得到的有机相用500重量份的水清洗3次。向分离出的有机层加入甲苯630重量份，使上述有机层的甲苯溶液通过将强酸性阳离子交换树脂(三菱化学株式会社制商品名“DIAION(注册商标)WK11”(商品名))167重量份和强碱性阴离子交换树脂(三菱化学株式会社制商品名“DIAION(注册商标)SAN1”(商品名))83重量份混合而制成的混床离子交换树脂层。

将洗脱液用孔径0.1μm的聚四氟乙烯过滤器(以下称为“0.1μmPTFE过滤器”)过滤后，放出到3500重量份的甲醇中制备聚合物的浆料后，过滤，将固体成分用350重量份的甲醇清洗，在60℃干燥8小时得到精制芳香族胺系聚合物(P1-6)(重均分子量(Mw)＝24000)。

〔有机溶剂的精制〕

[精制例1：苯甲酸乙酯的精制]

将三菱化学株式会社制强碱性阴离子交换树脂(DIAION(注册商标)SAN1(商品名))30mL和三菱化学株式会社制强酸性阳离子交换树脂(DIAION(注册商标)SKN1(商品名))30mL分别与甲醇500mL混合搅拌，通过过滤进行固液分离。将得到的“SAN1”24mL和“SKN1”12mL混合，填充到100mL的滴液漏斗中，形成混床离子交换树脂层。

使400mL的苯甲酸乙酯(Kishida Chemical制，以下称为“EB-1”)通过该混床离子交换树脂层进行溶剂置换后，再次通入EB-1。将通过了混床离子交换树脂层的EB-1用孔径0.2μm的PTFE制过滤器过滤。将该精制苯甲酸乙酯称为“EB-2”。

对EB-1和EB-2用ICP法分析S浓度，结果EB-1的S浓度为33ppm，而EB-2的S浓度为4ppm。

〔有机场致发光元件用组合物的制备和评价〕

[实施例5]

<有机场致发光元件用组合物4的制备>

按下述配方制备含有合成例5中得到的芳香族胺系聚合物(P1-5)、电子接受性化合物(A1)和作为有机溶剂的精制例1中精制的苯甲酸乙酯EB-2的有机场致发光元件用组合物4。

溶质成分化合物(P1-5) 3.0重量份

化合物(A1) 0.3重量份

有机溶剂苯甲酸乙酯(EB-2) 96.7重量份

将化合物(P1-5)、化合物(A1)和有机溶剂(EB-2)混合，在140℃加热搅拌3小时。放冷后，目视观察确认溶解残渣不沉淀后，用孔径0.1μm的PTFE制过滤器进行过滤处理，得到有机场致发光元件用组合物4。

用ICP法对该有机场致发光元件用组合物4的S浓度进行定量，结果为2ppm。另外，Zn浓度为0.2ppm。

<保存稳定性试验方法>

对于该有机场致发光元件用组合物4的保存稳定性，根据实施例3中记载的方法确认有无异物的生成来进行评价。

<保存稳定性试验结果>

观察过滤器而检查异物，没有发现长径为0.5μm以上的异物。由于在这样冷却条件下的保存试验中也没有形成异物，所以可知实用上的问题也少，使用有机场致发光元件用组合物4能够得到品质稳定的元件。

[实施例6]

<有机场致发光元件用组合物5的制备>

使用3重量份合成例6中制造的聚合物(P1-6)代替实施例5中的聚合物(P1-5)，除此之外，与实施例5同样地制备有机场致发光元件用组合物5。

用ICP法进行分析，结果有机场致发光元件用组合物5的Zn浓度小于0.1ppm，S浓度为2ppm。

<保存稳定性试验结果>

对于有机场致发光元件用组合物5，与实施例3同样地进行保存稳定性试验，检查过滤器上的异物，没有发现长径为0.5μm以上的异物。

由于在这样冷却条件下的保存试验中都没有形成异物，所以可知实用上问题也少，使用有机场致发光元件用组合物5能够得到品质稳定的元件。

<有机场致发光元件的制作>

使用保存后的有机场致发光元件用组合物5并用以下的方法制作有机场致发光元件。

(空穴注入层的形成)

用旋涂法在清洗处理过的ITO基板上涂布上述有机场致发光元件用组合物5并干燥、烧制而形成空穴注入层。旋涂在气温23℃、相对湿度50％的大气中进行，旋转转数为2750rpm，旋转时间为30秒。涂布后，在热板上于80℃加热干燥1分钟后，在烘箱、大气中于230℃烘烤15分钟，形成膜厚35nm的空穴注入层。

(空穴输送层的形成)

将该形成有空穴注入层的ITO基板设置于真空蒸镀装置的腔室内。腔室用旋转泵进行粗抽后，用低温泵减压。真空度为0.8×10^-6Torr。在基板于规定的区域配置蒸镀用掩模，将需要的蒸镀材料预先放入各自的瓷制坩埚中配置于腔室内。

将装有4,4’-双[N-(9-菲基)-N-苯基-氨基]联苯(PPD)的瓷制坩埚通电加热，向空穴注入层上蒸镀。蒸镀时的真空度为0.8×10^-6Torr，蒸镀速度为

以膜厚45nm形成空穴输送层。

(发光·电子输送层的形成)

接下来，将装有8-羟基喹啉的铝配合物(Alq3)的瓷制坩埚通电加热，向空穴输送层上蒸镀。蒸镀时的真空度为0.7×10^-6～0.8×10^-6Torr，蒸镀速度为

以膜厚60nm形成兼作发光层的电子输送层。

(阴极形成)

接下来，将基板暂时取出到大气中，将作为阴极蒸镀用的掩模的2mm宽度的条栅状荫罩以与阳极的ITO条栅正交的方式配置，迅速设置于蒸镀装置。腔室用旋转泵进行粗抽后，用低温泵减压。真空度为1.5×10^-4Pa。

作为阴极，首先，将装有氟化锂(LiF)的钼制舟皿通电加热，向电子输送层上蒸镀。蒸镀条件是蒸镀时的真空度为1.7×10^-4～1.9×10^-4Pa、蒸镀速度为

以膜厚0.5nm成膜。

最后，将装有铝的钼制舟皿通电加热而进行蒸镀。蒸镀条件是蒸镀时的真空度为2.2×10^-4～2.5×10^-4Pa、蒸镀速度为

以膜厚80nm成膜。

(封装)

接下来，将基板暂时取出到大气中，迅速移至经氮置换的手套箱中。在经氮置换的手套箱中在封装玻璃板的凹部贴附吸湿剂片，用分配器在封装玻璃板的凹部的周围涂布UV固化性树脂，以用封装玻璃板将进行了蒸镀的基板的蒸镀区域密封的方式使它们密合，用UV灯照射UV光使UV固化性树脂固化。

如上地操作，得到有机场致发光元件。

<发光性能确认>

对该元件通电，结果得到无发光缺陷的均匀的发光面的绿色发光。

[参考例4]

〔玻璃容器的接液面的AFM测定〕

作为玻璃容器，准备以下3种硼硅酸玻璃制容器。

玻璃容器1：褐色螺纹口管制瓶(销售商：Maruemu公司)

玻璃容器2：褐色螺纹口管制瓶100ml(销售商：Alpha Purchase株式会社)

玻璃容器3：茶褐色圆形螺口瓶(ShottDuran公司制“Duran(注册商标)”)

关于上述3种玻璃容器，用以下的方法对容器的内侧的接液部分的表面的凹凸进行AFM测定。

测定面采用玻璃容器的接液面中从底面的位置随机选取的2个位置。应予说明，上述玻璃容器的接液面均为均匀面，几乎没有由测定位置的不同产生的表面凹凸的差异。

装置：Asylum Reserch公司MFP-3D

探针：Olympus公司制AC240TS-C3弹簧常数～2N/m

测定环境：实验室气氛室温

1个样品的测定区域：10μm见方(＝10μm×10μm)

数据采集数目：256×256

(解析方法)

对于得到的AFM图像中10μm见方区域，为了用图像处理程序对由AFM观察到的高度图像进行操作，将从-6.4nm到6.4nm转换成0～255浓淡度(0.05nm/浓度)，利用图像处理程序(Media Cybernetics公司制ImageProPlus)并使用中值滤波器(滤波器区域5×5，次数1)进行图像的噪声处理。

使用图像处理程序，将面积10像素以下作为噪声删去，进行个数、面积的测量，求出0.8nm以上的凸部的数目和面积率以及0.8nm以上的凹部的数目和面积率。

应予说明，0.8nm以上的凸部、凹部的个数是与表面凹凸密度同样算出的、比基准面高0.8nm以上的凸部在每个样品中的数目，比基准面低0.8nm以上的凹部在每个样品中的数目。

另外，0.8nm以上的凹部的面积率相当于表面凹部分的面积率，0.8nm以上的凸部的面积率与表面凹部分的面积率同样地求出。

将结果示于下述表14。

[表14]

由表14可知玻璃容器3几乎没有接液面的表面凹凸，而玻璃容器1和2在接液面存在表面凹凸。

〔芳香族胺系聚合物的合成和精制〕

[合成例7：芳香族胺系聚合物(P1-7)的合成]

与合成例1同样地再次进行反应，合成芳香族胺系聚合物(P1-7)。

得到的芳香族胺系聚合物(P1-7)的重均分子量(Mw)为29000。

利用ICP法对芳香族胺系聚合物(P1-7)进行无机成分的测定，结果Zn含量为6600ppb，Cu含量小于1000ppb。

[合成例8：芳香族胺系聚合物(P1-8)的合成]

作为原料N,N’-双(4-羟基苯基)-N,N’-二苯基-对苯二胺，使用不同原料批次的物质，除此之外，与合成例7同样地合成芳香族胺系聚合物(P1-8)，同样地进行分析。

得到的芳香族胺系聚合物(P1-8)的重均分子量(Mw)为24000，Zn含量为270ppb，Cu含量为2000ppb。

[合成例9：芳香族胺系聚合物(P1-9)的合成]

作为原料N,N’-双(4-羟基苯基)-N,N’-二苯基-对苯二胺，使用不同原料批次的物质，除此之外，与合成例7同样地合成芳香族胺系聚合物(P1-9)，同样地进行分析。

得到的芳香族胺系聚合物(P1-9)的重均分子量(Mw)为29000，Zn含量为220ppb，Cu含量为1400ppb。

〔有机场致发光元件用组合物的制备和评价〕

[实施例7]

<有机场致发光元件用组合物6的制备>

按下述配方制备含有合成例7中得到的芳香族胺系聚合物(P1-7)、电子接受性化合物(A1)和作为有机溶剂的苯甲酸乙酯的有机场致发光元件用组合物6。

溶质成分化合物(P1-7) 3.0重量份

化合物(A1) 0.3重量份

有机溶剂苯甲酸乙酯 96.7重量份

将化合物(P1-7)、化合物(A1)和有机溶剂混合，在140℃加热搅拌3小时。放冷后，目视观察确认溶解残渣不沉淀后，用孔径0.1μm的PTFE制过滤器进行过滤处理，得到有机场致发光元件用组合物6。

将得到的有机场致发光元件用组合物6封入玻璃容器1中保存，进行以下的评价。

<保存稳定性试验-1>

采取2ml封入玻璃容器1内在5℃保存1周的有机场致发光元件用组合物6，使其通过直径1.3cm、孔径0.1μm的PTFE制过滤器，使通液后的过滤器在室温下干燥3小时，用扫描式电子显微镜(倍率：1000倍)观察该过滤器。

对过滤器观察9个视野以上检查异物，没有发现异物。

<Zn浓度的测定>

对封入玻璃容器1内在室温保存3天后的有机场致发光元件用组合物6利用ICP法测定组合物中的Zn浓度。将结果示于表15。

<ToF-SIMS的测定>

Zn浓度的测定中，从玻璃容器1除去组合物后，用苯甲酸乙酯清洗容器内壁，风干2天后，对接液面按以下的测定条件用ToF-SIMS测定Zn计数(质量63.93)。将结果示于表15。

分析方法：飞行时间二次离子质谱仪(简称ToF-SIMS)

机型名称：ION-TOF公司制TOF-SIMS IV

一次离子：Bi₃ ⁺⁺，加速电压25kV，照射电流0.1pA，扫描200μm

二次离子：收集正离子，累计30scan

[参考例5]

将有机场致发光元件用组合物6封入玻璃容器3中保存，除此之外，与实施例7同样地进行保存稳定性试验-1，观察过滤器检查异物，结果确认球状的异物每个视野有5个以上，推断在过滤器整面总计有28000个以上的异物。通过使用扫描式电子显微镜(Kvex制S-4100)的观察以及利用附带的X射线解析装置、EDX进行的解析确认了该异物的主成分为Zn。

另外，与实施例7同样地进行Zn浓度的测定和ToF-SIMS的测定，将结果示于表15。

[参考例6]

将有机场致发光元件用组合物6封入Teflon(注册商标)容器(Big BoySCC(Teflon(注册商标))PFA制，销售商：Alpha Purchase株式会社)，除此之外，与实施例7同样地进行Zn浓度的测定，将结果示于表15。应予说明，Teflon(注册商标)为非极性，无法用容器接液面捕捉异物、金属离子。因此，组合物中容易生成大量的异物。

[表15]

※括号内是组合物保存前的接液面的测定结果

由表15可知如下内容。

实施例7中，利用玻璃容器1捕捉组合物中的Zn，在容器表面Zn的计数增加。

与此相对，用玻璃容器3、Teflon(注册商标)容器保存时，Zn计数的增加也小。

由此可知本发明的玻璃容器通过在接液面存在大量凹凸，利用该凹凸使表面积增大，从机械·化学角度容易形成与金属离子的键，用表面容易捕捉组合物中的这些金属离子。

[实施例8]

<有机场致发光元件用组合物7的制备>

使用芳香族胺系聚合物(P1-8)代替芳香族胺系聚合物(P1-7)，将混合时的加热温度从140℃变更为110℃，除此之外，与实施例7的有机场致发光元件用组合物6的制备同样地得到有机场致发光元件用组合物7。

将得到的有机场致发光元件用组合物7封入玻璃容器1中保存，进行以下的评价。

<保存稳定性试验-2>

采取2ml封入玻璃容器1内在23℃保存1周的有机场致发光元件用组合物7，使其通过直径1.3cm、孔径0.1μm的PTFE制过滤器，将通液后的过滤器在室温下干燥3小时，用扫描式电子显微镜(倍率：1000倍)观察该过滤器。

对过滤器观察9个视野以上检查异物，没有发现异物。

[比较例3]

将有机场致发光元件用组合物7封入玻璃容器3中保存，除此之外，与实施例7同样地进行保存稳定性试验-2，观察过滤器检查异物，确认球状的异物在每个视野有5个以上，推断在过滤器整面总计约有28000个以上的异物。通过使用扫描式电子显微镜(Kvex制S-4100)的观察以及利用附带的X射线解析装置、EDX进行的解析确认了该异物的主成分为Cu。

[实施例9]

<有机场致发光元件用组合物8的制备>

使用芳香族胺系聚合物(P1-9)代替芳香族胺系聚合物(P1-7)，除此之外，与实施例7的有机场致发光元件用组合物6的制备同样地得到有机场致发光元件用组合物8。

将得到的有机场致发光元件用组合物8封入玻璃容器2中保存，进行以下的评价。

<保存稳定性试验-3>

采取2ml封入玻璃容器2内在室温下保存3个月的有机场致发光元件用组合物8，使其通过直径1.3cm、孔径0.1μm的PTFE制过滤器，使通液后的过滤器在室温下干燥3小时，用扫描式电子显微镜(倍率：1000倍)观察该过滤器。

对过滤器观察9个视野以上检查异物，没有发现异物。

〔有机场致发光元件的制造〕

[实施例10]

实施例8中，使用封入到玻璃容器1在23℃保存1周后的有机场致发光元件用组合物7，用以下的方法制造有机场致发光元件。

(空穴注入层的形成)

用旋涂法在清洗处理过的ITO基板上涂布上述保存后的有机场致发光元件用组合物2并干燥、烧制而形成空穴注入层。旋涂在气温23℃、相对湿度50％的大气中进行，旋转转数为2750rpm，旋转时间为30秒。

(空穴输送层的形成)

将该形成有空穴注入层的ITO基板设置在真空蒸镀装置的腔室内。腔室用旋转泵进行粗抽后，用低温泵减压。真空度为2.0×10-⁴Pa。在基板于规定的区域配置蒸镀用掩模，将需要的蒸镀材料预先放入各自的瓷制坩埚中配置于腔室内。

将装有4,4’-双[N-(9-菲基)-N-苯基-氨基]联苯(PPD)的瓷制坩埚通电加热，向空穴注入层上蒸镀。蒸镀时的真空度为1.8×10-⁴Pa，蒸镀速度为

以膜厚45nm形成空穴输送层。

(发光·电子输送层的形成)

接下来，将装有8-羟基喹啉的铝配合物(Alq3)的瓷制坩埚通电加热，向空穴输送层上蒸镀。蒸镀时的真空度为1.8×10-⁴Pa，蒸镀速度为

以膜厚60nm形成兼作发光层的电子输送层。

(阴极形成)

接下来，将基板暂时取出到大气中，将作为阴极蒸镀用的掩模的7mm宽度的条栅状荫罩以与阳极的ITO条栅正交的方式配置，迅速设置于蒸镀装置。腔室用旋转泵进行粗抽后，用低温泵减压。真空度为4.5×10^-4Pa。

作为阴极，首先，将装有氟化锂(LiF)的钼制舟皿通电加热，向电子输送层上蒸镀。蒸镀条件是蒸镀时的真空度为4.8×10^-4Pa、蒸镀速度为

以膜厚0.5nm成膜。

最后，将装有铝的钼制舟皿通电加热而进行蒸镀。蒸镀条件是蒸镀时的真空度为8.0×10^-4～16.0×10^-4Pa、蒸镀速度为

以膜厚80nm成膜。

(封装)

如上地操作，得到有机场致发光元件。

<发光性能确认>

虽参照特定的实施方式对本发明进行了详细说明，但在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以加入各种变更、修正，这对于本领域技术人员而言是显而易见的。

本申请基于2012年4月9日申请的日本专利申请(特愿2012-088476)、2012年4月9日申请的日本专利申请(特愿2012-088477)和2013年3月12日申请的日本专利申请(特愿2013-049291)，其内容

在此作为参照而引入。

产业上的可利用性

本发明的有机场致发光元件用组合物无异物生成的问题，用湿式成膜法形成空穴注入层和/或空穴输送层时，能够均匀地成膜，另外从工业的观点考虑不会产生不利情况。

另外，具有通过使用本发明的有机场致发光元件用组合物并利用湿式成膜法形成的空穴注入层和/或空穴输送层的有机场致发光元件不产生短路、黑斑，另外驱动寿命长。

由此，本发明能够适用于使用有机场致发光元件的各种领域，例如，平板·显示器(例如OA计算机用、壁挂电视)、产生作为面发光体的特征的光源(例如，复印机的光源、液晶显示器和计量仪器类的背光灯光源，例如，顶灯、落地灯等一般照明装置的照明光源、展台等演出照明装置的照明光源)、显示板、信号灯等领域。

符号说明

1 基板

2 阳极

3 空穴注入层

4 空穴输送层

5 发光层

6 空穴阻挡层

7 电子输送层

8 电子注入层

9 阴极

Claims

1.一种有机场致发光元件用组合物的制造方法，是用于形成选自有机场致发光元件的发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发光元件用组合物的制造方法，

包括将重均分子量3000～1000000的芳香族胺系聚合物与有机溶剂进行混合使其溶解的工序，所述有机溶剂是作为芳香族酯的酯系有机溶剂，

所述组合物中的Zn浓度小于0.5重量ppm，

所述组合物中的S浓度小于20重量ppm，

所述作为芳香族酯的酯系有机溶剂在与芳香族胺系聚合物混合前用离子去除剂进行精制而减少S浓度。

2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述有机场致发光元件用组合物是用于形成有机场致发光元件的空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的组合物。

3.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述Zn浓度小于0.1重量ppm。

4.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述组合物中的Zn浓度在检测极限以下。

5.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述组合物1ml中所含的长径0.1μm以上的含Zn异物的数目为50000个以下。

6.根据权利要求5所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述含Zn异物的数目为20000个以下。

7.根据权利要求5所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述含Zn异物的数目为10000个以下。

8.根据权利要求5所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，不存在所述含Zn异物。

9.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述芳香族胺系聚合物是溶解于有机溶剂而形成液体的状态后，使其与pH为0～5的酸性水溶液接触，通过液液萃取将杂质萃取到水溶液侧而除去的芳香族胺系聚合物。

10.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述芳香族胺系聚合物是溶解于有机溶剂而形成液体的状态后，使其与酸性阳离子交换树脂接触而除去了金属离子的芳香族胺系聚合物。

11.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述组合物中的S浓度小于5重量ppm。

12.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述组合物中的S浓度小于1重量ppm。

13.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，存在于所述组合物中的S来自有机化合物。

14.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述芳香族胺系聚合物是溶解于有机溶剂而形成液体的状态后，使其与碱性阴离子交换树脂接触而除去了阴离子性杂质的芳香族胺系聚合物。

15.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述芳香族胺系聚合物是溶解于有机溶剂而形成液体的状态后，使其与由金属氧化物的金属盐构成的无机离子交换树脂接触而除去了离子的芳香族胺系聚合物。

16.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述芳香族胺系聚合物是溶解于有机溶剂而形成液体的状态后，使其与活性炭、活性白土、二氧化硅或硅胶接触而除去了离子的芳香族胺系聚合物。

17.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述芳香族胺系聚合物具有由下述式(2)表示的重复单元，

式中，m表示0～3的整数，

Ar³¹和Ar³²各自独立地表示直接键合、可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，

Ar³³～Ar³⁵各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，

其中，Ar³³和Ar³⁵表示1价的基团，Ar³⁴表示2价的基团，但Ar³¹和Ar³²不同时为直接键合，

作为可以具有取代基的芳香族烃环基，是具有1个或2个游离原子价的6元环的单环或2～5稠合环，或者是将具有1个或2个游离原子价的6元环的单环或2～5稠合环直接键合或通过-CH＝CH-基连接而成的基团，

作为可以具有取代基的芳香族杂环基，是具有1个或2个游离原子价的5或6元环的单环或2～4稠合环，或者是将具有1个或2个游离原子价的5或6元环的单环或2～4稠合环直接键合或通过-CH＝CH-基连接而成的基团，

可以具有的取代基是碳原子数1～24的烷基、碳原子数2～24的烯基、碳原子数2～24的炔基、碳原子数1～24的烷氧基、碳原子数4～36的芳氧基、碳原子数2～24的烷氧羰基、碳原子数2～24的二烷基氨基、碳原子数10～36的二芳基氨基、碳原子数6～36的芳基烷基氨基、碳原子数2～24的酰基、卤素原子、碳原子数1～12的卤代烷基、碳原子数1～24的烷硫基、碳原子数4～36的芳硫基、碳原子数2～36的甲硅烷基、碳原子数2～36的甲硅烷氧基、氰基、碳原子数6～36的芳香族烃环基、碳原子数3～36的芳香族杂环基，

这些取代基可以进一步具有取代基，可以具有的取代基是与这些取代基组相同的基团，

作为取代基的分子量，包含进一步取代的基团在内为500以下。

18.根据权利要求17所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，Ar³¹～Ar³⁵各自独立地为选自可以具有取代基的、具有1个或2个游离原子价的苯环、萘环、蒽环、菲环、9,10-苯并菲环、芘环、噻吩环、吡啶环、芴环中的1个环，或者是将这些环直接键合或通过-CH＝CH-基连接而成的基团。

19.根据权利要求17所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，Ar³¹～Ar³⁵各自独立地为可以具有取代基的、具有1个或2个游离原子价的苯环、芴环。

20.根据权利要求17所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，Ar³¹～Ar³⁵各自独立地为可具有取代基的联苯基、三联苯基。

21.根据权利要求17所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，作为取代基的分子量，包含进一步取代的基团在内为250以下。

22.根据权利要求17所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，取代基是碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～12的烷氧基、碳原子数6～24的芳香族烃环基、碳原子数4～24的芳香族杂环基。

23.根据权利要求17所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，取代基是甲基、乙基、苯基、萘基。

24.根据权利要求17所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，m为0。

25.根据权利要求17所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，m为1～3。

26.根据权利要求17所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述芳香族胺系聚合物进一步具有通过逆狄尔斯-阿尔德反应而发生热解离的解离性基团、或者作为交联性基团的不溶基团。

27.根据权利要求26所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述交联性基团是交联性基团组T所示的基团，

<交联性基团组T>

式中，R⁸¹～R⁸⁵各自独立地表示氢原子或烷基，Ar⁴¹表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，其中，苯并环丁烯环可以具有取代基，另外取代基彼此可以相互键合而形成环。

28.根据权利要求26所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述交联性基团是由下述式(5)表示的基团，

式(5)中的苯并环丁烯环可以具有取代基，另外，取代基彼此可以相互键合而形成环。

29.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述芳香族胺系聚合物具有由下述式(3)表示的重复单元，

式中，Ar⁵¹～Ar⁵³各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族基团，

Ar⁵⁴和Ar⁵⁵各自独立地表示可以具有取代基的芳香族基团，

Ar⁵⁶和Ar⁵⁷各自独立地表示直接键合或可以具有取代基的2价的芳香族基团，

R¹¹和R¹²各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或可以具有取代基的芳香族基团，

m’表示0～5的整数，

R¹¹与R¹²可以相互键合而形成环结构，

30.根据权利要求29所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，Ar⁵¹～Ar⁵⁵各自独立地为选自可以具有取代基的、具有1个或2个游离原子价的苯环、萘环、蒽环、菲环、9,10-苯并菲环、芘环、噻吩环、吡啶环、芴环中的1个环，或者是将这些环直接键合或通过-CH＝CH-基连接而成的基团。

31.根据权利要求29所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，Ar⁵¹～Ar⁵⁵各自独立地为可以具有取代基的、具有1个或2个游离原子价的苯环、芴环。

32.根据权利要求29所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，Ar⁵¹～Ar⁵⁵各自独立地为可具有取代基的联苯基、三联苯基。

33.根据权利要求29所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，作为取代基的分子量，包含进一步取代的基团在内为250以下。

34.根据权利要求29所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，R¹¹和R¹²各自独立地为碳原子数1～12的烷基和碳原子数1～12的烷氧基。

35.根据权利要求29所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，R¹¹和R¹²各自独立地为碳原子数1～12的烷基。

36.根据权利要求29所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，取代基是碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～12的烷氧基、碳原子数6～24的芳香族烃环基、碳原子数4～24的芳香族杂环基。

37.根据权利要求29所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，取代基是甲基、乙基、苯基、萘基。

38.根据权利要求29所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述芳香族胺系聚合物进一步具有通过逆狄尔斯-阿尔德反应而发生热解离的解离性基团、或者作为交联性基团的不溶基团。

39.根据权利要求38所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述交联性基团是交联性基团组T所示的基团，

<交联性基团组T>

40.根据权利要求38所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述交联性基团是由下述式(5)表示的基团，

41.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述芳香族胺系聚合物具有由下述式(1)表示的重复单元，

式中，Ar¹和Ar²各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，Ar³～Ar⁵各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，Ar¹～Ar⁵中，与同一N原子键合的二个基团可以相互键合而形成环，X表示选自下述连接基团组X’中的2价连接基团，

Ar¹～Ar⁵中的芳香族烃环基和芳香族杂环基可以具有的取代基是碳原子数1～24的烷基、碳原子数2～24的烯基、碳原子数2～24的炔基、碳原子数1～24的烷氧基、碳原子数4～36的芳氧基、碳原子数2～24的烷氧羰基、碳原子数2～24的二烷基氨基、碳原子数10～36的二芳基氨基、碳原子数6～36的芳基烷基氨基、碳原子数2～24的酰基、卤素原子、碳原子数1～12的卤代烷基、碳原子数1～24的烷硫基、碳原子数4～36的芳硫基、碳原子数2～36的甲硅烷基、碳原子数2～36的甲硅烷氧基、氰基、碳原子数6～36的芳香族烃环基、碳原子数3～36的芳香族杂环基，

这些取代基可以进一步具有取代基，可以具有的取代基是与这些取代基组相同的基团，作为取代基的分子量，包含进一步取代的基团在内为400以下，

<连接基团组X’>

式中，Ar¹¹～Ar¹⁵、Ar¹⁷～Ar²⁰、Ar²²～Ar²⁵、Ar²⁷和Ar²⁸各自独立地为与所述式(1)中的Ar³同样的基团，

Ar¹⁶、Ar²¹和Ar²⁶各自独立地为与所述式(1)中的Ar¹同样的基团，

R⁴¹和R⁴²各自独立地为氢原子、碳原子数1～24的烷基、碳原子数2～24的烯基、碳原子数2～24的炔基、碳原子数1～24的烷氧基、碳原子数2～36的甲硅烷基、碳原子数2～36的甲硅烷氧基、碳原子数6～36的芳香族烃环基、碳原子数6～36的芳香族杂环基。

42.根据权利要求41所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，Ar¹、Ar²各自独立地为可以具有取代基的、具有1个游离原子价的苯环、萘环、菲环、噻吩环、吡啶环，

Ar³～Ar⁵各自独立地为具有2个游离原子价的苯环、萘环、9,10-苯并菲环、菲环。

43.根据权利要求41所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，Ar¹、Ar²各自独立地为可具有取代基的苯基、萘基，

Ar³～Ar⁵各自独立地为亚苯基、亚联苯基、亚萘基。

44.根据权利要求41所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，取代基是甲基、乙基、苯基、萘基。

45.根据权利要求41所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，所述式(1)是由下述式(1－1)表示的重复单元，

式中，R¹～R⁵各自独立地为碳原子数1～24的烷基、碳原子数2～24的烯基、碳原子数2～24的炔基、碳原子数1～24的烷氧基、碳原子数4～36的芳氧基、碳原子数2～24的烷氧羰基、碳原子数2～24的二烷基氨基、碳原子数10～36的二芳基氨基、碳原子数6～36的芳基烷基氨基、碳原子数2～24的酰基、卤素原子、碳原子数1～12的卤代烷基、碳原子数1～24的烷硫基、碳原子数4～36的芳硫基、碳原子数2～36的甲硅烷基、碳原子数2～36的甲硅烷氧基、氰基、碳原子数6～36的芳香族烃环基、碳原子数3～36的芳香族杂环基，

作为取代基的分子量，包含进一步取代的基团在内为400以下，

p和q各自独立地表示0～5的整数，r、s和t各自独立地表示0～4的整数，X与式(1)中的X意思相同。

46.根据权利要求41所述的有机场致发光元件用组合物的制造方法，其中，X是选自下述连接基团组X”中的连接基团，

<连接基团组X”>